KR102664689B1 - 가공면 보호층 및 이를 이용한 실리콘 마스크 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 일 형태에 따르면, 적어도 일면에 패턴 형성층을 포함하는 증착층이 증착된 실리콘 기판을 이용하여 실리콘 마스크를 제조하는 실리콘 마스크의 제조방법에 있어서, 상기 실리콘 기판의 일면의 패턴 형성층에 마스크 패턴을 형성하는 상부 공정단계; 상기 상부 공정단계후, 상기 패턴 형성층에 형성된 마스크 패턴에 보호층을 형성하는 보호층 형성단계; 상기 보호층이 형성된 상기 실리콘 기판을 타면부터 상기 일면에 형성된 증착층까지 식각하는 딥 에칭 단계; 상기 딥 에칭 단계후, 상기 패턴 형성층에 형성된 보호층을 제거하는 보호층 제거단계;를 포함하는 실리콘 마스크 제조방법이 개시된다.

Description

가공면 보호층 및 이를 이용한 실리콘 마스크 제조방법{Processed Surface Protective Layer and Method for manufacturing silicon mask using same}

본 발명은 가공면 보호층 및 이를 이용한 실리콘 마스크 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 식각이나 플라즈마를 통해 가공 형성되는 패턴을 보호할 수 있는 가공면 보호층 및 이를 이용하여 실리콘 마스크를 제조하는 실리콘 마스크 제조방법에 관한 것이다.

근래에는 LCD나 OLED등과 같은 다양한 평판디스플레이 장치들 또는 각종 반도체 부품이 개발되어 사용되고 있으며, 부품의 소형화, 고화질의 디스플레이제품에 대한 요구에 대응하기 위해 배선 패턴이나 혹은 그 밖의 패턴 피치의 미세화가 필수적으로 요구되고 있는 실정이다.

디스플레이 장치 또는 반도체 부품을 생산하는 공정에서 미세한 패턴을 형성하는 방법은 포토리소그래피법, 스크린 인쇄법 및 마스크 증착법의 세가지로 대별되지만, 그 중에서도 마스크 증착법은 필요한 정밀도의 마스크가 얻어지면, 미세한 패턴을 정밀하게 형성할 수 있어, 고정밀도, 저가격 및 신뢰성의 면에서 볼 때 가장 우수하여 폭넓게 적용되고 있다.

즉, 마스크 증착법은 성막 공정시 마스크를 사용하여 성막과 동시에 패턴을 형성하게 되므로 포토리소그래피 공정에 비해 공정이 간단하고 다양한 종류의 막에 적용할 수 있는 장점이 있으며, 보다 미세한 패턴을 구현할 수 있는 장점이 있다.

그런데, 최근에 들어 더욱 미세화된 패턴의 요구가 증대되고 있으며, 이를 위해 실리콘 재질의 마스크가 개발되고 있다. 이러한 실리콘 재질의 마스크의 제조방법은 도 1에 도시된 바와 같이, 마스크로 가공되기 전 상태의 마스크 블랭크(10)가 구비된다. 상기 마스크 블랭크(10)는 실리콘 기판(11)의 일면 또는 상하 양측면에 실리콘 나이트라이드 재질의 패턴 형성층(21)이 형성된다.

상기 패턴 형성층(21)은 상기한 실리콘 나이트라이드 재질 뿐만 아니라, 실리콘 도핑성장막, 산화막 등 다양한 재질과 다양한 불순물을 도핑하여 다양한 물성치를 발휘할 수 있도록 공정에 필요한 특성과 물성치를 발휘하는 다양한 재질과 물성치로 제작될 수 있다.

상기 마스크 블랭크(10)는 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 패턴 형성층(21)의 상부에 포토레지스트 층(41)이 형성되고 그 상측에 노광 마스크(31)가 구비된 상태에서 자외선에 노출되면 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트 층(41)이 노광 마스크(31)의 형태에 따라 분해되며, 이 상태에서 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이 엣칭을 수행하면 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이 패턴 형성층(21)에 식각이 이루어져 패턴이 형성된다.

상기한 바와 같이, 상기 실리콘 기판(11)의 일면에 형성된 패턴 형성층(21)에 패턴이 형성되는 것까지가 상부공정이며, 이후에는 상기 마스크 블랭크(10)를 뒤집어 실리콘 기판(11)의 하부를 가공하는 하부공정이 이루어진다.

하부공정은 먼저 도 3의 (a)에 도시된 바와 같이 상기 패턴 형성층(21)에 패턴이 형성된 마스크 블랭크(10)를 뒤집은 뒤에, 도 3의 (b)에 도시된 바와 같이 상기 실리콘 기판(11)의 타면에 포토레지스트(42)를 형성한다.

그리고, 도 3의 (c)에 도시된 바와 같이, 노광 마스크(32)를 배치하고 자외선에 노출시키면 도 3의 (d)에 도시된 바와 같이 포토레지스트(42)의 일부가 분해된다.

이 때, 전술한 포토레지스트(41, 42)들은 모두 포지티브 포토레지스트(Positive PR)로서 광 분해성을 가져 자외선이 조사되면 분해되는 성질을 가지고 있다.

이 상태에서 도 3의 (e)에 도시된 바와 같이 엣칭을 수행하면 중앙 영역에 패턴 형성층(21)만 남게 되어 실리콘 마스크가 제조될 수 있다.

한편, 이 외에도 필요에 따라 공정 중에 플라즈마 처리 등이 부가될 수도 있다.

그런데, 상기 패턴 형성층(21)에 패턴을 형성한 후 하부공정에서 실리콘 기판(11)의 타면을 가공할 때, 노출되는 자외선 및 플라즈마 등의 여러 환경이나 외력 등에 의해 기 형성된 패턴 형성층(21)에 손상이 가거나 이물질이 묻어 수율에 악영향을 끼칠 우려가 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 형성된 패턴 형성층의 가공면에 손상이 가해지지 않고 가공할 수 있는 가공면 보호층 및 이를 이용한 실리콘 마스크 제조방법을 제공하는 것이 과제이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 형태에 따르면, 적어도 일면에 패턴 형성층을 포함하는 증착층이 각각 증착된 실리콘 기판을 이용하여 실리콘 마스크를 제조하는 실리콘 마스크의 제조방법에 있어서, 상기 실리콘 기판의 일면의 패턴 형성층에 마스크 패턴을 형성하는 상부 공정단계; 상기 상부 공정단계후, 상기 패턴 형성층에 형성된 마스크 패턴에 보호층을 형성하는 보호층 형성단계; 상기 보호층이 형성된 상기 실리콘 기판을 타면부터 상기 일면에 형성된 증착층까지 식각하는 딥 에칭 단계; 상기 딥 에칭 단계후, 상기 패턴 형성층에 형성된 보호층을 제거하는 보호층 제거단계;를 포함하는 실리콘 마스크 제조방법이 개시된다.

상기 보호층은, 상기 패턴 형성층에 접하도록 형성되는 제1보호층; 상기 제1보호층상이 형성되는 제2보호층;을 포함할 수 있다.

상기 제1보호층은 자외선 분해성 포토레지스트 재질이고, 상기 제2보호층은 자외선 경화성 포토레지시트 재질일 수 있다.

상기 제1보호층은 상기 제2보호층보다 얇은 두께로 형성될 수 있다.

상기 보호층 제거단계는, 상기 제1보호층을 세척 또는 분해하여 상기 보호층을 상기 패턴 형성층으로부터 제거할 수 있다.

상기 증착층은 상기 패턴 형성층과, 상기 패턴 형성층과 실리콘 기판의 사이에 형성되는 식각 제한층을 더 포함하며, 상기 딥 에칭단계는, 상기 실리콘 기판의 타면부터 상기 실리콘 기판의 일면에 형성된 식각 제한층까지 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계이고, 상기 보호층 제거 단계 후, 상기 패턴 형성층과 상기 실리콘 기판 사이의 식각 제한층을 제거하는 플라즈마 처리단계를 더 포함할 수 있다.

한편, 본 발명의 다른 형태에 따르면, 가공이 이루어진 가공면을 후속 공정으로부터 보호하기 위한 보호층에 있어서, 상기 보호층은, 가공면 상에 접촉되어 형성되는 제1보호층; 상기 제1보호층의 상측에 형성되는 제2보호층;을 포함하는, 가공면 보호층이 개시된다.

상기 제1보호층은 자외선 분해성 포토레지스트 재질이고, 상기 제2보호층은 자외선 경화성 포토레지시트 재질일 수 있다.

상기 제1보호층은 상기 제2보호층보다 얇은 두께로 형성될 수 있다.

본 발명의 가공면 보호층 및 이를 이용한 실리콘 마스크 제조방법 에 따르면 먼저 패턴이 형성된 패턴 형성층이 보호층에 의해 후속공정중에 보호를 받을 수 있어 패턴 형성층의 손상을 방지할 수 있다.

또한, 보호층의 자외선 분해성의 제1보호층과 자외선 경화성의 제2보호층으로 2중으로 형성됨으로써, 공정중에 노출되는 자외선에 의해 보호층이 더욱 단단해지게 되어 보호의 효과가 증대될 뿐만 아니라, 분리할 때에는 제거가 용이한 제1보호층을 분해함으로써 과도한 외력을 가하지 않고도 용이하게 보호층을 분리할 수 있는 효과가 있다.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

아래에서 설명하는 본 출원의 바람직한 실시예의 상세한 설명뿐만 아니라 위에서 설명한 요약은 첨부된 도면과 관련해서 읽을 때에 더 잘 이해될 수 있을 것이다. 본 발명을 예시하기 위한 목적으로 도면에는 바람직한 실시예들이 도시되어 있다. 그러나, 본 출원은 도시된 정확한 배치와 수단에 한정되는 것이 아님을 이해해야 한다.
도 1은 종래의 마스크 블랭크를 도시한 도면;
도 2는 종래의 실리콘 마스크 제조공정 중 상부공정을 순차적으로 도시한 도면;
도 3은 종래의 실리콘 마스크 제조공정 중 하부공정을 순차적으로 도시한 도면;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 마스크 제조방법을 도시한 순서도;
도 5는 본 실시예의 실리콘 마스크 제조방법에 이용되는 마스크 블랭크를 도시한 도면;
도 6은 본 실시예의 실리콘 마스크 제조방법 중 보호층 형성단계를 도시한 도면;
도 7은 본 실시예의 실리콘 마스크 제조방법 중 하부공정에 해당하는 하면 증착층 제거단계 및 딥 에칭 단계의 공정을 순차적으로 도시한 도면;
도 8은 본 실시예의 실리콘 마스크 제조방법 중 보호층 제거단계 및 플라즈마 단계를 도시한 도면이다.

이하 본 발명의 목적이 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 본 실시예를 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략하기로 한다.

이하, 본 발명의 실리콘 마스크 제조방법의 일 실시예에 대해서 설명하기로 한다.

본 실시예에 따른 실리콘 마스크 제조방법은 도 4에 도시된 바와 같이, 상부 공정단계(S110), 보호층 형성단계(S120), 딥 에칭단계(S130), 보호층 제거단계(S140) 및 플라즈마 처리단계(S150)를 포함할 수 있다.

상기 상부 공정단계(S110)는 마스크로 가공되기 전의 마스크 블랭크(100) 상태의 실리콘 기판(110)의 일면에 형성된 패턴 형성층(121)에 마스크 패턴을 형성하는 단계이다.

먼저, 본 실시예에 따른 마스크 블랭크(100)는 도 5에 도시된 바와 같이, 실리콘 기판(110)의 의 일측면에 증착층(120)이 형성될 수 있다.

이 때, 상기 증착층(120)은 상기 실리콘 기판(110)의 표면에 형성되는 식각 제한(122)층 및 상기 식각 제한층(122)의 표면에 형성되는 패턴 형성층(121)을 포함할 수 있다.

상기 증착층(120)은 상기 실리콘 기판(110)의 일측면에만 형성되어도 무방하나, 상기 실리콘 기판(110)의 양측면에 형성될 수도 있다.

이하의 설명에서는 상기 증착층(120)이 형성된 면을 상면이라 칭하기로 한다.

상기 패턴 형성층(121) 은 마스크 패턴이 형성되는 층으로서, 실리콘 나이트라이드(SiNy) 재질로 형성될 수 있다.

상기 패턴 형성층(121)은 상기한 실리콘 나이트라이드 재질 뿐만 아니라, 실리콘 도핑성장막, 산화막 등 다양한 재질과 다양한 불순물을 도핑하여 다양한 물성치를 발휘할 수 있도록 공정에 필요한 특성과 물성치를 발휘하는 다양한 재질과 물성치로 제작될 수 있다

또한, 상기 식각 제한층(122)은 하부공정 중 식각이 끝나는 지점을 이루는 층으로서, 실리콘 기판(110)을 엣칭하는 엣칭액에 의해 식각되지 않는 SiOx 등의 재질로 이루어질 수 있다.

이 때, 상기 실리콘 기판(110)은 500 ~ 750μm 두께로 형성될 수 있고, 식각제한층(122)은 0.1 ~ 2 μm, 패턴 형성층(121) 은 1 ~ 10 μm두께로 형성될 수 있다. 물론, 이는 일 예일 뿐이며 필요에 따라 두께는 변경될 수 있다.

또한, 필요에 따라 상기 식각 제한층(122)도 생략될 수도 있다.

이하의 설명에서, 상기 실리콘 기판(110)의 일면에 형성된 증착층(120)과 상기 실리콘 기판(110)의 타면에 형성된 증착층(130)을 구분하기 위하여, 상기 실리콘 기판(110)의 타면에 형성된 증착층을 하면 증착층(130)이라 칭하기로 한다.

상기와 같은 마스크 블랭크(100)는 도 2를 참조하여 전술한 바와 같이 상기 패턴 형성층(121)에 패턴을 형성하는 상부공정 단계(S110)가 수행된다.

그리고, 상기 상부공정 단계(S110)을 통해 상기 패턴 형성층(121)에 패턴이 이루어진 후에는 보호층 형성단계(S120)가 수행될 수 있다.

상기 보호층 형성단계(S120)는, 도 6에 도시된 바와 같이 상기 패턴 형성층(121)에 형성된 마스크 패턴의 가공면에 보호층(140)을 형성하는 단계이다.

상기 보호층(140)은 제1보호층(141)과 제2보호층(142)을 포함할 수 있다. 상기 제1보호층(141)은 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 패턴 형성측에 접하도록 형성되고, 상기 제2보호층(142)은 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이 상기 제1보호층(141) 상에 형성될 수 있다.

이 때, 상기 제1보호층(141)은 자외선 분해성의 포토레지스트(Positive PR)재질이고, 상기 제2보호층(142)은 자외선 경화성의 포토레지스트(Negarive PR)재질일 수 있다.

이는, 보호층(140)을 자외선 분해성의 포토레지스트 재질로만 형성할 경우 후속공정에서 노출되는 자외선이나 플라즈마에 의해 보호층(140)이 분해되어 보호층(140)으로서 완벽한 역할을 수행하기에는 부족함이 있다.

또한, 보호층(140)을 자외선 경화성의 포토레지스트 재질로만 형성할 경우 후속공정에서 노출되는 자외선이나 플라즈마에 의해 보호층(140)이 더 단단해져 보호효과는 높을 수 있으나, 추후 제거시 어려움이 있다.

따라서, 패턴 형성층(121)과 접하는 가공면에는 추후 제거가 용이한 자외선 분해성의 제1보호층(141)을 형성하고, 상기 제1보호층(141)의 외측면에 자외선 경화성의 제2보호층(142)을 형성함으로써 상기 패턴 형성층(121)에 형성된 마스크 패턴의 가공면의 보호효과를 최대화 함과 동시에 아울러 추후 제거시의 용이성도 향상시킬 수 있다.

즉, 상기 보호층(140)을 제거할 때에는 분해 및 제거가 용이한 자외선 분해성의 제1보호층(141)만 분해시키는 것으로 제2보호층(142)까지 한번에 제거할 수 있으므로 제거의 용이성이 향상될 수 있다.

이때, 상기 제1보호층(141)은 상기 제2보호층(142)보다 얇은 두께로 형성될 수 있다. 상기 제1보호층(141)은 0.1 ~ 3μm 의 두께로 형성될 수 있다. 다만 본 발명은 이에 한정된 것은 아니며 상기 제1보호층(141)의 두께는 필요에 따라 다양한 두께로 형성될 수 있다.

상기 보호층 형성단계(S120) 후에는 하부공정으로서 상기 실리콘 기판(110)의 하면을 식각하는 공정이 수행될 수 있다. 이는 딥 에칭 단계(S130)를 포함할 수 있다.

도 7의 (a)에 도시된 바와 같이 상기 보호층 형성단계(S120)에서 보호층(140)이 형성된 실리콘 기판(110)이 반전된 후 도 7의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 실리콘 기판(110) 에 포토레지스트층(42)이 형성될 수 있다. 이 때, 상기 포토레지스트층(42)은 자외선 분해성 포토레지스트층 일 수 있다.

그리고 도 7의 (c)에 도시된 바와 같이, 노광마스크(32)를 배치하고 자외선을 노출시키면, 도 7의 (d)에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트층(42)이 분해된다.

상기 딥 에칭단계(S130)는, 도 7의 (e)에 도시된 바와 같이, 상기 실리콘 기판(110)을 타면부터 상기 일면에 형성된 증착층(120)까지 식각하는 단계이다.

상기 실리콘 기판(110)의 일면과 상기 실리콘 기판(110)의 일면에 형성된 패턴 형성층(121) 사이에는 식각 제한층(12)이 위치되는데, 상기 식각 제한층(122)은 상기 실리콘 기판(110)을 식각하는 식각액에 의해 식각되지 아니하는 재질로 형성되어 상기 딥 에칭 단계(S130)중에 패턴이 기 형성된 상기 패턴 형성층(121)이 식각되는 것을 방지할 수 있다.

그리고, 상기 하면 증착층(130) 중 하면 식각 제한층(132)은 실리콘 기판(110)을 식각하는 식각액과는 다른 별도의 식각액으로 식각하거나 또는 플라즈마에 의해 제거될 수 있다.

상기 딥 에칭 단계(S130) 후에는 (S140)보호층 제거단계(S140)가 수행될 수 있다. 상기 (S140)보호층 제거단계(S140)는 도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 상기 패턴 형성층(121)에 형성된 보호층(140)을 제거하는 단계이다.

상기 (S140)보호층 제거단계(S140)는, 광분해성 포토레지스트를 제거하는 세정액을 사용하거나 또는 플라즈마 세정방법 등을 이용하여 상기 보호층(140)의 제1보호층(141)을 제거함으로써 상기 자외선 경화성의 제2보호층(142)을 상기 패턴 형성층(121)으로부터 분리할 수 있다.

상기 (S140)보호층 제거단계(S140)의 후에는 플라즈마 처리단계(S150)가 수행될 수 있다. 상기 플라즈마 처리단계(S150)는, 상기 패턴 형성층(121)과 상기 실리콘 기판(110) 사이의 식각 제한층()을 제거하는 단계로서 도 8의 (b)에 도시된 바와 같이 상기 상기 패턴 형성층(121)과 상기 실리콘 기판(110) 사이의 식각 제한층에 플라즈마를 가하여 도 8의 (c)와 같이 상기 패턴 형성층(121)의 패턴이 형성된 부분 하측의 식각 제한층(122)을 제거하여 실리콘 마스크를 제조할 수 있다.

이상에서 살펴본 바와같이 본 실시예의 실리콘 마스크 제조방법은 패턴이 기 형성된 패턴 형성층(121)의 가공면 상측에 자외선 분해성 재질의 제1보호층(141)과 자외선 경화성 재질의 제2보호층(142)을 형성함으로써, 가공면의 보호효과를 증대함과 동시에 제거의 용이성도 함께 이룰 수 있다.

이상에서는 실리콘 마스크의 제조에 보호층(140)을 이용하는 방법을 설명하였으나, 실리콘 마스크 외에도 가공이 이루어진 가공면을 후속 공정으로부터 보호하기 위해 보호층(140)을 이용하는 것은 여타 다른 물품의 제조공정에도 이용될 수 있을 것이다.

즉, 가공면상에 자외선 분해성의 포토레지스트 재질의 제1보호층(141)을 형성하고, 상기 제1보호층(141)의 외측에 자외선 경화성의 포토레지스트 재질의 제2보호층(142)을 형성함으로써, 가공면의 보호효과를 증대함과 동시에 제거의 용이성도 함께 이룰 수 있다.

이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화 될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로, 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.

S110: 상부 공정 단계 S120: 보호층 형성단계
S130: 딥 에칭 단계 S140: 보호층 제거 단계
S150: 플라즈마 처리단계
110: 실리콘 기판 120: 증착층
121: 패턴 형성층 122: 식각 제한층
140: 보호층 141: 제1보호층
142: 제2보호층

Claims (9)

1. 적어도 일면에 패턴 형성층을 포함하는 증착층이 증착된 실리콘 기판을 이용하여 실리콘 마스크를 제조하는 실리콘 마스크의 제조방법에 있어서,
   상기 실리콘 기판의 일면의 패턴 형성층에 마스크 패턴을 형성하는 상부 공정단계;
   상기 상부 공정단계후, 상기 패턴 형성층에 형성된 마스크 패턴에 보호층을 형성하는 보호층 형성단계;
   상기 보호층이 형성된 상기 실리콘 기판을 타면부터 상기 일면에 형성된 증착층까지 식각하는 딥 에칭 단계;
   상기 딥 에칭 단계후, 상기 패턴 형성층에 형성된 보호층을 제거하는 보호층 제거단계;
   를 포함하며,
   상기 증착층은 상기 패턴 형성층과, 상기 패턴 형성층과 실리콘 기판의 사이에 형성되는 식각 제한층을 포함하며,
   상기 딥 에칭단계는, 상기 실리콘 기판의 타면부터 상기 실리콘 기판의 일면에 형성된 식각 제한층까지 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계인 실리콘 마스크 제조방법.
2. 제1항에 있어서,
   상기 보호층은,
   상기 패턴 형성층에 접하도록 형성되는 제1보호층;
   상기 제1보호층상에 형성되는 제2보호층;
   을 포함하는 실리콘 마스크 제조방법.
3. 제2항에 있어서,
   상기 제1보호층은 자외선 분해성 포토레지스트 재질이고,
   상기 제2보호층은 자외선 경화성 포토레지시트 재질인, 실리콘 마스크 제조방법.
4. 제2항에 있어서,
   상기 제1보호층은 상기 제2보호층보다 얇은 두께로 형성되는, 실리콘 마스크 제조방법.
5. 제3항에 있어서,
   상기 보호층 제거단계는,
   상기 제1보호층을 세척 또는 분해하여 상기 보호층을 상기 패턴 형성층으로부터 제거하는, 실리콘 마스크 제조방법.
6. 제1항에 있어서,
   상기 보호층 제거 단계 후, 상기 패턴 형성층과 상기 실리콘 기판 사이의 식각 제한층을 제거하는 플라즈마 처리단계를 더 포함하는, 실리콘 마스크 제조방법.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 실리콘 마스크 제조방법에 의해 제조되는 실리콘 마스크의 마스크 패턴이 형성된 가공이 이루어진 가공면을 후속 공정으로부터 보호하기 위한 보호층에 있어서,
   상기 보호층은,
   가공면 상에 접촉되어 형성되며, 자외선 분해성 포토레지스트 재질의 제1보호층;
   상기 제1보호층의 상측에 형성되며, 자외선 경화성 포토레지스트 재질의 제2보호층;을 포함하는, 가공면 보호층.
   
8. 삭제
9. 제7항에 있어서,
   상기 제1보호층은 상기 제2보호층보다 얇은 두께로 형성되는, 가공면 보호층.

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