KR19980061959U - 반도체 제조장치용 프로세스 챔버 - Google Patents

반도체 제조장치용 프로세스 챔버 Download PDF

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KR19980061959U
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김윤경
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문정환
엘지반도체 주식회사
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Abstract

본 고안은 가공될 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 스테이지와, 웨이퍼를 고정시켜 주는 웨이퍼 클램퍼와, 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지 위에 안착 또는 이탈시켜 주는 웨이퍼 푸싱바와, 냉각가스를 웨이퍼의 뒷면에 공급하는 냉각가스 라인을 가지는 프로세스 챔버에 있어서 웨이버를 프로세스 챔버내로 이송하는 로봇암의 위치에 따라 웨이퍼가 웨이퍼 푸싱바 위에 놓여지는 위치가 중앙에서 벗어나거나 웨이퍼 푸싱바에 의하여 웨이퍼가 웨이퍼 스테이지 위에 안착되는 도중 웨이퍼가 움직여 정확히 중앙에 안착되지 못할때 상기 웨이퍼 클램퍼에 웨이퍼를 정렬시키는 센터링 기능을 부가므로 센터링 불량으로 인하여 발생되는 웨이퍼의 불량을 줄일 수 있다.

Description

반도체 제조장치용 프로세스 챔버
본 고안은 반도체 제조장치용 프로세스 챔버에 관한 것으로서 특히 웨이퍼의 중앙 정렬이 잘못되어 발생하는 불량을 방지할 수 있는 구조를 가진 프로세스 챔버에 관한 것이다.
도 1은 종래의 반도체 제조장치용 프로세스 챔버를 설명하기 위한 도면이다.
종래의 프로세스 챔버(10)는 가공될 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 스테이지(1)와 상기 웨이퍼 스테이지(1)의 가장자리에 위치하여 웨이퍼(9)를 고정시켜 주는 역할을 하는 도너스형 또는 다수개의 핑거형의 웨이퍼 클램퍼(3)와 상기 웨이퍼 스테이지(1)의 중앙에 위치하여 상하왕복운동을 통하여 웨이퍼(9)를 웨이퍼 스테이지(1) 위에 안착 또는 이탈시켜 주는 웨이퍼 푸싱바(5)와 상기 웨이퍼 스테이지(1)의 하부에 위치하여 냉각가스를 웨이퍼(9)의 뒷면에 공급하는 냉각가스 라인(7)으로 구성된다.
상기 종래의 프로세스 챔버(10)의 동작은 다음과 같이 이루어진다.
가공될 웨이퍼(9)가 로봇암에 의하여 프로세스 챔버(10)내로 이송될때 웨이퍼 클램퍼(3)는 위로 올려져 있고 웨이퍼 푸싱바(5)는 웨이퍼 스테이지(1)와 수평의 위치에 있다. 이때 웨이퍼(9)가 로봇암에 의하여 프로세스 챔버(10)내로 이송되면 웨이퍼 푸싱바(5)가 위로 이동하여 웨이퍼(9)의 하부에 다으면 로봇암은 웨이퍼(9)를 놓아두고 프로세스 챔버(10)밖으로 이동한다. 이후 웨이퍼 푸싱바(5)는 아래로 이동하여 웨이퍼(9)를 웨이퍼 스테이지(1) 위에 안착시킨다. 상기 웨이퍼 스테이지(1) 위에 안착된 웨이퍼(9)를 웨이퍼 클램퍼(3)가 아래로 내려져 웨이퍼(9)를 가공 공정중에 움직이지 못하도록 고정시켜준다. 또한 웨이퍼 클램퍼(3)는 웨이퍼(9) 가공 공정중에 냉각가스 라인(7)을 통하여 공급되는 냉각가스가 웨이퍼(9) 뒷면에서 새어나가지 않도록 유지하는 역할도 한다.
웨이퍼(9)의 가공이 끝나면 웨이퍼 클램퍼(3)는 다시 위로 이동하여 웨이퍼(9)를 놓아준다. 웨이퍼 푸싱바(5)는 위로 이동하여 가공된 웨이퍼(9)를 웨이퍼 스테이지(1)에서 이탈시킨다. 상기 웨이퍼 스테이지(1)에서 이탈된 웨이퍼(9)는 로봇암에 프로세스 챔버(10) 밖으로 이송된다.
상기 동작은 프로세스 챔버(10)를 사용한 웨이퍼 가공 공정중에는 반복된다.
그러나 종래의 프로세스 챔버는 웨이버를 프로세스 챔버내로 이송하는 로봇암의 위치에 따라 웨이퍼가 웨이퍼 푸싱바 위에 놓여지는 위치가 달라지며 웨이퍼 푸싱바에 의하여 웨이퍼가 웨이퍼 스테이지 위에 안착될때도 웨이퍼가 움직여 중앙에 안착되지 못하는 경우가 발생된다.
이와 같은 정확하지 못한 웨이퍼의 위치로 인하여 웨이퍼 가공공정중 웨이퍼 클램퍼에 의하여 고정되는 힘이 일정하게 웨이퍼에 전달되지 못하게 되어 웨이퍼가 부러짐, 냉각가스의 누출, 웨이퍼 표면가공의 불균일등의 불량을 발생시켜 생산비를 증가시키는 문제점을 가지고 있다.
따라서 본 고안은 상술한 종래 장치의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로써, 프로세스 챔버내로 이송된 웨이퍼가 웨이퍼 스테이지 위에 안착될때 중앙에 정렬시킬 수 있는 기능을 웨이퍼 클램퍼에 부가하여 가공된 웨이퍼의 불량을 줄일 수 있는 프로세스 챔버를 제공하는데 있다.
도 1는 종래의 반도체 제조장치용 프로세스 챔버를 설명하기 위한 도면
도 2는 본 고안에 따른 반도체 제조장치용 프로세스 챔버를 설명하기 위한 도면
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10:종래의 프로세스 챔버1:웨이퍼 스테이지
3:웨이퍼 클램퍼5:웨이퍼 푸싱바
7:냉각가스 라인9:웨이퍼
20:본 고안에 따른 프로세스 챔버21:웨이퍼 스테이지
22:웨이퍼 가이드23:웨이퍼 클램퍼
24:클램퍼 지지부25:웨이퍼 푸싱바
27:냉각가스 라인29:웨이퍼
도 2는 본 고안에 따른 반도체 제조장치용 프로세스 챔버를 설명하기 위한 도면이다.
본 고안에 따른 프로세스 챔버(20)는 가공될 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 스테이지(21)와 상기 웨이퍼 스테이지(21) 위의 웨이퍼(29)를 중앙으로 정렬시킨 후 고정시켜 주는 웨이퍼 가이드(22)를 가지는 웨이퍼 클램퍼(23)와 상기 웨이퍼 클램퍼(23)의 웨이퍼 가이드(22)가 삽입되어 일정한 위치를 가지도록 잡아주는 클램퍼 지지부(24)와 상기 웨이퍼 스테이지(21) 중앙에 위치하여 웨이퍼(29)를 웨이퍼 스테이지(21) 위에 안착 또는 이탈시켜 주는 웨이퍼 푸싱바(25)와 상기 웨이퍼 스테이지(21)의 하부에 위치하여 냉각가스를 웨이퍼(29)의 뒷면에 공급하는 냉각가스 라인(27)으로 구성된다.
상기의 웨이퍼 클램퍼(23)는 웨이퍼 가이드(22)의 바깥은 수직이고 안쪽은 나선의 형태를 가져 하부로 갈수록 두께가 줄어드는 형태를 가진다.
상기 웨이퍼 클램퍼(23)는 일체형 또는 다수개의 말뚝형으로 만든다.
상기 본 고안에 따른 프로세스 챔버(20)의 동작은 다음과 같이 이루어진다.
가공될 웨이퍼(29)가 로봇암에 의하여 프로세스 챔버(20)내로 이송될때 웨이퍼 클램퍼(23)는 위로 올려져 있고 웨이퍼 푸싱바(25)는 웨이퍼 스테이지(21)와 수평의 위치에 있다. 이때 웨이퍼(29)가 로봇암에 의하여 프로세스 챔버(20)내로 이송되면 웨이퍼 푸싱바(25)가 위로 이동하여 웨이퍼(29)의 하부에 다으면 로봇암은 웨이퍼(29)를 놓아두고 프로세스 챔버(20)밖으로 이동한다. 이후 웨이퍼 푸싱바(25)는 아래로 이동하여 웨이퍼 스테이지(21) 위에 안착시킨다. 이후 웨이퍼 클램퍼(23)의 웨이퍼 가이드(22)가 그램퍼 지지부(24)로 내려가면서 웨이퍼 스테이지(21) 위에 정렬되지 않은 웨이퍼(29)를 중앙으로 정렬시킨후 가공 공정중에 움직이지 못하도록 고정시켜준다. 또한 웨이퍼 클램퍼(23)의 웨이퍼 가이드(22)는 웨이퍼(29) 가공 공정중에 냉각가스 라인(27)을 통하여 공급되는 냉각가스가 웨이퍼(29) 뒷면에서 새어나가지 않도록 유지하는 역할을 하여 웨이퍼(29)와 웨이퍼 스테이지(21)사이의 마찰력을 줄여주는 역할도 한다.
웨이퍼(29)의 가공이 끝나면 웨이퍼 클램퍼(23)는 다시 위로 이동하여 웨이퍼(29)를 놓아준다. 웨이퍼 푸싱바(25)는 위로 이동하여 가공된 웨이퍼(29)를 웨이퍼 스테이지(21)에서 이탈시킨다. 상기 웨이퍼 스테이지(21)에서 이탈된 웨이퍼(29)는 로봇암에 프로세스 챔버(20) 밖으로 이송된다.
상기 동작은 프로세스 챔버(20)를 사용한 웨이퍼 가공 공정중에는 반복된다.
본 고안에 따른 프로세스 챔버는 웨이버를 프로세스 챔버내로 이송하는 로봇암의 위치에 따라 웨이퍼가 웨이퍼 푸싱바 위에 놓여지는 위치가 저중앙에서 벗어나거나 웨이퍼 푸싱바에 의하여 웨이퍼가 웨이퍼 스테이지 위에 안착되는 도중 웨이퍼가 움직여 정확히 중앙에 안착되지 못하여도 웨이퍼 클램퍼에 중앙으로 정렬시킬 수 있는 쎈터링 기능이 있어 가공된 웨이퍼의 불량을 줄일 수 있는 잇점을 가진다.

Claims (4)

  1. 가공될 웨이퍼가 놓여지는 웨이퍼 스테이지와, 웨이퍼를 고정시켜 주는 웨이퍼 클램퍼와, 웨이퍼를 웨이퍼 스테이지 위에 안착 또는 이탈시켜 주는 웨이퍼 푸싱바와, 냉각가스를 웨이퍼의 뒷면에 공급하는 냉각가스 라인을 가지는 프로세스 챔버에 있어서
    상기 웨이퍼 클램퍼는 웨이퍼 스테이지 위의 웨이퍼를 중앙으로 정렬시키는 센터링 기능을 부가하여 구성된 것이 특징인 프로세스 챔버.
  2. 청구항 1에 있어서, 웨이퍼 클램퍼는
    하부가 바깥은 수직이고 안쪽은 사선의 형태를 가져 하부로 갈수로 두께가 줄어드는 형태로 구성된 것이 특징인 프로세스 챔버.
  3. 청구항 2에 있어서, 웨이퍼 클램퍼는
    일체형인 도우너스 모양을 가지는 것이 특징인 프로세스 챔버.
  4. 청구항 2에 있어서, 웨이퍼 클램퍼는
    다수개의 말뚝모양을 가지는 것이 특징인 프로세스 챔버.
KR2019970006253U 1997-03-29 1997-03-29 반도체 제조장치용 프로세스 챔버 KR19980061959U (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100487428B1 (ko) * 2001-11-09 2005-05-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 플라즈마 장치

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