KR102670179B1 - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 방법은, 교대로 적층된 산화막 (Ma) 과 질화막 (Mb) 을 갖는 기판 (W) 을, 처리조 (3) 에 있어서, 인산을 포함하는 에칭액 (E) 으로 에칭하는 방법이다. 제 1 처리 공정 (스텝 S2) 에서는, 에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 농도에 대응하는 물리량이 제 1 목표값이 되도록, 파라미터를 제어한다. 제 2 처리 공정 (스텝 S4) 에서는, 에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 농도에 대응하는 물리량이, 제 1 목표값보다 낮은 제 2 목표값이 되도록, 파라미터를 제어한다. 파라미터는, 에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 농도에 대응하는 물리량을 변동시키는 파라미터이다. 제 2 목표값은, 제 1 목표값과 비교하여, 질화막 (Mb) 의 에칭 속도가 커지고, 산화막 (Ma) 의 에칭 속도가 작아지는 값을 나타낸다.The present invention provides a substrate processing method and substrate processing apparatus. The substrate processing method is a method of etching a substrate (W) having alternately laminated oxide films (Ma) and nitride films (Mb) with an etching solution (E) containing phosphoric acid in a treatment tank (3). In the first processing step (step S2), the parameters are controlled so that the physical quantity corresponding to the concentration of phosphoric acid in the etching liquid (E) becomes the first target value. In the second processing step (step S4), the parameters are controlled so that the physical quantity corresponding to the concentration of phosphoric acid in the etching liquid (E) becomes a second target value lower than the first target value. The parameter is a parameter that changes the physical quantity corresponding to the concentration of phosphoric acid in the etching liquid (E). The second target value represents a value at which the etching rate of the nitride film (Mb) increases and the etching rate of the oxide film (Ma) decreases compared to the first target value.

Description

기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Substrate processing method, and substrate processing apparatus {SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus.

산화막과 질화막이 교대로 적층된 적층 구조를 갖는 기판에 대해 에칭을 실시하는 기판 처리 장치가 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 인산을 포함하는 처리액에 의해 기판을 에칭하는 배치식의 기판 처리 장치가 개시되어 있다. 구체적으로는, 특허문헌 1 의 기판 처리 장치는, 산화막과 질화막 중, 주로 질화막을 선택적으로 에칭함으로써, 질화막을 제거한다.A substrate processing apparatus that performs etching on a substrate having a stacked structure in which oxide films and nitride films are alternately stacked is known. For example, Patent Document 1 discloses a batch-type substrate processing apparatus that etches a substrate with a processing liquid containing phosphoric acid. Specifically, the substrate processing apparatus of Patent Document 1 removes the nitride film mainly by selectively etching the nitride film among the oxide film and the nitride film.

일본 공개특허공보 2020-47886호Japanese Patent Publication No. 2020-47886

특허문헌 1 의 기판 처리 장치는, 산화막을 대략 에칭하지 않기 때문에, 에칭 처리 후의 적층 구조를, 복수의 평탄한 산화막이 빗상으로 배열된 구조로 하는 처리에 이용된다. 그러나, 반도체 디바이스의 미세화 및 고집적화에 의해, 기판을 보다 복잡한 형상으로 가공하는 것이 요구되고 있다.Since the substrate processing apparatus of Patent Document 1 does not substantially etch the oxide film, it is used for processing in which the laminated structure after the etching process has a structure in which a plurality of flat oxide films are arranged in a comb shape. However, with the miniaturization and high integration of semiconductor devices, it is required to process substrates into more complex shapes.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은, 기판을 보다 복잡한 형상으로 가공할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.The present invention was made in view of the above problems, and its purpose is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus that can process a substrate into a more complex shape.

본 발명의 일 국면에 의하면, 기판 처리 방법은, 교대로 적층된 산화막과 질화막을 갖는 기판을, 처리조에 있어서, 인산을 포함하는 에칭액으로 에칭하는 방법이다. 당해 기판 처리 방법은, 제 1 처리 공정과 제 2 처리 공정을 포함한다. 상기 제 1 처리 공정에서는, 상기 에칭액에 있어서의 상기 인산의 농도에 대응하는 물리량이 제 1 목표값이 되도록, 상기 물리량을 변동시키는 파라미터를 제어한다. 상기 제 2 처리 공정에서는, 상기 물리량이, 상기 제 1 목표값보다 낮은 제 2 목표값이 되도록, 상기 파라미터를 제어한다. 상기 제 2 목표값은, 상기 제 1 목표값과 비교하여, 상기 질화막의 에칭 속도가 커지고, 상기 산화막의 에칭 속도가 작아지는 상기 물리량의 목표값을 나타낸다.According to one aspect of the present invention, a substrate processing method is a method of etching a substrate having alternately laminated oxide films and nitride films with an etching solution containing phosphoric acid in a treatment tank. The substrate processing method includes a first processing step and a second processing step. In the first processing step, parameters that change the physical quantity are controlled so that the physical quantity corresponding to the concentration of the phosphoric acid in the etching solution becomes a first target value. In the second processing step, the parameters are controlled so that the physical quantity has a second target value lower than the first target value. The second target value represents a target value of the physical quantity at which the etching rate of the nitride film increases and the etching rate of the oxide film decreases compared to the first target value.

어느 실시형태에서는, 상기 제 2 처리 공정에 있어서 상기 물리량이 상기 제 1 목표값에서 상기 제 2 목표값으로 변화할 때까지의 기간의 길이를 나타내는 비중값 변화 기간의 길이를 제어한다.In one embodiment, in the second processing step, the length of the specific gravity change period representing the length of the period until the physical quantity changes from the first target value to the second target value is controlled.

어느 실시형태에서는, 상기 제 2 처리 공정에 있어서, 상기 제 1 목표값에서 상기 제 2 목표값까지 단계적으로 목표값을 변화시켜, 상기 비중값 변화 기간의 길이를 제어한다.In one embodiment, in the second processing step, the target value is changed in steps from the first target value to the second target value, and the length of the specific gravity value change period is controlled.

어느 실시형태에서는, 상기 에칭액에 공급하는 희석액의 유량을 조정하여, 상기 비중값 변화 기간의 길이를 제어한다.In one embodiment, the length of the specific gravity value change period is controlled by adjusting the flow rate of the diluent supplied to the etching liquid.

어느 실시형태에서는, 상기 에칭액으로부터 증발하는 수분의 양을 조정하여, 상기 비중값 변화 기간의 길이를 제어한다.In one embodiment, the length of the specific gravity value change period is controlled by adjusting the amount of moisture evaporating from the etching solution.

어느 실시형태에 있어서, 상기의 기판 처리 방법은, 상기 기판을 사용하여 제조되는 디바이스의 사이즈에 기초하여 상기 비중값 변화 기간의 길이를 결정하는 공정을 추가로 포함한다.In one embodiment, the substrate processing method further includes a step of determining the length of the specific gravity value change period based on the size of a device manufactured using the substrate.

어느 실시형태에 있어서, 상기의 기판 처리 방법은, 상기 기판을 사용하여 제조되는 디바이스의 사이즈에 기초하여 상기 제 1 목표값 및 상기 제 2 목표값을 결정하는 공정을 추가로 포함한다.In one embodiment, the substrate processing method further includes a step of determining the first target value and the second target value based on the size of a device manufactured using the substrate.

본 발명의 다른 국면에 의하면, 기판 처리 장치는, 교대로 적층된 산화막과 질화막을 갖는 기판을, 인산을 포함하는 에칭액으로 에칭한다. 당해 기판 처리 장치는, 처리조와, 기판 유지부와, 파라미터 제어부와, 변경부를 구비한다. 상기 처리조는, 상기 에칭액을 저류한다. 상기 기판 유지부는, 상기 처리조의 상기 에칭액 내에서 상기 기판을 유지한다. 상기 파라미터 제어부는, 상기 에칭액에 있어서의 상기 인산의 농도에 대응하는 물리량이 목표값이 되도록, 상기 물리량을 변동시키는 파라미터를 제어한다. 상기 변경부는, 상기 기판의 에칭 처리중에, 상기 목표값을, 제 1 목표값에서, 상기 제 1 목표값보다 낮은 제 2 목표값으로 변경한다. 상기 제 2 목표값은, 상기 제 1 목표값과 비교하여, 상기 질화막의 에칭 속도가 커지고, 상기 산화막의 에칭 속도가 작아지는 상기 물리량의 목표값을 나타낸다.According to another aspect of the present invention, a substrate processing apparatus etches a substrate having alternately laminated oxide films and nitride films with an etching solution containing phosphoric acid. The substrate processing apparatus includes a processing tank, a substrate holding section, a parameter control section, and a change section. The treatment tank stores the etching liquid. The substrate holding portion holds the substrate within the etching liquid of the processing tank. The parameter control section controls parameters that change the physical quantity so that the physical quantity corresponding to the concentration of the phosphoric acid in the etching solution becomes a target value. The change unit changes the target value from a first target value to a second target value lower than the first target value during etching processing of the substrate. The second target value represents a target value of the physical quantity at which the etching rate of the nitride film increases and the etching rate of the oxide film decreases compared to the first target value.

본 발명에 관련된 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 의하면, 기판을 보다 복잡한 형상으로 가공할 수 있다.According to the substrate processing method and substrate processing apparatus related to the present invention, substrates can be processed into more complex shapes.

도 1(a) 는, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다. 도 1(b) 는, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치를 나타내는 도면이다.
도 2 는, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 3 은, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4 는, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치에 의해 처리되기 전의 기판을 나타내는 도면이다.
도 5 는, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치에 의해 처리된 후의 기판의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6 은, 압력 측정부의 구성을 나타내는 도면이다.
도 7 은, 제 1 버블링부 및 처리조의 구성을 나타내는 도면이다.
도 8 은, 제어 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 9 는, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치에 의한 에칭 처리시에 있어서의 인산의 비중값의 변화의 일례를 나타내는 도면이다.
도 10 은, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 11(a) 는, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치에 의해 처리된 후의 기판의 일례를 나타내는 도면이다. 도 11(b) 는, 본 발명의 실시형태 1 에 관련된 기판 처리 장치에 의해 처리된 후의 기판의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 12 는, 본 발명의 실시형태 2 에 관련된 기판 처리 장치에 의한 에칭 처리시에 있어서의 인산의 비중값의 변화의 일례를 나타내는 도면이다.
도 13 은, 본 발명의 실시형태 3 에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 14 는, 본 발명의 실시형태 4 에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 15 는, 본 발명의 실시형태 5 에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 16 은, 본 발명의 실시형태 6 에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 17 은, 본 발명의 실시형태 7 에 관련된 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 18 은, 제 2 버블링부의 구성을 나타내는 도면이다.
도 19 는, 결정 테이블을 나타내는 도면이다.
도 20 은, 본 발명의 실시형태 8 에 관련된 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다.
도 21 은, 결정 테이블의 다른 예 1 을 나타내는 도면이다.
도 22 는, 결정 테이블의 다른 예 2 를 나타내는 도면이다.FIG. 1(a) is a diagram showing a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 1(b) is a diagram showing a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing the configuration of a substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a substrate before being processed by the substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing an example of a substrate after being processed by the substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
Fig. 6 is a diagram showing the configuration of the pressure measuring unit.
Fig. 7 is a diagram showing the configuration of the first bubbling section and the treatment tank.
Fig. 8 is a block diagram showing the configuration of the control device.
FIG. 9 is a diagram showing an example of a change in the specific gravity value of phosphoric acid during an etching process using the substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
Fig. 10 is a flow diagram showing a substrate processing method according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 11(a) is a diagram showing an example of a substrate after being processed by the substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 11(b) is a diagram showing another example of a substrate after being processed by the substrate processing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
FIG. 12 is a diagram showing an example of a change in the specific gravity value of phosphoric acid during an etching process using the substrate processing apparatus according to Embodiment 2 of the present invention.
FIG. 13 is a diagram showing the configuration of a substrate processing apparatus according to Embodiment 3 of the present invention.
FIG. 14 is a diagram showing the configuration of a substrate processing apparatus according to Embodiment 4 of the present invention.
FIG. 15 is a diagram showing the configuration of a substrate processing apparatus according to Embodiment 5 of the present invention.
Fig. 16 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to Embodiment 6 of the present invention.
Fig. 17 is a cross-sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus according to Embodiment 7 of the present invention.
Fig. 18 is a diagram showing the configuration of the second bubbling section.
Fig. 19 is a diagram showing a decision table.
Fig. 20 is a flowchart showing a substrate processing method according to Embodiment 8 of the present invention.
Fig. 21 is a diagram showing another example 1 of a decision table.
Fig. 22 is a diagram showing another example 2 of a decision table.

이하, 도면 (도 1 ∼ 도 22) 을 참조하여 본 발명의 기판 처리 방법, 및 기판 처리 장치에 관련된 실시형태를 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되지 않는다. 또한, 설명이 중복되는 지점에 대해서는, 적절히 설명을 생략하는 경우가 있다. 또, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이고 설명을 반복하지 않는다.Hereinafter, embodiments related to the substrate processing method and substrate processing apparatus of the present invention will be described with reference to the drawings ( FIGS. 1 to 22 ). However, the present invention is not limited to the following embodiments. Additionally, for points where explanations overlap, explanations may be omitted as appropriate. In addition, in the drawings, identical or equivalent portions are given the same reference numerals and descriptions are not repeated.

본 명세서에서는, 이해를 용이하게 하기 위해 서로 직교하는 X 방향, Y 방향 및 Z 방향을 기재하는 경우가 있다. 전형적으로는, X 방향 및 Y 방향은 수평 방향에 평행이고, Z 방향은 연직 방향에 평행이다. 단, 이들의 방향의 정의에 의해, 본 발명에 관련된 기판 처리 방법의 실행시의 방향, 및 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 사용시의 방향을 한정하려는 의도는 없다.In this specification, in order to facilitate understanding, the X-direction, Y-direction, and Z-direction that are orthogonal to each other may be described. Typically, the X and Y directions are parallel to the horizontal direction, and the Z direction is parallel to the vertical direction. However, there is no intention to limit the direction when the substrate processing method according to the present invention is executed or the direction when the substrate processing apparatus according to the present invention is used by the definition of these directions.

본 발명의 실시형태에 있어서의「기판」에는, 반도체 웨이퍼, 포토마스크용 유리 기판, 액정 표시용 유리 기판, 플라즈마 표시용 유리 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 및 광 자기 디스크용 기판 등의 각종 기판을 적용 가능하다. 이하에서는 주로, 원반상의 반도체 웨이퍼의 처리에 사용되는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 예로 본 발명의 실시형태를 설명하지만, 위에 예시한 각종 기판의 처리에도 동일하게 적용 가능하다. 또, 기판의 형상에 대해서도 각종의 것을 적용 가능하다.The “substrate” in the embodiment of the present invention includes a semiconductor wafer, a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, a substrate for a FED (Field Emission Display), a substrate for an optical disk, and a magnetic disk. Various substrates, such as a substrate for a magnetic disk and a substrate for a magneto-optical disk, can be applied. Hereinafter, embodiments of the present invention will be mainly described as an example of a substrate processing method and a substrate processing apparatus used for processing disk-shaped semiconductor wafers, but the present invention is equally applicable to processing the various substrates exemplified above. Additionally, various shapes of the substrate can be applied.

[실시형태 1] [Embodiment 1]

이하, 도 1 ∼ 도 11 을 참조하여 본 발명의 실시형태 1 을 설명한다. 먼저, 도 1(a) 및 도 1(b) 을 참조하여 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 설명한다. 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 는 배치식이다. 따라서, 기판 처리 장치 (100) 는, 복수의 기판 (W) 을 일괄하여 처리한다. 구체적으로는, 기판 처리 장치 (100) 는, 로트 단위로 복수의 기판 (W) 을 에칭 처리한다. 1 로트는, 예를 들어, 25 장의 기판 (W) 으로 이루어진다.Hereinafter, Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 11. First, the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be described with reference to FIGS. 1(a) and 1(b). The substrate processing apparatus 100 of this embodiment is a batch type. Accordingly, the substrate processing apparatus 100 processes a plurality of substrates W at once. Specifically, the substrate processing apparatus 100 etches a plurality of substrates W on a lot basis. One lot consists of, for example, 25 substrates (W).

도 1(a) 및 도 1(b) 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 를 나타내는 도면이다. 상세하게는, 도 1(a) 는, 기판 (W) 을 처리조 (3) 에 투입하기 전의 기판 처리 장치 (100) 를 나타낸다. 도 1(b) 는, 기판 (W) 을 처리조 (3) 에 투입한 후의 기판 처리 장치 (100) 를 나타낸다. 도 1(a) 및 도 1(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 처리조 (3) 와, 제어 장치 (110) 와, 승강부 (120) 와, 기판 유지부 (130) 를 구비한다.1(a) and 1(b) are diagrams showing the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. In detail, FIG. 1(a) shows the substrate processing apparatus 100 before loading the substrate W into the processing tank 3. FIG. 1(b) shows the substrate processing apparatus 100 after the substrate W has been placed in the processing tank 3. As shown in FIGS. 1(a) and 1(b) , the substrate processing apparatus 100 includes a processing tank 3, a control device 110, an elevation unit 120, and a substrate holding unit 130. ) is provided.

처리조 (3) 는, 에칭액 (E) 을 저류한다. 에칭액 (E) 은, 인산 (H3PO4) 을 포함한다. 에칭액 (E) 은, 인산과 희석액을 포함해도 된다. 희석액은, 예를 들어, DIW (Deionized Water : 탈이온수) 이다. DIW 는 순수의 1 종이다. 희석액은, 예를 들어, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 또는 희석 농도 (예를 들어, 10 ppm 정도 ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수여도 된다. 또한, 에칭액 (E) 은, 첨가제를 추가로 포함할 수 있다.The treatment tank 3 stores the etching liquid (E). The etching liquid (E) contains phosphoric acid (H 3 PO 4 ). The etching liquid (E) may contain phosphoric acid and a diluent. The diluent is, for example, DIW (Deionized Water). DIW is a type of pure water. The diluent may be, for example, carbonated water, electrolyzed ionized water, hydrogen water, ozone water, or hydrochloric acid water with a diluted concentration (for example, about 10 ppm to about 100 ppm). In addition, the etching liquid (E) may further contain additives.

에칭액 (E) 은, 가열되어 있다. 예를 들어, 에칭액 (E) 의 온도는, 120 ℃ 이상 160 ℃ 이하이다. 따라서, 에칭액 (E) 에 포함되는 수분은 증발한다. 희석액은, 에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 농도에 대응하는 물리량이 목표값을 유지하도록, 에칭액 (E) 에 적절히 공급된다. 여기서, 에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 농도에 대응하는 물리량은, 예를 들어, 에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 농도값, 또는, 에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 비중값을 나타낸다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 농도에 대응하는 물리량을,「인산 농도에 대응하는 물리량」이라고 기재하는 경우가 있다.The etching liquid (E) is heated. For example, the temperature of the etching liquid (E) is 120°C or higher and 160°C or lower. Therefore, the moisture contained in the etching liquid (E) evaporates. The diluted liquid is appropriately supplied to the etching liquid (E) so that the physical quantity corresponding to the concentration of phosphoric acid in the etching liquid (E) maintains the target value. Here, the physical quantity corresponding to the concentration of phosphoric acid in the etching liquid (E) represents, for example, the concentration value of phosphoric acid in the etching liquid (E), or the specific gravity value of phosphoric acid in the etching liquid (E). In addition, in the following description, the physical quantity corresponding to the concentration of phosphoric acid in the etching solution (E) may be described as "physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration."

처리조 (3) 는, 내조 (31) 와 외조 (32) 를 갖는다. 외조 (32) 는, 내조 (31) 를 둘러싼다. 환언하면, 처리조 (3) 는 이중조 구조를 갖는다. 내조 (31) 및 외조 (32) 는 모두, 상방으로 개방된 상부 개구를 갖는다.The treatment tank 3 has an inner tank 31 and an outer tank 32. The outer tank (32) surrounds the inner tank (31). In other words, the treatment tank 3 has a double tank structure. Both the inner tank 31 and the outer tank 32 have upper openings that open upward.

내조 (31) 및 외조 (32) 는 모두 에칭액 (E) 을 저류한다. 내조 (31) 는, 복수의 기판 (W) 을 수용한다. 상세하게는, 기판 유지부 (130) 에 유지된 복수의 기판 (W) 이 내조 (31) 에 수용된다. 복수의 기판 (W) 은, 내조 (31) 에 수용됨으로써, 내조 (31) 내의 에칭액 (E) 에 침지된다.Both the inner tank 31 and the outer tank 32 store the etching liquid (E). The inner tank 31 accommodates a plurality of substrates W. In detail, a plurality of substrates W held in the substrate holding portion 130 are accommodated in the inner tank 31 . The plurality of substrates (W) are accommodated in the inner tank (31) and are immersed in the etching liquid (E) in the inner tank (31).

기판 유지부 (130) 는, 처리조 (3) (내조 (31)) 의 에칭액 (E) 내에서 복수의 기판 (W) 을 유지한다. 구체적으로는, 기판 유지부 (130) 는, 복수의 유지봉 (131) 과 본체판 (132) 을 포함한다. 본체판 (132) 은 판상의 부재이고, 연직 방향 (Z 방향) 으로 연장된다. 복수의 유지봉 (131) 은, 본체판 (132) 의 일방의 주면 (主面) 에서 수평 방향 (Y 방향) 으로 연장된다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 기판 유지부 (130) 는 3 개의 유지봉 (131) 을 갖는다 (도 2 참조).The substrate holding unit 130 holds a plurality of substrates W within the etchant E of the processing tank 3 (inner tank 31). Specifically, the substrate holding portion 130 includes a plurality of holding rods 131 and a main body plate 132. The main body plate 132 is a plate-shaped member and extends in the vertical direction (Z direction). The plurality of retaining rods 131 extend from one main surface of the main body plate 132 in the horizontal direction (Y direction). Additionally, in this embodiment, the substrate holding portion 130 has three holding rods 131 (see Fig. 2).

복수의 기판 (W) 은, 복수의 유지봉 (131) 에 의해 유지된다. 상세하게는, 각 기판 (W) 의 하측 가장자리가 복수의 유지봉 (131) 에 맞닿음으로써, 복수의 기판 (W) 이 복수의 유지봉 (131) 에 의해 기립 자세 (연직 자세) 로 유지된다. 보다 구체적으로는, 기판 유지부 (130) 에 의해 유지된 복수의 기판 (W) 은, Y 방향을 따라 간격을 두고 정렬된다. 요컨대, 복수의 기판 (W) 은, Y 방향을 따라 일렬로 배열된다. 또, 복수의 기판 (W) 의 각각은, XZ 평면에 대략 평행한 자세로 기판 유지부 (130) 에 유지된다.The plurality of substrates W are held by the plurality of holding rods 131 . In detail, the lower edge of each substrate W is brought into contact with the plurality of retaining rods 131, so that the plurality of substrates W are maintained in a standing posture (vertical posture) by the plurality of retaining rods 131. . More specifically, the plurality of substrates W held by the substrate holding portion 130 are aligned at intervals along the Y direction. In short, the plurality of substrates W are arranged in a row along the Y direction. Additionally, each of the plurality of substrates W is held by the substrate holding portion 130 in an attitude substantially parallel to the XZ plane.

제어 장치 (110) 는, 기판 처리 장치 (100) 의 각 부의 동작을 제어한다. 제어 장치 (110) 는, 예를 들어, 승강부 (120) 의 동작을 제어한다. 승강부 (120) 는, 제어 장치 (110) 에 의해 제어되어, 기판 유지부 (130) 를 승강시킨다. 승강부 (120) 가 기판 유지부 (130) 를 승강시킴으로써, 기판 유지부 (130) 가, 복수의 기판 (W) 을 유지한 상태로 연직 상방 또는 연직 하방으로 이동한다. 승강부 (120) 는, 구동원 및 승강 기구를 갖고 있고, 구동원에 의해 승강 기구를 구동하여, 기판 유지부 (130) 를 상승 및 하강시킨다. 구동원은, 예를 들어, 모터를 포함한다. 승강 기구는, 예를 들어, 랙·피니언 기구 또는 볼 나사를 포함한다.The control device 110 controls the operation of each part of the substrate processing apparatus 100. The control device 110 controls the operation of the lifting unit 120, for example. The lifting unit 120 is controlled by the control device 110 to raise and lower the substrate holding unit 130. When the lifting unit 120 raises and lowers the substrate holding unit 130, the substrate holding unit 130 moves vertically upward or vertically downward while holding the plurality of substrates W. The lifting part 120 has a driving source and a lifting mechanism, and the driving source drives the lifting mechanism to raise and lower the substrate holding part 130. The drive source includes, for example, a motor. The lifting mechanism includes, for example, a rack and pinion mechanism or a ball screw.

보다 구체적으로는, 승강부 (120) 는, 처리 위치 (도 1(b) 에 나타내는 위치) 와 퇴피 위치 (도 1(a) 에 나타내는 위치) 사이에서 기판 유지부 (130) 를 승강시킨다. 도 1(b) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (130) 가, 복수의 기판 (W) 을 유지한 채로 연직 하방 (Z 방향) 으로 하강하여 처리 위치까지 이동하면, 복수의 기판 (W) 이 처리조 (3) 에 투입된다. 상세하게는, 기판 유지부 (130) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 내조 (31) 내로 이동한다. 이 결과, 복수의 기판 (W) 이 내조 (31) 내의 에칭액 (E) 에 침지되어, 복수의 기판 (W) 이 에칭액 (E) 에 의해 에칭된다. 한편, 도 1(a) 에 나타내는 바와 같이, 기판 유지부 (130) 가 퇴피 위치로 이동하면, 기판 유지부 (130) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 처리조 (3) 의 상방으로 이동하여, 복수의 기판 (W) 이 에칭액 (E) 으로부터 인상된다.More specifically, the lifting unit 120 raises and lowers the substrate holding unit 130 between the processing position (position shown in FIG. 1(b)) and the retraction position (position shown in FIG. 1(a)). As shown in FIG. 1(b), when the substrate holding portion 130 moves vertically downward (Z direction) while holding the plurality of substrates W and moves to the processing position, the plurality of substrates W are moved to the processing position. It is put into the treatment tank (3). In detail, the plurality of substrates W held in the substrate holding portion 130 move into the inner tank 31 . As a result, the plurality of substrates W are immersed in the etching liquid E in the inner tank 31, and the plurality of substrates W are etched by the etching liquid E. On the other hand, as shown in FIG. 1(a), when the substrate holding portion 130 moves to the retracted position, the plurality of substrates W held by the substrate holding portion 130 move upward into the processing tank 3. By moving, the plurality of substrates (W) are pulled up from the etchant (E).

계속해서 도 2 를 참조하여 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 구성을 설명한다. 도 2 는 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (110) 는, 제어부 (111) 와, 기억부 (112) 를 포함한다.Next, the configuration of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be described with reference to FIG. 2 . FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. As shown in FIG. 2, the control device 110 includes a control unit 111 and a storage unit 112.

제어부 (111) 는 프로세서를 갖는다. 제어부 (111) 는, 예를 들어, CPU (Central Processing Unit), 또는, MPU (Micro Processing Unit) 를 갖는다. 혹은, 제어부 (111) 는 범용 연산기를 가져도 된다. 제어부 (111) 는, 기억부 (112) 에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램 및 데이터에 기초하여, 기판 처리 장치 (100) 의 각 부의 동작을 제어한다.The control unit 111 has a processor. The control unit 111 has, for example, a CPU (Central Processing Unit) or an MPU (Micro Processing Unit). Alternatively, the control unit 111 may have a general-purpose calculator. The control unit 111 controls the operation of each unit of the substrate processing apparatus 100 based on the computer program and data stored in the storage unit 112.

기억부 (112) 는, 데이터 및 컴퓨터 프로그램을 기억한다. 데이터는 레시피 데이터를 포함한다. 레시피 데이터는, 복수의 레시피를 나타내는 정보를 포함한다. 복수의 레시피의 각각은, 기판 (W) 의 처리 내용 및 처리 순서를 규정한다. 데이터는, 인산 농도에 대응하는 물리량의 목표값을 나타내는 데이터를 추가로 포함한다. 기억부 (112) 는 주기억 장치를 갖는다. 주기억 장치는, 예를 들어, 반도체 메모리이다. 기억부 (112) 는, 보조 기억 장치를 추가로 가져도 된다. 보조 기억 장치는, 예를 들어, 반도체 메모리 및 하드디스크 드라이브의 적어도 일방을 포함한다. 기억부 (112) 는 리무버블 미디어를 포함하고 있어도 된다.The storage unit 112 stores data and computer programs. The data includes recipe data. Recipe data includes information indicating multiple recipes. Each of the plurality of recipes specifies the processing content and processing sequence of the substrate W. The data further includes data representing the target value of the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration. The memory unit 112 has a main memory device. The main memory device is, for example, a semiconductor memory. The storage unit 112 may additionally have an auxiliary storage device. The auxiliary storage device includes, for example, at least one of a semiconductor memory and a hard disk drive. The storage unit 112 may include removable media.

도 2 를 참조하여 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 구성을 추가로 설명한다. 도 2 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 인산 공급 라인 (4) 과, 희석액 공급 라인 (5) 과, 압력 측정부 (6) 와, 제 1 버블링부 (7) 와, 에칭액 순환부 (8) 와, 오토 커버 (21) 를 추가로 구비한다.The configuration of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be further described with reference to FIG. 2 . As shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus 100 includes a phosphoric acid supply line 4, a diluent supply line 5, a pressure measurement unit 6, a first bubbling unit 7, and an etching solution circulation. Part (8) and auto cover (21) are additionally provided.

오토 커버 (21) 는 처리조 (3) 의 상부 개구를 개폐한다. 환언하면, 오토 커버 (21) 는, 내조 (31) 의 상부 개구 및 외조 (32) 의 상부 개구를 개폐한다. 본 실시형태에 있어서, 오토 커버 (21) 는, 제 1 커버편 (22) 과, 제 2 커버편 (23) 을 갖는다. 제 1 커버편 (22) 은 처리조 (3) 의 상부 개구에 대하여 자유롭게 개폐할 수 있다. 제 2 커버편 (23) 은 처리조 (3) 의 상부 개구에 대하여 자유롭게 개폐할 수 있다. 오토 커버 (21) 는, 제 1 커버편 (22) 및 제 2 커버편 (23) 이 개폐됨으로써, 좌우 여닫이식으로 개폐한다.The auto cover (21) opens and closes the upper opening of the treatment tank (3). In other words, the auto cover 21 opens and closes the upper opening of the inner tank 31 and the upper opening of the outer tank 32. In this embodiment, the auto cover 21 has a first cover piece 22 and a second cover piece 23. The first cover piece 22 can be freely opened and closed with respect to the upper opening of the treatment tank 3. The second cover piece 23 can be freely opened and closed with respect to the upper opening of the treatment tank 3. The auto cover 21 opens and closes in a left-right opening and closing manner by opening and closing the first cover piece 22 and the second cover piece 23.

상세하게는, 제 1 커버편 (22) 은, 제 1 회전축 (P1) 을 중심으로 자유롭게 회동 (回動) 할 수 있다. 제 1 회전축 (P1) 은 Y 방향으로 연장된다. 제 1 회전축 (P1) 은, 제 1 커버편 (22) 에 있어서의 오토 커버 (21) 의 중심측과는 반대측의 단부를 지지한다. 제 2 커버편 (23) 은, 제 2 회전축 (P2) 을 중심으로 자유롭게 회동할 수 있다. 제 2 회전축 (P2) 은 Y 방향으로 연장된다. 제 2 회전축 (P2) 은, 제 2 커버편 (23) 에 있어서의 오토 커버 (21) 의 중심측과는 반대측의 단부를 지지한다.In detail, the first cover piece 22 can freely rotate around the first rotation axis P1. The first rotation axis P1 extends in the Y direction. The first rotation shaft P1 supports the end of the first cover piece 22 on the opposite side to the center side of the auto cover 21. The second cover piece 23 can freely rotate around the second rotation axis P2. The second rotation axis P2 extends in the Y direction. The second rotation shaft P2 supports the end of the second cover piece 23 on the opposite side to the center side of the auto cover 21.

제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 기판 유지부 (130) 를 퇴피 위치 (도 1(a) 에 나타내는 위치) 로부터 처리 위치 (도 1(b) 에 나타내는 위치) 까지 이동시킬 때에, 오토 커버 (21) 를 개방 상태로 한다. 오토 커버 (21) 가 개방 상태가 됨으로써, 처리조 (3) 의 상부 개구가 개방 상태가 되어, 처리조 (3) (내조 (31)) 로의 기판 (W) 의 투입이 가능해진다. 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 기판 (W) 의 에칭 처리시에, 오토 커버 (21) 를 폐쇄 상태로 한다. 오토 커버 (21) 가 폐쇄 상태가 됨으로써, 처리조 (3) 의 상부 개구가 폐색 상태가 된다. 이 결과, 처리조 (3) 의 내부가 밀폐 공간이 된다.When the control device 110 (control unit 111) moves the substrate holding portion 130 from the retraction position (position shown in FIG. 1(a)) to the processing position (position shown in FIG. 1(b)), Open the auto cover (21). When the auto cover 21 is opened, the upper opening of the processing tank 3 is opened, making it possible to input the substrate W into the processing tank 3 (inner tank 31). The control device 110 (control unit 111) closes the auto cover 21 when etching the substrate W. When the auto cover 21 is closed, the upper opening of the treatment tank 3 is closed. As a result, the inside of the treatment tank 3 becomes a sealed space.

제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 기판 유지부 (130) 를 처리 위치 (도 1(b) 에 나타내는 위치) 로부터 퇴피 위치 (도 1(a) 에 나타내는 위치) 까지 이동시킬 때에, 오토 커버 (21) 를 개방 상태로 한다. 오토 커버 (21) 가 개방 상태가 됨으로써, 처리조 (3) 의 상부 개구가 개방 상태가 되어, 기판 (W) 의 처리조 (3) (내조 (31)) 로부터의 인상이 가능해진다.When the control device 110 (control unit 111) moves the substrate holding portion 130 from the processing position (position shown in FIG. 1(b)) to the retraction position (position shown in FIG. 1(a)), Open the auto cover (21). When the auto cover 21 is opened, the upper opening of the processing tank 3 is opened, making it possible to pull the substrate W from the processing tank 3 (inner tank 31).

계속해서 도 2 를 참조하여, 인산 공급 라인 (4) 과, 희석액 공급 라인 (5) 을 설명한다.Continuing with reference to FIG. 2, the phosphoric acid supply line 4 and the diluent supply line 5 will be explained.

인산 공급 라인 (4) 은, 인산을 처리조 (3) 에 공급한다. 본 실시형태에서는, 인산 공급 라인 (4) 은 인산을 외조 (32) 에 공급한다. 상세하게는, 인산 공급 라인 (4) 은, 인산 공급 노즐 (41) 과, 인산 공급 배관 (42) 과, 개폐 밸브 (43) 를 포함한다.The phosphoric acid supply line (4) supplies phosphoric acid to the treatment tank (3). In this embodiment, the phosphoric acid supply line 4 supplies phosphoric acid to the outer tank 32. In detail, the phosphoric acid supply line 4 includes a phosphoric acid supply nozzle 41, a phosphoric acid supply pipe 42, and an opening/closing valve 43.

인산 공급 노즐 (41) 은 처리조 (3) 의 상방에 배치된다. 인산 공급 노즐 (41) 은, 중공의 관상 부재이다. 인산 공급 노즐 (41) 에는, 복수의 토출공이 형성되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 인산 공급 노즐 (41) 은 Y 방향으로 연장된다. 인산 공급 노즐 (41) 의 복수의 토출공은, Y 방향으로 등간격으로 형성되어 있다.The phosphoric acid supply nozzle 41 is disposed above the treatment tank 3. The phosphoric acid supply nozzle 41 is a hollow tubular member. A plurality of discharge holes are formed in the phosphoric acid supply nozzle 41. In this embodiment, the phosphoric acid supply nozzle 41 extends in the Y direction. A plurality of discharge holes of the phosphoric acid supply nozzle 41 are formed at equal intervals in the Y direction.

인산 공급 배관 (42) 은, 인산 공급 노즐 (41) 까지 인산을 유통시킨다. 인산 공급 배관 (42) 을 통하여 인산 공급 노즐 (41) 에 인산이 공급되면, 인산 공급 노즐 (41) 의 복수의 토출공으로부터 외조 (32) 를 향하여 인산이 토출된다. 이 결과, 외조 (32) 에 인산이 공급된다.The phosphoric acid supply pipe 42 distributes phosphoric acid to the phosphoric acid supply nozzle 41. When phosphoric acid is supplied to the phosphoric acid supply nozzle 41 through the phosphoric acid supply pipe 42, phosphoric acid is discharged from the plurality of discharge holes of the phosphoric acid supply nozzle 41 toward the outer tank 32. As a result, phosphoric acid is supplied to the outer tank 32.

인산 공급 배관 (42) 에는, 개폐 밸브 (43) 가 개재 장착되어 있다. 개폐 밸브 (43) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 개폐 밸브 (43) 는 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다.An on-off valve 43 is interposed in the phosphoric acid supply pipe 42. The opening/closing valve 43 is, for example, an electromagnetic valve. The opening/closing valve 43 is controlled by the control device 110 (control unit 111).

개폐 밸브 (43) 는, 인산 공급 배관 (42) 의 유로를 개폐하여, 인산 공급 배관 (42) 을 흐르는 인산의 유통을 제어한다. 상세하게는, 개폐 밸브 (43) 가 개방되면, 인산이 인산 공급 배관 (42) 을 통하여 인산 공급 노즐 (41) 까지 흐른다. 이 결과, 인산 공급 노즐 (41) 로부터 인산이 토출된다. 한편, 개폐 밸브 (43) 가 폐쇄되면, 인산의 유통이 차단되어, 인산 공급 노즐 (41) 에 의한 인산의 토출이 정지된다.The open/close valve 43 opens and closes the flow path of the phosphoric acid supply pipe 42 to control the distribution of phosphoric acid flowing through the phosphoric acid supply pipe 42. In detail, when the on-off valve 43 is opened, phosphoric acid flows through the phosphoric acid supply pipe 42 to the phosphoric acid supply nozzle 41. As a result, phosphoric acid is discharged from the phosphoric acid supply nozzle 41. On the other hand, when the opening/closing valve 43 is closed, the flow of phosphoric acid is blocked, and the discharge of phosphoric acid by the phosphoric acid supply nozzle 41 is stopped.

희석액 공급 라인 (5) 은, 처리조 (3) 내의 에칭액 (E) 에 희석액을 공급한다. 구체적으로는, 희석액 공급 라인 (5) 은, 희석액을 처리조 (3) 에 공급한다. 희석액 공급 라인 (5) 은, 공급 라인의 일례이다. 상세하게는, 희석액 공급 라인 (5) 은, 희석액 공급 노즐 (51) 과, 희석액 공급 배관 (52) 을 포함한다.The diluted liquid supply line 5 supplies the diluted liquid to the etching liquid E in the treatment tank 3. Specifically, the diluted liquid supply line 5 supplies the diluted liquid to the treatment tank 3. The diluent supply line 5 is an example of a supply line. In detail, the diluted liquid supply line 5 includes a diluted liquid supply nozzle 51 and a diluted liquid supply pipe 52.

희석액 공급 노즐 (51) 은 처리조 (3) 의 상방에 배치된다. 희석액 공급 노즐 (51) 은, 중공의 관상 부재이다. 희석액 공급 노즐 (51) 에는, 복수의 토출공이 형성되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 희석액 공급 노즐 (51) 은 Y 방향으로 연장된다. 희석액 공급 노즐 (51) 의 복수의 토출공은, Y 방향으로 등간격으로 형성되어 있다.The diluent supply nozzle 51 is disposed above the treatment tank 3. The diluent supply nozzle 51 is a hollow tubular member. A plurality of discharge holes are formed in the diluent supply nozzle 51. In this embodiment, the diluent supply nozzle 51 extends in the Y direction. A plurality of discharge holes of the diluent supply nozzle 51 are formed at equal intervals in the Y direction.

희석액 공급 배관 (52) 은 희석액 공급 노즐 (51) 까지 희석액을 유통시킨다. 희석액 공급 배관 (52) 을 통하여 희석액 공급 노즐 (51) 에 희석액이 공급되면, 희석액 공급 노즐 (51) 의 복수의 토출공으로부터 희석액이 토출된다. 본 실시형태에서는, 희석액 공급 라인 (5) 은, 내조 (31) 의 측벽의 상단면을 향하여 희석액을 토출한다. 처리조 (3) 에서는, 내조 (31) 의 측벽의 상단면을 통하여, 내조 (31) 로부터 외조 (32) 를 향하여 에칭액 (E) 이 흐르고 있다. 따라서, 내조 (31) 의 측벽의 상단면을 향하여 토출된 희석액은, 에칭액 (E) 의 흐름에 의해 외조 (32) 로 공급된다.The diluent supply pipe (52) distributes the diluent to the diluent supply nozzle (51). When the diluted liquid is supplied to the diluted liquid supply nozzle 51 through the diluted liquid supply pipe 52, the diluted liquid is discharged from a plurality of discharge holes of the diluted liquid supply nozzle 51. In this embodiment, the diluent supply line 5 discharges the diluent toward the upper end surface of the side wall of the inner tank 31. In the treatment tank 3, the etching liquid E flows from the inner tank 31 toward the outer tank 32 through the upper end of the side wall of the inner tank 31. Accordingly, the diluted liquid discharged toward the upper end of the side wall of the inner tank 31 is supplied to the outer tank 32 by the flow of the etching liquid E.

본 실시형태에 의하면, 내조 (31) 의 측벽의 상단면을 향하여 희석액이 토출되기 때문에, 희석액의 공급 직후에 희석액으로부터 수분이 증발하는 것을 억제할 수 있다. 상세하게는, 이미 설명한 바와 같이, 에칭액 (E) 은 120 ℃ 이상 160 ℃ 이하로 가열되어 있다. 따라서, 내조 (31) 또는 외조 (32) 의 에칭액 (E) 의 액면을 향하여 희석액이 토출되면, 희석액의 공급 직후에 희석액으로부터 수분이 증발하기 쉽다. 이에 대하여, 내조 (31) 의 측벽의 상단면을 향하여 희석액을 토출함으로써, 내조 (31) 또는 외조 (32) 의 에칭액 (E) 의 액면을 향하여 희석액을 토출하는 경우와 비교하여, 희석액의 공급 직후에 희석액으로부터 수분이 증발하는 것을 억제할 수 있다.According to this embodiment, since the diluent is discharged toward the upper end of the side wall of the inner tank 31, evaporation of moisture from the diluent immediately after supply of the diluent can be suppressed. In detail, as already explained, the etching liquid (E) is heated to 120°C or more and 160°C or less. Therefore, when the diluent is discharged toward the liquid surface of the etching liquid E of the inner tank 31 or the outer tank 32, moisture is likely to evaporate from the diluted liquid immediately after supply of the diluted liquid. In contrast, by discharging the diluent toward the upper end of the side wall of the inner tank 31, compared to the case where the diluent is discharged toward the liquid surface of the etching liquid E of the inner tank 31 or the outer tank 32, immediately after supply of the diluent. It can suppress the evaporation of moisture from the diluted solution.

또한, 외조 (32) 의 측벽의 상단의 높이는 내조 (31) 의 측벽의 상단의 높이보다 높다. 또한, 외조 (32) 내의 에칭액 (E) 은 에칭액 순환부 (8) 에 의해 외조 (32) 로부터 배출된다. 따라서, 에칭액 (E) 은 처리조 (3) 로부터 넘쳐 나오지 않는다.Additionally, the height of the upper end of the side wall of the outer tank 32 is higher than the height of the upper end of the side wall of the inner tank 31. Additionally, the etchant E in the outer tank 32 is discharged from the outer tank 32 by the etchant circulation unit 8. Therefore, the etching liquid (E) does not overflow from the treatment tank (3).

계속해서 도 2 를 참조하여, 압력 측정부 (6) 와, 제 1 버블링부 (7) 와, 에칭액 순환부 (8) 를 설명한다.Continuing with reference to FIG. 2 , the pressure measurement unit 6, the first bubbling unit 7, and the etchant circulation unit 8 will be described.

압력 측정부 (6) 는, 처리조 (3) 에 저류된 에칭액 (E) 의 미리 정해진 깊이에 있어서의 압력을 측정한다. 본 실시형태에 있어서, 압력 측정부 (6) 는 기체 공급 배관 (61) 과 압력 센서 (62) 를 갖는다.The pressure measuring unit 6 measures the pressure of the etching liquid E stored in the treatment tank 3 at a predetermined depth. In this embodiment, the pressure measuring unit 6 has a gas supply pipe 61 and a pressure sensor 62.

기체 공급 배관 (61) 은 기체를 유통시킨다. 기체는, 예를 들어, 불활성 가스이다. 구체적으로는, 기체는 질소일 수 있다. 기체 공급 배관 (61) 의 선단은, 외조 (32) 의 에칭액 (E) 내에 침지되어 있고, 기체 공급 배관 (61) 은, 외조 (32) 의 에칭액 (E) 내에서 기체를 분출한다.The gas supply pipe 61 distributes gas. The gas is, for example, an inert gas. Specifically, the gas may be nitrogen. The tip of the gas supply pipe 61 is immersed in the etching liquid E of the outer tank 32, and the gas supply pipe 61 ejects gas within the etching liquid E of the outer tank 32.

압력 센서 (62) 는, 기체 공급 배관 (61) 의 선단으로부터 기체를 토출시키는 압력을 측정한다. 기체 공급 배관 (61) 의 선단으로부터 기체를 토출시키는 압력은, 처리조 (3) 에 저류된 에칭액 (E) 의 미리 정해진 깊이에 있어서의 압력을 나타낸다. 본 실시형태에서는, 기체 공급 배관 (61) 의 선단으로부터 기체를 토출시키는 압력은, 외조 (32) 에 저류된 에칭액 (E) 의 미리 정해진 깊이에 있어서의 압력을 나타낸다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 기체 공급 배관 (61) 의 선단으로부터 기체를 토출시키는 압력, 또는 외조 (32) 에 저류된 에칭액 (E) 의 미리 정해진 깊이에 있어서의 압력을,「기체의 토출압」이라고 기재하는 경우가 있다.The pressure sensor 62 measures the pressure at which gas is discharged from the tip of the gas supply pipe 61. The pressure at which gas is discharged from the tip of the gas supply pipe 61 represents the pressure at a predetermined depth of the etching liquid E stored in the treatment tank 3. In this embodiment, the pressure at which gas is discharged from the tip of the gas supply pipe 61 represents the pressure at a predetermined depth of the etchant E stored in the outer tank 32. In addition, in the following description, the pressure at which gas is discharged from the tip of the gas supply pipe 61, or the pressure at a predetermined depth of the etching liquid E stored in the outer tank 32 is referred to as “gas discharge pressure.” 」 in some cases.

제 1 버블링부 (7) 는, 내조 (31) 의 에칭액 (E) 내에 침지되어 있는 복수의 기판 (W) 을 향하여 기포를 공급한다. 상세하게는, 제 1 버블링부 (7) 는, 복수의 기체 공급 노즐 (71) 과, 기체 공급 배관 (72) 을 포함한다. 또한, 본 실시형태에서는, 제 1 버블링부 (7) 는, 2 개의 기체 공급 노즐 (71) 을 포함하지만, 제 1 버블링부 (7) 는, 1 개의 기체 공급 노즐 (71) 을 포함해도 되고, 3 개 이상의 기체 공급 노즐 (71) 을 포함해도 된다.The first bubbling section 7 supplies bubbles toward the plurality of substrates W immersed in the etching liquid E in the inner tank 31 . In detail, the first bubbling section 7 includes a plurality of gas supply nozzles 71 and a gas supply pipe 72. In addition, in this embodiment, the first bubbling section 7 includes two gas supply nozzles 71, but the first bubbling section 7 may include one gas supply nozzle 71, Three or more gas supply nozzles 71 may be included.

복수의 기체 공급 노즐 (71) 은 내조 (31) 의 바닥부측에 배치된다. 보다 구체적으로는, 복수의 기체 공급 노즐 (71) 은, 내조 (31) 의 에칭액 (E) 내에 침지된 복수의 기판 (W) 보다 하방에 위치하도록, 내조 (31) 내에 배치된다.A plurality of gas supply nozzles (71) are disposed on the bottom side of the inner tank (31). More specifically, the plurality of gas supply nozzles 71 are disposed in the inner tank 31 so as to be located below the plurality of substrates W immersed in the etchant E of the inner tank 31.

기체 공급 노즐 (71) 의 각각은 중공의 관상 부재이다. 기체 공급 노즐 (71) 의 각각에는, 도 7 을 참조하여 후술하는 복수의 토출공 (711) 이 형성되어 있고, 각 토출공 (711) 으로부터 기체가 분출됨으로써, 내조 (31) 의 에칭액 (E) 내에 침지되어 있는 복수의 기판 (W) 을 향하여 기포가 공급된다. 기체는, 예를 들어, 불활성 가스이다. 구체적으로는, 기체는 질소일 수 있다.Each of the gas supply nozzles 71 is a hollow tubular member. In each of the gas supply nozzles 71, a plurality of discharge holes 711, which will be described later with reference to FIG. 7, are formed, and gas is ejected from each discharge hole 711, thereby discharging the etchant E in the inner tank 31. Air bubbles are supplied toward the plurality of substrates W immersed within. The gas is, for example, an inert gas. Specifically, the gas may be nitrogen.

기체 공급 배관 (72) 은, 복수의 기체 공급 노즐 (71) 까지 기체를 유통시킨다. 기체 공급 배관 (72) 이 기체를 유통시킴으로써, 내조 (31) 의 에칭액 (E) 내에 침지되어 있는 복수의 기판 (W) 을 향하여 기포가 공급된다. 이 결과, 도 7 을 참조하여 후술하는 바와 같이, 에칭액 (E) 에 있어서의 실리콘 농도의 불균일성이 억제되어, 기판 (W) 을 균일하게 에칭할 수 있다.The gas supply pipe 72 distributes gas to a plurality of gas supply nozzles 71. When the gas supply pipe 72 distributes gas, air bubbles are supplied toward the plurality of substrates W immersed in the etching liquid E in the inner tank 31. As a result, as will be described later with reference to FIG. 7, the non-uniformity of the silicon concentration in the etching solution E is suppressed, and the substrate W can be etched uniformly.

에칭액 순환부 (8) 는 외조 (32) 와 내조 (31) 사이에서 에칭액 (E) 을 순환시킨다. 상세하게는, 에칭액 순환부 (8) 는, 복수의 에칭액 공급 노즐 (81) 과, 순환 배관 (82) 과, 순환 펌프 (83) 와, 순환 히터 (84) 와, 순환 필터 (85) 를 포함한다. 또한, 본 실시형태에서는, 에칭액 순환부 (8) 는, 2 개의 에칭액 공급 노즐 (81) 을 포함하지만, 에칭액 순환부 (8) 는, 1 개의 에칭액 공급 노즐 (81) 을 포함해도 되고, 3 개 이상의 에칭액 공급 노즐 (81) 을 포함해도 된다.The etchant circulation unit 8 circulates the etchant E between the outer tank 32 and the inner tank 31. In detail, the etchant circulation unit 8 includes a plurality of etchant supply nozzles 81, a circulation pipe 82, a circulation pump 83, a circulation heater 84, and a circulation filter 85. do. In addition, in this embodiment, the etchant circulation section 8 includes two etchant supply nozzles 81, but the etchant circulation section 8 may include one etchant supply nozzle 81 or three. The above etching liquid supply nozzle 81 may be included.

복수의 에칭액 공급 노즐 (81) 은 내조 (31) 의 바닥부측에 배치된다. 에칭액 공급 노즐 (81) 의 각각은, 중공의 관상 부재이다. 에칭액 공급 노즐 (81) 의 각각에는, 복수의 토출공이 형성되어 있다. 본 실시형태에 있어서, 에칭액 공급 노즐 (81) 은 Y 방향으로 연장된다. 에칭액 공급 노즐 (81) 의 복수의 토출공은, Y 방향으로 등간격으로 형성되어 있다.A plurality of etchant supply nozzles 81 are disposed on the bottom side of the inner tank 31. Each of the etchant supply nozzles 81 is a hollow tubular member. A plurality of discharge holes are formed in each of the etchant supply nozzles 81. In this embodiment, the etchant supply nozzle 81 extends in the Y direction. A plurality of discharge holes of the etchant supply nozzle 81 are formed at equal intervals in the Y direction.

순환 배관 (82) 의 일단은 외조 (32) 에 접속되어 있고, 외조 (32) 로부터 순환 배관 (82) 에 에칭액 (E) 이 유입된다. 순환 배관 (82) 은, 복수의 에칭액 공급 노즐 (81) 까지 에칭액 (E) 을 유통시킨다.One end of the circulation pipe 82 is connected to the outer tank 32, and the etching liquid E flows into the circulation pipe 82 from the outer tank 32. The circulation pipe 82 distributes the etching liquid E to a plurality of etching liquid supply nozzles 81.

순환 펌프 (83) 는, 순환 배관 (82) 에 개재 장착되어 있다. 순환 펌프 (83) 는, 순환 배관 (82) 을 유통하도록 에칭액 (E) 을 유체의 압력에 의해 구동한다. 이 결과, 순환 배관 (82) 을 통하여 외조 (32) 로부터 내조 (31) 로 에칭액 (E) 이 흐른다. 구체적으로는, 에칭액 (E) 이 순환 배관 (82) 을 유통하여, 에칭액 공급 노즐 (81) 의 토출공으로부터 내조 (31) 내에 에칭액 (E) 이 토출된다. 요컨대, 에칭액 공급 노즐 (81) 로부터 내조 (31) 내에 에칭액 (E) 이 공급된다. 또한, 에칭액 공급 노즐 (81) 로부터 내조 (31) 내에 에칭액 (E) 이 토출됨으로써, 내조 (31) 의 측벽의 상단면을 통하여, 내조 (31) 로부터 외조 (32) 를 향하여 에칭액 (E) 이 흐른다.The circulation pump 83 is interposed in the circulation pipe 82. The circulation pump 83 drives the etchant E by the pressure of the fluid so that it flows through the circulation pipe 82. As a result, the etchant E flows from the outer tank 32 to the inner tank 31 through the circulation pipe 82. Specifically, the etching liquid (E) flows through the circulation pipe 82 and is discharged into the inner tank 31 from the discharge hole of the etching liquid supply nozzle 81. In short, the etching liquid (E) is supplied into the inner tank 31 from the etching liquid supply nozzle 81. Additionally, the etching liquid (E) is discharged from the etching liquid supply nozzle 81 into the inner tank 31, so that the etching liquid (E) flows from the inner tank 31 toward the outer tank 32 through the upper end surface of the side wall of the inner tank 31. It flows.

순환 히터 (84), 및 순환 필터 (85) 는, 순환 배관 (82) 에 개재 장착되어 있다. 순환 히터 (84) 는, 순환 배관 (82) 을 흐르는 에칭액 (E) 을 가열한다. 상세하게는, 순환 히터 (84) 는, 120 ℃ 이상 160 ℃ 이하의 온도에서 에칭액 (E) 을 가열한다. 순환 필터 (85) 는, 순환 배관 (82) 을 유통하는 에칭액 (E) 으로부터 이물질을 제거한다.The circulation heater 84 and the circulation filter 85 are interposed in the circulation pipe 82. The circulation heater 84 heats the etchant E flowing through the circulation pipe 82. In detail, the circulation heater 84 heats the etching liquid (E) at a temperature of 120°C or more and 160°C or less. The circulation filter 85 removes foreign substances from the etching liquid E flowing through the circulation pipe 82.

계속해서, 도 3 을 참조하여 희석액 공급 라인 (5) 의 구성에 대하여 추가로 설명한다. 도 3 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 구성을 나타내는 도면이다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 희석액 공급 라인 (5) 은, 유량 제어 밸브 (53) 와, 최대 유량 조정 밸브 (54) 와, 개폐 밸브 (55) 를 추가로 포함한다. 유량 제어 밸브 (53), 최대 유량 조정 밸브 (54) 및 개폐 밸브 (55) 는 희석액 공급 배관 (52) 에 개재 장착되어 있다.Next, the configuration of the diluent supply line 5 will be further explained with reference to FIG. 3 . FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment. As shown in FIG. 3, the diluent supply line 5 further includes a flow control valve 53, a maximum flow rate adjustment valve 54, and an opening/closing valve 55. The flow control valve 53, the maximum flow rate adjustment valve 54, and the on-off valve 55 are interposed in the diluent supply pipe 52.

유량 제어 밸브 (53) 는, 희석액 공급 배관 (52) 을 유통하는 희석액의 유량을 제어한다. 요컨대, 유량 제어 밸브 (53) 는, 희석액 공급 노즐 (51) 로부터 에칭액 (E) 에 공급되는 희석액의 유량을 제어한다. 유량 제어 밸브 (53) 는, 예를 들어, 오리피스의 개도를 조정하여 희석액의 유량을 제어한다. 유량 제어 밸브 (53) 는, 예를 들어 셀프 컨트롤 밸브일 수 있다.The flow control valve 53 controls the flow rate of the diluted liquid flowing through the diluted liquid supply pipe 52. In short, the flow control valve 53 controls the flow rate of the diluted liquid supplied from the diluted liquid supply nozzle 51 to the etching liquid E. The flow control valve 53 controls the flow rate of the diluent by, for example, adjusting the opening degree of the orifice. The flow control valve 53 may be, for example, a self-control valve.

최대 유량 조정 밸브 (54) 는, 희석액 공급 배관 (52) 을 유통하는 희석액의 최대 유량을 조정한다. 최대 유량 조정 밸브 (54) 는, 예를 들어, 니들 밸브이다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 희석액 공급 배관 (52) 을 유통하는 희석액의 최대 유량을,「희석액의 최대 유량」이라고 기재하는 경우가 있다. 희석액의 최대 유량은, 유량 제어 밸브 (53) 에 의해 제어되는 희석액의 최대 유량이, 최대 유량 조정 밸브 (54) 에 의해 조정되는 희석액의 최대 유량과 동등 이상인 경우, 최대 유량 조정 밸브 (54) 의 개구율에 따른 유량이 된다. 요컨대, 희석액의 최대 유량은, 최대 유량 조정 밸브 (54) 에 의해 조정되는 희석액의 최대 유량에 의해 규제된다. 한편, 최대 유량 조정 밸브 (54) 에 의해 조정되는 희석액의 최대 유량이, 유량 제어 밸브 (53) 에 의해 제어되는 희석액의 최대 유량보다 큰 경우, 희석액의 최대 유량은, 유량 제어 밸브 (53) 에 의해 제어되는 희석액의 최대 유량에 의해 규제된다.The maximum flow rate adjustment valve 54 adjusts the maximum flow rate of the diluent flowing through the diluent solution supply pipe 52. The maximum flow rate adjustment valve 54 is, for example, a needle valve. In addition, in the following description, the maximum flow rate of the diluent flowing through the diluent supply pipe 52 may be referred to as the “maximum flow rate of the diluent.” The maximum flow rate of the diluent is that of the maximum flow rate adjustment valve 54 when the maximum flow rate of the diluent controlled by the flow control valve 53 is equal to or greater than the maximum flow rate of the diluent adjusted by the maximum flow rate adjustment valve 54. The flow rate depends on the aperture ratio. In short, the maximum flow rate of the diluent is regulated by the maximum flow rate of the diluent adjusted by the maximum flow rate adjustment valve 54. On the other hand, when the maximum flow rate of the diluted liquid adjusted by the maximum flow rate adjustment valve 54 is greater than the maximum flow rate of the diluted liquid controlled by the flow control valve 53, the maximum flow rate of the diluted liquid is set to the flow control valve 53. It is regulated by the maximum flow rate of the diluent controlled by

개폐 밸브 (55) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 개폐 밸브 (55) 는 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다. 개폐 밸브 (55) 는, 희석액 공급 배관 (52) 의 유로를 개폐하여, 희석액 공급 배관 (52) 을 흐르는 희석액의 유통을 제어한다. 상세하게는, 개폐 밸브 (55) 가 개방되면, 희석액이 희석액 공급 배관 (52) 을 통하여 희석액 공급 노즐 (51) 까지 흐른다. 이 결과, 희석액 공급 노즐 (51) 로부터 희석액이 토출된다. 한편, 개폐 밸브 (55) 가 폐쇄되면, 희석액의 유통이 차단되어, 희석액 공급 노즐 (51) 에 의한 희석액의 토출이 정지된다.The opening/closing valve 55 is, for example, an electromagnetic valve. The opening/closing valve 55 is controlled by the control device 110 (control unit 111). The open/close valve 55 opens and closes the flow path of the diluted liquid supply pipe 52 to control the distribution of the diluted liquid flowing through the diluted liquid supply pipe 52. In detail, when the opening/closing valve 55 is opened, the diluting liquid flows through the diluting liquid supply pipe 52 to the diluting liquid supply nozzle 51. As a result, the diluent is discharged from the diluent supply nozzle 51. On the other hand, when the opening/closing valve 55 is closed, the flow of the diluting liquid is blocked, and the discharge of the diluting liquid by the diluting liquid supply nozzle 51 is stopped.

계속해서 도 3 을 참조하여 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 구성을 설명한다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (100) 는, 컨트롤러 (140) 와, 구동부 (160) 를 추가로 구비한다.Next, the configuration of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be described with reference to FIG. 3 . As shown in FIG. 3 , the substrate processing apparatus 100 further includes a controller 140 and a driver 160 .

컨트롤러 (140) 는, 인산 농도에 대응하는 물리량 (에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 농도에 대응하는 물리량) 이 목표값이 되도록, 구동부 (160) 를 통하여, 유량 제어 밸브 (53) 의 개도를 제어한다. 요컨대, 컨트롤러 (140) 는, 인산 농도에 대응하는 물리량이 목표값이 되도록, 희석액 공급 노즐 (51) 로부터 에칭액 (E) 에 공급되는 희석액의 유량을 제어한다. 에칭액 (E) 에 공급되는 희석액의 유량은, 인산 농도에 대응하는 물리량을 변동시키는 파라미터의 일례이다. 컨트롤러 (140) 는 파라미터 제어부의 일례이다.The controller 140 adjusts the opening degree of the flow control valve 53 through the drive unit 160 so that the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration (physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration in the etching solution E) becomes the target value. Control. In short, the controller 140 controls the flow rate of the diluted liquid supplied to the etching liquid E from the diluted liquid supply nozzle 51 so that the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration becomes the target value. The flow rate of the diluent supplied to the etching liquid (E) is an example of a parameter that changes the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration. Controller 140 is an example of a parameter control unit.

본 실시형태에 있어서, 컨트롤러 (140) 는, 에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 비중값이 목표값이 되도록 희석액의 유량을 제어한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 비중값을,「인산의 비중값」이라고 기재하는 경우가 있다.In this embodiment, the controller 140 controls the flow rate of the diluent so that the specific gravity value of phosphoric acid in the etching liquid (E) becomes the target value. In addition, in the following description, the specific gravity value of phosphoric acid in the etching liquid (E) may be described as “the specific gravity value of phosphoric acid.”

상세하게는, 컨트롤러 (140) 는, 압력 센서 (62) 에 의한 측정의 결과에 기초하여, 인산의 비중값을 측정한다. 그리고, 컨트롤러 (140) 는, 압력 센서 (62) 에 의한 측정의 결과 (인산의 비중값) 가 목표값이 되도록 희석액의 유량을 제어한다. 예를 들어, 컨트롤러 (140) 는, 압력 센서 (62) 에 의한 측정의 결과에 기초하여, PID 제어값을 구동부 (160) 에 출력한다. 구체적으로는, 컨트롤러 (140) 는, PID 제어값을 나타내는 전류 신호를 구동부 (160) 에 출력한다.In detail, the controller 140 measures the specific gravity value of phosphoric acid based on the result of measurement by the pressure sensor 62. Then, the controller 140 controls the flow rate of the diluent so that the result of measurement by the pressure sensor 62 (specific gravity value of phosphoric acid) becomes the target value. For example, the controller 140 outputs a PID control value to the driver 160 based on the result of measurement by the pressure sensor 62. Specifically, the controller 140 outputs a current signal representing the PID control value to the driver 160.

또한, 인산의 비중값과 기체의 토출압 (기체 공급 배관 (61) 의 선단으로부터 기체를 토출시키는 압력) 사이에는 상관 관계가 있다. 구체적으로는, 인산의 비중값이 클수록, 에칭액 (E) 의 단위 체적당의 중량이 커져, 기체의 토출압이 커진다. 따라서, 압력 센서 (62) 에 의한 측정의 결과에 기초하여, 인산의 비중값을 측정할 수 있다.Additionally, there is a correlation between the specific gravity value of phosphoric acid and the discharge pressure of gas (pressure that discharges gas from the tip of the gas supply pipe 61). Specifically, the greater the specific gravity value of phosphoric acid, the greater the weight per unit volume of the etching liquid (E), and the greater the gas discharge pressure. Therefore, based on the results of measurement by the pressure sensor 62, the specific gravity value of phosphoric acid can be measured.

구동부 (160) 는, 컨트롤러 (140) 에 의해 제어되어, 유량 제어 밸브 (53) 를 구동한다. 그 결과, 인산의 비중값이 목표값이 되도록 유량 제어 밸브 (53) 의 개도가 제어된다. 구동부 (160) 는, 예를 들어, 전공 레귤레이터이다.The drive unit 160 is controlled by the controller 140 and drives the flow control valve 53. As a result, the opening degree of the flow control valve 53 is controlled so that the specific gravity value of phosphoric acid becomes the target value. The driving unit 160 is, for example, a pneumatic regulator.

여기서, 제어 장치 (110) 에 대해 추가로 설명한다. 도 2 를 참조하여 설명한 바와 같이, 제어 장치 (110) 의 기억부 (112) 는, 인산 농도에 대응하는 물리량의 목표값을 나타내는 데이터를 기억하고 있다. 본 실시형태에서는, 기억부 (112) 는, 인산 농도에 대응하는 물리량의 목표값으로서, 인산의 비중값에 대한 목표값을 나타내는 데이터를 기억한다. 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 기억부 (112) 에 기억되어 있는 목표값을 컨트롤러 (140) 에 설정한다.Here, the control device 110 will be further described. As explained with reference to FIG. 2, the storage unit 112 of the control device 110 stores data indicating the target value of the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration. In this embodiment, the storage unit 112 stores data representing the target value for the specific gravity of phosphoric acid as the target value for the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration. The control device 110 (control unit 111) sets the target value stored in the storage unit 112 to the controller 140.

본 실시형태에 있어서, 제어 장치 (110) (기억부 (112)) 는, 인산 농도에 대응하는 물리량의 목표값으로서, 제 1 목표값과, 제 1 목표값보다 낮은 제 2 목표값을 기억하고 있다. 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 기판 (W) 의 에칭 처리 중에, 인산 농도에 대응하는 물리량의 목표값을 제 1 목표값에서 제 2 목표값으로 변경한다. 제어 장치 (110) 는 변경부의 일례이다.In this embodiment, the control device 110 (storage unit 112) stores a first target value and a second target value lower than the first target value as target values of the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration. there is. The control device 110 (control unit 111) changes the target value of the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration from the first target value to the second target value during the etching process of the substrate W. Control device 110 is an example of a change unit.

구체적으로는, 제 1 목표값 및 제 2 목표값은 인산의 비중값에 대한 목표값이다. 이하, 인산의 비중값에 대한 제 1 목표값을「제 1 목표값 (TV1)」이라고 기재하는 경우가 있다. 또한, 인산의 비중값에 대한 제 2 목표값을「제 2 목표값 (TV2)」이라고 기재하는 경우가 있다.Specifically, the first target value and the second target value are target values for the specific gravity value of phosphoric acid. Hereinafter, the first target value for the specific gravity value of phosphoric acid may be described as “first target value (TV1).” Additionally, the second target value for the specific gravity value of phosphoric acid may be described as “second target value (TV2).”

제 2 목표값 (TV2) 은, 제 1 목표값 (TV1) 보다 낮은 값을 나타낸다. 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 기판 (W) 의 에칭 처리의 개시 전에, 컨트롤러 (140) 에 제 1 목표값 (TV1) 를 설정한다. 그 후, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 컨트롤러 (140) 에 제 2 목표값 (TV2) 을 설정한다. 예를 들어, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 기판 (W) 의 에칭 처리가 개시되고 나서 미리 정해진 시간이 경과한 후, 컨트롤러 (140) 에 제 2 목표값 (TV2) 을 설정한다.The second target value (TV2) represents a lower value than the first target value (TV1). The control device 110 (control unit 111) sets the first target value TV1 in the controller 140 before starting the etching process for the substrate W. After that, the control device 110 (control unit 111) sets the second target value TV2 in the controller 140. For example, the control device 110 (control unit 111) sets the second target value TV2 in the controller 140 after a predetermined time has elapsed after the etching process of the substrate W is started. do.

여기서 도 4 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에 의해 처리되는 기판 (W) 에 대해 설명한다. 도 4 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에 의해 처리되기 전의 기판 (W) 을 나타내는 도면이다. 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에 의해 처리되는 기판 (W) 은, 예를 들어, 삼차원 플래시 메모리 (예를 들어 삼차원 NAND 플래시 메모리) 에 사용된다.Here, with reference to FIG. 4, the substrate W processed by the substrate processing apparatus 100 of this embodiment will be described. FIG. 4 is a diagram showing the substrate W before being processed by the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment. The substrate W processed by the substrate processing apparatus 100 of this embodiment is used, for example, in a three-dimensional flash memory (eg, three-dimensional NAND flash memory).

도 4 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 은, 기재 (S) 와, 적층 구조 (M) 를 포함한다. 기재 (S) 는, XZ 평면으로 펼쳐지는 박막상이다. 기재 (S) 는, 예를 들어, 실리콘으로 이루어진다. 적층 구조 (M) 는, 기재 (S) 의 상면에 형성된다. 적층 구조 (M) 는, 기재 (S) 의 상면으로부터 Y 방향으로 연장되도록 형성된다. 적층 구조 (M) 는 Y 방향을 따라 교대로 적층된 산화막 (Ma) 과 질화막 (Mb) 을 포함한다. 산화막 (Ma) 은, 예를 들어 실리콘 산화막이다. 질화막 (Mb) 은, 예를 들어, 실리콘 질화막이다. 산화막 (Ma) 의 각각은, 기재 (S) 의 상면과 평행하게 연장된다. 질화막 (Mb) 의 각각은, 기재 (S) 의 상면과 평행하게 연장된다.As shown in FIG. 4 , the substrate W includes a base material S and a laminated structure M. The base material (S) is in the form of a thin film spread in the XZ plane. The base material (S) is made of, for example, silicone. The laminated structure (M) is formed on the upper surface of the base material (S). The laminated structure (M) is formed to extend in the Y direction from the upper surface of the substrate (S). The stacked structure (M) includes oxide films (Ma) and nitride films (Mb) alternately stacked along the Y direction. The oxide film (Ma) is, for example, a silicon oxide film. The nitride film (Mb) is, for example, a silicon nitride film. Each of the oxide films (Ma) extends parallel to the upper surface of the substrate (S). Each of the nitride films (Mb) extends parallel to the upper surface of the substrate (S).

적층 구조 (M) 는, 1 이상의 오목부 (R) 를 갖는다. 오목부 (R) 는 적층 구조 (M) 의 상면으로부터 기재 (S) 에까지 도달하고 있고, 기재 (S) 의 상면의 일부가 오목부 (R) 로부터 노출되어 있다. 또한, 오목부 (R) 의 계면으로부터 산화막 (Ma) 및 질화막 (Mb) 의 측면이 노출되어 있다. 오목부 (R) 는, 기판 (W) 이 반도체 제품에 사용되는 경우, 예를 들어 트렌치 또는 홀로서 기능한다.The laminated structure (M) has one or more recesses (R). The concave portion (R) extends from the upper surface of the laminated structure (M) to the substrate (S), and a part of the upper surface of the substrate (S) is exposed from the concave portion (R). Additionally, the side surfaces of the oxide film (Ma) and the nitride film (Mb) are exposed from the interface of the concave portion (R). The recess R functions, for example, as a trench or hole when the substrate W is used in a semiconductor product.

도 3 을 참조하여 설명한 제 2 목표값 (TV2) 은, 제 1 목표값 (TV1) 과 비교하여, 질화막 (Mb) 의 에칭 속도가 커지고, 산화막 (Ma) 의 에칭 속도가 작아지는 값을 나타낸다. 상세하게는, 제 1 목표값 (TV1) 은, 질화막 (Mb) 의 에칭 속도가 산화막 (Ma) 의 에칭 속도와 비교하여 커지는 값을 나타낸다. 제 2 목표값 (TV2) 은, 제 1 목표값 (TV1) 보다 낮은 값이기 때문에, 인산의 비중값이 제 1 목표값 (TV1) 에서 제 2 목표값 (TV2) 으로 변경되면, 질화막 (Mb) 의 에칭 속도가 커지고, 산화막 (Ma) 의 에칭 속도가 작아진다.The second target value TV2 explained with reference to FIG. 3 represents a value at which the etching rate of the nitride film (Mb) increases and the etching rate of the oxide film (Ma) decreases compared to the first target value (TV1). In detail, the first target value TV1 represents a value at which the etching rate of the nitride film (Mb) increases compared to the etching rate of the oxide film (Ma). Since the second target value (TV2) is a lower value than the first target value (TV1), when the specific gravity value of phosphoric acid changes from the first target value (TV1) to the second target value (TV2), the nitride film (Mb) The etching rate of increases, and the etching rate of the oxide film (Ma) decreases.

계속해서 도 4 및 도 5 를 참조하여, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에 의한 에칭 처리를 설명한다. 도 5 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에 의해 처리된 후의 기판 (W) 의 일례를 나타내는 도면이다.Next, with reference to FIGS. 4 and 5 , etching processing by the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment will be described. FIG. 5 is a diagram showing an example of the substrate W after being processed by the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment.

기판 (W) 에 대한 에칭 처리가 개시되면, 에칭액 (E) 이 오목부 (R) 에 침입한다. 그 결과, 에칭액 (E) 이, 오목부 (R) 의 계면에 있어서 산화막 (Ma) 및 질화막 (Mb) 에 접촉한다.When the etching process for the substrate W is started, the etchant E enters the recess R. As a result, the etching liquid (E) contacts the oxide film (Ma) and the nitride film (Mb) at the interface of the concave portion (R).

기판 (W) 에 대한 에칭 처리의 개시시에는, 컨트롤러 (140) 에, 인산의 비중값에 대한 목표값으로서 제 1 목표값 (TV1) 이 설정되어 있다. 따라서, 에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 비중값이 제 1 목표값 (TV1) 이 되도록 희석액의 유량이 제어된다.At the start of the etching process for the substrate W, the first target value TV1 is set in the controller 140 as a target value for the specific gravity value of phosphoric acid. Therefore, the flow rate of the diluent is controlled so that the specific gravity value of phosphoric acid in the etching liquid (E) becomes the first target value (TV1).

이미 설명한 바와 같이, 제 1 목표값 (TV1) 은, 질화막 (Mb) 의 에칭 속도가 산화막 (Ma) 의 에칭 속도와 비교하여 커지는 값을 나타낸다. 또한, 제 1 목표값 (TV1) 은, 제 2 목표값 (TV2) 과 비교하여, 질화막 (Mb) 의 에칭 속도가 작아지고, 산화막 (Ma) 의 에칭 속도가 커지는 값을 나타낸다. 따라서, 에칭액 (E) 에 의해, 질화막 (Mb) 및 산화막 (Ma) 이 에칭된다. 구체적으로는, 질화막 (Mb) 및 산화막 (Ma) 은 오목부 (R) 의 계면측으로부터 에칭액 (E) 에 의해 서서히 용해된다. 단, 제 1 목표값 (TV1) 은, 질화막 (Mb) 의 에칭 속도가 산화막 (Ma) 의 에칭 속도와 비교하여 커지는 값을 나타내기 때문에, 산화막 (Ma) 의 에칭량은, 질화막 (Mb) 의 에칭량보다 적다.As already explained, the first target value TV1 represents a value at which the etching rate of the nitride film (Mb) increases compared to the etching rate of the oxide film (Ma). Additionally, the first target value TV1 represents a value at which the etching rate of the nitride film (Mb) becomes smaller and the etching rate of the oxide film (Ma) becomes larger compared to the second target value (TV2). Therefore, the nitride film (Mb) and the oxide film (Ma) are etched by the etching liquid (E). Specifically, the nitride film (Mb) and the oxide film (Ma) are gradually dissolved by the etching solution (E) from the interface side of the concave portion (R). However, since the first target value TV1 represents a value at which the etching rate of the nitride film (Mb) becomes larger compared to the etching rate of the oxide film (Ma), the etching amount of the oxide film (Ma) is that of the nitride film (Mb). Less than the etching amount.

또한, 이하의 설명에 있어서, 인산의 비중값이 제 1 목표값 (TV1) 이 되도록 희석액의 유량이 제어될 때의 에칭 처리를,「제 1 에칭 처리」라고 기재하는 경우가 있다.In addition, in the following description, the etching process when the flow rate of the diluent is controlled so that the specific gravity value of phosphoric acid becomes the first target value (TV1) may be described as “the first etching process.”

그 후, 제어 장치 (110) 에 의해 인산의 비중값에 대한 목표값이 제 1 목표값 (TV1) 에서 제 2 목표값 (TV2) 으로 변경된다. 요컨대, 컨트롤러 (140) 에, 인산의 비중값에 대한 목표값으로서 제 2 목표값 (TV2) 이 설정된다. 따라서, 에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 비중값이 제 2 목표값 (TV2) 이 되도록 희석액의 유량이 제어된다.Thereafter, the target value for the specific gravity value of phosphoric acid is changed from the first target value (TV1) to the second target value (TV2) by the control device 110. In short, the second target value TV2 is set in the controller 140 as a target value for the specific gravity value of phosphoric acid. Therefore, the flow rate of the diluent is controlled so that the specific gravity value of phosphoric acid in the etching liquid (E) becomes the second target value (TV2).

이미 설명한 바와 같이, 제 2 목표값 (TV2) 은, 제 1 목표값 (TV1) 과 비교하여, 질화막 (Mb) 의 에칭 속도가 커지고, 산화막 (Ma) 의 에칭 속도가 작아지는 값을 나타낸다. 따라서, 에칭액 (E) 에 의해, 주로 질화막 (Mb) 이 에칭된다.As already explained, the second target value TV2 represents a value at which the etching rate of the nitride film (Mb) increases and the etching rate of the oxide film (Ma) decreases compared to the first target value (TV1). Therefore, the nitride film (Mb) is mainly etched by the etching liquid (E).

또한, 이하의 설명에 있어서, 인산의 비중값이 제 2 목표값 (TV2) 이 되도록 희석액의 유량이 제어될 때의 에칭 처리를,「제 2 에칭 처리」라고 기재하는 경우가 있다.In addition, in the following description, the etching process when the flow rate of the diluent is controlled so that the specific gravity value of phosphoric acid becomes the second target value (TV2) may be described as a “second etching process.”

제 2 에칭 처리는, 질화막 (Mb) 의 대략 전체 부분이 용해될 때까지 계속된다. 환언하면, 제 2 에칭 처리는, 적층 구조 (M) 로부터 질화막 (Mb) 이 거의 없어질 때까지 계속된다.The second etching process continues until approximately the entire portion of the nitride film (Mb) is dissolved. In other words, the second etching process continues until the nitride film (Mb) is almost completely removed from the laminated structure (M).

이상 설명한 제 1 에칭 처리 및 제 2 에칭 처리를 실행함으로써, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 적층 구조 (M) 를 임의의 형상으로 제어할 수 있다. 따라서, 기판 (W) 을 보다 복잡한 형상으로 가공할 수 있다. 구체적으로는, 제 1 에칭 처리에 의해 산화막 (Ma) 이 에칭된다. 산화막 (Ma) 은 오목부 (R) 의 계면측으로부터 에칭액 (E) 에 의해 서서히 용해되기 때문에, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 산화막 (Ma) 의 형상은 오목부 (R) 측이 끝이 가늘어진다.By performing the first etching process and the second etching process described above, the laminated structure M can be controlled to have an arbitrary shape, as shown in FIG. 5 . Therefore, the substrate W can be processed into a more complex shape. Specifically, the oxide film Ma is etched by the first etching process. Since the oxide film Ma is gradually dissolved by the etchant E from the interface side of the concave portion R, as shown in Fig. 5, the shape of the oxide film Ma is tapered on the concave portion R side. .

계속해서 도 6 을 참조하여 압력 측정부 (6) 의 구성을 설명한다. 도 6 은 압력 측정부 (6) 의 구성을 나타내는 도면이다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 압력 측정부 (6) 는 레귤레이터 (63) 와, 개폐 밸브 (64) 와, 삼방 밸브 (65) 와, 분기관 (66) 을 추가로 포함한다. 또, 기체 공급 배관 (61) 은, 상류측 배관 (61a) 과, 하류측 배관 (61b) 을 포함한다.Next, the configuration of the pressure measuring unit 6 will be described with reference to FIG. 6 . FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the pressure measuring unit 6. As shown in FIG. 6 , the pressure measuring unit 6 further includes a regulator 63, an on-off valve 64, a three-way valve 65, and a branch pipe 66. Additionally, the gas supply pipe 61 includes an upstream pipe 61a and a downstream pipe 61b.

레귤레이터 (63) 는, 개폐 밸브 (64) 보다 상류측에 있어서 기체 공급 배관 (61) 에 개재 장착되어 있다. 보다 구체적으로는, 레귤레이터 (63) 는 상류측 배관 (61a) 에 개재 장착되어 있다. 레귤레이터 (63) 는, 레귤레이터 (63) 로부터 기체 공급 배관 (61) 에 유입되는 기체의 압력을 일정한 압력으로 조정한다.The regulator 63 is mounted on the gas supply pipe 61 on the upstream side of the on-off valve 64. More specifically, the regulator 63 is interposed in the upstream pipe 61a. The regulator 63 adjusts the pressure of the gas flowing from the regulator 63 into the gas supply pipe 61 to a constant pressure.

개폐 밸브 (64) 는, 삼방 밸브 (65) 보다 상류측에 있어서 기체 공급 배관 (61) 에 개재 장착되어 있다. 보다 구체적으로는, 개폐 밸브 (64) 는 상류측 배관 (61a) 에 개재 장착되어 있다. 개폐 밸브 (64) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 개폐 밸브 (64) 는 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다. 개폐 밸브 (64) 는, 기체 공급 배관 (61) 의 유로를 개폐하여, 기체 공급 배관 (61) 을 흐르는 기체의 유통을 제어한다. 상세하게는, 개폐 밸브 (64) 가 개방되면, 기체가 기체 공급 배관 (61) 을 유통한다. 이 결과, 기체 공급 배관 (61) 의 선단으로부터 에칭액 (E) 내에 기체가 토출된다. 한편, 개폐 밸브 (64) 가 폐쇄되면, 기체의 유통이 차단되어, 기체 공급 배관 (61) 의 선단으로부터의 기체의 토출이 정지된다.The on-off valve 64 is interposed in the gas supply pipe 61 on the upstream side of the three-way valve 65. More specifically, the on-off valve 64 is interposed in the upstream pipe 61a. The opening/closing valve 64 is, for example, an electromagnetic valve. The opening/closing valve 64 is controlled by the control device 110 (control unit 111). The open/close valve 64 opens and closes the flow path of the gas supply pipe 61 to control the distribution of gas flowing through the gas supply pipe 61. In detail, when the on-off valve 64 is opened, gas flows through the gas supply pipe 61. As a result, gas is discharged into the etching liquid E from the tip of the gas supply pipe 61. On the other hand, when the on-off valve 64 is closed, the flow of gas is blocked, and the discharge of gas from the tip of the gas supply pipe 61 is stopped.

삼방 밸브 (65) 는, 기체 공급 배관 (61) 에 개재 장착되어 있다. 또한, 삼방 밸브 (65) 에는 분기관 (66) 의 일단이 접속되어 있다. 보다 구체적으로는, 삼방 밸브 (65) 에는, 상류측 배관 (61a) 의 하류단, 하류측 배관 (61b) 의 상류단, 및 분기관 (66) 의 일단이 접속되어 있다. 분기관 (66) 의 타단에는, 압력 센서 (62) 가 접속되어 있다.The three-way valve 65 is interposedly mounted on the gas supply pipe 61. Additionally, one end of the branch pipe 66 is connected to the three-way valve 65. More specifically, the downstream end of the upstream pipe 61a, the upstream end of the downstream pipe 61b, and one end of the branch pipe 66 are connected to the three-way valve 65. A pressure sensor 62 is connected to the other end of the branch pipe 66.

삼방 밸브 (65) 는 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다. 상세하게는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 삼방 밸브 (65) 를 제어하여, 상류측 배관 (61a) 의 하류단과 하류측 배관 (61b) 의 상류단을 연통시키고, 하류측 배관 (61b) 의 하류단 (기체 공급 배관 (61) 의 선단) 으로부터 기체를 토출시킨다. 그 후, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 기체의 토출압 (기체 공급 배관 (61) 의 선단으로부터 기체를 토출시키는 압력) 의 측정시에, 삼방 밸브 (65) 를 제어하여, 하류측 배관 (61b) 의 상류단과 분기관 (66) 의 일단을 연통시킨다. 이 결과, 압력 센서 (62) 에 의해 기체의 토출압이 측정된다.The three-way valve 65 is controlled by the control device 110 (control unit 111). In detail, the control device 110 (control unit 111) controls the three-way valve 65 to communicate with the downstream end of the upstream pipe 61a and the upstream end of the downstream pipe 61b, and Gas is discharged from the downstream end of the pipe 61b (the tip of the gas supply pipe 61). Thereafter, the control device 110 (control unit 111) controls the three-way valve 65 when measuring the gas discharge pressure (pressure that discharges gas from the tip of the gas supply pipe 61), The upstream end of the downstream pipe (61b) and one end of the branch pipe (66) are communicated. As a result, the gas discharge pressure is measured by the pressure sensor 62.

계속해서 도 7 을 참조하여 제 1 버블링부 (7) 의 구성을 추가로 설명한다. 도 7 은, 제 1 버블링부 (7) 및 처리조 (3) 의 구성을 나타내는 도면이다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 제 1 버블링부 (7) 는, 필터 (73) 와, 히터 (74) 와, 배기관 (75) 을 추가로 포함한다. 필터 (73) 및 히터 (74) 는 기체 공급 배관 (72) 에 개재 장착되어 있다.Next, the configuration of the first bubbling unit 7 will be further described with reference to FIG. 7 . FIG. 7 is a diagram showing the configuration of the first bubbling section 7 and the treatment tank 3. As shown in FIG. 7 , the first bubbling section 7 further includes a filter 73, a heater 74, and an exhaust pipe 75. The filter 73 and heater 74 are interposed in the gas supply pipe 72.

필터 (73) 는 기체 공급 배관 (72) 을 유통하는 기체로부터 이물질을 제거한다. 히터 (74) 는, 기체 공급 배관 (72) 을 유통하는 기체를 가열하여, 기체 공급 배관 (72) 을 유통하는 기체의 온도를 조정한다. 히터 (74) 는 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다. 기체 공급 배관 (72) 을 유통하는 기체의 온도를 조정함으로써, 인산의 비중값 (에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 비중값) 을 제어할 수 있다. 상세하게는, 기체 공급 노즐 (71) 로부터 내조 (31) 내의 에칭액 (E) 에 공급되는 기포의 온도를 조정함으로써, 인산의 비중값을 제어할 수 있다.The filter 73 removes foreign substances from the gas flowing through the gas supply pipe 72. The heater 74 heats the gas flowing through the gas supply pipe 72 and adjusts the temperature of the gas flowing through the gas supply pipe 72. The heater 74 is controlled by the control device 110 (control unit 111). By adjusting the temperature of the gas flowing through the gas supply pipe 72, the specific gravity value of phosphoric acid (specific gravity value of phosphoric acid in the etching solution (E)) can be controlled. In detail, the specific gravity value of phosphoric acid can be controlled by adjusting the temperature of the bubbles supplied from the gas supply nozzle 71 to the etchant E in the inner tank 31.

기체 공급 배관 (72) 은, 기체 공급 노즐 (71) 의 일단에 접속하여, 기체 공급 노즐 (71) 에 기체를 공급한다. 배기관 (75) 은 기체 공급 노즐 (71) 의 타단에 접속한다. 배기관 (75) 에는, 기체 공급 노즐 (71) 의 토출공 (711) 으로부터 토출되지 않고 기체 공급 노즐 (71) 을 유통한 기체가 유입된다.The gas supply pipe 72 is connected to one end of the gas supply nozzle 71 and supplies gas to the gas supply nozzle 71. The exhaust pipe 75 is connected to the other end of the gas supply nozzle 71. Gas that is not discharged from the discharge hole 711 of the gas supply nozzle 71 but has circulated through the gas supply nozzle 71 flows into the exhaust pipe 75.

계속해서, 기체 공급 노즐 (71) 에 대해 설명한다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 복수의 토출공 (711) 은, 기체 공급 노즐 (71) 의 상면부에 형성된다. 본 실시형태에 있어서, 기체 공급 노즐 (71) 은 Y 방향으로 연장된다. 복수의 토출공 (711) 은 Y 방향으로 등간격으로 형성되어 있다.Next, the gas supply nozzle 71 will be described. As shown in FIG. 7 , a plurality of discharge holes 711 are formed on the upper surface of the gas supply nozzle 71. In this embodiment, the gas supply nozzle 71 extends in the Y direction. A plurality of discharge holes 711 are formed at equal intervals in the Y direction.

복수의 토출공 (711) 으로부터 토출되는 기포는, 복수의 기판 (W) 을 향하여 공급된다. 상세하게는, 기포는, 복수의 기판 (W) 의 표면을 따라 상방으로 이동한다. 이 결과, 기포에 의해, 각 기판 (W) 의 표면에 접촉하는 에칭액 (E) 이 신선한 에칭액 (E) 으로 효과적으로 치환된다. 따라서, 확산 현상에 의해, 기판 (W) 의 표면에 형성되어 있는 오목부 (R) (도 4) 내의 에칭액 (E) 을 신선한 에칭액 (E) 으로 효과적으로 치환할 수 있다. 따라서, 오목부 (R) 의 계면에 노출되는 산화막 (Ma) 및 질화막 (Mb) 을, 오목부 (R) 의 계면에 대하여 가까운 지점으로부터 먼 지점까지, 에칭액 (E) 에 의해 효과적으로 에칭할 수 있다.The bubbles discharged from the plurality of discharge holes 711 are supplied toward the plurality of substrates W. In detail, the bubbles move upward along the surfaces of the plurality of substrates W. As a result, the etchant E contacting the surface of each substrate W is effectively replaced by fresh etchant E due to the bubbles. Therefore, by the diffusion phenomenon, the etching liquid (E) in the recessed portion (R) (FIG. 4) formed on the surface of the substrate (W) can be effectively replaced with fresh etching liquid (E). Therefore, the oxide film (Ma) and nitride film (Mb) exposed at the interface of the concave portion (R) can be effectively etched by the etchant (E) from a point close to a point far from the interface of the concave portion (R). .

또한, 도 4 를 참조하여 설명한 바와 같이, 기판 (W) 은 실리콘 질화막 (질화막 (Mb)) 을 갖는다. 인산을 함유하는 액체 (에칭액 (E)) 에 의해 실리콘 질화막 (질화막 (Mb)) 이 에칭되면, 반응물로서 실리콘이 생성된다. 실리콘은 에칭액 (E) 에 용출된다. 따라서, 용출된 실리콘에 의해, 기판 (W) 의 표면 주변의 실리콘 농도가 변화한다. 기판 (W) 의 표면이 입체적인 요철 형상을 갖는 경우, 그 형상에서 기인하여, 기판 (W) 의 표면 주변의 실리콘 농도가 불균일해진다. 이에 대하여, 본 실시형태에 의하면, 기판 (W) 의 표면을 따라 기포가 상방으로 이동한다. 이 결과, 기판 (W) 의 표면이 입체적인 요철 형상을 갖는 경우라도, 에칭액 (E) 에 있어서의 실리콘 농도의 불균일성이 억제되어, 기판 (W) 을 균일하게 에칭할 수 있다.Additionally, as explained with reference to FIG. 4, the substrate W has a silicon nitride film (nitride film (Mb)). When a silicon nitride film (nitride film (Mb)) is etched by a liquid containing phosphoric acid (etchant (E)), silicon is produced as a reactant. Silicone is eluted into the etchant (E). Therefore, the silicon concentration around the surface of the substrate W changes due to the eluted silicon. When the surface of the substrate W has a three-dimensional concavo-convex shape, the silicon concentration around the surface of the substrate W becomes non-uniform due to the shape. In contrast, according to this embodiment, the bubbles move upward along the surface of the substrate W. As a result, even when the surface of the substrate W has a three-dimensional concavo-convex shape, the non-uniformity of the silicon concentration in the etching solution E is suppressed, and the substrate W can be etched uniformly.

계속해서 도 7 을 참조하여 처리조 (3) 의 구성을 추가로 설명한다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 처리조 (3) 는, 조 히터 (33) 를 추가로 포함한다. 조 히터 (33) 는, 내조 (31) 의 바닥면에 배치되어, 내조 (31) 를 가열한다. 예를 들어, 조 히터 (33) 는, 120 ℃ 이상 160 ℃ 이하의 온도에서 내조 (31) 를 가열한다.Next, the configuration of the treatment tank 3 will be further explained with reference to FIG. 7 . As shown in FIG. 7 , the treatment tank 3 further includes a tank heater 33. The tank heater 33 is disposed on the bottom surface of the inner tank 31 and heats the inner tank 31. For example, the tank heater 33 heats the inner tank 31 at a temperature of 120°C or higher and 160°C or lower.

계속해서 도 8 을 참조하여 제어 장치 (110) 의 구성에 대하여 추가로 설명한다. 도 8 은 제어 장치 (110) 의 구성을 나타내는 블록도이다. 도 8 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (110) 는 입력부 (113) 를 추가로 포함한다.Next, the configuration of the control device 110 will be further described with reference to FIG. 8 . FIG. 8 is a block diagram showing the configuration of the control device 110. As shown in FIG. 8, the control device 110 further includes an input unit 113.

입력부 (113) 는, 작업자에 의한 데이터의 입력을 받아들인다. 입력부 (113) 는 작업자가 조작하는 유저 인터페이스 장치이다. 입력부 (113) 는 작업자의 조작에 따른 데이터를 제어부 (111) 에 입력한다. 입력부 (113) 는, 예를 들어, 키보드 및 마우스를 갖는다. 입력부 (113) 는 터치 센서를 가져도 된다.The input unit 113 accepts data input by the operator. The input unit 113 is a user interface device operated by an operator. The input unit 113 inputs data according to the operator's operation to the control unit 111. The input unit 113 has, for example, a keyboard and a mouse. The input unit 113 may have a touch sensor.

입력부 (113) 는, 예를 들어, 레시피 데이터에 있어서 작업자에 의한 설정이 가능한 파라미터의 설정값의 입력을 받아들인다. 또한, 입력부 (113) 는, 인산 농도에 대응하는 물리량의 목표값의 입력을 받아들인다. 본 실시형태에서는, 입력부 (113) 는, 제 1 목표값 (TV1) 및 제 2 목표값 (TV2) 의 입력을 받아들인다. 또한, 입력부 (113) 는, 도 9 를 참조하여 후술하는 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값의 입력을 받아들인다.The input unit 113 accepts input of setting values of parameters that can be set by an operator in recipe data, for example. Additionally, the input unit 113 accepts input of the target value of the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration. In this embodiment, the input unit 113 accepts input of the first target value TV1 and the second target value TV2. Additionally, the input unit 113 accepts the input of the setting value of the specific gravity value change period (SGV), which will be described later with reference to FIG. 9.

계속해서 도 9 를 참조하여, 에칭 처리시에 있어서의 인산의 비중값의 변화에 대해 설명한다. 도 9 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에 의한 에칭 처리시에 있어서의 인산의 비중값의 변화의 일례를 나타내는 도면이다.Next, with reference to FIG. 9, the change in the specific gravity value of phosphoric acid during the etching process will be explained. FIG. 9 is a diagram showing an example of a change in the specific gravity value of phosphoric acid during an etching process by the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment.

도 9 에 있어서, 세로축은 인산의 비중값을 나타낸다. 가로축은 처리 시간을 나타낸다. 또한, 도 9 에 있어서, 파선은, 컨트롤러 (140) 에 의해 측정되는 인산의 비중값을 나타낸다. 실선은 인산의 비중값에 대한 목표값을 나타낸다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 컨트롤러 (140) 에 의해 측정되는 인산의 비중값을,「측정값」이라고 기재하는 경우가 있다.In Figure 9, the vertical axis represents the specific gravity value of phosphoric acid. The horizontal axis represents processing time. Additionally, in FIG. 9, the broken line represents the specific gravity value of phosphoric acid measured by the controller 140. The solid line represents the target value for the specific gravity of phosphoric acid. In addition, in the following description, the specific gravity value of phosphoric acid measured by the controller 140 may be referred to as a “measured value.”

도 9 에 나타내는 바와 같이, 컨트롤러 (140) 에 제 1 목표값 (TV1) 이 설정되어 있을 때, 인산의 비중값 (측정값) 이 제 1 목표값 (TV1) 이 되도록 희석액의 유량이 제어된다. 에칭 처리 중에, 인산의 비중값에 대한 목표값이, 제 1 목표값 (TV1) 에서 제 2 목표값 (TV2) 으로 변경되면, 인산의 비중값 (측정값) 이 제 2 목표값 (TV2) 이 되도록 희석액의 유량이 제어된다.As shown in Fig. 9, when the first target value TV1 is set in the controller 140, the flow rate of the diluent is controlled so that the specific gravity value (measured value) of phosphoric acid becomes the first target value TV1. During the etching process, when the target value for the specific gravity value of phosphoric acid changes from the first target value (TV1) to the second target value (TV2), the specific gravity value (measured value) of phosphoric acid changes to the second target value (TV2). The flow rate of the diluent is controlled as much as possible.

도 5 를 참조하여 설명한 산화막 (Ma) 의 형상은, 인산의 비중값 (측정값) 이 제 1 목표값 (TV1) 에서 제 2 목표값 (TV2) 으로 변화할 때까지의 기간 (SGV) 의 길이에 의존한다. 이하, 인산의 비중값 (측정값) 이 제 1 목표값 (TV1) 에서 제 2 목표값 (TV2) 으로 변화할 때까지의 기간 (SGV) 을,「비중값 변화 기간 (SGV)」이라고 기재하는 경우가 있다. 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이는, 예를 들어, 희석액의 유량에 의해 제어된다.The shape of the oxide film Ma explained with reference to FIG. 5 is the length of the period (SGV) until the specific gravity value (measured value) of phosphoric acid changes from the first target value (TV1) to the second target value (TV2) depends on Hereinafter, the period (SGV) until the specific gravity value (measured value) of phosphoric acid changes from the first target value (TV1) to the second target value (TV2) is described as the “specific gravity value change period (SGV)”. There are cases. The length of the specific gravity value change period (SGV) is controlled, for example, by the flow rate of the diluent.

본 실시형태에서는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값이 기억부 (112) (도 8) 에 기억된다. 구체적으로는, 입력부 (113) (도 8) 가, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값의 입력을 받아들인다. 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 설정값과 일치하도록, 예를 들어 희석액의 유량을 조정한다. 작업자는, 예를 들어, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 비교적 길어지도록, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값을 입력할 수 있다. 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 비교적 길게 함으로써, 희석액의 유량이 급준하게 증가하는 것을 억제할 수 있다. 이 결과, 기판 (W) 의 면내에 있어서의 질화막 (Mb) 의 균일성을, 희석액의 유량이 급격하게 증가하는 경우와 비교하여 향상시킬 수 있다.In this embodiment, the setting value of the specific gravity value change period (SGV) is stored in the storage unit 112 (FIG. 8). Specifically, the input unit 113 (FIG. 8) accepts the input of the setting value of the specific gravity value change period (SGV). The control device 110 (control unit 111) adjusts, for example, the flow rate of the diluent so that the length of the specific gravity value change period (SGV) matches the set value. The operator may, for example, input a setting value of the specific gravity value change period (SGV) so that the length of the specific gravity value change period (SGV) is relatively long. By making the length of the specific gravity value change period (SGV) relatively long, it is possible to suppress a rapid increase in the flow rate of the diluent. As a result, the uniformity of the nitride film (Mb) within the plane of the substrate W can be improved compared to the case where the flow rate of the diluent suddenly increases.

계속해서 도 10 을 참조하여 본 실시형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 10 은, 본 실시형태의 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다. 본 실시형태의 기판 처리 방법은, 도 1 ∼ 도 9 를 참조하여 설명한 기판 처리 장치 (100) 에 의해 실시되어도 된다. 이하, 도 1 ∼ 도 9 를 참조하여 설명한 기판 처리 장치 (100) 에 의해 실시되는 기판 처리 방법을 설명한다. 도 10 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 기판 처리 방법은, 스텝 S1 ∼ 스텝 S5 를 포함한다.Next, the substrate processing method of this embodiment will be described with reference to FIG. 10. Fig. 10 is a flow diagram showing the substrate processing method of this embodiment. The substrate processing method of this embodiment may be performed using the substrate processing apparatus 100 described with reference to FIGS. 1 to 9 . Hereinafter, a substrate processing method performed by the substrate processing apparatus 100 described with reference to FIGS. 1 to 9 will be described. As shown in FIG. 10, the substrate processing method of this embodiment includes steps S1 to S5.

우선, 기판 (W) 의 에칭 처리가 개시되면, 복수의 기판 (W) 이 에칭액 (E) 에 침지된다 (스텝 S1). 구체적으로는, 기판 유지부 (130) 가 처리 위치까지 이동한다. 이 결과, 기판 유지부 (130) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 내조 (31) 내에 수용되어, 내조 (31) 의 에칭액 (E) 내에 복수의 기판 (W) 이 침지된다.First, when the etching process for the substrates W is started, the plurality of substrates W are immersed in the etching liquid E (step S1). Specifically, the substrate holding unit 130 moves to the processing position. As a result, the plurality of substrates W held in the substrate holding portion 130 are accommodated in the inner tank 31, and the plurality of substrates W are immersed in the etchant E of the inner tank 31.

복수의 기판 (W) 이 에칭액 (E) 에 침지되면, 제 1 에칭 처리가 실시된다 (스텝 S2). 이 때, 인산 농도 (에칭액 (E) 에 있어서의 인산의 농도) 에 대응하는 물리량이 제 1 목표값이 되도록, 인산 농도에 대응하는 물리량을 변동시키는 파라미터가 제어된다. 본 실시형태에서는, 에칭액 (E) 에 공급되는 희석액의 유량이 제어된다. 구체적으로는, 인산의 비중값이 제 1 목표값 (TV1) 이 되도록, 컨트롤러 (140) 가, 구동부 (160) 를 통하여 유량 제어 밸브 (53) 를 제어한다.When the plurality of substrates W are immersed in the etching liquid E, a first etching process is performed (step S2). At this time, the parameter that changes the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration is controlled so that the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration (phosphoric acid concentration in the etching solution (E)) becomes the first target value. In this embodiment, the flow rate of the diluent supplied to the etching liquid (E) is controlled. Specifically, the controller 140 controls the flow control valve 53 through the drive unit 160 so that the specific gravity value of phosphoric acid becomes the first target value TV1.

복수의 기판 (W) 이 에칭액 (E) 에 침지되고 나서 미리 정해진 시간이 경과하면, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 가, 인산 농도에 대응하는 물리량의 목표값을 제 1 목표값에서 제 2 목표값으로 변경한다 (스텝 S3). 본 실시형태에서는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 인산의 비례값에 대한 목표값을 제 1 목표값 (TV1) 에서 제 2 목표값 (TV2) 으로 변경한다. 보다 구체적으로는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 컨트롤러 (140) 에 설정되어 있는 목표값을 제 1 목표값 (TV1) 에서 제 2 목표값 (TV2) 으로 변경한다.When a predetermined time has elapsed after the plurality of substrates W are immersed in the etching solution E, the control device 110 (control unit 111) changes the target value of the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration from the first target value. Change to the second target value (step S3). In this embodiment, the control device 110 (control unit 111) changes the target value for the proportional value of phosphoric acid from the first target value TV1 to the second target value TV2. More specifically, the control device 110 (control unit 111) changes the target value set in the controller 140 from the first target value (TV1) to the second target value (TV2).

인산 농도에 대응하는 물리량의 목표값이 제 1 목표값에서 제 2 목표값으로 변경되면, 제 2 에칭 처리가 실시된다 (스텝 S4). 이 때, 인산 농도에 대응하는 물리량이 제 2 목표값이 되도록, 인산 농도에 대응하는 물리량을 변동시키는 파라미터가 제어된다. 본 실시형태에서는, 에칭액 (E) 에 공급되는 희석액의 유량이 제어된다. 구체적으로는, 인산의 비중값이 제 2 목표값 (TV2) 이 되도록, 컨트롤러 (140) 가, 구동부 (160) 를 통하여 유량 제어 밸브 (53) 를 제어한다.When the target value of the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration changes from the first target value to the second target value, the second etching process is performed (step S4). At this time, the parameter that changes the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration is controlled so that the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration becomes the second target value. In this embodiment, the flow rate of the diluent supplied to the etching liquid (E) is controlled. Specifically, the controller 140 controls the flow control valve 53 through the drive unit 160 so that the specific gravity value of phosphoric acid becomes the second target value TV2.

인산 농도에 대응하는 물리량의 목표값이 제 1 목표값에서 제 2 목표값으로 변경되고 나서 미리 정해진 시간이 경과하면, 복수의 기판 (W) 이 에칭액 (E) 으로부터 인상되어 (스텝 S5), 도 10 에 나타내는 처리가 종료된다. 구체적으로는, 기판 유지부 (130) 가 처리 위치로부터 퇴피 위치까지 이동한다. 이 결과, 기판 유지부 (130) 에 유지되어 있는 복수의 기판 (W) 이 내조 (31) 내의 에칭액 (E) 으로부터 인상된다.When a predetermined time has elapsed after the target value of the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration is changed from the first target value to the second target value, the plurality of substrates W are pulled out from the etching solution E (step S5). The processing shown in 10 ends. Specifically, the substrate holding portion 130 moves from the processing position to the retraction position. As a result, the plurality of substrates W held in the substrate holding portion 130 are pulled out from the etchant E in the inner tank 31.

이상, 도 1 ∼ 도 10 을 참조하여 본 발명의 실시형태 1 을 설명하였다. 본 실시형태에 의하면, 적층 구조 (M) 를, 복수의 평탄한 산화막 (Ma) 이 빗상으로 배열된 구조와 비교하여, 보다 복잡한 형상으로 가공할 수 있다. 구체적으로는, 산화막 (Ma) 의 형상을 끝이 가는 형상으로 할 수 있다.Above, Embodiment 1 of the present invention has been described with reference to FIGS. 1 to 10. According to this embodiment, the laminated structure (M) can be processed into a more complex shape compared to a structure in which a plurality of flat oxide films (Ma) are arranged in a comb shape. Specifically, the shape of the oxide film (Ma) can be made into a tapered shape.

또한, 본 실시형태에 의하면, 산화막 (Ma) 을 에칭할 수 있다. 따라서, 주로 질화막 (Mb) 을 에칭하는 경우와 비교하여, 산화막 (Ma) 의 두께가 증가하는 것을 억제할 수 있다.Additionally, according to this embodiment, the oxide film (Ma) can be etched. Therefore, compared to the case where the nitride film (Mb) is mainly etched, an increase in the thickness of the oxide film (Ma) can be suppressed.

상세하게는, 에칭 처리에 있어서 에칭액 (E) 에 용해된 실리콘은, 산화막 (Ma) 의 표면에 석출되는 경우가 있다. 실리콘이 산화막 (Ma) 의 표면에 석출됨으로써, 산화막 (Ma) 의 두께가 증가한다. 이에 대하여, 본 실시형태에 의하면, 제 1 에칭 처리에 의해 산화막 (Ma) 을 에칭할 수 있기 때문에, 주로 질화막 (Mb) 을 에칭하는 경우와 비교하여, 산화막 (Ma) 의 두께의 증가를 억제할 수 있다.In detail, in the etching process, silicon dissolved in the etching solution (E) may precipitate on the surface of the oxide film (Ma). As silicon precipitates on the surface of the oxide film (Ma), the thickness of the oxide film (Ma) increases. In contrast, according to the present embodiment, since the oxide film (Ma) can be etched by the first etching process, an increase in the thickness of the oxide film (Ma) can be suppressed compared to the case where the nitride film (Mb) is mainly etched. You can.

또, 본 실시형태에 의하면, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 설정값으로 제어함으로써, 산화막 (Ma) 의 형상을 제어할 수 있다. 구체적으로는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값이 비교적 작은 경우, 도 11(a) 에 나타내는 바와 같이, 산화막 (Ma) 의 선단의 폭 (MW) 이 커지고, 오목부 (R) (도 5) 의 계면으로부터 안쪽을 향하는 방향 (Z 방향) 에 있어서의 산화막 (Ma) 의 구배 (Μθ) 가 작아진다. 한편, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값이 비교적 큰 경우, 도 11(b) 에 나타내는 바와 같이, 산화막 (Ma) 의 선단의 폭 (MW) 이 작아지고, 오목부 (R) (도 5) 의 계면으로부터 안쪽을 향하는 방향 (Z 방향) 에 있어서의 산화막 (Ma) 의 구배 (Μθ) 가 커진다.Additionally, according to this embodiment, the shape of the oxide film Ma can be controlled by controlling the length of the specific gravity value change period (SGV) to a set value. Specifically, when the setting value of the specific gravity change period (SGV) is relatively small, as shown in Fig. 11(a), the width (MW) of the tip of the oxide film (Ma) becomes large, and the concave portion (R) (Fig. 5) The gradient (Μθ) of the oxide film (Ma) in the direction inward from the interface (Z direction) decreases. On the other hand, when the setting value of the specific gravity value change period (SGV) is relatively large, as shown in FIG. 11(b), the width (MW) of the tip of the oxide film (Ma) becomes small, and the concave portion (R) (FIG. 5 ) The gradient (Μθ) of the oxide film (Ma) in the direction inward from the interface (Z direction) increases.

또한, 본 실시형태에서는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 설정값으로 제어되었지만, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이는 제어되지 않아도 된다.Additionally, in this embodiment, the length of the specific gravity value change period (SGV) is controlled to a set value, but the length of the specific gravity value change period (SGV) does not need to be controlled.

[실시형태 2] [Embodiment 2]

계속해서 도 1 ∼ 도 8 및 도 10 ∼ 도 12 를 참조하여 본 발명의 실시형태 2 에 대해 설명한다. 단, 실시형태 1 과 상이한 사항을 설명하고, 실시형태 1 과 동일한 사항에 대한 설명은 생략한다. 실시형태 2 에서는, 실시형태 1 과 달리, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이는 설정값으로 제어되지 않는다.Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 8 and FIGS. 10 to 12. However, matters that are different from Embodiment 1 will be described, and descriptions of matters that are the same as Embodiment 1 will be omitted. In Embodiment 2, unlike Embodiment 1, the length of the specific gravity change period (SGV) is not controlled by a set value.

도 12 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 에 의한 에칭 처리시에 있어서의 인산의 비중값의 변화의 일례를 나타내는 도면이다. 도 12 에 있어서, 세로축은 인산의 비중값을 나타낸다. 가로축은 처리 시간을 나타낸다. 또한, 도 12 에 있어서, 파선은, 측정값 (컨트롤러 (140) 에 의해 측정되는 인산의 비중값) 을 나타낸다. 실선은 인산의 비중값에 대한 목표값을 나타낸다.FIG. 12 is a diagram showing an example of a change in the specific gravity value of phosphoric acid during an etching process by the substrate processing apparatus 100 of the present embodiment. In Figure 12, the vertical axis represents the specific gravity value of phosphoric acid. The horizontal axis represents processing time. In addition, in FIG. 12, the broken line represents the measured value (specific gravity value of phosphoric acid measured by the controller 140). The solid line represents the target value for the specific gravity of phosphoric acid.

도 12 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 제 1 목표값 (TV1) 에서 제 2 목표값 (TV2) 까지 단계적으로 목표값이 변화한다. 상세하게는, 본 실시형태에 있어서, 제어 장치 (110) 의 입력부 (113) (도 8) 는, 제 1 목표값 (TV1) 과 제 2 목표값 (TV2) 에 더하여, 복수의 중간 목표값 (TX) (도 12) 의 입력을 받아들인다. 복수의 중간 목표값 (TX) 은, 제 1 목표값 (TV1) 과 제 2 목표값 (TV2) 사이의 값을 나타낸다. 또한, 복수의 중간 목표값 (TX) 은 서로 상이한 값을 나타낸다.As shown in Fig. 12, in this embodiment, the target value changes in steps from the first target value (TV1) to the second target value (TV2). Specifically, in this embodiment, the input unit 113 (FIG. 8) of the control device 110, in addition to the first target value TV1 and the second target value TV2, inputs a plurality of intermediate target values ( TX) (Figure 12) is accepted. The plurality of intermediate target values (TX) represent values between the first target value (TV1) and the second target value (TV2). Additionally, a plurality of intermediate target values (TX) represent different values from each other.

본 실시형태에서는, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 복수의 중간 목표값 (TX) 은 제 1 중간 목표값 (TX1) ∼ 제 3 중간 목표값 (TX3) 을 포함한다. 제 1 중간 목표값 (TX1) ∼ 제 3 중간 목표값 (TX3) 은 이 순서대로 작아진다.In this embodiment, as shown in FIG. 12, the plurality of intermediate target values TX include the first intermediate target value TX1 to the third intermediate target value TX3. The first intermediate target value (TX1) to the third intermediate target value (TX3) decrease in this order.

제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 2 에칭 처리 중에 (도 10 의 스텝 S4), 컨트롤러 (140) 에 설정하는 목표값을, 제 1 중간 목표값 (TX1), 제 2 중간 목표값 (TX2), 제 3 중간 목표값 (TX3), 제 2 목표값 (TV2) 의 순으로 변경한다 (도 12). 요컨대, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 2 에칭 처리 중에, 인산의 비중값에 대한 목표값을 제 1 목표값 (TV1) 에서 제 2 목표값 (TV2) 까지 단계적으로 변화시킨다.The control device 110 (control unit 111) sets target values to be set in the controller 140 during the second etching process (step S4 in FIG. 10) as the first intermediate target value TX1 and the second intermediate target. The value (TX2), the third intermediate target value (TX3), and the second target value (TV2) are changed in this order (FIG. 12). In short, the control device 110 (control unit 111) changes the target value for the specific gravity of phosphoric acid stepwise from the first target value (TV1) to the second target value (TV2) during the second etching process. .

본 실시형태에 의하면, 중간 목표값 (TX) 의 수에 따라, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 변화한다. 구체적으로는, 중간 목표값 (TX) 의 수가 증가할수록, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 길어진다.According to this embodiment, the length of the specific value change period (SGV) changes depending on the number of intermediate target values (TX). Specifically, as the number of intermediate target values (TX) increases, the length of the specific gravity change period (SGV) becomes longer.

또, 본 실시형태에 의하면, 중간 목표값 (TX) 의 수에 따라 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 제어할 수 있기 때문에, 실시형태 1 과 마찬가지로, 중간 목표값 (TX) 의 수에 따라 적층 구조 (M) 의 형상을 제어할 수 있다.In addition, according to the present embodiment, the length of the specific gravity change period (SGV) can be controlled according to the number of intermediate target values (TX), so as in Embodiment 1, the length of the specific gravity value change period (SGV) can be controlled according to the number of intermediate target values (TX). The shape of the laminated structure (M) can be controlled.

이상, 도 1 ∼ 도 8 및 도 10 ∼ 도 12 를 참조하여 본 발명의 실시형태 2 에 대해 설명하였다. 본 실시형태에 의하면, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 제어하여, 적층 구조 (M) 의 형상을 제어할 수 있다.Above, Embodiment 2 of the present invention has been described with reference to FIGS. 1 to 8 and FIGS. 10 to 12. According to this embodiment, the shape of the laminated structure M can be controlled by controlling the length of the specific gravity value change period (SGV).

또한, 본 실시형태에서는, 중간 목표값 (TX) 의 수를 임의로 변경할 수 있었지만, 인산의 비중값 (측정값) 을 각 중간 목표값 (TX) 으로 유지하는 시간의 길이 (유지 시간의 길이) 가 임의로 설정되어도 된다. 이 경우, 중간 목표값 (TX) 의 수는 일정수여도 되고, 임의로 변경되어도 된다.In addition, in this embodiment, the number of intermediate target values (TX) can be changed arbitrarily, but the length of time (length of holding time) for maintaining the specific gravity value (measured value) of phosphoric acid at each intermediate target value (TX) is It may be set arbitrarily. In this case, the number of intermediate target values (TX) may be a certain number or may be changed arbitrarily.

또, 본 실시형태에서는, 목표값을 단계적으로 변화시켰지만, 목표값을 매끄럽게 변화시켜도 된다.Additionally, in this embodiment, the target value is changed stepwise, but the target value may be changed smoothly.

[실시형태 3] [Embodiment 3]

계속해서 도 1, 도 2, 및 도 4 ∼ 도 13 을 참조하여 본 발명의 실시형태 3 에 대해 설명한다. 단, 실시형태 1, 2 와 상이한 사항을 설명하고, 실시형태 1, 2 와 동일한 사항에 대한 설명은 생략한다. 실시형태 3 은, 희석액 공급 라인 (5) 의 구성이 실시형태 1, 2 와 상이하다. 또한, 실시형태 3 에서는, 실시형태 1 과 마찬가지로, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 설정값으로 제어된다.Next, Embodiment 3 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, and 4 to 13. However, matters that are different from Embodiments 1 and 2 will be described, and descriptions of matters that are the same as Embodiments 1 and 2 will be omitted. Embodiment 3 is different from Embodiments 1 and 2 in the configuration of the diluent supply line 5. Additionally, in Embodiment 3, as in Embodiment 1, the length of the specific gravity value change period (SGV) is controlled to a set value.

도 13 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 구성을 나타내는 도면이다. 도 13 에 나타내는 바와 같이, 희석액 공급 라인 (5) 은, 희석액 공급 노즐 (51) 과, 제 1 희석액 공급 배관 (52a) 과, 제 2 희석액 공급 배관 (52b) 과, 유량 제어 밸브 (53) 와, 제 1 최대 유량 조정 밸브 (54a) 와, 제 2 최대 유량 조정 밸브 (54b) 와, 제 1 개폐 밸브 (55a) 와, 제 2 개폐 밸브 (55b) 를 포함한다.FIG. 13 is a diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. As shown in FIG. 13, the diluted liquid supply line 5 includes a diluted liquid supply nozzle 51, a first diluted liquid supply pipe 52a, a second diluted liquid supply pipe 52b, and a flow control valve 53. , a first maximum flow rate adjustment valve 54a, a second maximum flow rate adjustment valve 54b, a first on-off valve 55a, and a second on-off valve 55b.

제 1 희석액 공급 배관 (52a) 에는, 유량 제어 밸브 (53) 와, 제 1 최대 유량 조정 밸브 (54a) 와, 제 1 개폐 밸브 (55a) 가 개재 장착되어 있다. 상세하게는, 유량 제어 밸브 (53), 제 1 최대 유량 조정 밸브 (54a) 및 제 1 개폐 밸브 (55a) 는, 제 1 희석액 공급 배관 (52a) 의 상류측에서 하류측을 향하여, 이 순서대로 배치된다. 또한, 희석액 공급 노즐 (51) 은, 제 1 희석액 공급 배관 (52a) 의 일단에 접속되어 있다.A flow control valve 53, a first maximum flow rate adjustment valve 54a, and a first opening/closing valve 55a are interposed in the first diluent supply pipe 52a. In detail, the flow control valve 53, the first maximum flow rate adjustment valve 54a, and the first opening/closing valve 55a move from the upstream side to the downstream side of the first diluent supply pipe 52a in this order. It is placed. Additionally, the diluted liquid supply nozzle 51 is connected to one end of the first diluted liquid supply pipe 52a.

제 2 희석액 공급 배관 (52b) 에는, 제 2 최대 유량 조정 밸브 (54b) 와, 제 2 개폐 밸브 (55b) 가 개재 장착되어 있다. 또, 제 2 희석액 공급 배관 (52b) 의 일단은, 유량 제어 밸브 (53) 와 제 1 최대 유량 조정 밸브 (54a) 사이에서 제 1 희석액 공급 배관 (52a) 에 접속되어 있다. 제 2 희석액 공급 배관 (52b) 의 타단은, 제 1 개폐 밸브 (55a) 와 희석액 공급 노즐 (51) 사이에서 제 1 희석액 공급 배관 (52a) 에 접속되어 있다.A second maximum flow rate adjustment valve 54b and a second on-off valve 55b are interposed in the second diluent supply pipe 52b. Additionally, one end of the second diluted liquid supply pipe 52b is connected to the first diluted liquid supply pipe 52a between the flow rate control valve 53 and the first maximum flow rate adjustment valve 54a. The other end of the second diluted liquid supply pipe 52b is connected to the first diluted liquid supply pipe 52a between the first on-off valve 55a and the diluted liquid supply nozzle 51.

유량 제어 밸브 (53) 는, 제 1 희석액 공급 배관 (52a) 및 제 2 희석액 공급 배관 (52b) 을 유통하는 희석액의 유량을 제어한다. 즉, 유량 제어 밸브 (53) 는, 희석액 공급 노즐 (51) 로부터 에칭액 (E) 에 공급되는 희석액의 유량을 제어한다. 유량 제어 밸브 (53) 는, 예를 들어, 오리피스의 개도를 조정하여 희석액의 유량을 제어한다. 유량 제어 밸브 (53) 는, 예를 들어 셀프 컨트롤 밸브일 수 있다.The flow control valve 53 controls the flow rate of the diluted liquid flowing through the first diluted liquid supply pipe 52a and the second diluted liquid supply pipe 52b. That is, the flow control valve 53 controls the flow rate of the diluted liquid supplied from the diluted liquid supply nozzle 51 to the etching liquid E. The flow control valve 53 controls the flow rate of the diluent by, for example, adjusting the opening degree of the orifice. The flow control valve 53 may be, for example, a self-control valve.

제 1 최대 유량 조정 밸브 (54a) 는 제 1 희석액 공급 배관 (52a) 을 유통하는 희석액의 최대 유량을 조정한다. 마찬가지로, 제 2 최대 유량 조정 밸브 (54b) 는, 제 2 희석액 공급 배관 (52b) 을 유통하는 희석액의 최대 유량을 조정한다. 제 1 최대 유량 조정 밸브 (54a) 및 제 2 최대 유량 조정 밸브 (54b) 는, 예를 들어, 니들 밸브이다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 제 1 희석액 공급 배관 (52a) 을 유통하는 희석액의 최대 유량을,「제 1 최대 유량」이라고 기재하는 경우가 있다. 마찬가지로, 제 2 희석액 공급 배관 (52b) 을 유통하는 희석액의 최대 유량을,「제 2 최대 유량」이라고 기재하는 경우가 있다.The first maximum flow rate adjustment valve 54a adjusts the maximum flow rate of the diluted liquid flowing through the first diluted liquid supply pipe 52a. Similarly, the second maximum flow rate adjustment valve 54b adjusts the maximum flow rate of the diluted liquid flowing through the second diluted liquid supply pipe 52b. The first maximum flow rate adjustment valve 54a and the second maximum flow rate adjustment valve 54b are, for example, needle valves. In addition, in the following description, the maximum flow rate of the diluent flowing through the first diluent supply pipe 52a may be referred to as the “first maximum flow rate.” Similarly, the maximum flow rate of the diluent flowing through the second diluent supply pipe 52b may be described as “second maximum flow rate.”

본 실시형태에 있어서, 제 1 최대 유량은, 제 1 최대 유량 조정 밸브 (54a) 의 개구율에 따른 유량이 된다. 또, 제 2 최대 유량은, 제 2 최대 유량 조정 밸브 (54b) 의 개구율에 따른 유량이 된다. 제 2 최대 유량은, 제 1 최대 유량보다도 큰 값을 나타낸다.In this embodiment, the first maximum flow rate is a flow rate according to the opening ratio of the first maximum flow rate adjustment valve 54a. In addition, the second maximum flow rate becomes a flow rate according to the opening ratio of the second maximum flow rate adjustment valve 54b. The second maximum flow rate represents a larger value than the first maximum flow rate.

제 1 개폐 밸브 (55a) 및 제 2 개폐 밸브 (55b) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 제 1 개폐 밸브 (55a) 및 제 2 개폐 밸브 (55b) 는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다. 구체적으로는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 희석액 공급 노즐 (51) 로부터 희석액을 토출할 때에, 제 1 개폐 밸브 (55a) 및 제 2 개폐 밸브 (55b) 중 일방을 개방하고, 타방을 폐쇄한다.The first on-off valve 55a and the second on-off valve 55b are, for example, electromagnetic valves. The first on-off valve 55a and the second on-off valve 55b are controlled by the control device 110 (control unit 111). Specifically, the control device 110 (control unit 111) opens one of the first on-off valve 55a and the second on-off valve 55b when discharging the diluent from the diluent supply nozzle 51. , close the other room.

제 1 개폐 밸브 (55a) 는, 제 1 희석액 공급 배관 (52a) 의 유로를 개폐하여, 제 1 희석액 공급 배관 (52a) 을 흐르는 희석액의 유통을 제어한다. 상세하게는, 제 1 개폐 밸브 (55a) 가 개방되면, 희석액이 제 1 희석액 공급 배관 (52a) 을 통하여 희석액 공급 노즐 (51) 까지 흐른다. 이 결과, 희석액 공급 노즐 (51) 로부터 희석액이 토출된다. 한편, 제 1 개폐 밸브 (55a) 가 폐쇄되면, 제 1 희석액 공급 배관 (52a) 을 흐르는 희석액의 유통이 차단된다.The first opening/closing valve 55a opens and closes the flow path of the first diluting liquid supply pipe 52a to control the distribution of the diluting liquid flowing through the first diluting liquid supply pipe 52a. In detail, when the first opening/closing valve 55a is opened, the diluting liquid flows to the diluting liquid supply nozzle 51 through the first diluting liquid supply pipe 52a. As a result, the diluent is discharged from the diluent supply nozzle 51. On the other hand, when the first opening/closing valve 55a is closed, the distribution of the diluting liquid flowing through the first diluting liquid supply pipe 52a is blocked.

제 2 개폐 밸브 (55b) 는, 제 2 희석액 공급 배관 (52b) 의 유로를 개폐하여, 제 2 희석액 공급 배관 (52b) 을 흐르는 희석액의 유통을 제어한다. 상세하게는, 제 2 개폐 밸브 (55b) 가 개방되면, 희석액이 제 2 희석액 공급 배관 (52b) 을 통하여 희석액 공급 노즐 (51) 까지 흐른다. 이 결과, 희석액 공급 노즐 (51) 로부터 희석액이 토출된다. 한편, 제 2 개폐 밸브 (55b) 가 폐쇄되면, 제 2 희석액 공급 배관 (52b) 을 흐르는 희석액의 유통이 차단된다.The second opening/closing valve 55b opens and closes the flow path of the second diluting liquid supply pipe 52b to control the distribution of the diluting liquid flowing through the second diluting liquid supply pipe 52b. In detail, when the second opening/closing valve 55b is opened, the diluting liquid flows to the diluting liquid supply nozzle 51 through the second diluting liquid supply pipe 52b. As a result, the diluent is discharged from the diluent supply nozzle 51. On the other hand, when the second on-off valve 55b is closed, the distribution of the diluted liquid flowing through the second diluted liquid supply pipe 52b is blocked.

본 실시형태에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 2 에칭 처리 (도 10 의 스텝 S4) 의 개시 전에, 혹은, 제 2 에칭 처리 중에, 희석액의 최대 유량을 제 1 최대 유량과 제 2 최대 유량 중에서 선택하여, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이 (도 9) 를 제어한다. 구체적으로는, 작업자가, 제어 장치 (110) 의 입력부 (113) (도 8) 를 조작하여, 제 1 최대 유량과 제 2 최대 유량 중 일방을 선택하는 지시 (설정값) 를 입력한다. 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 2 에칭 처리 (도 10 의 스텝 S4) 의 개시 전에, 혹은, 제 2 에칭 처리 중에, 작업자로부터의 지시 (설정값) 에 기초하여, 희석액의 최대 유량을 제 1 최대 유량과 제 2 최대 유량 중에서 선택한다.In this embodiment, the control device 110 (control unit 111) sets the maximum flow rate of the diluent to the first maximum before starting the second etching process (step S4 in FIG. 10) or during the second etching process. By selecting between the flow rate and the second maximum flow rate, the length of the specific gravity value change period (SGV) (FIG. 9) is controlled. Specifically, the operator operates the input unit 113 (FIG. 8) of the control device 110 to input an instruction (setting value) for selecting one of the first maximum flow rate and the second maximum flow rate. The control device 110 (control unit 111) controls the dilution solution based on instructions (setting values) from the operator before starting the second etching process (step S4 in FIG. 10) or during the second etching process. The maximum flow rate is selected from the first maximum flow rate and the second maximum flow rate.

상세하게는, 희석액의 최대 유량이 클수록, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 짧아진다. 따라서, 작업자는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 비교적 짧게 하는 경우, 제 2 최대 유량을 선택한다. 이 결과, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는 제 1 개폐 밸브 (55a) 를 폐쇄하고, 제 2 개폐 밸브 (55b) 를 개폐하여, 에칭액 (E) 으로의 희석액의 공급을 제어한다. 한편, 작업자는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 비교적 길게 하는 경우, 제 1 최대 유량을 선택한다. 이 결과, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는 제 2 개폐 밸브 (55b) 를 폐쇄하고, 제 1 개폐 밸브 (55a) 를 개폐하여, 에칭액 (E) 으로의 희석액의 공급을 제어한다.In detail, the larger the maximum flow rate of the diluent, the shorter the length of the specific gravity value change period (SGV). Accordingly, the operator selects the second maximum flow rate when the length of the specific gravity value change period (SGV) is relatively short. As a result, the control device 110 (control unit 111) closes the first on-off valve 55a, opens and closes the second on-off valve 55b, and controls the supply of the diluent to the etching liquid E. On the other hand, the operator selects the first maximum flow rate when the length of the specific gravity value change period (SGV) is relatively long. As a result, the control device 110 (control unit 111) closes the second on-off valve 55b, opens and closes the first on-off valve 55a, and controls the supply of the diluent to the etching liquid E.

또한, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 인산의 비중값을 제 1 목표값 (TV1) 또는 제 2 목표값 (TV2) 으로 유지할 때, 제 2 개폐 밸브 (55b) 를 폐쇄하고, 제 1 개폐 밸브 (55a) 를 개폐하여, 에칭액 (E) 으로의 희석액의 공급을 제어한다.In addition, the control device 110 (control unit 111) closes the second on-off valve 55b when maintaining the specific gravity value of phosphoric acid at the first target value (TV1) or the second target value (TV2), The first opening/closing valve 55a is opened and closed to control the supply of the diluent to the etching liquid E.

이상, 도 1, 도 2, 및 도 4 ∼ 도 13 을 참조하여 본 발명의 실시형태 3 에 대해 설명하였다. 본 실시형태에 의하면, 희석액의 최대 유량을 선택하여, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 제어할 수 있다. 따라서, 실시형태 1 과 마찬가지로, 적층 구조 (M) 의 형상을 제어할 수 있다.Above, Embodiment 3 of the present invention has been described with reference to FIGS. 1, 2, and 4 to 13. According to this embodiment, the length of the specific gravity value change period (SGV) can be controlled by selecting the maximum flow rate of the diluent. Therefore, like Embodiment 1, the shape of the laminated structure (M) can be controlled.

또한, 본 실시형태에 있어서, 기판 처리 장치 (100) 는, 희석액의 공급 라인을 2 개 구비했지만 (제 1 최대 유량의 공급 라인과 제 2 최대 유량의 공급 라인), 기판 처리 장치 (100) 는, 서로 최대 유량이 상이한 희석액의 공급 라인을 3 개 이상 구비해도 된다.In addition, in the present embodiment, the substrate processing apparatus 100 is provided with two supply lines for the diluent (a supply line with a first maximum flow rate and a supply line with a second maximum flow rate). , three or more supply lines of diluted liquids with different maximum flow rates may be provided.

또, 본 실시형태에 있어서, 작업자는, 제어 장치 (110) 의 입력부 (113) (도 8) 를 조작하여, 제 1 최대 유량과 제 2 최대 유량 중 일방을 선택하는 지시 (설정값) 를 입력했지만, 제어 장치 (110) 는, 제 1 최대 유량에 대응하는 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값과, 제 2 최대 유량에 대응하는 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값 중 일방을 선택하는 지시를 입력하는 구성이어도 된다.Additionally, in this embodiment, the operator operates the input unit 113 (FIG. 8) of the control device 110 to input an instruction (setting value) for selecting one of the first maximum flow rate and the second maximum flow rate. However, the control device 110 selects one of the set value of the specific gravity value change period (SGV) corresponding to the first maximum flow rate and the set value of the specific gravity value change period (SGV) corresponding to the second maximum flow rate. It may be configured to input instructions.

[실시형태 4] [Embodiment 4]

계속해서 도 1, 도 2, 도 4 ∼ 도 12, 및 도 14 를 참조하여 본 발명의 실시형태 4 에 대해 설명한다. 단, 실시형태 1 ∼ 3 과 상이한 사항을 설명하고, 실시형태 1 ∼ 3 과 동일한 사항에 대한 설명은 생략한다. 실시형태 4 는, 희석액 공급 라인 (5) 의 구성이 실시형태 1 ∼ 3 과 상이하다. 또한, 실시형태 4 에서는, 실시형태 1 과 마찬가지로, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 설정값으로 제어된다.Next, Embodiment 4 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, 4 to 12, and 14. However, matters that are different from Embodiments 1 to 3 will be explained, and descriptions of matters that are the same as Embodiments 1 to 3 will be omitted. Embodiment 4 is different from Embodiments 1 to 3 in the configuration of the diluent supply line 5. Additionally, in Embodiment 4, as in Embodiment 1, the length of the specific gravity value change period (SGV) is controlled to a set value.

도 14 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 구성을 나타내는 도면이다. 도 14 에 나타내는 바와 같이, 희석액 공급 라인 (5) 은, 희석액 공급 노즐 (51) 과, 희석액 공급 배관 (52) 과, 유량 제어 밸브 (53) 와, 최대 유량 제어 밸브 (54c) 와, 개폐 밸브 (55) 를 포함한다.FIG. 14 is a diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. As shown in FIG. 14, the diluted liquid supply line 5 includes a diluted liquid supply nozzle 51, a diluted liquid supply pipe 52, a flow control valve 53, a maximum flow control valve 54c, and an opening/closing valve. (55) Includes.

최대 유량 제어 밸브 (54c) 는 희석액 공급 배관 (52) 에 개재 장착되어 있다. 최대 유량 제어 밸브 (54c) 는, 희석액 공급 배관 (52) 을 유통하는 희석액의 최대 유량을 제어한다. 최대 유량 제어 밸브 (54c) 는, 예를 들어, 전동식의 니들 밸브이다. 최대 유량 제어 밸브 (54c) 는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다.The maximum flow control valve 54c is interposedly mounted on the diluent supply pipe 52. The maximum flow rate control valve 54c controls the maximum flow rate of the diluent flowing through the diluent solution supply pipe 52. The maximum flow control valve 54c is, for example, an electric needle valve. The maximum flow control valve 54c is controlled by the control device 110 (control unit 111).

제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값에 기초하여 최대 유량 제어 밸브 (54c) 의 개구율을 조정함으로써, 희석액의 최대 유량을 제어한다. 본 실시형태에 있어서, 희석액의 최대 유량은, 최대 유량 제어 밸브 (54c) 의 개구율에 따른 유량이 된다.The control device 110 (control unit 111) controls the maximum flow rate of the diluent by adjusting the opening ratio of the maximum flow rate control valve 54c based on the set value of the specific gravity value change period (SGV). In this embodiment, the maximum flow rate of the diluent is a flow rate depending on the opening ratio of the maximum flow rate control valve 54c.

제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 2 에칭 처리 (도 10 의 스텝 S4) 의 개시 전에, 혹은, 제 2 에칭 처리 중에, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값에 기초하여 최대 유량 제어 밸브 (54c) 의 개구율을 조정함으로써, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이 (도 9) 를 제어한다.The control device 110 (control unit 111), before starting the second etching process (step S4 in FIG. 10) or during the second etching process, based on the set value of the specific gravity value change period (SGV), sets the maximum By adjusting the opening ratio of the flow control valve 54c, the length of the specific gravity value change period (SGV) (FIG. 9) is controlled.

상세하게는, 희석액의 최대 유량이 클수록, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 짧아진다. 따라서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값이 비교적 작은 경우, 최대 유량 제어 밸브 (54c) 의 개구율을 비교적 크게 한다. 한편, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값이 비교적 큰 경우, 최대 유량 제어 밸브 (54c) 의 개구율을 비교적 작게 한다.In detail, the larger the maximum flow rate of the diluent, the shorter the length of the specific gravity value change period (SGV). Therefore, the control device 110 (control unit 111) makes the opening ratio of the maximum flow rate control valve 54c relatively large when the set value of the specific gravity value change period (SGV) is relatively small. On the other hand, when the set value of the specific gravity value change period (SGV) is relatively large, the control device 110 (control unit 111) makes the opening ratio of the maximum flow rate control valve 54c relatively small.

이상, 도 1, 도 2, 도 4 ∼ 도 12, 및 도 14 를 참조하여 본 발명의 실시형태 4 에 대해 설명하였다. 본 실시형태에 의하면, 희석액의 최대 유량을 조정하여, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 제어할 수 있다. 따라서, 실시형태 1 과 마찬가지로, 적층 구조 (M) 의 형상을 제어할 수 있다.Above, Embodiment 4 of the present invention has been described with reference to FIGS. 1, 2, 4 to 12, and 14. According to this embodiment, the length of the specific gravity value change period (SGV) can be controlled by adjusting the maximum flow rate of the diluent. Therefore, like Embodiment 1, the shape of the laminated structure (M) can be controlled.

또한, 본 실시형태에서는, 희석액 공급 라인 (5) 에 최대 유량 제어 밸브 (54c) 가 형성되었지만, 최대 유량 제어 밸브 (54c) 대신에 매스 플로 컨트롤러가 형성되어도 된다.Additionally, in this embodiment, the maximum flow rate control valve 54c is formed in the diluent supply line 5, but a mass flow controller may be formed instead of the maximum flow rate control valve 54c.

[실시형태 5] [Embodiment 5]

계속해서 도 1, 도 2, 도 4 ∼ 도 12, 및 도 15 를 참조하여 본 발명의 실시형태 5 에 대하여 설명한다. 단, 실시형태 1 ∼ 4 와 상이한 사항을 설명하고, 실시형태 1 ∼ 4 와 동일한 사항에 대한 설명은 생략한다. 실시형태 5 는, 기판 처리 장치 (100) 의 구성이 실시형태 1 ∼ 4 와 상이하다. 또한, 실시형태 5 에서는, 실시형태 1 과 마찬가지로, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 설정값으로 제어된다.Next, Embodiment 5 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 2, 4 to 12, and 15. However, matters that are different from Embodiments 1 to 4 will be explained, and descriptions of matters that are the same as Embodiments 1 to 4 will be omitted. Embodiment 5 is different from Embodiments 1 to 4 in the configuration of the substrate processing apparatus 100. Additionally, in Embodiment 5, similarly to Embodiment 1, the length of the specific gravity value change period (SGV) is controlled to a set value.

도 15 는, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 구성을 나타내는 도면이다. 도 15 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값에 기초하여 구동부 (160) 의 최대 출력을 조정함으로써, 희석액의 최대 유량을 제어한다. 상세하게는, 구동부 (160) 의 최대 출력이 작을수록, 희석액의 최대 유량이 작아진다.FIG. 15 is a diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. As shown in FIG. 15, the control device 110 (control section 111) controls the maximum flow rate of the diluent by adjusting the maximum output of the drive section 160 based on the set value of the specific gravity value change period (SGV). do. In detail, the smaller the maximum output of the drive unit 160, the smaller the maximum flow rate of the diluent.

본 실시형태에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 2 에칭 처리 (도 10 의 스텝 S4) 의 개시 전에, 혹은, 제 2 에칭 처리 중에, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값에 기초하여 구동부 (160) 의 최대 출력을 조정함으로써, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이 (도 9) 를 제어한다.In this embodiment, the control device 110 (control unit 111) performs the specific gravity value change period (SGV) before starting the second etching process (step S4 in FIG. 10) or during the second etching process. By adjusting the maximum output of the drive unit 160 based on the set value, the length of the specific gravity value change period (SGV) (FIG. 9) is controlled.

구체적으로, 구동부 (160) 의 최대 출력이 작을수록, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 길어진다. 따라서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값이 비교적 작은 경우, 구동부 (160) 의 최대 출력을 비교적 크게 한다. 한편, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값이 비교적 큰 경우, 구동부 (160) 의 최대 출력을 비교적 작게 한다.Specifically, the smaller the maximum output of the driving unit 160, the longer the length of the specific gravity value change period (SGV). Accordingly, the control device 110 (control unit 111) makes the maximum output of the drive unit 160 relatively large when the setting value of the specific gravity value change period (SGV) is relatively small. On the other hand, the control device 110 (control unit 111) makes the maximum output of the drive unit 160 relatively small when the setting value of the specific gravity value change period (SGV) is relatively large.

이상, 도 1, 도 2, 도 4 ∼ 도 12, 및 도 15 를 참조하여 본 발명의 실시형태 5 에 대해 설명하였다. 본 실시형태에 의하면, 구동부 (160) 의 최대 출력을 조정하여, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 제어할 수 있다. 따라서, 실시형태 1 과 마찬가지로, 적층 구조 (M) 의 형상을 제어할 수 있다.Above, Embodiment 5 of the present invention has been described with reference to FIGS. 1, 2, 4 to 12, and 15. According to this embodiment, the maximum output of the drive unit 160 can be adjusted to control the length of the specific gravity value change period (SGV). Therefore, like Embodiment 1, the shape of the laminated structure (M) can be controlled.

또한, 본 실시형태에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는 구동부 (160) 의 최대 출력을 조정했지만, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는 컨트롤러 (140) 로부터 구동부 (160) 에 출력되는 전류 신호의 전류값 (PID 제어값) 을 조정하여, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 제어해도 된다.Additionally, in this embodiment, the control device 110 (control section 111) adjusts the maximum output of the drive section 160, but the control device 110 (control section 111) controls the drive section ( 160), the length of the specific gravity value change period (SGV) may be controlled by adjusting the current value (PID control value) of the current signal output.

[실시형태 6] [Embodiment 6]

계속해서 도 1, 도 3 ∼ 도 12, 및 도 16 을 참조하여 본 발명의 실시형태 6 에 대하여 설명한다. 단, 실시형태 1 ∼ 5 와 상이한 사항을 설명하고, 실시형태 1 ∼ 5 와 동일한 사항에 대한 설명은 생략한다. 실시형태 6 은, 오토 커버 (21) 의 개도를 조정하여 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 제어하는 점에서 실시형태 1 ∼ 5 와 상이하다. 또한, 실시형태 6 에서는, 실시형태 1 과 마찬가지로, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 설정값으로 제어된다.Next, Embodiment 6 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 3 to 12, and 16. However, matters that are different from Embodiments 1 to 5 will be explained, and explanations of matters that are the same as Embodiments 1 to 5 will be omitted. Embodiment 6 is different from Embodiments 1 to 5 in that the length of the specific gravity value change period (SGV) is controlled by adjusting the opening degree of the auto cover 21. Additionally, in Embodiment 6, as in Embodiment 1, the length of the specific gravity value change period (SGV) is controlled to a set value.

도 16 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 인산의 비중값 (측정값) 이 제 1 목표값 (TV1) 에서 제 2 목표값 (TV2) 까지 변화할 때의 오토 커버 (21) 의 개도를 조정하여, 에칭액 (E) 으로부터 증발하는 수분의 양을 제어한다. 상세하게는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 오토 커버 (21) 의 개도를 조정하여, 단위 시간당 에칭액 (E) 으로부터 수분이 증발하는 양을 제어한다. 이하, 단위 시간당 에칭액 (E) 으로부터 수분이 증발하는 양을,「수분의 증발량」이라고 기재하는 경우가 있다.FIG. 16 is a cross-sectional view showing the configuration of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. In this embodiment, the control device 110 (control unit 111) performs auto cover when the specific gravity value (measured value) of phosphoric acid changes from the first target value (TV1) to the second target value (TV2). By adjusting the opening degree of (21), the amount of moisture evaporating from the etching liquid (E) is controlled. In detail, the control device 110 (control unit 111) adjusts the opening degree of the auto cover 21 to control the amount of moisture evaporating from the etching liquid E per unit time. Hereinafter, the amount of water evaporating from the etching liquid (E) per unit time may be described as “the amount of water evaporation.”

구체적으로는, 도 16 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 2 에칭 처리 중에 오토 커버 (21) 를 개방 상태로 한다. 오토 커버 (21) 가 개방 상태가 되면, 제 1 커버편 (22) 과 제 2 커버편 (23) 사이에 간극 (G) 이 형성된다. 간극 (G) 의 폭 (GW) 이 클수록, 수분의 증발량이 증가한다. 그리고, 수분의 증발량이 증가하면, 비중값 변화 기간 (SGV) 가 길어진다. 따라서, 간극 (G) 의 폭 (GW) 이 클수록, 비중값 변화 기간 (SGV) 이 길어진다.Specifically, as shown in FIG. 16, the control device 110 (control unit 111) opens the auto cover 21 during the second etching process. When the auto cover 21 is in an open state, a gap G is formed between the first cover piece 22 and the second cover piece 23. The larger the width (GW) of the gap (G), the greater the amount of moisture evaporation. And, as the evaporation amount of moisture increases, the specific gravity value change period (SGV) becomes longer. Therefore, the larger the width (GW) of the gap (G), the longer the specific gravity value change period (SGV).

본 실시형태에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 2 에칭 처리 (도 10 의 스텝 S4) 의 개시 전에, 혹은, 제 2 에칭 처리 중에, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값에 기초하여 간극 (G) 의 폭 (GW) 의 크기 (오토 커버 (21) 의 개도) 를 조정함으로써, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이 (도 9) 를 제어한다.In this embodiment, the control device 110 (control unit 111) performs the specific gravity value change period (SGV) before starting the second etching process (step S4 in FIG. 10) or during the second etching process. The length of the specific gravity value change period SGV (FIG. 9) is controlled by adjusting the size of the width GW of the gap G (opening degree of the auto cover 21) based on the set value.

상세하게는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값이 비교적 작은 경우, 간극 (G) 의 폭 (GW) 을 비교적 좁게 하여 (오토 커버 (21) 의 개도를 비교적 작게 하여), 수분의 증발량을 억제한다. 이 결과, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 비교적 짧아진다. 한편, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값이 비교적 큰 경우, 간극 (G) 의 폭 (GW) 을 비교적 넓게 하여 (오토 커버 (21) 의 개도를 비교적 크게 하여), 에칭액 (E) 으로부터의 수분의 증발을 촉진시킨다. 이 결과, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 비교적 길어진다.In detail, when the set value of the specific gravity change period (SGV) is relatively small, the control device 110 (control unit 111) makes the width GW of the gap G relatively narrow (auto cover 21 ) By making the opening degree relatively small), the amount of moisture evaporation is suppressed. As a result, the length of the specific gravity change period (SGV) becomes relatively short. On the other hand, when the set value of the specific gravity change period (SGV) is relatively large, the control device 110 (control unit 111) relatively widens the width GW of the gap G (the auto cover 21). (making the opening degree relatively large), evaporation of moisture from the etching liquid (E) is promoted. As a result, the length of the specific gravity change period (SGV) becomes relatively long.

이상, 도 1, 도 3 ∼ 도 12, 및 도 16 을 참조하여 본 발명의 실시형태 6 에 대하여 설명하였다. 본 실시형태에 의하면, 수분의 증발량을 조정하여, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 제어할 수 있다. 따라서, 실시형태 1 과 마찬가지로, 적층 구조 (M) 의 형상을 제어할 수 있다.Above, Embodiment 6 of the present invention has been described with reference to FIGS. 1, 3 to 12, and 16. According to this embodiment, the evaporation amount of moisture can be adjusted and the length of the specific gravity value change period (SGV) can be controlled. Therefore, like Embodiment 1, the shape of the laminated structure (M) can be controlled.

[실시형태 7] [Embodiment 7]

계속해서 도 1, 도 3 ∼ 도 12, 도 17 및 도 18 을 참조하여 본 발명의 실시형태 7 에 대하여 설명한다. 단, 실시형태 1 ∼ 6 과 상이한 사항을 설명하고, 실시형태 1 ∼ 6 과 동일한 사항에 대한 설명은 생략한다. 실시형태 7 은, 기판 처리 장치 (100) 의 구성이 실시형태 1 ∼ 6 과 상이하다. 또한, 실시형태 7 에서는, 실시형태 1 과 마찬가지로, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 설정값으로 제어된다.Next, Embodiment 7 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1, 3 to 12, 17, and 18. However, matters that are different from Embodiments 1 to 6 will be explained, and descriptions of matters that are the same as Embodiments 1 to 6 will be omitted. Embodiment 7 is different from Embodiments 1 to 6 in the configuration of the substrate processing apparatus 100. Additionally, in Embodiment 7, as in Embodiment 1, the length of the specific gravity value change period (SGV) is controlled to a set value.

도 17 은, 본 실시형태의 기판 처리 장치 (100) 의 구성을 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에 있어서, 기판 처리 장치 (100) 는, 제 2 버블링부 (9) 를 추가로 구비한다. 제 2 버블링부 (9) 는, 외조 (32) 내의 에칭액 (E) 에 기포를 공급한다. 외조 (32) 내의 에칭액 (E) 에 공급된 기포는, 에칭액 순환부 (8) 에 의해, 에칭액 (E) 과 함께 내조 (31) 에 공급된다. 이 결과, 내조 (31) 내의 에칭액 (E) 으로부터의 수분의 증발이 촉진된다. 따라서, 외조 (32) 내의 에칭액 (E) 에 기포가 공급됨으로써, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이 (도 9) 가 비교적 길어진다.FIG. 17 is a cross-sectional view showing the configuration of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. In this embodiment, the substrate processing apparatus 100 is further provided with a second bubbling section 9. The second bubbling section 9 supplies bubbles to the etching liquid E in the outer tank 32. The air bubbles supplied to the etching liquid (E) in the outer tank (32) are supplied to the inner tank (31) together with the etching liquid (E) by the etching liquid circulation unit (8). As a result, evaporation of moisture from the etching liquid E in the inner tank 31 is promoted. Therefore, by supplying air bubbles to the etchant E in the outer tank 32, the length of the specific gravity value change period SGV (FIG. 9) becomes relatively long.

이하, 제 2 버블링부 (9) 의 구성에 대해 설명한다. 도 17 에 나타내는 바와 같이, 제 2 버블링부 (9) 는, 복수의 기체 공급 노즐 (91) 과, 기체 공급 배관 (92) 을 포함한다. 또한, 본 실시형태에서는, 제 2 버블링부 (9) 는, 2 개의 기체 공급 노즐 (91) 을 포함하지만, 제 2 버블링부 (9) 는, 1 개의 기체 공급 노즐 (91) 을 포함해도 되고, 3 개 이상의 기체 공급 노즐 (91) 을 포함해도 된다.Hereinafter, the configuration of the second bubbling section 9 will be described. As shown in FIG. 17 , the second bubbling section 9 includes a plurality of gas supply nozzles 91 and a gas supply pipe 92. Additionally, in this embodiment, the second bubbling section 9 includes two gas supply nozzles 91, but the second bubbling section 9 may include one gas supply nozzle 91, It may include three or more gas supply nozzles (91).

복수의 기체 공급 노즐 (91) 은, 외조 (32) 의 바닥부측에 배치된다. 기체 공급 노즐 (91) 의 각각은 중공의 관상 부재이다. 기체 공급 노즐 (91) 의 각각에는, 도 18 을 참조하여 후술하는 복수의 토출공 (911) 이 형성되어 있고, 각 토출공 (911) 으로부터 기체가 분출됨으로써, 외조 (32) 내의 에칭액 (E) 에 기포가 공급된다. 기체는, 예를 들어, 불활성 가스이다. 구체적으로, 기체는 질소일 수 있다.A plurality of gas supply nozzles 91 are disposed on the bottom side of the outer tank 32. Each of the gas supply nozzles 91 is a hollow tubular member. In each of the gas supply nozzles 91, a plurality of discharge holes 911, which will be described later with reference to FIG. 18, are formed, and gas is ejected from each discharge hole 911, thereby discharging the etchant E in the outer tank 32. Air bubbles are supplied to. The gas is, for example, an inert gas. Specifically, the gas may be nitrogen.

기체 공급 배관 (92) 은, 복수의 기체 공급 노즐 (91) 까지 기체를 유통시킨다. 기체 공급 배관 (92) 이 기체를 유통시킴으로써, 외조 (32) 내의 에칭액 (E) 에 기포가 공급된다.The gas supply pipe 92 distributes gas to a plurality of gas supply nozzles 91. By distributing gas through the gas supply pipe 92, air bubbles are supplied to the etching liquid E in the outer tank 32.

계속해서 도 18 을 참조하여 제 2 버블링부 (9) 의 구성을 추가로 설명한다. 도 18 은, 제 2 버블링부 (9) 의 구성을 나타내는 도면이다. 도 18 에 나타내는 바와 같이, 제 2 버블링부 (9) 는, 필터 (93) 와, 히터 (94) 와, 배기관 (95) 과, 개폐 밸브 (96) 를 추가로 포함한다. 필터 (93), 히터 (94) 및 개폐 밸브 (96) 는, 기체 공급 배관 (92) 에 개재 장착되어 있다.Next, the configuration of the second bubbling unit 9 will be further described with reference to FIG. 18 . FIG. 18 is a diagram showing the configuration of the second bubbling section 9. As shown in FIG. 18, the second bubbling section 9 further includes a filter 93, a heater 94, an exhaust pipe 95, and an on-off valve 96. The filter 93, heater 94, and on-off valve 96 are interposed in the gas supply pipe 92.

필터 (93) 는, 기체 공급 배관 (92) 을 유통하는 기체로부터 이물질을 제거한다. 히터 (94) 는, 기체 공급 배관 (92) 을 유통하는 기체를 가열하여, 기체 공급 배관 (92) 을 유통하는 기체의 온도를 조정한다. 히터 (94) 는, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다. 기체 공급 배관 (92) 을 유통하는 기체의 온도를 조정함으로써, 인산의 비중값을 제어할 수 있다. 상세하게는, 에칭액 순환부 (8) 를 통하여 내조 (31) 내의 에칭액 (E) 에 공급되는 기포의 온도를 조정함으로써, 인산의 비중값을 제어할 수 있다.The filter 93 removes foreign substances from the gas flowing through the gas supply pipe 92. The heater 94 heats the gas flowing through the gas supply pipe 92 and adjusts the temperature of the gas flowing through the gas supply pipe 92. The heater 94 is controlled by the control device 110 (control unit 111). By adjusting the temperature of the gas flowing through the gas supply pipe 92, the specific gravity value of phosphoric acid can be controlled. In detail, the specific gravity value of phosphoric acid can be controlled by adjusting the temperature of the bubbles supplied to the etchant E in the inner tank 31 through the etchant circulation unit 8.

기체 공급 배관 (92) 은, 기체 공급 노즐 (91) 의 일단에 접속하여, 기체 공급 노즐 (91) 에 기체를 공급한다. 배기관 (95) 은, 기체 공급 노즐 (91) 의 타단에 접속한다. 배기관 (95) 에는, 기체 공급 노즐 (91) 의 토출공 (911) 으로부터 토출되지 않고 기체 공급 노즐 (91) 을 유통한 기체가 유입된다.The gas supply pipe 92 is connected to one end of the gas supply nozzle 91 and supplies gas to the gas supply nozzle 91. The exhaust pipe 95 is connected to the other end of the gas supply nozzle 91. Gas that is not discharged from the discharge hole 911 of the gas supply nozzle 91 but has circulated through the gas supply nozzle 91 flows into the exhaust pipe 95 .

개폐 밸브 (96) 는, 예를 들어 전자 밸브이다. 개폐 밸브 (96) 는 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 에 의해 제어된다. 개폐 밸브 (96) 는, 기체 공급 배관 (92) 의 유로를 개폐하여, 기체 공급 배관 (92) 을 흐르는 기체의 유통을 제어한다. 상세하게는, 개폐 밸브 (96) 가 개방되면, 기체가 기체 공급 배관 (92) 을 통하여 기체 공급 노즐 (91) 까지 흐른다. 이 결과, 기체 공급 노즐 (91) 로부터 기체가 토출된다. 한편, 개폐 밸브 (96) 가 폐쇄되면, 기체의 유통이 차단되어, 기체 공급 노즐 (91) 에 의한 기체의 토출이 정지된다.The opening/closing valve 96 is, for example, an electromagnetic valve. The opening/closing valve 96 is controlled by the control device 110 (control unit 111). The open/close valve 96 opens and closes the flow path of the gas supply pipe 92 to control the distribution of gas flowing through the gas supply pipe 92. In detail, when the on-off valve 96 is opened, gas flows through the gas supply pipe 92 to the gas supply nozzle 91. As a result, gas is discharged from the gas supply nozzle 91. On the other hand, when the opening/closing valve 96 is closed, the flow of gas is blocked, and the discharge of gas by the gas supply nozzle 91 is stopped.

계속해서, 기체 공급 노즐 (91) 에 대해 설명한다. 도 18 에 나타내는 바와 같이, 복수의 토출공 (911) 은 기체 공급 노즐 (91) 의 상면부에 형성된다. 본 실시형태에 있어서, 기체 공급 노즐 (91) 은 Y 방향으로 연장된다. 복수의 토출공 (911) 은 Y 방향으로 등간격으로 형성되어 있다.Next, the gas supply nozzle 91 will be described. As shown in FIG. 18, a plurality of discharge holes 911 are formed on the upper surface of the gas supply nozzle 91. In this embodiment, the gas supply nozzle 91 extends in the Y direction. A plurality of discharge holes 911 are formed at equal intervals in the Y direction.

계속해서, 제어 장치 (110) 에 대해 설명한다. 본 실시형태에 있어서, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 2 에칭 처리 중에, 개폐 밸브 (96) 를 개방 상태로 한다. 혹은, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 제 2 에칭 처리 중에, 개폐 밸브 (96) 를 폐쇄 상태로 한다. 그 결과, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이 (도 9) 가 제어된다.Next, the control device 110 will be described. In this embodiment, the control device 110 (control unit 111) opens the on-off valve 96 during the second etching process. Alternatively, the control device 110 (control unit 111) places the open/close valve 96 in a closed state during the second etching process. As a result, the length of the specific gravity value change period (SGV) (FIG. 9) is controlled.

상세하게는, 제어 장치 (110) 의 입력부 (113) (도 8) 는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값으로서, 제 1 설정값과 제 2 설정값 중 일방의 입력을 받아들인다. 제 1 설정값은, 제 2 설정값보다 작은 값을 나타낸다. 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값이 제 1 설정값인 경우, 개폐 밸브 (96) 를 폐쇄 상태로 하여, 내조 (31) 내의 에칭액 (E) 으로부터의 수분의 증발량을 억제한다. 이 결과, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 비교적 짧아진다. 한편, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값이 제 2 설정값인 경우, 개폐 밸브 (96) 를 개방 상태로 하여, 내조 (31) 내의 에칭액 (E) 으로부터의 수분의 증발을 촉진시킨다. 이 결과, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이가 비교적 길어진다.In detail, the input unit 113 (FIG. 8) of the control device 110 accepts an input of either the first set value or the second set value as the set value of the specific gravity value change period (SGV). The first set value represents a value smaller than the second set value. When the set value of the specific gravity value change period (SGV) is the first set value, the control device 110 (control unit 111) closes the opening/closing valve 96, and the etchant (E) in the inner tank 31 ) Suppresses the amount of moisture evaporation from. As a result, the length of the specific gravity change period (SGV) becomes relatively short. On the other hand, when the set value of the specific gravity value change period (SGV) is the second set value, the control device 110 (control unit 111) opens the opening/closing valve 96 to open the etching liquid in the inner tank 31. (E) Promotes evaporation of moisture from. As a result, the length of the specific gravity change period (SGV) becomes relatively long.

이상, 도 1, 도 3 ∼ 도 12, 도 17, 및 도 18 을 참조하여 본 발명의 실시형태 7 에 대하여 설명하였다. 본 실시형태에 따르면, 내조 (31) 내의 에칭액 (E) 으로부터의 수분의 증발량을 조정하여, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 제어할 수 있다. 따라서, 실시형태 1 과 마찬가지로, 적층 구조 (M) 의 형상을 제어할 수 있다.Above, Embodiment 7 of the present invention has been described with reference to FIGS. 1, 3 to 12, 17, and 18. According to this embodiment, the amount of evaporation of moisture from the etching liquid (E) in the inner tank 31 can be adjusted to control the length of the specific gravity value change period (SGV). Therefore, like Embodiment 1, the shape of the laminated structure (M) can be controlled.

또한, 외조 (32) 내의 에칭액 (E) 에 공급하는 기포의 양을 조정하여, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 제어해도 된다. 예를 들어, 기체 공급 배관 (92) 에 매스 플로 컨트롤러가 형성되어도 된다. 이 경우, 제어 장치 (110) 의 입력부 (113) (도 8) 는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값으로서, 실시형태 1 과 마찬가지로 임의의 값의 입력을 받아들인다.Additionally, the length of the specific gravity value change period (SGV) may be controlled by adjusting the amount of bubbles supplied to the etching liquid (E) in the outer tank 32. For example, a mass flow controller may be formed in the gas supply pipe 92. In this case, the input unit 113 (FIG. 8) of the control device 110 accepts the input of an arbitrary value as the setting value of the specific gravity value change period (SGV), as in Embodiment 1.

[실시형태 8] [Embodiment 8]

계속해서 도 1 ∼ 도 9, 및 도 11 ∼ 도 20 을 참조하여 본 발명의 실시형태 8 에 대하여 설명한다. 단, 실시형태 1 ∼ 7 과 상이한 사항을 설명하고, 실시형태 1 ∼ 7 과 동일한 사항에 대한 설명은 생략한다. 실시형태 8 은, 기판 (W) 을 사용하여 제조되는 디바이스의 사이즈에 기초하여 제 1 목표값 (TV1), 제 2 목표값 (TV2), 및 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값을 결정하는 점에서 실시형태 1 ∼ 7 과 상이하다.Next, Embodiment 8 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 9 and FIGS. 11 to 20. However, matters that are different from Embodiments 1 to 7 will be explained, and descriptions of matters that are the same as Embodiments 1 to 7 will be omitted. Embodiment 8 determines set values of the first target value (TV1), the second target value (TV2), and the specific gravity change period (SGV) based on the size of the device manufactured using the substrate W. It is different from Embodiments 1 to 7 in this respect.

도 19 는, 결정 테이블 (TL10) 을 나타내는 도면이다. 본 실시형태에 있어서, 기억부 (112) (도 8) 는, 결정 테이블 (TL10) 을 기억한다. 도 19 에 나타내는 바와 같이, 결정 테이블 (TL10) 은, 디바이스 사이즈란 (TL11) 과, 제 1 목표값란 (TL12) 과, 제 2 목표값란 (TL13) 과, 비중값 변화 기간란 (TL14) 을 포함한다. 디바이스 사이즈란 (TL11) 에는, 각종 디바이스 사이즈 (디바이스의 치수) 가 등록된다. 제 1 목표값란 (TL12) 에는, 제 1 목표값 (TV1) 이 등록된다. 제 2 목표값란 (TL13) 에는, 제 2 목표값 (TV2) 이 등록된다. 비중값 변화 기간란 (TL14) 에는, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값이 등록된다. 결정 테이블 (TL10) 은, 디바이스의 사이즈와, 제 1 목표값 (TV1) 과, 제 2 목표값 (TV2) 과, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값을 서로 관련짓는다.Fig. 19 is a diagram showing the decision table TL10. In this embodiment, the storage unit 112 (FIG. 8) stores the decision table TL10. As shown in Fig. 19, the decision table TL10 includes a device size column TL11, a first target value column TL12, a second target value column TL13, and a specific gravity change period column TL14. . In the device size field (TL11), various device sizes (dimensions of the device) are registered. In the first target value field (TL12), the first target value (TV1) is registered. In the second target value field (TL13), the second target value (TV2) is registered. In the specific gravity value change period column (TL14), the setting value of the specific gravity value change period (SGV) is registered. The decision table TL10 correlates the size of the device, the first target value (TV1), the second target value (TV2), and the set value of the specific gravity value change period (SGV).

본 실시형태에 있어서, 입력부 (113) (도 8) 는, 기판 (W) 을 사용하여 제조되는 디바이스의 사이즈의 입력을 받아들인다. 제어부 (111) (도 8) 는, 입력부 (113) 로부터 디바이스의 사이즈를 나타내는 데이터가 입력되면, 기억부 (112) (도 8) 에 기억되어 있는 결정 테이블 (TL10) 을 참조하여, 제 1 목표값 (TV1), 제 2 목표값 (TV2) 및 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값을 결정한다.In this embodiment, the input unit 113 (FIG. 8) accepts input of the size of the device manufactured using the substrate W. When data indicating the size of the device is input from the input unit 113, the control unit 111 (FIG. 8) refers to the decision table TL10 stored in the storage unit 112 (FIG. 8) and determines the first target. Set values of the value (TV1), the second target value (TV2), and the specific gravity change period (SGV) are determined.

계속해서 도 20 을 참조하여 본 실시형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 20 은, 본 실시형태의 기판 처리 방법을 나타내는 플로도이다. 본 실시형태의 기판 처리 방법은, 예를 들어, 도 1 ∼ 도 9 를 참조하여 설명한 기판 처리 장치 (100) 에 의해 실시되어도 된다. 도 20 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 기판 처리 방법은, 스텝 S11 ∼ 스텝 S16 을 포함한다.Next, the substrate processing method of this embodiment will be described with reference to FIG. 20. Fig. 20 is a flowchart showing the substrate processing method of this embodiment. The substrate processing method of this embodiment may be performed, for example, by the substrate processing apparatus 100 described with reference to FIGS. 1 to 9 . As shown in FIG. 20, the substrate processing method of this embodiment includes steps S11 to S16.

본 실시형태에서는, 기판 (W) 의 에칭 처리가 개시되기 전에, 입력부 (113) 가, 기판 (W) 을 사용하여 제조되는 디바이스의 사이즈의 입력을 받아들인다. 입력부 (113) 가 디바이스의 사이즈의 입력을 받아들이면, 제어부 (111) 가, 기억부 (112) 에 기억되어 있는 결정 테이블 (TL10) 을 참조하여, 제 1 목표값 (TV1), 제 2 목표값 (TV2), 및 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값을 결정한다 (스텝 S11).In this embodiment, before the etching process for the substrate W is started, the input unit 113 accepts an input of the size of the device manufactured using the substrate W. When the input unit 113 receives the input of the device size, the control unit 111 refers to the decision table TL10 stored in the storage unit 112 and sets the first target value TV1 and the second target value. (TV2), and the setting values of the specific gravity value change period (SGV) are determined (step S11).

이후, 스텝 S12 ∼ 스텝 S16 의 각 처리가 실행된다. 또한, 스텝 S12 ∼ 스텝 S16 의 각 처리는, 도 10 을 참조하여 설명한 스텝 S11 ∼ 스텝 S15 의 각 처리와 동일하기 때문에, 그 설명은 생략한다.Afterwards, each process of steps S12 to S16 is executed. In addition, since each process of step S12 to step S16 is the same as each process of step S11 to step S15 explained with reference to FIG. 10, the description thereof is omitted.

이상, 도 1 ∼ 도 9, 및 도 11 ∼ 도 20 을 참조하여 본 발명의 실시형태 8 에 대하여 설명하였다. 본 실시형태에 따르면, 적층 구조 (M) 의 형상을 디바이스의 사이즈에 따른 형상으로 제어할 수 있다.Above, Embodiment 8 of the present invention has been described with reference to FIGS. 1 to 9 and FIGS. 11 to 20. According to this embodiment, the shape of the laminated structure (M) can be controlled to a shape according to the size of the device.

또한, 본 실시형태에서는, 디바이스의 사이즈에 기초하여 제 1 목표값 (TV1), 제 2 목표값 (TV2), 및 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값을 결정했지만, 디바이스의 사이즈에 기초하여, 제 1 목표값 (TV1), 제 2 목표값 (TV2), 및 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값 중, 제 1 목표값 (TV1) 과 제 2 목표값 (TV2) 이 결정되어도 된다. 이 경우, 비중값 변화 기간란 (TL14) 은 생략되어도 된다.Additionally, in this embodiment, the setting values of the first target value (TV1), the second target value (TV2), and the specific gravity value change period (SGV) are determined based on the size of the device. , among the set values of the first target value (TV1), the second target value (TV2), and the specific gravity value change period (SGV), the first target value (TV1) and the second target value (TV2) may be determined. In this case, the specific gravity change period column (TL14) may be omitted.

또, 본 실시형태에서는, 디바이스의 사이즈에 기초하여 제 1 목표값 (TV1), 제 2 목표값 (TV2), 및 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값을 결정했지만, 적층 구조 (M) 의 마무리 형상에 기초하여 제 1 목표값 (TV1), 제 2 목표값 (TV2), 및 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값을 결정해도 된다. 혹은, 적층 구조 (M) 의 종별에 기초하여 제 1 목표값 (TV1), 제 2 목표값 (TV2), 및 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값을 결정해도 된다.In addition, in this embodiment, the setting values of the first target value (TV1), the second target value (TV2), and the specific gravity value change period (SGV) are determined based on the size of the device, but the setting values of the laminated structure (M) The set values of the first target value (TV1), the second target value (TV2), and the specific gravity value change period (SGV) may be determined based on the finished shape. Alternatively, the set values of the first target value (TV1), the second target value (TV2), and the specific gravity value change period (SGV) may be determined based on the type of the laminated structure (M).

도 21 은, 결정 테이블의 다른 예 1 (결정 테이블 (TL20)) 을 나타내는 도면이다. 적층 구조 (M) 의 마무리 형상에 기초하여 제 1 목표값 (TV1), 제 2 목표값 (TV2), 및 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값을 결정하는 경우, 기억부 (112) (도 8) 는, 결정 테이블 (TL20) 을 기억해도 된다. 도 21 에 나타내는 바와 같이, 결정 테이블 (TL20) 은, 적층 구조 (M) 의 마무리 형상란 (TL21) 과, 제 1 목표값란 (TL22) 과, 제 2 목표값란 (TL23) 과, 비중값 변화 기간란 (TL24) 을 포함한다. 적층 구조 (M) 의 마무리 형상란 (TL21) 에는, 각종 마무리 형상이 등록된다. 마무리 형상은, 예를 들어, 도 11(a) 및 도 11(b) 를 참조하여 설명한 산화막 (Ma) 의 구배 (Μθ) 를 나타내도 된다.Fig. 21 is a diagram showing another example 1 of a decision table (decision table (TL20)). When determining the set values of the first target value (TV1), the second target value (TV2), and the specific gravity value change period (SGV) based on the finished shape of the laminated structure (M), the storage unit 112 (FIG. 8) You may remember the decision table (TL20). As shown in FIG. 21, the decision table TL20 includes a finished shape column TL21 of the laminated structure M, a first target value column TL22, a second target value column TL23, and a specific gravity change period column ( Includes TL24). In the finished shape column TL21 of the laminated structure (M), various finished shapes are registered. The finished shape may represent, for example, the gradient Μθ of the oxide film Ma described with reference to FIGS. 11(a) and 11(b).

도 22 는, 결정 테이블의 다른 예 2 (결정 테이블 (TL30)) 를 나타내는 도면이다. 적층 구조 (M) 의 종별에 기초하여 제 1 목표값 (TV1), 제 2 목표값 (TV2), 및 비중값 변화 기간 (SGV) 의 설정값을 결정하는 경우, 기억부 (112) (도 8) 는, 결정 테이블 (TL30) 을 기억해도 된다. 도 22 에 나타내는 바와 같이, 결정 테이블 (TL30) 은, 막 종류란 (TL31) 과, 제 1 목표값란 (TL32) 과, 제 2 목표값란 (TL33) 과, 비중값 변화 기간란 (TL34) 을 포함한다. 막 종류란 (TL31) 에는, 적층 구조 (M) 의 종별이 등록된다. 적층 구조 (M) 의 종별은, 예를 들어, 도 4 를 참조하여 설명한 산화막 (Ma) 및 질화막 (Mb) 의 적층수를 나타내도 된다.Fig. 22 is a diagram showing another example 2 of a decision table (decision table (TL30)). When determining the set values of the first target value (TV1), the second target value (TV2), and the specific gravity value change period (SGV) based on the type of the laminated structure (M), the storage unit 112 (FIG. 8 ) may store the decision table (TL30). As shown in Fig. 22, the decision table TL30 includes a membrane type column (TL31), a first target value column (TL32), a second target value column (TL33), and a specific gravity change period column (TL34). . In the film type column (TL31), the type of the laminated structure (M) is registered. The type of the stacked structure (M) may, for example, indicate the number of stacked oxide films (Ma) and nitride films (Mb) explained with reference to FIG. 4 .

이상, 도면 (도 1 ∼ 도 22) 을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대하여 설명하였다. 단, 본 발명은, 상기의 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 양태에 있어서 실시할 수 있다. 또한, 상기의 실시형태에 개시되는 복수의 구성 요소는 적절히 개변 가능하다. 예를 들어, 어떤 실시형태에 나타내는 전체 구성 요소 중 어떤 구성 요소를 다른 실시형태의 구성 요소에 추가해도 되고, 또는 어떤 실시형태에 나타내는 전체 구성 요소 중 몇 개의 구성 요소를 실시형태로부터 삭제해도 된다.Above, embodiments of the present invention have been described with reference to the drawings (FIGS. 1 to 22). However, the present invention is not limited to the above-described embodiments and can be implemented in various aspects without departing from the gist of the invention. Additionally, the plurality of components disclosed in the above embodiments can be modified appropriately. For example, certain components among all the components shown in a certain embodiment may be added to components in another embodiment, or some components among all the components shown in a certain embodiment may be deleted from the embodiment.

도면은, 발명의 이해를 용이하게 하기 위해서, 각각의 구성 요소를 주체로 모식적으로 나타내고 있고, 도시된 각 구성 요소의 두께, 길이, 개수, 간격 등은, 도면 작성의 사정상으로부터 실제와는 상이한 경우도 있다. 또한, 상기의 실시형태에서 나타내는 각 구성 요소의 구성은 일례이고, 특별히 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능한 것은 물론이다.In order to facilitate understanding of the invention, the drawings schematically represent each component as the main component, and the thickness, length, number, spacing, etc. of each component shown may differ from the actual due to the circumstances of drawing preparation. There are also cases. In addition, the configuration of each component shown in the above embodiment is an example and is not particularly limited, and of course, various changes are possible without substantially departing from the effect of the present invention.

예를 들어, 도 1 ∼ 도 22 를 참조하여 설명한 실시형태에서는, 컨트롤러 (140) 가 인산의 비중값을 측정하였지만, 작업자가 에칭액 (E) 을 샘플링하여, 인산의 비중값 또는 농도를 측정해도 된다.For example, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 22, the controller 140 measures the specific gravity of phosphoric acid, but the operator may sample the etching solution E and measure the specific gravity or concentration of phosphoric acid. .

또, 도 1 ∼ 도 22 를 참조하여 설명한 실시형태에서는, 희석액은, 처리조 (3) 의 외방으로부터 처리조 (3) 내의 에칭액 (E) 에 공급되었지만, 희석액은, 처리조 (3) 의 내측에 있어서 에칭액 (E) 에 공급되어도 된다. 예를 들어, 희석액 공급 노즐 (51) 이 내조 (31) 또는 외조 (32) 의 내측에 배치됨으로써, 처리조 (3) 의 내측에 있어서 희석액을 에칭액 (E) 에 공급할 수 있다. 처리조 (3) 의 내측에 있어서 희석액을 에칭액 (E) 에 공급한 경우, 처리조 (3) 의 외방으로부터 처리조 (3) 내의 에칭액 (E) 에 희석액을 공급하는 경우와 비교하여, 비중값 변화 기간 (SGV) 의 길이를 짧게 할 수 있다.Moreover, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 22, the diluted liquid was supplied to the etching liquid (E) inside the processing tank 3 from the outside of the processing tank 3, but the diluted liquid was supplied to the inside of the processing tank 3. may be supplied to the etching liquid (E). For example, when the diluent supply nozzle 51 is disposed inside the inner tank 31 or the outer tank 32, the diluted liquid can be supplied to the etching liquid E from inside the treatment tank 3. When the diluent is supplied to the etching liquid (E) from the inside of the treatment tank (3), compared to the case where the diluent is supplied to the etching liquid (E) in the treatment tank (3) from the outside of the treatment tank (3), the specific gravity value The length of the change period (SGV) can be shortened.

또, 도 1 ∼ 도 22 를 참조하여 설명한 실시형태에 있어서, 인산 농도에 대응하는 물리량을 변동시키는 파라미터는 희석액의 유량이었지만, 인산 농도에 대응하는 물리량을 변동시키는 파라미터는 희석액의 유량에 한정되지 않는다. 예를 들어, 인산 농도에 대응하는 물리량을 변동시키는 파라미터는, 기체 공급 노즐 (71) (도 7) 로부터 토출하는 기포의 온도여도 된다. 이 경우, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 도 7 을 참조하여 설명한 히터 (74) 를 제어함으로써, 인산 농도에 대응하는 물리량을 변동시킨다. 혹은, 인산 농도에 대응하는 물리량을 변동시키는 파라미터는, 기체 공급 노즐 (91) (도 18) 로부터 토출하는 기포의 온도여도 된다. 상세하게는, 인산 농도에 대응하는 물리량을 변동시키는 파라미터는, 에칭액 순환부 (8) 를 통하여 내조 (31) 내의 에칭액 (E) 에 공급되는 기포의 온도여도 된다. 이 경우, 제어 장치 (110) (제어부 (111)) 는, 도 18 을 참조하여 설명한 히터 (94) 를 제어함으로써, 인산 농도에 대응하는 물리량을 변동시킨다.In addition, in the embodiment explained with reference to FIGS. 1 to 22, the parameter for changing the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration was the flow rate of the diluent liquid, but the parameter for changing the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration is not limited to the flow rate of the diluting liquid. . For example, the parameter that changes the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration may be the temperature of the bubbles discharged from the gas supply nozzle 71 (FIG. 7). In this case, the control device 110 (control unit 111) controls the heater 74 explained with reference to FIG. 7 to vary the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration. Alternatively, the parameter that changes the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration may be the temperature of the bubbles discharged from the gas supply nozzle 91 (FIG. 18). In detail, the parameter that changes the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration may be the temperature of the bubbles supplied to the etchant E in the inner tank 31 through the etchant circulation unit 8. In this case, the control device 110 (control unit 111) changes the physical quantity corresponding to the phosphoric acid concentration by controlling the heater 94 explained with reference to FIG. 18.

또, 도 1 ∼ 도 22 를 참조하여 설명한 실시형태에 있어서, 기체 공급 배관 (61) 의 선단은, 외조 (32) 의 에칭액 (E) 내에 침지되었지만, 기체 공급 배관 (61) 의 선단은, 외조 (32) 내에 형성된 제어조의 에칭액 (E) 내에 침지되어도 된다. 구체적으로는, 처리조 (3) 는, 내조 (31) 와 외조 (32) 에 더하여, 외조 (32) 내에 형성된 제어조를 추가로 갖고, 기체 공급 배관 (61) 의 선단은, 제어조의 에칭액 (E) 내에 침지되어도 된다. 이 구성에 의하면, 기체의 토출압을 보다 높은 정밀도로 측정할 수 있다. 따라서, 인산의 비중값을 보다 높은 정밀도로 측정할 수 있다.Moreover, in the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 22, the tip of the gas supply pipe 61 was immersed in the etching liquid E of the outer tank 32, but the tip of the gas supply pipe 61 was immersed in the outer tank 32. It may be immersed in the etching liquid (E) of the control bath formed in (32). Specifically, the treatment tank 3, in addition to the inner tank 31 and the outer tank 32, further has a control tank formed within the outer tank 32, and the tip of the gas supply pipe 61 is filled with the etching liquid of the control tank ( E) may be immersed in it. According to this configuration, the discharge pressure of gas can be measured with higher precision. Therefore, the specific gravity value of phosphoric acid can be measured with higher precision.

상세하게는, 외조 (32) 내의 에칭액 (E) 의 액면 높이는, 외조 (32) 내의 에칭액 (E) 의 액면에 발생하는 거품이나, 외조 (32) 내의 에칭액 (E) 의 감소 등에 따라 변동한다. 거품은, 내조 (31) 로부터 외조 (32) 로 에칭액 (E) 이 유입될 때에 발생하는 경우가 있다. 외조 (32) 내의 에칭액 (E) 은, 순환 펌프 (83) 의 구동에 의해 순환 배관 (82) 에 에칭액 (E) 이 유입될 때에 감소하는 경우가 있다. 이에 대하여, 제어조 내의 에칭액 (E) 의 액면 높이는, 외조 (32) 내의 에칭액 (E) 의 액면에 발생하는 거품이나, 외조 (32) 내의 에칭액 (E) 의 감소 등의 영향을 받기 어려워, 안정되어 있다. 따라서, 기체 공급 배관 (61) 의 선단을 제어조의 에칭액 (E) 내에 침지시킴으로써, 인산의 비중값을 보다 높은 정밀도로 측정할 수 있다.In detail, the liquid level height of the etching liquid (E) in the outer tank 32 fluctuates depending on bubbles generated on the liquid level of the etching liquid (E) in the outer tank 32, a decrease in the etching liquid (E) in the outer tank 32, etc. Bubbles may be generated when the etchant E flows from the inner tank 31 to the outer tank 32. The amount of etching liquid (E) in the outer tank 32 may decrease when the etching liquid (E) flows into the circulation pipe 82 by driving the circulation pump 83. In contrast, the liquid level height of the etching liquid (E) in the control tank is less affected by bubbles generated on the liquid surface of the etching liquid (E) in the outer tank 32 or a decrease in the etching liquid (E) in the outer tank 32, and is stable. It is done. Therefore, by immersing the tip of the gas supply pipe 61 in the etching liquid (E) of the control tank, the specific gravity value of phosphoric acid can be measured with higher precision.

본 발명은, 기판을 처리하는 분야에 유용하다.The present invention is useful in the field of processing substrates.

3 : 처리조
5 : 희석액 공급 라인
31 : 내조
32 : 외조
100 : 기판 처리 장치
110 : 제어 장치
130 : 기판 유지부
140 : 컨트롤러
E : 에칭액
Ma : 산화막
Mb : 질화막
SGV : 비중값 변화 기간
TV1 : 제 1 목표값
TV2 : 제 2 목표값
W : 기판3: Treatment tank
5: Diluent supply line
31: Internal affairs
32: Oejo
100: Substrate processing device
110: control device
130: substrate maintenance unit
140: controller
E: Etching solution
Ma: Oxide film
Mb: Nitride film
SGV: Specific gravity change period
TV1: first target value
TV2: second target value
W: substrate

Claims (8)

교대로 적층된 산화막과 질화막을 갖는 기판을, 처리조에 있어서, 인산을 포함하는 에칭액으로 에칭하는 기판 처리 방법으로서,
상기 에칭액에 있어서의 상기 인산의 농도에 대응하는 물리량이 제 1 목표값이 되도록, 상기 물리량을 변동시키는 파라미터를 제어하는 제 1 처리 공정과,
상기 물리량이, 상기 제 1 목표값보다 낮은 제 2 목표값이 되도록, 상기 파라미터를 제어하는 제 2 처리 공정을 포함하고,
상기 제 2 목표값은, 상기 제 1 목표값과 비교하여, 상기 질화막의 에칭 속도가 커지고, 상기 산화막의 에칭 속도가 작아지는 상기 물리량의 목표값을 나타내고,
상기 제 2 처리 공정에 있어서 상기 물리량이 상기 제 1 목표값에서 상기 제 2 목표값으로 변화할 때까지의 기간의 길이를 나타내는 비중값 변화 기간의 길이를 제어하고,
상기 비중값 변화 기간의 길이를 제어함으로써 상기 산화막의 형상이 제어되는, 기판 처리 방법.A substrate processing method in which a substrate having alternately stacked oxide and nitride films is etched with an etching solution containing phosphoric acid in a processing tank, comprising:
A first processing step of controlling a parameter that changes the physical quantity so that the physical quantity corresponding to the concentration of the phosphoric acid in the etching solution becomes a first target value;
A second processing step of controlling the parameter so that the physical quantity becomes a second target value lower than the first target value,
The second target value represents a target value of the physical quantity at which the etching rate of the nitride film increases and the etching rate of the oxide film decreases compared to the first target value,
In the second processing step, controlling the length of a specific gravity change period indicating the length of the period until the physical quantity changes from the first target value to the second target value,
A substrate processing method, wherein the shape of the oxide film is controlled by controlling the length of the specific gravity value change period. 삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 처리 공정에 있어서, 상기 제 1 목표값에서 상기 제 2 목표값까지 단계적으로 목표값을 변화시켜, 상기 비중값 변화 기간의 길이를 제어하는, 기판 처리 방법.According to claim 1,
In the second processing step, a target value is changed step by step from the first target value to the second target value, and the length of the specific gravity value change period is controlled. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 에칭액에 공급하는 희석액의 유량을 조정하여, 상기 비중값 변화 기간의 길이를 제어하는, 기판 처리 방법.According to claim 1 or 3,
A substrate processing method wherein the length of the specific gravity value change period is controlled by adjusting the flow rate of the diluent supplied to the etching solution. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 에칭액으로부터 증발하는 수분의 양을 조정하여, 상기 비중값 변화 기간의 길이를 제어하는, 기판 처리 방법.According to claim 1 or 3,
A substrate processing method in which the length of the specific gravity value change period is controlled by adjusting the amount of moisture evaporating from the etching solution. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 기판을 사용하여 제조되는 디바이스의 사이즈에 기초하여 상기 비중값 변화 기간의 길이를 결정하는 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.According to claim 1 or 3,
A substrate processing method further comprising determining the length of the specific gravity change period based on the size of a device manufactured using the substrate. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
상기 기판을 사용하여 제조되는 디바이스의 사이즈에 기초하여 상기 제 1 목표값 및 상기 제 2 목표값을 결정하는 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.According to claim 1 or 3,
A substrate processing method further comprising determining the first target value and the second target value based on the size of a device manufactured using the substrate. 교대로 적층된 산화막과 질화막을 갖는 기판을, 인산을 포함하는 에칭액으로 에칭하는 기판 처리 장치로서,
상기 에칭액을 저류하는 처리조와,
상기 처리조의 상기 에칭액 내에서 상기 기판을 유지하는 기판 유지부와,
상기 에칭액에 있어서의 상기 인산의 농도에 대응하는 물리량이 목표값이 되도록, 상기 물리량을 변동시키는 파라미터를 제어하는 파라미터 제어부와,
상기 기판의 에칭 처리 중에, 상기 목표값을, 제 1 목표값에서, 상기 제 1 목표값보다 낮은 제 2 목표값으로 변경하는 변경부를 구비하고,
상기 제 2 목표값은, 상기 제 1 목표값과 비교하여, 상기 질화막의 에칭 속도가 커지고, 상기 산화막의 에칭 속도가 작아지는 상기 물리량의 목표값을 나타내고,
상기 변경부는, 상기 물리량이 상기 제 1 목표값에서 상기 제 2 목표값으로 변화할 때까지의 기간의 길이를 나타내는 비중값 변화 기간의 길이를 제어하고,
상기 비중값 변화 기간의 길이를 제어함으로써 상기 산화막의 형상이 제어되는, 기판 처리 장치.A substrate processing device for etching a substrate having alternately stacked oxide and nitride films with an etching solution containing phosphoric acid,
a processing tank storing the etching solution;
a substrate holding portion that holds the substrate in the etching liquid of the treatment tank;
a parameter control unit that controls a parameter that changes the physical quantity so that the physical quantity corresponding to the concentration of the phosphoric acid in the etching solution becomes a target value;
A change unit configured to change the target value from a first target value to a second target value lower than the first target value during etching of the substrate,
The second target value represents a target value of the physical quantity at which the etching rate of the nitride film increases and the etching rate of the oxide film decreases compared to the first target value,
The change unit controls the length of the specific gravity change period indicating the length of the period until the physical quantity changes from the first target value to the second target value,
A substrate processing apparatus in which the shape of the oxide film is controlled by controlling the length of the specific gravity value change period.
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