KR19980068054A

KR19980068054A - Semiconductor device manufacturing device

Info

Publication number: KR19980068054A
Application number: KR1019970004486A
Authority: KR
Inventors: 고현국; 구자흠
Original assignee: 김광호; 삼성전자 주식회사
Priority date: 1997-02-14
Filing date: 1997-02-14
Publication date: 1998-10-15

Abstract

반도체소자 제조장치를 개시하고 있다. 이는, 막 증착을 위한 프로세스 챔버; 상기 프로세스 챔버로 웨이퍼를 이송하기 위한 로드락 챔버; 및 상기 로드락 챔버의 진공을 1x10^-5이하로 유지하기 위하여 상기 로드락 챔버에 연결된 터보 펌프를 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 터보 펌프를 설치하여 로드락 챔버의 진공을 1x10^-7이하로 유지함으로써, 제1 프로세스 챔버의 진공을 안정되게 유지할 수 있다.Disclosed is a semiconductor device manufacturing apparatus. It comprises a process chamber for film deposition; A load lock chamber for transferring a wafer to the process chamber; And a turbo pump connected to the load lock chamber to maintain a vacuum of the load lock chamber at 1 × 10 ⁻⁵ or less. Therefore, the vacuum of the first process chamber can be stably maintained by installing a turbo pump to maintain the vacuum of the load lock chamber at 1 × 10 ⁻⁷ or less.

Description

Semiconductor device manufacturing device

본 발명은 반도체소자 제조장치에 관한 것으로, 특히 안정된 진공도 유지가 가능한 반도체 소자 제조장치에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor device manufacturing apparatus capable of maintaining a stable vacuum.

일반적으로 반도체소자에 사용되는 막 형성을 위한 스퍼터 장치는 여러개의 독립된 챔버로 구성되어 있다. 이는, 각 챔버별로 프로세스 특성에 맞는 조건을 갖추기 위해서이며, 특히 적절한 진공을 유지하기 위해서이다. 각 챔버별로 유구되는 진공도를 유지하기 위하여 여러 가지 방법이 사용되고 있는데, 웨이퍼의 이동 경로에 따라서 대기압에서부터 1x10^-9의 챔버까지 이동하는 경로에 따라 진공도에 차이가 발생된다.In general, a sputtering apparatus for forming a film used in a semiconductor device is composed of a plurality of independent chambers. This is to satisfy the process characteristics for each chamber, and particularly to maintain an appropriate vacuum. Various methods are used to maintain the vacuum degree that is maintained for each chamber, and a difference occurs in the vacuum degree depending on the path from the atmospheric pressure to the chamber of 1x10 ^-9 depending on the path of the wafer.

도1은 종래 일반적인 스퍼터 장치(10)를 도시한 구성도로서, 1은 로드락 챔버를, 3은 버퍼 챔버를, 5는 제1 프로세스 챔버를, 7은 세정 챔버를, 9는 트랜스퍼 챔버를, 11은 제2 프로세스 챔버를, 13 및 15는 펌핑용 펌프를 각각 나타낸다.1 is a block diagram illustrating a conventional general sputtering device 10, where 1 is a load lock chamber, 3 is a buffer chamber, 5 is a first process chamber, 7 is a cleaning chamber, 9 is a transfer chamber, 11 denotes a second process chamber and 13 and 15 denote pumps for pumping, respectively.

일반적인 웨이퍼의 이동경로를 살펴보면, 로드락 챔버(1) 및 버퍼 챔버(3)를 거쳐 제1 프로세스 챔버(5)로 이동되거나, 사전 세정 챔버(7)와 트랜스퍼 챔버(9)를 거쳐 제2 프로세스 챔버(11)로 이동될 수 있다.In general, the movement path of the wafer may be moved to the first process chamber 5 through the load lock chamber 1 and the buffer chamber 3, or the second process through the pre-clean chamber 7 and the transfer chamber 9. It may be moved to the chamber 11.

통상, 로드락 챔버(1)는 대기압 ~ 1x10^-5, 버퍼 챔버(3)는 1x10^-6, 세정 챔버(7)는 1x10^-7, 트랜스퍼 챔버(9)는 1x10^-8, 제1 프로세스 챔버(5)는 1x10^-8, 제2 프로세스 챔버(11)는 약 1x10^-9정도의 진공을 유지하게 된다.Typically, the load lock chamber 1 is at atmospheric pressure to 1x10 ^-5 , the buffer chamber 3 is 1x10 ^-6 , the cleaning chamber 7 is 1x10 ^-7 , the transfer chamber 9 is 1x10 ^-8 , and the first process chamber ( 5) is 1 × 10 ⁻⁸ , and the second process chamber 11 maintains a vacuum of about 1 × 10 ⁻⁹ .

웨이퍼는 이동시 독립된 여러 챔버들을 이동하게 되는데, 트랜스퍼 챔버(9)와 연결된 제2 프로세스 챔버(11)들은 비교적 양호한 진공도를 유지할 수 있으나 버퍼 챔버(3)에 연결된 제1 프로세스 챔버(5)들은 로드락 챔버의 낮은 진공도 때문에 이동시 프로세스 챔버의 진공도에 영향을 미치므로 1x10^-9의 고진공을 유지하기가 어려우며, 이로 인하여 공정에 좋지 않은 영향을 미친다.When the wafer moves, the independent chambers are moved. The second process chambers 11 connected to the transfer chamber 9 can maintain a relatively good degree of vacuum, but the first process chambers 5 connected to the buffer chamber 3 have a load lock. Due to the low vacuum of the chamber, it is difficult to maintain a high vacuum of 1x10 ^-9 because it affects the vacuum of the process chamber during movement, which adversely affects the process.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 안정된 진공도 유지가 가능한 반도체 소자 제조장치를 제공하는 것이다.It is an object of the present invention to provide a semiconductor device manufacturing apparatus capable of maintaining a stable vacuum.

도1은 종래 일반적인 스퍼터 장치를 도시한 구성도이다.1 is a block diagram showing a conventional general sputter apparatus.

도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터 장치를 설명하기 위해 도시한 개략적 구성도이다.2 is a schematic diagram illustrating a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

상기 과제를 이루기 위하여 본 발명은, 막 증착을 위한 프로세스 챔버; 상기 프로세스 챔버로 웨이퍼를 이송하기 위한 로드락 챔버; 및 상기 로드락 챔버의 진공을 1x10^-5이하로 유지하기 위하여 상기 로드락 챔버에 연결된 터보 펌프를 구비하는 것을 특징으로 반도체소자 제조장치를 제공한다.The present invention to achieve the above object, the process chamber for film deposition; A load lock chamber for transferring a wafer to the process chamber; And a turbo pump connected to the load lock chamber to maintain a vacuum of the load lock chamber at 1 × 10 ⁻⁵ or less.

터보 펌프를 설치하여 로드락 챔버의 진공을 일정수준 이하로 유지함으로써, 제1 프로세스 챔버의 진공을 안정되게 유지할 수 있다.By installing a turbo pump to maintain the vacuum of the load lock chamber to a predetermined level or less, it is possible to stably maintain the vacuum of the first process chamber.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in more detail the present invention.

51은 로드락 챔버를, 53은 버퍼 챔버를, 55는 제1 프로세스 챔버를, 57은 세정 챔버를, 59는 트랜스퍼 챔버를, 61은 제2 프로세스 챔버를, 63은 기계적 펌프를, 65는 펌핑용 펌프를, 67은 터보 펌프를 각각 나타낸다.51 is a load lock chamber, 53 is a buffer chamber, 55 is a first process chamber, 57 is a cleaning chamber, 59 is a transfer chamber, 61 is a second process chamber, 63 is a mechanical pump, 65 is pumped For the pump, 67 represents a turbo pump, respectively.

상기 로드락 챔버(51)는 5x10^-8~ 1x10⁷, 버퍼 챔버(53)는 1x10^-6, 세정 챔버(57)는 1x10^-7, 트랜스퍼 챔버(59)는 1x10^-8, 제1 프로세스 챔버(55)는 1x10^-8, 제2 프로세스 챔버(61)는 약 1x10^-9정도의 진공을 유지하게 된다.The load lock chamber 51 is 5x10 ^-8 to 1x10 ⁷ , the buffer chamber 53 is 1x10 ^-6 , the cleaning chamber 57 is 1x10 ^-7 , the transfer chamber 59 is 1x10 ^-8 , and the first process chamber ( 55 is 1 × 10 ⁻⁸ , and the second process chamber 61 maintains a vacuum of about 1 × 10 ⁻⁹ .

도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 스퍼터 장치(50)는, 로드락 챔버에 기계적 펌프(63)와 터보 펌프(67)을 설치하고, 이를 종래의 펌프들과 혼용하여 사용함으로써, 최종 펌핑시에는 터보 펌프로써 펌핑할 수 있도록 설계하였다. 즉, 터보 펌프로써 펌핑시 최고 5x10^-8~ 1x10⁷까지 안정된 진공을 얻을 수 있으며, 이로 인하여 웨이퍼 이동시의 버퍼 챔버의 진공 또한 1x10^-7~ 1x10^-8까지 안정된 진공을 얻을 수 있다.As shown, the sputtering apparatus 50 according to an embodiment of the present invention, by installing the mechanical pump 63 and the turbo pump 67 in the load lock chamber, and using them in combination with conventional pumps, When pumping, it was designed to be pumped by a turbo pump. That is, when pumping with a turbo pump, a stable vacuum can be obtained up to 5x10 ^-8 to 1x10 ⁷ , and thus, a vacuum of the buffer chamber during wafer movement can also be obtained to a stable vacuum up to 1x10 ^-7 to 1x10 ^-8 .

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 종래 사용되던 러핑 벨브에 기계적 펌프와 터보 펌프를 설치하여 로드락 챔버의 진공을 1x10^-7이하로 유지함으로써, 제1 프로세스 챔버의 진공을 안정되게 유지할 수 있다.As described above, according to the present invention, the vacuum of the first process chamber can be stably maintained by installing a mechanical pump and a turbo pump in the roughing valves used in the related art to maintain the vacuum of the load lock chamber at 1x10 ^-7 or less.

Claims

A process chamber for film deposition;

A load lock chamber for transferring a wafer to the process chamber; And

And a turbo pump connected to the load lock chamber to maintain a vacuum of the load lock chamber at 1 × 10 ⁻⁵ or less.