KR19980026614A - Leadframe - Google Patents

Leadframe Download PDF

Info

Publication number
KR19980026614A
KR19980026614A KR1019960045121A KR19960045121A KR19980026614A KR 19980026614 A KR19980026614 A KR 19980026614A KR 1019960045121 A KR1019960045121 A KR 1019960045121A KR 19960045121 A KR19960045121 A KR 19960045121A KR 19980026614 A KR19980026614 A KR 19980026614A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead frame
lead
inner lead
pad
semiconductor chip
Prior art date
Application number
KR1019960045121A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
윤현수
박상걸
Original Assignee
이대원
삼성항공산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이대원, 삼성항공산업 주식회사 filed Critical 이대원
Priority to KR1019960045121A priority Critical patent/KR19980026614A/en
Publication of KR19980026614A publication Critical patent/KR19980026614A/en

Links

Abstract

본 발명은 리드프레임에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 반도체칩이 탑재되는 패드와 상기 패드의 둘레에 설치되며 상기 반도체칩에 형성된 단자와 와이어본딩에 의하여 연결되는 내부리드를 포함하는 리드프레임에 있어서, 상기 내부리드의 상면 및 양측면은 내부리드의 길이 방향으로 간격을 두고 홈이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임과 성형수지의 결합되는 면적이 늘어나 리드프레임과 성형수지의 결합력이 향상된 리드프레임이 제공된다.The present invention relates to a leadframe. According to the present invention, in a lead frame including a pad on which a semiconductor chip is mounted and an inner lead installed around the pad and connected to a terminal formed on the semiconductor chip by wire bonding, the upper and both side surfaces of the inner lead are Provided is a lead frame having an increased coupling area between the lead frame and the molding resin, characterized in that grooves are formed at intervals in the longitudinal direction of the inner lead, thereby improving the bonding force between the lead frame and the molding resin.

Description

리드프레임.Leadframe.

본 발명은 리드프레임에 관한 것으로서, 좀더 상세하게는 내부리드의 결합 표면적을 늘이기 위해 그 내부리드 표면에 요철부가 형성된 리드프레임에 관한 것이다.The present invention relates to a lead frame, and more particularly, to a lead frame having an uneven portion formed on the inner lead surface in order to increase the bonding surface area of the inner lead.

도 1은 종래의 리드프레임을 도시한 평면도로서, 종래의 리드프레임은 반도체칩(11)이 탑재되는 패드(12), 상기 패드(12)의 각 모서리에 연결되어 상기 패드(12)를 지지하는 타이바(TIE BAR)(13), 상기 패드(12)의 둘레에 형성되며 상기 반도체칩(11)에 형성된 단자와 와이어본딩에 의하여 연결되는 내부리드(14), 상기 내부리드(14)의 변형을 방지하기 위해 내부리드(14)의 표면에 부착되어 있는 테이프(15) 및 상기 내부리드(14)에서 연장되며 상기 반도체칩(11)의 전기적 신호를 외부회로로 전달하는 외부리드(16)를 포함하고 있다.1 is a plan view illustrating a conventional lead frame, which includes a pad 12 on which a semiconductor chip 11 is mounted and connected to each corner of the pad 12 to support the pad 12. TIE BAR 13, an inner lead 14 formed around the pad 12 and connected to a terminal formed on the semiconductor chip 11 by wire bonding, and a deformation of the inner lead 14. The tape 15 attached to the surface of the inner lead 14 and the outer lead 16 extending from the inner lead 14 and transferring an electrical signal of the semiconductor chip 11 to an external circuit to prevent the It is included.

상술한 구조의 리드프레임과 패드(12) 위에 탑재되어 있는 반도체칩(11)을 외부로부터 보호하기 위해서, 성형수지 예컨대, 에폭시 몰딩 화합물(EPOXY MOLDING COMPOUND)을 이용하여 상기 반도체칩(11)과 상기 리드프레임을 몰딩(molding)함으로써 반도체 패키지가 만들어진다.In order to protect the semiconductor chip 11 mounted on the lead frame and the pad 12 having the above-described structure from the outside, a molding resin such as an epoxy molding compound (EPOXY MOLDING COMPOUND) is used. The semiconductor package is made by molding the leadframe.

도 2a 내지 도 2c는 종래의 리드프레임의 내부리드를 도시한 측면도, 평면도 및 단면도이다. 도면에 도시된 바와 같이, 종래의 리드프레임의 내부리드(14)는 길이방향으로 일직선이며 사각형의 단면을 가지고 있다.2A to 2C are side views, plan views, and cross-sectional views showing internal leads of a conventional lead frame. As shown in the figure, the inner lead 14 of the conventional lead frame is straight in the longitudinal direction and has a rectangular cross section.

도 3은 종래의 리드프레임이 몰딩된 패키지를 도시한 단면도로서, 앞서 도시된 도면에서와 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 가리킨다. 도 2에 도시된 형태의 내부리드(14)를 구비하는 리드프레임과 패드(12)위에 탑재되어 있는 반도체칩(11)이 성형수지(35)로 몰딩되어 있다.3 is a cross-sectional view illustrating a package in which a conventional leadframe is molded, and the same reference numerals as in the above-described drawing indicate the same components. A lead frame having an inner lead 14 of the type shown in FIG. 2 and a semiconductor chip 11 mounted on the pad 12 are molded with a molding resin 35.

하지만, 상기와 같이 사각형 단면의 일직선형 내부리드(14)를 구비한 리드프레임과 반도체칩(11)을 성형수지(35)로 몰딩 시, 리드프레임의 패드(12) 및 내부리드(14)와 성형수지(35)의 밀착불량으로 인해 패드(12) 및 내부리드(14)와 성형수지(35) 사이에 틈이 발생할 수 있다. 이로 인해, 반도체 패키지가 제작된 후 패키지를 운송하고 보관하는 과정에서 상기 밀착불량으로 발생한 틈에 수분이 흡수되고, 자외선 가열 시 침투 수분이 패키지 내부에서 고온으로 기화 팽창함으로써 패키지에 크랙이(crack) 발생할 수 있다는 문제점이 있다.However, when molding the lead frame and the semiconductor chip 11 having the linear inner lead 14 of the rectangular cross-section as described above with the molding resin 35, the pad 12 and the inner lead 14 of the lead frame and Poor adhesion between the molding resin 35 may cause a gap between the pad 12 and the inner lead 14 and the molding resin 35. Accordingly, after the semiconductor package is manufactured, moisture is absorbed into the gap caused by the poor adhesion in the process of transporting and storing the package, and when the ultraviolet ray is heated, the moisture penetrates to a high temperature inside the package, thereby causing cracks in the package. There is a problem that can occur.

종래의 기술에서는 상기 패키지 크랙을 방지하기 위해서 리드프레임의 패드 뒷면에 하프 에칭에 의한 딤플(DIMPLE)과 내부리드를 관통하는 앵커 홀(ANCHOR HOLE)을 형성시킴으로써 리드프레임과 성형수지의 결합력을 증대시키고자 한다. 하지만, 반도체 기술의 발달로 인하여 칩이 고집적화되고 리드프레임의 수가 많은 하이핀(HIGH PIN)의 리드프레임이 요구되는데, 이러한 하이핀 리드프레임의 내부리드에는 앵커홀을 삽입할만한 공간을 확보하기 어렵다는 문제점이 있다.In the related art, in order to prevent the package crack, the coupling force between the lead frame and the molding resin is increased by forming an anchor hole penetrating through the inner lead and a dimple by half etching on the back of the pad of the lead frame. Let's do it. However, due to the development of semiconductor technology, a high pin lead frame with a high chip density and a large number of lead frames is required, and it is difficult to secure space for inserting anchor holes in the inner lead of the high pin lead frame. There is this.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로서, 리드프레임의 내부리드의 표면에 요철부를 형성함으로써, 성형수지에 의해 몰딩시 결합력이 향상되는 리드프레임을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a lead frame in which a bonding force is improved by molding resin by forming an uneven portion on the surface of the inner lead of the lead frame.

도 1은 종래의 리드프레임을 도시한 평면도.1 is a plan view showing a conventional lead frame.

도 2a 내지 도 2c는 종래의 리드프레임의 내부리드를 각각 도시한 측면도, 평면도 및 단면도.Figures 2a to 2c is a side view, a plan view and a cross-sectional view respectively showing the inner lead of the conventional lead frame.

도 3은 종래의 리드프레임이 몰딩된 패키지를 도시한 단면도.3 is a cross-sectional view showing a package molded with a conventional lead frame.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 리드프레임의 내부리드를 각각 도시한 측면도, 평면도 및 단면도.Figures 4a to 4c is a side view, a plan view and a cross-sectional view respectively showing the inner lead of the lead frame according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 내부리드가 개선된 리드프레임이 몰딩된 패키지를 도시한 단면도.5 is a cross-sectional view showing a package molded with a lead frame with improved internal lead according to the present invention.

도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings

40.리드프레임51.반도체칩40.Lead Frame 51.Semiconductor Chip

52.패드55.성형수지52 Pads 55 Molding resin

상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따르면, 반도체칩이 탑재되는 패드와 상기 패드의 둘레에 설치되며 상기 반도체칩에 형성된 단자와 와이어본딩에 의하여 연결되는 내부리드를 포함하는 리드프레임에 있어서, 상기 내부리드의 상면 및 양측면은 내부리드의 길이 방향으로 간격을 두고 요철부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임이 제공된다.In order to achieve the above object, according to the present invention, in the lead frame including a pad on which the semiconductor chip is mounted and an inner lead installed around the pad and connected by wire bonding with a terminal formed on the semiconductor chip, The upper surface and both side surfaces of the inner lead is provided with a lead frame, characterized in that the irregularities are formed at intervals in the longitudinal direction of the inner lead.

이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

반도체칩이 탑재되는 패드, 상기 패드의 각 모서리에 연결되어 상기 패드를 지지하는 타이바(TIE BAR), 상기 패드의 둘레에 형성되어 상기 반도체칩에 형성된 단자와 와이어본딩에 의하여 연결되는 내부리드, 상기 내부리드의 변형을 방지하기 위해 상기 내부리드에 부착되어 있는 테이프, 상기 내부리드에서 연장되며 외부와 상기 반도체칩과의 전기적 신호를 전달하는 외부리드를 포함하고 있는 리드프레임에 있어서, 반도체칩이 탑재된 패드, 타이바, 내부리드 및 테이프는 성형수지 예컨대, 에폭시 몰딩 화합물로 몰딩되어 패키지를 형성하는데, 이때 상기 패키지에서 내부리드는 성형수지와 결합되는 면적중 상당한 부분을 차지하고 있다. 따라서 상기 내부리드의 형상을 개선하여 상기 성형수지와의 접촉면적을 넓힘으로써 결합력을 높일 필요가 있다.A pad on which a semiconductor chip is mounted, a tie bar (TIE BAR) connected to each corner of the pad to support the pad, an inner lead formed around the pad and connected to a terminal formed on the semiconductor chip by wire bonding; In a lead frame including a tape attached to the inner lead to prevent deformation of the inner lead, an outer lead extending from the inner lead and transmitting an electrical signal between the outside and the semiconductor chip, the semiconductor chip is Mounted pads, tie bars, inner leads and tapes are molded with a molding resin, such as an epoxy molding compound, to form a package, where the inner lead occupies a significant portion of the area that is bonded to the molding resin. Therefore, it is necessary to increase the bonding force by improving the shape of the inner lead to widen the contact area with the molding resin.

도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 리드프레임의 내부리드(40)를 각각 측면도, 평면도, 단면도로서 도시한 것이다. 도 4a는 본 발명에 따른 리드프레임의 내부리드(40)를 도시한 측면도로서, 도면에 나타난 바와 같이 본 발명에 따른 리드프레임의 내부리드(40)의 상면(41)은 길이 방향으로 간격을 두고 요철부가 형성되어 있다. 또한, 도 4b에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 리드프레임의 내부리드(40)의 양측면(42)도 길이 방향으로 간격을 두고 요철부가 형성되어 있다. 그러므로, 본 발명에 따른 리드프레임의 내부리드(40)의 표면적은 요철부의 표면적만큼 넓어지게 된다.4A to 4C show the inner lead 40 of the lead frame according to the present invention as a side view, a plan view, and a sectional view, respectively. 4A is a side view illustrating the inner lead 40 of the lead frame according to the present invention. As shown in the drawing, the upper surfaces 41 of the inner lead 40 of the lead frame according to the present invention are spaced in the longitudinal direction. Uneven portions are formed. In addition, as shown in Figure 4b, both side surfaces 42 of the inner lead 40 of the lead frame according to the present invention is also formed with irregularities at intervals in the longitudinal direction. Therefore, the surface area of the inner lead 40 of the lead frame according to the present invention becomes wider by the surface area of the uneven portion.

도 5는 본 발명에 따른 리드프레임이 몰딩된 패키지를 도시한 단면도로서, 앞서 도시된 도면에서와 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 가리킨다. 도면을 참조하면, 본 발명에 따른 리드프레임과 패드(52)위에 탑재된 반도체칩(51)이 성형수지(55)에 의해 몰딩되어 있다.5 is a cross-sectional view showing a package molded with a lead frame according to the present invention, in which the same reference numerals as in the above-described drawings indicate the same components. Referring to the drawings, the semiconductor chip 51 mounted on the lead frame and the pad 52 according to the present invention is molded by the molding resin 55.

이와 같은 구조의 패키지에 있어서, 본 발명에 따른 리드프레임의 내부리드(40)와 성형수지(55)의 결합면적은 상기 내부리드(40)에 형성된 요철부로 인해 종래의 리드프레임의 내부리드와 성형수지와의 결합면적에 비해 커지게 된다. 따라서, 리드프레임과 성형수지간(55)의 결합력이 상기 내부리드(40)의 넓어진 표면적만큼 증대됨으로써, 밀착불량으로 인한 리드프레임과 성형수지(55) 사이에 발생하는 틈을 방지할 수 있다. 따라서, 패키지 내에 수분이 침투할 공간이 없어지므로 전술한 바와 같이 패키지 내의 수분에 의한 패키지 크랙의 문제점을 방지할 수 있다.In the package having such a structure, the bonding area of the inner lead 40 and the molding resin 55 of the lead frame according to the present invention is formed with the inner lead of the conventional lead frame due to the uneven portion formed in the inner lead 40. It becomes larger than the bonding area with resin. Therefore, the coupling force between the lead frame and the molding resin 55 is increased by the enlarged surface area of the inner lead 40, thereby preventing a gap between the lead frame and the molding resin 55 due to poor adhesion. Therefore, since there is no space for moisture to penetrate in the package, it is possible to prevent the problem of the package crack caused by the moisture in the package as described above.

본 발명에 따른 리드프레임은 내부리드의 표면에 요철부을 형성시킴으로써, 리드프레임의 내부리드와 성형수지와의 결합되는 면적이 늘어나 리드프레임과 성형수지의 결합력이 증대되어 패키지의 크랙을 방지할 수 있다는 장점이 있다.Lead frame according to the present invention by forming an uneven portion on the surface of the inner lead, the area of the lead frame and the bonding resin between the lead is increased to increase the coupling force of the lead frame and the molding resin can prevent the package cracks There is an advantage.

Claims (1)

반도체칩이 탑재되는 패드와 상기 패드의 둘레에 설치되며 상기 반도체칩에 형성된 단자와 와이어본딩에 의하여 연결되는 내부리드를 포함하는 리드프레임에 있어서,A lead frame including a pad on which a semiconductor chip is mounted and an inner lead installed around the pad and connected to a terminal formed on the semiconductor chip by wire bonding, 상기 내부리드의 상면 및 양측면은 내부리드의 길이 방향으로 간격을 두고 요철부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리드프레임.The upper surface and both side surfaces of the inner lead is a lead frame, characterized in that the irregularities are formed at intervals in the longitudinal direction of the inner lead.
KR1019960045121A 1996-10-10 1996-10-10 Leadframe KR19980026614A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960045121A KR19980026614A (en) 1996-10-10 1996-10-10 Leadframe

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960045121A KR19980026614A (en) 1996-10-10 1996-10-10 Leadframe

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR19980026614A true KR19980026614A (en) 1998-07-15

Family

ID=66289105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960045121A KR19980026614A (en) 1996-10-10 1996-10-10 Leadframe

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR19980026614A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4984059A (en) Semiconductor device and a method for fabricating the same
KR100397539B1 (en) Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same
KR0179925B1 (en) Lead frame, bottom lead semiconductor package using it
US5834837A (en) Semiconductor package having leads with step-shaped dimples
KR100274854B1 (en) Semiconductor device and lead frame for semiconductor device
US6316829B1 (en) Reinforced semiconductor package
US6211563B1 (en) Semiconductor package with an improved leadframe
KR19980026614A (en) Leadframe
US5256903A (en) Plastic encapsulated semiconductor device
KR100279252B1 (en) Ceramic Package
KR19990034731A (en) Lead-on chip lead frames and packages using them
KR100221918B1 (en) Chip scale package
KR0182509B1 (en) Lead frame having extended tia-bar and semiconductor chip package using it
KR100575589B1 (en) FBGA package comprising beam leads with couple bonding area
KR100195506B1 (en) Leadframe and semiconductor chip package using the same
KR100321149B1 (en) chip size package
KR100216990B1 (en) Lead on chip structure having polyimide tape with holes
KR100633693B1 (en) Power bar structure for semiconductor package
JPH0779149B2 (en) Resin-sealed semiconductor device
KR100458645B1 (en) Leadframe for bga to eliminate difficulty of process and improve reliability
KR19980085416A (en) Grooved lead frame
KR19980020297A (en) Lead frame and semiconductor package using same
KR20010111799A (en) Semiconductor package
JPH07106504A (en) Lead frame and semiconductor device using same
KR19980020728A (en) Lead frame for semiconductor chip package with heat dissipation lead

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
WITB Written withdrawal of application