KR19980015596A - 웨이퍼 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 세정 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 웨이퍼 세정 공정시 세정액을 변화시켜 파티클(particle) 및 자연 산화막의 제거 효울을 높이는 웨이퍼 세정 방법에 관한 것이다.
본 발명의 웨이퍼 세정 방법은 웨이퍼를 HF와 H2O으로 습식 처리 및 탈이온수로 린스하여 자연 산화막을 제거하는 단계; 상기 웨이퍼를 NH4OH와 H2O2및 H2O의 혼합액으로 처리 및 탈이온수로 린스하여 파티클을 제거하는 단계; 상기 웨이퍼를 HF와 H2O으로 처리 및 탈이온수로 린스하여 화학적 산화막을 제거하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 웨이퍼 세정 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 웨이퍼 세정 공정시 세정액을 변화시켜 파티클(particle) 및 자연 산화막의 제거 효울을 높이는 웨이퍼 세정 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자의 웨이퍼 표면(1)과 게이트 전극(3) 사이에는 도면에 도시된 바와 같이, 전기적 절연을 도모하기 위하여 게이트 산화막(2)이 형성되며, 이러한 게이트 산화막(2)은 매우 얇기 대문에 절연특성을 유지하기 위해서는 웨이퍼 표면(1)에 고도의 청결함이 요구된다.
종래 웨이퍼 표면의 청결을 도모하기 위해서는 웨이퍼의 표면을 순차적으로 황산-불산-염산-암모니아로 세정하거나, 황산-암모니아-불산으로 세정하는 방법이 실시되고 있다.
자세하게는, 전자의 경우, 게이트 산화막이 형성되기 전에 웨이퍼는 먼저, H2SO4+H2O2에 디핑(dipping) 및 탈이온수로 린스(rinse) 된다. 그런다음, HF+H2O에 디핑 및 탈이온수로 린스되고, 계속해서, HCl+H2O2에 디핑 및 탈이온수로 린스된다. 다음으로, NH4OH+H2O2+탈이온수에 디핑 및 탈이온수로 린스되고, 마지막으로 건조 공정이 실시되어 웨이퍼 표면의 오염물, 예를 들어, 유기물, 자연 산화막 및 파티클(particle)등이 제거된다.
후자의 경우, 게이트 산화막이 형성되기 전에 웨이퍼는 H2SO4+H2O에 디핑 및 탈이온수로 린스된다. 그런 다음, NH4OH+H2O2+탈이온수에 디핑 및 탈이온수로 린스되고, 계속해서, HF+H2O 에 디핑 및 탈이온수로 린스된다. 이어서, 건조 공정이 실시되어 웨이퍼 표면의 오염물이 제거된다.
그러나, 상기와 같은 종래의 웨이퍼의 세정 방법은 전자의 경우, 암모니아에 의한 세정 및 탈이온수에 의한 린스 공정시 탈이온수 내에서 다량의 불순물을 포함하는 화학적 산화막(chemical oxide film)이 웨이퍼 표면에 성장되기 때문에, 얇은 게이트 산화막의 제조에 어려움이 있었다. 또한, 후자의 경우는 암모니아에 의한 세정 공정이 자연 산화막 위에서만 작용을 하기 때문에 파티클이 제거되지 못하고, 제거되지 않은 파티클이 웨이퍼 상에 그대로 잔류되어 절연 특성에 악영향을 미치게 되는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 상기의 문제점을 해결하도록 웨이퍼의 표면을 순차적으로 불산-암모니아-불산으로 처리하여 불순물이 잔류되지 않은 깨끗한 웨이퍼의 표면을 얻을 수 있는 웨이퍼 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도면은 종래 기술에 따라 형성된 게이트 전극을 나타낸 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1:웨이퍼2:게이트 산화막
3:게이트 전극
상기의 목적을 달성하기 위한, 본 발명의 웨이퍼 세정 방법은 웨이퍼를 HF와 H2O으로 습식 처리 및 탈이온수로 린스하여 자연 산화막을 제거하는 단계; 상기 웨이퍼를 NH4OH와 H2O2및 H2O 의 혼합액으로 처리 및 탈이온수로 린스하여 파티클을 제거하는 단계; 상기 웨이퍼를 HF와 H2O으로 처리 및 탈이온수로 린스하여 화학적 산화막을 제거하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 웨이퍼 세정 방법에 따르면, 웨이퍼 표면에 발생되는 화학적 산화막은 HF+H2O에 의한 처리 공정으로 제거된다. 그런 다음, 웨이퍼 표면상의 파티클은 NH4OH+H2O2+탈이온수의 혼합액에 의한 세정으로 제거된다. 또한, 상기 NH4OH+H2O2+탈이온수의 혼합액에 의한 세정시 발생된 화학적 산화막은 HF+H2O로 제거된다. 그러므로, 각각의 화학용액에 의한 세정으로 양질의 웨이퍼를 얻을 수 있으며, 웨이퍼의 세정 공정을 단순화시켜 생산성 향상에 기여할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예에 의거하여 자세하게 설명한다.
본 발명의 웨이퍼의 세정 방법은, 제1단계로 웨이퍼 표면에 발생된 열산화막 및 자연산화막을 제거하기 위하여 웨이퍼는 HF+H2O 로 처리되고, 이어서, 소정 시간 동안 탈이온수에 의한 린스 공정이 진행된다.
그런 다음, 제2단계로 HF+H2O 처리시 웨이퍼 표면에 발생된 파티클을 제거하기 위하여 웨이퍼는 NH4OH+H2O2+탈이온수의 혼합용액으로 처리되고, 연속적으로 탈이온수에 의한 린스 공정이 실시된다. 이때, 웨이퍼의 표면에는 화학적 산화막이 성장된다.
제3단계로, 상기 NH4OH+H2O2+탈이온수의 혼합용액에 의한 처리 및 탈이온수에 의한 린스 공정시에 발생된 화학적산화막이 제거되도록 웨이퍼의 표면은 HF+H2O 에 의해 재차 처리된다. 그런 다음, 웨이퍼상에 여전히 잔존하는 미세한 산화막 및 불순물이 제거되도록 탈이온수에 의한 린스 공정이 실시된다.
마지막으로, 화학 용액 및 탈이온수에 의해 세정된 웨이퍼를 건조시켜 표면에 불순물이 존재하지 않는 웨이퍼를 얻는다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 세정 방법은 웨이퍼의 표면을 순차적으로 불산-암모니아-불산으로 처리함으로써, 양질의 웨이퍼를 얻을 수 있다. 또한, 세정 공정을 단순화시켜 생산성 향상에 기여할 수 있다. 따라서, 본 발명의 웨이퍼 세정 방법은 반도체 소자의 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
Claims (1)
- 웨이퍼를 HF와 H2O 으로 습식 처리 및 탈이온수로 린스하여 자연 산화막을 제거하는 단계; 상기 웨이퍼를 NH4OH 와 H2O2및 H2O의 혼합액으로 처리 및 탈이온수로 린스하여 파티클을 제거하는 단계; 상기 웨이퍼를 HF와 H2O으로 처리 및 탈이온수로 린스하여 화학적 산화막을 제거하는 단계; 및 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960034988A KR19980015596A (ko) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 웨이퍼 세정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019960034988A KR19980015596A (ko) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 웨이퍼 세정 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980015596A true KR19980015596A (ko) | 1998-05-25 |
Family
ID=66250754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960034988A KR19980015596A (ko) | 1996-08-23 | 1996-08-23 | 웨이퍼 세정 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980015596A (ko) |
-
1996
- 1996-08-23 KR KR1019960034988A patent/KR19980015596A/ko not_active Application Discontinuation
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