KR100918676B1 - Apparatus for depositing vapor on wafer - Google Patents

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KR100918676B1 KR1020090029034A KR20090029034A KR100918676B1 KR 100918676 B1 KR100918676 B1 KR 100918676B1 KR 1020090029034 A KR1020090029034 A KR 1020090029034A KR 20090029034 A KR20090029034 A KR 20090029034A KR 100918676 B1 KR100918676 B1 KR 100918676B1
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Abstract

A deposition apparatus using a shower head is provided to control an amount of the reactive gas sprayed through an injection path by including the injection path with a small diameter and a large diameter. The reactive gas is supplied to a chamber(100). An inlet is formed in an inner bottom to spray the supplied reactive gas on a surface of a wafer(150). An outlet connected to the inlet is formed in the outer bottom of a plurality of injection paths(131). A table(120) supports the wafer. The inlet of each injection path is formed on a first plane. The outlet of the each injection path is formed on a second plane.

Description

샤워헤드를 채용한 증착장치{Apparatus for depositing vapor on wafer}Vapor deposition apparatus employing a shower head {Apparatus for depositing vapor on wafer}

본 발명은 샤워헤드를 채용한 화학 기상 증착장치에 관한 것으로, 특히 반도체 웨이퍼 표면에 원하는 두께의 막을 증착시킬 수 있도록 샤워헤드의 구조가 개선된 증착장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical vapor deposition apparatus employing a shower head, and more particularly, to a deposition apparatus having an improved structure of a shower head to deposit a film having a desired thickness on a semiconductor wafer surface.

일반적으로, 화학 기상 증착 장치(Chemicla vapor deposition; CVD)는 기판 또는 반도체 웨이퍼 표면에 박막을 증착하는데 사용된다. Generally, chemical vapor deposition (CVD) is used to deposit thin films on substrates or semiconductor wafer surfaces.

도1 및 도2는 본 출원인이 선출원한 증착 장치의 일례를 도시한 도면이다.1 and 2 show an example of a deposition apparatus pre- filed by the applicant.

이러한 증착 장치는 웨이퍼 표면에 균일한 두께로 막을 증착하기 위한 것이다. This deposition apparatus is for depositing a film with a uniform thickness on the wafer surface.

도1은 본 출원인이 2006년 11월 23일자로 출원한 특허출원번호 제2006-0116589호의 "샤워헤드를 채용한 화학 기상 증착장치"로서, 이 증착장치는 배기구(11)를 갖는 챔버(10) 상면에 공급구(61)가 형성된 챔버리드(60)가 결합되고, 챔버(10) 공간 상부에 공급구(61)를 통하여 공급된 반응가스를 웨이퍼(50) 표면에 균일하게 분사시키는 토출공(31)이 형성된 샤워헤드(30)가 마련되며, 챔버(10) 공간에는 웨이퍼(50)를 안착지지하는 테이블(20)을 포함하여 구성된다.1 is a "chemical vapor deposition apparatus employing a showerhead" of the patent application No. 2006-0116589 filed by the applicant on November 23, 2006, which is a chamber 10 having an exhaust port 11. The chamber lead 60 having the supply port 61 formed thereon is coupled to the upper surface, and discharge holes for uniformly injecting the reaction gas supplied through the supply port 61 in the upper portion of the chamber 10 onto the surface of the wafer 50 ( A shower head 30 having a 31 formed therein is provided, and the chamber 10 includes a table 20 for seating and supporting the wafer 50.

상기 테이블(20)에는 웨이퍼(50)를 소정온도로 가온하여 반응가스의 반응성을 향상시키는 히터(미도시)가 내장되어 있으며, 그 상면에는 웨이퍼(50)의 안착위치를 정확하게 유지시키고 테이블(50) 상면 가장자리에서 반응가스에 의한 증착이 이루어지지 않도록 환형의 쉐도우링(shadow ring;40)이 마련되어 있다.The table 20 includes a heater (not shown) that warms the wafer 50 to a predetermined temperature to improve the reactivity of the reaction gas. An upper surface of the table 20 accurately maintains the seating position of the wafer 50 and the table 50. An annular shadow ring 40 is provided to prevent deposition by the reaction gas at the upper edge.

쉐도우링(40)은 웨이퍼(50) 측멱과 테이블(20)의 가장자리에 반응가스가 증착되는 것을 방지하며 웨이퍼(50)가 테이블(20)에 고착되는 것을 방지하고, 웨이퍼(50) 표면에 증착이 이루어진 후 반응가스는 배기구(11)를 통하여 챔버 외부로 펌핑되게 된다.The shadow ring 40 prevents the reaction gas from being deposited on the side of the wafer 50 and the edge of the table 20, and prevents the wafer 50 from sticking to the table 20, and deposits on the surface of the wafer 50. After this reaction gas is pumped out of the chamber through the exhaust port (11).

도1의 증착장치는, 쉐도우링(40)과 대향되는 샤워헤드(30)의 저면 가장자리에 경사면(32)을 형성하여 샤워헤드(30)의 저면으로부터 웨이퍼(50) 표면 및 쉐도우링(40) 표면에 이르는 간격(E,D)이 동일하게 하여 두께가 일정한 막을 증착하도록 한다. The deposition apparatus of FIG. 1 forms an inclined surface 32 at the bottom edge of the showerhead 30 opposite the shadow ring 40 to form the surface of the wafer 50 and the shadow ring 40 from the bottom of the showerhead 30. The spacing (E, D) to the surface is the same to deposit a film of constant thickness.

한편, 도2는 본 출원인이 2007년 7월 6일자로 출원한 특허출원번호 제2007-0068198호의 "샤워헤드를 채용한 증착장치"로서, 도1의 증착장치와 동일한 기능을 하는 구성요소에 대하여 도1과 동일한 참조번호를 부여하며, 그 구체적인 설명은 생략한다.On the other hand, Figure 2 is a "deposition apparatus employing a showerhead" of the patent application No. 2007-0068198 filed by the applicant of July 6, 2007, with respect to the components having the same function as the deposition apparatus of FIG. The same reference numerals as in FIG. 1 are used, and a detailed description thereof will be omitted.

도2의 증착장치는 도1의 증착장치와 달리 쉐도우링을 채용하지 않으며, 웨이퍼(50)가 진공흡착에 의해 테이블에 안착된다. Unlike the deposition apparatus of FIG. 1, the deposition apparatus of FIG. 2 does not employ a shadow ring, and the wafer 50 is seated on a table by vacuum adsorption.

이 증착장치는 샤워헤드(30)의 저면 가장자리를 따라 돌출된 돌출턱(33)과, 그 돌출턱(33)의 내주면을 측벽으로 하는 오목홈(34)을 형성한 구조를 갖는다.This vapor deposition apparatus has a structure in which the projection jaw 33 which protrudes along the bottom edge of the shower head 30, and the concave groove 34 which makes the inner peripheral surface of the projection jaw 33 a side wall are formed.

상기 구성으로, 돌출턱(33)의 상면과 이에 대향되는 테이블(20) 사이의 간격(D)와, 오목홈(34)의 바닥면과 웨이퍼(50)의 상면의 간격(E)이 동일하게 되도록 하여, 웨이퍼 표면에 균일한 두께로 막을 증착하도록 한다.With the above configuration, the distance D between the upper surface of the protruding jaw 33 and the table 20 opposite thereto, and the distance E between the bottom surface of the concave groove 34 and the upper surface of the wafer 50 are equal. The film is deposited to a uniform thickness on the wafer surface.

이와 같이, 상기 도1 및 도2에 도시된 증착장치는 웨이퍼(50)에 균일한 두께로 막을 증착하므로 웨이퍼(50) 표면에 증착되는 막의 두께를 의도적으로 조절하기 어려운 단점이 있다.As described above, since the deposition apparatus illustrated in FIGS. 1 and 2 deposits a film with a uniform thickness on the wafer 50, it is difficult to intentionally control the thickness of the film deposited on the surface of the wafer 50.

종래, 웨이퍼에 증착되는 막의 두께를 조절하기 위해서, 반응가스의 흐름을 제어하는 배플 플레이트(Baffle Plate)를 사용하고, 반응가스의 압력, 분사시간, 온도를 조절하여 증착되는 막의 두께를 조절하였으나, 이러한 공정은 비용과 시간이 많이 소요되는 단점이 있다.Conventionally, in order to adjust the thickness of the film deposited on the wafer, using a baffle plate (Baffle Plate) for controlling the flow of the reaction gas, by controlling the pressure, the injection time, the temperature of the reaction gas, the thickness of the deposited film was adjusted, This process has the disadvantage of being costly and time consuming.

본 발명은 상술한 바와 같은 사항을 고려하여 안출된 것으로, 웨이퍼 표면에 원하는 두께로 막을 증착할 수 있도록 구조가 개선된 샤워헤드가 채용된 증착장치를 제공함을 그 목적으로 한다. The present invention has been made in consideration of the above-described matters, and an object thereof is to provide a deposition apparatus employing a shower head having an improved structure so that a film can be deposited on a wafer surface with a desired thickness.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 샤워헤드가 채용된 증착장치는, 반응가스가 공급되는 챔버와, 공급된 반응가스가 웨이퍼 표면에 분사되도록 그 내측 바닥면에 유입공이 형성되고 그 외측 바닥면에 상기 유입공과 연통되는 토출공이 형성된 복수의 분사유로를 가지는 샤워헤드와, 상기 웨이퍼를 안착지지하는 테이블을 구비하는 증착 장치에 있어서, 상기 각 분사유로의 유입공은 상호 동일한 평면인 제1 평면에 형성되고, 상기 각 분사유로의 토출공은 상호 동일한 평면인 제2 평면에 형성되며, 상기 각 분사유로는 상기 제1 평면으로부터 하방으로 연장되는 제1 소경부와 상기 제1 소경부로부터 하방으로 연장되며 그 제1 소경부보다 직경이 큰 제1 대경부를 갖는 제1 분사유로와, 상기 제1 평면으로부터 하방으로 연장되는 제2 소경부와 상기 제2 소경부로부터 하방으로 연장되며 그 제2 소경부보다 직경이 큰 제2 대경부를 갖는 제2 분사유로를 포함하며, 상기 제1 소경부의 길이는 상기 제2 소경부의 길이보다 길며, 상기 제1 대경부의 길이는 상기 제2 대경부의 길이보다 짧은 것을 특징으로 한다.In the deposition apparatus employing the shower head according to the present invention for achieving the above object, the inlet hole is formed on the inner bottom surface so that the reaction gas is supplied, and the supplied reaction gas is injected to the wafer surface and the outside A deposition apparatus including a shower head having a plurality of injection passages having discharge holes communicating with the inflow holes at a bottom thereof, and a table for supporting the wafer, wherein the inflow holes of the respective injection passages are flush with each other. And the discharge holes of the respective injection passages are formed in a second plane that is the same plane, and the respective injection passages are downward from the first small diameter portion and the first small diameter portion extending downward from the first plane. A first injection passage having a first large diameter portion extending in the diameter and larger than the first small diameter portion, the second small diameter portion extending downward from the first plane; A second injection passage extending downward from the second small diameter portion and having a second large diameter portion larger in diameter than the second small diameter portion, wherein the length of the first small diameter portion is longer than the length of the second small diameter portion; The length of the first large diameter portion is shorter than the length of the second large diameter portion.

또한, 상기 분사유로는 상기 제1 평면으로부터 하방으로 연장되는 제3 소경 부와 상기 제3 소경부로부터 하방으로 연장되며 그 제3 소경부보다 직경이 큰 제3 대경부를 갖는 제3 분사유로를 더 구비하며, 상기 제3 소경부의 길이는 상기 제2 소경부의 길이보다 짧으며, 상기 제3 대경부의 길이는 상기 제2 대경부의 길이보다 긴 것이 바람직하다. Further, the injection passage further includes a third injection passage having a third small diameter portion extending downward from the first plane and a third large diameter portion extending downward from the third small diameter portion and larger in diameter than the third small diameter portion. The length of the third small diameter portion is shorter than the length of the second small diameter portion, and the length of the third large diameter portion is preferably longer than the length of the second large diameter portion.

또한, 상기 제1 대경부와 상기 제2 대경부가 인접되는 경계에 상기 제1 대경부와 상기 제2 대경부를 연통시키는 연결유로가 형성되며, 상기 연결유로는 상기 제2 대경부로부터 상기 제1 대경부를 향하여 하측으로 경사지게 형성되는 것이 바람직하다. In addition, a connection flow passage for communicating the first large diameter portion and the second large diameter portion is formed at a boundary between the first large diameter portion and the second large diameter portion, and the connection passage is formed from the second large diameter portion to the first large diameter portion. It is preferable to be inclined downward toward the part.

한편, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 또 따른 샤워헤드가 채용된 증착장치는, 반응가스가 공급되는 챔버와, 공급된 반응가스가 웨이퍼 표면에 분사되도록 그 내측 바닥면에 유입공이 형성되고 그 외측 바닥면에 상기 유입공과 연통되는 토출공이 형성된 복수의 분사유로를 가지는 샤워헤드와, 상기 웨이퍼를 안착지지하는 테이블을 구비하는 증착 장치에 있어서, 상기 분사유로 각각의 유입공은 상호 동일한 평면인 제1 평면에 형성되며, 상기 각 분사유로는 상기 토출공과 상기 웨이퍼 표면 사이가 제1 간격을 갖는 제1 분사유로와, 상기 토출공과 상기 웨이퍼 표면 사이가 제2 간격을 갖는 제2 분사유로를 포함하며, 상기 제1 간격과 제2 간격은 서로 다른 것을 특징으로 한다.On the other hand, in the deposition apparatus employing a shower head according to the present invention for achieving the above object, the inlet hole is formed on the inner bottom surface so that the reaction gas is supplied, and the supplied reaction gas is injected to the wafer surface And a shower head having a plurality of injection passages having discharge holes communicating with the inflow holes on an outer bottom thereof, and a table for seating and supporting the wafer, wherein each of the inflow holes is flush with each other. Is formed on the first plane, and each of the injection passages includes a first injection passage having a first gap between the discharge hole and the wafer surface, and a second injection passage having a second gap between the discharge hole and the wafer surface. And the first interval and the second interval are different from each other.

또한, 상기 분사유로는 상기 토출공과 상기 웨이퍼 표면 사이가 제3 간격을 갖는 제3 분사유로를 더 구비하며, 상기 제3 간격은 제1 간격 및 제2 간격과 다른 것이 바람직하다.The injection passage may further include a third injection passage having a third interval between the discharge hole and the wafer surface, wherein the third interval is different from the first interval and the second interval.

본 발명에 따른 샤워헤드를 채용한 증착장치는, 소경부와 대경부로 이루어지는 분사유로에 있어서 소경부와 대경부의 길이를 서로 달리하는 분사유로를 구비하므로, 그 분사유로들을 통해 분사되는 반응가스의 분사량이 달라져 웨이퍼에 원하는 패턴의 두께로 막을 증착할 수 있게 한다.The vapor deposition apparatus employing the shower head according to the present invention has an injection passage having different lengths of the small diameter portion and the large diameter portion in the injection passage consisting of the small diameter portion and the large diameter portion, and thus the injection amount of the reaction gas injected through the injection passages. This change allows the film to be deposited on the wafer to a desired pattern thickness.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described embodiments of the present invention;

도3은 본 발명 일 실시예에 따른 증착장치의 단면도이고, 도4는 도3의 요부를 발췌하여 확대 도시한 도면이다. 3 is a cross-sectional view of a deposition apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an enlarged view of an essential part of FIG. 3.

먼저 도3을 참조하면, 본 발명 실시예에 따른 증착장치는, 반응가스가 공급되는 챔버(100)와, 공급된 반응가스가 웨이퍼(150) 표면에 분사되도록 그 내측 바닥면에 유입공(133)이 형성되고 그 외측 바닥면에 상기 유입공(133)과 연통되는 토출공(132)이 형성된 복수의 분사유로(131)를 가지는 샤워헤드(130)와, 상기 웨이퍼를 안착지지하는 테이블(120)을 구비한다. Referring first to Figure 3, the deposition apparatus according to the embodiment of the present invention, the inlet hole 133 in the inner bottom surface so that the reaction gas is supplied to the chamber 100, the supplied reaction gas is sprayed on the surface of the wafer 150 ) And a shower head 130 having a plurality of injection passages 131 having a discharge hole 132 communicating with the inlet hole 133 on an outer bottom thereof, and a table 120 for seating and supporting the wafer. ).

상기 챔버(100)에는 그 상면에 반응가스가 공급되는 공급구(161)가 마련된 챔버리드(160)가 결합되고, 그 측면에 반응가스가 웨이퍼(150)에 증착된 후 배출되는 배기구(111)가 형성된다.The chamber 100 is provided with a chamber lead 160 having a supply port 161 for supplying a reaction gas to an upper surface thereof, and an exhaust port 111 discharged after the reaction gas is deposited on the wafer 150 at a side thereof. Is formed.

상기 샤워헤드(130)는 상기 공급구(161)를 통해 공급된 반응가스가 수용되는 공간을 갖도록 상기 챔버(100)의 상면에 결합되며, 그 저면에는 복수의 분사유로(131)가 형성된다.The shower head 130 is coupled to the upper surface of the chamber 100 to have a space for receiving the reaction gas supplied through the supply port 161, a plurality of injection passage 131 is formed on the bottom surface.

도4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예 있어서, 상기 분사유로(131)는 제1 분사유로(1311), 제2 분사유로(1312), 제3 분사유로(1313)를 포함한다.Referring to FIG. 4, in the embodiment of the present invention, the injection passage 131 includes a first injection passage 1311, a second injection passage 1312, and a third injection passage 1313.

상기 각 분사유로(1311,1312,1313)의 유입공(133)은 상호 동일한 평면인 제1 평면(P1)에 형성되고, 상기 각 분사유로(1311,1312,1313)의 토출공(132)은 상호 동일한 평면인 제2 평면(P2)에 형성된다. The inflow holes 133 of each of the injection passages 1311, 1312, and 1313 are formed in the first plane P1 which is the same plane, and the discharge holes 132 of the respective injection passages 1311, 1312, and 1313 are It is formed in the second plane P2 which is the same plane as each other.

상기 제1 분사유로(1311)는 상기 제1 평면(P1)으로부터 하방으로 연장되는 제1 소경부(1311a)와 상기 제1 소경부(1311a)로부터 하방으로 연장되며 그 제1 소경부(1311a)보다 직경이 큰 제1 대경부(1311b)를 포함하여 이루어진다.The first injection passage 1311 extends downward from the first small diameter portion 1311a and the first small diameter portion 1311a extending downward from the first plane P1 and the first small diameter portion 1311a. It comprises a first larger diameter portion 1311b having a larger diameter.

상기 제2 분사유로(1312)는 상기 제1 평면(P1)으로부터 하방으로 연장되는 제2 소경부(1312a)와 상기 제2 소경부(1312a)로부터 하방으로 연장되며 그 제2 소경부(1312a)보다 직경이 큰 제2 대경부(1312b)를 포함하여 이루어진다.The second injection passage 1312 extends downward from the second small diameter portion 1312a and the second small diameter portion 1312a extending downward from the first plane P1 and the second small diameter portion 1312a. It comprises a second large diameter portion 1312b having a larger diameter.

상기 제3 분사유로(1313)는 상기 제1 평면(P1)으로부터 하방으로 연장되는 제3 소경부(1313a)와 상기 제3 소경부(1313a)로부터 하방으로 연장되며 그 제3 소경부(1313a)보다 직경이 큰 제3 대경부(1313b)를 포함하여 이루어진다.The third injection passage 1313 extends downwardly from the third small diameter portion 1313a and the third small diameter portion 1313a extending downward from the first plane P1 and the third small diameter portion 1313a. It comprises a third larger diameter portion 1313b having a larger diameter.

상기 제1 소경부의 길이(SL1)는 상기 제2 소경부의 길이(SL2)보다 길며, 상기 제3 소경부의 길이(SL3)는 상기 제2 소경부의 길이(SL2)보다 짧다. The length SL1 of the first small diameter portion is longer than the length SL2 of the second small diameter portion, and the length SL3 of the third small diameter portion is shorter than the length SL2 of the second small diameter portion.

상기 제1 대경부의 길이(WL1)는 상기 제2 대경부의 길이(WL2)보다 짧으며, 상기 제3 대경부의 길이(WL3)는 상기 제2 대경부의 길이(WL2)보다 길다.The length WL1 of the first large diameter part is shorter than the length WL2 of the second large diameter part, and the length WL3 of the third large diameter part is longer than the length WL2 of the second large diameter part.

상기 제1,2,3 소경부(1311a,1312a,1313a)의 각 직경은 서로 동일하며, 상기 제1,2,3 대경부(1311b,1312b,1313b)의 각 직경도 서로 동일하게 이루어진다.Each of the diameters of the first, second, and third small diameter parts 1311a, 1312a, and 1313a is the same, and the diameters of the first, second, and third large diameter parts 1311b, 1312b, and 1313b are the same.

이와 같이, 제1,2,3 소경부의 길이(SL1,SL2,SL3) 및 제1,2,3 대경부의 길이(WL1,WL2,WL3)를 다르게 하는 구성은 샤워헤드(130)의 가공시, 샤워헤드(130)의 저면으로부터 샤워헤드(130)의 내부 공간을 향하여 서로 다른 깊이로, 예컨대 드릴링하여 분사유로(131)를 형성함으로써 이루어진다.As such, the configuration in which the lengths SL1, SL2, SL3 of the first, second, and third small diameter portions and the lengths WL1, WL2, and WL3 of the first, second, and third large diameter portions are different may be used in the processing of the shower head 130. The injection path 131 is formed by drilling, for example, at different depths from the bottom of the shower head 130 toward the inner space of the shower head 130.

한편, 본 실시예에서 테이블(120)에는 웨이퍼(150)를 소정온도로 가온하여 반응가스의 반응성을 향상시키는 히터(미도시)가 내장되어 있으며, 그 상면에는 웨이퍼(150)의 안착위치를 정확하게 유지시키고 테이블(120) 상면 가장자리에서 반응가스에 의한 증착이 이루어지지 않도록 환형의 쉐도우링(shadow ring;140)이 마련되어 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the table 120 includes a heater (not shown) that warms the wafer 150 to a predetermined temperature and improves the reactivity of the reaction gas. The upper surface of the table 120 accurately positions the seating position of the wafer 150. An annular shadow ring 140 is provided so as to maintain the same and to prevent deposition by the reaction gas at the upper edge of the table 120.

상기 쉐도우링(140)은 웨이퍼(150) 측면과 테이블(120) 가장자리에 반응가스가 증착되는 것을 방지하며, 웨이퍼(150)가 테이블(120)에 고착되는 것을 방지한다.The shadow ring 140 prevents the reaction gas from being deposited on the side of the wafer 150 and the edge of the table 120, and prevents the wafer 150 from sticking to the table 120.

물론, 본 실시예에서는 쉐도우링(140)이 채용된 증착장치를 개시하였으나, 쉐도우링(140)이 채용되지 않고 웨이퍼(150)를 진공흡착 방식으로 테이블(120)에 안착시킬 수도 있다.Of course, in the present embodiment, the deposition apparatus employing the shadow ring 140 is disclosed, but the shadow ring 140 is not employed and the wafer 150 may be seated on the table 120 in a vacuum suction method.

이하, 상기 구성에 의한 본 발명 일 실시예의 작용을 도3 및 도4를 참조하여 설명한다.Hereinafter, the operation of an embodiment of the present invention by the above configuration will be described with reference to FIGS. 3 and 4.

챔버(100) 상면에 형성된 공급구(161)를 통하여 반응가스가 샤워헤드(130)에 주입되고, 주입된 반응가스는 샤워헤드(130) 저면에 형성된 분사유로(131)를 통하여 하방의 웨이퍼(150) 측으로 분사되어 웨이퍼(150) 표면(S)에 증착이 이루어진 다.The reaction gas is injected into the shower head 130 through the supply port 161 formed on the upper surface of the chamber 100, and the injected reaction gas is injected downward through the injection passage 131 formed in the bottom of the shower head 130. 150 is sprayed to the side is deposited on the surface (S) of the wafer 150.

증착 후 반응가스는 샤워헤드(130) 저면과 테이블(120) 사이의 공간(170)으로 진행한 후, 챔버(100)의 배기구(111)를 통하여 외부로 펌핑되게 된다.After deposition, the reaction gas proceeds to the space 170 between the bottom surface of the shower head 130 and the table 120, and then is pumped out through the exhaust port 111 of the chamber 100.

제1,2,3 분사유로(1311,1312,1313)를 통하여 분사된 반응가스에 의해 증착이 이루어지는 과정을 상세히 설명한다. A process in which deposition is performed by the reaction gases injected through the first, second, and third injection passages 1311, 1312, and 1313 will be described in detail.

반응가스가 유입되는 유입공(133)의 하방으로 연장되는 소경부의 길이가 짧아질수록, 반응가스의 분사속도가 커지게 되고, 분사속도가 커지게 되면, 단위시간동안 대경부를 통하여 토출공(132)으로 분사되는 반응가스의 분사량이 증가한다.As the length of the small diameter portion extending downward of the inlet hole 133 into which the reaction gas is introduced becomes shorter, the injection speed of the reaction gas increases, and when the injection speed increases, the ejection hole (for 132, the injection amount of the reaction gas injected to the increase.

본 실시예에서 분사유로(131)의 각 소경부의 길이, 즉 제1 분사유로(1311)의 제1 소경부(1311a)의 길이(SL1), 제2 분사유로(1312)의 제2 소경부(1312a)의 길이(SL2), 제3 분사유로(1313)의 제3 소경부(1313a)의 길이(SL3)는 SL1>SL2>SL3이므로, 토출공(132)을 통하여 분사되는 반응가스의 분사량은 제3 분사유로(1313)를 통해 분사되는 반응가스의 분사량이 가장 많게 되며, 그 다음으로 제2 분사유로(1312), 제1 분사유로(1311) 순으로 적어지게 된다.In this embodiment, the length of each small diameter portion of the injection passage 131, that is, the length SL1 of the first small diameter portion 1311a of the first injection passage 1311 and the second small diameter portion of the second injection passage 1312. Since the length SL2 of the 1313a and the length SL3 of the third small diameter part 1313a of the third injection passage 1313 are SL1> SL2> SL3, the injection amount of the reaction gas injected through the discharge hole 132 Is the largest injection amount of the reaction gas injected through the third injection passage (1313), and then the second injection passage 1312, the first injection passage (1311) in order to be smaller.

그러므로, 도4에 도시된 바와 같이, 제3 분사유로(1313)의 토출공(132) 하방에 위치한 웨이퍼(150) 표면(S)에는 가장 두꺼운 증착막이 형성되고, 제1 분사유로(1311)의 토출공(132) 하방에 위치한 웨이퍼(150) 표면(S)에는 가장 얇은 증착막이 형성되어, 전체적으로 웨이퍼(150) 표면(S)에는 아래로 오목한 U형의 증착막이 형성되게 된다. 이러한 U형의 증착막을 다소 과장하여 도6에 도시하였다.Therefore, as shown in FIG. 4, the thickest deposited film is formed on the surface S of the wafer 150 located below the discharge hole 132 of the third injection passage 1313, and the first injection passage 1311 is formed. The thinnest deposition film is formed on the surface S of the wafer 150 located below the discharge hole 132, and a U-type deposition film concave down is formed on the surface S of the wafer 150 as a whole. This U-type deposited film is exaggerated somewhat and is shown in FIG.

한편, 도5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 샤워헤드를 채용한 증착장치를 도시하며, 도3의 증착장치와 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하고 그 구체적인 설명은 생략한다.On the other hand, Figure 5 shows a deposition apparatus employing a showerhead according to another embodiment of the present invention, the same reference numerals are assigned to components that perform the same function as the deposition apparatus of Figure 3 and a detailed description thereof will be omitted. do.

도5에 도시된 증착장치는, 도3의 증착장치와 달리 샤워헤드(130) 저면에 제1 분사유로(1311)와 제2 분사유로(1312)를 구비한 예를 도시한다.Unlike the deposition apparatus of FIG. 3, the deposition apparatus illustrated in FIG. 5 illustrates an example in which a first injection passage 1311 and a second injection passage 1312 are provided on a bottom surface of the shower head 130.

상기 설명한 바와 같이, 반응가스가 유입되는 유입공(133)의 하방으로 연장되는 소경부의 길이가 길수록 반응가스의 분사속도가 감소하여, 반응가스의 분사량이 적어지므로, 제1 분사유로(1311)를 통해 분사되는 반응가스의 분사량은 제2 분사유로(1312)를 통해 분사되는 반응가스의 분사량보다 적다.As described above, since the injection speed of the reaction gas decreases as the length of the small diameter portion extending below the inlet hole 133 into which the reaction gas flows decreases, the injection amount of the reaction gas decreases, and thus, the first injection passage 1311. The injection amount of the reaction gas injected through the gas is smaller than the injection amount of the reaction gas injected through the second injection passage 1312.

따라서, 도5에 도시된 바와 같이, 제2 분사유로(1312)의 토출공(132) 하방에 위치한 웨이퍼(150)의 표면(S)에는 제1 분사유로(1311)의 토출공(132) 하방에 위치한 웨이퍼(150)의 가장자리와 중간부 표면(S)보다 더 두꺼운 증착막이 형성되게 되어 전체적으로 M형의 증착막이 형성되게 된다. 이러한 M형의 증착막을 다소 과장하여 도7에 도시하였다.Thus, as shown in FIG. 5, the discharge hole 132 of the first injection passage 1311 is disposed below the surface S of the wafer 150 positioned below the discharge hole 132 of the second injection passage 1312. The deposition film thicker than the edge and the intermediate surface (S) of the wafer 150 located at is formed to form an overall M-type deposition film. This M-type deposited film is somewhat exaggerated and shown in FIG.

도8은 본 발명의 다른 실시예를 도시하며, 도3의 증착장치와 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하고 그 구체적인 설명은 생략한다.FIG. 8 shows another embodiment of the present invention, in which components that perform the same functions as the deposition apparatus of FIG. 3 are given the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

도8의 증착장치는, 제1 대경부(1311b)와 상기 제2 대경부(1312b)가 인접되는 경계에 상기 제1 대경부(1311b)와 상기 제2 대경부(1312b)를 연통시키는 연결유로(134)를 더 구비한다. The vapor deposition apparatus of FIG. 8 connects the first large diameter portion 1311b and the second large diameter portion 1312b to a boundary between the first large diameter portion 1311b and the second large diameter portion 1312b. 134 is further provided.

상기 연결유로(134)는 분사량이 달라지는 제1 대경부와 제2 대경부의 경계에 서 반응가스의 배출압이 급격하게 변하는 것을 방지하고 웨이퍼 표면에 완만한 경사면을 이루면서 서로 다른 두께의 증착막을 증착하기 위해 마련된다.The connection flow path 134 prevents the discharge pressure of the reaction gas from changing rapidly at the boundary between the first large diameter portion and the second large diameter portion in which the injection amount is different, and deposits deposition films having different thicknesses while forming a gentle slope on the wafer surface. Is prepared for.

상기 연결유로(134)는 상대적으로 반응가스의 분사량이 큰 제2 대경부(1312b)로부터 상대적으로 반응가스의 분사량이 적은 제1 대경부(1311b)를 향하여 하측으로 경사지게 형성된다. The connection passage 134 is formed to be inclined downward from the second large diameter portion 1312b having a relatively large injection amount of the reaction gas toward the first large diameter portion 1311b having a relatively small injection amount of the reaction gas.

이처럼, 본 발명 실시예에 따른 샤워헤드(130)를 채용한 증착장치는, 각 분사유로(1311,1312,1313)의 제1,2,3 소경부의 길이(SL1,SL2,SL3) 및 제1,2,3 대경부의 길이(WL1,WL2,WL3)를 다르게 형성하여 반응가스의 분사량을 조절함으로써, 웨이퍼(150) 표면(S)에 원하는 두께의 막, 즉 웨이퍼(150) 표면(S)의 증착막의 단면이 전체적으로 오목형, 볼록형, W형, M형 등으로 증착할 수 있는 효과를 제공한다. As described above, in the deposition apparatus employing the shower head 130 according to the embodiment of the present invention, the lengths SL1, SL2, SL3 and the first, second, and third small diameter portions of the respective injection passages 1311, 1312, and 1313 are formed. By forming the lengths WL1, WL2, and WL3 of the first, second, and third large diameter portions differently to adjust the injection amount of the reaction gas, a film having a desired thickness on the surface S of the wafer 150, that is, the surface S of the wafer 150 The cross section of the deposited film of the film provides an effect that can be deposited in a concave, convex, W-type, M-type and the like as a whole.

한편, 도9 및 도10은 본 발명에 따른 또 다른 실시예를 도시하며, 도3의 증착장치와 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하고 그 구체적인 설명은 생략한다.9 and 10 show still another embodiment according to the present invention, and the same reference numerals are assigned to components that perform the same functions as the deposition apparatus of FIG. 3, and a detailed description thereof will be omitted.

도9를 참조하면, 본 실시예 있어서, 상기 분사유로(131)는 제1 분사유로(1311), 제2 분사유로(1312), 제3 분사유로(1313)를 포함한다.Referring to FIG. 9, in the present embodiment, the injection passage 131 includes a first injection passage 1311, a second injection passage 1312, and a third injection passage 1313.

상기 분사유로(131) 각각의 유입공(133)은 상호 동일한 평면인 제1 평면(P1)에 형성된다. 즉, 각 유입공(133)의 웨이퍼(150) 표면(S)으로부터의 높이가 동일하게 형성되며, 상기 제1 평면(P1)은 상기 웨이퍼(150)의 표면(S)과 평행하다.The inflow holes 133 of each of the injection passages 131 are formed in the first plane P1 which is the same plane as each other. That is, the heights from the surface S of the wafer 150 of each inflow hole 133 are the same, and the first plane P1 is parallel to the surface S of the wafer 150.

상기 제1 분사유로(1311)는 그 분사유로(1311)의 토출공(132)과 웨이퍼(150) 표면(S) 사이가 제1 간격(D1)을 갖도록 형성되고, 제2 분사유로(1312)는 그 분사유 로(1312)의 토출공(132)과 상기 웨이퍼(150) 표면(S) 사이가 제2 간격(D2)을 갖도록 형성되며, 제3 분사유로(1313)는 그 분사유로(1313)의 토출공(132)과 웨이퍼(150) 표면(S) 사이가 제3 간격(D3)을 갖도록 형성된다. The first injection passage 1311 is formed to have a first gap D1 between the discharge hole 132 of the injection passage 1311 and the surface S of the wafer 150, and the second injection passage 1312. Is formed to have a second gap D2 between the discharge hole 132 of the injection passage 1312 and the surface S of the wafer 150, and the third injection passage 1313 is the injection passage 1313. Is formed to have a third gap D3 between the discharge hole 132 and the surface S of the wafer 150.

상기 제1 간격(D1)과, 제2 간격(D2)과, 제3 간격(D3)은 서로 다른 간격을 갖도록 형성되며, 상기 각 간격의 크기는 D1<D2<D3이다. The first interval D1, the second interval D2, and the third interval D3 are formed to have different intervals, and the size of each interval is D1 <D2 <D3.

즉, 제1 분사유로(1311)와, 제2 분사유로(1312)와, 제3 분사유로(1313)의 각 유입공(133)은 모두 웨이퍼(150) 표면(S)과 평행한 제1 평면(P1)에 형성되고, 그 하방으로 토출공(132)까지 연장되는데, 상기 제1,2,3 분사유로(1311,1312,1313)의 각 토출공(132)은 상기 웨이퍼(150)로부터 제1 간격(D1), 제2 간격(D2), 제3 간격(D3)을 가지므로, 각 분사유로(1311,1312,1313)의 토출공(132)은 웨이퍼(150) 표면(S)으로부터 서로 다른 높이에 형성된다. That is, each of the inlet holes 133 of the first injection passage 1311, the second injection passage 1312, and the third injection passage 1313 is parallel to the surface S of the wafer 150. The discharge holes 132 of the first, second and third injection passages 1311, 1312, and 1313 are formed in the P1 and extend downward to the discharge holes 132. Since it has one space | interval D1, the 2nd space | interval D2, and the 3rd space | interval D3, the discharge hole 132 of each injection flow path 1311,1312,1313 is mutually separated from the surface S of the wafer 150. It is formed at different heights.

이와 같이, 제1,2,3 간격(D1,D2,D3)을 다르게 하는 구성은 샤워헤드(130)의 가공시, 샤워헤드(130)의 저면으로부터 샤워헤드(130)의 내부 공간을 향하여 서로 다른 깊이로, 예컨대 드릴링하여 분사유로(131)를 형성함으로써 이루어진다.As described above, the first, second, third intervals D1, D2, and D3 may be configured differently from the bottom of the shower head 130 toward the internal space of the shower head 130 when the shower head 130 is processed. At other depths, for example by drilling to form the injection passage 131.

한편, 본 실시예에서 테이블(120)에는 웨이퍼(150)를 소정온도로 가온하여 반응가스의 반응성을 향상시키는 히터(미도시)가 내장되어 있으며, 그 상면에는 웨이퍼(150)의 안착위치를 정확하게 유지시키고 테이블(120) 상면 가장자리에서 반응가스에 의한 증착이 이루어지지 않도록 환형의 쉐도우링(shadow ring;140)이 마련되어 있다.Meanwhile, in the present embodiment, the table 120 includes a heater (not shown) that warms the wafer 150 to a predetermined temperature and improves the reactivity of the reaction gas. The upper surface of the table 120 accurately positions the seating position of the wafer 150. An annular shadow ring 140 is provided so as to maintain the same and to prevent deposition by the reaction gas at the upper edge of the table 120.

상기 쉐도우링(140)은 웨이퍼(150) 측면과 테이블(120) 가장자리에 반응가스 가 증착되는 것을 방지하며, 웨이퍼(150)가 테이블(120)에 고착되는 것을 방지한다.The shadow ring 140 prevents the reaction gas from being deposited on the side of the wafer 150 and the edge of the table 120, and prevents the wafer 150 from being fixed to the table 120.

물론, 본 실시예에서는 쉐도우링(140)이 채용된 증착장치를 개시하였으나, 쉐도우링(140)이 채용되지 않고 웨이퍼(150)를 진공흡착 방식으로 테이블(120)에 안착시킬 수도 있다.Of course, in the present embodiment, the deposition apparatus employing the shadow ring 140 is disclosed, but the shadow ring 140 is not employed and the wafer 150 may be seated on the table 120 in a vacuum suction method.

이하, 상기 구성에 의한 본 실시예의 작용을 도9 및 도10를 참조하여 설명한다.Hereinafter, the operation of this embodiment by the above configuration will be described with reference to FIGS. 9 and 10.

챔버(100) 상면에 형성된 공급구(161)를 통하여 반응가스가 샤워헤드(130)에 주입되고, 주입된 반응가스는 샤워헤드(130) 저면에 형성된 분사유로(131)를 통하여 하방의 웨이퍼(150) 측으로 분사되어 웨이퍼(150) 표면(S)에 증착이 이루어진다.The reaction gas is injected into the shower head 130 through the supply port 161 formed on the upper surface of the chamber 100, and the injected reaction gas is injected downward through the injection passage 131 formed in the bottom of the shower head 130. 150 is sprayed to the side is deposited on the surface (S) of the wafer 150.

증착 후 반응가스는 샤워헤드(130) 저면과 테이블(120) 사이의 공간(170)으로 진행한 후, 챔버(100)의 배기구(111)를 통하여 외부로 펌핑되게 된다.After deposition, the reaction gas proceeds to the space 170 between the bottom surface of the shower head 130 and the table 120, and then is pumped out through the exhaust port 111 of the chamber 100.

제1,2,3 분사유로(1311,1312,1313)를 통하여 분사된 반응가스에 의해 증착이 이루어지는 과정을 상세히 설명한다. A process in which deposition is performed by the reaction gases injected through the first, second, and third injection passages 1311, 1312, and 1313 will be described in detail.

본 실시예에서 분사유로(131)의 각 토출공(132)과 웨이퍼(150) 표면(S)까지의 거리는 제1 분사유로(1311)가 D1, 제2 분사유로(1312)가 D2, 제3 분사유로(1313)가 D3이고 D1<D2<D3이므로, 각 분사유로(1311,1312,1313)의 유입공(133)과 토출공(132)까지의 거리는 제1 분사유로(1311), 제2 분사유로(1312), 제3 분사유로(1313) 순으로 짧아지게 된다.In this embodiment, the distance between each discharge hole 132 of the injection passage 131 and the surface S of the wafer 150 is D1 in the first injection passage 1311, D2 in the second injection passage 1312, and third Since the injection passage 1313 is D3 and D1 <D2 <D3, the distance between the inflow hole 133 and the discharge hole 132 of each injection passage 1311, 1312, 1313 is the first injection passage 1311 and the second. The injection passage 1312 and the third injection passage 1313 are shortened in order.

유입공(133)과 토출공(132)까지의 유로 길이가 짧아질수록, 반응가스의 분사속도가 커지게 되고, 분사속도가 커지게 되면, 단위시간동안 토출공(132)을 통하여 분사되는 반응가스의 분사량이 증가한다.As the length of the flow paths between the inlet hole 133 and the discharge hole 132 becomes shorter, the injection speed of the reaction gas increases, and when the injection speed increases, the reaction is injected through the discharge hole 132 for a unit time. The injection amount of gas increases.

따라서, 토출공(132)을 통하여 분사되는 반응가스의 분사량은 제3 분사유로(1313)를 통해 분사되는 반응가스의 분사량이 가장 많게 되며, 그 다음으로 제2 분사유로(1312), 제1 분사유로(1311) 순으로 적어지게 된다.Therefore, the injection amount of the reaction gas injected through the discharge hole 132 is the highest injection amount of the reaction gas injected through the third injection passage 1313, and then the second injection passage 1312, the first injection The flow path 1311 will be in descending order.

그러므로, 도10에 도시된 바와 같이, 제3 분사유로(1313)의 토출공(132) 하방에 위치한 웨이퍼(150) 표면(S)에는 가장 두꺼운 증착막이 형성되고, 제1 분사유로(1311)의 토출공(132) 하방에 위치한 웨이퍼(150) 표면(S)에는 가장 얇은 증착막이 형성되어, 전체적으로 웨이퍼(150) 표면(S)에는 아래로 오목한 U형의 증착막이 형성되게 된다. Therefore, as shown in FIG. 10, the thickest deposited film is formed on the surface S of the wafer 150 located below the discharge hole 132 of the third injection passage 1313, and the first injection passage 1311 is formed. The thinnest deposition film is formed on the surface S of the wafer 150 located below the discharge hole 132, and a U-type deposition film concave down is formed on the surface S of the wafer 150 as a whole.

한편, 도11은 도10의 증착장치의 변형례를 도시하며, 도11의 증착장치와 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 부여하고 그 구체적인 설명은 생략한다.11 shows a modification of the deposition apparatus of FIG. 10, and the same reference numerals are assigned to components that perform the same functions as the deposition apparatus of FIG. 11, and a detailed description thereof will be omitted.

도11에 도시된 증착장치는, 도10의 증착장치와 달리 샤워헤드(130) 저면에 제1 분사유로(1311)와 제2 분사유로(1312)를 구비한 예를 도시한다.Unlike the deposition apparatus of FIG. 10, the deposition apparatus illustrated in FIG. 11 illustrates an example in which a first injection passage 1311 and a second injection passage 1312 are provided on a bottom surface of the shower head 130.

상기 설명한 바와 같이, 분사유로(131)의 유입공(133)과 토출공(132) 사이의 거리가 길수록 반응가스의 분사속도가 감소하여, 반응가스의 분사량이 적어지므로, 제1 분사유로(1311)를 통해 분사되는 반응가스의 분사량은 제2 분사유로(1312)를 통해 분사되는 반응가스의 분사량보다 적다.As described above, since the injection speed of the reaction gas decreases as the distance between the inlet hole 133 and the discharge hole 132 of the injection passage 131 increases, the injection amount of the reaction gas decreases, and thus, the first injection passage 1311. The injection amount of the reaction gas injected through) is smaller than the injection amount of the reaction gas injected through the second injection passage 1312.

따라서, 도11에 도시된 바와 같이, 제2 분사유로(1312)의 토출공(132) 하방에 위치한 웨이퍼(150)의 표면(S)에는 제1 분사유로(1311)의 토출공(132) 하방에 위치한 웨이퍼(150)의 가장자리와 중간부 표면(S)보다 더 두꺼운 증착막이 형성되게 되어 전체적으로 M형의 증착막이 형성되게 된다. Accordingly, as shown in FIG. 11, the surface S of the wafer 150 positioned below the discharge hole 132 of the second injection path 1312 is disposed below the discharge hole 132 of the first injection path 1311. The deposition film thicker than the edge and the intermediate surface (S) of the wafer 150 located at is formed to form an overall M-type deposition film.

이상, 본 발명을 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 범주를 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 많은 변형이 제공될 수 있다. 예컨대, 샤워헤드 저면에 제1,2,3 분사유로의 배치 변경하거나, 소경부와 대경부의 길이가 상기 제1,2,3 분사유로와 다른 분사유로를 추가 형성하여 웨이퍼 표면을 원하는 두께의 다양한 패턴으로 증착할 수 있다. As mentioned above, although the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and many other various modifications can be provided without departing from the scope of the present invention. For example, by changing the arrangement of the first, second, and third injection passages on the bottom of the shower head, or by adding the injection passages having different lengths of the small diameter portion and the large diameter portion from the first, second and third injection passages, It can be deposited in a pattern.

도1은 종래 샤워헤드를 채용한 증착장치의 일례의 단면도,1 is a cross-sectional view of an example of a vapor deposition apparatus employing a conventional shower head;

도2는 종래 샤워헤드를 채용한 증착장치의 다른 일례의 단면도,2 is a cross-sectional view of another example of a vapor deposition apparatus employing a conventional shower head;

도3은 본 발명 일 실시예에 따른 증착장치의 단면도,3 is a cross-sectional view of a deposition apparatus according to an embodiment of the present invention;

도4는 도3의 요부를 발췌한 도면, Figure 4 is an extract of the main part of Figure 3,

도5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착장치의 단면도,5 is a cross-sectional view of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention;

도6은 도3의 증착장치에 의해 증착된 증착막을 도시한 도면, FIG. 6 is a view showing a deposited film deposited by the deposition apparatus of FIG. 3; FIG.

도7은 도5의 증착장치에 의해 증착된 증착막을 도시한 도면,FIG. 7 shows a deposition film deposited by the deposition apparatus of FIG. 5;

도8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착장치의 단면도,8 is a cross-sectional view of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention;

도9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착장치의 단면도,9 is a sectional view of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention;

도10은 도9의 요부를 발췌한 도면,FIG. 10 is a diagram illustrating an essential part of FIG. 9; FIG.

도11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착장치의 단면도이다.11 is a cross-sectional view of a deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100... 챔버 111... 배기구100 ... chamber 111 ... exhaust vent

120... 테이블 130... 샤워헤드120 ... table 130 ... showerhead

131... 분사유로 1311... 제1 분사유로131. The jet passage 1311 ... The first jet passage

1312... 제2 분사유로 1313... 제3 분사유로1312 ... Second Jet Flow 1313 ... Third Jet Flow

132... 토출공 133... 유입구132 ... discharge hole 133 ... inlet

140... 쉐도우링 150... 웨이퍼140 ... shadow ring 150 ... wafer

Claims (5)

반응가스가 공급되는 챔버(100)와, 공급된 반응가스가 웨이퍼(150) 표면에 분사되도록 그 내측 바닥면에 유입공(133)이 형성되고 그 외측 바닥면에 상기 유입공(133)과 연통되는 토출공(132)이 형성된 복수의 분사유로(131)를 가지는 샤워헤드(130)와, 상기 웨이퍼를 안착지지하는 테이블(120)을 구비하는 증착 장치에 있어서,An inlet hole 133 is formed in the inner bottom surface of the chamber 100 to which the reaction gas is supplied, and the supplied reaction gas is sprayed onto the surface of the wafer 150, and communicates with the inlet hole 133 on the outer bottom surface thereof. In the deposition apparatus comprising a shower head 130 having a plurality of injection passages 131 having a discharge hole 132 is formed, and a table 120 for seating and supporting the wafer, 상기 각 분사유로(131)의 유입공(133)은 상호 동일한 평면인 제1 평면(P1)에 형성되고, 상기 각 분사유로(131)의 토출공(132)은 상호 동일한 평면인 제2 평면(P2)에 형성되며, The inflow holes 133 of each of the injection passages 131 are formed in the first plane P1 which is the same plane as each other, and the discharge holes 132 of the respective injection passages 131 are of the second plane (the same plane). Formed on P2), 상기 각 분사유로(131)는 상기 제1 평면(P1)으로부터 하방으로 연장되는 제1 소경부(1311a)와 상기 제1 소경부(1311a)로부터 하방으로 연장되며 그 제1 소경부(1311a)보다 직경이 큰 제1 대경부(1311b)를 갖는 제1 분사유로(1311)와, 상기 제1 평면(P1)으로부터 하방으로 연장되는 제2 소경부(1312a)와 상기 제2 소경부(1312a)로부터 하방으로 연장되며 그 제2 소경부(1312a)보다 직경이 큰 제2 대경부(1312b)를 갖는 제2 분사유로(1312)를 포함하며, Each of the injection passages 131 extends downwardly from the first small diameter portion 1311a and the first small diameter portion 1311a extending downwardly from the first plane P1 and is smaller than the first small diameter portion 1311a. From the 1st injection flow path 1311 which has the 1st large diameter part 1311b with a large diameter, and the 2nd small diameter part 1312a and the said 2nd small diameter part 1312a extended downward from the said 1st plane P1. A second injection passage 1312 extending downward and having a second large diameter portion 1312b larger in diameter than the second small diameter portion 1312a, 상기 제1 소경부의 길이(SL1)는 상기 제2 소경부의 길이(SL2)보다 길며, 상기 제1 대경부의 길이(WL1)는 상기 제2 대경부의 길이(WL2)보다 짧으며,The length SL1 of the first small diameter part is longer than the length SL2 of the second small diameter part, the length WL1 of the first large diameter part is shorter than the length WL2 of the second large diameter part, 상기 제1 대경부(1311b)와 상기 제2 대경부(1312b)가 인접되는 경계에 상기 제1 대경부(1311b)와 상기 제2 대경부(1312b)를 연통시키는 연결유로(134)가 형성되며, A connection passage 134 is formed to communicate the first large diameter portion 1311b and the second large diameter portion 1312b at a boundary between the first large diameter portion 1311b and the second large diameter portion 1312b. , 상기 연결유로(134)는 상기 제2 대경부(1312b)로부터 상기 제1 대경부(1311b)를 향하여 하측으로 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 샤워헤드를 채용한 증착장치.The connection passage (134) is a deposition apparatus employing a shower head, characterized in that formed inclined downward from the second large diameter portion (1312b) toward the first large diameter portion (1311b). 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사유로(131)는 상기 제1 평면(P1)으로부터 하방으로 연장되는 제3 소경부(1313a)와 상기 제3 소경부(1313a)로부터 하방으로 연장되며 그 제3 소경부(1313a)보다 직경이 큰 제3 대경부(1313b)를 갖는 제3 분사유로(1313)를 더 구비하며,The injection passage 131 extends downwardly from the third small diameter portion 1313a and the third small diameter portion 1313a extending downward from the first plane P1 and has a diameter greater than that of the third small diameter portion 1313a. And further comprising a third injection passage 1313 having this large third large diameter portion 1313b, 상기 제3 소경부의 길이(SL3)는 상기 제2 소경부의 길이(SL2)보다 짧으며, 상기 제3 대경부의 길이(WL3)는 상기 제2 대경부의 길이(WL2)보다 긴 것을 특징으로 하는 샤워헤드를 채용한 증착장치.The length SL3 of the third small diameter part is shorter than the length SL2 of the second small diameter part, and the length WL3 of the third large diameter part is longer than the length WL2 of the second large diameter part. Deposition apparatus employing a shower head. 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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