KR102670490B1 - Wafer inspection system - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 검사 시스템은 검사 장치, 반입 장치 및 제어 장치를 포함할 수 있다. 상기 검사 장치는 웨이퍼를 이송하는 스테이지, 상기 웨이퍼의 표면으로 수직 방향을 따라 전자기파를 조사하는 발광부, 및 상기 웨이퍼를 투과한 상기 전자기파를 수신하는 수광부를 포함할 수 있다. 상기 반입 장치는 상기 검사 장치로 상기 웨이퍼를 반입시킬 수 있다. 상기 제어 장치는 상기 검사 장치에 의해 검사된 상기 웨이퍼에 대한 데이터를 처리하고, 상기 검사 장치와 상기 반입 장치의 동작들을 제어할 수 있다. 따라서, 발광부/수광부와 웨이퍼 사이의 거리에 따른 오차나 웨이퍼의 두께가 측정 결과에 반영되지 않게 되어, 검사 장치의 측정 결과는 향상된 신뢰도를 가질 수 있다. A wafer inspection system may include an inspection device, a loading device, and a control device. The inspection device may include a stage for transferring the wafer, a light emitting unit that irradiates electromagnetic waves along a vertical direction to the surface of the wafer, and a light receiving unit that receives the electromagnetic waves transmitted through the wafer. The loading device may load the wafer into the inspection device. The control device may process data about the wafer inspected by the inspection device and control operations of the inspection device and the loading device. Therefore, errors due to the distance between the light emitting unit/receiving unit and the wafer or the thickness of the wafer are not reflected in the measurement results, so the measurement results of the inspection device can have improved reliability.

Description

웨이퍼 검사 시스템{WAFER INSPECTION SYSTEM}Wafer inspection system {WAFER INSPECTION SYSTEM}

본 발명은 웨이퍼 검사 시스템에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 전자기파를 이용해서 웨이퍼를 검사하는 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer inspection system. More specifically, the present invention relates to a system for inspecting wafers using electromagnetic waves.

일반적으로, 웨이퍼를 전자기파를 이용해서 검사할 수 있다. 웨이퍼는 진공 또는 정전기력을 이용해서 고정시킬 수 있다.In general, wafers can be inspected using electromagnetic waves. The wafer can be held in place using vacuum or electrostatic forces.

관련 기술들에 따르면, 웨이퍼 검사 시스템은 반사형 구조를 가질 수 있다. 반사형 구조에서는, 전자기파를 발광부로부터 웨이퍼의 표면으로 경사지게 입사시키고, 웨이퍼의 표면으로부터 경사지게 반사된 전자기파를 수광부가 수광할 수 있다. 이러한 반사형 구조를 이용해서 획득한 측정 결과는 발광부/수광부와 웨이퍼 사이의 거리에 따른 오차 및/또는 웨이퍼의 두께를 포함할 수 있다. 이로 인하여, 웨이퍼를 정밀하게 검사할 수가 없을 것이다.According to related technologies, the wafer inspection system may have a reflective structure. In the reflective structure, electromagnetic waves can be incident at an angle from the light emitting unit to the surface of the wafer, and the light receiving unit can receive the electromagnetic waves obliquely reflected from the surface of the wafer. Measurement results obtained using this reflective structure may include errors depending on the distance between the light emitting unit/receiving unit and the wafer and/or the thickness of the wafer. Because of this, the wafer may not be inspected precisely.

또한, 진공 또는 정전기력을 웨이퍼로 제공하기 위한 척킹 기구가 전자기파와 간섭을 일으킬 수 있다. 이로 인하여, 웨이퍼로부터 반사된 전자기파는 웨이퍼에 대한 정확한 데이터를 가질 수가 없고, 간섭에 의한 노이즈를 포함할 수 있다. 결과적으로, 웨이퍼를 정밀하면서 신속하게 검사할 수 없을 것이다.Additionally, a chucking mechanism for providing vacuum or electrostatic force to the wafer may cause interference with electromagnetic waves. Because of this, electromagnetic waves reflected from the wafer cannot have accurate data about the wafer and may include noise due to interference. As a result, wafers will not be able to be inspected precisely and quickly.

본 발명은 웨이퍼를 정밀하면서 신속하게 검사할 수 있는 웨이퍼 검사 시스템을 제공한다.The present invention provides a wafer inspection system that can precisely and quickly inspect wafers.

본 발명의 일 견지에 웨이퍼 검사 시스템은 검사 장치, 반입 장치 및 제어 장치를 포함할 수 있다. 상기 검사 장치는 웨이퍼를 이송하는 스테이지, 상기 웨이퍼의 표면으로 수직 방향을 따라 전자기파를 조사하는 발광부, 및 상기 웨이퍼를 투과한 상기 전자기파를 수신하는 수광부를 포함할 수 있다. 상기 반입 장치는 상기 검사 장치로 상기 웨이퍼를 반입시킬 수 있다. 상기 제어 장치는 상기 검사 장치에 의해 검사된 상기 웨이퍼에 대한 데이터를 처리하고, 상기 검사 장치와 상기 반입 장치의 동작들을 제어할 수 있다.In one aspect of the present invention, a wafer inspection system may include an inspection device, a loading device, and a control device. The inspection device may include a stage for transferring the wafer, a light emitting unit that irradiates electromagnetic waves along a vertical direction to the surface of the wafer, and a light receiving unit that receives the electromagnetic waves transmitted through the wafer. The loading device may load the wafer into the inspection device. The control device may process data about the wafer inspected by the inspection device and control operations of the inspection device and the loading device.

상기된 본 발명에 따르면, 검사 장치가 웨이퍼를 수직 방향을 따라 투과한 전자기파를 이용해서 웨이퍼를 검사하게 되므로, 발광부/수광부와 웨이퍼 사이의 거리에 따른 오차나 웨이퍼의 두께가 측정 결과에 반영되지 않을 수 있다. 따라서, 검사 장치의 측정 결과는 향상된 신뢰도를 가질 수 있다. 또한, 투과 방식의 전자기파를 이용하게 되므로, 여러 가지 형상 및 크기를 갖는 다양한 웨이퍼들을 신속하게 검사할 수도 있다.According to the present invention described above, since the inspection device inspects the wafer using electromagnetic waves transmitted through the wafer in a vertical direction, errors due to the distance between the light emitting unit/receiving unit and the wafer or the thickness of the wafer are not reflected in the measurement results. It may not be possible. Accordingly, the measurement results of the inspection device can have improved reliability. Additionally, since transmission-type electromagnetic waves are used, various wafers of various shapes and sizes can be quickly inspected.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 검사 시스템을 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 검사 시스템의 고해상도 검사 모듈을 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈을 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈의 탑 플레이트를 나타낸 평면도이다.
도 5 내지 도 8은 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈의 동작을 순차적으로 나타낸 사시도들이다.
도 9는 도 1에 도시된 웨이퍼 검사 시스템의 고속 검사 모듈을 나타낸 사시도이다.
도 10은 도 9에 도시된 고속 검사 모듈을 나타낸 평면도이다.
도 11은 도 10의 "A" 부위를 확대해서 나타낸 평면도이다.
도 12는 도 11의 B-B' 선을 따라 나타낸 단면도이다.
도 13은 도 10의 C-C' 선을 따라 나타낸 단면도이다.1 is a perspective view showing a wafer inspection system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing a high-resolution inspection module of the wafer inspection system shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing the high-resolution inspection module shown in FIG. 2.
FIG. 4 is a plan view showing the top plate of the high-resolution inspection module shown in FIG. 2.
Figures 5 to 8 are perspective views sequentially showing the operation of the high-resolution inspection module shown in Figure 2.
FIG. 9 is a perspective view showing a high-speed inspection module of the wafer inspection system shown in FIG. 1.
FIG. 10 is a plan view showing the high-speed inspection module shown in FIG. 9.
FIG. 11 is an enlarged plan view of portion “A” in FIG. 10.
Figure 12 is a cross-sectional view taken along line BB' in Figure 11.
FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line CC' of FIG. 10.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 검사 시스템을 나타낸 사시도이다.1 is a perspective view showing a wafer inspection system according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 웨이퍼 검사 시스템은 검사 장치(10), 반입 장치(20) 및 제어 장치(30)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the wafer inspection system according to this embodiment may include an inspection device 10, a loading device 20, and a control device 30.

검사 장치(10)는 웨이퍼를 전자기파를 이용해서 검사할 수 있다. 검사 장치(10)는 스테이지, 발광부(180, 도 5 참조) 및 수광부(190, 도 5 참조)를 포함할 수 있다. The inspection device 10 can inspect wafers using electromagnetic waves. The inspection device 10 may include a stage, a light emitting unit 180 (see FIG. 5), and a light receiving unit 190 (see FIG. 5).

스테이지는 웨이퍼를 이송시킬 수 있다. 발광부(180)는 웨이퍼의 하부에 배치될 수 있다. 발광부(180)는 웨이퍼의 하부면으로 전자기파를 조사할 수 있다. 특히, 발광부(180)는 웨이퍼의 하부면과 직교하는 방향, 즉 수직 방향을 따라 웨이퍼의 하부면으로 전자기파를 조사할 수 있다. 따라서, 발광부(180)에서 조사된 전자기파는 웨이퍼를 수직 방향을 따라 투과할 수 있다.The stage can transport the wafer. The light emitting unit 180 may be disposed on the lower part of the wafer. The light emitting unit 180 may irradiate electromagnetic waves to the lower surface of the wafer. In particular, the light emitting unit 180 may irradiate electromagnetic waves to the lower surface of the wafer along a direction perpendicular to the lower surface of the wafer, that is, a vertical direction. Accordingly, electromagnetic waves radiated from the light emitting unit 180 may transmit through the wafer along the vertical direction.

수광부(190)는 웨이퍼의 상부에 배치될 수 있다. 특히, 수광부(190)는 발광부(180)로부터 수직 방향을 따라 연장된 수직선 상에 위치할 수 있다. 이에 따라, 수광부(190)는 웨이퍼를 수직 방향을 따라 투과한 전자기파를 수광할 수 있다. 따라서, 발광부(180)와 웨이퍼 사이의 거리 및 수광부(190)와 웨이퍼 사이의 거리에 따른 오차나 웨이퍼의 두께가 수광부(190)에서 수신한 전자기파에 포함되지 않을 수 있다. 다른 실시예로서, 발광부(180)가 웨이퍼의 하부에 배치되고, 수광부(190)가 웨이퍼의 상부에 배치될 수 있다.The light receiving unit 190 may be placed on top of the wafer. In particular, the light receiving unit 190 may be located on a vertical line extending from the light emitting unit 180 along the vertical direction. Accordingly, the light receiving unit 190 can receive electromagnetic waves transmitted through the wafer in a vertical direction. Therefore, errors due to the distance between the light emitting unit 180 and the wafer and the distance between the light receiving unit 190 and the wafer or the thickness of the wafer may not be included in the electromagnetic wave received by the light receiving unit 190. As another example, the light emitting unit 180 may be placed on the bottom of the wafer, and the light receiving unit 190 may be placed on the top of the wafer.

부가적으로, 검사 장치(10)는 진동을 억제하는 제진대, 화학 가스의 유입을 방지하는 기구, 항온 항습 기구 등을 더 포함할 수도 있다.Additionally, the inspection device 10 may further include a vibration isolation table for suppressing vibration, a mechanism for preventing the inflow of chemical gas, a constant temperature and humidity mechanism, etc.

반입 장치(20)는 웨이퍼를 검사 장치(10)로 반입시킬 수 있다. 반입 장치(20)는 로드 포트(load port), 예비 정렬 기구, 반송 로봇 등을 포함할 수 있다. 복수개의 웨이퍼들이 수납된 FOUP는 로드 포트에 안치될 수 있다. 웨이퍼의 동일 위치를 검사하기 위해서, 예비 정렬 기구는 웨이퍼를 미리 정렬시켜서, 검사 전의 웨이퍼의 위치 정보를 파악할 수 있다. 반송 로봇은 로드 포트에 안치된 FOUP 내로부터 웨이퍼를 하나씩 스테이지로 반송할 수 있다.The loading device 20 can load the wafer into the inspection device 10 . The loading device 20 may include a load port, a preliminary alignment mechanism, a transfer robot, etc. A FOUP containing a plurality of wafers can be placed in a load port. In order to inspect the same position of the wafer, the preliminary alignment mechanism can align the wafer in advance and obtain the position information of the wafer before inspection. The transfer robot can transfer wafers one by one to the stage from within the FOUP placed in the load port.

제어 장치(30)는 검사 장치(10)에 의해 검사된 웨이퍼에 대한 데이터를 처리할 수 있다. 제어 장치(30)는 검사 장치(10)와 반입 장치(20)의 동작들을 제어할 수 있다. The control device 30 may process data about wafers inspected by the inspection device 10 . The control device 30 can control the operations of the inspection device 10 and the loading device 20.

본 실시예에서, 검사 장치(10)는 웨이퍼를 고해상도로 검사하는 고해상도 검사 모듈(100) 및 웨이퍼를 고속으로 검사하는 고속 검사 모듈(200)을 선택적으로 포함할 수 있다. 즉, 검사 모드의 선택에 따라, 고해상도 검사 모듈(100)과 고속 검사 모듈(200) 중 어느 하나가 검사 장치(10)에 구비될 수 있다.In this embodiment, the inspection device 10 may optionally include a high-resolution inspection module 100 that inspects the wafer at high resolution and a high-speed inspection module 200 that inspects the wafer at high speed. That is, depending on the selection of the inspection mode, either the high-resolution inspection module 100 or the high-speed inspection module 200 may be provided in the inspection device 10.

도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 검사 시스템의 고해상도 검사 모듈을 나타낸 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈을 나타낸 단면도이며, 도 4는 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈의 탑 플레이트를 나타낸 평면도이다.FIG. 2 is a perspective view showing the high-resolution inspection module of the wafer inspection system shown in FIG. 1, FIG. 3 is a cross-sectional view showing the high-resolution inspection module shown in FIG. 2, and FIG. 4 is a top plate of the high-resolution inspection module shown in FIG. 2. This is a floor plan showing.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 고해상도 검사 모듈(100)은 검사 장치(10)의 스테이지에 선택적으로 결합될 수 있다. 고해상도 검사 모듈(100)은 제 1 결합 플레이트(120), 제 2 결합 플레이트(130), 서포트(150), 탑 플레이트(140) 및 리프팅 기구를 포함할 수 있다.2 to 4, the high-resolution inspection module 100 may be selectively coupled to the stage of the inspection device 10. The high-resolution inspection module 100 may include a first coupling plate 120, a second coupling plate 130, a support 150, a top plate 140, and a lifting mechanism.

제 1 결합 플레이트(120)는 스테이지에 분리 가능하게 결합될 수 있다. 제 1 결합 플레이트(120)는 대략 직사각형의 플레이트 형상을 가질 수 있다. 제 1 결합 플레이트(120)는 그 중앙에 형성된 원형의 홀을 가질 수 있다.The first coupling plate 120 may be detachably coupled to the stage. The first coupling plate 120 may have a substantially rectangular plate shape. The first coupling plate 120 may have a circular hole formed in its center.

제 2 결합 플레이트(130)는 제 1 결합 플레이트(120)의 중앙 홀 내에 회전 가능하게 배치될 수 있다. 제 2 결합 플레이트(130)는 스테이지에 연결될 수 있다. 제 2 결합 플레이트(130)는 대략 원형 플레이트 형상을 가질 수 있다.The second coupling plate 130 may be rotatably disposed within the central hole of the first coupling plate 120. The second coupling plate 130 may be connected to the stage. The second coupling plate 130 may have a substantially circular plate shape.

탑 플레이트(140)는 제 2 결합 플레이트(130)의 상부에 배치될 수 있다. 탑 플레이트(140)는 서포트(150)를 매개로 제 2 결합 플레이트(130)에 연결될 수 있다. 따라서, 제 2 결합 플레이트(130)의 회전에 의해서 탑 플레이트(140)도 수직축을 중심으로 회전될 수 있다. 전술한 발광부(180)는 탑 플레이트(140)의 하부에 배치되고, 수광부(190)는 탑 플레이트(140)의 상부에 배치될 수 있다.The top plate 140 may be disposed on top of the second coupling plate 130. The top plate 140 may be connected to the second coupling plate 130 via the support 150. Accordingly, the top plate 140 may also be rotated about the vertical axis by rotation of the second coupling plate 130. The above-described light emitting unit 180 may be placed below the top plate 140, and the light receiving unit 190 may be placed above the top plate 140.

본 실시예에서, 탑 플레이트(140)는 대략 원판 형상을 가질 수 있다. 특히, 탑 플레이트(140)는 웨이퍼의 면적보다 약간 작은 면적을 가질 수 있 다. 웨이퍼는 탑 플레이트(140)의 상부면에 안치될 수 있다. 이에 따라, 탑 플레이트(140)에 안치된 웨이퍼의 가장자리는 탑 플레이트(140)로부터 반지름 방향을 따라 돌출될 수 있다. 탑 플레이트(140)는 안치된 웨이퍼를 진공으로 흡착하기 위한 진공홈(144)을 가질 수 있다. 특히, 탑 플레이트(140)는 전자기파를 통과시키는 투과홈(142)을 가질 수 있다. 따라서, 탑 플레이트(140)의 상부면에 안치된 웨이퍼의 일부가 투과홈(142)을 통해 노출될 수 있다. 즉, 투과홈(142)을 통해서 웨이퍼의 상부면과 하부면이 노출될 수 있다. 투과홈(142)은 대략 원호 형상을 가질 수 있다. In this embodiment, the top plate 140 may have a substantially disk shape. In particular, the top plate 140 may have an area slightly smaller than that of the wafer. The wafer may be placed on the upper surface of the top plate 140. Accordingly, the edge of the wafer placed on the top plate 140 may protrude from the top plate 140 in the radial direction. The top plate 140 may have a vacuum groove 144 for vacuum suction of the placed wafer. In particular, the top plate 140 may have a transmission groove 142 through which electromagnetic waves pass. Accordingly, a portion of the wafer placed on the upper surface of the top plate 140 may be exposed through the transmission groove 142. That is, the upper and lower surfaces of the wafer may be exposed through the penetration groove 142. The penetration groove 142 may have a substantially circular arc shape.

리프팅 기구는 탑 플레이트(140)에 안치된 웨이퍼를 선택적으로 승강시킬 수 있다. 리프팅 기구는 리프팅 플레이트(160) 및 엑튜에이터(170)를 포함할 수 있다. 리프팅 플레이트(160)는 제 1 결합 플레이트(120)에 승강 가능하게 연결될 수 있다. 리프팅 플레이트(160)는 탑 플레이트(140)에 안치된 웨이퍼의 하부면 가장자리를 지지할 수 있다. 따라서, 리프팅 플레이트(160)는 웨이퍼의 곡률과 대응하는 곡률 방향을 따라 연장된 한 쌍의 포크 형상을 가질 수 있다. 엑튜에이터(170)는 리프팅 플레이트(160)를 승강시킬 수 있다. 본 실시예에서, 엑튜에이터(170)는 공압 실린더를 포함할 수 있다.The lifting mechanism can selectively lift the wafer placed on the top plate 140. The lifting mechanism may include a lifting plate 160 and an actuator 170. The lifting plate 160 may be connected to the first coupling plate 120 to be lifted up and down. The lifting plate 160 may support the edge of the lower surface of the wafer placed on the top plate 140. Accordingly, the lifting plate 160 may have a pair of fork shapes extending along a curvature direction corresponding to the curvature of the wafer. The actuator 170 can lift the lifting plate 160. In this embodiment, the actuator 170 may include a pneumatic cylinder.

도 5 내지 도 8은 도 2에 도시된 고해상도 검사 모듈의 동작을 순차적으로 나타낸 사시도들이다.Figures 5 to 8 are perspective views sequentially showing the operation of the high-resolution inspection module shown in Figure 2.

도 5를 참조하면, 웨이퍼가 탑 플레이트(140)에 안치되면, 웨이퍼의 제 1 영역이 탑 플레이트(140)의 투과홈(142)을 통해 노출될 수 있다. 발광부(180)에서 발한 전자기파가 웨이퍼의 제 1 영역을 투과하여 수광부(190)로 수신될 수 있다. 수광부(190)가 수신한 전자기파는 제어 장치(30)로 전송될 수 있다. 제어 장치(30)는 전송된 전자기파를 처리하여, 웨이퍼의 제 1 영역을 검사할 수 있다.Referring to FIG. 5 , when the wafer is placed on the top plate 140, the first area of the wafer may be exposed through the penetration groove 142 of the top plate 140. Electromagnetic waves emitted from the light emitting unit 180 may pass through the first area of the wafer and be received by the light receiving unit 190. Electromagnetic waves received by the light receiving unit 190 may be transmitted to the control device 30. The control device 30 may process the transmitted electromagnetic waves to inspect the first area of the wafer.

도 6을 참조하면, 웨이퍼의 제 1 영역에 대한 검사가 완료되면, 엑튜에이터(170)가 리프팅 플레이트(160)를 상승시킬 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼도 리프팅 플레이트(160)와 함께 상승될 수 있다. 이어서, 탑 플레이트(140)가 수직축을 중심으로 시계반대방향을 따라 일정 각도만큼 회전될 수 있다. 탑 플레이트(140)의 회전 각도는 투과홈(142)의 각도와 대응될 수 있다. Referring to FIG. 6 , when inspection of the first area of the wafer is completed, the actuator 170 may raise the lifting plate 160. Accordingly, the wafer can also be lifted together with the lifting plate 160. Next, the top plate 140 may be rotated by a certain angle in a counterclockwise direction about the vertical axis. The rotation angle of the top plate 140 may correspond to the angle of the penetration groove 142.

도 7을 참조하면, 엑튜에이터(170)가 리프팅 플레이트(160)를 하강시켜서, 웨이퍼를 탑 플레이트(140)의 상부면에 다시 안치시킬 수 있다. 이때, 리프팅 플레이트(160)에 의해 상승되었던 웨이퍼는 회전되지 않고 오직 탑 플레이트(140)만이 회전된 상태이므로, 제 1 영역과 인접한 웨이퍼의 제 2 영역이 투과홈(142)을 통해 노출될 수 있다. Referring to FIG. 7 , the actuator 170 lowers the lifting plate 160 to place the wafer on the upper surface of the top plate 140 again. At this time, since the wafer lifted by the lifting plate 160 is not rotated and only the top plate 140 is rotated, the second region of the wafer adjacent to the first region may be exposed through the penetration groove 142. .

도 8을 참조하면, 탑 플레이트(140)가 시계방향을 따라 회전되어 원위치로 복귀될 수 있다. 따라서, 투과홈(142)이 발광부(180)와 수광부(190) 사이에 위치할 수가 있다. 전술한 바와 같이, 상기된 동작들에 의해서 웨이퍼의 제 2 영역이 투과홈(142)에 위치하고 있으므로, 웨이퍼의 제 2 영역이 발광부(180)와 수광부(190) 사이에 배치될 수 있다.Referring to FIG. 8, the top plate 140 may be rotated clockwise and returned to its original position. Accordingly, the transmission groove 142 may be located between the light emitting unit 180 and the light receiving unit 190. As described above, since the second area of the wafer is located in the transmission groove 142 by the above-described operations, the second area of the wafer can be placed between the light emitting unit 180 and the light receiving unit 190.

발광부(180)에서 발한 전자기파가 웨이퍼의 제 2 영역을 투과하여 수광부(190)로 수신될 수 있다. 수광부(190)가 수신한 전자기파는 제어 장치(30)로 전송될 수 있다. 제어 장치(30)는 전송된 전자기파를 처리하여, 웨이퍼의 제 2 영역을 검사할 수 있다. 상기된 동작들이 반복적으로 수행되어, 웨이퍼의 전체 영역들에 대해서 전자기파를 이용한 고해상도 검사가 이루어질 수 있다.Electromagnetic waves emitted from the light emitting unit 180 may pass through the second area of the wafer and be received by the light receiving unit 190. Electromagnetic waves received by the light receiving unit 190 may be transmitted to the control device 30. The control device 30 may process the transmitted electromagnetic waves to inspect the second area of the wafer. By performing the above-described operations repeatedly, high-resolution inspection using electromagnetic waves can be performed on all areas of the wafer.

도 9는 도 1에 도시된 웨이퍼 검사 시스템의 고속 검사 모듈을 나타낸 사시도이고, 도 10은 도 9에 도시된 고속 검사 모듈을 나타낸 평면도이며, 도 11은 도 10의 "A" 부위를 확대해서 나타낸 평면도이고, 도 12는 도 11의 B-B' 선을 따라 나타낸 단면도이며, 도 13은 도 10의 C-C' 선을 따라 나타낸 단면도이다.FIG. 9 is a perspective view showing the high-speed inspection module of the wafer inspection system shown in FIG. 1, FIG. 10 is a plan view showing the high-speed inspection module shown in FIG. 9, and FIG. 11 is an enlarged view of portion “A” in FIG. 10. It is a plan view, FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line B-B' of FIG. 11, and FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line C-C' of FIG. 10.

도 9 내지 도 13을 참조하면, 고속 검사 모듈(200)은 검사 장치(10)의 스테이지에 선택적으로 결합될 수 있다. 고속 검사 모듈(200)은 결합 플레이트(210), 서포트(230), 탑 플레이트(220), 지지부(240) 및 웨이퍼 감지 센서(250)를 포함할 수 있다.9 to 13, the high-speed inspection module 200 may be selectively coupled to the stage of the inspection device 10. The high-speed inspection module 200 may include a coupling plate 210, a support 230, a top plate 220, a support part 240, and a wafer detection sensor 250.

결합 플레이트(210)는 스테이지에 분리 가능하게 결합될 수 있다. 탑 플레이트(220)는 결합 플레이트(210)의 상부에 배치될 수 있다. 탑 플레이트(220)는 서포트(230)를 매개로 결합 플레이트(210)에 연결될 수 있다.The coupling plate 210 may be detachably coupled to the stage. The top plate 220 may be disposed on top of the coupling plate 210. The top plate 220 may be connected to the coupling plate 210 via a support 230.

탑 플레이트(220)는 3개의 바들을 포함할 수 있다. 2개의 바들은 대향 배치될 수 있다. 즉, 2개의 바들은 일정 간격을 두고 평행하게 배치될 수 있다. 나머지 하나의 바는 2개의 바들을 연결시킬 수 있다. 따라서, 탑 플레이트(220)는 대략 "ㄷ"자 형상을 가질 수 있다. 웨이퍼는 탑 플레이트(220) 내에 수용될 수 있다. 특히, 2개의 바들 사이의 간격은 웨이퍼의 직경보다 약간 길 수 있다. Top plate 220 may include three bars. The two bars may be arranged opposite each other. That is, the two bars can be arranged in parallel at a certain interval. The remaining bar can connect two bars. Accordingly, the top plate 220 may have an approximately “L” shape. The wafer may be received within top plate 220. In particular, the spacing between the two bars may be slightly longer than the diameter of the wafer.

지지부(240)들은 탑 플레이트(220)의 바들의 내측면들로부터 수평 방향을 따라 돌출될 수 있다. 지지부(240)들은 웨이퍼의 하부면 가장자리 3개소를 지지할 수 있다. 이에 따라, 지지부(240)들은 동일한 간격을 두고 배열될 수 있다. The support portions 240 may protrude from the inner surfaces of the bars of the top plate 220 along a horizontal direction. The support parts 240 may support three edges of the lower surface of the wafer. Accordingly, the supports 240 may be arranged at equal intervals.

탑 플레이트(220)는 하단이 개구된 대략 ∩자 형상을 가질 수 있다. 탑 플레이트(220)의 내측 공간이 웨이퍼 흡착을 위한 진공이 제공되는 진공 통로(222)로서 기능할 수 있다.The top plate 220 may have an approximately ∩ shape with an open bottom. The inner space of the top plate 220 may function as a vacuum passage 222 in which vacuum is provided for wafer adsorption.

지지부(240)들 각각은 패드(242), 스폰지 와셔(244) 및 패드 커버(246)를 포함할 수 있다. 패드(242)는 탑 플레이트(220)에 결합될 수 있다. 웨이퍼의 하부면 가장자리가 패드(242)의 상부면과 접촉할 수 있다. 웨이퍼에 인가되는 충격을 완화시키기 위해서, 패드(242)는 에틸렌, 니트릴, 클로로플렌, 실리콘, 불소 등과 같은 탄성 물질을 포함할 수 있다. 또한, 스폰지 와셔(244)는 패드(242)와 탑 플레이트(220) 사이에 개재될 수 있다. 스폰지 와셔(244)는 패드(242)에 안치되는 웨이퍼에 인가되는 충격을 흡수할 수 있다. 패드 커버(246)는 웨이퍼와 접촉하는 패드(242)의 중앙부를 제외한 패드(242)의 외측면을 덮을 수 있다. 패드 커버(246)는 탑 플레이트(220)에 결합될 수 있다.Each of the support parts 240 may include a pad 242, a sponge washer 244, and a pad cover 246. Pad 242 may be coupled to top plate 220. An edge of the bottom surface of the wafer may contact the top surface of the pad 242. In order to alleviate the impact applied to the wafer, the pad 242 may include an elastic material such as ethylene, nitrile, chloroprene, silicon, fluorine, etc. Additionally, the sponge washer 244 may be interposed between the pad 242 and the top plate 220. The sponge washer 244 can absorb shock applied to the wafer placed on the pad 242. The pad cover 246 may cover the outer surface of the pad 242 excluding the central portion of the pad 242 that contacts the wafer. Pad cover 246 may be coupled to top plate 220.

웨이퍼가 지지부(240)에 안치된 것을 감지하는 센서(250)는 지지부(240)와 인접한 탑 플레이트(220) 부위에 부착될 수 있다.The sensor 250 that detects that the wafer is placed on the support part 240 may be attached to a portion of the top plate 220 adjacent to the support part 240.

발광부(180)는 지지부(240)들 상에 안치된 웨이퍼의 하부에 배치될 수 있다. 수광부(190)는 지지부(240)들 상에 안치된 웨이퍼의 상부에 배치될 수 있다. 즉, 발광부(180)는 탑 플레이트(220)의 하부에 위치하고, 수광부(190)는 탑 플레이트(220)의 상부에 위치할 수 있다.The light emitting unit 180 may be disposed below the wafer placed on the support units 240. The light receiving unit 190 may be disposed on top of the wafer placed on the support units 240. That is, the light emitting unit 180 may be located below the top plate 220, and the light receiving unit 190 may be located above the top plate 220.

웨이퍼의 하부면 가장자리 3개소들만이 지지부(240)들에 의해 지지되고 있으므로, 발광부(180)와 웨이퍼 사이 및 수광부(190)와 웨이퍼 사이에는 어떠한 구조물도 존재하지 않을 수 있다. 따라서, 발광부(180)에서 발한 전자기파는 웨이퍼를 수직 방향을 따라 투과한 이후, 수광부(190)로 입사될 수 있다. 스테이지가 고속 검사 모듈(200)을 고속으로 이동시키면서, 발광부(180)에서 발한 전자기파로 웨이퍼를 고속으로 검사할 수가 있다.Since only three edges of the lower surface of the wafer are supported by the support portions 240, no structures may exist between the light emitting portion 180 and the wafer and between the light receiving portion 190 and the wafer. Accordingly, the electromagnetic waves emitted from the light emitting unit 180 may pass through the wafer in the vertical direction and then be incident on the light receiving unit 190. While the stage moves the high-speed inspection module 200 at high speed, the wafer can be inspected at high speed using electromagnetic waves emitted from the light emitting unit 180.

상기된 본 실시예에 따르면, 검사 장치가 웨이퍼를 수직 방향을 따라 투과한 전자기파를 이용해서 웨이퍼를 검사하게 되므로, 발광부/수광부와 웨이퍼 사이의 거리에 따른 오차나 웨이퍼의 두께가 측정 결과에 반영되지 않을 수 있다. 따라서, 검사 장치의 측정 결과는 향상된 신뢰도를 가질 수 있다. 또한, 투과 방식의 전자기파를 이용하게 되므로, 여러 가지 형상 및 크기를 갖는 다양한 웨이퍼들을 신속하게 검사할 수도 있다.According to the present embodiment described above, since the inspection device inspects the wafer using electromagnetic waves transmitted through the wafer in a vertical direction, errors depending on the distance between the light emitting unit/receiving unit and the wafer or the thickness of the wafer are reflected in the measurement results. It may not work. Accordingly, the measurement results of the inspection device can have improved reliability. Additionally, since transmission-type electromagnetic waves are used, various wafers of various shapes and sizes can be quickly inspected.

또한, 검사 모드에 따라 고해상도 검사 모듈과 고속 검사 모듈을 선택적으로 이용할 수가 있다. 따라서, 웨이퍼를 다양한 검사 방식으로 검사할 수가 있다.Additionally, depending on the inspection mode, high-resolution inspection modules and high-speed inspection modules can be selectively used. Therefore, the wafer can be inspected using various inspection methods.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 챔버로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.As described above, the present invention has been described with reference to preferred embodiments, but those skilled in the art may modify the present invention in various ways without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. and that it can be changed.

10 ; 검사 장치 20 ; 반입 장치
30 ; 제어 장치 100 ; 고해상도 검사 모듈
120 ; 제 1 결합 플레이트 130 ; 제 2 결합 플레이트
140 ; 탑 플레이트 142 ; 투과홈
144 ; 진공홈 150 ; 서포트
160 ; 리프팅 플레이트 170 ; 엑튜에이터
180 ; 발광부 190 ; 수광부
200 ; 고속 검사 모듈 210 ; 결합 플레이트
220 ; 탑 플레이트 222 ; 진공 통로
230 ; 서포트 240 ; 지지부
242 ; 패드 244 ; 스폰지 와셔
246 ; 패드 커버 250 ; 감지 센서10 ; inspection device 20; import device
30 ; Control device 100 ; High-resolution inspection module
120 ; first coupling plate 130; second coupling plate
140 ; top plate 142 ; Transmission groove
144 ; Vacuum groove 150; support
160 ; lifting plate 170 ; actuator
180 ; light emitting unit 190; light receiving part
200 ; High-speed inspection module 210; combined plate
220 ; top plate 222 ; vacuum passage
230 ; Support 240 ; support
242 ; pad 244 ; sponge washer
246 ; pad cover 250 ; detection sensor

Claims (10)

웨이퍼를 이송하는 스테이지, 상기 웨이퍼의 표면으로 수직 방향을 따라 전자기파를 조사하는 발광부, 및 상기 웨이퍼를 투과한 상기 전자기파를 수신하는 수광부를 포함하는 검사 장치;
상기 검사 장치로 상기 웨이퍼를 반입하는 반입 장치; 및
상기 검사 장치에 의해 검사된 상기 웨이퍼에 대한 데이터를 처리하고, 상기 검사 장치와 상기 반입 장치의 동작들을 제어하는 제어 장치를 포함하고,
상기 검사 장치는 상기 스테이지에 선택적으로 결합되어 상기 웨이퍼를 고해상도로 검사하는 고해상도 검사 모듈을 더 포함하며,
상기 고해상도 검사 모듈은
상기 스테이지에 결합되고, 중앙에 홀이 형성된 제 1 결합 플레이트;
상기 제 1 결합 플레이트의 홀 내에 회전 가능하게 배치되어, 상기 스테이지에 결합된 제 2 결합 플레이트;
상기 제 2 결합 플레이트에 연결되어 상기 웨이퍼와 함께 상기 수직 방향을 중심으로 회전되고, 상기 전자기파가 상기 웨이퍼를 투과하도록 상기 웨이퍼의 일부를 노출시키는 투과홈을 갖는 탑 플레이트; 및
상기 탑 플레이트에 안치된 상기 웨이퍼를 선택적으로 승강시키는 리프팅 기구를 포함하는 웨이퍼 검사 시스템.An inspection device including a stage for transferring a wafer, a light emitting unit for irradiating electromagnetic waves along a vertical direction to the surface of the wafer, and a light receiving unit for receiving the electromagnetic waves transmitted through the wafer;
a loading device for loading the wafer into the inspection device; and
A control device that processes data about the wafer inspected by the inspection device and controls operations of the inspection device and the loading device,
The inspection device further includes a high-resolution inspection module that is selectively coupled to the stage to inspect the wafer at high resolution,
The high-resolution inspection module is
A first coupling plate coupled to the stage and having a hole formed in the center;
a second coupling plate rotatably disposed in a hole of the first coupling plate and coupled to the stage;
a top plate connected to the second coupling plate, rotated about the vertical direction together with the wafer, and having a transmission groove exposing a portion of the wafer so that the electromagnetic waves transmit through the wafer; and
A wafer inspection system comprising a lifting mechanism for selectively lifting the wafer placed on the top plate. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 투과홈은 원호 형상을 갖는 웨이퍼 검사 시스템.The wafer inspection system according to claim 1, wherein the penetration groove has an arc shape. 제 1 항에 있어서, 상기 탑 플레이트는 상기 웨이퍼를 진공으로 흡착하기 위한 진공홈을 갖는 웨이퍼 검사 시스템.The wafer inspection system according to claim 1, wherein the top plate has a vacuum groove for sucking the wafer into a vacuum. 제 1 항에 있어서, 상기 리프팅 기구는
상기 제 1 결합 플레이트에 승강 가능하게 연결되어 상기 탑 플레이트에 안치된 상기 웨이퍼의 하부면 가장자리를 지지하는 리프팅 플레이트; 및
상기 리프팅 플레이트를 승강시키는 엑튜에이터를 포함하는 웨이퍼 검사 시스템.The method of claim 1, wherein the lifting mechanism
a lifting plate connected to the first coupling plate to support an edge of a lower surface of the wafer placed on the top plate; and
A wafer inspection system including an actuator that elevates the lifting plate. 제 1 항에 있어서, 상기 검사 장치는 상기 스테이지에 선택적으로 결합되어 상기 웨이퍼를 고속으로 검사하는 고속 검사 모듈을 더 포함하는 웨이퍼 검사 시스템.The wafer inspection system of claim 1, wherein the inspection device further includes a high-speed inspection module selectively coupled to the stage to inspect the wafer at high speed. 제 7 항에 있어서, 상기 고속 검사 모듈은
상기 스테이지에 결합된 결합 플레이트;
상기 결합 플레이트의 상부에 배치되어 상기 결합 플레이트에 연결되고, 상기 웨이퍼의 하부면 가장자리의 적어도 3개소를 지지하는 지지부들을 갖는 탑 플레이트; 및
상기 지지부들에 배치되어, 상기 지지부들에 상기 웨이퍼가 배치된 것을 감지하는 웨이퍼 감지 센서를 포함하는 웨이퍼 검사 시스템.The method of claim 7, wherein the high-speed inspection module
A coupling plate coupled to the stage;
a top plate disposed on an upper portion of the coupling plate, connected to the coupling plate, and having support portions supporting at least three positions of an edge of a lower surface of the wafer; and
A wafer inspection system including a wafer detection sensor disposed on the supports and detecting that the wafer is placed on the supports. 제 8 항에 있어서, 상기 탑 플레이트는 상기 지지부들로 진공을 제공하기 위한 진공 통로를 갖는 웨이퍼 검사 시스템.The wafer inspection system of claim 8, wherein the top plate has a vacuum passage for providing vacuum to the supports. 제 8 항에 있어서, 상기 지지부는
상기 탑 플레이트에 설치되어, 상기 웨이퍼의 하부면 가장자리를 지지하는 패드;
상기 패드와 상기 탑 플레이트 사이에 개재된 스폰지 와셔; 및
상기 패드와 상기 스폰지 와셔를 덮는 패드 커버를 포함하는 웨이퍼 검사 시스템.
The method of claim 8, wherein the support portion
a pad installed on the top plate to support an edge of the lower surface of the wafer;
a sponge washer disposed between the pad and the top plate; and
A wafer inspection system including a pad cover covering the pad and the sponge washer.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5647327B2 (en) * 2003-05-09 2014-12-24 株式会社荏原製作所 Inspection apparatus using charged particle beam and device manufacturing method using the inspection apparatus
KR101606093B1 (en) * 2015-06-26 2016-03-24 주식회사 넥서스원 Apparatus and method for inspecting defect of substrate

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5273508A (en) * 1975-12-12 1977-06-20 Fudo Construction Co Method of and apparatus for preventing subsidence of existing building

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5647327B2 (en) * 2003-05-09 2014-12-24 株式会社荏原製作所 Inspection apparatus using charged particle beam and device manufacturing method using the inspection apparatus
KR101606093B1 (en) * 2015-06-26 2016-03-24 주식회사 넥서스원 Apparatus and method for inspecting defect of substrate

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