KR19980040638A - Semiconductor manufacturing apparatus and wafer decontamination method using same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조장치 및 이를 이용한 웨이퍼 오염 제거방법에 관해 개시한다.The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a wafer decontamination method using the same.
웨이퍼 로딩부와 웨이퍼 공정유닛과 상기 웨이퍼 언 로딩부로 구성된 반도체 제조장치에 있어서, 상기 웨이퍼 공정유닛과 웨이퍼 언 로딩부사이에 가스분사 수단을 구비한다.In a semiconductor manufacturing apparatus comprising a wafer loading unit, a wafer processing unit, and the wafer unloading unit, gas injection means is provided between the wafer processing unit and the wafer unloading unit.
상기 수단을 사용하여 상기 웨이퍼 공정유닛을 나온 웨이퍼의 후면에 질소가스를 분사하여 상기 웨이퍼 후면에 부착된 오염물질을 제거한다. 그리고 제거된 오염물질과 분사된 가스는 상기 웨이퍼 언 로딩부에 설치된 드래인을 통해 배출시킨다.The means is used to inject nitrogen gas onto the backside of the wafer exiting the wafer processing unit to remove contaminants attached to the backside of the wafer. The contaminants removed and the injected gas are discharged through the drain installed in the wafer unloading unit.
따라서 본 발명의 실시예에 의한 반도체 제조장치를 사용할 경우 후속 포토공정에서 노광장치의 오염을 방지하여 계속되는 포토공정을 안정적으로 진행함으로써 반도체장치의 불량율을 크게 낮춰서 반도체장치의 수율을 개선 시킬 수 있다.Therefore, in the case of using the semiconductor manufacturing apparatus according to the embodiment of the present invention, by preventing the contamination of the exposure apparatus in the subsequent photo process to continue the photo process stably, the defect rate of the semiconductor device can be significantly lowered to improve the yield of the semiconductor device.
Description
본 발명은 반도체 제조장치 및 이를 이용한 웨이퍼 오염 제거방법에 관한 것으로서 특히, 웨이퍼 후면의 오염을 제거하는 수단을 구비하는 반도체 제조장치 및 이 수단을 이용하여 웨이퍼 후면 오염을 제거하는 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a wafer decontamination method using the same, and more particularly, to a semiconductor manufacturing apparatus having a means for removing contamination on the back surface of a wafer and a method for removing back surface contamination using the means.
반도체장치의 제조공정에서 반도체소자들이 형성되는 웨이퍼의 전면 뿐만 아니라 소자들이 형성되지 않는 웨이퍼의 후면도 오염물질로부터 배제되어야 한다. 특히, 감광액 도포공정에서 웨이퍼의 후면오염은 바로 이어지는 포토공정에 영향을 주어서 공정불량을 일으킬 수 있다.In the manufacturing process of the semiconductor device, not only the front side of the wafer on which the semiconductor elements are formed, but also the back side of the wafer on which the elements are not formed should be excluded from contaminants. In particular, the backside contamination of the wafer in the photoresist coating process may affect the immediately following photo process may cause a process failure.
구체적인 설명을 위해 도 1을 참조한다. 도 1은 종래 기술에 의한 반도체 제조장치를 나타낸 도면이다. 먼저, 웨이퍼 로딩부(10)에서 웨이퍼(12)를 웨이퍼 공정유닛(20)으로 출발시킨다. 웨이퍼 공정유닛(20)에서는 HMDS공정(b), 감광액 코팅공정(c) 및 소프트 베이크공정(c)이 진행된다. 이러한 공정이 완료되면 웨이퍼(12)를 웨이퍼 언 로딩부(30)로 트랙을 따라 이송한다.See FIG. 1 for a detailed description. 1 is a view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art. First, the wafer 12 is started from the wafer loading unit 10 to the wafer processing unit 20. In the wafer processing unit 20, an HMDS process (b), a photoresist coating process (c), and a soft bake process (c) are performed. When this process is completed, the wafer 12 is transferred along the track to the wafer unloading unit 30.
이와 같이 종래 기술에 의한 반도체장치의 제조공정 특히, 감광막 도포 공정에 사용되는 제조장치에서는 감광막 도포시 웨이퍼 후면의 오염을 방지할 수 있는 어떤 수단을 구비하고 있지 않다. 따라서 후속 포토공정에서 노광장치의 오염을 유발시켜 계속되는 감광막 포토공정에서 정상적인 노광을 방해하여 결국 반도체장치의 수율저하로 이어진다.As described above, the manufacturing apparatus used in the manufacturing process of the semiconductor device according to the prior art, in particular, the photoresist coating process, does not include any means for preventing contamination of the back surface of the wafer during the photoresist coating. Therefore, contamination of the exposure apparatus may be caused in a subsequent photo process, thereby preventing normal exposure in a subsequent photoresist photo process, resulting in a decrease in yield of a semiconductor device.
따라서 본 발명의 목적은 상술한 종래 기술이 갖는 문제점을 해결하기 위한 것으로서 웨이퍼 후면의 오염을 제거할 수 있는 수단을 구비하는 반도체 제조장치를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus having a means for removing contamination on the back surface of a wafer, which is to solve the problems of the prior art.
본 발명의 다른 목적은 상기 반도체 제조장치를 이용한 웨이퍼 오염 제거방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a method for removing wafer contamination using the semiconductor manufacturing apparatus.
도 1은 종래 기술에 의한 반도체 제조장치를 나타낸 도면이다.1 is a view showing a semiconductor manufacturing apparatus according to the prior art.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 제조장치 및 이를 이용한 웨이퍼 오염 제거방법을 나타낸 도면이다.2 is a view showing a semiconductor manufacturing apparatus and a wafer decontamination method using the same according to an embodiment of the present invention.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호설명〉<Code Description of Main Parts of Drawing>
10:웨이퍼 로딩부. 12:웨이퍼.10: Wafer loading part. 12: Wafer.
20:웨이퍼 공정유닛. 30, 40:웨이퍼 언 로딩부.20: Wafer processing unit. 30, 40: Wafer unloading section.
42:가스분사수단.42: gas injection means.
44:드래인.44: Drain.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 의한 반도체 제조장치는In order to achieve the above object, a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention
웨이퍼 트랙을 따라 설치된 웨이퍼 로딩부와 상기 웨이퍼 로딩부로부터 이송된 웨이퍼 상에 단위공정을 실시하는 웨이퍼 공정유닛과 상기 웨이퍼 공정유닛으로부터 웨이퍼를 언 로딩시키는 웨이퍼 언 로딩부를 구비하는 반도체 제조장치에 있어서, 상기 웨이퍼 공정유닛과 웨이퍼 언 로딩부 사이에는 상기 트랙아래에 있으며 수평으로 소정의 각으로 상향되어 있는 가스분사수단이 설치되어 있고 상기 언 로잉부의 트랙 아래에는 드래인이 설치되어 있는 것을 특징으로 한다.A semiconductor manufacturing apparatus comprising a wafer loading unit provided along a wafer track, a wafer processing unit for performing a unit process on a wafer transferred from the wafer loading unit, and a wafer unloading unit for unloading a wafer from the wafer processing unit, Between the wafer processing unit and the wafer unloading unit is provided under the track and gas injection means which is horizontally upward at a predetermined angle is installed, the drain is provided under the track of the unwinding unit. .
상기 다른 목적을 달성하기 위하여, 상기 본 발명의 실시예에 의한 반도체 제조공정에서의 웨이퍼 오염 제거방법은 웨이퍼 트랙을 따라 설치된 웨이퍼 로딩부와 상기 웨이퍼 로딩부로부터 이송된 웨이퍼상에 단위공정을 실시하는 웨이퍼 공정유닛과 상기 웨이퍼 공정유닛으로부터 웨이퍼를 언 로딩시키는 웨이퍼 언 로딩부를 구비하는 반도체 제조장치에 있어서, 상기 웨이퍼 공정유닛과 웨이퍼 언 로딩부 사이에는 상기 트랙아래에 있으며 소정의 각으로 상향되어 있는 가스분사수단이 설치되어 있고 상기 언 로잉부의 트랙아래에는 드래인이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장치를 이용한 웨이퍼 오염 제거방법에 있어서,In order to achieve the above another object, the wafer decontamination method in the semiconductor manufacturing process according to the embodiment of the present invention is to perform a unit process on the wafer loading portion provided along the wafer track and the wafer transferred from the wafer loading portion A semiconductor manufacturing apparatus comprising a wafer processing unit and a wafer unloading unit for unloading a wafer from the wafer processing unit, wherein the gas between the wafer processing unit and the wafer unloading unit is below the track and is upward at a predetermined angle. In the wafer decontamination method using a semiconductor manufacturing apparatus, characterized in that the injection means is provided and the drain is provided under the track of the unwinding portion,
상기 수단을 이용하여 상기 웨이퍼 공정유닛으로부터 상기 웨이퍼 언 로딩부로 웨이퍼를 이송시키는 과정에서 상기 웨이퍼의 후면에 가스를 분사하여 상기 웨이퍼 후면에 부착되어 있는 오염물질들을 제거하고 상기 가스와 상기 제거된 오염물질들은 상기 드래인을 통해서 배출시키는 것을 특징으로 한다.In the process of transferring the wafer from the wafer processing unit to the wafer unloading unit using the means, a gas is sprayed on the rear surface of the wafer to remove contaminants attached to the rear surface of the wafer, and the gas and the removed contaminants are removed. They are characterized in that the discharge through the drain.
상기 가스로는 공기(air)와 질소가스(N2)중 어느 한 가스를 사용한다.As the gas, any one of air and nitrogen gas (N 2 ) is used.
본 발명을 사용하면, 감광액 도포공정에서 웨이퍼 후면의 오염을 방지하여 후속 포토공정에서 노광장치의 스테이지 오염을 방지할 수 있으므로 노광장치의 변화를 방지하여 후속공정을 안정적으로 진행할 수 있고 따라서 반도체장치의 수율을 개선시킬 수 있다.According to the present invention, it is possible to prevent the contamination of the back surface of the wafer in the photoresist coating process to prevent the contamination of the stage of the exposure apparatus in the subsequent photo process, thereby preventing the change of the exposure apparatus and proceeding the subsequent process stably. Yield can be improved.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 반도체장치의 제조장치 및 이를 이용한 제조공정에서 웨이퍼 후면의 오염 제거방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, an apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention and a method for removing contamination on the back surface of a wafer in a manufacturing process using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 반도체 제조장치 및 이를 이용한 웨이퍼 오염 제거방법을 나타낸 도면인데 이를 참조하면 반도체 제조장치의 구성은 크게 세 부분으로 나눌 수 있다. 즉, 웨이퍼 트랙을 따라 웨이퍼 로딩부(10)가 위치해 있고 상기 웨이퍼 로딩부(10) 다음에는 웨이퍼의 단위공정이 진행되는 웨이퍼 공정유닛(20)이 위치해 있다. 이어서 상기 웨이퍼 공정유닛(20) 다음에는 웨이퍼 언 로딩부(40)가 위치해 있다. 또한, 상기 웨이퍼 언 로딩부(40)와 상기 웨이퍼 공정유닛(20)사이의 트랙의 아래에는 가스분사수단(42)이 설치되어 있는데, 그 분사 방향이 수평으로부터 소정의 각으로 상향되도록 설치되어 있다.2 is a view showing a semiconductor manufacturing apparatus and a method for removing wafer contamination using the same according to an embodiment of the present invention. Referring to this, the configuration of the semiconductor manufacturing apparatus may be divided into three parts. That is, the wafer loading unit 10 is located along the wafer track, and the wafer processing unit 20 is located after the wafer loading unit 10 where the wafer unit process is performed. Subsequently, a wafer unloading unit 40 is positioned after the wafer processing unit 20. Further, a gas injection means 42 is provided under the track between the wafer unloading part 40 and the wafer processing unit 20, and the injection direction is provided so as to upwardly move from the horizontal to a predetermined angle. .
상기 웨이퍼 언 로딩부(40)에는 상기 수단(42)보다 아래에 위치해 있는 드래인(44)이 설치되어 있다. 상기 드래인(44)은 상기 수단(42)으로부터 분사된 가스를 배출시키기 위해 설치된 것이다. 따라서 상기 수단(42)은 그로부터 분사된 가스가 상기 드래인(44)을 벗어나지 않는 상향갖 범위를 갖는다.The wafer unloading part 40 is provided with a drain 44 positioned below the means 42. The drain 44 is installed to discharge the gas injected from the means 42. The means 42 thus have a range of upwards such that the gas injected therefrom does not leave the drain 44.
계속해서 이러한 구성을 갖는 본 발명의 실시예에 의한 반도체장치의 제조장치를 이용한 웨이퍼 후면의 오염물 제거방법을 설명한다. 이를 위해 도 2를 다시 참조하면, 웨이퍼 로딩부(10)로부터 웨이퍼 공정유닛(20)으로 웨이퍼를 이송시키면 상기 웨이퍼 공정유닛(20)에서는 ,에서 HMDS공정을 실시하고 이어서 ,#에서 감광액 코팅공정을 실시하며 ,$에서 소프트 베이크 공정을 실시한다. 이러한 일련의 공정을 거친 웨이퍼(12)는 상기 웨이퍼 공정유닛(20)으로부터 웨이퍼 언 로딩부(44)로 이송된다. 이때, 상기 웨이퍼 공정유닛(20)을 나와서 상기 웨이퍼 언 로딩부(44)로 이송되기 전에 상기 가스 분사수단(42)을 사용하여 상기 웨이퍼(12)의 후면에 질소가스(N2)나 공기(air)중 어느 한 가스를 분사한다. 이렇게 분사된 질소가스에 의해 상기 웨이퍼(12)의 후면에 부착된 오염물질들이 제거된다. 제거된 오염물질과 상기 질소가스는 상기 웨이퍼 언 로딩부(40)의 트랙 하단에 설치되어 있는 드래인(44)을 통해서 배출된다.Subsequently, a method for removing contaminants on the back surface of the wafer using the apparatus for manufacturing a semiconductor device according to the embodiment of the present invention having such a configuration will be described. For this purpose, referring back to FIG. 2, when the wafer is transferred from the wafer loading unit 10 to the wafer processing unit 20, the wafer processing unit 20 performs the HMDS process at, followed by the photoresist coating process at #. Run soft bake at $. The wafer 12 which has undergone such a series of processes is transferred from the wafer processing unit 20 to the wafer unloading unit 44. At this time, before exiting the wafer processing unit 20 and transferred to the wafer unloading unit 44, nitrogen gas N 2 or air (N 2 ) or air (N 2 ) is formed on the rear surface of the wafer 12 using the gas injection means 42. air). The contaminants attached to the rear surface of the wafer 12 are removed by the injected nitrogen gas. The contaminant removed and the nitrogen gas are discharged through the drain 44 installed at the bottom of the track of the wafer unloading part 40.
이상, 본 발명의 실시예에 의한 반도체장치의 제조장치 및 이를 이용한 제조공정에서 웨이퍼 후면의 오염 제거방법에서는 상술한 바와 같이 상기 웨이퍼 공정유닛과 상기 웨이퍼 언 로딩부사이에 가스분사 수단을 구비한다.As described above, in the semiconductor device manufacturing apparatus and the method for removing contamination on the back surface of the wafer in the manufacturing process using the same, the gas injection means is provided between the wafer processing unit and the wafer unloading unit as described above.
상기 수단을 사용하여 상기 웨이퍼 공정유닛을 나온 웨이퍼의 후면에 질소가스를 분사하여 상기 웨이퍼 후면에 부착된 오염물질을 제거한다. 그리고 제거된 오염물질과 분사된 가스는 상기 웨이퍼 언 로딩부에 설치된 드래인을 통해 배출시킨다. 따라서 본 발명의 실시예에 의한 반도체장치의 제조장치를 사용할 경우 후속 포토공정에서 노광장치의 오염을 방지하여 계속되는 포토공정을 안정적으로 진행함으로써 반도체장치의 불량율을 크게 낮춰서 반도체장치의 수율을 개선 시킬 수 있다.The means is used to inject nitrogen gas onto the backside of the wafer exiting the wafer processing unit to remove contaminants attached to the backside of the wafer. The contaminants removed and the injected gas are discharged through the drain installed in the wafer unloading unit. Therefore, in the case of using the apparatus for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, the contamination of the exposure apparatus is prevented in a subsequent photo process, thereby stably proceeding the photo process, thereby greatly reducing the defect rate of the semiconductor device, thereby improving the yield of the semiconductor device. have.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며 많은 변형이 본 발명의 기술적 사상내에서 당분야에서의 통상의 지식을 가진자에 의하여 실시가능함은 명백하다.The present invention is not limited to the above embodiments, and it is apparent that many modifications can be made by those skilled in the art within the technical idea of the present invention.
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