KR19980045329A - 반도체 소자의 세정방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 세정방법에 관한 것으로, 게이트 산화막을 황산 혼합용액으로 세정하는 단계; 상기 황산 혼한 용액에 의해 세정된 게이트 산화막을 불산 혼합 용액으로 세정하는 단계; 및 상기 불산 혼합 용액에 의해 세정된 게이트 산화막을 암모니아 혼합 용액으로 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 반도체 소자의 세정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 게이트 산화막 상의 불순물을 제거하기 위한 세정방법에 관한 것이다.
통상, 반도체 기판과 게이트 전극용 폴리실리콘막 사이에는 전기적 절연을 도모하기 위하여 박막의 게이트 산화막이 형성되며, 이러한 게이트 산화막은 매우 얇은 두께를 갖기 때문에 충분한 절연 특성을 유지하기 위해서는 고도의 청결함이 요구된다. 게이트 산화막의 청결함을 유지하기 위한 종래 기술에 따른 게이트 산화막의 세정방법을 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 게이트 산화막 표면에 발생된 유기물을 제거하기 위하여, 게이트 산화막이 형성된 반도체 기판을 황산 혼합 용액(H2SO4+H2O2)에 소정 시간 동안 디핑(dipping)한 후, 초순수로 린스한다. 그런 다음, 게이트 산화막 상에 형성된 자연 산화막을 제거하기 위하여, 불산 혼합 용액(HF+H2O)에 디핑한 후, 초순수로 린스한다.
그러나, 상기와 같은 종래 기술은, 불산 혼합 용액에 의한 세정은 게이트 산화막의 식각을 초래하기 때문에 게이트 산화막의 절연 특성이 저하되며, 이로 인하여, 후속의 공정에서 게이트 산화막과 폴리실리콘막 사이에 도면에 도시된 바와 같은 원형 결함이 발생되어 소자의 신뢰성에 악영향을 미치는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 불산 혼합 용액에 의한 세정으로 발생되는 과도 식각 및 원형 결함을 방지하기 위하여 황산 및 불산 혼합 용액으로 세정된 게이트 산화막을 암모니아 혼합 용액으로 세정함으로써, 게이트 산화막의 막 특성을 회복시켜 게이트 산화막과 폴리실리콘막 사이의 원형 결함의 발생 자체를 방지할 수 있고, 또한, 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 세정방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 세정방법은, 게이트 산화막을 황산 혼합 용액으로 세정하는 단계; 상기 황산 혼한 용액에 의해 세정된 게이트 산화막을 불산 혼합 용액으로 세정하는 단계; 및 상기 불산 혼합 용액에 의해 세정된 게이트 산화막을 암모니아 혼합 용액으로 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 불산 혼합 용액에 의한 세정에 의한 게이트 산화막에 발생된 과도 식각 및 원형 결함을 암모니아 혼합 용액에 세정으로 회복시킴으로써, 원형 결함의 발생을 방지할 수 있다.
[실시예]
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통하여 보다 상세하게 설명한다.
소자 분리막이 구비된 반도체 기판 상의 활성 영역에 게이트 산화막을 형성한다. 이때, 게이트 산화막 상에 발생된 불순물들은 다음과 같은 본 발명에 따른 세정방법으로 완전히 제거한다.
제 1 단계로, 게이트 산화막 상의 유기물을 제거하기 위하여 반도체 기판을 120℃의 H2SO4: H2O2= 4 : 1 인 황산 혼합 용액에 약 10분 동안 디핑한 후, 초순수로 약 10분간 린스(rinse)한다.
제 2 단계로, 게이트 산화막 상에 형성된 자연 산화막을 제거하기 위하여, 황산 혼합 용액에 의해 세정된 게이트 산화막을 불산 혼합 용액으로 세정한다. 통상, 불산 혼합 용액에 위한 세정은 자연 산화막의 표면을 식각해 들어가면서 제거하기 때문에 과도 식각이 야기되고, 이로 인하여, 게이트 산화막에 원형 결함이 발생하게 된다. 따라서, 과도 식각 및 원형 결함을 방지하기 위하여 반도체 기판을 25℃의 HF : H2O = 50 : 1인 불산 혼합 용액에 약 10초간 디핑하고, 초순수로 약 10분간 린스한다.
제 3 단계로, 80℃의 NH4OH : H2O2: H2O = 1 : 4 : 20 인 암모니아 혼합용액에 약 10분간 디핑시킨 후, 초순수로 약 10분간 리스한다. 이때, H2O2의 작용과 NH4OH의 자연 산화막의 식각이 반복되면서, 게이트 산화막 표면에 발생된 불순물이 완벽히 제거되며, 또한, 불산 혼합 용액에 의한 세정에 의해 게이트 산화막의 표면이 불안정한 실리콘 결합 상태를 갖는 것을 개선시켜, 게이트 산화막의 특성을 향상시킨다.
이상에서와 같이, 본 발명의 반도체 소자의 세정방법은 게이트 산화막 상의 불순물을 제거하기 위하여 황산-불산-암모니아의 세정 공정을 순차적으로 실시함으로써, 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Claims (7)
- 게이트 산화막을 황산 혼합용액으로 세정하는 단계; 상기 황산 혼합 용액에 의해 세정된 게이트 산화막을 불산 혼합 용액으로 세정하는 단계; 및 상기 불산 혼합 용액에 의해 세정된 게이트 산화막을 암모니아 혼합 용액으로 세정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 황산 혼합 용액은 H2SO4: H2O2= 4 : 1 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 황산 혼합 용액에 의한 세정단계는 게이트 산화막을 120℃의 황산 혼합 용액에 10분 동안 디핑시킨 후, 초순수로 약 10분간 린스하는 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불산 혼합 용액은 HF : H2O = 50 : 1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불산 혼합 용액에 의한 세정 단계는 황산 혼합 용액에 의해 세정된 게이트 산화막을 25℃의 불산 혼합 용액에 약 10초간 디핑하고, 초순수로 약 10분간 린스하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 암모니아 혼합 용액은 NH4OH : H2O2: H2O = 1 : 4 : 20 인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 암모니아 혼합 용액에 의한 세정 단계는 불산 혼합 용액에 의해 세정된 게이트 산화막을 80℃의 암모니아 혼합 용액에 약 10분간 디핑시킨 후, 초순수로 약 10분간 린스하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 세정방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960063511A KR19980045329A (ko) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 반도체 소자의 세정방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019960063511A KR19980045329A (ko) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 반도체 소자의 세정방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980045329A true KR19980045329A (ko) | 1998-09-15 |
Family
ID=66522215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019960063511A KR19980045329A (ko) | 1996-12-10 | 1996-12-10 | 반도체 소자의 세정방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980045329A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030075629A (ko) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 세정방법 |
| KR100488378B1 (ko) * | 2000-06-26 | 2005-05-11 | 가부시끼가이샤 도시바 | 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 |
-
1996
- 1996-12-10 KR KR1019960063511A patent/KR19980045329A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100488378B1 (ko) * | 2000-06-26 | 2005-05-11 | 가부시끼가이샤 도시바 | 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치 |
| KR20030075629A (ko) * | 2002-03-20 | 2003-09-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 세정방법 |
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