KR19980022570A - Gas supply device of semiconductor diffusion equipment - Google Patents
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Abstract
여러가지 원인에 의해서 리플로우(Reflow)공정이 진행되는 확산로에 공급되는 질소가스가 공급중단되어 웨이퍼 디펙트(Defect)가 발생하는 것을 방지하는 반도체 확산설비의 가스공급장치가 개시되어 있다.Disclosed is a gas supply apparatus of a semiconductor diffusion apparatus that prevents wafer defects from occurring by supplying nitrogen gas to a diffusion path in which a reflow process is performed for various reasons.
본 발명은, 질소가스공급원과 리플로우 공정이 진행되는 확산로의 일측을 연결하며, 그 경로상에 제 1 밸브가 설치된 제 1 공급라인, 질소가스의 흐름을 기준으로 상기 제 1 밸브 전단에서 분기되어 상기 확산로의 다른 일측을 연결하고 그 경로상에 상에 제 2 밸브가 설치된 제 2 공급라인, 상기 제 1 공급라인과 상기 제 2 공급라인이 분기되는 분기점과 상기 제 1 밸브 사이에서 분기되어 상기 제 1 밸브를 우회하여 다시 상기 제 1 공급라인과 합쳐지고, 그 경로상에 상기 제 1 밸브와 개폐동작을 반대로 수행하는 제 3 밸브가 설치되는 제 3 공급라인을 구비하여 이루어진다.The present invention connects a nitrogen gas supply source with one side of a diffusion path in which a reflow process is performed, and a first supply line having a first valve installed on a path thereof and branched from the front end of the first valve based on the flow of nitrogen gas. A second supply line which connects the other side of the diffusion path and has a second valve on the path, a branch between the first supply line and the second supply line, and a branch between the first valve and the first valve. And a third supply line which bypasses the first valve and merges with the first supply line again, and a third valve is installed on a path thereof to reversely open and close the first valve.
따라서, 리플로우 공정이 진행되는 확산로 및 확산로의 도어 열림부위에 질소가스가 공급되지 않아 웨이퍼 디펙트를 발생시키는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, since nitrogen gas is not supplied to the diffusion path and the door opening of the diffusion path in which the reflow process is performed, it is possible to prevent the wafer defect from being generated.
Description
본 발명은 반도체 확산설비의 가스공급장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 여러가지 원인에 의해서 리플로우(Reflow)공정이 진행되는 확산로에 공급되는 질소가스가 공급중단되어 웨이퍼 디펙트(Defect)가 발생하는 것을 방지하는 반도체 확산설비의 가스공급장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a gas supply device for a semiconductor diffusion device. More specifically, nitrogen defects supplied to a diffusion furnace in which a reflow process is performed are interrupted by various causes, resulting in wafer defects. The present invention relates to a gas supply device of a semiconductor diffusion device that is prevented.
통상, 확산설비에서는 반도체 웨이퍼 상에 산화막을 성장시키는 공정, 웨이퍼 상에 불순물을 확산하는 공정, 웨이퍼 상에 형성된 산화막을 재배열하는 공정 등이 이루어 진다.Usually, in the diffusion equipment, a process of growing an oxide film on a semiconductor wafer, a process of diffusing impurities on a wafer, a process of rearranging an oxide film formed on the wafer, and the like are performed.
이중, 산화막 재배열 공정은, 질소가스와 일정한 열을 이용하여 웨이퍼의 구조나 웨이퍼 상에 확산된 불순물을 안정되게 배열하기 위한 어닐(Anneal)공정을 말하며, 이중 고온상태에서 질소가스를 이용하여 웨이퍼를 어닐하는 보론 포스퍼러스 실리케이트 그래스(Boron phosphrous silicate glass) 리플로우(Reflow) 등의 리플로우 공정이 있다.Among these, the oxide film rearrangement process is an annealing process for stably arranging the structure of the wafer or impurities diffused on the wafer using nitrogen gas and constant heat, and the wafer using nitrogen gas in a high temperature state. There is a reflow process such as boron phosphrous silicate glass reflow to anneal.
전술한 리플로우 공정은, 일측에는 웨이퍼가 투입되는 도어(Door) 및 커튼(Curtain)용 질소가스가 공급되는 커튼가스 공급구가 형성되어 있고, 다른 일측에는 공정용 질소가스가 공급되는 반응가스 공급구가 형성된 확산로에서 진행된다.In the aforementioned reflow process, one side is provided with a curtain gas supply port through which a wafer and a curtain nitrogen gas is supplied, and the other side reacts with a reaction gas supply through which a process nitrogen gas is supplied. It proceeds in the diffusion path where the sphere is formed.
상기 확산로의 도어가 개폐동작을 수행할 때는 질소가스가 상기 커튼가스 공급구를 통해서 도어의 열림부위에 공급되어 외부의 이물질 및 공기가 확산로로 유입되는 것을 방지한다.When the door of the diffusion path performs the opening and closing operation, nitrogen gas is supplied to the opening of the door through the curtain gas supply port to prevent foreign substances and air from entering the diffusion path.
도1은 종래의 리플로우 공정이 진행되는 반도체 확산설비의 가스공급장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram illustrating a gas supply apparatus of a semiconductor diffusion apparatus in which a conventional reflow process is performed.
도1을 참조하면, 제 1 질소가스공급원(10) 및 제 2 질소가스공급원(12)으로 분산되어 공급되는 질소가스가 수동밸브(14)를 통과하도록 되어 있다.Referring to FIG. 1, nitrogen gas distributed and supplied to the first nitrogen gas supply source 10 and the second nitrogen gas supply source 12 passes through the manual valve 14.
수동밸브(14)를 통과한 일정량의 질소가스는, 라인이 양분됨에 따라서 필터(Filter : 16)를 통과한 후, 압력을 조절하는 레귤레이터(Regulater : 18)로 공급되도록 되어 있다.A certain amount of nitrogen gas passing through the manual valve 14 passes through a filter 16 as the line is divided, and is then supplied to a regulator 18 for regulating the pressure.
레귤레이터(18)에서 압력이 조절된 질소가스는, 유량조절기(20)로 공급되어 그 양이 조절된 후, 전압인가에 따라서 정상적으로 닫힌상태에서 열림동작을 수행하는 에어밸브(Air valve : 22)를 통과하도록 되어 있다.The nitrogen gas whose pressure is regulated in the regulator 18 is supplied to the flow regulator 20 and the amount thereof is regulated, and then an air valve 22 that performs an opening operation in a normally closed state according to the application of voltage is provided. It is meant to pass.
에어밸브(22)를 통과한 질소가스는, 다시 필터(24)를 통과한 후, 확산로 일측에 형성된 반응가스 공급구를 통해서 리플로우 공정이 진행되는 확산로(26)로 공급되도록 되어 있다.After passing through the filter 24 again, the nitrogen gas which passed the air valve 22 is supplied to the diffusion path 26 through which the reflow process progresses through the reaction gas supply port provided in one side of the diffusion path.
또한, 수동밸브(14)를 통과한 다른 일정량의 질소가스는, 압력을 조절하는 레귤레이터(28)를 통과한 후, 플로우미터(Flow meter : 30)를 통과하도록 되어 있다.In addition, another constant amount of nitrogen gas that has passed through the manual valve 14 passes through the regulator 28 for adjusting the pressure, and then passes through the flow meter 30.
플로우미터(30)를 통과한 질소가스는, 전압인가에 따라서 정상적으로 닫힌 상태에서 열림동작을 수행하는 에어밸브(32)를 통과한 후, 필터(34)를 통과하여 확산로(26)의 상기 반응가스 공급구 다른 일측에 형성된 커튼가스 공급구를 통해서 도어 열림부위(36)에 공급되도록 되어 있다.The nitrogen gas passing through the flow meter 30 passes through the air valve 32 which performs the opening operation in a normally closed state according to the application of voltage, and then passes through the filter 34 to the reaction of the diffusion path 26. The gas supply port is supplied to the door opening part 36 through the curtain gas supply port formed at the other side.
따라서, 수동밸브(14)가 열리면, 제 1 질소가스공급원(10) 및 제 2 질소가스공급원(12)에서 공급되는 일정량의 질소가스는, 높은 압력으로 필터(16)를 통과하며 질소가스에 포함되어 있는 이물질이 제거되는 필터링공정이 진행된다.Therefore, when the manual valve 14 is opened, a certain amount of nitrogen gas supplied from the first nitrogen gas supply source 10 and the second nitrogen gas supply source 12 passes through the filter 16 at high pressure and is included in the nitrogen gas. The filtering process is performed to remove the foreign matter.
이어서, 질소가스는 레귤레이터(18)를 통과하여 공정진행을 위한 일정한 압력으로 조절된 후, 유량조절기(20)를 통과하며 그 양이 제어된다.Subsequently, the nitrogen gas passes through the regulator 18 and is adjusted to a constant pressure for process progress, and then passes through the flow regulator 20 and the amount thereof is controlled.
이어서, 질소가스는 전압인가에 따라서 정상적으로 닫힌상태에서 열린 에어밸브(22)를 통과한 후, 다시 필터(24)를 통과하며 질소가스에 포함된 이물질이 최종적으로 제거되는 필터링공정이 이루어진다.Subsequently, the nitrogen gas passes through the open air valve 22 in a normally closed state according to the application of voltage, and then passes through the filter 24 again to finally remove foreign substances contained in the nitrogen gas.
필터(24)에서 필터링된 질소가스는, 확산로(26)의 반응가스 공급구를 통해서 확산로(26)에 공급되어 리플로우 공정이 진행된다.The nitrogen gas filtered by the filter 24 is supplied to the diffusion path 26 through the reaction gas supply port of the diffusion path 26 to undergo a reflow process.
또한, 제 1 질소가스 공급원(10) 및 제 2 질소가스공급원(12)에서 공급되는 다른 일정량의 반응가스는, 수동밸브(14)가 열림에 따라서 레귤레이터(28)를 통과하며 공정진행을 위한 압력으로 조절되어 진다.In addition, a predetermined amount of reaction gas supplied from the first nitrogen gas source 10 and the second nitrogen gas source 12 passes through the regulator 28 as the manual valve 14 opens, and the pressure for process progress. Can be adjusted.
레귤레이터(28)에 의해서 압력이 조절되어진 일정량의 질소가스는, 플로우미터(30)를 통과하며 그 양이 측정되어 진다.A certain amount of nitrogen gas whose pressure is controlled by the regulator 28 passes through the flow meter 30 and the amount thereof is measured.
플로우미터(30)를 통과하며 그 양이 측정되어진 질소가스는, 전압인가에 따라서 정상적으로 닫힌상태에서 열린 에어밸브(32)를 통과한 후, 필터(34)를 통과하게 된다.Nitrogen gas, which has passed through the flow meter 30 and the amount of which has been measured, passes through the air valve 32 opened in a normally closed state according to the application of voltage, and then passes through the filter 34.
상기 필터(34)를 통과하며 질소가스는, 이물질이 제거되는 필터링공정이 진행된다.Nitrogen gas is passed through the filter 34, the filtering process is removed to remove the foreign matter.
필터(34)에 의해서 필터링된 질소가스는, 웨이퍼가 확산로(26)에 투입 및 방출될 때, 개폐동작을 수행하는 확산로(26)의 도어 열림부위(36)에 공급된다.The nitrogen gas filtered by the filter 34 is supplied to the door opening part 36 of the diffusion path 26 which performs the opening and closing operation when the wafer is introduced into and discharged from the diffusion path 26.
도어 열림부위(36)에 공급된 질소가스는, 외부의 이물질 및 공기가 확산로(26) 내부로 유입되는 것을 차단하는 커튼역할을 수행한다.Nitrogen gas supplied to the door opening portion 36 serves as a curtain to block foreign matter and air from entering the diffusion path 26.
그러나, 리플로우 공정이 진행되는 확산로의 가스공급장치는, 정전 혹은 설비고장이 발생하면, 전압인가에 따라서 정상적으로 닫힌상태에서 열림동작을 수행하는 에어밸브(22)가 열리지 않으므로 인해서 공정진행 중인 확산로(26)에서는 일정량의 질소가스가 공급되지 않아 리플로우 공정 이상이 발생하여 웨이퍼의 디펙트가 발생하였다.However, in the gas supply apparatus of the diffusion path in which the reflow process proceeds, when the power failure or equipment failure occurs, the air valve 22 which performs the opening operation in the normally closed state according to the application of the voltage does not open and thus the diffusion in progress of the process In the furnace 26, since a certain amount of nitrogen gas was not supplied, a reflow process abnormality occurred and defects of the wafer occurred.
또한, 확산로(26)의 도어가 열림 및 개폐동작을 수행을 할 때, 정전 혹은 설비공정이 발생하면 전압인가에 따라서 정상적으로 닫힌상태에서 열림동작을 수행하는 에어밸브(32)가 열리지 않으므로 인해서 확산로(26)의 도어 열림부위(36)에 일정량의 커튼용 질소가스가 공급되지 않아 외부의 이물질 및 공기가 리플로우 공정이 진행되는 확산로(36)로 유입되어 확산로(36)를 오염시켜 공정진행시 웨이퍼 디펙트를 발생시키는 문제점이 있었다.In addition, when the door of the diffusion path 26 performs the opening and closing operation, if the power failure or equipment process occurs, the air valve 32 which performs the opening operation in the normally closed state according to the application of the voltage does not open due to diffusion Since a certain amount of nitrogen gas for the curtain is not supplied to the door opening portion 36 of the furnace 26, foreign substances and air flow into the diffusion furnace 36 where the reflow process is performed to contaminate the diffusion furnace 36. There was a problem of generating a wafer defect during the process.
본 발명의 목적은, 정전 혹은 설비이상에 의해서 리플로우 공정이 진행되는 확산로 및 확산로의 도어 열림부위로 질소가스가 공급되지 않아 웨이퍼 디펙트가 발생하는 것을 방지하는 반도체 확산설비의 가스공급장치를 제공하는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a gas supply apparatus of a semiconductor diffusion apparatus which prevents wafer defects from occurring due to a nitrogen gas being not supplied to a diffusion path in which a reflow process proceeds due to a power failure or an abnormality of a facility, and a door opening of the diffusion path. To provide.
도1은 종래의 반도체 확산설비의 가스공급장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.1 is a schematic configuration diagram for explaining a gas supply apparatus of a conventional semiconductor diffusion equipment.
도2는 본 발명에 따른 반도체 확산설비의 가스공급장치의 일 실시예를 설명하기 위한 구성도이다.2 is a configuration diagram for explaining an embodiment of a gas supply apparatus for a semiconductor diffusion apparatus according to the present invention.
도면의 주요부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for main parts of the drawings
10, 40 : 제 1 질소가스 공급원 12, 42 : 제 2 질소가스 공급원10, 40: first nitrogen gas source 12, 42: second nitrogen gas source
14, 44 : 수동밸브 16, 24, 34, 46, 54, 64 : 필터14, 44: manual valve 16, 24, 34, 46, 54, 64: filter
18, 28, 48, 58 : 레귤레이터 20, 50 : 유량조절기18, 28, 48, 58: regulator 20, 50: flow regulator
22, 32, 52, 70, 62 : 밸브 26, 56 : 확산로22, 32, 52, 70, 62: valve 26, 56: diffusion path
30, 60 : 플로우 미터 36, 66 : 도어 열림부위30, 60: flow meter 36, 66: door opening part
68 : 매뉴얼 밸브 71 : 바이 패스 라인68: manual valve 71: bypass line
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 확산설비의 가스공급장치는, 질소가스공급원과 리플로우 공정이 진행되는 확산로의 일측을 연결하며, 그 경로상에 제 1 밸브가 설치된 제 1 공급라인, 질소가스의 흐름을 기준으로 상기 제 1 밸브 전단에서 분기되어 상기 확산로의 다른 일측을 연결하고 그 경로상에 상에 제 2 밸브가 설치된 제 2 공급라인, 상기 제 1 공급라인과 상기 제 2 공급라인이 분기되는 분기점과 상기 제 1 밸브 사이에서 분기되어 상기 제 1 밸브를 우회하여 다시 상기 제 1 공급라인과 합쳐지고, 그 경로상에 상기 제 1 밸브와 개폐동작을 반대로 수행하는 제 3 밸브가 설치되는 제 3 공급라인을 구비하여 이루어진다.The gas supply apparatus of the semiconductor diffusion equipment according to the present invention for achieving the above object, the first supply line is connected to the nitrogen gas supply source and one side of the diffusion path is a reflow process, the first valve is installed on the path A second supply line branched from the front end of the first valve based on the flow of nitrogen gas to connect the other side of the diffusion path, and having a second valve installed on the path, the first supply line and the second supply line; A third valve branched between the branch point where the supply line is branched and the first valve, bypassing the first valve to merge with the first supply line again, and reversely opening and closing the first valve on the path; It is provided with a third supply line is installed.
상기 제 1 밸브는 정상상태에서 닫히도록 설정되고, 상기 제 3 밸브는 정상상태에서 열리도록 설정되고, 상기 제 2 밸브는 정상상태에서 열리도록 설정됨이 바람직하다.Preferably, the first valve is set to close in the normal state, the third valve is set to open in the normal state, and the second valve is set to open in the normal state.
또한, 상기 제 1 밸브와 제 2 밸브 및 제 3 밸브는 전압인가에 의해서 구동되는 에어밸브(Air valve)임이 바람직하다.In addition, the first valve, the second valve, and the third valve are preferably air valves driven by voltage application.
또한, 질소가스의 흐름을 기준으로 상기 제 3 밸브 전단에 가스의 양을 제어하는 매뉴얼 밸브(Manual valve)가 설치됨이 바람직하다.In addition, a manual valve for controlling the amount of gas in front of the third valve based on the flow of nitrogen gas is preferably installed.
상기 매뉴얼 밸브 상에는 정확한 양을 제어할 수 있는 눈금이 형성됨이 바람직하다.Preferably, a scale is formed on the manual valve to control the exact amount.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도2는 본 발명에 따른 반도체 확산설비의 가스공급장치의 일 실시예를 설명하기 위한 구성도서 도1과 중복되는 구성에 대한 설명은 생략한다.2 is a schematic diagram illustrating a configuration of the gas supply apparatus of the semiconductor diffusion apparatus according to the present invention.
도2를 참조하면, 분리된 제 1 질소가스공급원(40) 및 제 2 질소가스공급원(42)에서 공급되는 질소가스가 혼합되어 수동밸브(44)를 통과하도록 되어 있다.Referring to FIG. 2, the nitrogen gas supplied from the separated first nitrogen gas supply source 40 and the second nitrogen gas supply source 42 is mixed to pass through the manual valve 44.
수동밸브(44)를 통과한 질소가스는, 가스공급라인이 양분됨에 따라서 일정량의 질소가스는 필터(46)를 통과한 후, 레귤레이터(48)를 통과하도록 되어 있다.Nitrogen gas that has passed through the manual valve 44 is passed through the regulator 48 after passing a predetermined amount of nitrogen gas as the gas supply line is bisected.
레귤레이터(48)를 통과한 질소가스는, 가스공급라인이 분기된 후, 다시 합쳐져 바이 패스 라인(By pass line : 71)이 형성됨에 따라서 유량조절기(50) 및 에어밸브(52) 그리고 필터(54)를 통과하여 확산로(56)로 공급되거나, 분기된 상기 바이 패스 라인(71) 상에 설치된 매뉴얼 밸브(Maual valve : 68) 및 에어밸브(70)를 통과하여 가스공급라인 상에 설치된 상기 필터(24)를 통과하여 확산로(26)로 공급되도록 되어 있다.The nitrogen gas passing through the regulator 48 is combined again after the gas supply line is branched to form a bypass line 71 so that the flow regulator 50 and the air valve 52 and the filter 54 are formed. The filter is installed on the gas supply line through the manual valve (68) and the air valve 70 installed on the bypass line 71 is supplied to the diffusion path (56) or branched through It passes through the 24 and is supplied to the diffusion path 26.
상기 가스공급라인 상에 설치된 에어밸브(52)는 전압인가에 따라서 정상적으로 닫힌상태에서 열림동작을 수행하고, 상기 바이 패스 라인(71) 상에 설치된 에어밸브(70)는 전압인가에 따라서 정상적으로 열린상태에서 닫힘동작을 수행하도록 되어 있다.The air valve 52 installed on the gas supply line performs an opening operation in a normally closed state according to the application of voltage, and the air valve 70 installed on the bypass line 71 is normally opened according to the application of voltage. It is supposed to perform the closing operation at.
또한, 상기 에어밸브(52, 70)는 전압인가에 따라서 동시에 개페동작을 수행하는 연동동작을 수행하도록 되어 있으며, 상기 매뉴얼 밸브(68)는 정확한 양을 제어할 수 있도록 눈금이 형성되어 있다.In addition, the air valve 52, 70 is to perform the interlocking operation to perform the opening and closing operation at the same time according to the application of the voltage, the manual valve 68 is formed with a scale to control the exact amount.
또한, 수동밸브(44)를 통과한 다른 일정량의 질소가스는, 레귤레이터(58) 및 플로우미터(60)를 통과한 후, 전압인가에 따라서 정상적으로 열린상태에서 닫히는 에어밸브(62)를 통과하도록 되어 있다.In addition, the other amount of nitrogen gas that has passed through the manual valve 44 passes through the regulator 58 and the flow meter 60, and then passes through the air valve 62 which is normally closed in the open state depending on the application of voltage. have.
에어밸브(62)를 통과한 질소가스는, 필터(64)를 통과하여 확산로(56)의 도어가 개폐동작을 수행함에 따라서 형성되는 도어 열림부위(66)에 공급되도록 되어 있다.Nitrogen gas having passed through the air valve 62 is supplied to the door opening portion 66 formed through the filter 64 and formed as the door of the diffusion path 56 performs the opening and closing operation.
따라서, 제 1 질소가스공급원(40) 및 제 2 질소가스공급원(42)에서 공급되는 질소가스 일정량은, 수동밸브(44)가 열림에 따라서 높은 압력으로 필터(46)를 통과하며 이물질이 제거되는 필터링공정이 진행된다.Therefore, a predetermined amount of nitrogen gas supplied from the first nitrogen gas supply source 40 and the second nitrogen gas supply source 42 passes through the filter 46 at a high pressure as the manual valve 44 opens, and foreign substances are removed. The filtering process is carried out.
이어서, 질소가스는 레귤레이터(48)를 통과하여 공정진행을 위해서 압력이 강하된 후, 유량조절기(50)를 통과하며 그 양이 제어된다.Subsequently, after the nitrogen gas passes through the regulator 48 and the pressure drops for process progress, the nitrogen gas passes through the flow regulator 50 and the amount thereof is controlled.
이어서, 질소가스는 전압인가에 따라서 정상적으로 닫힌상태에서 열린 에어밸브(52)를 통과한 후, 다시 필터(54)를 통과하며 질소가스에 포함된 이물질이 최종적으로 제거되는 필터링공정이 이루어진다. 상기 에어밸브(52)가 열리면, 바이 패스 라인(71) 상에 설치된 에어밸브(70)는 상기 에어밸브(52)와 연동동작에 의해서 닫힘동작을 수행한다.Subsequently, the nitrogen gas passes through the open air valve 52 in a normally closed state according to the voltage applied, and then passes through the filter 54 again to finally remove foreign substances contained in the nitrogen gas. When the air valve 52 is opened, the air valve 70 installed on the bypass line 71 performs a closing operation by interlocking with the air valve 52.
이어서, 필터(54)에서 필터링된 질소가스는, 확산로(56)에 공급되어 웨이퍼 상에 형성된 막질을 평탄화하는 리플로우 공정이 진행된다.Subsequently, the nitrogen gas filtered by the filter 54 is supplied to the diffusion path 56 to proceed with a reflow process to planarize the film formed on the wafer.
만일, 정전 혹은 설비이상이 발생하면, 유량조절기(50)와 필터(54) 사이에 설치된 정상적으로 닫힌상태의 에어밸브(52)는 열리지 않는다.If a power failure or facility failure occurs, the air valve 52 in a normally closed state provided between the flow regulator 50 and the filter 54 does not open.
그러므로, 레귤레이터(48)에서 압력이 조절된 질소가스는, 바이 패스 라인(71) 상에 설치된 매뉴얼 밸브(68)를 통과하여 공정진행을 위한 일정한 양으로 조절되어 정상상태에서 열린 에어밸브(70)를 통과한 후, 필터(54)를 통과하여 리플로우 공정이 진행되는 확산로(56)에 공급된다.Therefore, the nitrogen gas whose pressure is regulated in the regulator 48 passes through the manual valve 68 installed on the bypass line 71 and is regulated to a certain amount for process progress, thereby opening the air valve 70 in a normal state. After passing through, the filter 54 is supplied to the diffusion path 56 through which the reflow process proceeds.
또한, 제 1 질소가스 공급원(40) 및 제 2 질소가스공급원(42)에서 공급되는 다른 일정량의 질소가스는, 수동밸브(44)가 열림에 따라서 레귤레이터(58)를 통과하며 확산로(56)의 도어가 개폐동작을 수행할 때, 도어 열림부위(66)에 공급되는 압력으로 조절되어 진다.In addition, the other nitrogen gas supplied from the first nitrogen gas supply source 40 and the second nitrogen gas supply source 42 passes through the regulator 58 as the manual valve 44 opens, and diffuses the passage 56. When the door of the opening and closing operation is performed, it is adjusted to the pressure supplied to the door opening portion 66.
레귤레이터(58)에 의해서 압력이 조절되어진 일정량의 질소가스는, 플로우미터(60)를 통과하며 그 양이 측정되어 진다.A certain amount of nitrogen gas whose pressure is adjusted by the regulator 58 passes through the flow meter 60 and the amount thereof is measured.
이어서, 질소가스는 전압인가에 따라서 개폐동작을 수행하며, 정상상태에서 열린 에어밸브(62)를 통과한 후, 필터(64)를 통과하며 이물질이 제거되는 필터링공정이 진행된다.Subsequently, the nitrogen gas performs the opening and closing operation according to the application of voltage, passes through the open air valve 62 in the normal state, and passes through the filter 64 to remove the foreign matter.
이어서, 질소가스는 웨이퍼가 확산로(56)에 투입 및 방출될 때, 개폐동작을 수행하는 확산로(56)의 도어 열림부위(66)에 공급되어 외부의 이물질 및 공기가 확산로(56) 내부로 유입되는 것을 차단하는 커튼역할을 수행한다.Subsequently, nitrogen gas is supplied to the door opening part 66 of the diffusion path 56 which performs the opening and closing operation when the wafer is introduced into and discharged from the diffusion path 56 so that external foreign matter and air are diffused in the diffusion path 56. It acts as a curtain to block the inflow.
만일, 정전 혹은 설비이상이 발생하더라도 플로우미터(60)와 필터(64) 사이에 설치된 에어밸브(62)는 정상상태에서 열려 있으므로 인해서 질소가스는 도어 열림부위(66)에 공급된다.Even if a power failure or facility failure occurs, the air valve 62 provided between the flow meter 60 and the filter 64 is open in a normal state, so that nitrogen gas is supplied to the door opening part 66.
따라서, 본 발명에 의하면 확산로의 가스공급장치에 정전 혹은 설비고장이 발생하더라도, 질소가스는 바이 패스 라인(71) 상에 설치된 정상적으로 열린 밸브(70)를 통과하여 공정진행 중인 확산로(26)에 공급되므로 리플로우 공정 이상에 의해서 웨이퍼 디펙트가 발생하는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, even if a power failure or equipment failure occurs in the gas supply device of the diffusion furnace, the nitrogen gas passes through the normally open valve 70 installed on the bypass line 71 and the diffusion path 26 is in progress. Since it is supplied to, the wafer defect can be prevented from occurring due to an abnormal reflow process.
또한, 확산로(56)의 도어가 열림 및 개폐동작을 수행을 할 때, 정전 혹은 설비공정이 발생하더라도, 일정량의 커튼용 질소가스가 정상상태에서 열린 에어밸브(32)를 통과하여 확산로(56)의 도어 열림부위(66)에 공급되어 외부의 이물질 및 공기가 리플로우 공정이 진행되는 확산로(56)로 유입되어 확산로(56)를 오염시켜 공정진행시 웨이퍼 디펙트를 발생시키는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, when the door of the diffusion path 56 is opened and opened and closed, even if a power failure or an installation process occurs, a predetermined amount of curtain nitrogen gas passes through the air valve 32 opened in a steady state to provide a diffusion path ( Supplied to the door opening portion 66 of the door 56 to introduce foreign substances and air into the diffusion path 56 through which the reflow process proceeds to contaminate the diffusion path 56 to generate wafer defects during the process. There is an effect that can be prevented.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (6)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960041751A KR100223963B1 (en) | 1996-09-23 | 1996-09-23 | Gas feeding apparatus of diffusion equipment for semiconductor |
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| KR1019960041751A KR100223963B1 (en) | 1996-09-23 | 1996-09-23 | Gas feeding apparatus of diffusion equipment for semiconductor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR19980022570A true KR19980022570A (en) | 1998-07-06 |
| KR100223963B1 KR100223963B1 (en) | 1999-10-15 |
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ID=19474932
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010073407A (en) * | 2000-01-14 | 2001-08-01 | 김재욱 | bulk specialty gas supply system |
-
1996
- 1996-09-23 KR KR1019960041751A patent/KR100223963B1/en not_active IP Right Cessation
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|---|---|---|---|---|
| KR20010073407A (en) * | 2000-01-14 | 2001-08-01 | 김재욱 | bulk specialty gas supply system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100223963B1 (en) | 1999-10-15 |
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