KR19980067672A - Semiconductor Stepper Facility - Google Patents
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Abstract
램프에 의해 형성 공급되는 광을 일차적으로 공급 받는 광학부재의 손상 및 오염을 줄이도록 하는 반도체 스테퍼설비에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor stepper facility for reducing damage and contamination of an optical member that is primarily supplied with light supplied by a lamp.
본 발명은 노광공정에 필요한 광을 형성하는 램프와, 상기 램프로부터 생성된 광을 집광 유도하는 집광거울과, 상기 집광거울을 통해 유도 공급되는 광을 일차적으로 반사 유도하는 반사거울 및 소정 위치에 설치되어 유도되는 광을 선택적으로 차단하는 셔터를 포함하여 구성된 반도체 스테퍼설비에 있어서 상기 셔터는 상기 램프에 의해 형성되는 광을 다른 광학부재에 공급되기 전에 선택적으로 차단하도록 상기 램프와 상기 반사거울 사이에 설치됨을 특징으로 한다.The present invention provides a lamp for forming the light required for the exposure process, a light collecting mirror for condensing the light generated from the lamp, a reflection mirror for firstly reflecting the light supplied and guided through the light collecting mirror, and installed at a predetermined position. And a shutter for selectively blocking the guided light, wherein the shutter is disposed between the lamp and the reflective mirror to selectively block the light formed by the lamp before being supplied to another optical member. It is characterized by.
따라서, 본 발명에 의하면 램프와 집광거울에 의해 집광 유도되는 광을 다른 광학부재에 전달되기 전에 셔터를 설치하여 선택적으로 차단함으로써 반사거울의 손상 및 오염 정도를 줄여 반사도를 향상시킴으로써 조사 시간의 단축으로 공정 시간이 단축될 뿐 아니라 반사거울의 수명이 연장되는 효과가 있다.Accordingly, according to the present invention, by selectively blocking the shutter and the light guided by the lamp and the collecting mirror before being transmitted to the other optical member, by reducing the damage and contamination of the reflective mirror to improve the reflectivity to shorten the irradiation time In addition to shortening the process time, the life of the reflecting mirror is extended.
Description
본 발명은 반도체 스테퍼설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 램프에 의해 형성 공급되는 광을 일차적으로 공급 받는 광학부재의 손상 및 오염을 줄이도록 하는 반도체 스테퍼설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor stepper facility, and more particularly, to a semiconductor stepper facility for reducing damage and contamination of an optical member that is primarily supplied with light supplied by a lamp.
통상적으로 웨이퍼는 포토리소그래피 ( Photo Lithography ), 확산, 식각, 화학기상증착 및 금속배선 등의 공정을 반복 수행함에 따라 반도체장치로 제작되고, 이들 반도체장치 제조 공정중 빈번히 이루어지는 공정의 하나가 포토리소그래피 공정이다.Typically, wafers are fabricated as semiconductor devices by repeating processes such as photolithography, diffusion, etching, chemical vapor deposition, and metallization, and one of the processes that is frequently performed among these semiconductor device manufacturing processes is a photolithography process. to be.
상기 포토리소그래피 공정은 웨이퍼상에 소정 패턴을 형성시키기 위한 공정으로서, 먼저 PR (Photoresist)층이 균일하게 도포 형성된 웨이퍼 상면에 소정 레이아웃으로 형성된 레티클(Reticle)을 위치시켜 조도가 높은 파장의 광을 조사하고, 이어 조사에 따른 불필요한 PR 층을 분리 세정함으로써 웨이퍼상에 요구되는 패턴을 형성하는 것이다.The photolithography process is a process for forming a predetermined pattern on a wafer. First, a reticle formed in a predetermined layout is placed on a top surface of a wafer on which a PR (Photoresist) layer is uniformly coated to irradiate light having a high illumination intensity. Then, by separating and cleaning the unnecessary PR layer due to irradiation, a desired pattern is formed on the wafer.
이러한 포토리소그래피 공정 중 웨이퍼상에 소정 파장을 갖는 광을 조사하여 노광공정을 수행하는 스테퍼설비의 종래 기술에 대하여 도1을 참조하여 설명하기로 한다.A conventional technique of a stepper facility for performing an exposure process by irradiating light having a predetermined wavelength onto a wafer during the photolithography process will be described with reference to FIG. 1.
스테퍼설비(10)는 크게 노광공정에 필요한 광을 형성 유도하는 조명계장치(12)와, 이 조명계장치(12)로부터 유도 공급된 광을 웨이퍼상에 조사하는 본체부(도시 안됨)로 구분된다.The stepper facility 10 is largely divided into an illumination system device 12 which guides the formation of the light necessary for the exposure process, and a main body portion (not shown) which irradiates the light supplied from the illumination system device 12 onto the wafer.
여기서, 노광공정에 필요한 광을 형성 공급하는 조명계장치(12)에는 도1에 도시된 바와 같이 노광공정에 필요한 광을 공급하는 램프(14)와, 이 램프(14)에 의해 형성된 광을 집광 유도하는 집광거울(16)과, 이 집광거울(16)에 의해 집광 유도된 상태로 공급되는 광을 다른 광학부재(도시 안됨)로 일차적으로 반사 유도하는 반사거울(18) 및 이 반사거울(18)에 뒤이어 설치되고 광학부재 사이에 설치되어 유도되는 광을 선택적으로 차단하는 셔터(20)를 포함한 구성으로 이루어진다.Here, the illumination system device 12 for forming and supplying the light required for the exposure process includes a lamp 14 for supplying the light for the exposure process and the light formed by the lamp 14 as shown in FIG. A condensing mirror 16 and a reflecting mirror 18 and a reflecting mirror 18 for firstly inducing light supplied in a condensing-induced state by the condensing mirror 16 to another optical member (not shown). It is composed of a configuration including a shutter 20 that is subsequently installed and is installed between the optical member to selectively block the guided light.
이러한 구성의 조명계장치(12)에 있어서 광의 이동 과정을 설명하면, 램프(14)에 의해 형성된 광은 집광거울(16)에 의해 집광 유도되어 반사거울(18)로 이동하게 되고, 반사거울(18)은 공급된 광을 다른 일 방향 즉, 다른 광학부재가 설치된 특정 방향으로 반사시켜 유도하게 된다.In the lighting system device 12 having such a configuration, a light moving process is described. The light formed by the lamp 14 is collected by the condensing mirror 16 to be moved to the reflecting mirror 18 and the reflecting mirror 18. ) Reflects the supplied light in another direction, that is, in a specific direction in which the other optical member is installed.
한편, 반사거울(18)과 광학부재 사이에 설치된 셔터(20)는 반사거울(18)에 의해 반사되어 유도되는 광을 선택적으로 차단 또는 개방하여 노광 시간을 조절하게 된다.On the other hand, the shutter 20 provided between the reflective mirror 18 and the optical member selectively controls the exposure time by selectively blocking or opening the light reflected by the reflective mirror 18.
여기서, 램프에 의해 형성되어 여러 종류의 광학부재를 통과하기까지의 광은 단파장 즉, 180∼300㎚ 정도 파장의 높은 에너지를 갖는 화학선 대역이 포함되어 있으며, 이들 단파장 화학선 중 184.9㎚의 파장과 253.7㎚ 파장의 광은 스테퍼설비 내에 잔존하는 Ｏ2와 반응하여 Ｏ2를 Ｏ3또는 Ｏ+으로 형성하게 되고, 이들 Ｏ3과 Ｏ+는 스테퍼설비 내의 각종 유기가스 및 ＮＨ3, ＳＯ4, ＮＯ 등의 이온과 반응하여 렌즈, 반사거울, 광필터 등의 광학부재 표면을 손상시키거나 상기 표면상에서 오염막을 형성하게 된다.Here, the light formed by the lamp and passing through various kinds of optical members includes the actinic band having a short wavelength, that is, a high energy of about 180 to 300 nm, and the wavelength of 184.9 nm among these short-wavelength actinic rays. and the 253.7㎚ wavelength light is formed by the reaction with O 2 O 2 O 3 O +, or by remaining in the stepper equipment, and these O 3 O + is a variety of organic gas and NH 3, in the stepper equipment SO 4, Reaction with ions such as NO damages the surface of an optical member such as a lens, a reflecting mirror, an optical filter, or forms a fouling film on the surface.
그러나, 반사거울은 상술한 바와 같이 램프에 의해 형성된 광으로부터 항시 노출되어 있어 이 광에 영향을 받아 손상 또는 오염되는 정도가 심하며, 이러한 상태에서 계속적으로 공정을 수행하게 되면, 반사거울의 반사도가 저하되어 공정 시간을 지연시키게 되므로 고가의 반사거울을 교체하여 사용해야 하는 비경제적인 문제가 있었다.However, the reflecting mirror is always exposed from the light formed by the lamp as described above, so that the reflecting mirror is severely damaged or contaminated by the light, and if the process is continuously performed in such a state, the reflectivity of the reflecting mirror decreases. Since this delays the process time, there was an uneconomical problem in that expensive reflective mirrors need to be replaced.
본 발명의 목적은 반사거울에 공급되는 광의 양을 줄이도록 하여 반사거울의 손상 및 오염 정도를 줄이도록 하여 반사도를 향상시키고, 조사되는 시간을 단축하여 공정 시간을 단축시키며, 반사거울의 수명을 연장하도록 하는 반도체 스테퍼설비를 제공함에 있다.An object of the present invention is to reduce the amount of light supplied to the reflection mirror to reduce the damage and contamination of the reflection mirror to improve the reflectivity, shorten the irradiation time to shorten the process time, extend the life of the reflection mirror The present invention provides a semiconductor stepper facility.
도1은 종래의 반도체 스테퍼설비 내의 셔터 설치 위치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.1 is a sectional view schematically showing a shutter installation position in a conventional semiconductor stepper facility.
도2는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 스테퍼설비내의 셔터 설치 위치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.2 is a cross-sectional view schematically showing a shutter installation position in a semiconductor stepper facility according to an embodiment of the present invention.
※ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명※ Explanation of codes for main parts of drawing
10, 30: 스테퍼설비 12, 32: 조명계장치10, 30: stepper equipment 12, 32: lighting system
14, 34: 램프 16, 36: 집광거울14, 34: Lamp 16, 36: Condensing mirror
18, 40: 반사거울 20, 38: 셔터18, 40: reflection mirror 20, 38: shutter
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 노광공정에 필요한 광을 형성하는 램프와, 상기 램프로부터 생성된 광을 집광 유도하는 집광거울과, 상기 집광거울을 통해 유도 공급되는 광을 일차적으로 반사 유도하는 반사거울 및 소정 위치에 설치되어 유도되는 광을 선택적으로 차단하는 셔터를 포함하여 구성된 반도체 스테퍼설비에 있어서 상기 셔터는 상기 램프에 의해 형성되는 광을 다른 광학부재에 공급되기 전에 선택적으로 차단하도록 상기 램프와 상기 반사거울 사이에 설치됨을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a lamp for forming the light required for the exposure process, a condensing mirror for condensing the light generated from the lamp, and the reflection for inducing the primary reflection of the light supplied through the condensing mirror In a semiconductor stepper facility comprising a mirror and a shutter for selectively blocking the light guided to a predetermined position, the shutter and the lamp to selectively block the light formed by the lamp before being supplied to another optical member It is characterized in that installed between the reflection mirror.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, specific embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도2를 참조하여 설명하면, 스테퍼설비(30)에 있어서, 조명계장치(32)는 도2에 도시된 바와 같이 노광공정에 필요한 광을 공급하는 램프(34)와, 이 램프(34)에 의해 형성된 광을 집광 유도하는 집광거울(36)과, 이 집광거울(36)에 의해 집광 유도된 상태의 광을 다른 광학부재에 공급되기 전에 선택적으로 차단하도록 설치되는 셔터(38) 및 이 셔터(38)의 개방된 상태에 의해 공급 받은 광을 소정 방향으로 반사 유도하는 반사거울(40)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 2, in the stepper installation 30, the illumination system device 32 is provided with a lamp 34 for supplying light necessary for the exposure process as shown in FIG. A condenser mirror 36 for condensing the formed light, a shutter 38 and a shutter provided to selectively block the light in the condensed-induced state by the condensing mirror 36 before being supplied to another optical member. It is configured to include a reflection mirror 40 for inducing the reflection of the light supplied by the open state of the predetermined direction.
이러한 구성의 조명계장치(12)에 있어서 광의 이동 과정을 설명하면, 램프(34)에 의해 형성된 광은 집광거울(36)에 의해 집광 유도되어 반사거울(40) 방향으로 이동하게 되고, 이렇게 이동하게 되는 광은 집광거울(36)과 반사거울(40) 사이에 설치된 셔터(38)에 의해 선택적으로 차단 또는 개방된다.In the lighting system 12 having the above-described configuration, the light movement process will be described. The light formed by the lamp 34 is collected by the light collecting mirror 36 to be collected and moved in the direction of the reflecting mirror 40. The light to be selectively blocked or opened by the shutter 38 provided between the condensing mirror 36 and the reflecting mirror 40.
그리고, 셔터(38)의 개방시 유도 이동되는 광은 반사거울(40)에 의해 반사 유도되어 다른 여러 종류의 광학부재를 통과하여 본체부(도시 안됨)에 위치되는 웨이퍼상에 조사된다.Then, the light that is guided and moved when the shutter 38 is opened is reflected by the reflective mirror 40 and is irradiated onto the wafer positioned in the main body (not shown) through other various kinds of optical members.
여기서, 상술한 바와 같이 설치된 셔터(38)는 램프(34)와 집광거울(36)에 의해 집광 유도되어 반사거울(40)에 공급되는 광을 선택적으로 차단하게 됨에 따라 반사거울(40)은 공급되는 광으로부터 노출되는 시간이 단축되어 손상 및 오염 정도가 감소된다.Here, the shutter 38 installed as described above is focused by the lamp 34 and the light collecting mirror 36 to selectively block the light supplied to the reflective mirror 40, the reflective mirror 40 is supplied The time of exposure from the incoming light is shortened to reduce the degree of damage and contamination.
한편, 상술한 셔터(38)를 도1에 도시된 바와 같이 종래에 설치된 셔터(20)를 그대로 두고 본 발명의 셔터(38)를 부가 설치할 수도 있고, 또는 셔터를 개조하여 상술한 램프(36)에 직접 설치할 수도 있다.On the other hand, the shutter 38 described above may be additionally provided with the shutter 38 of the present invention as it is, as shown in FIG. You can also install it directly on.
따라서, 본 발명에 의하면 램프와 집광거울에 의해 집광 유도되는 광이 다른 광학부재에 전달되기 전에 셔터를 설치하여 선택적으로 차단함으로써 반사거울의 손상 및 오염 정도를 줄여 반사도를 향상시킴으로써 조사 시간의 단축으로 공정 시간이 단축될 뿐 아니라 반사거울의 수명이 연장되는 효과가 있다.Therefore, according to the present invention, the light is guided by the lamp and the condenser mirror, and before the light is transmitted to the other optical member by installing a shutter to selectively block by reducing the damage and contamination of the reflection mirror to improve the reflectivity to shorten the irradiation time In addition to shortening the process time, the life of the reflecting mirror is extended.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.Although the present invention has been described in detail only with respect to the described embodiments, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations are possible within the technical scope of the present invention, and such modifications and modifications are within the scope of the appended claims.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970003885A KR19980067672A (en) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | Semiconductor Stepper Facility |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970003885A KR19980067672A (en) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | Semiconductor Stepper Facility |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR19980067672A true KR19980067672A (en) | 1998-10-15 |
Family
ID=65984468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019970003885A KR19980067672A (en) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | Semiconductor Stepper Facility |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR19980067672A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100695034B1 (en) * | 2005-07-27 | 2007-03-16 | 박병성 | A disinfecting system of the person |
-
1997
- 1997-02-10 KR KR1019970003885A patent/KR19980067672A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100695034B1 (en) * | 2005-07-27 | 2007-03-16 | 박병성 | A disinfecting system of the person |
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