KR19980016182A - 고분자를 음극에 이용한 리튬전지 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 직류전원으로 이용할 수 있는 Li/SOCl2전지에 관한 것으로 음극을 제조할 때 리튬 전극 표면에 시아노아크릴레이트 화합물로 처리하여 전지를 제조하는 방법에 관한 것으로 Li/SOCl2전지에서의 전압지연 현상을 제거하여 전지 성능을 크게 개선한 것이다.
Description
본 발명은 직류전원으로 이용할 수 있는 Li/SOCl2전지에 관한 것으로 전지의 음극을 제조할 때 리튬 전극 표면에 Cyanoacrylate 화합물로 처리하여 전지를 제조하는 방법에 관한 것이다.
리튬 전지의 경우 물질 특성상 리튬 표면에 부동태 피막이 형성되는데 이 피막은 전지의 장기 저장시 자가방전(Self-Discharge)을 억제시켜 주는 장점과 전압지연(Voltage Delay) 현상이라는 단점을 가지고 있다. 이러한 단점인 전압지연 현상을 줄이고자 많은 노력을 기울여 왔으며, 종래의 기술로서 전지의 전해액속에 고분자 물질과 같은 첨가제를 첨가하는 방법과 리튬염을 첨가한 Methyl 또는 Ethyl Cyanoacrylate 고분자를 이용하여 리튬 전극 표면을 도포하여 전지를 제조하는 방법등 여러형태가 문헌에 발표되어 있지만 전압지연 현상을 전면 제거하지 못하였고 단지 전압 지연 시간을 줄이는데 그치고 있다.
본 발명에서는 Li/SOCl2리튬 전지에서의 전압 지연 현상을 제거하기 위하여 리튬 전극 표면을 고분자 화합물로 처리하여 전지를 제조함으로써, 장기 저장시 발생되는 리튬전지의 전압지연 현상을 제거하는 것이다.
도1은 음극 처리 물질 및 방법에 따라 60℃에서 40일간 저장후 전압지연을 나타낸 그래프, 도2는 Ally Cyanoacrylate의 처리 유무에 따른 성능(용량)향상을 나타낸 그래프, 도3은 리튬 음극의 개략도 및 단면도.
본 발명의 Li/SOCl2전지는 기존의 Alkyl Cyanoacrylate의 단점을 보완하는 방법으로 다음과 같이 실험하였다.
음극은 두께 0.6mm의 리튬 포일(Foil)을 사용하였으며, 이 포일 표면에 부동태 피막을 형성하기 위하여 정제된 용제와 Allyl Cyanoacrylate를 2:1, 4:1, 8:1 부피비로 혼합하여 리튬 표면에 분사법으로 도포하고 12시간 이상 진공 건조시켜 음극을 준비하였다(도3 참조).
준비된 양극과 분리막, 음극을 감아서 전지 케이스에 삽입한 후 전해액을 주입함으로서 전지를 완성하였다.
제작된 전지의 특성은 도 1, 2 및 표1에 나타내었으며 도1은 리튬 음극 표면의 Cyanoacrylate(이하 CA라 함) 도포 유무에 따라 고온 장기 저장시 전압 지연 시간이 현저히 감소되는 것을 나타내고 있다.
Methyl-CA의 경우 도포량에 따라서 다소 차이가 나타났으며 같은 량의 CA를 도포하였을 경우 Methyl-CA에 비해 Allyl-CA 경우에서 고온 60℃에서 40일 저장후 전압지연시간이 0.05C 전류 Rate에서 3∼4sec로 매우 양호한 현상을 보였다. 이는 CA 화합물내에 있는 Allyl기가 양전하 상태로 존재하여 그 주위에 전해액에 존재하는 음이온들이 대전되어 있는 관계로 장기 저장후에는 전류의 흐름을 원활히 하는 것으로 판단됨.
도2는 리튬 음극에 CA의 도포 유무에 따라 초기 저온(-20℃)성능의 변화를 나타내는 그래프로 Allyl-CA로 음극을 처리할 경우 처리전에 비해 약 40%의 용량 증가를 보였다. 이 또한 상기 Allyl-CA의 장점에 의해 나타난 결과로 판단된다.
[표1] 제조 음극에 따른 성능
| CELL NO | 화 합 물 | 도포두께 | VOLTAGE DELAY TIME★ | 용량★★ |
| 1234 | Allyl CyanoacrylateMethyl CyanoacrylateMethyl CyanoacrylateNo Coating | 20㎛20㎛50㎛- | 3∼4 sec15 sec85 sec∞ | 140%--100% |
★ 60℃에서 40일 저장후
★★ 제조 직후 전지의 저온 성능
음극표면을 처리함으로서 Li/SOCl2전지의 장기 저장시(60℃에서 40일 저장) 발생되는 초기 전압 지연현상(작동작업 2.5V까지 회복되는 시간)을 4초 미만으로 유지함.
전지의 저온성능(-20℃에서의 전지용량)이 약 40% 향상됨.
Claims (4)
- 리튬전지에 있어서, 음극 전극 표면에 고분자 화합물을 도포하는 것을 특징으로 하는 리튬전지 제조방법.
- 제1항에 있어서, 고분자 화합물로서 Allyl Cyanoacrylate 및 Alkyl Cyanoacrylate 화합물을 사용하는 것을 특징으로 하는 리튬전지 제조방법.
- 제1항에 있어서, 고분자 화합물 리튬염(LiClO4, LiAsF6, LiBF6, LiPF4, LiCF3SO3, LiF)을 혼합하는 것을 특징으로 하는 리튬전지 제조방법.
- 제1항에 있어서, 고분자 화합물을 음극에 도포함에 있어 분사 또는 침액(Dipping)방법으로 도포하는 것을 특징으로 하는 리튬전지 제조방법.
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| KR1019960035706A KR19980016182A (ko) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 고분자를 음극에 이용한 리튬전지 제조방법 |
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| KR1019960035706A KR19980016182A (ko) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 고분자를 음극에 이용한 리튬전지 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR19980016182A true KR19980016182A (ko) | 1998-05-25 |
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| KR1019960035706A KR19980016182A (ko) | 1996-08-27 | 1996-08-27 | 고분자를 음극에 이용한 리튬전지 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR19980016182A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100344356B1 (ko) * | 2000-08-19 | 2002-07-20 | 제노에너지(주) | 리튬 음극소재, 리튬 음극, 리튬 전지 및 그의 제조방법 |
| KR100388905B1 (ko) * | 2000-09-22 | 2003-06-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 리튬 이차 전지 |
| US7133832B2 (en) | 1998-05-06 | 2006-11-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Recording and reproducing apparatus for use with optical recording medium having real-time, losslessly encoded data |
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1996
- 1996-08-27 KR KR1019960035706A patent/KR19980016182A/ko not_active Application Discontinuation
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| US7389237B2 (en) | 1998-05-06 | 2008-06-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Recording and reproducing apparatus for use with optical recording medium having real-time, losslessly encoded data |
| US7756716B2 (en) | 1998-05-06 | 2010-07-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Recording and reproducing apparatus for use with optical recording medium having real-time, losslessly encoded data |
| US8155973B2 (en) | 1998-05-06 | 2012-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Recording and reproducing apparatus for use with optical recording medium having real-time, losslessly encoded data |
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