KR19980057860A - 박막형 광로 조절장치의 제조 방법 - Google Patents
박막형 광로 조절장치의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980057860A KR19980057860A KR1019960077163A KR19960077163A KR19980057860A KR 19980057860 A KR19980057860 A KR 19980057860A KR 1019960077163 A KR1019960077163 A KR 1019960077163A KR 19960077163 A KR19960077163 A KR 19960077163A KR 19980057860 A KR19980057860 A KR 19980057860A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- membrane
- forming
- layer
- patterning
- electrode
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 67
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LEYNFUIKYCSXFM-UHFFFAOYSA-N platinum tantalum Chemical compound [Ta][Pt][Ta] LEYNFUIKYCSXFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 241000953555 Theama Species 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
박막형 광로 조절 장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 상기 방법은, M×N(M, N은 정수) 개의 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 일측 상부에 드레인패드가 형성된 액티브 매트릭스를 제공하는 단계, 상기 액티브 매트릭스의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계, 상기 멤브레인의 상부에 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 하부 전극의 상부에 변형층을 형성하는 단계, 상기 변형층의 상부에 상부 전극을 형성하는 단계, 상기 상부 전극, 상기 변형층, 상기 하부 전극 및 상기 멤브레인을 차례로 패터닝하는 단계, 그리고 상기 패터닝된 멤브레인의 일측에 공동 전극선을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 방법에 따르면, 액티브 매트릭스 상부의 드레인 패드가 형성된 부분을 피하여 액츄에이팅부들을 형성한 후, 금속선을 통하여 드레인 패드로부터 하부 전극들에 화상 신호를 인가하기 때문에, 액티브 매트릭스에 내장된 트랜지스터가 손상을 입는 것을 최소화할 수 있다. 또한, 액츄에이팅부들의 일측에 두껍게 공통 전극선을 형성함으로써, 공통 전극선 내부의 전압 강하를 최소화하여 상부 전극들에 변형층들이 변형을 일으키는 데 필요한 충분한 전압을 인가할 수 있다. 그리고, 제2 희생층을 도포하고 복수 개의 지지부를 통하여 거울을 지지함으로써, 거울의 수평도를 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 박막형 광로 조절 장치인 AMA(Actuated Mirror Array)의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 상부 전극 및 하부 전극의 전기 배선을 안정화하고, 복수 개의 지지부를 통하여 거울을 형성함으로서 거울의 수평도를 향상시켜 광효율을 향상시키며, 액티브 매트릭스에 내장된 트랜지스터의 손상을 방지할 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 관한 것이다.Display:LCD), 또는 DMD(Defomable Mirror Device), AMA 등이 이에 해당한다. 상기 CRT 장치는 화상의 질은 우수하지만 화면의 대형화에 따라 장치의 중량과 용적이 증가하며 그 제조 비용이 상승하게 되는 문제점이 있다. 이에 비하여 액정 표시 장치(LCD)는 광학적 구조가 간단하여 얇게 형성할 수 있어 그 중량 및 용적을 줄일 수 있는 장점이 있다. 그러나 상기 액정 표시 장치(LCD)는 입사되는 광속의 편광으로 인하여 1∼2%의 광효율을 가질 정도로 효율이 저하되며, 액정 물질의 응답 속도가 느리고 내부가 과열되기 쉬운 문제점이 있다.변형에 따라 기울게 된다. 상기 AMA 소자들(13)(15)(17)로부터 반사된 빛은 제2 렌즈(19) 및 제2 슬릿(21)을 통과한 후, 투영렌즈(23)에 의하여 스크린(도시되지 않음)에 투영되어 화상을 맺게 된다.3 3 3화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition:CVD) 방법, 스퍼터링(sputtering) 방법 등과 같은 다양한 공정을 이용하여 제조할 수 있다.상기 액츄에이터(33)는 상기 식각 방지층(37) 중 아래에 드레인(32)이 형성된 부분에 일측이 접촉되며 타측이 제1 에어 갭(first air gap)(39)을 개재하여 상기 식각 방지층(37)과 평행하도록 적층된 멤브레인(41), 멤브레인(41)의 상부에 적층된 하부전극(43), 하부전극(43)의 상부에 적층된 변형층(45), 변형층(45)의 일측 상부에 적층된 상부전극(47), 변형층(45)의 타측으로부터 하부전극(43), 멤브레인(41), 식각 방지층(37) 및 보호층(35)을 통하여 상기 드레인(32)까지 수직하게 형성된 비어 홀(48), 그리고 비어 홀(48) 내에 상기 하부전극(43)과 드레인(32)이 서로 전기적으로 연결되도록 형성된 비어 컨택(49)을 포함한다.
이하 상기 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법을 설명한다.식각 방지층(37)의 상부에는 제1 희생층(38)이 적층된다. 제1 희생층(38)은 인(P)의 농도가 높은 인 실리케이트 유리(PSG)를 대기압 화학 기상 증착(Atmospheric Pressure CVD:APCVD) 방법을 이용하여 1.0∼4.0μm 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 이 경우, 제1 희생층(38)은 트랜지스터가 내장된 액티브 매트릭스(31)의 상부를 덮고 있으므로 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 제1 희생층(38)의 표면을 스핀 온 글래스(Spin On Glass:SOG)를 사용하는 방법, 또는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 방법을 이용하여 평탄화시킨다. 이어서, 제1 희생층(38) 중 아래에 드레인(32)이 형성되어 있는 부분을 식각하여 상기 식각 방지층(37)의 일부를 노출시킴으로서 액츄에이터(33)의 지지부가 형성될 위치를 만든다.
도 5b를 참조하면, 멤브레인(41)은 상기 노출된 식각 방지층(37)의 상부 및 제1 희생층(38)의 상부에 0.1∼1.0μm 정도의 두께로 적층된다. 상기 멤브레인(41)은 질화물을 저압 화학 기상 증착(LPCVD) 방법을 이용하여 형성된다. 이 때, 저압의 반응 용기 내에서 반응 가스의 비(ratio)를 변화시키면서 상기 멤브레인(41)을 형성하여 멤브레인(41) 내의 응력(stress)을 조절한다. 상기 멤브레인(41)의 상부에는 백금, 또는 백금-탄탈륨(Pt-Ta) 등의 금속으로 구성된 하부전극(43)이 적층된다. 하부전극(43)은 스퍼터링 방법을 이용하여 0.1∼1.0μm 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 신호 전극인 하부전극(43)에는 화상 신호가 액티브 매트릭스(31)에 내장된 트랜지스터로부터 상기 드레인(32) 및 비어 컨택(49)을 통하여 인가된다.∼1.0μm, 바람직하게는 0.4μm 정도의 두께를 가지도록 형성한 후, 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing:RTA) 방법으로 열처리하여 상변이시킨다. 변형층(45)은 공통 전극인 상부전극(47)과 신호 전극인 하부전극(43) 사이에 발생하는 전계에 의하여 변형을 일으킨다. 상부전극(47)은 변형층(45)의 일측 상부에 적층된다. 상부전극(47)은 알루미늄, 또는 백금 등의 전기 전도성이 우수한 금속을 스퍼터링 방법을 이용하여 0.1∼1.0μm 정도의 두께를 가지도록 형성한다. 공통 전극인 상부전극(47)에는 바이어스 전압이 인가되어 하부전극(43)과 상부전극(47) 사이에 전계가 발생하게 된다.호를 인가하기 위한 TCP(Tape Carrier Package) 본딩을 대비하여 액티브 매트릭스(31)를 자른다. 이 때, 후속되는 공정을 위하여 액티브 매트릭스(31)를 소정의 정도의 두께까지만 잘라 낸다. 계속하여, TCP 본딩에 요구되는 AMA 패널(panel)의 패드(도시하지 않음)를 노출시키기 위해 AMA 패널의 패드 부위를 건식 식각 방법을 이용하여 식각한다. 계속해서, 상기 변형층(45), 하부전극(43), 멤브레인(41)을 차례로 패터닝한 후, 제1 희생층(38)을 불산(HF) 증기로 식각하여 제1 에어 갭(39)을 형성함으로서 액츄에이터(33)를 완성한다.의 두께로 증착시켜 거울(53)을 형성한다. 바람직하게는, 상기 거울(53)은 'フ' 자 형상을 가지며, 일측의 지지부가 상기 상부전극(47)에 접촉되며, 타측이 상부전극(47)에 평행하게 장착된다.2
상기와 같이 박막형 AMA 소자가 형성된 액티브 매트릭스(31)를 소정의 형상으로 완전히 잘라낸 후, AMA 패널의 패드와 TCP를 연결하여 박막형 AMA 모듈의 제조를 완성한다.
그러나, 상기 박막형 광로 조절 장치에 있어서, 상부 전극의 일부만이 거울로서 구동하여 광속을 반사시키기 때문에, 입사되는 광속의 반사 각도가 작고 광효율이 떨어지는 단점이 있다. 또한, 상부 전극에 전압을 인가하기 위한 픽셀의 후면을 지나는 공통 전극선이 매우 얇게 형성됨으로 인하여 그 내부 저항이 높아서 전압 강하가 발생하여 상부 전극에 충분한 전암을 인가하지 못하는 문제점이 있다. 더욱이, 드레인의 직상부에 비어 컨택을 형성하기 때문에 액티브 매트릭스에 내장된 트랜지스터가 직접 후속하는 공정의 영향을 받아 손상을 입게 되는 가능성이 매우 높았다.
도 1은 종래의 광로 조절 장치의 엔진 시스템의 개략도이다.126 : 제2 하부 전극 130 : 제1 변형층
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 일측 상부에 드레인 패드가 형성된 액티브 매트릭스를 제공하는 단계;
상기 액티브 매트릭스의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계;상기 상부 전극, 상기 변형층, 상기 하부 전극 및 상기 멤브레인을 차례로 패터닝하는 단계; 그리고을 최소화할 수 있다. 또한, 액츄에이팅부들의 일측에 두껍게 공통 전극선을 형성함으로써, 공통 전극선 내부의 전압 강하를 최소화하여 상부 전극들에 변형층들이 변형을 일으키는 데 필요한 충분한 전압을 인가할 수 있다. 그리고, 제2 희생층을 도포하고 복수 개의 지지부를 통하여 거울을 지지함으로써, 거울의 수평도를 향상시킬 수 있다.electrode)(120), 제1 변형층(active layer)(125), 제1 상부 전극(top electrode)(135), 그리고 제1 거울 포스트(post)(137)을 포함한다. 상기 제1 멤브레인(120)은 일측이 상기 액티브 매트릭스(100) 상부에 접촉되며 타측이 직각으로 구부러져 에어 갭(117)을 개재하여 액티브 매트릭스(100)와 평행하게 형성된다. 즉, 제1멤브레인(120)은 상기 액티브 매트릭스(100) 상에 거울상의 'ㄱ' 자의 형상으로 형성된다. 제1 하부 전극(125)은 상기 제1 멤브레인(120) 중 거울상의 'ㄱ' 자의 머리부분에 직사각형의 형상으로 적층된다. 제1 변형층(130)은 제1 하부 전극(125)의 상부에 제1 하부 전극(125) 보다 작은 크기를 갖는 직사각형의 형상으로 적층되며, 제1 상부 전극(135)은 제1 변형층(130)의 상부에 제1 변형층(130) 보다 작은 크기의 직사각형의 형상으로 적층된다. 제1 상부전극(135)의 일측 상부에는 제1 거울 포스트(137)가 형성되어 그 상부의 거울(145)을 지지한다.
도 6 및 도 9를 참조하면, 제2 액츄에이팅부(190)는 제2 멤브레인(121), 제2 하부 전극(126), 제2 변형층(131), 제2 상부 전극(136), 그리고 제2 거울 포스트(138)를 포함한다. 제2 멤브레인(121)은 일측이 액티브 매트릭스(100)에 접촉되며, 타측이 직각으로 구부러져 에어 갭(117)을 개재하여 액티브 매트릭스(100)과 평행한, 'ㄴ'자의 형상을 가진다. 따라서, 상기 제1 멤브레인(120)과 제2 멤브레인(121)은 동일 평면 상에서 함께 'ㄷ' 자의 형상을 가진다. 제2 하부 전극(126)은 제2 멤브레인(121) 중 'ㄴ' 자의 다리 부분에 직사각형의 형상으로 적층되며, 제2 변형층(131)은 제2 하부 전극(126)의 상부에 제2 하부 전극(126) 보다 작은 크기의 직사각형의 형상으로 적층된다. 제2 상부 전극(136)은 제2 변형층(13l)의 상부에 제2 변형층(131)보다 작은 크기의 직사각형의 형상으로 적층되며, 제2 상부 전극(136)의 일측 상부에는 제2 거울 포스트(138)가 형성되어 상기 제1 거울 포스트(137)와 함께 그 상부에 형성된 거울(145)을 지지한다.도 10a 및 도 10b는 도 8 및 도 9에 도시한 장치 중 멤브레인(119)을 형성한 상태를 도시한 것이다.
식각 방지층(115)은 질화물(nitride)을 사용하여 1000∼2000Å 정도의 두께로 증착시킨다. 상기 식각 방지층(115)은 박막을 증착시키는 저압 화학 기상 증착(Low Pressure Chemical Vapor Deposition:LPCVD) 공정을 이용하여 증착시킨다. 즉, 전압(200∼700mm torr)의 반응 용기 내에서 열 에너지에 의한 학학 반응을 이용하여 보호층(110) 위에 질화물을 증착시킴으로서 식각 방지층(115)을 형성한다. 상기 식각 방지층(115)은 후속하는 식각 공정 동안 액티브 매트릭스(100) 및 보호층(110)이 식각되어 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다.이어서, 상기 식각 방지층(115)의 상부에 제1 희생층(sacrificial layer)(170)을 증착시킨다. 상기 제1 희생층(170)은 AMA 모듈을 형성하기 위한 적층을 용이하게 하는 기능을 수행하며, 상기 AMA 모듈의 적층이 완료된 후에는 플루오르화 수소(HF) 증기에 의해서 제거된다. 상기 제1 희생층(170)은 인(P)의 농도가 높은 인 실리케이트 유리(PSG)를 대기압 화학 기상 증착(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition:APCVD) 공정을 이용하여 0.5∼2.0μm 정도의 두께로 형성된다. 즉, 대기압(760mm torr) 하의 반응 용기 내에서 열 에너지에 의한 화학 반응을 이용하여 제1 희생층(170)을 증착시킨다. 한편, 상기 제1 희생층(170)은 트랜지스터들이 내장된 액티브 매트릭스(100)의 표면을 덮고 있으므로, 그 표면의 평탄도가 매우 불량하다. 따라서, 알코올-기지 솔벤트에 혼합된 실록산, 또는 실리케이트로 이루어진 스핀 온 글래스(SOG)를 이용하거나 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 공정을 이용하여 제1 희생층(170)의 표면을 평탄화시킨다. 바람직하게는, CMP 공정을 이용하여 제1 희생층(170) 표면을 평탄화시킨다. 계속하여, 상기 제1 희생층(170)을 패터닝함으로서 제1 액츄에이팅부(180) 및 제2 액츄에이팅부(190)의 지지부 형성 위치를 만든다. 즉, 예를 들어 플루오르화 수소(HF)와 같은 식각 용액을 이용하여 제1 희생층(170)을 식각하거나, 또는 플라즈마(plasma)나 이온 빔(ion beam)을 이용하여 제1 희생층(170)을 식각하여 액츄에이팅부의 지지부가 형성될 위치를 만든다.여 증착시킨다. 이때, 저압의 반응 용기 내에서 반응성 가스의 비(ratio)를 시간별로 변화시키면서 멤브레인(119)을 형성함으로서 멤브레인(119)내부의 스트레스(stress)를 조절한다. 상기 멤브레인(119)은 후에 제1 멤브레인(120)및 제2 멤브레인(121)으로 패터닝된다.3 3 3 3 3도 12a 및 도 12b는 도 8 및 도 9에 도시한 장치 중 멤브레인(119)을 패터닝한 상태를 도시한 것이다.상기 제1 멤브레인(120) 및 제2 멤브레인(121)은 서로 연결되어 동일 평면상에서 함께 'ㄷ' 자의 형상을 가진다.형성된 부분을 피하여 제1 액츄에이팅부(180) 및 제2 액츄에이팅부(190)를 형성하고, 금속선(160)을 통하여 드레인 패드(105)로부터 제1 하부 전극(125) 및 제2 하부 전극(126)에 화상 신호를 인가하기 때문에, 액티브 매트릭스(100)에 내장된 트랜지스터가 손상을 입는 것을 최소화할 수 있다.도포함으로써 제2 희생층(175)을 형성한다. 제2 희생층(175)은 상기 에어 갭(117)을 완전히 채우면서 제1 상부 전극(135) 및 제2 상부 전극(136) 상부의 소정의 높이까지 형성된다. 계속하여, 제2 희생층(175)을 패터닝하여 상기 제1 상부 전극(135) 및 제2 상부 전극(136)의 일측을 각기 노출시킨다. 상기 노출된 제1 상부 전극(135) 및 제2 상부 전극(136)의 일측 상부 및 제2 희생층(175)의 상부에 은, 알루미늄, 또는 백금 등의 금속을 스퍼터링한 후, 패터닝하여 거울(145)과 제1 거울 포스트(137) 및 제2 거울 포스트(138)를 동시에 형성한다. 따라서, 상기 거울(145)은 제1 상부 전극(135) 상부의 제1 거울 포스트(137) 및 제2 상부 전극(136) 상부의 제2 거울 포스트(138)에 의해 지지되며, 제1 액츄에이팅부(180)와 제2 액츄에이팅부(190), 그리고 인접한 액츄에이팅부들의 일부를 덮도록 사각형의 형상으로 형성된다. 상기와 같이, 2개의 지지부를 통하여 거울(145)을 지지함으로써 본 발명에서는 거울(145)의 수평도를 향상시킬 수 있다.2Package) 본딩(bonding)을 대비하여 액티브 매트릭스(100)를 자른다. 이 경우, 후속되는 공정을 대비하여 액티브 매트릭스(100)를 소정의 두께까지만 잘라낸다. 이어서. AMA 패널(pannel)의 패드(pad)(도시되지 않음)와 TCP의 패드(도시되지 않음)를 연결하여 박막형 AMA 모듈(module)의 제조를 완성한다.광속은 슬릿을 통과하여 스크린에 투영되어 화상을 맺게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법에 있어서, 액티브 매트릭스 상부의 드레인 패드가 형성된 부분을 피하여 제1 액츄에이팅부 및 제2 액츄에이팅부를 형성한 후, 금속선을 통하여 드레인 패드로부터 제1 하부전극 및 제2 하부 전극에 화상 신호를 인가하기 때문에, 액티브 매트릭스에 내장된 트랜지스터가 손상을 입는 것을 최소화할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (11)
- M×N(M, N은 정수)개의 트랜지스터가 매트릭스 형태로 내장되고 일측 상부에 드레인 패드가 형성된 액티브 매트릭스를 제공하는 단계;상기 액티브 매트릭스의 상부에 멤브레인을 형성하는 단계;상기 패터닝된 멤브레인의 일측에 공통 전극선을 형성하는 단계를 포함하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 멤브레인을 형성하는 단계는, i) 상기 액티브 매트릭스와 상기 드레인 패드의 상부에 상기 액티브 매트릭스를 보호하는 보호층을 형성하는 단계, ii) 상기 보층의 상부에 상기 보호층과 상기 액티브 매트릭스가 식각되는 것을 방지하는 식각 방지층을 형성하는 단계, iii) 상기 식각 방지층의 상부에 제1 희생층을 형성하는 단계, 그리고 ⅳ) 상기 제1 희생층을 패터닝하는 단계 후에 수행되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 멤브레인을 패터닝하는 단계는, 상기 멤브레인을 거울상의 'ㄱ' 자의 형상을 갖는 제1 멤브레인 및 'ㄴ' 자의 형상을 갖는 제2 멤브레인으로 패터닝하여, 상기 제1 멤브레인 및 상기 제2 멤브레인이 서로 연결되어 동일평편 상에서 함께 'ㄷ' 자의 형상을 가지도록 패터닝하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 하부 전극을 패터닝하는 단계는, 상기 하부 전극을 상기 제1 멤브레인의 거울상의 'ㄱ' 자의 머리 부분의 상부에 직사각형의 형상을 갖는 제1 하부 전극 및 상기 제2 멤브레인의 'ㄴ' 자의 다리 부분의 상부에 직사각형의 형상을 갖는 제2 하부 전극으로 패터닝하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 변형층을 패터닝하는 단계는, 상기 변형층을 상기 제1하부 전극의 상부에 상기 제1 하부 전극 보다 작은 크기의 직사각형 형상을 갖는 제1 변형층 및 상기 제2 하부 전극의 상부에 상기 제2 하부 전극 보다 작은 크기의 직사각형의 형상을 갖는 제2 변형층으로 패터닝하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제5항에 었어서, 상기 상부 전극을 패터닝하는 단계는, 상기 상부 전극을 상기 제1 변형층의 상기 제1 변형층보다 작은 크기의 직사각형 형상을 갖는 제1 상부 전극 및 상기 제2 변형층의 상부에 상기 제2 변형층보다 작은 크기의 직사각형의 형상을 갖는 제2 상부 전극으로 패터닝하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 상부 전극을 패터닝하는 단계는, a) 상기 제1 상부 전극 및 상기 제2 상부 전극의 상부에 제2 희생층을 형성하는 단계, b) 상기 제2 희생층을 패터닝하여 상기 제1 상부 전극의 일측 상부 및 상기 제2 상부 전극의 일측 상부를 노출시키는 단계, c) 상기 노출된 제1 상부 전극의 일측 상부, 제2 상부 전극의 일측 상부 및 상기 제2 희생층의 상부에 금속을 스퍼터링하는 단계, d) 상기 스퍼터링된 금속을 패터닝하여 상기 제1 상부 전극의 일측 상부의 제1 거울 포스트, 상기 제2 상부 전극의 일측 상부의 제2 거울 포스트 및 상기 제1 거울 포스트 및 상기 제2 거울 포스트의 상부에 거울을 동시에 형성하는 단계, 그리고 e) 상기 제2 희생층을 산소 플라즈마를 사용하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 멤브레인을 패터닝하는 단계는, 상기 제1 멤브레인 및 상기 제2 멤브레인이 서로 연결되는 부분의 하부에 상기 제1 멤브레인 및 상기 제2 멤브레인으로부터 상기 드레인 패드까지 수직하게 비어 홀을 형성하는 단계, 상기 비어 홀 내에 비어 컨택을 형성하는 단계 및 상기 제1 멤브레인, 그리고 상기 제2 멤브레인이 연결되는 부분의 상부에 금속선을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 금속선을 형성하는 단계는 스퍼터링 방법을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 비어 컨택을 형성하는 단계 및 상기 금속선을형성하는 단계는 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 공통 전극선을 형성하는 단계는 백금, 백금-탄탈륨, 알루미늄 및 은으로 이루어진 그룹 중에서 선택된 어느 하나를 사용하여 스퍼터링 방법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960077163A KR100244520B1 (ko) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | 박막형 광로 조절장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960077163A KR100244520B1 (ko) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | 박막형 광로 조절장치의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980057860A true KR19980057860A (ko) | 1998-09-25 |
| KR100244520B1 KR100244520B1 (ko) | 2000-02-01 |
Family
ID=19492442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960077163A KR100244520B1 (ko) | 1996-12-30 | 1996-12-30 | 박막형 광로 조절장치의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100244520B1 (ko) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2858837B2 (ja) * | 1989-12-27 | 1999-02-17 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR950024553A (ko) * | 1994-01-18 | 1995-08-21 | 배순훈 | 광로조절장치 및 제조방법 |
| KR0178192B1 (ko) * | 1994-06-30 | 1999-05-01 | 배순훈 | 광로조절장치의 제조 방법 |
-
1996
- 1996-12-30 KR KR1019960077163A patent/KR100244520B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100244520B1 (ko) | 2000-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10239601A (ja) | 薄膜型光路調節装置及びその製造方法 | |
| KR19980057860A (ko) | 박막형 광로 조절장치의 제조 방법 | |
| KR100244518B1 (ko) | 박막형 광로 조절장치의 제조 방법 | |
| KR100251098B1 (ko) | 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 | |
| KR100233371B1 (ko) | 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 | |
| KR100251108B1 (ko) | 매립된비어컨택을가지는박막형광로조절장치및그제조방법 | |
| KR100258118B1 (ko) | 개선된 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100225586B1 (ko) | 박막형 광로 조절 장치 모듈 및 그 제조 방법 | |
| KR100248985B1 (ko) | 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100237344B1 (ko) | 액츄에이터의 초기 기울어짐을 방지할 수 있는 박막형 광로 조절장치의 제조방법 | |
| KR100251308B1 (ko) | 박막형광로조절장치및이의제조방법 | |
| KR100247592B1 (ko) | 박막형 광로조절장치의 제조방법 | |
| KR100247590B1 (ko) | 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 | |
| KR100225587B1 (ko) | 박막형 광로 조절 장치 | |
| KR100248993B1 (ko) | 개선된 액츄에이터를 갖는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100237340B1 (ko) | 액츄에이터의 초기 휘어짐을 방지할 수 있는 박막형 광로 조절장치의 제조방법 | |
| KR100235608B1 (ko) | 저온에서 내식성이 향상된 멤브레인을 갖는 박막형 광로 조절장치의 제조방법 | |
| KR100255749B1 (ko) | 질화알루미늄을 이용한 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조방법 | |
| KR19980023293A (ko) | 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 | |
| KR20000044795A (ko) | 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 | |
| KR19980061490A (ko) | 초기 휘어짐을 방지할 수 있는 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR19980077658A (ko) | 광전류를 차단할 수 있는 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 | |
| KR19990002355A (ko) | 박막형 광로 조절 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR19980023296A (ko) | 박막형 광로 조절 장치의 제조 방법 | |
| KR19990035346A (ko) | 박막형 광로조절장치의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20101101 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |