KR102674465B1 - Compounds containing boron as a spiro atom and their high molecular compounds - Google Patents

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Abstract

하기 일반식(1)으로 표시되는 붕소를 스피로 원자로 한 신규한 화합물 및 그의 고분자 화합물에 의해, 우수한 유기 EL 소자를 제공한다.

A환∼D환은 치환되어 있어도 되는 아릴환 또는 헤테로아릴환 등이며, 단 A환 단독 및 D환 단독으로의 치환기로서 아크리딘계 치환기는 제외되고, X1∼X4는, 각각 독립적으로, C 또는 N이며, Z1 및 Z2는, 단결합, 또는, 부분 치환되어 있어도 되는 알킬렌 등의 연결기이며, 단 Z1 및 Z2가 동시에 단결합이 되지는 않으며, 식(1)으로 표시되는 화합물에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다.
An excellent organic EL device is provided by a novel compound using boron as a spiro atom and its high molecular weight compound represented by the following general formula (1).

Rings A to D are optionally substituted aryl rings or heteroaryl rings, etc., provided that acridine-based substituents are excluded as substituents for ring A and D alone, and X 1 to X 4 are each independently, C or N, and Z 1 and Z 2 are a single bond or a linking group such as alkylene that may be partially substituted, provided that Z 1 and Z 2 do not form a single bond at the same time, and are represented by formula (1) At least one hydrogen in the compound may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.

Figure 112020077643373-pct00222
Figure 112020077643373-pct00222

Description

붕소를 스피로 원자로 한 화합물 및 그의 고분자 화합물Compounds containing boron as a spiro atom and their high molecular compounds

본 발명은, 붕소를 스피로 원자로 한 화합물 및 그것을 반복 단위로 하는 고분자 화합물, 이들 화합물을 사용한 유기전계 발광소자, 유기전계 효과 트랜지스터 및 유기박막 태양전지, 및 표시 장치 및 조명 장치에 관한 것이다.The present invention relates to compounds with boron as a spiro atom and polymer compounds with boron as a repeating unit, organic electroluminescent devices using these compounds, organic field effect transistors and organic thin-film solar cells, and display devices and lighting devices.

종래, 전계 발광하는 발광 소자를 사용한 표시 장치는, 소전력화나 박형화가 가능하여, 다양하게 연구되었고, 또한 유기재료로 이루어지는 유기전계 발광소자는, 경량화나 대형화가 용이하므로 활발하게 검토되어 왔다. 특히, 광의 3원색의 하나인 청색 등의 발광 특성을 가지는 유기재료의 개발, 및 정공, 전자 등의 전하수송능(반도체나 초전도체가 될 가능성을 가짐)을 구비한 유기재료의 개발에 대해서는, 고분자 화합물, 저분자 화합물을 막론하고 지금까지 활발하게 연구되어 왔다.Conventionally, display devices using light-emitting elements that emit electroluminescence have been studied in various ways because they can reduce power consumption and be thinner, and organic electroluminescent elements made of organic materials have been actively studied because they can easily be made lighter or larger. In particular, regarding the development of organic materials with luminescent properties such as blue, one of the three primary colors of light, and the development of organic materials with charge transport capabilities such as holes and electrons (with the potential to become semiconductors or superconductors), polymers Both compounds and low-molecular-weight compounds have been actively studied so far.

유기 EL 소자는, 양극 및 음극으로 이루어지는 한 쌍의 전극과, 상기 한 쌍의 전극 사이에 배치되고, 유기 화합물을 포함하는 1층 또는 복수의 층으로 이루어지는 구조를 가진다. 유기 화합물을 포함하는 층에는, 발광층이나, 정공, 전자 등의 전하를 수송 또는 주입하는 전하수송/주입층 등이 있지만, 이들 층에 적당한 다양한 유기재료가 개발되고 있다.An organic EL element has a structure consisting of a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, and one or multiple layers disposed between the pair of electrodes and containing an organic compound. Layers containing organic compounds include a light-emitting layer and a charge transport/injection layer that transports or injects charges such as holes and electrons. Various organic materials suitable for these layers are being developed.

발광층용 재료로서는, 예를 들면, 벤조플루오렌계 화합물 등이 개발되어 있다(국제공개 제2004/061047호 공보). 또한, 정공수송 재료로서는, 예를 들면, 트리페닐아민계 화합물 등이 개발되어 있다(일본공개특허 제2001-172232호 공보). 또한, 전자수송 재료로서는, 예를 들면, 안트라센계 화합물 등이 개발되어 있다(일본공개특허 제2005-170911호 공보).As materials for the light-emitting layer, for example, benzofluorene-based compounds have been developed (International Publication No. 2004/061047). Additionally, as hole transport materials, for example, triphenylamine-based compounds have been developed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-172232). Additionally, as electron transport materials, for example, anthracene-based compounds have been developed (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-170911).

최근에는 유기 EL 소자나 유기박막 태양전지에 사용하는 재료로서 트리페닐아민 유도체를 개량한 재료도 보고되어 있다(국제공개 제2012/118164호 공보). 이 재료는 이미 실용화되어 있던 N,N'-디페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-1,1'-비페닐-4,4'-디아민(TPD)을 참고로 하여, 트리페닐아민을 구성하는 방향환끼리를 연결함으로써 그 평면성을 높인 것을 특징으로 하는 재료이다. 이와 같은 화합물의 예는 그 외에도 있고(국제공개 제2011/107186호 공보, 국제공개 제2015/102118호 공보), 3중항 여기자의 에너지(T1)가 큰 공역 구조를 가지는 화합물은, 보다 짧은 파장의 인광을 발할 수 있으므로, 청색의 발광층용 재료로서 유익하다. 또한, 붕소 원자와 산소 원자 또는 유황 원자를 포함하는 헤테라보린환을 가지는 화합물에 대해서도 동일한 검토가 된 보고도 있다(국제공개 제2015/072537호 공보).Recently, materials improved from triphenylamine derivatives have been reported as materials for use in organic EL devices and organic thin-film solar cells (International Publication No. 2012/118164). This material was made with reference to N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD), which had already been put into practical use. It is a material characterized by improved planarity by connecting the aromatic rings that make up phenylamine. There are other examples of such compounds (International Publication No. 2011/107186, International Publication No. 2015/102118), and compounds having a conjugate structure with a large triplet exciton energy (T1) have shorter wavelengths. Since it can emit phosphorescence, it is useful as a material for a blue light-emitting layer. In addition, there is also a report in which the same study was conducted on compounds having a heteroborine ring containing a boron atom and an oxygen atom or a sulfur atom (International Publication No. 2015/072537).

국제공개 제2004/061047호 공보International Publication No. 2004/061047 일본공개특허 제 2001-172232호 공보Japanese Patent Publication No. 2001-172232 일본공개특허 제 2005-170911호 공보Japanese Patent Publication No. 2005-170911 국제공개 제2012/118164호 공보International Publication No. 2012/118164 국제공개 제2011/107186호 공보International Publication No. 2011/107186 국제공개 제2015/102118호 공보International Publication No. 2015/102118 국제공개 제2015/072537호 공보International Publication No. 2015/072537

전술한 바와 같이, 유기 EL 소자 등의 유기 디바이스에 사용되는 재료로서는 각종 재료가 개발되어 있지만, 유기 디바이스용 재료의 선택 사항을 증가시키기 위하여, 종래와는 상이한 화합물로 이루어지는 재료의 개발이 요망되고 있다.As mentioned above, various materials have been developed as materials for use in organic devices such as organic EL elements. However, in order to increase the selection of materials for organic devices, there is a demand for the development of materials made of compounds different from those of the past. .

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의(銳意) 검토한 결과, 붕소를 스피로 원자로 한 신규한 화합물을 발견하였고, 그 제조에 성공했다. 또한, 이 화합물을 함유하는 층을 한 쌍의 전극 사이에 배치하여 유기 EL 소자를 구성함으로써, 우수한 유기 EL 소자를 얻을 수 있는 것을 발견하고, 본 발명을 완성시켰다. 즉 본 발명은, 하기와 같은 화합물 또는 그것을 반복 단위로 하는 고분자 화합물, 또한 이들 화합물을 포함하는 유기 디바이스용 재료를 제공한다.As a result of careful study to solve the above problems, the present inventors discovered a novel compound using boron as a spiro atom and succeeded in producing it. Furthermore, it was discovered that an excellent organic EL device could be obtained by disposing a layer containing this compound between a pair of electrodes to form an organic EL device, and the present invention was completed. That is, the present invention provides the following compounds or polymer compounds using them as repeating units, and materials for organic devices containing these compounds.

항 1.Paragraph 1.

하기 일반식(1)으로 표시되는 화합물, 또는 일반식(1)으로 표시되는 구조를 반복 단위로 하는 고분자 화합물.A compound represented by the following general formula (1), or a polymer compound having the structure represented by the general formula (1) as a repeating unit.

Figure 112020077643373-pct00001
Figure 112020077643373-pct00001

(상기 식(1) 중,(In equation (1) above,

A환, C환 및 D환은, 각각 독립적으로, 아릴환 또는 헤테로아릴환이며, B환은 헤테로아릴환이며, A환과 B환 및/또는 C환과 D환은 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 이들 환에서의 적어도 1개의 수소는 치환되어 있어도 되고, 단 A환 단독 및 D환 단독으로의 치환기로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,Ring A, ring C, and ring D are each independently an aryl ring or heteroaryl ring, and ring B is a heteroaryl ring, and ring A and ring B and/or ring C and ring D may be combined to form a ring structure, and these rings may be combined to form a ring structure. At least one hydrogen in the ring may be substituted, provided that acridine-based substituents are excluded as substituents for the A ring alone and the D ring alone,

X1∼X4는, 각각 독립적으로, C 또는 N이며,X 1 to X 4 are each independently C or N,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, 알킬렌, 알케닐렌, 알키닐렌 또는 아릴렌이며, 이들에서의 임의의 -CH2-는, -C(=CR2)-, -C(=C(=O))-, -C(=O)-, -C(=S)-, -C(=O)O-, -C(=S)O-, -C(=O)S-, -C(=S)S-, -C(=O)NR-, -O-, -S-, -Se-, -Po-, -P(=O)-, -P(=S)-, -S(=O)-, -S(=O)2-, -SiR2-, -NR-, 또는, -N=N-으로 치환되어 있어도 되고, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 인접하는, R과, A환, B환, C환 및/또는 D환과는 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 단 Z1 및 Z2가 동시에 단결합이 되지는 않으며,Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, alkylene, alkenylene, alkynylene, or arylene, and any -CH 2 - in these is -C(=CR 2 )-, -C( =C(=O))-, -C(=O)-, -C(=S)-, -C(=O)O-, -C(=S)O-, -C(=O)S -, -C(=S)S-, -C(=O)NR-, -O-, -S-, -Se-, -Po-, -P(=O)-, -P(=S) It may be substituted with -, -S(=O)-, -S(=O) 2 -, -SiR 2 -, -NR-, or -N=N-, where R is each independently, hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen in R is aryl, heteroaryl. It may be substituted with aryl, alkyl, or cycloalkyl, and may form a ring structure by combining with adjacent R, A ring, B ring, C ring, and/or D ring, provided that Z 1 and Z 2 are simultaneously It does not form a single bond,

식(1)으로 표시되는 화합물 또는 구조에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다.)At least one hydrogen in the compound or structure represented by formula (1) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.)

항 2.Paragraph 2.

A환, C환 및 D환은, 각각 독립적으로, 탄소수 6∼30의 아릴환 또는 탄소수 2∼30의 헤테로아릴환이며, B환은 탄소수 2∼30의 헤테로아릴환이며, A환과 B환 및/또는 C환과 D환은 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 이들 환에서의 적어도 1개의 수소는 치환되어 있어도 되고, 단 A환 단독 및 D환 단독으로의 치환기로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,Ring A, ring C, and ring are each independently an aryl ring having 6 to 30 carbon atoms or a heteroaryl ring having 2 to 30 carbon atoms, and ring B is a heteroaryl ring having 2 to 30 carbon atoms, and ring A and ring B and/or The C ring and the D ring may be combined to form a ring structure, and at least one hydrogen in these rings may be substituted, provided that acridine-based substituents are excluded as substituents for the A ring alone and the D ring alone,

X1∼X4는, 각각 독립적으로, C 또는 N이며,X 1 to X 4 are each independently C or N,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, -(CR2)n-(n은 1∼12), -CR=CR-, -C≡C-, -(CR=CR-CR2)n-(n은 1∼4), -C(=CR2)-, -C(=C(=O))-, -C(=O)-, -C(=S)-, -C(=O)O-, -C(=S)O-, -C(=O)S-, -C(=S)S-, -C(=O)NR-, -C(=O)C(=O)-, -C(=O)OC(=O)-, -(CR2-O)n-(n은 1∼12), -(CR2)n-O-(n은 1∼12), -(CR2-CR2-O)n-(n은 1∼6), -O-, -S-, -SS-, -Se-, -Po-, -P(=O)-, -P(=S)-, -S(=O)-, -S(=O)2-, -SiR2-, -NR-, -N=N-, 또는, 페닐렌이며, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 인접하는, R과, A환, B환, C환 및/또는 D환과는 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 단 Z1 및 Z2가 동시에 단결합이 되지는 않으며,Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, -(CR 2 ) n - (n is 1 to 12), -CR=CR-, -C≡C-, -(CR=CR-CR 2 ) n -(n is 1 to 4), -C(=CR 2 )-, -C(=C(=O))-, -C(=O)-, -C(=S)-, -C( =O)O-, -C(=S)O-, -C(=O)S-, -C(=S)S-, -C(=O)NR-, -C(=O)C( =O)-, -C(=O)OC(=O)-, -(CR 2 -O)n-(n is 1 to 12), -(CR 2 ) n -O-(n is 1 to 12) ), -(CR 2 -CR 2 -O)n- (n is 1 to 6), -O-, -S-, -SS-, -Se-, -Po-, -P(=O)-, -P(=S)-, -S(=O)-, -S(=O) 2 -, -SiR 2 -, -NR-, -N=N-, or phenylene, where R is , each independently hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen in R may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl, and may form a ring structure by combining with adjacent R, A ring, B ring, C ring, and/or D ring, provided that Z 1 and Z 2 do not form a single bond at the same time,

식(1)으로 표시되는 화합물 또는 구조에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 되는,At least one hydrogen in the compound or structure represented by formula (1) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.

항 1에 기재된 화합물 또는 고분자 화합물.The compound or polymer compound described in item 1.

항 3.Clause 3.

A환, C환 및 D환은, 각각 독립적으로, 벤젠환, 나프탈렌환, 인단환, 인덴환, 퓨란환, 티오펜환, 벤조퓨란환 또는 벤조티오펜환이며, B환은, 피롤환, 피리딘환, 피라진환, 피리미딘환, 피리다진환, 퀴놀린환 또는 이소퀴놀린환이며, A환과 B환 및/또는 C환과 D환은 결합하여 환 구조를 형성해도 되고, 이들 환에서의 적어도 1개의 수소는 치환되어 있어도 되고, 단 A환 단독 및 D환 단독으로의 치환기로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,Ring A, ring C, and ring are each independently a benzene ring, naphthalene ring, indan ring, indene ring, furan ring, thiophene ring, benzofuran ring, or benzothiophene ring, and ring B is a pyrrole ring and a pyridine ring. , a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a pyridazine ring, a quinoline ring, or an isoquinoline ring, and ring A and ring B and/or ring C and ring D may be combined to form a ring structure, and at least one hydrogen in these rings may be substituted. may be present, provided that acridine-based substituents are excluded as substituents on the A ring alone and the D ring alone,

X1∼X4는 C이며,X 1 ∼X 4 is C,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, -CR2-, -CR=CR-, -C(=O)-, -C(=S)-, -O-, -S-, -Se-, -P(=O)-, -P(=S)-, -S(=O)-, -SiR2-, -NR-, 또는, 페닐렌이며, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 인접하는, R과, A환, B환, C환 및/또는 D환과는 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 단 Z1 및 Z2가 동시에 단결합이 되지는 않으며,Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, -CR 2 -, -CR=CR-, -C(=O)-, -C(=S)-, -O-, -S-, - Se-, -P(=O)-, -P(=S)-, -S(=O)-, -SiR 2 -, -NR-, or phenylene, where R is each independently , hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen in R is aryl, It may be substituted with heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl, and may form a ring structure by combining with adjacent R, A ring, B ring, C ring, and/or D ring, provided that Z 1 and Z 2 At the same time, they do not form single bonds,

식(1)으로 표시되는 화합물에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 되는,At least one hydrogen in the compound represented by formula (1) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.

항 1 또는 2에 기재된 화합물.Compound according to item 1 or 2.

항 4.Paragraph 4.

하기 일반식(2)으로 표시되는, 항 1∼3 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of Items 1 to 3, which is represented by the following general formula (2).

Figure 112020077643373-pct00002
Figure 112020077643373-pct00002

(상기 식(2) 중,(In equation (2) above,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -Se-, -NR-, 또는, 1,2-페닐렌이며, 여기서, R은, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 Z1 및 Z2가 동시에 단결합이 되지는 않으며,Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -Se-, -NR-, or 1,2-phenylene, where R is hydrogen, aryl, hetero aryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen in R is aryl, heteroaryl, alkyl or cyclo It may be substituted with alkyl, provided that Z 1 and Z 2 do not form a single bond at the same time,

R1∼R16은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시이며, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 R1∼R4 및 R13∼R16으로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,R 1 to R 16 are each independently hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy, and At least one hydrogen may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl, provided that R 1 to R 4 and R 13 to R 16 exclude acridine-based substituents,

또한, R1∼R4 및 R9∼R16 중 인접하는 기끼리 결합하여 a환, c환 또는 d환과 함께 탄소수 9∼30의 아릴환 또는 탄소수 6∼30의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, R5∼R8 중 인접하는 기끼리 결합하여 b환과 함께 탄소수 6∼30의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, 형성된 환에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시로 치환되어 있어도 되고, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 a환 또는 d환을 포함하여 형성된 환으로의 치환기로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,Additionally, adjacent groups among R 1 to R 4 and R 9 to R 16 may be combined to form an aryl ring with 9 to 30 carbon atoms or a heteroaryl ring with 6 to 30 carbon atoms together with the a ring, c ring or d ring. , adjacent groups among R 5 to R 8 may be combined to form a heteroaryl ring having 6 to 30 carbon atoms together with the b ring, and at least one hydrogen in the formed ring is aryl, heteroaryl, diarylamino, di. may be substituted with heteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen therein may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl or cycloalkyl, provided that a As a substituent on a ring or a ring formed including a d ring, an acridine-based substituent is excluded,

식(2)으로 표시되는 화합물에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다.)At least one hydrogen in the compound represented by formula (2) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.)

항 5.Clause 5.

상기 식(2) 중,In equation (2) above,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -Se-, -NR-, 또는, 1,2-페닐렌이며, 여기서, R은, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬이며, 단 Z1 및 Z2가 동시에 단결합이 되지는 않으며,Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -Se-, -NR-, or 1,2-phenylene, where R is hydrogen, aryl, hetero Aryl, alkyl, or cycloalkyl, provided that Z 1 and Z 2 are not a single bond at the same time,

R1∼R16은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시이며, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 R1∼R4 및 R13∼R16으로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,R 1 to R 16 are each independently hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy, or aryloxy, and at least one hydrogen therein is aryl, heteroaryl, alkyl, or cyclo. It may be substituted with alkyl, provided that R 1 to R 4 and R 13 to R 16 exclude acridine-based substituents,

또한, R1∼R4 및 R9∼R16 중 인접하는 기끼리 결합하여 a환, c환 또는 d환과 함께 탄소수 9∼16의 아릴환 또는 탄소수 6∼15의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, R5∼R8 중 인접하는 기끼리 결합하여 b환과 함께 탄소수 6∼15의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, 형성된 환에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시로 치환되어 있어도 되고, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 a환 또는 d환을 포함하여 형성된 환으로의 치환기로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,Additionally, adjacent groups among R 1 to R 4 and R 9 to R 16 may be combined to form an aryl ring with 9 to 16 carbon atoms or a heteroaryl ring with 6 to 15 carbon atoms together with the a ring, c ring, or d ring. , adjacent groups of R 5 to R 8 may be combined to form a heteroaryl ring having 6 to 15 carbon atoms together with the b ring, and at least one hydrogen in the formed ring is aryl, heteroaryl, diarylamino, or alkyl. , may be substituted with cycloalkyl, alkoxy, or aryloxy, and at least one hydrogen thereof may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl, provided that it is a ring formed including the a ring or the d ring. As a substituent, an acridine-based substituent is excluded,

식(2)으로 표시되는 화합물에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 되는,At least one hydrogen in the compound represented by formula (2) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.

항 4에 기재된 화합물.The compound described in item 4.

항 6.Clause 6.

상기 식(2) 중,In equation (2) above,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -Se-, -NR-, 또는 1,2-페닐렌이며, 여기서, R은, 수소, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 탄소수 1∼6의 알킬 또는 탄소수 3∼12의 시클로알킬이며, 단 Z1 및 Z2가 동시에 단결합이 되지는 않으며,Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -Se-, -NR-, or 1,2-phenylene, where R is hydrogen and has 6 to 16 carbon atoms. aryl, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, alkyl with 1 to 6 carbon atoms, or cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms, provided that Z 1 and Z 2 do not form a single bond at the same time,

R1∼R16은, 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 디아릴아미노(단 아릴은 탄소수 6∼12의 아릴), 탄소수 1∼6의 알킬, 탄소수 3∼12의 시클로알킬, 탄소수 1∼6의 알콕시 또는 탄소수 6∼16의 아릴옥시이며, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 탄소수 1∼6의 알킬 또는 탄소수 3∼12의 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 R1∼R4 및 R13∼R16으로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,R 1 to R 16 are each independently hydrogen, aryl with 6 to 16 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, diarylamino (where aryl is aryl with 6 to 12 carbon atoms), alkyl with 1 to 6 carbon atoms, Cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms, alkoxy with 1 to 6 carbon atoms, or aryloxy with 6 to 16 carbon atoms, where at least one hydrogen is aryl with 6 to 16 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, or 1 carbon atom. It may be substituted with alkyl of ∼6 or cycloalkyl of 3 to 12 carbon atoms, provided that R 1 to R 4 and R 13 to R 16 exclude acridine-based substituents,

또한, R1∼R4 및 R9∼R16 중 인접하는 기끼리 결합하여 a환, c환 또는 d환과 함께 탄소수 9∼12의 아릴환 또는 탄소수 6∼10의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, R5∼R8 중 인접하는 기끼리 결합하여 b환과 함께 탄소수 6∼10의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, 형성된 환에서의 적어도 1개의 수소는, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 디아릴아미노(단 아릴은 탄소수 6∼12의 아릴), 탄소수 1∼6의 알킬, 탄소수 3∼12의 시클로알킬, 탄소수 1∼6의 알콕시 또는 탄소수 6∼16의 아릴옥시로 치환되어 있어도 되고, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 탄소수 1∼6의 알킬 또는 탄소수 3∼12의 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 a환 또는 d환을 포함하여 형성된 환으로의 치환기로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,Additionally, adjacent groups among R 1 to R 4 and R 9 to R 16 may be combined to form an aryl ring with 9 to 12 carbon atoms or a heteroaryl ring with 6 to 10 carbon atoms together with the a ring, c ring or d ring. , adjacent groups among R 5 to R 8 may be combined to form a heteroaryl ring having 6 to 10 carbon atoms together with ring b, and at least one hydrogen in the formed ring is aryl having 6 to 16 carbon atoms, or aryl having 2 to 10 carbon atoms. 15 heteroaryl, diarylamino (however, aryl is aryl with 6 to 12 carbon atoms), alkyl with 1 to 6 carbon atoms, cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms, alkoxy with 1 to 6 carbon atoms, or aryloxy with 6 to 16 carbon atoms. It may be substituted, and at least one hydrogen therein may be substituted with aryl with 6 to 16 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, alkyl with 1 to 6 carbon atoms, or cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms, provided that As a substituent for a ring formed including the a ring or the d ring, an acridine-based substituent is excluded,

식(2)으로 표시되는 화합물에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 되는,At least one hydrogen in the compound represented by formula (2) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.

항 4 또는 5에 기재된 화합물.Compound according to item 4 or 5.

항 7.Clause 7.

상기 식(2) 중,In equation (2) above,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -Se-, -NR-, 또는, 1,2-페닐렌이며, 여기서, R은, 수소, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 탄소수 1∼6의 알킬 또는 탄소수 3∼12의 시클로알킬이며, 단 Z1 및 Z2가 동시에 단결합이 되지는 않으며,Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -Se-, -NR-, or 1,2-phenylene, where R is hydrogen and has 6 to 6 carbon atoms. Aryl with 16 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, alkyl with 1 to 6 carbon atoms, or cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms, provided that Z 1 and Z 2 do not form a single bond at the same time,

R1∼R4 및 R9∼R16은, 수소이며,R 1 to R 4 and R 9 to R 16 are hydrogen,

R5∼R8은, 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 디아릴아미노(단 아릴은 탄소수 6∼12의 아릴), 탄소수 1∼6의 알킬, 탄소수 3∼12의 시클로알킬, 탄소수 1∼6의 알콕시 또는 탄소수 6∼16의 아릴옥시이며, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 탄소수 1∼6의 알킬 또는 탄소수 3∼12의 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고,R 5 to R 8 are each independently hydrogen, aryl with 6 to 16 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, diarylamino (where aryl is aryl with 6 to 12 carbon atoms), alkyl with 1 to 6 carbon atoms, Cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms, alkoxy with 1 to 6 carbon atoms, or aryloxy with 6 to 16 carbon atoms, where at least one hydrogen is aryl with 6 to 16 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, or 1 carbon atom. It may be substituted with alkyl of ∼6 or cycloalkyl of 3 to 12 carbon atoms,

또한, R5∼R8 중 인접하는 기끼리 결합하여 b환과 함께 탄소수 6∼10의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, 형성된 환에서의 적어도 1개의 수소는, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 디아릴아미노(단 아릴은 탄소수 6∼12의 아릴), 탄소수 1∼6의 알킬, 탄소수 3∼12의 시클로알킬, 탄소수 1∼6의 알콕시 또는 탄소수 6∼16의 아릴옥시로 치환되어 있어도 되고, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 탄소수 1∼6의 알킬 또는 탄소수 3∼12의 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고,Additionally, adjacent groups among R 5 to R 8 may be combined to form a heteroaryl ring having 6 to 10 carbon atoms together with the b ring, and at least one hydrogen in the formed ring is aryl with 6 to 16 carbon atoms or 2 carbon atoms. Heteroaryl with ~15 carbon atoms, diarylamino (where aryl is aryl with 6-12 carbon atoms), alkyl with 1-6 carbon atoms, cycloalkyl with 3-12 carbon atoms, alkoxy with 1-6 carbon atoms, or aryloxy with 6-16 carbon atoms. may be substituted, and at least one hydrogen therein may be substituted with aryl with 6 to 16 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, alkyl with 1 to 6 carbon atoms, or cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms,

식(2)으로 표시되는 화합물에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 되는,At least one hydrogen in the compound represented by formula (2) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.

청구항 4∼6 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of claims 4 to 6.

항 8.Clause 8.

하기 화학 구조식으로 표시되는, 항 1에 기재된 화합물. The compound according to item 1, represented by the following chemical structural formula.

Figure 112020077643373-pct00003
Figure 112020077643373-pct00003

Figure 112020077643373-pct00004
Figure 112020077643373-pct00004

Figure 112020077643373-pct00005
Figure 112020077643373-pct00005

Figure 112020077643373-pct00006
Figure 112020077643373-pct00006

항 9.Clause 9.

상기 식(2) 중,In equation (2) above,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -Se-, -NR-, 또는, 1,2-페닐렌이며, 여기서, R은, 아릴, 헤테로아릴 또는 시클로알킬이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 Z1 또는 Z2 중 어느 하나 이상이 -NR-이며, 상기 R과, R1, R8, R9 및/또는 R16은, 단결합, -CR2-, -CR=CR-, -C(=O)-, -C(=S)-, -O-, -S-, -Se-, -P(=O)-, -P(=S)-, -S(=O)-, -SiR2-, -NR-, 또는, 페닐렌으로 결합하여 환 구조를 형성하고, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고,Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -Se-, -NR-, or 1,2-phenylene, where R is aryl, heteroaryl or is cycloalkyl, and at least one hydrogen in R may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl, provided that at least one of Z 1 or Z 2 is -NR-, and R and R 1 , R 8 , R 9 and/or R 16 are a single bond, -CR 2 -, -CR=CR-, -C(=O)-, -C(=S)-, -O-, -S- , -Se-, -P(=O)-, -P(=S)-, -S(=O)-, -SiR 2 -, -NR-, or bonded with phenylene to form a ring structure , where R is each independently hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy, and in R At least one hydrogen may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl,

R1∼R16은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시이며, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 R1∼R4 및 R13∼R16으로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,R 1 to R 16 are each independently hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy, and At least one hydrogen may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl, provided that R 1 to R 4 and R 13 to R 16 exclude acridine-based substituents,

또한, R1∼R4 및 R9∼R16 중 인접하는 기끼리 결합하여 a환, c환 또는 d환과 함께 탄소수 9∼30의 아릴환 또는 탄소수 6∼30의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, R5∼R8 중 인접하는 기끼리 결합하여 b환과 함께 탄소수 6∼30의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, 형성된 환에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시로 치환되어 있어도 되고, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 a환 또는 d환을 포함하여 형성된 환으로의 치환기로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,Additionally, adjacent groups among R 1 to R 4 and R 9 to R 16 may be combined to form an aryl ring with 9 to 30 carbon atoms or a heteroaryl ring with 6 to 30 carbon atoms together with the a ring, c ring or d ring. , adjacent groups among R 5 to R 8 may be combined to form a heteroaryl ring having 6 to 30 carbon atoms together with the b ring, and at least one hydrogen in the formed ring is aryl, heteroaryl, diarylamino, di. may be substituted with heteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen therein may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl or cycloalkyl, provided that a As a substituent on a ring or a ring formed including a d ring, an acridine-based substituent is excluded,

식(2)으로 표시되는 화합물에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 되는,At least one hydrogen in the compound represented by formula (2) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.

항 4에 기재된 화합물.The compound described in item 4.

항 10.Article 10.

상기 식(2) 중,In equation (2) above,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -Se- 또는 -NR-이며, 여기서, R은, 아릴이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 Z1 또는 Z2 중 어느 하나 이상이 -NR-이며, 상기 R과, R1, R8, R9 및/또는 R16은, 단결합, -CR2-, -O-, -S- 또는 -NR-에서 결합하여 환 구조를 형성하고, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 알킬 또는 시클로알킬이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고,Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -Se- or -NR-, where R is aryl, and at least one hydrogen in R is aryl, It may be substituted with heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl, provided that at least one of Z 1 or Z 2 is -NR-, and R, R 1 , R 8 , R 9 and/or R 16 are a single bond. , -CR 2 -, -O-, -S- or -NR- are bonded to form a ring structure, where R is each independently hydrogen, aryl, alkyl or cycloalkyl, and at least 1 in R The two hydrogens may be substituted with aryl, alkyl, or cycloalkyl,

R1∼R16은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시이며, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 R1∼R4 및 R13∼R16으로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,R 1 to R 16 are each independently hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy, or aryloxy, and at least one hydrogen therein is aryl, heteroaryl, alkyl, or cyclo. It may be substituted with alkyl, provided that R 1 to R 4 and R 13 to R 16 exclude acridine-based substituents,

또한, R1∼R4 및 R9∼R16 중 인접하는 기끼리 결합하여 a환, c환 또는 d환과 함께 탄소수 9∼16의 아릴환 또는 탄소수 6∼15의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, R5∼R8 중 인접하는 기끼리 결합하여 b환과 함께 탄소수 6∼15의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, 형성된 환에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시로 치환되어 있어도 되고, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 a환 또는 d환을 포함하여 형성된 환으로의 치환기로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,Additionally, adjacent groups among R 1 to R 4 and R 9 to R 16 may be combined to form an aryl ring with 9 to 16 carbon atoms or a heteroaryl ring with 6 to 15 carbon atoms together with the a ring, c ring or d ring. , adjacent groups among R 5 to R 8 may be combined to form a heteroaryl ring having 6 to 15 carbon atoms together with the b ring, and at least one hydrogen in the formed ring is aryl, heteroaryl, diarylamino, or alkyl. , may be substituted with cycloalkyl, alkoxy, or aryloxy, and at least one hydrogen thereof may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl, provided that it is a ring formed including the a ring or the d ring. As a substituent, an acridine-based substituent is excluded,

식(2)으로 표시되는 화합물에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 되는,At least one hydrogen in the compound represented by formula (2) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.

항 4에 기재된 화합물.The compound described in item 4.

항 11.Article 11.

상기 식(2) 중,In equation (2) above,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -Se- 또는 -NR-이며, 여기서, R은, 탄소수 6∼16의 아릴이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 탄소수 1∼6의 알킬 또는 탄소수 3∼12의 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 Z1 또는 Z2 중 어느 하나 이상이 -NR-이며, 상기 R과, R1, R8, R9 및/또는 R16은, 단결합, -CR2-, -O-, -S- 또는 -NR-에서 결합하여 환 구조를 형성하고, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 1∼6의 알킬 또는 탄소수 3∼12의 시클로알킬이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 1∼6의 알킬 또는 탄소수 3∼12의 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고,Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -Se-, or -NR-, where R is aryl having 6 to 16 carbon atoms, and at least one of R Hydrogen may be substituted with aryl with 6 to 16 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, alkyl with 1 to 6 carbon atoms, or cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms, provided that at least one of Z 1 or Z 2 is - NR-, and R, R 1 , R 8 , R 9 and/or R 16 are single bonds, -CR 2 -, -O-, -S- or -NR- bonded to form a ring structure, , where R is each independently hydrogen, aryl with 6 to 16 carbon atoms, alkyl with 1 to 6 carbon atoms, or cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms, and at least one hydrogen in R is aryl with 6 to 16 carbon atoms. , may be substituted with alkyl having 1 to 6 carbon atoms or cycloalkyl having 3 to 12 carbon atoms,

R1∼R16은, 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 디아릴아미노(단 아릴은 탄소수 6∼12의 아릴), 탄소수 1∼6의 알킬, 탄소수 3∼12의 시클로알킬, 탄소수 1∼6의 알콕시 또는 탄소수 6∼16의 아릴옥시이며, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 탄소수 1∼6의 알킬 또는 탄소수 3∼12의 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 R1∼R4 및 R13∼R16으로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,R 1 to R 16 are each independently hydrogen, aryl with 6 to 16 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, diarylamino (where aryl is aryl with 6 to 12 carbon atoms), alkyl with 1 to 6 carbon atoms, Cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms, alkoxy with 1 to 6 carbon atoms, or aryloxy with 6 to 16 carbon atoms, where at least one hydrogen is aryl with 6 to 16 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, or 1 carbon atom. It may be substituted with alkyl of ∼6 or cycloalkyl of 3 to 12 carbon atoms, provided that R 1 to R 4 and R 13 to R 16 exclude acridine-based substituents,

또한, R1∼R4 및 R9∼R16 중 인접하는 기끼리 결합하여 a환, c환 또는 d환과 함께 탄소수 9∼12의 아릴환 또는 탄소수 6∼10의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, R5∼R8 중 인접하는 기끼리 결합하여 b환과 함께 탄소수 6∼10의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, 형성된 환에서의 적어도 1개의 수소는, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 디아릴아미노(단 아릴은 탄소수 6∼12의 아릴), 탄소수 1∼6의 알킬, 탄소수 3∼12의 시클로알킬, 탄소수 1∼6의 알콕시 또는 탄소수 6∼16의 아릴옥시로 치환되어 있어도 되고, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 탄소수 1∼6의 알킬 또는 탄소수 3∼12의 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 a환 또는 d환을 포함하여 형성된 환으로의 치환기로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,Additionally, adjacent groups among R 1 to R 4 and R 9 to R 16 may be combined to form an aryl ring with 9 to 12 carbon atoms or a heteroaryl ring with 6 to 10 carbon atoms together with the a ring, c ring or d ring. , adjacent groups among R 5 to R 8 may be combined to form a heteroaryl ring having 6 to 10 carbon atoms together with ring b, and at least one hydrogen in the formed ring is aryl having 6 to 16 carbon atoms, or aryl having 2 to 10 carbon atoms. 15 heteroaryl, diarylamino (however, aryl is aryl with 6 to 12 carbon atoms), alkyl with 1 to 6 carbon atoms, cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms, alkoxy with 1 to 6 carbon atoms, or aryloxy with 6 to 16 carbon atoms. It may be substituted, and at least one hydrogen therein may be substituted with aryl with 6 to 16 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, alkyl with 1 to 6 carbon atoms, or cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms, provided that As a substituent for a ring formed including the a ring or the d ring, an acridine-based substituent is excluded,

식(2)으로 표시되는 화합물에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 되는,At least one hydrogen in the compound represented by formula (2) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.

항 4에 기재된 화합물.The compound described in item 4.

항 12.Article 12.

상기 식(2) 중,In equation (2) above,

Z1은, 단결합, -O-, -S-, -Se- 또는 -NR-이며, Z2는 -NR-이며, 여기서 R은, 탄소수 6∼16의 아릴이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴, 탄소수 1∼6의 알킬 또는 탄소수 3∼12의 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, Z2의 -NR-에서의 R과, R8 또는 R9란, 단결합, -CR2-, -O-, -S- 또는 -NR-에서 결합하여 환 구조를 형성하고, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 6∼16의 아릴, 탄소수 1∼6의 알킬 또는 탄소수 3∼12의 시클로알킬인,Z 1 is a single bond, -O-, -S-, -Se- or -NR-, Z 2 is -NR-, where R is aryl having 6 to 16 carbon atoms, and at least one of R Hydrogen may be substituted with aryl with 6 to 16 carbon atoms, heteroaryl with 2 to 15 carbon atoms, alkyl with 1 to 6 carbon atoms, or cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms, and R in -NR- of Z 2 and R 8 or R 9 is a single bond, -CR 2 -, -O-, -S- or -NR- combined to form a ring structure, where R is each independently hydrogen, a ring having 6 to 16 carbon atoms Aryl, alkyl with 1 to 6 carbon atoms or cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms,

항 9∼11 중 어느 하나에 기재된 화합물.The compound according to any one of items 9 to 11.

항 13.Article 13.

하기 화학 구조식으로 표시되는, 항 1에 기재된 화합물.The compound according to item 1, represented by the following chemical structural formula.

Figure 112020077643373-pct00007
Figure 112020077643373-pct00007

Figure 112020077643373-pct00008
Figure 112020077643373-pct00008

Figure 112020077643373-pct00009
Figure 112020077643373-pct00009

항 14.Article 14.

C환으로의 치환기 또는 R9∼R12 중 적어도 1개가 하기 부분 구조식(TSG1)으로 표시되는 기인, 항 1∼13 중 어느 하나에 기재된 화합물 또는 고분자 화합물.The compound or polymer compound according to any one of Items 1 to 13, wherein at least one of the substituents on the C ring or R 9 to R 12 is a group represented by the partial structural formula (TSG1) below.

Figure 112020077643373-pct00010
Figure 112020077643373-pct00010

상기 식(TSG1)으로 표시되는 기에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시로 치환되어 있어도 되고,At least one hydrogen in the group represented by the formula (TSG1) may be substituted with aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy, or aryloxy,

Y는, 단결합, -O-, -S-, -Se-, -NR-, >CR2, 또는, >SiR2이며, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시이며, R 중 인접하는 기끼리 결합하여 탄소수 6∼15의 아릴환을 형성하고 있어도 된다.Y is a single bond, -O-, -S-, -Se-, -NR-, >CR 2 , or, >SiR 2 , where R is each independently hydrogen, aryl, heteroaryl, dia It may be rylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy or aryloxy, and adjacent groups among R may be bonded to form an aryl ring having 6 to 15 carbon atoms.

항 15.Article 15.

상기 부분 구조식(TSG1)으로 표시되는 기가, 하기 부분 구조식(TSG100), 식(TSG110), 식(TSG111), 식(TSG112), 식(TSG113), 식(TSG120) 또는 식(TSG121)으로 표시되는 기인, 항 14에 기재된 화합물 또는 고분자 화합물.The group represented by the partial structural formula (TSG1) is represented by the following partial structural formula (TSG100), formula (TSG110), formula (TSG111), formula (TSG112), formula (TSG113), formula (TSG120), or formula (TSG121). The compound or polymer compound described in item 14.

Figure 112020077643373-pct00011
Figure 112020077643373-pct00011

상기 구조식에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시로 치환되어 있어도 된다.At least one hydrogen in the above structural formula may be substituted with aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy, or aryloxy.

항 16.Article 16.

하기 화학 구조식으로 표시되는, 항 14에 기재된 화합물. The compound according to item 14, which is represented by the following chemical structural formula.

Figure 112020077643373-pct00012
Figure 112020077643373-pct00012

Figure 112020077643373-pct00013
Figure 112020077643373-pct00013

항 17.Article 17.

하기 식을 만족시키는, 항 14∼16 중 어느 하나에 기재된 화합물 또는 고분자 화합물.The compound or polymer compound according to any one of Items 14 to 16, which satisfies the following formula.

ΔEST ≤ 0.20eVΔE ST ≤ 0.20eV

항 18.Article 18.

항 1∼17 중 어느 하나에 기재된 화합물 또는 고분자 화합물을 함유하는, 유기 디바이스용 재료.A material for an organic device containing the compound or polymer compound according to any one of items 1 to 17.

항 19.Article 19.

상기 유기 디바이스용 재료가, 유기전계 발광소자용 재료, 유기전계 효과 트랜지스터용 재료 또는 유기박막 태양전지용 재료인, 항 18에 기재된 유기 디바이스용 재료.The organic device material according to item 18, wherein the organic device material is a material for an organic electroluminescent element, a material for an organic field effect transistor, or a material for an organic thin film solar cell.

항 20.Article 20.

양극 및 음극으로 이루어지는 한 쌍의 전극과, 상기 한 쌍의 전극 사이에 배치되고, 항 19에 기재된 유기전계 발광소자용 재료를 함유하는 유기층을 가지는, 유기전계 발광소자.An organic electroluminescent device comprising a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, and an organic layer disposed between the pair of electrodes and containing the material for an organic electroluminescent device according to item 19.

항 21.Article 21.

전자수송층 및/또는 전자주입층을 더 가지고, 상기 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 1개는, 퀴놀리놀계 금속 착체, 피리딘 유도체, 페난트롤린 유도체, 보란 유도체 및 벤즈이미다졸 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개를 함유하는, 항 20에 기재된 유기전계 발광소자.It further has an electron transport layer and/or an electron injection layer, wherein at least one of the electron transport layer and the electron injection layer is selected from the group consisting of a quinolinol-based metal complex, a pyridine derivative, a phenanthroline derivative, a borane derivative, and a benzimidazole derivative. The organic electroluminescent element according to item 20, containing at least one selected element.

항 22.Article 22.

상기 전자수송층 및/또는 전자주입층이, 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리토류 금속의 산화물, 알칼리토류 금속의 할로겐화물, 희토류 금속의 산화물, 희토류 금속의 할로겐화물, 알칼리 금속의 유기착체, 알칼리토류 금속의 유기착체 및 희토류 금속의 유기착체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개를 더 함유하는, 항 21에 기재된 유기전계 발광소자.The electron transport layer and/or the electron injection layer is an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, an oxide of an alkali metal, a halide of an alkali metal, an oxide of an alkaline earth metal, a halide of an alkaline earth metal, an oxide of a rare earth metal, The organic electroluminescent device according to item 21, further comprising at least one selected from the group consisting of a halide of a rare earth metal, an organic complex of an alkali metal, an organic complex of an alkaline earth metal, and an organic complex of a rare earth metal.

항 23.Article 23.

발광층을 가지는 유기전계 발광소자로서, 상기 발광층이,An organic electroluminescent device having a light-emitting layer, wherein the light-emitting layer includes:

제1 성분으로서, 적어도 1종의 호스트 화합물과,As a first component, at least one host compound,

제2 성분으로서, 적어도 1종의 열활성화형 지연 형광체를 포함하고,As a second component, it includes at least one heat-activated delayed phosphor,

상기 제1 성분 또는 제2 성분으로서, 하기 일반식(1)으로 표시되는 화합물, 또는 일반식(1)으로 표시되는 구조를 반복 단위로 하는 고분자 화합물을 가지는, 유기전계 발광소자.An organic electroluminescent device comprising, as the first component or the second component, a compound represented by the following general formula (1), or a polymer compound having the structure represented by the general formula (1) as a repeating unit.

Figure 112020077643373-pct00014
Figure 112020077643373-pct00014

(상기 식(1) 중,(In equation (1) above,

A환, C환 및 D환은, 각각 독립적으로, 아릴환 또는 헤테로아릴환이며, B환은 헤테로아릴환이며, A환과 B환 및/또는 C환과 D환은 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 이들 환에서의 적어도 1개의 수소는 치환되어 있어도 되고, 단 A환 단독 및 D환 단독으로의 치환기로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,Ring A, ring C, and ring D are each independently an aryl ring or heteroaryl ring, and ring B is a heteroaryl ring, and ring A and ring B and/or ring C and ring D may be combined to form a ring structure, and these rings may be combined to form a ring structure. At least one hydrogen in the ring may be substituted, provided that acridine-based substituents are excluded as substituents for the A ring alone and the D ring alone,

X1∼X4는, 각각 독립적으로, C 또는 N이며,X 1 to X 4 are each independently C or N,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, 알킬렌, 알케닐렌, 알키닐렌 또는 아릴렌이며, 이들에서의 임의의 -CH2-는, -C(=CR2)-, -C(=C(=O))-, -C(=O)-, -C(=S)-, -C(=O)O-, -C(=S)O-, -C(=O)S-, -C(=S)S-, -C(=O)NR-, -O-, -S-, -Se-, -Po-, -P(=O)-, -P(=S)-, -S(=O)-, -S(=O)2-, -SiR2-, -NR-, 또는, -N=N-으로 치환되어 있어도 되고, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 인접하는, R과, A환, B환, C환 및/또는 D환과는 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 단 Z1 및 Z2가 동시에 단결합이 되지는 않으며,Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, alkylene, alkenylene, alkynylene, or arylene, and any -CH 2 - in these is -C(=CR 2 )-, -C( =C(=O))-, -C(=O)-, -C(=S)-, -C(=O)O-, -C(=S)O-, -C(=O)S -, -C(=S)S-, -C(=O)NR-, -O-, -S-, -Se-, -Po-, -P(=O)-, -P(=S) It may be substituted with -, -S(=O)-, -S(=O) 2 -, -SiR 2 -, -NR-, or -N=N-, where R is each independently, hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen in R is aryl, heteroaryl. It may be substituted with aryl, alkyl, or cycloalkyl, and may form a ring structure by combining with adjacent R, A ring, B ring, C ring, and/or D ring, provided that Z 1 and Z 2 are simultaneously It does not form a single bond,

식(1)으로 표시되는 화합물 또는 구조에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다.)At least one hydrogen in the compound or structure represented by formula (1) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.)

항 24.Article 24.

제1 성분으로서, 일반식(1)으로 표시되는 화합물, 또는 일반식(1)으로 표시되는 구조를 반복 단위로 하는 고분자 화합물을 포함하는, 항 23에 기재된 유기전계 발광소자.The organic electroluminescent device according to item 23, comprising as a first component a compound represented by the general formula (1), or a polymer compound having the structure represented by the general formula (1) as a repeating unit.

항 25.Article 25.

제2 성분으로서, 일반식(1)으로 표시되는 화합물, 또는 일반식(1)으로 표시되는 구조를 반복 단위로 하는 고분자 화합물을 포함하는, 항 23에 기재된 유기전계 발광소자.The organic electroluminescent device according to item 23, comprising as a second component a compound represented by the general formula (1), or a polymer compound having the structure represented by the general formula (1) as a repeating unit.

항 26.Article 26.

항 20∼25 중 어느 하나에 기재된 유기전계 발광소자를 구비한 표시 장치.A display device including the organic electroluminescent element according to any one of items 20 to 25.

항 27.Article 27.

항 20∼25 중 어느 하나에 기재된 유기전계 발광소자를 구비한 조명 장치.A lighting device comprising the organic electroluminescent element according to any one of items 20 to 25.

본 발명의 바람직한 태양에 의하면, 예를 들면, 유기 EL 소자 등의 유기 디바이스용 재료로서 사용할 수 있는, 붕소를 스피로 원자로 한 신규한 화합물, 또는 그것을 반복 단위로 하는 고분자 화합물을 제공할 수 있고, 이들 화합물을 사용함으로써 우수한 유기 EL 소자를 제공할 수 있다.According to a preferred aspect of the present invention, it is possible to provide a novel compound with boron as a spiro atom or a polymer compound with boron as a repeating unit that can be used as a material for organic devices such as organic EL elements, and these By using the compound, an excellent organic EL device can be provided.

도 1은 본 실시형태에 따른 유기 EL 소자를 나타내는 개략 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL device according to this embodiment.

1. 붕소를 스피로 원자로 하는 화합물 및 그의 고분자 화합물1. Compounds containing boron as a spiro atom and their high molecular compounds

본 발명은, 하기 일반식(1)으로 표시되는 화합물, 또는 일반식(1)으로 표시되는 구조를 반복 단위로 하는 고분자 화합물이며, 바람직하게는 하기 일반식(2)으로 표시되는 화합물, 또는 일반식(2)으로 표시되는 구조를 반복 단위로 하는 고분자 화합물이다. 이하, 고분자 화합물도 합쳐서 간단히 「화합물」이라고도 한다.The present invention relates to a compound represented by the following general formula (1), or a polymer compound having a structure represented by the general formula (1) as a repeating unit, preferably a compound represented by the following general formula (2), or It is a polymer compound that has the structure represented by formula (2) as a repeating unit. Hereinafter, polymer compounds are also collectively referred to simply as “compounds.”

Figure 112020077643373-pct00015
Figure 112020077643373-pct00015

본 발명의 일반식(1)으로 표시되는 화합물은, 붕소 원자를 중심으로 하는 스피로 구조 또는 붕소 원자에 의한 C환 및 D환의 가교를 이용하여, 분자 내에서 도너성 구조와 억셉터성 구조를 분리시킴으로써 높은 3중항 에너지를 가진다.The compound represented by general formula (1) of the present invention uses a spiro structure centered on a boron atom or cross-linking of the C ring and D ring by the boron atom to separate the donor structure and the acceptor structure within the molecule. It has high triplet energy.

특히, 도너성 구조와 억셉터성 구조의 분리에 의한 HOMO 및 LUMO의 분리가 완전히 이루어져 있는 경우, 그 높은 3중항 에너지를 이용하여 호스트나 발광층의 주변 재료에 이용할 수 있다. 이 경우에, 예를 들면, HOMO 및 LUMO는, 붕소 원자를 중심으로 하는 스피로 구조를 중심으로 하고, A환 및/또는 D환 상에 HOMO가 국재화(局在化)하고, B환 및/또는 C환 상에 LUMO가 국재화한 분자 궤도를 가진다. 호스트로서 이용하는 경우, 2종 이상 사용하는 호스트 화합물의 1성분으로서 사용해도 되고, 또한 인접해도 되는 다층의 발광층에 사용되는 호스트 화합물의 1성분으로서 사용해도 된다.In particular, when HOMO and LUMO are completely separated by separation of the donor structure and the acceptor structure, the high triplet energy can be used for the host or surrounding materials of the light emitting layer. In this case, for example, HOMO and LUMO are centered on a spiro structure centered on a boron atom, HOMO is localized on the A ring and/or D ring, and B ring and/or Alternatively, it has a molecular orbital in which LUMO is localized on the C ring. When used as a host, it may be used as one component of a host compound used in two or more types, or may be used as one component of a host compound used in a multilayered light emitting layer that may be adjacent.

또한, 특히, 열활성화형 지연 형광성의 분자인 경우(「D-A형 TADF 화합물」이라고 함), TADF의 발광 재료(에미팅 도펀트) 또는 TAF(TADF Assisting Fluorescence)소자에서의 어시스팅 도펀트에 이용할 수 있다. 이 경우에는, 예를 들면, HOMO 및 LUMO는, 붕소 원자에 의한 C환 및 D환의 가교를 이용하여, HOMO가 C환 및/또는 C환으로 치환한 도너성 구조 상에 국재화하고, LUMO가 B환 상에 국재화한 분자 궤도를 가지지만, LUMO에 대해서는 일부가 C환 상까지 스며나오는 경우가 있다. 어시스팅 도펀트로서 이용하는 경우, 에미팅 도펀트와 어시스팅 도펀트가 인접한 상이한 층에 포함되어 있어도 된다.In addition, especially in the case of a heat-activated delayed fluorescence molecule (referred to as “D-A type TADF compound”), it can be used as a TADF light-emitting material (emitting dopant) or as an assisting dopant in a TAF (TADF Assisting Fluorescence) device. . In this case, for example, HOMO and LUMO are localized on the donor structure in which HOMO is substituted by C ring and/or C ring using crosslinking of C ring and D ring by boron atom, and LUMO is It has a molecular orbital localized on the B ring, but for LUMO, some of it may seep out to the C ring. When used as an assisting dopant, the emitting dopant and the assisting dopant may be contained in different adjacent layers.

또한, 열활성화형 지연 형광성을 가지지 않는 경우(「형광발광 화합물」이라고 함), TTF(Triplet-Triplet Fusion)의 발광 재료(도펀트) 또는 TAF(TADF Assisting Fluorescence) 소자에서의 에미팅 도펀트에 이용할 수 있다. 이 경우에는, 예를 들면, Z1 및/또는 Z2의 치환기가, A환, B환, C환 및/또는 D환과 환형 구조를 형성한 분자 등이며, HOMO 및 LUMO가 부분적으로 비교적 크게 중첩된 분자 궤도를 가진다. 에미팅 도펀트로서 이용하는 경우, 에미팅 도펀트와 어시스팅 도펀트가 인접한 상이한 층에 포함되어 있어도 된다.Additionally, when it does not have heat-activated delayed fluorescence (referred to as a “fluorescent compound”), it can be used as a light-emitting material (dopant) in TTF (Triplet-Triplet Fusion) or an emitting dopant in a TAF (TADF Assisting Fluorescence) device. there is. In this case, for example, the substituents of Z 1 and/or Z 2 are molecules that form a cyclic structure with the A ring, B ring, C ring, and/or D ring, and the HOMO and LUMO partially overlap to a large extent. It has molecular orbitals. When used as an emitting dopant, the emitting dopant and assisting dopant may be contained in different adjacent layers.

먼저, 상기 식(1) 중,First, in equation (1) above,

A환, C환 및 D환은, 각각 독립적으로, 아릴환 또는 헤테로아릴환이며, B환은 헤테로아릴환이며, A환과 B환 및/또는 C환과 D환은 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 이들 환에서의 적어도 1개의 수소는 치환되어 있어도 되고, 단 A환 단독 및 D환 단독으로의 치환기로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,Ring A, ring C, and ring D are each independently an aryl ring or heteroaryl ring, and ring B is a heteroaryl ring, and ring A and ring B and/or ring C and ring D may be combined to form a ring structure, and these rings may be combined to form a ring structure. At least one hydrogen in the ring may be substituted, provided that acridine-based substituents are excluded as substituents for the A ring alone and the D ring alone,

X1∼X4는, 각각 독립적으로, C 또는 N이며,X 1 to X 4 are each independently C or N,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, 알킬렌, 알케닐렌, 알키닐렌 또는 아릴렌이며, 이들에서의 임의의 -CH2-는, -C(=CR2)-, -C(=C(=O))-, -C(=O)-, -C(=S)-, -C(=O)O-, -C(=S)O-, -C(=O)S-, -C(=S)S-, -C(=O)NR-, -O-, -S-, -Se-, -Po-, -P(=O)-, -P(=S)-, -S(=O)-, -S(=O)2-, -SiR2-, -NR-, 또는, -N=N-으로 치환되어 있어도 되고, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 인접하는, R과, A환, B환, C환 및/또는 D환과는 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 단 Z1 및 Z2가 동시에 단결합이 되지는 않으며,Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, alkylene, alkenylene, alkynylene, or arylene, and any -CH 2 - in these is -C(=CR 2 )-, -C( =C(=O))-, -C(=O)-, -C(=S)-, -C(=O)O-, -C(=S)O-, -C(=O)S -, -C(=S)S-, -C(=O)NR-, -O-, -S-, -Se-, -Po-, -P(=O)-, -P(=S) It may be substituted with -, -S(=O)-, -S(=O) 2 -, -SiR 2 -, -NR-, or -N=N-, where R is each independently, hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen in R is aryl, heteroaryl. It may be substituted with aryl, alkyl, or cycloalkyl, and may form a ring structure by combining with adjacent R and the A ring, B ring, C ring, and/or D ring, provided that Z 1 and Z 2 are simultaneously There is no single bond,

식(1)으로 표시되는 화합물 또는 구조에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다.At least one hydrogen in the compound or structure represented by formula (1) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.

또한, 상기 식(2) 중,Additionally, in equation (2) above,

Z1 및 Z2는, 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -Se-, -NR-, 또는, 1,2-페닐렌이며, 여기서, R은, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 Z1 및 Z2가 동시에 단결합이 되지는 않으며,Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -Se-, -NR-, or 1,2-phenylene, where R is hydrogen, aryl, hetero aryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen in R is aryl, heteroaryl, alkyl or cyclo It may be substituted with alkyl, provided that Z 1 and Z 2 do not form a single bond at the same time,

R1∼R16은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시이며, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 R1∼R4 및 R13∼R16으로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,R 1 to R 16 are each independently hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy, and At least one hydrogen may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl, provided that R 1 to R 4 and R 13 to R 16 exclude acridine-based substituents,

또한, R1∼R4 및 R9∼R16 중 인접하는 기끼리 결합하여 a환, c환 또는 d환과 함께 탄소수 9∼30의 아릴환 또는 탄소수 6∼30의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, R5∼R8 중 인접하는 기끼리 결합하여 b환과 함께 탄소수 6∼30의 헤테로아릴환을 형성하고 있어도 되고, 형성된 환에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시로 치환되어 있어도 되고, 이들에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 a환 또는 d환을 포함하여 형성된 환으로의 치환기로서 아크리딘계 치환기는 제외되고,Additionally, adjacent groups among R 1 to R 4 and R 9 to R 16 may be combined to form an aryl ring with 9 to 30 carbon atoms or a heteroaryl ring with 6 to 30 carbon atoms together with the a ring, c ring or d ring. , adjacent groups among R 5 to R 8 may be combined to form a heteroaryl ring having 6 to 30 carbon atoms together with the b ring, and at least one hydrogen in the formed ring is aryl, heteroaryl, diarylamino, di. may be substituted with heteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen therein may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl or cycloalkyl, provided that a As a substituent on a ring or a ring formed including a d ring, an acridine-based substituent is excluded,

식(2)으로 표시되는 화합물에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다.At least one hydrogen in the compound represented by formula (2) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.

그리고, 상기 식(2)에 있어서, Z1 또는 Z2 중 어느 하나 이상이 -NR-이며, 상기 R과, R1, R8, R9 및/또는 R16은, 단결합, -CR2-, -CR=CR-, -C(=O)-, -C(=S)-, -O-, -S-, -Se-, -P(=O)-, -P(=S)-, -S(=O)-, -SiR2-, -NR-, 또는, 페닐렌으로 결합하여 환 구조를 형성하고, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 된다.And, in the formula (2), at least one of Z 1 or Z 2 is -NR-, and R, R 1 , R 8 , R 9 and/or R 16 are a single bond, -CR 2 -, -CR=CR-, -C(=O)-, -C(=S)-, -O-, -S-, -Se-, -P(=O)-, -P(=S) -, -S(=O)-, -SiR 2 -, -NR-, or bonded with phenylene to form a ring structure, where R is each independently hydrogen, aryl, heteroaryl, diaryl amino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen in R is substituted with aryl, heteroaryl, alkyl or cycloalkyl You can stay.

이하, 일반식(2)은 일반식(1)에 포함되는 바람직한 일형태이므로, 양 식에 공통되는 설명은 일반식(1)의 설명으로 대표하고, 일반식(2)의 설명으로서는 생략하는 경우도 있다.Hereinafter, general formula (2) is a preferred form included in general formula (1), so the explanation common to the forms is represented by the explanation of general formula (1), and the explanation of general formula (2) is omitted. There is also.

A환, C환 및 D환은, 각각 독립적으로, 아릴환 또는 헤테로아릴환이다. B환은 적어도 1개의 질소를 포함하는 헤테로아릴환이다.Ring A, ring C, and ring D are each independently an aryl ring or heteroaryl ring. Ring B is a heteroaryl ring containing at least one nitrogen.

A환, C환 및 D환으로서의 「아릴환」으로서는, 예를 들면, 탄소수 6∼30의 아릴환이 있고, 탄소수 6∼16의 아릴환이 바람직하고, 탄소수 6∼12의 아릴환이 보다 바람직하고, 탄소수 6∼10의 아릴환이 특히 바람직하다. 그리고, 이 「아릴환」은, 일반식(2)으로 규정된 「R1∼R4 및 R9∼R16 중 인접하는 기끼리 결합하여 a환, c환 또는 d환과 함께 형성된 탄소수 9∼30의 아릴환」에 대응하고, 또한 a환(또는 c환, d환)이 이미 탄소수 6의 벤젠환으로 구성되어 있으므로, 여기에 5원환이 축합한 축합환의 합계 탄소수 9가 하한의 탄소수가 된다.As the “aryl ring” as the A ring, C ring, and D ring, for example, there is an aryl ring with 6 to 30 carbon atoms, an aryl ring with 6 to 16 carbon atoms is preferable, an aryl ring with 6 to 12 carbon atoms is more preferable, and an aryl ring with 6 to 12 carbon atoms is more preferable. Aryl rings of 6 to 10 are particularly preferred. And, this “aryl ring” is a carbon number of 9 to 30 formed together with the a ring, c ring or d ring by bonding adjacent groups of “R 1 to R 4 and R 9 to R 16” defined in general formula (2). Since the a-ring (or c-ring, d-ring) is already composed of a benzene ring with 6 carbon atoms, the total carbon number of the 5-membered ring condensed here is 9, which is the lower limit.

구체적인 「아릴환」으로서는, 단환계인 벤젠환, 2환계인 비페닐환, 축합 2환계인 나프탈렌환, 3환계인 터페닐환(m-터페닐, o-터페닐, p-터페닐), 축합 3환계인, 아세나프틸렌환, 플루오렌환, 페나렌환, 페난트렌환, 축합 4환계인 트리페닐렌환, 피렌환, 나프타센환, 벤조플루오렌환, 축합 5환계인 페릴렌환, 펜타센환 등을 예로 들 수 있다. 또한, 플루오렌환이나 벤조플루오렌환에는, 플루오렌환이나 벤조플루오렌환이 스피로 결합한 구조도 포함된다.Specific examples of “aryl rings” include monocyclic benzene rings, bicyclic biphenyl rings, condensed bicyclic naphthalene rings, and tricyclic terphenyl rings (m-terphenyl, o-terphenyl, p-terphenyl), and condensed rings. Tricyclic ring, acenaphthylene ring, fluorene ring, phenalene ring, phenanthrene ring, condensed tetracyclic ring, triphenylene ring, pyrene ring, naphthacene ring, benzofluorene ring, condensed pentacyclic ring, perylene ring, pentacene ring, etc. An example is given. Additionally, the fluorene ring or benzofluorene ring also includes structures in which the fluorene ring or benzofluorene ring is spiro bonded.

A환∼D환으로서의 「헤테로아릴환」으로서는, 예를 들면, 탄소수 2∼30의 헤테로아릴환이 있고, 탄소수 2∼25의 헤테로아릴환이 바람직하고, 탄소수 2∼20의 헤테로아릴환이 보다 바람직하고, 탄소수 2∼15의 헤테로아릴환이 더욱 바람직하고, 탄소수 2∼10의 헤테로아릴환이 특히 바람직하다. 또한, 「헤테로아릴환」으로서는, 예를 들면, 환 구성 원자로서 탄소 이외에 산소, 유황 및 질소로부터 선택되는 헤테로 원자를 1∼5 개 함유하는 복소환 등이 있다. 그리고, 이 「헤테로아릴환」은, 일반식(2)에서 규정된 「R1∼R4 및 R9∼R16 중 인접하는 기끼리 결합하여 a환, c환 또는 d환과 함께 형성된 탄소수 6∼30의 헤테로아릴환」이나 「R5∼R8 중 인접하는 기끼리 결합하여 b환과 함께 형성된 탄소수 6∼30의 헤테로아릴환」에 대응하고, 또한 b환이 이미 탄소수 5의 피리딘환으로 구성되어서 있으므로, 여기에 5원환이 축합한 축합환의 합계 탄소수 6이 하한의 탄소수가 된다.As the “heteroaryl ring” as the A ring to the D ring, for example, there is a heteroaryl ring having 2 to 30 carbon atoms, a heteroaryl ring having 2 to 25 carbon atoms is preferable, and a heteroaryl ring having 2 to 20 carbon atoms is more preferable, A heteroaryl ring having 2 to 15 carbon atoms is more preferable, and a heteroaryl ring having 2 to 10 carbon atoms is particularly preferable. Additionally, examples of the “heteroaryl ring” include heterocycles containing 1 to 5 heteroatoms selected from oxygen, sulfur, and nitrogen in addition to carbon as ring constituent atoms. And, this “heteroaryl ring” is a ring having 6 to 6 carbon atoms formed together with the a ring, c ring or d ring by bonding adjacent groups among “R 1 to R 4 and R 9 to R 16” defined in General Formula (2). It corresponds to “heteroaryl ring with 30 carbon atoms” or “heteroaryl ring with 6 to 30 carbon atoms formed together with ring b by bonding adjacent groups among R 5 to R 8 ,” and since ring b is already composed of a pyridine ring with 5 carbon atoms. , the total carbon number of 6 condensed rings formed by condensing 5-membered rings is the lower limit.

구체적인 「헤테로아릴환」으로서는, 예를 들면, 피롤환, 옥사졸환, 이소옥사졸환, 티아졸환, 이소티아졸환, 이미다졸환(무치환, 메틸 등의 알킬 치환 또는 페닐 등의 아릴 치환), 옥사디아졸환, 티아디아졸환, 트리아졸환, 테트라졸환, 피라졸환, 피리딘환, 피리미딘환, 피리다진환, 피라진환, 트리아진환, 인돌환, 이소인돌환, 1H-인다졸환, 벤즈이미다졸환, 벤즈옥사졸환, 벤조티아졸환, 1H-벤조트리아졸환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 신놀린환, 퀴나졸린환, 퀴녹살린환, 프탈라진환, 나프티리딘환, 퓨린환, 프테리딘환, 카르바졸환, 아크리딘환, 페녹사티인환, 페녹사진환, 페노티아진환, 페나진환, 인돌리진환, 퓨란환, 벤조퓨란환, 이소벤조퓨란환, 디벤조퓨란환, 나프토벤조퓨란환, 티오펜환, 벤조티오펜환, 디벤조티오펜환, 나프토벤조티오펜환, 벤조포스포르환, 디벤조포스포르환, 벤조포스포르옥시드환, 디벤조포스포르옥시드환, 퓨라잔환, 옥사디아졸환, 티안트렌환 등이 있다.Specific "heteroaryl rings" include, for example, pyrrole ring, oxazole ring, isoxazole ring, thiazole ring, isothiazole ring, imidazole ring (unsubstituted, substituted with alkyl such as methyl or aryl substituted such as phenyl), oxa Diazole ring, thiadiazole ring, triazole ring, tetrazole ring, pyrazole ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, triazine ring, indole ring, isoindole ring, 1H-indazole ring, benzimidazole ring, Benzoxazole ring, benzothiazole ring, 1H-benzotriazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, cinnoline ring, quinazoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, purine ring, pteridine ring, carbamate. Zol ring, acridine ring, phenoxathiin ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, phenazine ring, indolizine ring, furan ring, benzofuran ring, isobenzofuran ring, dibenzofuran ring, naphthobenzofuran ring, tea ophen ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, naphthobenzothiophene ring, benzophosphor ring, dibenzophosphor ring, benzophosphoroxide ring, dibenzophosphoroxide ring, furazane ring, There are oxadiazole pills and thiantrene pills.

A환과 B환 및/또는 C환과 D환은 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 이 경우의 결합기로서는 Z1 및 Z2과 동일한 기를 예를 들 수 있는 것 외에, 단결합이라도 된다.The A ring and the B ring and/or the C ring and the D ring may be bonded to form a ring structure, and examples of the bonding group in this case include the same groups as Z 1 and Z 2 , and may also be a single bond.

A환∼D환으로서의 「아릴환」이나 「헤테로아릴환」, 또한 A환과 B환 및/또는 C환과 D환이 결합하여 형성된 환 구조에서의 적어도 1개의 수소는 제1 치환기로 치환되어 있어도 되고, 제1 치환기는 또한 제2 치환기로 치환되어 있어도 된다. 제1 치환기로서는, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시 등을 예로 들 수 있고, 제2 치환기로서는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬 등을 예로 들 수 있다. 제1 치환기는, 일반식(2)에서는 치환기 「R1∼R16」이나, 「R1∼R16 중 인접하는 기끼리 결합하여 a환, b환, c환 또는 d환과 함께 형성한 아릴환이나 헤테로아릴환」으로의 치환기에도 상당하고, 제2 치환기는 이들로의 새로운 치환기에도 상당한다.At least one hydrogen in the ring structure formed by combining the “aryl ring” or “heteroaryl ring” as the A ring to the D ring, or the A ring and the B ring and/or the C ring and the D ring, may be substituted with the first substituent, The first substituent may be further substituted with a second substituent. Examples of the first substituent include aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy, or aryloxy, and as the second substituent, , aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl. In General Formula (2), the first substituent is an aryl ring formed by combining adjacent groups among substituents “R 1 to R 16 ” or “R 1 to R 16” with the a ring, b ring, c ring or d ring. or heteroaryl ring”, and the second substituent also corresponds to new substituents thereto.

제1 치환기로서의 「아릴」이나 「헤테로아릴」, 「디아릴아미노」의 아릴, 「디헤테로아릴아미노」의 헤테로아릴, 「아릴헤테로아릴아미노」의 아릴과 헤테로아릴, 「아릴옥시」의 아릴, 제2 치환기로서의 「아릴」, 「헤테로아릴」로서는 전술한 「아릴환」 또는 「헤테로아릴환」의 1가의 기를 예로 들 수 있다.“aryl” or “heteroaryl” as the first substituent, aryl of “diarylamino”, heteroaryl of “diheteroarylamino”, aryl and heteroaryl of “arylheteroarylamino”, aryl of “aryloxy”, Examples of “aryl” and “heteroaryl” as the second substituent include the monovalent group of “aryl ring” or “heteroaryl ring” described above.

제1 및 제2 치환기로서의 「알킬」로서는, 직쇄 및 분지쇄 중 어느 것이라도 되고, 예를 들면, 탄소수 1∼24의 직쇄 알킬 또는 탄소수 3∼24의 분지쇄 알킬이 있다. 탄소수 1∼18의 알킬(탄소수 3∼18의 분지쇄 알킬)이 바람직하고, 탄소수 1∼12의 알킬(탄소수 3∼12의 분지쇄 알킬)이 보다 바람직하고, 탄소수 1∼6의 알킬(탄소수 3∼6의 분지쇄 알킬)이 더욱 바람직하고, 탄소수 1∼4의 알킬(탄소수 3∼4의 분지쇄 알킬)이 특히 바람직하다.The "alkyl" as the first and second substituent may be either straight chain or branched, and examples include straight chain alkyl with 1 to 24 carbon atoms or branched chain alkyl with 3 to 24 carbon atoms. Alkyl with 1 to 18 carbon atoms (branched chain alkyl with 3 to 18 carbon atoms) is preferable, alkyl with 1 to 12 carbon atoms (branched chain alkyl with 3 to 12 carbon atoms) is more preferable, and alkyl with 1 to 6 carbon atoms (branched chain alkyl with 3 to 12 carbon atoms) is more preferable. Branched-chain alkyl with ~6 carbon atoms) is more preferable, and alkyl with 1-4 carbon atoms (branched-chain alkyl with 3-4 carbon atoms) is particularly preferable.

구체적인 알킬로서는, 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, sec-부틸, tert-부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, n-헥실, 1-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 2,6-디메틸-4-헵틸, 3,5,5-트리메틸헥실, n-데실, n-운데실, 1-메틸데실, n-도데실, n-트리데실, 1-헥실헵틸, n-테트라데실, n-펜타데실, n-헥사데실, n-헵타데실, n-옥타데실, n-에이코실 등을 예로 들 수 있다.Specific alkyls include methyl, ethyl, n-propyl, isopropyl, n-butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butyl, n-pentyl, isopentyl, neopentyl, tert-pentyl, n-hexyl, 1- Methylpentyl, 4-methyl-2-pentyl, 3,3-dimethylbutyl, 2-ethylbutyl, n-heptyl, 1-methylhexyl, n-octyl, tert-octyl, 1-methylheptyl, 2-ethylhexyl, 2-propylpentyl, n-nonyl, 2,2-dimethylheptyl, 2,6-dimethyl-4-heptyl, 3,5,5-trimethylhexyl, n-decyl, n-undecyl, 1-methyldecyl, n Examples include -dodecyl, n-tridecyl, 1-hexylheptyl, n-tetradecyl, n-pentadecyl, n-hexadecyl, n-heptadecyl, n-octadecyl, and n-eicosyl.

제1 및 제2 치환기로서의 「시클로알킬」로서는, 1개의 환으로 이루어지는 시클로알킬, 복수의 환으로 이루어지는 시클로알킬, 환 내에서 공역하지 않는 2중 결합을 포함하는 시클로알킬 및 환 외에 분지를 포함하는 시클로알킬 중 어느 것이라도 되고, 예를 들면, 탄소수 3∼20의 시클로알킬, 탄소수 3∼14의 시클로알킬, 탄소수 3∼12의 시클로알킬, 탄소수 5∼10의 시클로알킬, 탄소수 6∼10의 시클로알킬 등이 있다. 이들 중에서도, 탄소수 5∼10의 시클로알킬이 바람직하고, 탄소수 6∼10의 시클로알킬이 보다 바람직하다.Examples of “cycloalkyl” as the first and second substituents include cycloalkyl consisting of one ring, cycloalkyl consisting of multiple rings, cycloalkyl containing a double bond that is not conjugated within the ring, and cycloalkyl containing a branch outside the ring. It may be any of cycloalkyl, for example, cycloalkyl with 3 to 20 carbon atoms, cycloalkyl with 3 to 14 carbon atoms, cycloalkyl with 3 to 12 carbon atoms, cycloalkyl with 5 to 10 carbon atoms, cycloalkyl with 6 to 10 carbon atoms. Alkyl, etc. Among these, cycloalkyl with 5 to 10 carbon atoms is preferable, and cycloalkyl with 6 to 10 carbon atoms is more preferable.

구체적인 시클로알킬로서는, 시클로프로필, 메틸시클로프로필, 시클로부틸, 메틸시클로부틸, 시클로펜틸, 메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 메틸시클로헥실, 시클로헵틸, 메틸시클로헵틸, 시클로옥틸, 메틸시클로옥틸, 시클로노닐, 메틸시클로노닐, 시클로데실, 메틸시클로데실, 비시클로[1.0.1]부틸, 비시클로[1.1.1]펜틸, 비시클로[2.0.1]펜틸, 비시클로[1.2.1]헥실, 비시클로[3.0.1]헥실, 비시클로[2.2.1]헵틸, 비시클로[2.1.2]헵틸, 비시클로[2.2.2]옥틸, 데카하이드로나프틸, 아다만틸, 디아만틸, 데카하이드로아줄레닐 등을 예로 들 수 있다.Specific cycloalkyl examples include cyclopropyl, methylcyclopropyl, cyclobutyl, methylcyclobutyl, cyclopentyl, methylcyclopentyl, cyclohexyl, methylcyclohexyl, cycloheptyl, methylcycloheptyl, cyclooctyl, methylcyclooctyl, cyclononyl, Methylcyclononyl, cyclodecyl, methylcyclodecyl, bicyclo[1.0.1]butyl, bicyclo[1.1.1]pentyl, bicyclo[2.0.1]pentyl, bicyclo[1.2.1]hexyl, bicyclo[ 3.0.1]hexyl, bicyclo[2.2.1]heptyl, bicyclo[2.1.2]heptyl, bicyclo[2.2.2]octyl, decahydronaphthyl, adamantyl, diamantyl, decahydroazule Examples include Neal and others.

제1 치환기로서의 「알케닐」로서는, 상기 「알킬」에서의 1개 또는 복수의 -CH2-CH2-가 -C=C-로 치환된 기를 예로 들 수 있고, 바람직하게는 1개 또는 2개가 치환되고, 보다 바람직하게는 1개가 치환된 기를 예로 들 수 있다.Examples of “alkenyl” as the first substituent include groups in which one or more -CH 2 -CH 2 - in the above-mentioned “alkyl” is substituted with -C=C-, preferably one or two. Examples include groups in which two groups are substituted, and more preferably, one group is substituted.

제1 치환기로서의 「알키닐」로서는, 상기 「알킬」에서의 1개 또는 복수의 -CH2-CH2-이 -C≡C-로 치환된 기를 예로 들 수 있고, 바람직하게는 1개 또는 2개가 치환되고, 보다 바람직하게는 1개가 치환된 기를 예로 들 수 있다.Examples of “alkynyl” as the first substituent include groups in which one or more -CH 2 -CH 2 - in the above “alkyl” is substituted with -C≡C-, preferably one or two. Examples include groups in which two groups are substituted, and more preferably, one group is substituted.

제1 치환기로서의 「알콕시」로서는, 예를 들면, 탄소수 1∼24의 직쇄 또는 탄소수 3∼24의 분지쇄의 알콕시가 있다. 탄소수 1∼18의 알콕시(탄소수 3∼18의 분지쇄의 알콕시)가 바람직하고, 탄소수 1∼12의 알콕시(탄소수 3∼12의 분지쇄의 알콕시)가 보다 바람직하고, 탄소수 1∼6의 알콕시(탄소수 3∼6의 분지쇄의 알콕시)가 더욱 바람직하고, 탄소수 1∼4의 알콕시(탄소수 3∼4의 분지쇄의 알콕시)가 특히 바람직하다.Examples of “alkoxy” as the first substituent include straight-chain alkoxy with 1 to 24 carbon atoms or branched chain alkoxy with 3 to 24 carbon atoms. Alkoxy with 1 to 18 carbon atoms (branched chain alkoxy with 3 to 18 carbon atoms) is preferable, alkoxy with 1 to 12 carbon atoms (branched chain alkoxy with 3 to 12 carbon atoms) is more preferable, and alkoxy with 1 to 6 carbon atoms (branched chain alkoxy with 3 to 12 carbon atoms) is more preferable. Branched chain alkoxy with 3 to 6 carbon atoms) is more preferable, and alkoxy with 1 to 4 carbon atoms (branched chain alkoxy with 3 to 4 carbon atoms) is particularly preferable.

구체적인 알콕시로서는, 메톡시, 에톡시, 프로폭시, 이소프로폭시, 부톡시, 이소부톡시, sec-부톡시, tert-부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시, 헵틸옥시, 옥틸옥시 등을 예로 들 수 있다.Specific examples of alkoxy include methoxy, ethoxy, propoxy, isopropoxy, butoxy, isobutoxy, sec-butoxy, tert-butoxy, pentyloxy, hexyloxy, heptyloxy, octyloxy, etc. there is.

단 A환(a환) 단독 및 D환(d환) 단독으로의 치환기로서는, 아크리딘계 치환기는 제외된다. 이 아크리딘계 치환기는, 아크리딘 및 아크리딘 유도체의 1가의 기이다. 아크리딘 유도체는 치환기를 가지는 아크리딘이며, 치환기로서는, 예를 들면, 알킬기, 아릴기 등이 있다. 또한, A환(a환) 단독 및 D환(d환) 단독으로의 치환기로서는, 바람직하게는, 아크리딘계 치환기뿐만 아니라, 질소 원자를 가지는 치환기로서 질소 원자가 A환(a환) 단독 및 D환(d환) 단독에 직접 결합하는 기(예를 들면, 아미노기 등)도 제외되며, 보다 바람직하게는, 질소 원자를 가지는 치환기도 제외된다.However, as a substituent for the A ring (a ring) alone and the D ring (d ring) alone, an acridine-based substituent is excluded. This acridine-based substituent is a monovalent group of acridine and acridine derivatives. An acridine derivative is acridine having a substituent, and examples of the substituent include an alkyl group and an aryl group. In addition, the substituent for the A ring (a ring) alone and the D ring (d ring) alone is preferably not only an acridine-based substituent, but also a substituent having a nitrogen atom, where the nitrogen atom is used for the A ring (a ring) alone and D Groups (for example, amino groups, etc.) directly bonded to the ring (d ring) alone are also excluded, and more preferably, substituents having a nitrogen atom are also excluded.

또한, C환으로의 치환기 또는 R9∼R12 중 적어도 1개가 하기 부분 구조식(TSG1)으로 표시되는 기인 것이 바람직하다.Additionally, it is preferable that at least one of the substituents on the C ring or R 9 to R 12 is a group represented by the partial structural formula (TSG1) below.

Figure 112020077643373-pct00016
Figure 112020077643373-pct00016

상기 식(TSG1)으로 표시되는 기에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시로 치환되어 있어도 되고, 이들 기의 상세한 것에 대해서는, 전술한 제1 및 제2 치환기의 설명을 인용할 수 있다.At least one hydrogen in the group represented by the formula (TSG1) may be substituted with aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy, or aryloxy. Details of these groups are described above. The description of the first and second substituents may be cited.

상기 식(TSG1)으로 표시되는 기에서의 Y는, 단결합, -O-, -S-, -Se-, -NR-, >CR2, 또는 >SiR2이며, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시이며, 이들 기의 상세한 것에 대해서는, 전술한 제1 및 제2 치환기의 설명을 인용할 수 있다. 또한, R 중 인접하는 기끼리 결합하여 탄소수 6∼15의 아릴환을 형성하고 있어도 되고, 이 아릴환의 상세한 것에 대해서는, 전술한 A환∼D환의 설명을 인용할 수 있다.Y in the group represented by the above formula (TSG1) is a single bond, -O-, -S-, -Se-, -NR-, >CR 2 , or >SiR 2 , where R is each independent , hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy or aryloxy, and for details of these groups, the description of the above-mentioned first and second substituents can be referred to. Additionally, adjacent groups among R may be bonded to form an aryl ring having 6 to 15 carbon atoms, and for details of this aryl ring, the description of the A to D rings described above can be cited.

부분 구조식(TSG1)으로 표시되는 기의 구체예로서는, 하기 부분 구조식(TSG100), 식(TSG110), 식(TSG111), 식(TSG112), 식(TSG113), 식(TSG120) 또는 식(TSG121)으로 표시되는 기를 들 수 있다. 식 중의 「Me」는 메틸기이다.Specific examples of the group represented by the partial structural formula (TSG1) include the following partial structural formula (TSG100), formula (TSG110), formula (TSG111), formula (TSG112), formula (TSG113), formula (TSG120), or formula (TSG121). The displayed flags can be mentioned. “Me” in the formula is a methyl group.

Figure 112020077643373-pct00017
Figure 112020077643373-pct00017

상기 구조식에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시로 치환되어 있어도 되고, 이들 기의 상세한 것에 대해서는, 전술한 제1 및 제2 치환기의 설명을 인용할 수 있다.At least one hydrogen in the above structural formula may be substituted with aryl, heteroaryl, diarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy, or aryloxy. For details of these groups, refer to the above-mentioned first and second substituents. Explanations may be cited.

Z1 및 Z2로서의 알킬렌, 알케닐렌, 알키닐렌 또는 아릴렌은, 1가의 기로서 전술한 「알킬」, 「알케닐」, 「알키닐」 또는 「아릴」의 2가의 기를 예로 들 수 있다. 이들에서의 임의의 -CH2-는, -CR2-, -C(=CR2)-, -CR=CR-, -C(=C(=O))-, -C(=O)-, -C(=S)-, -C(=O)O-, -C(=S)O-, -C(=O)S-, -C(=S)S-, -C(=O)NR-, -O-, -S-, -Se-, -Po-, -P(=O)-, -P(=R)-, -P(=O)(-R)-, -P(=S)-, -S(=O)-, -S(=O)2-, -SiR2-, -NR-, 또는, -N=N-으로 치환되어 있어도 된다.Alkylene, alkenylene, alkynylene, or arylene as Z 1 and Z 2 are monovalent groups, and examples include the divalent groups of “alkyl,” “alkenyl,” “alkynyl,” or “aryl” described above. . Any -CH 2 - in these is -CR 2 -, -C(=CR 2 )-, -CR=CR-, -C(=C(=O))-, -C(=O)- , -C(=S)-, -C(=O)O-, -C(=S)O-, -C(=O)S-, -C(=S)S-, -C(=O )NR-, -O-, -S-, -Se-, -Po-, -P(=O)-, -P(=R)-, -P(=O)(-R)-, -P It may be substituted with (=S)-, -S(=O)-, -S(=O) 2 -, -SiR 2 -, -NR-, or -N=N-.

Z1 및 Z2에서의 「-CR2-」, 「-C(=CR2)-」, 「-CR=CR-」, 「-C(=O)NR-」, 「-P(=R)-」, 「-P(=O)(-R)-」, 「-SiR2-」 또는 「-NR-」 중의 R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 된다. 이들 기의 설명은, 전술한 제1 및 제2 치환기의 설명을 인용할 수 있다.「-CR 2 -」, 「-C(=CR 2 )-」, 「-CR=CR-」, 「-C(=O)NR-」, 「-P(=R) in Z 1 and Z 2 )-”, “-P(=O)(-R)-”, “-SiR 2 -”, or “-NR-” each independently represents hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, di Heteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen in R may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl or cycloalkyl. Descriptions of these groups may refer to the descriptions of the above-described first and second substituents.

또한, 상기 R과, A환, B환, C환 및/또는 D환(a환, b환, c환 및/또는 D환)이 인접하는 경우, 이들은 결합하여 환 구조를 형성하고 있어도 되고, 이 결합기로서는 단결합의 이외에 알킬렌 결합 등을 예로 들 수 있고, 상기 결합기 중의 일부 -CH2-는, -NR-, -O- 또는 -S-로 치환되어도 되고, -CH2- 또는 -CH=의 이웃이 헤테로 원자가 아닌 경우에 -CH2- 또는 -CH=은 헤테로 원자로 치환되어도 된다. 상기 「-NR-」의 상세한 것은 상술한 설명을 인용할 수 있다.In addition, when the above R and the A ring, B ring, C ring and/or D ring (a ring, b ring, c ring and/or D ring) are adjacent, they may be combined to form a ring structure, Examples of this linking group include an alkylene bond in addition to a single bond, and some of -CH 2 - in the above linking group may be substituted with -NR-, -O- or -S-, and -CH 2 - or -CH= If the neighbor of is not a hetero atom, -CH 2 - or -CH= may be substituted with a hetero atom. For details of the above “-NR-”, the above description can be cited.

보다 구체적으로는, 예를 들면, 상기 식(2)에 있어서, 상기 R(바람직하게는 「-NR-」의 R)과, R1, R8, R9 및/또는 R16은, 단결합, -CR2-, -CR=CR-, -C(=O)-, -C(=S)-, -O-, -S-, -Se-, -P(=O)-, -P(=S)-, -S(=O)-, -SiR2-, -NR-, 또는, 페닐렌으로 결합하여 환 구조를 형성하고, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 아릴옥시(이들 기의 설명은, 전술한 제1 및 제2 치환기의 설명을 인용할 수 있음)이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬(이들 기의 설명은, 전술한 제1 및 제2 치환기의 설명을 인용할 수 있음)로 치환되어 있어도 된다. 바람직하게는, 상기 R(바람직하게는 「-NR-」의 R)과, R1, R8, R9 및/또는 R16이, 단결합, -CR2-, -O-, -S- 또는 -NR-로 결합하여 환 구조를 형성하고, 여기서, R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 알킬 또는 시클로알킬(이들 기의 설명은, 전술한 제1 및 제2 치환기의 설명을 인용할 수 있음)이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 아릴, 알킬 또는 시클로알킬(이들 기의 설명은, 전술한 제1 및 제2 치환기의 설명을 인용할 수 있음)로 치환되어 있어도 된다. 형성된 구체적인 환 구조는 후술한다.More specifically, for example, in the above formula (2), R (preferably R of “-NR-”), R 1 , R 8 , R 9 and/or R 16 are a single bond. , -CR 2 -, -CR=CR-, -C(=O)-, -C(=S)-, -O-, -S-, -Se-, -P(=O)-, -P (=S)-, -S(=O)-, -SiR 2 -, -NR-, or bonded with phenylene to form a ring structure, where R is each independently hydrogen, aryl, hetero Aryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkenyl, alkynyl, alkoxy or aryloxy (the description of these groups refers to the description of the first and second substituents above) can), and at least one hydrogen in R is substituted with aryl, heteroaryl, alkyl or cycloalkyl (the description of these groups may refer to the description of the first and second substituents described above) You can stay. Preferably, R (preferably R of "-NR-"), R 1 , R 8 , R 9 and/or R 16 are a single bond, -CR 2 -, -O-, -S- or -NR- to form a ring structure, where R is each independently hydrogen, aryl, alkyl, or cycloalkyl (the description of these groups refers to the description of the first and second substituents described above). may be substituted), and at least one hydrogen in R may be substituted with aryl, alkyl, or cycloalkyl (the description of these groups may refer to the description of the first and second substituents described above). The specific ring structure formed will be described later.

그리고, 본 발명의 화합물에 있어서는, Z1 및 Z2가 동시에 단결합인 것은 아니다.In addition, in the compound of the present invention, Z 1 and Z 2 are not simultaneously a single bond.

또한, 본 발명의 화합물 및 그 고분자 화합물의 화학 구조 중의 수소는, 그 전부 또는 일부가 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 된다. 할로겐은, 불소, 염소, 브롬 또는 요오드이며, 바람직하게는 불소, 염소 또는 브롬, 보다 바람직하게는 불소 또는 염소이다.In addition, all or part of hydrogen in the chemical structure of the compound of the present invention and its polymer compound may be substituted with cyano, halogen, or deuterium. Halogen is fluorine, chlorine, bromine or iodine, preferably fluorine, chlorine or bromine, more preferably fluorine or chlorine.

다음으로, 본 발명의 화합물 구조를 보다 구체적으로 설명한다. 그리고, 이후의 설명에서 사용하는 모든 구조식 중의 부호는 특별히 언급하지 않는 한 전술한 정의와 같다.Next, the structure of the compound of the present invention will be described in more detail. In addition, the symbols in all structural formulas used in the following description are the same as the above definitions unless otherwise specified.

1-1. 화합물의 기본 골격의 변화에 대하여1-1. About changes in the basic skeleton of a compound

본 발명의 화합물은, A환 및 D환(a환 및 d환)을 포함하는 축합환 부위와 B환 및 C환(b환 및 c환)을 포함하는 축합환 부위가 붕소를 스피로 원자로하여 스피로 결합한 화합물이다. 각 환이나 Z1 및 Z2에는 치환기가 결합할 수 있지만, 먼저, 상기 스피로 화합물의 기본 골격에 대하여 이하에 설명한다. 이하에서는 기본 골격 및 이것에 부수되는 사항에 대해서만 설명하므로, 기본적으로는, 구조식 중에서 이 변화에 관여하지 않는 치환기(식(2)에서 언급한다면 R1∼R16 등)의 기재 또는 설명은 생략하고, 필요한 경우에만 기재 또는 설명을 한다. 또한, 일반식(2)은 일반식(1)에 포함되는 바람직한 일형태이므로, 양식에 공통되는 설명은 일반식(1)의 설명으로 대표하고, 일반식(2)의 설명으로서는 생략하는 경우도 있다.In the compound of the present invention, the condensed ring portion containing the A ring and D ring (a ring and d ring) and the condensed ring portion including the B ring and C ring (b ring and c ring) convert boron into a spiro atom to form a spiro atom. It is a combined compound. A substituent may be bonded to each ring or to Z 1 and Z 2 , but first, the basic skeleton of the spiro compound will be described below. In the following, only the basic skeleton and accompanying matters will be described, so basically, description or explanation of substituents that are not involved in this change in the structural formula (R 1 to R 16 , etc., if mentioned in formula (2)) will be omitted. , Write or explain only when necessary. In addition, since general formula (2) is a preferred form included in general formula (1), the explanation common to the forms is represented by the explanation of general formula (1), and the explanation of general formula (2) is also omitted. there is.

일반식(1)으로 표시되는 화합물 또는 반복 구조(이하, 합 쳐서 간단히 「화합물」이라고도 함)에 있어서, 스피로 원자인 붕소 「B」는 각각 A환, C환 및 D환 중의 탄소(식 중에서는 「C」의 표기를 생략)와 결합하고, B환 중의 1개의 질소 「N」과 배위 결합한다. X1∼X4는 각각 독립적으로 C(탄소) 또는 N(질소)이며, Z1은 A환 및 D환의 연결기, Z2는 B환 및 C환의 연결기이다.In the compound or repeating structure (hereinafter collectively referred to simply as “compound”) represented by general formula (1), boron “B”, which is a spiro atom, is represented by carbon in the A ring, C ring, and D ring, respectively (in the formula: (the notation of "C" is omitted) and coordinates with one nitrogen "N" in ring B. X 1 to

일례로서, 하기 일반식(1-C)은 X1∼X4가 C(탄소)인 구조식이며, 일반식(1-N)은 X1∼X4가 N(질소)인 구조식이다. X1∼X4는 각각 독립적으로 C 또는 N으로부터 선택할 수 있고, 하기 구조식 이외의 형태도 있을 수 있다.As an example, the following general formula (1-C) is a structural formula in which X 1 to X 4 are C (carbon), and general formula ( 1 -N) is a structural formula in which X 1 to X 1 to

Figure 112020077643373-pct00018
Figure 112020077643373-pct00018

Z1 및 Z2로서는, 예를 들면 하기 부분 구조식(a)∼식(v)이 있다.Examples of Z 1 and Z 2 include the following partial structural formulas (a) to (v).

Figure 112020077643373-pct00019
Figure 112020077643373-pct00019

부분 구조식 중의 R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시이며, 이들에서의 적어도 1개의 수소는 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 된다.R in the partial structural formula is each independently hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen in these is It may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl.

바람직하게는 식(e)∼식(q), 식(u) 또는 식(v)이며, 보다 바람직하게는 식(g)∼식(j), 식(n)∼식(q), 식(u) 또는 식(v)이며, 더욱 바람직하게는 식(g), 식(h), 식(q) 또는 식(u)이며, 특히 바람직하게는 식(g), 식(q) 또는 식(u)이다.Preferably it is formula (e) to formula (q), formula (u) or formula (v), more preferably formula (g) to formula (j), formula (n) to formula (q), formula ( u) or formula (v), more preferably formula (g), formula (h), formula (q) or formula (u), especially preferably formula (g), formula (q) or formula ( u).

보다 구체적으로는, Z1은, 식(g), 식(q) 또는 식(u)이며, 바람직하게는 식(g) 또는 식(u)이며, 보다 바람직하게는 식(g)이다.More specifically, Z 1 is formula (g), formula (q), or formula (u), preferably formula (g) or formula (u), and more preferably formula (g).

Z1 및 Z2의 조합으로서는, 모두 식(g), 식(g) 및 식(q), 식(g) 및 식(u), 식(u) 및 식(g), 또는, 식(u) 및 식(q)이며, 바람직하게는, 모두 식(g), 식(g) 및 식(q), 식(g) 및 식(u), 또는, 식(u) 및 식(g)이다.Combinations of Z 1 and Z 2 include formula (g), formula (g) and formula (q), formula (g) and formula (u), formula (u) and formula (g), or formula (u). ) and formula (q), and preferably, they are all formula (g), formula (g) and formula (q), formula (g) and formula (u), or formula (u) and formula (g). .

A환, C환 및 D환으로서는, 예를 들면 하기 부분 구조식(P)∼식(Xb)이 있다. 하기 부분 구조식에 있어서, 파선에 의해 도중에 끊어진 결합은, 일반식(1)에서의 스피로 원자 「B」나 Z1 또는 Z2의 결합 부위를 나타낸다. 또한, 일반식(1) 중의 부분 구조식은 모두 동일한 부분 구조인 것이 바람직하지만, 상이한 종류의 부분 구조이면 된다. 하기 부분 구조식에 있어서도 치환기의 도시는 생략하고 있다.Examples of the A ring, C ring, and D ring include the following partial structural formulas (P) to (Xb). In the partial structural formula below, the bond interrupted by the broken line represents the bonding site of the spiro atom "B", Z 1 or Z 2 in General Formula (1). In addition, it is preferable that all partial structures in General Formula (1) have the same partial structure, but different types of partial structures may be used. Even in the partial structural formulas below, illustration of substituents is omitted.

Figure 112020077643373-pct00020
Figure 112020077643373-pct00020

부분 구조식 중의 R은, 각각 독립적으로, 수소, 아릴, 헤테로아릴, 디아릴아미노, 디헤테로아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 알킬, 시클로알킬, 알콕시 또는 아릴옥시이며, 이들에서의 적어도 1개의 수소는 아릴, 헤테로아릴, 알킬 또는 시클로알킬로 치환되어 있어도 된다.R in the partial structural formula is each independently hydrogen, aryl, heteroaryl, diarylamino, diheteroarylamino, arylheteroarylamino, alkyl, cycloalkyl, alkoxy or aryloxy, and at least one hydrogen in these is It may be substituted with aryl, heteroaryl, alkyl, or cycloalkyl.

바람직하게는 식(P), 식(F), 식(Na), 식(Nb), 식(Ra), 식(BR), 식(Ya), 식(Yb), 식(Z), 식(BZ), 식(S), 식(BS), 식(T), 식(BT), 식(E), 식(BE), 식(L), 식(BL), 식(G) 및 식(BG)이며, 보다 바람직하게는 식(P), 식(Na), 식(Ra), 식(Ya), 식(Yb), 식(Z), 식(S), 식(T), 식(E) 및 식(G)이며, 더욱 바람직하게는 식(P), 식(Na) 및 식(S)이며, 가장 바람직하게는 식(P) 및 식(Na)이다.Preferably, formula (P), formula (F), formula (Na), formula (Nb), formula (Ra), formula (BR), formula (Y), formula (Yb), formula (Z), formula ( BZ), Equation(S), Equation(BS), Equation(T), Equation(BT), Equation(E), Equation(BE), Equation(L), Equation(BL), Equation(G) and Equation( BG), and more preferably formula (P), formula (Na), formula (Ra), formula (Y), formula (Yb), formula (Z), formula (S), formula (T), formula ( E) and formula (G), more preferably formula (P), formula (Na) and formula (S), and most preferably formula (P) and formula (Na).

B환으로서는, 예를 들면, 피리딘환, 피리다진환, 피리미딘환 또는 트리아진환이 있고, 이들 환에 있어서 하나의 질소는 스피로 원자 「B」에 배위한다. 이와 같은 B환을 함유하는 구조식으로서는, 예를 들면, 상기 식(1-C)을 변형한 예로서는 하기 일반식(10)∼식(145)이 있다. 상기 식(1-N)이나, X1∼X4가 그 외의 조합이 되어 있는 경우에도 동일하다.Examples of the B ring include a pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, or triazine ring, and in these rings, one nitrogen is coordinated to the spiro atom “B.” Structural formulas containing such a B ring include, for example, the following general formulas (10) to (145) as modified examples of the above formula (1-C). The same applies to the above formula (1-N) or to other combinations of X 1 to X 4 .

Figure 112020077643373-pct00021
Figure 112020077643373-pct00021

구조식으로서는, 바람직하게는 식(10), 식(15) 또는 식(135)이며, 보다 바람직하게는 식(10)이다.The structural formula is preferably formula (10), formula (15), or formula (135), and more preferably formula (10).

상기 식(10)∼(145)에 있어서, A환, C환 및 D환이, 예를 들면 부분 구조식(P)인 경우에는, 하기 일반식으로 표시된다.In the above formulas (10) to (145), when the A ring, C ring, and D ring have a partial structural formula (P), for example, they are represented by the following general formula.

Figure 112020077643373-pct00022
Figure 112020077643373-pct00022

A환, C환 및 D환과하여, 예를 들면, 상기 부분 구조식(P)∼식(Xb) 중 어느 하나 중에서 동일 구조가 선택된 경우, 일반식(10)의 구조는 하기 화학 구조식으로 표시된다.For example, when the same structure as the A ring, C ring, and D ring is selected from any one of the partial structural formulas (P) to (Xb) above, the structure of general formula (10) is represented by the following chemical formula.

Figure 112020077643373-pct00023
Figure 112020077643373-pct00023

Figure 112020077643373-pct00024
Figure 112020077643373-pct00024

Figure 112020077643373-pct00025
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Figure 112020077643373-pct00026
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Figure 112020077643373-pct00027
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Figure 112020077643373-pct00028
Figure 112020077643373-pct00028

Figure 112020077643373-pct00029
Figure 112020077643373-pct00029

Figure 112020077643373-pct00030
Figure 112020077643373-pct00030

A환, C환 및 D환은 동일한 구조라도 되고, 상이해도 된다. 상기 식(10)에 있어서, A환, C환 및 D환이 상이한 구조인 경우, 하기 일반식으로 표시된다.The A ring, C ring, and D ring may have the same structure or may have different structures. In the above formula (10), when the A ring, C ring, and D ring have different structures, they are expressed by the following general formula.

Figure 112020077643373-pct00031
Figure 112020077643373-pct00031

Figure 112020077643373-pct00032
Figure 112020077643373-pct00032

Figure 112020077643373-pct00033
Figure 112020077643373-pct00033

Figure 112020077643373-pct00034
Figure 112020077643373-pct00034

Z1 및 Z2는 동일한 구조라도 되고, 상이해도 된다. Z1 및 Z2로서, 각각 독립적으로, 부분 구조식 (a)∼(v)가 선택된 일례를 이하에 든다.Z 1 and Z 2 may have the same structure or may be different. An example in which partial structural formulas (a) to (v) are each independently selected as Z 1 and Z 2 is given below.

Figure 112020077643373-pct00035
Figure 112020077643373-pct00035

Figure 112020077643373-pct00036
Figure 112020077643373-pct00036

Figure 112020077643373-pct00037
Figure 112020077643373-pct00037

이들 중에서, 바람직하게는, 일반식(10P-ge-1), 식(10P-gf-1), 식(10P-g-1), 식(10P-gh-1), 식(10P-gi-1), 식(10P-gj-1), 식(10P-gk-1), 식(10P-gm-1), 식(10P-gn-1), 식(10P-gp-1), 식(10P-gq-1), 식(10P-gu-1), 식(10P-qe-1), 식(10P-qf-1), 식(10P-qg-1), 식(10P-qh-1), 식(10P-qi-1), 식(10P-qj-1), 식(10P-qk-1), 식(10P-qm-1), 식(10P-qn-1), 식(10P-qp-1), 식(10P-q-1), 식(10P-qu-1), 식(10P-ue-1), 식(10P-uf-1), 식(10P-ug-1), 식(10P-uh-1), 식(10P-ui-1), 식(10P-uj-1), 식(10P-uk-1), 식(10P-um-1), 식(10P-un-1), 식(10P-up-1) 및 식(10P-uq-1)이며, 보다 바람직하게는, 일반식(10P-g-1), 식(10P-gh-1), 식(10P-gi-1), 식(10P-gj-1), 식(10P-gn-1), 식(10P-gp-1), 식(10P-gq-1), 식(10P-gu-1), 식(10P-qg-1), 식(10P-qh-1), 식(10P-qi-1), 식(10P-qj-1), 식(10P-qn-1), 식(10P-qp-1), 식(10P-q-1), 식(10P-qu-1), 식(10P-ug-1), 식(10P-uh-1), 식(10P-ui-1), 식(10P-uj-1), 식(10P-un-1), 식(10P-up-1) 및 식(10P-uq-1)이며, 더욱 바람직하게는, 일반식(10P-g-1), 식(10P-gh-1), 식(10P-gq-1), 식(10P-gu-1), 식(10P-qg-1), 식(10P-qh-1), 식(10P-q-1), 식(10P-qu-1), 식(10P-ug-1), 식(10P-uh-1) 및 식(10P-uq-1)이며, 특히 바람직하게는, 일반식(10P-g-1), 식(10P-gq-1), 식(10P-gu-1), 식(10P-qg-1), 식(10P-q-1), 식(10P-qu-1), 식(10P-ug-1) 및 식(10P-uq-1)이다.Among these, the general formula (10P-ge-1), formula (10P-gf-1), formula (10P-g-1), formula (10P-gh-1), formula (10P-gi- 1), Equation (10P-gj-1), Equation (10P-gk-1), Equation (10P-gm-1), Equation (10P-gn-1), Equation (10P-gp-1), Equation ( 10P-gq-1), formula (10P-gu-1), formula (10P-qe-1), formula (10P-qf-1), formula (10P-qg-1), formula (10P-qh-1) ), Equation (10P-qi-1), Equation (10P-qj-1), Equation (10P-qk-1), Equation (10P-qm-1), Equation (10P-qn-1), Equation (10P -qp-1), formula (10P-q-1), formula (10P-qu-1), formula (10P-ue-1), formula (10P-uf-1), formula (10P-ug-1) , Equation (10P-uh-1), Equation (10P-ui-1), Equation (10P-uj-1), Equation (10P-uk-1), Equation (10P-um-1), Equation (10P- un-1), formula (10P-up-1) and formula (10P-uq-1), and more preferably, general formula (10P-g-1), formula (10P-gh-1), formula ( 10P-gi-1), formula (10P-gj-1), formula (10P-gn-1), formula (10P-gp-1), formula (10P-gq-1), formula (10P-gu-1) ), Equation (10P-qg-1), Equation (10P-qh-1), Equation (10P-qi-1), Equation (10P-qj-1), Equation (10P-qn-1), Equation (10P -qp-1), formula (10P-q-1), formula (10P-qu-1), formula (10P-ug-1), formula (10P-uh-1), formula (10P-ui-1) , formula (10P-uj-1), formula (10P-un-1), formula (10P-up-1) and formula (10P-uq-1), and more preferably, the general formula (10P-g- 1), Equation (10P-gh-1), Equation (10P-gq-1), Equation (10P-gu-1), Equation (10P-qg-1), Equation (10P-qh-1), Equation ( 10P-q-1), formula (10P-qu-1), formula (10P-ug-1), formula (10P-uh-1) and formula (10P-uq-1), and especially preferably, general Equation (10P-g-1), Equation (10P-gq-1), Equation (10P-gu-1), Equation (10P-qg-1), Equation (10P-q-1), Equation (10P-qu -1), the formula (10P-ug-1) and the formula (10P-uq-1).

또한, 일반식(10P-Z-1), 식(12P-Z-1), 식(13P-Z-1), 식(14P-Z-1), 식(15P-Z-1), 식(123P-Z-1), 식(124P-Z-1), 식(125P-Z-1), 식(134P-Z-1), 식(135P-Z-1) 또는 식(145P-Z-1)에 있어서, Z1 및 Z2로서 부분 구조식(g)의 에테르 결합이 선택된 경우를 이하에 나타낸다.In addition, general formula (10P-Z-1), formula (12P-Z-1), formula (13P-Z-1), formula (14P-Z-1), formula (15P-Z-1), formula ( 123P-Z-1), formula (124P-Z-1), formula (125P-Z-1), formula (134P-Z-1), formula (135P-Z-1), or formula (145P-Z-1) ), the case where the ether bond of partial structural formula (g) is selected as Z 1 and Z 2 is shown below.

Figure 112020077643373-pct00038
Figure 112020077643373-pct00038

Z1 및 Z2는 상이한 구조라도 되고, 일반식(10P-Z-1), 식(12P-Z-1), 식(13P-Z-1), 식(14P-Z-1), 식(15P-Z-1), 식(123P-Z-1), 식(124P-Z-1), 식(125P-Z-1), 식(134P-Z-1), 식(135P-Z-1) 또는 식(145P-Z-1)에 있어서, Z1 및 Z2로서, 각각 부분 구조식(g)의 에테르 결합 및 식(q)의 아민 결합이 선택된 경우를 이하에 나타낸다.Z 1 and Z 2 may have different structures, and may be represented by the general formula (10P-Z-1), formula (12P-Z-1), formula (13P-Z-1), formula (14P-Z-1), formula ( 15P-Z-1), formula (123P-Z-1), formula (124P-Z-1), formula (125P-Z-1), formula (134P-Z-1), formula (135P-Z-1) ) or in the formula (145P-Z-1), the case where the ether bond of partial structural formula (g) and the amine bond of formula (q) are selected as Z 1 and Z 2 , respectively, are shown below.

Figure 112020077643373-pct00039
Figure 112020077643373-pct00039

Z1 및 Z2는 상이한 구조라도 되며, 일반식(10P-Z-1), 식(12P-Z-1), 식(13P-Z-1), 식(14P-Z-1), 식(15P-Z-1), 식(123P-Z-1), 식(124P-Z-1), 식(125P-Z-1), 식(134P-Z-1), 식(135P-Z-1) 또는 식(145P-Z-1)에 있어서, Z1 및 Z2로서, 각각 부분 구조식(g)의 에테르 결합 및 식(u)의 단결합이 선택된 경우를 이하에 나타낸다.Z 1 and Z 2 may have different structures, and may be represented by the general formula (10P-Z-1), formula (12P-Z-1), formula (13P-Z-1), formula (14P-Z-1), formula ( 15P-Z-1), formula (123P-Z-1), formula (124P-Z-1), formula (125P-Z-1), formula (134P-Z-1), formula (135P-Z-1) ) or in the formula (145P-Z-1), the case where the ether bond of partial structural formula (g) and the single bond of formula (u) are selected as Z 1 and Z 2 , respectively, are shown below.

Figure 112020077643373-pct00040
Figure 112020077643373-pct00040

Z1 및 Z2는 상이한 구조라도 되고, 일반식(10P-Z-1), 식(12P-Z-1), 식(13P-Z-1), 식(14P-Z-1), 식(15P-Z-1), 식(123P-Z-1), 식(124P-Z-1), 식(125P-Z-1), 식(134P-Z-1), 식(135P-Z-1) 또는 식(145P-Z-1)에 있어서, Z1 및 Z2로서, 각각 부분 구조식(u)의 단결합 및 식(g)의 에테르 결합이 선택된 경우를 이하에 나타낸다.Z 1 and Z 2 may have different structures, and may be represented by the general formula (10P-Z-1), formula (12P-Z-1), formula (13P-Z-1), formula (14P-Z-1), formula ( 15P-Z-1), formula (123P-Z-1), formula (124P-Z-1), formula (125P-Z-1), formula (134P-Z-1), formula (135P-Z-1) ) or in the formula (145P-Z-1), the case where a single bond of partial structural formula (u) and an ether bond of formula (g) are selected as Z 1 and Z 2 , respectively, are shown below.

Figure 112020077643373-pct00041
Figure 112020077643373-pct00041

Z1 및 Z2는 상이한 구조라도 되고, 일반식(10P-Z-1), 식(12P-Z-1), 식(13P-Z-1), 식(14P-Z-1), 식(15P-Z-1), 식(123P-Z-1), 식(124P-Z-1), 식(125P-Z-1), 식(134P-Z-1), 식(135P-Z-1) 또는 식(145P-Z-1)에 있어서, Z1 및 Z2로서, 각각 부분 구조식(u)의 단결합 및 식(q)의 아민 결합이 선택된 경우를 이하에 나타낸다.Z 1 and Z 2 may have different structures, and may be represented by the general formula (10P-Z-1), formula (12P-Z-1), formula (13P-Z-1), formula (14P-Z-1), formula ( 15P-Z-1), formula (123P-Z-1), formula (124P-Z-1), formula (125P-Z-1), formula (134P-Z-1), formula (135P-Z-1) ) or in the formula (145P-Z-1), the case where a single bond of partial structural formula (u) and an amine bond of formula (q) are selected as Z 1 and Z 2 , respectively, are shown below.

Figure 112020077643373-pct00042
Figure 112020077643373-pct00042

Z1 및 Z2에서의 「-CR2-」, 「-C(=CR2)-」, 「-CR=CR-」, 「-C(=O)NR-」, 「-P(=R)-」, 「-P(=O)(-R)-」, 「-SiR2-」 또는 「-NR-」 중의 R은, 구체적으로는, 하기 부분 구조식(J1)∼식(J74)이다. 그리고, 각 식 중의 「Me」는 메틸기, 「tBu」는 tert-부틸기이다.「-CR 2 -」, 「-C(=CR 2 )-」, 「-CR=CR-」, 「-C(=O)NR-」, 「-P(=R) in Z 1 and Z 2 )-”, “-P(=O)(-R)-”, “-SiR 2 -”, or “-NR-”, specifically, R is the following partial structural formula (J1) to formula (J74) . In each formula, “Me” is a methyl group and “tBu” is a tert-butyl group.

Figure 112020077643373-pct00043
Figure 112020077643373-pct00043

이들 중에서도, 바람직하게는 부분 구조식(J1)∼식(J3), 식(J11), 식(J12), 식(J38) 또는 식(J41)∼식(J44)이며, 보다 바람직하게는 식(J1), 식(J3), 식(J11), 식(J12), 식(J41) 또는 식(J44)이며, 더욱 바람직하게는 식(J11)이다.Among these, partial structural formula (J1) to formula (J3), formula (J11), formula (J12), formula (J38) or formula (J41) to formula (J44) are preferable, and more preferably formula (J1) ), Formula (J3), Formula (J11), Formula (J12), Formula (J41), or Formula (J44), and more preferably Formula (J11).

예를 들면, 일반식(10P-j-1), 식(10P-k-1), 식(10P-p-1) 또는 식(10P-q-1)에서의 Z1 및 Z2로서 부분 구조식(j), 식(k), 식(p) 또는 식(q)이 선택되고, 이 부분 구조식 중의 R이, 수소, 부분 구조식(J1), 식(J3), 식(J6), 식(J9), 식(J11) 또는 식(J21)인 경우에는, 하기 구조식으로 표시된다. 그리고, 각 구조식 중의 「Me」는 메틸기, 「tBu」는 tert-부틸기이며, 이후의 모든 구조식에 있어서도 동일하다.For example, partial structural formulas as Z 1 and Z 2 in general formula (10P-j-1), formula (10P-k-1), formula (10P-p-1) or formula (10P-q-1) (j), formula (k), formula (p), or formula (q) is selected, and R in this partial structural formula is hydrogen, partial structural formula (J1), formula (J3), formula (J6), or formula (J9). ), formula (J11), or formula (J21), it is expressed by the following structural formula. In each structural formula, “Me” is a methyl group and “tBu” is a tert-butyl group, and the same applies to all subsequent structural formulas.

Figure 112020077643373-pct00044
Figure 112020077643373-pct00044

예를 들면, 일반식(10P-gq-1), 식(10P-qg-1), 식(10P-qu-1), 식(10P-uq-1) 또는 식(10P-q-1)에서의 Z1 및 Z2로서 부분 구조식(q)이 선택되고, 이 부분 구조식에서의 R이, 수소, 부분 구조식(J1), 식(J3), 식(J6), 식(J9), 식(J11) 또는 식(J21)인 경우에는, 하기 구조식으로 표시된다.For example, in the general formula (10P-gq-1), formula (10P-qg-1), formula (10P-qu-1), formula (10P-uq-1), or formula (10P-q-1) A partial structural formula (q) is selected as Z 1 and Z 2 of , and R in this partial structural formula is hydrogen, partial structural formula (J1), formula (J3), formula (J6), formula (J9), formula (J11) ) or formula (J21), it is expressed by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00045
Figure 112020077643373-pct00045

Figure 112020077643373-pct00046
Figure 112020077643373-pct00046

또한, 예를 들면, 일반식(10P-gq-1), 식(10P-q-1) 또는 식(10P-uq-1)에서의 Z2로서 부분 구조식(q)이 선택되고, 이 부분 구조식 중의 R이 부분 구조식(J11)이며, 인접하는 R과 B환(b환)이 결합하여 환 구조를 형성하는 경우에는, 하기 구조식으로 표시된다.Also, for example, a partial structural formula (q) is selected as Z2 in the general formula (10P-gq-1), formula (10P-q-1), or formula (10P-uq-1), and one of the partial structural formulas is selected as Z2. R is a partial structural formula (J11), and when adjacent R and B ring (b ring) combine to form a ring structure, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00047
Figure 112020077643373-pct00047

또한, 예를 들면, 일반식(10P-gq-1), 식(10P-q-1) 또는 식(10P-uq-1)에서의 Z2로서 부분 구조식(q)이 선택되고, 이 부분 구조식 중의 R이 부분 구조식(J11)이며, 인접하는 R과 C환(c환)이 결합하여 환 구조를 형성하는 경우에는, 하기 구조식으로 표시된다.Also, for example, a partial structural formula (q) is selected as Z 2 in the general formula (10P-gq-1), formula (10P-q-1) or formula (10P-uq-1), and this partial structural formula R in it is the partial structural formula (J11), and when adjacent R and C ring (c ring) combine to form a ring structure, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00048
Figure 112020077643373-pct00048

또한, 예를 들면, 일반식(10P-gq-1), 식(10P-q-1) 또는 식(10P-uq-1)에서의 Z2로서 부분 구조식(q)이 선택되고, 이 부분 구조식 중의 R이 부분 구조식(J11)이며, 인접하는 R과 B환(b환)과 C환(c환)이 결합하여 환 구조를 형성하는 경우에는, 하기 구조식으로 표시된다.Also, for example, a partial structural formula (q) is selected as Z2 in the general formula (10P-gq-1), formula (10P-q-1), or formula (10P-uq-1), and one of the partial structural formulas is selected as Z2. R is a partial structural formula (J11), and when adjacent R and the B ring (b ring) and C ring (c ring) combine to form a ring structure, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00049
Figure 112020077643373-pct00049

또한, 예를 들면, 일반식(10P-q-1) 또는 식(10P-qg-1)에서의 Z1으로서 부분 구조식(q)이 선택되고, 이 부분 구조식 중의 R이 부분 구조식(J11)이며, 인접하는 R과 A환(a환) 또는 D환(d환)이 결합하여 환 구조를 형성하는 경우에는, 하기 구조식으로 표시된다.In addition, for example, a partial structural formula (q) is selected as Z 1 in the general formula (10P-q-1) or formula (10P-qg-1), and R in this partial structural formula is the partial structural formula (J11) , when adjacent R and the A ring (a ring) or D ring (d ring) combine to form a ring structure, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00050
Figure 112020077643373-pct00050

또한, 예를 들면, 일반식(10P-q-1) 또는 식(10P-qg-1)에서의 Z1으로서 부분 구조식(q)이 선택되고, 이 부분 구조식 중의 R이 부분 구조식(J11)이며, 인접하는 R과 A환(a환) 및 D환(d환)이 결합하여 환 구조를 형성하는 경우에는, 하기 구조식으로 표시된다.In addition, for example, a partial structural formula (q) is selected as Z 1 in the general formula (10P-q-1) or formula (10P-qg-1), and R in this partial structural formula is the partial structural formula (J11) , when adjacent R and the A ring (a ring) and D ring (d ring) combine to form a ring structure, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00051
Figure 112020077643373-pct00051

일반식(10P-Z-1)에서의, Z1 또는 Z2로서 부분 구조식(q) 및 부분 구조식(q)에서의 R으로서 부분 구조식(J11)이 선택되고, 인접하는, R과, A환(a환), B환(b환), C환(c환) 및/또는 D환(d환)이 결합하여 환 구조를 형성하는 경우, 합성의 용이성의 관점에서, 일반식(10P-gq-21-J11), 식(10P-gq-22-J11), 식(10P-gq-23-J11), 식(10P-gq-24-J11), 식(10P-gq-25-J11), 식(10P-q-21-J11), 식(10P-q-22-J11), 식(10P-q-23-J11), 식(10P-q-24-J11), 식(10P-q-25-J11), 식(10P-uq-21-J11), 식(10P-uq-22-J11), 식(10P-uq-23-J11), 식(10P-uq-24-J11) 및 식(10P-uq-25-J11)이 바람직하다.In general formula (10P-Z-1), partial structural formula (q) is selected as Z 1 or Z 2 and partial structural formula (J11) is selected as R in partial structural formula (q), adjacent R and ring A (a ring), B ring (b ring), C ring (c ring), and/or D ring (d ring) are combined to form a ring structure, from the viewpoint of ease of synthesis, the general formula (10P-gq -21-J11), formula (10P-gq-22-J11), formula (10P-gq-23-J11), formula (10P-gq-24-J11), formula (10P-gq-25-J11), Formula (10P-q-21-J11), Formula (10P-q-22-J11), Formula (10P-q-23-J11), Formula (10P-q-24-J11), Formula (10P-q- 25-J11), equation (10P-uq-21-J11), equation (10P-uq-22-J11), equation (10P-uq-23-J11), equation (10P-uq-24-J11) and equation (10P-uq-25-J11) is preferred.

1-2. 화합물의 기본 골격으로의 치환기에 대하여1-2. About substituents on the basic skeleton of a compound

다음으로, 전술한 구체예로서의 기본 골격에 대한 치환기에 대하여 설명한다.Next, substituents for the basic skeleton in the above-described specific examples will be explained.

A환∼D환으로서의 「아릴환」이나 「헤테로아릴환」, 또한 A환과 B환 및/또는 C환과 D환이 결합하여 형성된 환 구조에서의 적어도 1개의 수소로의 치환기는, 구체적으로는, 하기 부분 구조식(J1)∼식(J74) 및 식(J81)∼식(J91)이다. 그리고, 각 식 중의 「Me」는 메틸기, 「tBu」는 tert-부틸기이다.The "aryl ring" or "heteroaryl ring" as the A ring to the D ring, and the substituent for at least one hydrogen in the ring structure formed by combining the A ring and the B ring and/or the C ring and the D ring are specifically, These are partial structural formulas (J1) to formula (J74) and formulas (J81) to formula (J91). In each formula, “Me” is a methyl group and “tBu” is a tert-butyl group.

Figure 112020077643373-pct00052
Figure 112020077643373-pct00052

Figure 112020077643373-pct00053
Figure 112020077643373-pct00053

이들 중에서도, 바람직하게는 부분 구조식(J1)∼식(J3), 식(J11), 식(J12), 식(J38) 또는 식(J41)∼식(J44)이며, 보다 바람직하게는 식(J1), 식(J3), 식(J11), 식(J12), 식(J41) 또는 식(J44)이며, 더욱 바람직하게는 식(J11)이다.Among these, partial structural formula (J1) to formula (J3), formula (J11), formula (J12), formula (J38) or formula (J41) to formula (J44) are preferable, and more preferably formula (J1) ), Formula (J3), Formula (J11), Formula (J12), Formula (J41), or Formula (J44), and more preferably Formula (J11).

또한, 일반식(10P-Z-1)에서의 Z1 또는 Z2로서 부분 구조식(g), 부분 구조식(q) 또는 부분 구조식(u)이 선택되는 경우, a환 및 d환으로의 치환기로서 부분 구조식(J81)∼식(J91)을 사용하면, a환 및 d환과 a환 및 d환으로의 치환기의 사이에서 HOMO 및 LUMO를 분리할 수 있다. 한편, b환 및 c환으로의 치환기로서 부분 구조식(J32)∼식(J46)을 사용하면, b환 및 c환과 b환 및 c환으로의 치환기의 사이에서 HOMO 및 LUMO를 분리할 수 있다.In addition, when partial structural formula (g), partial structural formula (q), or partial structural formula (u) is selected as Z 1 or Z 2 in general formula (10P-Z-1), as a substituent for the a ring and the d ring Using partial structural formulas (J81) to (J91), HOMO and LUMO can be separated between the a ring and d ring and the substituents on the a ring and d ring. On the other hand, if partial structural formulas (J32) to (J46) are used as substituents for the b ring and c ring, HOMO and LUMO can be separated between the b ring and c ring and the substituents for the b ring and c ring.

예를 들면, 일반식(10P-g-1)에서의 a환 및 d환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 a환 또는 d환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다. 식(10P-g-100)의 무치환 화합물과 함께 열거한다. 그리고, 각 구조식 중의 「Me」는 메틸기, 「tBu」는 tert-부틸기이며, 이후의 모든 구조식에 있어서도 동일하다.For example, some of the hydrogen atoms in the a ring and d ring in the general formula (10P-g-1) are substituted, or adjacent substituents are combined to form an aryl ring or heteroaryl ring together with the a ring or d ring. In one case, it is expressed by the structural formula below. Listed together with unsubstituted compounds of formula (10P-g-100). In each structural formula, “Me” is a methyl group and “tBu” is a tert-butyl group, and the same applies to all subsequent structural formulas.

Figure 112020077643373-pct00054
Figure 112020077643373-pct00054

Figure 112020077643373-pct00055
Figure 112020077643373-pct00055

Figure 112020077643373-pct00056
Figure 112020077643373-pct00056

Figure 112020077643373-pct00057
Figure 112020077643373-pct00057

또한, 예를 들면, 일반식(10P-g-1)에서의 c환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 c환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다.In addition, for example, when some of the hydrogen atoms in the c ring in the general formula (10P-g-1) are substituted, or when adjacent substituents combine with each other to form an aryl ring or heteroaryl ring with the c ring, It is expressed by the structural formula below.

Figure 112020077643373-pct00058
Figure 112020077643373-pct00058

Figure 112020077643373-pct00059
Figure 112020077643373-pct00059

Figure 112020077643373-pct00060
Figure 112020077643373-pct00060

Figure 112020077643373-pct00061
Figure 112020077643373-pct00061

또한, 예를 들면, 일반식(10P-g-1)에서의 b환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 b환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다.In addition, for example, when some of the hydrogen atoms in the b ring in the general formula (10P-g-1) are substituted, or when adjacent substituents are combined to form an aryl ring or heteroaryl ring with the b ring, It is expressed by the structural formula below.

Figure 112020077643373-pct00062
Figure 112020077643373-pct00062

Figure 112020077643373-pct00063
Figure 112020077643373-pct00063

Figure 112020077643373-pct00064
Figure 112020077643373-pct00064

일반식(10P-g-1) 중의 a∼d 환에서의 수소 원자는, 각각 독립적으로, 동일한 구조 또는 상이한 구조로 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 하기 구조식으로 표시된다.Hydrogen atoms in rings a to d in general formula (10P-g-1) may each independently be substituted with the same structure or a different structure. For example, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00065
Figure 112020077643373-pct00065

또한, 예를 들면, 일반식(10P-gq-1)에서의 a환 및 d환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 a환 또는 d환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다. 식(10P-gq-100)의 무치환 화합물과 함께 열거한다.In addition, for example, some of the hydrogen atoms in the a ring and d ring in the general formula (10P-gq-1) are substituted, or adjacent substituents are bonded together to form an aryl ring or heteroaryl ring together with the a ring or d ring. When formed, it is represented by the structural formula below. Listed together with unsubstituted compounds of the formula (10P-gq-100).

Figure 112020077643373-pct00066
Figure 112020077643373-pct00066

Figure 112020077643373-pct00067
Figure 112020077643373-pct00067

Figure 112020077643373-pct00068
Figure 112020077643373-pct00068

Figure 112020077643373-pct00069
Figure 112020077643373-pct00069

또한, 예를 들면, 일반식(10P-gq-1)에서의 c환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 c환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다.In addition, for example, when some of the hydrogen atoms in the c ring in the general formula (10P-gq-1) are substituted, or when adjacent substituents combine with each other to form an aryl ring or heteroaryl ring with the c ring, It is expressed by the structural formula below.

Figure 112020077643373-pct00070
Figure 112020077643373-pct00070

Figure 112020077643373-pct00071
Figure 112020077643373-pct00071

Figure 112020077643373-pct00072
Figure 112020077643373-pct00072

Figure 112020077643373-pct00073
Figure 112020077643373-pct00073

또한, 예를 들면, 일반식(10P-gq-1)에서의 b환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 b환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다.In addition, for example, when some of the hydrogen atoms in the b ring in the general formula (10P-gq-1) are substituted or adjacent substituents are combined to form an aryl ring or heteroaryl ring with the b ring, It is expressed by the structural formula below.

Figure 112020077643373-pct00074
Figure 112020077643373-pct00074

Figure 112020077643373-pct00075
Figure 112020077643373-pct00075

Figure 112020077643373-pct00076
Figure 112020077643373-pct00076

일반식(10P-gq-1) 중의 a∼d 환에서의 수소 원자는, 각각 독립적으로, 동일한 구조 또는 상이한 구조로 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 하기 구조식으로 표시된다.The hydrogen atoms in rings a to d in general formula (10P-gq-1) may each independently be substituted with the same structure or a different structure. For example, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00077
Figure 112020077643373-pct00077

또한, 예를 들면, 일반식(10P-gq-1)에서의 R이 식(J11)의 경우에는, 하기 구조식으로 표시된다.In addition, for example, when R in the general formula (10P-gq-1) is the formula (J11), it is expressed by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00078
Figure 112020077643373-pct00078

Figure 112020077643373-pct00079
Figure 112020077643373-pct00079

Figure 112020077643373-pct00080
Figure 112020077643373-pct00080

Figure 112020077643373-pct00081
Figure 112020077643373-pct00081

Figure 112020077643373-pct00082
Figure 112020077643373-pct00082

Figure 112020077643373-pct00083
Figure 112020077643373-pct00083

Figure 112020077643373-pct00084
Figure 112020077643373-pct00084

일반식(10P-gq-21-J11) 중의 a∼d환에서의 수소 원자 및 N-R의 R인 페닐의 수소 원자는, 각각 독립적으로, 동일한 구조 또는 상이한 구조로 치환되어 있어도 된다. b환, c환 및 N-R의 R인 페닐로의 치환기는, b환-Z2 결합에 대하여 대칭으로 되도록 치환되는 것이, 합성의 용이성의 관점에서 바람직하다. 예를 들면, 하기 구조식으로 표시된다.The hydrogen atoms in rings a to d in general formula (10P-gq-21-J11) and the hydrogen atom of phenyl as R in NR may each independently be substituted with the same structure or a different structure. From the viewpoint of ease of synthesis, it is preferable that the substituent for phenyl, which is R of the b ring, c ring, and NR, is substituted so as to be symmetrical with respect to the b ring-Z 2 bond. For example, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00085
Figure 112020077643373-pct00085

Figure 112020077643373-pct00086
Figure 112020077643373-pct00086

Figure 112020077643373-pct00087
Figure 112020077643373-pct00087

Figure 112020077643373-pct00088
Figure 112020077643373-pct00088

Figure 112020077643373-pct00089
Figure 112020077643373-pct00089

일반식(10P-gq-23-J11) 중의 a∼d 환에서의 수소 원자 및 N-R의 R인 페닐의 수소 원자는, 각각 독립적으로, 동일한 구조 또는 상이한 구조로 치환되어 있어도 된다. b환, c환 및 N-R의 R인 페닐로의 치환기는, b환-Z2 결합에 대하여 대칭이 되도록 치환되는 것이, 합성의 용이성의 관점에서 바람직하다. 예를 들면, 하기 구조식으로 표시된다.The hydrogen atoms in rings a to d in general formula (10P-gq-23-J11) and the hydrogen atom of phenyl R in NR may each independently be substituted with the same structure or a different structure. From the viewpoint of ease of synthesis, it is preferable that the substituent for phenyl as R in the b ring, c ring, and NR is substituted so as to be symmetrical with respect to the b ring-Z 2 bond. For example, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00090
Figure 112020077643373-pct00090

Figure 112020077643373-pct00091
Figure 112020077643373-pct00091

Figure 112020077643373-pct00092
Figure 112020077643373-pct00092

Figure 112020077643373-pct00093
Figure 112020077643373-pct00093

Figure 112020077643373-pct00094
Figure 112020077643373-pct00094

일반식(10P-gq-25-J11) 중의 a∼d 환에서의 수소 원자 및 N-R의 R인 페닐의 수소 원자는, 각각 독립적으로, 동일한 구조 또는 상이한 구조로 치환되어 있어도 된다. b환, c환 및 N-R의 R인 페닐로의 치환기는, b환-Z2 결합에 대하여 대칭이 되도록 치환되는 것이, 합성의 용이성의 관점에서 바람직하다. 예를 들면, 하기 구조식으로 표시된다.The hydrogen atoms in rings a to d in general formula (10P-gq-25-J11) and the hydrogen atom of phenyl as R in NR may each independently be substituted with the same structure or a different structure. From the viewpoint of ease of synthesis, it is preferable that the substituent for phenyl as R in the b ring, c ring, and NR is substituted so as to be symmetrical with respect to the b ring-Z 2 bond. For example, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00095
Figure 112020077643373-pct00095

Figure 112020077643373-pct00096
Figure 112020077643373-pct00096

Figure 112020077643373-pct00097
Figure 112020077643373-pct00097

Figure 112020077643373-pct00098
Figure 112020077643373-pct00098

Figure 112020077643373-pct00099
Figure 112020077643373-pct00099

예를 들면, 일반식(10P-gu-1)에서의 a환 및 d환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 a환 또는 d환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다. 식(10P-gu-100)의 무치환 화합물과 함께 열거한다.For example, some of the hydrogen atoms in the a ring and d ring in the general formula (10P-gu-1) are substituted, or adjacent substituents are combined to form an aryl ring or heteroaryl ring together with the a ring or d ring. In one case, it is expressed by the structural formula below. Listed together with the unsubstituted compound of the formula (10P-gu-100).

Figure 112020077643373-pct00100
Figure 112020077643373-pct00100

Figure 112020077643373-pct00101
Figure 112020077643373-pct00101

Figure 112020077643373-pct00102
Figure 112020077643373-pct00102

또한, 예를 들면, 일반식(10P-gu-1)에서의 c환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 c환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다.In addition, for example, when some of the hydrogen atoms in the c ring in the general formula (10P-gu-1) are substituted, or when adjacent substituents are combined to form an aryl ring or heteroaryl ring with the c ring, It is expressed by the structural formula below.

Figure 112020077643373-pct00103
Figure 112020077643373-pct00103

Figure 112020077643373-pct00104
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Figure 112020077643373-pct00105
Figure 112020077643373-pct00105

또한, 예를 들면, 일반식(10P-gu-1)에서의 b환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 b환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다.In addition, for example, when some of the hydrogen atoms in the b ring in the general formula (10P-gu-1) are substituted or adjacent substituents are combined to form an aryl ring or heteroaryl ring with the b ring, It is expressed by the structural formula below.

Figure 112020077643373-pct00106
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Figure 112020077643373-pct00107
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Figure 112020077643373-pct00108
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일반식(10P-gu-1) 중의 a∼d 환에서의 수소 원자는, 각각 독립적으로, 동일한 구조 또는 상이한 구조로 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 하기 구조식으로 표시된다.The hydrogen atoms in the a to d rings in the general formula (10P-gu-1) may each independently be substituted with the same structure or a different structure. For example, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00109
Figure 112020077643373-pct00109

예를 들면, 일반식(10P-ug-1)에서의 a환 및 d환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 a환 또는 d환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다. 식(10P-ug-100)의 무치환 화합물과 함께 열거한다.For example, some of the hydrogen atoms in the a ring and d ring in the general formula (10P-ug-1) are substituted, or adjacent substituents are combined to form an aryl ring or heteroaryl ring together with the a ring or d ring. In one case, it is expressed by the structural formula below. Listed together with unsubstituted compounds of the formula (10P-ug-100).

Figure 112020077643373-pct00110
Figure 112020077643373-pct00110

Figure 112020077643373-pct00111
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Figure 112020077643373-pct00112
Figure 112020077643373-pct00112

또한, 예를 들면, 일반식(10P-ug-1)에서의 c환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 c환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다.In addition, for example, when some of the hydrogen atoms in the c ring in the general formula (10P-ug-1) are substituted, or when adjacent substituents are combined to form an aryl ring or heteroaryl ring with the c ring, It is expressed by the structural formula below.

Figure 112020077643373-pct00113
Figure 112020077643373-pct00113

Figure 112020077643373-pct00114
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Figure 112020077643373-pct00115
Figure 112020077643373-pct00115

또한, 예를 들면, 일반식(10P-ug-1)에서의 b환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 b환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다.In addition, for example, when some of the hydrogen atoms in the b ring in the general formula (10P-ug-1) are substituted or adjacent substituents are combined to form an aryl ring or heteroaryl ring with the b ring, It is expressed by the structural formula below.

Figure 112020077643373-pct00116
Figure 112020077643373-pct00116

Figure 112020077643373-pct00117
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Figure 112020077643373-pct00118
Figure 112020077643373-pct00118

일반식(10P-ug-1) 중의 a∼d 환에서의 수소 원자는, 각각 독립적으로, 동일한 구조 또는 상이한 구조로 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 하기 구조식으로 표시된다.The hydrogen atoms in the a to d rings in the general formula (10P-ug-1) may each independently be substituted with the same structure or a different structure. For example, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00119
Figure 112020077643373-pct00119

또한, 예를 들면, 일반식(10P-uq-1)에서의 a환 및 d환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 a환 또는 d환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다. 식(10P-uq-100)의 무치환 화합물과 함께 열거한다.In addition, for example, some of the hydrogen atoms in the a ring and d ring in the general formula (10P-uq-1) are substituted, or adjacent substituents are bonded together to form an aryl ring or heteroaryl ring together with the a ring or d ring. When formed, it is represented by the structural formula below. Listed together with unsubstituted compounds of the formula (10P-uq-100).

Figure 112020077643373-pct00120
Figure 112020077643373-pct00120

Figure 112020077643373-pct00121
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Figure 112020077643373-pct00122
Figure 112020077643373-pct00122

또한, 예를 들면, 일반식(10P-uq-1)에서의 c환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여c환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다.In addition, for example, when some of the hydrogen atoms in the c ring in the general formula (10P-uq-1) are substituted or adjacent substituents are combined to form an aryl ring or heteroaryl ring with the c ring, It is expressed by the structural formula below.

Figure 112020077643373-pct00123
Figure 112020077643373-pct00123

Figure 112020077643373-pct00124
Figure 112020077643373-pct00124

Figure 112020077643373-pct00125
Figure 112020077643373-pct00125

또한, 예를 들면, 일반식(10P-uq-1)에서의 b환에서의 수소 원자의 일부가 치환되거나, 인접하는 치환기끼리 결합하여 b환과 함께 아릴환이나 헤테로아릴환을 형성한 경우는, 하기 구조식으로 표시된다.In addition, for example, when some of the hydrogen atoms in the b ring in the general formula (10P-uq-1) are substituted or adjacent substituents are combined to form an aryl ring or heteroaryl ring with the b ring, It is expressed by the structural formula below.

Figure 112020077643373-pct00126
Figure 112020077643373-pct00126

Figure 112020077643373-pct00127
Figure 112020077643373-pct00127

Figure 112020077643373-pct00128
Figure 112020077643373-pct00128

일반식(10P-uq-1) 중의 a∼d 환에서의 수소 원자는, 각각 독립적으로, 동일한 구조 또는 상이한 구조로 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 하기 구조식으로 표시된다.Hydrogen atoms in rings a to d in general formula (10P-uq-1) may each independently be substituted with the same structure or a different structure. For example, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00129
Figure 112020077643373-pct00129

일반식(10)에서의 A환, C환 및 D환은 각각 독립적으로 동일한 구조라도 되고, 상이한 구조라도 되고, A환, C환, D환 및 b환에서의 수소 원자는 각각 독립적으로 동일한 구조 또는 상이한 구조의 기로 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 하기 구조식으로 표시된다.In general formula (10), the A ring, C ring, and D ring may each independently have the same structure or different structures, and the hydrogen atoms in the A ring, C ring, D ring, and b ring each independently have the same structure or It may be substituted with a group of a different structure. For example, it is represented by the following structural formula.

Figure 112020077643373-pct00130
Figure 112020077643373-pct00130

Figure 112020077643373-pct00131
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Figure 112020077643373-pct00132
Figure 112020077643373-pct00132

1-3. 화합물의 여기 에너지에 대하여1-3. About the excitation energy of compounds

본 발명의 화합물 1중항 여기 에너지(ES)와 3중항 여기 에너지(ET)의 차 ΔEST(=ES-ET)는, 0.20eV 이하인 것이 바람직하고, 0.02eV 이하인 것이 보다 바람직하다. 이 에너지 차는 열활성화 지연 형광을 얻기에 충분히 작은 값이다.The difference ΔE ST (=E S -E T ) between the singlet excitation energy (E S ) and triplet excitation energy (E T ) of the compound of the present invention is preferably 0.20 eV or less, and more preferably 0.02 eV or less. This energy difference is small enough to obtain thermally activated delayed fluorescence.

1중항 여기 에너지(ES)는, 형광 스펙트럼의 극대 발광 파장 B(nm)로부터 ES=1240/B로 산출된다. 또한, 3중항 여기 에너지(ET)는, 인광 스펙트럼의 극대 발광 파장 C(nm)로부터 ET=1240/C로 산출된다.The singlet excitation energy (E S ) is calculated as E S = 1240/B from the maximum emission wavelength B (nm) of the fluorescence spectrum. Additionally, the triplet excitation energy (E T ) is calculated as E T =1240/C from the maximum emission wavelength C (nm) of the phosphorescence spectrum.

또한, ΔEST는, 예를 들면, "Purely organic electroluminescent material realizing 100% conversion from electricity to light", H. Kaji, H. Suzuki, T. Fukushima, K. Shizu, K. Katsuaki, S. Kubo, T. Komino, H. Oiwa, F. Suzuki, A. Wakamiya, Y. Murata, C. Adachi, Nat. Commun.2015, 6, 8476.에 기재된 방법으로도 산출할 수 있다.In addition, ΔE ST is, for example, “Purely organic electroluminescent material realizing 100% conversion from electricity to light”, H. Kaji, H. Suzuki, T. Fukushima, K. Shizu, K. Katsuaki, S. Kubo, T Komino, H. Oiwa, F. Suzuki, A. Wakamiya, Y. Murata, C. Adachi, Nat. It can also be calculated using the method described in Commun.2015, 6, 8476.

「열활성화형 지연 형광체」는, 열 에너지를 흡수하여 여기 1중항 상태로부터 여기 1중항 상태로의 역항간 교차를 일으키고, 그 여기 1중항 상태로부터 방사 실활하여 지연 형광을 방사할 수 있는 화합물을 의미한다. 다만, 「열활성화형 지연 형광」은, 여기 3중항 상태로부터 여기 1중항 상태로의 여기 과정에서 고차 3중항을 거치는 것도 포함한다. 예를 들면, Durham 대학의 Monkman 등에 의한 논문(NATURE COMMUNICATIONS, 7: 13680, DOI: 10.1038/ncomms13680), 산업기술종합연구소의 호소가이(細貝) 등에 의한 논문(Hosokai et al., Sci. Adv.2017;3: e1603282), 교토대학의 사토(佐藤) 등에 의한 논문(Scientific Reports, 7: 4820, DOI: 10.1038/s41598-017-05007-7) 및 동일하게 교토대학의 사토 등에 의한 학회발표(일본화학회 제98 춘계 연회, 발표 번호: 2I4-15, DABNA를 발광 분자로서 사용한 유기 EL에서의 고효율 발광의 기구(機構), 교토대학 대학원 공학 연구과) 등이 있다.“Thermal activation type delayed phosphor” refers to a compound that absorbs heat energy, causes reverse intersystem crossing from the excited singlet state to the excited singlet state, and emits delayed fluorescence by radiation deactivation from the excited singlet state. do. However, “heat-activated delayed fluorescence” also includes passing through a higher-order triplet during the excitation process from the triplet excited state to the singlet excited state. For example, a paper by Monkman et al. at Durham University (NATURE COMMUNICATIONS, 7: 13680, DOI: 10.1038/ncomms13680), a paper by Hosokai et al. at the Institute of Industrial Technology (Hosokai et al., Sci. Adv.2017 ;3: e1603282), a paper by Sato et al. at Kyoto University (Scientific Reports, 7: 4820, DOI: 10.1038/s41598-017-05007-7), and the same conference presentation by Sato et al. at Kyoto University (Japanese version) The Society's 98th Spring Banquet, presentation number: 2I4-15, Mechanism for high-efficiency light emission in organic EL using DABNA as a light-emitting molecule, Kyoto University Graduate School of Engineering, etc.

2. 본 발명의 화합물 및 그의 고분자 화합물의 제조 방법2. Method for producing the compound of the present invention and its polymer compound

일반식(1)이나 일반식(2)으로 표시되는 화합물은, 기본적으로는, 먼저 A환(a환)과 D환(d환) 및 B환(b환)과 C환(c환)을 결합기(Z1이나 Z2를 포함하는 기)로 결합시킴으로써 중간체를 제조하고(제1 반응), 그 후에, A환(a환), B환(b환), C환(c환) 및 D환(d환)을 붕소 원자로 결합시킴으로써 최종 생성물을 제조할 수 있다(제2 반응)(Scheme(1) 및 Scheme(2)).Basically, the compounds represented by general formula (1) or (2) are first made of ring A (a ring), ring D (d ring), ring B (b ring), and ring C (c ring). An intermediate is prepared by linking with a linking group (a group containing Z 1 or Z 2 ) (first reaction), and then A ring (a ring), B ring (b ring), C ring (c ring) and D The final product can be prepared by combining the ring (d ring) with a boron atom (second reaction) (Scheme (1) and Scheme (2)).

Figure 112020077643373-pct00133
Figure 112020077643373-pct00133

제1 반응에서는, 예를 들면, 에테르화 반응이라면, 친핵 치환 반응, 울만 반응과 같은 일반적인 반응을 이용할 수 있고, 아미노화 반응이면, 부흐발트-하트위그(Buchwald-Hartwig) 반응과 같은 일반적인 반응을 이용할 수 있다. 또한, 제2 반응에서는, 메탈-붕소의 금속 교환 반응을 이용할 수 있다.In the first reaction, for example, if it is an etherification reaction, a general reaction such as a nucleophilic substitution reaction or Ullman reaction can be used, and if it is an amination reaction, a general reaction such as the Buchwald-Hartwig reaction can be used. Available. Additionally, in the second reaction, a metal-boron metal exchange reaction can be used.

제2 반응은, 붕소 원자를 도입함으로써 A환(a환), B환(b환), C환(c환) 및 D환(d환)을 결합시키는 반응이며, Scheme(1) 및 Scheme(2)에서는, 예를 들면, 중간체로서 염소, 브롬, 요오드와 같은 할로겐(Hal)이 치환하고 있는 중간체를 사용한 경우를 나타낸다. 디할로겐 화합물인 중간체(1-A)나 중간체(2-A)를 n-부틸리튬, sec-부틸리튬 또는 tert-부틸리튬 등으로 할로겐 원자를 오르토 메탈화하여, 중간체(1-C)나 중간체(2-C)로 한다(식 중의 M은 리튬 등의 금속). 한편으로는 할로겐 화합물인 중간체(1-B)나 중간체(2-B)를 우선 n-부틸리튬, sec-부틸리튬 또는 tert-부틸리튬 등으로 할로겐 원자를 메탈화하고, 이어서, 3염화 붕소나 3브롬화 붕소 등을 가하여, 메탈-붕소의 금속 교환을 행하여 중간체(1-D)나 중간체(2-D)로 한다. 거기에 앞서 조제한 중간체(1-C)나 중간체(2-C)를 가하여 중간체(1-D)나 중간체(2-D)의 메탈-붕소의 금속 교환을 행함으로써, 일반식(1) 또는 식(2)의 화합물을 얻을 수 있다.The second reaction is a reaction that combines the A ring (a ring), B ring (b ring), C ring (c ring), and D ring (d ring) by introducing a boron atom, and is shown in Scheme (1) and Scheme ( 2) shows, for example, a case where an intermediate substituted by halogen (Hal) such as chlorine, bromine, or iodine is used as the intermediate. Intermediate (1-A) or intermediate (2-A), which is a dihalogen compound, is ortho-metalized to the halogen atom with n-butyllithium, sec-butyllithium, or tert-butyllithium to obtain intermediate (1-C) or intermediate. (2-C) (M in the formula is a metal such as lithium). On the one hand, the halogen atom of the intermediate (1-B) or intermediate (2-B), which is a halogen compound, is first metalized with n-butyllithium, sec-butyllithium, or tert-butyllithium, and then with boron trichloride or tert-butyllithium. Boron tribromide or the like is added to perform metal-boron exchange to obtain intermediate (1-D) or intermediate (2-D). By adding the previously prepared intermediate (1-C) or intermediate (2-C) to metal-boron exchange of the intermediate (1-D) or intermediate (2-D), the general formula (1) or formula The compound of (2) can be obtained.

또한, 메탈화에 대한 활성이 높은 수소 원자를 가지는 중간체를 사용하면 선택적 메탈화에 의해 할로겐 원자를 도입하고 있지 않은 중간체라도, 일반식(1)이나 일반식(2)으로 표시되는 화합물을 제조할 수 있다(Scheme(3), Scheme(4)).In addition, by using an intermediate having a hydrogen atom with high metalization activity, it is possible to produce compounds represented by the general formula (1) or (2) even if the intermediate does not introduce a halogen atom through selective metalation. (Scheme(3), Scheme(4)).

Figure 112020077643373-pct00134
Figure 112020077643373-pct00134

이 제2 반응에서는, 중간체(1-E)나 중간체(2-E)의 수소 원자를 오르토 메탈화하여, 중간체(1-C)나 중간체(2-C)로 한다(식 중의 M은 리튬 등의 금속). 한편으로는 중간체(1-F)나 중간체(2-F)의 수소 원자를 메탈화하고, 이어서, 3염화 붕소나 3브롬화 붕소 등을 가하여, 메탈-붕소의 금속 교환을 행하여 중간체(1-D)나 중간체(2-D)로 한다. 거기에 앞서 조제한 중간체(1-C)나 중간체(2-C)를 가하여 중간체(1-D)나 중간체(2-D)의 메탈-붕소의 금속 교환을 행함으로써, 일반식(1) 또는 식(2)의 화합물을 얻을 수 있다.In this second reaction, the hydrogen atom of intermediate (1-E) or intermediate (2-E) is ortho-metalated to produce intermediate (1-C) or intermediate (2-C) (M in the formula is lithium, etc. of metal). On the one hand, the hydrogen atom of the intermediate (1-F) or intermediate (2-F) is metalized, and then boron trichloride, boron tribromide, etc. are added to perform metal-boron metal exchange to produce the intermediate (1-D) ) or intermediate (2-D). By adding the previously prepared intermediate (1-C) or intermediate (2-C) to metal-boron exchange of the intermediate (1-D) or intermediate (2-D), the general formula (1) or formula The compound of (2) can be obtained.

그리고, 상기 Scheme(1)∼Scheme(4)에서 사용하는 오르토 메탈화 시약으로서는, 메틸리튬, n-부틸리튬, sec-부틸리튬, tert-부틸리튬 등의 알킬리튬, 리튬디이소프로필아미드, 리튬테트라메틸피페리디드, 리튬헥사메틸디실라지드, 칼륨헥사메틸디실라지드 등의 유기 알칼리 화합물을 예로 들 수 있다.And, as the ortho metalation reagent used in Scheme (1) to Scheme (4), alkyl lithium such as methyl lithium, n-butyl lithium, sec-butyl lithium, and tert-butyl lithium, lithium diisopropylamide, and lithium. Examples include organic alkali compounds such as tetramethylpiperidide, lithium hexamethyldisilazide, and potassium hexamethyldisilazide.

메탈화 시에 배위성 첨가제를 가하여, 회합을 분해시켜 주면 반응성을 향상시킬 수 있다. 배위성 첨가제로서는, N,N',N,N'-테트라메틸에틸렌디아민(TMEDA)이나 헥사메틸포스포아미드(HMPA), 디메틸프로필렌우레아(DMPU) 등을 예로 들 수 있다.Reactivity can be improved by adding a coordinating additive during metallization to break down the association. Examples of the coordinating additive include N,N',N,N'-tetramethylethylenediamine (TMEDA), hexamethylphosphoramide (HMPA), and dimethylpropylene urea (DMPU).

그리고, 상기 Scheme(1)∼Scheme(4)에서 사용하는 메탈-붕소의 금속 교환 시약으로서는, 3불화 붕소, 3염화 붕소, 3브롬화 붕소, 3요오드화 붕소 등의 붕소의 할로겐화물 외에, 붕산 트리메틸 등의 붕소의 알콕시화물 4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보롤란과 같은 알콕시보란 화합물, 붕산 트리페닐과 같은 아릴옥시 화물 등을 예로 들 수 있다.In addition, as the metal-boron metal exchange reagent used in the above Schemes (1) to Scheme (4), halides of boron such as boron trifluoride, boron trichloride, boron tribromide, and boron triiodide, as well as trimethyl borate, etc. Examples include alkoxyborane compounds such as 4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolane, and aryloxy compounds such as triphenyl borate.

또한, 일반식(1)으로 표시되는 구조를 반복 단위로 하는 고분자 화합물의 형태로서는, 모식도(I)∼모식도(III)를 예로 들 수 있고, 고분자 화합물의 일형태인 특히 2량체에 대해서는 모식도(i) 및 모식도(ii)를 예로 들 수 있다. 이후의 설명에서는, 일반식(2)의 고분자 화합물에 대해서도 동일하게 해당된다.In addition, examples of the form of a polymer compound having the structure represented by the general formula (1) as a repeating unit include schematic diagrams (I) to schematic diagrams (III), and for a form of a polymer compound, especially a dimer, the schematic diagram ( Examples include i) and schematic diagram (ii). In the following description, the same applies to the polymer compound of general formula (2).

Figure 112020077643373-pct00135
Figure 112020077643373-pct00135

고분자 화합물(I)은, 식(1)의 구조의 일부(예를 들면, A환∼D환 중 어느 하나 등)를 서로 공유하여 형성된 고분자 화합물,The polymer compound (I) is a polymer compound formed by sharing a part of the structure of formula (1) (for example, any one of the A ring to the D ring, etc.),

고분자 화합물(II)은, 식(1)의 구조가 가교 구조 XL을 통하여 연결하여 생긴 고분자 화합물, 단 EC는 말단 구조이며,Polymer compound (II) is a polymer compound formed by linking the structures of formula (1) through the cross-linked structure XL, provided that EC is the terminal structure,

고분자 화합물(III)은, 직쇄 고분자의 측쇄로서 식(1)의 구조를 가지는 고분자 화합물, 단 EC는 말단 구조, MU는 중합성기가 중합한 모노머 단위이며,Polymer compound (III) is a polymer compound having the structure of formula (1) as a side chain of a linear polymer, where EC is the terminal structure, MU is a monomer unit polymerized by a polymerizable group,

2량체(i)는, 식(1)의 구조의 일부(예를 들면, A환∼D환 중 어느 하나 등)를 서로 공유하여 형성된 2량체,Dimer (i) is a dimer formed by sharing a part of the structure of formula (1) (for example, one of the A ring to the D ring, etc.),

2량체(ii)는, 식(1)의 구조가 가교 구조 XL을 통하여 연결하여 생긴 2량체이다.Dimer (ii) is a dimer formed by linking the structures of formula (1) through the cross-linked structure XL.

고분자 화합물(I)∼화합물(III) 및 2량체(i) 및 2량체(ii)에서의 부분 구조인 식(1)의 구조는, 동일한 구조라도 되고 상이한 구조라도 된다. 또한, 고분자 화합물(I) 및 2량체(i)에 있어서, 식(1)의 부분 구조끼리는, 서로, A환(a환), B환(b환), C환(c환), D환(d환) 또는 Z1(Z2)인 N-R(R=아릴환)의 아릴환을 이용하여 결합한다. 이 결합 태양은, 이들 환을 복수의 부분 구조로 공유하도록 하여 결합한 형태라도 되고, 또한, 이들 환끼리 축합하도록 하여 결합한 형태라도 된다. 또한, 고분자 화합물(II), 고분자 화합물(III) 및 2량체(ii)에 있어서, 식(1)의 부분 구조와, 가교 구조 XL, 말단 구조 EC 및 모노머 단위 MU가 결합하는 형태에 대해서는, 전술한 환끼리의 공유나 축합의 결합 형태뿐만 아니라, 단결합, 탄소수 1∼3의 알킬렌기, 페닐렌기, 나프틸렌기 등의 연결기로 결합한 형태라도 된다.The structures of formula (1), which are partial structures in polymer compounds (I) to compounds (III) and dimers (i) and dimers (ii), may be the same structure or different structures. In addition, in the polymer compound (I) and dimer (i), the partial structures of formula (1) are A ring (a ring), B ring (b ring), C ring (c ring), and D ring. (d ring) or Z 1 (Z 2 ) using the aryl ring of NR (R = aryl ring). This bonding mode may be a form in which these rings are bonded by sharing a plurality of partial structures, or it can be a form in which these rings are bonded by condensing with each other. In addition, in polymer compound (II), polymer compound (III) and dimer (ii), the form in which the partial structure of formula (1), the cross-linked structure XL, the terminal structure EC and the monomer unit MU are combined is as described above. It may be in the form of a bond formed by sharing or condensation of one ring, as well as a single bond or a linking group such as an alkylene group with 1 to 3 carbon atoms, a phenylene group, or a naphthylene group.

예를 들면, 식(10P-g-100)의 부분 구조에서의 a환 및 d환을 서로 공유하여 고분자 화합물(I)을 형성하는 경우에는, 하기 식(I-1)으로 표시된다.For example, when polymer compound (I) is formed by sharing the a ring and d ring in the partial structure of formula (10P-g-100), it is represented by the following formula (I-1).

Figure 112020077643373-pct00136
Figure 112020077643373-pct00136

예를 들면, 식(10P-gq-100-J11)의 부분 구조에서의 a환 및 N-R의 아릴환(페닐환)을 서로 공유하여 고분자 화합물(I)을 형성하는 경우에는, 하기 식(I-2)으로 표시된다.For example, when forming polymer compound (I) by sharing the a ring and the aryl ring (phenyl ring) of N-R in the partial structure of formula (10P-gq-100-J11), the formula (I- It is displayed as 2).

Figure 112020077643373-pct00137
Figure 112020077643373-pct00137

예를 들면, 식(10P-gq-100-J11)의 부분 구조에서의 a환 및 d환이, 가교 구조 XL(m-페닐렌환)을 연결기로 하여 고분자 화합물(II)을 형성하는 경우에는, 하기 식(II-1)으로 표시된다. 그리고 말단 구조 EC는페닐기이다.For example, when the a ring and the d ring in the partial structure of formula (10P-gq-100-J11) form polymer compound (II) using the cross-linked structure XL (m-phenylene ring) as a linking group, It is expressed as formula (II-1). And the terminal structure EC is a phenyl group.

Figure 112020077643373-pct00138
Figure 112020077643373-pct00138

예를 들면, 식(10P-gq-100-J11)의 부분 구조에서의 a환과 식(10P-g-100)의 부분 구조에서의 d환이 가교 구조 XL(단결합)을 연결기로 하여 2량체(ii)를 형성하는 경우에는, 하기 식(ii-1)으로 표시된다.For example, the a ring in the partial structure of the formula (10P-gq-100-J11) and the d ring in the partial structure of the formula (10P-g-100) form a dimer ( When forming ii), it is expressed by the following formula (ii-1).

Figure 112020077643373-pct00139
Figure 112020077643373-pct00139

예를 들면, 식(10P-gq-100-J11)의 부분 구조에서의 N-R의 아릴환(페닐환)과 식(10P-gq-100-J11)의 부분 구조에서의 N-R의 아릴환(페닐환)이 가교 구조 XL(단결합)을 연결기로 하여 2량체(ii)를 형성하는 경우에는, 하기 식(ii-2)으로 표시된다.For example, the aryl ring (phenyl ring) of N-R in the partial structure of formula (10P-gq-100-J11) and the aryl ring (phenyl ring) of N-R in the partial structure of formula (10P-gq-100-J11) ) When dimer (ii) is formed using crosslinked structure XL (single bond) as a linking group, it is represented by the following formula (ii-2).

Figure 112020077643373-pct00140
Figure 112020077643373-pct00140

고분자 화합물(II)에서의 말단 구조 EC는, 수소 또는 탄소수 6∼30의 1가의 아릴환 또는 헤테로아릴환이며, 바람직하게는, 수소 또는 탄소수 6∼18의 1가의 아릴환이다.The terminal structure EC in the polymer compound (II) is hydrogen or a monovalent aryl ring or heteroaryl ring having 6 to 30 carbon atoms, and is preferably hydrogen or a monovalent aryl ring having 6 to 18 carbon atoms.

고분자 화합물(II) 및 2량체(ii)에서의 가교 구조 XL은, 단결합 또는 탄소수 6∼30의 2가의 아릴환 또는 헤테로아릴환이며, 바람직하게는, 단결합 또는 탄소수 6∼18의 2가의 아릴환이며, 보다 바람직하게는, 단결합 또는 탄소수 6∼12의 2가의 아릴환이다.The crosslinked structure XL in polymer compound (II) and dimer (ii) is a single bond or a divalent aryl ring or heteroaryl ring having 6 to 30 carbon atoms, preferably a single bond or a divalent aryl ring having 6 to 18 carbon atoms. It is an aryl ring, and more preferably, it is a single bond or a divalent aryl ring having 6 to 12 carbon atoms.

구조 EC 및 XL에서의 구체적인 「아릴환」으로서는, 단환계인 벤젠환, 2환계인 비페닐환, 축합 2환계인 나프탈렌환, 3환계인 터페닐환(m-터페닐, o-터페닐, p-터페닐), 축합 3환계인, 아세나프틸렌환, 플루오렌환, 페나렌환, 페난트렌환, 축합 4환계인 트리페닐렌환, 피렌환, 나프타센환, 벤조플루오렌환, 축합 5환계인 페릴렌환, 펜타센환 등을 예로 들 수 있다. 또한, 플루오렌환이나 벤조플루오렌환에는, 플루오렌환이나 벤조플루오렌환이 스피로 결합한 구조도 포함된다.Specific “aryl rings” in structures EC and XL include monocyclic benzene rings, dicyclic biphenyl rings, condensed bicyclic naphthalene rings, and tricyclic terphenyl rings (m-terphenyl, o-terphenyl, p -terphenyl), condensed tricyclic ring, acenaphthylene ring, fluorene ring, phenarene ring, phenanthrene ring, condensed tetracyclic ring, triphenylene ring, pyrene ring, naphthacene ring, benzofluorene ring, condensed pentacyclic ring, peryl Examples include ren ring and pentacene ring. Additionally, the fluorene ring or benzofluorene ring also includes structures in which the fluorene ring or benzofluorene ring is spiro bonded.

구조 EC 및 XL에서의 구체적인 「헤테로아릴환」으로서는, 예를 들면, 피롤환, 옥사졸환, 이소옥사졸환, 티아졸환, 이소티아졸환, 이미다졸환(무치환, 메틸 등의 알킬 치환 또는 페닐 등의 아릴 치환), 옥사디아졸환, 티아디아졸환, 트리아졸환, 테트라졸환, 피라졸환, 피리딘환, 피리미딘환, 피리다진환, 피라진환, 트리아진환, 인돌환, 이소인돌환, 1H-인다졸환, 벤즈이미다졸환, 벤즈옥사졸환, 벤조티아졸환, 1H-벤조트리아졸환, 퀴놀린환, 이소퀴놀린환, 신놀린환, 퀴나졸린환, 퀴녹살린환, 프탈라진환, 나프티리딘환, 퓨린환, 프테리딘환, 카르바졸환, 아크리딘환, 페녹사티인환, 페녹사진환, 페노티아진환, 페나진환, 인돌리진 환, 퓨란환, 벤조퓨란환, 이소벤조퓨란환, 디벤조퓨란환, 나프토벤조퓨란환, 티오펜환, 벤조티오펜환, 디벤조티오펜환, 나프토벤조티오펜환, 벤조포스포르환, 디벤조포스포르환, 벤조포스포르옥시드환, 디벤조포스포르옥시드환, 퓨라잔환, 옥사디아졸환, 티안트렌환 등이 있다.Specific “heteroaryl rings” in structures EC and XL include, for example, pyrrole ring, oxazole ring, isoxazole ring, thiazole ring, isothiazole ring, imidazole ring (unsubstituted, alkyl substituted such as methyl or phenyl, etc. aryl substitution), oxadiazole ring, thiadiazole ring, triazole ring, tetrazole ring, pyrazole ring, pyridine ring, pyrimidine ring, pyridazine ring, pyrazine ring, triazine ring, indole ring, isoindole ring, 1H-indazole ring , benzimidazole ring, benzoxazole ring, benzothiazole ring, 1H-benzotriazole ring, quinoline ring, isoquinoline ring, cinnoline ring, quinazoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, naphthyridine ring, purine ring, Pteridine ring, carbazole ring, acridine ring, phenoxathiin ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, phenazine ring, indolizine ring, furan ring, benzofuran ring, isobenzofuran ring, dibenzofuran ring, naph. Tobenzofuran ring, thiophene ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, naphthobenzothiophene ring, benzophosphor ring, dibenzophosphor ring, benzophosphoroxide ring, dibenzophosphoroxide There are seed pills, furazane pills, oxadiazole pills, and thiantrene pills.

고분자 화합물(I) 및 고분자 화합물(II) 및 2량체(i) 및 2량체(ii)에 대해서는, Scheme(1)∼Scheme(4)의 합성 방법과 같이, A환(a환)-Z1-D환(d환) 연결 구조 및 B환(b환)-Z2-C환(c환) 연결 구조를 합성한 후에, 붕소를 도입하는 방법, 또는, 식(1)의 구조의 할로겐화 아릴 유도체와 아릴보론산 유도체를 출발 원료로 하여, 또는 할로겐화 아릴보론산 유도체와 할로겐화 아릴 유도체와 아릴보론산 유도체를 출발 물질로 하여, 스즈키(鈴木)·미야우라(宮浦) 커플링, 구마다(熊田)·타마오(玉尾)·코류(Corriu) 커플링구, 네기시(根岸) 커플링, 할로겐화 반응, 또는 붕산화 반응을 적절하게 조합하여 합성할 수 있다. 또한, 고분자 화합물(III)에 대해서는, 공지의 방법을 사용하여, 식(1)의 구조의 (메타)아크릴레이트 유도체, 메타(아크릴아미드) 유도체, 에폭시 유도체, 옥세탄 유도체, 노르보르넨 유도체, 디시클로펜타디엔 유도체 또는 인덴 유도체를 출발 원료로 하여, 라디칼 중합, 양이온 중합, 음이온 중합, 또는 개환(開環) 메타세시스 중합 등을 사용하여 합성할 수 있다.For polymer compound (I), polymer compound (II), dimer (i) and dimer (ii), as in the synthesis method of Scheme (1) to Scheme (4), A ring (a ring) -Z 1 After synthesizing the -D ring (d ring) linking structure and the B ring (b ring) -Z 2 -C ring (c ring) linking structure, boron is introduced, or a halogenated aryl of the structure of formula (1) Using derivatives and arylboronic acid derivatives as starting materials, or using halogenated arylboronic acid derivatives, halogenated aryl derivatives, and arylboronic acid derivatives as starting materials, Suzuki-Miyaura coupling, Kumada )·Tamao·Corriu coupling, Negishi coupling, halogenation reaction, or boronation reaction can be appropriately combined to synthesize it. In addition, for the polymer compound (III), a (meth)acrylate derivative, a meta(acrylamide) derivative, an epoxy derivative, an oxetane derivative, a norbornene derivative having the structure of formula (1) is prepared using a known method. It can be synthesized using a dicyclopentadiene derivative or indene derivative as a starting material, using radical polymerization, cationic polymerization, anionic polymerization, or ring-opening metathesis polymerization.

전술한 커플링 반응에 대하여, 스즈키-미야우라 커플링에서의 할로겐화물과 보론산 유도체는, 그 반응성 관능기는 적절하게 교체되어도 되고, 구마다·다마오·코류 커플링이나 네기시 커플링에 있어서도 동일하게 이들의 반응에 관한 관능기는 교체되어 있어도 된다. 또한 그리냐르(Grignard) 시약으로 변환하는 경우에는 금속 마그네슘과 이소프로필그리냐르 시약은 적절하게 교체해도 된다. 보론산 에스테르는 그대로 사용해도 되고, 혹은 산으로 가수분해하여 보론산으로 해서 사용해도 된다. 보론산 에스테르로서 사용하는 경우에는, 그 에스테르 부분의 알킬기는 예시한 것 외의 알킬기도 사용할 수 있다.Regarding the above-described coupling reaction, the reactive functional groups of the halide and boronic acid derivative in the Suzuki-Miyaura coupling may be replaced as appropriate, and are the same in the Kumada-Tamao-Koryu coupling and the Negishi coupling. Accordingly, the functional groups involved in these reactions may be replaced. Additionally, when converting to Grignard reagent, metallic magnesium and isopropyl Grignard reagent may be replaced appropriately. Boronic acid ester may be used as is, or may be hydrolyzed with acid to form boronic acid. When used as a boronic acid ester, alkyl groups other than those exemplified may be used as the alkyl group of the ester portion.

커플링 반응에서 사용되는 팔라듐 촉매의 구체예로서는, 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0): Pd(PPh3)4, 비스(트리페닐포스핀)팔라듐(II)디클로라이드: PdCl2(PPh3)2, 아세트산 팔라듐(II): Pd(OAc)2, 트리스(디벤질리덴아세톤)2팔라듐(0): Pd2(dba)3, 트리스(디벤질리덴아세톤)2팔라듐(0)클로로포름 착체: Pd2(dba)3·CHCl3, 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0): Pd(dba)2, 비스(트리tert-부틸포스피노)팔라듐(0): Pd(t-Bu3P)2, [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐(II): Pd(dppf)Cl2, [1,1'-비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로팔라듐(II)디클로로메탄 착체(1:1): Pd(dppf)Cl2·CH2Cl2, PdCl2{P(t-Bu)2-(p-NMe2-Ph)}2: (A-taPhos)2PdCl2, 팔라듐비스(디벤질리덴), [1,3-비스(디페닐포스피노)프로판]니켈(II)디클로라이드, PdCl2[P(t-Bu)2-(p-NMe2-Ph)]2: (A-taPhos)2PdCl2(Pd-132: 상표; 존슨·매티사 제조) 등을 들 수 있다.Specific examples of palladium catalysts used in the coupling reaction include tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0): Pd(PPh 3 ) 4 , bis(triphenylphosphine)palladium(II) dichloride: PdCl 2 (PPh) 3 ) 2 , palladium(II) acetate: Pd(OAc) 2 , tris(dibenzylideneacetone)2palladium(0): Pd 2 (dba) 3 , tris(dibenzylideneacetone)2palladium(0)chloroform complex : Pd 2 (dba) 3 ·CHCl 3 , bis(dibenzylideneacetone)palladium(0): Pd(dba)2, bis(tritert-butylphosphino)palladium(0): Pd(t-Bu 3 P ) 2 , [1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene]dichloropalladium(II): Pd(dppf)Cl 2 , [1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene]dichloropalladium(II) ) Dichloromethane complex (1:1): Pd(dppf)Cl 2 ·CH 2 Cl 2 , PdCl 2 {P(t-Bu) 2 -(p-NMe 2 -Ph)}2: (A- ta Phos) 2 PdCl 2 , palladium bis (dibenzylidene), [1,3-bis (diphenylphosphino) propane] nickel (II) dichloride, PdCl 2 [P(t-Bu) 2 -(p-NMe 2 - Ph)] 2 : (A -ta Phos) 2 PdCl 2 (Pd-132: trademark; manufactured by Johnson-Matt. Co., Ltd.).

또한, 커플링 반응을 촉진시키기 위하여, 경우에 따라 상기 팔라듐 촉매에 포스핀 화합물을 가해도 된다. 그 포스핀 화합물의 구체예로서는, 트리(tert-부틸)포스핀, 트리시클로헥실포스핀, 1-(N,N-디메틸아미노메틸)-2-(디-tert-부틸포스피노)페로센, 1-(N,N-디부틸아미노메틸)-2-(디-tert-부틸포스피노)페로센, 1-(메톡시메틸)-2-(디-tert-부틸포스피노)페로센, 1,1'-비스(디-tert-부틸포스피노)페로센, 2,2'-비스(디-tert-부틸포스피노)-1,1'-비나프틸, 2-메톡시-2'-(디-tert-부틸포스피노)-1,1'-비나프틸, 또는 2-디시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐 등을 들 수 있다.Additionally, in order to promote the coupling reaction, a phosphine compound may be added to the palladium catalyst in some cases. Specific examples of the phosphine compound include tri(tert-butyl)phosphine, tricyclohexylphosphine, 1-(N,N-dimethylaminomethyl)-2-(di-tert-butylphosphino)ferrocene, 1- (N,N-dibutylaminomethyl)-2-(di-tert-butylphosphino)ferrocene, 1-(methoxymethyl)-2-(di-tert-butylphosphino)ferrocene, 1,1'- Bis(di-tert-butylphosphino)ferrocene, 2,2'-bis(di-tert-butylphosphino)-1,1'-binaphthyl, 2-methoxy-2'-(di-tert- butylphosphino)-1,1'-binaphthyl, or 2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, etc.

커플링 반응에서 사용되는 염기의 구체예로서는, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 탄산 세슘, 탄산 수소나트륨, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 수산화 바륨, 나트륨에톡시드, 나트륨tert-부톡시드, 아세트산 나트륨, 아세트산 칼륨, 인산 3칼륨, 또는 불화 칼륨 등을 들 수 있다.Specific examples of bases used in the coupling reaction include sodium carbonate, potassium carbonate, cesium carbonate, sodium bicarbonate, sodium hydroxide, potassium hydroxide, barium hydroxide, sodium ethoxide, sodium tert-butoxide, sodium acetate, potassium acetate, Examples include tripotassium phosphate and potassium fluoride.

염기는 수용액으로서 가하여 2상계에서 반응시켜도 된다. 2상계에서 반응시키는 경우에는, 필요에 따라, 제4급 암모늄염 등의 상간 이동 촉매를 가해도 된다.The base may be added as an aqueous solution and allowed to react in a two-phase system. When reacting in a two-phase system, a phase transfer catalyst such as quaternary ammonium salt may be added as needed.

또한, 고분자 화합물(III)의 합성에 사용되는 라디칼 중합, 양이온 중합 또는 음이온 중합 가능한 중합성기는, (메타)아크릴기, 알릴기, 비닐기, 에폭시드기 및 옥세탄 등을 예로 들 수 있다. 라디칼 중합, 양이온 중합 및 음이온 중합의 중합개시제는, 라디칼 중합의 경우에는 라디칼 발생제가 바람직하게 사용되고, 양이온 중합 및 음이온 중합의 경우에는 산발생제 및 염기발생제가 바람직하게 사용된다. 중합개시제는, 1종의 화합물이라도 되고, 2종 이상의 화합물의 혼합물이라도 된다.In addition, polymerizable groups capable of radical polymerization, cationic polymerization, or anionic polymerization used in the synthesis of polymer compound (III) include (meth)acrylic group, allyl group, vinyl group, epoxide group, and oxetane. As for the polymerization initiator of radical polymerization, cationic polymerization, and anionic polymerization, a radical generator is preferably used in the case of radical polymerization, and an acid generator and a base generator are preferably used in the case of cationic polymerization and anionic polymerization. The polymerization initiator may be one type of compound or a mixture of two or more types of compounds.

또한, 고분자 화합물(III)의 합성에 사용되는 개환 메타세시스 중합 가능한 중합성기는, 환형 알켄 구조 및 환형 알킨 구조를 예로 들 수 있고, 구체적으로는, 노르보르넨 구조, 디시클로펜타디엔구조, 인덴 구조 및 시클로펜텐 구조 등을 예로 들 수 있다. 개환 메타세시스 중합에 사용되는 촉매로서는, 루테늄, 몰리브덴, 및 텅스텐 등의 착체가 사용되고, 예를 들면, 그럽스 촉매(Grubbs catalyst) 등이 있다.In addition, examples of the polymerizable group capable of ring-opening metathesis polymerization used in the synthesis of polymer compound (III) include a cyclic alkene structure and a cyclic alkyne structure, and specifically include a norbornene structure, a dicyclopentadiene structure, Examples include indene structure and cyclopentene structure. As a catalyst used in ring-opening metathesis polymerization, complexes such as ruthenium, molybdenum, and tungsten are used, and examples include Grubbs catalyst.

또한, 상기 커플링 반응이나 중합 반응에서 사용되는 용매의 구체예로서는, 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 1,2,4-트리메틸벤젠, 아니솔, 아세토니트릴, 디메틸술폭시드, N,N-디메틸포름아미드, 테트라하이드로퓨란, 디에틸에테르, tert-부틸메틸에테르, 1,4-디옥산, 메탄올, 에탄올, tert-부틸알코올, 시클로펜틸메틸에테르 또는 이소프로필알코올 등을 들 수 있다. 이들 용매는 적절하게 선택할 수 있으며, 단독으로 사용해도 되고, 혼합 용매로서 사용해도 된다.In addition, specific examples of solvents used in the coupling reaction or polymerization reaction include benzene, toluene, xylene, 1,2,4-trimethylbenzene, anisole, acetonitrile, dimethyl sulfoxide, N, N-dimethylformamide, Examples include tetrahydrofuran, diethyl ether, tert-butyl methyl ether, 1,4-dioxane, methanol, ethanol, tert-butyl alcohol, cyclopentyl methyl ether, or isopropyl alcohol. These solvents can be appropriately selected and may be used individually or as a mixed solvent.

고분자 화합물을 제조할 때, 1단계로 제조해도 되고, 다단계를 거쳐 제조해도 된다. 또한, 원료를 반응 용기에 모두 넣고 나서 반응을 시작하는 일괄중합법에 의해 행해도 되고, 원료를 반응 용기에 적하하여 가하는 적하중합법에 의해 행해도 되고, 생성물이 반응의 진행에 따라 침전하는 침전중합법에 의해 행해도 되고, 이들을 적절하게 조합하여 합성할 수 있다. 예를 들면, 1단계로 합성하는 경우, 중합성기를 가지는 식(1)의 부분 구조 화합물 및 말단 구조(EC)를 가지는 화합물을 반응 용기에 가한 상태에서 반응을 행함으로써 목적물을 얻는다. 또한, 다단계로 합성하는 경우, 모노머 유닛(MU)을 원하는 분자량까지 중합한 후, 말단 구조(EC)를 가지는 화합물을 가하여 반응시킴으로써 목적물을 얻는다.When producing a polymer compound, it may be produced in one step or may be produced through multiple steps. In addition, it may be carried out by a batch polymerization method in which the reaction is started after putting all the raw materials into the reaction vessel, or by a drop polymerization method in which the raw materials are added dropwise to the reaction vessel, or by precipitation polymerization in which the product precipitates as the reaction progresses. It may be carried out by a polymerization method, or it can be synthesized by appropriately combining them. For example, in the case of one-step synthesis, the target product is obtained by performing a reaction while adding a partial structure compound of formula (1) having a polymerizable group and a compound having a terminal structure (EC) to a reaction vessel. Additionally, in the case of multi-step synthesis, the target product is obtained by polymerizing the monomer unit (MU) to the desired molecular weight and then adding and reacting a compound having a terminal structure (EC).

또한, 모노머 유닛(MU)의 중합성기를 선택하면 폴리머의 1차 구조를 제어할 수 있다. 예를 들면, Scheme(5)의 1∼3에 나타낸 바와 같이, 랜덤한 1차 구조를 가지는 폴리머(Scheme(5)의 1), 규칙적인 1차 구조를 가지는 폴리머(Scheme(5)의 2 및 3) 등을 합성하는 것이 가능하며, 목적물에 따라 적절하게 조합하여 사용할 수 있다.Additionally, the primary structure of the polymer can be controlled by selecting the polymerizable group of the monomer unit (MU). For example, as shown in Scheme (5) 1 to 3, a polymer with a random primary structure (1 in Scheme (5)), a polymer with a regular primary structure (2 and 2 in Scheme (5)) 3), etc. can be synthesized and used in appropriate combinations depending on the target.

Figure 112020077643373-pct00141
Figure 112020077643373-pct00141

특히, 2량체(i) 및 2량체(ii)에 있어서, 2개의 식(1)의 부분 구조 및 연결기(XL)의 각각이 형성하는 쌍극자 모멘트가 상쇄하는 것이 바람직하다. 이 경우에, 2량체(i) 및 2량체(ii)는 높은 대칭성을 가진다.In particular, in dimer (i) and dimer (ii), it is preferable that the dipole moments formed by each of the two partial structures of formula (1) and the linking group (XL) cancel each other. In this case, dimer (i) and dimer (ii) have high symmetry.

3. 유기 디바이스3. Organic devices

본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물은, 유기 디바이스용 재료로서 사용할 수 있다. 유기 디바이스로서는, 예를 들면, 유기전계 발광소자, 유기전계 효과 트랜지스터 또는 유기박막 태양전지 등이 있다.The compound according to the present invention and its polymer compound can be used as a material for organic devices. Examples of organic devices include organic electroluminescent elements, organic field effect transistors, and organic thin-film solar cells.

3-1. 유기전계 발광소자3-1. Organic electroluminescent device

본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물은, 예를 들면, 유기전계 발광소자의 재료로서 사용할 수 있다. 이하에, 본 실시형태에 따른 유기 EL 소자에 대하여 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 도 1은, 본 실시형태에 따른 유기 EL 소자를 나타내는 개략 단면도이다.The compound according to the present invention and its polymer compound can be used, for example, as a material for an organic electroluminescent device. Below, the organic EL device according to this embodiment will be described in detail based on the drawings. 1 is a schematic cross-sectional view showing an organic EL device according to this embodiment.

<유기전계 발광소자의 구조><Structure of organic electroluminescent device>

도 1에 나타낸 유기전계 발광소자(100)는, 기판(101)과, 기판(101) 상에 설치된 양극(102)과, 양극(102) 상에 설치된 정공 주입층(103)과, 정공 주입층(103) 상에 설치된 정공 수송층(104)과, 정공 수송층(104) 상에 설치된 발광층(105)과, 발광층(105) 상에 설치된 전자수송층(106)과, 전자수송층(106) 상에 설치된 전자주입층(107)과, 전자주입층(107) 상에 설치된 음극(108)을 가진다.The organic electroluminescent device 100 shown in FIG. 1 includes a substrate 101, an anode 102 installed on the substrate 101, a hole injection layer 103 provided on the anode 102, and a hole injection layer. A hole transport layer 104 provided on (103), a light-emitting layer 105 provided on the hole transport layer 104, an electron transport layer 106 provided on the light-emitting layer 105, and an electron transport layer 106 installed on the electron transport layer 106. It has an injection layer 107 and a cathode 108 provided on the electron injection layer 107.

그리고, 유기전계 발광소자(100)는, 제작 순서를 반대로 하여, 예를 들면, 기판(101)과, 기판(101) 상에 설치된 음극(108)과, 음극(108) 상에 설치된 전자주입층(107)과, 전자주입층(107) 상에 설치된 전자수송층(106)과, 전자수송층(106) 상에 설치된 발광층(105)과, 발광층(105) 상에 설치된 정공 수송층(104)과, 정공 수송층(104) 상에 설치된 정공 주입층(103)과, 정공 주입층(103) 상에 설치된 양극(102)을 가지는 구성으로 할 수도 있다.Then, the organic electroluminescent device 100 is manufactured by reversing the manufacturing order, for example, a substrate 101, a cathode 108 provided on the substrate 101, and an electron injection layer provided on the cathode 108. (107), an electron transport layer 106 provided on the electron injection layer 107, a light emitting layer 105 provided on the electron transport layer 106, a hole transport layer 104 provided on the light emitting layer 105, and a hole transport layer 106 provided on the electron injection layer 107. It may be configured to include a hole injection layer 103 provided on the transport layer 104 and an anode 102 provided on the hole injection layer 103.

전술한 각 층 모두 없으면 안되는 것은 아니며, 최소 구성 단위를 양극(102)과 발광층(105)과 음극(108)으로 이루어지는 구성으로 하고, 정공 주입층(103), 정공 수송층(104), 전자수송층(106), 전자주입층(107)은 임의로 설치되는 층이다. 또한, 전술한 각 층은, 각각 단일층이 되어도 되고, 복수 층이 되어도 된다.All of the above-mentioned layers are not necessary, and the minimum structural unit is composed of an anode 102, a light-emitting layer 105, and a cathode 108, and a hole injection layer 103, a hole transport layer 104, and an electron transport layer ( 106), the electron injection layer 107 is a layer installed arbitrarily. In addition, each of the above-mentioned layers may be a single layer or may be a plurality of layers.

유기전계 발광소자를 구성하는 층의 태양으로서는, 전술한 「기판/양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극」의 구성 태양 외에, 「기판/양극/정공 수송층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/발광층/전자수송층/전자주입층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자주입층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자수송층/음극」, 「기판/양극/발광층/전자수송층/전자주입층/음극」, 「기판/양극/정공 수송층/발광층/전자주입층/음극」, 「기판/양극/정공 수송층/발광층/전자수송층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/발광층/전자주입층/음극」, 「기판/양극/정공 주입층/발광층/전자수송층/음극」, 「기판/양극/발광층/전자수송층/음극」, 「기판/양극/발광층/전자주입층/음극」의 구성 태양이라도 된다.As aspects of the layers constituting the organic electroluminescent element, in addition to the above-mentioned “substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode”, “substrate/anode/hole transport layer/cathode” Light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode”, 「Substrate/anode/hole injection layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode」, 「Substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron injection layer /cathode”, “substrate/anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode”, “substrate/anode/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode”, “substrate/anode/hole transport layer/light emitting layer” /electron injection layer/cathode”, “substrate/anode/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/cathode”, “substrate/anode/hole injection layer/light-emitting layer/electron injection layer/cathode”, “substrate/anode/hole injection layer” /light emitting layer/electron transport layer/cathode”, “substrate/anode/light emitting layer/electron transport layer/cathode”, “substrate/anode/light emitting layer/electron injection layer/cathode” may be used.

<유기전계 발광소자에서의 기판><Substrate in organic electroluminescent device>

기판(101)은, 유기전계 발광소자(100)의 지지체이며, 통상, 석영, 유리, 금속, 플라스틱 등이 사용된다. 기판(101)은, 목적에 따라 판형, 필름형, 또는 시트형으로 형성되고, 예를 들면, 유리판, 금속판, 금속박, 플라스틱 필름, 플라스틱 시트 등이 사용된다. 그 중에서도, 유리판, 및 폴리에스테르, 폴리메타크릴레이트, 폴리카보네이트, 폴리술폰 등의 투명한 합성 수지제의 판이 바람직하다. 유리 기판이면, 소다 라임 유리나 무알칼리 유리 등이 사용되고, 또한 두께도 기계적 강도를 유지하기에 충분한 두께가 있으면 되므로, 예를 들면, 0.2mm 이상이면 된다. 두께의 상한값으로서는, 예를 들면, 2mm 이하, 바람직하게는 1mm 이하이다. 유리의 재질에 대해서는, 유리로부터의 용출(溶出) 이온이 적은 것이 좋으므로, 무알칼리 유리가 바람직하지만, SiO2 등의 배리어(barrier) 코트를 행한 소다 라임 유리도 시판되고 있으므로, 이것을 사용할 수 있다. 또한, 기판(101)에는, 가스 배리어성을 높이기 위하여, 적어도 한쪽 면에 치밀한 실리콘 산화막 등의 가스 배리어막을 형성할 수도 있고, 특히 가스 배리어성이 낮은 합성 수지제의 판, 필름 또는 시트를 기판(101)으로서 사용하는 경우에는 가스 배리어막을 형성하는 것이 바람직하다.The substrate 101 is a support for the organic electroluminescent element 100, and usually quartz, glass, metal, plastic, etc. are used. The substrate 101 is formed in a plate shape, a film shape, or a sheet shape depending on the purpose, and for example, a glass plate, a metal plate, a metal foil, a plastic film, a plastic sheet, etc. are used. Among them, glass plates and plates made of transparent synthetic resins such as polyester, polymethacrylate, polycarbonate, and polysulfone are preferable. If it is a glass substrate, soda lime glass, alkali-free glass, etc. are used, and the thickness just needs to be sufficient to maintain mechanical strength, so for example, it can be 0.2 mm or more. The upper limit of the thickness is, for example, 2 mm or less, and preferably 1 mm or less. Regarding the material of glass, alkali-free glass is preferable since it is better to have fewer ions eluted from the glass. However, soda lime glass coated with a barrier such as SiO 2 is also commercially available, so this can be used. . Additionally, in order to increase gas barrier properties, a gas barrier film such as a dense silicon oxide film may be formed on at least one side of the substrate 101. In particular, a plate, film or sheet made of synthetic resin with low gas barrier properties may be used as the substrate ( 101), it is desirable to form a gas barrier film.

<유기전계 발광소자에서의 양극><Anode in organic electroluminescent device>

양극(102)은, 발광층(105)에 정공을 주입하는 역할을 한다. 그리고, 양극(102)과 발광층(105)의 사이에 정공 주입층(103) 및/또는 정공 수송층(104)이 설치되어 있는 경우에는, 이들을 통하여 발광층(105)에 정공을 주입하게 된다.The anode 102 serves to inject holes into the light emitting layer 105. Additionally, when the hole injection layer 103 and/or the hole transport layer 104 are provided between the anode 102 and the light emitting layer 105, holes are injected into the light emitting layer 105 through these.

양극(102)을 형성하는 재료로서는, 무기 화합물 및 유기 화합물을 예로 들 수 있다. 무기 화합물로서는, 예를 들면, 금속(알루미늄, 금, 은, 니켈, 팔라듐, 크롬 등), 금속 산화물(인듐의 산화물, 주석의 산화물, 인듐-주석 산화물(ITO), 인듐-아연 산화물(IZO) 등), 할로겐화 금속(요오드화 동 등), 황화 동, 카본 블랙, ITO 유리나 네사 유리 등이 있다. 유기 화합물로서는, 예를 들면, 폴리(3-메틸티오펜) 등의 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린 등의 도전성(導電性) 폴리머 등이 있다. 그 외에, 유기전계 발광소자의 양극으로서 사용되고 있는 물질 중에서 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.Examples of materials forming the anode 102 include inorganic compounds and organic compounds. Inorganic compounds include, for example, metals (aluminum, gold, silver, nickel, palladium, chromium, etc.), metal oxides (indium oxide, tin oxide, indium-tin oxide (ITO), indium-zinc oxide (IZO) etc.), halogenated metals (copper iodide, etc.), copper sulfide, carbon black, ITO glass, and Nesa glass. Examples of organic compounds include polythiophenes such as poly(3-methylthiophene), and conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline. In addition, the material can be appropriately selected and used as an anode for organic electroluminescent devices.

투명 전극의 저항은, 발광 소자의 발광에 충분한 전류를 공급할 수 있으면 되므로, 한정되지 않지만, 발광 소자의 소비 전력의 관점에서는 저저항인 것이 바람직하다. 예를 들면, 300 Ω/□ 이하의 ITO 기판이면 소자 전극으로서 기능하지만, 현재는 10Ω/□ 정도의 기판의 공급도 가능하도록 되어 있으므로, 예를 들면 100∼5 Ω/□, 바람직하게는 50∼5 Ω/□의 저저항물을 사용하는 것이 특히 바람직하다. ITO의 두께는 저항값에 맞추어 임의로 선택할 수 있지만, 통상 50∼300 nm의 사이에서 사용되는 경우가 많다.The resistance of the transparent electrode is not limited as long as it can supply sufficient current for light emission of the light-emitting element, but it is preferably low in resistance from the viewpoint of power consumption of the light-emitting element. For example, an ITO substrate of 300 Ω/□ or less functions as a device electrode, but currently, it is also possible to supply a substrate of about 10 Ω/□, for example, 100 to 5 Ω/□, preferably 50 to 50 Ω/□. It is particularly desirable to use a low-resistance material of 5 Ω/□. The thickness of ITO can be arbitrarily selected according to the resistance value, but is usually between 50 and 300 nm.

<유기전계 발광소자에서의 정공 주입층, 정공 수송층><Hole injection layer, hole transport layer in organic electroluminescent device>

정공 주입층(103)은, 양극(102)으로부터 이동하여 오는 정공을, 효율적으로 발광층(105) 내 또는 정공 수송층(104) 내에 주입하는 역할을 한다. 정공 수송층(104)은, 양극(102)으로부터 주입된 정공 또는 양극(102)으로부터 정공 주입층(103)을 통하여 주입된 정공을, 효율적으로 발광층(105)에 수송하는 역할을 한다. 정공 주입층(103) 및 정공 수송층(104)은, 각각, 정공 주입·수송 재료의 1종 또는 2종 이상을 적층, 혼합하거나, 정공 주입·수송 재료와 고분자 결착제(結着劑)의 혼합물에 의해 형성된다. 또한, 정공 주입·수송 재료에 염화 철(III)과 같은 무기염을 첨가하여 층을 형성할 수도 있다.The hole injection layer 103 serves to efficiently inject holes moving from the anode 102 into the light emitting layer 105 or the hole transport layer 104. The hole transport layer 104 serves to efficiently transport holes injected from the anode 102 or holes injected from the anode 102 through the hole injection layer 103 to the light emitting layer 105. The hole injection layer 103 and the hole transport layer 104 are each formed by laminating or mixing one or two or more types of hole injection/transport materials, or a mixture of a hole injection/transport material and a polymer binder. is formed by Additionally, the layer can be formed by adding an inorganic salt such as iron(III) chloride to the hole injection/transport material.

정공 주입·수송성 물질로서는 전계를 인가한 전극 간에 있어서 양극으로부터의 정공을 효율적으로 주입·수송하는 것이 필요하며, 정공 주입 효율이 높고, 주입된 정공을 효율적으로 수송하는 것이 바람직하다. 이를 위해서는 이온화 포텐셜이 작고, 또한 정공 이동도가 크고, 또한 안정성이 우수하고, 트랩이 되는 불순물이 제조 시 및 사용 시에 쉽게 생기지 않는 물질인 것이 바람직하다.As a hole injection/transport material, it is necessary to efficiently inject and transport holes from the anode between electrodes to which an electric field is applied, and it is desirable to have high hole injection efficiency and efficiently transport the injected holes. For this purpose, it is desirable to use a material that has a small ionization potential, high hole mobility, excellent stability, and does not easily produce impurities that become traps during manufacture and use.

정공 주입층(103) 및 정공 수송층(104)을 형성하는 재료로서는, 본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 광 도전 재료에 있어서, 정공의 전하 수송 재료로서 종래부터 관용(慣用)되고 있는 화합물, p형 반도체, 유기전계 발광소자의 정공 주입층 및 정공 수송층에 사용되고 있는 공지의 화합물 중에서 임의의 화합물을 선택하여 사용할 수 있다. 이들의 구체예는, 카르바졸 유도체(N-페닐카르바졸, 폴리비닐카르바졸 등), 비스(N-아릴카르바졸) 또는 비스(N-알킬카르바졸) 등의 비스카르바졸 유도체, 트릴아릴아민 유도체(방향족 제3급 아미노를 주쇄 혹은 측쇄에 가지는 폴리머, 1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)시클로헥산, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디타프틸-4,4'-디아미노페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디페닐-1,1'-디아민, N,N'-디나프틸-N,N'-디페닐-4,4'-디페닐-1,1'-디아민, N4,N4 '-디페닐-N4,N4 '-비스(9-페닐-9 H-카르바졸-3-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민, N4,N4,N4 ',N4'-테트라[1,1'-비페닐]-4-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민, 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐(페닐)아미노)트리페닐아민 등의 트리페닐아민 유도체, 스타버스트 아민 유도체 등), 스틸벤 유도체, 프탈로시아닌 유도체(무금속, 동 프탈로시아닌 등), 피라졸린 유도체, 히드라진계 화합물, 벤조퓨란 유도체나 티오펜 유도체, 옥사디아졸 유도체, 퀴녹살린 유도체(예를 들면, 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌-2,3,6,7,10,11-헥사카르보니트릴 등), 포르필린 유도체 등의 복소환 화합물, 폴리실란 등이다. 폴리머계에서는 상기 단량체를 측쇄에 가지는 폴리카보네이트나 스티렌 유도체, 폴리비닐카르바졸 및 폴리실란 등이 바람직하지만, 발광 소자의 제작에 필요한 박막을 형성하고, 양극으로부터 정공을 주입할 수 있고, 또한 정공을 수송할 수 있는 화합물이면 특별히 한정되지 않는다.As a material for forming the hole injection layer 103 and the hole transport layer 104, the compound according to the present invention and its polymer compound can be used. In addition, in the photoconductive material, any compound may be selected from compounds conventionally used as hole charge transport materials and known compounds used in the hole injection layer and hole transport layer of p-type semiconductors and organic electroluminescent devices. You can select and use it. Specific examples of these include carbazole derivatives (N-phenylcarbazole, polyvinylcarbazole, etc.), biscarbazole derivatives such as bis(N-arylcarbazole) or bis(N-alkylcarbazole), and triarylamine. Derivatives (polymers having aromatic tertiary amino in the main or side chain, 1,1-bis(4-di-p-tolylaminophenyl)cyclohexane, N,N'-diphenyl-N,N'-di(3 -methylphenyl)-4,4'-diaminophenyl, N,N'-diphenyl-N,N'-ditaphthyl-4,4'-diaminophenyl, N,N'-diphenyl-N,N '-di(3-methylphenyl)-4,4'-diphenyl-1,1'-diamine, N,N'-dinaphthyl-N,N'-diphenyl-4,4'-diphenyl-1 ,1'-diamine, N 4 ,N 4 ' -diphenyl-N 4 ,N 4 ' -bis(9-phenyl-9 H-carbazol-3-yl)-[1,1'-biphenyl]- 4,4'-diamine, N 4 ,N 4 ,N 4 ' ,N 4' -tetra[1,1'-biphenyl]-4-yl)-[1,1'-biphenyl]-4,4 Triphenylamine derivatives such as '-diamine, 4,4',4"-tris(3-methylphenyl(phenyl)amino)triphenylamine, starburst amine derivatives, etc.), stilbene derivatives, phthalocyanine derivatives (metal-free, copper phthalocyanine, etc.), pyrazoline derivatives, hydrazine-based compounds, benzofuran derivatives, thiophene derivatives, oxadiazole derivatives, quinoxaline derivatives (e.g., 1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene) -2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile, etc.), heterocyclic compounds such as porphylline derivatives, polysilanes, polycarbonate and styrene derivatives having the above-mentioned monomers in the side chain, and polyvinyl. Carbazole, polysilane, etc. are preferable, but there is no particular limitation as long as it is a compound that forms a thin film necessary for manufacturing a light-emitting device, can inject holes from the anode, and can transport holes.

또한, 유기 반도체의 도전성은, 그 도핑에 의해, 강한 영향을 받는 것도 알려져 있다. 이와 같은 유기 반도체 매트릭스 물질은, 전자 공여성이 양호한 화합물, 또는 전자 수용성이 양호한 화합물로 구성되어 있다. 전자 공여 물질의 도핑을 위해, 테트라시아노퀴논디메탄(TCNQ) 또는 2,3,5,6-테트라플루오로테트라시아노-1,4-벤조퀴논디메탄(F4TCNQ) 등의 강한 전자 수용체가 알려져 있다(예를 들면, 문헌 「M. Pfeiffer, A. Beyer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73(22), 3202-3204(1998」 및 문헌 「J. Blochwitz, M. Pheiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73(6), 729-731(1998)」을 참조). 이들은, 전자 공여형 베이스 물질(정공 수송 물질)에서의 전자 이동 프로세스에 의해, 이른바 정공을 생성한다. 정공의 수 및 이동도에 의해, 베이스 물질의 전도성이, 매우 크게 변화한다. 정공 수송 특성을 가지는 매트릭스 물질로서는, 예를 들면, 벤지딘 유도체(TPD 등) 또는 스타버스트 아민 유도체(TDATA 등), 또는 특정한 금속 프탈로시아닌(특히, 아연 프탈로시아닌(ZnPc) 등)이 알려져 있다(일본 공개특허 제2005-167175호 공보).Additionally, it is known that the conductivity of an organic semiconductor is strongly influenced by its doping. Such an organic semiconductor matrix material is composed of a compound with good electron donating properties or a compound with good electron accepting properties. For doping of electron-donating materials, strong electron acceptors such as tetracyanoquinonedimethane (TCNQ) or 2,3,5,6-tetrafluorotetracyano-1,4-benzoquinonedimethane (F4TCNQ) are used. It is known (e.g., M. Pfeiffer, A. Beyer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Phys. Lett., 73(22), 3202-3204 (1998) and J. Blochwitz, M. Pheiffer, T. Fritz, K. Leo, Appl. Lett., 73(6), 729-731 (1998)). The conductivity of the base material changes significantly depending on the number and mobility of holes through the transfer process. Examples of matrix materials with hole transport properties include benzidine derivatives (TPD, etc.). Alternatively, starburst amine derivatives (TDATA, etc.), or specific metal phthalocyanines (particularly, zinc phthalocyanine (ZnPc), etc.) are known (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-167175).

<유기전계 발광소자에서의 발광층><Emitting layer in organic electroluminescent device>

발광층(105)은, 전계가 인가된 전극 사이에 있어서, 양극(102)으로부터 주입된 정공과, 음극(108)로부터 주입된 전자를 재결합시킴으로써 발광하는 층이다. 발광층(105)을 형성하는 재료로서는, 정공과 전자의 재결합에 의해 여기되어 발광하는 화합물(발광성 화합물)이면 되고, 안정한 박막 형상을 형성할 수 있고, 또한, 고체 상태에서 강한 발광(형광) 효율을 나타내는 화합물인 것이 바람직하다. 본 발명에서는, 발광층용의 재료로서, 본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물을 사용할 수 있다.The light-emitting layer 105 is a layer that emits light by recombining holes injected from the anode 102 and electrons injected from the cathode 108 between electrodes to which an electric field is applied. The material forming the light-emitting layer 105 may be any compound (luminescent compound) that is excited and emits light by recombination of holes and electrons, and can form a stable thin film shape and have strong luminescence (fluorescence) efficiency in the solid state. It is preferable that it is a compound that represents In the present invention, the compound according to the present invention and its polymer compound can be used as the material for the light-emitting layer.

발광층은 단일층이라도 되고 복수층으로 이루어져 있어도 되며 어느 것이라도 되고, 각각 발광층용 재료(호스트 재료, 도펀트 재료)에 의해 형성된다. 호스트 재료와 도펀트 재료는, 각각 1종류라도 되고, 복수의 조합이라도 되며, 어느 것이라도 된다. 도펀트 재료는 호스트 재료의 전체에 포함되어 있어도 되고, 부분적으로 포함되어 있어도 되며, 어느 것이라도 된다. 도핑 방법으로서는, 호스트 재료와의 공증착법에 의해 형성할 수 있지만, 호스트 재료와 미리 혼합하고 나서 동시에 증착해도 된다.The light-emitting layer may be a single layer, may be composed of multiple layers, or may be any, and is formed of materials for the light-emitting layer (host material and dopant material). The host material and the dopant material may be of one type, a combination of multiple types, or any of them. The dopant material may be included in the entire host material, or may be included partially, or any of them may be used. As a doping method, it can be formed by co-deposition with the host material, but may be deposited simultaneously after mixing with the host material in advance.

호스트 재료의 사용량은 호스트 재료의 종류에 따라 상이하고, 그 호스트 재료의 특성에 맞추어서 정하면 된다. 호스트 재료의 사용량의 기준은, 바람직하게는 발광층용 재료 전체의 50∼99.999 중량%이며, 보다 바람직하게는 80∼99.95 중량%이며, 더욱 바람직하게는 90∼99.9 중량%이다. 본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물은 호스트 재료로서도 사용할 수도 있다.The amount of host material used varies depending on the type of host material, and can be determined according to the characteristics of the host material. The standard for the usage amount of the host material is preferably 50 to 99.999% by weight of the total light emitting layer material, more preferably 80 to 99.95% by weight, and even more preferably 90 to 99.9% by weight. The compound according to the present invention and its polymer compound can also be used as a host material.

도펀트 재료의 사용량은 도펀트 재료의 종류에 따라 상이하며, 그 도펀트 재료의 특성에 맞추어서 정하면 된다. 도펀트의 사용량의 기준은, 바람직하게는 발광층용 재료 전체의 0.001∼50 중량%이며, 보다 바람직하게는 0.05∼20 중량%이며, 더욱 바람직하게는 0.1∼10 중량%이다. 상기한 범위이면, 예를 들면, 농도 소광 현상을 방지할 수 있는 점에서 바람직하다. 본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물은 도펀트 재료로서도 사용할 수도 있다.The amount of dopant material used varies depending on the type of dopant material, and can be determined according to the characteristics of the dopant material. The standard for the amount of dopant used is preferably 0.001 to 50% by weight of the total light emitting layer material, more preferably 0.05 to 20% by weight, and even more preferably 0.1 to 10% by weight. The above range is preferable because, for example, concentration quenching phenomenon can be prevented. The compound according to the present invention and its polymer compound can also be used as a dopant material.

한편, 열활성화 지연 형광 도펀트 재료를 사용한 유기전계 발광 소자에 있어서는, 도펀트 재료의 사용량은 저농도인 것이 농도 소광 현상을 방지할 수 있는 점에서 바람직하지만, 도펀트 재료의 사용량이 고농도인 것이 열활성화 지연 형광 기구(機構)의 효율 면에서는 바람직하다. 또한, 열활성화 지연 형광 어시스트 도펀트 재료를 사용한 유기전계 발광 소자에 있어서는, 어시스트 도펀트 재료의 열활성화 지연 형광 기구의 효율 면에서는, 어시스트 도펀트 재료의 사용량에 비해 도펀트 재료의 사용량이 저농도인 것이 바람직하다.On the other hand, in organic electroluminescent devices using thermally activated delayed fluorescence dopant materials, a low concentration of the dopant material is preferable in that it can prevent concentration quenching, but a high concentration of the dopant material is preferable for the thermally activated delayed fluorescence. This is desirable in terms of mechanism efficiency. In addition, in an organic electroluminescent device using a thermally activated delayed fluorescence assist dopant material, it is preferable that the amount of the dopant material used is low in concentration compared to the amount of the assist dopant material used, in terms of the efficiency of the thermally activated delayed fluorescence mechanism of the assist dopant material.

어시스트 도펀트 재료가 사용되는 경우에서의, 호스트 재료, 어시스트 도펀트 재료 및 도펀트 재료의 사용량의 기준은, 각각, 발광층용 재료 전체의 40∼99.999 중량%, 59∼1 중량% 및 20∼0.001 중량%이며, 바람직하게는, 각각, 60∼99.99 중량, 39∼5 중량% 및 10∼0.01 중량%이며, 보다 바람직하게는, 70∼99.95 중량, 29∼10 중량% 및 5∼0.05 중량%이다. 본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물은 어시스트 도펀트 재료로서도 사용할 수도 있다.In the case where the assist dopant material is used, the standards for the usage amounts of the host material, assist dopant material, and dopant material are 40 to 99.999% by weight, 59 to 1% by weight, and 20 to 0.001% by weight, respectively, of the total material for the emitting layer. , preferably 60 to 99.99% by weight, 39 to 5% by weight, and 10 to 0.01% by weight, respectively, and more preferably 70 to 99.95% by weight, 29 to 10% by weight, and 5 to 0.05% by weight. The compound according to the present invention and its polymer compound can also be used as an assist dopant material.

본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물과 병용할 수 있는 호스트 재료로서는, 이전부터 발광체로서 알려진 안트라센이나 피렌 등의 축합환 유도체, 비스스티릴안트라센 유도체나 디스티릴벤젠 유도체 등의 비스스티릴 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 플루오렌 유도체, 벤조플루오렌 유도체 등을 예로 들 수 있다.Host materials that can be used in combination with the compound according to the present invention and its polymer compound include condensed ring derivatives such as anthracene and pyrene, which have previously been known as light emitters, bistyryl derivatives such as bistyryl anthracene derivatives and distyrylbenzene derivatives, and tetramethylene. Examples include phenylbutadiene derivatives, cyclopentadiene derivatives, fluorene derivatives, and benzofluorene derivatives.

또한, 본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물과 병용할 수 있는 도펀트 재료로서는, 특별히 한정되지 않으며, 기지(旣知)의 화합물을 사용할 수 있고, 원하는 발광색에 따라 다양한 재료 중에서 선택할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 페난트렌, 안트라센, 피렌, 테트라센, 펜타센, 페릴렌, 나프토피렌, 디벤조피렌, 루브렌 및 크리센 등의 축합환 유도체, 벤즈옥사졸 유도체, 벤조티아졸 유도체, 벤조이미다졸 유도체, 벤조트리아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 티아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 티아디아졸 유도체, 트리아졸 유도체, 피라졸린 유도체, 스틸벤 유도체, 티오펜 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 비스스티릴안트라센 유도체나 디스티릴벤젠 유도체 등의 비스스티릴 유도체(일본 공개특허 평1-245087호 공보), 비스스티릴아릴렌 유도체(일본 공개특허 평2-247278호 공보), 디아자인다센 유도체, 퓨란 유도체, 벤조퓨란 유도체, 페닐이소벤조퓨란, 디메시틸이소벤조퓨란, 디(2-메틸페닐)이소벤조퓨란, 디(2-트리플루오로메틸페닐)이소벤조퓨란, 페닐이소벤조퓨란 등의 이소벤조퓨란 유도체, 디벤조퓨란 유도체, 7-디알킬아미노쿠마린 유도체, 7-피페리디노쿠마린 유도체, 7-하이드록시쿠마린 유도체, 7-메톡시쿠마린 유도체, 7-아세톡시쿠마린 유도체, 3-벤조티아졸릴쿠마린 유도체, 3-벤즈이미다졸릴쿠마린 유도체, 3-벤즈옥사졸릴쿠마린 유도체 등의 쿠마린 유도체, 디시아노메틸렌피란 유도체, 디시아노메틸렌티오피란 유도체, 폴리메틴 유도체, 시아닌 유도체, 옥소벤즈안트라센 유도체, 크산텐 유도체, 로다민 유도체, 플루오레세인 유도체, 피릴륨 유도체, 카르보스티릴 유도체, 아크리딘 유도체, 옥사진 유도체, 페닐렌옥사이드 유도체, 퀴나클리돈 유도체, 퀴나졸린 유도체, 피롤로피리딘 유도체, 푸로피리딘 유도체, 1,2,5-티아디아졸로피렌 유도체, 피로메텐 유도체, 페리논 유도체, 피롤로피롤 유도체, 스쿠아릴륨 유도체, 비올란트론 유도체, 페나진 유도체, 아크리돈 유도체, 데아자플라빈 유도체, 플루오렌 유도체 및 벤조플루오렌 유도체 등이 있다.In addition, the dopant material that can be used in combination with the compound according to the present invention and its polymer compound is not particularly limited, and known compounds can be used, and can be selected from various materials depending on the desired luminescent color. Specifically, for example, condensed ring derivatives such as phenanthrene, anthracene, pyrene, tetracene, pentacene, perylene, naphthopyrene, dibenzopyrene, rubrene, and chrysene, benzoxazole derivatives, and benzothiazole. Derivatives, benzoimidazole derivatives, benzotriazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiazole derivatives, imidazole derivatives, thiadiazole derivatives, triazole derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene derivatives, thiophene derivatives, Tetraphenylbutadiene derivatives, cyclopentadiene derivatives, bistyryl derivatives such as bistyryl anthracene derivatives and distyrylbenzene derivatives (Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-245087), bistyrylarylene derivatives (Japanese Patent Application Laid-Open No. 2) -247278 Publication), diazindacene derivatives, furan derivatives, benzofuran derivatives, phenylisobenzofuran, dimethylisobenzofuran, di(2-methylphenyl)isobenzofuran, di(2-trifluoromethylphenyl)iso Isobenzofuran derivatives such as benzofuran and phenylisobenzofuran, dibenzofuran derivatives, 7-dialkylaminocoumarin derivatives, 7-piperidinocoumarin derivatives, 7-hydroxycoumarin derivatives, 7-methoxycoumarin derivatives, 7 -Coumarin derivatives such as acetoxycoumarin derivatives, 3-benzothiazolylcoumarin derivatives, 3-benzimidazolylcoumarin derivatives, and 3-benzoxazolylcoumarin derivatives, dicyanomethylenepyran derivatives, dicyanomethylenethiopyran derivatives, polymethine Derivatives, cyanine derivatives, oxobenzanthracene derivatives, xanthene derivatives, rhodamine derivatives, fluorescein derivatives, pyrylium derivatives, carbostyryl derivatives, acridine derivatives, oxazine derivatives, phenylene oxide derivatives, quinaclidone derivatives , quinazoline derivatives, pyrrolopyridine derivatives, furopyridine derivatives, 1,2,5-thiadiazolopyrene derivatives, pyromethene derivatives, perinone derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, squaryllium derivatives, violanthrone derivatives, phenazine There are derivatives, acridone derivatives, deazaflavin derivatives, fluorene derivatives, and benzofluorene derivatives.

발색광마다 예시하면, 청∼청녹색 도펀트 재료로서는, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 트리페닐렌, 페릴렌, 플루오렌, 인덴, 크리센 등의 방향족 탄화 수소 화합물이나 그의 유도체, 퓨란, 피롤, 티오펜, 실롤, 9-실라플루오렌, 9,9'-스피로비실라플루오렌, 벤조티오펜, 벤조퓨란, 인돌, 디벤조티오펜, 디벤조퓨란, 이미다조피리딘, 페난트롤린, 피라진, 나프티리딘, 퀴녹살린, 피롤로피리딘, 티옥산텐 등의 방향족 복소환 화합물이나 그의 유도체, 디스티릴벤젠 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 스틸벤 유도체, 알다진 유도체, 쿠마린 유도체, 이미다졸, 티아졸, 티아디아졸, 카르바졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 트리아졸 등의 아졸 유도체 및 그의 금속 착체 및 N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디페닐-1,1'-디아민으로 대표되는 방향족 아민 유도체 등이 있다.For example, blue to blue-green dopant materials include aromatic hydrocarbon compounds such as naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, triphenylene, perylene, fluorene, indene, and chrysene, and their derivatives, furan, pyrrole, Thiophene, silol, 9-silafluorene, 9,9'-spirobicilafluorene, benzothiophene, benzofuran, indole, dibenzothiophene, dibenzofuran, imidazopyridine, phenanthroline, pyrazine, Aromatic heterocyclic compounds such as naphthyridine, quinoxaline, pyrrolopyridine, and thioxanthene, or their derivatives, distyrylbenzene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, stilbene derivatives, aldazine derivatives, coumarin derivatives, imidazole, thiazole, Azole derivatives such as thiadiazole, carbazole, oxazole, oxadiazole, and triazole, and metal complexes thereof, and N,N'-diphenyl-N,N'-di(3-methylphenyl)-4,4'- There are aromatic amine derivatives such as diphenyl-1,1'-diamine.

또한, 녹∼황색 도펀트 재료로서는, 쿠마린 유도체, 프탈이미드 유도체, 나프탈이미드 유도체, 페리논 유도체, 피롤로피롤 유도체, 시클로펜타디엔 유도체, 아크리돈 유도체, 퀴나크리돈 유도체 및 루브렌 등의 나프타센 유도체 등을 예로 들 수 있고, 또한 상기 청∼청녹색 도펀트 재료로서 예시한 화합물에, 아릴, 헤테로아릴, 아릴비닐, 아미노, 시아노 등 장파장화를 가능하게 하는 치환기를 도입한 화합물도 바람직한 예로서 들 수 있다.Additionally, green to yellow dopant materials include coumarin derivatives, phthalimide derivatives, naphthalimide derivatives, perinone derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, cyclopentadiene derivatives, acridone derivatives, quinacridone derivatives, rubrene, etc. Examples include naphthacene derivatives, and compounds in which a substituent that enables a longer wavelength, such as aryl, heteroaryl, arylvinyl, amino, and cyano, are introduced into the compounds exemplified as blue to blue-green dopant materials. An example can be given.

또한, 주황∼적색 도펀트 재료로서는, 비스(디이소프로필페닐)페릴렌테트라카르본산 이미드 등의 나프탈이미드 유도체, 페리논 유도체, 아세틸아세톤이나 벤조일아세톤과 페난트롤린 등을 배위자로 하는 Eu 착체 등의 희토류(希土類) 착체, 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(p-디메틸아미노스티릴)-4H-피란이나 그의 유사체, 마그네슘프탈로시아닌, 알루미늄클로로프탈로시아닌 등의 금속 프탈로시아닌 유도체, 로다민 화합물, 데아자플라빈 유도체, 쿠마린 유도체, 퀴나클리돈 유도체, 페녹사진 유도체, 옥사진 유도체, 퀴나졸린 유도체, 피롤로피리딘 유도체, 스쿠아릴륨 유도체, 비올란트론 유도체, 페나진 유도체, 페녹사존 유도체 및 티아디아졸로피렌 유도체 등 을 예로 들 수 있고, 또한 상기 청∼청녹색 및 녹∼황색 도펀트 재료로서 예시한 화합물에, 아릴, 헤테로아릴, 아릴비닐, 아미노, 시아노 등 장파장화를 가능하게 하는 치환기를 도입한 화합물도 바람직한 예로서 들 수 있다.Additionally, as orange to red dopant materials, naphthalimide derivatives such as bis(diisopropylphenyl)perylenetetracarboxylic acid imide, perinone derivatives, and Eu with acetylacetone, benzoylacetone, and phenanthroline as ligands. Rare earth complexes such as complexes, 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran and its analogs, metal phthalocyanine derivatives such as magnesium phthalocyanine and aluminum chlorophthalocyanine. , rhodamine compounds, deazaflavin derivatives, coumarin derivatives, quinaclidone derivatives, phenoxazine derivatives, oxazine derivatives, quinazoline derivatives, pyrrolopyridine derivatives, squaryllium derivatives, violanthrone derivatives, phenazine derivatives, pe Examples include noxazone derivatives and thiadiazolopyrene derivatives, and the compounds exemplified as blue to blue green and green to yellow dopant materials can be extended to longer wavelengths such as aryl, heteroaryl, arylvinyl, amino, and cyano. Compounds into which substituents have been introduced can also be cited as preferred examples.

그 외에, 도펀트로서는, 화학공업 2004년 6월호(13) 페이지, 및 거기에서 예로 든 참고 문헌 등에 기재된 화합물 등 중으로부터 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.In addition, as the dopant, it can be appropriately selected and used from among the compounds described in the June 2004 issue of Chemical Industry, page 13, and the references cited therein.

전술한 도펀트 재료 중에서도, 특히 스틸벤 구조를 가지는 아민, 페릴렌 유도체, 보란 유도체, 방향족 아민 유도체, 쿠마린 유도체, 피란 유도체 또는 피렌 유도체가 바람직하다.Among the above-mentioned dopant materials, amines, perylene derivatives, borane derivatives, aromatic amine derivatives, coumarin derivatives, pyran derivatives or pyrene derivatives having a stilbene structure are particularly preferable.

스틸벤 구조를 가지는 아민은, 예를 들면, 하기 식으로 표시된다.Amines having a stilbene structure are, for example, represented by the following formula.

Figure 112020077643373-pct00142
Figure 112020077643373-pct00142

상기 식 중, Ar1은 탄소수 6∼30의 아릴에 유래하는 m가의 기이며, Ar2 및 Ar3는, 각각 독립적으로 탄소수 6∼30의 아릴이지만, Ar1∼Ar3 중 적어도 1개는 스틸벤 구조를 가지고, Ar1∼Ar3는 치환되어 있어도 되고, 그리고, m은 1∼4의 정수이다.In the above formula, Ar 1 is an m-valent group derived from aryl having 6 to 30 carbon atoms, and Ar 2 and Ar 3 are each independently aryl having 6 to 30 carbon atoms, but at least one of Ar 1 to Ar 3 is steel. It has a Venn structure, Ar 1 to Ar 3 may be substituted, and m is an integer of 1 to 4.

스틸벤 구조를 가지는 아민은, 하기 식으로 표시되는 디아미노스틸벤이 보다 바람직하다.As for the amine having a stilbene structure, diaminostilbene represented by the following formula is more preferable.

Figure 112020077643373-pct00143
Figure 112020077643373-pct00143

상기 식 중, Ar2 및 Ar3는, 각각 독립적으로 탄소수 6∼30의 아릴이며, Ar2 및 Ar3는 치환되어 있어도 된다.In the above formula, Ar 2 and Ar 3 are each independently aryl having 6 to 30 carbon atoms, and Ar 2 and Ar 3 may be substituted.

탄소수 6∼30의 아릴의 구체예는, 벤젠, 나프탈렌, 아세나프틸렌, 플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 피렌, 크리센, 나프타센, 페릴렌, 스틸벤, 디스티릴벤젠, 디스티릴비페닐, 디스티릴플루오렌 등을 들 수 있다.Specific examples of aryl having 6 to 30 carbon atoms include benzene, naphthalene, acenaphthylene, fluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, perylene, and steel. Examples include ben, distyrylbenzene, distyryl biphenyl, and distyryl fluorene.

스틸벤 구조를 가지는 아민의 구체예는, N,N,N',N'-테트라(4-비페닐릴)-4,4'-디아미노스틸벤, N,N,N',N'-테트라(1-나프틸)-4,4'-디아미노스틸벤, N,N,N',N'-테트라(2-나프틸)-4,4'-디아미노스틸벤, N,N'-디(2-나프틸)-N,N'-디페닐-4,4'-디아미노 스틸벤, N,N'-디(9-페난트릴)-N,N'-디페닐-4,4'-디아미노스틸벤, 4,4'-비스[4"-비스(디페닐아미노)스티릴]비페닐, 1,4-비스[4'-비스(디페닐아미노)스티릴]-벤젠, 2,7-비스[4'-비스(디페닐아미노)스티릴]-9,9-디메틸플루오렌, 4,4'-비스(9-에틸-3-카르바조비닐렌)-비페닐, 4,4'-비스(9-페닐-3-카르바조비닐렌)-비페닐 등을 들 수 있다.Specific examples of amines having a stilbene structure include N,N,N',N'-tetra(4-biphenylyl)-4,4'-diaminostilbene, N,N,N',N'- Tetra(1-naphthyl)-4,4'-diaminostilbene, N,N,N',N'-Tetra(2-naphthyl)-4,4'-diaminostilbene, N,N' -di(2-naphthyl)-N,N'-diphenyl-4,4'-diamino stilbene, N,N'-di(9-phenanthryl)-N,N'-diphenyl-4, 4'-diaminostilbene, 4,4'-bis[4"-bis(diphenylamino)styryl]biphenyl, 1,4-bis[4'-bis(diphenylamino)styryl]-benzene , 2,7-bis[4'-bis(diphenylamino)styryl]-9,9-dimethylfluorene, 4,4'-bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)-biphenyl, 4,4'-bis(9-phenyl-3-carbazovinylene)-biphenyl, etc. are mentioned.

또한, 일본 공개특허 제2003-347056호 공보, 및 일본 공개특허 제2001-307884호 공보 등에 기재된 스틸벤 구조를 가지는 아민을 사용할 수도 있다.Additionally, amines having a stilbene structure described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-347056, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-307884, etc. can also be used.

페릴렌 유도체로서는, 예를 들면, 3,10-비스(2,6-디메틸페닐)페릴렌, 3,10-비스(2,4,6-트리메틸페닐)페릴렌, 3,10-디페닐페릴렌, 3,4-디페닐페릴렌, 2,5,8,11-테트라-tert-부틸페릴렌, 3,4,9,10-테트라페닐페릴렌, 3-(1'-피레닐)-8,11-디(tert-부틸)페릴렌, 3-(9'-안트릴)-8,11-디(tert-부틸)페릴렌, 3,3'-비스(8,11-디(tert-부틸)페릴레닐) 등이 있다.Perylene derivatives include, for example, 3,10-bis(2,6-dimethylphenyl)perylene, 3,10-bis(2,4,6-trimethylphenyl)perylene, and 3,10-diphenylphene. Rylene, 3,4-diphenylperylene, 2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene, 3,4,9,10-tetraphenylperylene, 3-(1'-pyrenyl)- 8,11-di(tert-butyl)perylene, 3-(9'-anthryl)-8,11-di(tert-butyl)perylene, 3,3'-bis(8,11-di(tert) -butyl)perylenyl), etc.

또한, 일본 공개특허 평11-97178호 공보, 일본 공개특허 제2000-133457호 공보, 일본 공개특허 제2000-26324호 공보, 일본 공개특허 제2001-267079호 공보, 일본 공개특허 제2001-267078호 공보, 일본 공개특허 제2001-267076호 공보, 일본 공개특허 제2000-34234호 공보, 일본 공개특허 제2001-267075호 공보, 및 일본 공개특허 제2001-217077호 공보 등에 기재된 페릴렌 유도체를 사용할 수도 있다.In addition, Japanese Patent Laid-Open No. 11-97178, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-133457, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-26324, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-267079, and Japanese Patent Laid-Open No. 2001-267078. Perylene derivatives described in Japanese Patent Application Publication No. 2001-267076, Japanese Patent Application Publication No. 2000-34234, Japanese Patent Application Publication No. 2001-267075, and Japanese Patent Application Publication No. 2001-217077 may also be used. there is.

보란 유도체로서는, 예를 들면, 1,8-디페닐-10-(디메시틸보릴)안트라센, 9-페닐-10-(디메시틸보릴)안트라센, 4-(9'-안트릴)디메시틸보릴나프탈렌, 4-(10'-페닐-9'-안트릴)디메시틸보릴나프탈렌, 9-(디메시틸보릴)안트라센, 9-(4'-비페닐릴)-10-(디메시틸보릴)안트라센, 9-(4'-(N-카르바졸릴)페닐)-10-(디메시틸보릴)안트라센 등이 있다.Examples of borane derivatives include 1,8-diphenyl-10-(dimethylboryl)anthracene, 9-phenyl-10-(dimethylboryl)anthracene, and 4-(9'-anthryl)dimesylene. Tilborylnaphthalene, 4-(10'-phenyl-9'-anthryl)dimethylborylnaphthalene, 9-(dimethylboryl)anthracene, 9-(4'-biphenylyl)-10-(dimesyl) Tilboryl)anthracene, 9-(4'-(N-carbazolyl)phenyl)-10-(dimesitylboryl)anthracene, etc.

또한, 국제 공개 제2000/40586호 팜플렛 등에 기재된 보란 유도체를 사용할 수도 있다.Additionally, borane derivatives described in the pamphlet of International Publication No. 2000/40586, etc. can also be used.

방향족 아민 유도체는, 예를 들면, 하기 식으로 표시된다.Aromatic amine derivatives are, for example, represented by the following formula.

Figure 112020077643373-pct00144
Figure 112020077643373-pct00144

상기 식 중, Ar4는 탄소수 6∼30의 아릴에 유래하는 n가의 기이며, Ar5 및 Ar6은 각각 독립적으로 탄소수 6∼30의 아릴이며, Ar4∼Ar6는 치환되어 있어도 되고, 그리고, n은 1∼4의 정수이다.In the above formula, Ar 4 is an n-valent group derived from aryl having 6 to 30 carbon atoms, Ar 5 and Ar 6 are each independently an aryl having 6 to 30 carbon atoms, Ar 4 to Ar 6 may be substituted, and , n is an integer from 1 to 4.

특히, Ar4이 안트라센, 크리센, 플루오렌, 벤조플루오렌 또는 피렌에 유래하는 2가의 기이며, Ar5 및 Ar6가 각각 독립적으로 탄소수 6∼30의 아릴이며, Ar4∼Ar6는 치환되어 있어도 되고, 그리고, n은 2인, 방향족 아민 유도체가 보다 바람직하다.In particular, Ar 4 is a divalent group derived from anthracene, chrysene, fluorene, benzofluorene or pyrene, Ar 5 and Ar 6 are each independently aryl having 6 to 30 carbon atoms, and Ar 4 to Ar 6 are substituted. may be used, and an aromatic amine derivative in which n is 2 is more preferable.

탄소수 6∼30의 아릴의 구체예는, 벤젠, 나프탈렌, 아세나프틸렌, 플루오렌, 페날렌, 페난트렌, 안트라센, 플루오란텐, 트리페닐렌, 피렌, 크리센, 나프타센, 페릴렌, 펜타센 등을 들 수 있다.Specific examples of aryl having 6 to 30 carbon atoms include benzene, naphthalene, acenaphthylene, fluorene, phenalene, phenanthrene, anthracene, fluoranthene, triphenylene, pyrene, chrysene, naphthacene, perylene, and penta. Sen, etc. can be mentioned.

방향족 아민 유도체로서는, 크리센계로서는, 예를 들면, N,N,N',N'-테트라페닐크리센-6,12-디아민, N,N,N',N'-테트라(p-톨릴)크리센-6,12-디아민, N,N,N',N'-테트라(m-톨릴)크리센-6,12-디아민, N,N,N',N'-테트라키스(4-이소프로필페닐)크리센-6,12-디아민, N,N,N',N'-테트라(나프탈렌-2-일)크리센-6,12-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-디(p-톨릴)크리센-6,12-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-에틸페닐)크리센-6,12-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-에틸페닐)크리센-6,12-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-이소프로필페닐)크리센-6,12-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-tert-부틸페닐)크리센-6,12-디아민, N,N'-비스(4-이소프로필페닐)-N,N'-디(p-톨릴)크리센-6,12-디아민 등이 있다.As aromatic amine derivatives, chrysene series include, for example, N,N,N',N'-tetraphenylchrysene-6,12-diamine, N,N,N',N'-tetra(p-tolyl) Chrysene-6,12-diamine, N,N,N',N'-tetra(m-tolyl)chrysene-6,12-diamine, N,N,N',N'-tetrakis(4-iso Propylphenyl)chrysene-6,12-diamine, N,N,N',N'-tetra(naphthalen-2-yl)chrysene-6,12-diamine, N,N'-diphenyl-N,N '-di(p-tolyl)chrysene-6,12-diamine, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(4-ethylphenyl)chrysene-6,12-diamine, N,N' -Diphenyl-N,N'-bis(4-ethylphenyl)chrysene-6,12-diamine, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(4-isopropylphenyl)chrysene-6 ,12-diamine, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(4-tert-butylphenyl)chrysene-6,12-diamine, N,N'-bis(4-isopropylphenyl)- N,N'-di(p-tolyl)chrysene-6,12-diamine, etc.

또한, 피렌계로서는, 예를 들면, N,N,N',N'-테트라페닐피렌-1,6-디아민, N,N,N',N'-테트라(p-톨릴)피렌-1,6-디아민, N,N,N',N'-테트라(m-톨릴)피렌-1,6-디아민, N,N,N',N'-테트라키스(4-이소프로필페닐)피렌-1,6-디아민, N,N,N',N'-테트라키스(3,4-디메틸페닐)피렌-1,6-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-디(p-톨릴)피렌-1,6-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-에틸페닐)피렌-1,6-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-에틸페닐)피렌-1,6-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-이소프로필페닐)피렌-1,6-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-tert-부틸페닐)피렌-1,6-디아민, N,N'-비스(4-이소프로필페닐)-N,N'-디(p-톨릴)피렌-1,6-디아민, N,N,N',N'-테트라키스(3,4-디메틸페닐)-3,8-디페닐피렌-1,6-디아민, N,N,N,N-테트라페닐피렌-1,8-디아민, N,N'-비스(비페닐-4-일)-N,N'-디페닐피렌-1,8-디아민, N1,N6-디페닐-N1,N6-비스-(4-트리메틸실라닐-페닐)-1H,8H-피렌-1,6-디아민 등이 있다.In addition, examples of the pyrene series include N,N,N',N'-tetraphenylpyrene-1,6-diamine, N,N,N',N'-tetra(p-tolyl)pyrene-1, 6-diamine, N,N,N',N'-tetra(m-tolyl)pyrene-1,6-diamine, N,N,N',N'-tetrakis(4-isopropylphenyl)pyrene-1 ,6-diamine, N,N,N',N'-tetrakis(3,4-dimethylphenyl)pyrene-1,6-diamine, N,N'-diphenyl-N,N'-di(p- Tolyl) pyrene-1,6-diamine, N, N'-diphenyl-N, N'-bis (4-ethylphenyl) pyrene-1,6-diamine, N, N'-diphenyl-N, N' -bis(4-ethylphenyl)pyrene-1,6-diamine, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(4-isopropylphenyl)pyrene-1,6-diamine, N,N'- Diphenyl-N,N'-bis(4-tert-butylphenyl)pyrene-1,6-diamine, N,N'-bis(4-isopropylphenyl)-N,N'-di(p-tolyl) Pyrene-1,6-diamine, N,N,N',N'-tetrakis(3,4-dimethylphenyl)-3,8-diphenylpyrene-1,6-diamine, N,N,N,N -Tetraphenylpyrene-1,8-diamine, N,N'-bis(biphenyl-4-yl)-N,N'-diphenylpyrene-1,8-diamine, N 1 ,N 6 -diphenyl- N 1 , N 6 -bis-(4-trimethylsilanyl-phenyl)-1H,8H-pyrene-1,6-diamine, etc.

또한, 안트라센계로서는, 예를 들면, N,N,N,N-테트라페닐안트라센-9,10-디아민, N,N,N',N'-테트라(p-톨릴)안트라센-9,10-디아민, N,N,N',N'-테트라(m-톨릴)안트라센-9,10-디아민, N,N,N',N'-테트라키스(4-이소프로필페닐)안트라센-9,10-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-디(p-톨릴)안트라센-9,10-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-디(m-톨릴)안트라센-9,10-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-에틸페닐)안트라센-9,10-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-에틸페닐)안트라센-9,10-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-이소프로필페닐)안트라센-9,10-디아민, N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-tert-부틸페닐)안트라센-9,10-디아민, N,N'-비스(4-이소프로필페닐)-N,N'-디(p-톨릴)안트라센-9,10-디아민, 2,6-디-tert-부틸-N,N,N',N'-테트라(p-톨릴)안트라센-9,10-디아민, 2,6-디-tert-부틸-N,N'-디페닐-N,N'-비스(4-이소프로필페닐)안트라센-9,10-디아민, 2,6-디-tert-부틸-N,N'-비스(4-이소프로필페닐)-N,N'-디(p-톨릴)안트라센-9,10-디아민, 2,6-디시클로헥실-N,N'-비스(4-이소프로필페닐)-N,N'-디(p-톨릴)안트라센-9,10-디아민, 2,6-디시클로헥실-N,N'-비스(4-이소프로필페닐)-N,N'-비스(4-tert-부틸페닐)안트라센-9,10-디아민, 9,10-비스(4-디페닐아미노-페닐)안트라센, 9,10-비스(4-디(1-나프틸아미노)페닐)안트라센, 9,10-비스(4-디(2-나프틸아미노)페닐)안트라센, 10-디-p-톨릴아미노-9-(4-디-p-톨릴아미노-1-나프틸)안트라센, 10-디페닐아미노-9-(4-디페닐아미노-1-나프틸)안트라센, 10-디페닐아미노-9-(6-디페닐아미노-2-나프틸)안트라센 등이 있다.Additionally, examples of anthracene series include N,N,N,N-tetraphenylanthracene-9,10-diamine, N,N,N',N'-tetra(p-tolyl)anthracene-9,10- Diamine, N,N,N',N'-tetra(m-tolyl)anthracene-9,10-diamine, N,N,N',N'-tetrakis(4-isopropylphenyl)anthracene-9,10 -Diamine, N,N'-diphenyl-N,N'-di(p-tolyl)anthracene-9,10-diamine, N,N'-diphenyl-N,N'-di(m-tolyl)anthracene -9,10-diamine, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(4-ethylphenyl)anthracene-9,10-diamine, N,N'-diphenyl-N,N'-bis( 4-ethylphenyl)anthracene-9,10-diamine, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(4-isopropylphenyl)anthracene-9,10-diamine, N,N'-diphenyl- N,N'-bis(4-tert-butylphenyl)anthracene-9,10-diamine, N,N'-bis(4-isopropylphenyl)-N,N'-di(p-tolyl)anthracene-9 ,10-diamine, 2,6-di-tert-butyl-N,N,N',N'-tetra(p-tolyl)anthracene-9,10-diamine, 2,6-di-tert-butyl-N ,N'-diphenyl-N,N'-bis(4-isopropylphenyl)anthracene-9,10-diamine, 2,6-di-tert-butyl-N,N'-bis(4-isopropylphenyl) )-N,N'-di(p-tolyl)anthracene-9,10-diamine, 2,6-dicyclohexyl-N,N'-bis(4-isopropylphenyl)-N,N'-di( p-Tolyl)anthracene-9,10-diamine, 2,6-dicyclohexyl-N,N'-bis(4-isopropylphenyl)-N,N'-bis(4-tert-butylphenyl)anthracene- 9,10-diamine, 9,10-bis(4-diphenylamino-phenyl)anthracene, 9,10-bis(4-di(1-naphthylamino)phenyl)anthracene, 9,10-bis(4- Di(2-naphthylamino)phenyl)anthracene, 10-di-p-tolylamino-9-(4-di-p-tolylamino-1-naphthyl)anthracene, 10-diphenylamino-9-(4 -Diphenylamino-1-naphthyl)anthracene, 10-diphenylamino-9-(6-diphenylamino-2-naphthyl)anthracene, etc.

또한, 그 외에는, [4-(4-디페닐아미노-페닐)나프탈렌-1-일]-디페닐아민, [6-(4-디페닐아미노-페닐)나프탈렌-2-일]-디페닐아민, 4,4'-비스[4-디페닐아미노나프탈렌-1-일]비페닐, 4,4'-비스[6-디페닐아미노나프탈렌-2-일]비페닐, 4,4"-비스[4-디페닐아미노나프탈렌-1-일]-p-테르페닐, 4,4"-비스[6-디페닐아미노나프탈렌-2-일]-p-테르페닐 등을 예로 들 수 있다.In addition, [4-(4-diphenylamino-phenyl)naphthalen-1-yl]-diphenylamine, [6-(4-diphenylamino-phenyl)naphthalen-2-yl]-diphenylamine , 4,4'-bis[4-diphenylaminonaphthalen-1-yl]biphenyl, 4,4'-bis[6-diphenylaminonaphthalen-2-yl]biphenyl, 4,4"-bis[ Examples include 4-diphenylaminonaphthalen-1-yl]-p-terphenyl, 4,4"-bis[6-diphenylaminonaphthalen-2-yl]-p-terphenyl, etc.

또한, 일본 공개특허 제2006-156888호 공보 등에 기재된 방향족 아민 유도체를 사용할 수도 있다.Additionally, aromatic amine derivatives described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-156888 and the like can also be used.

쿠마린 유도체로서는, 쿠마린-6, 쿠마린-334 등을 예로 들 수 있다.Examples of coumarin derivatives include coumarin-6 and coumarin-334.

또한, 일본 공개특허 제2004-43646호 공보, 일본 공개특허 제2001-76876호 공보, 및 일본 공개특허 평6-298758호 공보 등에 기재된 쿠마린 유도체를 사용할 수도 있다.Additionally, coumarin derivatives described in Japanese Patent Laid-Open No. 2004-43646, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-76876, and Japanese Patent Laid-Open No. 6-298758 can also be used.

피란 유도체로서는, 하기 DCM, DCJTB 등을 예로 들 수 있다.Examples of pyran derivatives include the following DCM and DCJTB.

Figure 112020077643373-pct00145
Figure 112020077643373-pct00145

또한, 일본 공개특허 제2005-126399호 공보, 일본 공개특허 제2005-097283호 공보, 일본 공개특허 제2002-234892호 공보, 일본 공개특허 제2001-220577호 공보, 일본 공개특허 제2001-081090호 공보, 및 일본 공개특허 제2001-052869호 공보 등에 기재된 피란 유도체를 사용할 수도 있다.In addition, Japanese Patent Laid-open No. 2005-126399, Japanese Patent Laid-Open No. 2005-097283, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-234892, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-220577, and Japanese Patent Laid-Open No. 2001-081090. The pyran derivatives described in the publication, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-052869, etc. can also be used.

<유기전계 발광소자에서의 전자주입층, 전자수송층><Electron injection layer and electron transport layer in organic electroluminescent devices>

전자주입층(107)은, 음극(108)으로부터 이동하여 오는 전자를, 효율적으로 발광층(105) 내 또는 전자수송층(106) 내에 주입하는 역할을 한다. 전자수송층(106)은, 음극(108)으로부터 주입된 전자 또는 음극(108)으로부터 전자주입층(107)을 통하여 주입된 전자를, 효율적으로 발광층(105)에 수송하는 역할을 한다. 전자수송층(106) 및 전자주입층(107)은, 각각, 전자 수송·주입 재료의 1종 또는 2종 이상을 적층, 혼합하거나, 전자 수송·주입 재료와 고분자 결착제의 혼합물에 의해 형성된다.The electron injection layer 107 serves to efficiently inject electrons moving from the cathode 108 into the light emitting layer 105 or the electron transport layer 106. The electron transport layer 106 serves to efficiently transport electrons injected from the cathode 108 or electrons injected from the cathode 108 through the electron injection layer 107 to the light emitting layer 105. The electron transport layer 106 and the electron injection layer 107 are formed by laminating or mixing one or two or more types of electron transport/injection material, or a mixture of an electron transport/injection material and a polymer binder, respectively.

전자 주입·수송층은, 음극으로부터 전자가 주입되고, 또한 전자를 수송하는 것을 담당하는 층이며, 전자 주입 효율이 높고, 주입된 전자를 효율적으로 수송하는 것이 바람직하다. 이를 위해서는 전자 친화력이 크고, 또한 전자 이동도가 크며, 또한 안정성이 우수하고, 트랩이 되는 불순물이 제조 시 및 사용 시에 쉽게 생기지 않는 물질인 것이 바람직하다. 그러나, 정공과 전자의 수송 밸런스를 고려할 경우에, 양극으로부터의 정공이 재결합하지 않고 음극 측으로 흐르는 것을 효율적으로 저지할 수 있는 역할을 주로 행하는 경우에는, 전자 수송 능력이 그렇게 높지 않아도, 발광 효율을 향상시키는 효과는 전자 수송 능력이 높은 재료와 동등하게 가진다. 따라서, 본 실시형태에 있어서의 전자 주입·수송층은, 정공의 이동을 효율적으로 저지할 수 있는 층의 기능도 포함되어도 된다.The electron injection/transport layer is a layer responsible for injecting and transporting electrons from the cathode. It is desirable for the electron injection efficiency to be high and the injected electrons to be transported efficiently. For this purpose, it is desirable to use a material that has high electron affinity, high electron mobility, excellent stability, and does not easily produce impurities that become traps during manufacture and use. However, when considering the transport balance between holes and electrons, if the role is mainly to efficiently prevent holes from the anode from flowing to the cathode without recombining, the luminous efficiency is improved even if the electron transport ability is not that high. The effect is equivalent to that of materials with high electron transport ability. Accordingly, the electron injection/transport layer in this embodiment may also include a function of a layer that can efficiently prevent the movement of holes.

전자수송층(106) 또는 전자주입층(107)을 형성하는 재료(전자수송 재료)로서는, 본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 광 도전 재료에 있어서 전자 전달 화합물로서 종래부터 관용되고 있는 화합물, 유기전계 발광소자의 전자주입층 및 전자수송층에 사용되고 있는 공지의 화합물 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다.As the material (electron transport material) forming the electron transport layer 106 or the electron injection layer 107, the compound according to the present invention and its polymer compound can be used. In addition, compounds conventionally used as electron transport compounds in photoconductive materials and known compounds used in the electron injection layer and electron transport layer of organic electroluminescent devices can be arbitrarily selected and used.

전자수송층 또는 전자주입층에 사용되는 재료로서는, 탄소, 수소, 산소, 유황, 규소 및 인 중에서 선택되는 1종 이상의 원자로 구성되는 방향환 혹은 복소방향환으로 이루어지는 화합물, 피롤 유도체 및 그의 축합환 유도체 및 전자 수용성 질소를 가지는 금속 착체 중에서 선택되는 적어도 1종을 함유하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 나프탈렌, 안트라센 등의 축합환계 방향환 유도체, 4,4'-비스(디페닐에테닐)비페닐로 대표되는 스티릴계 방향환 유도체, 페리논 유도체, 쿠마린 유도체, 나프탈이미드 유도체, 안트라퀴논이나 디페노퀴논 등의 퀴논 유도체, 인옥사이드유도체, 카르바졸 유도체 및 인돌 유도체 등을 예로 들 수 있다. 전자 수용성 질소를 가지는 금속 착체로서는, 예를 들면, 하이드록시페닐옥사졸 착체 등의 하이드록시아졸 착체, 아조메틴 착체, 트로폴론 금속 착체, 플라보놀 금속 착체 및 벤조퀴놀린 금속 착체 등이 있다. 이들 재료는 단독으로도 사용되지만, 상이한 재료와 혼합하여 사용해도 상관없다.Materials used in the electron transport layer or electron injection layer include compounds consisting of an aromatic or heteroaromatic ring composed of one or more atoms selected from carbon, hydrogen, oxygen, sulfur, silicon, and phosphorus, pyrrole derivatives, and condensed ring derivatives thereof, and It is preferable to contain at least one type selected from metal complexes having electron-accepting nitrogen. Specifically, condensed ring aromatic ring derivatives such as naphthalene and anthracene, styryl aromatic ring derivatives such as 4,4'-bis(diphenylethenyl)biphenyl, perinone derivatives, coumarin derivatives, and naphthalimide derivatives. , quinone derivatives such as anthraquinone and diphenoquinone, phosphorus derivatives, carbazole derivatives, and indole derivatives. Examples of metal complexes having electron-accepting nitrogen include hydroxyazole complexes such as hydroxyphenyloxazole complex, azomethine complex, tropolone metal complex, flavonol metal complex, and benzoquinoline metal complex. These materials can be used alone, but may be used in combination with different materials.

또한, 다른 전자 전달 화합물의 구체예로서, 피리딘 유도체, 나프탈렌 유도체, 안트라센 유도체, 페난트롤린 유도체, 페리논 유도체, 쿠마린 유도체, 나프탈이미드 유도체, 안트라퀴논 유도체, 디페노퀴논 유도체, 디페닐퀴논 유도체, 페릴렌 유도체, 옥사디아졸 유도체(1,3-비스[(4-tert-부틸페닐)1,3,4-옥사디아졸릴]페닐렌 등), 티오펜 유도체, 트리아졸 유도체(N-나프틸-2,5-디페닐-1,3,4-트리아졸 등), 티아디아졸 유도체, 옥신 유도체의 금속 착체, 퀴놀리놀계 금속 착체, 퀴녹살린 유도체, 퀴녹살린 유도체의 폴리머, 벤자졸류 화합물, 갈륨 착체, 피라졸 유도체, 퍼플루오로화 페닐렌 유도체, 트리아진 유도체, 피라진 유도체, 벤조퀴놀린 유도체(2,2'-비스(벤조[h]퀴놀린-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 등), 이미다조피리딘 유도체, 보란 유도체, 벤조이미다졸 유도체(트리스(N-페닐벤조이미다졸-2-일)벤젠 등), 벤즈옥사졸 유도체, 벤조티아졸 유도체, 퀴놀린 유도체, 테르피리딘 등의 올리고 피리딘 유도체, 비피리딘 유도체, 테르피리딘 유도체(1,3-비스(4'-(2,2': 6'2"-테르피리디닐))벤젠 등), 나프티리딘 유도체(비스(1-나프틸)-4-(1,8-나프티리딘-2-일)페닐포스핀옥사이드 등), 알다진 유도체, 카르바졸 유도체, 인돌 유도체, 인옥사이 드유도체, 비스스티릴 유도체 등을 들 수 있다.Additionally, specific examples of other electron transfer compounds include pyridine derivatives, naphthalene derivatives, anthracene derivatives, phenanthroline derivatives, perinone derivatives, coumarin derivatives, naphthalimide derivatives, anthraquinone derivatives, diphenoquinone derivatives, and diphenylquinone. Derivatives, perylene derivatives, oxadiazole derivatives (1,3-bis[(4-tert-butylphenyl)1,3,4-oxadiazolyl]phenylene, etc.), thiophene derivatives, triazole derivatives (N- (naphthyl-2,5-diphenyl-1,3,4-triazole, etc.), thiadiazole derivatives, metal complexes of auxin derivatives, quinolinol-based metal complexes, quinoxaline derivatives, polymers of quinoxaline derivatives, benzazoles Compounds, gallium complex, pyrazole derivative, perfluorinated phenylene derivative, triazine derivative, pyrazine derivative, benzoquinoline derivative (2,2'-bis(benzo[h]quinolin-2-yl)-9,9' -spirobifluorene, etc.), imidazopyridine derivatives, borane derivatives, benzoimidazole derivatives (tris(N-phenylbenzoimidazol-2-yl)benzene, etc.), benzoxazole derivatives, benzothiazole derivatives, quinoline derivatives , oligopyridine derivatives such as terpyridine, bipyridine derivatives, terpyridine derivatives (1,3-bis(4'-(2,2': 6'2"-terpyridinyl))benzene, etc.), naphthyridine derivatives ( Bis(1-naphthyl)-4-(1,8-naphthyridin-2-yl)phenylphosphine oxide, etc.), aldazine derivatives, carbazole derivatives, indole derivatives, in oxide derivatives, bistyryl derivatives, etc. can be mentioned.

또한, 전자 수용성 질소를 가지는 금속 착체를 사용할 수도 있고, 예를 들면, 퀴놀리놀계 금속 착체나 하이드록시페닐옥사졸 착체 등의 하이드록시아졸 착체, 아조메틴 착체, 트로폴론 금속 착체, 플라보놀 금속 착체 및 벤조퀴놀린 금속 착체 등이 있다.Additionally, a metal complex having an electron-accepting nitrogen can also be used, for example, quinolinol-based metal complex, hydroxyazole complex such as hydroxyphenyloxazole complex, azomethine complex, tropolone metal complex, and flavonol metal complex. and benzoquinoline metal complexes.

전술한 재료는 단독으로도 사용되지만, 상이한 재료와 혼합하여 사용해도 상관없다.The above-mentioned materials can be used alone, but may be used in combination with different materials.

전술한 재료 중에서도, 퀴놀리놀계 금속 착체, 비피리딘 유도체, 페난트롤린 유도체 또는 보란 유도체가 바람직하다.Among the above-mentioned materials, quinolinol-based metal complexes, bipyridine derivatives, phenanthroline derivatives, or borane derivatives are preferable.

퀴놀리놀계 금속 착체는, 하기 일반식(E-1)으로 표시되는 화합물이다.The quinolinol-based metal complex is a compound represented by the following general formula (E-1).

Figure 112020077643373-pct00146
Figure 112020077643373-pct00146

식 중, R1∼R6는 수소 또는 치환기이며, M은 Li, Al, Ga, Be 또는 Zn이며, n은 1∼3의 정수이다.In the formula, R 1 to R 6 are hydrogen or a substituent, M is Li, Al, Ga, Be or Zn, and n is an integer of 1 to 3.

퀴놀리놀계 금속 착체의 구체예로서는, 8-퀴놀리놀리튬, 트리스(8-퀴놀리놀레이트)알루미늄, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄, 트리스(5-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄, 트리스(3,4-디메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄, 트리스(4,5-디메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄, 트리스(4,6-디메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(2-메틸페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(3-메틸페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(4-메틸페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(2-페닐페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(3-페닐페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(4-페닐페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(2,3-디메틸페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(2,6-디메틸페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(3,4-디메틸페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(3,5-디메틸페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(3,5-디-tert-부틸페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(2,6-디페닐페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(2,4,6-트리페닐페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(2,4,6-트리메틸페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(2,4,5,6-테트라메틸페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(1-나프톨레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)(2-나프톨레이트)알루미늄, 비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리놀레이트)(2-페닐페놀레이트)알루미늄, 비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리놀레이트)(3-페닐페놀레이트)알루미늄, 비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리놀레이트)(4-페닐페놀레이트)알루미늄, 비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리놀레이트)(3,5-디메틸페놀레이트)알루미늄, 비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리놀레이트)(3,5-디-tert-부틸페놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄-μ-옥소-비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄, 비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄-μ-옥소-비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-4-에틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄-μ-옥소-비스(2-메틸-4-에틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-4-메톡시-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄-μ-옥소-비스(2-메틸-4-메톡시-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-5-시아노-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄-μ-옥소-비스(2-메틸-5-시아노-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄, 비스(2-메틸-5-트리플루오로메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄-μ-옥소-비스(2-메틸-5-트리플루오로메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀린)베릴륨 등을 들 수 있다.Specific examples of quinolinol-based metal complexes include 8-quinolinol lithium, tris (8-quinolinolate) aluminum, tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum, and tris (5-methyl-8- Quinolinolate) aluminum, tris(3,4-dimethyl-8-quinolinolate) aluminum, tris(4,5-dimethyl-8-quinolinolate) aluminum, tris(4,6-dimethyl-8) -Quinolinolate) aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinolate)(phenolate) aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinolate)(2-methylphenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate)(3-methylphenolate)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinolate)(4-methylphenolate)aluminum, bis(2-methyl-8) -Quinolinolate)(2-phenylphenolate)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinolate)(3-phenylphenolate)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinoleate) (4-phenylphenolate)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinolate)(2,3-dimethylphenolate)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinolate)(2,6 -Dimethyl phenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (3,4-dimethyl phenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (3,5-dimethyl Phenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (3,5-di-tert-butyl phenolate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (2,6 -Diphenylphenolate) aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinolate) (2,4,6-triphenylphenolate) aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinolate) (2 ,4,6-trimethylphenolate)aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinolate)(2,4,5,6-tetramethylphenolate)aluminum, bis(2-methyl-8-quinoli) Nolate) (1-naphtholate) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolate) (2-naphtolate) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolate) (2- Phenylphenolate) aluminum, bis(2,4-dimethyl-8-quinolinolate)(3-phenylphenolate) aluminum, bis(2,4-dimethyl-8-quinolinolate)(4-phenylphenol) Late) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolate) (3,5-dimethyl phenolate) aluminum, bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolate) (3,5- di-tert-butylphenolate) aluminum, bis(2-methyl-8-quinolinolate) aluminum-μ-oxo-bis(2-methyl-8-quinolinolate) aluminum, bis(2,4- Dimethyl-8-quinolinoleate) aluminum-μ-oxo-bis(2,4-dimethyl-8-quinolinoleate) aluminum, bis(2-methyl-4-ethyl-8-quinolinolate) aluminum -μ-oxo-bis(2-methyl-4-ethyl-8-quinolinolate)aluminum, bis(2-methyl-4-methoxy-8-quinolinoleate)aluminum-μ-oxo-bis( 2-methyl-4-methoxy-8-quinolinolate) aluminum, bis(2-methyl-5-cyano-8-quinolinoleate) aluminum-μ-oxo-bis(2-methyl-5- Cyano-8-quinolinolate) aluminum, bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolate) aluminum-μ-oxo-bis (2-methyl-5-trifluoromethyl -8-quinolinolate)aluminum, bis(10-hydroxybenzo[h]quinoline)beryllium, etc.

비피리딘 유도체는, 하기 일반식(E-2)으로 표시되는 화합물이다.A bipyridine derivative is a compound represented by the following general formula (E-2).

Figure 112020077643373-pct00147
Figure 112020077643373-pct00147

식 중, G는 단지 결합손 또는 n가의 연결기를 나타내고, n은 2∼8의 정수이다. 또한, 피리딘-피리딘 또는 피리딘-G의 결합에 사용되지 않은 탄소는 치환되어 있어도 된다.In the formula, G simply represents a bond or an n-valent linking group, and n is an integer of 2 to 8. Additionally, carbons not used in the pyridine-pyridine or pyridine-G bond may be substituted.

일반식(E-2)의 G로서는, 예를 들면, 이하의 구조식울 가지는 것이 있다. 그리고, 하기 구조식 중의 R은, 각각 독립적으로, 수소, 메틸, 에틸, 이소프로필, 시클로헥실, 페닐, 1-나프틸, 2-나프틸, 비페니릴 또는 테르페닐릴이다.For example, G in general formula (E-2) has the following structural formula. In the structural formula below, R is each independently hydrogen, methyl, ethyl, isopropyl, cyclohexyl, phenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, biphenylyl, or terphenylyl.

Figure 112020077643373-pct00148
Figure 112020077643373-pct00148

피리딘 유도체의 구체예로서는, 2,5-비스(2,2'-피리딘-6-일)-1,1-디메틸-3,4-디페닐실롤, 2,5-비스(2,2'-피리딘-6-일)-1,1-디메틸-3,4-디메시틸실롤, 2,5-비스(2,2'-피리딘-5-일)-1,1-디메틸-3,4-디페닐실롤, 2,5-비스(2,2'-피리딘-5-일)-1,1-디메틸-3,4-디메시틸실롤, 9,10-디(2,2'-피리딘-6-일)안트라센, 9,10-디(2,2'-피리딘-5-일)안트라센, 9,10-디(2,3'-피리딘-6-일)안트라센, 9,10-디(2,3'-피리딘-5-일)안트라센, 9,10-디(2,3'-피리딘-6-일)-2-페닐안트라센, 9,10-디(2,3'-피리딘-5-일)-2-페닐안트라센, 9,10-디(2,2'-피리딘-6-일)-2-페닐안트라센, 9,10-디(2,2'-피리딘-5-일)-2-페닐안트라센, 9,10-디(2,4'-피리딘-6-일)-2-페닐안트라센, 9,10-디(2,4'-피리딘-5-일)-2-페닐안트라센, 9,10-디(3,4'-피리딘-6-일)-2-페닐안트라센, 9,10-디(3,4'-피리딘-5-일)-2-페닐안트라센, 3,4-디페닐-2,5-디(2,2'-피리딘-6-일)티오펜, 3,4-디페닐-2,5-디(2,3'-피리딘-5-일)티오펜, 6',6"-디(2-피리딜)2,2':4',4":2",2"'-쿼터피리딘 등을 들 수 있다.Specific examples of pyridine derivatives include 2,5-bis(2,2'-pyridin-6-yl)-1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilol, 2,5-bis(2,2'-pyridine) -6-yl)-1,1-dimethyl-3,4-dimethylsilol, 2,5-bis(2,2'-pyridin-5-yl)-1,1-dimethyl-3,4-di Phenylsilol, 2,5-bis(2,2'-pyridin-5-yl)-1,1-dimethyl-3,4-dimethylsilol, 9,10-di(2,2'-pyridin-6 -yl)anthracene, 9,10-di(2,2'-pyridin-5-yl)anthracene, 9,10-di(2,3'-pyridin-6-yl)anthracene, 9,10-di(2) ,3'-pyridin-5-yl)anthracene, 9,10-di(2,3'-pyridin-6-yl)-2-phenylanthracene, 9,10-di(2,3'-pyridin-5- 1)-2-phenylanthracene, 9,10-di(2,2'-pyridin-6-yl)-2-phenylanthracene, 9,10-di(2,2'-pyridin-5-yl)-2 -Phenylanthracene, 9,10-di(2,4'-pyridin-6-yl)-2-phenylanthracene, 9,10-di(2,4'-pyridin-5-yl)-2-phenylanthracene, 9,10-di(3,4'-pyridin-6-yl)-2-phenylanthracene, 9,10-di(3,4'-pyridin-5-yl)-2-phenylanthracene, 3,4- Diphenyl-2,5-di(2,2'-pyridin-6-yl)thiophene, 3,4-diphenyl-2,5-di(2,3'-pyridin-5-yl)thiophene, 6',6"-di(2-pyridyl)2,2':4',4":2",2"'-quarterpyridine, etc.

페난트롤린 유도체는, 하기 일반식(E-3-1) 또는 일반식(E-3-2)으로 표시되는 화합물이다.Phenanthroline derivatives are compounds represented by the following general formula (E-3-1) or (E-3-2).

Figure 112020077643373-pct00149
Figure 112020077643373-pct00149

식 중, R1∼R8은 수소 또는 치환기이며, 인접하는 기는 서로 결합하여 축합환을 형성해도 되고, G는 단지 결합손 또는 n가의 연결기를 나타내고, n은 2∼8의 정수이다. 또한, 일반식(E-3-2)의 G로서는, 예를 들면, 비피리딘 유도체의 란에서 설명한 G와 동일한 구조식이다.In the formula, R 1 to R 8 are hydrogen or a substituent, adjacent groups may combine with each other to form a condensed ring, G simply represents a bond or an n-valent linking group, and n is an integer of 2 to 8. In addition, G in the general formula (E-3-2) is, for example, the same structural formula as G described in the section on bipyridine derivatives.

페난트롤린 유도체의 구체예로서는, 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린, 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린, 9,10-디(1,10-페난트롤린-2-일)안트라센, 2,6-디(1,10-페난트롤린-5-일)피리딘, 1,3,5-트리(1,10-페난트롤린-5-일)벤젠, 9,9'-디플루오로-비스(1,10-페난트롤린-5-일), 바소큐프로인이나 1,3-비스(2-페닐-1,10-페난트롤린-9-일)벤젠 등을 들 수 있다.Specific examples of phenanthroline derivatives include 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, and 9,10-di( 1,10-phenanthroline-2-yl)anthracene, 2,6-di(1,10-phenanthroline-5-yl)pyridine, 1,3,5-tri(1,10-phenanthroline- 5-yl)benzene, 9,9'-difluoro-bis(1,10-phenanthroline-5-yl), vasocuproin or 1,3-bis(2-phenyl-1,10-phenene Trolin-9-yl)benzene, etc. can be mentioned.

특히, 페난트롤린 유도체를 전자수송층, 전자주입층에 사용한 경우에 대하여 설명한다. 장시간에 걸쳐서 안정적인 발광을 얻기 위해서는, 열적 안정성이나 박막 형성성이 우수한 재료가 바람직하며, 페난트롤린 유도체 중에서도, 치환기 자신이 3차원 목표 입체 구조를 가지거나, 페난트롤린 골격과의 혹은 인접 치환기와의 입체 반발에 의해 3차원적 입체 구조를 가지는 유도체, 혹은 복수의 페난트롤린 골격을 연결한 유도체가 바람직하다. 또한, 복수의 페난트롤린 골격을 연결하는 경우, 연결 유닛 중에 공역 결합, 치환 혹은 무치환의 방향족 탄화 수소, 치환 혹은 무치환의 방향 복소환을 포함하고 있는 화합물이 더욱 바람직하다.In particular, the case where a phenanthroline derivative is used in the electron transport layer and electron injection layer will be described. In order to obtain stable light emission over a long period of time, a material with excellent thermal stability and thin film formation is desirable. Among phenanthroline derivatives, the substituent itself has a three-dimensional target three-dimensional structure, or is connected to the phenanthroline skeleton or with an adjacent substituent. A derivative having a three-dimensional structure due to steric repulsion, or a derivative in which a plurality of phenanthroline skeletons are linked is preferable. Additionally, when connecting multiple phenanthroline skeletons, a compound containing a conjugate bond, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon, or a substituted or unsubstituted aromatic heterocycle in the connecting unit is more preferable.

보란 유도체는, 하기 일반식(E-4)으로 표시되는 화합물이며, 상세한 것은 일본 공개특허 제2007-27587호 공보에 개시되어 있다.Borane derivatives are compounds represented by the following general formula (E-4), and details are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-27587.

Figure 112020077643373-pct00150
Figure 112020077643373-pct00150

식 중, R11 및 R12는, 각각 독립적으로, 수소, 알킬, 치환되어 있어도 되는 아릴, 치환되어 있는 실릴, 치환되어 있어도 되는 질소 함유 복소환, 또는 시아노 중 적어도 1개이며, R13∼R16은, 각각 독립적으로, 치환되어 있어도 되는 알킬, 또는 치환되어 있어도 되는 아릴이며, X는, 치환되어 있어도 되는 아릴렌이며, Y는, 치환되어 있어도 되는 탄소수 16 이하의 아릴, 치환되어 있는 보릴, 또는 치환되어 있어도 되는 카르바졸릴이며, 그리고, n은 각각 독립적으로 0∼3의 정수이다.In the formula, R 11 and R 12 are each independently at least one of hydrogen, alkyl, optionally substituted aryl, substituted silyl, optionally substituted nitrogen-containing heterocycle, or cyano, and R 13 to R 16 is each independently optionally substituted alkyl or optionally substituted aryl, , or carbazolyl which may be substituted, and n is each independently an integer of 0 to 3.

상기 일반식(E-4)으로 표시되는 화합물 중에서도, 하기 일반식(E-4-1)으로 표시되는 화합물, 나아가서는 하기 일반식(E-4-1-1)∼일반식(E-4-1-4)으로 표시되는 화합물이 바람직하다. 구체예로서는, 9-[4-(4-디메시틸보릴나프탈렌-1-일)페닐]카르바졸, 9-[4-(4-디메시틸보릴나프탈렌-1-일)나프탈렌-1-일]카르바졸 등을 들 수 있다.Among the compounds represented by the above general formula (E-4), there are compounds represented by the following general formula (E-4-1), and furthermore, the following general formulas (E-4-1-1) to (E-4) Compounds represented by -1-4) are preferred. Specific examples include 9-[4-(4-dimesitylborylnaphthalen-1-yl)phenyl]carbazole, 9-[4-(4-dimesitylborylnaphthalen-1-yl)naphthalen-1-yl] Carbazole, etc. can be mentioned.

Figure 112020077643373-pct00151
Figure 112020077643373-pct00151

식 중, R11 및 R12는, 각각 독립적으로, 수소, 알킬, 치환되어 있어도 되는 아릴, 치환되어 있는 실릴, 치환되어 있어도 되는 질소 함유 복소환, 또는 시아노 중 적어도 1개 이상이며, R13∼R16은, 각각 독립적으로, 치환되어 있어도 되는 알킬, 또는 치환되어 있어도 되는 아릴이며, R21 및 R22는, 각각 독립적으로, 수소, 알킬, 치환되어 있어도 되는 아릴, 치환되어 있는 실릴, 치환되어 있어도 되는 질소 함유 복소환, 또는 시아노 중 적어도 1개이며, X1은, 치환되어 있어도 되는 탄소수 20 이하의 아릴렌이며, n은 각각 독립적으로 0∼3의 정수이며, 그리고, m은 각각 독립적으로 0∼4의 정수이다.In the formula, R 11 and R 12 are each independently at least one of hydrogen, alkyl, optionally substituted aryl, substituted silyl, optionally substituted nitrogen-containing heterocycle, or cyano, and R 13 ~R 16 are each independently optionally substituted alkyl or optionally substituted aryl, and R 21 and R 22 are each independently hydrogen, alkyl, optionally substituted aryl, substituted silyl, or substituted is at least one of an optional nitrogen-containing heterocycle or cyano ring, It is independently an integer from 0 to 4.

Figure 112020077643373-pct00152
Figure 112020077643373-pct00152

각 식 중, R31∼R34는, 각각 독립적으로, 메틸, 이소프로필 또는 페닐 중 어느 하나이며, 그리고, R35 및 R36은, 각각 독립적으로, 수소, 메틸, 이소프로필 또는 페닐 중 어느 하나이다.In each formula, R 31 to R 34 are each independently any of methyl, isopropyl, or phenyl, and R 35 and R 36 are each independently any of hydrogen, methyl, isopropyl, or phenyl. .

상기 일반식(E-4)으로 표시되는 화합물 중에서도, 하기 일반식(E-4-2)으로 표시되는 화합물, 나아가서는 하기 일반식(E-4-2-1)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.Among the compounds represented by the above general formula (E-4), compounds represented by the following general formula (E-4-2) and further compounds represented by the following general formula (E-4-2-1) are preferred. .

Figure 112020077643373-pct00153
Figure 112020077643373-pct00153

식 중, R11 및 R12는, 각각 독립적으로, 수소, 알킬, 치환되어 있어도 되는 아릴, 치환되어 있는 실릴, 치환되어 있어도 되는 질소 함유 복소환, 또는 시아노 중 적어도 1개이며, R13∼R16은, 각각 독립적으로, 치환되어 있어도 되는 알킬, 또는 치환되어 있어도 되는 아릴이며, X1은, 치환되어 있어도 되는 탄소수 20 이하의 아릴렌이며, 그리고, n은 각각 독립적으로 0∼3의 정수이다.In the formula, R 11 and R 12 are each independently at least one of hydrogen, alkyl, optionally substituted aryl, substituted silyl, optionally substituted nitrogen-containing heterocycle, or cyano, and R 13 to R 16 is each independently optionally substituted alkyl or optionally substituted aryl, X 1 is optionally substituted arylene with 20 or less carbon atoms, and n is each independently an integer of 0 to 3. am.

Figure 112020077643373-pct00154
Figure 112020077643373-pct00154

식 중, R31∼R34는, 각각 독립적으로, 메틸, 이소프로필 또는 페닐 중 어느 하나이며, 그리고, R35 및 R36은, 각각 독립적으로, 수소, 메틸, 이소프로필 또는 페닐 중 어느 하나이다.In the formula, R 31 to R 34 are each independently any of methyl, isopropyl, or phenyl, and R 35 and R 36 are each independently any of hydrogen, methyl, isopropyl, or phenyl.

상기 일반식(E-4)으로 표시되는 화합물 중에서도, 하기 일반식(E-4-3)으로 표시되는 화합물, 나아가서는 하기 일반식(E-4-3-1) 또는 일반식(E-4-3-2)으로 표시되는 화합물이 바람직하다.Among the compounds represented by the general formula (E-4), compounds represented by the following general formula (E-4-3), and furthermore, compounds represented by the following general formula (E-4-3-1) or general formula (E-4) The compound represented by -3-2) is preferable.

Figure 112020077643373-pct00155
Figure 112020077643373-pct00155

식 중, R11 및 R12는, 각각 독립적으로, 수소, 알킬, 치환되어 있어도 되는 아릴, 치환되어 있는 실릴, 치환되어 있어도 되는 질소 함유 복소환, 또는 시아노 중 적어도 1개이며, R13∼R16은, 각각 독립적으로, 치환되어 있어도 되는 알킬, 또는 치환되어 있어도 되는 아릴이며, X1은, 치환되어 있어도 되는 탄소수 10 이하의 아릴렌이며, Y1은, 치환되어 있어도 되는 탄소수 14 이하의 아릴이며, 그리고, n은 각각 독립적으로 0∼3의 정수이다.In the formula, R 11 and R 12 are each independently at least one of hydrogen, alkyl, optionally substituted aryl, substituted silyl, optionally substituted nitrogen-containing heterocycle, or cyano, and R 13 to R 16 is each independently optionally substituted alkyl or optionally substituted aryl, X 1 is optionally substituted arylene with 10 or less carbon atoms, and Y 1 is optionally substituted with 14 or less carbon atoms. It is aryl, and n is each independently an integer of 0 to 3.

Figure 112020077643373-pct00156
Figure 112020077643373-pct00156

각 식 중, R31∼R34는, 각각 독립적으로, 메틸, 이소프로필 또는 페닐 중 어느 하나이며, 그리고, R35 및 R36은, 각각 독립적으로, 수소, 메틸, 이소프로필 또는 페닐 중 어느 하나이다.In each formula, R 31 to R 34 are each independently any of methyl, isopropyl, or phenyl, and R 35 and R 36 are each independently any of hydrogen, methyl, isopropyl, or phenyl. .

벤즈이미다졸 유도체는, 하기 일반식(E-5)으로 표시되는 화합물이다.A benzimidazole derivative is a compound represented by the following general formula (E-5).

Figure 112020077643373-pct00157
Figure 112020077643373-pct00157

식 중, Ar1∼Ar3는 각각 독립적으로 수소 또는 치환되어도 되는 탄소수 6∼30의 아릴이다. 특히, Ar1이 치환되어도 되는 안트릴인 벤즈이미다졸 유도체가 바람직하다.In the formula, Ar 1 to Ar 3 each independently represent hydrogen or optionally substituted aryl having 6 to 30 carbon atoms. In particular, a benzimidazole derivative in which Ar 1 is an optionally substituted anthryl is preferred.

탄소수 6∼30의 아릴의 구체예는, 페닐, 1-나프틸, 2-나프틸, 아세나프틸렌-1-일, 아세나프틸렌-3-일, 아세나프틸렌-4-일, 아세나프틸렌-5-일, 플루오렌-1-일, 플루오렌-2-일, 플루오렌-3-일, 플루오렌-4-일, 플루오렌-9-일, 페날렌-1-일, 페날렌-2-일, 1-페난트릴, 2-페난트릴, 3-페난트릴, 4-페난트릴, 9-페난트릴, 1-안트릴, 2-안트릴, 9-안트릴, 플루오란텐-1-일, 플루오란텐-2-일, 플루오란텐-3-일, 플루오란텐-7-일, 플루오란텐-8-일, 트리페닐렌-1-일, 트리페닐렌-2-일, 피렌-1-일, 피렌-2-일, 피렌-4-일, 크리센-1-일, 크리센-2-일, 크리센-3-일, 크리센-4-일, 크리센-5-일, 크리센-6-일, 나프타센-1-일, 나프타센-2-일, 나프타센-5-일, 페릴렌-1-일, 페릴렌-2-일, 페릴렌-3-일, 펜타센-1-일, 펜타센-2-일, 펜타센-5-일, 펜타센-6-일이다.Specific examples of aryl having 6 to 30 carbon atoms include phenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, acenaphthylene-1-yl, acenaphthylen-3-yl, acenaphthylene-4-yl, and acenaphthylene. -5-yl, fluoren-1-yl, fluoren-2-yl, fluoren-3-yl, fluoren-4-yl, fluoren-9-yl, phenalen-1-yl, phenalen- 2-yl, 1-phenanthryl, 2-phenanthryl, 3-phenanthryl, 4-phenanthryl, 9-phenanthryl, 1-anthryl, 2-anthryl, 9-anthryl, fluoranthene-1- 1, fluoranthen-2-yl, fluoranthen-3-yl, fluoranthen-7-yl, fluoranthen-8-yl, triphenylen-1-yl, triphenylen-2-yl, Pyrene-1-yl, pyrene-2-yl, pyrene-4-yl, chrysen-1-yl, chrysen-2-yl, chrysen-3-yl, chrysen-4-yl, chrysen-5 -yl, chrysene-6-yl, naphthacene-1-yl, naphthacene-2-yl, naphthacene-5-yl, perylene-1-yl, perylene-2-yl, perylene-3- 1, pentacene-1-yl, pentacene-2-yl, pentacene-5-yl, pentacene-6-yl.

벤조이미다졸 유도체의 구체예는, 1-페닐-2-(4-(10-페닐안트라센-9-일)페닐)-1H-벤조[d]이미다졸, 2-(4-(10-(나프탈렌-2-일)안트라센-9-일)페닐)-1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸, 2-(3-(10-(나프탈렌-2-일)안트라센-9-일)페닐)-1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸, 5-(10-(나프탈렌-2-일)안트라센-9-일)-1,2-디페닐-1H-벤조[d]이미다졸, 1-(4-(10-(나프탈렌-2-일)안트라센-9-일)페닐)-2-페닐-1H-벤조[d]이미다졸, 2-(4-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)페닐)-1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸, 1-(4-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)페닐)-2-페닐-1H-벤조[d]이미다졸, 5-(9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센-2-일)-1,2-디페닐-1H-벤조[d]이미다졸이다.Specific examples of benzoimidazole derivatives include 1-phenyl-2-(4-(10-phenylanthracen-9-yl)phenyl)-1H-benzo[d]imidazole, 2-(4-(10-(naphthalene) -2-yl)anthracen-9-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole, 2-(3-(10-(naphthalen-2-yl)anthracen-9-yl)phenyl) -1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole, 5-(10-(naphthalen-2-yl)anthracen-9-yl)-1,2-diphenyl-1H-benzo[d]imidazole, 1 -(4-(10-(naphthalen-2-yl)anthracen-9-yl)phenyl)-2-phenyl-1H-benzo[d]imidazole, 2-(4-(9,10-di(naphthalene- 2-yl)anthracen-2-yl)phenyl)-1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole, 1-(4-(9,10-di(naphthalen-2-yl)anthracen-2-yl) Phenyl)-2-phenyl-1H-benzo[d]imidazole, 5-(9,10-di(naphthalen-2-yl)anthracen-2-yl)-1,2-diphenyl-1H-benzo[d ]It is imidazole.

전자수송층 또는 전자주입층에는, 전자수송층 또는 전자주입층을 형성하는 재료를 환원(還元)할 수 있는 물질을 더 포함할 수도 있다. 이 환원성 물질은, 일정한 환원성을 가지는 재료이면, 다양한 재료가 사용되며, 예를 들면, 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리토류 금속의 산화물, 알칼리토류 금속의 할로겐화물, 희토류 금속의 산화물, 희토류 금속의 할로겐화물, 알칼리 금속의 유기 착체, 알칼리토류 금속의 유기 착체 및 희토류 금속의 유기 착체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상을 바람직하게 사용할 수 있다.The electron transport layer or electron injection layer may further include a material capable of reducing the material forming the electron transport layer or electron injection layer. As for this reducible substance, various materials are used as long as it has a certain reducing property, for example, alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, oxide of alkali metal, halide of alkali metal, oxide of alkaline earth metal, alkali metal. One or more selected from the group consisting of halides of earth metals, oxides of rare earth metals, halides of rare earth metals, organic complexes of alkali metals, organic complexes of alkaline earth metals and organic complexes of rare earth metals can be preferably used.

바람직한 환원성 물질로서는, Na(일함수 2.36eV), K(일함수 2.28eV), Rb(일함수 2.16eV) 또는 Cs(일함수 1.95eV) 등의 알칼리 금속이나, Ca(일함수 2.9eV), Sr(일함수 2.0∼2.5eV) 또는 Ba(일함수 2.52eV) 등의 알칼리토류 금속을 예로 들 수 있으며, 일함수가 2.9eV 이하인 재료가 특히 바람직하다. 이들 중, 보다 바람직한 환원성 물질은, K, Rb 또는 Cs의 알칼리 금속이며, 더욱 바람직하게는 Rb 또는 Cs이며, 가장 바람직한 것은 Cs이다. 이들 알칼리 금속은, 특히 환원 능력이 높고, 전자수송층 또는 전자주입층을 형성하는 재료로 비교적 소량을 첨가하는 것에 의해, 유기 EL 소자에서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 도모된다. 또한, 일함수가 2.9eV 이하인 환원성 물질로서, 이들 2종 이상의 알칼리 금속의 조합도 바람직하며, 특히, Cs를 포함한 조합, 예를 들면, Cs와 Na, Cs와 K, Cs와 Rb, 또는 Cs와 Na와 K의 조합이 바람직하다. Cs를 포함함으로써, 환원 능력을 효율적으로 발휘할 수 있으며, 전자수송층 또는 전자주입층을 형성하는 재료로 첨가하는 것에 의해, 유기 EL 소자에서의 발광 휘도의 향상이나 장수명화가 도모된다.Preferred reducing substances include alkali metals such as Na (work function 2.36 eV), K (work function 2.28 eV), Rb (work function 2.16 eV), or Cs (work function 1.95 eV), Ca (work function 2.9 eV), Examples include alkaline earth metals such as Sr (work function 2.0-2.5 eV) or Ba (work function 2.52 eV), and materials with a work function of 2.9 eV or less are particularly preferable. Among these, more preferable reducing substances are alkali metals of K, Rb or Cs, more preferably Rb or Cs, and most preferable is Cs. These alkali metals have a particularly high reducing ability, and by adding a relatively small amount to the material forming the electron transport layer or electron injection layer, the luminance of the organic EL device can be improved and its lifespan can be improved. In addition, as a reducing material with a work function of 2.9 eV or less, a combination of two or more of these alkali metals is also preferred, especially a combination containing Cs, for example, Cs and Na, Cs and K, Cs and Rb, or Cs and A combination of Na and K is preferred. By including Cs, the reducing ability can be efficiently exerted, and by adding it as a material forming the electron transport layer or electron injection layer, the luminance of the organic EL device can be improved and its lifespan can be improved.

<유기전계 발광소자에서의 음극><Cathode in organic electroluminescent device>

음극(108)은, 전자주입층(107) 및 전자수송층(106)을 통하여, 발광층(105)에 전자를 주입하는 역할을 한다.The cathode 108 serves to inject electrons into the light emitting layer 105 through the electron injection layer 107 and the electron transport layer 106.

음극(108)을 형성하는 재료로서는, 전자를 유기층에 효율적으로 주입할 수 있는 물질이면 특별히 한정되지 않지만, 양극(102)을 형성하는 재료와 동일한 재료를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 주석, 인듐, 칼슘, 알루미늄, 은, 동, 니켈, 크롬, 금, 백금, 철, 아연, 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘 및 마그네슘 등의 금속 또는 이들의 합금(마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 불화 리튬/알루미늄 등의 알루미늄-리튬 합금 등) 등이 바람직하다. 전자 주입 효율을 높여서 소자 특성을 향상시키기 위해서는, 리튬, 나트륨, 칼륨, 세슘, 칼슘, 마그네슘 또는 이러한 낮은 일함수 금속을 포함하는 합금이 유효하다. 그러나, 이러한 낮은 일함수 금속은 일반적으로 대기 중에서 불안정한 경우가 많다. 이 점을 개선하기 위해, 예를 들면, 유기층에 미량의 리튬, 세슘이나 마그네슘을 도핑하여, 안정성이 높은 전극을 사용하는 방법이 알려져 있다. 그 외의 도펀트로서는, 불화 리튬, 불화 세슘, 산화 리튬 및 산화 세슘과 같은 무기염도 사용할 수 있다. 단, 이들로 한정되지 않는다.The material forming the cathode 108 is not particularly limited as long as it is a material that can efficiently inject electrons into the organic layer, but the same material as the material forming the anode 102 can be used. Among them, metals such as tin, indium, calcium, aluminum, silver, copper, nickel, chromium, gold, platinum, iron, zinc, lithium, sodium, potassium, cesium and magnesium, or alloys thereof (magnesium-silver alloy, magnesium -Indium alloy, aluminum-lithium alloy such as lithium fluoride/aluminum, etc.) are preferable. In order to improve device characteristics by increasing electron injection efficiency, lithium, sodium, potassium, cesium, calcium, magnesium, or alloys containing these low work function metals are effective. However, these low work function metals are generally unstable in air. To improve this point, there is a known method of using a highly stable electrode by doping a trace amount of lithium, cesium or magnesium into the organic layer, for example. As other dopants, inorganic salts such as lithium fluoride, cesium fluoride, lithium oxide, and cesium oxide can also be used. However, it is not limited to these.

또한, 전극 보호를 위해 백금, 금, 은, 동, 철, 주석, 알루미늄 및 인듐 등의 금속, 또는 이들 금속을 사용한 합금, 그리고, 실리카, 티타니아 및 질화 규소 등의 무기물, 폴리비닐알코올, 염화 비닐, 탄화 수소계 고분자 화합물 등을 적층하는 것을, 바람직한 예로서 들 수 있다. 이들 전극의 제작법도, 저항 가열 증착, 전자빔 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 및 코팅 등, 도통(導通)할 수 있으면, 특별히 한정되지 않는다.In addition, to protect the electrode, metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum and indium, or alloys using these metals, inorganic substances such as silica, titania and silicon nitride, polyvinyl alcohol, and vinyl chloride , hydrocarbon-based polymer compounds, etc. are laminated as a preferable example. The manufacturing method of these electrodes is not particularly limited as long as conduction can be achieved, such as resistance heating evaporation, electron beam evaporation, sputtering, ion plating, and coating.

<각 층에서 사용해도 되는 결착제><Binder that can be used in each layer>

이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층에 사용되는 재료는 단독으로 각 층을 형성할 수 있지만, 고분자 결착제로서 폴리 염화 비닐, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리(N-비닐카르바졸), 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트, 폴리에스테르, 폴리술폰, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리부타디엔, 탄화 수소 수지, 케톤 수지, 페녹시 수지, 폴리아미드, 에틸 셀룰로오스, 아세트산 비닐 수지, ABS 수지, 폴리우레탄 수지 등의 용제 가용성 수지나, 페놀 수지, 크실렌 수지, 석유 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등의 경화성 수지 등에 분산시켜 사용하는 것도 가능하다.The materials used for the above hole injection layer, hole transport layer, light-emitting layer, electron transport layer, and electron injection layer can form each layer independently, but may be used as a polymer binder such as polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, or poly(N-vinylcarboxylic acid). Bazole), polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, hydrocarbon resin, ketone resin, phenoxy resin, polyamide, ethyl cellulose, vinyl acetate resin, It is used by dispersing in solvent-soluble resins such as ABS resin, polyurethane resin, and curable resins such as phenol resin, xylene resin, petroleum resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, epoxy resin, and silicone resin. It is also possible.

<유기전계 발광소자의 제작 방법><Method for manufacturing organic electroluminescent devices>

유기전계 발광소자를 구성하는 각 층은, 각 층을 구성할 재료를 증착법, 저항 가열 증착, 전자 빔 증착, 스퍼터링, 분자적층법, 인쇄법, 스핀 코팅법 또는 캐스트법, 코팅법 등의 방법으로 박막으로 함으로써, 형성할 수 있다. 이와 같이 하여 형성된 각 층의 막 두께에 대해서는 특별히 한정되지 않으며, 재료의 성질에 따라 적절하게 설정할 수 있지만, 통상 2nm∼5000nm의 범위이다. 막 두께는 통상, 수정 발진식 막 두께 측정장치 등으로 측정할 수 있다. 증착법을 사용하여 박막화하는 경우, 그 증착 조건은, 재료의 종류, 막의 목적으로 하는 결정 구조 및 회합 구조 등에 따라 상이하다. 증착 조건은 일반적으로, 보트 가열 온도 +50∼+400 ℃, 진공도 10-6∼10- 3 Pa, 증착 속도 0.01∼50 nm/초, 기판 온도 -150∼+300 ℃, 막 두께 2nm∼5㎛의 범위에서 적절하게 설정하는 것이 바람직하다.Each layer constituting the organic electroluminescent device is formed by using a method such as deposition, resistance heating deposition, electron beam deposition, sputtering, molecular stacking, printing, spin coating or casting, or coating. It can be formed by making it a thin film. The film thickness of each layer formed in this way is not particularly limited and can be set appropriately depending on the properties of the material, but is usually in the range of 2 nm to 5000 nm. The film thickness can usually be measured using a crystal oscillation type film thickness measuring device or the like. When thinning a film using a vapor deposition method, the deposition conditions vary depending on the type of material, the target crystal structure and association structure of the film, etc. Deposition conditions are generally boat heating temperature +50 to +400 ℃, vacuum degree 10 -6 to 10 - 3 Pa, deposition rate 0.01 to 50 nm/sec, substrate temperature -150 to +300 ℃, film thickness 2 nm to 5 ㎛. It is desirable to set it appropriately within the range.

다음으로, 유기전계 발광소자를 제작하는 방법의 일례로서, 양극/정공주입층/정공수송층/호스트 재료와 도펀트 재료로 이루어지는 발광층/전자수송층/전자주입층/음극으로 이루어지는 유기전계 발광소자의 제작법에 대하여 설명한다. 적절하 기판 상에, 양극 재료의 박막을 증착법 등에 의해 형성시켜 양극을 제작한 후, 이 양극 상에 정공주입층 및 정공수송층의 박막을 형성시킨다. 그 위에 호스트 재료와 도펀트 재료를 공증착하고 박막을 형성시켜 발광층으로 하고, 이 발광층 위에 전자수송층, 전자주입층을 형성시키고, 또한 음극용 물질로 이루어지는 박막을 증착법 등에 의해 형성시켜 음극으로 함으로써, 목적하는 유기전계 발광소자가 얻어진다. 그리고, 전술한 유기전계 발광소자의 제작에 있어서는, 제작 순서를 반대로 하여, 음극, 전자주입층, 전자수송층, 발광층, 정공수송층, 정공주입층, 양극의 순으로 제작할 수도 있다.Next, as an example of a method of manufacturing an organic electroluminescent device, a method of manufacturing an organic electroluminescent device composed of an anode/hole injection layer/hole transport layer/host material and a light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode composed of a dopant material is described. Explain. An anode is manufactured by forming a thin film of an anode material on an appropriate substrate by a vapor deposition method or the like, and then a thin film of a hole injection layer and a hole transport layer is formed on the anode. A thin film is formed by co-depositing a host material and a dopant material thereon to form a light-emitting layer, an electron transport layer and an electron injection layer are formed on this light-emitting layer, and a thin film made of a cathode material is formed by a deposition method or the like to form a cathode, thereby forming the desired An organic electroluminescent device is obtained. In addition, in manufacturing the above-mentioned organic electroluminescent device, the manufacturing order can be reversed and the cathode, electron injection layer, electron transport layer, light emitting layer, hole transport layer, hole injection layer, and anode can be manufactured in that order.

이와 같이 하여 얻어진 유기전계 발광소자에 직류 전압을 인가할 경우에는, 양극을 +, 음극을 -의 극성으로 하여 인가하면 되고, 전압 2∼40 V 정도를 인가하면, 투명 또는 반투명의 전극측(양극 또는 음극, 및 양쪽)으로부터 발광을 관측할 수 있다. 또한, 이 유기전계 발광소자는, 펄스 전류나 교류 전류를 인가한 경우에도 발광한다. 그리고, 인가하는 교류의 파형은 임의이면 된다.When applying a direct current voltage to the organic electroluminescent device obtained in this way, it can be applied with the anode as + and the cathode as -, and when a voltage of about 2 to 40 V is applied, the transparent or translucent electrode side (anode) Alternatively, light emission can be observed from the cathode and both sides). Additionally, this organic electroluminescent element emits light even when pulse current or alternating current is applied. And, the waveform of the applied alternating current may be arbitrary.

<유기전계 발광소자의 응용예><Application examples of organic electroluminescent devices>

또한, 본 발명은, 유기전계 발광소자를 구비한 표시 장치 또는 유기전계 발광소자를 구비한 조명 장치 등에도 응용할 수 있다. Additionally, the present invention can be applied to a display device equipped with an organic electroluminescent device, a lighting device provided with an organic electroluminescent device, etc.

유기전계 발광소자를 구비한 표시 장치 또는 조명 장치는, 본 실시형태에 따른 유기전계 발광소자와 공지의 구동 장치를 접속하는 등의 공지의 방법에 의해 제조할 수 있고, 직류 구동, 펄스 구동, 교류 구동 등의 공지의 구동 방법을 적절하게 사용하여 구동할 수 있다.A display device or lighting device equipped with an organic electroluminescent element can be manufactured by known methods such as connecting the organic electroluminescent element according to the present embodiment and a known driving device, and can be manufactured using direct current driving, pulse driving, or alternating current driving. It can be driven by appropriately using a known driving method such as driving.

표시 장치로서는, 예를 들면, 컬러 평판 디스플레이 등의 패널 디스플레이, 플렉시블 컬러 유기 전계발광(EL) 디스플레이 등의 플렉시블 디스플레이 등이 있다(예를 들면, 일본 공개특허 평10-335066호 공보, 일본 공개특허 제2003-321546호 공보, 일본 공개특허 제2004-281806호 공보 등 참조). 또한, 디스플레이의 표시 방식으로서는, 예를 들면, 매트릭스 및/또는 세그먼트 방식 등이 있다. 그리고, 매트릭스 표시와 세그먼트 표시는 동일한 패널 중에 공존하고 있어도 된다.Examples of display devices include panel displays such as color flat displays, flexible displays such as flexible color organic electroluminescence (EL) displays, etc. (e.g., Japanese Patent Laid-Open No. 10-335066, Japanese Patent Laid-Open No. 10-335066). (See Publication No. 2003-321546, Japanese Patent Laid-Open No. 2004-281806, etc.). Additionally, examples of display methods include matrix and/or segment methods. Additionally, the matrix display and segment display may coexist in the same panel.

매트릭스에서는, 표시를 위한 화소가 격자형이나 모자이크형 등의 2차원적으로 배치되어 있고, 화소의 집합으로 문자나 화상을 표시한다. 화소의 형상이나 사이즈는 용도에 따라 정해진다. 예를 들면, PC, 모니터, 텔레비전의 화상 및 문자 표시에는, 통상 한 변이 300㎛ 이하인 사각형의 화소가 사용되고, 또한 표시 패널과 같은 대형 디스플레이인 경우에는, 한 변이 mm 오더를 가지는 화소를 사용하게 된다. 흑백 표시인 경우에는, 동일한 색의 화소를 배열하는 것이 바람직하지만, 컬러 표시의 경우에는, 적, 녹, 청색 화소를 배열하여 표시시킨다. 이 경우에, 전형적으로는 델타 타입과 스트라이프 타입이 있다. 그리고, 이 매트릭스의 구동 방법으로서는, 선 순차 구동 방법이나 액티브 매트릭스 중 어느 방법이라도 된다. 선 순차 구동이 구조가 간단한 장점이 있지만, 동작 특성을 고려한 경우, 액티브 매트릭스가 우수한 경우가 있으므로, 이것도 용도에 따라 구분하여 사용하는 것이 필요하다.In a matrix, pixels for display are arranged two-dimensionally, such as in a grid or mosaic pattern, and characters or images are displayed as a set of pixels. The shape and size of the pixel are determined depending on the purpose. For example, in the image and text display of PCs, monitors, and televisions, square pixels with a side of 300 μm or less are usually used, and in the case of large displays such as display panels, pixels with a side of the mm order are used. . In the case of black-and-white display, it is desirable to arrange pixels of the same color, but in the case of color display, red, green, and blue pixels are arranged and displayed. In this case, typically there are delta types and stripe types. The driving method for this matrix may be either a linear sequential driving method or an active matrix driving method. Line-sequential drive has the advantage of a simple structure, but when considering operation characteristics, active matrix is sometimes superior, so it is necessary to use it separately depending on the purpose.

세그먼트 방식(타입)에서는, 사전에 결정된 정보를 표시하도록 패턴을 형성하고, 결정된 영역을 발광시키게 된다. 예를 들면, 디지털 시계나 온도계에서의 시각이나 온도 표시, 오디오 기기나 전자(電磁) 조리기 등의 동작 상태 표시 및 자동차의 패널 표시 등이 있다. In the segment method (type), a pattern is formed to display predetermined information, and the determined area is emitted. For example, there are time and temperature displays in digital clocks and thermometers, operating status displays in audio devices and electric cookers, and panel displays in automobiles.

조명 장치로서는, 예를 들면, 실내 조명 등의 조명 장치, 액정 표시 장치의 백라이트 등이 있다(예를 들면, 일본 공개특허 제2003-257621호 공보, 일본 공개특허 제2003-277741호 공보, 일본 공개특허 제2004-119211호 공보 등 참조). 백라이트는, 주로 자발광하지 않는 표시 장치의 시인성(視認性)을 향상시킬 목적으로 사용되고, 액정 표시 장치, 시계, 오디오 장치, 자동차 패널, 표시판 및 표지 등에 사용된다. 특히, 액정 표시 장치, 그 중에서도 박형화가 과제로 되어 있는 PC 용도의 백라이트로서는, 종래 방식이 형광등이나 도광판(導光板)으로 이루어져 있으므로 박형화가 곤란한 것을 고려하면, 본 실시형태에 따른 발광 소자를 사용한 백라이트는 박형이며 경량이 특징이 된다.Examples of lighting devices include lighting devices such as indoor lighting, backlights of liquid crystal displays, etc. (e.g., Japanese Patent Laid-Open No. 2003-257621, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-277741, Japanese Patent Laid-Open). (See Patent No. 2004-119211 Publication, etc.). Backlights are mainly used for the purpose of improving the visibility of display devices that do not emit light themselves, and are used in liquid crystal displays, clocks, audio devices, automobile panels, display boards, and signs. In particular, considering that it is difficult to reduce the thickness of a backlight for a liquid crystal display device, especially a PC, where thickness reduction is an issue because the conventional method consists of a fluorescent lamp or a light guide plate, a backlight using the light emitting element according to the present embodiment is used. It is thin and lightweight.

3-2. 그 외의 유기 디바이스3-2. Other organic devices

본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물은, 전술한 유기전계 발광소자 이외에, 유기전계 효과 트랜지스터 또는 유기 박막 태양전지 등의 제작에 사용할 수 있다.The compound according to the present invention and its polymer compound can be used in the production of organic field effect transistors or organic thin film solar cells in addition to the organic electroluminescent devices described above.

유기전계 효과 트랜지스터는, 전압 입력에 의해 발생시킨 전계에 의해 전류를 제어하는 트랜지스터이며, 소스 전극과 드레인 전극 이외에 게이트 전극이 설치되어 있다. 게이트 전극에 전압을 인가하면 전계가 생기고, 소스 전극과 드레인 전극 사이를 흐르는 전자(혹은 홀)의 흐름을 임의로 막아서 전류를 제어할 수 있다. 전계효과 트랜지스터는, 단순한 트랜지스터(바이폴라 트랜지스터(bipolar transistor))에 비해 소형화가 용이하며, 집적 회로 등을 구성하는 소자로서 자주 사용되고 있다.An organic field effect transistor is a transistor that controls current by an electric field generated by voltage input, and is provided with a gate electrode in addition to the source and drain electrodes. When voltage is applied to the gate electrode, an electric field is generated, and the current can be controlled by arbitrarily blocking the flow of electrons (or holes) flowing between the source electrode and the drain electrode. Field-effect transistors are easier to miniaturize than simple transistors (bipolar transistors), and are often used as elements constituting integrated circuits, etc.

유기전계 효과 트랜지스터의 구조는, 통상, 본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물을 사용하여 형성되는 유기 반도체 활성층에 접하여 소스 전극 및 드레인 전극이 형성되어 있고, 또한 유기 반도체 활성층에 접한 절연층(유전체층)을 협지하여 게이트 전극이 설치되어 있으면 된다. 그 소자 구조로서는, 예를 들면, 하기 구조를 예로 들 수 있다.The structure of an organic field-effect transistor usually has a source electrode and a drain electrode formed in contact with an organic semiconductor active layer formed using the compound according to the present invention and its polymer compound, and an insulating layer (dielectric layer) in contact with the organic semiconductor active layer. All that is required is for the gate electrode to be installed across the . Examples of the device structure include the following structure.

(1) 기판/게이트 전극/절연체층/소스 전극·드레인 전극/유기 반도체 활성층(1) Substrate/gate electrode/insulator layer/source electrode/drain electrode/organic semiconductor active layer

(2) 기판/게이트 전극/절연체층/유기 반도체 활성층/소스 전극·드레인 전극(2) Substrate/gate electrode/insulator layer/organic semiconductor active layer/source electrode/drain electrode

(3) 기판/유기반도체활성층/소스 전극·드레인 전극/절연체층/게이트 전극(3) Substrate/organic semiconductor active layer/source electrode/drain electrode/insulator layer/gate electrode

(4) 기판/소스 전극·드레인 전극/유기 반도체 활성층/절연체층/게이트 전극(4) Substrate/source electrode/drain electrode/organic semiconductor active layer/insulator layer/gate electrode

이와 같이 구성된 유기전계 효과 트랜지스터는, 액티브 매트릭스 구동 방식의 액정 모니터나 유기 발광 소자 디스플레이의 화소 구동 스위칭 소자 등으로서 적용할 수 있다.The organic field effect transistor configured in this way can be applied as a pixel driving switching element of an active matrix driving type liquid crystal monitor or organic light emitting device display.

유기박막 태양전지는, 유리 등의 투명 기판 상에 ITO 등의 양극, 홀 수송층, 광전 변환층, 전자수송층, 음극이 적층된 구조를 가진다. 광전 변환층은 양극측에 p형 반도체층을 가지고, 음극측에 n형 반도체층을 가지고 있다. 본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물은, 그 물성에 따라, 홀 수송층, p형 반도체층, n형 반도체층, 전자수송층의 재료로서 사용하는 것이 가능하다. 본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물은, 유기박막 태양전지에 있어서 홀 수송 재료나 전자수송 재료로서 기능할 수 있다. 유기박막 태양전지는, 상기한 것 이외에 홀 블록층, 전자 블록층, 전자주입층, 홀 주입층, 평활화층 등을 적절하게 구비하고 있어도 된다. 유기박막 태양전지에는, 유기박막 태양전지에 사용되는 기지(旣知)의 재료를 적절하게 선택하고 조합하여 사용할 수 있다.Organic thin film solar cells have a structure in which an anode such as ITO, a hole transport layer, a photoelectric conversion layer, an electron transport layer, and a cathode are stacked on a transparent substrate such as glass. The photoelectric conversion layer has a p-type semiconductor layer on the anode side and an n-type semiconductor layer on the cathode side. The compound according to the present invention and its polymer compound can be used as a material for a hole transport layer, a p-type semiconductor layer, an n-type semiconductor layer, and an electron transport layer, depending on its physical properties. The compound according to the present invention and its polymer compound can function as a hole transport material or electron transport material in an organic thin film solar cell. The organic thin film solar cell may be appropriately provided with a hole blocking layer, an electron blocking layer, an electron injection layer, a hole injection layer, a smoothing layer, etc. in addition to the above. For organic thin film solar cells, known materials used in organic thin film solar cells can be appropriately selected and used.

[실시예][Example]

이하, 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 전혀 한정되지 않는다. 이하는 실시예에서 합성한 화합물이다.Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples, but the present invention is not limited to these examples at all. The following are compounds synthesized in examples.

합성예(1)Synthesis example (1)

식(10P-g-101)의 화합물: 2,8'-디메틸-5λ4,6λ4-스피로[벤조[e]피리도[2,1-b][1,3,4]옥사아자보리닌-6,10'-디벤조[b,e][1,4]옥사보리닌]의 합성Compound of formula (10P-g-101): 2,8'-dimethyl-5 λ4,6 λ4 -spiro[benzo[e]pyrido[2,1-b][1,3,4]oxazaborinine Synthesis of -6,10'-dibenzo[b,e][1,4]oxaborinine]

Figure 112020077643373-pct00158
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제1 공정1st process

디-파라-톨릴에테르(10.1g) 및 디메틸포름아미드(200ml)에, 1,3-디브로모-5,5-디메틸히단토인(DBH: 55.9g, 200mmol)을 가하고, 70℃로 2시간 가열 교반했다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고 물(500ml)을 가한 후, 톨루엔(200ml×5회)으로 추출했다. 상압(常壓) 하 140℃로 증류함으로써 용매를 증류 제거했다. 조(粗)생성물을 실리카겔쇼트패스컬럼에 의해 여과하고, 용매를 감압 하에서 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 백색 고체로서 1,1'-옥시비스(2-브로모-4-메틸벤젠)을 얻었다(10.8g, 수율 61%).1,3-dibromo-5,5-dimethylhydantoin (DBH: 55.9 g, 200 mmol) was added to di-para-tolyl ether (10.1 g) and dimethylformamide (200 ml), and incubated at 70°C for 2 hours. Heated and stirred. The reaction solution was cooled to room temperature, water (500 ml) was added, and then extracted with toluene (200 ml x 5 times). The solvent was distilled off by distillation at 140°C under normal pressure. The crude product was filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain the crude product. Afterwards, by washing with hexane, 1,1'-oxybis(2-bromo-4-methylbenzene) was obtained as a white solid (10.8 g, yield 61%).

Figure 112020077643373-pct00159
Figure 112020077643373-pct00159

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 2.31(s, 6H), 6.71(d, 2H), 7.02(d, 2H), 7.35(s, 2H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 2.31(s, 6H), 6.71(d, 2H), 7.02(d, 2H), 7.35(s, 2H).

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 20.4(2C), 113.7(2C), 119.1(2C), 129.1(2C), 134.1(2C), 134.8(2C), 151.2(2C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 20.4(2C), 113.7(2C), 119.1(2C), 129.1(2C), 134.1(2C), 134.8(2C), 151.2(2C).

제2 공정2nd process

2-요오드피리딘(3.20ml, 30mmol), 요오드화구리(0.573g, 3.0mmol), 2-피콜린산(0.745g, 61mmol), 인산 3칼륨(12.9g, 60mmol) 및 디메틸술폭시드(150ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 2-브로모페놀(3.80ml, 36mmol)을 가하고, 100℃로 14시간 가열 교반했다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고 물(500ml)을 가한 후, 아세트산 에틸(250ml×3회)로 추출했다. 조생성물을 실리카겔쇼트패스컬럼에 의해 여과하고, 용매를 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 백색 고체로서 2-(2-브로모페녹시)피리딘을 얻었다(4.88g, 수율 65%).2-iodopyridine (3.20 ml, 30 mmol), copper iodide (0.573 g, 3.0 mmol), 2-picolinic acid (0.745 g, 61 mmol), tripotassium phosphate (12.9 g, 60 mmol) and dimethyl sulfoxide (150 ml). Under a nitrogen atmosphere, 2-bromophenol (3.80 ml, 36 mmol) was added at room temperature, and the mixture was heated and stirred at 100°C for 14 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, water (500 ml) was added, and then extracted with ethyl acetate (250 ml x 3 times). The crude product was filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off to obtain the crude product. Afterwards, by washing with hexane, 2-(2-bromophenoxy)pyridine was obtained as a white solid (4.88 g, yield 65%).

Figure 112020077643373-pct00160
Figure 112020077643373-pct00160

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 6.96-7.00(m, 2H), 7.12(t, 1H), 7.21(d, 1H), 7.36(t, 1H), 7.63(d, 1H), 7.71(t, 1H), 8.15(t, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 6.96-7.00(m, 2H), 7.12(t, 1H), 7.21(d, 1H), 7.36(t, 1H), 7.63(d, 1H), 7.71(t, 1H), 8.15(t, 1H) .

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 111.4(1C), 116.7(1C), 118.7(1C), 123.9(1C), 126.5(1C), 128.7(1C), 133.8(1C), 139.6(1C), 147.7(1C), 151.1(1C), 163.1(1C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 111.4(1C), 116.7(1C), 118.7(1C), 123.9(1C), 126.5(1C), 128.7(1C), 133.8(1C), 139.6(1C), 147.7(1C), 151.1(1C), 163.1(1C).

제3 공정3rd process

2-(2-브로모페녹시)피리딘(0.971g, 3.9mmol) 및 톨루엔(50ml)에 질소 분위기 하, -78℃로 부틸리튬(245ml, 3.9mmol)을 가하고, 0℃로 1시간 교반했다. 또한,-78℃로 3브롬화 붕소(0.380ml, 0.50mmol)를 가하고, 0℃로 15분간 교반함으로써 붕소 중간체를 조제했다. 또한 동시에, 1,1'-옥시비스(2-브로모-4-메틸벤젠)(1.36g, 3.8mmol) 및 디에틸에테르(50ml)에 질소 분위기 하, -78℃로 부틸리튬(4.90ml, 7.8mmol)을 가하고, 0℃로 1시간 교반함으로써 리튬 중간체를 조제했다. 이것을 -78℃로 붕소 중간체에 가하고, 0℃로 1시간 교반했다. 반응 용액을 실리카겔쇼트패스컬럼에 의해 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 담황색 고체로서 식(10P-g-101)의 화합물을 얻었다(0.224mg, 수율 16%).Butyllithium (245 ml, 3.9 mmol) was added to 2-(2-bromophenoxy)pyridine (0.971 g, 3.9 mmol) and toluene (50 ml) at -78°C under a nitrogen atmosphere, and stirred at 0°C for 1 hour. . Additionally, boron tribromide (0.380 ml, 0.50 mmol) was added at -78°C and stirred at 0°C for 15 minutes to prepare a boron intermediate. Also, at the same time, 1,1'-oxybis(2-bromo-4-methylbenzene) (1.36 g, 3.8 mmol) and diethyl ether (50 ml) were added to butyllithium (4.90 ml, 4.90 ml) at -78°C under a nitrogen atmosphere. 7.8 mmol) was added and stirred at 0°C for 1 hour to prepare a lithium intermediate. This was added to the boron intermediate at -78°C and stirred at 0°C for 1 hour. The reaction solution was filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, by washing with hexane, the compound of the formula (10P-g-101) was obtained as a light yellow solid (0.224 mg, yield 16%).

Figure 112020077643373-pct00161
Figure 112020077643373-pct00161

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 2.13(s, 6H), 6.80(s, 2H), 6.93(t, 1H), 6.98-7.08(m, 6H), 7.18(t, 2H), 7.23(d, 1H), 7.70(d, 1H), 7.79(t, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 2.13(s, 6H), 6.80(s, 2H), 6.93(t, 1H), 6.98-7.08(m, 6H), 7.18(t, 2H), 7.23(d, 1H), 7.70(d, 1H) , 7.79(t, 1H).

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 20.8(2C), 114.2(1C), 115.0(1C), 115.4(2C), 118.9(1C), 125.5(1C), 126.7(1C), 128.7(2C), 130.9(2C), 134.8(2C), 135.1(1C), 141.8(1C), 144.4(1C), 152.5(1C), 154.9(2C), 157.6(1C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 20.8(2C), 114.2(1C), 115.0(1C), 115.4(2C), 118.9(1C), 125.5(1C), 126.7(1C), 128.7(2C), 130.9(2C), 134.8(2C), 135.1(1C), 141.8(1C), 144.4(1C), 152.5(1C), 154.9(2C), 157.6(1C).

합성예(2)Synthesis example (2)

식(10P-g-101)의 화합물의 합성(다른 방법)Synthesis of compounds of formula (10P-g-101) (alternative methods)

상기 합성예(1)의 제2 및 제3 공정은 이하의 방법으로 행함으로써 수율이 개선된다.The yield is improved by performing the second and third steps of Synthesis Example (1) using the following method.

제2 공정2nd process

2-브로모피리딘(2.90ml, 30mmol), 요오드화구리(0.557g, 2.9mmol), 2-피콜린산(0.372g, 3.0mmol), 인산 3칼륨(12.5g, 59mmol) 및 디메틸술폭시드(200ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 페놀(3.20ml, 36mmol)을 가하고, 90℃로 4시간 가열 교반했다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고 디클로로메탄(200ml)을 가한 후, 1N 수산화 나트륨 수용액(150ml×2회), 물(150ml×2회)로 추출했다. 얻어진 조생성물을 헥산으로 세정함으로써, 백색 고체로서 2-페녹시피리딘을 얻었다(4.88g, 수율 65%).2-Bromopyridine (2.90 ml, 30 mmol), copper iodide (0.557 g, 2.9 mmol), 2-picolinic acid (0.372 g, 3.0 mmol), tripotassium phosphate (12.5 g, 59 mmol) and dimethyl sulfoxide (200 ml) ), phenol (3.20 ml, 36 mmol) was added at room temperature under a nitrogen atmosphere, and the mixture was heated and stirred at 90°C for 4 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, dichloromethane (200 ml) was added, and then extracted with 1N aqueous sodium hydroxide solution (150 ml x 2 times) and water (150 ml x 2 times). By washing the obtained crude product with hexane, 2-phenoxypyridine was obtained as a white solid (4.88 g, yield 65%).

Figure 112020077643373-pct00162
Figure 112020077643373-pct00162

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 6.96-7.00(m, 2H), 7.12(t, 1H), 7.21(d, 1H), 7.36(t, 1H), 7.63(d, 1H), 7.71(t, 1H), 8.15(t, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 6.96-7.00(m, 2H), 7.12(t, 1H), 7.21(d, 1H), 7.36(t, 1H), 7.63(d, 1H), 7.71(t, 1H), 8.15(t, 1H) .

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 111.4(1C), 116.7(1C), 118.7(1C), 123.9(1C), 126.5(1C), 128.7(1C), 133.8(1C), 139.6(1C), 147.7(1C), 151.1(1C), 163.1(1C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 111.4(1C), 116.7(1C), 118.7(1C), 123.9(1C), 126.5(1C), 128.7(1C), 133.8(1C), 139.6(1C), 147.7(1C), 151.1(1C), 163.1(1C).

제3 공정3rd process

1,1'-옥시비스(2-브로모-4-메틸벤젠)(1.70g, 4.8mmol) 및 디에틸에테르(30ml)에 질소 분위기 하, -78℃로 부틸리튬(6.00ml, 9.6mmol)을 가하고, 0℃로 1시간 교반함으로써 리튬 중간체를 조제했다. 한편, 2-페녹시피리딘(0.812g, 4.8mmol) 및 톨루엔(20ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 3브롬화 붕소(0.451ml, 4.8mmol)를 가하고, 90℃로 1시간 가열 교반함으로써 붕소 중간체를 조제했다. 이것을 -78℃로 리튬 중간체를 포함하는 반응 용액에 가하고, 0℃로 1시간 교반했다. 반응 용액을 실리카겔쇼트패스컬럼에 의해 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 황색 고체로서 식(10P-g-101)의 화합물을 얻었다(0.710g, 수율 40%).Butyllithium (6.00ml, 9.6mmol) was added to 1,1'-oxybis(2-bromo-4-methylbenzene) (1.70g, 4.8mmol) and diethyl ether (30ml) at -78°C under nitrogen atmosphere. was added and stirred at 0°C for 1 hour to prepare a lithium intermediate. Meanwhile, boron tribromide (0.451ml, 4.8mmol) was added to 2-phenoxypyridine (0.812g, 4.8mmol) and toluene (20ml) at room temperature under a nitrogen atmosphere, and heated and stirred at 90°C for 1 hour to produce a boron intermediate. It was prepared. This was added to the reaction solution containing the lithium intermediate at -78°C, and stirred at 0°C for 1 hour. The reaction solution was filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, by washing with hexane, the compound of the formula (10P-g-101) was obtained as a yellow solid (0.710 g, yield 40%).

Figure 112020077643373-pct00163
Figure 112020077643373-pct00163

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 2.13(s, 6H), 6.80(s, 2H), 6.93(t, 1H), 6.98-7.08(m, 6H), 7.18(t, 2H), 7.23(d, 1H), 7.70(d, 1H), 7.79(t, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 2.13(s, 6H), 6.80(s, 2H), 6.93(t, 1H), 6.98-7.08(m, 6H), 7.18(t, 2H), 7.23(d, 1H), 7.70(d, 1H) , 7.79(t, 1H).

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 20.8(2C), 114.2(1C), 115.0(1C), 115.4(2C), 118.9(1C), 125.5(1C), 126.7(1C), 128.7(2C), 130.9(2C), 134.8(2C), 135.1(1C), 141.8(1C), 144.4(1C), 152.5(1C), 154.9(2C), 157.6(1C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 20.8(2C), 114.2(1C), 115.0(1C), 115.4(2C), 118.9(1C), 125.5(1C), 126.7(1C), 128.7(2C), 130.9(2C), 134.8(2C), 135.1(1C), 141.8(1C), 144.4(1C), 152.5(1C), 154.9(2C), 157.6(1C).

합성예(3)Synthesis example (3)

식(10P-gq-101-J11)의 화합물: 2,8'-디메틸-11-페닐-11H-5λ4,6λ4-스피로[벤조[c]피리도[2,1-f][1,5,2]디아자보리닌-6,10'-디벤조[b,e][1,4]옥사보리닌]의 합성Compound of formula (10P-gq-101-J11): 2,8'-dimethyl-11-phenyl-11H-5 λ4,6 λ4 -spiro[benzo[c]pyrido[2,1-f][1, Synthesis of 5,2]diazaborinine-6,10'-dibenzo[b,e][1,4]oxaborinine]

Figure 112020077643373-pct00164
Figure 112020077643373-pct00164

디페닐아민(5.06g, 30mmol), 아세트산 팔라듐(II)(65.3mg, 0.29mmol), 2-디 시클로헥실포스피노-2',6'-디메톡시비페닐(SPhos: 0.128g, 0.31mmol), 나트륨-tert-부톡시드(3.48g, 36mmol) 및 톨루엔(150ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 2-브로모피리딘(3.00ml, 31mmol)을 가하고, 90℃로 1시간 가열 교반했다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고, 실리카겔쇼트패스컬럼에 의해 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 백색 고체로서 N,N-디페닐피리딘-2-아민을 얻었다(6.52g, 수율 88%).Diphenylamine (5.06g, 30mmol), palladium(II) acetate (65.3mg, 0.29mmol), 2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl (SPhos: 0.128g, 0.31mmol) , 2-bromopyridine (3.00ml, 31mmol) was added to sodium-tert-butoxide (3.48g, 36mmol) and toluene (150ml) at room temperature under a nitrogen atmosphere, and heated and stirred at 90°C for 1 hour. The reaction solution was cooled to room temperature, filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, by washing with hexane, N,N-diphenylpyridin-2-amine was obtained as a white solid (6.52 g, yield 88%).

Figure 112020077643373-pct00165
Figure 112020077643373-pct00165

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 6.74-6.79(m, 2H), 7.12(t, 2H), 7.18(d, 4H), 7.32(t, 4H), 7.44(dd, 1H), 8.23(d, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 6.74-6.79(m, 2H), 7.12(t, 2H), 7.18(d, 4H), 7.32(t, 4H), 7.44(dd, 1H), 8.23(d, 1H).

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 13.8(1C), 116.1(1C), 124.5(2C), 126.3(4C), 129.3(4C), 137.2(1C), 146.1(2C), 148.3(1C), 159.0(1C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 13.8(1C), 116.1(1C), 124.5(2C), 126.3(4C), 129.3(4C), 137.2(1C), 146.1(2C), 148.3(1C), 159.0(1C).

1,1'-옥시비스(2-브로모-4-메틸벤젠)(1.04g, 2.9mmol) 및 디에틸에테르(20ml)에 질소 분위기 하, -78℃로 부틸리튬(3.80ml, 6.1mmol)을 가하고, 0℃로 1시간 교반함으로써 리튬 중간체를 조제했다. 한편,N,N-디페닐피리딘-2-아민(0.724g, 2.9mmol) 및 톨루엔(20ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 3브롬화 붕소(0.285ml, 3.0mmol)를 가하고, 90℃로 1시간 가열 교반함으로써 붕소 중간체를 조제한 후, 반응 용액의 용량이 전체의 약 2/3로 될 때까지 감압 하에서 농축했다. 이것을 -78℃로 리튬 중간체를 포함하는 반응 용액에 가하고, 0℃로 1시간 교반했다. 반응 용액을 실리카겔쇼트패스컬럼에 의해 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 황색 고체로서 식(10P-gq-101-J11)의 화합물을 얻었다(0.813mg, 수율 61%).Butyllithium (3.80ml, 6.1mmol) was added to 1,1'-oxybis(2-bromo-4-methylbenzene) (1.04g, 2.9mmol) and diethyl ether (20ml) at -78°C under nitrogen atmosphere. was added and stirred at 0°C for 1 hour to prepare a lithium intermediate. Meanwhile, boron tribromide (0.285ml, 3.0mmol) was added to N,N-diphenylpyridin-2-amine (0.724g, 2.9mmol) and toluene (20ml) at room temperature under a nitrogen atmosphere, and incubated at 90°C for 1 hour. After preparing the boron intermediate by heating and stirring, the reaction solution was concentrated under reduced pressure until the volume was reduced to about 2/3 of the total. This was added to the reaction solution containing the lithium intermediate at -78°C, and stirred at 0°C for 1 hour. The reaction solution was filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, by washing with hexane, the compound of the formula (10P-gq-101-J11) was obtained as a yellow solid (0.813 mg, yield 61%).

Figure 112020077643373-pct00166
Figure 112020077643373-pct00166

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 2.20(s, 6H), 6.27(d, 1H), 6.38(d, 1H), 6.57(dd, 1H), 6.90(dd, 1H), 6.94(dd, 1H), 6.98-7.01(m, 3H), 7.04-7.06(m, 4H), 7.32(dd, 1H), 7.51(d, 2H), 7.64(t, 1H), 7.70(d, 1H), 7.75(t, 2H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 2.20(s, 6H), 6.27(d, 1H), 6.38(d, 1H), 6.57(dd, 1H), 6.90(dd, 1H), 6.94(dd, 1H), 6.98-7.01(m, 3H) , 7.04-7.06(m, 4H), 7.32(dd, 1H), 7.51(d, 2H), 7.64(t, 1H), 7.70(d, 1H), 7.75(t, 2H).

13C-NMR(CDCl3, 126MHz); 21.0(2C), 113.4(1C), 114.3(1C), 114.9(1C), 115.2(2C), 123.9(1C), 125.5(1C), 128.2(2C), 129.5(1C), 130.3(2C), 130.7(2C), 131.5(2C), 134.8(2C), 135.1(1C), 138.8(1C), 140.0(1C), 141.3(1C), 145.1(1C), 151.2(1C), 154.5(2C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 126 MHz); 21.0(2C), 113.4(1C), 114.3(1C), 114.9(1C), 115.2(2C), 123.9(1C), 125.5(1C), 128.2(2C), 129.5(1C), 130.3(2C), 130.7(2C), 131.5(2C), 134.8(2C), 135.1(1C), 138.8(1C), 140.0(1C), 141.3(1C), 145.1(1C), 151.2(1C), 154.5(2C).

합성예(4)Synthesis example (4)

식(10P-gq-100-J11)의 화합물: 11-페닐-11H-5λ4,6λ4-스피로[벤조[c]피리도[2,1-f][1,5,2]디아자보리닌-6,10'-디벤조[b,e][1,4]옥사보리닌]의 합성Compound of formula (10P-gq-100-J11): 11-phenyl-11H-5 λ4,6 λ4 -spiro[benzo[c]pyrido[2,1-f][1,5,2]diaza barley Synthesis of nin-6,10'-dibenzo[b,e][1,4]oxaborinine]

Figure 112020077643373-pct00167
Figure 112020077643373-pct00167

2,2'-옥시비스(브로모벤젠)(3.46g, 10.6mmol) 및 디에틸에테르(30ml)에 질소 분위기 하, -78℃로 부틸리튬(13.7ml, 21.2mmol)을 가하고, 0℃로 1시간 교반함으로써 리튬 중간체를 조제했다. 한편,N,N-디페닐피리딘-2-아민(2.67g, 10.8mmol) 및 톨루엔(30ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 3브롬화 붕소(1.01ml, 10.6mmol)를 가하고, 90℃로 1시간 가열 교반함으로써 붕소 중간체를 조제한 후, 반응 용액의 용적이 전체의 약 2/3로 될 때까지 감압 하에서 농축했다. 이것을 -78℃로 리튬 중간체를 포함하는 반응 용액에 가하고, 0℃로 1시간 교반했다. 반응 용액을, 실리카겔쇼트패스컬럼으로 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 담황색 고체로서 식(10P-gq-100-J11)의 화합물을 얻었다(1.87g, 수율 42%).Butyllithium (13.7ml, 21.2mmol) was added to 2,2'-oxybis(bromobenzene) (3.46g, 10.6mmol) and diethyl ether (30ml) at -78°C under a nitrogen atmosphere, and the mixture was cooled to 0°C. A lithium intermediate was prepared by stirring for 1 hour. Meanwhile, boron tribromide (1.01 ml, 10.6 mmol) was added to N,N-diphenylpyridin-2-amine (2.67 g, 10.8 mmol) and toluene (30 ml) at room temperature under a nitrogen atmosphere, and incubated at 90°C for 1 hour. After preparing the boron intermediate by heating and stirring, the reaction solution was concentrated under reduced pressure until the volume was reduced to about 2/3 of the total. This was added to the reaction solution containing the lithium intermediate at -78°C, and stirred at 0°C for 1 hour. The reaction solution was filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, by washing with hexane, the compound of the formula (10P-gq-100-J11) was obtained as a light yellow solid (1.87 g, yield 42%).

Figure 112020077643373-pct00168
Figure 112020077643373-pct00168

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 500MHz); 6.26(d, 1H), 6.37(d, 1H), 6.57(dd, 1H), 6.85-6.97(m, 5H), 7.16(d, 2H), 7.21(dd, 2H), 7.28(d, 2H), 7.32(dd, 1H), 7.49(d, 2H), 7.64(t, 1H), 7.70(d, 1H), 7.74(dd, 2H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 500 MHz); 6.26(d, 1H), 6.37(d, 1H), 6.57(dd, 1H), 6.85-6.97(m, 5H), 7.16(d, 2H), 7.21(dd, 2H), 7.28(d, 2H) , 7.32(dd, 1H), 7.49(d, 2H), 7.64(t, 1H), 7.70(d, 1H), 7.74(dd, 2H).

13C-NMR(CDCl3, 128MHz); 113.4(1C), 114.3(1C), 114.8(1C), 115.6(2C), 122.3(2C), 124.0(1C), 125.6(1C), 127.4(2C), 129.5(1C), 130.3(2C), 131.5(2C), 134.7(2C), 135.1(1C), 138.9(1C), 139.9(1C), 141.2(1C), 145.0(1C), 151.2(1C), 156.3(2C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 128 MHz); 113.4(1C), 114.3(1C), 114.8(1C), 115.6(2C), 122.3(2C), 124.0(1C), 125.6(1C), 127.4(2C), 129.5(1C), 130.3(2C), 131.5(2C), 134.7(2C), 135.1(1C), 138.9(1C), 139.9(1C), 141.2(1C), 145.0(1C), 151.2(1C), 156.3(2C).

합성예(5)Synthesis example (5)

식(10P-g-100)의 화합물: 5λ4,6λ4-스피로[벤조[c]피리도[2,1-f][1,5,2]디아자보리닌-6,10'-디벤조[b,e][1,4]옥사보리닌]의 합성Compound of formula (10P-g-100): 5 λ4,6 λ4 -spiro[benzo[c]pyrido[2,1-f][1,5,2]diazaborinine-6,10'-di Synthesis of benzo[b,e][1,4]oxaborinine]

Figure 112020077643373-pct00169
Figure 112020077643373-pct00169

제1 공정1st process

2-브로모페놀(6.30ml, 59.7mmol), 탄산 칼륨(10.3g, 77.4mmol) 및 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI: 150ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 1-브로모-2-플루오로 벤젠(5.50ml, 50.3mmol)을 가하고, 200℃로 24시간 가열 교반했다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고 톨루엔(200ml)을 가한 후, 물(150ml×3회)로 추출했다. 조생성물을 4.6×10-2Pa 하, 70℃로 증류함으로써 무색 액체로서 2,2'-옥시비스(브로모벤젠)를 얻었다(3.46g, 수율 23%).2-Bromophenol (6.30 ml, 59.7 mmol), potassium carbonate (10.3 g, 77.4 mmol) and 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI: 150 ml) were mixed with 1-bromophenol at room temperature under nitrogen atmosphere. Parent-2-fluorobenzene (5.50 ml, 50.3 mmol) was added, and the mixture was heated and stirred at 200°C for 24 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, toluene (200 ml) was added, and extracted with water (150 ml x 3 times). The crude product was distilled at 70°C under 4.6×10 -2 Pa to obtain 2,2'-oxybis(bromobenzene) as a colorless liquid (3.46 g, yield 23%).

Figure 112020077643373-pct00170
Figure 112020077643373-pct00170

제2 공정2nd process

2,2'-옥시비스(브로모벤젠)(3.52g, 10.7mmol) 및 디에틸에테르(30ml)에 질소 분위기 하, -78℃로 부틸리튬(14.0ml)을 가하고, 0℃로 1시간 교반함으로써 리튬 중간체를 조제했다. 한편, 2-페녹시피리딘(1.75g, 10.2mmol) 및 톨루엔(30ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 3브롬화 붕소(1.02ml, 10.7mmol)를 가하고, 90℃로 1시간 교반함으로써 붕소 중간체를 조제한 후, 반응 용액의 용적이 전체의 약 2/3로 될 때까지 감압 하에서 농축했다. 이것을 -78℃로 리튬 중간체를 포함하는 반응 용액에 가하고, 0℃로 1시간 교반했다. 반응 용액을, 실리카겔쇼트패스컬럼으로 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 담황색 고체로서 식(10P-g-100)의 화합물을 얻었다(1.84g, 수율 52%).Butyllithium (14.0 ml) was added to 2,2'-oxybis(bromobenzene) (3.52 g, 10.7 mmol) and diethyl ether (30 ml) at -78°C under a nitrogen atmosphere, and stirred at 0°C for 1 hour. By doing so, a lithium intermediate was prepared. Meanwhile, boron tribromide (1.02ml, 10.7mmol) was added to 2-phenoxypyridine (1.75g, 10.2mmol) and toluene (30ml) at room temperature under a nitrogen atmosphere, and stirred at 90°C for 1 hour to prepare a boron intermediate. Then, the reaction solution was concentrated under reduced pressure until its volume was reduced to about 2/3 of the total volume. This was added to the reaction solution containing the lithium intermediate at -78°C, and stirred at 0°C for 1 hour. The reaction solution was filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, by washing with hexane, the compound of the formula (10P-g-100) was obtained as a light yellow solid (1.84 g, yield 52%).

Figure 112020077643373-pct00171
Figure 112020077643373-pct00171

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 500MHz); 6.89(t, 2H), 6.92(dd, 1H), 7.00(d, 1H), 7.04-7.07(m, 3H), 7.16-7.18(m, 3H), 7.20-7.25(m, 4H), 7.70(d, 1H), 7.78(t, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 500 MHz); 6.89(t, 2H), 6.92(dd, 1H), 7.00(d, 1H), 7.04-7.07(m, 3H), 7.16-7.18(m, 3H), 7.20-7.25(m, 4H), 7.70( d, 1H), 7.78(t, 1H).

13C-NMR(CDCl3, 128MHz); 114.2(1C), 115.1(1C), 115.8(2C), 118.9(1C), 122.3(2C), 125.6(1C), 126.8(1C), 127.9(2C), 134.7(2C), 135.0(1C), 141.9(1C), 144.2(1C), 152.5(1C), 156.7(2C), 157.7(1C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 128 MHz); 114.2(1C), 115.1(1C), 115.8(2C), 118.9(1C), 122.3(2C), 125.6(1C), 126.8(1C), 127.9(2C), 134.7(2C), 135.0(1C), 141.9(1C), 144.2(1C), 152.5(1C), 156.7(2C), 157.7(1C).

합성예(6)Synthesis example (6)

식(10P-gq-303-J11)의 화합물: 2-메틸-11-페닐-11H-5λ4,6λ4-스피로[벤조[c]피리도[2,1-f][1,5,2]디아자보리닌-6,10'-디벤조[b,e][1,4]옥사보리닌]의 합성Compound of formula (10P-gq-303-J11): 2-methyl-11-phenyl-11H-5 λ4,6 λ4 -spiro[benzo[c]pyrido[2,1-f][1,5,2 ]Synthesis of diazaborinine-6,10'-dibenzo[b,e][1,4]oxaborinine]

Figure 112020077643373-pct00172
Figure 112020077643373-pct00172

디페닐아민(9.31g, 5mmol), 아세트산 팔라듐(II)(0.113g, 0.51mmol), SPhos(0.208g, 0.51mmol), 나트륨-tert-부톡시드(5.58g, 60mmol) 및 톨루엔(150ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 2-브로모-4-메틸피리딘(5.65ml, 50mmol)을 가하고, 90℃로 1시간 가열 교반했다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고, 실리카겔쇼트패스컬럼으로 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 백색 고체로서 4-메틸-N,N-디페닐피리딘-2-아민(7.82g, 수율 61%)을 얻었다.Diphenylamine (9.31 g, 5 mmol), palladium(II) acetate (0.113 g, 0.51 mmol), SPhos (0.208 g, 0.51 mmol), sodium-tert-butoxide (5.58 g, 60 mmol) and toluene (150 ml). Under a nitrogen atmosphere, 2-bromo-4-methylpyridine (5.65 ml, 50 mmol) was added at room temperature, and the mixture was heated and stirred at 90°C for 1 hour. The reaction solution was cooled to room temperature, filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, by washing with hexane, 4-methyl-N,N-diphenylpyridin-2-amine (7.82 g, yield 61%) was obtained as a white solid.

Figure 112020077643373-pct00173
Figure 112020077643373-pct00173

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 2.19(s, 3H), 6.58(s, 1H), 6.63(d, 1H), 7.11(t, 2H), 7.16(d, 4H), 7.31(t, 4H), 8.10(d, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 2.19(s, 3H), 6.58(s, 1H), 6.63(d, 1H), 7.11(t, 2H), 7.16(d, 4H), 7.31(t, 4H), 8.10(d, 1H).

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 21.2(1C), 114.4(1C), 117.7(1C), 124.3(2C), 126.2(4C), 129.3(4C), 146.3(2C), 148.0(1C), 148.4(1C), 159.2(1C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 21.2(1C), 114.4(1C), 117.7(1C), 124.3(2C), 126.2(4C), 129.3(4C), 146.3(2C), 148.0(1C), 148.4(1C), 159.2(1C).

2,2'-옥시비스(브로모벤젠)(3.27g, 10.0mmol) 및 디에틸에테르(30ml)에 질소 분위기 하, -78℃로 부틸리튬(12.9ml, 20.0mmol)을 가하고, 0℃로 1시간 교반함으로써 리튬 중간체를 조제했다. 한편, 4-메틸-N,N-디페닐피리딘-2-아민(2.60g, 10.0mmol) 및 톨루엔(30ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 3브롬화 붕소(0.946ml, 10.0mmol)를 가하고, 90℃로 1시간 가열 교반함으로써 붕소 중간체를 조제한 후, 반응 용액의 용적이 전체의 약 2/3로 될 때까지 감압 하에서 농축했다. 이것을 -78℃로 리튬 중간체를 포함하는 반응 용액에 가하고, 0℃로 1시간 교반했다. 반응 용액을, 실리카겔쇼트패스컬럼으로 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 담황색 고체로서 식(10P-gq-303-J11)의 화합물(0.52g, 수율 12%)을 얻었다.Butyllithium (12.9ml, 20.0mmol) was added to 2,2'-oxybis(bromobenzene) (3.27g, 10.0mmol) and diethyl ether (30ml) at -78°C under a nitrogen atmosphere, and the mixture was cooled to 0°C. A lithium intermediate was prepared by stirring for 1 hour. Meanwhile, boron tribromide (0.946ml, 10.0mmol) was added to 4-methyl-N,N-diphenylpyridin-2-amine (2.60g, 10.0mmol) and toluene (30ml) at room temperature under a nitrogen atmosphere, and 90% After preparing the boron intermediate by heating and stirring at ℃ for 1 hour, the reaction solution was concentrated under reduced pressure until the volume was reduced to about 2/3 of the total. This was added to the reaction solution containing the lithium intermediate at -78°C, and stirred at 0°C for 1 hour. The reaction solution was filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, by washing with hexane, the compound of the formula (10P-gq-303-J11) (0.52 g, yield 12%) was obtained as a light yellow solid.

Figure 112020077643373-pct00174
Figure 112020077643373-pct00174

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 2.17(s, 3H), 6.13(s, 1H), 6.21(d, 1H), 6.39(d, 1H), 6.85∼6.95(m, 5H), 7.15(d, 2H), 7.20(t, 2H), 7.26(d, 2H), 7.48(d, 2H), 7.56(d, 1H), 7.64(t, 1H), 7.74(t, 2H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 2.17(s, 3H), 6.13(s, 1H), 6.21(d, 1H), 6.39(d, 1H), 6.85∼6.95(m, 5H), 7.15(d, 2H), 7.20(t, 2H) , 7.26(d, 2H), 7.48(d, 2H), 7.56(d, 1H), 7.64(t, 1H), 7.74(t, 2H).

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 21.5(1C), 112.8(1C), 114.5(1C), 115.5(2C), 116.7(1C), 122.2(2C), 123.7(1C), 125.5(1C), 127.3(2C), 129.4(1C), 130.4(2C), 131.5(2C), 134.7(2C), 135.1(1C), 140.0(1C), 141.3(1C), 144.3(2C), 151.0(1C), 156.3(1C), 207.0(1C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 21.5(1C), 112.8(1C), 114.5(1C), 115.5(2C), 116.7(1C), 122.2(2C), 123.7(1C), 125.5(1C), 127.3(2C), 129.4(1C), 130.4(2C), 131.5(2C), 134.7(2C), 135.1(1C), 140.0(1C), 141.3(1C), 144.3(2C), 151.0(1C), 156.3(1C), 207.0(1C).

합성예(7)Synthesis example (7)

식(10P-gq-301-J11)의 화합물: 4-메틸-11-페닐-11H-5λ4,6λ4-스피로[벤조[c]피리도[2,1-f][1,5,2]디아자보리닌-6,10'-디벤조[b,e][1,4]옥사보리닌]의 합성Compound of formula (10P-gq-301-J11): 4-methyl-11-phenyl-11H-5 λ4,6 λ4 -spiro[benzo[c]pyrido[2,1-f][1,5,2 ]Synthesis of diazaborinine-6,10'-dibenzo[b,e][1,4]oxaborinine]

Figure 112020077643373-pct00175
Figure 112020077643373-pct00175

디페닐아민(9.38g, 55mmol), 아세트산 팔라듐(II)(0.116g, 0.52mmol), SPhos(0.214g, 0.52mmol), 나트륨-tert-부톡시드(6.34g, 66mmol) 및 톨루엔(200ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 2-브로모-6-메틸피리딘(5.68ml, 50mmol)을 가하고, 90℃로 2시간 가열 교반했다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고, 실리카겔쇼트패스컬럼으로 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 백색 고체로서 6-메틸-N,N-디페닐피리딘-2-아민(7.80g, 수율 60%)을 얻었다.Diphenylamine (9.38 g, 55 mmol), palladium(II) acetate (0.116 g, 0.52 mmol), SPhos (0.214 g, 0.52 mmol), sodium-tert-butoxide (6.34 g, 66 mmol) and toluene (200 ml). Under a nitrogen atmosphere, 2-bromo-6-methylpyridine (5.68 ml, 50 mmol) was added at room temperature, and the mixture was heated and stirred at 90°C for 2 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, by washing with hexane, 6-methyl-N,N-diphenylpyridin-2-amine (7.80 g, yield 60%) was obtained as a white solid.

Figure 112020077643373-pct00176
Figure 112020077643373-pct00176

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 2.38(s, 3H), 6.50(d, 1H), 6.66(d, 1H), 7.09(t, 2H), 7.16(d, 4H), 7.28(t, 4H), 7.33(t, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 2.38(s, 3H), 6.50(d, 1H), 6.66(d, 1H), 7.09(t, 2H), 7.16(d, 4H), 7.28(t, 4H), 7.33(t, 1H).

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 24.4(1C), 111.4(1C), 115.9(1C), 123.9(2C), 126.0(4C), 129.1(4C), 137.5(1C), 146.3(2C), 157.2(1C), 159.2(1C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 24.4(1C), 111.4(1C), 115.9(1C), 123.9(2C), 126.0(4C), 129.1(4C), 137.5(1C), 146.3(2C), 157.2(1C), 159.2(1C).

2,2'-옥시비스(브로모벤젠)(9.97g, 30mmol) 및 디에틸에테르(100ml)에 질소 분위기 하, -78℃로 부틸리튬(38.2ml, 60mmol)을 가하고, 0℃로 1시간 교반함으로써 리튬 중간체를 조제했다. 한편, 6-메틸-N,N-디페닐피리딘-2-아민(7.82g, 30.0mmol) 및 톨루엔(100ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 3브롬화 붕소(2.85ml, 30.0mmol)를 가하고, 90℃로 1시간 가열 교반함으로써 붕소 중간체를 조제한 후, 반응 용액의 용적이 전체의 약 2/3로 될 때까지 감압 하에서 농축했다. 이것을 -78℃로 리튬 중간체를 포함하는 반응 용액에 가하고, 0℃로 1시간 교반했다. 반응 용액을, 실리카겔쇼트패스컬럼으로 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 담황색 고체로서 식(10P-gq-301-J11)의 화합물(3.08g, 수율 24%)을 얻었다.Butyllithium (38.2ml, 60mmol) was added to 2,2'-oxybis(bromobenzene) (9.97g, 30mmol) and diethyl ether (100ml) at -78°C under nitrogen atmosphere, and incubated at 0°C for 1 hour. A lithium intermediate was prepared by stirring. Meanwhile, boron tribromide (2.85ml, 30.0mmol) was added to 6-methyl-N,N-diphenylpyridin-2-amine (7.82g, 30.0mmol) and toluene (100ml) at room temperature under a nitrogen atmosphere, and 90% After preparing the boron intermediate by heating and stirring at ℃ for 1 hour, the reaction solution was concentrated under reduced pressure until the volume was reduced to about 2/3 of the total. This was added to the reaction solution containing the lithium intermediate at -78°C, and stirred at 0°C for 1 hour. The reaction solution was filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, by washing with hexane, the compound of the formula (10P-gq-301-J11) (3.08 g, yield 24%) was obtained as a light yellow solid.

Figure 112020077643373-pct00177
Figure 112020077643373-pct00177

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 2.01(s, 3H), 5.99(dt, 1H), 6.41(d, 1H), 6.48(d, 1H), 6.71∼6.76(m, 3H), 6.88(t, 2H), 7.09∼7.10(m, 4H), 7.14(t, 2H), 7.31(dd, 1H), 7.45(d, 2H), 7.62(t, 1H), 7.73(t, 2H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 2.01(s, 3H), 5.99(dt, 1H), 6.41(d, 1H), 6.48(d, 1H), 6.71∼6.76(m, 3H), 6.88(t, 2H), 7.09∼7.10(m, 4H), 7.14(t, 2H), 7.31(dd, 1H), 7.45(d, 2H), 7.62(t, 1H), 7.73(t, 2H).

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 25.4(1C), 112.4(1C), 113.8(1C), 115.3(2C), 118.5(1C), 122.4(2C), 123.7(1C), 124.9(1C), 126.8(2C), 129.2(1C), 130.3(2C), 131.6(2C), 133.3(2C), 135.1(1C), 138.1(1C), 139.0(1C), 141.2(1C), 153.4(1C), 154.9(2C), 156.1(1C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 25.4(1C), 112.4(1C), 113.8(1C), 115.3(2C), 118.5(1C), 122.4(2C), 123.7(1C), 124.9(1C), 126.8(2C), 129.2(1C), 130.3(2C), 131.6(2C), 133.3(2C), 135.1(1C), 138.1(1C), 139.0(1C), 141.2(1C), 153.4(1C), 154.9(2C), 156.1(1C).

합성예(8)Synthesis example (8)

식(10P-gq-342-J11)의 화합물: 3,11-디페닐-11H-5λ4,6λ4-스피로[벤조[c]피리도[2,1-f][1,5,2]디아자보리닌-6,10'-디벤조[b,e][1,4]옥사보리닌]의 합성Compound of formula (10P-gq-342-J11): 3,11-diphenyl-11H-5 λ4,6 λ4 -spiro[benzo[c]pyrido[2,1-f][1,5,2] Synthesis of diazaborinine-6,10'-dibenzo[b,e][1,4]oxaborinine]

Figure 112020077643373-pct00178
Figure 112020077643373-pct00178

페닐보론산(2.93g, 24mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)(Pd(PPh3)4: 1.74g, 1.5mmol), 탄산 칼륨(8.30g, 60mmol), 물(80ml) 및 1,4-디옥산(80ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 5-브로모-2-클로로피리딘(3.87g, 20mmol)을 가하고, 실온에서 45시간 교반하였다. 반응 용액의 용매를 감압 증류 제거한 후, 톨루엔(100ml×3회)으로 추출하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정하고, 실리카겔쇼트패스컬럼으로 정제함으로써, 백색 고체로서 2-클로로-5-페닐피리딘을 얻었다(1.69g, 수율 44%).Phenylboronic acid (2.93g, 24mmol), tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0)(Pd(PPh 3 ) 4 : 1.74g, 1.5mmol), potassium carbonate (8.30g, 60mmol), water (80ml) And 5-bromo-2-chloropyridine (3.87 g, 20 mmol) was added to 1,4-dioxane (80 ml) at room temperature under a nitrogen atmosphere, and stirred at room temperature for 45 hours. After the solvent in the reaction solution was distilled off under reduced pressure, extraction was performed with toluene (100 ml x 3 times), and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, it was washed with hexane and purified using a silica gel short pass column to obtain 2-chloro-5-phenylpyridine as a white solid (1.69 g, yield 44%).

Figure 112020077643373-pct00179
Figure 112020077643373-pct00179

디페닐아민(0.934g, 5.5mmol), 아세트산 팔라듐(II)(22.4mg, 0.10mmol), SPhos(82.2mg, 0.20mmol), 나트륨-tert-부톡시드(0.579g, 6.0mmol) 및o-크실렌(20ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 2-클로로-5-페닐피리딘(0.948g, 5.0mmol)을 가하고, 130℃로 6시간 가열 교반했다. 반응 용액을 플로리실쇼트패스컬럼으로 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 실리카겔쇼트패스컬럼으로 정제함으로써, 백색 고체로서 N,N,5-트리페닐피리딘-2-아민을 얻었다(1.55g, 수율 96%).Diphenylamine (0.934 g, 5.5 mmol), palladium(II) acetate (22.4 mg, 0.10 mmol), SPhos (82.2 mg, 0.20 mmol), sodium-tert-butoxide (0.579 g, 6.0 mmol) and o-xylene. To (20 ml), 2-chloro-5-phenylpyridine (0.948 g, 5.0 mmol) was added at room temperature under a nitrogen atmosphere, and the mixture was heated and stirred at 130°C for 6 hours. The reaction solution was filtered through a Florisil short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, N,N,5-triphenylpyridin-2-amine was obtained as a white solid by purification using a silica gel short pass column (1.55 g, yield 96%).

Figure 112020077643373-pct00180
Figure 112020077643373-pct00180

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 6.83(d, 1H), 7.15(t, 2H), 7.22(d, 4H), 7.34(m, 5H), 7.43(t, 2H), 7.53(d, 2H), 7.67(dd, 1H), 8.48(s, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 6.83(d, 1H), 7.15(t, 2H), 7.22(d, 4H), 7.34(m, 5H), 7.43(t, 2H), 7.53(d, 2H), 7.67(dd, 1H), 8.48 (s, 1H).

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 113.6(1C), 124.6(2C), 126.3(4C), 126.4(2C), 127.2(1C), 128.9(2C), 129.1(1C), 129.4(4C), 135.8(1C), 138.0(1C), 146.0(2C), 146.5(1C), 158.2(1C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 113.6(1C), 124.6(2C), 126.3(4C), 126.4(2C), 127.2(1C), 128.9(2C), 129.1(1C), 129.4(4C), 135.8(1C), 138.0(1C), 146.0(2C), 146.5(1C), 158.2(1C).

2,2'-옥시비스(브로모벤젠)(1.70g, 5.2mmol) 및 디에틸에테르(20ml)에 질소 분위기 하, -78℃로 부틸리튬(6.50ml, 10mmol)을 가하고, 0℃로 3시간 교반함으로써 리튬 중간체를 조제했다. 한편, N,N,5-트리페닐피리딘-2-아민(1.65g, 5.1mmol) 및 톨루엔(30ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 3브롬화 붕소(0.480ml, 5.1mmol)를 가하고, 90℃로 4시간 가열 교반함으로써 붕소 중간체를 조제한 후, 반응 용액의 용적이 전체의 약 1/3로 될 때까지 0℃의 감압 하에서 농축했다. 이것을 -78℃로 리튬 중간체를 포함하는 반응 용액에 가하고, 0℃로 1시간 교반 및 실온에서 19시간 교반하였다. 반응 용액을 실리카겔쇼트패스컬럼으로 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 실리카겔쇼트패스컬럼으로 정제함으로써, 담황색 고체로서 식(10P-gq-342-J11)의 화합물을 얻었다(0.548g, 수율 21%).Butyllithium (6.50ml, 10mmol) was added to 2,2'-oxybis(bromobenzene) (1.70g, 5.2mmol) and diethyl ether (20ml) at -78°C under a nitrogen atmosphere, and then incubated at 0°C for 3 hours. A lithium intermediate was prepared by stirring for a while. Meanwhile, boron tribromide (0.480ml, 5.1mmol) was added to N,N,5-triphenylpyridin-2-amine (1.65g, 5.1mmol) and toluene (30ml) at room temperature under a nitrogen atmosphere, and the mixture was heated to 90°C. After preparing the boron intermediate by heating and stirring for 4 hours, the reaction solution was concentrated under reduced pressure at 0°C until the volume was reduced to about 1/3 of the total. This was added to the reaction solution containing the lithium intermediate at -78°C, and stirred at 0°C for 1 hour and at room temperature for 19 hours. The reaction solution was filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, by purifying using a silica gel short pass column, the compound of the formula (10P-gq-342-J11) was obtained as a light yellow solid (0.548 g, yield 21%).

Figure 112020077643373-pct00181
Figure 112020077643373-pct00181

NMR 측정에 의해 얻어진 화합물의 구조를 확인했다.The structure of the obtained compound was confirmed by NMR measurement.

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 6.28(d, 1H), 6.47(d, 1H), 6.91(dd, 1H), 6.95(dd, 1H), 6.97(dd, 2H), 7.01(dd, 1H), 7.10(dd, 2H), 7.18(dd, 2H), 7.22(m, 2H), 7.26(m, 1H), 7.29(d, 2H), 7.33(dd, 2H), 7.53(dd, 2H), 7.55(dd, 1H), 7.65(t, 1H), 7.76(t, 2H), 7.92(s, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 6.28(d, 1H), 6.47(d, 1H), 6.91(dd, 1H), 6.95(dd, 1H), 6.97(dd, 2H), 7.01(dd, 1H), 7.10(dd, 2H), 7.18 (dd, 2H), 7.22(m, 2H), 7.26(m, 1H), 7.29(d, 2H), 7.33(dd, 2H), 7.53(dd, 2H), 7.55(dd, 1H), 7.65( t, 1H), 7.76(t, 2H), 7.92(s, 1H).

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 113.7(1C), 114.4(1C), 115.7(2C), 122.3(2C), 124.0(1C), 125.7(1C), 126.0(2C), 127.5(2C), 128.0(1C), 128.1(1C), 129.1(2C), 129.5(1C), 130.2(2C), 131.5(2C), 134.6(2C), 135.1(1C), 135.3(1C), 137.7(1C), 140.0(1C), 141.2(1C), 142.5(1C), 150.2(1C), 156.4(2C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 113.7(1C), 114.4(1C), 115.7(2C), 122.3(2C), 124.0(1C), 125.7(1C), 126.0(2C), 127.5(2C), 128.0(1C), 128.1(1C), 129.1(2C), 129.5(1C), 130.2(2C), 131.5(2C), 134.6(2C), 135.1(1C), 135.3(1C), 137.7(1C), 140.0(1C), 141.2(1C), 142.5(1C), 150.2(1C), 156.4(2C).

합성예(9)Synthesis example (9)

식(10P-gq-23-J11)의 화합물: 5λ4,10λ4-스피로[디벤조[b,e][1,4]옥사보리닌-10,6'-피리도[1',2':1,6][1,5,2]디아자보리니노[3,4,5-kl]페녹사진]의 합성Compound of formula (10P-gq-23-J11): 5 λ4 , 10 λ4 -spiro[dibenzo[b,e][1,4]oxaborinine-10,6'-pyrido[1',2' :1,6][1,5,2]diazaborinino[3,4,5-kl]phenoxazine] synthesis

Figure 112020077643373-pct00182
Figure 112020077643373-pct00182

페녹사진(6.00g, 33mmol), 아세트산 팔라듐(II)(79.6mg, 0.35mmol), SPhos(0.122g, 0.30mmol), 나트륨-tert-부톡시드(3.88g, 40mmol) 및 톨루엔(100ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 2-브로모피리딘(2.90ml, 30mmol)을 가하고, 60℃로 2시간 가열 교반했다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고, 실리카겔쇼트패스컬럼으로 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 백색 고체로서 페녹사진 유도체를 얻었다(6.15g, 수율 79%).Phenoxazine (6.00 g, 33 mmol), palladium(II) acetate (79.6 mg, 0.35 mmol), SPhos (0.122 g, 0.30 mmol), sodium-tert-butoxide (3.88 g, 40 mmol) and nitrogen in toluene (100 ml). 2-Bromopyridine (2.90 ml, 30 mmol) was added at room temperature under an atmosphere, and the mixture was heated and stirred at 60°C for 2 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, by washing with hexane, a phenoxazine derivative was obtained as a white solid (6.15 g, yield 79%).

Figure 112020077643373-pct00183
Figure 112020077643373-pct00183

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 6.42(d, 2H), 6.69-6.81(m, 6H), 7.28(dd, 1H), 7.36(d, 1H), 7.84(dt, 1H), 8.68(dd, 1H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 6.42(d, 2H), 6.69-6.81(m, 6H), 7.28(dd, 1H), 7.36(d, 1H), 7.84(dt, 1H), 8.68(dd, 1H).

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 115.8(2C), 116.0(2C), 122.1(1C), 122.3(1C), 122.7(1C), 123.2(2C), 132.9(2C), 139.4(1C), 145.6(2C), 150.6(1C), 153.9(1C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 115.8(2C), 116.0(2C), 122.1(1C), 122.3(1C), 122.7(1C), 123.2(2C), 132.9(2C), 139.4(1C), 145.6(2C), 150.6(1C), 153.9(1C).

2,2'-옥시비스(브로모벤젠)(3.28g, 10.0mmol) 및 디에틸에테르(25ml)에 질소 분위기 하, -78℃로 부틸리튬(12.7ml, 19.9mmol)을 가하고, 0℃로 2시간 교반함으로써 리튬 중간체를 조제했다. 한편, 페녹사진 유도체(2.63g, 10.1mmol) 및 톨루엔(30ml)에 질소 분위기 하, 실온에서 3브롬화 붕소(1.00ml, 10.5mmol)를 가하고, 90℃로 4시간 가열 교반함으로써 붕소 중간체를 조제한 후, 반응 용액의 용적이 전체의 약 2/3로 될 때까지 감압 하에서 농축했다. 이것을 -78℃로 리튬 중간체를 포함하는 반응 용액에 가하고, 0℃로 1시간 교반했다. 반응 용액을, 실리카겔쇼트패스컬럼으로 여과하고, 용매를 감압 증류 제거하여 조생성물을 얻었다. 그 후, 헥산으로 세정함으로써, 황색 고체로서 식(10P-gq-23-J11)의 화합물을 얻었다(3.30g, 수율 75%).Butyllithium (12.7ml, 19.9mmol) was added to 2,2'-oxybis(bromobenzene) (3.28g, 10.0mmol) and diethyl ether (25ml) at -78°C under a nitrogen atmosphere, and the mixture was cooled to 0°C. A lithium intermediate was prepared by stirring for 2 hours. Meanwhile, boron tribromide (1.00ml, 10.5mmol) was added to the phenoxazine derivative (2.63g, 10.1mmol) and toluene (30ml) at room temperature under a nitrogen atmosphere, and then heated and stirred at 90°C for 4 hours to prepare a boron intermediate. , the reaction solution was concentrated under reduced pressure until the volume was reduced to about 2/3 of the total. This was added to the reaction solution containing the lithium intermediate at -78°C, and stirred at 0°C for 1 hour. The reaction solution was filtered through a silica gel short pass column, and the solvent was distilled off under reduced pressure to obtain a crude product. Afterwards, by washing with hexane, the compound of the formula (10P-gq-23-J11) was obtained as a yellow solid (3.30 g, yield 75%).

Figure 112020077643373-pct00184
Figure 112020077643373-pct00184

1H-NMR(CDCl3, 400MHz); 6.76-6.80(m, 3H), 6.88(dd, 1H), 7.00-7.06(m, 2H), 7.08-7.12(m, 3H), 7.21-7.27(m, 5H), 7.30(d, 1H), 7.36(dt, 1H), 7.60(dt, 1H), 7.66-7.70(m, 2H). 1 H-NMR (CDCl 3 , 400 MHz); 6.76-6.80(m, 3H), 6.88(dd, 1H), 7.00-7.06(m, 2H), 7.08-7.12(m, 3H), 7.21-7.27(m, 5H), 7.30(d, 1H), 7.36(dt, 1H), 7.60(dt, 1H), 7.66-7.70(m, 2H).

13C-NMR(CDCl3, 101MHz); 113.2(1C), 114.0(1C), 115.9(1C), 116.1(1C), 117.3(1C), 118.4(1C), 118.9(1C), 122.3(1C), 122.4(1C), 123.6(1C), 126.0(1C), 126.7(1C), 127.6(1C), 128.3(1C), 128.3(1C), 128.5(1C), 129.0(1C), 133.3(1C), 135.2(1C), 139.5(1C), 145.0(1C), 145.1(1C), 149.4(1C), 149.7(1C), 155.3(1C), 158.7(1C). 13 C-NMR (CDCl 3 , 101 MHz); 113.2(1C), 114.0(1C), 115.9(1C), 116.1(1C), 117.3(1C), 118.4(1C), 118.9(1C), 122.3(1C), 122.4(1C), 123.6(1C), 126.0(1C), 126.7(1C), 127.6(1C), 128.3(1C), 128.3(1C), 128.5(1C), 129.0(1C), 133.3(1C), 135.2(1C), 139.5(1C), 145.0(1C), 145.1(1C), 149.4(1C), 149.7(1C), 155.3(1C), 158.7(1C).

원료의 화합물을 적절하게 변경함으로써, 전술한 합성예에 준한 방법으로, 본 발명에 따른 화합물 및 그의 고분자 화합물을 합성할 수 있다.By appropriately changing the raw material compounds, the compound according to the present invention and its polymer compound can be synthesized by a method similar to the above-described synthesis example.

<기초 물성의 평가><Evaluation of basic properties>

평가 대상의 화합물 흡수 특성과 발광 특성(형광과 인광)을 평가하는 경우, 화합물을 용매에 용해하여 용매 중에서 평가하는 경우와 박막 상태로 평가하는 경우가 있다. 또한, 박막 상태로 평가하는 경우에는, 화합물의 유기 EL 소자에서의 사용 태양에 따라, 화합물만을 박막화하고 평가하는 경우(단성분 증착막)와 화합물을 적절한 매트릭스 재료 중에 분산하고 박막화(공증착막)하여 평가하는 경우가 있다.When evaluating the absorption characteristics and luminescence characteristics (fluorescence and phosphorescence) of a compound to be evaluated, the compound may be dissolved in a solvent and evaluated in the solvent, or may be evaluated in a thin film state. In addition, when evaluating in a thin film state, depending on the type of use of the compound in an organic EL device, only the compound is thinned and evaluated (single-component vapor deposition film), or the compound is dispersed in an appropriate matrix material and thinned (co-deposited film). There are cases where it happens.

분산막의 제작Fabrication of dispersion membrane

매트릭스 재료로서는, 시판하고 있는 PMMA(폴리메틸메타크릴레이트) 등을 사용할 수 있다. PMMA에 분산한 박막 샘플은, 예를 들면, PMMA와 평가 대상의 화합물을 톨루엔 중에서 용해시킨 후, 스핀 코팅법에 의해 석영제의 투명 지지 기판(10mm×10mm) 상에 박막을 형성하여 제작할 수 있다.As a matrix material, commercially available PMMA (polymethyl methacrylate) or the like can be used. A thin film sample dispersed in PMMA can be produced, for example, by dissolving PMMA and the compound to be evaluated in toluene and then forming a thin film on a quartz transparent support substrate (10 mm x 10 mm) by spin coating. .

단성분 증착막의 제작Fabrication of single-component deposited films

단성분 증착막의 제작 방법을 이하에 기재한다. 석영제 또는 유리제의 투명 지지 기판을 시판하고 있는 증착 장치(쇼와(昭和)진공(주) 제조)의 기판 홀더에 고정하고, 평가 대상의 화합물을 넣은 몰리브덴제 증착용 보트를 장착한다. 다음으로, 진공조를 5×10-4Pa까지 감압하고, 화합물이 들어간 증착용 보트를 가열하여 적절한 막 두께로 되도록 증착하여, 단성분 증착막을 형성한다.The manufacturing method of the single-component vapor deposition film is described below. A transparent support substrate made of quartz or glass is fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition apparatus (manufactured by Showa Vacuum Co., Ltd.), and a molybdenum deposition boat containing the compound to be evaluated is mounted. Next, the pressure of the vacuum tank is reduced to 5×10 -4 Pa, and the deposition boat containing the compound is heated to deposit the compound to an appropriate film thickness to form a single component vapor deposition film.

공증착막의 제작Production of co-deposited film

매트릭스 재료가 호스트 재료인 경우의 박막 샘플의 제작 방법을 이하에 기재한다. 석영제 또는 유리제의 투명 지지 기판을 시판하고 있는 증착 장치(쇼와진공(주) 제조)의 기판 홀더에 고정하고, 호스트 재료를 넣은 몰리브덴제 증착용 보트, 도펀트 재료를 넣은 몰리브덴제 증착용 보트를 장착한다. 다음으로, 진공조를 5×10-4Pa까지 감압하고, 호스트 재료가 들어간 증착용 보트와 도펀트 재료가 들어간 증착용 보트를 동시에 가열하여 적절한 막 두께로 되도록 증착하여 호스트 재료와 도펀트 재료의 혼합 박막을 형성한다. 호스트 재료와 도펀트 재료의 설정 중량비에 따라 증착 속도를 제어한다.The manufacturing method of the thin film sample when the matrix material is the host material is described below. A transparent support substrate made of quartz or glass is fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition device (manufactured by Showa Vacuum Co., Ltd.), and a molybdenum deposition boat containing a host material and a molybdenum deposition boat containing a dopant material are installed. Install it. Next, the pressure of the vacuum bath is reduced to 5 forms. The deposition rate is controlled according to the set weight ratio of the host material and the dopant material.

흡수 특성과 발광 특성의 평가Evaluation of absorption and luminescence properties

흡수 스펙트럼의 측정은, 자외가시근적외선분광광도계((주)시마즈제작소(島津製作所), UV-2600)를 사용하여 행한다. 또한, 형광 스펙트럼 또는 인광 스펙트럼의 측정은, 분광형광광도계(히타치하이테크(주) 제조, F-7000)를 사용하여 행한다. 형광 스펙트럼의 측정에 대해서는, 실온에서 적절한 여기 파장으로 여기하여 포토루미네선스를 측정한다. 인광 스펙트럼의 측정에 대해서는, 부속의 냉각 유닛을 사용하여, 샘플을 액체 질소에 침지한 상태(온도 77K)로 측정한다. 인광 스펙트럼을 관측하기 위하여, 광학 초퍼(chopper)를 사용하여 여기광 조사로부터 측정 개시까지의 지연 시간을 조정한다. 샘플은 적절한 여기 파장으로 여기하여 포토루미네선스를 측정한다.The absorption spectrum is measured using an ultraviolet-visible-near-infrared spectrophotometer (Shimadzu Corporation, UV-2600). In addition, the measurement of the fluorescence spectrum or phosphorescence spectrum is performed using a spectrofluorometer (F-7000, manufactured by Hitachi Hi-Tech Co., Ltd.). For measurement of the fluorescence spectrum, photoluminescence is measured by excitation with an appropriate excitation wavelength at room temperature. For the measurement of the phosphorescence spectrum, the sample is immersed in liquid nitrogen (temperature 77K) using the attached cooling unit. To observe the phosphorescence spectrum, the delay time from excitation light irradiation to the start of measurement is adjusted using an optical chopper. The sample is excited with an appropriate excitation wavelength to measure photoluminescence.

<유기 EL 소자로서의 평가><Evaluation as an organic EL device>

이하, 본 발명에 따른 화합물을 사용하여 유기 EL 소자로서의 평가를 행하였다.Hereinafter, the compound according to the present invention was evaluated as an organic EL device.

<실시예 1><Example 1>

ITO가 증착된 유리제의 투명 지지 기판 및 화합물(10P-gq-101-J11)을 넣은 몰리브덴제 증착용 보트를 시판하고 있는 증착 장치(쇼와진공(주) 제조)에 고정하고, 진공조를 5×10-4Pa까지 감압하고, 화합물(10P-gq-101-J11)을 가열하여 50nm의 막 두께가 될 때까지 증착하고, 단성분 증착막을 형성했다. 얻어진 단성분 증착막의 광전자수량 스펙트럼, 가시 영역에서의 흡수 스펙트럼, 형광 스펙트럼 및 인광 스펙트럼을 측정했다. 광전자수량 스펙트럼에 의해 이온화 포텐셜(Ip)을, 형광 피크의 장파장측의 끝으로부터 구해지는 에너지 갭(Eg) 및 상기 이온화 포텐셜로부터 전자친화력(Ea)을, 형광 스펙트럼의 피크 탑으로부터 1중항 에너지(S1)를, 그리고, 인광 스펙트럼의 피크 탑으로부터 3중항 에너지(T1)를 각각 구했다. 결과는, 비교예 1에서 사용한 화합물 mCBP에 대한 차로서 나타내었다(표 1). 그리고, 특별히 언급하지 않는 한, 1중항 에너지(S1) 및 3중항 에너지(T1)는, 제1 여기 1중항 에너지 및 제1 여기 3중항 에너지이다. 또한, ΔEST는 1중항 에너지 및 3중항 에너지의 차다.A transparent support substrate made of glass on which ITO was deposited and a molybdenum deposition boat containing the compound (10P-gq-101-J11) were fixed to a commercially available deposition apparatus (manufactured by Showa Vacuum Co., Ltd.), and the vacuum chamber was heated for 5 minutes. The pressure was reduced to ×10 -4 Pa, and compound (10P-gq-101-J11) was heated and deposited to a film thickness of 50 nm, thereby forming a single component deposited film. The photoelectron quantity spectrum, absorption spectrum in the visible region, fluorescence spectrum, and phosphorescence spectrum of the obtained single-component deposited film were measured. The ionization potential (Ip) is determined from the photoelectron quantity spectrum, the energy gap (Eg) is determined from the end of the long wavelength side of the fluorescence peak, the electron affinity (Ea) is determined from the ionization potential, and the singlet energy (S) is determined from the peak top of the fluorescence spectrum. 1 ), and the triplet energy (T 1 ) was obtained from the peak top of the phosphorescence spectrum, respectively. The results were expressed as the difference with respect to the compound mCBP used in Comparative Example 1 (Table 1). In addition, unless otherwise specified, the singlet energy (S 1 ) and the triplet energy (T 1 ) are the first excitation singlet energy and the first excitation triplet energy. Additionally, ΔE ST is the difference between singlet energy and triplet energy.

<실시예 2><Example 2>

화합물(10P-gq-101-J11)을 화합물(10P-g-101)로 변경한 점 이외에는 실시예 1에 준한 방법으로 단성분 증착막을 제작하고, 각 스펙트럼을 측정했다. 또한 각 스펙트럼으로부터, 이온화 포텐셜(Ip) 등을 구하여, 비교예 1에 대한 차로서 표 1에 나타내었다.A single component vapor deposition film was produced in the same manner as in Example 1 except that compound (10P-gq-101-J11) was changed to compound (10P-g-101), and each spectrum was measured. Additionally, the ionization potential (Ip) and the like were obtained from each spectrum, and are shown in Table 1 as the difference with respect to Comparative Example 1.

<비교예 1><Comparative Example 1>

화합물(10P-gq-101-J11)을 화합물 mCBP(3,3'-디(9H-카르바졸릴-9-일)비페닐)로 변경한 점 이외에는 실시예 1에 준한 방법으로 단성분 증착막을 제작하고, 각 스펙트럼을 측정했다. 또한 각 스펙트럼으로부터, 이온화 포텐셜(Ip) 등을 구하여, 표 1에 나타내었다. 비교예 1은 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 2에 대한 기준이다.A single-component deposition film was prepared in the same manner as in Example 1, except that the compound (10P-gq-101-J11) was changed to the compound mCBP (3,3'-di(9H-carbazolyl-9-yl)biphenyl). Fabricated and measured each spectrum. Additionally, ionization potential (Ip), etc. were obtained from each spectrum and are shown in Table 1. Comparative Example 1 is a reference to Example 1, Example 2, and Comparative Example 2.

Figure 112020077643373-pct00185
Figure 112020077643373-pct00185

<비교예 2><Comparative Example 2>

화합물(10P-gq-101-J11)을 화합물 CBP로 변경한 점 이외에는 실시예 1에 준한 방법으로 단성분 증착막을 제작하고, 각 스펙트럼을 측정했다. 또한 각 스펙트럼으로부터, 이온화 포텐셜(Ip) 등을 구하여, 비교예 1에 대한 차로서 표 1에 나타내었다.A single component vapor deposition film was produced in the same manner as in Example 1 except that the compound (10P-gq-101-J11) was changed to the compound CBP, and each spectrum was measured. Additionally, the ionization potential (Ip) and the like were obtained from each spectrum, and are shown in Table 1 as the difference with respect to Comparative Example 1.

Figure 112020077643373-pct00186
Figure 112020077643373-pct00186

[표 1][Table 1]

Figure 112020077643373-pct00187
Figure 112020077643373-pct00187

이상, 본 발명에 따른 화합물의 일부에 대하여 기초 물성을 평가하고, 높은 3중항 여기 에너지(T1)이나 음(-)으로 큰 ΔEST 등을 가지는 것을 나타내었으나, 평가를 행하지 않은 다른 화합물도 동일한 기본 골격을 가지고, 전체로서도 유사한 구조를 가지는 화합물이며, 당업자에 있어서는 동일하게 우수한 특성을 가지는 것을 이해할 수 있다.As mentioned above, the basic physical properties of some of the compounds according to the present invention were evaluated, and it was shown that they had a high triplet excitation energy (T 1 ) and a negative (-) large ΔE ST , etc., but other compounds that were not evaluated also had the same properties. These compounds have a basic skeleton and a similar structure as a whole, and those skilled in the art can understand that they have equally excellent properties.

<유기 EL 소자의 제작 및 특성 평가><Manufacture and characteristic evaluation of organic EL devices>

예를 들면, 표 2에 나타낸 층 구성으로 실시예 3, 실시예 4 및 비교예 3에 관한 유기 EL 소자를 제작할 수 있다.For example, the organic EL devices according to Examples 3, 4, and Comparative Example 3 can be manufactured with the layer configuration shown in Table 2.

[표 2][Table 2]

Figure 112020077643373-pct00188
Figure 112020077643373-pct00188

표 2에 있어서, 「HAT-CN」은 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴, 「TBB」는 N4,N4,N4 ',N4'-테트라([1,1'-비페닐]-4-일)-[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민, 「TcTa」는 트리스(4-카르바졸릴-9-일페닐)아민, 「CBP」는 4,4'-디(9H-카르바졸릴-9-일)-1,1'-비페닐, 「Ir(PPy)3」는 트리스(2-페닐피리딘)이리듐(III), 「TPBi」는 1,3,5-트리스(1-페닐-1H-벤조[d]이미다졸-2-일)벤젠이다. 이하에 화학 구조를 나타낸다.In Table 2, "HAT-CN" is 1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile, and "TBB" is N 4 , N 4 , N 4 ' , N 4' - tetra([1,1'-biphenyl]-4-yl)-[1,1'-biphenyl]-4,4'-diamine, "TcTa" is tris(4-carbazolyl-9-ylphenyl )amine, "CBP" is 4,4'-di(9H-carbazolyl-9-yl)-1,1'-biphenyl, and "Ir(PPy) 3 " is tris(2-phenylpyridine)iridium ( III), “TPBi” is 1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)benzene. The chemical structure is shown below.

Figure 112020077643373-pct00189
Figure 112020077643373-pct00189

<실시예 3><Example 3>

<화합물(10P-g-101)을 발광층의 호스트 재료에 사용한 소자><Device using compound (10P-g-101) as the host material of the light-emitting layer>

스퍼터링에 의해 제막한 ITO를 50nm까지 연마한, 26mm×28mm×0.7mm의 유리 기판((주)오프토사이언스)을 투명 지지 기판으로 한다. 이 투명 지지 기판을 시판하고 있는 증착 장치((주)조슈(長州)산업)의 기판 홀더에 고정하고, HAT-CN, TBB, TcTa, 화합물(10P-g-101), Ir(PPy)3, TPBi 및 LiF의 각각을 넣은 탄탈제 증착용 도가니, 및 알루미늄을 넣은 질화 알루미늄제 증착용 도가니를 장착한다.A 26 mm x 28 mm x 0.7 mm glass substrate (Ophto Science Co., Ltd.) made by polishing the ITO film formed by sputtering to 50 nm was used as a transparent support substrate. This transparent support substrate was fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition equipment (Choshu Sangyo Co., Ltd.), and HAT-CN, TBB, TcTa, compound (10P-g-101), Ir(PPy) 3 , A tantalum deposition crucible containing TPBi and LiF, and an aluminum nitride deposition crucible containing aluminum are installed.

투명 지지 기판의 ITO막 위에 순차적으로, 하기 각 층을 형성한다. 진공조를 2.0×10-4Pa까지 감압하고, 먼저, HAT-CN을 가열하여 막 두께 5nm로 되도록 증착하고, 이어서, TBB를 가열하여 막 두께 65nm로 되도록 증착하고, 또한 TcTa를 가열하여 막 두께 10nm로 되도록 증착함으로써 3층으로 이루어지는 정공주입층 및 정공수송층을 형성한다. 다음으로, 화합물(10P-g-101)과 Ir(PPy)3를 동시에 가열하여 막 두께 30nm로 되도록 증착하여 발광층을 형성한다. 화합물(10P-g-101)과 Ir(PPy)3의 중량비가 약 95:5로 되도록 증착 속도를 조절한다. 다음으로, TPBi를 가열하여 막 두께 50nm로 되도록 증착하여 전자수송층을 형성한다. 지금까지의 각 층의 증착 속도는 0.01∼1 nm/초이다. 그 후, LiF를 가열하여 막 두께 1nm로 되도록 0.01∼0.1 nm/초의 증착 속도로 증착하고, 이어서, 알루미늄을 가열하여 막 두께 100nm로 되도록 0.1∼2 nm/초의 증착 속도로 증착하여 음극을 형성하여, 유기 EL 소자가 얻어진다.The following layers are sequentially formed on the ITO film of the transparent support substrate. The vacuum chamber was depressurized to 2.0 By depositing to a thickness of 10 nm, a three-layer hole injection layer and hole transport layer are formed. Next, compound (10P-g-101) and Ir(PPy) 3 are simultaneously heated and deposited to a film thickness of 30 nm to form a light emitting layer. The deposition rate is adjusted so that the weight ratio of compound (10P-g-101) and Ir(PPy) 3 is about 95:5. Next, TPBi is heated and deposited to a film thickness of 50 nm to form an electron transport layer. The deposition rate of each layer so far is 0.01 to 1 nm/sec. Afterwards, LiF is heated and deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec to achieve a film thickness of 1 nm, and then aluminum is heated and deposited at a deposition rate of 0.1 to 2 nm/sec to achieve a film thickness of 100 nm to form a cathode. , an organic EL device is obtained.

ITO 전극을 양극, LiF/알루미늄 전극을 음극으로 하여, 직류 전압을 인가함으로써 녹색 발광이 얻어진다.Green light emission is obtained by applying a direct current voltage using the ITO electrode as the anode and the LiF/aluminum electrode as the cathode.

<실시예 4><Example 4>

<화합물(10P-gq-101-J11)을 발광층의 호스트 재료에 사용한 소자><Device using compound (10P-gq-101-J11) as the host material of the light-emitting layer>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-g-101)을 화합물(10P-gq-101-J11)로 변경한 점 이외에는 실시예 3에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다. 또한, 동일하게 직류 전압을 인가함으로써 발광이 얻어진다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 3, except that compound (10P-g-101), which was the host material of the light emitting layer, was changed to compound (10P-gq-101-J11). Additionally, light emission is obtained by applying a direct current voltage in the same manner.

<비교예 3><Comparative Example 3>

<화합물 CBP를 발광층의 호스트 재료에 사용한 소자><Device using compound CBP as the host material of the light-emitting layer>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-g-101)을 화합물 CBP로 변경한 점 이외에는 실시예 3에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 3, except that the compound (10P-g-101), which was the host material of the light emitting layer, was changed to the compound CBP.

또한, 예를 들면, 표 3에 기재된 층 구성으로 실시예 5 및 실시예 6에 따른 유기 EL 소자를 제작할 수 있다.Additionally, for example, organic EL devices according to Examples 5 and 6 can be manufactured with the layer configuration shown in Table 3.

[표 3][Table 3]

Figure 112020077643373-pct00190
Figure 112020077643373-pct00190

<실시예 5><Example 5>

<화합물(10P-g-101)을 전자수송층으로 사용한 소자><Device using compound (10P-g-101) as an electron transport layer>

스퍼터링에 의해 제막한 ITO를 50nm까지 연마한, 26mm×28mm×0.7mm의 유리 기판((주)오프토사이언스)을 투명 지지 기판으로 한다. 이 투명 지지 기판을 시판하고 있는 증착 장치((주)조슈산업)의 기판 홀더에 고정하고, HAT-CN, TBB, TcTa, CBP, Ir(PPy)3, 화합물(10P-g-101) 및 LiF의 각각을 넣은 탄탈제 증착용 도가니, 및 알루미늄을 넣은 질화 알루미늄제 증착용 도가니를 장착한다.A 26 mm x 28 mm x 0.7 mm glass substrate (Ophto Science Co., Ltd.) made by polishing the ITO film formed by sputtering to 50 nm was used as a transparent support substrate. This transparent support substrate was fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition equipment (Choshu Sangyo Co., Ltd.), and HAT-CN, TBB, TcTa, CBP, Ir(PPy) 3 , compound (10P-g-101), and LiF A crucible for deposition made of tantalum containing each of the following and a crucible for deposition made of aluminum nitride containing aluminum are installed.

투명 지지 기판의 ITO막 위에 순차적으로, 하기 각 층을 형성한다. 진공조를 2.0×10-4Pa까지 감압하고, 먼저, HAT-CN을 가열하여 막 두께 10nm로 되도록 증착하고, 이어서, TBB를 가열하여 막 두께 20nm로 되도록 증착하고, 또한 TcTa를 가열하여 막 두께 10nm로 되도록 증착함으로써 3층으로 이루어지는 정공주입층 및 정공수송층을 형성한다. 다음으로, CBP와 Ir(PPy)3를 동시에 가열하여 막 두께 30nm로 되도록 증착하여 발광층을 형성한다. CBP와 Ir(PPy)3의 중량비가 약 95:5로 되도록 증착 속도를 조절한다. 다음으로, 화합물(10P-g-101)을 가열하여 막 두께 50nm로 되도록 증착하여 전자수송층을 형성한다. 지금까지의 각 층의 증착 속도는 0.01∼1 nm/초이다. 그 후, LiF를 가열하여 막 두께 1nm로 되도록 0.01∼0.1 nm/초의 증착 속도로 증착하고, 이어서, 알루미늄을 가열하여 막 두께 100nm로 되도록 0.1∼2 nm/초의 증착 속도로 증착하여 음극을 형성하여, 유기 EL 소자가 얻어진다.The following layers are sequentially formed on the ITO film of the transparent support substrate. The vacuum chamber was depressurized to 2.0 By depositing to a thickness of 10 nm, a three-layer hole injection layer and hole transport layer are formed. Next, CBP and Ir(PPy) 3 are simultaneously heated and deposited to a film thickness of 30 nm to form a light emitting layer. The deposition rate is adjusted so that the weight ratio of CBP and Ir(PPy) 3 is about 95:5. Next, compound (10P-g-101) is heated and deposited to a film thickness of 50 nm to form an electron transport layer. The deposition rate of each layer so far is 0.01 to 1 nm/sec. Afterwards, LiF is heated and deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec to achieve a film thickness of 1 nm, and then aluminum is heated and deposited at a deposition rate of 0.1 to 2 nm/sec to achieve a film thickness of 100 nm to form a cathode. , an organic EL device is obtained.

ITO 전극을 양극, LiF/알루미늄 전극을 음극으로 하여, 직류 전압을 인가함으로써 녹색 발광이 얻어진다.Green light emission is obtained by applying a direct current voltage using the ITO electrode as the anode and the LiF/aluminum electrode as the cathode.

<실시예 6><Example 6>

<화합물(10P-gq-101-J11)을 전자수송층으로 사용한 소자><Device using compound (10P-gq-101-J11) as an electron transport layer>

전자수송층의 화합물(10P-g-101)을 화합물(10P-gq-101-J11)로 변경한 점 이외에는 실시예 5에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다. 또한, 동일하게 직류 전압을 인가함으로써 발광이 얻어진다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 5, except that the compound (10P-g-101) in the electron transport layer was changed to compound (10P-gq-101-J11). Additionally, light emission is obtained by applying a direct current voltage in the same manner.

또한, 예를 들면, 표 4에 기대된 층 구성으로 실시예 7, 실시예 8 및 비교예 4에 따른 유기 EL 소자를 제작할 수 있다.Additionally, for example, organic EL devices according to Examples 7, 8, and Comparative Example 4 can be manufactured with the layer configurations expected in Table 4.

[표 4][Table 4]

Figure 112020077643373-pct00191
Figure 112020077643373-pct00191

표 4에 있어서, 「Firpic」는 비스[2-(4,6-디플루오로페닐)피리디나토-N,C2](피코리나토)이리듐(III)이다. 이하에 화학 구조를 나타낸다.In Table 4, “Firpic” is bis[2-(4,6-difluorophenyl)pyridinato-N,C2](picorinato)iridium(III). The chemical structure is shown below.

Figure 112020077643373-pct00192
Figure 112020077643373-pct00192

<실시예 7><Example 7>

<화합물(10P-g-101)을 발광층의 호스트 재료에 사용한 소자><Device using compound (10P-g-101) as the host material of the light-emitting layer>

스퍼터링에 의해 제막한 ITO를 50nm까지 연마한, 26mm×28mm×0.7mm의 유리 기판((주)오프토사이언스)을 투명 지지 기판으로 한다. 이 투명 지지 기판을 시판하고 있는 증착 장치((주)조슈산업)의 기판 홀더에 고정하고, HAT-CN, TBB, TcTa, 화합물(10P-g-101), Firpic, TPBi 및 LiF의 각각을 넣은 탄탈제 증착용 도가니, 및 알루미늄을 넣은 질화 알루미늄제 증착용 도가니를 장착한다.A 26 mm x 28 mm x 0.7 mm glass substrate (Ophto Science Co., Ltd.) made by polishing the ITO film formed by sputtering to 50 nm was used as a transparent support substrate. This transparent support substrate was fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition equipment (Choshu Sangyo Co., Ltd.), and each of HAT-CN, TBB, TcTa, compound (10P-g-101), Firpic, TPBi, and LiF was added thereto. A crucible for deposition made of tantalum and a crucible for deposition made of aluminum nitride containing aluminum are installed.

투명 지지 기판의 ITO막 위에 순차적으로, 하기 각 층을 형성한다. 진공조를 2.0×10-4Pa까지 감압하고, 먼저, HAT-CN을 가열하여 막 두께 5nm로 되도록 증착하고, 이어서, TBB를 가열하여 막 두께 65nm로 되도록 증착하고, 또한 TcTa를 가열하여 막 두께 10nm로 되도록 증착함으로써 3층으로 이루어지는 정공주입층 및 정공수송층을 형성한다. 다음으로, 화합물(10P-g-101)과 Firpic을 동시에 가열하여 막 두께 30nm로 되도록 증착하여 발광층을 형성한다. 화합물(10P-g-101)과 Firpic의 중량비가 약 95:5로 되도록 증착 속도를 조절한다. 다음으로, TPBi를 가열하여 막 두께 50nm로 되도록 증착하여 전자수송층을 형성한다. 각 층의 증착 속도는 0.01∼1 nm/초이다. 그 후, LiF를 가열하여 막 두께 1nm로 되도록 0.01∼0.1 nm/초의 증착 속도로 증착하고, 이어서, 알루미늄을 가열하여 막 두께 100nm로 되도록 0.1∼2 nm/초의 증착 속도로 증착하여 음극을 형성하여, 유기 EL 소자가 얻어진다.The following layers are sequentially formed on the ITO film of the transparent support substrate. The vacuum chamber was depressurized to 2.0 By depositing to a thickness of 10 nm, a three-layer hole injection layer and hole transport layer are formed. Next, the compound (10P-g-101) and Firpic are simultaneously heated and deposited to a film thickness of 30 nm to form a light emitting layer. The deposition rate is adjusted so that the weight ratio of compound (10P-g-101) and Firpic is about 95:5. Next, TPBi is heated and deposited to a film thickness of 50 nm to form an electron transport layer. The deposition rate of each layer is 0.01 to 1 nm/sec. Afterwards, LiF is heated and deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec to achieve a film thickness of 1 nm, and then aluminum is heated and deposited at a deposition rate of 0.1 to 2 nm/sec to achieve a film thickness of 100 nm to form a cathode. , an organic EL device is obtained.

ITO 전극을 양극, LiF/알루미늄 전극을 음극으로 하여, 직류 전압을 인가하면, 청색 발광이 얻어진다.When a direct current voltage is applied using the ITO electrode as the anode and the LiF/aluminum electrode as the cathode, blue light emission is obtained.

<실시예 8><Example 8>

<화합물(10P-gq-101-J11)을 발광층의 호스트 재료에 사용한 소자><Device using compound (10P-gq-101-J11) as the host material of the light-emitting layer>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-g-101)을 화합물(10P-gq-101-J11)로 변경한 점 이외에는 실시예 7에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면 청색 발광이 얻어진다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 7, except that compound (10P-g-101), which was the host material of the light emitting layer, was changed to compound (10P-gq-101-J11). When direct current voltage is applied to both electrodes, blue light emission is obtained.

<비교예 4><Comparative Example 4>

<화합물 mCBP을 발광층의 호스트 재료에 사용한 소자><Device using the compound mCBP as the host material of the light-emitting layer>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-g-101)을 화합물 mCBP로 변경한 점 이외에는 실시예 7에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면 청색 발광이 얻어진다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 7, except that the compound (10P-g-101), which was the host material of the light emitting layer, was changed to the compound mCBP. When direct current voltage is applied to both electrodes, blue light emission is obtained.

다음으로, 표 5에 나타낸층 구성으로 실시예 9∼16 및 비교예 5∼8에 따른 유기 EL 소자를 제작했다.Next, organic EL devices according to Examples 9 to 16 and Comparative Examples 5 to 8 were produced with the layer configuration shown in Table 5.

[표 5][Table 5]

Figure 112020077643373-pct00193
Figure 112020077643373-pct00193

표 5에 있어서, 「NPD」는 N,N'-비스(나프틸렌-1-일)-N,N'-비스(페닐)벤젠, 「mCP」는 1,3-비스(카르바졸릴-9-일)벤젠, 「DABNA2」는 9-([1,1'-비페닐]-3-일-N,N,5,11-테트라페닐-5,9-디하이드로-5,9-디아자-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센-3-아민, 「DABNA3」는 N,N,5,9-테트라페닐-5,9-디하이드로-5,9-디아자-13b-보라나프토[3,2,1-de]안트라센-7-아민의 상호의 1개의 벤젠환을 공유하는 2량체, 「4CzIPN」은 2,4,5,6-테트라(9H-카르바졸-9-일)이소프탈로니트릴, 「CzBPCN」은 4,4',6,6'-테트라(9H-카르바졸-9-일)-[1,1'-비페닐]-3,3'-디카르보니트릴, 「TSPO1」은 디페닐-4-트리페닐실릴페닐포스핀옥사이드이다. 이하에 화학 구조를 나타낸다.In Table 5, "NPD" is N,N'-bis(naphthylen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzene, and "mCP" is 1,3-bis(carbazolyl-9 -yl)benzene, “DABNA2” is 9-([1,1'-biphenyl]-3-yl-N,N,5,11-tetraphenyl-5,9-dihydro-5,9-diaza -13b-boranaphtho[3,2,1-de]anthracen-3-amine, “DABNA3” is N,N,5,9-tetraphenyl-5,9-dihydro-5,9-diaza- “4CzIPN”, a dimer sharing one benzene ring with 13b-boranaphtho[3,2,1-de]anthracene-7-amine, is 2,4,5,6-tetra(9H-carbazole) -9-yl) Isophthalonitrile, "CzBPCN" is 4,4',6,6'-tetra(9H-carbazol-9-yl)-[1,1'-biphenyl]-3,3'- Dicarbonitrile, “TSPO1”, is diphenyl-4-triphenylsilylphenylphosphine oxide. The chemical structure is shown below.

Figure 112020077643373-pct00194
Figure 112020077643373-pct00194

<실시예 9><Example 9>

<호스트에 화합물(10P-g-101)을, 도펀트에 DABNA2를 사용한 소자><Device using compound (10P-g-101) as the host and DABNA2 as the dopant>

스퍼터링에 의해 제막한 ITO를 50nm까지 연마한, 26mm×28mm×0.7mm의 유리 기판((주)오프토사이언스)을 투명 지지 기판으로 했다. 이 투명 지지 기판을 시판하고 있는 증착 장치((주)조슈산업)의 기판 홀더에 고정하고, NPD, TcTa, mCP, 화합물(10P-g-101), DABNA2, TSPO1 및 LiF의 각각을 넣은 탄탈제 증착용 도가니, 및 알루미늄을 넣은 질화 알루미늄제 증착용 도가니를 장착했다.A 26 mm x 28 mm x 0.7 mm glass substrate (Ophto Science Co., Ltd.) in which the ITO film formed by sputtering was polished to 50 nm was used as a transparent support substrate. This transparent support substrate was fixed to the substrate holder of a commercially available evaporation device (Choshu Sangyo Co., Ltd.), and a tantalum product containing each of NPD, TcTa, mCP, compound (10P-g-101), DABNA2, TSPO1, and LiF was added. A crucible for vapor deposition and a crucible for vapor deposition made of aluminum nitride filled with aluminum were installed.

투명 지지 기판의 ITO막 위에 순차적으로, 하기 각 층을 형성했다. 진공조를 2.0×10-4Pa까지 감압하고, 먼저, NPD를 가열하여 막 두께 40nm로 되도록 증착하고, 이어서, TcTa를 가열하여 막 두께 15nm로 되도록 증착하고, 또한 mCP를 가열하여 막 두께 15nm로 되도록 증착함으로써 3층으로 이루어지는 정공주입층 및 정공수송층을 형성했다. 다음으로, 화합물(10P-g-101)과 DABNA2를 동시에 가열하여 막 두께20nm로 되도록 증착하여 발광층을 형성했다. 화합물(10P-g-101)과 DABNA2의 중량비가 약 98:2로 되도록 증착 속도를 조절했다. 다음으로, TSPO1을 가열하여 막 두께 40nm로 되도록 증착하여 전자수송층을 형성했다. 각 층의 증착 속도는 0.01∼1 nm/초였다. 그 후, LiF를 가열하여 막 두께 1nm로 되도록 0.01∼0.1 nm/초의 증착 속도로 증착하고, 이어서, 알루미늄을 가열하여 막 두께 100nm로 되도록 0.1∼2 nm/초의 증착 속도로 증착하여 음극을 형성하여, 유기 EL 소자를 얻었다.The following layers were sequentially formed on the ITO film of the transparent support substrate. The vacuum chamber was depressurized to 2.0 By depositing as much as possible, a three-layer hole injection layer and hole transport layer were formed. Next, the compound (10P-g-101) and DABNA2 were heated simultaneously and deposited to a film thickness of 20 nm to form a light emitting layer. The deposition rate was adjusted so that the weight ratio of compound (10P-g-101) and DABNA2 was about 98:2. Next, TSPO1 was heated and deposited to a film thickness of 40 nm to form an electron transport layer. The deposition rate of each layer was 0.01 to 1 nm/sec. Afterwards, LiF is heated and deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec to achieve a film thickness of 1 nm, and then aluminum is heated and deposited at a deposition rate of 0.1 to 2 nm/sec to achieve a film thickness of 100 nm to form a cathode. , an organic EL device was obtained.

ITO 전극을 양극, LiF/알루미늄 전극을 음극으로 하여, 직류 전압을 인가하면, 약 466nm를 피크로 하는 청색 발광이 얻어졌다. 구동 전압 4.10V, 전류 밀도 0.05mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 10cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 18.2%였다.When a direct current voltage was applied using the ITO electrode as the anode and the LiF/aluminum electrode as the cathode, blue light emission with a peak at about 466 nm was obtained. At a driving voltage of 4.10 V and a current density of 0.05 mA/cm 2 , the luminance was 10 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 18.2%.

<실시예 10><Example 10>

<호스트에 화합물(10P-gq-101-J1)을, 도펀트에 DABNA2를 사용한 소자><Device using compound (10P-gq-101-J1) as the host and DABNA2 as the dopant>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-g-101)을 화합물(10P-gq-101-J11)로 변경한 점 이외에는 실시예 9에 준한 방법으로 유기 EL 소자를 얻었다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면 청색 발광이 얻어졌다. 구동 전압 3.82V, 전류 밀도 0.04mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 10cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 22.6%였다. 구동 전압 4.70V, 전류 밀도 0.66mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 100cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 15.3%였다. 비교예 5에 대하여, 10cd/m2 및 100cd/m2에서의 외부 양자 효율은 모두 우수하였다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 9, except that compound (10P-g-101), which was the host material of the light emitting layer, was changed to compound (10P-gq-101-J11). When direct current voltage was applied to both electrodes, blue light emission was obtained. At a driving voltage of 3.82 V and a current density of 0.04 mA/cm 2 , the luminance was 10 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 22.6%. At a driving voltage of 4.70 V and a current density of 0.66 mA/cm 2 , the luminance was 100 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 15.3%. For Comparative Example 5, the external quantum efficiencies at 10 cd/m 2 and 100 cd/m 2 were both excellent.

<비교예 5><Comparative Example 5>

<호스트에 화합물 mCBP을, 도펀트에 DABNA2를 사용한 소자><Device using the compound mCBP as the host and DABNA2 as the dopant>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-g-101)을 화합물 mCBP로 변경한 점 이외에는 실시예 5에 준한 방법으로 유기 EL 소자를 얻었다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면, 약 467nm에 피크 탑을 가지는 청색 발광이 얻어졌다. 구동 전압 3.65V, 전류 밀도 0.06mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 10cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 18.2%였다. 구동 전압 5.13V, 전류 밀도 0.92mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 100cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 11.4%였다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 5, except that the compound (10P-g-101), which was the host material of the light emitting layer, was changed to the compound mCBP. When a direct current voltage was applied to both electrodes, blue light emission with a peak top at approximately 467 nm was obtained. At a driving voltage of 3.65 V and a current density of 0.06 mA/cm 2 , the luminance was 10 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 18.2%. At a driving voltage of 5.13 V and a current density of 0.92 mA/cm 2 , the luminance was 100 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 11.4%.

<실시예 11><Example 11>

<호스트에 화합물(10P-g-101)을, 도펀트에 DABNA3를 사용한 소자><Device using compound (10P-g-101) as the host and DABNA3 as the dopant>

발광층의 도펀트 재료인 화합물 DABNA2를 화합물 DABNA3로 변경한 점 이외에는 실시예 9에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면 청색 발광이 얻어진다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 9, except that the compound DABNA2, which was the dopant material of the light emitting layer, was changed to the compound DABNA3. When direct current voltage is applied to both electrodes, blue light emission is obtained.

<실시예 12><Example 12>

<호스트에 화합물(10P-gq-101-J11)을, 도펀트에 DABNA3를 사용한 소자><Device using compound (10P-gq-101-J11) as the host and DABNA3 as the dopant>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-g-101)을 화합물(10P-gq-101-J11)로 변경하였고, 도펀트 재료인 화합물 DABNA2를 화합물 DABNA3로 변경한 점 이외에는 실시예 9에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면 청색 발광이 얻어진다.Organic EL was produced in the same manner as in Example 9, except that the host material of the emitting layer, compound (10P-g-101), was changed to compound (10P-gq-101-J11), and the dopant material, compound DABNA2, was changed to compound DABNA3. A device is obtained. When direct current voltage is applied to both electrodes, blue light emission is obtained.

<비교예 6><Comparative Example 6>

<호스트에 화합물 mCBP을, 도펀트에 DABNA3를 사용한 소자><Device using the compound mCBP as the host and DABNA3 as the dopant>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-g-101)을 화합물 mCBP로 변경하였고, 도펀트 재료인 화합물 DABNA2를 화합물 DABNA3로 변경한 점 이외에는 실시예 9에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면 청색 발광이 얻어진다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 9, except that the compound (10P-g-101), the host material of the light emitting layer, was changed to the compound mCBP, and the dopant material, compound DABNA2, was changed to the compound DABNA3. When direct current voltage is applied to both electrodes, blue light emission is obtained.

<실시예 13><Example 13>

<호스트에 화합물(10P-g-101)을, 도펀트에 4CzIPN을 사용한 소자><Device using compound (10P-g-101) as the host and 4CzIPN as the dopant>

발광층의 도펀트 재료인 화합물 DABNA2를 화합물 4CzIPN으로 변경한 점 이외에는 실시예 9에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면 녹색 발광이 얻어진다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 9, except that the compound DABNA2, which was the dopant material of the light emitting layer, was changed to the compound 4CzIPN. When direct current voltage is applied to both electrodes, green light emission is obtained.

<실시예 14><Example 14>

<호스트에 화합물(10P-gq-101-J11)을, 도펀트에 4CzIPN을 사용한 소자><Device using compound (10P-gq-101-J11) as the host and 4CzIPN as the dopant>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-g-101)을 화합물(10P-gq-101-J11)로 변경하였고, 도펀트 재료인 화합물 DABNA2를 화합물 4CzIPN으로 변경한 점 이외에는 실시예 9에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면 녹색 발광이 얻어진다.Organic EL was produced in the same manner as in Example 9, except that the host material of the emitting layer, compound (10P-g-101), was changed to compound (10P-gq-101-J11), and the dopant material, compound DABNA2, was changed to compound 4CzIPN. A device is obtained. When direct current voltage is applied to both electrodes, green light emission is obtained.

<비교예 7><Comparative Example 7>

<호스트에 화합물 mCBP을, 도펀트에 4CzIPN을 사용한 소자><Device using the compound mCBP as the host and 4CzIPN as the dopant>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-g-101)을 화합물 mCBP로 변경하였고, 도펀트 재료인 화합물 DABNA2를 화합물 4CzIPN으로 변경한 점 이외에는 실시예 9에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면 녹색 발광이 얻어진다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 9, except that the compound (10P-g-101), which was the host material of the light emitting layer, was changed to the compound mCBP, and the compound DABNA2, which was the dopant material, was changed to the compound 4CzIPN. When direct current voltage is applied to both electrodes, green light emission is obtained.

<실시예 15><Example 15>

<호스트에 화합물(10P-g-101)을, 도펀트에 CzBPCN을 사용한 소자><Device using compound (10P-g-101) as the host and CzBPCN as the dopant>

발광층의 도펀트 재료인 화합물 DABNA2를 화합물 CzBPCN으로 변경한 점 이외에는 실시예 9에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면 청색 발광이 얻어진다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 9, except that the compound DABNA2, which was the dopant material of the light emitting layer, was changed to the compound CzBPCN. When direct current voltage is applied to both electrodes, blue light emission is obtained.

<실시예 16><Example 16>

<호스트에 화합물(10P-gq-101-J11)을, 도펀트에 CzBPCN을 사용한 소자><Device using compound (10P-gq-101-J11) as the host and CzBPCN as the dopant>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-g-101)을 화합물(10P-gq-101-J11)로 변경하였고, 도펀트 재료인 화합물 DABNA2를 화합물 CzBPCN으로 변경한 점 이외에는 실시예 9에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면 청색 발광이 얻어진다.Organic EL was produced in the same manner as in Example 9, except that the host material of the light emitting layer (10P-g-101) was changed to compound (10P-gq-101-J11), and the dopant material, compound DABNA2, was changed to compound CzBPCN. A device is obtained. When direct current voltage is applied to both electrodes, blue light emission is obtained.

<비교예 8><Comparative Example 8>

<호스트에 화합물 mCBP을, 도펀트에 CzBPCN을 사용한 소자><Device using the compound mCBP as the host and CzBPCN as the dopant>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-g-101)을 화합물 mCBP로 변경하였고, 도펀트 재료인 화합물 DABNA2를 화합물 CzBPCN으로 변경한 점 이외에는 실시예 9에 준한 방법으로 유기 EL 소자가 얻어진다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면 청색 발광이 얻어진다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 9, except that the compound (10P-g-101), which was the host material of the light emitting layer, was changed to the compound mCBP, and the compound DABNA2, which was the dopant material, was changed to the compound CzBPCN. When direct current voltage is applied to both electrodes, blue light emission is obtained.

다음으로, 표 6에 나타낸 층 구성으로 실시예 17에 따른 유기 EL 소자를 제작했다.Next, an organic EL device according to Example 17 was manufactured with the layer composition shown in Table 6.

[표 6][Table 6]

Figure 112020077643373-pct00195
Figure 112020077643373-pct00195

<실시예 17><Example 17>

<호스트에 화합물(10P-gq-100-J11)을, 도펀트에 DABNA2를 사용한 소자><Device using compound (10P-gq-100-J11) as the host and DABNA2 as the dopant>

스퍼터링에 의해 제막한 ITO를 50nm까지 연마한, 26mm×28mm×0.7mm의 유리 기판((주)오프토사이언스)을 투명 지지 기판으로 했다. 이 투명 지지 기판을 시판하고 있는 증착 장치((주)조슈산업)의 기판 홀더에 고정하고, NPD, TcTa, mCP, 화합물(10P-gq-100-J11), DABNA2, TSPO1 및 LiF의 각각을 넣은 탄탈제 증착용 도가니, 및 알루미늄을 넣은 질화 알루미늄제 증착용 도가니를 장착했다.A 26 mm x 28 mm x 0.7 mm glass substrate (Ophto Science Co., Ltd.) in which the ITO film formed by sputtering was polished to 50 nm was used as a transparent support substrate. This transparent support substrate was fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition equipment (Choshu Sangyo Co., Ltd.), and each of NPD, TcTa, mCP, compound (10P-gq-100-J11), DABNA2, TSPO1, and LiF was added thereto. A crucible for vapor deposition made of tantalum and a crucible for vapor deposition made of aluminum nitride containing aluminum were installed.

투명 지지 기판의 ITO막 위에 순차적으로, 하기 각 층을 형성했다. 진공조를 2.0×10-4Pa까지 감압하고, 먼저, NPD를 가열하여 막 두께 40nm로 되도록 증착하고, 이어서, TcTa를 가열하여 막 두께 15nm로 되도록 증착하고, 또한 mCP를 가열하여 막 두께 15nm로 되도록 증착함으로써 3층으로 이루어지는 정공주입층 및 정공수송층을 형성했다. 다음으로, 화합물(10P-gq-100-J11)과 DABNA2를 동시에 가열하여 막 두께 20nm로 되도록 증착하여 발광층을 형성했다. 화합물(10P-gq-100-J11)과 DABNA2의 중량비가 약 98:2로 되도록 증착 속도를 조절했다. 다음으로, TSPO1을 가열하여 막 두께 40nm로 되도록 증착하여 전자수송층을 형성했다. 각 층의 증착 속도는 0.01∼1 nm/초였다. 그 후, LiF를 가열하여 막 두께 1nm로 되도록 0.01∼0.1 nm/초의 증착 속도로 증착하고, 이어서, 알루미늄을 가열하여 막 두께 100nm로 되도록 0.1∼2 nm/초의 증착 속도로 증착하여 음극을 형성하여, 유기 EL 소자를 얻었다.The following layers were sequentially formed on the ITO film of the transparent support substrate. The vacuum chamber was depressurized to 2.0 By depositing as much as possible, a three-layer hole injection layer and hole transport layer were formed. Next, the compound (10P-gq-100-J11) and DABNA2 were heated simultaneously and deposited to a film thickness of 20 nm to form a light-emitting layer. The deposition rate was adjusted so that the weight ratio of compound (10P-gq-100-J11) and DABNA2 was about 98:2. Next, TSPO1 was heated and deposited to a film thickness of 40 nm to form an electron transport layer. The deposition rate of each layer was 0.01 to 1 nm/sec. Afterwards, LiF is heated and deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec to achieve a film thickness of 1 nm, and then aluminum is heated and deposited at a deposition rate of 0.1 to 2 nm/sec to achieve a film thickness of 100 nm to form a cathode. , an organic EL device was obtained.

ITO 전극을 양극, LiF/알루미늄 전극을 음극으로 하여, 직류 전압을 인가하면, 약 469nm을 피크하는 청색 발광이 얻어졌다. 구동 전압 4.00V, 전류 밀도 0.04mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 10cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 25.0%였다. 구동 전압 4.84V, 전류 밀도 0.48mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 100cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 21.0%였다.When a direct current voltage was applied using the ITO electrode as the anode and the LiF/aluminum electrode as the cathode, blue light emission peaking at about 469 nm was obtained. At a driving voltage of 4.00 V and a current density of 0.04 mA/cm 2 , the luminance was 10 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 25.0%. At a driving voltage of 4.84 V and a current density of 0.48 mA/cm 2 , the luminance was 100 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 21.0%.

다음으로, 표 7에 기재된 층 구성으로 실시예 18, 19 및 비교예 9, 10에 따른 유기 EL 소자를 제작했다.Next, organic EL devices according to Examples 18 and 19 and Comparative Examples 9 and 10 were produced with the layer composition shown in Table 7.

[표 7][Table 7]

Figure 112020077643373-pct00196
Figure 112020077643373-pct00196

<실시예 18><Example 18>

<호스트에 화합물(10P-gq-100-J11)을, 도펀트에 DABNA2를 사용한 소자><Device using compound (10P-gq-100-J11) as the host and DABNA2 as the dopant>

스퍼터링에 의해 제막한 ITO를 50nm까지 연마한, 26mm×28mm×0.7mm의 유리 기판((주)오프토사이언스)을 투명 지지 기판으로 했다. 이 투명 지지 기판을 시판하고 있는 증착 장치((주)조슈산업)의 기판 홀더에 고정하고, NPD, TcTa, mCP, 화합물(10P-gq-100-J11), DABNA2, TSPO1 및 LiF의 각각을 넣은 탄탈제 증착용 도가니, 및 알루미늄을 넣은 질화 알루미늄제 증착용 도가니를 장착했다.A 26 mm x 28 mm x 0.7 mm glass substrate (Ophto Science Co., Ltd.) in which the ITO film formed by sputtering was polished to 50 nm was used as a transparent support substrate. This transparent support substrate was fixed to the substrate holder of a commercially available vapor deposition equipment (Choshu Sangyo Co., Ltd.), and each of NPD, TcTa, mCP, compound (10P-gq-100-J11), DABNA2, TSPO1, and LiF was added thereto. A crucible for vapor deposition made of tantalum and a crucible for vapor deposition made of aluminum nitride containing aluminum were installed.

투명 지지 기판의 ITO막 위에 순차적으로, 하기 각 층을 형성했다. 진공조를 2.0×10-4Pa까지 감압하고, 먼저, NPD를 가열하여 막 두께 40nm로 되도록 증착하고, 이어서, TcTa를 가열하여 막 두께 15nm로 되도록 증착하고, 또한 mCP를 가열하여 막 두께 15nm로 되도록 증착함으로써 3층으로 이루어지는 정공주입층 및 정공수송층을 형성했다. 다음으로, 화합물(10P-gq-100-J11)과 DABNA2를 동시에 가열하여 막 두께 20nm로 되도록 증착하여 발광층을 형성했다. 화합물(10P-gq-100-J11)과 DABNA2의 중량비가 약 98:2로 되도록 증착 속도를 조절했다. 다음으로, TSPO1을 가열하여 막 두께 30nm로 되도록 증착하여 전자수송층을 형성했다. 각 층의 증착 속도는 0.01∼1 nm/초였다. 그 후, LiF를 가열하여 막 두께 1nm로 되도록 0.01∼0.1 nm/초의 증착 속도로 증착하고, 이어서, 알루미늄을 가열하여 막 두께 100nm로 되도록 0.1∼2 nm/초의 증착 속도로 증착하여 음극을 형성하여, 유기 EL 소자를 얻었다.The following layers were sequentially formed on the ITO film of the transparent support substrate. The vacuum chamber was depressurized to 2.0 By depositing as much as possible, a three-layer hole injection layer and hole transport layer were formed. Next, the compound (10P-gq-100-J11) and DABNA2 were heated simultaneously and deposited to a film thickness of 20 nm to form a light-emitting layer. The deposition rate was adjusted so that the weight ratio of compound (10P-gq-100-J11) and DABNA2 was about 98:2. Next, TSPO1 was heated and deposited to a film thickness of 30 nm to form an electron transport layer. The deposition rate of each layer was 0.01 to 1 nm/sec. Afterwards, LiF is heated and deposited at a deposition rate of 0.01 to 0.1 nm/sec to achieve a film thickness of 1 nm, and then aluminum is heated and deposited at a deposition rate of 0.1 to 2 nm/sec to achieve a film thickness of 100 nm to form a cathode. , an organic EL device was obtained.

ITO 전극을 양극, LiF/알루미늄 전극을 음극으로 하여, 직류 전압을 인가하면, 약 469nm에 피크 탑을 가지는 청색 발광이 얻어졌다. 구동 전압 3.98V, 전류 밀도 0.04mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 10cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 25.0%였다. 구동 전압 4.66V, 전류 밀도 0.48mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 100cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 19.8%였다. 하기 비교예 9에 대하여, 10cd/m2 및 100cd/m2에서의 외부 양자 효율은 모두 우수하였다.When a direct current voltage was applied using the ITO electrode as the anode and the LiF/aluminum electrode as the cathode, blue light emission with a peak top at approximately 469 nm was obtained. At a driving voltage of 3.98 V and a current density of 0.04 mA/cm 2 , the luminance was 10 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 25.0%. At a driving voltage of 4.66 V and a current density of 0.48 mA/cm 2 , the luminance was 100 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 19.8%. For Comparative Example 9 below, the external quantum efficiencies at 10 cd/m 2 and 100 cd/m 2 were both excellent.

<비교예 9><Comparative Example 9>

<호스트에 화합물 mCBP을, 도펀트에 DABNA2를 사용한 소자><Device using the compound mCBP as the host and DABNA2 as the dopant>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-gq-100-J11)을 화합물 mCBP로 변경한 점 이외에는 실시예 18에 준한 방법으로 유기 EL 소자를 얻었다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면, 약 467nm에 피크 탑을 가지는 청색 발광이 얻어졌다. 구동 전압 4.50V, 전류 밀도 0.06mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 10cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 17.6%였다. 구동 전압 5.38V, 전류 밀도 0.83mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 100cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 12.4%였다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 18, except that the compound (10P-gq-100-J11), which was the host material of the light emitting layer, was changed to the compound mCBP. When a direct current voltage was applied to both electrodes, blue light emission with a peak top at approximately 467 nm was obtained. At a driving voltage of 4.50 V and a current density of 0.06 mA/cm 2 , the luminance was 10 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 17.6%. At a driving voltage of 5.38 V and a current density of 0.83 mA/cm 2 , the luminance was 100 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 12.4%.

<실시예 19><Example 19>

<호스트에 화합물(10P-gq-100-J11)을, 도펀트에 DABNA3를 사용한 소자><Device using compound (10P-gq-100-J11) as the host and DABNA3 as the dopant>

발광층의 도펀트 재료인 DABNA3로 변경한 점 이외에는 실시예 18에 준한 방법으로 유기 EL 소자를 얻었다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면, 약 472nm에 피크 탑을 가지는 청색 발광이 얻어졌다. 구동 전압 4.00V, 전류 밀도 0.03mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 10cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 34.5%였다. 구동 전압 5.38V, 전류 밀도 0.34mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 100cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 32.7%였다. 하기 비교예 10에 대하여, 10cd/m2 및 100cd/m2에서의 외부 양자 효율은 모두 우수하였다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 18, except that the dopant material of the light emitting layer was changed to DABNA3. When a direct current voltage was applied to both electrodes, blue light emission with a peak top at approximately 472 nm was obtained. At a driving voltage of 4.00 V and a current density of 0.03 mA/cm 2 , the luminance was 10 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 34.5%. At a driving voltage of 5.38 V and a current density of 0.34 mA/cm 2 , the luminance was 100 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 32.7%. For Comparative Example 10 below, the external quantum efficiencies at 10 cd/m 2 and 100 cd/m 2 were both excellent.

<비교예 10><Comparative Example 10>

<호스트에 화합물 mCBP을, 도펀트에 DABNA3를 사용한 소자><Device using the compound mCBP as the host and DABNA3 as the dopant>

발광층의 호스트 재료인 화합물(10P-gq-100-J11)을 화합물 mCBP로 변경하였고, 발광층의 도펀트 재료인 DABNA3로 변경한 점 이외에는 실시예 18에 준한 방법으로 유기 EL 소자를 얻었다. 양쪽 전극에 직류 전압을 인가하면, 약 471nm에 피크 탑을 가지는 청색 발광이 얻어졌다. 구동 전압 4.43V, 전류 밀도 0.05mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 10cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 22.5%였다. 구동 전압 5.20V, 전류 밀도 0.63mA/cm2에 있어서, 발광 휘도는 100cd/m2이며, 이 때의 외부 양자 효율은 18.7%였다.An organic EL device was obtained in the same manner as in Example 18, except that the compound (10P-gq-100-J11), the host material of the light-emitting layer, was changed to the compound mCBP, and the dopant material of the light-emitting layer was changed to DABNA3. When a direct current voltage was applied to both electrodes, blue light emission with a peak top at approximately 471 nm was obtained. At a driving voltage of 4.43 V and a current density of 0.05 mA/cm 2 , the luminance was 10 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 22.5%. At a driving voltage of 5.20 V and a current density of 0.63 mA/cm 2 , the luminance was 100 cd/m 2 and the external quantum efficiency at this time was 18.7%.

<TADF 화합물로서의 평가><Evaluation as a TADF compound>

다음으로, DFT 계산을 사용하여 TADF 활성인 발광 재료의 구조를 설계했다. PBE0/6-31G(d)법을 사용하여 기저 상태의 구조 최적화를 행한 후, Time-dependent DFT법을 사용하여 기저 상태로부터의 수직 여기 에너지를 계산하고, ΔEST 및 진동자 강도를 추정하였다. 모든 계산은 양자 화학 계산 프로그램 Firefly(A. A. Granovsky, Firefly version 8)를 사용하여 행하였다.Next, the structure of the TADF-active light-emitting material was designed using DFT calculations. After optimizing the structure of the ground state using the PBE0/6-31G(d) method, the vertical excitation energy from the ground state was calculated using the time-dependent DFT method, and ΔE ST and oscillator strength were estimated. All calculations were performed using the quantum chemical calculation program Firefly (AA Granovsky, Firefly version 8).

<계산 비교예 1><Calculation Comparative Example 1>

하기 비교 화합물(TADF-EM1)의 S1 여기 에너지, 진동자 강도 및 ΔEST는, 각각, 2.37eV(파장을 환산하면 522nm), 0.0003, 및 ΔEST는 0.008eV로 추정되었다. The S 1 excitation energy, oscillator intensity, and ΔE ST of the following comparative compound (TADF-EM1) were estimated to be 2.37 eV (522 nm in wavelength conversion), 0.0003, and ΔE ST of 0.008 eV, respectively.

Figure 112020077643373-pct00197
Figure 112020077643373-pct00197

규슈대학 야스다(安田) 교수 등의 발표(Chem. Commun., 2017, 53, 8723-8726)에 의하면, 논문 중에 있어서 계산 방법으로서 PBE0/6-31G(d)를 사용하여 계산된, S1 여기 에너지, 진동자 강도 및 ΔEST는, 각각, 2.34eV(파장으로 환산하면 530nm), 0.0057 및 0.008eV로 추정되었다. 또한, 발광 파장, PLQY 및 ΔEST의 실측값은, 각각, 504nm, 97% 및 0.06eV였다.According to a presentation by Professor Yasuda of Kyushu University and others (Chem. Commun., 2017, 53, 8723-8726), S 1 was calculated using PBE0/6-31G(d) as the calculation method in the paper. The energy, oscillator intensity, and ΔE ST were estimated to be 2.34 eV (530 nm in terms of wavelength), 0.0057, and 0.008 eV, respectively. Additionally, the actual measured values of the emission wavelength, PLQY, and ΔE ST were 504 nm, 97%, and 0.06 eV, respectively.

본 계산 비교예에 있어서, PBE0/6-31G(d)법을 사용하여 계산된 S1 여기 에너지는, 실측에 의해 구해진 발광 파장보다 18nm 짧고, ΔEST는 10배 정도 작았다. 또한, 계산에 의한 진동자 강도의 값은 매우 작았지만, 실측의 PLQY는 매우 높았다.In this comparative calculation example, the S 1 excitation energy calculated using the PBE0/6-31G(d) method was 18 nm shorter than the emission wavelength determined by actual measurement, and ΔE ST was about 10 times smaller. In addition, although the calculated value of the oscillator strength was very small, the actual measured PLQY was very high.

본 발명의 붕소 함유 소스피로 구조를 가지는 분자라면, 계산 비교예 1과 실측값이 동일한 경향이 있다는 가정 하에, 상기 화합물이 TADF 활성인 형광 재료인 것인지 아닌지를 판별했다. 구체적으로는, 실제 발광 파장은 S1 여기 에너지의 계산 결과에 비해 짧아질 가능성이 있고, 실측의 ΔEST는 계산 결과에 비해 크고 가능성이 있어, PLQY에 대해서도 진동자 강도의 계산 결과에 비해 큰 가능성이 있다고 가정했다. 이에, 계산 결과의 ΔEST가 0.20eV보다 작은 것은 TADF 형광 재료로서 사용 가능하며, 0.02eV보다 작은 것은 TADF 형광 재료로서 보다 유효하게 사용 가능한 것으로 했다. 또한, 진동자 강도가 0.0002 이상이면 높은 PLQY가 얻어지고, 0.0002보다 작을 때는 낮은 PLQY가 얻어지는 것으로 했다. 또한, 실제 발광 파장은 S1 여기 에너지의 계산 결과에 가깝지만 다소 시프트할 가능성이 있는 것으로 했다.If it is a molecule having a boron-containing sospiro structure of the present invention, it was determined whether the compound was a TADF-active fluorescent material or not, under the assumption that the calculated and measured values tended to be the same as those in Comparative Example 1. Specifically, the actual emission wavelength may be shorter than the calculation result of the S 1 excitation energy, and the actual ΔE ST is likely to be larger than the calculation result, and for PLQY, there is also a possibility that it is greater than the calculation result of the oscillator strength. It was assumed that there was. Accordingly, those with a ΔE ST of the calculation result of less than 0.20 eV can be used as TADF fluorescent materials, and those with ΔE ST of less than 0.02 eV can be used more effectively as TADF fluorescent materials. In addition, when the oscillator strength is 0.0002 or more, high PLQY is obtained, and when it is less than 0.0002, low PLQY is obtained. In addition, although the actual emission wavelength is close to the calculation result of S 1 excitation energy, there is a possibility that it may shift somewhat.

<계산 실시예 1><Calculation Example 1>

화합물(10P-g-295)의 S1 여기 에너지, 진동자 강도 및 ΔEST는, 각각, 3.08eV(파장으로 환산하면 403nm), 0.0138, 및 ΔEST는 0.135eV로 추정되었다. 계산 결과로부터, 화합물(10P-g-295)은 매우 깊은 청색 발광이 얻어지고, TADF 형광 재료로서 사용 가능하며, 높은 PLQY를 가지는 것으로 예상되었다.The S 1 excitation energy, oscillator intensity, and ΔE ST of compound (10P-g-295) were estimated to be 3.08 eV (403 nm in terms of wavelength), 0.0138, and ΔE ST of 0.135 eV, respectively. From the calculation results, the compound (10P-g-295) was expected to produce very deep blue emission, be usable as a TADF fluorescent material, and have a high PLQY.

Figure 112020077643373-pct00198
Figure 112020077643373-pct00198

<계산 실시예 2><Calculation Example 2>

화합물(10P-g-2011)의 S1 여기 에너지, 진동자 강도 및 ΔEST는, 각각, 2.76eV(파장으로 환산하면 449nm), 0.0000, 및 ΔEST는 0.003eV로 추정되었다. 계산 결과로부터, 화합물(10P-g-2011)은 청색 발광이 얻어지고, TADF 형광 재료로서 보다 유효하게 사용 가능하며, 낮은 PLQY를 가지는 것으로 예상되었다.The S 1 excitation energy, oscillator intensity, and ΔE ST of the compound (10P-g-2011) were estimated to be 2.76 eV (449 nm in terms of wavelength), 0.0000, and ΔE ST of 0.003 eV, respectively. From the calculation results, it was predicted that the compound (10P-g-2011) emits blue light, can be used more effectively as a TADF fluorescent material, and has a low PLQY.

Figure 112020077643373-pct00199
Figure 112020077643373-pct00199

<계산 실시예 3><Calculation Example 3>

화합물(10P-g-2021)의 S1 여기 에너지, 진동자 강도 및 ΔEST는, 각각, 2.40eV(파장으로 환산하면 517nm), 0.0000, 및 ΔEST는 0.003eV로 추정되었다. 계산 결과로부터, 화합물(10P-g-2021)은 녹색 발광이 얻어지고, TADF 형광 재료로서 보다 유효하게 사용 가능하며, 낮은 PLQY를 가지는 것으로 예상되었다.The S 1 excitation energy, oscillator intensity, and ΔE ST of the compound (10P-g-2021) were estimated to be 2.40 eV (517 nm when converted to wavelength), 0.0000, and ΔE ST of 0.003 eV, respectively. From the calculation results, it was expected that the compound (10P-g-2021) emits green light, can be used more effectively as a TADF fluorescent material, and has a low PLQY.

Figure 112020077643373-pct00200
Figure 112020077643373-pct00200

<계산 실시예 4><Calculation Example 4>

화합물(10P-g-2031)의 S1 여기 에너지, 진동자 강도 및 ΔEST는, 각각, 2.90eV(파장으로 환산하면 427nm), 0.0000, 및 ΔEST는 0.004eV로 추정되었다. 계산 결과로부터, 화합물(10P-g-2031)은 청색 발광이 얻어지고, TADF 형광 재료로서 보다 유효하게 사용 가능하며, 낮은 PLQY를 가지는 것으로 예상되었다.The S 1 excitation energy, oscillator intensity, and ΔE ST of compound (10P-g-2031) were estimated to be 2.90 eV (427 nm in wavelength conversion), 0.0000, and ΔE ST of 0.004 eV, respectively. From the calculation results, it was predicted that the compound (10P-g-2031) emits blue light, can be used more effectively as a TADF fluorescent material, and has a low PLQY.

Figure 112020077643373-pct00201
Figure 112020077643373-pct00201

<계산 실시예 5><Calculation Example 5>

화합물(10P-g-2041)의 S1 여기 에너지, 진동자 강도 및 ΔEST는, 각각, 2.77eV(파장으로 환산하면 447nm), 0.0000, 및 ΔEST는 0.003eV로 추정되었다. 계산 결과로부터, 화합물(10P-g-2041)은 청색 발광이 얻어지고, TADF 형광 재료로서 보다 유효하게 사용 가능하며, 낮은 PLQY를 가지는 것으로 예상되었다.The S 1 excitation energy, oscillator intensity, and ΔE ST of compound (10P-g-2041) were estimated to be 2.77 eV (447 nm in wavelength conversion), 0.0000, and ΔE ST of 0.003 eV, respectively. From the calculation results, it was expected that the compound (10P-g-2041) emits blue light, can be used more effectively as a TADF fluorescent material, and has a low PLQY.

Figure 112020077643373-pct00202
Figure 112020077643373-pct00202

<계산 실시예 6><Calculation Example 6>

화합물(10P-gq-2011-J11)의 S1 여기 에너지, 진동자 강도 및 ΔEST는, 각각, 2.88eV(파장으로 환산하면 430nm), 0.0020, 및 ΔEST는 0.038eV로 추정되었다. 계산 결과로부터, 화합물(10P-gq-2011-J11)은 깊은 청색 발광이 얻어지고, TADF 형광 재료로서 사용 가능하며, 높은 PLQY를 가지는 것으로 예상되었다.The S 1 excitation energy, oscillator intensity, and ΔE ST of compound (10P-gq-2011-J11) were estimated to be 2.88 eV (430 nm in terms of wavelength), 0.0020, and ΔE ST of 0.038 eV, respectively. From the calculation results, the compound (10P-gq-2011-J11) was expected to produce deep blue emission, be usable as a TADF fluorescent material, and have a high PLQY.

Figure 112020077643373-pct00203
Figure 112020077643373-pct00203

<계산 실시예 7><Calculation Example 7>

화합물(10P-gq-2021-J11)의 S1 여기 에너지, 진동자 강도 및 ΔEST는, 각각, 2.54eV(파장으로 환산하면 488nm), 0.0042, 및 ΔEST는 0.014eV로 추정되었다. 계산 결과로부터, 화합물(10P-gq-2021-J11)은 청색∼녹색 발광이 얻어지고, TADF 형광 재료로서 보다 유효하게 사용 가능하며, 높은 PLQY를 가지는 것으로 예상되었다.The S 1 excitation energy, oscillator intensity, and ΔE ST of the compound (10P-gq-2021-J11) were estimated to be 2.54 eV (488 nm when converted to wavelength), 0.0042, and ΔE ST of 0.014 eV, respectively. From the calculation results, the compound (10P-gq-2021-J11) was expected to emit blue to green light, be more effectively used as a TADF fluorescent material, and have a high PLQY.

Figure 112020077643373-pct00204
Figure 112020077643373-pct00204

<계산 실시예 8><Calculation Example 8>

화합물(10P-gq-2031-J11)의 S1 여기 에너지, 진동자 강도 및 ΔEST는, 각각, 3.05eV(파장으로 환산하면 406nm), 0.0016, 및 ΔEST는 0.147eV로 추정되었다. 계산 결과로부터, 화합물(10P-gq-2031-J11)은 깊은 청색 발광이 얻어지고, TADF 형광 재료로서 사용 가능하며, 높은 PLQY를 가지는 것으로 예상되었다.The S 1 excitation energy, oscillator intensity, and ΔE ST of compound (10P-gq-2031-J11) were estimated to be 3.05 eV (406 nm in terms of wavelength), 0.0016, and ΔE ST of 0.147 eV, respectively. From the calculation results, the compound (10P-gq-2031-J11) was expected to emit deep blue light, be usable as a TADF fluorescent material, and have a high PLQY.

Figure 112020077643373-pct00205
Figure 112020077643373-pct00205

<계산 실시예 9><Calculation Example 9>

화합물(10P-gq-2041-J11)의 S1 여기 에너지, 진동자 강도 및 ΔEST는, 각각, 4.62eV(파장으로 환산하면 474nm), 0.0006, 및 ΔEST는 0.006eV로 추정되었다. 계산 결과로부터, 화합물(10P-gq-2041-J11)은 청색∼녹색 발광이 얻어지고, TADF 형광 재료로서 보다 유효하게 사용 가능하며, 높은 PLQY를 가지는 것으로 예상되었다.The S 1 excitation energy, oscillator intensity, and ΔE ST of compound (10P-gq-2041-J11) were estimated to be 4.62 eV (474 nm in terms of wavelength), 0.0006, and ΔE ST of 0.006 eV, respectively. From the calculation results, it was predicted that compound (10P-gq-2041-J11) emits blue to green light, can be used more effectively as a TADF fluorescent material, and has a high PLQY.

Figure 112020077643373-pct00206
Figure 112020077643373-pct00206

이상, 본 발명에 따른 화합물의 일부에 대하여, 유기 EL 소자용 재료로서의 평가를 행하고, 우수한 유기 디바이스용 재료인 것을 나타냈으나, 평가를 행하지 않은 다른 화합물도 동일한 기본 골격을 가지고, 전체로서도 유사한 구조를 가지는 화합물이며, 당업자에 있어서는 동일하게 우수한 유기 디바이스용 재료인 것을 이해할 수 있다.As mentioned above, some of the compounds according to the present invention were evaluated as materials for organic EL devices, and were shown to be excellent materials for organic devices. However, other compounds that were not evaluated also have the same basic skeleton and have similar structures as a whole. It is a compound having a , and those skilled in the art can understand that it is an equally excellent material for organic devices.

[산업상 이용가능성][Industrial applicability]

본 발명에서는, 붕소를 스피로 원자로 한 신규한 화합물을 제공함으로써, 유기 EL 소자 등의 유기 디바이스용 재료의 선택 사항을 증가시킬 수 있다. 또한, 붕소를 스피로 원자로 한 신규한 화합물을 유기 EL 소자용 재료로서 사용함으로써, 우수한 유기 EL 소자, 이것을 구비한 표시 장치 및 이것을 구비한 조명 장치 등을 제공할 수 있다.In the present invention, the selection of materials for organic devices such as organic EL elements can be increased by providing a novel compound using boron as a spiro atom. Additionally, by using a novel compound containing boron as a spiro atom as a material for an organic EL device, an excellent organic EL device, a display device equipped with the same, a lighting device equipped with the same, etc. can be provided.

100: 유기전계 발광소자
101: 기판
102: 양극
103: 정공주입층
104: 정공수송층
105: 발광층
106: 전자수송층
107: 전자주입층
108: 음극
100: Organic electroluminescent device
101: substrate
102: anode
103: Hole injection layer
104: Hole transport layer
105: light emitting layer
106: Electron transport layer
107: Electron injection layer
108: cathode

Claims (27)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 하기 일반식(2)으로 표시되는, 화합물:
Figure 112024008714077-pct00208

(상기 식(2) 중,
Z1 및 Z2는 각각 독립적으로, 단결합, -O-, -S-, -Se-, 또는 -NR-이며, 여기서, R은, 탄소수 6~16의 아릴이며, R에서의 적어도 1개의 수소는, 탄소수 1~6의 알킬로 치환되어 있어도 되고, 단 Z1 및 Z2가 동시에 단결합이 되지는 않으며,
R1~R8 및 R13~R16은 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 6~16의 아릴, 또는 탄소수 1~6의 알킬이고,
R9~R12는, 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 6~16의 아릴, 탄소수 1~6의 알킬, 또는 하기 부분 구조식(TSG100), 식(TSG110), 식(TSG111), 식(TSG112), 식(TSG113), 식(TSG120) 또는 식(TSG121)으로 표시되는 기이며,

식(2)으로 표시되는 화합물에서의 적어도 1개의 수소는, 시아노, 할로겐 또는 중수소로 치환되어 있어도 됨).
Compounds represented by the following general formula (2):
Figure 112024008714077-pct00208

(In equation (2) above,
Z 1 and Z 2 are each independently a single bond, -O-, -S-, -Se-, or -NR-, where R is aryl having 6 to 16 carbon atoms, and at least one of R Hydrogen may be substituted with alkyl having 1 to 6 carbon atoms, provided that Z 1 and Z 2 do not form a single bond at the same time,
R 1 to R 8 and R 13 to R 16 are each independently hydrogen, aryl having 6 to 16 carbon atoms, or alkyl having 1 to 6 carbon atoms,
R 9 to R 12 are each independently hydrogen, aryl having 6 to 16 carbon atoms, alkyl having 1 to 6 carbon atoms, or the following partial structural formula (TSG100), formula (TSG110), formula (TSG111), formula (TSG112), It is a group represented by the formula (TSG113), formula (TSG120), or formula (TSG121),

At least one hydrogen in the compound represented by formula (2) may be substituted with cyano, halogen, or deuterium.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 하기 화학 구조식으로 표시되는, 화합물:
Figure 112024008714077-pct00209

Figure 112024008714077-pct00210

Figure 112024008714077-pct00211

Figure 112024008714077-pct00212
.
Compounds represented by the following chemical structures:
Figure 112024008714077-pct00209

Figure 112024008714077-pct00210

Figure 112024008714077-pct00211

Figure 112024008714077-pct00212
.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 하기 화학 구조식으로 표시되는, 화합물:
Figure 112024008714077-pct00213

Figure 112024008714077-pct00214

Figure 112024008714077-pct00215
.
Compounds represented by the following chemical structures:
Figure 112024008714077-pct00213

Figure 112024008714077-pct00214

Figure 112024008714077-pct00215
.
삭제delete 삭제delete 하기 화학 구조식으로 표시되는, 화합물:
Figure 112024008714077-pct00218

Figure 112024008714077-pct00219
.
Compounds represented by the following chemical structures:
Figure 112024008714077-pct00218

Figure 112024008714077-pct00219
.
제4항에 있어서,
하기 식을 만족시키는, 화합물:
ΔEST ≤ 0.20eV.
According to clause 4,
Compounds satisfying the formula:
ΔE ST ≤ 0.20eV.
제4항, 제8항, 제13항, 제16항 및 제17항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 함유하는, 유기 디바이스용 재료.A material for an organic device containing the compound according to any one of claims 4, 8, 13, 16, and 17. 제18항에 있어서,
상기 유기 디바이스용 재료가, 유기전계 발광소자용 재료, 유기전계 효과 트랜지스터용 재료 또는 유기박막 태양전지용 재료인, 유기 디바이스용 재료.
According to clause 18,
A material for an organic device, wherein the material for an organic device is a material for an organic electroluminescent element, a material for an organic field effect transistor, or a material for an organic thin film solar cell.
양극 및 음극으로 이루어지는 한 쌍의 전극과, 상기 한 쌍의 전극 사이에 배치되고, 제19항에 기재된 유기전계 발광소자용 재료를 함유하는 유기층을 가지는, 유기전계 발광소자.An organic electroluminescent device comprising a pair of electrodes consisting of an anode and a cathode, and an organic layer disposed between the pair of electrodes and containing the material for an organic electroluminescent device according to claim 19. 제20항에 있어서,
전자수송층 및/또는 전자주입층을 더 가지고, 상기 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 1개는, 퀴놀리놀계 금속 착체, 피리딘 유도체, 페난트롤린 유도체, 보란유도체 및 벤즈이미다졸 유도체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개를 함유하는, 유기전계 발광소자.
According to clause 20,
It further has an electron transport layer and/or an electron injection layer, wherein at least one of the electron transport layer and the electron injection layer is selected from the group consisting of a quinolinol-based metal complex, a pyridine derivative, a phenanthroline derivative, a borane derivative, and a benzimidazole derivative. An organic electroluminescent element containing at least one selected element.
제21항에 있어서,
상기 전자수송층 및/또는 전자주입층이, 알칼리 금속, 알칼리토류 금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로겐화물, 알칼리토류 금속의 산화물, 알칼리토류 금속의 할로겐화물, 희토류 금속의 산화물, 희토류 금속의 할로겐화물, 알칼리 금속의 유기착체, 알칼리토류 금속의 유기착체 및 희토류 금속의 유기착체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개를 더 함유하는, 유기전계 발광소자.
According to clause 21,
The electron transport layer and/or the electron injection layer is an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, an oxide of an alkali metal, a halide of an alkali metal, an oxide of an alkaline earth metal, a halide of an alkaline earth metal, an oxide of a rare earth metal, An organic electroluminescent element further containing at least one selected from the group consisting of a halide of a rare earth metal, an organic complex of an alkali metal, an organic complex of an alkaline earth metal, and an organic complex of a rare earth metal.
발광층을 가지는 유기전계 발광소자로서, 상기 발광층이,
제1 성분으로서, 적어도 1종의 호스트 화합물과,
제2 성분으로서, 적어도 1종의 열활성화형 지연 형광체를 포함하고,
상기 제1 성분 또는 제2 성분으로서, 제4항, 제8항, 제13항, 및 제16항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 가지는, 유기전계 발광소자.
An organic electroluminescent device having a light-emitting layer, wherein the light-emitting layer includes:
As a first component, at least one host compound,
As a second component, it includes at least one heat-activated delayed phosphor,
An organic electroluminescent element comprising the compound according to any one of claims 4, 8, 13, and 16 as the first or second component.
발광층을 가지는 유기전계 발광소자로서, 상기 발광층이,
제1 성분으로서, 적어도 1종의 호스트 화합물과,
제2 성분으로서, 적어도 1종의 열활성화형 지연 형광체를 포함하고,
상기 제1 성분으로서, 제4항, 제8항, 제13항, 및 제16항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 가지는, 유기전계 발광소자.
An organic electroluminescent device having a light-emitting layer, wherein the light-emitting layer includes:
As a first component, at least one host compound,
As a second component, it includes at least one heat-activated delayed phosphor,
An organic electroluminescent device comprising, as the first component, the compound according to any one of claims 4, 8, 13, and 16.
발광층을 가지는 유기전계 발광소자로서, 상기 발광층이,
제1 성분으로서, 적어도 1종의 호스트 화합물과,
제2 성분으로서, 적어도 1종의 열활성화형 지연 형광체를 포함하고,
상기 제2 성분으로서, 제4항, 제8항, 제13항, 및 제16항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 가지는, 유기전계 발광소자.
An organic electroluminescent device having a light-emitting layer, wherein the light-emitting layer includes:
As a first component, at least one host compound,
As a second component, it includes at least one heat-activated delayed phosphor,
An organic electroluminescent device comprising, as the second component, the compound according to any one of claims 4, 8, 13, and 16.
제20항에 기재된 유기전계 발광소자를 구비한, 표시 장치.A display device comprising the organic electroluminescent element according to claim 20. 제20항에 기재된 유기전계 발광소자를 구비한, 조명 장치.A lighting device comprising the organic electroluminescent element according to claim 20.
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