KR19980022882A - Fed장치의 제조방법 - Google Patents
Fed장치의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR19980022882A KR19980022882A KR1019960042169A KR19960042169A KR19980022882A KR 19980022882 A KR19980022882 A KR 19980022882A KR 1019960042169 A KR1019960042169 A KR 1019960042169A KR 19960042169 A KR19960042169 A KR 19960042169A KR 19980022882 A KR19980022882 A KR 19980022882A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sacrificial layer
- forming
- fed device
- fed
- tip
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
- H01J2329/02—Electrodes other than control electrodes
- H01J2329/04—Cathode electrodes
- H01J2329/0407—Field emission cathodes
- H01J2329/041—Field emission cathodes characterised by the emitter shape
- H01J2329/0413—Microengineered point emitters
- H01J2329/0415—Microengineered point emitters conical shaped, e.g. Spindt type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
본 발명은 스핀드형(Spindt Type) 메탈 FED의 공정으로 Al희생층을 형성하기 위해 셀프얼라인에 의해 균일한 Al희생층을 형성할 수 있는 FED장치의 제조방법에 관한 것으로, FED장치의 Al희생층을 형성하는 방법에 있어서, 유리기판(10)상에 캐소우드 전극(12)을 ITO전극으로 형성하는 단계와, 게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)용 메탈을 증착하는 단계와, 팁홀(17)을 패턴후 식각하는 한후 형성된 팁홀(17)에 포토레지스트를 코팅한후 백-노광에 의해 제거하는 단계와, 현상 및 베이킹에 의해 미세하게 형성된 Al희생층(15)를 형상하는 단계와, 팁(6)을 증착한 후 Al희생층(15)을 제거하는 단계로 이루어져 균일한 Al희생층을 얻을 수 있어 재현성이 뛰어난 효과가 있다.
Description
본 발명은 FED(FIELD-EMISSION DISPLAY)에 관한 것으로서, 특히 스핀드형(Spindt Type) 메탈 FED의 공정으로 셀프 얼라인을 이용하여 포토레지스트의 식각과 제거(lift-off)에 의해 균일한 Al희생층을 형성할 수 있는 FED장치의 제조방법에 관한 것이다.
FED는 에미터 팁으로 부터 전자를 방출시켜 투명도전막이 형성된 애노우드의 형광물질에 충돌시킴으로써, 형광물질이 자극을 받아 형광체의 최외각 전자들이 여기되고 천이되는 과정에서 자극을 발생된 빛을 이용하여 원하는 화상을 표시하는 전계방출장치로서, 최소한의 전력으로 고해상도 및 고휘도의 칼라패턴을 표현할 수 있는 이점이 있어, 음극선관이나 액정 디스플레이(LCD) 등의 다른 표시장치를 대체할 수 있는 것으로서 현재 많은 연구가 진행되어 오고 있다.
종래에는 FED장치를 제작하기 위한 공정중에 하나로 도 1에 도시된 바와 같이 기판(1)상에 캐소우드전극(2)을 깔고 그위에 게이트절연층(3)을 도포한후 게이트전극(4)을 형성한후 전자빔의 노광에 의해 일부분의 게이트전극(4)을 제거한후 게이트절연층(3)을 등방성식각을 한후에 그위에 원추형 메탈 팁을 형성하기 위해 Al희생층을 도포하는 것을 E-BEAM증착에 의하여 Al희생층(7)을 경사증착하여 왔었다.
그러나, 상기와 같이 E-BEAM증착에 의하여 Al희생층(7)을 경사증착법을 하게되면 대면적의 Al희생층을 형성하는 형성된 표층이 균일하지 못하기 때문에 홀(8)의 가장자리 모양과 홀(8)의 사이즈 등의 균일도가 없게 되는 문제점이 발생하였다.
또한, Al희생층을 형상하기 위하여 경사증착법을 사용함에 있어서는 Al희생층이 균일하게 도포되지 않으므로 기판의 크기가 증가할수록 균일성이 나빠지고 재현성에도 문제가 생긴다.
따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 Al희생층을 포토레지스트를 이용하여 백- 노광에 의해 식각과 제거(lift-off)로 균일한 Al희생층을 형성하도록 FED장치의 제조방법을 제공함에 있다.
도 1 은 종래의 FED장치의 게이트전극상에 Al희생층이 도포된 상태를 나타내는 도면.
도 2a∼도2g는 본 발명의 FED장치를 제작하는 단계를 나타내는 도면.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10: 유리기판 12: 캐소우드 전극
14: 게이트 전극 15: Al희생층
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 FED장치의 제조방법은 FED장치의 Al희생층을 형성하는 방법에 있어서, 유리기판상에 캐소우드 전극을 ITO전극으로 형성하는 단계와, 게이트 절연막과 게이트전극용 메탈을 증착하는 단계와, 팁홀을 패턴후 식각하는 한후 형성된 팁홀에 포토레지스트를 코팅한후 백-노광에 의해 제거하는 단계와, 현상 및 베이킹에 의해 미세하게 형성된 Al희생층를 형상하는 단계와, 팁을 증착한 후 Al희생층을 제거하는 단계로 이루어져 있다.
상기와 같이 구성된 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2a∼도2g는 본 발명의 FED장치를 제작하는 단계를 나타내는 도면이다.
FED장치의 Al희생층을 형성하는 방법에 있어서, 유리기판(10)상에 캐소우드 전극(12)을 ITO전극으로 형성한후 게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)용 메탈을 증착한다.
팁홀(17)을 패턴후 식각하는 한후 형성된 팁홀(17)에 포토레지스트를 코팅한후 백-노광에 의해 제거한 후 현상 및 베이킹(baking)에 의해 미세하게 형성된 Al희생층(15)를 형성한다
마지막으로 팁(6)을 증착한 후 Al희생층(15)을 제거하여 FED장치를 형성한다.
상기와 같은 단계로 Al희생충을 형성하면 메탈 팁을 균일하게 형성할 수 있다.
본 발명은 Al희생층을 셀프 얼라인 이용하여 식각공정과 제거(lift-off)을 이용하여 대면적의 기판에 사용하여도 균일한 Al희생층을 얻을 수 있는 재현성에 뛰어난 효과가 있다.
Claims (1)
- FED장치의 Al희생층을 형성하는 방법에 있어서, 유리기판(10)상에 캐소우드 전극(12)을 ITO전극으로 형성하는 단계와,게이트 절연막(13)과 게이트전극(14)용 메탈을 증착하는 단계와,팁홀(17)을 패턴후 식각하는 한후 형성된 팁홀(17)에 포토레지스트를 코팅한후 백-노광에 의해 제거하는 단계와,현상 및 베이킹에 의해 미세하게 형성된 Al희생층(15)를 형상하는 단계와,팁(6)을 증착한 후 Al희생층(15)을 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 FED장치의 제조방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960042169A KR100235302B1 (ko) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Fed장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960042169A KR100235302B1 (ko) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Fed장치의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19980022882A true KR19980022882A (ko) | 1998-07-06 |
KR100235302B1 KR100235302B1 (ko) | 1999-12-15 |
Family
ID=19475186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019960042169A KR100235302B1 (ko) | 1996-09-24 | 1996-09-24 | Fed장치의 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100235302B1 (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100322966B1 (ko) * | 1999-11-09 | 2002-02-02 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 전계방출 표시소자의 제조방법 |
-
1996
- 1996-09-24 KR KR1019960042169A patent/KR100235302B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100235302B1 (ko) | 1999-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6359383B1 (en) | Field emission display device equipped with nanotube emitters and method for fabricating | |
KR100837407B1 (ko) | 전계방출소자의 제조방법 | |
KR100343222B1 (ko) | 전계방출표시소자의제조방법 | |
KR100351070B1 (ko) | 전계방출표시소자의제조방법 | |
KR100235302B1 (ko) | Fed장치의 제조방법 | |
US7352123B2 (en) | Field emission display with double layered cathode and method of manufacturing the same | |
KR19980022880A (ko) | Fed 장치 ai희생층의 제조방법 | |
KR100322966B1 (ko) | 전계방출 표시소자의 제조방법 | |
KR100357348B1 (ko) | 전계방출표시소자 및 그 제조방법 | |
KR100254673B1 (ko) | 전계방출소자용 에지형 에미터의 제조방법 | |
KR20020031819A (ko) | 전계방출표시소자의 제조방법 | |
KR100405971B1 (ko) | 전계방출소자의 집속전극 구조 및 형성방법 | |
KR100569269B1 (ko) | 전계방출 표시소자의 제조방법 | |
KR100258800B1 (ko) | 전계효과 전자방출 표시소자의 스페이서와 게이트 전극제조방법 | |
KR200158939Y1 (ko) | Fed장치용 집속 게이트 | |
KR100565198B1 (ko) | 탄소 나노튜브 전계방출소자 및 제조방법 | |
KR100260259B1 (ko) | 전계방출 표시소자의 제조방법 | |
KR100278504B1 (ko) | 다이아몬드박막다이오드형fed및그의제조방법 | |
KR100343212B1 (ko) | 수평전계효과전자방출소자및그제조방법 | |
KR19990002067A (ko) | 전계방출표시소자용 포커스 게이트 전극의 제조방법 | |
KR19990002074A (ko) | 리프트 오프에 의한 전계방출표시소자의 메탈팁 제조방법 | |
KR20010003752A (ko) | 전계방출 표시소자의 제조방법 | |
KR100236657B1 (ko) | 실링라인 형성용 마스크 및 그의 제조방법 | |
KR19980022877A (ko) | 4개의 전극을 갖는 fed장치의 제조방법 | |
KR19980022879A (ko) | 트라이오드형 fed의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |