KR20030018491A - Apparatus for manufacturing semiconductor device having loadrock chamber - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 로드락챔버를 구비한 반도체소자 제조장치에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 질소가스 등의 압력조절가스에 의해서 내부압력이 조절되는 로드락챔버를 구비한 반도체소자 제조장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus having a load lock chamber, and more particularly, to a semiconductor device manufacturing apparatus having a load lock chamber whose internal pressure is controlled by a pressure regulating gas such as nitrogen gas.
통상, 반도체소자는 미세한 파티클(Particle)에 의해서도 공정불량이 발생함으로써 반도체 제조장치는 고도로 청정한 클린룸(Clean room) 내부에 설치된다.In general, a semiconductor device generates a process defect even by fine particles, so that a semiconductor manufacturing apparatus is installed in a clean room.
그리고, 반도체 제조장치의 공정챔버는 고진공펌프의 가동에 의해서 고진공상태를 유지함으로써 파티클에 의한 공정 영향성을 배제시키고 있다. 또한, 상기 공정챔버가 고진공상태를 유지함으로써 공정챔버로의 웨이퍼 투입/방출시 공정챔버의 고진공상태가 급격히 불량해지는 것을 방지하기 위하여 공정챔버와 인접하여 저진공상태의 로드락챔버를 구비시키고 있다.In addition, the process chamber of the semiconductor manufacturing apparatus keeps the high vacuum state by the operation of the high vacuum pump, thereby excluding the process influence caused by the particles. In addition, in order to prevent the high vacuum state of the process chamber from rapidly deteriorating when the process chamber is maintained in a high vacuum state, the load lock chamber of a low vacuum state is provided adjacent to the process chamber.
이와 같은 종래의 로드락챔버를 구비한 반도체소자 제조장치에 대해서 도1을 참조하여 보다 구체적으로 살펴보면, 고진공펌프(11)의 가동에 의해서 형성된 고진공상태에서 건식식각공정, 화학기상증착공정 등의 반도체 제조공정이 진행되는 공정챔버(10)를 구비한다.The semiconductor device manufacturing apparatus having the conventional load lock chamber will be described in more detail with reference to FIG. 1. In the high vacuum state formed by the operation of the high vacuum pump 11, a semiconductor such as a dry etching process and a chemical vapor deposition process A process chamber 10 in which the manufacturing process is performed is provided.
그리고, 상기 공정챔버(10)와 내부 중앙에 웨이퍼 이송용 로봇아암(도시되지 않음)이 설치된 버퍼챔버(12)가 웨이퍼 이동용 도어(Door : 도시되지 않음)를 사이에 두고 인접 설치되어 있다. 상기 버퍼챔버(12) 일측에는 버퍼챔버(12)의 내부압력을 조절하기 위한 저진공펌프(13)가 연결되어 있고, 상기 버퍼챔버(12) 내부에서는 투입된 웨이퍼를 플랫존(Flat zone)을 기준으로 일방향으로 정렬하는 정렬공정이 진행된다.In addition, the process chamber 10 and the buffer chamber 12 in which the wafer transfer robot arm (not shown) is provided in the inner center are adjacently provided with the wafer moving door (Door: not shown) interposed therebetween. One side of the buffer chamber 12 is connected to a low vacuum pump 13 for controlling the internal pressure of the buffer chamber 12, and the wafer introduced into the buffer chamber 12 is referenced to a flat zone. The alignment process to align in one direction proceeds.
또한, 상기 버퍼챔버(12)의 소정부에는 저진공펌프(15)에 의해서 내부 압력이 조절되는 제 1 로드락챔버(14)가 웨이퍼 이동용 도어(도시되지 않음)를 사이에 두고 인접 설치되어 있고, 상기 버퍼챔버(12)의 다른 소정부에는 저진공펌프(17)에 의해서 내부 압력이 조절되는 제 2 로드락챔버(16)가 역시 웨이퍼 이동용 도어(도시되지 않음)를 사이에 두고 인접 설치되어 있다. 그리고, 상기 제 1 로드락챔버(14) 및 제 2 로드락챔버(16)의 일측부에는 랏(Lot) 단위의 복수의 웨이퍼가 적재된 카세트를 투입/방출하기 위한 카세트용 도어(도시되지 않음)가 각각 설치되어 있다.In addition, a first load lock chamber 14 whose internal pressure is controlled by the low vacuum pump 15 is disposed adjacent to the buffer chamber 12 with a wafer moving door (not shown) interposed therebetween. In another predetermined portion of the buffer chamber 12, a second load lock chamber 16, in which the internal pressure is controlled by the low vacuum pump 17, is installed adjacent to the wafer moving door (not shown). have. In addition, a cassette door (not shown) for inserting / ejecting a cassette on which a plurality of wafers in a lot unit are loaded is disposed at one side of the first load lock chamber 14 and the second load lock chamber 16. ) Are installed respectively.
그리고, 상기 제 1 로드락챔버(14)와 압력조절용 질소가스를 공급하는 질소가스 공급원(18)이 온오프(On-off) 동작을 수행하는 제 1 밸브(22)가 설치된 제 1 질소가스 공급라인(20)에 의해서 서로 연결되어 있고, 상기 제 2 로드락챔버(16)와 질소가스 공급원(18)이 온오프 동작을 수행하는 제 2 밸브(26)가 설치된 제 2 질소가스 공급라인(24)에 의해서 서로 연결되어 있다.In addition, a first nitrogen gas supply in which a first valve 22 is installed on which the first load lock chamber 14 and the nitrogen gas supply source 18 for supplying the pressure regulating nitrogen gas perform an on-off operation. A second nitrogen gas supply line 24 connected to each other by a line 20 and provided with a second valve 26 in which the second load lock chamber 16 and the nitrogen gas supply source 18 perform an on-off operation. Are connected to each other by
따라서, 일련의 반도체 제조공정이 수행된 랏단위의 복수의 웨이퍼가 적재된 카세트가 상기 카세트 도어를 통해서 제 1 로드락챔버(14) 및 제 2 로드락챔버(16) 내부에 투입되면, 상기 로드락챔버(14, 16)와 연결된 저진공펌프(15, 17)는 가동되어 로드락챔버(14, 16)의 내부압력은 저진공상태로 형성된다.Therefore, when a cassette in which a plurality of wafers in a lot unit in which a series of semiconductor manufacturing processes are performed is loaded is introduced into the first load lock chamber 14 and the second load lock chamber 16 through the cassette door, the load is loaded. The low vacuum pumps 15 and 17 connected to the lock chambers 14 and 16 are operated so that the internal pressure of the load lock chambers 14 and 16 is formed in a low vacuum state.
이어서, 상기 카세트에 적재된 웨이퍼는 버퍼챔버(12)의 로봇아암에 의해서 웨이퍼 이동용 도어를 통해서 저진공펌프(13)의 가동에 의해서 저진공상태가 형성된 버퍼챔버(12)내부로 이동된 후, 플랫존을 기준으로 일방향으로 정렬된다.Subsequently, the wafer loaded in the cassette is moved into the buffer chamber 12 in which the low vacuum state is formed by the operation of the low vacuum pump 13 through the wafer moving door by the robot arm of the buffer chamber 12. It is aligned in one direction with respect to the flat zone.
다음으로, 상기 버퍼챔버(12) 내부의 웨이퍼는 다시 상기 로봇아암에 의해서 고진공펌프(11)의 가동에 의해서 고진공상태가 형성된 공정챔버(10) 내부로 웨이퍼 이동용 도어를 통해서 이동하게 된다. 여기서, 상기 공정챔버(10) 내부에서는 일련의 반도체 제조공정이 수행된 웨이퍼 상에 특정 박막을 형성하는 화학기상증착공정, 소정부를 식각하는 건식식각공정 등이 진행된다.Next, the wafer inside the buffer chamber 12 is moved again through the wafer moving door into the process chamber 10 in which the high vacuum state is formed by the operation of the high vacuum pump 11 by the robot arm. Here, in the process chamber 10, a chemical vapor deposition process of forming a specific thin film on a wafer on which a series of semiconductor manufacturing processes are performed, and a dry etching process of etching a predetermined portion are performed.
계속해서, 상기 공정챔버(10) 내부의 웨이퍼는 전술한 바와 같은 동작의 역순으로 다시 로봇아암에 의해서 버퍼챔버(12)를 경유하여 각 로드락챔버(14, 16)의 카세트에 적재된다.Subsequently, the wafer inside the process chamber 10 is loaded into the cassettes of the load lock chambers 14 and 16 via the buffer chamber 12 by the robot arm again in the reverse order of the above-described operation.
마지막으로, 상기 로드락챔버(14, 16)의 카세트에 모든 웨이퍼가 수납되면, 로드락챔버(14, 16)와 연결된 저진공펌프(15, 17)의 가동은 중지된다. 그리고, 각 질소가스공급라인(20, 24) 상에 설치된 밸브(22, 26)를 개방함에 따라 질소가스 공급원(18)에 저장된 질소가스는 질소가스 공급라인(20, 24)을 통해서 각 로드락챔버(14, 16) 내부로 공급되어 로드락챔버(14, 16)의 내부압력은 저진공상태에서 대기압상태로 전환된다. 또한, 대기압상태로 전환된 로드락챔버(14, 16)의 카세트 도어는 개방되고, 상기 카세트 도어를 통해서 카세트는 외부로 인출된다.Finally, when all the wafers are accommodated in the cassettes of the load lock chambers 14 and 16, the low vacuum pumps 15 and 17 connected to the load lock chambers 14 and 16 are stopped. As the valves 22 and 26 installed on the nitrogen gas supply lines 20 and 24 are opened, the nitrogen gas stored in the nitrogen gas supply source 18 is loaded through the nitrogen gas supply lines 20 and 24. The internal pressure of the load lock chambers 14 and 16 is supplied into the chambers 14 and 16 so as to be switched from the low vacuum state to the atmospheric pressure state. In addition, the cassette doors of the load lock chambers 14 and 16, which have been switched to the atmospheric pressure state, are opened, and the cassette is drawn out through the cassette door.
그러나, 상기 로드락챔버의 내부압력를 조절하기 위하여 공급되는 질소가스는 필터링되지 않고 바로 로드락챔버로 공급됨으로써 로드락챔버에는 파티클이 포함된 질소가스가 공급되었다.However, the nitrogen gas supplied to adjust the internal pressure of the load lock chamber is not filtered but directly supplied to the load lock chamber, so that the nitrogen gas including particles is supplied to the load lock chamber.
따라서, 로드락챔버의 카세트에 적재된 웨이퍼가 질소가스에 포함된 파티클에 의해서 오염됨으로써 반도체 수율이 떨어지는 문제점이 있었다.Therefore, the wafer loaded on the cassette of the load lock chamber is contaminated by the particles contained in the nitrogen gas, thereby lowering the semiconductor yield.
본 발명의 목적은, 로드락챔버의 내부압력을 조절하도록 공급되는 압력조절가스에 포함된 파티클을 제거함으로써 로드락챔버의 카세트에 적재된 웨이퍼가 파티클에 의해서 오염되는 것을 방지할 수 있는 로드락챔버를 구비한 반도체소자 제조장치를 제공하는 데 있다.An object of the present invention, by removing the particles contained in the pressure control gas supplied to adjust the internal pressure of the load lock chamber, the load lock chamber which can prevent the wafer loaded on the cassette of the load lock chamber is contaminated by the particles It is to provide a semiconductor device manufacturing apparatus having a.
도1은 종래의 로드락챔버를 구비한 반도체소자 제조장치의 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram of a semiconductor device manufacturing apparatus having a conventional load lock chamber.
도2는 본 발명의 일 실시에에 따른 로드락챔버를 구비한 반도체소자 제조장치의 구성도이다.2 is a block diagram of a semiconductor device manufacturing apparatus having a load lock chamber according to an embodiment of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10, 30 : 공정챔버 11, 31 : 고진공펌프10, 30: process chamber 11, 31: high vacuum pump
12, 32 : 버퍼챔버12, 32: buffer chamber
13, 15, 17, 33, 35, 37 : 저진공펌프13, 15, 17, 33, 35, 37: low vacuum pump
14, 34 : 제 1 로드락챔버 16, 36 : 제 2 로드락챔버14, 34: first load lock chamber 16, 36: second load lock chamber
18, 38 : 질소가스 공급원 20, 40 : 제 1 질소가스 공급라인18, 38: nitrogen gas supply source 20, 40: first nitrogen gas supply line
22, 42 : 제 1 밸브 24, 46 : 제 2 질소가스 공급라인22, 42: 1st valve 24, 46: 2nd nitrogen gas supply line
26, 48 : 제 2 밸브 44 : 제 1 필터26, 48: 2nd valve 44: 1st filter
50 : 제 2 필터50: second filter
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 로드락챔버를 구비한 반도체소자 제조장치는, 로드락챔버를 경유하여 공정챔버로 웨이퍼가 투입되는 반도체소자 제조장치에 있어서, 상기 로드락챔버에 필터링수단을 구비한 압력조절가스 공급라인이 연결 구비된 것을 특징으로 한다.In the semiconductor device manufacturing apparatus having a load lock chamber according to the present invention for achieving the above object, in the semiconductor device manufacturing apparatus in which a wafer is introduced into the process chamber via the load lock chamber, filtering means to the load lock chamber; It characterized in that the pressure control gas supply line provided is connected.
여기서, 상기 필터링수단은 내부식성 금속재질의 필터로 이루어질 수 있다.Here, the filtering means may be made of a corrosion-resistant metal filter.
그리고, 상기 공정챔버와 로드락챔버 사이에 버퍼챔버가 더 구비될 수 있고, 상기 로드락챔버는 복수개 구비될 수 있다.In addition, a buffer chamber may be further provided between the process chamber and the load lock chamber, and the load lock chamber may be provided in plurality.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 로드락챔버를 구비한 반도체소자 제조장치를 설명하기 위한 구성도이다.2 is a block diagram illustrating a semiconductor device manufacturing apparatus having a load lock chamber according to an embodiment of the present invention.
본 발명에 따른 로드락챔버를 구비한 반도체소자 제조장치는, 도2에 도시된바와 같이 10-3Torr 이하의 고진공상태에서 화학기상증착공정, 건식식각공정 등의 반도체 제조공정이 진행되는 공정챔버(30)를 구비한다. 여기서, 상기 공정챔버(30) 소정부에는 공정챔버(30)의 내부압력을 조절하도록 터보펌프 등의 고진공펌프(31)가 연결 구비되어 있다.In the semiconductor device manufacturing apparatus including the load lock chamber according to the present invention, as shown in FIG. 2, a process chamber in which a semiconductor manufacturing process such as a chemical vapor deposition process or a dry etching process is performed in a high vacuum state of 10 -3 Torr or less. 30 is provided. Here, a high vacuum pump 31 such as a turbo pump is connected to a predetermined portion of the process chamber 30 so as to adjust the internal pressure of the process chamber 30.
그리고, 상기 공정챔버(30)와 웨이퍼 이동용 도어(도시되지 않음)를 사이에 두고 투입된 웨이퍼를 일방향으로 정렬하고, 공정챔버(30)로부터 투입/방출된 웨이퍼를 수납하는 버퍼챔버(32)가 구비되어 있다. 여기서, 상기 버퍼챔버(32) 소정부에는 버퍼챔버(32)의 내부압력을 10-3Torr 내지 10-4Torr 정도의 저진공상태로 형성할 수 있도록 드라이펌프 등의 저진공펌프(33)가 연결 구비되어 있고, 버퍼챔버(32)의 중앙에는 도면에는 도시되지 않았으나 웨이퍼 이송용 로봇아암이 설치되어 있다.In addition, a buffer chamber 32 is provided to align the wafers inserted in one direction with the process chamber 30 and a wafer moving door (not shown) interposed therebetween, and accommodate the wafers inserted / emitted from the process chamber 30. It is. Here, a low vacuum pump 33, such as a dry pump, is formed in a predetermined portion of the buffer chamber 32 so that the internal pressure of the buffer chamber 32 can be formed in a low vacuum state of about 10 -3 Torr to 10 -4 Torr. Although not shown, a robot arm for wafer transfer is provided in the center of the buffer chamber 32.
또한, 상기 버퍼챔버(32)와 웨이퍼 이동용 도어(도시되지 않음)를 사이에 두고 버퍼챔버(32)로부터 투입/방출된 웨이퍼가 대기하는 제 1 로드락챔버(34) 및 제 2 로드락챔버(36)가 구비되어 있다. 여기서, 상기 로드락챔버(34, 36) 소정부에는 로드락챔버(34, 36)의 내부압력을 10-3Torr 내지 10-4Torr 정도의 저진공상태로 형성할 수 있도록 드라이펌프 등의 저진공펌프(35, 37)가 각각 연결 구비되어 있다. 그리고, 상기 각 로드락챔버(34, 36) 일측에는 카세트 투입용 도어(도시되지 않음)가 별도로 더 구비되어 있다.In addition, the first load lock chamber 34 and the second load lock chamber (34) on which the wafers inserted / ejected from the buffer chamber 32 stand by with the buffer chamber 32 and the wafer moving door (not shown) interposed therebetween. 36). Here, a predetermined portion of the load lock chamber (34, 36) is a low pressure, such as a dry pump so that the internal pressure of the load lock chamber (34, 36) can be formed in a low vacuum state of about 10 -3 Torr to 10 -4 Torr The vacuum pumps 35 and 37 are connected to each other. One side of each of the load lock chambers 34 and 36 is further provided with a cassette input door (not shown).
또한, 본 실시예에서는 버퍼챔버(32) 및 로드락챔버(34, 36)에저진공펌프(35, 37)를 별도로 구비하였으나 통합하여 구비할 수도 있으며, 공정챔버(30)와 특정 저진공펌프(33, 35, 37)를 연결 구비하여 초기에는 특정 저진공펌프(33, 35, 37)를 가동시켜 일정수준의 저진공상태를 형성한 후, 다시 고진공펌프(31)를 가동시켜 고진공상태를 형성하도록 할 수도 있다.In addition, in the present embodiment, the low vacuum pumps 35 and 37 are separately provided in the buffer chamber 32 and the load lock chambers 34 and 36, but may also be integrated. The process chamber 30 and the specific low vacuum pump ( 33, 35, 37 are connected to initially operate a specific low vacuum pump (33, 35, 37) to form a low level of vacuum level, and then operate the high vacuum pump 31 again to form a high vacuum state You can also do that.
그리고, 상기 제 1 로드락챔버(34)와 압력조절용 가스로 질소가스를 공급하는 질소가스 공급원(38)이 제 1 질소가스 공급라인(40)에 의해서 연결되어 있고, 상기 제 2 로드락챔버(36)와 역시 압력조절용 가스로 질소가스를 공급하는 질소가스 공급원(38)이 제 2 질소가스 공급라인(46)에 의해서 연결되어 있다.Then, the first load lock chamber 34 and the nitrogen gas supply source 38 for supplying nitrogen gas to the pressure regulating gas are connected by the first nitrogen gas supply line 40, and the second load lock chamber ( 36 and a nitrogen gas supply source 38 for supplying nitrogen gas as a pressure control gas are connected by a second nitrogen gas supply line 46.
여기서, 상기 제 1 질소가스 공급라인(40) 상에는 온오프 동작을 수행하는 제 1 밸브(42), 질소가스에 포함된 파티클을 제거하는 제 1 필터(44)가 설치되어 있고, 상기 제 2 질소가스 공급라인(46) 상에도 역시 온오프 동작을 수행하는 제 2 밸브(48), 질소가스에 포함된 파티클을 제거하는 제 2 필터(50)가 설치되어 있다.Here, on the first nitrogen gas supply line 40, a first valve 42 for performing an on-off operation, a first filter 44 for removing particles contained in nitrogen gas are installed, and the second nitrogen On the gas supply line 46, a second valve 48 which also performs an on-off operation and a second filter 50 which removes particles contained in nitrogen gas are provided.
특히, 상기 제 1 필터(44) 및 제 2 필터(50)는 내부식성 금속 등의 재질로 이루어지고, 3,000 PSI 정도의 용량을 보유하고 있다.In particular, the first filter 44 and the second filter 50 are made of a material such as a corrosion-resistant metal, and has a capacity of about 3,000 PSI.
따라서, 일련의 반도체 제조공정이 수행된 랏단위의 복수의 웨이퍼가 적재된 카세트가 카세트 도어를 통해서 제 1 로드락챔버(34) 및 제 2 로드락챔버(36) 내부에 투입되면, 상기 로드락챔버(34, 36)와 연결된 각 저진공펌프(35, 37)는 가동되어 로드락챔버(34, 36)의 내부압력은 10-3Torr 내지 10-4Torr 정도의 저진공상태로 형성된다.Accordingly, when a cassette in which a plurality of wafers in a lot unit in which a series of semiconductor manufacturing processes are performed is loaded is inserted into the first load lock chamber 34 and the second load lock chamber 36 through a cassette door, the load lock Each of the low vacuum pumps 35 and 37 connected to the chambers 34 and 36 is operated so that the internal pressure of the load lock chambers 34 and 36 is in a low vacuum state of about 10 −3 Torr to 10 −4 Torr.
이어서, 상기 제 1 로드락챔버(34) 및 제 2 로드락챔버(36)의 각 웨이퍼는Subsequently, each wafer of the first load lock chamber 34 and the second load lock chamber 36 is
버퍼챔버(32)의 로봇아암에 의해서 웨이퍼 이동용 도어를 통해서 저진공펌프(33)의 가동에 의해서 10-3Torr 내지 10-4Torr 정도의 저진공상태가 형성된 버퍼챔버(32)로 이동하게 된다. 여기서, 상기 버퍼챔버(32)에서는 웨이퍼를 회전시키며 웨이퍼 상하부에 설치된 수발광센서의 센싱동작을 이용하여 웨이퍼를 플랫존 방향으로 정렬하는 정렬공정이 진행된다.The robot arm of the buffer chamber 32 moves to the buffer chamber 32 in which a low vacuum state of about 10 -3 Torr to 10 -4 Torr is formed by the operation of the low vacuum pump 33 through the wafer movement door. . Here, in the buffer chamber 32, an alignment process of rotating the wafer and aligning the wafer in the flat zone direction is performed by using a sensing operation of a light emitting sensor installed above and below the wafer.
다음으로, 상기 버퍼챔버(32) 내부의 웨이퍼는 다시 버퍼챔버(32)에 구비된 로봇아암에 의해서 웨이퍼 이동용 도어를 통해서 고진공펌프(31)의 가동에 의해서 10-3Torr 이하의 고진공상태가 형성된 공정챔버(10) 내부로 이동하게 된다. 여기서, 상기 공정챔버(30) 내부에서는 일련의 반도체 제조공정이 수행된 웨이퍼 상에 특정 박막을 형성하는 화학기상증착공정, 소정부를 식각하는 건식식각공정 등이 진행된다.Next, the wafer inside the buffer chamber 32 is formed again by a robot arm provided in the buffer chamber 32 to form a high vacuum state of 10 −3 Torr or less by operating the high vacuum pump 31 through the wafer moving door. The process chamber 10 is moved inside. Here, in the process chamber 30, a chemical vapor deposition process of forming a specific thin film on a wafer on which a series of semiconductor manufacturing processes are performed, and a dry etching process of etching a predetermined portion are performed.
계속해서, 상기 공정챔버(30) 내부의 웨이퍼는 전술한 바와 같은 동작의 역순으로 다시 로봇아암에 의해서 버퍼챔버(32)를 경유하여 각 로드락챔버(34, 36)의 카세트에 적재된다.Subsequently, the wafer inside the process chamber 30 is loaded into the cassettes of the load lock chambers 34 and 36 via the buffer chamber 32 again by the robot arm in the reverse order of the operation described above.
마지막으로, 상기 로드락챔버(34, 36)의 카세트에 모든 웨이퍼가 수납되면, 로드락챔버(34, 36)와 연결된 저진공펌프(35, 37)의 가동을 중지시킨다. 그리고, 각 질소가스공급라인(40, 48) 상에 설치된 온오프 밸브(42, 48)를 개방함에 따라 질소가스 공급원(38)에 저장된 질소가스는 질소가스 공급라인(40, 48) 상에 설치된필터(44, 5)에 의해서 필터링이 이루어진 후, 각 로드락챔버(34, 36) 내부로 공급된다. 이에 따라 로드락챔버(34, 36)의 내부압력은 10-3Torr 내지 10-4Torr 정도의 저진공상태에서 대기압상태로 전환된다. 이어서, 로드락챔버(34, 36)의 카세트는 카세트용 도어를 통해서 외부로 방출된다.Finally, when all the wafers are accommodated in the cassettes of the load lock chambers 34 and 36, the low vacuum pumps 35 and 37 connected to the load lock chambers 34 and 36 are stopped. In addition, the nitrogen gas stored in the nitrogen gas supply source 38 is installed on the nitrogen gas supply lines 40 and 48 as the on / off valves 42 and 48 installed on the nitrogen gas supply lines 40 and 48 are opened. After filtering is performed by the filters 44 and 5, they are supplied into the respective load lock chambers 34 and 36. As a result, the internal pressures of the load lock chambers 34 and 36 are converted into atmospheric pressure from a low vacuum of about 10 -3 Torr to 10 -4 Torr. Then, the cassettes of the load lock chambers 34 and 36 are discharged to the outside through the cassette door.
본 발명에 의하면, 로드락챔버의 내부압력을 조절하기 위하여 공급되는 질소가스 등의 압력조절가스가 필터에 의해서 필터링된 후, 로드락챔버 내부로 공급됨으로써 로드락챔버에 대기하는 웨이퍼가 압력조절가스에 포함된 파티클에 의해서 오염되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention, after the pressure regulating gas such as nitrogen gas supplied to adjust the internal pressure of the load lock chamber is filtered by the filter, the wafer waiting for the load lock chamber is supplied to the load lock chamber by supplying the pressure into the load lock chamber. Contamination by particles contained in can be prevented.
따라서, 반도체소자의 수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, there is an effect that can improve the yield of the semiconductor device.
이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical spirit of the present invention, and such modifications and modifications belong to the appended claims.
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010052603A KR20030018491A (en) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | Apparatus for manufacturing semiconductor device having loadrock chamber |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040043908A (en) * | 2002-11-20 | 2004-05-27 | 주성엔지니어링(주) | Method for improved uniformity of thin film deposited on substrate inside |
| CN102086512A (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-08 | 亚威科股份有限公司 | Substrate processing apparatus and vacuum formation method thereof |
-
2001
- 2001-08-29 KR KR1020010052603A patent/KR20030018491A/en not_active Application Discontinuation
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