KR19980028925U - 버랙터 다이오드를 없앤 전압제어 발진기 - Google Patents
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Abstract
본 고안은 전압제어 발진기에 관한 것으로, 특히 출력부에 DC 패스 저항을 추가하고 트랜지스터의 바이어스 전압을 하여 가변 커패시터 역할을 하는 버랙터 다이오드를 대체할 수 있는 버랙터 다이오드를 없앤 전압제어 발진기에 관한 것이다. 본 고안에 의한 전압제어 발진기의 회로는 LC공진필터를 구비하여 튜닝전압을 인가받아 동조하는 탱크부와, 발진 트랜지스터를 구비하여 상기 탱크로부터 동조된 주파수로 발진하는 발진부와, 상기 발진 트랜지스터의 에미터단과 커패시터를 통한 발진신호를 바이패스필터를 구비하여 혼입된 잡음을 제거하고 해당 발진신호만 커패시터를 거쳐 출력하는 출력부로 구성되고, 상기 출력부에 상기 발진 트랜지스터의 콜렉트 단위 바이어스 전압 및 에미터단의 바이어스 전압을 가변하여 가변용량 다이오드를 대체하는 DC 패스 저항을 구비하여, 버랙터 다이오드를 없앤 전압제어 발진기를 제공하는 것이다.
Description
본 고안은 전압제어 발진기에 관한 것으로, 특히 출력부에 DC 패스 저항을 추가하고 트랜지스터의 바이어스 전압을 하여 가변 커패시터 역할을 하는 버랙터 다이오드를 대체할 수 있는 버랙터 다이오드를 없앤 전압제어 발진기에 관한 것이다.
일반적으로, 튜너의 주파수 변환회로 또는 고주파 변조회로 등에 사용되는 전압제어 발진기는 입력되는 튜닝전압에 동조된 발진주파수를 출력하는 장치로써, 상기 튜닝 전압의 조정에 의하여 발진주파수를 조정할 수 있다.
일반적인 기술에 관련되는 종래의 기술에 대한 구성은 도 1에 도시되어 있으며, 도 1은 종래의 전압제어 발진기의 회로도이다.
도 1를 참조하면, 종래의 전압제어 발진기는 가변용량 다이오드(D11)와 LC공진필터(L11,C12)를 구비하여 입력되는 튜닝전압(V+)에 의하여 동조하는 탱크부(B1)와, 발진트랜지스터(Q11)를 구비하여 상기 탱크부(B1)의 동조 주파수로 발진하는 발진부(B2)와, 상기 발진 트랜지스터(Q11)의 에미터단과 커패시터(C15)를 통한 발진신호를 출력필터(L12,C17)를 구비하여 잡음을 제거하고 해당 발진신호만 커패시터(C16)를 통하여 출력하는 출력부(B3)를 포함한다.
이하, 첨부된 도 1을 참고하여 종래의 전압제어 발진기의 동작을 설명한다. 도 1은 종래의 전압제어 발진기의 회로도이다.
탱크부(B1)에서 가변용량 다이오드(D11)와 LC공진 필터(L11,C12)를 이용하여 인가된 튜닝전압(V+)에 의한 주파수로 동조하고 상기 탱크부(B1)에서 동조된 주파수로 발진부(B2)의 발진트랜지스터(Q11)는 발진한다. 상기 발진부(B2)의 커패시터(C14)는 바이패스 커패시터로 발진부의 출력신호 중 직류분을 접지시킨다. 상기 발진부(B2)로부터 발진되는 발진신호는 커패시터(C15)와 저항(R14)을 통해 출력부(B3)의 출력필터(L12,C17)를 통과하면서 잡음이 제거되고 해당 발진신호만 캐시터(C16)를 통해 출력된다. 여기서 설명하지 않은 B+는 전원전압으로서 발진트랜지스터(Q11)에 바이어스 전압을 인가하고 전체회로를 구동하기 위한 전압이다.
이와 같은 종래기술에서 주파수 가변을 버랙터 다이오드를 이용하여 하였기 때문에 전압제어 발진기의 크기가 컸으며 전압제어 발진기의 생산원가가 많아지는 문제점이 있었다.
본 고안은 상기한 문제점을 해결하고 개선점을 달성하기 위해 안출한 것이다.
따라서, 본 고안의 목적은 가변 커패시터 역할을 하는 버랙터 다이오드를 대체할 수 있는 버랙터 다이오드를 없앤 전압제어 발진기를 제공하는데 있다.
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 기술적인 수단으로써, 본 고안에 의한 전압제어 발진기의 회로는 LC 공진필터를 구비하여 튜닝전압을 인가받아 동조하는 탱크부와, 발진 트랜지스터를 구비하여 상기 탱크로부터 동조된 주파수로 발진하는 발진부와, 상기 발진 트랜지스터의 에미터단과 커패시터를 통한 발진신호를 바이패스필터를 구비하여 혼입된 잡음을 제거하고 해당 발진신호만 커패시터를 거쳐 출력하는 출력부로 구성되고, 상기 출력부에서 상기 발진 트랜지스터의 콜렉트 단위 바이어스 전압 및 에미터단의 바이어스 전압을 가변하여 가변용량 다이오드를 대체하는 DC 패스 저항을 구비하여, 버랙터 다이오드를 없앤 전압제어 발진기를 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 전압제어 발진기의 회로도,
도 2는 본 고안에 의한 전압제어 발진기의 회로도,
도 3a는 종래 고안의 버랙터 다이오드의 공핍층 간격을 도시한 개략도,
도 3b는 본 고안의 트랜지스터의 공핍층 간격을 도시한 개략도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
B4: 탱크부B5: 발진부
B6: 출력부R21∼R25: 저항
C21∼C26: 커패시터L21,L22: 인덕터
Q21: 트랜지스터
이하, 본 고안에 의한 전압제어 발진기를 수행하기 위한 회로의 구성을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
도 2는 본 고안에 의한 전압제어 발진기의 회로도이다.
본 고안에 의한 전압제어 발진기는 LC공진필터(L21,C21)를 구비하여 튜닝전압을 인가받아 동조하는 탱크부(B4)와, 발진 트랜지스터(Q21)를 구비하여 상기 탱크부(B4)로부터 동조된 주파수로 발진하는 발진부(B5)와, 상기 발진 트랜지스터(Q21)의 에미터단과 커패시터(C24)를 통한 발진신호를 바이패스필터(L22,C26)를 구비하여 혼입된 잡음을 제거하고 해당 발진신호만 커패시터(C25)를 거쳐 출력하는 출력부(B6)로 구성되고, 상기 출력부(B6)에 상기 발진 트랜지스터(Q21)의 콜렉트 단의 바이어스 전압 및 에미터단의 바이어스 전압을 가변하여 가변용량 다이오드를 대체하는 DC 패스 저항(R24,R25)을 구비하는 것으로 구성된다.
여기서, 도면중 미설명부호인 V+는 튜닝전압이고, C22,C24,C25는 DC 블록킹 커패시터이고, C23,C26은 바이패스 커패시터이고, R21,R22,R23은 발진트랜지스터의 바이어스 전압을 결정하는 바이어스저항이다.
이와같이 구성된 본 고안의 회로에 따른 동작을 첨부도면 도 2에 의거하여 하기에 상세히 설명한다. 도 2는 본 고안에 의한 전압제어 발진기의 회로도이다.
탱크부(B4)에서 LC공진 필터(L21,C22)를 이용하여 인가된 튜닝전압(V+)에 의한 주파수로 동조하고 상기 탱크부(B4)에서 동조된 주파수로 발진부(B5)의 발진트랜지스터(Q21)는 발진한다. 상기 발진부(B5)로부터 발진되는 발진신호를 커패시터(C24)와 저항(R23)을 통해 출력부(B6)의 출력필터(L22,C26)를 통과하면서 잡음이 제거되고 해당 발진신호만 커패시터(C25)를 통해 출력된다. 여기서 설명하지 않는 B+는 전원전압으로서 발진트랜지스터(Q21)에 바이어스 전압을 인가하고 전체회로를 구동하기 위한 전압이다. 전원전압(B+)의 변동에 따라 발진트랜지스터(Q21)의 베이스-콜렉터와 베이스-에미터 간의 커패시터 값이 변한다. 여기에 도 2에서와 같이 튜닝 전압(V+)을 인가하기 위한 DC 피드백 저항(R24,R25)를 추가하여 콜렉터단의 바이어스 전압을 가변할 수 있다. 다시 말해서 콜렉터단의 전압을 R24와 R25로 가변하여 캐시터 용량을 가변할 수 있어 종래의 가변용량 다이오드인 버랙터 다이오드를 대체 할 수 있다.
이하, 상기 DC 패스 저항(R24,R25)으로 발진트랜지스터(Q21)의 베이스-콜렉터와 베이스-에미터 간의 커패시터 값을 가변하는 원리를 도 3a 및 도 3b을 참고로 설명한다.
도 3a는 종래 고안의 버랙터 다이오드의 공핍층 간격을 도시한 개략도이고, 도 3b는 본 고안의 트랜지스터의 공핍층 간격을 도시한 개략도이다.
버랙터 다이오드가 가변 커패시터 역할을 하는 원리는 도 3a의 캐소드와 애노드 간의 인가 전압에 의해 공핍층이 변하므로 그에 해당하는 등가 커패시터가 변화하기 때문이다. 그 변화 정도는 각 다이오드 구조에 따라 틀리나 인가 전압이 커질수록 공핍층의 간격(d)이 커지고 하기 수학식 1에 의하여 커패시터 용량이 줄어든다.
C: 커패시터 용량, ε: 유전상수, S: 공핍층 단면적, d: 공핍층 간격
이러한 버랙터 다이오드의 특성이 도 3b의 트랜지스터의 콜렉터-베이스 간에도 존재한다. 본 고안은 트랜지스터의 이러한 특성을 이용하여 버랙터 다이오드를 대체한다.
본 고안에 참조된 도면에서 실질적으로 동일한 구성과 기능을 가진 구성요소들은 동일한 부호를 사용하였다.
상술한 바와같은 본 고안에 따르면, 출력부에 DC 패스 저항을 추가하고 트랜지스터의 바이어스 전압을 가변하여 가변 커패시터 역할을 하는 버랙터 다이오드를 대체할 수 있어 버랙터 다이오드 없음으로 인한 생산 원가를 절감하는 효과가 있고, 버랙터 다이오드를 트랜지스터로 대체함으로 모놀리식 마이크로파 집적회로(MMIC: monolithic microwave intergrated circuit)에 적용할 수 있는 효과가 있다.
이상의 설명은 단지 본 고안의 일실시예에 대한 설명에 불과하며, 본 고안은 그 구성과 기술적 사상의 범위내에서 다양한 변경 및 개조가 가능하다.
Claims (1)
- LC공진필터(L21,C21)를 구비하여 튜닝전압을 인가받아 동조하는 탱크부(B4)와,발진 트랜지스터(Q21)를 구비하여 상기 탱크부(B4)로부터 동조된 주파수로 발진하는 발진부(B5)와,상기 발진 트랜지스터(Q21)의 에미터단과 커패시터(C24)를 통한 발진신호를 바이패스필터(L22,C26)를 구비하여 혼입된 잡음을 제거하고 해당 발진신호만 커패시터(C25)를 거쳐 출력하는 출력부(B6)를 구비한 전압제어 발진기에 있어서,상기 출력부(B6)에 상기 발진 트랜지스터(Q21)의 콜렉트 단의 바이어스 전압 및 에미터단의 바이어스 전압을 가변하여 가변용량 다이오드를 대체하는 DC 패스 저항(R24,R25)를 구비하는 것을 특징으로 하는 버랙터 다이오드를 없앤 전압제어 발진기.
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KR2019960041975U KR19980028925U (ko) | 1996-11-26 | 1996-11-26 | 버랙터 다이오드를 없앤 전압제어 발진기 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11362623B2 (en) | 2019-12-03 | 2022-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Voltage-controlled oscillator |
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1996
- 1996-11-26 KR KR2019960041975U patent/KR19980028925U/ko not_active Application Discontinuation
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