KR102666445B1 - Apparatus and method for monitoring chamber - Google Patents
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Abstract
본 발명은 진공 챔버의 모니터링 장치 및 방법에 관한 것으로서, 내부에 다수의 할로겐 램프들이 구비된 하나 이상의 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 진공을 공급하기 위한 진공 펌프; 상기 공정 챔버 및 진공 펌프에 연결된 진공 라인을 개폐시키기 위한 하나 이상의 밸브; 상기 진공 라인에 연결되어 둘 이상의 가스분석기가 배치된 가스 감지부; 및 제어부를 포함하는 챔버 모니터링 장치 및 방법에 관한 기술적 사상을 개시한다.The present invention relates to an apparatus and method for monitoring a vacuum chamber, comprising: at least one process chamber equipped with a plurality of halogen lamps therein; a vacuum pump for supplying vacuum to the process chamber; One or more valves for opening and closing a vacuum line connected to the process chamber and a vacuum pump; A gas detection unit connected to the vacuum line and equipped with two or more gas analyzers; and a chamber monitoring device and method including a control unit.
Description
본 발명은 진공 챔버의 모니터링 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 장비나 부품을 건조시키는 챔버에서 방출되는 가스를 감지하는 챔버 모니터링 장치 및 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a vacuum chamber monitoring device and method, and more specifically, to a chamber monitoring device and method for detecting gas emitted from a chamber for drying semiconductor equipment or components.
반도체 소자 등의 재료를 건조하기 위해 진공 건조 작업을 수행할 때, 진공 건조 작업을 진행할 챔버를 진공 상태로 유지하기 위해 진공 펌프를 사용한다. 이때, 진공 펌프와 진공 챔버를 진공 라인이 연결한다. When performing a vacuum drying operation to dry materials such as semiconductor devices, a vacuum pump is used to maintain the chamber in which the vacuum drying operation will be performed in a vacuum state. At this time, a vacuum line connects the vacuum pump and the vacuum chamber.
진공 건조를 위한 열원에서 불순물 가스가 발생할 경우 챔버 내 작업물의 불량 요소로 발생하게 된다. 또한, 진공 챔버와 연결된 진공 라인 내에 불순물 가스가 존재할 경우에도 역시 작업물의 불량 요소가 되고, 챔버 내로 역유입될 수 있는 문제가 있다. If impurity gas is generated from the heat source for vacuum drying, it will be generated as a defective element of the workpiece in the chamber. Additionally, if impurity gas is present in the vacuum line connected to the vacuum chamber, it may become a defective element of the workpiece and may flow back into the chamber.
웨이퍼 건조장치에 관한 종래기술에 따르면, 챔버와, 상기 챔버 내에 구비되어 웨이퍼를 고정시키는 가이드 척을 포함하는 웨이퍼 건조장치에 있어서, 상기 챔버의 상부에 장착되며, 외부로부터 공급되는 이소프로필 알콜을 분사하는 수단; 상기 챔버 내부가 소정 온도로 유지되도록 그의 외주면에 장착되는 가열수단; 상기 가열수단에 전원을 공급하는 수단; 상기 챔버의 저면부에 장착되어 그의 내부에 분사된 이소프로필 알콜을 외부로 배출하는 수단; 상기 이소플로필 알코올 배출 수단의 일측에 장착되어 챔버에 진공을 제공하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 건조장치를 개시하고 있고, 가열수단으로 코일을 개시하고 있다. According to the prior art regarding a wafer drying apparatus, a wafer drying apparatus including a chamber and a guide chuck provided in the chamber to fix the wafer, is mounted on the upper part of the chamber and sprays isopropyl alcohol supplied from the outside. means of doing; Heating means mounted on the outer circumferential surface of the chamber to maintain the inside of the chamber at a predetermined temperature; means for supplying power to the heating means; a means mounted on the bottom of the chamber to discharge isopropyl alcohol sprayed into the chamber to the outside; A wafer drying device is disclosed, characterized in that it includes a means for providing a vacuum to the chamber mounted on one side of the isopropyl alcohol discharge means, and a coil is disclosed as a heating means.
그러나, 코일과 같은 메탈을 사용하면, 열원 자체에서 가스가 방출되어 진공 챔버 내의 작업물을 오염시킬 수 있다. 또한, 열원으로부터 방출되는 가스의 제어가 불가능한 문제점이 발생한다. However, when metal such as coils are used, gases may be released from the heat source itself, contaminating the workpiece within the vacuum chamber. Additionally, a problem arises in which it is impossible to control the gas emitted from the heat source.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 진공 챔버 내에서 발생하는 가스를 실시간으로 감지하는 챔버 모니터링 장치 및 방법을 제공하는 데 있다. The present invention is intended to solve the problems described above and provides a chamber monitoring device and method for detecting gas generated within a vacuum chamber in real time.
본 발명의 해결 과제는 이상에서 언급된 것에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 해결과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to those mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.
본 발명의 하나의 실시예는 내부에 다수의 할로겐 램프들이 구비된 하나 이상의 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 진공을 공급하기 위한 진공 펌프; 상기 공정 챔버 및 진공 펌프에 연결된 진공 라인을 개폐시키기 위한 하나 이상의 밸브; 상기 진공 라인에 연결되어 둘 이상의 가스분석기가 배치된 가스 감지부; 및 제어부를 포함하며, 상기 둘 이상의 가스분석기는 서로 다른 종류인 챔버 모니터링 장치를 제공한다. One embodiment of the present invention includes one or more process chambers equipped with a plurality of halogen lamps therein; a vacuum pump for supplying vacuum to the process chamber; One or more valves for opening and closing a vacuum line connected to the process chamber and a vacuum pump; A gas detection unit connected to the vacuum line and equipped with two or more gas analyzers; and a control unit, wherein the two or more gas analyzers provide different types of chamber monitoring devices.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 둘 이상의 가스분석기는, 광발광분석기(SP-OES), 사중극자질량분석기(QMS), 비분산적외선감지기(NDIR), 유도 결합형 플라즈마 광학 방출 (ICP-OE) 분석기, 적외선 흡수 분석기 (infrared absorption spectrometer), 및 푸리에 변환 적외선 (Fourier transform infrared, FTIR) 분석기 중에서 각각 선택될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the two or more gas analyzers include an optical emission spectrometer (SP-OES), a quadrupole mass spectrometer (QMS), a non-dispersive infrared detector (NDIR), and an inductively coupled plasma optical emission (ICP-). OE) analyzer, infrared absorption spectrometer, and Fourier transform infrared (FTIR) analyzer.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 둘 이상의 가스분석기는, 광발광분석기(SP-OES) 및 사중극자질량분석기(QMS)일 수 있다.In one embodiment of the present invention, the two or more gas analyzers may be an optical emission spectrometer (SP-OES) and a quadrupole mass spectrometer (QMS).
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 제어부는, 광발광분석기(SP-OES)에서 분석한 성분들의 피크값과 사중극자질량분석기(QMS)에서 분석한 성분들의 질량값을 비교하여, 공정 챔버 내의 샘플에서 방출한 가스의 종류와 양을 분석할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the control unit compares the peak values of the components analyzed by the photoluminescence spectrometer (SP-OES) and the mass values of the components analyzed by the quadrupole mass spectrometer (QMS), The type and amount of gas released from the sample can be analyzed.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 둘 이상의 가스분석기들은 이들의 진공도를 제어할 수 있도록, 상기 공정 챔버와 진공 펌프 사이의 진공 라인에서 복수 개로 분기한 진공 라인의 각각에 배치될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the two or more gas analyzers may be disposed on each of a plurality of branched vacuum lines from the vacuum line between the process chamber and the vacuum pump to control the degree of vacuum.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 공정 챔버는 작업물에 열을 가하여 건조하기 위한 챔버일 수 있다. In one embodiment of the present invention, the process chamber may be a chamber for drying the workpiece by applying heat to the workpiece.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 공정 챔버는, 내부에 작업물을 로딩할 수 있는 트레이; 및 챔버의 온도를 감지하는 다수 개의 서모커플(thermocouple)을 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the process chamber includes a tray capable of loading a workpiece therein; and a plurality of thermocouples that sense the temperature of the chamber.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 서모커플 중 일부는 위치 조절이 가능하도록 배치할 수 있다. In one embodiment of the present invention, some of the thermocouples may be arranged to allow position adjustment.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 할로겐 램프들은, 램프에서 발생하는 열이 작업물의 표면에 균등하게 전달될 수 있도록 챔버의 내벽을 따라 일정한 간격을 두고 배치되고, 각각 석영(Qiarts) 캡을 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the halogen lamps are arranged at regular intervals along the inner wall of the chamber so that the heat generated from the lamp can be evenly transferred to the surface of the workpiece, and each is equipped with a quartz cap. can do.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 공정 챔버는 할로겐 램프들과 로딩 중인 제품이 접촉하지 않도록 도어측의 챔버 본체에, 할로겐 램프들의 일 단부가 고정될 수 있는 고정벽이 구비될 수 있다. In one embodiment of the present invention, the process chamber may be provided with a fixing wall on which one end of the halogen lamps can be fixed to the chamber body on the door side to prevent the halogen lamps from contacting the product being loaded.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 제어부는, 실시간으로 정보를 나타내는 표시부; 및 기설정된 정보에 기초하여 이상 정보 발생시 경고음을 알리는 알람발생부를 구비할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the control unit includes a display unit that displays information in real time; and an alarm generator that sounds a warning sound when abnormal information occurs based on preset information.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 제어부는, 챔버의 진공과 온도를 조절하는 챔버 조절부; 상기 둘 이상의 가스분석기들의 이상 여부를 확인하여 각각 독립적으로 작동 여부를 조절하는 분석기 조절부를 더 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the control unit includes a chamber control unit that adjusts the vacuum and temperature of the chamber; It may further include an analyzer control unit that checks whether the two or more gas analyzers are abnormal and independently controls whether they operate.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 하나 이상의 밸브는, 공정 챔버와 인접한 진공 라인에 배치된 제1 밸브; 사중극자질량분석기와 광발광분석기 각각과 인접한 진공 라인에 배치된 제2 밸브들; 및 진공 펌프와 인접한 진공 라인에 배치된 제3 밸브를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 밸브들을 각각 독립적으로 조절할 수 있다.In one embodiment of the invention, the one or more valves include: a first valve disposed in a vacuum line adjacent to the process chamber; second valves disposed in a vacuum line adjacent to each of the quadrupole mass spectrometer and the photoluminescence spectrometer; and a third valve disposed in a vacuum line adjacent to the vacuum pump, wherein the control unit can independently control the valves.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 하나 이상의 공정 챔버는, 크기와 형상이 다른 두 개의 챔버이고, 두 개의 챔버가 동시 또는 각각 개별적으로 진공 및 히팅 조절이 가능할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the one or more process chambers are two chambers of different sizes and shapes, and the two chambers may be capable of controlling vacuum and heating simultaneously or individually.
본 발명의 하나의 실시예는 내부에 다수의 할로겐 램프들이 구비된 공정 챔버의 진공과 온도를 조절하고, 둘 이상의 가스분석기가 배치된 가스 감지부에서 공정 챔버 내에서 방출되는 성분을 분석하며, 제어부에서 분석된 성분을 실시간으로 알려주고 제어하는 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 방법을 제공한다. One embodiment of the present invention controls the vacuum and temperature of a process chamber equipped with a plurality of halogen lamps therein, analyzes components emitted within the process chamber in a gas detection unit in which two or more gas analyzers are arranged, and controls the vacuum and temperature of a process chamber equipped with a plurality of halogen lamps therein. Provides a chamber monitoring method characterized by informing and controlling the analyzed components in real time.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 둘 이상의 가스분석기는, 광발광분석기(SP-OES) 및 사중극자질량분석기(QMS)이고, 상기 제어부는, 상기 광발광분석기에서 공정 챔버 내의 샘플에서 발생되는 성분의 플라즈마 광이미지의 피크값을 기초로 특정 원소에 대한 데이터를 모니터링하고, 상기 사중극자질량분석기에서 검출되는 성분들의 질량값의 데이터를 모니터링 한 후, 상기 데이터들을 분석하여 챔버 내에서 방출되는 성분을 실시간으로 알려줄 수 있다. In one embodiment of the present invention, the two or more gas analyzers are a photoluminescence spectrometer (SP-OES) and a quadrupole mass spectrometer (QMS), and the control unit controls the photoluminescence spectrometer to generate a sample in the process chamber. Monitor data for a specific element based on the peak value of the plasma optical image of the element, monitor the mass value data of the elements detected by the quadrupole mass spectrometer, and then analyze the data to determine the components emitted within the chamber. can be notified in real time.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 가스분석기는, 비분산적외선감지기(NDIR)를 더 포함하고, 상기 제어부는, 상기 비분산적외선감지기에서 검출되는 성분의 농도를 모니터링하는 단계를 더 포함할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the gas analyzer further includes a non-dispersive infrared detector (NDIR), and the control unit may further include monitoring the concentration of a component detected by the non-dispersive infrared detector. there is.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 제어부는, 챔버 조절부에서 기설정된 정보에 기초하여 이상정보 발생시 공정 챔버의 작동을 제어하고, 분석기 조절부에서 가스분석기들의 이상 여부를 확인하여 각각 독립적으로 작동 여부를 제어할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the control unit controls the operation of the process chamber when abnormal information occurs based on information preset in the chamber control unit, and the analyzer control unit checks whether there is an abnormality in the gas analyzers and operates each independently. You can control whether or not
본 발명에 따른 챔버 모니터링 장치 및 방법은 열원으로 할로겐 램프를 사용하므로, 열원 자체에서 챔버 내로 불순물 가스가 방출되지 않게 되는 효과가 있다. 또한, 둘 이상의 가스분석기들을 사용하여 가스를 분석하므로, 챔버 내의 잔류 가스 및 진공 라인 내의 잔류 가스의 종류를 정확하게 감지할 수 있는 장점이 있다. 또한, 실시간으로 가스를 모니터링하므로, 공정 제어를 효율적으로 운용할 수 있는 장점이 있다. Since the chamber monitoring device and method according to the present invention uses a halogen lamp as a heat source, it has the effect of preventing impurity gases from being released into the chamber from the heat source itself. In addition, since gas is analyzed using two or more gas analyzers, there is an advantage of accurately detecting the type of residual gas in the chamber and the residual gas in the vacuum line. In addition, since gas is monitored in real time, there is an advantage in that process control can be operated efficiently.
본 발명의 효과는 이상에서 언급한 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로The effects of the present invention are not limited to those mentioned above, and other effects not mentioned are described below.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따라, 각 구성들을 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 진공 챔버를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 광발광분석기와 사중극자질량분석기의 데이터를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 제어부의 구성을 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 챔버 모니터링 방법을 나타낸 순서도이다. Figure 1 shows each configuration according to one embodiment of the present invention.
Figure 2 shows a vacuum chamber according to one embodiment of the present invention.
Figure 3 shows data from a photoluminescence spectrometer and a quadrupole mass spectrometer according to one embodiment of the present invention.
Figure 4 shows the configuration of a control unit according to one embodiment of the present invention.
Figure 5 is a flowchart showing a chamber monitoring method according to an embodiment of the present invention.
본 발명에 따른 챔버 모니터링 장치 및 방법은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 기술적 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일하거나 유사한 구성에 대해서는 동일하거나 유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다. 본 명세서에서 사용되는 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The chamber monitoring device and method according to the present invention can be modified in various ways and can have various embodiments. Specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all changes, equivalents, and substitutes included in the technical spirit and scope of the present invention. In this specification, the same or similar reference numbers are assigned to the same or similar components even in different embodiments, and the description is replaced with the first description. As used herein, singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
도 1은 본 발명의 하나의 실시예에 따라, 각 구성들을 나타낸 것이다. 도 2는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 진공 챔버를 나타낸 것이다. 도 3은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 광발광분석기와 사중극자질량분석기의 데이터를 나타낸 것이다. 도 4는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 제어부의 구성을 나타낸 것이다. 도 5는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 챔버 모니터링 방법을 나타낸 순서도이다. Figure 1 shows each configuration according to one embodiment of the present invention. Figure 2 shows a vacuum chamber according to one embodiment of the present invention. Figure 3 shows data from a photoluminescence spectrometer and a quadrupole mass spectrometer according to one embodiment of the present invention. Figure 4 shows the configuration of a control unit according to one embodiment of the present invention. Figure 5 is a flowchart showing a chamber monitoring method according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 하나의 실시예는 내부에 다수의 할로겐 램프(10)들이 구비된 하나 이상의 공정 챔버(100); 상기 공정 챔버(100)에 진공을 공급하기 위한 진공 펌프(500); 상기 공정 챔버(100) 및 진공 펌프(500)에 연결된 진공 라인(400)을 개폐시키기 위한 하나 이상의 밸브(412, 414, 416, 418); 상기 진공 라인(400)에 연결되어 배치된 광발광분석기(SP-OES)(210)와 사중극자질량분석기(QMS)(220)를 포함하는 가스 감지부(200); 및 제어부(300)를 포함하는 챔버 모니터링 장치를 제공한다. One embodiment of the present invention includes one or more process chambers 100 equipped with a plurality of halogen lamps 10 therein; A vacuum pump 500 for supplying vacuum to the process chamber 100; One or more valves 412, 414, 416, 418 for opening and closing the vacuum line 400 connected to the process chamber 100 and the vacuum pump 500; A gas detection unit 200 including a photoluminescence spectrometer (SP-OES) 210 and a quadrupole mass spectrometer (QMS) 220 connected to the vacuum line 400; and a chamber monitoring device including a control unit 300.
본 발명의 하나의 실시예에 따른 장치 및 방법에서, 상기 둘 이상의 가스분석기는, 광발광분석기(SP-OES)(210), 사중극자질량분석기(QMS)(220), 비분산적외선감지기(NDIR) (미도시), 유도 결합형 플라즈마 광학 방출 (ICP-OE) 분석기(미도시), 적외선 흡수 분석기 (infrared absorption spectrometer) (미도시), 및 푸리에 변환 적외선 (Fourier transform infrared, FTIR) 분석기(미도시) 중에서 각각 선택될 수 있다. 구체적으로 광발광분석기(SP-OES)(210)와 사중극자질량분석기(QMS)(220)를 포함할 수 있다. 또는 광발광분석기(SP-OES)(210)와 사중극자질량분석기(QMS)(220) 중 하나를 포함하고, 나머지 가스분석기 중 하나를 포함할 수 있다. 또는 광발광분석기(SP-OES)(210)와 사중극자질량분석기(QMS)(220)를 포함하고, 나머지 가스분석기 중 하나를 포함할 수 있다. 또는 상기 분석기 중 서로 다른 3개 이상을 포함할 수 있다. In the device and method according to one embodiment of the present invention, the two or more gas analyzers include a photoluminescence spectrometer (SP-OES) 210, a quadrupole mass spectrometer (QMS) 220, and a non-dispersive infrared detector (NDIR). ) (not shown), inductively coupled plasma optical emission (ICP-OE) analyzer (not shown), infrared absorption spectrometer (not shown), and Fourier transform infrared (FTIR) analyzer (not shown) poems) can be selected respectively. Specifically, it may include an optical emission spectrometer (SP-OES) (210) and a quadrupole mass spectrometer (QMS) (220). Alternatively, it may include one of an optical emission spectrometer (SP-OES) 210 and a quadrupole mass spectrometer (QMS) 220, and one of the remaining gas analyzers. Alternatively, it may include a photoluminescence spectrometer (SP-OES) 210 and a quadrupole mass spectrometer (QMS) 220, and one of the remaining gas analyzers. Alternatively, it may include three or more different analyzers.
본 발명에 따른, 챔버 모니터링 장치는 도 1에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(100), 가스 감지부(200), 제어부(300), 진공 라인(400), 밸브(412, 414, 416, 418) 및 진공 펌프(500)를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 1, the chamber monitoring device according to the present invention includes a process chamber 100, a gas detection unit 200, a control unit 300, a vacuum line 400, and valves 412, 414, 416, and 418. ) and a vacuum pump 500.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 공정 챔버(100)는 작업물에 열을 가하여 건조하기 위한 챔버이다. In one embodiment of the present invention, the process chamber 100 is a chamber for drying the workpiece by applying heat to the workpiece.
공정 챔버는 소정의 진공압과 온도와 같은 공정분위기를 유지하여 공정을 진행한다. 공정 챔버는 외관을 형성하며 검사 등에 사용되는 각종 기기를 지지하는 챔버 케이싱을 갖는다The process chamber proceeds with the process by maintaining a process atmosphere such as a predetermined vacuum pressure and temperature. The process chamber has a chamber casing that forms the exterior and supports various devices used for inspection, etc.
본 발명의 하나의 실시예에서 공정 챔버에서의 열원으로 할로겐 램프(10)를 사용할 수 있다. 할로겐 램프는 300℃~2000℃의 열이 발생되므로 높은 작업효율을 가지는 장점이 있다. 할로겐 램프는 작업물의 진공 건조시 필요한 건조 온도에 따라 적절하게 온도를 조절하여 설정할 수 있다. 예를 들어, 특정 작업물을 건조시키기 위해 400℃~500℃의 온도를 유지하도록 조절할 수 있고, 빠르게 가열되는 장점이 있다. 또한, 할로겐 램프는 열원 자체에서 가스가 발생하지 않는 장점이 있다. In one embodiment of the present invention, a halogen lamp 10 may be used as a heat source in the process chamber. Halogen lamps have the advantage of high work efficiency because they generate heat of 300℃~2000℃. The halogen lamp can be set by adjusting the temperature appropriately according to the drying temperature required when vacuum drying the workpiece. For example, it can be adjusted to maintain a temperature of 400℃~500℃ to dry a specific workpiece, and has the advantage of being heated quickly. Additionally, halogen lamps have the advantage of not generating gas from the heat source itself.
종래의 열원으로 메탈 코일을 사용하거나, 챔버 내벽을 메탈로 제작하여 메탈을 가열하는 방법으로 챔버 내의 온도를 높이는 경우에는, 메탈 자체가 열에 의해 기화되어 가스를 발생시킬 수 있다. 또한, 작업물에서 발생하는 가스가 챔버 냉각시 열원인 메탈에 달라붙어서 고착화되고, 다음 건조 작업을 위해 다시 온도를 높이는 경우 이전 공정에서 발생하여 고착된 가스가 다시 기화되는 문제점이 있다.When a metal coil is used as a conventional heat source or the inner wall of the chamber is made of metal to increase the temperature in the chamber by heating the metal, the metal itself may be vaporized by heat to generate gas. In addition, there is a problem in that the gas generated from the workpiece sticks to the metal, which is the heat source, when cooling the chamber and becomes fixed, and when the temperature is raised again for the next drying process, the gas generated in the previous process is vaporized again.
그러나, 할로겐 램프를 열원으로 사용하면 열원 자체에서 가스 발생을 방지하는 장점이 있고, 작업물에서 발생한 가스가 열원에 달라붙지 않는 장점이 있다. 또한, 이전 공정에서 발생한 가스가 다음 공정에 영향을 주지 않는 장점이 있다. 그리고, 할로겐 램프는 부품의 형태로 제공되므로 사용 도중 램프가 손상되거나 하자가 발생하면 교체가 손쉬운 장점이 있기 때문에 챔버의 유지 보수 효율이 매우 높아지게 된다.However, using a halogen lamp as a heat source has the advantage of preventing gas generation from the heat source itself and prevents gas generated from the work from sticking to the heat source. Additionally, there is an advantage that gases generated in the previous process do not affect the next process. In addition, since halogen lamps are provided in the form of parts, they have the advantage of being easy to replace if the lamp is damaged or defective during use, greatly increasing the maintenance efficiency of the chamber.
도 2를 참조하면, 상기 할로겐 램프(10)들은, 램프에서 발생하는 열이 작업물의 표면에 균등하게 전달될 수 있도록 챔버의 내벽을 따라 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다. 또는, 작업물의 표면에 균등하게 열을 전달하기 위하여 할로겐 램프의 형상을 작업물의 형상에 맞추어 제작할 수도 있다. Referring to FIG. 2, the halogen lamps 10 may be arranged at regular intervals along the inner wall of the chamber so that heat generated from the lamp can be evenly transferred to the surface of the workpiece. Alternatively, the shape of the halogen lamp may be manufactured to match the shape of the workpiece in order to evenly transfer heat to the surface of the workpiece.
할로겐 램프(10)는 램프의 손상을 방지하고, 열 방출을 방해하지 않도록 램프마다 각각 석영(Qiarts) 캡을 구비할 수 있다. The halogen lamp 10 may be equipped with a quartz cap for each lamp to prevent damage to the lamp and not to disturb heat emission.
도 2를 참조하면, 상기 공정 챔버는 할로겐 램프들과 로딩 중인 제품이 접촉하지 않도록 도어측의 챔버 본체에, 할로겐 램프들의 일 단부가 고정될 수 있는 고정벽(30)이 구비될 수 있다.Referring to FIG. 2, the process chamber may be provided with a fixing wall 30 on which one end of the halogen lamps can be fixed to the chamber body on the door side to prevent the halogen lamps from coming into contact with the product being loaded.
본 발명의 하나의 실시예에서, 공정 챔버의 도어는 챔버 본체와 힌지 결합될 수 있고, 작업상태를 확인할 수 있는 도어에 투시윈도우가 구비될 수도 있다.In one embodiment of the present invention, the door of the process chamber may be hinged to the chamber body, and a viewing window may be provided on the door to check the working status.
진공 건조를 위한 작업물은 소정의 공정 챔버에 이송되고, 트레이는 작업물을 지지하고 로딩할 수 있으며, 이송 컨베이어, 선반과 같이 다양한 종류를 포함한다. Workpieces for vacuum drying are transferred to a predetermined process chamber, and trays can support and load the workpieces and include various types such as transfer conveyors and shelves.
도 2를 참조하면, 상기 공정 챔버(100)는, 내부에 작업물을 로딩할 수 있는 트레이(20)를 구비할 수 있다. 상기 공정 챔버는 작업물 로딩을 쉽게 하기 위해 좌우측 내벽에 레일(40)과 브래킷(50)을 구비할 수 있다. 또한, 진공 라인(400)과 연결된 배기구(420)를 구비할 수 있다. Referring to FIG. 2, the process chamber 100 may be provided with a tray 20 on which workpieces can be loaded. The process chamber may be provided with rails 40 and brackets 50 on the left and right inner walls to facilitate workpiece loading. Additionally, an exhaust port 420 connected to the vacuum line 400 may be provided.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 하나 이상의 공정 챔버(100)는, 크기와 형상이 다른 두 개의 챔버이고, 두 개의 챔버가 동시 또는 각각 개별적으로 진공 및 히팅 조절이 가능할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the one or more process chambers 100 are two chambers of different sizes and shapes, and the two chambers may be capable of controlling vacuum and heating simultaneously or individually.
도 2를 참조하면, 상기 챔버들은 크기가 상이한 두 개의 챔버이고, 하나의 챔버는 육면체(110)이고, 또 다른 챔버는 원통형(120)일 수 있다. 예를 들어, 크기가 작은 작업물인 경우 육면체의 챔버를 사용할 수 있고, 크기가 큰 작업물인 경우 원통형의 챔버를 사용할 수도 있으므로, 작업물의 크기와 형상, 가열 온도에 따라 적절한 챔버의 형상을 선택할 수 있는 장점이 있고, 두 개의 챔버를 구동할 수 있으므로 작업의 효율성이 증진되고, 시간이 절감되는 등의 장점이 있다. Referring to Figure 2, the chambers are two chambers of different sizes, one chamber may be hexahedral (110), and the other chamber may be cylindrical (120). For example, for small-sized workpieces, a hexahedral chamber can be used, and for large-sized workpieces, a cylindrical chamber can be used. Therefore, the appropriate chamber shape can be selected depending on the size and shape of the workpiece and heating temperature. There is an advantage, and since two chambers can be operated, work efficiency is improved and time is saved.
본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 공정 챔버(100)는, 챔버의 온도를 감지하는 다수 개의 서모커플(thermocouple)을 구비할 수 있다. 상기 서모커플 중 일부는 위치 조절이 가능하도록 배치할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the process chamber 100 may be equipped with a plurality of thermocouples that sense the temperature of the chamber. Some of the thermocouples can be arranged to allow position adjustment.
예를 들어, 하나의 공정 챔버에 6개의 서모커플을 포함할 때, 2개의 서모커플의 위치를 유동적으로 조절할 수 있도록 배치할 수 있다. 정확성과 효율성을 높이기 위해 작업물과의 거리를 고려하여 서모커플의 위치를 배치하여 챔버 내의 온도를 측정할 수 있다. For example, when six thermocouples are included in one process chamber, the positions of two thermocouples can be arranged so that they can be flexibly adjusted. To increase accuracy and efficiency, the temperature within the chamber can be measured by placing the thermocouple in consideration of the distance from the workpiece.
도 5를 참조하면, 본 발명의 하나의 실시예는, 내부에 다수의 할로겐 램프들이 구비된 공정 챔버의 진공과 온도를 조절하고(S100), 광발광분석기(SP-OES: Self Plasma Optical Emission Spectroscope)와 사중극자질량분석기(QMS: quadrupole mass spectrometer)를 포함하는 가스 감지부에서 공정 챔버 내에서 방출되는 성분을 분석하며(S200), 제어부에서 분석된 성분을 실시간으로 알려주고 제어하는(S300) 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 방법을 제공한다. Referring to FIG. 5, one embodiment of the present invention adjusts the vacuum and temperature of a process chamber equipped with a plurality of halogen lamps therein (S100) and uses an optical emission spectrometer (SP-OES: Self Plasma Optical Emission Spectroscope) ) and a quadrupole mass spectrometer (QMS: quadrupole mass spectrometer) analyzes the components emitted within the process chamber (S200), and the control section informs and controls the analyzed components in real time (S300). Provides a chamber monitoring method.
도 1을 참조하면, 본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 광발광분석기(210)와 사중극자질량분석기(220)는, 분석기들의 진공도를 제어할 수 있도록, 상기 공정 챔버(100)와 진공 펌프(500) 사이의 진공 라인(400)에서 복수 개로 분기한 진공 라인(400)의 각각에 배치될 수 있다. 그리고, 비분산적외선감지기(미도시)가 배치된 경우에도 이의 진공도를 제어할 수 있도록, 상기 분기한 진공 라인과 다른 진공 라인(400)에 배치될 수 있다. Referring to FIG. 1, in one embodiment of the present invention, the photoluminescence spectrometer 210 and the quadrupole mass spectrometer 220 are equipped with the process chamber 100 and a vacuum pump to control the degree of vacuum of the analyzers. It may be disposed in each of the vacuum lines 400 branched into a plurality of vacuum lines 400 between the lines 500 and 500 . Also, even when a non-dispersive infrared sensor (not shown) is placed, it can be placed in a vacuum line 400 that is different from the branched vacuum line so that its vacuum level can be controlled.
상기 공정 챔버(100) 및 진공 펌프(500)에 연결된 진공 라인(400)을 개폐시키기 위한 하나 이상의 밸브(410)가 배치될 수 있다. One or more valves 410 may be disposed to open and close the vacuum line 400 connected to the process chamber 100 and the vacuum pump 500.
공정 챔버와 인접한 진공 라인에 배치된 제1 밸브(412)가 배치되어 제어될 수 있고, 진공 펌프와 인접한 진공 라인에 배치된 제3 밸브(418)가 배치되어 제어될 수 있다. 상기 밸브들을 제어부가 각각 독립적으로 조절하여 공정 챔버의 진공을 조절할 수 있다. A first valve 412 disposed in a vacuum line adjacent to the process chamber may be disposed and controlled, and a third valve 418 disposed in a vacuum line adjacent to a vacuum pump may be disposed and controlled. The control unit can independently adjust the valves to control the vacuum of the process chamber.
또한, 가스분석기 각각과 인접한 진공 라인에 제2 밸브들(414,416)이 배치되어 제어될 수 있다 예를 들어, 사중극자질량분석기와 인접한 진공 라인에 제2 밸브(414)가 배치되어 제어될 수 있고, 광발광분석기와 인접한 진공 라인에 제2 밸브(416)가 배치되어 제어될 수 있다. 이때, 배관 내의 압력이 작동불가로 기설정된 압력값에 도달시, 제2 밸브들 중 기설정된 압력값에 도달한 제2 밸브를 제어하여 자동으로 오프(off) 상태로 조절할 수 있다. In addition, second valves 414 and 416 may be placed and controlled in a vacuum line adjacent to each gas analyzer. For example, the second valve 414 may be placed and controlled in a vacuum line adjacent to a quadrupole mass spectrometer. , the second valve 416 may be placed and controlled in a vacuum line adjacent to the photoluminescence analyzer. At this time, when the pressure in the pipe reaches a preset pressure value that makes it inoperable, the second valve among the second valves that has reached the preset pressure value can be controlled and automatically adjusted to an off state.
상기 밸브들은 진공을 유지하고 분석기 등의 장비 손상을 막기 위해 제어부에서 독립적으로 조절하여 제어할 수 있는 점이 중요하다.It is important that the valves can be independently adjusted and controlled by the control unit to maintain vacuum and prevent damage to equipment such as analyzers.
본 발명의 하나의 실시예에서, 제어부(300)는, 광발광분석기(210)에서 분석한 성분들의 피크값과 사중극자질량분석기(220)에서 분석한 성분들의 질량값을 비교하여, 공정 챔버(100) 내의 샘플에서 방출한 가스의 종류와 양을 분석할 수 있다. In one embodiment of the present invention, the control unit 300 compares the peak values of the components analyzed by the photoluminescence analyzer 210 and the mass values of the components analyzed by the quadrupole mass spectrometer 220, and compares the mass values of the components analyzed by the quadrupole mass spectrometer 220, 100) The type and amount of gas emitted from the sample can be analyzed.
더욱 구체적으로, 상기 제어부(300)는, 상기 광발광분석기(210)에서 공정 챔버 내의 샘플에서 발생되는 성분의 플라즈마 광이미지의 피크값을 기초로 특정 원소에 대한 데이터를 저장하고, 상기 사중극자질량분석기(220)에서 검출되는 성분들의 질량값의 데이터를 저장한 후, 상기 데이터들을 분석하여 챔버 내에서 방출되는 성분을 실시간으로 알려줄 수 있다. 또한, 가스분석기가 비분산적외선감지기를 더 포함할 경우, 상기 제어부는 비분산적외선감지기에서 검출되는 성분의 농도를 모니터링하는 단계를 더 포함하여 가스의 종류와 양에 대한 데이터를 분석하여 챔버 내에서 방출되는 성분을 실시간으로 알려줄 수 있다. More specifically, the control unit 300 stores data on a specific element based on the peak value of the plasma optical image of the component generated from the sample in the process chamber in the photoluminescence analyzer 210, and stores the quadrupole mass. After storing data on the mass values of components detected by the analyzer 220, the data can be analyzed to provide real-time information on the components emitted within the chamber. In addition, when the gas analyzer further includes a non-dispersive infrared detector, the control unit further includes the step of monitoring the concentration of the component detected by the non-dispersive infrared detector to analyze data on the type and amount of gas within the chamber. It can inform you of the components being released in real time.
이때, 플라즈마 광이미지의 피크값의 개수는 공정 변화에 따라 여러 개, 수십 개 내지 수천 개가 존재할 수도 있다. At this time, the number of peak values of the plasma optical image may be several, tens, or even thousands depending on process changes.
광발광분석기는 플라즈마 광이미지의 피크값을 구성하는 특정 원소에 대한 데이터, 예를 들어 종류와 양에 대한 데이터를 검출할 수 있다. A photoluminescence analyzer can detect data on specific elements that constitute the peak value of a plasma optical image, for example, data on type and amount.
사중극자질량분석기는 검출되는 성분들의 성분들의 질량값의 데이터를 검출할 수 있다. A quadrupole mass spectrometer can detect data on the mass values of the components to be detected.
제어부는 광이미지의 피크값의 데이터들과 대응되는 질량값의 데이터들을 비교하여 방출되는 성분을 분석할 수 있다. 상기 분석된 성분들에 대한 데이터는 제어부의 표시부에 나타낼 수 있다. 도 3을 참고하면, 광 이미지의 피크값에서 H와 OH가 분석되고, 대응되는 질량값에서 18이 검출되면, 방출되는 성분이 물(H2O)로 분석할 수 있다. The control unit may analyze the emitted components by comparing the peak value data of the optical image with the corresponding mass value data. Data on the analyzed components can be displayed on the display of the control unit. Referring to FIG. 3, if H and OH are analyzed in the peak value of the optical image, and 18 is detected in the corresponding mass value, the emitted component can be analyzed as water (H 2 O).
사중극자질량분석기는 질량값만을 분석하고, 광발광분석기는 각각의 원소로 분석하므로, 만약, 둘 중 하나의 기기만으로 분석할 경우에는 분석자의 판단에 따라 가스의 종류를 분석할 수밖에 없기 때문에 분석의 정확도가 감소할 수 있다. 즉, 광발광분석기로 분석시, H 성분 검출량이 급상승하면, H2O에서 기인한 것인지, 다른 성분에서 기인한 것인지 알 수 없는 문제가 있다. 그러나, 두 종류의 분석기를 적용하므로 분석기 각각의 분석 데이터를 상호 대응시키면서 정확한 가스의 분석이 실시간으로 가능하고, 이에 대한 조치가 신속하고 정확하게 실행될 수 있는 장점이 있다. The quadrupole mass spectrometer analyzes only the mass value, and the photoluminescence spectrometer analyzes each element. Therefore, if analysis is performed with only one of the two instruments, the type of gas has no choice but to be analyzed at the analyst's discretion, making analysis difficult. Accuracy may decrease. That is, when analyzing with a photoluminescence spectrometer, if the detected amount of H component increases rapidly, there is a problem of not knowing whether it is caused by H 2 O or another component. However, since two types of analyzers are applied, accurate gas analysis is possible in real time while the analysis data of each analyzer corresponds to each other, and there is an advantage in that measures can be taken quickly and accurately.
또한, 일산화탄소(CO), 이산화탄소(CO2), 이산화황(SO2), 일산화질소(NO), 이산화질소(NO2), 암모니아(NH3), 염화수소(HCl), 불화수소(HF), 메탄(CH4), 수증기(H20) 등의 가스들이 고유한 적외선 흡수 파장을 가지므로 비분산적외선감지기를 적용할 경우 특정 가스들의 농도를 감지할 수 있다. 비분산적외선감지기를 적용하고, 사중극자질량분석기와 광발광분석기 중 하나를 적용하면 실시간으로 가스 분석의 정확성을 높일 수 있다. 또는, 비분산적외선감지기와, 사중극자질량분석기와, 광발광분석기 모두를 적용하면, 더욱 가스 분석의 정확성을 높일 수 있고, 이에 대한 조치가 신속하고 정확하게 실행될 수 있는 장점이 있다.In addition, carbon monoxide (CO), carbon dioxide (CO 2 ), sulfur dioxide (SO 2 ), nitrogen monoxide (NO), nitrogen dioxide (NO 2 ), ammonia (NH 3 ), hydrogen chloride (HCl), hydrogen fluoride (HF), and methane ( Since gases such as CH 4 ) and water vapor (H 2 0) have unique infrared absorption wavelengths, the concentration of specific gases can be detected when a non-dispersive infrared detector is applied. By applying a non-dispersive infrared detector and either a quadrupole mass spectrometer or a photoluminescence spectrometer, the accuracy of gas analysis can be improved in real time. Alternatively, applying all of the non-dispersive infrared detector, quadrupole mass spectrometer, and photoluminescence spectrometer has the advantage that the accuracy of gas analysis can be further improved and measures can be taken quickly and accurately.
제어부는 각각의 피크값들의 수준(level)과 각각의 질량값들이 기설정한 정상 수치 범위에 해당하는지를 연산하고, 정상 범위에 해당되지 않을 경우 진공 챔버에 가스가 방출되고 있는 것으로 판단하고, 정상 수치에 해당할 경우 진공 챔버에 가스가 방출되고 있지 않는 것으로 판단하게 된다. The control unit calculates the level of each peak value and whether each mass value falls within the preset normal value range. If it does not fall within the normal range, it determines that gas is being released into the vacuum chamber and determines whether the normal value is within the normal value range. If this applies, it is determined that gas is not being released into the vacuum chamber.
도 4를 참조하면, 본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 제어부(300)는, 실시간으로 정보를 나타내는 표시부(310); 및 기설정된 정보에 기초하여 이상 정보 발생시 경고음을 알리는 알람발생부(320)를 구비할 수 있다. Referring to Figure 4, in one embodiment of the present invention, the control unit 300 includes a display unit 310 that displays information in real time; and an alarm generator 320 that sounds a warning sound when abnormal information occurs based on preset information.
제어부가 가스 방출 중인 것으로 판단하면 표시부(310)에 정보를 표시하고, 경고음을 알릴 수 있다. 상기 표시부는 챔버의 온도, 성분 분석 데이터 및 이상 표시에 대한 정보를 나타낼 수 있다. If the control unit determines that gas is being released, information may be displayed on the display unit 310 and a warning sound may be sounded. The display unit may display information about the temperature of the chamber, component analysis data, and abnormality indication.
도 4를 참조하면, 본 발명의 하나의 실시예에서, 상기 제어부(300)는, 챔버의 진공과 온도를 조절하는 챔버 조절부(330); 광발광분석기(210)와 사중극자질량분석기(220)의 이상 여부를 확인하여 각각 독립적으로 작동 여부를 조절하는 분석기 조절부(340)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIG. 4, in one embodiment of the present invention, the control unit 300 includes a chamber control unit 330 that controls the vacuum and temperature of the chamber; It may further include an analyzer control unit 340 that checks whether the photoluminescence spectrometer 210 and the quadrupole mass spectrometer 220 are abnormal and independently controls whether they operate.
상기 제어부(300)는, 챔버 조절부에서 기설정된 정보에 기초하여 이상정보 발생시 공정 챔버의 작동을 제어하고, 분석기 조절부에서 가스분석기들의 이상 여부를 확인하여 각각 독립적으로 작동 여부를 제어할 수 있다. 두 개 이상의 분석기들을 독립적으로 제어할 수 있기 때문에, 어느 하나의 분석기에 이상 발생시 나머지 하나 이상의 분석기들이 작동하도록 제어하여 지속적인 분석이 가능하도록 하는 장점이 있다. The control unit 300 controls the operation of the process chamber when abnormal information occurs based on information preset in the chamber control unit, and checks whether the gas analyzers are abnormal in the analyzer control unit to independently control whether each gas analyzer operates. . Since two or more analyzers can be controlled independently, there is an advantage in that when a problem occurs in one analyzer, one or more analyzers are controlled to operate, thereby enabling continuous analysis.
본 발명의 권리 범위는 특허청구범위에 기재된 사항에 의해 결정되며, 특허 청구범위에 사용된 괄호는 선택적 한정을 위해 기재된 것이 아니라, 명확한 구성요소를 위해 사용되었으며, 괄호 내의 기재도 필수적 구성요소로 해석되어야 한다.The scope of rights of the present invention is determined by the matters stated in the patent claims, and parentheses used in the patent claims are not used for selective limitation, but are used for clear elements, and descriptions within parentheses are also interpreted as essential elements. It has to be.
10: 할로겐 램프 20: 트레이
30: 고정벽 100: 공정 챔버
110: 제1 챔버 120: 제2 챔버
200: 가스 감지부 210: 사중극자질량분석기
220: 광발광분석기 300: 제어부
310: 표시부 320: 알람발생부
330: 챔버 조절부 340: 분석기 조절부
400: 진공 라인 412, 414, 416, 418: 밸브
500: 진공 펌프10: Halogen lamp 20: Tray
30: fixed wall 100: process chamber
110: first chamber 120: second chamber
200: gas detection unit 210: quadrupole mass spectrometer
220: Optical emission analyzer 300: Control unit
310: display unit 320: alarm generation unit
330: Chamber control unit 340: Analyzer control unit
400: Vacuum lines 412, 414, 416, 418: Valves
500: Vacuum pump
Claims (19)
상기 공정 챔버에 진공을 공급하기 위한 진공 펌프;
상기 공정 챔버 및 진공 펌프에 연결된 진공 라인을 개폐시키기 위한 하나 이상의 밸브;
상기 진공 라인에 연결되어 둘 이상의 가스분석기가 배치된 가스 감지부; 및
제어부; 를 포함하고,
상기 둘 이상의 가스분석기는,
광발광분석기(SP-OES), 사중극자질량분석기(QMS) 및 비분산적외선감지기(NDIR) 중 2개 이상을 포함하며,
상기 가스분석기들의 진공도를 제어할 수 있도록, 상기 공정 챔버와 진공 펌프 사이의 진공 라인에서 복수 개로 분기한 진공 라인의 각각에 배치되는 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 장치. One or more process chambers equipped with a plurality of halogen lamps therein;
a vacuum pump for supplying vacuum to the process chamber;
One or more valves for opening and closing a vacuum line connected to the process chamber and a vacuum pump;
A gas detection unit connected to the vacuum line and equipped with two or more gas analyzers; and
control unit; Including,
The two or more gas analyzers,
Includes two or more of photoluminescence spectrometry (SP-OES), quadrupole mass spectrometry (QMS), and non-dispersive infrared detector (NDIR),
A chamber monitoring device, characterized in that it is disposed on each of a plurality of branched vacuum lines from the vacuum line between the process chamber and the vacuum pump to control the vacuum degree of the gas analyzers.
상기 둘 이상의 가스분석기는,
유도 결합형 플라즈마 광학 방출 (ICP-OE) 분석기, 적외선 흡수 분석기(infrared absorption spectrometer) 및 푸리에 변환 적외선 (Fourier transform infrared, FTIR) 분석기 중 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 장치.In claim 1,
The two or more gas analyzers,
A chamber monitoring device further comprising one or more of an inductively coupled plasma optical emission (ICP-OE) analyzer, an infrared absorption spectrometer, and a Fourier transform infrared (FTIR) analyzer.
상기 둘 이상의 가스분석기는,
광발광분석기 및 사중극자질량분석기를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 광발광분석기에서 분석한 성분들의 피크값과 상기 사중극자질량분석기에서 분석한 성분들의 질량값을 비교하여,
공정 챔버 내의 샘플에서 방출한 가스의 종류와 양을 분석하는 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 장치. In claim 1,
The two or more gas analyzers,
Including a photoluminescence spectrometer and a quadrupole mass spectrometer,
The control unit,
By comparing the peak values of the components analyzed by the photoluminescence spectrometer and the mass values of the components analyzed by the quadrupole mass spectrometer,
A chamber monitoring device characterized in that it analyzes the type and amount of gas released from the sample in the process chamber.
상기 공정 챔버는 작업물에 열을 가하여 건조하기 위한 챔버인 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 장치. In claim 1,
A chamber monitoring device, characterized in that the process chamber is a chamber for drying the workpiece by applying heat to the workpiece.
상기 공정 챔버는,
내부에 작업물을 로딩할 수 있는 트레이; 및
챔버의 온도를 감지하는 다수 개의 서모커플(thermocouple)을 구비한 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 장치.In claim 1,
The process chamber is,
A tray into which work can be loaded; and
A chamber monitoring device characterized by having a plurality of thermocouples that detect the temperature of the chamber.
상기 서모커플 중 일부는 위치 조절이 가능하도록 배치된 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 장치.In claim 7,
A chamber monitoring device, characterized in that some of the thermocouples are arranged to allow position adjustment.
상기 공정 챔버는 할로겐 램프들과 로딩 중인 제품이 접촉하지 않도록 도어측의 챔버 본체에, 할로겐 램프들의 일 단부가 고정될 수 있는 고정벽이 구비된 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 장치.In claim 1,
The process chamber is a chamber monitoring device characterized in that the chamber body on the door side is provided with a fixing wall on which one end of the halogen lamps can be fixed to prevent the halogen lamps from coming into contact with the product being loaded.
상기 할로겐 램프들은,
램프에서 발생하는 열이 작업물의 표면에 균등하게 전달될 수 있도록 챔버의 내벽을 따라 일정한 간격을 두고 배치되고,
각각 석영(Qiarts) 캡을 구비한 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 장치.In claim 1,
The halogen lamps are,
They are placed at regular intervals along the inner wall of the chamber so that the heat generated from the lamp can be evenly transferred to the surface of the workpiece.
A chamber monitoring device, each having a quartz cap.
상기 제어부는,
실시간으로 정보를 나타내는 표시부; 및
기설정된 정보에 기초하여 이상 정보 발생시 경고음을 알리는 알람발생부를 구비하는 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 장치.In claim 1,
The control unit,
A display unit that displays information in real time; and
A chamber monitoring device comprising an alarm generator that sounds a warning sound when abnormal information occurs based on preset information.
상기 제어부는,
챔버의 진공과 온도를 조절하는 챔버 조절부;
둘 이상의 가스분석기들의 이상 여부를 확인하여 각각 독립적으로 작동 여부를 조절하는 분석기 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 장치.In claim 11,
The control unit,
A chamber control unit that controls the vacuum and temperature of the chamber;
A chamber monitoring device further comprising an analyzer control unit that checks whether two or more gas analyzers are abnormal and independently controls whether they operate.
상기 하나 이상의 밸브는,
공정 챔버와 인접한 진공 라인에 배치된 제1 밸브;
둘 이상의 가스분석기와 인접한 진공 라인에 배치된 제2 밸브들; 및
진공 펌프와 인접한 진공 라인에 배치된 제3 밸브를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 밸브들을 각각 독립적으로 조절하는 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 장치.In claim 1,
The one or more valves,
a first valve disposed in a vacuum line adjacent the process chamber;
second valves disposed in a vacuum line adjacent to two or more gas analyzers; and
a third valve disposed in a vacuum line adjacent to the vacuum pump;
The control unit is a chamber monitoring device characterized in that it independently adjusts each of the valves.
상기 하나 이상의 공정 챔버는,
크기와 형상이 다른 두 개의 챔버이고,
두 개의 챔버가 동시 또는 각각 개별적으로 진공 및 히팅 조절이 가능한 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 장치.In claim 1,
The one or more process chambers,
Two chambers of different sizes and shapes,
A chamber monitoring device capable of controlling the vacuum and heating of two chambers simultaneously or individually.
상기 공정 챔버에 진공 펌프가 진공을 공급하며,
광발광분석기(SP-OES), 사중극자질량분석기(QMS) 및 비분산적외선감지기(NDIR) 중 2개 이상을 포함하는 둘 이상의 가스분석기가 배치된 가스 감지부에서 공정 챔버 내에서 방출되는 성분을 분석하고,
제어부에서 분석된 성분을 실시간으로 알려주고 제어하며,
상기 둘 이상의 가스분석기가 상기 공정 챔버와 진공 펌프 사이의 진공 라인에서 복수 개로 분기한 진공 라인의 각각에 배치되어 상기 가스분석기들의 진공도를 제어하고,
하나 이상의 밸브가 상기 공정 챔버 및 진공 펌프에 연결된 진공 라인을 개폐시키는 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 방법.Controls the vacuum and temperature of a process chamber equipped with multiple halogen lamps inside,
A vacuum pump supplies vacuum to the process chamber,
Components emitted within the process chamber are detected in a gas detection unit where two or more gas analyzers including at least two of an optical emission spectrometer (SP-OES), quadrupole mass spectrometer (QMS), and non-dispersive infrared detector (NDIR) are placed. analyze,
The control unit informs and controls the analyzed ingredients in real time.
The two or more gas analyzers are disposed on each of a plurality of branched vacuum lines from the vacuum line between the process chamber and the vacuum pump to control the degree of vacuum of the gas analyzers,
A chamber monitoring method, wherein one or more valves open and close a vacuum line connected to the process chamber and a vacuum pump.
상기 둘 이상의 가스분석기는,
유도 결합형 플라즈마 광학 방출 (ICP-OE) 분석기, 적외선 흡수 분석기(infrared absorption spectrometer) 및 푸리에 변환 적외선 (Fourier transform infrared, FTIR) 분석기 중 하나 이상이 더 선택되는 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 방법.In claim 15,
The two or more gas analyzers,
A chamber monitoring method, wherein one or more of an inductively coupled plasma optical emission (ICP-OE) analyzer, an infrared absorption spectrometer, and a Fourier transform infrared (FTIR) analyzer is further selected.
상기 둘 이상의 가스분석기는,
광발광분석기 및 사중극자질량분석기를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 광발광분석기에서 공정 챔버 내의 샘플에서 발생되는 성분의 플라즈마 광이미지의 피크값을 기초로 특정 원소에 대한 데이터를 모니터링하고,
상기 사중극자질량분석기에서 검출되는 성분들의 질량값의 데이터를 모니터링 한 후,
상기 데이터들을 분석하여 챔버 내에서 방출되는 성분을 실시간으로 알려주는 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 방법.In claim 15,
The two or more gas analyzers,
Including a photoluminescence spectrometer and a quadrupole mass spectrometer,
The control unit,
The photoluminescence analyzer monitors data for a specific element based on the peak value of the plasma optical image of the element generated from the sample in the process chamber,
After monitoring the data of the mass values of the components detected by the quadrupole mass spectrometer,
A chamber monitoring method characterized by analyzing the data and informing in real time the components emitted within the chamber.
상기 둘 이상의 가스분석기는,
비분산적외선감지기를 포함하고,
상기 제어부는,
상기 비분산적외선감지기에서 검출되는 성분의 농도를 모니터링하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 방법.In claim 15,
The two or more gas analyzers,
Includes a non-dispersive infrared sensor,
The control unit,
A chamber monitoring method further comprising monitoring the concentration of a component detected by the non-dispersive infrared detector.
상기 제어부는,
챔버 조절부에서 기설정된 정보에 기초하여 이상정보 발생시 공정 챔버의 작동을 제어하고,
분석기 조절부에서 가스분석기들의 이상 여부를 확인하여 각각 독립적으로 작동 여부를 제어하는 것을 특징으로 하는 챔버 모니터링 방법.In claim 15,
The control unit,
Controls the operation of the process chamber when abnormal information occurs based on information preset in the chamber control unit,
A chamber monitoring method characterized in that the analyzer control unit checks for abnormalities in the gas analyzers and independently controls whether each gas analyzer operates.
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