KR19980048869A - Resistor Formation Method of Semiconductor Device - Google Patents
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Abstract
반도체 장치의 저항체 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은반도체 기판 상에 형성된 N형 저항노드와, 상기 저항노드 상에 콘택홀을 갖는 산화막과, 상기 콘택홀 하부의 저항노드에 형성된 P형 불순물영역과, 상기 P형 불순물 영역에 접속되는 금속층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 저항체 형성방법을 제공한다. 본 발명은 저항체가 접속되는 콘택부분에 PN접합을 형성하여 콘택저항을 증가시킴으로써 전체적으로 저항체의 저항을 증가시킬 수 있다.A resistor forming method of a semiconductor device is disclosed. The present invention provides an N-type resistive node formed on a semiconductor substrate, an oxide film having a contact hole on the resistive node, a P-type impurity region formed in the resistive node below the contact hole, and a metal layer connected to the P-type impurity region. Provided is a method for forming a resistor of a semiconductor device. The present invention can increase the resistance of the resistor as a whole by forming a PN junction in the contact portion to which the resistor is connected to increase the contact resistance.
Description
본 발명은 반도체 장치의 저항체 형성방법에 관한 것으로, 특히 콘택 저항 성분을 증가시킬 수 있는 반도체 장치의 저항체 형성방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for forming a resistor of a semiconductor device, and more particularly, to a method for forming a resistor of a semiconductor device capable of increasing a contact resistance component.
반도체 장치, 예컨대 DRAM 반도체 장치에서는 저항체를 형성하여 각종 DC 레벨을 조정하며 신호를 지연시키는 역할을 한다. 저항체의 저항은 길이에 비례하고 면적에 반비례하기 때문에, 높은 저항을 얻기 위해서는 길이를 길게 해 주어야 한다.In semiconductor devices such as DRAM semiconductor devices, resistors are formed to adjust various DC levels and delay signals. Since the resistance of the resistor is proportional to the length and inversely proportional to the area, the length must be increased to obtain a high resistance.
도 1은 종래의 반도체 장치의 저항체 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.1 is a diagram for explaining a method of forming a resistor of a conventional semiconductor device.
도 1에서, 금속층(1)과 금속층(3)을 콘택(7)을 통하여 연결할 때 저항체(5)의 저항(R)은 Rc(콘택 저항)과 R1(선저항)의 두성분으로 이루어져 있다. 따라서, 저항을 크게 하기 위해서는 콘택저항 또는 선저항을 크게 하여야 한다.In Fig. 1, when connecting the metal layer 1 and the metal layer 3 through the contact 7, the resistance R of the resistor 5 is composed of two components, Rc (contact resistance) and R1 (line resistance). Therefore, in order to increase the resistance, the contact resistance or the line resistance must be increased.
그런데, 상기 선저항을 크게 하기 위해 저항체(5)의 길이를 크게 하면, 칩에서 차지하는 면적을 증가시켜 결국 칩의 크기가 증가하는 문제점이 있다.However, when the length of the resistor 5 is increased in order to increase the line resistance, the area occupied by the chip is increased, resulting in an increase in the size of the chip.
따라서, 본 발명의 기술적 과제는 선저항을 크게 하지 않고 콘택저항을 증가시킬 수 있는 반도체 장치의 저항체 형성방법을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a method for forming a resistor of a semiconductor device capable of increasing a contact resistance without increasing the line resistance.
도 1은 종래의 반도체 장치의 저항체 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 도면이다.1 is a diagram for explaining a method of forming a resistor of a conventional semiconductor device.
도 2는 본 발명의 반도체 장치의 저항체 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a resistor in a semiconductor device of the present invention.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은반도체 기판 상에 형성된 N형 저항노드와, 상기 저항노드 상에 콘택홀을 갖는 산화막과, 상기 콘택홀 하부의 저항노드에 형성된 P형 불순물영역과, 상기 P형 불순물 영역에 접속되는 금속층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 저항체 형성방법을 제공한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides an N-type resistive node formed on a semiconductor substrate, an oxide film having a contact hole on the resistive node, a P-type impurity region formed on the resistive node under the contact hole, Provided is a method for forming a resistor in a semiconductor device, comprising a metal layer connected to a P-type impurity region.
본 발명은 저항체가 접속되는 콘택부분에 PN접합을 형성하여 콘택저항을 증가시킴으로써 전체적으로 저항체의 저항을 증가시킬 수 있다.The present invention can increase the resistance of the resistor as a whole by forming a PN junction in the contact portion to which the resistor is connected to increase the contact resistance.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 반도체 장치의 저항체 형성방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a resistor in a semiconductor device of the present invention.
도 2에서, 반도체 기판(10) 상에 제1 산화막(12) 및 제2 도전형, 예컨대 N형의 저항노드(14)가 형성되어 있고, 상기 저항노드(14) 상에 콘택홀을 갖는 제2 산화막(18)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 콘택홀에는 상기 저항노드(14)와 연결되는 금속층(20)이 형성되어 있다.In FIG. 2, a first oxide film 12 and a second conductive type, for example, an N-type resistive node 14 are formed on the semiconductor substrate 10 and have a contact hole on the resistive node 14. A two oxide film 18 is formed. In addition, a metal layer 20 connected to the resistance node 14 is formed in the contact hole.
그런데, 본 발명의 반도체 장치의 저항체(20), 즉 금속층이 접속되는 부분에 P형 불순물 영역(16)이 형성되어 상기 N형 저항노드(14)와 P형 불순물 영역(16)으로 구성된 PN접합이 형성된다. 이렇게 되면, 상기 PN접합으로 인하여 콘택저항이 증가한다. 결과적으로, 본 발명은 상기 R1(선저항 성분)은 일정하게 유지하면서 Rc저항 성분을 증가시킬 수 있다.However, the P-type impurity region 16 is formed in the resistor 20 of the semiconductor device of the present invention, that is, the portion where the metal layer is connected, and the PN junction composed of the N-type resistive node 14 and the P-type impurity region 16 is formed. Is formed. In this case, the contact resistance increases due to the PN junction. As a result, the present invention can increase the Rc resistance component while keeping the R1 (line resistance component) constant.
상술한 바와 같이 본 발명의 반도체 장치의 저항체 형성방법은 저항체가 접속되는 콘택부분에 PN접합을 형성하여 콘택저항을 증가시킴으로써 전체적으로 저항체의 저항을 증가시킬 수 있다.As described above, the resistor forming method of the semiconductor device of the present invention can increase the resistance of the resistor as a whole by forming a PN junction in the contact portion to which the resistor is connected to increase the contact resistance.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960067517A KR19980048869A (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Resistor Formation Method of Semiconductor Device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960067517A KR19980048869A (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Resistor Formation Method of Semiconductor Device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980048869A true KR19980048869A (en) | 1998-09-15 |
Family
ID=66444652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960067517A KR19980048869A (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Resistor Formation Method of Semiconductor Device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980048869A (en) |
-
1996
- 1996-12-18 KR KR1019960067517A patent/KR19980048869A/en not_active Application Discontinuation
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Legal Events
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