KR19980041375A

KR19980041375A - 온도 감지 회로

Info

Publication number: KR19980041375A
Application number: KR1019960060678A
Authority: KR
Inventors: 이상철
Original assignee: 배순훈; 대우전자 주식회사
Priority date: 1996-11-30
Filing date: 1996-11-30
Publication date: 1998-08-17

Abstract

IC 내부의 온도를 감지하는 온도 감지 회로가 개시되어 있다. 온도 감지 회로는 기준 신호 발생 회로부에 의해 주변 온도의 변화에 관계없이 설정된 레벨의 기준 신호가 발생되며, 온도 감지 회로는 주변 온도에 대응하는 온도 감지 신호를 발생시키며, 비교 회로부에 의해 기준 신호와 온도 감지 신호를 비교함으로써, 온도를 감지한다. 그리고, 온도 감지 회로부의 온도 감지 신호의 온도에 대한 변화도를 조절 가능하고, 주변 온도의 변화에도 상기 기준 신호 발생 회로부로부터 발생되는 기준 신호는 일정하게 유지토록 함으로써, 작은 양의 온도 변화도 감지할 수 있게 된다.

Description

온도 감지 회로

본 발명은 온도 감지 회로에 관한 것으로 특히, 집적 회로(Integrated Circuit) 내부의 온도를 감지하여 IC 내부의 온도가 일정 이상의 온도가 되면, IC의 동작을 차단하도록 된 온도 감지 회로에 관한 것이다.

도 1은 종래의 온도 감지 회로를 도시한 회로도이다.

도 1에서, 온도 감지 회로는 제1 내지 제4 저항(R1 내지 R4), 제너 다이오드(ZD), 및 트랜지스터(Q)로 구성된다. 상기 제1 저항(R1)의 일단은 외부의 전원과 접속되며, 그 타단은 상기 제너 다이오드(ZD)와 접속된다. 상기 제너 다이오드(ZD)는 상기 제1 저항(R1)과 접지 사이에 순방향으로 접속된다. 상기 제2 저항(R2)의 일단은 상기 제1 저항(R1)과 상기 제너 다이오드(ZD)의 접점에 병렬로 접속되며, 상기 제2 저항(R2)의 타단은 상기 제3 저항(R3) 및 상기 트랜지스터(Q)의 베이스가 접속된다. 상기 제3 저항(R3)의 타단은 접지되며, 상기 트랜지스터(Q)의 이미터는 접지된다. 또한, 상기 트랜지스터(Q)의 컬렉터는 상기 제4 저항(R4)을 통해 바이어스되며, 상기 컬렉터를 통해 외부에 온도 감지 신호(Vout)를 출력한다.

상기 구성을 갖는 온도 감지 회로에 있어서, 상기 제너 다이오드(ZD)의 제너 전압(V_ZD)은 1℃의 온도 상승시 +4㎷씩 상승한다(V_{ZD ㏄}4㎷/℃). 상기 트랜지스터(Q)의 베이스 전압은 이미터가 접지되어 있으므로 트랜지스터(Q)의 베이스 이미터간의 전압과 같다(V_B=V_BE). 상기 트랜지스터(Q)의 베이스는 상기 제2 및 제3 저항(R2 및 R3)의 접속 노드에 병렬로 접속되어 있으므로, 상기 트랜지스터(Q)의 베이스 전압(V_B)은 제3 저항(R3)에 양단 전압이다(V_B=V_ZD1QR3/[R2+R3]). 따라서, 상기 트랜지스터(Q)의 베이스 전압(V_B)은 제너 다이오드(ZD)의 제너 전압과 상기 제2 및 제3 저항(R2 및 R3)의 저항값에 의해 결정된다. 상기 트랜지스터(Q)의 턴-온(turn-on) 전압(V_T)은 주변의 온도가 1℃ 상승할 때마다 -2㎷씩 강하된다(V_T=-2㎷/℃). 그리고, 저항의 저항값은 온도가 1℃ 상승할 때마다 초기 저항값의 0.03% 만큼씩 올라가므로, 통상적으로 저항의 온도에 따른 저항값의 변동은 무시한다. 따라서, 상기 트랜지스터(Q)의 베이스 전압(V_B)은 온도에 대해 양의 함수로 작용하고, 상기 트랜지스터(Q)의 턴-온 전압(V_T)은 온도에 대해 음의 함수로 작용함으로 주변의 온도가 상승함에 따라 트랜지스터의 베이스 전압(V_B)과 턴-온 전압(V_T)은 도 2에 나타낸 바와 같이, 특정 온도(T_1,∼T₃)에 일치하게 된다. 그러면, 상기 트랜지스터(Q)의 컬렉터를 통해 출력되는 온도 감지 회로의 출력 신호(Vout)는 하이 레벨의 신호에서 로우 레벨의 신호를 출력하게 되어, 회로 주변의 온도가 일정 온도에 도달하였음을 외부에 알리게 된다.

또한, 상기 온도 감지 회로에서 감지하려는 온도를 변경 가능하다. 상기 트랜지스터(Q)의 베이스 전압(V_B)은 상기 제3 저항(R3)의 양단간의 전압이고, 상기 제3 전항(R3)의 양단간의 전압은 상기 제너 다이오드(ZD)의 제너 전압(V_ZD)을 상기 제2 저항(R2)과 함께 분압한 값이므로, 상기 제2 및 제3 저항(R2 및 R3)의 저항비로서 조정 가능하다. 도 2에서 점선은 상기 트랜지스터(Q)의 베이스 전압(V_B)의 온도에 따른 전압이고, 실선은 트랜지스터(Q)의 온도에 따른 턴-온 전압(V_T)을 나타낸다. 만일, 제2 및 제3 저항(R2 및 R3)의 저항비가 2:1 이고 상기 트랜지스터의 베이스 전압(V_B)이 V_B1이면, 상기 트랜지스터(Q)는 제1 온도(T₁)에서 턴온되며, 상기 제2 및 제3 저항(R2 및 R3)의 저항비가 3:1 이고 상기 트랜지스터의 베이스 전압(V_B)이 V_B2이면, 상기 트랜지스터(Q)는 제2 온도(T₂)에서 턴온되므로 상기 트랜지스터(Q)의 베이스 전압(V_B)을 조절하여 감지 온도를 조절하게 된다.

그런데, 상기 회로에 있어서는 상기 제너 다이오드(ZD)의 제너 전압(V_ZD)은 제조 공정의 편차에 의해 그 제너 전압이 상기 제너 다이오드(ZD)의 온도에 따른 변화율에 비해 너무 큰 문제가 있다. 일반적으로 제너 다이오드의 제너 전압은 온도에 따른 제너 전압의 변화율에 대해 그 편차가 약 100배의 크기를 가지므로 출력되는 온도의 편차가 너무 크며, 또한 온도가 감지되어 출력 될 때 상기 트랜지스터(Q)가 너무 서서히 턴-온(Turn-on)되는 문제가 있다.

이에, 본 발명은 상기한 사정을 감안하여 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 미세한 주변의 온도 변화를 감지할 수 있으며, 그 감지되는 온도의 편차가 개선된 온도 감지 회로를 제공하는 것이다.

도 1은 종래의 온도 감지 회로를 도시한 회로도이다.

도 2는 도 1에 도시한 온도 감지 회로의 동작을 설명하기 위한 그래프이다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 감지 회로를 도시한 회로이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

R: 저항 Q: 트랜지스터

ZD: 제너 다이오드 100: 기준 신호 발생 회로부

200: 온도 감지 회로부 300: 비교 회로부

110: 제1 전류 발생부 120: 전압 발생부

130: 전압 상쇄부 210: 제2 전류 발생부

220: 온도 감지부

상기 목적을 실현하기 위한 본 발명에 따른 온도 감지 회로는 주변 온도의 변화에 관계없이 설정된 레벨의 기준 신호를 발생시키기 위한 기준 신호 발생 회로부; 주변 온도에 대응 온도 감지 신호를 발생시키며, 상기 온도 감지 신호의 온도에 대한 변화도를 조절 가능하도록 하기 위한 온도 감지 회로부; 및 상기 기준 전압 발생 회로부에 의해 발생된 상기 기준 신호와 상기 온도 감지 회로부에 의해 발생된 온도 감지 신호를 비교하기 위한 비교 회로부로 구성된다.

상기 구성에 의하면, 주변 온도의 변화에도 상기 기준 신호 발생 회로부로부터 발생되는 기준 신호는 일정하고, 상기 온도 감지 회로부로부터 출력되는 온도 감지 신호의 온도에 대한 변화율을 조절 가능하므로 작은 량의 온도 변화도 감지할 수 있게 된다.

이하, 도면을 참조한 본 발명의 실시예를 통해 본 발명을 보다 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 온도 감지 회로를 도시한 회로도이다.

도 3을 참조하면, 상기 온도 감지 회로는 기준 신호 발생 회로부(100), 온도 감지 회로부(200), 및 비교 회로부(300)로 구성된다.

상기 기준 신호 발생 회로부(100)는 주변 온도의 변화에 관계없이 설정된 레벨의 기준 신호를 발생시키기 위해 제1 전류 발생부(110), 전압 발생부(120), 및 전압 상쇄부(130)로 구성된다. 상기 제1 전류 발생부(110)는 제1 전류원(111) 및 제1 트랜지스터(Q1)로 구성된다. 상기 제1 전류원(111)은 외부 전원(Vcc)로부터 제1 전류(I_S1)를 발생하고 그 출력단을 통해 발생된 제1 전류(I_S1)를 상기 전압 상쇄부(130)에 제공한다. 상기 제1 트랜지스터(Q1)는 상기 제1 전류원(111)으로부터 그 베이스 전류를 공급받으며, 그 컬렉터는 외부의 전원(Vcc)에 의해 바이어스되어, 그 이미터를 통해 제2 전류(I_S2)를 발생시킨다. 그리고, 상기 제1 트랜지스터(Q1)는 발생시킨 제2 전류(I_S2)를 상기 전압 발생부(120)에 출력한다.

상기 전압 발생부(120)는 제너 다이오드(ZD), 제1 저항(R1), 및 제2 저항(R2)으로 구성된다. 상기 제너 다이오드(ZD)는 상기 전압 발생부(110)의 제1 트랜지스터(Q1)의 이미터에 접속되어 소정의 제너 전압을 발생시킨다. 상기 제1 저항(R1)은 그 일단이 상기 제너 다이오드(ZD)에 접속되며, 그 타단은 상기 제2 저항(R2)의 일단과 접속된다. 그리고, 상기 제2 저항(R2)의 타단은 접지된다.

상기 전압 상쇄부(130)는 제2 트랜지스터(Q2)이다. 상기 제2 트랜지스터(Q2)의 베이스는 상기 전압 발생부(120)의 제1 및 제2 저항(R1 및 R2)의 접속 노드에 접속되며, 그 컬렉터는 상기 제1 전류 발생부(110)의 제1 전류원(111)의 출력단에 접속되어 상기 제1 전류원(111)으로부터 입력되는 제1 전류(I_S1)에 의해 바이어스된다. 그리고 상기 제2 트랜지스터(Q2)의 이미터는 접지된다. 따라서, 상기 제2 저항(R2)의 양단 전압은 상기 제2 트랜지스터(Q2)의 베이스 전압(V_BQ2)이다.

상기 온도 감지 회로부(200)는 제2 전류 발생부(210) 및 온도 감지부(220)로 구성된다. 상기 제2 전류 발생부(210)는 외부의 전원(Vcc)에 접속되어 제3 전류(I_S3)를 발생하는 제2 전류원(211) 및 상기 제2 전류원(211)에 그 베이스가 접속되어 제4 전류(I_S4)를 발생시키는 제3 트랜지스터(Q3)로 구성된다. 또한, 상기 온도 감지부(220)는 제3 및 제4 저항(R3 및 R4), 및 제4 트랜지스터(Q4)로 구성된다. 상기 제4 저항(R4)은 상기 제3 저항(R3)과 접지 사이에 접속된다. 상기 제3 저항(R3)은 그 일단이 상기 제2 전류 발생부(210)의 제3 트랜지스터(Q3)의 이미터에 접속되며, 상기 제4 저항(R4)과 함께 상기 제3 트랜지스터(Q3)로부터의 제4 전류(I_S4)에 의해 소정의 전압(V_B)을 발생시킨다. 또한, 상기 온도 감지부(220)의 제4 트랜지스터(Q4)는 그 컬렉터가 상기 제2 전류 발생부(210)의 제2 전류원(211)의 출력단에 접속되어 상기 제2 전류원(211)으로부터의 제4 전류(I_S4)에 의해 바이어스되며, 그 이미터는 접지된다. 따라서, 상기 제4 저항(R4)의 양단 전압은 상기 제4 트랜지스터(Q4)의 베이스 전압이다.

상기 비교 회로부(300)는 차동 쌍으로 구성되는 제5 및 제6 트랜지스터(Q5 및 Q6), 그 일단이 상기 제5 및 제6 트랜지스터(Q5 및 Q6)의 각각의 컬렉터에 접속되고, 그 타단이 외부의 전원에 접속되는 제5 및 제6 저항(R5 및 R6), 및 접지 및 상기 제5 및 제6 트랜지스터(Q5 및 Q6)의 양 이미터에 사이에 접속되는 제3 전류원(301)으로 구성된다. 또한, 상기 제5 트랜지스터(Q5)의 베이스는 상기 기준 전압 발생 회로부(100)의 전압 발생부(120)의 출력단에 접속되어 상기 전압 발생부(120)로부터 발생되는 기준 전압(V_A)이 입력되며, 상기 제6 트랜지스터(Q6)의 베이스는 상기 온도 감지 회로부(200)의 온도 감지부(220)의 출력단에 접속되어 상기 온도 감지부(220)에 의해 발생된 온도 감지 전압(V_B)이 입력된다.

이하, 상기 구성으로 된 온도 감지 회로의 동작을 설명한다.

도 3에서, 상기 제1 전류 발생부(110)는 상기 제1 전류원(111) 및 상기 제1 트랜지스터(Q1)에 의한 제1 및 제2 전류(I_S1및 I_S2)를 발생시키고, 발생된 제1 및 제2 전류(I_S1및 I_S2)를 상기 전압 상쇄부(130) 및 상기 전압 발생부(120)에 각각 제공한다.

상기 전압 발생부(120)는 입력되는 상기 제1 전류 발생부(110)의 제1 트랜지스터(Q1)에 의해 발생된 제2 전류(I_S2)가 상기 전압 발생부(120)의 제너 다이오드(ZD)에 인가되어 상기 제너 다이오드(ZD), 제1 저항(R1), 및 제2 저항(R2)과 함께 기준 전압(V_A)을 발생시킨다. 상기 전압 발생부(120)에 의해 발생되는 기준 전압(V_A)은 상기 제너 다이오드(ZD)에 의해 제너 전압(V_ZD), 상기 제1 저항(R1)에 의한 제1 저항 전압(V_R1), 및 상기 제2 저항 전압(V_R2)의 합 전압이다. 이를 식으로 나타내면, 아래의 식(1)과 같다.

V_A=V_ZD+V_R1+V_R2--------------------------------(1)

상기 식(1)에서 V_A는 기준 전압 발생 회로부(100)으로부터 발생되는 기준 전압이고, V_ZD는 제너 다이오드의 양단 전압, V_R1은 제1 저항(R1)의 양단 전압이며, 그리고 V_R2는 제2 저항(R2)의 양단 전압이다.

상기 식(1)으로 나타낸 기준 전압(V_A)은 상기 제너 다이오드(ZD)의 온도에 따른 제너 전압의 변동에 의해 주변의 온도에 따라 변동된다. 상기 제너 다이오드(ZD)의 온도에 대한 제너 전압(V_ZD)의 변동율(α)은 일반적으로 +4㎷/℃ 정도이다. 따라서, 상기 전압 발생부(120)로부터 발생되는 기준 전압(V_A)은 상기 제너 다이오드(ZD), 제1 저항(R1), 제2 저항(R2), 및 상기 제2 전류(I_S2)에 의해 발생되는 전압은 주변 온도의 함수로서 작용한다. 상기 기준 전압(V_A)을 온도에 대한 함수로서 나타내면, 식(2)과 같다.

V_A=V_ZDT+α(t-T)+V_R1+V_R2--------------------------------(2)

상기 식(2)에서, V_ZDT는 온도 T에서의 제너 다이오드(ZD)의 제너 전압이며, t는 현재의 온도, α는 제너 다이오드(ZD)의 제너 전압(V_ZD)의 온도에 대한 변화율이다. 따라서, 상기 식(2)에 의하면, 상기 기준 전압(V_A)은 온도가 1℃ 상승할 때마다 α만큼씩 온도가 증가된다.

그리고, 상기 제2 저항(R2)의 전압은 상기 전압 상쇄부(130)의 제2 트랜지스터(Q2)의 베이스 전압이며, 상기 제2 트랜지스터(Q2)의 턴-온 전압은 1℃의 온도 변화에 대해 변화율 β만큼씩 변동된다면, 상기 제2 저항(R2)의 양단 전압(V_R2)은 다음 식(3)과 같이 된다.

V_R2=V_BQ2=V_BQ2T+β(t-T) ----------------------------------(3)

상기 식(3)에서, V_BQ2T는 온도T에서의 제2 트랜지스터(Q2)의 턴-온 전압이며, t는 현재의 온도이다. 그리고, 1℃의 온도 변화에 대해 제2 트랜지스터(Q2)의 턴-온 전압의 변화율 β는 일반적으로 -2㎷/℃이다.

따라서, 상기 식(2)에서 제2 저항(R2)의 양단 전압(V_R2)을 제2 트랜지스터(Q2)의 베이스 전압(V_BQ2)으로 대치하면, 식(4)과 같이 된다.

V_A=V_ZDT+α(t-T)+V_R1+V_BQ2T+β(t-T) -----------------------(4)

그리고, 상기 제1 저항(R1)의 양단 전압(V_R1)은 상기 제2 트랜지스터(Q2)의 베이스 전류를 무시할 경우, 전압 분배의 법칙에 의해 식(5)과 같다.

V_R1=V_BQ21QR1/R2 ----------------------------------------(5)

따라서, 상기 기준 신호 발생부(100)로부터 발생되는 기준 전압(V_A)이 온도에 대해 일정한 전압을 유지하기 위해서는 다음 식(6)에 나타낸 바와 같이, 상기 제1 및 제2 저항(R1 및 R2)의 저항비를 조절하기만 하면 된다.

V_A=V_ZDT+α(t-T)+(1+R1/R2)[V_BQ2T+β(t-T)] ----------------(6)

즉, 상기 전압 발생부(120)의 제너 다이오드(ZD)의 제너 전압의 온도에 대한 변동율이 +4㎷/℃이고, 상기 상쇄 전압 발생부(130)의 제2 트랜지스터(Q2)의 턴-온 전압의 온도에 대한 변동율이 -2㎷/℃이므로 상기 제1 및 제2 저항(R1 및 R2)의 저항값을 조절하여 상기 제1 및 제2 저항(R1 및 R2)의 출력 전압의 변동율을 상기 제2 트랜지스터(Q2)의 턴-온 전압의 온도에 대한 변동율의 2배 되게 함으로써, 상기 제너 다이오드(ZD)의 온도에 대한 제너 전압의 변동을 상쇄할 수 있다.

한편, 상기 온도 감지 회로부(200)의 상기 제2 전류 발생부(210)는 제3 트랜지스터(Q3)에 의한 제4 전류(I_S4) 및 제2 전류원(211)에 의한 제3 전류(I_S3)를 상기 온도 감지부(220)에 출력한다. 상기 제3 트랜지스터(Q3)의 이미터에서 발생되는 제4 전류(I_S4)는 온도 감지부(220)의 제3 및 제4 저항(R3 및 R4)에 출력되며, 상기 제2 전류원(211)에 의한 제3 전류(I_S3)는 제3 트랜지스터(Q3)의 베이스에 제공된다. 상기 제2 전류원(211)에 의해 발생된 제3 전류(I_S3)는 상기 제4 트랜지스터(Q4)의 컬렉터에 출력되어 제4 트랜지스터(Q4)를 바이어스시킨다. 상기 온도 감지 회로부(200)의 온도 감지 전압(V_B)은 상기 제4 전류(I_S4)와 상기 제3 및 제4 저항(R3 및 R4)에 의해 형성되며, 이를 식으로 표현하면 아래의 식(7)과 같다.

V_B=V_R3+V_{R4---------------------------------------------------------------}(7)

식(7)에서 V_B는 온도 감지 회로부(200)의 출력 전압인 온도 감지 전압이며, V_R3은 제3 저항의 양단 전압, V_R4는 제4 저항의 양단 전압이다.

그런데, 상기 제4 저항(R4)의 양단 전압(V_R4)은 제4 트랜지스터(Q4)를 턴-온시키기 충분하므로, 상기 제4 저항(R4)의 양단 전압(V_R4)은 상기 제4 트랜지스터(Q4) 베이스 전압(V_BQ4)과 같다. 그리고, 상기 제4 트랜지스터(Q4)의 턴-온 전압은 앞서 설명한 바와 같이, 1℃ 온도 변화에 대해 β㎷(-2㎷/℃)씩 변동되므로, 상기 식(7)에 나타낸 온도 감지 전압(V_B)은 아래 식(8)과 같다.

V_B=V_R3+V_BQ4T+β(t-T)----------------------------------(8)

식(8)에서, V_BQ4T는 온도 T에서 제4 트랜지스터(Q4)의 턴-온 전압(또는 베이스 전압)이다.

그리고, 상기 제4 트랜지스터(Q4)의 베이스 입력 전류를 무시할 때, 상기 제3 및 제4 저항(R3 및 R4)은 상기 제3 트랜지스터(Q3)로부터의 제4 전류(I_S4)에 대해 직류 접속이므로, 상기 온도 감지 전압(V_B)은 아래의 식(9)과 같이 된다.

V_B=[V_BQ4T+β(t-T)]1Q(1+R3/R4)----------------------------(9)

따라서, 상기 식(9)에 나타낸 바와 같이, 상기 온도 감지 회로부(200)의 온도 감지 전압(V_B)은 온도에 대해 그 변화의 진폭을 상기 제3 및 제4 저항(R3 및 R4)의 저항비로 조절할 수 있게 된다. 즉, 소정의 온도에 대해 큰 전압의 변동을 부여할 경우에는, 상기 제3 및 제4 저항(R3 및 R4)의 저항비를 크게 설정하면 된다.

상기 기준 신호 발생 회로부(100)에 의해 발생된 기준 신호로서의 기준 전압(V_A)은 상기 비교 회로부(300)의 기준 신호 입력 단자인 제5 트랜지스터(Q5)의 베이스에 입력되며, 상기 온도 감지 회로부(200)에 의해 발생된 온도 감지 신호로서의 온도 감지 전압(V_B)은 상기 비교 회로부(300)의 비교 신호 입력 단자인 제6 트랜지스터(Q6)의 베이스에 입력된다. 상기 제5 및 제6 트랜지스터(Q5 및 Q6)는 차동쌍으로서 상기 제5 및 제6 저항(R5 및 R6), 및 제3 전류원과 함께 비교기의 기능을 수행한다. 즉, 상기 기준 전압(V_A)에 대해 상기 온도 감지 전압(V_B)의 전압이 낮은 경우에는 로우의 신호(Vout)를 출력하며(│V_A-V_B│V_T), 상기 기준 전압(V_A)에 대해 상기 온도 감지 전압(V_B)이 큰 경우에는 하이의 신호를 출력하여 주변의 온도가 일정 레벨에 도달하였음을 외부에 알리게 된다.

따라서, 상기 구성에 의하면, 상기 기준 전압 회로부(100)에 의해 온도에 대해 일정한 기준 전압을 발생할 수 있으며, 상기 온도 회로부(200)에 의해 온도에 대한 높은 전압의 변화를 갖는 온도 감지 전압을 발생시킬 수 있고, 비교 회로부(300)를 사용하여 상기 기준 전압에 대한 감지 온도 전압을 비교함으로써, 미세한 온도의 변화도 감지할 수 있게 된다.

따라서, 상기 구성에 의하면, 온도에 대해 변화가 없는 기준 신호를 발생시킬 수 있으며, 온도에 대해 변화 그 감지량을 조절할 수 있게 됨으로 미세한 온도의 변화도 감지할 수 있게 된다.

본 발명에 의하면, 온도에 대해 변화가 없는 기준 신호를 발생시킬 수 있으며, 온도에 대해 변화 그 감지량을 조절할 수 있게 됨으로 미세한 온도의 변화도 감지할 수 있게 된다. 따라서, 미세한 주변의 온도 변화를 감지할 수 있으며, 그 감지되는 온도의 편차가 개선된 온도 감지 회로를 제공한다.

본 발명을 상기 실시예들에 의해 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 이에 의해 제한되는 것은 아니고, 당업자의 통상적인 지식의 범위내에서 그 변형이나 개량이 가능하다.

Claims

주변 온도의 변화에 관계없이 설정된 레벨의 기준 신호를 발생시키기 위한 기준 신호 발생 회로부(100);

주변 온도에 대응하는 온도 감지 신호를 발생시키기 위한 온도 감지 회로부(200); 및

상기 기준 전압 발생 회로부(100)에 의해 발생된 상기 기준 신호와 상기 온도 감지 회로부(200)에 의해 발생된 온도 감지 신호를 비교하기 위한 비교 회로부(300)로 구성되는 것을 특징으로 하는 온도 감지 회로.
제1항에 있어서, 상기 기준 전압 발생 회로부(100)는 제1 및 제2 전류를 발생시키기 위한 제1 전류 발생부(110);

상기 제1 전류 발생부(110)로부터 제1 전류를 공급받아 기준 전압을 발생시키기 위한 전압 발생부(120); 및

주변 온도에 따른 상기 전압 발생부(120)의 상기 기준 전압의 변동을 상쇄시키기 위하여, 상기 제1 전류 발생부(110)로부터 제2 전류를 공급받아 상기 주변 온도에 따른 상쇄 전압을 발생시키기 위한 전압 상쇄부(130)로 구성되는 것을 특징으로 하는 온도 감지 회로.
제2항에 있어서, 상기 전압 발생부(120)는 상기 제1 전류 발생부(110)와 상기 전압 상쇄부(130)의 사이에 접속되는 제너 다이오드(ZD);

그 일단이 상기 제너 다이오드(ZD)에 접속되는 제1 저항(R1); 및

상기 제1 저항(R1) 및 접지 사이에 접속되는 제2 저항(R2)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 온도 감지 회로.
제3항에 있어서, 상기 전압 상쇄부(130)는 그 베이스가 상기 제1 및 제2 저항(R1 및 R2)의 접속 노드에 접속되며. 그 컬렉터가 상기 제1 전류 발생부(110)에 의해 발생된 제1 전류에 의해 바이어스되며, 그 이미터가 접지에 접속되는 제1 트랜지스터(Q1)로 구성되는 것을 특징으로 하는 온도 감지 회로.
제4항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터(Q1)는 턴-온되어 온도에 따른 베이스 전압의 변동되고, 상기 베이스 전압을 상쇄 전압으로서 출력하는 것을 특징으로 하는 온도 감지 회로.
제1항에 있어서, 상기 온도 감지 회로부(200)는 제3 및 제4 전류를 발생시키기 위한 제2 전류 발생부(210); 및

상기 제2 전류 발생부(210)로부터 제3 및 제4 전류를 공급받아 주변의 온도에 따른 온도 감지 전압을 발생시키기 위한 온도 감지부(220)로 구성되는 것을 특징으로 하는 온도 감지 회로.
제6항에 있어서, 온도 감지부(220)는 상기 제2 전류 발생부(210)로부터의 제4 전류와 함께 소정의 전압을 발생시키기 위해 상호 직렬로 접속된 제3 및 제4 저항(R3 및 R4); 및

그 컬렉터에 상기 제2 전류 발생부(210)로부터의 제3 전류가 입력되어 바이어스되며, 상기 제3 및 제4 저항(R3 및 R4)의 접속 노드에 그 베이스가 접속되며, 그 이미터가 접지되는 제4 트랜지스터(Q4)로 구성되는 것을 특징으로 하는 온도 감지 회로.
제7항에 있어서, 상기 제4 트랜지스터(Q4)는 턴-온되어 주변 온도에 따른 그 베이스 전압의 변동으로 상기 제4 저항(R4)의 양단 전압을 변동시켜, 상기 제3 및 제4 저항(R3 및 R4)의 양단 전압을 변동시키는 것을 특징으로 하는 온도 감지 회로.
제7항에 있어서, 상기 온도 감지부(220)는 상기 제3 및 제4 저항(R3 및 R4)의 저항비를 조절함으로써, 온도 변화율에 따른 온도 감지 전압의 변동율을 조절하는 것을 특징으로 하는 온도 감지 회로.
제1항에 있어서, 상기 비교 회로부(300)는 차동 쌍으로 구성되는 제5 및 제6 트랜지스터(Q5 및 Q6);

그 일단이 상기 제5 및 제6 트랜지스터(Q5 및 Q6)의 각각의 컬렉터에 접속되고, 그 타단이 외부의 전원에 접속되는 제5 및 제6 저항(R5 및 R6); 및

접지 및 상기 제5 및 제6 트랜지스터(Q5 및 Q6)의 양 이미터에 사이에 접속되어 소정의 전류를 발생시키는 제3 전류원(301)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 온도 감지 회로.