KR102677204B1 - Diffuser and processing method thereof - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45559—Diffusion of reactive gas to substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B41/00—Boring or drilling machines or devices specially adapted for particular work; Accessories specially adapted therefor
- B23B41/14—Boring or drilling machines or devices specially adapted for particular work; Accessories specially adapted therefor for very small holes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B51/00—Tools for drilling machines
- B23B51/011—Micro drills
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
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Abstract
본 발명은 디퓨져 및 디퓨져 미세홀의 가공 방법에 관한 것으로서, 디퓨져의 미세홀의 길이가 일정하게 형성되도록 하는 디퓨져 및 디퓨져 미세홀의 가공 방법에 관한 것이다. 이를 위해 디퓨져 플레이트의 상측에서 하측방향으로 가공을 통해 제1 인릿 미세홀을 형성하는 단계, 제1 인릿 미세홀을 플랫 가공하여 제2 인릿 미세홀을 형성하는 단계, 디퓨져 플레이트의 하측에서 상측방향으로 가공을 통해 제1 아웃릿 미세홀을 형성하는 단계, 제1 아웃릿 미세홀을 형상 가공하여 제2 아웃릿 미세홀을 형성하는 단계, 제2 인릿 미세홀과 제2 아웃릿 미세홀이 서로 연통되도록 디퓨져 플레이트의 하측에서 상측방향으로 가공을 통해 중간 미세홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디퓨져 미세홀의 가공 방법이 개시된다.The present invention relates to a diffuser and a method of processing diffuser micro-holes, and to a method of processing a diffuser and diffuser micro-holes so that the length of the diffuser micro-holes is formed to be constant. For this purpose, forming a first inlet micro hole by machining from the top to the bottom of the diffuser plate, forming a second inlet micro hole by flat machining the first inlet micro hole, and forming a second inlet micro hole by machining from the bottom to the top of the diffuser plate. Forming a first outlet micro-hole through machining, forming a second outlet micro-hole by shape-processing the first outlet micro-hole, and communicating the second inlet micro-hole and the second outlet micro-hole with each other. A method of processing a diffuser micro hole is disclosed, which includes the step of forming an intermediate micro hole through processing from the bottom to the top of the diffuser plate, if possible.
Description
본 발명은 디퓨져 및 디퓨져 미세홀의 가공 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디퓨져의 미세홀의 길이가 일정하게 형성되도록 하는 디퓨져 및 디퓨져 미세홀의 가공 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a diffuser and a method of processing diffuser micro-holes, and more specifically, to a diffuser and a method of processing diffuser micro-holes so that the length of the micro-holes of the diffuser is formed to be constant.
반도체 웨이퍼 및 디스플레이 증착 공정에 사용되는 화학적 기상 증착(CVD)은 웨이퍼나 글래스에 박막을 균일하게 증착하기 위해 디퓨져(또는 샤워 플레이트)를 사용한다. 웨이퍼나 글래스의 박막 증착 균일도를 높이기 위해 사용되는 디퓨져의 정밀함이 요구된다.Chemical vapor deposition (CVD), used in semiconductor wafer and display deposition processes, uses a diffuser (or shower plate) to uniformly deposit a thin film on a wafer or glass. The precision of the diffuser used to increase the uniformity of thin film deposition on wafers or glass is required.
한편, 도 1에 도시된 바와 같이 글래스(10)에 박막을 증착하기 위해 백킹 플레이트(100)와 백킹 플레이트(100)에 지지되는 디퓨져(200)가 배치된다. 백킹 플레이트(100)는 외부로부터 공정가스를 주입 받아 이를 다시 디퓨져(200)로 보내며, 디퓨져(200)는 백킹 플레이트(100)로부터 유입된 공정가스를 미세홀(210)을 통해 균일하게 분사하여 서셉터(300) 위에 재치된 글래스(10)에 박막이 균일하게 증착되도록 한다.Meanwhile, as shown in FIG. 1, a backing plate 100 and a diffuser 200 supported on the backing plate 100 are disposed to deposit a thin film on the glass 10. The backing plate 100 receives the process gas from the outside and sends it back to the diffuser 200. The diffuser 200 uniformly sprays the process gas flowing in from the backing plate 100 through the microhole 210. A thin film is deposited uniformly on the glass 10 placed on the septor 300.
여기서, 도 1에 도시된 디퓨져 미세홀(210) 중 어느 하나의 예를 들어 디퓨져 미세홀(210)의 가공하는 것을 도 2 내지 도 4를 통해 순차적으로 살펴보면, 도 2에 도시된 바와 같이 먼저 디퓨져 플레이트(200a)의 상측에서 하측방향(화살표 참조)으로 상측 미세홀(211)을 드릴 가공을 통해 형성한다. 이때 드릴 가공에 의해 상측 미세홀(211)의 하부면은 대략 단면이 삼각형 형상으로 이루어진다.Here, if we look at the processing of one of the diffuser micro holes 210 shown in FIG. 1, for example, sequentially through FIGS. 2 to 4, as shown in FIG. 2, first the diffuser An upper micro hole 211 is formed through drilling in a direction from the top to the bottom of the plate 200a (see arrow). At this time, the lower surface of the upper micro hole 211 has a substantially triangular cross section due to drilling.
다음으로, 도 3에 도시된 바와 같이 디퓨져 플레이트(200a)의 하측에서 상측방향(화살표 참조)으로 하측 미세홀(213)을 드릴 가공을 통해 형성한다. 이때 드릴 가공에 의해 하측 미세홀(213)의 전체 형상은 대략 단면이 삼각형 형상으로 이루어진다.Next, as shown in FIG. 3, the lower microhole 213 is formed through drilling from the bottom of the diffuser plate 200a in the upward direction (see arrow). At this time, due to drilling, the overall shape of the lower micro hole 213 has an approximately triangular cross section.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이 상측 미세홀(211)과 하측 미세홀(213)이 서로 연통되도록 디퓨져 플레이트(200a)의 하측에서 상측방향(화살표 참조)으로 중간 미세홀(212)을 가공을 통해 형상한다. Next, as shown in FIG. 4, the middle micro hole 212 is machined from the bottom of the diffuser plate 200a in the upward direction (see arrow) so that the upper micro hole 211 and the lower micro hole 213 communicate with each other. It is shaped through.
한편, 도 5에 도시된 바와 같이 상측 미세홀(211)의 하부면과 하측 미세홀(213)의 상부면을 서로 관통하여 형성된 중간 미세홀(222)의 길이(L1과 L21 또는 L1과 L22)가 가공 환경에 따라 서로 다르거나 또는 불규칙하여 미세홀의 수직도, 동심도, 위치도가 나빠지는 문제점이 있다. 가공 환경의 일예로서 가공 툴이 마모되거나, 주위 온도의 변화, 1차 가공과 2차 가공시 가공 방향이 서로 상이한 경우 등이다.Meanwhile, as shown in FIG. 5, the length (L1 and L21 or L1 and L22) of the middle micro hole 222 is formed by penetrating the lower surface of the upper micro hole 211 and the upper surface of the lower micro hole 213. There is a problem in that the verticality, concentricity, and position of micro holes are deteriorated because they are different or irregular depending on the processing environment. Examples of the machining environment include wear of machining tools, changes in ambient temperature, and different machining directions during primary and secondary machining.
따라서, 본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 인릿 미세홀을 플랫 가공하고, 아웃릿 미세홀을 형상 가공하여 중간 미세홀의 길이를 일정하게 가공할 수 있어 수직도 및 동심도를 좋게 하여 균일한 박막증착이 가능하도록 하는 발명을 제공하는데 그 목적이 있다.Accordingly, the present invention was created to solve the problems described above. By flat machining the inlet micro hole and shaping the outlet micro hole, the length of the middle micro hole can be processed to a constant level, thereby maintaining verticality and concentricity. The purpose is to provide an invention that enables uniform thin film deposition.
그러나, 본 발명의 목적들은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the objects of the present invention are not limited to the objects mentioned above, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
전술한 본 발명의 목적은, 디퓨져 플레이트의 상측에서 하측방향으로 가공을 통해 제1 인릿 미세홀을 형성하는 단계, 제1 인릿 미세홀을 플랫 가공하여 제2 인릿 미세홀을 형성하는 단계, 디퓨져 플레이트의 하측에서 상측방향으로 가공을 통해 제1 아웃릿 미세홀을 형성하는 단계, 제1 아웃릿 미세홀을 형상 가공하여 제2 아웃릿 미세홀을 형성하는 단계, 제2 인릿 미세홀과 제2 아웃릿 미세홀이 서로 연통되도록 디퓨져 플레이트의 하측에서 상측방향으로 가공을 통해 중간 미세홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디퓨져 미세홀의 가공 방법을 제공함으로써 달성될 수 있다.The object of the present invention described above is the steps of forming a first inlet micro hole through machining from the top to the bottom of the diffuser plate, forming a second inlet micro hole by flat machining the first inlet micro hole, and forming a second inlet micro hole through a diffuser plate. forming a first outlet micro-hole by machining from the bottom to the top, forming a second outlet micro-hole by shape-processing the first outlet micro-hole, a second inlet micro-hole and a second out. This can be achieved by providing a method of processing diffuser micro holes, which includes the step of forming intermediate micro holes through processing from the bottom to the top of the diffuser plate so that the lit micro holes communicate with each other.
또한, 제2 인릿 미세홀은 제1 인릿 미세홀을 가공하는 드릴 가공과 다른 플랫 가공에 의해 이루어지며, In addition, the second inlet micro hole is made by flat processing, which is different from the drill processing used to machine the first inlet micro hole.
플랫 가공은 드릴 가공에 따라 형성된 제1 인릿 미세홀의 폭보다 적어도 일면이 넓게 형성되도록 하면서 적어도 하부면이 플랫하게 형성되도록 디퓨저 플레이트의 상측에서 하측방향으로 가공된다.Flat processing is performed from the top to the bottom of the diffuser plate so that at least one side is wider than the width of the first inlet micro hole formed by drilling and at least the lower surface is formed flat.
또한, 제2 아웃릿 미세홀은 제1 아웃릿 미세홀을 가공하는 드릴 가공과 다른 형상 가공에 의해 이루어지며, In addition, the second outlet micro hole is made by machining a different shape from the drill machining for machining the first outlet micro hole,
형상 가공은 드릴 가공에 따라 형성된 제1 아웃릿 미세홀의 폭보다 적어도 일면이 넓게 형성되도록 하면서 적어도 상부면이 플랫하게 형성되도록 디퓨져 플레이트의 하측에서 상측방향으로 가공된다.The shape processing is performed from the bottom to the top of the diffuser plate so that at least one surface is wider than the width of the first outlet microhole formed by drilling and at least the upper surface is formed flat.
또한, 플랫 가공 및 형상 가공에 따라 제2 인릿 미세홀의 하부면 및 제2 아웃릿 미세홀의 상부면이 플랫하게 가공 형성됨으로써 제2 아웃릿 미세홀의 상부면에서 제2 인릿 미세홀의 하부면까지의 길이가 일정하게 가공 형성된다.In addition, according to flat processing and shape processing, the lower surface of the second inlet micro hole and the upper surface of the second outlet micro hole are processed to be flat, so that the length from the upper surface of the second outlet micro hole to the lower surface of the second inlet micro hole is processed and formed consistently.
또한, 제1 인릿 미세홀을 가공한 후에 제1 인릿 미세홀의 하부면이 플랫하도록 제2 인릿 미세홀을 가공 형성하고,In addition, after machining the first inlet micro hole, a second inlet micro hole is formed so that the lower surface of the first inlet micro hole is flat,
제1 아웃릿 미세홀을 가공한 후에 제1 아웃릿 미세홀의 상부면이 플랫하도록 제2 아웃릿 미세홀을 가공 형성함으로써 제2 인릿 미세홀의 하부면과 제2 아웃릿 미세홀의 상부면이 서로 쌍으로 플랫하도록 가공 형성되고,After machining the first outlet micro-hole, the second outlet micro-hole is formed so that the upper surface of the first outlet micro-hole is flat, so that the lower surface of the second inlet micro-hole and the upper surface of the second outlet micro-hole are paired with each other. Processed and formed to be flat,
쌍으로 형성된 플랫한 면을 관통하도록 중간 미세홀을 가공 형성한다.An intermediate micro hole is formed to penetrate the flat surfaces formed in pairs.
한편, 본 발명의 목적은 공정가스를 외부로부터 디퓨져 내로 유입하며, 가공에 의해 하부면이 플랫하게 형성된 인릿 미세홀, 가공에 의해 상부면이 플랫하게 형성된 아웃릿 미세홀, 인릿 미세홀의 플랫한 하부면과 아웃릿 미세홀의 플랫한 상부면을 서로 연통시키도록 가공에 의해 형성되는 중간 미세홀을 포함하며, 쌍으로 형성된 플랫한 면을 관통하도록 중간 미세홀을 가공 형성함으로써 아웃릿 미세홀의 상부면에서 인릿 미세홀의 하부면까지의 길이가 일정하게 가공 형성된다.Meanwhile, the purpose of the present invention is to introduce process gas into the diffuser from the outside, and to create an inlet microhole whose lower surface is formed flat by processing, an outlet microhole whose upper surface is formed flat by processing, and a flat lower part of the inlet microhole. It includes an intermediate micro hole formed by machining to communicate the flat upper surface of the face and the outlet micro hole, and the intermediate micro hole is formed by machining to penetrate the flat surface formed in pairs, so that the upper surface of the outlet micro hole The length to the bottom surface of the inlet micro hole is processed to be uniform.
또한, 인릿 미세홀의 형상은 단면이 직사각형 형상이고, 아웃릿 미세홀의 형상은 단면이 사다리꼴 형상이다.Additionally, the shape of the inlet micro hole is rectangular in cross section, and the shape of the outlet micro hole is trapezoidal in cross section.
전술한 바와 같은 본 발명에 의하면 인릿 미세홀을 플랫 가공하고, 아웃릿 미세홀을 형상 가공하여 중간 미세홀의 길이를 일정하게 가공할 수 있어 수직도 및 동심도를 좋게 하여 균일한 박막증착이 가능하도록 하는 효과가 있다.According to the present invention as described above, the inlet micro hole is processed flat and the outlet micro hole is processed into a shape, so that the length of the middle micro hole can be processed to be constant, thereby improving the verticality and concentricity to enable uniform thin film deposition. It works.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석 되어서는 아니 된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 디스플레이 CVD 공정의 챔버 내부 배치를 나타낸 도면이고,
도 2 내지 도 4는 종래 기술에 따른 미세홀의 가공 순서를 나타낸 도면이고,
도 5는 종래 기술에 따라 형성된 미세홀의 길이가 달라지는 것을 도시한 도면이고,
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 제1 인릿 미세홀을 도시한 도면이고,
도 7(a),(b)는 본 발명의 일실시예에 따른 제1 인릿 미세홀과 제2 인릿 미세홀을 도시한 도면이고,
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 제2 인릿 미세홀과 제1 아웃릿 미세홀을 도시한 도면이고,
도 9(a),(b)는 본 발명의 일실시예에 따른 제1 아웃릿 미세홀과 제2 아웃릿 미세홀을 도시한 도면이고,
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 제2 인릿 미세홀, 제2 아웃릿 미세홀, 중간 미세홀을 도시한 도면이다.The following drawings attached to this specification illustrate a preferred embodiment of the present invention, and serve to further understand the technical idea of the present invention along with the detailed description of the invention. Therefore, the present invention is limited to the matters described in such drawings. It should not be interpreted in a limited way.
1 is a diagram showing the internal arrangement of a chamber of a display CVD process according to an embodiment of the present invention;
2 to 4 are diagrams showing the processing sequence of micro holes according to the prior art,
Figure 5 is a diagram showing changes in the length of micro holes formed according to the prior art;
Figure 6 is a diagram showing a first inlet micro hole according to an embodiment of the present invention;
7(a) and (b) are diagrams showing a first inlet micro hole and a second inlet micro hole according to an embodiment of the present invention;
Figure 8 is a diagram showing a second inlet micro hole and a first outlet micro hole according to an embodiment of the present invention;
9(a) and (b) are diagrams showing a first outlet micro-hole and a second outlet micro-hole according to an embodiment of the present invention;
Figure 10 is a diagram showing a second inlet micro hole, a second outlet micro hole, and a middle micro hole according to an embodiment of the present invention.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일실시예에 대해서 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 일실시예는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 내용을 부당하게 한정하지 않으며, 본 실시 형태에서 설명되는 구성 전체가 본 발명의 해결 수단으로서 필수적이라고는 할 수 없다. 또한, 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다.Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the embodiment described below does not unduly limit the content of the present invention described in the claims, and it cannot be said that all of the configurations described in this embodiment are essential as a solution to the present invention. In addition, descriptions of matters that are obvious to those skilled in the art and skilled in the art may be omitted, and descriptions of such omitted components (methods) and functions may be sufficiently referenced without departing from the technical spirit of the present invention.
본 발명의 일실시예에 따른 디퓨져 미세홀의 가공 방법은 디퓨져 미세홀의 길이가 일정하게 유지되도록 하여 공정가스의 분사를 원활히 함으로써 글래스(10)의 박막 증착 균일도를 향상시키기 위한 것이다.The method of processing diffuser microholes according to an embodiment of the present invention is intended to improve the uniformity of thin film deposition of the glass 10 by maintaining the length of the diffuser microholes constant and smoothing the injection of process gas.
도 6에 도시된 바와 같이 1차적으로 제1 인릿 미세홀(221a)을 디퓨져 플레이트(200a)의 상측에서 하측방향(화살표 참조)으로 소형 드릴 가공을 통해 형성한다. 이때, 제1 인릿 미세홀(221a)의 하부면은 드릴 가공에 의해 그 단면이 대략 삼각형 형상으로 이루어진다.As shown in FIG. 6, the first inlet micro hole 221a is initially formed through small drilling from the top to the bottom of the diffuser plate 200a (see arrow). At this time, the lower surface of the first inlet micro hole 221a is formed into a substantially triangular cross section by drilling.
다음으로 도 7(a)에 도시된 바와 같이 제1 인릿 미세홀(221a)이 형성된 위치에 디퓨져 플레이트(200a)의 상측에서 하측방향(화살표 참조)으로 플랫 가공을 한다. 플랫 가공에 의해 도 7(b)에 도시된 바와 같이 하부면이 플랫한 제2 인릿 미세홀(221b)이 형성된다. 이때 형성되는 제2 인릿 미세홀(221b)은 1차 가공된 제1 인릿 미세홀(221a)이 형성된 위치에서 제1 인릿 미세홀(221a)의 폭보다 넓게 2차적으로 가공 형성된다.Next, as shown in FIG. 7(a), flat processing is performed from the top to the bottom of the diffuser plate 200a (see arrow) at the position where the first inlet micro hole 221a is formed. As shown in FIG. 7(b), a second inlet microhole 221b with a flat lower surface is formed through flat processing. The second inlet micro hole 221b formed at this time is formed by secondary processing to be wider than the width of the first inlet micro hole 221a at the position where the primary inlet micro hole 221a was formed.
다음으로, 도 8에 도시된 바와 같이 3차적으로 제1 아웃릿 미세홀(223a)을 디퓨져 플레이트(200a)의 하측에서 상측방향(화살표 참조)으로 드릴 가공을 통해 형성한다. 이때, 제1 아웃릿 미세홀(223a)은 드릴 가공에 의해 그 단면이 대략 삼각형 형상으로 이루어진다. 제1 아웃릿 미세홀(223a)은 제1 인릿 미세홀(221a)에 비해 그 폭이 더 넓게 형성되는 것이 바람직하다. 다만, 상술한 제1 인릿 미세홀(221a)과 제1 아웃릿 미세홀(223a)의 가공 순서는 가공 환경에 따라 서로 달라질 수 있으며 가공 순서에 제한되지는 않는다.Next, as shown in FIG. 8, the first outlet micro-hole 223a is formed three times through drilling from the bottom to the top of the diffuser plate 200a (see arrow). At this time, the first outlet micro-hole 223a has a cross-section of approximately triangular shape through drilling. The first outlet micro-hole 223a is preferably formed to have a wider width than the first inlet micro-hole 221a. However, the processing order of the above-described first inlet micro hole 221a and the first outlet micro hole 223a may vary depending on the processing environment and is not limited to the processing sequence.
다음으로 도 9(a)에 도시된 바와 같이 제1 아웃릿 미세홀(223a)이 형성된 위치에 디퓨져 플레이트(200a)의 하측에서 상측방향(화살표 참조)으로 형상 가공을 한다. 형상 가공에 의해 도 9(b)에 도시된 바와 같이 상부면이 플랫한 제2 아웃릿 미세홀(223b)이 형성된다. 형상 가공은 대략 삼각형 형상으로 이루어진 제1 아웃릿 미세홀(223a)의 단면을 대략 사다리꼴 형상으로 가공하면서 동시에 상부면이 플랫하도록 가공하는 것을 의미한다. 제2 아웃릿 미세홀(223b)은 3차 가공된 제1 아웃릿 미세홀(223a)이 형성된 위치에서 제1 아웃릿 미세홀(223a)의 폭보다 넓게 4차적으로 가공 형성된다. 따라서, 제2 아웃릿 미세홀(223b)의 폭은 제2 인릿 미세홀(221b)의 폭보다 넓게 형성되는 것이 바람직하다.Next, as shown in FIG. 9(a), shape processing is performed from the bottom to the top of the diffuser plate 200a (see arrow) at the position where the first outlet micro hole 223a is formed. As shown in FIG. 9(b), a second outlet microhole 223b with a flat upper surface is formed through shape processing. Shape processing means processing the cross-section of the first outlet micro-hole 223a, which is approximately triangular, into an approximately trapezoidal shape while simultaneously processing the upper surface to be flat. The second outlet micro-hole 223b is formed by fourth-processing to be wider than the width of the first outlet micro-hole (223a) at the position where the third-processed first outlet micro-hole (223a) was formed. Therefore, it is preferable that the width of the second outlet micro hole 223b is formed to be wider than the width of the second inlet micro hole 221b.
마지막으로, 도 10에 도시된 바와 같이 제2 인릿 미세홀(221b)과 제2 아웃릿 미세홀(223b)을 서로 연통시키면서, 제2 인릿 미세홀(221b)의 하부면과 제2 아웃릿 미세홀(223b)의 상부면을 관통하여 중간에 형성되는 중간 미세홀(222)을 디퓨져 플레이트(200a)의 하측에서 상측방향(화살표 참조)으로 5차적으로 가공한다. 가공된 중간 미세홀(222)은 제2 인릿 미세홀(221b)의 하부면이 플랫하고, 이와 쌍으로 대향되는 제2 아웃릿 미세홀(223b)의 상부면이 플랫하기 때문에 중간 미세홀(222)의 길이(L3)가 일정하게 형성되어 수직도 및 동심도를 좋게 할 수 있는 장점이 있다. 이에 따라 도 5에 도시된 공정가스의 미세홀 내의 흐름에 비해 더욱 직직성 있게 흐를 수 있는 장점이 있다.Finally, as shown in FIG. 10, the second inlet micro hole 221b and the second outlet micro hole 223b are communicated with each other, and the lower surface of the second inlet micro hole 221b and the second outlet micro hole 223b are connected to each other. The intermediate micro hole 222 formed in the middle of the hole 223b is processed five times from the bottom to the top of the diffuser plate 200a (see arrow). The machined intermediate micro-hole 222 has a flat lower surface of the second inlet micro-hole 221b and a flat upper surface of the second outlet micro-hole 223b, which is opposite to the intermediate micro-hole 222. ) has the advantage of being able to improve verticality and concentricity by forming a constant length (L3). Accordingly, there is an advantage that the process gas can flow more straightly than the flow within the microhole shown in FIG. 5.
상술한 1차 및 3차 미세홀 가공과 1차 및 3차에 각각 대응되는 2차 및 4차 미세홀 가공에 사용되는 툴은 각기 다른 툴을 사용한다. 또한, 1차 및 3차 미세홀 가공에 비해 2차 및 4차 미세홀 가공이 면적을 더 넓게 가공하고, 일면을 플랫하게 가공한다(플랫 가공 및 형상 가공). 플랫 가공 및 형상 가공을 통해 중간 미세홀(222)의 길이를 일정하게 유지할 수 있다. The tools used for the above-described first and third micro-hole machining and the second and fourth micro-hole machining corresponding to the first and third, respectively, are different tools. In addition, compared to the 1st and 3rd micro hole machining, the 2nd and 4th micro hole machining processes a larger area and makes one side flat (flat machining and shape machining). The length of the middle micro hole 222 can be kept constant through flat processing and shape processing.
본 발명을 설명함에 있어 종래 기술 및 당업자에게 자명한 사항은 설명을 생략할 수도 있으며, 이러한 생략된 구성요소(방법) 및 기능의 설명은 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 충분히 참조될 수 있을 것이다. 또한, 상술한 본 발명의 구성요소는 본 발명의 설명의 편의를 위하여 설명하였을 뿐 여기에서 설명되지 아니한 구성요소가 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 아니하는 범위내에서 추가될 수 있다. In explaining the present invention, matters that are obvious to those skilled in the art and skilled in the art may be omitted, and descriptions of such omitted components (methods) and functions may be sufficiently referenced without departing from the technical spirit of the present invention. You will be able to. In addition, the components of the present invention described above are only described for the convenience of explaining the present invention, and components not described herein may be added without departing from the technical spirit of the present invention.
상술한 각부의 구성 및 기능에 대한 설명은 설명의 편의를 위하여 서로 분리하여 설명하였을 뿐 필요에 따라 어느 한 구성 및 기능이 다른 구성요소로 통합되어 구현되거나, 또는 더 세분화되어 구현될 수도 있다.The description of the configuration and function of each part described above is explained separately from each other for convenience of explanation, and as needed, one configuration and function may be implemented by integrating with other components, or may be implemented in further detail.
이상, 본 발명의 일실시예를 참조하여 설명했지만, 본 발명이 이것에 한정되지는 않으며, 다양한 변형 및 응용이 가능하다. 즉, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 많은 변형이 가능한 것을 당업자는 용이하게 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명과 관련된 공지 기능 및 그 구성 또는 본 발명의 각 구성에 대한 결합관계에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는, 그 구체적인 설명을 생략하였음에 유의해야 할 것이다.Although the present invention has been described above with reference to one embodiment, the present invention is not limited to this, and various modifications and applications are possible. That is, those skilled in the art will easily understand that many modifications are possible without departing from the gist of the present invention. In addition, it should be noted that if a specific description of the known functions and their configurations related to the present invention or the combination relationship between each component of the present invention is judged to unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description has been omitted. something to do.
10 : 글래스
100 : 백킹 플레이트
200 : 디퓨져
200a : 디퓨져 플레이트
210 : 미세홀
211 : 상측 미세홀
212 : 중간 미세홀
213 : 하측 미세홀
220 : 미세홀
221a : 제1 상측 미세홀(또는 제1 인릿 미세홀)
221b : 제2 상측 미세홀(또는 제2 인릿 미세홀)
222 : 중간 미세홀
223a : 제1 하측 미세홀(또는 제1 아웃릿 미세홀)
223b : 제2 하측 미세홀(또는 제2 아웃릿 미세홀)
300 : 서셉터
310 : 샤프트
400 : 챔버10: Glass
100: backing plate
200: diffuser
200a: diffuser plate
210: fine hole
211: upper micro hole
212: middle fine hole
213: lower micro hole
220: fine hole
221a: first upper micro hole (or first inlet micro hole)
221b: Second upper micro hole (or second inlet micro hole)
222: middle fine hole
223a: First lower micro hole (or first outlet micro hole)
223b: Second lower micro hole (or second outlet micro hole)
300: Susceptor
310: shaft
400: Chamber
Claims (7)
상기 제1 인릿 미세홀이 형성된 위치에서 상기 제1 인릿 미세홀의 폭보다 넓게 플랫 가공하여 하부면이 플랫하고 상기 제1 인릿 미세홀과는 다른 형상의 제2 인릿 미세홀을 형성하는 단계,
상기 디퓨져 플레이트의 하측에서 상측방향으로 드릴 가공을 통해 단면이 삼각형 형상으로 이루어진 제1 아웃릿 미세홀을 형성하는 단계,
상기 제1 아웃릿 미세홀이 형성된 위치에서 상기 제1 아웃릿 미세홀의 폭보다 넓게 형상 가공하여 상부면이 플랫하고 상기 제1 아웃릿 미세홀과는 다른 형상의 제2 아웃릿 미세홀을 형성하는 단계,
상기 제2 인릿 미세홀과 제2 아웃릿 미세홀이 서로 연통되도록 상기 디퓨져 플레이트의 하측에서 상측방향으로 가공을 통해 중간 미세홀을 형성하는 단계를 포함하며,
상기 제1 인릿 미세홀 및 제1 아웃릿 미세홀의 가공과 상기 제2 인릿 미세홀 및 제2 아웃릿 미세홀의 가공에 사용되는 가공 툴은 각기 다른 가공 툴을 사용함으로써 순차적으로 서로 다른 형상으로 미세홀을 가공하는 것을 특징으로 하는 디퓨져 미세홀의 가공 방법.
Forming a first inlet microhole with a triangular cross-section through drilling from the top to the bottom of the diffuser plate,
Forming a second inlet micro hole with a flat lower surface and a different shape from the first inlet micro hole by flattening the position at the position where the first inlet micro hole is formed to be wider than the width of the first inlet micro hole;
Forming a first outlet microhole with a triangular cross-section through drilling from the bottom to the top of the diffuser plate,
At the position where the first outlet micro hole is formed, a shape is processed to be wider than the width of the first outlet micro hole to form a second outlet micro hole with a flat upper surface and a different shape from the first outlet micro hole. step,
It includes forming a middle micro hole through processing from the bottom to the top of the diffuser plate so that the second inlet micro hole and the second outlet micro hole communicate with each other,
The machining tools used for machining the first inlet micro hole and the first outlet micro hole and the second inlet micro hole and the second outlet micro hole are sequentially formed into micro holes of different shapes by using different machining tools. A method of processing diffuser micro holes, characterized in that processing.
상기 제2 인릿 미세홀은,
상기 제1 인릿 미세홀을 가공하는 드릴 가공과 다른 플랫 가공에 의해 이루어지며,
상기 플랫 가공은,
상기 드릴 가공에 따라 형성된 상기 제1 인릿 미세홀의 폭보다 적어도 일면이 넓게 형성되도록 하면서 적어도 하부면이 플랫하게 형성되도록 상기 디퓨져 플레이트의 상측에서 하측방향으로 가공하는 것을 특징으로 하는 디퓨져 미세홀의 가공 방법.
According to claim 1,
The second inlet micro hole is,
This is done by flat processing, which is different from drill processing for processing the first inlet micro hole,
The flat processing is,
A method of processing diffuser microholes, characterized in that processing the diffuser plate from the top to the bottom so that at least one side is formed wider than the width of the first inlet microhole formed by the drilling process and at least the bottom surface is formed flat.
상기 제2 아웃릿 미세홀은,
상기 제1 아웃릿 미세홀을 가공하는 드릴 가공과 다른 형상 가공에 의해 이루어지며,
상기 형상 가공은,
상기 드릴 가공에 따라 형성된 상기 제1 아웃릿 미세홀의 폭보다 적어도 일면이 넓게 형성되도록 하면서 적어도 상부면이 플랫하게 형성되도록 상기 디퓨져 플레이트의 하측에서 상측방향으로 가공하는 것을 특징으로 하는 디퓨져 미세홀의 가공 방법.
According to claim 2,
The second outlet microhole is,
This is achieved by processing a shape different from drilling for processing the first outlet micro hole,
The shape processing is,
A method of processing diffuser microholes, characterized in that processing the diffuser plate from the bottom to the top so that at least one surface is wider than the width of the first outlet microhole formed by the drilling process and at least the upper surface is formed flat. .
상기 플랫 가공 및 형상 가공에 따라 상기 제2 인릿 미세홀의 하부면 및 제2 아웃릿 미세홀의 상부면이 플랫하게 가공 형성됨으로써 상기 제2 아웃릿 미세홀의 상부면에서 상기 제2 인릿 미세홀의 하부면까지의 길이가 일정하게 가공 형성되는 것을 특징으로 하는 디퓨져 미세홀의 가공 방법.
According to claim 1,
According to the flat processing and shape processing, the lower surface of the second inlet micro hole and the upper surface of the second outlet micro hole are processed to be flat, from the upper surface of the second outlet micro hole to the lower surface of the second inlet micro hole. A method of processing diffuser microholes, characterized in that the length of is processed and formed to be constant.
상기 제1 인릿 미세홀을 가공한 후에 상기 제1 인릿 미세홀의 하부면이 플랫하도록 상기 제2 인릿 미세홀을 가공 형성하고,
상기 제1 아웃릿 미세홀을 가공한 후에 상기 제1 아웃릿 미세홀의 상부면이 플랫하도록 상기 제2 아웃릿 미세홀을 가공 형성함으로써 상기 제2 인릿 미세홀의 하부면과 상기 제2 아웃릿 미세홀의 상부면이 서로 쌍으로 플랫하도록 가공 형성되고,
상기 쌍으로 형성된 플랫한 면을 관통하도록 상기 중간 미세홀을 가공 형성하는 것을 특징으로 하는 디퓨져 미세홀의 가공 방법.
According to claim 1,
After machining the first inlet micro hole, the second inlet micro hole is formed so that the lower surface of the first inlet micro hole is flat,
After machining the first outlet micro-hole, the second outlet micro-hole is processed so that the upper surface of the first outlet micro-hole is flat, thereby forming a gap between the lower surface of the second inlet micro-hole and the second outlet micro-hole. The upper surfaces are processed and formed to be flat in pairs,
A method of processing a diffuser micro hole, characterized in that the intermediate micro hole is formed to penetrate the flat surface formed in the pair.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210124394A KR102677204B1 (en) | 2021-09-16 | 2021-09-16 | Diffuser and processing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210124394A KR102677204B1 (en) | 2021-09-16 | 2021-09-16 | Diffuser and processing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230040828A KR20230040828A (en) | 2023-03-23 |
| KR102677204B1 true KR102677204B1 (en) | 2024-06-21 |
Family
ID=85799137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210124394A KR102677204B1 (en) | 2021-09-16 | 2021-09-16 | Diffuser and processing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102677204B1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023195716A1 (en) | 2022-04-06 | 2023-10-12 | 주식회사 엘지에너지솔루션 | Battery pack |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8083853B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
| TWI733712B (en) * | 2015-12-18 | 2021-07-21 | 美商應用材料股份有限公司 | A diffuser for a deposition chamber and an electrode for a deposition chamber |
-
2021
- 2021-09-16 KR KR1020210124394A patent/KR102677204B1/en active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20230040828A (en) | 2023-03-23 |
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