KR102673894B1 - 반도체 cvd 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 탈기 장치에 관한 것으로서, 특히 피탈기 액체의 점도에도 흐름이 원활할 수 있고 탈기 면적을 넓힐 수 있으며 제조가 편리하고 사후 관리시 부품의 분리, 보수가 용이한 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
이를 위하여, 본 발명은 진공이 형성되는 원통형의 메탈 하우징; 상기 메탈 하우징의 단부를 커버하는 하부 플랜지 덮개; 상기 하부 플랜지 덮개와 서로 플랜지끼리 체결되는 상부 플랜지 덮개; 여러 개의 기체 투과성 튜브가 다발을 형성하며 상기 메탈 하우징의 중앙을 관통하여 설치되는 불소수지 PFA 고 탈기용 막; 상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막의 단부가 삽입된 상태로 열 융착되는 불소수지 재질의 슬리브; 및 상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막이 관통된 상태로 상기 슬리브 하부에서 커넥터와 연결되는 하부 너트; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치를 제공한다.
이를 위하여, 본 발명은 진공이 형성되는 원통형의 메탈 하우징; 상기 메탈 하우징의 단부를 커버하는 하부 플랜지 덮개; 상기 하부 플랜지 덮개와 서로 플랜지끼리 체결되는 상부 플랜지 덮개; 여러 개의 기체 투과성 튜브가 다발을 형성하며 상기 메탈 하우징의 중앙을 관통하여 설치되는 불소수지 PFA 고 탈기용 막; 상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막의 단부가 삽입된 상태로 열 융착되는 불소수지 재질의 슬리브; 및 상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막이 관통된 상태로 상기 슬리브 하부에서 커넥터와 연결되는 하부 너트; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 탈기 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 피탈기 액체의 점도에도 흐름이 원활할 수 있고 탈기 면적을 넓힐 수 있으며 제조가 편리하고 사후 관리시 부품의 분리, 보수가 용이한 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정에 있어서, TEOS(tetraethyl orthosilicate) 막은 산화막용으로 사용되며, 베이킹 시스템(baking system)에서 기화한 후, 기체 상태의 TEOS 가스를 TEOS 가스 공급관을 통해서 TEOS 침적 로내에서 저압화학증착법(LPCVD : low pressure chemical vapor deposition) 등의 방법으로 웨이퍼 상에 TEOS 막을 형성한다.
TEOS 약 액을 공급하기 위해서 캐리어 가스(헬륨, 아르곤)의 압력을 이용하여 이송하게 되는데, TOS 약액의 가압을 위하여 투입된 이송용 헬륨 또는 아르곤 가스가 TEOS 약 액 내부에 일부 용존되는 현상이 발생한다.
TEOS 약 액 내부에 라인 형성시 균일도와 정밀도가 떨어지게 된다. 이를 방지하기 위하여 TEOS 약 액을 공급하는 장치 초입에 헬륨 등의 캐리어 가스를 추출해내는 탈기(degassing) 장치를 설치하는 것이 일반적이다.
종래 기술로서, 접속 부재와 나사 결합하는 고정 수단에 의한 코킹 구조를 이용하는 일 없이, 탈기 엘리먼트와 접속 부재와의 접속, 및/또는 진공(감압) 챔버와 접속 부재와의 접합을 실현한 탈기 장치가 발명된 바 있다(공개특허 제2007-0106928호)
상기 탈기장치는 피탈기 액체가 유통하는 유통구를 갖는 감압 챔버와, 감압 챔버 내에 수용되고, 피탈기 액체가 통과하는 탈기 엘리먼트와, 유통구에 있어서 감압 챔버와 접합된 관 형상의 접속 부재를 구비한 탈기 장치이며, 탈기 엘리먼트는 피탈기 액체가 내부를 통과하는 기체 투과성 튜브와, 기체 투과성 튜브의 단부를 피복하는 관 형상의 접합편을 구비하고, 접속 부재와 접합편과의 열 융착에 의해 탈기 엘리먼트가 감압 챔버에 고정된 구조를 갖는다.
그러나, 상기 탈기장치는 피탈기 액체의 유입구와 유출구가 상부의 덮개체에 같이 형성되어 있고 여기에 탈기 엘리먼트가 U자로 결합되어 있기 때문에 피탈기 액체의 점도에 따라 흐름이 원활하지 않을 수 있고 탈기 엘리먼트의 탈기 면적을 넓히기 어려운 문제점이 있었다.
또한, 단일의 덮개체에 경사면을 갖는 접속 부재를 결속시키고 접합편의 단부와 서로 맞대어 열 융착하기 때문에 제조시 좁은 공간 내에서 작업하는 불편함과 사후 관리시 각 부품들의 분리, 보수가 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 메탈 하우징 상부와 하부에 각각 유입구와 배출구가 직선으로 관통되어 피탈기 액체의 점도에도 흐름이 원활할 수 있고 기체 투과성 튜브 다발을 용수철 형태로 배치하여 탈기 면적을 넓힐 수 있으며 슬리브에 기체 투과성 튜브 다발을 열 융착한 다음에 너트를 이용하여 커넥터와 결합하므로 제조가 편리하고 상하로 구분된 플랜지 덮개를 사용하여 사후 관리시 부품의 분리, 보수가 용이한 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치는 진공이 형성되는 원통형의 메탈 하우징; 상기 메탈 하우징의 단부를 커버하는 하부 플랜지 덮개; 상기 하부 플랜지 덮개와 서로 플랜지끼리 체결되는 상부 플랜지 덮개; 여러 개의 기체 투과성 튜브가 다발을 형성하며 상기 메탈 하우징의 중앙을 관통하여 설치되는 불소수지 PFA 고 탈기용 막; 상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막의 단부가 삽입된 상태로 열 융착되는 불소수지 재질의 슬리브; 및 상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막이 관통된 상태로 상기 슬리브 하부에서 커넥터와 연결되는 하부 너트; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막은 외경 1.1mm, 내경 1mm, 두께 0.05mm의 기체 투과성 튜브 여러 개가 다발을 형성하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 열 융착은 400 ~ 550도의 온도에서 가공 시간 10분 이내에 처리되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 하부 플랜지 덮개, 상부 플랜지 덮개, 불소수지 재질의 슬리브 및 하부 너트는 메탈 하우징의 상단과 하단에 대칭으로 구비되고, 상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막은 메탈 하우징 내에 용수철 형태로 배치되며 양측단이 각각 메탈 하우징 상단과 하단에 구비된 슬리브에 열 융착되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 상,하 플랜지 덮개에는 진공 형성 장치가 연결되는 진공 포트가 구비되고, 상기 진공 포트에는 포토 센서와 기액 분리기가 구비되는 것을 특징으로 한다.
한편, 본 발명의 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치 제조방법은 여러 개의 기체 투과성 튜브가 다발을 형성하는 불소수지 PFA 고 탈기용 막을 하부 너트에 관통시키는 단계; 상기 관통된 불소수지 PFA 고 탈기용 막의 단부를 불소수지 재질의 슬리브 안에 집어넣어 결합하는 단계; 상기 결합된 슬리브와 불소수지 PFA 고 탈기용 막을 400 ~ 550도의 온도에서 2분 정도 열 융착하는 단계; 상기 열 융착 온도에서 진공펌프를 작동하여 3분 이상 열처리하는 단계; 및 상기 진공펌프 및 히터의 작동을 정지하고 10분간 공냉시키는 단계; 를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 공냉 후 가공된 불소수지 PFA 고 탈기용 막이 융착된 슬리브를 메탈 하우징에 구비된 플랜지 덮개를 관통시키고 하부 너트를 이용하여 커넥터와 연결하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막은 메탈 하우징 내에 용수철 형태로 배치되고 양측단이 각각 메탈 하우징 상단과 하단에 구비된 슬리브에 열 융착되는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 구성된 본 발명의 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치 및 그 제조방법은 다음과 같은 유용한 효과를 발휘한다.
1) 슬리브에 기체 투과성 튜브 다발을 열 융착한 다음에 너트를 이용하여 커넥터와 결합하므로 제조가 편리하고 상하로 구분된 플랜지 덮개를 사용하여 사후 관리시 부품의 분리, 보수가 용이하다.
2) 메탈 하우징 상부와 하부에 각각 유입구와 배출구가 직선으로 관통되어 피탈기 액체의 점도에도 흐름이 원활할 수 있다.
3) 기체 투과성 튜브 다발을 용수철 형태로 배치하여 탈기 면적을 넓힐 수 있다.
4) 진공포트 단에 기액 분리기 및 포토 센서를 이용하여 장치의 노후화 또는 제작상의 문제로 인해 파손시 약 액의 누출로 인한 공장 내 유틸리티 또는 장비의 손상을 막을 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치를 나타내는 일부 단면도;
도 2는 도 1의 하부 플랜지 덮개를 나타내는 단면도;
도 3은 도 1의 상부 플랜지 덮개를 나타내는 단면도;
도 4는 본 발명에 따른 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치의 슬리브를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1의 하부 플랜지 덮개를 나타내는 단면도;
도 3은 도 1의 상부 플랜지 덮개를 나타내는 단면도;
도 4는 본 발명에 따른 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치의 슬리브를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭이 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치를 나타내는 일부 단면도이고, 도 2는 도 1의 하부 플랜지 덮개를 나타내는 단면도이며, 도 3 은 도 1의 상부 플랜지 덮개를 나타내는 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치의 슬리브를 나타내는 단면도이다.
본 발명의 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치는 도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 메탈 하우징(100), 하부 플랜지 덮개(200), 상부 플랜지 덮개(300), 불소수지 PFA 고 탈기용 막(400), 슬리브(500) 및 하부 너트(도면에 미도시)를 포함하여 구성된다.메탈 하우징(100)은 메탈 재질의 진공챔버로 내부가 비어있는 원통형이다.
하부 플랜지 덮개(200)는 링형태로 상기 메탈 하우징(100)의 단부를 커버하기 위해 내주면 하단을 따라 메탈 하우징(100)의 단부 상면을 따라 안착되는 단턱(210)이 형성되고, 플랜지 부분에는 체결홈(220)이 구비된다.
상부 플랜지 덮개(300)는 중앙부가 천공된 판형태로 상기 하부 플랜지 덮개(200)와 캡 스크류(310)를 매개로 서로 플랜지끼리 체결되기 위해 플랜지에는 체결홀(320)이 천공되고, 중앙부의 테두리를 따라 상하부로 각각 연장된 커넥터(330)가 구비된다.
불소수지 PFA 고 탈기용 막(400)은 기공이 형성된 기체 분자만 투과가능한 여러 개의 기체 투과성 튜브가 다발을 형성하며 상기 메탈 하우징(100)의 중앙을 관통하여 설치된다. 이때 상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막(400)은 메탈 하우징(100) 내에 용수철 형태로 배치된다.
상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막(400)은 도 4에 도시된 바와 같이 외경 1.1mm, 내경 1mm, 두께 0.05mm의 기체 투과성 튜브 여러 개가 다발을 형성한다.
슬리브(500)는 불소수지 재질로 상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막(400)의 단부가 삽입된 상태로 열 융착되는 융착부(510), 후술할 하부 너트(도면에 미도시)가 체결되는 너트 체결부(520), 상기 하부 플랜지 덮개(300)에 밀착되는 슬리브 플랜지(530) 및 상부 너트(도면에 미도시)가 고정되는 너트 고정부(540)가 구성된다.
하부 너트(600)는 상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막(400)이 관통된 상태로 상기 슬리브(500) 하부에서 커넥터와(330)와 연결된다.
여기서, 상기 하부 플랜지 덮개(200), 상부 플랜지 덮개(300), 불소수지 재질의 슬리브(400) 및 하부 너트(500)는 메탈 하우징(100)의 상단과 하단에 대칭으로 구비되고, 불소수지 PFA 고 탈기용 막(400)은 양측단이 각각 메탈 하우징(100) 상단과 하단에 구비된 슬리브(500)에 열 융착된다.
상기 열 융착은 400 ~ 550도의 온도에서 가공 시간 10분 이내에 처리된다.
상기와 같이 구성된 본 발명의 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 제조방법은 다음과 같은 단계를 거친다.
먼저, 여러 개의 기체 투과성 튜브가 다발을 형성하는 불소수지 PFA 고 탈기용 막(400)을 하부 너트에 관통시키고, 그리고 상기 관통된 불소수지 PFA 고 탈기용 막의 단부를 불소 수지 재질의 슬리브(300) 안에 집어넣어 결합한다.
다음으로, 상기 결합된 슬리브와 불소수지 PFA 고 탈기용 막(400)을 400 ~ 550도의 온도에서 2분 정도 열 융착하고, 그리고 상기 열 융착 온도에서 진공 펌프를 작동하여 3분 이상 열처리한다. 다음으로, 상기 진공펌프 및 히터의 작동을 정지하고 10분간 공냉시킨다.
즉 불소수지 재질의 슬리브 가공물 안에 다수의 탈기 막을 꽉 끼어넣어 일정 이상의 온도로 열을 주어 다수의 탈기 막의 외벽이 일정한 두께로 서로 완전히 붙을 수 있게 하여 액체의 누수가 없도록 제작된다.
또한, 상기 공냉 후 가공된 불소수지 PFA 고 탈기용 막이 융착된 슬리브를 메탈 하우징(100)에 구비된 플랜지 덮개(200,300)를 관통시키고 하부 너트를 이용하여 커넥터와 연결하는 단계를 거친다.
본 발명의 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치는 다발의 불소수지 막의 상부와 하부에 TEOS 약 액이 출입하는 투입구와 배출구, 즉 약 액 IN/OUT 포트가 형성되어 있어서, 불소수지 막을 통해 IN 포트에서 OUT 포트로 TEOS 등의 전구체 약 액이 연속적으로 흘러가면서 반도체 제작장비에 공급된다.
그리고, 상,하부 플랜지 덮개에는 진공 포트(700)가 연결되는 홀이 천공되어 있고, 이 홀은 진공 펌프(또는 에어 이젝터 등의 진공 형성 장치)와 연결되어 있어서, 메탈 하우징 내부의 기체를 외부로 배출한다. 즉 진공 펌프 등의 진공 형성 장치에 이하여 메탈 하우징 내부는 진공에 가까운 상태가 된다.
TEOS 약 액에서 헬륨 및 캐리어 가스를 추출해내는 과정은 다음과 같다.
먼저 약 액 IN 포트를 통해 TEOS 약 액을 다발의 탈기 막 내부로 공급하면, TEOS 약 액이 흘러가면서 메탈 하우징 진공 챔버 속에 설치된 탈기 막 내부로 흘러간다.
진공 챔버 내부는 진공 펌프에 의하여 진공에 가까운 상태가 되므로, 불소수지 탈기 막 내부에 흐르는 TEOS 약 액에 녹아 있던 헬륨 또는 아르곤 기체가 탈기 막 외부로 빠져나와 진공 포트를 통해 배출된다.
또한, 장치의 노후화 또는 제작상의 문제로 인해 파손시 약 액이 진공 포트로 넘어가지 못하도록 진공 포트 단에 기액 분리기 및 포토 센서를 이용하여 약 액 누출을 알 수 있도록 상,하부 진공포트 중 한 곳에서는 액의 누수를 파악할 수 있는 포토 센서 등의 인터락 장치도 구성하면 약 액의 누출로 인한 공장 내 유틸리티 또는 장비의 손상을 막을 수 있다.
불소수지 탈기막에는 작은 기공이 있는데, 이 기공의 크기가 캐리어 가스의 분자보다는 크고 TEOS 약 액 분자보다는 작다. 따라서 진공 챔버 안의 압력차와 탈기 막 내의 기체 분압 차이에 의하여 기체 분자만 진공배관 내부로 빠져나오게 된다. 이와 같은 방법으로 TEOS(tetraethyl orthosilicate) 등의 약 액 내부에 있던 캐리어 기체 분자를 추출해낸다.
이러한 탈기 장치는 CVD 공정이나 산화막 공정에 쓰이는 프리커서(precursor: 특정 한 화합물을 합성하기 위해서 필요한 소재로 전구체라고 불리며 특정 가공단계를 거치기 전 상태의 물질)를 CVD 장비에 사용하기 위해 기화시키기 전까지 이송시키는 캐리어 가스를 제거하는데 사용될 수 있다.
또한, 반도체 및 FPD 제조 공정의 LDS(Liquid Delivery System) 장비에 장착이 되며, 또한, 포토레지스트 도포 공정 및 현상 공정 등에서 액체 내 마이크로 버블, 즉 용존된 기체 제거에 사용될 수 있다.
이와 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화될 수 있다는 사실은 해당 기술분야에 있어 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 것이다.
그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하며, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수 있다.
100..메탈 하우징 200..하부 플랜지 덮개
210..단턱 220..체결홈
300..상부 플랜지 덮개 310..캡 스크류
320..체결홈 330..커넥터
400..불소수지 PFA 고 탈기용 막
500..슬리브 510..융착부
520..체결부 530..슬리브 플랜지
540..너트 고정부 700..진공 포트
800..오링
210..단턱 220..체결홈
300..상부 플랜지 덮개 310..캡 스크류
320..체결홈 330..커넥터
400..불소수지 PFA 고 탈기용 막
500..슬리브 510..융착부
520..체결부 530..슬리브 플랜지
540..너트 고정부 700..진공 포트
800..오링
Claims (8)
- 진공이 형성되는 원통형의 메탈 하우징;
상기 메탈 하우징의 단부를 커버하는 하부 플랜지 덮개;
상기 하부 플랜지 덮개와 서로 플랜지끼리 체결되는 상부 플랜지 덮개;
여러 개의 기체 투과성 튜브가 다발을 형성하며 상기 메탈 하우징의 중앙을 관통하여 설치되는 것으로, 탈기용 막 내부를 통해 IN 포트에서 OUT 포트로 전구체 약 액이 연속적으로 흘러 공급되는 불소수지 PFA 고 탈기용 막;
상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막의 단부가 삽입된 상태로 열 융착되는 불소수지 재질의 슬리브; 및
상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막이 관통된 상태로 상기 슬리브 하부에서 커넥터와 연결되는 하부 너트; 를 포함하여 구성되며,
상기 열 융착은 400 ~ 550도의 온도에서 가공 시간 10분 이내에 처리되고,
상기 하부 플랜지 덮개, 상부 플랜지 덮개, 불소수지 재질의 슬리브 및 하부 너트는 메탈 하우징의 상단과 하단에 대칭으로 구비되고,
상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막은 메탈 하우징 내에 용수철 형태로 배치되며 양측단이 각각 메탈 하우징 상단과 하단에 구비된 슬리브에 열 융착되는 것을 특징으로 하는 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막은 외경 1.1mm, 내경 1mm, 두께 0.05mm의 기체 투과성 튜브 여러 개가 다발을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치. - 삭제
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 상,하 플랜지 덮개에는 진공 형성 장치가 연결되는 진공 포트가 구비되고,
상기 진공 포트에는 포토 센서와 기액 분리기가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치. - 여러 개의 기체 투과성 튜브가 다발을 형성하는 것으로, 탈기용 막 내부를 통해 IN 포트에서 OUT 포트로 전구체 약 액이 연속적으로 흘러 공급되는 불소수지 PFA 고 탈기용 막을 하부 너트에 관통시키는 단계;
상기 관통된 불소수지 PFA 고 탈기용 막의 단부를 불소수지 재질의 슬리브 안에 집어 넣어 결합하는 단계;
상기 결합된 슬리브와 불소수지 PFA 고 탈기용 막을 400 ~ 550도의 온도에서 2분 정도 열 융착하는 단계;
상기 열 융착 온도에서 진공펌프를 작동하여 3분 이상 열처리하는 단계; 및
상기 진공펌프 및 히터의 작동을 정지하고 10분간 공냉시키는 단계; 를 포함하여 구성되며,
상기 공냉 후 가공된 불소수지 PFA 고 탈기용 막이 융착된 슬리브를 메탈 하우징에 구비된 플랜지 덮개를 관통시키고 하부 너트를 이용하여 커넥터와 연결하는 단계를 포함하여 구성되고,
상기 불소수지 PFA 고 탈기용 막은 메탈 하우징 내에 용수철 형태로 배치되고 양측단이 각각 메탈 하우징 상단과 하단에 구비된 슬리브에 열 융착되는 것을 특징으로 하는 반도체 CVD 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치 제조방법. - 삭제
- 삭제
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KR1020230115896A KR102673894B1 (ko) | 2023-08-31 | 2023-08-31 | 반도체 cvd 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치 및 그 제조방법 |
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KR1020230115896A KR102673894B1 (ko) | 2023-08-31 | 2023-08-31 | 반도체 cvd 공정에서 액체 내 캐리어 기체 제거용 탈기 장치 및 그 제조방법 |
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Citations (6)
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KR20070106928A (ko) | 2006-05-01 | 2007-11-06 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 탈기 장치 |
KR20080006532A (ko) * | 2005-05-09 | 2008-01-16 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 탈기 장치 |
KR20090057452A (ko) * | 2006-09-22 | 2009-06-05 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 탈기 장치 |
KR20150091891A (ko) * | 2014-02-04 | 2015-08-12 | 주식회사 디피케이 | 비결정질 불소수지 중공사튜브를 이용한 탈기장치 및 그 제조법 |
KR20180131060A (ko) * | 2017-05-31 | 2018-12-10 | 홍광호 | 액체용 탈기 장치 |
KR20180136526A (ko) * | 2016-06-30 | 2018-12-24 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 중공사 탈기 모듈 및 당해 중공사 탈기 모듈을 이용해서 액체를 탈기하는 방법 |
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2023
- 2023-08-31 KR KR1020230115896A patent/KR102673894B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (6)
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---|---|---|---|---|
KR20080006532A (ko) * | 2005-05-09 | 2008-01-16 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 탈기 장치 |
KR20070106928A (ko) | 2006-05-01 | 2007-11-06 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 탈기 장치 |
KR20090057452A (ko) * | 2006-09-22 | 2009-06-05 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 탈기 장치 |
KR20150091891A (ko) * | 2014-02-04 | 2015-08-12 | 주식회사 디피케이 | 비결정질 불소수지 중공사튜브를 이용한 탈기장치 및 그 제조법 |
KR20180136526A (ko) * | 2016-06-30 | 2018-12-24 | 디아이씨 가부시끼가이샤 | 중공사 탈기 모듈 및 당해 중공사 탈기 모듈을 이용해서 액체를 탈기하는 방법 |
KR20180131060A (ko) * | 2017-05-31 | 2018-12-10 | 홍광호 | 액체용 탈기 장치 |
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