KR19980073856A

KR19980073856A - Cell Fuses for Semiconductor Wafers

Info

Publication number: KR19980073856A
Application number: KR1019970009436A
Authority: KR
Inventors: 김효동; 박영문
Original assignee: 문정환; 엘지반도체 주식회사
Priority date: 1997-03-20
Filing date: 1997-03-20
Publication date: 1998-11-05

Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼의 셀연결용 퓨즈에 관한 것으로, 종래에는 퓨즈의 절단시 주변의 다른 퓨즈를 손상시켜서 결국은 칩을 손상시키는 문제점이 있었다. 본 발명 반도체 웨이퍼의 셀연결용 퓨즈는 단면형상을 역사다리꼴형상으로 하여 불량셀과 더미셀의 연결을 위한 퓨즈(12)의 절단시 레이저 빔(14)의 크기 및 세기가 작은 경우에도 절단이 가능토록함으로서 종래와 같이 주변에 위치하는 다른 퓨즈에 손상을 주어 칩을 손상시키는 것을 방지하게 되는 효과가 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fuse for cell connection of a semiconductor wafer, and in the related art, there is a problem of damaging other fuses in the vicinity of a fuse and eventually damaging a chip. The fuse for cell connection of the semiconductor wafer of the present invention can be cut even when the size and intensity of the laser beam 14 are small when cutting the fuse 12 for connecting the defective cell and the dummy cell by using an inverted trapezoidal cross-sectional shape. By doing so, there is an effect of preventing damage to the chip by damaging other fuses located nearby as in the prior art.

Description

Cell Fuses for Semiconductor Wafers

본 발명은 반도체 웨이퍼의 셀연결용 퓨즈(FUSE)에 관한 것으로, 특히 컷팅(CUTTING)시 레이저 빔(LASER BEAM)에 의하여 칩(CHIP)의 손상을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼의 셀연결용 퓨즈에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a fuse for cell connection of a semiconductor wafer, and more particularly, to a fuse for cell connection of a semiconductor wafer suitable for preventing damage to the chip by a laser beam during cutting. It is about.

일반적으로 반도체 제조시에 웨이퍼에는 여러개의 칩이 형성되고, 그 칩에는 여러개의 셀이 형성된다. 그리고, 그 셀의 주변에는 더미셀을 만들어서 셀이 불량이 발생시 그 셀과 더미셀을 연결하는 퓨즈 중 일부를 절단하는 방법으로 연결을 하여 더미셀을 불량이 발생한 셀의 대치용으로 사용하게 되는데, 이와 같은 셀과 더미셀을 연결하는 퓨즈가 형성된 상태가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.In general, a plurality of chips are formed on a wafer and several cells are formed on a wafer during semiconductor manufacturing. Then, a dummy cell is formed around the cell, and when the cell is defective, the dummy cell is used to replace the defective cell by cutting some of the fuses connecting the cell and the dummy cell. A state in which a fuse connecting the cell and the dummy cell is formed is illustrated in FIG. 1, which is briefly described as follows.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼의 셀연결용 퓨즈의 구조를 보인 단면도로서, 도시된 바와 같이, 기준층(1)의 상부에 사다리꼴 형상의 퓨즈(2)가 형성되어 있고, 그 사다리꼴 형상의 퓨즈(2) 주변에는 옥사이드막(3)이 형성되어 있는 구조로 되어 있다.1 is a cross-sectional view illustrating a structure of a fuse for cell connection of a conventional semiconductor wafer. As illustrated, a trapezoidal fuse 2 is formed on an upper portion of the reference layer 1, and the trapezoidal fuse 2 is formed. The oxide film 3 is formed around the structure.

이와 같이 형성되어 있는 퓨즈는 검사시 셀이 불량이 발견되면 더미셀과 연결된 일부를 은선으로 표시된 바와 같은 레이저 빔(4)을 이용하여 컷팅을 하게 된다. 즉, 불량셀의 대치용으로 더미셀을 사용하기 위하여 일부분의 퓨즈(2)를 절단하게 된다.When the fuse is formed as described above, if a defect is found in the cell, a part of the fuse is cut using the laser beam 4 as indicated by the hidden line. That is, a portion of the fuse 2 is cut in order to use the dummy cell for replacing the defective cell.

그러나, 도 1에 도시된 바와 같은 사다리꼴 형상의 퓨즈(2)를 절단하기 위해서는 레이저 빔(4)의 절단면적(SPOT SIZE)이 넓어져야하며, 이와 같이 절단면적이 넓어지는 경우에는 에너지(ENERGY)의 세기가 커질뿐만 아니라, 주변에 위치하는 다른 퓨즈에 손상을 입히게 되어 결국의 칩에 손상을 입히게 되는 문제점이 있었다.However, in order to cut the trapezoidal fuse 2 as shown in FIG. 1, the cutting area SPOT SIZE of the laser beam 4 must be widened. In this case, the energy ENERGY is increased. In addition to the increase in the strength of the other fuses around the damage to the final chip damage was a problem.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 퓨즈의 절단시 주변의 다른 퓨즈를 손상시켜서 칩을 손상시키는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 웨이퍼의 셀연결용 퓨즈를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention devised in view of the above problems is to provide a fuse for connecting a cell of a semiconductor wafer suitable for preventing damage to a chip by damaging other fuses around when cutting a fuse.

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 칩에 형성되는 셀과, 그 셀의 주변에 형성되는 더미셀을 연결하는 퓨즈의 단면형상을 역사다리꼴로 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 셀연결용 퓨즈가 제공된다.In order to achieve the above object of the present invention, a cross-sectional shape of a fuse formed between a cell formed on a chip and a dummy cell formed around the cell is formed in an inverted trapezoidal shape. Fuses are provided.

도 1은 종래 반도체 웨이퍼의 셀연결용 퓨즈의 구조를 보인 단면도.1 is a cross-sectional view showing the structure of a fuse for cell connection of a conventional semiconductor wafer.

도 2는 본 발명 반도체 웨이퍼의 셀연결용 퓨즈의 구조를 보인 단면도.Figure 2 is a cross-sectional view showing the structure of the fuse for cell connection of the semiconductor wafer of the present invention.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

12 : 퓨즈12: fuse

이하, 상기와 같은 본 발명 반도체 웨이퍼의 셀 연결용 퓨즈를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the fuse for cell connection of the present invention semiconductor wafer as described above will be described in detail with reference to embodiments of the accompanying drawings.

도 2는 본 발명 반도체 웨이퍼의 셀연결용 퓨즈의 구조를 보인 단면도로서, 도시된 바와같이, 기준층(11)의 상면에 폴리사이드 재질인 퓨즈(12)가 형성되어 있으며, 그 퓨즈(12)의 주변에는 옥사이드막(13)이 형성되어 있는 구성은 종래와 유사하다.FIG. 2 is a cross-sectional view showing a structure of a fuse for cell connection of the semiconductor wafer according to the present invention. As shown in FIG. 2, a fuse 12 made of a polyside material is formed on an upper surface of the reference layer 11. The structure in which the oxide film 13 is formed in the vicinity is similar to the conventional one.

그러나, 본 발명에서는 상기 퓨즈(12)의 형상이 역사다리꼴형상으로 되어 있다. 즉, 퓨즈(12)의 상면폭(a)이 하면폭(b) 보다 크도록 되어 있다.However, in the present invention, the fuse 12 has an inverted trapezoidal shape. That is, the upper surface width a of the fuse 12 is larger than the lower surface width b.

상기와 같은 상태에서 검사시 불량셀이 발견되면 더미셀과 연결된 퓨즈(12)를 절단하게 되는데, 이때 도 2에 은선으로 도시된 바와 같이 레이저 빔(14)의 크기 및 사이즈가 작은 상태로 퓨즈(12)를 절단하게 된다. 즉, 퓨즈(12) 절단시 주변에 있는 다른 퓨즈(12)에 영향을 주지 않게 된다.If a defective cell is found during the inspection in the above state, the fuse 12 connected to the dummy cell is cut. In this case, as shown by the hidden line in FIG. 2, the fuse and the fuse of the laser beam 14 are small in size. 12) will be cut. That is, when the fuse 12 is cut off, other fuses 12 around the fuse 12 are not affected.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명 반도체 웨이퍼의 셀연결용 퓨즈는 단면형상을 역사다리꼴형상으로 하여 불량셀과 더미셀의 연결을 위한 퓨즈의 절단시 레이저 빔의 크기 및 세기가 작은 경우에도 절단이 가능토록함으로서 종래와 같이 주변에 위치하는 다른 퓨즈에 손상을 주어 칩을 손상시키는 것을 방지하게 되는 효과가 있다.As described above in detail, the fuse for cell connection of the semiconductor wafer of the present invention has an inverted trapezoidal cross-section, even when the fuse for cutting the defective cell and the dummy cell has a small laser beam size and intensity. By doing so, there is an effect of preventing damage to the chip by damaging other fuses located nearby as in the prior art.

Claims

A cross-sectional shape of a fuse connecting a cell formed on a chip and a dummy cell formed around the cell in an inverted trapezoidal shape, characterized in that the fuse for cell connection of a semiconductor wafer.