KR19980015777U - Wafer edge exposure apparatus for semiconductor device manufacturing process - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체소자 제조를 위한 노광 공정시 감광막을 제거하기가 어려운 웨이퍼 가장자리의 곡면부에 도포된 감광막을 효과적으로 제거하여 후공정에서의 웨이퍼 및 웨이퍼 카세트 오염을 미연에 방지할 수 있도록 한 것이다.The present invention effectively removes the photoresist applied to the curved portion of the wafer edge, which is difficult to remove during the exposure process for manufacturing a semiconductor device, so as to prevent contamination of the wafer and wafer cassette in a later process.
이를 위해, 본 고안은 웨이퍼척(1)에 로딩된 웨이퍼(2)의 가장자리 상부에 설치되는 광차단용 셔터(3) 상부에 옵틱 파이버(4)를 통해 나오는 빛을 반사하도록 설치되는 반사경(5)와, 상기 반사경(5)에서 반사된 빛을 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부로 재반사하여 웨이퍼(2) 가장자리에 도포된 감광막(6)을 제거시키도록 웨이퍼(2)의 외주면과 일단 가장자리와 일정간격 이격되게 설치되는 오목 반사경(7)으로 구성된 반도체소자 제조 공정용 웨이퍼 가장자리 노광장치이다.To this end, the present invention is a reflector (5) installed to reflect light emitted through the optical fiber (4) on top of the light-blocking shutter (3) installed on the edge of the wafer (2) loaded on the wafer chuck (1) And the outer circumferential surface and one edge of the wafer 2 so that the light reflected from the reflector 5 is reflected back to the curved portion of the edge of the wafer 2 to remove the photosensitive film 6 applied on the edge of the wafer 2. A wafer edge exposure apparatus for a semiconductor device manufacturing process comprising a concave reflector 7 provided at regular intervals.
Description
본 고안은 반도체소자 제조 공정용 웨이퍼 가장자리 노광장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체소자 제조를 위한 노광 공정시 웨이퍼 가장자리의 곡면부에 도포된 감광막을 효과적으로 제거할 수 있도록 한 웨이퍼 가장자리 노광장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer edge exposure apparatus for a semiconductor device manufacturing process, and more particularly, to a wafer edge exposure apparatus for effectively removing the photosensitive film applied to the curved portion of the wafer edge during the exposure process for semiconductor device manufacturing process. will be.
종래에는 웨이퍼(2) 상면에 감광막(Photo Resist)을 도포하고 마스킹 하여 노광한 후, 현상(developing)전에 웨이퍼(2) 가장자리를 노광하여 웨이퍼(2) 가장자리의 감광막을 제거하게 된다.In the related art, a photoresist is applied on the upper surface of the wafer 2, the photoresist is exposed and then exposed, and then the edge of the wafer 2 is exposed before development, thereby removing the photoresist at the edge of the wafer 2.
즉, 도 1에 나타낸 바와 같이, 감광막(6)이 도포된 웨이퍼(2)가 웨이퍼 가장자리 노광장치 내로 들어온 후, 옵틱 파이버(4)(Optic Fiber)를 통하여 조사되는 빛을 차단하는 역할을 하는 셔터(3)가 개방되면 광원(도시는 생략함)으로부터 나온 빛이 상기 옵틱 파이버(4)를 통해 나와 웨이퍼(2) 상면 가장자리에 조사되고, 이 때 웨이퍼척(1)이 회전함에 따라 웨이퍼(2) 가장자리에 도포된 감광막(6)은 조사되는 빛에 의해 제거된다.That is, as shown in FIG. 1, after the wafer 2 coated with the photosensitive film 6 enters the wafer edge exposure apparatus, the shutter serves to block light irradiated through the optical fiber 4. When 3 is opened, light from a light source (not shown) is emitted through the optical fiber 4 and irradiated to the top edge of the wafer 2, at which time the wafer chuck 1 rotates. The photosensitive film 6 applied to the edge is removed by the light to be irradiated.
그러나, 이와 같은 종래의 웨이퍼 가장자리 노광장치는 웨이퍼(2) 가장자리에 도포된 감광막(6) 제거를 위한 노광시, 옵틱 파이버(4)를 통해 조사된 빛이 한방향으로만 직진하므로 인해 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부에 닿지 못하여 감광막(6)의 제거가 불완전하게 이루어지는 단점이 있었다.However, in the conventional wafer edge exposure apparatus, since the light irradiated through the optical fiber 4 goes straight in one direction during exposure for removing the photosensitive film 6 applied to the edge of the wafer 2, the wafer 2 There was a disadvantage in that the removal of the photosensitive film 6 was incomplete because it did not touch the curved portion of the edge.
이에 따라, 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부에 잔류하는 감광막(6)에 의해 웨이퍼(2) 및 웨이퍼 카세트의 오염을 야기시켜 반도체소자의 수율을 저하시키게 되는 등 많은 문제점이 있었다.Accordingly, there have been many problems such as contamination of the wafer 2 and the wafer cassette due to the photosensitive film 6 remaining on the curved portion of the edge of the wafer 2, thereby lowering the yield of the semiconductor device.
본 고안은 상기한 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 반도체소자 제조를 위한 노광 공정시 웨이퍼 가장자리의 곡면부에 도포된 감광막을 효과적으로 제거할 수 있도록 한 반도체소자 제조 공정용 웨이퍼 가장자리 노광장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above problems, and provides a wafer edge exposure apparatus for a semiconductor device manufacturing process that can effectively remove the photosensitive film applied to the curved portion of the wafer edge during the exposure process for manufacturing a semiconductor device. There is a purpose.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 고안은 웨이퍼척에 로딩된 웨이퍼의 가장자리 상부에 설치되는 광차단용 셔터 상부에 옵틱 파이버를 통해 나오는 빛을 반사하도록 설치되는 반사경과, 상기 반사경에서 반사된 빛을 웨이퍼 가장자리의 곡면부로 재반사하여 웨이퍼 가장자리에 도포된 감광막을 제거시키도록 웨이퍼 외주면과 일단 가장자리와 일정간격 이격되게 설치되는 오목 반사경으로 구성된 반도체소자 제조 공정용 웨이퍼 가장자리 노광장치이다.In order to achieve the above object, the present invention is a reflector is installed to reflect the light coming out through the optical fiber on the top of the light-blocking shutter installed on the edge of the wafer loaded on the wafer chuck, and the light reflected from the reflector A wafer edge exposure apparatus for a semiconductor device manufacturing process comprising a wafer outer circumferential surface and a concave reflector disposed at a predetermined distance from the edge to reflect back to the curved portion of the wafer to remove the photosensitive film applied to the wafer edge.
도 1은 종래의 웨이퍼 가장자리 노광장치가 설치된 상태를 나타낸 종단면도1 is a longitudinal sectional view showing a state where a conventional wafer edge exposure apparatus is installed;
도 2는 본 고안의 웨이퍼 가장자리 노광장치를 나타낸 종단면도2 is a longitudinal sectional view showing a wafer edge exposure apparatus of the present invention;
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *
1; 웨이퍼척2; 웨이퍼One; Wafer chuck 2; wafer
3; 광차단용 셔터4; 옵틱 파이버3; Light blocking shutter 4; Optic fiber
5; 반사경6; 감광막5; Reflector 6; Photoresist
7; 오목 반사경7; Concave reflector
이하, 본 고안의 일실시예를 첨부도면 도 2를 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 고안의 웨이퍼 가장자리 노광장치를 나타낸 종단면도로서, 본 고안은 웨이퍼척(1)에 로딩된 웨이퍼(2)의 가장자리 상부에 설치되는 광차단용 셔터(3) 상부에 옵틱 파이버(4)를 통해 나오는 빛을 반사하는 반사경(5)이 설치되고, 웨이퍼(2) 외주면과 일단 가장자리와 일정간격 이격된 위치에는 상기 반사경(5)에서 반사된 빛을 웨이퍼(2)의 가장자리의 곡면부로 재반사하여 웨이퍼(2) 가장자리에 도포된 감광막(6)을 제거시키는 오목 반사경(7)이 설치되어 구성된다.FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a wafer edge exposure apparatus of the present invention, and the present invention provides an optical fiber 4 on top of a light blocking shutter 3 installed above an edge of a wafer 2 loaded on a wafer chuck 1. Reflector (5) is installed to reflect the light exiting through), and the light reflected from the reflector (5) to a curved portion of the edge of the wafer (2) at a position spaced at a predetermined distance from the outer peripheral surface of the wafer (2) The concave reflector 7 which re-reflects and removes the photosensitive film 6 apply | coated to the edge of the wafer 2 is comprised.
이와 같이 구성된 본 고안에 따른 웨이퍼 가장자리 노광장치에 의한 웨이퍼(2) 가장자리 감광막(6) 제거 과정은 후술하는 바와 같이 이루어진다.The process of removing the wafer 2 edge photosensitive film 6 by the wafer edge exposure apparatus according to the present invention configured as described above is performed as described below.
먼저, 감광막(6)이 도포된 웨이퍼(2)가 웨이퍼 가장자리 노광장치 내로 들어와 웨이퍼척(1) 상면에 로딩된 후, 옵틱 파이버(4)(Optic Fiber)를 통하여 조사되는 빛을 차단하는 역할을 하는 광차단용 셔터(3)가 개방되면 광원(도시는 생략함)으로부터 나온 빛이 상기 옵틱 파이버(4)를 통해 나와 웨이퍼(2) 상면 가장자리에 조사된다.First, the wafer 2 coated with the photoresist film 6 enters the wafer edge exposure apparatus and is loaded on the wafer chuck 1, and then blocks light irradiated through the optical fiber 4. When the light blocking shutter 3 is opened, light from a light source (not shown) is emitted through the optical fiber 4 and irradiated to the upper edge of the wafer 2.
이때, 웨이퍼척(1)이 회전함에 따라 옵틱 파이버(4)가 이동하지 않더라도 웨이퍼(2) 가장자리에 도포된 감광막(6)이 옵틱 파이버(4)를 통해 조사되는 빛에 의해 제거된다.At this time, even if the optical fiber 4 does not move as the wafer chuck 1 rotates, the photosensitive film 6 applied to the edge of the wafer 2 is removed by the light irradiated through the optical fiber 4.
한편, 이와 동시에 옵틱 파이버(4)로부터 조사되는 빛은 상기 광차단용 셔터(3) 상부에 설치된 반사경(5)에 의해 반사되어 웨이퍼(2) 가장자리로부터 일정간격 이격된 위치에 설치된 오목 반사경(7)의 경면에 닿은 다음, 다시 반사되어 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부에 도달하므로써 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부에 도포된 감광막(6)을 제거하게 된다.Meanwhile, at the same time, the light irradiated from the optical fiber 4 is reflected by the reflector 5 installed on the light blocking shutter 3, and the concave reflector 7 installed at a position spaced apart from the edge of the wafer 2 by a predetermined distance. ), And then reflected again to reach the curved portion of the edge of the wafer 2, thereby removing the photosensitive film 6 applied to the curved portion of the edge of the wafer 2.
즉, 본 고안은 웨이퍼(2) 가장자리의 감광막(6) 제거를 위한 노광시, 웨이퍼(2) 가장자리 상면에 도포된 감광막(6)은 옵틱 파이버(4)로부터 조사되는 빛에 의해 직접 노광되어 제거되는 한편, 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부에 도포된 감광막(6)은 광차단용 셔터(3) 상부에 설치된 반사경(5) 및 웨이퍼(2) 가장자리로부터 반경방향으로 일정간격 이격된 위치에 설치된 오목 반사경(7)의 반사작용에 의해 도달하는 빛에 의해 노광되어 제거되므로써 후공정에서의 웨이퍼(2) 및 웨이퍼 카세트 오염을 방지하여 반도체 소자의 수율을 향상시킬 수 있게 된다.That is, according to the present invention, during exposure for removing the photosensitive film 6 at the edge of the wafer 2, the photosensitive film 6 coated on the top surface of the wafer 2 is directly exposed and removed by the light irradiated from the optical fiber 4. On the other hand, the photosensitive film 6 applied to the curved portion of the edge of the wafer (2) is provided at a position spaced radially spaced apart from the edge of the wafer (2) and the reflector (5) provided on the light blocking shutter (3) By being exposed and removed by the light reaching by the reflective action of the concave reflector 7, it is possible to prevent contamination of the wafer 2 and the wafer cassette in a later step, thereby improving the yield of the semiconductor element.
본 고안은 반도체소자 제조를 위한 노광 공정시, 웨이퍼(2) 가장자리의 감광막(6) 제거를 위해 옵틱 파이버(4)를 통해 조사되는 빛이 도달하기 어려운 부분인 웨이퍼(2) 가장자리의 곡면부에도 빛이 조사되도록 하여 웨이퍼(2) 가장자리에 도포된 감광막(6)을 완전히 제거시킬 수 있으므로 인해 후공정에서의 웨이퍼(2) 및 웨이퍼 카세트의 오염을 미연에 방지하여 반도체소자의 수율을 향상시킬 수 있게 된다.The present invention is also applied to the curved portion of the edge of the wafer (2), which is difficult to reach the light irradiated through the optical fiber 4 to remove the photosensitive film (6) at the edge of the wafer 2 during the exposure process for manufacturing a semiconductor device Since the light can be irradiated to completely remove the photoresist film 6 applied to the edge of the wafer 2, it is possible to prevent contamination of the wafer 2 and the wafer cassette in a later process, thereby improving the yield of the semiconductor device. Will be.
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