KR19980037483A - 액티브 매트릭스 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 액정표시장치는 제1기판의 화소전극(14)이 BCB 등의 유기절연막으로 된 보호막(126)을 사이에 두고 차광성 재료로 된 데이터버스라인(115)과 중첩시킴으로써 개구율을 향상 시킬 수 있다. 또, 이 데이터버스라인과 대향하는 제2기판의 블랙매트릭스(데이터버스라인 115의 폭보다 좁게 형성됨:135)는 칼라필터의 경계영역에 형성되어 있기 때문에 제1기판과 제2기판의 합착오차가 발생하더라도 칼라필터의 경계영역에서 빛 누설이 발생하지 않는다.

Description

액티브 매트릭스 액정표시장치 및 그 제조방법

본 발명의 액정구동 제어용 스위칭소자가 내장된 액정표시장치는 스위칭소자 및 화소전극이 형성된 기판(제1기판)과 칼라필터가 형성된 기판(제2기판)을 합착하였을때 상기 제1기판과 제2기판의 합착오차로 인하여 칼라필터의 경계영역에서 빛 누설이 되지않고, 종래의 액정표시장치보다 개구율이 큰 특징을 갖고 있다.

이와 같은 특징을 갖는 본 발명의 액정표시장치의 구체적인 설명에 앞서서 하나의 예를 들어 종래의 액정표시장치를 도 1에 의하여 설명한다.

도 1의 액정표시장치는 매트릭스 상으로 복수의 화소가 배치된 제1기판(3)을 갖고 있다. 제1기판(3)의 액정표시부의 각 화소전극(4)은 인접하는 게이트버스라인(17)과 인접하는 데이터버스라인(15)이 교차하여 만드는 부분에 배치된다. 상기 게이트 버스라인(17)은 수평으로 형성되어 있고 상기 게이트버스라인(17)에서 분기한 게이트전극(17a)이 형성되어 있다. 상기 데이터버스라인(15)은 종으로 형성되어 있고 상기 데이터버스라인(15)에서 분기한 소스전극(15a)이 형성되어 있다. 상기 소스전극(15a)과 게이트전극(17a)이 교차하는 부분에 TFT(8)가 형성되어 있고 드레인전극(15b)은 화소전극(4)과 전기적으로 접촉되도록 형성되어 있다.

한편 칼라필터층(37) 등이 형성된 제2기판(2)이 제1기판(3)과 대향하여 형성되어 있다.

제1기판(3)과 제2기판(2) 사이에는 액정(40)이 채워져 있다.

제1기판(3)과 제2기판(2)에는 각각 편광판(1, 1a)이 형성되어 있다.

그런데, 종래의 액정표시장치는 도 1의 TFT(8)의 확대도에서 알 수 있는 것처럼 화소전극(4)이 데이터버스라인(15) 및 게이트버스라인(17) 등과 일정한 거리를 두고 형성된다.

이에 대한 상세한 설명을 위하여 도 1의 II-II선을 따라 절단한 도 2a와, II'-II'선을 따라 절단한 도 2b를 도시한다. 도 2a 및 도 2b에서 알 수 있는 것처럼 제1기판(3) 위에 게이트버스라인에서 분기하는 게이트전극(17a)이 형성되어 있다. 상기 게이트전극이 형성된 제1기판 위에 SiNx, SiOx 등의 무기절연막으로 된 게이트절연막(23)이 형성되어 있다. 상기 게이트전극 부분의 게이트절연막 위에 반도체층(22)이 형성되어 있다. 상기 반도체층과 접촉되도록 데이터버스라인에서 분기하는 소스전극(15a)과 드레인전극(15b)이 소정의 간격을 두고 형성되어 있다. 상기 소스전극과 드레인전극 등이 형성된 기판 위에 SiNx, SiOx 등의 무기절연막으로 된 보호막(26)이 형성되어 있다. 보호막 위에 드레인전극(15b)과 접촉되는 화소전극(4)이 데이터버스라인(15)과 ①만큼의 간격을 두고 형성되어 있다.

따라서, 종래의 액정표시장치는 도 3과 같이 제1기판(3)과 제2기판(2)을 합착하였을 때 데이터버스라인(15) 등의 주위에서 빛 누설이 되지 않도록 제2기판(2)에 블랙매트릭스(35)를 형성하여야 한다. 이 블랙매트릭스(35)가 ②만큼 회소전극과 중첩되는 것은 제1기판과 제2기판의 합착오차를 고려하여 블랙매트릭스(35)를 넓게 형성하였기 때문이다. 이해를 돕기 위하여 TFT 등이 형성된 제1기판에 대향하는 제2기판의 블랙매트릭스의 패턴모양을 도 4에 나타낸다. 도 4에서 ①,②,③의 폭은 도 3의 ①,②,③의 폭과 같음을 쉽게 이해할 수 있을 것이다.

종래의 액정표시장치에서 개구율에 가장 크게 영향을 미치는 부분은 화소전극과 블랙매트릭스(BM)가 중첩되는 부분 즉, 도 3 및 도 4에서 ②의 부분으로써 전화소면적의 20% 정도를 차지한다. 또한 화소전극과 데이터버스라인 등과의 간격 즉, 도 3 및 도 4에서 ①부분이 전화소면적의 10%정도를 차지한다. 특히 OA용 액정표시장치는 종과 수평방향으로 3:1 정도의 비율을 갖는 R,G,B의 스트라이프형 배열의 칼라필터를 사용하는 경우가 많기 때문에 종 방향으로 형성되는 데이터버스라인(15) 쪽의 화소전극 부분에서 개구율의 손실비율이 크다. 개구율의 손실비율을 줄이기 위하여 상기 도 3과 도 4의 ①,② 부분이 개구면적에 포함되도록 도 5와 같이 화소전극(4)을 데이터버스라인(15)에 중첩하여 형성한다면 SiNx 또는 SiOx 등의 무기절연막으로 된 종래의 액정표시장치의 보호막(26)은 유전율이 크기 때문에 화소전극과 데이라인이 중첩되는 부분에서 기생용량의 발생으로 인한 전압왜곡현상이 발생하여 화면 깜박임 등의 화질불량이 발생한다.

또한 도 5의 단차지는 6부분에서 배향막의 러빙공정시 러빙불량이 발생하기 때문에 화질불량이 발생한다.

따라서 종래의 액정표시장치의 이러한 문제점을 개선하기 위하여 도 6과 같이 데이터버스라인(15)을 차광성 재료로 구성하고, 보호막(26)을 유기절연막이 포함된 막으로 구성하여 막을 평탄화하고, 상기 보호막(26) 위에 구성되는 화소전극(4)을 상기 데이터버스라인과 중첩되도록 한 구조의 액정표시장치가 제안되었다.

도 6에서 데이터버스라인(15)는 차광성 재료이기 때문에 블랙매트릭스 역할을 겸하고 있고, 이 데이터버스라인과 화소전극(4)이 중첩된다.

그런데 도 6과 같은 구조의 액정표시장치는 게이트절연막(23), 데이타버스라인(15), 보호막(26) 및 화소전극(4) 등을 구성한 제1기판(2)과 칼라필터(37:R,G) 등을 구성한 제2기판(3)을 합착하는 공정에서 약 ±5㎛정도의 합착오차가 발생할 수 있다.

제1기판의 데이터버스라인을 10㎛폭 이하로 형성한다면, 제1기판과 제2기판의 ±5㎛정도의 합착오차 때문에 제2기판의 칼라필터의 경계영역에서 빛 누설이 일어나게 된다.

실제로 상기와 같은 구조를 갖는 액정표시장치를 제조하였을 때 합착오차로 인하여 칼라필터의 경계영역에서 빛 누설 불량이 발생하고, 이것은 액정표시장치의 생산수율의 저하로 이어진다. 도 7은 제1기판과(3)과 제2기판(2)의 합착불량 상태를 잘보여주고 있다. 도 7의 칼라필터 R과 G의 경계영역(50) 부분에서의 빛 누설은 R과 G의 색이 혼색되기 때문에 콘트라스트가 저하된다.

본 발명의 액정표시장치는 종래의 액정표시장치의 저 개구율의 문제점을 개선하고, 칼라필터의 경계영역에서 빛이 누설이 되는 것을 방지하는 액정표시장치를 제공하기 위하여

첫째, 데이터버스라인 등을 차광성을 갖는 도전성 물질로 구성하고,

둘째, 데이터버스라인 등의 단차지는 부분을 평탄화할 수 있으며 유전율이 낮은 물질로 된 보호막을 구성하고,

셋째, 보호막을 사이에 두고 화소전극과 데이터버스라인 등이 중첩되도록 구성하고,

넷째, 제2기판에 형성되는 칼라필터(R,G,B)층의 경계부분의 일부에 데이터버스라인의 폭보다 좁은 블랙매트릭스가 형성되도록 구성한다.

상기 조건을 만족하는 액정표시장치를 구성함으로써 도 8 및 도 9와 같은 구조의 본 발명의 액정표시장치가 구성된다.

도 8 및 도 9의 13은 투명물질로 된 제1기판, 123은 SiNx등으로 된 무기절연막, 115는 빛을 차광할 수 있는 물질로 된 데이터버스라인, 126은 유전율이 낮은 BCB등의 유기절연막으로 된 보호막, 12는 투명물질로 된 제1기판, 135는 블랙매트릭스, 137은 칼라필터층을 나타낸다.

상기 도 9에서는 제1기판과 제2기판이 합착오차 없이 거의 완벽한 상태로 합착되어 있는 구조를 보여주고 있다.

이와 같은 구조를 갖는 본 발명의 액정표시장치는 도 3과 같은 구조의 종래의 액정표시장치보다 개구율이 향상된다.

또한, 본 발명의 액정표시장치는 도 7과 같이 제1기판과 제2기판의 합착오차가 발생하더라도 도 8에서와 같이 칼라필터의 경계부분에 블랙매트릭스가 형성되어있기 때문에 콘트라스트의 저하가 발생하지 않는다.

또한, 본 발명은 게이트버스라인과 데이터버스라인에 선택적으로 화소전극을 중첩하여 개구율을 극대화할 수 있다.

개구율을 극대화하기 위하여 사용되는 유기절연막으로 된 보호막은 무기절연막에 비하여 작은 유전율을 갖고 있다.

따라서 화소전극과 게이트버스라인 및 데이터버스라인이 중첩되는 부분에서 전기용량이 작아지기 때문에 리크전류로 인한 전압왜곡현상 및 크로스토크현상이 발생하지 않는다.

그러나 보호막으로 무기절연막을 사용하면 무기절연막의 유전율이 크기 때문에 화소전극과 게이트버스라인 및 데이터버스라인이 중첩되는 부분에서 전기용량이 커진다.

이 전기용량이 크면 클수록 화소전극의 전압왜곡현상 및 크로스토크현상은 커진다. 본 발명은 유전율이 작은 유기절연막을 보호막으로 사용하였기 때문에 화소전극의 전압왜곡현상 및 크로스토크현상은 발생하지 않는다.

특히, 본 발명은 데이터버스라인 쪽에 화소전극을 중첩하여 전압왜곡현상 및 크로스토크현상 없이 액정표시장치의 개구율을 향상시키고, 또한 칼라필터의 경계영역에서 빛의 누설을 방지할 수 있는 제조방법에 대하여 중점적으로 기술될 것이다.

발명의 액정표시장치의 제조방법을 간략히 요약하면 제1기판 위에 데이터버스라인, 게이트버스라인, 스위칭소자를 형성하는 공정과, 상기 스위칭소자와 데이터버스라인과 게이트버스라인이 형성된 제1기판 위에 보호막을 형성하는 공정과, 상기 보호막 위에 상기 스위칭소자와 연결되고 상기 데이터버스라인과 중첩되도록 화소전극을 형성하는 공정과, 제2기판 위에 상기 데이터버스라인의 폭보다 좁은 부분이 있는 블랙매트릭스를 형성하는 공정과, 상기 제2기판 위에 블랙매트릭스를 경계로하는 각각의 칼라필터를 형성하는 공정과, 상기 데이터버스라인과 상기 데이터버스라인의 폭 보다 좁게 형성되는 블랙매트릭스가 대향하고, 상기 화소전극과 상기 칼라필터가 대향하도록 상기 제1기판과 제2기판을 합착하는 공정을 포함한다. 상기 공정을 포함하는 본 발명의 제조방법에 대하여 실시예에서 상세히 설명한다.

도 1은 종래 액정표시장치의 입체도이고,

도 2a, 도 2b는 각각 도 1의 II-II선과 II'-II'선을 따라 절단한 단면도이고,

도 3은 종래의 액정표시장치의 단면도이고,

도 4는 도 3의 블랙매트릭스의 패턴모양을 나타낸 평면도이고,

도 5는 전압왜곡현상을 설명하기 위한 단면도이고,

도 6 또다른 종래의 액정표시장치의 단면도이고,

도 7은 도 6의 칼라필터 경계영역에서 발생하는 빛 누설 불량을 설명하기 위한 단면도이고,

도 8, 도 9는 본 발명의 액정표시장치의 단면도이고,

도 10은 본 발명의 액정표시장치의 제1기판의 평면도이고,

도 11은 본 발명의 액정표시장치의 제2기판의 평면도이고,

도 12, 도 13, 도 14는 본 발명의 액정표시장치의 제조공정도이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

(2, 12) 제2기판(3, 13) 제1기판

(4, 14) 화소전극(15, 115) 데이터버스라인

(17, 117) 게이트버스라인(26, 126) 보호막

(35, 135) 블랙매트릭스(BM)(37, 137) 칼라필터

실시예

도 10은 본 발명의 액정표시장치의 제1기판(13)에 형성된 데이터버스라인(115), 게이트버스라인(117) 및 TFT(18)를 주로하여 나타낸 평면도이고, 도 11은 제2기판(12)에 형성된 블랙매트릭스(135) 및 칼라필터(137)를 주로하여 나타낸 평면도이다. 본 발명의 실시예는 도 10의 XII-XII선을 따라 절단하여 나타내는 도 12A~D 및 도 10의 XIII-XIII선을 따라 절단하여 나타내는 도 13과 도 11의 XIV-XIV선을 따라 절단하여 나타내는 도 14A~B에 의하여 설명된다.

먼저 제1기판(13)에 형성되는 구조물의 제조방법은 제1기판(13) 위에 Al 등의 금속막을 증착한다. 상기 금속막 위에 포토레지스트를 도포하고, 상기 포토레지스트를 소정의 패턴이 되도록 현상한다. 상기 현상된 패턴에 따라 금속막을 웨트(wet)에칭등의 방법으로 에칭하여 게이트버스라인에서 분기하는 게이트전극(도시되지 않음)을 형성한다(도 12A).

상기 게이트전극 등이 형성된 기판 위에 SiNx, SiOx 등의 무기절연막, 비정질실리콘층, 이온이 도핑된 비정질실리콘층을 연속적으로 증착하여 게이트절연막(123)과 반도체층(도면에 도시되지 않음)을 형성한다. 상기 반도체층을 상기 게이트전극 부분에 섬모양으로 패터닝한 후 차광성을 갖는 도전성 물질 즉, Cr, Mo 또는 Al 등의 금속막을 기판의 전면에 스퍼터링법으로 증착한다. 상기 금속막 위에 포토레지스트를 도포하고, 상기 포토레지스트를 소정의 패턴이 되도록 현상한다. 상기 패턴에 따라 금속막을 에칭하여 데이터버스라인(115)과 데이터버스라인에서 분기하는 소스 전극 및 드레인전극(도시되지 않음)을 형성한다(도 12B). 상기 소스 및 드레인전극은 반도체층 위에 형성된다.

이어서 상기 소스 및 드레인전극을 마스크로 하여 반도체층의 도핑된 비정질실리콘층이 양쪽으로 분리되도록 에칭한다(도시되지 않음).

이어서 상기 데이터버스라인이 형성된 기판 위에 데이터버스라인 등의 단차를 타고 넘는 레벨링 특성이 양호하고, 낮은 유전율을 갖는 보호막(126)을 일정한 두께로 도포한다(도 12C).

상기 보호막은 폴리이미드(Polyimide:PI)계 수지막, 아크릴(acrylic)계 수지막, 또는 페놀(phenol), 폴리에스테르(polyester), 실리콘(sillicon), 아크릴(acrylic), 우레탄(urethane) 등의 열경화성 수지, 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에틸렌(polyethlene), 폴리스틸렌(polystyrene) 등의 열가소성 수지를 사용할 수 있으며, 주로 아래 표1-1의 벤조싸이클로부텐(benzocyclobuten:BCB), F첨가 폴리이미드(polyimide:PI) 등의 유기절연막과, 퍼플로오르사이클로부텐(perfluorocyclobut-ane:PFCB), 플로오르사이클로부텐(Fluoropolyallylether:FPAE), 등의 유기절연막을 많이 사용한다.

[표 1-1]

상기 보호막이 형성된 기판 위에 스퍼터링법으로 ITO(Indium Tin Oxide)막 등을 증착한다. 상기 ITO막을 사진식각법으로 패터닝하여 화소전극(14)을 데이터버스라인(115) 위에 중첩되도록 형성한다(도 12D).

이와 같이 구성되는 제1기판(13)의 스위칭소자(18) 등의 단면 구조는 도 10의 XIII-XIII선을 따라 절단하여 나타내는 도 13과 같다.

도 13에서 (117a)는 게이트전극, (123)은 게이트절연막, (122)는 비정질실리콘층, (125)는 도핑된 비정질실리콘층 즉, 오믹접촉층이고, (115)는 데이터버스라인, (115a)는 소스전극, (115b)는 드레인전극, (126)은 보호막, (14)는 콘택홀을 통하여 드레인전극과 연결되어 있는 화소전극이다.

이어서 제2기판(12)에 형성되는 구조물의 제조방법은 제2기판(12) 위에 차광성을 갖는 카본블랙, 산화티탄 등으로 된 감광막을 도포하고, 마스크를 사용하여 감광막을 소정의 패턴이 되도록 노광한다. 노광된 감광막을 현상한 후 경화시켜 블랙매트릭스(135)를 형성한다(도 14A).

여기서 제1기판(13)의 데이터버스라인(115) 부분을 커버하는 블랙매트릭스는 데이터버스라인의 폭보다 좁고, 스위칭소자와 게이트버스라인을 커버하는 블랙매트릭스는 스위칭소자와 게이트버스라인의 폭보다 넓은 폭으로 형성한다.

이어서 상기 블랙매트릭스가 형성된 기판 위에 색상을 갖는 감광막을 도포한다. 마스크를 사용하여 감광막을 소정의 패턴이 되도록 노광한다. 노광된 감광막을 현상한 후 경화 시키는 공정을 반복하여 칼라필터(R,G,B:137)를 형성한다(도 14B).

상기 도 14A,B의 제조공정에서 블랙매트릭스(135)와 칼라필터(137)를 형성하는 공정순서는 필요따라 바꿀 수 있다.

상기와 같이 구성된 제1기판과 제2기판을 서로 대향하도록 합착하면 도 8 및 도 9와 같은 구조가 된다.

도 8은 제1기판과 제2기판의 합착오차가 발생한 구조를 보여주고 있고, 도 9는 제 1기판과 제2기판이 합착오차 없이 거의 완벽한 상태로 합착되어 있는 구조를 보여주고 있다.

따라서 본 발명의 액정표시장치는 도 8과 같이 상하판의 합착오차가 발생하더라도 칼라필터의 경계영역에 블랙매트릭스가 형성되어 있기 때문에 콘트라스트의 저하는 일어나지 않는다.

또한, 종래의 액정표시장치를 나타내는 도 3과 본 발명의 액정표시장치를 나타내는 도 9를 비교하면 화소면적이 ①+②만큼 커져있음을 알 수 있다.

본 발명의 액정표시장치는 제1기판 위의 데이터버스라인이 차광성 및 도전성을 갖는 물질로 구성된다. 상기 데이터버스라인 등이 형성된 기판 위에 단차지는 부분을 평탄화할 수 있으며 유전율이 낮은 물질로 된 보호막이 구성된다. 상기 보호막 위에 상기 데이터버스라인과 중첩되도록 화소전극이 구성된다. 제2기판에 형성되는 칼라필터층의 경계 부분에 상기 데이터버스라인의 폭보다 좁은 블랙매트릭스가 구성된다.

이와 같이 구성되는 본 발명의 액정표시장치는 칼라필터의 경계영역에서 빛 누설이 일어나지 않으면서도 높은 개구율을 갖기 때문에 높은 콘트라스트와 고화질을 실현 할 수 있다.

본 발명은 액정구동 제어용 스위칭소자가 내장된 액정표시장치에 관한 것이다. 특히 TFT를 포함하는 액정표시장치에 있어서 데이터버스라인 등에 화소전극을 중첩되게 형성하고, 데이터버스라인의 폭보다 좁은 폭으로 블랙매트릭스를 칼라필터의 경계영역에 형성하는 액정표시장치의 제조방법에 관한 것이다.

이와 관련하여 본 발명의 목적은 제1기판에 형성된 칼라필터층의 경계영역에서 빛의 누설을 방지하는 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 개구율이 큰 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.

Claims (12)

1. 매트릭스상으로 형성된 데이터버스라인 및 게이트버스라인과,

   상기 데이터버스라인 및 게이트버스라인의 교차점 부분에 상기 데이터버스라인 및 게이트버스라인에 연결되어 형성된 스위칭소자와,

   상기 데이터버스라인, 게이트버스라인 및 스위칭소자를 포함하여 덮는 보호막과,

   상기 스위칭소자와 연결되고 상기 데이터버스라인과 중첩되도록 상기 보호막 위에 형성된 화소전극을 포함하는 제1기판이 칼라필터와,

   상기 칼라필터의 경계영역에 형성된 블랙매트릭스를 포함하는 제2기판과 서로 대향되게 되어 있고,

   상기 데이터버스라인과 대향하는 부분의 상기 블랙매트릭스는 상기 데이터버스라인의 폭보다 좁은 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
2. 청구항 1에 있어서;

   상기 보호막은 유기절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
3. 청구항 2에 있어서;

   상기 유기절연막은 폴리이미드계 수지막, 아크릴계 수지막, 열경화성 수지막, 열가소성 수지막 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
4. 청구항 2에 있어서;

   상기 유기절연막은 벤조싸이클로부텐(benzocyclobuten:BCB), F첨가 폴리이미드(polyimide:PI), 퍼플로오르사이클로부텐(perfluorocyclobutane:PFCB), 플로오르사이클로부텐(Fluoropolyallylether:FPAE) 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서;

   상기 데이터버스라인은 차광재료인 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
6. 제1기판 위에 데이터버스라인, 게이트버스라인, 스위칭소자를 형성하는 공정과,

   상기 스위칭소자와 데이터버스라인과 게이트버스라인이 형성된 제1기판 위에 보호막을 형성하는 공정과,

   상기 보호막 위에 상기 스위칭소자와 연결되고 상기 데이터버스라인과 중첩되도록 화소전극을 형성하는 공정과,

   제2기판 위에 상기 데이터버스라인의 폭보다 좁은 부분이 있는 블랙매트릭스를 형성하는 공정과,

   상기 제2기판 위에 블랙매트릭스를 경계로하는 각각의 칼라필터를 형성하는 공정과,

   상기 데이터버스라인과 상기 데이터버스라인의 폭 보다 좁게 형성되는 블랙매트릭스가 대향하고, 상기 화소전극과 상기 칼라필터가 대향하도록 상기 제1기판과 제2기판을 합착하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
7. 청구항 6에 있어서;

   (1) 상기 데이터버스라인, 게이트버스라인, 스위칭소자를 형성하는 공정은 제1금속막을 형성한 후 상기 게이트버스라인과 상기 게이트버스라인에서 분기하는 게이트전극이 되도록 패터닝하는 단계,

   게이트절연막을 형성하는 단계,

   상기 게이트전극 부분에 반도체층과 도핑된 반도체층을 적층하여 섬모양으로 형성하는 단계,

   제2금속막을 형성한 후 상기 데이터버스라인과, 상기 도핑된 반도체층 위에 위치하며 상기 데이터버스라인에서 분기하는 소스·드레인전극이 되도록 패터닝하는 단계,

   상기 도핑된 반도체층을 양쪽으로 분리하는 단계를 포함하고,

   (2) 상기 화소전극을 형성하는 공정은

   상기 드레인전극 부분의 보호막에 콘택홀을 형성하는 단계,

   상기 보호막 위에 상기 드레인전극과 연결되는 제3금속막을 형성한 후 패터닝하여 상기 제3금속막을 상기 데이터버스라인과 중첩되는 화소전극으로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
8. 청구항 7에 있어서;

   상기 제3금속막은 ITO막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
9. 청구항 6에 있어서;

   상기 보호막은 유기절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
10. 청구항 9에 있어서;

    상기 유기절연막은 폴리이미드계 수지막, 아크릴계 수지막, 열경화성 수지막, 열가소성 수지막 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
11. 청구항 9에 있어서;

    상기 유기절연막은 벤조싸이클로부텐(benzocyclobuten:BCB), F첨가 폴리이미드(polyimide:PI), 퍼플로오르사이클로부텐(perfluorocyclobutane:PFCB), 플로오르사이클로부텐(Fluoropolyallylether:FPAE) 중 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
12. 청구항 6 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서;

    상기 데이터버스라인은 차광재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.