KR102689338B1 - Substrate processing apparatus - Google Patents

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

본 발명은, 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치(100)는, 스핀 베이스(SB)와, 복수의 척 핀(37)과, 세정 기구(10)와, 리프트 핀(35)을 구비한다. 세정 기구(10)는, 기판(W)의 상방에 배치되고, 기판(W)의 이면(Wb)을 물리적으로 세정한다. 복수의 척 핀(37)은, 접촉면(372a)과, 대향면(371a)을 갖는다. 접촉면(372a)은, 기판(W)을 파지할 때에 기판(W)에 맞닿는다. 대향면(371a)은, 접촉면(372a)의 하단으로부터 연직 방향에 대해 교차하는 방향으로 연장된다. 대향면(371a)은, 기판(W)의 표면(Wa)에 대향한다. 대향면(371a)은, 스핀 베이스(SB)의 주연부(Ra)의 상면(Ra1)에 인접하고, 또한, 스핀 베이스(SB)의 주연부(Ra)의 상면(Ra1)과 대략 같은 높이에 배치된다. 스핀 베이스(SB)는, 기체를 토출하는 가스 토출구(33e)를 상면에 갖는다.The present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus 100 includes a spin base SB, a plurality of chuck pins 37, a cleaning mechanism 10, and a lift pin 35. The cleaning mechanism 10 is disposed above the substrate W and physically cleans the back surface Wb of the substrate W. The plurality of chuck pins 37 have a contact surface 372a and an opposing surface 371a. The contact surface 372a comes into contact with the substrate W when the substrate W is held. The opposing surface 371a extends from the lower end of the contact surface 372a in a direction intersecting the vertical direction. The opposing surface 371a faces the surface Wa of the substrate W. The opposing surface 371a is adjacent to the upper surface Ra1 of the peripheral portion Ra of the spin base SB and is disposed at approximately the same height as the upper surface Ra1 of the peripheral portion Ra of the spin base SB. . The spin base SB has a gas discharge port 33e on its upper surface that discharges gas.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate processing apparatus {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus.

종래, 기판을 회전하는 스핀 베이스와, 기판의 상면을 세정하는 브러시를 구비한 기판 처리 장치가 알려져 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 특허문헌 1에는, 기판을 회전하는 척 플레이트와, 척 플레이트의 주연부에 배치되고, 기판의 하면의 가장자리부를 지지하는 탈착 기구와, 기판의 상면을 세정하는 브러시를 구비한 세정 처리 장치가 기재되어 있다. 척 플레이트에는, 기판의 하면과 척 플레이트의 상면 사이에 가스를 공급하는 가스 공급 구멍이 형성되어 있다. 이 세정 처리 장치에서는, 기판과 척 플레이트 사이에 가스를 공급함으로써, 기판 세정 시의 린스액 등이 기판의 하면측에 들어가는 것을 억제한다.Conventionally, a substrate processing apparatus including a spin base for rotating a substrate and a brush for cleaning the upper surface of the substrate is known (see, for example, Patent Document 1). Patent Document 1 describes a cleaning processing device including a chuck plate that rotates a substrate, a detachment mechanism disposed on the periphery of the chuck plate and supporting an edge portion of the lower surface of the substrate, and a brush that cleans the upper surface of the substrate. . A gas supply hole is formed in the chuck plate to supply gas between the lower surface of the substrate and the upper surface of the chuck plate. In this cleaning processing device, gas is supplied between the substrate and the chuck plate to prevent rinsing liquid or the like from entering the lower surface of the substrate during substrate cleaning.

일본국 특허공개 2006-24963호 공보Japanese Patent Publication No. 2006-24963

그런데, 최근, 기판의 배선 패턴의 미세화가 진전됨에 따라, 디포커스(초점 어긋남) 대책이 중요해지고 있다. 따라서, 기판의 이면을 정전 척할 때의 이면의 평탄화도가 보다 요구되고 있다. 이 때문에, 종래 문제가 되지 않았던 파티클이나 척 흔적 등을 제거할 필요가 있기 때문에, 브러시 등에 의해 기판의 이면을 보다 강한 압력으로 세정할 필요가 있다.However, in recent years, as the miniaturization of wiring patterns on boards has progressed, measures against defocus have become important. Therefore, the degree of flattening of the back surface of the substrate when electrostatically chucking the back surface is more required. For this reason, since it is necessary to remove particles and chuck traces, which have not previously been a problem, it is necessary to clean the back side of the substrate with a stronger pressure using a brush or the like.

그러나, 특허문헌 1의 세정 처리 장치에서는, 기판의 이면에 대해 브러시를 보다 강한 압력으로 압압(押壓)한 경우, 기판이 하방향으로 볼록 형상으로 변형되어, 기판이 갈라지거나, 기판의 디바이스 형성면인 하면이 스핀 베이스에 접촉하거나 한다는 문제점이 있다.However, in the cleaning processing device of Patent Document 1, when the brush is pressed against the back surface of the substrate with a stronger pressure, the substrate is deformed downward into a convex shape, causing the substrate to crack or forming devices on the substrate. There is a problem that the lower surface is in contact with the spin base.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 기판이 손상되는 것을 억제하면서, 기판의 이면을 강한 압력으로 세정하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.The present invention was made in view of the above problems, and its purpose is to provide a substrate processing apparatus that can clean the back side of a substrate with strong pressure while suppressing damage to the substrate.

본 발명의 일국면에 의한 기판 처리 장치는, 스핀 베이스와, 복수의 척 핀과, 세정 기구와, 리프트 핀을 구비한다. 상기 스핀 베이스는, 연직으로 연장되는 회전축선을 중심으로 하여 회전 가능하게 설치된다. 상기 복수의 척 핀은, 상기 스핀 베이스의 주연부에 배치된다. 상기 세정 기구는, 기판의 상방에 배치되고, 상기 기판의 상면을 물리적으로 세정한다. 상기 리프트 핀은, 제1 높이 위치와, 상기 제1 높이 위치보다 낮은 제2 높이 위치 사이에서, 상기 기판을 승강한다. 상기 복수의 척 핀은, 상기 제2 높이 위치에서 상기 기판을 수평으로 파지하도록 구성된다. 상기 복수의 척 핀은, 접촉면과, 대향면을 갖는다. 상기 접촉면은, 상기 기판을 파지할 때에 상기 기판에 맞닿는다. 상기 대향면은, 상기 접촉면의 하단으로부터 연직 방향에 대해 교차하는 방향으로 연장된다. 상기 대향면은, 상기 복수의 척 핀이 상기 기판을 파지한 상태에서, 상기 기판의 하면에 대향한다. 상기 복수의 척 핀이 상기 기판을 파지한 상태에서, 상기 대향면은, 상기 스핀 베이스의 주연부의 상면에 인접하고, 또한, 상기 스핀 베이스의 주연부의 상면과 대략 같은 높이에 배치된다. 상기 스핀 베이스는, 기체를 토출하는 기체 토출구를 상면에 갖는다.A substrate processing apparatus according to one aspect of the present invention includes a spin base, a plurality of chuck pins, a cleaning mechanism, and a lift pin. The spin base is installed to be rotatable around a vertically extending rotation axis. The plurality of chuck pins are disposed on the periphery of the spin base. The cleaning mechanism is disposed above the substrate and physically cleans the upper surface of the substrate. The lift pins lift the substrate between a first height position and a second height position lower than the first height position. The plurality of chuck pins are configured to horizontally hold the substrate at the second height position. The plurality of chuck pins have a contact surface and an opposing surface. The contact surface comes into contact with the substrate when gripping the substrate. The opposing surface extends from the lower end of the contact surface in a direction intersecting the vertical direction. The opposing surface faces the lower surface of the substrate while the plurality of chuck pins grip the substrate. In a state where the plurality of chuck pins grip the substrate, the opposing surface is adjacent to the upper surface of the peripheral portion of the spin base and is disposed at approximately the same height as the upper surface of the peripheral portion of the spin base. The spin base has a gas discharge port on its upper surface that discharges gas.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기체 토출구로부터 토출하는 상기 기체에 의해 상기 기판이 상방향으로 볼록 형상으로 변형된 상태에서, 상기 세정 기구는, 상기 기판의 상면을 세정해도 된다.In one aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus, the cleaning mechanism may clean the upper surface of the substrate while the substrate is deformed upward into a convex shape by the gas discharged from the gas discharge port. do.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 기판 처리 장치에 있어서, 상기 스핀 베이스의 주연부의 상면과, 상기 기판의 하면의 거리는, 2mm 이하여도 된다.In one aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus, the distance between the upper surface of the peripheral portion of the spin base and the lower surface of the substrate may be 2 mm or less.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 기판 처리 장치에 있어서, 상기 스핀 베이스의 주연부의 상면과, 상기 기판의 하면의 거리는, 1mm 이하여도 된다.In one aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus, the distance between the upper surface of the peripheral portion of the spin base and the lower surface of the substrate may be 1 mm or less.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 기판 처리 장치에 있어서, 상기 스핀 베이스는, 상기 주연부와, 상기 주연부에 대해 경방향(徑方向) 내측에 배치되는 중앙부를 가져도 된다. 상기 중앙부의 상면은, 상기 주연부의 상면보다 낮은 위치에 배치되어도 된다.In one aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus, the spin base may have the peripheral portion and a central portion disposed radially inward with respect to the peripheral portion. The upper surface of the central portion may be disposed at a lower position than the upper surface of the peripheral portion.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 기판 처리 장치에 있어서, 상기 중앙부의 상면은, 상기 기체 토출구가 형성된 평탄면이어도 된다.In one aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus, the upper surface of the central portion may be a flat surface on which the gas discharge port is formed.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 기판 처리 장치에 있어서, 상기 기체 토출구로부터, 매분 100리터 이상의 상기 기체를 토출하면서, 상기 세정 기구에 의해 상기 기판의 상면을 세정해도 된다.In one aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus, the upper surface of the substrate may be cleaned by the cleaning mechanism while discharging 100 liters or more of the gas per minute from the gas discharge port.

본 발명의 일 양태에 있어서는, 기판 처리 장치에 있어서, 상기 세정 기구는 상기 기판의 상면에 압압되는 브러시를 포함해도 된다.In one aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus, the cleaning mechanism may include a brush pressed against the upper surface of the substrate.

본 발명에 의하면, 기판이 손상되는 것을 억제하면서, 기판의 이면을 강한 압력으로 세정하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a substrate processing device capable of cleaning the back side of a substrate with strong pressure while suppressing damage to the substrate.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태의 기판 처리 장치를 나타내는 모식적 평면도이다.
도 2는, 본 발명의 일 실시 형태의 처리 유닛의 모식도이다.
도 3은, 본 발명의 일 실시 형태의 스핀 베이스 주변의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 4는, 본 발명의 일 실시 형태의 스핀 베이스 주변의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 5는, 본 발명의 일 실시 형태의 스핀 베이스의 구조를 나타내는 사시도이다.
도 6은, 본 발명의 일 실시 형태의 스핀 베이스 주변의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 7은, 본 발명의 일 실시 형태의 척 핀 주변의 구조를 나타내는 단면도이다.
도 8은, 본 발명의 일 실시 형태의 척 핀에 의해 협지된 기판이 상방향으로 볼록 형상으로 변형된 상태를 나타내는 단면도이다.
도 9는, 본 발명의 일 실시 형태의 브러시를, 상방향으로 볼록 형상으로 변형된 기판에 대해 압압한 상태를 나타내는 단면도이다.
도 10은, 본 발명의 일 실시 형태의 기판 처리 방법을 나타내는 플로차트이다.1 is a schematic plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a schematic diagram of a processing unit according to one embodiment of the present invention.
Figure 3 is a cross-sectional view showing the structure around the spin base of one embodiment of the present invention.
Figure 4 is a cross-sectional view showing the structure around the spin base of one embodiment of the present invention.
Figure 5 is a perspective view showing the structure of a spin base according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a cross-sectional view showing the structure around the spin base of one embodiment of the present invention.
Figure 7 is a cross-sectional view showing the structure around the chuck pin in one embodiment of the present invention.
Figure 8 is a cross-sectional view showing a state in which the substrate held by the chuck pin of one embodiment of the present invention is deformed upward into a convex shape.
Fig. 9 is a cross-sectional view showing a state in which the brush according to one embodiment of the present invention is pressed against a substrate deformed into a convex shape in the upward direction.
Figure 10 is a flow chart showing a substrate processing method according to one embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 반복하지 않는다. 또, 도면 중, 이해를 용이하게 하기 위해서, X축, Y축, 및, Z축을 적절히 도시하고 있다. X축, Y축, 및 Z축은 서로 직교하고, X축 및 Y축은 수평 방향으로 평행이며, Z축은 연직 방향으로 평행이다. 또, 도면 중, 도면을 보기 쉽게 하기 위해서, 단면을 나타내는 해칭을 생략하는 경우가 있다. 또한, 기판(W)의 제1 회전축선(AX1)에 대한 경방향을 「경방향(RD)」이라고 기재하고, 제1 회전축선(AX1)에 대한 둘레 방향을 「둘레 방향(CD)」이라고 기재하고, 제1 회전축선(AX1)에 대략 평행한 방향을 「축방향(AD)」이라고 기재한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention will be described with reference to the drawings. In addition, in the drawings, identical or significant portions are given the same reference numerals and descriptions are not repeated. In addition, in the drawings, to facilitate understanding, the X-axis, Y-axis, and Z-axis are shown appropriately. The X-axis, Y-axis, and Z-axis are orthogonal to each other, the X-axis and Y-axis are parallel in the horizontal direction, and the Z-axis is parallel in the vertical direction. Additionally, in the drawings, hatching indicating cross sections may be omitted in order to make the drawings easier to read. In addition, the radial direction of the substrate W with respect to the first rotation axis AX1 is described as “radial direction (RD),” and the circumferential direction with respect to the first rotation axis AX1 is described as “circumferential direction (CD).” and the direction substantially parallel to the first rotation axis AX1 is described as “axial direction AD.”

도 1~도 10을 참조하여, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 기판 처리 장치(100)는 기판(W)을 처리한다. 기판(W)은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라스마 디스플레이용 기판, 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display：FED)용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 또는, 태양전지용 기판이다. 본 실시 형태에서는, 기판(W)은, 반도체 웨이퍼이다. 기판(W)은, 예를 들면, 대략 원판형상이다.1 to 10, a substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention will be described. The substrate processing apparatus 100 processes the substrate W. The substrate W is, for example, a semiconductor wafer, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for a plasma display, a substrate for a field emission display (FED), a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, and a magneto-optical disk. It is a substrate for a photomask, a ceramic substrate, or a substrate for a solar cell. In this embodiment, the substrate W is a semiconductor wafer. The substrate W is, for example, substantially disk-shaped.

도 1은, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)를 나타내는 모식적 평면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 복수의 처리 유닛(1)과, 유체 캐비닛(100A)과, 복수의 유체 박스(100B)와, 복수의 로드 포트(LP)와, 인덱서 로봇(IR)과, 센터 로봇(CR)과, 제어 장치(101)를 구비한다.FIG. 1 is a schematic plan view showing the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of processing units 1, a fluid cabinet 100A, a plurality of fluid boxes 100B, a plurality of load ports LP, and an indexer. It is provided with a robot (IR), a center robot (CR), and a control device 101.

로드 포트(LP) 각각은, 복수 장의 기판(W)을 적층하여 수용한다. 인덱서 로봇(IR)은, 로드 포트(LP)와 센터 로봇(CR) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 센터 로봇(CR)은, 인덱서 로봇(IR)과 처리 유닛(1) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 센터 로봇(CR)은, 기판(W)의 하면을 지지하는 핸드(H)를 갖는다. 처리 유닛(1) 각각은, 처리 유체를 기판(W)에 공급하여, 기판(W)에 처리를 실행한다. 유체 캐비닛(100A)은, 처리 유체를 수용한다.Each load port LP accommodates a plurality of stacked substrates W. The indexer robot (IR) transports the substrate (W) between the load port (LP) and the center robot (CR). The center robot CR transports the substrate W between the indexer robot IR and the processing unit 1. The center robot CR has a hand H that supports the lower surface of the substrate W. Each processing unit 1 supplies a processing fluid to the substrate W and performs processing on the substrate W. Fluid cabinet 100A contains processing fluid.

본 실시 형태에 있어서, 처리 유체는, 처리액 또는 처리 가스이다. 처리 유체는, 기판(W)에 접촉하는 유체인 한, 특별히 한정되지 않는다. 처리 유체로서의 처리액은, 예를 들면, 약액 또는 린스액이다.In this embodiment, the processing fluid is a processing liquid or a processing gas. The processing fluid is not particularly limited as long as it is a fluid that contacts the substrate W. The treatment liquid as the treatment fluid is, for example, a chemical liquid or a rinse liquid.

약액은, 예를 들면, 희불산(DHF), 불산(HF), 불질산(불산과 질산(HNO3)의 혼합액), 버퍼드 불산(BHF), 불화암모늄, HFEG(불산과 에틸렌글리콜의 혼합액), 인산(H3PO4), 황산, 아세트산, 질산, 염산, 암모니아수, 과산화수소수, 유기산(예를 들면, 시트르산, 옥살산), 유기 알칼리(예를 들면, TMAH：테트라메틸암모늄하이드로옥사이드), 황산 과산화수소수 혼합액(SPM), 암모니아 과산화수소수 혼합액(SC1), 염산 과산화수소수 혼합액(SC2), 이소프로필알코올(IPA), 계면활성제, 부식 방지제, 또는, 소수화제이다.Chemical solutions include, for example, dilute hydrofluoric acid (DHF), hydrofluoric acid (HF), hydrofluoric acid (a mixture of hydrofluoric acid and nitric acid (HNO 3 )), buffered hydrofluoric acid (BHF), ammonium fluoride, and HFEG (a mixture of hydrofluoric acid and ethylene glycol). ), phosphoric acid (H 3 PO 4 ), sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, aqueous ammonia, aqueous hydrogen peroxide, organic acids (e.g. citric acid, oxalic acid), organic alkalis (e.g. TMAH: tetramethylammonium hydroxide), Sulfuric acid hydrogen peroxide solution mixture (SPM), ammonia hydrogen peroxide solution mixture (SC1), hydrochloric acid hydrogen peroxide solution mixture (SC2), isopropyl alcohol (IPA), surfactant, corrosion inhibitor, or hydrophobizing agent.

린스액은, 예를 들면, 탈이온수, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 또는, 희석 농도(예를 들면, 10ppm~100ppm 정도)의 염산수이다.The rinse liquid is, for example, deionized water, carbonated water, electrolyzed ion water, hydrogen water, ozone water, or hydrochloric acid water at a diluted concentration (for example, about 10 ppm to 100 ppm).

또, 처리 유체로서의 처리 가스는, 예를 들면, 기판(W)과 반응하는 반응 가스, 또는, 불활성 가스이다. 반응 가스는, 예를 들면, 오존 가스, 불소 가스, 불화수소를 포함하는 기체, 또는, IPA를 포함하는 기체이다. 불활성 가스는, 예를 들면, 질소, 헬륨, 또는, 아르곤이다.Additionally, the processing gas as the processing fluid is, for example, a reactive gas that reacts with the substrate W, or an inert gas. The reaction gas is, for example, ozone gas, fluorine gas, a gas containing hydrogen fluoride, or a gas containing IPA. Inert gases are, for example, nitrogen, helium, or argon.

복수의 처리 유닛(1)은, 평면에서 볼 때 센터 로봇(CR)을 둘러싸도록 배치된 복수의 타워(TW)(도 1에서는 4개의 타워(TW))를 형성하고 있다. 각 타워(TW)는, 상하로 적층된 복수의 처리 유닛(1)(도 1에서는 3개의 처리 유닛(1))을 포함한다. 유체 박스(100B)는, 각각, 복수의 타워(TW)에 대응하고 있다. 유체 캐비닛(100A) 내의 처리 유체는, 어느 하나의 유체 박스(100B)를 통해, 유체 박스(100B)에 대응하는 타워(TW)에 포함되는 모든 처리 유닛(1)에 공급된다.The plurality of processing units 1 form a plurality of towers TW (four towers TW in FIG. 1) arranged to surround the center robot CR in plan view. Each tower TW includes a plurality of processing units 1 (three processing units 1 in FIG. 1) stacked up and down. The fluid box 100B corresponds to a plurality of towers TW. The processing fluid in the fluid cabinet 100A is supplied through one fluid box 100B to all processing units 1 included in the tower TW corresponding to the fluid box 100B.

제어 장치(101)는, 기판 처리 장치(100)의 각 부의 동작을 제어한다. 예를 들면, 제어 장치(101)는, 로드 포트(LP), 인덱서 로봇(IR), 및 센터 로봇(CR)을 제어한다. 제어 장치(101)는, 제어부(102)와, 기억부(103)를 포함한다.The control device 101 controls the operation of each part of the substrate processing apparatus 100. For example, the control device 101 controls the load port (LP), the indexer robot (IR), and the center robot (CR). The control device 101 includes a control unit 102 and a storage unit 103.

제어부(102)는, CPU(Central Processing Unit)와 같은 프로세서를 포함한다. 제어부(102)의 프로세서는, 기억부(103)의 기억 장치가 기억하고 있는 컴퓨터 프로그램을 실행하여, 처리 유닛(1)을 제어한다.The control unit 102 includes a processor such as a CPU (Central Processing Unit). The processor of the control unit 102 controls the processing unit 1 by executing a computer program stored in the storage device of the storage unit 103.

기억부(103)는, 데이터 및 컴퓨터 프로그램을 기억한다. 데이터는, 레시피 데이터를 포함한다. 레시피 데이터는, 복수의 레시피를 나타내는 정보를 포함한다. 복수의 레시피 각각은, 기판(W)의 처리 내용 및 처리 순서를 규정한다.The storage unit 103 stores data and computer programs. Data includes recipe data. Recipe data includes information indicating multiple recipes. Each of the plurality of recipes specifies the processing content and processing sequence of the substrate W.

기억부(103)는, 주기억 장치를 갖는다. 주기억 장치는, 예를 들면, 반도체 메모리이다. 기억부(103)는, 보조기억 장치를 추가로 가져도 된다. 보조기억 장치는, 예를 들면, 반도체 메모리 및 하드 디스크 드라이브 중 적어도 한쪽을 포함한다. 기억부(103)는 리무버블 미디어를 포함하고 있어도 된다. 제어부(102)는, 기억부(103)에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램 및 데이터에 의거하여, 기판 처리 장치(100)의 각 부의 동작을 제어한다.The storage unit 103 has a main memory device. The main memory device is, for example, a semiconductor memory. The storage unit 103 may additionally have an auxiliary memory device. The auxiliary memory device includes, for example, at least one of a semiconductor memory and a hard disk drive. The storage unit 103 may include removable media. The control unit 102 controls the operation of each unit of the substrate processing apparatus 100 based on the computer program and data stored in the storage unit 103.

계속해서 도 2를 참조하여, 본 실시 형태의 처리 유닛(1)을 설명한다. 도 2는, 본 실시 형태의 처리 유닛(1)의 모식도이다. 상세하게는, 도 2는, 처리 유닛(1)의 모식적인 단면도이다.Continuing with reference to FIG. 2, the processing unit 1 of this embodiment will be described. Figure 2 is a schematic diagram of the processing unit 1 of this embodiment. In detail, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the processing unit 1.

도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(1)은, 기판(W)을 구성하는 대상물을 처리액을 이용하여 처리한다. 처리 유닛(1)은, 기판(W)의 적어도 이면(Wb)을 처리할 수 있도록 구성되어 있다. 이하, 처리 유닛(1)이 기판(W)의 이면(Wb)을 처리하는 경우에 대해 설명한다. 또한, 기판(W)의 이면(Wb)은, 디바이스가 형성되어 있지 않은 면이며, 실리콘 등으로 이루어지는 기판 본체가 노출된 면이다. 기판(W)의 표면(Wa)은, 디바이스가 형성된 면이며, 기판 본체와는 상이한 재질로 이루어지는 층(예를 들면, 실리콘산화막, 실리콘질화막, 또는 레지스트)이 형성된 면이다. 또, 기판(W)의 이면(Wb)은, 기판(W)의 상면이며, 기판(W)의 표면(Wa)은, 기판(W)의 하면이다.As shown in FIG. 2 , the processing unit 1 processes the object constituting the substrate W using a processing liquid. The processing unit 1 is configured to process at least the back surface Wb of the substrate W. Hereinafter, a case where the processing unit 1 processes the back surface Wb of the substrate W will be described. Additionally, the back side Wb of the substrate W is a side on which no device is formed, and is a side where the substrate main body made of silicon or the like is exposed. The surface Wa of the substrate W is a surface on which devices are formed and a layer made of a material different from that of the substrate main body (for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a resist) is formed. In addition, the back surface Wb of the substrate W is the upper surface of the substrate W, and the surface Wa of the substrate W is the lower surface of the substrate W.

처리 유닛(1)은, 스핀 베이스(SB)와, 복수의 척 핀(37)과, 세정 기구(10)와, 리프트 핀(35)을 구비한다. 구체적으로는, 처리 유닛(1)은, 챔버(2)와, 스핀 척(3)과, 스핀 모터부(5)와, 세정 기구(10)와, 처리액 공급부(20)와, 가스 공급부(30)와, 복수의 가드(8)를 구비한다.The processing unit 1 includes a spin base SB, a plurality of chuck pins 37, a cleaning mechanism 10, and a lift pin 35. Specifically, the processing unit 1 includes a chamber 2, a spin chuck 3, a spin motor unit 5, a cleaning mechanism 10, a processing liquid supply unit 20, and a gas supply unit ( 30) and a plurality of guards (8).

챔버(2)는 대략 상자 형상을 갖는다. 챔버(2)는, 기판(W), 스핀 척(3), 스핀 모터부(5), 세정 기구(10), 및, 처리액 공급부(20)의 일부를 수용한다.Chamber 2 has an approximately box shape. The chamber 2 accommodates a portion of the substrate W, the spin chuck 3, the spin motor unit 5, the cleaning mechanism 10, and the processing liquid supply unit 20.

스핀 척(3)은, 기판(W)을 수평으로 유지한다. 구체적으로는, 스핀 척(3)은, 스핀 플레이트(31)와, 스핀 샤프트(33)와, 복수의 리프트 핀(35)(도 3 참조)과, 복수의 척 핀(37)을 갖는다. 스핀 플레이트(31)는, 대략 원판형상의 부재이다. 스핀 플레이트(31)는, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)에 대향한다. 스핀 플레이트(31)에는, 스핀 샤프트(33)가 고정되어 있고, 스핀 플레이트(31)는, 스핀 샤프트(33)와 일체로 회전한다. 또한, 후술하는 바와 같이, 스핀 샤프트(33)의 상부와 스핀 플레이트(31)에 의해, 기판(W)을 회전하는 스핀 베이스(SB)가 구성되어 있다. 따라서, 후술하는 스핀 베이스(SB)는, 연직으로 연장되는 제1 회전축선(AX1)을 중심으로 하여 회전 가능하다.The spin chuck 3 holds the substrate W horizontally. Specifically, the spin chuck 3 has a spin plate 31, a spin shaft 33, a plurality of lift pins 35 (see FIG. 3), and a plurality of chuck pins 37. The spin plate 31 is a substantially disk-shaped member. The spin plate 31 faces the surface Wa (lower surface) of the substrate W. The spin shaft 33 is fixed to the spin plate 31, and the spin plate 31 rotates integrally with the spin shaft 33. As will be described later, a spin base SB that rotates the substrate W is formed by the upper part of the spin shaft 33 and the spin plate 31. Accordingly, the spin base SB, which will be described later, can rotate around the first rotation axis AX1 that extends vertically.

도 3은, 본 실시 형태의 스핀 베이스(SB) 주변의 구조를 나타내는 단면도이다. 도 4는, 본 실시 형태의 스핀 베이스(SB) 주변의 구조를 나타내는 단면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 복수의 리프트 핀(35)은, 스핀 플레이트(31)의 주연부를 따라 배치된다. 복수의 리프트 핀(35)은, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)의 가장자리부를 지지한다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 복수의 척 핀(37)은, 스핀 플레이트(31)의 주연부를 따라 배치된다. 복수의 척 핀(37)은, 기판(W)의 가장자리부를 파지한다. 본 실시 형태에 있어서 「기판을 파지한다」란, 기판(W)을 두께 방향으로 사이에 끼고 유지하는 것을 의미한다. 또한, 스핀 척(3)의 상세 구조에 대해서는 후술한다.Figure 3 is a cross-sectional view showing the structure around the spin base SB of this embodiment. Figure 4 is a cross-sectional view showing the structure around the spin base SB of this embodiment. As shown in FIG. 3 , a plurality of lift pins 35 are arranged along the periphery of the spin plate 31 . The plurality of lift pins 35 support the edge portion of the surface Wa (lower surface) of the substrate W. As shown in FIG. 4 , a plurality of chuck pins 37 are arranged along the periphery of the spin plate 31 . The plurality of chuck pins 37 grip the edge portion of the substrate W. In the present embodiment, “holding the substrate” means holding the substrate W by sandwiching it in the thickness direction. Additionally, the detailed structure of the spin chuck 3 will be described later.

도 2에 나타내는 바와 같이, 스핀 모터부(5)는, 제1 회전축선(AX1)을 중심으로 하여 기판(W)과 스핀 척(3)을 일체로 회전시킨다. 또한, 제1 회전축선(AX1)은, 본 발명의 「회전축선」의 일례이다. 제1 회전축선(AX1)은, 상하 방향으로 연장된다. 본 실시 형태에서는, 제1 회전축선(AX1)은, 연직으로 연장된다. 상세하게는, 스핀 모터부(5)는, 제1 회전축선(AX1)을 중심으로 하여 스핀 샤프트(33)를 회전시킨다. 따라서, 스핀 샤프트(33) 및 스핀 플레이트(31)는, 제1 회전축선(AX1)을 중심으로 하여 회전한다. 그 결과, 복수의 척 핀(37)에 유지된 기판(W)이, 제1 회전축선(AX1)을 중심으로 하여 회전한다.As shown in FIG. 2, the spin motor unit 5 rotates the substrate W and the spin chuck 3 integrally around the first rotation axis AX1. Additionally, the first rotation axis AX1 is an example of the “rotation axis” of the present invention. The first rotation axis AX1 extends in the vertical direction. In this embodiment, the first rotation axis AX1 extends vertically. In detail, the spin motor unit 5 rotates the spin shaft 33 around the first rotation axis AX1. Accordingly, the spin shaft 33 and the spin plate 31 rotate around the first rotation axis AX1. As a result, the substrate W held by the plurality of chuck pins 37 rotates around the first rotation axis AX1.

세정 기구(10)는, 기판(W)의 상방에 배치되고, 기판(W)의 이면(Wb)(상면)을 물리적으로 세정한다. 구체적으로는, 세정 기구(10)는, 기판(W)의 이면(Wb)(상면)에 압압되는 브러시(11)를 갖는다. 따라서, 브러시(11)를 기판(W)의 이면(Wb)(상면)에 압압함으로써, 이면(Wb)(상면)을 용이하게 세정할 수 있다.The cleaning mechanism 10 is disposed above the substrate W and physically cleans the back surface Wb (upper surface) of the substrate W. Specifically, the cleaning mechanism 10 has a brush 11 that is pressed against the back surface Wb (upper surface) of the substrate W. Therefore, by pressing the brush 11 against the back surface Wb (upper surface) of the substrate W, the back surface Wb (upper surface) can be easily cleaned.

브러시(11)는, 기판(W)에 접촉하여 기판(W)을 세정한다. 상세하게는, 브러시(11)는, 회전 중인 기판(W)에 접촉하여 기판(W)을 세정한다. 여기에서는, 브러시(11)는, 기판(W)의 이면(Wb)(상면)을 세정한다. 브러시(11)는, 예를 들면, 다공질 물질을 포함한다. 브러시(11)는, 예를 들면, 스펀지를 포함한다. 또, 브러시(11)는, 예를 들면, 수지를 포함해도 된다. 또, 브러시(11)는, 예를 들면, 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol：PVA)을 포함해도 된다. 또, 브러시(11)는, 복수의 부재를 조합하여 구성되어도 된다. 또, 브러시(11)는, 복수의 모(毛)를 포함해도 된다.The brush 11 comes into contact with the substrate W and cleans the substrate W. In detail, the brush 11 comes into contact with the rotating substrate W and cleans the substrate W. Here, the brush 11 cleans the back surface Wb (upper surface) of the substrate W. The brush 11 includes, for example, a porous material. The brush 11 includes, for example, a sponge. Additionally, the brush 11 may contain resin, for example. Additionally, the brush 11 may contain, for example, polyvinyl alcohol (PVA). Additionally, the brush 11 may be constructed by combining a plurality of members. Additionally, the brush 11 may include a plurality of bristles.

또, 세정 기구(10)는, 브러시 이동 기구(13)를 갖는다. 브러시 이동 기구(13)는, 아암(131)과, 브러시 회전축(133)과, 브러시 구동부(135)를 갖는다. 아암(131)은, 대략 수평 방향을 따라 연장된다. 아암(131)은, 브러시(11)를 유지한다. 브러시(11)는, 아암(131)의 일단에 유지된다. 브러시(11)는, 아암(131)에 고정되어 있어도 되고, 아암(131)에 대해 회전 가능해도 된다. 브러시(11)가 아암(131)에 대해 회전 가능한 경우, 브러시 이동 기구(13)는, 아암(131)에 대해 브러시(11)를 회전시키는 회전 구동부(도시하지 않음)를 가져도 된다.Additionally, the cleaning mechanism 10 has a brush moving mechanism 13. The brush moving mechanism 13 has an arm 131, a brush rotation axis 133, and a brush drive unit 135. The arm 131 extends along a substantially horizontal direction. The arm 131 holds the brush 11. The brush 11 is held at one end of the arm 131. The brush 11 may be fixed to the arm 131 or may be rotatable with respect to the arm 131 . When the brush 11 is rotatable with respect to the arm 131, the brush moving mechanism 13 may have a rotation drive unit (not shown) that rotates the brush 11 with respect to the arm 131.

브러시 구동부(135)는, 제2 회전축선(AX2)을 중심으로 하여 브러시 회전축(133)을 회전시킨다. 이에 의해, 아암(131) 및 브러시(11)가 제2 회전축선(AX2)을 중심으로 하여 회전한다. 브러시 구동부(135)는, 예를 들면, 스테핑 모터를 포함한다.The brush driving unit 135 rotates the brush rotation axis 133 around the second rotation axis AX2. As a result, the arm 131 and the brush 11 rotate around the second rotation axis AX2. The brush driving unit 135 includes, for example, a stepping motor.

또, 브러시 구동부(135)는, 브러시 회전축(133)을 상하 방향으로 이동시킨다. 이 경우, 브러시 구동부(135)는, 예를 들면, 볼나사 기구와, 볼나사 기구에 구동력을 부여하는 모터를 포함한다. 브러시 구동부(135)가 브러시 회전축(133)을 상하 방향으로 이동시킴으로써, 아암(131) 및 브러시(11)가 상하 방향으로 이동한다. 구체적으로는, 브러시 구동부(135)는, 브러시(11)를 이격 위치와 압압 위치 사이에서 이동시킨다. 이격 위치는, 브러시(11)가 기판(W)의 이면(Wb)(상면)으로부터 상방으로 이격하는 위치이다. 압압 위치는, 브러시(11)가 기판(W)의 이면(Wb)을 압압하는 위치이다.Additionally, the brush driving unit 135 moves the brush rotation axis 133 in the vertical direction. In this case, the brush drive unit 135 includes, for example, a ball screw mechanism and a motor that provides driving force to the ball screw mechanism. As the brush driving unit 135 moves the brush rotation axis 133 in the vertical direction, the arm 131 and the brush 11 move in the vertical direction. Specifically, the brush drive unit 135 moves the brush 11 between the separation position and the pressing position. The separation position is a position where the brush 11 is spaced upward from the back surface Wb (upper surface) of the substrate W. The pressing position is a position where the brush 11 presses the back surface Wb of the substrate W.

기판(W)에 대한 브러시(11)의 압압 제어는, 예를 들면, 스트로크 제어여도 되고, 압력 또는 하중 제어여도 된다. 구체적으로는, 브러시 구동부(135)는, 브러시(11)의 선단(하단)이 기판(W)의 이면(Wb)(상면)에 접촉하고 나서, 소정 거리(예를 들면, 수 100μm 이하) 브러시(11)를 하강시켜도 된다. 또, 브러시 구동부(135)는, 기판(W)에 대한 브러시(11)의 압력 또는 하중이 소정값이 될 때까지, 브러시(11)를 하강시켜도 된다.Control of the pressure of the brush 11 against the substrate W may be, for example, stroke control, pressure or load control. Specifically, the brush drive unit 135 moves the brush a predetermined distance (for example, several 100 μm or less) after the tip (lower end) of the brush 11 contacts the back surface Wb (upper surface) of the substrate W. (11) can also be lowered. Additionally, the brush driving unit 135 may lower the brush 11 until the pressure or load of the brush 11 with respect to the substrate W reaches a predetermined value.

처리액 공급부(20)는, 노즐(21)과, 처리액 공급 기구(23)를 갖는다. 노즐(21)은, 기판(W)의 이면(Wb)(상면)에 처리액을 토출한다. 상세하게는, 노즐(21)은, 회전 중인 기판(W)의 이면(Wb)(상면)에 처리액을 토출한다. 노즐(21)이 토출하는 처리액의 종류는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 실시 형태에서는, 린스액이다. 처리액 공급 기구(23)는, 처리액이 통과하는 공급 배관(231)과, 공급 배관(231)을 개폐하는 밸브(233)를 갖는다. 공급 배관(231)은, 처리액이 유통하는 관형상 부재이다. 또한, 처리액 공급부(20)는, 노즐(21)을 수평 방향, 및/또는, 상하 방향으로 이동시키는 구동 기구(도시하지 않음)를 가져도 된다.The processing liquid supply unit 20 has a nozzle 21 and a processing liquid supply mechanism 23. The nozzle 21 discharges the processing liquid onto the back surface Wb (upper surface) of the substrate W. In detail, the nozzle 21 discharges the processing liquid onto the back surface Wb (upper surface) of the rotating substrate W. The type of processing liquid discharged by the nozzle 21 is not particularly limited, but in this embodiment, it is a rinse liquid. The processing liquid supply mechanism 23 has a supply pipe 231 through which the processing liquid passes, and a valve 233 that opens and closes the supply pipe 231. The supply pipe 231 is a tubular member through which the treatment liquid flows. Additionally, the processing liquid supply unit 20 may have a drive mechanism (not shown) that moves the nozzle 21 in the horizontal direction and/or the vertical direction.

가드(8) 각각은, 대략 통형상을 갖는다. 복수의 가드(8)는, 기판(W)으로부터 배출된 처리액을 받는다.Each guard 8 has a substantially cylindrical shape. The plurality of guards 8 receive the processing liquid discharged from the substrate W.

가스 공급부(30)는, 스핀 플레이트(31)의 상면(31a)과, 기판(W)의 표면(Wa)(하면) 사이의 공간(S)에 처리 가스를 공급한다. 본 실시 형태에서는, 가스 공급부(30)는, 질소 가스를 공급한다. 또, 본 실시 형태에서는, 가스 공급부(30)는, 스핀 샤프트(33) 내에 처리 가스를 이송함으로써, 스핀 플레이트(31)의 상면(31a)과, 기판(W)의 표면(Wa)(하면) 사이의 공간(S)에 처리 가스를 공급한다. 또, 가스 공급부(30)는, 공간(S)에 보내는 가스의 유량을 조절 가능한 밸브(301)를 갖는다.The gas supply unit 30 supplies processing gas to the space S between the upper surface 31a of the spin plate 31 and the surface Wa (lower surface) of the substrate W. In this embodiment, the gas supply unit 30 supplies nitrogen gas. Additionally, in this embodiment, the gas supply unit 30 transfers the processing gas into the spin shaft 33, thereby forming the upper surface 31a of the spin plate 31 and the surface Wa (lower surface) of the substrate W. Process gas is supplied to the space (S) in between. Additionally, the gas supply unit 30 has a valve 301 capable of adjusting the flow rate of gas sent to the space S.

다음에, 도 3~도 7을 참조하여, 스핀 척(3)의 상세 구조에 대해 설명한다. 도 5는, 본 실시 형태의 스핀 베이스(SB)의 구조를 나타내는 사시도이다. 도 6은, 본 실시 형태의 스핀 베이스(SB) 주변의 구조를 나타내는 단면도이다. 도 7은, 본 실시 형태의 척 핀(37) 주변의 구조를 나타내는 단면도이다.Next, referring to FIGS. 3 to 7, the detailed structure of the spin chuck 3 will be described. Fig. 5 is a perspective view showing the structure of the spin base SB of this embodiment. Figure 6 is a cross-sectional view showing the structure around the spin base SB of this embodiment. Fig. 7 is a cross-sectional view showing the structure around the chuck pin 37 of this embodiment.

도 3에 나타내는 바와 같이, 스핀 플레이트(31)는, 삽입 구멍(31b)을 갖는다. 삽입 구멍(31b)은, 스핀 플레이트(31)의 중앙부에 형성되어 있다. 삽입 구멍(31b)에는, 스핀 샤프트(33)가 삽입되어 있다. 스핀 샤프트(33) 중 삽입 구멍(31b) 내에 배치된 부분(스핀 샤프트(33)의 상부)과, 스핀 플레이트(31)에 의해, 스핀 베이스(SB)가 구성되어 있다.As shown in FIG. 3, the spin plate 31 has an insertion hole 31b. The insertion hole 31b is formed in the central part of the spin plate 31. The spin shaft 33 is inserted into the insertion hole 31b. The spin base SB is formed by the portion of the spin shaft 33 disposed in the insertion hole 31b (the upper part of the spin shaft 33) and the spin plate 31.

스핀 샤프트(33)는, 샤프트부(33a)와, 샤프트부(33a)의 상단에 접속되는 원판형상의 플레이트부(33b)를 갖는다. 스핀 샤프트(33)는, 샤프트부(33a)를 길이 방향으로 관통하는 관통 구멍(33c)을 갖는다. 관통 구멍(33c) 내에는, 처리 유닛(1)이 구비하는 가스 공급관(40)이 배치된다.The spin shaft 33 has a shaft portion 33a and a disk-shaped plate portion 33b connected to the upper end of the shaft portion 33a. The spin shaft 33 has a through hole 33c that penetrates the shaft portion 33a in the longitudinal direction. The gas supply pipe 40 included in the processing unit 1 is disposed within the through hole 33c.

스핀 샤프트(33) 및 스핀 플레이트(31)는, 제1 회전축선(AX1)을 중심으로 하여 회전하는 한편, 가스 공급관(40)은, 회전하지 않는다.The spin shaft 33 and the spin plate 31 rotate around the first rotation axis AX1, while the gas supply pipe 40 does not rotate.

가스 공급관(40)의 하단은, 가스 공급부(30)(도 2 참조)에 접속된다. 가스 공급관(40)의 상단은, 플레이트부(33b)까지 연장되어 있다. 플레이트부(33b)의 상면(33d)에는, 관통 구멍(33c)에 접속된 복수(여기에서는 8개)의 가스 토출구(33e)가 형성되어 있다. 또한, 가스 토출구(33e)는, 본 발명의 「기체 토출구」의 일례이다. 복수의 가스 토출구(33e)는, 제1 회전축선(AX1)을 중심으로 하여 등각도 간격으로 배치되어 있다. 또한, 가스 토출구(33e)의 수는, 특별히 한정되는 것은 아니고, 1개여도 되고, 복수여도 된다.The lower end of the gas supply pipe 40 is connected to the gas supply unit 30 (see FIG. 2). The upper end of the gas supply pipe 40 extends to the plate portion 33b. A plurality of gas discharge ports 33e (eight here) connected to through holes 33c are formed on the upper surface 33d of the plate portion 33b. Additionally, the gas discharge port 33e is an example of a “gas discharge port” of the present invention. The plurality of gas discharge ports 33e are arranged at equal angular intervals with the first rotation axis AX1 as the center. Additionally, the number of gas discharge ports 33e is not particularly limited, and may be one or plural.

가스 공급부(30)로부터 가스 공급관(40)으로 이송된 가스는, 가스 공급관(40)을 통과하여, 가스 토출구(33e)로부터 토출된다. 즉, 가스 공급관(40)을 통과한 가스는, 스핀 플레이트(31)의 상면(31a)과, 기판(W)의 표면(Wa)(하면) 사이의 공간(S)에 공급된다. 복수의 가스 토출구(33e)로부터 공간(S)으로, 매분 수십리터 이상의 가스가 토출된다. 복수의 가스 토출구(33e)로부터 공간(S)으로, 매분 100리터 이상의 가스가 토출되는 것이 바람직하다.The gas transferred from the gas supply unit 30 to the gas supply pipe 40 passes through the gas supply pipe 40 and is discharged from the gas discharge port 33e. That is, the gas that has passed through the gas supply pipe 40 is supplied to the space S between the upper surface 31a of the spin plate 31 and the surface Wa (lower surface) of the substrate W. Tens of liters or more of gas is discharged from the plurality of gas discharge ports 33e into the space S every minute. It is preferable that 100 liters or more of gas is discharged per minute from the plurality of gas discharge ports 33e into the space S.

스핀 베이스(SB)는, 시일 부재(39)를 갖는다. 시일 부재(39)는, 예를 들면, O링이다. 시일 부재(39)는, 스핀 샤프트(33)의 외주면과 스핀 플레이트(31)의 내주면의 간극을 시일한다. 따라서, 공간(S)에 공급된 가스가, 스핀 샤프트(33)와 스핀 플레이트(31)의 간극으로부터 새는 것을 억제할 수 있다.Spin base SB has a seal member 39. The seal member 39 is, for example, an O-ring. The seal member 39 seals the gap between the outer peripheral surface of the spin shaft 33 and the inner peripheral surface of the spin plate 31. Therefore, the gas supplied to the space S can be prevented from leaking from the gap between the spin shaft 33 and the spin plate 31.

여기서, 본 실시 형태에서는, 스핀 베이스(SB)는, 주연부(Ra)와, 주연부(Ra)에 대해 경방향(RD)의 내측에 배치되는 중앙부(Rb)를 갖는다. 스핀 베이스(SB)의 주연부(Ra)는, 스핀 플레이트(31)의 주연부와 같은 부분이다. 스핀 베이스(SB)의 중앙부(Rb)는, 스핀 플레이트(31)의 중앙부와, 스핀 샤프트(33)의 상부에 의해 구성된다.Here, in this embodiment, the spin base SB has a peripheral portion Ra and a central portion Rb disposed inside the peripheral portion Ra in the radial direction RD. The peripheral portion Ra of the spin base SB is the same portion as the peripheral portion of the spin plate 31. The central portion Rb of the spin base SB is formed by the central portion of the spin plate 31 and the upper portion of the spin shaft 33.

도 3~도 5에 나타내는 바와 같이, 스핀 베이스(SB)는, 주연부(Ra)에 배치되는 복수의 제1 오목부(311) 및 복수의 제2 오목부(313)를 갖는다. 본 실시 형태에서는, 복수의 제1 오목부(311)는, 제1 회전축선(AX1)을 중심으로 하여 등각도 간격으로 배치된다. 또, 복수의 제2 오목부(313)는, 제2 회전축선(AX2)을 중심으로 하여 등각도 간격으로 배치된다. 또, 제1 오목부(311)와 제2 오목부(313)는, 둘레 방향으로 번갈아 배치된다.3 to 5, the spin base SB has a plurality of first recessed portions 311 and a plurality of second recessed portions 313 disposed on the peripheral portion Ra. In this embodiment, the plurality of first recesses 311 are arranged at equal angular intervals with the first rotation axis AX1 as the center. Additionally, the plurality of second concave portions 313 are arranged at equal angular intervals with the second rotation axis AX2 as the center. Additionally, the first recessed portion 311 and the second recessed portion 313 are alternately arranged in the circumferential direction.

제1 오목부(311)의 깊이는, 제2 오목부(313)의 깊이보다 깊다. 제1 오목부(311) 내에는, 리프트 핀(35)이 배치된다. 리프트 핀(35)은, 기판(W)을 지지하는 지지면(35a)과, 지지면(35a)으로부터 상방으로 돌출되는 볼록부(35b)를 갖는다. 지지면(35a)은, 기판(W)의 중심(제1 회전축선(AX1))을 향해 하방으로 경사진다. 볼록부(35b)는, 기판(W)이 경방향(RD)의 외측으로 이동하는 것을 규제한다.The depth of the first concave portion 311 is deeper than the depth of the second concave portion 313. Within the first concave portion 311, a lift pin 35 is disposed. The lift pin 35 has a support surface 35a that supports the substrate W, and a convex portion 35b that protrudes upward from the support surface 35a. The support surface 35a is inclined downward toward the center of the substrate W (first rotation axis AX1). The convex portion 35b restricts the substrate W from moving outward in the radial direction RD.

처리 유닛(1)은 핀 승강 기구(50)를 추가로 구비하고, 핀 승강 기구(50)는, 리프트 핀(35)을 상하로 승강한다. 핀 승강 기구(50)는, 예를 들면, 모든 리프트 핀(35)에 대해 1개만 설치되어 있어도 되고, 리프트 핀(35)마다 설치되어 있어도 된다. 핀 승강 기구(50)는, 예를 들면, 볼나사 기구와 볼나사 기구에 구동력을 부여하는 모터를 포함한다. 구체적으로는, 핀 승강 기구(50)가 리프트 핀(35)을 상하로 승강함으로써, 리프트 핀(35)은, 제1 높이 위치(P1)(도 3의 위치)와, 제2 높이 위치(P2)(도 6의 위치) 사이에서 기판(W)을 승강한다. 제2 높이 위치(P2)는, 제1 높이 위치(P1)보다 낮다. 기판(W)이 제1 높이 위치(P1)에 배치된 상태에서는, 기판(W)과 스핀 베이스(SB)의 간극(공간(S))에는, 센터 로봇(CR)의 핸드(H)를 삽입 가능하다. 그 반면, 기판(W)이 제2 높이 위치(P2)에 배치된 상태에서는, 기판(W)과 스핀 베이스(SB)의 간극(공간(S))에는, 핸드(H)는 삽입할 수 없다. 또한, 리프트 핀(35)은, 후술하는 바와 같이, 리프트 핀(35)의 하면(35c)이 제1 오목부(311)의 저면(311a)에 맞닿은 상태에서, 제2 높이 위치(P2)에 배치된 기판(W)의 표면(Wa)(하면)으로부터 이격한다.The processing unit 1 is further equipped with a pin lifting mechanism 50, and the pin lifting mechanism 50 raises and lowers the lift pin 35 up and down. For example, only one pin lifting mechanism 50 may be provided for all lift pins 35 or may be provided for each lift pin 35 . The pin lifting mechanism 50 includes, for example, a ball screw mechanism and a motor that provides driving force to the ball screw mechanism. Specifically, when the pin lifting mechanism 50 raises and lowers the lift pin 35 up and down, the lift pin 35 moves to a first height position P1 (position in FIG. 3) and a second height position P2. ) (position in FIG. 6) to raise and lower the substrate W. The second height position P2 is lower than the first height position P1. In the state where the board W is placed at the first height position P1, the hand H of the center robot CR is inserted into the gap (space S) between the board W and the spin base SB. possible. On the other hand, when the substrate W is placed at the second height position P2, the hand H cannot be inserted into the gap (space S) between the substrate W and the spin base SB. . In addition, as will be described later, the lift pin 35 is at the second height position P2 with the lower surface 35c of the lift pin 35 in contact with the bottom surface 311a of the first concave portion 311. It is spaced apart from the surface Wa (lower surface) of the disposed substrate W.

도 4에 나타내는 바와 같이, 제2 오목부(313) 내에는, 복수의 척 핀(37)이 배치된다. 복수의 척 핀(37)은, 제2 높이 위치(P2)에서 기판(W)을 수평으로 파지하도록 구성되어 있다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 복수의 척 핀(37)은, 기판(W)을 파지할 때에 기판(W)에 맞닿는 접촉면(372a)과, 접촉면(372a)의 하단으로부터 대략 수평으로 연장되는 대향면(371a)을 갖는다. 구체적으로는, 척 핀(37)은, 제2 오목부(313) 내에 배치되는 핀 본체(371)와, 핀 본체(371)로부터 상방으로 돌출되는 볼록부(372)를 갖는다. 핀 본체(371)는, 대략 원기둥 형상으로 형성되어 있다. 따라서, 핀 본체(371)는, 제2 오목부(313) 내에서 회전 가능하다. 핀 본체(371)는, 대향면(371a)을 갖는다. 대향면(371a)은, 핀 본체(371)의 상면이다. 대향면(371a)은, 복수의 척 핀(37)이 기판(W)을 파지한 상태에서, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)에 대향한다.As shown in FIG. 4 , a plurality of chuck pins 37 are disposed within the second concave portion 313 . The plurality of chuck pins 37 are configured to horizontally hold the substrate W at the second height position P2. As shown in FIG. 7, the plurality of chuck pins 37 have a contact surface 372a that contacts the substrate W when holding the substrate W, and an opposing surface extending substantially horizontally from the lower end of the contact surface 372a. It has (371a). Specifically, the chuck pin 37 has a pin body 371 disposed within the second concave portion 313 and a convex portion 372 protruding upward from the pin body 371. The pin body 371 is formed in a substantially cylindrical shape. Accordingly, the pin body 371 is rotatable within the second concave portion 313. The pin body 371 has an opposing surface 371a. The opposing surface 371a is the upper surface of the pin body 371. The opposing surface 371a faces the surface Wa (lower surface) of the substrate W in a state in which the plurality of chuck pins 37 grip the substrate W.

볼록부(372)는, 대향면(371a)으로부터 상방으로 돌출된다. 볼록부(372)는, 기판(W)의 주연부에 맞닿는 접촉면(372a)을 갖는다. 접촉면(372a)의 형상은, 기판(W)을 파지하는 것이 가능하다면, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 실시 형태에서는, く자 형상(V자 형상이라고도 한다)으로 형성되어 있다. 구체적으로는, 접촉면(372a)은, 기판(W)을 상측으로부터 하측으로 압압하는 상측면(372b)과, 기판(W)을 하측으로부터 상측으로 압압하는 하측면(372c)을 갖는다. 상측면(372b)은, 기판(W)의 중앙측을 향해 상향으로 경사진다. 하측면(372c)은, 기판(W)의 중앙측을 향해 하향으로 경사진다.The convex portion 372 protrudes upward from the opposing surface 371a. The convex portion 372 has a contact surface 372a that abuts the peripheral portion of the substrate W. The shape of the contact surface 372a is not particularly limited as long as it is possible to hold the substrate W, but in this embodiment, it is formed in a U-shape (also referred to as a V-shape). Specifically, the contact surface 372a has an upper side 372b that presses the substrate W from the top to the bottom, and a lower side 372c that presses the substrate W from the bottom to the top. The upper side surface 372b is inclined upward toward the center side of the substrate W. The lower side 372c slopes downward toward the center of the substrate W.

처리 유닛(1)은, 핀 회전 기구(60)(도 4 참조)를 추가로 구비한다. 핀 회전 기구(60)는, 제3 회전축선(AX3)을 중심으로 하여 척 핀(37)을 회전시킨다. 핀 회전 기구(60)는, 예를 들면, 모든 척 핀(37)에 대해 1개만 설치되어 있어도 되고, 척 핀(37)마다 설치되어 있어도 된다. 핀 회전 기구(60)는, 예를 들면, 스테핑 모터를 포함한다. 볼록부(372)는, 제3 회전축선(AX3)으로부터 어긋난 위치에 배치되어 있고, 척 핀(37)이 회전됨으로써, 볼록부(372)는 기판(W)의 경방향(RD)으로 약간 이동한다. 척 핀(37)은, 기판(W)을 파지하지 않을 때에 볼록부(372)가 기판(W)으로부터 이격하도록 형성되어 있다. 척 핀(37)은, 기판(W)을 파지할 때에 볼록부(372)가 기판(W)에 맞닿도록 형성되어 있다. 또, 척 핀(37)은, 기판(W)을 파지할 때에 접촉면(372a)이 기판(W)의 경방향(RD)의 내측을 향하도록 형성되어 있다.The processing unit 1 is further equipped with a pin rotation mechanism 60 (see FIG. 4). The pin rotation mechanism 60 rotates the chuck pin 37 around the third rotation axis AX3. For example, only one pin rotation mechanism 60 may be provided for all the chuck pins 37 or may be provided for each chuck pin 37 . The pin rotation mechanism 60 includes, for example, a stepping motor. The convex portion 372 is disposed at a position offset from the third rotation axis AX3, and when the chuck pin 37 is rotated, the convex portion 372 moves slightly in the radial direction RD of the substrate W. do. The chuck pin 37 is formed so that the convex portions 372 are spaced apart from the substrate W when the substrate W is not held. The chuck pin 37 is formed so that the convex portion 372 comes into contact with the substrate W when holding the substrate W. Additionally, the chuck pin 37 is formed so that the contact surface 372a faces the inside of the radial direction RD of the substrate W when gripping the substrate W.

다음에, 도 7~도 9를 참조하여, 스핀 베이스(SB) 및 척 핀(37)의 상세 구조에 대해 추가로 설명한다. 도 8은, 본 실시 형태의 척 핀(37)에 의해 협지된 기판(W)이 상방향으로 볼록 형상으로 변형된 상태를 나타내는 단면도이다. 도 9는, 본 실시 형태의 브러시(11)를, 상방향으로 볼록 형상으로 변형된 기판(W)에 대해 압압한 상태를 나타내는 단면도이다.Next, with reference to FIGS. 7 to 9 , the detailed structures of the spin base SB and the chuck pin 37 will be further described. FIG. 8 is a cross-sectional view showing a state in which the substrate W held by the chuck pin 37 of the present embodiment is deformed upward into a convex shape. Fig. 9 is a cross-sectional view showing the state in which the brush 11 of this embodiment is pressed against the substrate W deformed into a convex shape in the upward direction.

도 7에 나타내는 바와 같이, 복수의 척 핀(37)이 기판(W)을 파지한 상태에서, 대향면(371a)은, 스핀 베이스(SB)의 주연부(Ra)의 상면(Ra1)에 인접하고, 또한, 스핀 베이스(SB)의 주연부(Ra)의 상면(Ra1)과 대략 같은 높이에 배치된다. 대향면(371a)은, 접촉면(372a)의 하단으로부터 대략 수평으로 연장되기 때문에, 대향면(371a)과 기판(W)의 표면(Wa)(하면)의 간극은 작다. 또, 주연부(Ra)의 상면(Ra1)은, 대향면(371a)과 대략 같은 높이에 배치되기 때문에, 주연부(Ra)의 상면(Ra1)과 기판(W)의 표면(Wa)(하면)의 간극도 작다. 따라서, 가스 토출구(33e)로부터 스핀 플레이트(31)의 상면(31a)과 기판(W)의 표면(Wa)(하면) 사이의 공간(S)으로 공급된 가스는, 공간(S)의 외부로 배출되기 어렵다. 따라서, 공간(S) 내의 가스압이 높아진다. 이 때문에, 기판(W)의 이면(Wb)(상면)에 대해 브러시(11)를 강한 압력으로 압압한 경우에도, 기판(W)이 하방향으로 볼록 형상으로 변형되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 기판(W)이 갈라지거나, 기판(W)의 디바이스 형성면인 표면(Wa)(하면)이 스핀 베이스(SB)에 접촉하거나 하는 것을 억제할 수 있다.As shown in FIG. 7, in a state where the plurality of chuck pins 37 are holding the substrate W, the opposing surface 371a is adjacent to the upper surface Ra1 of the peripheral portion Ra of the spin base SB. , Also, it is disposed at approximately the same height as the upper surface Ra1 of the peripheral part Ra of the spin base SB. Since the opposing surface 371a extends substantially horizontally from the lower end of the contact surface 372a, the gap between the opposing surface 371a and the surface Wa (lower surface) of the substrate W is small. In addition, since the upper surface Ra1 of the peripheral part Ra is disposed at approximately the same height as the opposing surface 371a, the upper surface Ra1 of the peripheral part Ra and the surface Wa (lower surface) of the substrate W are The gap is also small. Therefore, the gas supplied from the gas discharge port 33e to the space S between the upper surface 31a of the spin plate 31 and the surface Wa (lower surface) of the substrate W is discharged to the outside of the space S. It is difficult to discharge. Accordingly, the gas pressure in the space S increases. For this reason, even when the brush 11 is pressed against the back surface Wb (upper surface) of the substrate W with strong pressure, the substrate W can be prevented from deforming into a convex shape in the downward direction. Accordingly, it is possible to prevent the substrate W from cracking or the surface Wa (lower surface), which is the device formation surface of the substrate W, from contacting the spin base SB.

본 실시 형태에 있어서, 대향면(371a)이 상면(Ra1)과 대략 같은 높이에 배치된다는 것은, 대향면(371a)의 높이와 상면(Ra1)의 높이의 차가, 0.3mm 이하인 것을 의미한다. 대향면(371a)의 높이와 상면(Ra1)의 높이의 차는, 0.2mm 이하인 것이 바람직하고, 0.1mm 이하인 것이 보다 바람직하다.In this embodiment, the fact that the opposing surface 371a is disposed at approximately the same height as the upper surface Ra1 means that the difference between the height of the opposing surface 371a and the height of the upper surface Ra1 is 0.3 mm or less. The difference between the height of the opposing surface 371a and the height of the upper surface Ra1 is preferably 0.2 mm or less, and more preferably 0.1 mm or less.

본 실시 형태에서는, 도 8 및 도 9에 나타내는 바와 같이, 기판(W)이 상방향으로 볼록 형상으로 변형된 상태에서, 세정 기구(10)는, 기판(W)의 이면(Wb)(상면)을 세정한다. 따라서, 기판(W)의 이면(Wb)(상면)에 대해 브러시(11)를 강한 압력으로 압압한 경우에도, 기판(W)이 갈라지거나, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)이 스핀 베이스(SB)에 접촉하거나 하는 것을 보다 억제할 수 있다.In this embodiment, as shown in FIGS. 8 and 9, in a state in which the substrate W is deformed upward into a convex shape, the cleaning mechanism 10 operates on the back surface Wb (top surface) of the substrate W. Clean. Therefore, even when the brush 11 is pressed against the back surface Wb (upper surface) of the substrate W with strong pressure, the substrate W may crack or the surface Wa (lower surface) of the substrate W may be damaged. Contact with the spin base SB can be further suppressed.

또, 본 실시 형태에서는, 가스 토출구(33e)로부터 매분 100리터 이상의 가스를 공급하면서, 세정 기구(10)에 의해 기판(W)의 이면(Wb)(상면)을 세정한다. 이와 같이, 가스 토출구(33e)로부터 매분 100리터 이상의 가스를 공급함으로써, 기판(W)은, 상방향으로 볼록 형상으로 변형된다. 따라서, 기판(W)의 이면(Wb)(상면)에 대해 브러시(11)를 강한 압력으로 압압한 경우에도, 기판(W)이 갈라지거나, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)이 스핀 베이스(SB)에 접촉하거나 하는 것을 용이하게 억제할 수 있다.Additionally, in this embodiment, the back side Wb (upper surface) of the substrate W is cleaned by the cleaning mechanism 10 while supplying 100 liters or more of gas per minute from the gas discharge port 33e. In this way, by supplying 100 liters or more of gas per minute from the gas discharge port 33e, the substrate W is deformed upward into a convex shape. Therefore, even when the brush 11 is pressed against the back surface Wb (upper surface) of the substrate W with strong pressure, the substrate W may crack or the surface Wa (lower surface) of the substrate W may be damaged. Contact with the spin base SB can be easily suppressed.

도 7에 나타내는 바와 같이, 척 핀(37)이 기판(W)을 파지한 상태에서, 스핀 베이스(SB)의 주연부(Ra)의 상면(Ra1)과, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)의 거리(L1)는, 2mm 이하이다. 척 핀(37)이 기판(W)을 파지한 상태에서, 거리(L1)는, 1mm 이하인 것이 바람직하다. 본 실시 형태에서는, 척 핀(37)이 기판(W)을 파지한 상태에서, 거리(L1)는, 약 0.5mm이다. 스핀 베이스(SB)의 주연부(Ra)의 상면(Ra1)과, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)의 거리(L1)를, 2mm 이하로 함으로써, 가스 토출구(33e)로부터 공간(S)으로 공급된 가스를, 용이하게, 공간(S)의 외부로 배출되기 어렵게 할 수 있다. 따라서, 공간(S) 내의 기압을 용이하게 높게 할 수 있다. 또한, 거리(L1)를 1mm 이하로 함으로써, 가스 토출구(33e)로부터 공간(S)으로 공급된 가스를, 더욱 공간(S)의 외부로 배출되기 어렵게 할 수 있다. 따라서, 공간(S) 내의 기압을 더욱 높게 할 수 있다.As shown in FIG. 7, in a state in which the chuck pin 37 holds the substrate W, the upper surface Ra1 of the peripheral portion Ra of the spin base SB and the surface Wa of the substrate W ( The distance L1 of the lower surface is 2 mm or less. In a state where the chuck pin 37 holds the substrate W, the distance L1 is preferably 1 mm or less. In this embodiment, with the chuck pin 37 holding the substrate W, the distance L1 is about 0.5 mm. By setting the distance L1 between the upper surface Ra1 of the peripheral part Ra of the spin base SB and the surface Wa (lower surface) of the substrate W to 2 mm or less, the space S from the gas discharge port 33e ) can be easily made difficult to discharge to the outside of the space (S). Therefore, the air pressure within the space S can be easily increased. Additionally, by setting the distance L1 to 1 mm or less, it is possible to make it more difficult for the gas supplied to the space S from the gas discharge port 33e to be discharged outside the space S. Therefore, the air pressure within the space S can be further increased.

또, 본 실시 형태에서는, 스핀 베이스(SB)의 중앙부(Rb)의 상면(Rb1)은, 주연부(Ra)의 상면(Ra1)보다 낮은 위치에 배치된다. 따라서, 기판(W)에 하향으로 볼록 형상의 휨이 발생하고 있는 경우에도, 기판(W)의 표면(Wa)이 스핀 플레이트(31)(스핀 베이스(SB))에 접촉하는 것을 억제할 수 있다.Moreover, in this embodiment, the upper surface Rb1 of the central part Rb of the spin base SB is disposed at a lower position than the upper surface Ra1 of the peripheral part Ra. Therefore, even when downward convex bending occurs in the substrate W, the surface Wa of the substrate W can be prevented from contacting the spin plate 31 (spin base SB). .

구체적으로는, 주연부(Ra)는, 대략 수평으로 연장되는 상면(Ra1)과, 경사면(Ra2)을 갖는다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 제1 회전축선(AX1)과 제3 회전축선(AX3)을 통과하는 단면에 있어서, 상면(Ra1)의 길이(LRa1)는, 0.5mm 이상인 것이 바람직하고, 1mm 이상인 것이 보다 바람직하다. 본 실시 형태에서는, 길이(LRa1)는, 1mm 이상, 2mm 이하이다.Specifically, the peripheral portion Ra has an upper surface Ra1 extending substantially horizontally and an inclined surface Ra2. As shown in FIG. 7, in the cross section passing through the first rotation axis AX1 and the third rotation axis AX3, the length LRa1 of the upper surface Ra1 is preferably 0.5 mm or more, and is 1 mm or more. It is more desirable. In this embodiment, the length LRa1 is 1 mm or more and 2 mm or less.

경사면(Ra2)은, 상면(Ra1)과 중앙부(Rb)의 상면(Rb1)을 접속한다. 경사면(Ra2)의 수평면에 대한 경사 각도(θRa2)는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 45도 이하인 것이 바람직하다. 경사 각도(θRa2)를 45도 이하로 함으로써, 공간(S)의 가스가, 주연부(Ra)의 상면(Ra1)과 기판(W)의 표면(Wa)의 간극에 원활하게 흐른다. 또, 경사 각도(θRa2)는, 20도 이상인 것이 바람직하다. 경사 각도(θRa2)를 20도 이상으로 함으로써, 중앙부(Rb)를 기판(W)의 주연에 접근시킬 수 있다. 바꾸어 말하면, 스핀 플레이트(31)(스핀 베이스(SB))의 상면(31a)을, 기판(W)의 주연에 가까운 부분으로부터 움푹 들어가게 할 수 있다. 따라서, 기판(W)에 하향으로 볼록 형상의 휨이 발생하고 있는 경우에도, 기판(W)의 표면(Wa)이 스핀 플레이트(31)(스핀 베이스(SB))에 접촉하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.The inclined surface Ra2 connects the upper surface Ra1 and the upper surface Rb1 of the central portion Rb. The inclination angle θRa2 of the inclined surface Ra2 with respect to the horizontal plane is not particularly limited, but is preferably 45 degrees or less. By setting the inclination angle θRa2 to 45 degrees or less, the gas in the space S flows smoothly through the gap between the upper surface Ra1 of the peripheral portion Ra and the surface Wa of the substrate W. Moreover, it is preferable that the inclination angle θRa2 is 20 degrees or more. By setting the inclination angle θRa2 to 20 degrees or more, the central portion Rb can be brought closer to the periphery of the substrate W. In other words, the upper surface 31a of the spin plate 31 (spin base SB) can be recessed from a portion close to the periphery of the substrate W. Therefore, even when downward convex bending occurs in the substrate W, it is possible to effectively prevent the surface Wa of the substrate W from contacting the spin plate 31 (spin base SB). there is.

또, 본 실시 형태에서는, 도 3 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 중앙부(Rb)의 상면(Rb1)은, 가스 토출구(33e)가 형성된 평탄면이다. 바꾸어 말하면, 스핀 플레이트(31)의 상면(31a)과, 스핀 샤프트(33)의 플레이트부(33b)의 상면(33d)은 단차가 없으며, 플레이트부(33b)의 상면(33d)에는, 가스 토출구(33e)가 형성되어 있다. 이와 같이, 중앙부(Rb)의 상면(Rb1)을, 가스 토출구(33e)가 형성된 평탄면으로 함으로써, 예를 들면, 가스 토출구(33e)를 상면(Rb1)에 대해 상방에 형성하는 경우에 비해, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)이 중앙부(Rb)에 접촉하는 것을 억제할 수 있다.In addition, in this embodiment, as shown in FIGS. 3 and 5, the upper surface Rb1 of the central portion Rb is a flat surface on which the gas discharge port 33e is formed. In other words, there is no step between the upper surface 31a of the spin plate 31 and the upper surface 33d of the plate portion 33b of the spin shaft 33, and the upper surface 33d of the plate portion 33b has a gas discharge port. (33e) is formed. In this way, by making the upper surface Rb1 of the central portion Rb a flat surface on which the gas outlet 33e is formed, for example, compared to the case where the gas outlet 33e is formed above the upper surface Rb1, It is possible to prevent the surface Wa (lower surface) of the substrate W from contacting the central portion Rb.

또, 도 7에 나타내는 바와 같이, 척 핀(37)이 기판(W)을 파지한 상태에서, 스핀 베이스(SB)의 중앙부(Rb)의 상면(Rb1)과, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)의 거리(L2)는, 3mm 이하이다. 척 핀(37)이 기판(W)을 파지한 상태에서, 거리(L2)는, 2mm 이하인 것이 바람직하다. 본 실시 형태에서는, 척 핀(37)이 기판(W)을 파지한 상태에서, 거리(L2)는, 약 1.0 m이다.Additionally, as shown in FIG. 7 , in a state in which the chuck pin 37 holds the substrate W, the upper surface Rb1 of the central portion Rb of the spin base SB and the surface Wa of the substrate W ) (lower surface) distance L2 is 3 mm or less. In a state where the chuck pin 37 holds the substrate W, the distance L2 is preferably 2 mm or less. In this embodiment, with the chuck pin 37 holding the substrate W, the distance L2 is about 1.0 m.

다음에, 도 10을 참조하여, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 방법을 설명한다. 또, 기판 처리 방법의 설명에 있어서, 도 1~도 9가 적절히 참조된다. 기판 처리 방법은, 기판 처리 장치(100)에 의해 실행된다. 도 10은, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 나타내는 플로차트이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 방법은, 공정 S1~공정 S13을 포함한다.Next, with reference to FIG. 10, a substrate processing method according to this embodiment will be described. In addition, in the description of the substrate processing method, FIGS. 1 to 9 are appropriately referred to. The substrate processing method is executed by the substrate processing apparatus 100 . Fig. 10 is a flowchart showing the substrate processing method of this embodiment. As shown in FIG. 10 , the substrate processing method includes steps S1 to S13.

공정 S1에 있어서, 제어부(102)는, 로드 포트(LP)로부터 기판(W)을 처리 유닛(1)으로 반입하도록, 인덱서 로봇(IR) 및 센터 로봇(CR)을 제어한다. 그 결과, 기판(W)은, 로드 포트(LP)로부터 처리 유닛(1)으로 반입된다. 이때, 기판(W)의 하면(여기에서는 표면(Wa))은, 센터 로봇(CR)의 핸드(H)에 지지된다.In step S1, the control unit 102 controls the indexer robot IR and the center robot CR so as to load the substrate W into the processing unit 1 from the load port LP. As a result, the substrate W is brought into the processing unit 1 from the load port LP. At this time, the lower surface (here surface Wa) of the substrate W is supported by the hand H of the center robot CR.

다음에, 공정 S2에 있어서, 제어부(102)는, 리프트 핀(35)이 기판(W)을 지지하도록, 센터 로봇(CR) 및 리프트 핀(35)을 제어한다. 구체적으로는, 리프트 핀(35)이 상승한 위치에 배치된 상태에서, 핸드(H)가 스핀 베이스(SB)의 상방으로부터 하강된다. 그리고, 기판(W)의 하면이 리프트 핀(35)의 지지면(35a)에 배치되고, 핸드(H)가 기판(W)의 하면으로부터 이격한다. 그 결과, 기판(W)이 리프트 핀(35)에 의해 지지된다. 또한, 기판(W)은, 제1 높이 위치(P1)에 있어서, 핸드(H)로부터 리프트 핀(35)에 수도(受渡)된다(도 3 참조).Next, in step S2, the control unit 102 controls the center robot CR and the lift pin 35 so that the lift pin 35 supports the substrate W. Specifically, with the lift pin 35 disposed in an elevated position, the hand H is lowered from above the spin base SB. Then, the lower surface of the substrate W is placed on the support surface 35a of the lift pin 35, and the hand H is spaced apart from the lower surface of the substrate W. As a result, the substrate W is supported by the lift pins 35. Additionally, the substrate W is delivered from the hand H to the lift pin 35 at the first height position P1 (see Fig. 3).

다음에, 공정 S3에 있어서, 제어부(102)는, 척 핀(37)이 기판(W)을 협지하도록, 리프트 핀(35) 및 척 핀(37)을 제어한다. 구체적으로는, 리프트 핀(35)은, 기판(W)을 지지한 상태에서 하강된다(도 6 참조). 이때, 리프트 핀(35)은, 기판(W)이 제2 높이 위치(P2)가 되었을 때에, 하강이 정지된다. 이 상태에서, 척 핀(37)은, 제3 회전축선(AX3)을 중심으로 하여 회전된다. 이에 의해, 척 핀(37)의 접촉면(372a)이 기판(W)의 주연부에 맞닿아, 척 핀(37)이 기판(W)을 협지한다(도 4 참조). 그리고, 리프트 핀(35)이 약간 더 하강된다. 이에 의해, 리프트 핀(35)의 지지면(35a)이 기판(W)으로부터 이격한다. 또한, 기판(W)은, 제2 높이 위치(P2)에 있어서, 척 핀(37)에 의해 협지된다.Next, in step S3, the control unit 102 controls the lift pin 35 and the chuck pin 37 so that the chuck pin 37 clamps the substrate W. Specifically, the lift pins 35 are lowered while supporting the substrate W (see Fig. 6). At this time, the lift pin 35 stops falling when the substrate W reaches the second height position P2. In this state, the chuck pin 37 is rotated around the third rotation axis AX3. As a result, the contact surface 372a of the chuck pin 37 comes into contact with the peripheral portion of the substrate W, and the chuck pin 37 clamps the substrate W (see FIG. 4). Then, the lift pin 35 is lowered slightly further. As a result, the support surface 35a of the lift pin 35 is separated from the substrate W. Additionally, the substrate W is held by the chuck pin 37 at the second height position P2.

다음에, 공정 S4에 있어서, 제어부(102)는, 스핀 베이스(SB)와 기판(W) 사이의 공간(S)에 가스를 공급하도록, 가스 공급부(30)를 제어한다. 구체적으로는, 가스 공급부(30)의 밸브(301)는, 가스 유로를 연다. 이에 의해, 매분 100리터 이상의 가스가 공간(S) 내에 토출된다. 그리고, 공간(S)의 가스압이 높아져, 기판(W)은 상방향으로 볼록 형상으로 변형된다(도 8 참조).Next, in step S4, the control unit 102 controls the gas supply unit 30 to supply gas to the space S between the spin base SB and the substrate W. Specifically, the valve 301 of the gas supply unit 30 opens the gas flow path. As a result, 100 liters or more of gas is discharged into the space S per minute. Then, the gas pressure in the space S increases, and the substrate W is deformed upward into a convex shape (see FIG. 8).

다음에, 공정 S5에 있어서, 제어부(102)는, 기판(W)의 회전을 개시하도록, 스핀 모터부(5)를 제어한다. 이에 의해, 스핀 척(3)이 기판(W)을 유지한 상태에서 회전한다.Next, in step S5, the control unit 102 controls the spin motor unit 5 to start rotation of the substrate W. As a result, the spin chuck 3 rotates while holding the substrate W.

다음에, 공정 S6에 있어서, 제어부(102)는, 린스액을 기판(W)의 이면(Wb)(상면)에 공급하도록, 처리액 공급부(20)를 제어한다. 구체적으로는, 처리액 공급 기구(23)의 밸브(233)가 공급 배관(231)을 연다. 이에 의해, 노즐(21)로부터 린스액이 기판(W)의 이면(Wb)(상면)으로 토출된다. 이때, 공간(S)의 가스는, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)과 척 핀(37)의 대향면(371a) 사이, 및, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)과 주연부(Ra)의 상면(Ra1) 사이로부터, 경방향(RD)의 외측으로 배출되기 때문에, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)에 린스액이 들어가는 것을 억제할 수 있다.Next, in step S6, the control unit 102 controls the processing liquid supply unit 20 to supply the rinse liquid to the back surface Wb (upper surface) of the substrate W. Specifically, the valve 233 of the processing liquid supply mechanism 23 opens the supply pipe 231. As a result, the rinse liquid is discharged from the nozzle 21 to the back surface Wb (upper surface) of the substrate W. At this time, the gas in the space S is between the surface Wa (lower surface) of the substrate W and the opposing surface 371a of the chuck pin 37, and the surface Wa (lower surface) of the substrate W. Since the rinse liquid is discharged outward in the radial direction RD from between the upper surface Ra1 of the peripheral portion Ra, it is possible to prevent the rinse liquid from entering the surface Wa (lower surface) of the substrate W.

다음에, 공정 S7에 있어서, 제어부(102)는, 브러시(11)가 기판(W)의 이면(Wb)(상면)을 압압하도록, 브러시 이동 기구(13)를 제어한다. 구체적으로는, 브러시 이동 기구(13)는, 브러시(11)를 기판(W)의 상방으로부터 하강시켜, 브러시(11)를 기판(W)의 이면(Wb)(상면)에 압압시킨다(도 9 참조). 이에 의해, 기판(W)의 이면(Wb)(상면)이 세정된다. 기판(W)에 대한 브러시(11)의 압압이 소정 시간 경과하면, 공정 S8로 진행한다.Next, in step S7, the control unit 102 controls the brush moving mechanism 13 so that the brush 11 presses the back surface Wb (upper surface) of the substrate W. Specifically, the brush moving mechanism 13 lowers the brush 11 from above the substrate W and presses the brush 11 against the back surface Wb (upper surface) of the substrate W (FIG. 9 reference). Thereby, the back side Wb (upper surface) of the substrate W is cleaned. When the pressure of the brush 11 on the substrate W has elapsed for a predetermined period of time, the process proceeds to step S8.

다음에, 공정 S8에 있어서, 제어부(102)는, 기판(W)에 대한 브러시(11)의 압압이 해제되도록, 브러시 이동 기구(13)를 제어한다. 구체적으로는, 브러시 이동 기구(13)는, 브러시(11)를 상승시켜, 브러시(11)를 기판(W)으로부터 이격시킨다.Next, in step S8, the control unit 102 controls the brush moving mechanism 13 so that the pressure of the brush 11 on the substrate W is released. Specifically, the brush moving mechanism 13 raises the brush 11 and separates the brush 11 from the substrate W.

다음에, 공정 S9에 있어서, 제어부(102)는, 기판(W)에 대한 린스액의 공급을 정지하도록, 처리액 공급부(20)를 제어한다. 구체적으로는, 처리액 공급 기구(23)의 밸브(233)가 공급 배관(231)을 닫는다. 이에 의해, 노즐(21)로부터 기판(W)으로의 린스액의 토출이 정지된다.Next, in step S9, the control unit 102 controls the processing liquid supply unit 20 to stop supply of the rinse liquid to the substrate W. Specifically, the valve 233 of the processing liquid supply mechanism 23 closes the supply pipe 231. As a result, discharge of the rinse liquid from the nozzle 21 to the substrate W is stopped.

다음에, 공정 S10에 있어서, 제어부(102)는, 기판(W)의 회전을 정지하도록, 스핀 모터부(5)를 제어한다. 이에 의해, 스핀 척(3) 및 기판(W)의 회전이 정지된다.Next, in step S10, the control unit 102 controls the spin motor unit 5 to stop rotation of the substrate W. As a result, the rotation of the spin chuck 3 and the substrate W is stopped.

다음에, 공정 S11에 있어서, 제어부(102)는, 공간(S)으로의 가스의 공급을 정지하도록, 가스 공급부(30)를 제어한다. 구체적으로는, 가스 공급부(30)의 밸브(301)는, 가스 유로를 닫는다. 이에 의해, 공간(S)으로의 가스의 공급이 정지된다.Next, in step S11, the control unit 102 controls the gas supply unit 30 to stop supply of gas to the space S. Specifically, the valve 301 of the gas supply unit 30 closes the gas flow path. As a result, the supply of gas to the space S is stopped.

다음에, 공정 S12에 있어서, 제어부(102)는, 리프트 핀(35)이 기판(W)을 지지하도록, 리프트 핀(35) 및 척 핀(37)을 제어한다. 구체적으로는, 리프트 핀(35)은, 약간 상승된다. 이에 의해, 리프트 핀(35)은, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)에 접촉하고, 또는, 기판(W)의 표면(Wa)(하면)에 근접한다. 그리고, 척 핀(37)은, 제3 회전축선(AX3)을 중심으로 하여 회전된다. 이에 의해, 척 핀(37)에 의한 기판(W)의 협지가 해제되며, 기판(W)은 리프트 핀(35)의 지지면(35a)에 지지된다. 즉, 리프트 핀(35)이 기판(W)을 지지한다.Next, in step S12, the control unit 102 controls the lift pin 35 and the chuck pin 37 so that the lift pin 35 supports the substrate W. Specifically, the lift pin 35 is slightly raised. Thereby, the lift pin 35 contacts the surface Wa (lower surface) of the substrate W, or approaches the surface Wa (lower surface) of the substrate W. Then, the chuck pin 37 is rotated around the third rotation axis AX3. As a result, the clamping of the substrate W by the chuck pin 37 is released, and the substrate W is supported on the support surface 35a of the lift pin 35. That is, the lift pins 35 support the substrate W.

다음에, 공정 S13에 있어서, 제어부(102)는, 기판(W)을 처리 유닛(1)으로부터 반출하도록, 리프트 핀(35), 센터 로봇(CR) 및 인덱서 로봇(IR)을 제어한다. 구체적으로는, 리프트 핀(35)은, 기판(W)을 유지한 상태에서 상승된다. 이때, 리프트 핀(35)은, 기판(W)이 제1 높이 위치(P1)가 되었을 때에, 상승이 정지된다. 그리고, 센터 로봇(CR)의 핸드(H)가 기판(W)과 스핀 베이스(SB) 사이에 삽입된다. 그 후, 핸드(H)가 상승됨으로써, 기판(W)이 리프트 핀(35)으로부터 핸드(H)에 수도된다. 그리고, 센터 로봇(CR) 및 인덱서 로봇(IR)을 통해, 기판(W)이 로드 포트(LP)로 이동된다.Next, in step S13, the control unit 102 controls the lift pins 35, the center robot CR, and the indexer robot IR to unload the substrate W from the processing unit 1. Specifically, the lift pins 35 are raised while holding the substrate W. At this time, the lift pin 35 stops rising when the substrate W reaches the first height position P1. Then, the hand H of the center robot CR is inserted between the substrate W and the spin base SB. Thereafter, the hand H is raised, and the substrate W is transferred from the lift pin 35 to the hand H. Then, the substrate W is moved to the load port LP through the center robot CR and the indexer robot IR.

이상과 같이 하여, 기판(W)의 이면(Wb)(상면)에 대한 세정 처리가 종료된다.As described above, the cleaning process for the back side Wb (top surface) of the substrate W is completed.

이상, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했다. 단, 본 발명은, 상기의 실시 형태에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 양태에 있어서 실시할 수 있다. 또, 상기의 실시 형태에 개시되는 복수의 구성 요소는 적절히 개변 가능하다. 예를 들면, 어느 실시 형태에 나타내어지는 전 구성 요소 중 어느 구성 요소를 다른 실시 형태의 구성 요소에 추가해도 되고, 또는, 어느 실시 형태에 나타내어지는 전 구성 요소 중 몇 개의 구성 요소를 실시 형태로부터 삭제해도 된다.Above, embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments and can be implemented in various aspects without departing from the gist of the present invention. In addition, the plurality of components disclosed in the above embodiments can be modified appropriately. For example, a certain component among all the components shown in an embodiment may be added to a component in another embodiment, or some components among all the components shown in a certain embodiment may be deleted from the embodiment. You can do it.

또, 도면은, 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서, 각각의 구성 요소를 주체로 모식적으로 나타내고 있으며, 도시된 각 구성 요소의 두께, 길이, 개수, 간격 등은, 도면 작성의 편의상으로부터 실제와는 상이한 경우도 있다. 또, 상기의 실시 형태에서 나타내는 각 구성 요소의 구성은 일례이며, 특별히 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능한 것은 말할 필요도 없다.In addition, in order to facilitate understanding of the invention, the drawings schematically represent each component as the main component, and the thickness, length, number, spacing, etc. of each component shown are different from the actual for convenience of drawing preparation. There are different cases. In addition, the configuration of each component shown in the above embodiment is an example and is not particularly limited, and it goes without saying that various changes are possible without substantially departing from the effect of the present invention.

예를 들면, 상기의 실시 형태에서는, 스핀 베이스(SB)의 중앙부(Rb)의 상면(Rb1)이 평탄면인 예에 대해 나타냈는데, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 스핀 베이스(SB)의 중앙부(Rb)의 상면(Rb1)은, 평탄면이 아니어도 된다. 예를 들면, 경방향(RD)의 내측을 향해 더욱 패여 있어도 된다.For example, in the above embodiment, an example has been shown where the upper surface Rb1 of the central portion Rb of the spin base SB is a flat surface, but the present invention is not limited to this. The upper surface Rb1 of the central portion Rb of the spin base SB does not need to be a flat surface. For example, it may be further dented toward the inside in the radial direction (RD).

또, 상기의 실시 형태에서는, 스핀 베이스(SB)의 주연부(Ra)가 중앙부(Rb)에 비해 높은 위치에 배치되는 예에 대해 나타냈는데, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 스핀 베이스(SB)의 주연부(Ra)와 중앙부(Rb)가 예를 들면 단차가 없이 형성되어 있어도 된다.In addition, in the above embodiment, an example has been shown in which the peripheral portion Ra of the spin base SB is disposed at a higher position than the central portion Rb, but the present invention is not limited to this. For example, the peripheral portion Ra and the central portion Rb of the spin base SB may be formed without any steps.

또, 상기의 실시 형태에서는, 척 핀(37)의 대향면(371a)이 대략 수평으로 연장되는 예에 대해 나타냈는데, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 대향면(371a)은, 대략 수평으로 연장되지 않아도 되고, 예를 들면, 경방향(RD)의 내측을 향해 하방으로 경사져도 된다.In addition, in the above embodiment, an example has been shown in which the opposing surface 371a of the chuck pin 37 extends substantially horizontally, but the present invention is not limited to this. The opposing surface 371a does not have to extend substantially horizontally, and may be inclined downward toward the inside in the radial direction RD, for example.

또, 상기의 실시 형태에서는, 기판(W)을 물리적으로 세정하는 세정 기구(10)로서, 브러시(11)를 갖는 예에 대해 나타냈는데, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판(W)을 물리적으로 세정하는 세정 기구(10)로서, 고압의 세정수를 내뿜음으로써, 물리적인 충격 또는 수압에 의해 기판(W)을 세정하는 것을 이용해도 된다.In addition, in the above embodiment, an example has been shown having a brush 11 as the cleaning mechanism 10 for physically cleaning the substrate W, but the present invention is not limited to this. For example, the cleaning mechanism 10 that physically cleans the substrate W may be one that cleans the substrate W by physical impact or water pressure by spraying high-pressure cleaning water.

또, 상기의 실시 형태에서는, 브러시(11)를 기판(W)에 압압할 때(공정 S7)와, 브러시(11)를 압압하지 않고 기판(W)에 린스액을 토출할 때(공정 S6, S8)에서, 같은 양의 가스를 공간(S)에 공급하는 예에 대해 나타냈는데, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 브러시(11)를 압압하지 않고 기판(W)에 린스액을 토출할 때(공정 S6, S8)의 가스의 공급량을, 브러시(11)를 기판(W)에 압압할 때(공정 S7)의 가스의 공급량보다 적게 해도 된다. 이 경우에도, 공정 S6, S8에 있어서, 린스액이 기판(W)의 표면(Wa)(하면)에 들어가는 것을 억제 가능하다.Moreover, in the above embodiment, when the brush 11 is pressed against the substrate W (step S7) and when the rinse liquid is discharged onto the substrate W without pressing the brush 11 (step S6, In S8), an example of supplying the same amount of gas to the space S is shown, but the present invention is not limited to this. For example, the gas supply amount when discharging the rinse liquid on the substrate W without pressing the brush 11 (processes S6 and S8) can be changed to the gas supply amount when discharging the rinse liquid on the substrate W without pressing the brush 11 (process S6, S8). It may be less than the gas supply amount in S7). Even in this case, it is possible to prevent the rinse liquid from entering the surface Wa (lower surface) of the substrate W in steps S6 and S8.

본 발명은, 기판 처리 장치에 관한 것이며, 산업상의 이용가능성을 갖는다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and has industrial applicability.

10: 세정 기구 11: 브러시
33e: 가스 토출구(기체 토출구) 35: 리프트 핀
37: 척 핀 100: 기판 처리 장치
371a: 대향면 372a: 접촉면
AX1: 제1 회전축선(회전축선) L1: 거리
P1: 제1 높이 위치 P2: 제2 높이 위치
Ra: 주연부 Ra1: 상면
Rb: 중앙부 Rb1: 상면
SB: 스핀 베이스 W: 기판
Wa: 표면(하면) Wb: 이면(상면) 10: Cleaning device 11: Brush
33e: gas outlet (gas outlet) 35: lift pin
37: Chuck pin 100: Substrate processing device
371a: opposing surface 372a: contact surface
AX1: First rotation axis (rotation axis) L1: Distance
P1: First height position P2: Second height position
Ra: Peripheral area Ra1: Upper surface
Rb: Center Rb1: Top
SB: Spin Base W: Substrate
Wa: Surface (lower surface) Wb: Back surface (upper surface)

Claims (8)

연직으로 연장되는 회전축선을 중심으로 하여 회전 가능하게 설치된 스핀 베이스와,
상기 스핀 베이스의 주연부에 배치되는 복수의 척 핀과,
기판의 상방에 배치되고, 상기 기판의 상면을 물리적으로 세정하는 세정 기구와,
제1 높이 위치와, 상기 제1 높이 위치보다 낮은 제2 높이 위치 사이에서, 상기 기판을 승강하는 리프트 핀
을 구비하고,
상기 복수의 척 핀은, 상기 제2 높이 위치에서 상기 기판을 수평으로 파지하도록 구성되고,
상기 복수의 척 핀은, 상기 기판을 파지할 때에 상기 기판에 맞닿는 접촉면과, 상기 접촉면의 하단으로부터 연직 방향에 대해 교차하는 방향으로 연장되는 대향면을 갖고,
상기 대향면은, 상기 복수의 척 핀이 상기 기판을 파지한 상태에서, 상기 기판의 하면에 대향하고,
상기 복수의 척 핀이 상기 기판을 파지한 상태에서, 상기 대향면은, 상기 스핀 베이스의 주연부의 상면에 인접하고, 또한, 상기 스핀 베이스의 주연부의 상면과 같은 높이에 배치되고,
상기 스핀 베이스는, 기체를 토출하는 기체 토출구를 상면에 갖고,
상기 스핀 베이스는, 상기 주연부와, 상기 주연부에 대해 경방향(徑方向) 내측에 배치되는 중앙부를 갖고,
상기 중앙부의 상면은, 상기 주연부의 상면보다 낮은 위치에 배치되고,
상기 주연부의 상면은, 상기 대향면에 대해 상기 경방향 내측에 인접하는, 기판 처리 장치.A spin base rotatably installed around a vertically extending rotation axis,
a plurality of chuck pins disposed on the periphery of the spin base;
a cleaning mechanism disposed above the substrate and physically cleaning the upper surface of the substrate;
A lift pin that lifts the substrate between a first height position and a second height position lower than the first height position.
Equipped with
The plurality of chuck pins are configured to horizontally hold the substrate at the second height position,
The plurality of chuck pins have a contact surface that abuts the substrate when gripping the substrate, and an opposing surface extending from a lower end of the contact surface in a direction intersecting the vertical direction,
The opposing surface faces the lower surface of the substrate in a state where the plurality of chuck pins grip the substrate,
In a state where the plurality of chuck pins grip the substrate, the opposing surface is adjacent to the upper surface of the peripheral portion of the spin base and is disposed at the same height as the upper surface of the peripheral portion of the spin base,
The spin base has a gas discharge port on the upper surface for discharging gas,
The spin base has a peripheral portion and a central portion disposed radially inward with respect to the peripheral portion,
The upper surface of the central portion is disposed at a lower position than the upper surface of the peripheral portion,
The upper surface of the peripheral portion is adjacent to the radial inner side with respect to the opposing surface. 청구항 1에 있어서,
상기 기체 토출구로부터 토출하는 상기 기체에 의해 상기 기판이 상방향으로 볼록 형상으로 변형된 상태에서, 상기 세정 기구는, 상기 기판의 상면을 세정하는, 기판 처리 장치.In claim 1,
A substrate processing apparatus, wherein the cleaning mechanism cleans the upper surface of the substrate while the substrate is deformed upward into a convex shape by the gas discharged from the gas discharge port. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 스핀 베이스의 주연부의 상면과, 상기 기판의 하면의 거리는 2mm 이하인, 기판 처리 장치.In claim 1 or claim 2,
A substrate processing apparatus wherein the distance between the upper surface of the peripheral portion of the spin base and the lower surface of the substrate is 2 mm or less. 청구항 3에 있어서,
상기 스핀 베이스의 주연부의 상면과, 상기 기판의 하면의 거리는 1mm 이하인, 기판 처리 장치.In claim 3,
A substrate processing apparatus, wherein the distance between the upper surface of the peripheral portion of the spin base and the lower surface of the substrate is 1 mm or less. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 중앙부의 상면은 상기 기체 토출구가 형성된 평탄면인, 기판 처리 장치.In claim 1 or claim 2,
The upper surface of the central portion is a flat surface on which the gas outlet is formed. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 기체 토출구로부터, 매분 100리터 이상의 상기 기체를 토출하면서, 상기 세정 기구에 의해 상기 기판의 상면을 세정하는, 기판 처리 장치.In claim 1 or claim 2,
A substrate processing apparatus that cleans the upper surface of the substrate using the cleaning mechanism while discharging 100 liters or more of the gas per minute from the gas discharge port. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 세정 기구는 상기 기판의 상면에 압압(押壓)되는 브러시를 포함하는, 기판 처리 장치.In claim 1 or claim 2,
A substrate processing apparatus, wherein the cleaning mechanism includes a brush pressed against an upper surface of the substrate. 삭제delete
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