KR101530949B1 - Cooling plate for plasma chamber - Google Patents

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Abstract

플라즈마 챔버용 냉각판 이 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 챔버용 냉각판은 플라즈마 챔버에 설치된 캐소드 전극판과 밀착되고, 원주 방향을 따라 다수개의 마운팅 홀이 형성된 냉각판으로서, 상기 냉각판은 상기 마운팅 홀이 등 간격으로 배치된 등 간격 구간과, 상기 등 간격 구간과 이웃하여 마운팅 홀이 상이한 간격으로 배치된 비등간격 구간을 포함하고, 상기 냉각판의 중앙을 기준으로 동심원을 가지고 다수개가 개구된 가스 통과 홀을 포함한다.A cooling plate for a plasma chamber is disclosed. The cooling plate for a plasma chamber according to an embodiment of the present invention is a cooling plate having a plurality of mounting holes formed in a circumferential direction in close contact with a cathode electrode plate installed in a plasma chamber, And a gas passage hole having a plurality of concentric circles with respect to the center of the cooling plate, the gas passage holes being spaced apart from each other by a predetermined distance apart from the equally spaced intervals, .

Description

플라즈마 챔버용 냉각판{Cooling plate for plasma chamber}[0001] The present invention relates to a cooling plate for a plasma chamber,

본 발명은 냉각판에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 캐소드 전극판과 함께 설치되는 냉각판의 마운팅 홀의 간격과, 가스 통과 홀의 배치 간격을 상이하게 배치시킨 플라즈마 챔버용 냉각판에 관한 것이다.
The present invention relates to a cooling plate, and more particularly, to a cooling plate for a plasma chamber in which spacing of mounting holes of a cooling plate provided together with a cathode electrode plate and arrangement intervals of gas passage holes are different.

일반적으로 플라즈마 챔버(plasma chamber)는 웨이퍼 등의 반도체 부품을 생산하는 과정뿐만 아니라 공산품을 제조하는 과정에서 가공 중인 작업대상물(workpiece)에 식각(etching) 또는 플라즈마 화학 증착(plasma chemical vapor deposition) 공정이 수행되도록 하는 데 사용되는 설비들 중의 하나이다.Generally, a plasma chamber is a process of manufacturing semiconductor parts such as wafers, as well as a process of etching or plasma chemical vapor deposition on a workpiece being processed in the process of manufacturing a product To be performed.

전술한 바와 같은 플라즈마 챔버는 작업 대상물(workpiece)에 따라서 그 구성 및 크기 등이 다양한 형태로 설비되는 것이 일반적인데, 웨이퍼와 같은 반도체 부품에 식각 또는 증착 공정을 수행하기 위해 플라즈마 챔버가 이용된다.The plasma chamber as described above is generally provided in various forms such as a structure and a size according to a workpiece. A plasma chamber is used to perform an etching or deposition process on a semiconductor component such as a wafer.

첨부된 도 1을 참조하면, 플라즈마 챔버(10)는 내측 상부 및 하부에 각각 캐소드 전극(20)과 애노드 전극(30)이 설치된다. 플라즈마 챔버(10)의 챔버(12) 일측에는 챔버 내부의 공기를 빼내기 위한 진공펌프(14)가 설치되고, 다른 일측에는 챔버 내부로 플루오르, 질소 등의 반응가스를 주입시키기 위한 가스주입구(16)가 설치된다. 또한, 고온고압의 상태에 노출되는 플라즈마 챔버의 지속적인 냉각을 위해 캐소드 전극(20)에는 냉각수의 순환이 가능한 냉각수 라인(18)이 설치된다.Referring to FIG. 1, a plasma chamber 10 is provided with a cathode electrode 20 and an anode electrode 30 at upper and lower portions, respectively. A vacuum pump 14 for exhausting the air inside the chamber is provided at one side of the chamber 12 of the plasma chamber 10 and a gas inlet 16 for injecting reactive gas such as fluorine and nitrogen into the chamber at the other side. Respectively. The cathode electrode 20 is provided with a cooling water line 18 capable of circulating cooling water for continuous cooling of the plasma chamber exposed to high temperature and high pressure.

상기 플라즈마 챔버(10)는 운전이 시작되면 챔버(12) 내부가 진공 상태가 되도록 가스주입구(16)를 통해 플루오르나 질소 등의 반응가스가 주입되고, 이와 동시에 전원(40)으로부터 캐소드 전극(20) 및 애노드 전극(30)에 고전압이 인가되면서 챔버(12) 내부가 플라즈마 상태로 전환 된다. 이 과정에서 웨이퍼(50)에는 플라즈마 상태의 반응가스에 의해서 식각 또는 증착 공정에 따른 가공이 이루어지게 된다.A reaction gas such as fluorine or nitrogen is injected into the plasma chamber 10 through the gas injection port 16 so that the interior of the chamber 12 is evacuated when the plasma chamber 10 is operated, And the anode electrode 30 are applied with a high voltage, the inside of the chamber 12 is converted to the plasma state. In this process, the wafer 50 is etched by a reaction gas in a plasma state or processed according to a deposition process.

이와 같은 작업이 이루어지는 캐소드 전극(20)은 상부에 냉각판(40)이 설치되고, 상기 냉각판(40)에는 작업자가 장착 위치를 확인하기 위해 원주 방향을 따라 다수개의 마운팅 홀(미도시)이 형성되며, 이격된 마운팅 홀 사이에 장착을 용이하게 하기 위한 기준 장착 홀(미도시)이 형성된다.A plurality of mounting holes (not shown) are formed in the cooling plate 40 along the circumferential direction of the cathode plate 20 in order to confirm the installation position of the cathode plate 20, And a reference mounting hole (not shown) is formed between the spaced mounting holes to facilitate mounting.

종래에는 상기 기준 장착 홀을 확인하고 설치를 실시하고 있으나, 상대적으로 플라즈마 가스가 통과되는 홀이 감소되어 웨이퍼의 안정적인 식각을 방해할 수 있으며, 캐소드 전극(20)의 좌측과 우측 중의 어느 쪽 방향을 설치 위치로 결정하기 곤란한 상황이 유발되어 이에 대한 대책이 필요하게 되었다.
Conventionally, the reference mounting hole is checked and installed. However, holes through which the plasma gas passes relatively can be reduced to prevent stable etching of the wafer, and the direction of the left and right sides of the cathode electrode 20 It is difficult to determine the installation position and a countermeasure is required.

대한민국 공개특허공보 제10-2001-0045897호 (공개일: 2001년06월05일)Korean Patent Publication No. 10-2001-0045897 (published on June 5, 2001)

본 발명의 실시 예들은 플라즈마 챔버에 설치되는 냉각판의 설치 위치를 작업자가 손쉽게 인지하고 설치할 수 있으며, 가장자리 부분에 플라즈마 가스를 안정적으로 공급시켜 웨이퍼에 대한 안정적인 식각 공정을 실시하고자 한다.
Embodiments of the present invention allow a worker to easily recognize the installation position of a cooling plate installed in a plasma chamber and to stably supply a plasma gas to an edge portion to perform a stable etching process on the wafer.

본 발명의 일 측면에 따르면, 플라즈마 챔버에 설치된 캐소드 전극판과 밀착되고, 원주 방향을 따라 다수개의 마운팅 홀이 형성된 냉각판으로서, 상기 냉각판은 상기 마운팅 홀이 등 간격으로 배치된 등 간격 구간과, 상기 등 간격 구간과 이웃하여 마운팅 홀이 상이한 간격으로 배치된 비등간격 구간을 포함하고, 상기 냉각판의 중앙을 기준으로 동심원을 가지고 다수개가 개구된 가스 통과 홀을 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a cooling plate having a plurality of mounting holes formed in a circumferential direction in close contact with a cathode electrode plate installed in a plasma chamber, wherein the cooling plate has an equal interval And a gas passage hole having a plurality of concentric circles with respect to a center of the cooling plate, the gas passage hole including a boiling interval interval in which the mounting holes are arranged at different intervals adjacent to the equal interval section.

상기 냉각판은 일면을 기준으로 1/2영역은 등 간격 구간이 배치되고, 나머지 1/2영역에 비등간격 구간이 배치된 것을 특징으로 한다.The cooling plate is characterized in that an equal interval section is disposed in a half area with respect to one surface, and a boiling interval section is disposed in the remaining half area.

상기 냉각판은 등 간격 구간과, 비등간격 구간에 배치된 마운팅 홀의 개수가 동일한 것을 특징으로 한다.The cooling plate is characterized in that the equal interval and the number of mounting holes arranged in the boiling interval are the same.

상기 가스 통과 홀은 상기 냉각판의 중앙을 기준으로 동심원을 가지고 개구된 제1 가스 통과 홀; 상기 제1 가스 통과 홀의 외측으로 이격되어 냉각판의 가장자리 위치까지 배치되며 상기 제1 가스 통과 홀과 상이한 배치 간격을 가지는 제2 가스 통과 홀을 포함한다.The gas passage hole has a first gas passage hole opened concentrically with respect to a center of the cooling plate; And a second gas passage hole spaced apart from the first gas passage hole and disposed at an edge of the cooling plate, the second gas passage hole being spaced apart from the first gas passage hole.

상기 제2 가스 통과 홀은 상기 제1 가스 통과 홀과 상이한 직경으로 개구된 것을 특징으로 한다.And the second gas passage hole is opened with a diameter different from that of the first gas passage hole.

상기 제2 가스 통과 홀은 상기 냉각판의 중앙을 기준으로 가장 자리까지의 전체 길이를 L이라고 가정할 때, 상기 제2 가스 통과 홀이 배치된 위치는 L길이의 70%이상의 위치에서부터 가장 자리까지 형성된 것을 특징으로 한다.And the second gas passage hole has an entire length from the center of the cooling plate to the edge to be L. The position where the second gas passage hole is disposed is located at a position of 70% .

상기 제2 가스 통과 홀은 상기 제1 가스 통과 홀에 비해 상대적으로 조밀한 간격으로 배치된 것을 특징으로 한다.
And the second gas passage holes are arranged at a relatively small interval relative to the first gas passage holes.

본 발명의 실시 예들은 플라즈마 챔버에 설치되는 다수개의 냉각판에 대한 설치를 실시할 때 작업자가 설치 위치를 정확하게 인지할 수 있으므로 작업성 향상과 설치 오류로 인한 재 작업을 사전에 예방할 수 있다.The embodiments of the present invention can precisely recognize the installation position of the operator when installing the plurality of cooling plates installed in the plasma chamber, and thus it is possible to prevent the rework due to the improvement of the workability and the installation error.

본 발명의 실시 예들은 냉각판의 가장자리를 통해 다량의 플라즈마 가스가 캐소드 전극판으로 공급될 수 있으므로 웨이퍼의 전 영역에 대한 식각을 균일하고 일정하게 실시하고자 한다.
Embodiments of the present invention are intended to uniformly and uniformly perform etching for the entire region of the wafer because a large amount of plasma gas can be supplied to the cathode electrode plate through the edge of the cooling plate.

도 1은 플라즈마 챔버에 설치된 일반적인 냉각판을 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 챔버용 냉각판과 캐소드 전극판을 도시한 사시도.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 챔버용 냉각판을 도시한 저면도.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 챔버용 냉각판과 캐소드 전극판을 도시한 결합 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 챔버용 냉각판의 설치 상태도.
도 6내지 도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 챔버용 냉각판의 사용 상태도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram showing a typical cooling plate installed in a plasma chamber. Fig.
FIG. 2 is a perspective view illustrating a cooling plate and a cathode electrode plate for a plasma chamber according to an embodiment of the present invention; FIG.
3 is a bottom view of a cooling plate for a plasma chamber according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a cooling plate and a cathode electrode plate for a plasma chamber according to an embodiment of the present invention; FIG.
FIG. 5 is an installation view of a cooling plate for a plasma chamber according to an embodiment of the present invention. FIG.
FIGS. 6 to 7 are views showing the state of use of the cooling plate for the plasma chamber according to the embodiment of the present invention. FIG.

본 발명의 일 실시 예에 따른 플라즈마 챔버용 냉각판의 구성에 대해 도면을 참조하여 설명한다.A configuration of a cooling plate for a plasma chamber according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

첨부된 도 2 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 의한 냉각판(1)의 가장 큰 기술적 특징은 다수개의 마운팅 홀(100)이 서로 다른 간격을 가지고 배치되어 작업자가 냉각판(1)을 플라즈마 챔버에 설치할 때 장착 위치를 손쉽게 인지하여 장착을 실시할 수 있는 특징과, 상기 냉각판(1)의 가장자리 위치에 개구된 가스통과 홀(200)의 간격을 조밀하게 형성하여 보다 많은 양의 플라즈마 가스를 통과시켜 웨이퍼의 가장 장리 부분에 대한 식각을 안정적으로 실시하는 것을 특징으로 한다.
2 to 3, the most significant technical feature of the cooling plate 1 according to the embodiment of the present invention is that a plurality of mounting holes 100 are arranged with different intervals, 1) is installed in the plasma chamber, the mounting position can be recognized easily, and the space between the gas cylinder and the hole 200, which is opened at the edge position of the cooling plate 1, And a positive plasma gas is passed therethrough to stably perform etching for the longest portion of the wafer.

이를 위해 본 발명에 의한 냉각판(1)은 플라즈마 챔버에 설치된 캐소드 전극판(10)과 밀착되고, 원주 방향을 따라 다수개의 마운팅 홀(100)이 형성된 냉각판(1)으로서 상기 마운팅 홀(100)이 등 간격으로 배치된 등 간격 구간(A1)과, 상기 등 간격 구간(A1)과 이웃하여 마운팅 홀(100)이 상이한 간격으로 배치된 비등간격 구간(A2)을 포함하고, 상기 냉각판(1)의 중앙을 기준으로 동심원을 가지고 다수개가 개구된 가스 통과 홀(200)을 포함한다.
The cooling plate 1 according to the present invention includes a cooling plate 1 having a plurality of mounting holes 100 formed in a circumferential direction in close contact with a cathode electrode plate 10 installed in a plasma chamber, And a boiling interval interval (A2) in which the mounting holes (100) are arranged at different intervals adjacent to the equal interval section (A1), and the cooling plate 1, and a gas passage hole 200 having a plurality of openings concentric with the center of the gas passage hole.

본 실시 예에 의한 냉각판(1)은 일면을 기준으로 1/2영역은 등 간격 구간(A1)이 배치되고, 나머지 1/2영역에 비등간격 구간(A2)이 배치된다.In the cooling plate 1 according to the present embodiment, the 1/2 area is provided with the equal interval A1 and the other half area is provided with the boiling interval A2.

상기 등 간격 구간(A1)은 도면기준으로 12시와 6시 방향에 개구된 마운팅 홀(100)을 기준으로 우측에 각각 60도 간격으로 이격되고, 상기 비등간격 구간(A1)은 상기 등 간격(A1) 구간에 형성된 마운팅 홀(100)과 상이한 배치 간격을 가지고 다수개의 마운팅 홀(100)이 배치되므로 작업자 또는 설계자가 상기 냉각판(1)을 플라즈마 챔버(2)에 설치할 때 장착 위치에 대한 오류를 범하지 않고 정확하게 설치(셋팅)할 수 있다.The equal interval A1 is spaced apart by 60 degrees on the right side with respect to the mounting hole 100 opened at 12 o'clock and 6 o'clock in the drawing, and the boiling interval A1 is equal to the equal interval A plurality of mounting holes 100 are arranged with a layout interval different from that of the mounting holes 100 formed in the section A1 so that the operator or the designer can not erroneously mount the cooling plate 1 in the plasma chamber 2 Can be installed (set) correctly.

즉, 상기 등 간격 구간(A1)과 비등간격 구간(A2)에 배치된 마운팅 홀(100)의 간격이 서로 상이하므로 실제 작업 현장에서 한 번에 플라즈마 챔버(2)에 셋팅시킬 수 있으므로 작업성이 향상될 수 있다.
That is, since the intervals between the equally spaced intervals A1 and the mounting holes 100 arranged in the boiling interval interval A2 are different from each other, the plasma chamber 2 can be set at one time in an actual work site, Can be improved.

냉각판(1)은 등 간격 구간(A1)과, 비등간격 구간(A2)에 배치된 마운팅 홀의 개수가 동일 개수로 구성된다. 마운팅 홀(100)은 플라즈마 챔버의 내측에 소정의 길이로 이루어진 고정볼에 설치되므로, 냉각판(1)의 원주 방향을 따라 배치된 마운팅 홀(100)의 배치 간격이 특정 위치에 집중 되거나 지나치게 이격되어 있을 경우 전체적인 웨이트 밸런스가 상이해질 수 있으므로 등간격 구간(A1)과 비등간격 구간(A2)에 배치된 마운팅 홀(100)의 개수는 동일한 개수를 가지고 배치된다. 참고로 냉각판(1)의 12시 및 6시 방향에 배치된 마운팅 홀(100)을 기준으로 등 간격 구간(A1)과 비등간격 구간(A2)의 마운팅 홀에 대한 개수를 기준으로 한다.The cooling plate 1 has the same number of equally spaced sections A1 and the same number of mounting holes arranged in the boiling interval section A2. Since the mounting holes 100 are provided on the fixed balls having a predetermined length inside the plasma chamber, the arrangement intervals of the mounting holes 100 arranged along the circumferential direction of the cooling plate 1 are concentrated at specific positions, The overall weight balance may be different, so that the number of the mounting holes 100 arranged in the equal interval A1 and the non-equal interval A2 is the same. For reference, the numbers of the mounting holes of the equal interval A1 and the non-equal interval A2 are based on the mounting holes 100 arranged at 12 o'clock and 6 o'clock of the cooling plate 1. [

예를 들어 등 간격 구간(A1)에 N개의 마운팅 홀이 형성될 경우 비등간격 구간(A1) 또한 상기 등 간격 구간(A1)과 동일한 N개의 마운팅 홀이 형성됨으로써, 서로 간에 동일한 개수의 마운팅 홀이 형성된다.
For example, when N mounting holes are formed in the equal interval A1, N equally spaced apart mounting holes are formed in the boiling interval A1 and the equal interval A1, .

첨부된 도 2 내지 도 3을 참조하면, 등 간격 구간(A1)은 냉각판(1)의 12시 및 6시에 개구된 마운팅 홀(100)을 기준으로 우측에 배치되고, 상기 냉각판(1)이 원판 형태로 이루어지므로 1/2 영역은 180도 간격으로 분할된다. 2 to 3, the constant-interval section A1 is disposed on the right side with respect to the mounting hole 100 opened at 12 o'clock and 6 o'clock of the cooling plate 1, and the cooling plate 1 ) Are formed in a disk shape, the half area is divided at intervals of 180 degrees.

상기 등 간격 구간(A1)은 180도 간격에 해당되는 구간에 모두 2개의 마운팅 홀(100)이 60도의 등 간격을 가지고 배치된다.In the equally-spaced interval A1, two mounting holes 100 are arranged at equal intervals of 60 degrees in an interval corresponding to 180 degree intervals.

비등간격 구간(A2)은 등 간격 구간(A1)의 좌측에 위치되고, 비등간격 구간(A2) 역시 전체 구간이 180도 간격으로 분할되므로 모두 2개의 마운팅 홀(100)이 배치되되, θ1과 θ3는 55도 간격으로 이격되고, θ2는 70도 간격을 가지고 이격된다. 이와 같이 이격될 경우 등 간격 구간(A1)과 비등간격 구간(A2)에 배치된 마운팅 홀(100)이 서로 상이한 간격을 가지고 배치되므로 작업자는 육안으로 명확하게 구분하고 냉각판(1)을 장착할 수 있다.The boiling interval interval A2 is located on the left side of the constant interval A1 and the boiling interval interval A2 is also divided into 180 degree intervals so that two mounting holes 100 are arranged, Are spaced at intervals of 55 degrees, and &thetas; 2 are spaced at intervals of 70 degrees. In this case, since the mounting holes 100 arranged at the equal interval A1 and the unequal interval A2 are arranged at different intervals from each other, the operator can clearly distinguish them by the naked eye and install the cooling plate 1 .

참고로 위에서 설명한 마운팅 홀(100)의 이격된 각도 및 개수는 변경될 수 있음을 밝혀둔다.
Note that the spacing angle and number of the mounting holes 100 described above can be changed.

본 발명의 일 실시 예에 의한 가스통과 홀에 대해 도면을 참조하여 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A gas cylinder and a hole according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

첨부된 도 3 내지 도 4를 참조하면, 가스통과 홀(200)은 냉각판(1)의 중앙을 기준으로 동심원을 가지고 개구된 제1 가스 통과 홀(210)과, 상기 제1 가스 통과 홀(210)의 외측으로 이격되어 냉각판(1)의 가장자리 위치까지 배치되며 상기 제1 가스 통과 홀(210)과 상이한 배치 간격을 가지는 제2 가스 통과 홀(220)을 포함한다.Referring to FIGS. 3 to 4, the gas cylinder and the hole 200 include a first gas passage hole 210 opened concentrically with the center of the cooling plate 1, And a second gas passage hole (220) spaced apart from the first gas passage hole (210) and spaced apart from the first gas passage hole (210) by an edge position of the cooling plate (1).

냉각판(1)은 고온의 플라즈마 가스가 통과되기 위해 제1 가스 통과 홀(210)과 제2 가스 통과 홀(220)이 서로 상이한 직경으로 개구되되, 상기 제2 가스 통과 홀(220)의 직경이 상기 제1 가스 통과 홀(210)의 직경보다 상대적으로 작게 개구되고, 상기 제2 가스 통과 홀(220)의 개수가 상대적으로 많이 개구되어 있으므로 보다 많은 양의 플라즈마 가스가 유입될 수 있다.The cooling plate 1 is configured such that a first gas passage hole 210 and a second gas passage hole 220 are opened to have diameters different from each other to allow a high temperature plasma gas to pass therethrough, Is relatively smaller than the diameter of the first gas passage hole (210) and the second gas passage hole (220) is relatively large in number, so that a larger amount of plasma gas can be introduced.

즉, 상기 냉각판(1)에 형성된 제2 가스 통과 홀(220)은 지경은 제1 가스 통과 홀(210)에 비해 상대적으로 작게 형성되나, 개수가 n배 이상 증가된 상태로 개구되므로 보다 많은 양의 플라즈마 가스가 냉각판(1)의 가장자리 구간을 통과하여 캐소드 전극판(10)으로 공급될 수 있다.
That is, the diameter of the second gas passage hole 220 formed in the cooling plate 1 is relatively smaller than that of the first gas passage hole 210, but since the number of the second gas passage hole 220 is increased by n times or more, A positive plasma gas can be supplied to the cathode electrode plate 10 through the edge section of the cooling plate 1. [

본 발명의 제2 가스 통과 홀(220)은 상기 냉각판(100)의 중앙을 기준으로 가장 자리까지의 전체 길이를 L이라고 가정할 때, 상기 제2 가스 통과 홀(220)이 배치된 위치는 L길이의 70%이상의 위치에서부터 가장 자리까지 형성된다. 상기 위치에 형성되는 이유는 캐소드 전극판(10)의 가장 자리 구간에서의 다량의 플라즈마 가스를 통과시켜 웨이퍼의 식각 공정을 보다 안정적으로 실시하기 위해서이다.
When assuming that the total length of the second gas passage hole 220 to the edge with respect to the center of the cooling plate 100 is L, the position where the second gas passage hole 220 is disposed is L to 70% or more of the length. The reason for this is that a large amount of plasma gas is passed through the edge portion of the cathode electrode plate 10 to perform the etching process of the wafer more stably.

상기 위치에 제2 가스통과 홀(220)이 배치되는 이유는 캐소드 전극판(10)의 가장자리 위치로 플라즈마 가스가 통과되어 웨이퍼에 대한 식각 공정이 이루어질 때 상대적으로 적은 량의 플라즈마 가스가 통과하게 되면서 상기 웨이퍼의 가장자리에 대한 식각이 불안정하게 이루어지는 현상을 예방하여 정밀도가 우수한 웨이퍼에 대한 대한 식각 공정을 실시하기 위해서이다.The reason why the second gas cylinder and the hole 220 are disposed at the above position is that when a plasma gas is passed to the edge of the cathode electrode plate 10 and a relatively small amount of plasma gas passes through the etching process for the wafer The etching process for the wafer having an excellent precision is performed by preventing the phenomenon that the etching of the edge of the wafer is made unstable.

이를 위해 본 발명의 제2 가스 통과 홀(220)은 상기 제1 가스 통과 홀(210)에 비해 상대적으로 조밀한 간격으로 배치되어 보다 많은 양의 플라즈마 가스를 제2 가스통과 홀(220)로 공급시켜 웨이퍼에 대한 식각 공정을 실시하고자 한다.For this, the second gas passage holes 220 of the present invention are disposed at denser intervals relative to the first gas passage holes 210, so that a larger amount of plasma gas is supplied to the second gas passage and the holes 220 To perform an etching process on the wafer.

이와 같이 제2 가스통과 홀(220)을 형성할 경우 냉각판(1)에 균일하게 가스통과 홀(200)을 형성시킨 것에 비해 상대적으로 가장자리 영역에 다량의 플라즈마 가스가 유입될 수 있다.
When the second gas pipe and the hole 220 are formed as described above, a large amount of plasma gas can flow into the edge region relatively to the gas pipe and the hole 200 formed uniformly in the cooling plate 1.

제2 가스통과 홀(220)은 제1 가스통과 홀(210)과 동일한 직경으로 냉각판(1)에 개구되나, 상대적으로 조밀한 간격을 가지고 형성되므로 상기 냉각판(1)에 형성된 제1 가스통과 홀(210)과 제2 가스통과 홀(220)의 동일 면적에 동일한 플라즈마 가스가 유입될 경우 상기 제2 가스통과 홀(220)이 개구된 위치에 보다 많은 양의 플라즈마 가스가 통과하여 웨이퍼로 공급될 수 있다.Since the second gas cylinder and the hole 220 are formed in the cooling plate 1 with the same diameter as the first gas cylinder and the hole 210 but are formed with relatively closely spaced intervals, A larger amount of the plasma gas is passed through the second gas passage and the hole 220 at a position where the second gas passage and the hole 220 are opened, Can be supplied.

본 실시 예에 의한 제2 가스통과 홀(220)은 냉각판(1)의 중앙 위치에서 가장자리까지의 길이(L) 이라고 할 때 상기 중앙 위치에서 70% 이상의 위치에서부터 다수개가 조밀하게 냉각판(1)의 원주 방향을 따라 형성된다. 상기 위치에 제2 가스통과 홀(220)이 형성되는 이유는 이미 설명하였으므로 생략하기로 한다.
The second gas cylinder and the hole 220 according to the present embodiment are formed by densely arranging the cooling plate 1 from the center position to the edge at a distance of 70% As shown in Fig. The reason why the second gas cylinder and the hole 220 are formed at the above-mentioned position has already been described, and thus will not be described.

이와 같이 구성된 본 발명의 일 실시 예에 의한 플라즈마 챔버용 냉각판의 사용 상태에 대해 도면을 참조하여 설명한다.The state of use of the cooling plate for a plasma chamber according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

첨부된 도 5를 참조하면, 작업자는 냉각판(1)을 플라즈마 챔버(12)의 내측에 설치하기 위해 상기 냉각판(1)을 파지하되, 등 간격 구간(A1)과 비등간격 구간(A2)에 형성된 마운팅 홀(100)의 간격과, 상기 냉각판(1)이 설치될 플라즈마 챔버(2)의 기준 장착부(미도시)와의 방향을 확인한다.5, the operator grasps the cooling plate 1 to install the cooling plate 1 inside the plasma chamber 12, and the equal interval A1 and the non-equal interval A2, And the direction of the reference mounting portion (not shown) of the plasma chamber 2 on which the cooling plate 1 is to be mounted.

예를 들어 기준 장착부의 좌측에 등 간격 구간(A1)이 위치되어야 할 경우 작업자는 냉각판(1)에 개구된 마운팅 홀(100)의 배치 간격을 확인한 후에 일정한 각도를 가지고 배치된 등 간격 구간(A1)을 한 번에 인지할 수 있으며, 상기 냉각판(1)이 설치될 정확한 위치 셋팅을 위해 상기 등 간격 구간(A1)을 기준으로 기준 장착부에 설치할 수 있다. 그리고 상기 냉각판(1)의 하측에 캐소드 전극판(10)을 설치하여 웨이퍼(50)에 대한 식각 공정을 위한 준비 작업을 실시한다.
For example, when the equal interval A1 is to be positioned on the left side of the reference mounting portion, the operator checks the arrangement interval of the mounting holes 100 opened in the cooling plate 1, A1 can be recognized at a time and can be installed on the reference mounting portion based on the equal interval A1 for precise position setting of the cooling plate 1. [ A cathode electrode plate 10 is provided on the lower side of the cooling plate 1 to prepare a wafer 50 for an etching process.

첨부된 도 6내지 도 7을 참조하면, 이와 같이 냉각판(1)과 캐소드 전극판(10)이 설치된 후에 플라즈마 가스가 공급될 경우 제1,2 가스통과 홀(210,220)을 통해 다량의 플라즈마 가스가 공급되고, 특히 제2 가스통과 홀(220)로 유입된 플라즈마 가스는 제1 가스통과 홀(210)에 비해 상대적으로 많은 플라즈마 가스가 조밀하게 배치된 제2 가스통과 홀(220)의 내부로 유입되어 캐소드 전극판(10)의 가장자리로 유입될 수 있으므로 웨이퍼(50)의 중앙과 가장자리 영역에 대한 식각이 모두 균일하게 이루어지게 된다.6 to 7, when a plasma gas is supplied after the cooling plate 1 and the cathode electrode plate 10 are installed, a large amount of plasma gas is supplied through the first and second gas passages and the holes 210 and 220, The plasma gas introduced into the second gas pipe and the hole 220 is supplied to the second gas pipe in which a relatively large amount of plasma gas is densely arranged relative to the first gas pipe and the hole 210, So that the etching of the central region and the edge region of the wafer 50 can be performed uniformly.

따라서 웨이퍼(50)에 대한 식각 공정이 보다 안정적으로 이루어질 수 있으므로 불량품 및 파티클로 인한 문제 발생을 안정적으로 예방하여 보다 정밀한 웨이퍼(50)에 대한 생산을 실시할 수 있다.
Therefore, the etching process for the wafer 50 can be performed more stably, so that it is possible to stably prevent the problems caused by defective products and particles, and to produce the wafer 50 more precisely.

이상, 본 발명의 일 실시 예에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit of the invention as set forth in the appended claims. The present invention can be variously modified and changed by those skilled in the art, and it is also within the scope of the present invention.

1 : 냉각판
2 : 플라즈마 챔버
10 : 캐소드 전극판
50 : 웨이퍼
100 : 마운팅 홀
200 : 가스통과 홀
A1 : 등 간격 구간
A2 : 비등간격 구간
210 : 제1 가스통과 홀
220 : 제2 가스통과 홀1: cooling plate
2: Plasma chamber
10: cathode electrode plate
50: wafer
100: Mounting hole
200: Gas cylinder and hole
A1: constant interval
A2: Boiling interval
210: a first gas cylinder and a hole
220: the second gas cylinder and the hole

Claims (7)

플라즈마 챔버에 설치된 캐소드 전극판과 밀착되고, 원주 방향을 따라 다수개의 마운팅 홀이 형성된 냉각판으로서,
상기 냉각판은, 상기 마운팅 홀이 등 간격으로 배치된 등 간격 구간과, 상기 등 간격 구간과 이웃하여 마운팅 홀이 상이한 간격으로 배치된 비등간격 구간을 포함하고,
상기 냉각판의 중앙을 기준으로 동심원을 가지고 다수개가 개구된 가스 통과 홀을 포함하며,
상기 등 간격 구간과 비등간격 구간에 배치된 마운팅 홀의 개수가 동일한 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 냉각판.A cooling plate closely attached to a cathode electrode plate provided in a plasma chamber and having a plurality of mounting holes formed in the circumferential direction,
Wherein the cooling plate includes an equally spaced interval in which the mounting holes are arranged at regular intervals and a non-equal interval interval in which the mounting holes are arranged adjacent to the equally spaced interval,
And a gas passage hole having a plurality of openings concentric with the center of the cooling plate,
Wherein the number of mounting holes arranged in the equal interval section and the non-equal interval section are the same. 제1 항에 있어서,
상기 냉각판은,
일면을 기준으로 1/2영역은 등 간격 구간이 배치되고, 나머지 1/2영역에 비등간격 구간이 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 냉각판.The method according to claim 1,
The cooling plate may include:
Wherein an equal interval section is arranged in a half area on the one surface and a boiling interval section is arranged in the other half area. 삭제delete 제1 항에 있어서,
상기 가스 통과 홀은,
상기 냉각판의 중앙을 기준으로 동심원을 가지고 개구된 제1 가스 통과 홀;
상기 제1 가스 통과 홀의 외측으로 이격되어 냉각판의 가장자리 위치까지 배치되며 상기 제1 가스 통과 홀과 상이한 배치 간격을 가지는 제2 가스 통과 홀을 포함하는 플라즈마 챔버용 냉각판.The method according to claim 1,
The gas-
A first gas passage hole concentrically opened with respect to a center of the cooling plate;
And a second gas passage hole spaced apart from the first gas passage hole and disposed at an edge position of the cooling plate, the second gas passage hole being spaced apart from the first gas passage hole. 제4 항에 있어서,
상기 제2 가스 통과 홀은,
상기 제1 가스 통과 홀과 상이한 직경으로 개구된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 냉각판.5. The method of claim 4,
The second gas passage hole
Wherein the first gas passage hole is opened at a diameter different from the first gas passage hole. 제4 항에 있어서,
상기 제2 가스 통과 홀은,
상기 냉각판의 중앙을 기준으로 가장 자리까지의 전체 길이를 L이라고 가정할 때, 상기 제2 가스 통과 홀이 배치된 위치는 L길이의 70%이상의 위치에서부터 가장 자리까지 형성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 냉각판.5. The method of claim 4,
The second gas passage hole
Wherein a position where the second gas passage hole is disposed is formed from a position at least 70% of the length L to an edge, assuming that the total length from the center of the cooling plate to the edge is L. [ Cooling plate for. 제4 항에 있어서,
상기 제2 가스 통과 홀은,
상기 제1 가스 통과 홀에 비해 상대적으로 조밀한 간격으로 배치된 것을 특징으로 하는 플라즈마 챔버용 냉각판.5. The method of claim 4,
The second gas passage hole
Wherein the first and second gas pass holes are arranged at a relatively close spacing relative to the first gas passing holes.
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