KR19980017241A - 마그네트론용 베인과 스트랩링 결합구조 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전자레인지의 마그네트론 베인과 스트랩링 결합구조에 관한 것으로서, 특히 마그네트론용 베인(3)과 이 베인(3)에 결합되어 공진구조를 이루는 내,외스트랩링(5,5')이 구비된 마그네트론에 있어서, 베인(3)의 상,하단부(31,32) 일측에 원호형상으로 절삭한 수개의 홈(31a,31b)(32a,32b)을 형성함과 아울러 원형단면을 갖는 내,외스트랩링(5,5')을 마련하여 상기 홈(31a,31b)(32a,32b)에 내,외스트랩링(5,5')을 서로 다른 방향으로 결합한 것을 그 특징으로 한 것으로서, 공진시 열평형 상태를 유도하여 종래보다 안정한 고주파가 발생되도록 한 효과가 있다.
Description
본 발명은 전자레인지의 마그네트론 베인과 스트랩링 결합구조에 관한 것으로서, 특히 베인의 상,하단부 형상을 상호 대칭적으로 그리고, 상기 베인에 결합되는 스트랩링 형상이 원형단면으로 형성함으로써 공진시 균일한 열전달에 의한 열평형 상태를 유도하여 안정한 고주파가 발생되도록 한 마그네트론용 베인과 스트랩링 결합구조에 관한 것이다.
일반적으로 마그네트론의 동작은 캐소드 역활을 하는 필라멘트가 가열되면 열전자가 방출되는데, 이 열전자는 전계와 자계의 작용에 의해 베인쪽으로 회전하면서 이끌려간다. 이 때 베인선단부는 공진회로 끝단부로서 (+) 또는 (-)전하가 유도되며, 이에 따라 작용공간내에서 회전하는 전자들은 바뀌살처럼 모이게 되고 이 바뀌살의 회전각 주파수와 베인들 사이의 공간으로 구성된 공진회로의 공진주파수가 동기가 되면 발진은 안전하게 지속된다.
이와 같이 발진되어 생성된 고주파의 공진구조를 도시된 제 1 도의 a), b)를 참고로 설명하면 다음과 같다. 실린더(1)와, 상기 실린더(1) 중심축에 열전자를 방출하는 필라멘트(2)와, 상,하부면(31,32) 적소에 받침턱(31b,32b)이 형성된 공간부(31a,32a)를 이루면서 방사상으로 형성된 복수매인 베인(3)과, 상기 베인(3)의 상측에 설치되어 전자기파를 외부로 돌출하는 안테나(4)와, 그리고, 상기 베인(3)의 공간부(31a,32a)로 서로 다른 방향으로 접합된 내,외스트랩링(5,5')이 설치된 구성이다.
상술한 구성은 내스트랩링(5)과 외스트랩링(5')간의 공간에 의한 콘덴서(C)와 내,외스트랩링(5,5')과 베인(3)간의 공간에 의한 콘덴서(C), 베인(3) 및 실린더(1) 그 자체에 의한 인덕턴스(L)에 의해 공진회로가 구성되어(f = 1 ÷ 2 ) 마그네트론의 발진주파수인 2,450 MHZ가 생성된다. 따라서 C, L의 어느 하나 미세한 변화요인은 정확한 발진주파수를 생성하는데 방해를 끼칠 수 있는 것이다.
그래서, 종래의 베인과 스트랩링 결합구조를 살펴보면 도면에 도시된 바와 같이, a, a'로 표시된 베인(3)의 상,하단부 길이가 서로 다르게 형성된 관계로 내,외스트랩링(5,5')과 베인(3)간의 공간에 의한 콘덴서(C)값이 각각 상단과 하단에서 차이가 발생하였는 바, 이는 발진시 베인의 선단부에서 실린더쪽으로 확산되는 열의 전달을 비대칭하게 만드는 주원인이 되었던 것이다. 이러한 비대칭적인 열전달은 결과적으로 안정적인 고주파 발생을 방해하였던 것이다.
본 발명은 마그네트론용 베인과 이 베인에 결합되어 공진구조를 이루는 스트랩링이 구비된 마그네트론에 있어서, 베인의 상,하단부 일측에 원호형상으로 절삭한 수개의 홈을 형성함과 아울러 원형단면을 갖는 내,외스트랩링을 마련하여 상기 홈에 내,외스트랩링을 서로 다른 방향으로 결합한 특징이 있다.
또, 본 발명은 상기 베인의 상단부에 형성된 홈의 길이 및 홈의 전방으로 위치한 선단부길이와, 베인의 하단부에 형성된 홈의 길이, 및 홈의 전방으로 위치한 선단부길이가 동일하도록 된 다른 특징이 있다.
도 1은 종래 마그네트론용 베인과 스트랩링 결합구조를 설명하기 위한 개략도로서, a)는 단면도, b)는 평면도.
도 2는 본 발명 마그네트론용 베인과 스트랩링 결합구조를 설명하기 위한 개략도로서, a)는 단면도, b)는 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
3 - 베인,5 - 내스트랩링,
5' - 외스트랩링.
이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 발명 마그네트론용 베인과 스트랩링 결합구조를 설명하기 위한 개략도로서, a)는 단면도이고, b)는 평면도이다.
종래기술과 동일한 마그네트론용 베인구조는 동일부호로써 설명한다.
본 발명에 의한 마그네트론은 도 2에 도시된 바와 같이, 실린더(1)와, 상기 실린더(1) 중심축에 열전자를 방출하는 필라멘트(2)와, 상,하단부(31,32) 일측으로 원호형상으로 절삭한 두개의 홈(31a,31b)(32a)(32b)을 각각 형성하고 그리고 방사상형태로 구비된 복수매인 베인(3)과, 상기 베인(3)의 상측에 설치되어 전자기파를 외부로 돌출하는 안테나(4)와, 상기 베인(3)의 홈(31a,32b)(32a)(32b)에 서로 다른 방향으로 접합하되, 그 접합이 용이하도록 원형단면을 갖는 내,외스트랩링(5,5')이 설치된 구성이다.
여기서, 상기 베인(3)의 상단부(31)에 형성된 홈(31a,31b)의 길이(b,c) 및 홈(31a)의 전방으로 위치한 선단부길이(a)와, 베인(3)의 하단부(32)에 형성된 홈(32a,32b)의 길이(b',c'), 및 홈(32a)의 전방으로 위치한 선단부길이(a')가 동일하도록 하고, 우측 베인(3) 상단부(31)의 홈(31a)과 하단부(32)의 홈(32a)의 깊이는 하단부(32)가 더 깊도록 하며, 반대로 우측 베인(3) 상단부(31)의 홈(31b)과 하단부(32)의 홈(32b)의 깊이는 상단부가 더 깊도록 형성한다. 그리고 좌측 베인은 우측과 반대로 형성한다.
상기와 같이 구성된 본 발명은 필라멘트에 의해 발생하는 고주파 전류가 베인(3)의 선단부에서 실린더(1)로 흐를 경우 a, a'로 표시된 베인(3)의 상,하단부(31,32) 길이가 서로 다르게 형성된 관계로 스트랩링(5,5')과 베인(3)간의 공간에 의한 콘덴서(C)값이 각각 상단과 하단에서 차이가 발생하였던 단점을 제 2 도에 도시된 바와 같이, 베인(3)의 상단부(31)에 형성된 홈(31a,31b)의 길이(b,c) 및 홈(31a)의 전방으로 위치한 선단부길이(a)와, 베인(3)의 하단부(32)에 형성된 홈(32a,32b)의 길이(b',c'), 및 홈(32a)의 전방으로 위치한 선단부길이(a')가 동일하게 형성함으로써 필라멘트(3)에 의해 고주파전류가 흐를때 상단부(31)와 하단부(32)를 통한 콘덕턴스값을 안정(일정)시킬 수 있는 바, 이는 전체적으로 실린더(1)로 확산되는 열의 전달을 상단과 하단이 대칭되는 현상을 유도할 수 있게 된다.
따라서, 안정적인 공진구조를 제작가능케 함으로서 기존보다 양질의 공진주파수를 생성하는 데 유용한다.
이상의 예는 본 발명의 일실시예에 불과하며, 본 발명의 그 구성요지 범위내에서 얼마든지 변경이 가능하다.
본 발명은 베인의 상,하단부 형상을 상호 대칭적으로 그리고, 상기 베인에 결합되는 스트랩링 형상이 원형단면으로 형성하여 베인의 상,하단부 길이를 동일케 함으로써 각 스트랩링과 베인간의 공간에 의한 콘덴서값을 일정하게 하며 공진시 베인 상,하단부의 균일한 열전도에 의한 열평형 상태를 유도하여 안정한 고주파가 발생되도록 한 마그네트론용 베인과 스트랩링 결합구조를 제공함에 그 목적이 있다.
Claims (2)
- 마그네트론용 베인(3)과 이 베인(3)에 결합되어 공진구조를 이루는 내,외스트랩링(5,5')이 구비된 마그네트론에 있어서, 베인(3)의 상,하단부(31,32) 일측에 원호형상으로 절삭한 수개의 홈(31a,31b)(32a,32b)을 형성함과 아울러 원형단면을 갖는 내,외스트랩링(5,5')을 마련하여 상기 홈(31a,31b)(32a,32b)에 내,외스트랩링(5,5')을 서로 다른 방향으로 결합한 것을 특징으로 한 마그네트론용 베인과 스트랩링 결합구조.
- 제 1 항에 있어서, 상기 베인(3)의 상단부(31)에 형성된 홈(31a, 31b)의 길이(b,c) 및 홈(31a)의 전방으로 위치한 선단부길이(a)와, 베인(3)의 하단부(32)에 형성된 홈(32a,32b)의 길이(b',c'), 및 홈(32a)의 전방으로 위치한 선단부길이(a')가 동일하도록 된 것을 특징으로 한 마그네트론용 베인과 스트랩링 결합구조.
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KR1019960037000A KR19980017241A (ko) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 마그네트론용 베인과 스트랩링 결합구조 |
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KR1019960037000A KR19980017241A (ko) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 마그네트론용 베인과 스트랩링 결합구조 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR19980017241A (ko) |
-
1996
- 1996-08-30 KR KR1019960037000A patent/KR19980017241A/ko not_active Application Discontinuation
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