KR102654332B1 - Method of manufacturing light emitting device, and light emitting device - Google Patents
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Abstract
[과제] 발광 효율이 높은 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치를 제공한다.
[해결 수단] 발광 장치(100)의 제조 방법은, 오목부(15)를 가지는 패키지(10)의 오목부(15)의 저면에 발광 소자(20)를 재치하는 공정과, 오목부(15)의 측면을 제1 반사재를 함유하는 제1 수지로 피복하여 제1 반사층(30)을 형성하는 공정과, 제1 반사층(30)에 접촉하여, 오목부(15)의 저면을 제2 반사재를 함유하는 제2 수지로 피복하고 제2 반사층(40)을 형성하는 공정과, 제2 반사층(40) 및 발광 소자(20) 상에, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층(50)을 배치하는 공정을 갖고, 제2 반사층(40)을 형성하는 공정은, 원심력에 의해 제2 수지에 함유되는 제2 반사재를 침강시켜 제2 반사재를 함유하는 함유층(40a)과 투광층(40b)을 이 순서로 오목부(15)의 저면에 형성함과 함께, 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부에 함유층(40a)이 대향하지 않도록 제2 반사층(40)을 형성한다.[Problem] To provide a method of manufacturing a light-emitting device with high luminous efficiency and a light-emitting device.
[Solution] The manufacturing method of the light emitting device 100 includes a process of placing the light emitting element 20 on the bottom of the recessed portion 15 of the package 10 having the recessed portion 15, and the recessed portion 15 A step of forming a first reflective layer 30 by covering the side surface with a first resin containing a first reflector, and contacting the first reflective layer 30 to form a bottom surface of the concave portion 15 containing a second reflector. forming a second reflective layer 40 by covering it with a second resin, and forming a light-transmitting layer 50 using a third resin containing a phosphor on the second reflective layer 40 and the light-emitting element 20. The process of forming the second reflective layer 40 includes a process of forming the second reflective layer 40 by causing the second reflective material contained in the second resin to settle by centrifugal force to form a content layer 40a containing the second reflective material and a light-transmitting layer 40b. In this order, the second reflective layer 40 is formed on the bottom of the concave portion 15 and is formed on at least a portion of the side surface of the light emitting element 20 so that the content layer 40a does not face each other.
Description
본 개시는, 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치에 관한 것이다. This disclosure relates to a method of manufacturing a light-emitting device and a light-emitting device.
종래, 오목부를 갖는 패키지의 저면에 발광 소자를 재치한 발광 장치가 알려져 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는, 컵을 가지는 패키지의 컵의 저면에 발광 소자를 재치하고, 컵의 저면 및 측면을, 반사재를 함유하는 제1 수지의 층으로 덮어 씌워, 반사재의 층을 컵의 저면 측 및 측면 측에 배치한 발광 장치 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. Conventionally, a light-emitting device is known in which a light-emitting element is placed on the bottom of a package having a concave portion. For example, in Patent Document 1, a light emitting element is placed on the bottom of a cup of a package having a cup, the bottom and sides of the cup are covered with a layer of a first resin containing a reflector, and the layer of reflector is applied to the cup. A light emitting device disposed on the bottom side and the side side and a method for manufacturing the same are disclosed.
상기 특허문헌의 기술에서는, 컵 내에 반사재를 함유하는 제1 수지를 주입한 후, 제1 수지에 원심력을 작용시킴으로써, 반사재의 층을 컵의 저면 측 및 측면 측에 배치한다. 이 때, 반사재의 층의 배치는, 예를 들어, 컵의 저면이 외측이 되는 회전축으로 원심력을 작용시키며, 동시에, 컵의 측면이 외측이 되는 회전축으로 원심력을 작용시킴으로써 행한다. In the technology of the above-mentioned patent document, after injecting the first resin containing the reflector into the cup, centrifugal force is applied to the first resin to place the layer of the reflector on the bottom side and the side surface of the cup. At this time, the layer of the reflector is arranged, for example, by applying centrifugal force to the rotation axis where the bottom of the cup is on the outside, and simultaneously by applying centrifugal force to the rotation axis where the side surface of the cup is outside.
그러나 상기 기술에서는, 반사재의 침강에 대해 매우 정밀한 조정이 필요하며, 반사재의 층이 컵의 저면으로부터 측면의 상단까지 연속하여 배치되지 않는 경우도 상정된다. 그 때문에, 상기 특허문헌의 발광 장치의 발광 효율은 높기는 하지만, 보다 더 개선의 여지가 있다. However, in the above technique, very precise adjustment of the sinking of the reflector is required, and it is also assumed that the layer of reflector is not arranged continuously from the bottom of the cup to the top of the side. Therefore, although the luminous efficiency of the light emitting device of the above patent document is high, there is room for further improvement.
본 개시에 관한 실시형태는, 발광 효율이 높은 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. An embodiment of the present disclosure aims to provide a method of manufacturing a light-emitting device and a light-emitting device with high luminous efficiency.
본 개시의 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법은, 오목부를 가지는 패키지의 상기 오목부의 저면에 발광 소자를 재치하는 공정과, 상기 오목부의 측면을 제1 반사재를 함유하는 제1 수지로 피복하여 제1 반사층을 형성하는 공정과, 상기 제1 반사층에 접촉하여, 상기 오목부의 저면을 제2 반사재를 함유하는 제2 수지로 피복하여 제2 반사층을 형성하는 공정과, 상기 제2 반사층 및 상기 발광 소자 상에, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층을 배치하는 공정을 갖고, 상기 제2 반사층을 형성하는 공정은, 원심력에 의해 상기 제2 수지에 함유되는 상기 제2 반사재를 침강시키고 상기 제2 반사재를 함유하는 함유층과 투광층을 이 순서로 상기 오목부의 저면에 형성함과 함께, 상기 발광 소자의 측면의 적어도 일부에 상기 함유층이 대향하지 않도록 상기 제2 반사층을 형성한다. A method of manufacturing a light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure includes the steps of placing a light-emitting element on the bottom of the recess of a package having a recess, and coating the side surface of the recess with a first resin containing a first reflector. 1. A step of forming a reflective layer, a step of forming a second reflective layer by contacting the first reflective layer and coating the bottom of the concave portion with a second resin containing a second reflective material, and the second reflective layer and the light emitting element. and a step of disposing a light-transmitting layer of a third resin containing a phosphor on the second reflective layer, wherein the step of forming the second reflective layer causes the second reflector contained in the second resin to settle by centrifugal force. A content layer containing a second reflector and a light-transmissive layer are formed in this order on the bottom surface of the concave portion, and the second reflection layer is formed on at least a portion of the side surface of the light emitting element so that the content layer does not face.
본 개시의 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법은, 오목부를 가지는 패키지의 상기 오목부의 저면에 발광 소자를 재치하는 공정과, 상기 오목부의 측면을 제1 반사재를 함유하는 제1 수지로 피복하여 제1 반사층을 형성하는 공정과, 상기 제1 반사층에 접촉하여, 상기 오목부의 저면을 제2 반사재를 함유하는 제2 수지로 피복하여 제2 반사층을 형성하는 공정과, 상기 제2 반사층 및 상기 발광 소자 상에, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층을 배치하는 공정을 갖고, 상기 제2 반사층을 형성하는 공정은, 상기 제2 수지를 상기 오목부의 저면에 있어서의 상기 오목부의 측면과 상기 발광 소자와의 사이에 포팅(potting)에 의해 배치하고, 상기 오목부의 저면이 외측이 되는 회전축으로 상기 패키지에 원심력을 가함으로써, 상기 제1 반사층으로부터 노출되는 상기 오목부의 저면 모두를 피복하도록 상기 제2 수지의 형상을 변화시킴과 함께, 원심력이 걸린 상태에서 상기 제2 수지를 경화시킨다. A method of manufacturing a light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure includes the steps of placing a light-emitting element on the bottom of the recess of a package having a recess, and coating the side surface of the recess with a first resin containing a first reflector. 1. A step of forming a reflective layer, a step of forming a second reflective layer by contacting the first reflective layer and coating the bottom of the concave portion with a second resin containing a second reflective material, and the second reflective layer and the light emitting element. and a step of disposing a light-transmitting layer of a third resin containing a phosphor on the second resin, wherein the step of forming the second reflective layer includes applying the second resin to the side surfaces of the concave portion on the bottom of the concave portion and the By placing the package by potting between the light-emitting elements and applying centrifugal force to the package with a rotation axis whose bottom surface is on the outside, the first reflective layer covers the entire bottom surface of the concave portion exposed from the first reflective layer. 2. In addition to changing the shape of the resin, the second resin is cured under centrifugal force.
본 개시의 실시형태에 관한 발광 장치는, 오목부를 가지는 패키지와, 상기 오목부의 저면에 재치된 발광 소자와, 제1 반사재를 함유하는 제1 수지에 의해 상기 오목부의 측면을 피복하여 형성되는 제1 반사층과, 상기 제1 반사층에 접촉하여, 제2 반사재를 함유하는 제2 수지에 의해 상기 오목부의 저면을 피복하여 형성되는 제2 반사층과, 상기 제2 반사층 및 상기 발광 소자 상에 배치된, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층을 구비하고, 상기 제1 반사층은, 상기 제1 반사재가 상기 제1 수지 중에 분산되어 있고, 상기 제2 반사층은, 상기 제2 반사재를 함유하는 함유층과 투광층이 이 순서로 상기 오목부의 저면에 설치되어 있고, 상기 발광 소자의 측면의 적어도 일부가 상기 함유층에 대향하지 않는다.A light emitting device according to an embodiment of the present disclosure includes a package having a concave portion, a light emitting element placed on the bottom of the concave portion, and a first reflector formed by covering the side surface of the concave portion with a first resin containing a first reflector. a reflective layer, a second reflective layer formed by contacting the first reflective layer and covering the bottom of the concave portion with a second resin containing a second reflective material, and a phosphor disposed on the second reflective layer and the light-emitting element. and a light-transmitting layer made of a third resin containing, wherein the first reflective layer has the first reflector dispersed in the first resin, and the second reflective layer includes a content layer containing the second reflector and A light-transmissive layer is provided on the bottom of the concave portion in this order, and at least a portion of the side surface of the light-emitting element does not face the containing layer.
본 개시에 관한 실시형태의 발광 장치의 제조 방법은, 발광 효율이 높은 발광 장치를 제조할 수 있다. The method for manufacturing a light-emitting device according to an embodiment of the present disclosure can manufacture a light-emitting device with high luminous efficiency.
본 개시에 관한 실시형태의 발광 장치는, 발광 효율이 높다.The light emitting device of the embodiment according to the present disclosure has high light emission efficiency.
[도 1a] 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
[도 1b] 도 1a의 IB－IB선에 있어서의 단면도이다.
[도 1c] 실시형태에 관한 발광 장치의 구성의 일부를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 2] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법의 흐름도이다.
[도 3a] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 발광 소자를 재치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
[도 3b] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 단면도이다.
[도 3c] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 평면도이다.
[도 3d] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제2 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 모식도이며, 패키지의 오목부의 저면을 제2 수지로 피복하고, 원심력에 의해 제2 반사재를 침강시키는 공정을 나타내는 모식도이다.
[도 3e] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제2 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 단면도이며, 원심력에 의해 제2 반사재를 침강시킨 후의 상태를 나타내는 단면도이다.
[도 3f] 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 광투과층을 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다.
[도 4] 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 5] 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 6] 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
[도 7a] 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
[도 7b] 도 7a의 VIIB－VIIB선에 있어서의 단면도이다.
[도 8a] 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
[도 8b] 도 8a의 VIIIB－VIIIB선에 있어서의 단면도이다.
[도 8c] 도 8a의 VIIIC－VIIIC선에 있어서의 단면도이다.
[도 9a] 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
[도 9b] 도 9a의 IXB－IXB선에 있어서의 단면도이다. [FIG. 1A] is a perspective view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to an embodiment.
[FIG. 1B] A cross-sectional view taken along the line IB-IB in FIG. 1A.
[FIG. 1C] is a cross-sectional view schematically showing a part of the structure of a light-emitting device according to an embodiment.
[FIG. 2] A flowchart of a method for manufacturing a light-emitting device according to an embodiment.
[FIG. 3A] is a cross-sectional view showing a step of placing a light-emitting element in the method of manufacturing a light-emitting device according to the embodiment.
[FIG. 3B] is a cross-sectional view showing the step of forming a first reflective layer in the method of manufacturing a light-emitting device according to the embodiment.
[FIG. 3C] is a top view showing the step of forming a first reflective layer in the method of manufacturing a light-emitting device according to the embodiment.
[FIG. 3D] is a schematic diagram showing the process of forming a second reflective layer in the method of manufacturing a light-emitting device according to the embodiment, wherein the bottom surface of the concave portion of the package is covered with a second resin and the second reflector is precipitated by centrifugal force. This is a schematic diagram showing the process.
[FIG. 3E] is a cross-sectional view showing the step of forming the second reflective layer in the method of manufacturing the light-emitting device according to the embodiment, and is a cross-sectional view showing the state after the second reflector is settled by centrifugal force.
[FIG. 3F] is a cross-sectional view showing the step of disposing a light-transmitting layer in the method of manufacturing a light-emitting device according to the embodiment.
[FIG. 4] is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to another embodiment.
[FIG. 5] is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to another embodiment.
[FIG. 6] is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to another embodiment.
[FIG. 7A] is a perspective view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to another embodiment.
[FIG. 7B] A cross-sectional view taken along the line VIIB-VIIB in FIG. 7A.
[FIG. 8A] is a plan view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to another embodiment.
[FIG. 8B] A cross-sectional view taken along line VIIIB-VIIIB in FIG. 8A.
[FIG. 8C] A cross-sectional view taken along line VIIIC-VIIIC in FIG. 8A.
[FIG. 9A] is a plan view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to another embodiment.
[FIG. 9B] A cross-sectional view taken along the line IXB-IXB in FIG. 9A.
실시형태를, 이하에 도면을 참조하면서 설명한다. 다만, 이하에 나타내는 형태는, 본 실시형태의 기술 사상을 구현화하기 위한 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치를 예시하는 것으로서, 이하에 한정되는 것이 아니다. 또한, 실시형태에 기재되어 있는 구성부품의 치수, 재질, 형상, 그 상대적 배치 등은, 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 그에만 한정하는 취지가 아니라, 단순한 예시에 지나지 않는다. 또한, 각 도면이 나타내는 부재의 크기나 위치 관계 등은, 설명을 명확하게 하기 위해 과장하고 있는 경우가 있다.Embodiments will be described below with reference to the drawings. However, the form shown below exemplifies the manufacturing method and light emitting device for embodying the technical idea of the present embodiment, and is not limited to the following. In addition, unless specifically stated, the dimensions, materials, shapes, relative arrangements, etc. of the components described in the embodiments are not intended to limit the scope of the present invention, but are merely examples. In addition, the sizes and positional relationships of members shown in each drawing may be exaggerated for clarity of explanation.
《실시형태》《Embodiment》
도 1a는, 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 1b는, 도 1a의 IB－IB선에 있어서의 단면도이다. 도 1c는, 실시형태에 관한 발광 장치의 구성의 일부를 모식적으로 나타내는 단면도이다. Fig. 1A is a perspective view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to an embodiment. FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line IB-IB in FIG. 1A. FIG. 1C is a cross-sectional view schematically showing a part of the structure of a light-emitting device according to the embodiment.
[발광 장치][Light-emitting device]
발광 장치(100)는, 오목부(15)를 가지는 패키지(10)와, 오목부(15)의 저면에 재치된 발광 소자(20)와, 오목부(15)의 측면을 피복하여 형성되는 제1 반사층(30)과, 제1 반사층(30)에 접촉하여 오목부(15)의 저면을 피복하여 형성되는 제2 반사층(40)과, 제2 반사층(40) 및 발광 소자(20) 상에 배치된, 형광체(51)를 함유하는 광투과층(50)을 구비하고 있다. The light emitting device 100 includes a package 10 having a recessed portion 15, a light emitting element 20 placed on the bottom of the recessed portion 15, and a material that covers the side surfaces of the recessed portion 15. 1 On the reflective layer 30, the second reflective layer 40 formed by contacting the first reflective layer 30 and covering the bottom of the concave portion 15, and the second reflective layer 40 and the light emitting device 20. It is provided with a light-transmitting layer 50 containing a phosphor 51 disposed thereon.
패키지(10)는, 절연성 기판(2)과, 절연성 기판(2)에 있어서의 기판부(2a)의 상면에 설치되는 제1 배선부(3)와, 기판부(2a)의 하면에 설치되는 제2 배선부(5)와, 기판부(2a)의 측면에 설치되는 제3 배선부(6)와, 제1 배선부(3)와, 제2 배선부(5)를 전기적으로 접속하는 비어(4)를 구비하고 있다. 패키지(10)는, 평면도 상에서 보았을 때 대략 직사각형으로 형성되어 있으며, 오목부(15)를 가진다. 오목부(15)의 개구는, 평면도 상에서 보았을 때 대략 직사각형으로 형성되어 있다. The package 10 includes an insulating substrate 2, a first wiring portion 3 installed on the upper surface of the substrate portion 2a of the insulating substrate 2, and a lower surface of the substrate portion 2a. A via electrically connects the second wiring portion 5, the third wiring portion 6 provided on the side of the substrate portion 2a, and the first wiring portion 3 and the second wiring portion 5. (4) is provided. The package 10 is formed into a substantially rectangular shape when viewed in plan view, and has a concave portion 15. The opening of the concave portion 15 is formed in a substantially rectangular shape when viewed in plan view.
절연성 기판(2)은, 발광 소자(20)를 재치하는 기판부(2a)와, 이 기판부(2a)의 상면 측의 주연에 형성되는 제1 벽면부(2b)와, 이 제1 벽면부(2b)에 적층되는 제2 벽면부(2c)를 구비하고 있다. 절연성 기판(2)은, 제1 벽면부(2b) 및 제2 벽면부(2c)의 내측이 되는 중앙에 개구를 가지는 오목 형상으로 형성되어 있다. The insulating substrate 2 includes a substrate portion 2a on which the light emitting element 20 is mounted, a first wall portion 2b formed around the upper surface side of the substrate portion 2a, and this first wall portion. It is provided with a second wall portion 2c stacked on (2b). The insulating substrate 2 is formed in a concave shape with an opening at the center inside the first wall portion 2b and the second wall portion 2c.
기판부(2a), 제1 벽면부(2b), 제2 벽면부(2c)는, 단차가 내측에 형성되도록 설치되어 있다. 제1 벽면부(2b) 및 제2 벽면부(2c)는, 외주 측면을 동일한 측면으로 하고, 내주 측면이 제2 벽면부(2c)보다 제1 벽면부(2b)가 내측에 위치하도록 형성되어 있다. 제1 벽면부(2b)가 제2 벽면부(2c)보다 내측에 위치함으로써, 후술하는 제1 반사층(30)이 경사지기 쉬워진다. 또한, 오목부(15)의 측면은 단차가 아니라 저면으로부터 개구를 향해 폭이 커지는 경사면이여도 된다. The substrate portion 2a, the first wall portion 2b, and the second wall portion 2c are installed so that a step is formed on the inside. The first wall portion 2b and the second wall portion 2c are formed so that the outer circumferential side is the same side, and the inner circumferential side is positioned so that the first wall portion 2b is located inside the second wall portion 2c. there is. When the first wall portion 2b is located inside the second wall portion 2c, the first reflective layer 30, which will be described later, becomes inclined easily. Additionally, the side surface of the concave portion 15 may not be a step but an inclined surface whose width increases from the bottom toward the opening.
절연성 기판(2)으로서는, 예를 들어, PPA(폴리프탈아미드), PPS(폴리페닐렌 설파이드), 또는, 액정 폴리머 등의 열가소성 수지나, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 에폭시 수지, 우레탄 수지, 또는, 페놀 수지 등의 열경화성 수지를 이용할 수 있다. 또한, 절연성 기판(2)은, 글라스 에폭시 수지, 세라믹스, 글라스 등을 이용하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 절연성 기판(2)에 세라믹스를 이용할 경우에는, 특히, 알루미나, 질화알루미늄, 멀라이트, 탄화규소, 질화규소 등을 이용하는 것이 바람직하다.As the insulating substrate 2, for example, thermoplastic resin such as PPA (polyphthalamide), PPS (polyphenylene sulfide), or liquid crystal polymer, epoxy resin, silicone resin, modified epoxy resin, urethane resin, or , thermosetting resins such as phenol resins can be used. Additionally, it is more preferable to use glass epoxy resin, ceramics, glass, etc. for the insulating substrate 2. Additionally, when using ceramics for the insulating substrate 2, it is particularly preferable to use alumina, aluminum nitride, mullite, silicon carbide, silicon nitride, etc.
제1 배선부(3)는, 기판부(2a)의 상면에 설치되어, 발광 소자(20)와 전기적으로 접속된다. 이 제1 배선부(3)는, 정부(正負) 한 쌍의 전극으로서 제1 리드(3a) 및 제2 리드(3b)를 구비하고 있으며, 제1 리드(3a) 및 제2 리드(3b) 상에 발광 소자(20)가 플립 칩 실장되어 있다.The first wiring portion 3 is installed on the upper surface of the substrate portion 2a and is electrically connected to the light emitting element 20. This first wiring portion 3 is provided with a first lead 3a and a second lead 3b as a pair of positive and negative electrodes, and the first lead 3a and the second lead 3b are A light emitting element 20 is flip chip mounted on the top.
제2 배선부(5)는, 기판부(2a)의 하면에 설치되어, 발광 장치(100)의 외부 전극으로서, 외부 전원과 전기적으로 접속된다.The second wiring portion 5 is installed on the lower surface of the substrate portion 2a, serves as an external electrode of the light emitting device 100, and is electrically connected to an external power source.
비어(4)는 기판부(2a)를 관통하는 관통공 내에, 제3 배선부(6)는 기판부(2a)의 측면에, 각각 설치되어, 제1 배선부(3)와 제2 배선부(5)를 전기적으로 접속하고 있다. 제1 배선부(3)와 제2 배선부(5)가 전기적으로 접속된다면, 비어(4)와 제3 배선부(6)의 어느 하나는 생략할 수 있다. The via 4 is installed in a through hole penetrating the substrate portion 2a, and the third wiring portion 6 is installed on the side of the substrate portion 2a, respectively, so that the first wiring portion 3 and the second wiring portion are formed. (5) is electrically connected. If the first wiring portion 3 and the second wiring portion 5 are electrically connected, either the via 4 or the third wiring portion 6 can be omitted.
제1 배선부(3), 제2 배선부(5) 및 제3 배선부(6)로서는, 예를 들어, Fe, Cu, Ni, Al, Ag, Au, 또는, 이들의 일종을 포함하는 합금을 이용할 수 있다. As the first wiring portion 3, the second wiring portion 5, and the third wiring portion 6, for example, Fe, Cu, Ni, Al, Ag, Au, or an alloy containing one of these can be used.
또한, 제1 배선부(3), 제2 배선부(5) 및 제3 배선부(6)는, 표면에 도금층(7)이 형성되어 있어도 된다. 도금층(7)은, 예를 들어, Au, Ag, Cu, Pt, 또는, 이들의 일종을 포함하는 합금을 이용할 수 있다. 도금층(7)이 이러한 재료라면, 발광 소자(20)로부터의 광의 반사율을 보다 높일 수 있다. Additionally, the first wiring portion 3, the second wiring portion 5, and the third wiring portion 6 may have a plating layer 7 formed on their surfaces. The plating layer 7 can be, for example, Au, Ag, Cu, Pt, or an alloy containing one of these. If the plating layer 7 is made of such a material, the reflectance of light from the light emitting element 20 can be further increased.
발광 소자(20)는, 투광성의 기판(21)과 기판(21) 상에 형성된 반도체층(22)을 포함한다. 기판(21)은 절연성의 것을 사용할 수 있는 것 외에, 도전성의 것도 사용할 수 있다. 발광 소자(20)의 형상이나 크기 등은 임의의 것을 선택할 수 있다. 발광 소자(20)의 발광색으로서는, 용도에 따라 임의의 파장의 것을 선택할 수 있다. 예를 들어, 청색(파장 430~490nm의 광)의 발광 소자(20)로서는, GaN계나 InGaN계를 이용할 수 있다. InGaN계로서는, InXAlYGa1-X-YN(0≤X≤1, 0≤Y≤1, X＋Y≤1) 등을 이용할 수 있다.The light-emitting element 20 includes a translucent substrate 21 and a semiconductor layer 22 formed on the substrate 21. The substrate 21 can be either insulating or conductive. The shape and size of the light emitting element 20 can be selected arbitrarily. As the emission color of the light-emitting element 20, one of any wavelength can be selected depending on the application. For example, as the blue light emitting element 20 (light with a wavelength of 430 to 490 nm), GaN-based or InGaN-based can be used. As the InGaN system , In
발광 소자(20)의 두께(예를 들어 반도체층(22)의 하면으로부터 기판(21)의 상면까지의 높이)는, 예를 들어, 100㎛ 이상 300㎛ 이하이다. The thickness of the light emitting element 20 (for example, the height from the lower surface of the semiconductor layer 22 to the upper surface of the substrate 21) is, for example, 100 μm or more and 300 μm or less.
제1 반사층(30) 및 제2 반사층(40)은, 발광 소자(20)로부터 출사된 광을 반사시키는 부재이다. The first reflective layer 30 and the second reflective layer 40 are members that reflect light emitted from the light emitting element 20.
발광 소자(20)로부터 출사되는 광이 오목부(15)의 저면이나 측면에서 투과, 흡수되지 않도록, 오목부(15) 내의 표면은 제1 반사층(30) 및 제2 반사층(40)으로 피복되는 것이 바람직하고, 오목부(15) 내의 표면 모두가 제1 반사층(30) 및 제2 반사층(40)으로 피복되는 것이 보다 바람직하다. 또한, 발광 소자(20)로부터 출사되는 광의 취출을 방해하지 않도록, 발광 소자(20)의 상면 및 측면은 제1 반사층(30) 및 제2 반사층(40)으로 피복되지 않도록, 발광 소자(20)의 표면은 제2 반사층(40)으로부터 노출되는 것이 바람직하다.The surface within the concave portion 15 is covered with a first reflective layer 30 and a second reflective layer 40 so that the light emitted from the light emitting device 20 is not transmitted or absorbed by the bottom or side of the concave portion 15. It is preferable, and more preferably, all surfaces within the recess 15 are covered with the first reflective layer 30 and the second reflective layer 40. In addition, so as not to interfere with the extraction of light emitted from the light emitting device 20, the top and side surfaces of the light emitting device 20 are not covered with the first reflective layer 30 and the second reflective layer 40. The surface of is preferably exposed from the second reflective layer 40.
제1 반사층(30)은, 제1 반사재(31)를 함유하는 제1 수지에 의해 패키지(10)의 오목부(15)의 측면을 피복하여 형성되어 있다. 제1 반사층(30)은, 발광 소자(20)의 측면으로부터 이간하고, 오목부(15)의 저면의 외연을 피복하고 있다. 또한, 제1 반사층(30)은, 오목부(15)의 저면의 외연으로부터 오목부(15)의 측면까지 연속하여 피복하고 있다. 제1 반사층(30)은 오목부(15)의 측면의 대략 모두를 피복하는 것이 보다 바람직하지만, 적어도, 발광 장치(100)를 단면도 상에서 보았을 때 발광 소자(20)의 상면보다 제1 반사재(31)의 상단이 높아지도록 오목부(15)의 측면을 피복하는 것이 바람직하다.The first reflective layer 30 is formed by covering the side surface of the concave portion 15 of the package 10 with a first resin containing the first reflector 31. The first reflective layer 30 is separated from the side surface of the light emitting element 20 and covers the outer edge of the bottom of the concave portion 15. Additionally, the first reflective layer 30 continuously covers from the outer edge of the bottom of the concave portion 15 to the side surface of the concave portion 15. It is more preferable that the first reflective layer 30 covers approximately all of the side surfaces of the concave portion 15, but at least the first reflective layer 31 covers more than the upper surface of the light emitting element 20 when the light emitting device 100 is viewed in cross-section. ) It is desirable to cover the side of the concave portion 15 so that the upper end of the concave portion 15 is raised.
제1 반사층(30)은, 제1 반사재(31)가 제1 수지 중에 분산되어 있다. 여기서, 제1 반사재(31)가 제1 수지 중에 분산되어 있다란, 반사층으로서의 기능을 가지는 정도로 반사재가 분산되어 있으면 됨을 의미하며, 예를 들어, 종래 공지의 방법으로 반사재를 함유하는 수지를 도포했을 경우의 분산 상태이면 된다. 또한, 제1 반사층(30)은, 반사층으로서의 기능을 가지고 있다면, 제1 반사재(31)가 부분적으로 치우쳐 배치되어 있어도 상관없다. In the first reflective layer 30, the first reflector 31 is dispersed in the first resin. Here, that the first reflector 31 is dispersed in the first resin means that the reflector is dispersed to the extent that it functions as a reflection layer. For example, the resin containing the reflector may be applied by a conventionally known method. It just needs to be the distributed state of the case. Additionally, as long as the first reflective layer 30 has a function as a reflective layer, it does not matter if the first reflector 31 is disposed partially offset.
제1 반사층(30)에 대한 제1 반사재(31)의 함유 농도는, 예를 들어 10질량% 이상 50질량% 이하이다. The concentration of the first reflector 31 in the first reflection layer 30 is, for example, 10% by mass or more and 50% by mass or less.
제1 반사층(30)이 오목부(15)의 측면을 피복함으로써, 오목부(15)의 측면에 의한 광의 투과 및 흡수를 방지할 수 있다. By covering the side surface of the concave portion 15 with the first reflective layer 30, transmission and absorption of light by the side surface of the concave portion 15 can be prevented.
제2 반사층(40)은, 제1 반사층(30)에 접촉하여, 제2 반사재(41)를 함유하는 제2 수지에 의해 패키지(10)의 오목부(15)의 저면을 피복하여 형성되어 있다. 제2 반사층(40)은, 오목부(15)의 저면에 있어서 절연성 기판(2)에 있어서의 기판부(2a)의 상면 및 제1 배선부(3)를 피복함과 함께, 제1 반사층(30)의 일부를 피복하고 있다. 제2 반사층(40)은, 오목부(15)의 저면을 대략 균일한 두께로 피복하고 있다.The second reflective layer 40 is formed by contacting the first reflective layer 30 and covering the bottom of the concave portion 15 of the package 10 with a second resin containing the second reflective material 41. . The second reflective layer 40 covers the upper surface of the substrate portion 2a and the first wiring portion 3 in the insulating substrate 2 at the bottom of the concave portion 15, and the first reflective layer ( 30) is covered with a part of it. The second reflective layer 40 covers the bottom of the concave portion 15 with a substantially uniform thickness.
제2 반사층(40)이 오목부(15)의 저면을 피복함으로써, 도금층(7)이나 기판부(2a)에 의한 광의 투과 및 흡수를 방지할 수 있다. By covering the bottom of the concave portion 15 with the second reflective layer 40, transmission and absorption of light by the plating layer 7 or the substrate portion 2a can be prevented.
제2 반사층(40)은, 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부가 제2 반사층(40)으로부터 노출되도록 설치되어 있다. 여기서는, 발광 소자(20)의 측면의 반도체층(22) 측(즉 오목부(15)의 저면 측)에 위치하는 일부만이 제2 반사층(40)에 피복되어 있고, 측면의 그 외의 부위는, 제2 반사층(40)으로부터 노출되어, 광투과층(50)으로 피복되어 있다.The second reflective layer 40 is installed so that at least a portion of the side surface of the light emitting element 20 is exposed from the second reflective layer 40 . Here, only the portion located on the semiconductor layer 22 side of the side surface of the light emitting element 20 (i.e., the bottom side of the concave portion 15) is covered with the second reflective layer 40, and the remaining portion on the side surface is, It is exposed from the second reflective layer 40 and covered with the light-transmitting layer 50.
또한, 발광 소자(20)의 측면이란, 여기서는, 기판(21)의 측면과 반도체층(22)의 측면을 합친 부분이다. In addition, the side surface of the light emitting element 20 here is a portion that combines the side surface of the substrate 21 and the side surface of the semiconductor layer 22.
제2 반사층(40)은 단면도 상에서 보았을 때, 제2 반사재(41)가 저면 측에 치우쳐 배치되어 있다.When the second reflective layer 40 is viewed in cross-section, the second reflector 41 is disposed with a bias toward the bottom side.
제2 반사층(40)은, 제2 반사재(41)를 함유하는 함유층(40a)과 투광층(40b)을 오목부(15)의 저면 측으로부터 순서대로 구비하는 것이 바람직하다. 함유층(40a)은 제2 반사재(41)가 침강하여 된 층이며, 제2 반사층(40)의 깊이 방향에 있어서, 제2 반사재(41)가 고농도로 배치되는 영역이다. 투광층(40b)은 제2 반사재(41)가 침강함으로써 상방에 생기는 수지를 주체(主體)로 하는 층이다. 즉, 함유층(40a)과 투광층(40b) 사이에는 명확한 계면은 형성되어 있지 않다. The second reflective layer 40 preferably includes a content layer 40a containing the second reflector 41 and a light-transmissive layer 40b in that order from the bottom side of the concave portion 15. The content layer 40a is a layer formed by settling the second reflector 41, and is an area where the second reflector 41 is disposed at a high concentration in the depth direction of the second reflector layer 40. The light-transmitting layer 40b is a layer whose main body is resin formed on the upper side as the second reflector 41 settles. That is, no clear interface is formed between the content layer 40a and the light-transmitting layer 40b.
또한, 제2 반사층(40)은, 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 설치되지만, 발광 소자(20)의 측면의 대략 모두가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 설치되는 것이 바람직하다. 즉, 발광 소자(20)의 측면의 대략 모두가 함유층(40a)으로 피복되지 않는 것이 바람직하다. 여기서는, 발광 소자(20)의 측면의 실장면 측의 일부의 영역만이 함유층(40a)에 피복되어 있고, 측면의 다른 영역은, 함유층(40a)으로부터 노출되어, 투광층(40b) 및 광투과층(50)으로 피복되어 있다. 여기서는, 발광 소자(20)의 측면에 대해서, 함유층(40a)으로 반도체층(22)의 측면 전체를 피복하지 않도록 제2 반사층(40)을 배치하고 있다.In addition, the second reflective layer 40 is installed so that at least part of the side surface of the light-emitting element 20 does not face the containing layer 40a, but substantially all of the side surfaces of the light-emitting element 20 do not face the containing layer 40a. It is desirable to install it so that it does not. That is, it is preferable that approximately all of the side surfaces of the light emitting element 20 are not covered with the content layer 40a. Here, only a part of the area on the mounting surface side of the light emitting element 20 is covered with the content layer 40a, and the other area on the side is exposed from the content layer 40a and forms the light transmitting layer 40b and the light transmitting layer. It is covered with a layer (50). Here, the second reflective layer 40 is disposed on the side surface of the light emitting element 20 so as not to cover the entire side surface of the semiconductor layer 22 with the content layer 40a.
발광 소자(20)의 반도체층(22)의 측면의 적어도 일부가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 설치되어 있음으로써, 발광 소자(20)의 측면으로부터의 광 취출 효율이 향상되고, 발광 소자(20)의 측방의 영역에 있어서의 배광색도를 개선할 수 있다. By providing at least a portion of the side surface of the semiconductor layer 22 of the light emitting element 20 so as not to face the content layer 40a, the light extraction efficiency from the side surface of the light emitting element 20 is improved, and the light emitting element 20 ) can improve the light distribution chromaticity in the area on the side.
제2 반사층(40)은, 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 설치되어 있으면 된다. 그러나, 상기 효과를 보다 향상시키기 위해, 함유층(40a)에 대향하는 발광 소자(20)의 측면의 면적은 적은 편이 바람직하고, 발광 소자(20)의 측면의 모두가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 설치되어 있는 것이 보다 바람직하다(도 4, 5 참조).The second reflective layer 40 may be provided so that at least a portion of the side surface of the light emitting element 20 does not face the containing layer 40a. However, in order to further improve the above effect, it is preferable that the area of the side surface of the light emitting element 20 facing the containing layer 40a is small, so that not all of the side surfaces of the light emitting element 20 face the containing layer 40a. It is more preferable to have it installed (see Figures 4 and 5).
또한, 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 제2 반사층(40)이 설치되어 있다는 것은, 발광 소자(20)의 모든 측면에 있어서, 각 측면의 각각의 적어도 일부가 함유층(40a)에 대향하지 않도록 제2 반사층(40)이 설치되어 있다고 하는 의미이다.In addition, the fact that the second reflective layer 40 is provided so that at least a part of the side surface of the light-emitting element 20 does not face the content layer 40a means that, on all sides of the light-emitting element 20, at least each side of the light-emitting element 20 This means that the second reflective layer 40 is provided so that a portion does not face the containing layer 40a.
제2 반사층(40)의 두께는, 예를 들어 10㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 바람직하다. 제2 반사층(40)의 두께가 10㎛ 이상이면, 제2 반사층(40)을 형성하기 쉬워진다. 또한, 제2 반사층(40)의 두께가 200㎛ 이하이면, 상기한 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부가 대향하지 않도록 함유층(40a)을 마련하는 것에 의한 효과를 보다 향상시킬 수 있다.The thickness of the second reflective layer 40 is preferably, for example, 10 μm or more and 200 μm or less. If the thickness of the second reflective layer 40 is 10 μm or more, it becomes easy to form the second reflective layer 40. In addition, if the thickness of the second reflective layer 40 is 200 μm or less, the effect of providing the content layer 40a so that at least part of the side surface of the light emitting device 20 does not face each other can be further improved.
또한, 제2 반사층(40)의 두께를, 예를 들어 10㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위로 함으로써, 제2 반사재(41)를 원심 침강시키는 공정에 있어서, 표면 장력에 의한 제2 반사층(40)의 발광 소자(20)의 측면으로의 기어오름을 억제하여, 제2 반사층(40)을 배치할 수 있다. 또한, 제2 반사층(40)의 두께가, 발광 소자(20)와, 발광 소자(20)와 절연성 기판(2)과의 접합 부재(예를 들어 범프)의 두께 이하이면, 상기한 발광 소자(20)의 측면과 대향하지 않도록 함유층(40a)을 마련하는 것에 의한 효과를 보다 향상시킬 수 있다. In addition, in the process of centrifugally settling the second reflector 41 by setting the thickness of the second reflection layer 40 to a range of, for example, 10 μm or more and 200 μm or less, the second reflection layer 40 due to surface tension The second reflective layer 40 can be disposed by suppressing the rising of the light emitting element 20 to the side. In addition, if the thickness of the second reflective layer 40 is less than or equal to the thickness of the light-emitting element 20 and the bonding member (for example, bump) between the light-emitting element 20 and the insulating substrate 2, the above-mentioned light-emitting element ( The effect can be further improved by providing the containing layer 40a so as not to face the side surface of 20).
제2 반사층(40)에 있어서의 함유층(40a)의 두께는, 제2 반사층(40)의 두께의 10% 이상 100% 이하인 것이 바람직하고, 25% 이상 50% 이하인 것이 보다 바람직하다. 제2 반사층(40)에 있어서의 함유층(40a)의 두께 비율이 작아질수록, 함유층(40a) 중에 있어서의 제2 반사재(41)의 농도를 높게 할 수 있다. 함유층(40a)에 대한 제2 반사재(41)의 함유 농도는, 제1 반사층(30)에 대한 제1 반사재(31)의 함유 농도보다 큰 것이 바람직하다. 제2 반사층(40)은 발광 소자(20)의 측면을 노출시키기 때문에, 보다 얇은 층으로 배치되는 것이 바람직하다. 이 때문에, 함유층(40a)에 있어서의 제2 반사재(41)의 함유 농도를 높임으로써, 발광 소자(20)의 측면을 노출시키는 것에 의한 광 취출 효율의 향상과, 오목부(15)의 저면에 있어서의 광의 투과 및 흡수의 억제를 양립시킬 수 있다. 함유층(40a)에 대한 제2 반사재(41)의 함유 농도는, 예를 들어 50질량% 이상 70질량%로 할 수 있다. The thickness of the content layer 40a in the second reflective layer 40 is preferably 10% to 100% of the thickness of the second reflective layer 40, and more preferably 25% to 50%. As the thickness ratio of the content layer 40a in the second reflection layer 40 decreases, the concentration of the second reflector 41 in the content layer 40a can be increased. It is preferable that the content concentration of the second reflector 41 in the content layer 40a is greater than the content concentration of the first reflector 31 in the first reflection layer 30. Since the second reflective layer 40 exposes the side surface of the light emitting device 20, it is preferable to be disposed as a thinner layer. For this reason, by increasing the content concentration of the second reflector 41 in the content layer 40a, the light extraction efficiency is improved by exposing the side surface of the light emitting element 20, and the bottom surface of the concave portion 15 is It is possible to achieve both suppression of light transmission and absorption. The content concentration of the second reflector 41 in the content layer 40a can be, for example, 50% by mass or more and 70% by mass.
또한, 발광 소자(20)의 측면의 일부가 함유층(40a)에 대향하는 경우, 함유층(40a)의 두께는, 발광 소자(20)의 측면의 두께의 1/4 이하가 바람직하고, 1/6 이하가 보다 바람직하고, 1/8 이하가 보다 더 바람직하다.In addition, when a part of the side surface of the light emitting element 20 faces the containing layer 40a, the thickness of the containing layer 40a is preferably 1/4 or less of the thickness of the side surface of the light emitting element 20, and is preferably 1/6. Below is more preferable, and 1/8 or below is even more preferable.
제1 수지 및 제2 수지에 이용하는 수지 재료로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지 등의 열경화성 수지 등을 들 수 있다. Examples of the resin material used for the first resin and the second resin include thermosetting resins such as epoxy resin, modified epoxy resin, silicone resin, and modified silicone resin.
제1 수지와 제2 수지는, 같은 수지 재료를 이용해도 되고, 다른 수지 재료를 이용해도 된다. The first resin and the second resin may be the same resin material or different resin materials may be used.
제2 수지의 점도는, 실온(20±5℃)에서, 0.3Pa·s 이상 15Pa·s 이하인 것이 바람직하다. 제2 수지의 점도가 0.3Pa·s 이상이면, 포팅에 의해 오목부(15)의 저면에 제2 수지를 용이하게 배치하기 쉽다. 또한, 제2 수지의 점도가 15Pa·s 이하이면, 원심력에 의한 제2 반사층(40)의 형상 변화가 용이하게 된다. 나아가 원심력에 의해 제2 반사재(41)를 침강시키기 쉬워진다. 또한, 상술한 효과를 얻기 위한 보다 바람직한 제2 수지의 점도는, 0.5Pa·s 이상 6Pa·s 이하이다. The viscosity of the second resin is preferably 0.3 Pa·s or more and 15 Pa·s or less at room temperature (20±5°C). If the viscosity of the second resin is 0.3 Pa·s or more, it is easy to place the second resin on the bottom of the concave portion 15 by potting. Additionally, if the viscosity of the second resin is 15 Pa·s or less, the shape of the second reflective layer 40 is easily changed due to centrifugal force. Furthermore, it becomes easy to cause the second reflector 41 to settle due to centrifugal force. In addition, the more preferable viscosity of the second resin for obtaining the above-mentioned effect is 0.5 Pa·s or more and 6 Pa·s or less.
또한, 여기서의 제2 수지의 점도는, 제2 반사재(41)를 함유한 상태의 점도이며, 후술하는 바와 같이, 원심력에 의해 제2 수지에 함유되는 제2 반사재(41)를 침강 시키기 전의 점도이다. In addition, the viscosity of the second resin here is the viscosity in the state containing the second reflector 41, and as described later, the viscosity before the second reflector 41 contained in the second resin is sedimented by centrifugal force. am.
제1 반사재(31) 및 제2 반사재(41)에 이용되는 광반사재로서는, 예를 들어, 산화티탄, 실리카, 산화규소, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화마그네슘, 티탄산칼륨, 산화아연, 질화붕소 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 광반사의 관점으로부터, 굴절률이 비교적 높은 산화티탄을 이용하는 것이 바람직하다. Light reflecting materials used in the first reflector 31 and the second reflector 41 include, for example, titanium oxide, silica, silicon oxide, aluminum oxide, zirconium oxide, magnesium oxide, potassium titanate, zinc oxide, boron nitride, etc. can be mentioned. Among these, from the viewpoint of light reflection, it is preferable to use titanium oxide with a relatively high refractive index.
제1 반사재(31)와 제2 반사재(41)는, 같은 종류여도 되고, 다른 종류여도 된다.The first reflector 31 and the second reflector 41 may be of the same type or may be of different types.
제2 반사재(41)로서는, 제2 수지에 이용하는 수지 재료보다 비중이 큰 것을 이용하는 것이 바람직하다. 제2 반사재(41)와 수지 재료와의 비중차에 의해, 원심력에 의해 제2 반사재(41)를 저면 측으로 침강시키기 쉬워진다. 나아가, 제2 반사재(41)에 입경이 큰 것을 사용함으로써, 보다 빨리 제2 반사재(41)를 저면 측으로 침강시킬 수 있다.As the second reflector 41, it is preferable to use a material having a larger specific gravity than the resin material used for the second resin. Due to the difference in specific gravity between the second reflector 41 and the resin material, it becomes easy to cause the second reflector 41 to sink toward the bottom due to centrifugal force. Furthermore, by using a large particle size for the second reflector 41, the second reflector 41 can be settled toward the bottom more quickly.
또한, 원심력을 이용함으로써 제2 반사재(41)가 고밀도로 배치되기 때문에, 입자간의 간격이 좁아져, 광의 누설이나 광투과가 억제되어, 제2 반사층(40)에 있어서의 광반사율을 향상시킬 수 있다. In addition, since the second reflector 41 is arranged at high density by using centrifugal force, the gap between particles is narrowed, light leakage and light transmission are suppressed, and the light reflectance in the second reflection layer 40 can be improved. there is.
제2 반사재(41)의 입경은, 0.1㎛ 이상 1.0㎛ 이하인 것이 바람직하다. 제2 반사재(41)의 입경이 0.1㎛ 이상이면, 원심력에 의해 제2 반사재(41)를 침강시키기 쉬워진다. 또한, 제2 반사재(41)의 입경이 1.0㎛ 이하이면, 가시광을 광반사시키기 쉽다. 제2 반사재(41)의 입경은, 상기 관점으로부터, 보다 바람직하게는 0.4㎛ 이상 0.6㎛ 이하이다. The particle size of the second reflector 41 is preferably 0.1 μm or more and 1.0 μm or less. If the particle size of the second reflector 41 is 0.1 μm or more, it becomes easy to cause the second reflector 41 to settle due to centrifugal force. Additionally, if the particle size of the second reflector 41 is 1.0 μm or less, visible light is easily reflected. From the above viewpoint, the particle size of the second reflector 41 is more preferably 0.4 μm or more and 0.6 μm or less.
광투과층(50)은, 형광체(51)를 함유하는 제3 수지에 의해 형성된다. 광투과층(50)은, 제1 반사층(30)에 접촉하여, 제2 반사층(40) 및 상기 발광 소자(20) 상에 배치되어 형성되어 있다. The light-transmitting layer 50 is formed of a third resin containing the phosphor 51. The light-transmitting layer 50 is formed in contact with the first reflective layer 30 and disposed on the second reflective layer 40 and the light-emitting element 20.
제3 수지에 이용하는 수지 재료로서는, 예를 들어, 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지 등의 열경화성 수지 등을 들 수 있다. 제3 수지에 이용하는 수지 재료는, 제1 수지 및 제2 수지와 같은 수지 재료여도 되고, 다른 수지 재료여도 된다. 또한, 제1 수지 및 제2 수지에 내열성이 높은 수지를 이용하고, 제3 수지에 경질의 수지를 이용할 수도 있다. Examples of the resin material used for the third resin include thermosetting resins such as epoxy resin, modified epoxy resin, silicone resin, and modified silicone resin. The resin material used for the third resin may be the same resin material as the first resin and the second resin, or may be a different resin material. In addition, a resin with high heat resistance can be used as the first resin and the second resin, and a hard resin can be used as the third resin.
실리콘 수지는, 에폭시 수지보다 일반적으로 450nm 이상 500nm 이하 부근에서의 내광성이 높고, 또한, 에폭시 수지는 실리콘 수지보다 경질이다. 그 때문에, 제1 수지 및 제2 수지에 실리콘 수지를 이용하고, 제3 수지에 에폭시 수지를 이용해도 된다. Silicone resins generally have higher light resistance in the vicinity of 450 nm to 500 nm than epoxy resins, and epoxy resins are harder than silicone resins. Therefore, a silicone resin may be used for the first resin and the second resin, and an epoxy resin may be used for the third resin.
형광체(51)는, 발광 소자(20)의 상면, 제1 반사층(30)의 내측면, 및 제2 반사층(40)의 상면에 배치되어 있다. 형광체(51)를 발광 소자(20)의 상면에 배치함으로써, 발광 소자(20)로부터의 광을 효율 좋게 파장 변환하여, 외부로 방출할 수 있다. 또한, 형광체(51)를 제1 반사층(30)의 내측면에 배치함으로써, 제1 반사층(30)에서 반사된 광을 효율 좋게 파장 변환하여, 외부로 방출할 수 있다. 또한, 형광체(51)를 제2 반사층(40)의 상면에 배치함으로써, 제2 반사층(40)에서 반사된 광을 효율 좋게 파장 변환하여, 외부로 방출할 수 있다. The phosphor 51 is disposed on the upper surface of the light emitting element 20, the inner surface of the first reflective layer 30, and the upper surface of the second reflective layer 40. By disposing the phosphor 51 on the upper surface of the light-emitting element 20, the light from the light-emitting element 20 can be efficiently converted to wavelength and emitted to the outside. Additionally, by disposing the phosphor 51 on the inner surface of the first reflective layer 30, the light reflected by the first reflective layer 30 can be efficiently converted to wavelength and emitted to the outside. Additionally, by disposing the phosphor 51 on the upper surface of the second reflective layer 40, the light reflected by the second reflective layer 40 can be efficiently converted to wavelength and emitted to the outside.
형광체(51)로서는, 제3 수지에 이용하는 수지 재료보다 비중이 큰 것을 이용하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제3 수지 중에 있어서 형광체(51)를 오목부(15)의 저면 측으로 자연 침강시킬 수 있다. 또한, 형광체(51)는 제3 수지 중에 있어서 원심력에 의해 강제 침강되어 있어도 된다.As the phosphor 51, it is preferable to use a material having a larger specific gravity than the resin material used for the third resin. As a result, the phosphor 51 can naturally settle toward the bottom of the concave portion 15 in the third resin. Additionally, the phosphor 51 may be forced to settle in the third resin by centrifugal force.
형광체(51)의 입경은, 예를 들어, 3㎛ 이상 50㎛ 이하를 들 수 있다. The particle size of the phosphor 51 is, for example, 3 μm or more and 50 μm or less.
형광체(51)는, 제3 수지 중에 분산되어 있어도 된다. 제3 수지 중에 형광체(51)를 분산시킴으로써, 발광 장치(100)로부터 방출되는 광의 배향의 불균일을 저감할 수 있다.The phosphor 51 may be dispersed in the third resin. By dispersing the phosphor 51 in the third resin, unevenness in the orientation of light emitted from the light emitting device 100 can be reduced.
형광체(51)로서는, 당해 분야에서 공지된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, YAG(Y3Al5O12：Ce)나 실리케이트 등의 황색 형광체, CASN(CaAlSiN3：Eu)나 KSF(K2SiF6：Mn) 등의 적색 형광체, 혹은, 클로로 실리케이트나 BaSiO4：Eu2+ 등의 녹색 형광체를 이용할 수 있다. As the phosphor 51, those known in the art can be used. For example, yellow phosphors such as YAG (Y 3 Al 5 O 12 :Ce) and silicate, red phosphors such as CASN (CaAlSiN 3 :Eu) and KSF (K 2 SiF 6 :Mn), or chlorosilicate and BaSiO. 4 : Green phosphors such as Eu 2+ can be used.
［발광 장치의 동작］［Operation of light emitting device］
발광 장치(100)를 구동하면, 제1 배선부(3), 비어(4), 제2 배선부(5) 및 제3 배선부(6)를 거쳐 외부 전원으로부터 발광 소자(20)로 전류가 공급되어, 발광 소자(20)가 발광한다. 발광 소자(20)가 발광한 광은, 상방으로 진행하는 광 L1은, 발광 장치(100)의 상방의 외부로 취출된다. 또한, 하방으로 진행하는 광 L2는, 함유층(40a)에서 반사되고, 오목부(15)의 개구 방향으로 방출되어 발광 장치(100)의 외부로 취출된다. 또한, 횡방향으로 진행하는 광 L3는, 제1 반사층(30)에서 반사되고, 오목부(15)의 개구 방향으로 방출되어 발광 장치(100)의 외부로 취출된다. 이에 의해 발광 소자(20)로부터 출사된 광이 오목부(15)의 저면 및 측면으로부터 누설되는 것을 극력 억제할 수 있어, 광 취출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 색 불균일을 저감시킬 수 있다. When the light emitting device 100 is driven, current flows from the external power source to the light emitting device 20 through the first wiring portion 3, the via 4, the second wiring portion 5, and the third wiring portion 6. When supplied, the light emitting element 20 emits light. The light emitted by the light emitting element 20, the light L 1 traveling upward, is extracted to the outside above the light emitting device 100 . Additionally, the light L 2 traveling downward is reflected by the content layer 40a, is emitted in the direction of the opening of the concave portion 15, and is taken out to the outside of the light emitting device 100. Additionally, light L 3 traveling in the horizontal direction is reflected by the first reflection layer 30 and is emitted in the direction of the opening of the concave portion 15 to be taken out to the outside of the light emitting device 100 . As a result, leakage of light emitted from the light emitting element 20 from the bottom and side surfaces of the concave portion 15 can be suppressed as much as possible, and light extraction efficiency can be improved. Additionally, color unevenness can be reduced.
［발광 장치(100)의 제조 방법］[Method of manufacturing light-emitting device 100]
다음으로, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법의 일례에 대해 설명한다.Next, an example of a method for manufacturing a light-emitting device according to the embodiment will be described.
도 2는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법의 흐름도이다. 도 3a는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 발광 소자를 재치하는 공정을 나타내는 단면도이다. 도 3b는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 단면도이다. 도 3c는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제1 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 평면도이다. 도 3d는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제2 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 모식도이며, 패키지의 오목부의 저면을 제2 수지로 피복하고, 원심력에 의해 제2 반사재를 침강시키는 공정을 나타내는 모식도이다. 도 3e는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 제2 반사층을 형성하는 공정을 나타내는 단면도이며, 원심력에 의해 제2 반사재를 침강시킨 후의 상태를 나타내는 단면도이다. 도 3f는, 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법에 있어서, 광투과층을 배치하는 공정을 나타내는 단면도이다. Figure 2 is a flowchart of a method for manufacturing a light-emitting device according to the embodiment. FIG. 3A is a cross-sectional view showing a step of placing a light-emitting element in the method of manufacturing a light-emitting device according to the embodiment. FIG. 3B is a cross-sectional view showing a step of forming a first reflective layer in the method of manufacturing a light-emitting device according to the embodiment. FIG. 3C is a plan view showing a step of forming a first reflective layer in the method of manufacturing a light-emitting device according to the embodiment. 3D is a schematic diagram showing the step of forming a second reflective layer in the method of manufacturing a light-emitting device according to the embodiment, in which the bottom of the concave portion of the package is covered with a second resin and the second reflector is precipitated by centrifugal force. This is a schematic diagram showing the process. FIG. 3E is a cross-sectional view showing the step of forming the second reflective layer in the method of manufacturing the light-emitting device according to the embodiment, and is a cross-sectional view showing the state after the second reflector is settled by centrifugal force. FIG. 3F is a cross-sectional view showing a step of disposing a light-transmitting layer in the method of manufacturing a light-emitting device according to the embodiment.
발광 장치(100)의 제조 방법은, 발광 소자를 재치하는 공정 S101과, 제1 반사층을 형성하는 공정 S102와, 제2 수지를 준비하는 공정 S103과, 제2 반사층을 형성하는 공정 S104와, 광투과층을 배치하는 공정 S105를 가진다. 또한, 각 부재의 재질이나 배치 등에 대해서는, 상기한 발광 장치(100)의 설명에서 말한 대로이므로, 여기서는 적절히, 설명을 생략한다. The manufacturing method of the light-emitting device 100 includes step S101 of mounting the light-emitting element, step S102 of forming the first reflective layer, step S103 of preparing the second resin, step S104 of forming the second reflective layer, and There is a step S105 of arranging a transparent layer. In addition, since the materials and arrangement of each member are as described above in the description of the light emitting device 100, description thereof will be appropriately omitted here.
(발광 소자를 재치하는 공정)(Process of placing the light emitting element)
발광 소자를 재치하는 공정 S101은, 오목부(15)를 가지는 패키지(10)의 오목부(15)의 저면에 발광 소자(20)를 재치하는 공정이다.Step S101 for placing the light-emitting element is a process for placing the light-emitting element 20 on the bottom of the recessed portion 15 of the package 10 having the recessed portion 15.
이 공정 S101에서는, 발광 소자(20)를 오목부(15)의 저면에 재치한다. 발광 소자(20)는, 전극 형성면을 실장면으로 하여, 도전성 접착재에 의해 오목부의 저면의 대략 중앙에 플립 칩 실장되어 있다. 도전성 접착재로서는, 예를 들어 공정(共晶) 납, 도전 페이스트, 범프 등을 이용하면 된다. 또한, 발광 소자(20)는 페이스 업 실장되어 있어도 되며, 이 경우, 비도전성의 접착재를 이용해도 된다. In this step S101, the light emitting element 20 is placed on the bottom of the concave portion 15. The light emitting element 20 is flip-chip mounted at approximately the center of the bottom surface of the concave portion using a conductive adhesive material, with the electrode formation surface used as the mounting surface. As a conductive adhesive, for example, eutectic lead, conductive paste, bump, etc. may be used. Additionally, the light emitting element 20 may be mounted face-up, and in this case, a non-conductive adhesive may be used.
(제1 반사층을 형성하는 공정)(Process of forming the first reflective layer)
제1 반사층을 형성하는 공정 S102는, 오목부(15)의 측면을 제1 반사재(31)를 함유하는 제1 수지로 피복하고 제1 반사층(30)을 형성하는 공정이다. Step S102 of forming the first reflective layer is a step of covering the side surface of the concave portion 15 with a first resin containing the first reflective material 31 and forming the first reflective layer 30.
이 공정 S102에서는, 예를 들어, 포팅에 의해, 오목부(15)의 측면을 피복하는 제1 수지를 배치한다. 제1 수지의 오목부(15)에의 배치는, 제1 수지가 충전된 수지 토출 장치의 선단의 노즐로부터 미경화의 수지 재료를 오목부(15)의 저면의 외연 근방(바람직하게는 측면과의 경계)에 토출함으로써 행할 수 있다. 미경화의 제1 수지는 오목부(15)의 측면으로 젖어 퍼져나가, 오목부(15)의 측면을 피복한다. 이 때, 오목부(15)의 저면에도 제1 수지가 유동하기 때문에, 제1 수지는 오목부(15)의 저면의 외연의 일부를 피복하고 있다. 여기서는, 제1 수지가 발광 소자(20)의 측면으로부터 이간하고, 또한, 오목부(15)의 측면의 상방으로 기어올라가도록, 제1 수지의 점도 및 형성 위치를 조정하여 두는 것이 바람직하다. 제1 반사층(30)을 포팅에 의해 형성할 경우, 제1 수지의 점도는, 예를 들어 실온(20±5℃)에서, 1Pa·s~50Pa·s로 조정된다. In this step S102, the first resin covering the side surface of the concave portion 15 is disposed, for example, by potting. The arrangement of the first resin in the concave portion 15 involves dispensing uncured resin material from a nozzle at the tip of the resin discharge device filled with the first resin near the outer edge of the bottom of the concave portion 15 (preferably adjacent to the side surface). This can be done by discharging at the border. The uncured first resin wets and spreads to the side surface of the concave portion (15) and covers the side surface of the concave portion (15). At this time, since the first resin also flows on the bottom of the concave portion 15, the first resin covers a part of the outer edge of the bottom of the concave portion 15. Here, it is desirable to adjust the viscosity and formation position of the first resin so that the first resin moves away from the side surface of the light emitting element 20 and climbs upward on the side surface of the concave portion 15. When forming the first reflective layer 30 by potting, the viscosity of the first resin is adjusted to 1 Pa·s to 50 Pa·s, for example, at room temperature (20 ± 5°C).
또한, 이 공정 S102에서는, 미리 오목부(15)의 내면을 유기용제에 담그어 둘 수도 있다. 미리 오목부(15)의 내면을 유기용제에 담그어 둠으로써, 제1 수지의 오목부(15)의 측면으로의 기어오름을 촉진할 수 있다. 또한, 오목부(15)의 측면에 젖음성이 높은 재료를 이용하거나, 측면의 표면을 조면 가공하거나 하는 것 등에 의해서도, 오목부(15)의 측면으로의 기어오름을 촉진할 수 있다. Additionally, in this step S102, the inner surface of the concave portion 15 may be soaked in an organic solvent in advance. By soaking the inner surface of the concave portion 15 in an organic solvent in advance, the creeping up of the first resin to the side of the concave portion 15 can be promoted. Additionally, the creeping up to the side of the concave portion 15 can be promoted by using a material with high wettability on the side surface of the concave portion 15 or roughening the surface of the side surface.
또한, 경화 전의 제1 수지에는 제1 반사재(31)가 혼합되어 있으며, 제1 수지 중에 함유되는 제1 반사재(31)의 함유 농도는, 10질량% 이상 50질량% 이하로 하는 것이 바람직하다. In addition, the first reflector 31 is mixed in the first resin before curing, and the concentration of the first reflector 31 contained in the first resin is preferably 10% by mass or more and 50% by mass or less.
제1 수지는, 제1 수지를 포팅에 의해 오목부(15)의 저면의 외연 근방에 배치함으로써, 제1 수지가 오목부(15)의 측면으로 젖어 퍼진다. 또한 이 때, 제1 반사층(30)은, 제1 반사재(31)가 제1 수지 중에 분산된 상태이다.By disposing the first resin near the outer edge of the bottom surface of the concave portion 15 by potting, the first resin is wetted and spreads on the side surface of the concave portion 15. Also, at this time, the first reflective layer 30 is in a state in which the first reflector 31 is dispersed in the first resin.
그 후, 예를 들어, 120℃ 이상 200℃ 이하의 온도에서 제1 수지를 경화시키고, 제1 반사층(30)을 형성한다. 제1 수지의 경화는, 제1 수지가 오목부(15)의 측면으로 젖어 퍼진 후에, 패키지가 가만히 정지한 상태에서 행하는 것이 바람직하다.Thereafter, the first resin is cured at a temperature of, for example, 120°C or higher and 200°C or lower, and the first reflective layer 30 is formed. Curing of the first resin is preferably carried out after the first resin has wetted and spread to the side surface of the concave portion 15 while the package is stationary.
이 공정 S102에서는, 제1 반사층(30)은, 평면도 상에서 보았을 때, 내연 부분이 원형이 되도록 형성된다. In this step S102, the first reflective layer 30 is formed so that the inner edge portion is circular when viewed in plan view.
(제2 수지를 준비하는 공정)(Step of preparing second resin)
제2 수지를 준비하는 공정 S103은, 2액 경화성의 수지 재료의 주제(主劑)와 제2 반사재(41)를 혼합하고, 일정시간 이상 경과 후에 경화제를 혼합하는 공정이다.Step S103 for preparing the second resin is a step of mixing the main component of the two-component curable resin material and the second reflector 41, and mixing the curing agent after a certain period of time or more.
이와 같이 하여 제작한 제2 수지를 이용함으로써, 제2 반사재(41)와 수지 재료와의 친화성을 좋게 하여, 원심력에 의해 제2 반사재(41)를 침강시키기 쉽게 할 수 있다. 경화제 혼합 전의 온도는 실온 정도로 한다. By using the second resin produced in this way, the affinity between the second reflector 41 and the resin material can be improved, and the second reflector 41 can be easily settled by centrifugal force. The temperature before mixing the hardener is around room temperature.
2액 경화성의 수지 재료로서는, 예를 들어, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다. Examples of two-liquid curable resin materials include silicone resins, modified silicone resins, epoxy resins, and modified epoxy resins.
2액 경화성의 수지 재료의 주제와 제2 반사재(41)를 혼합하고 경과시키는 시간은, 제2 반사재(41)를 보다 침강시키기 쉽게 하려는 관점으로부터, 바람직하게는 2시간 이상이다. 또한, 경과시키는 시간은, 제조 시간을 단축시키려는 관점으로부터, 바람직하게는 8시간 이하이다. 또한, 경화제를 혼합한 후에는, 제2 수지가 경화하기 전에 다음 공정으로 이동한다. The time elapsed after mixing the main component of the two-liquid curable resin material and the second reflector 41 is preferably 2 hours or more from the viewpoint of making the second reflector 41 easier to settle. In addition, the elapsed time is preferably 8 hours or less from the viewpoint of shortening the manufacturing time. Additionally, after mixing the curing agent, the process moves to the next step before the second resin is cured.
(제2 반사층을 형성하는 공정)(Step of forming second reflective layer)
제2 반사층을 형성하는 공정 S104는, 제1 반사층(30)에 접촉하여, 오목부(15)의 저면을 제2 반사재(41)를 함유하는 제2 수지로 피복하고 제2 반사층(40)을 형성하는 공정이다.Step S104 of forming the second reflective layer involves contacting the first reflective layer 30, coating the bottom of the concave portion 15 with a second resin containing the second reflective material 41, and forming the second reflective layer 40. It is a forming process.
이 공정 S104에서는, 예를 들어, 제1 수지와 마찬가지로, 포팅에 의해, 오목부(15)의 저면에 미경화의 제2 수지를 배치한다. 이 때, 제2 수지는, 오목부(15)의 저면에 있어서의 오목부(15)의 측면과 발광 소자(20) 사이에 배치한다. 또한, 바람직하게는, 제1 반사층(30)에 접하도록 제2 수지를 배치한다. 이에 의해, 제2 수지의 발광 소자(20) 측으로의 유동을 억제할 수 있기 때문에, 원심 회전시키기 전에 제2 수지가 발광 소자(20)의 측면으로 기어올라 버리는 것을 억제할 수 있다. 발광 소자(20)의 측면으로의 제2 수지의 기어오름은, 원심 회전으로 제2 수지의 형상이 변화함으로써 해소되지만, 제2 수지의 점도나 원심 회전 속도에 따라서는, 제2 수지가 발광 소자(20)의 측면에 남아버릴 우려가 있다. 이 때문에, 원심 회전시키기 전의 제2 수지는, 발광 소자(20)의 측면을 피복하고 있지 않은 것이 바람직하다. In this step S104, for example, like the first resin, the uncured second resin is placed on the bottom of the concave portion 15 by potting. At this time, the second resin is disposed between the side surface of the concave portion 15 and the light emitting element 20 on the bottom of the concave portion 15. Also, preferably, the second resin is disposed so as to be in contact with the first reflective layer 30. As a result, the flow of the second resin toward the light-emitting element 20 can be suppressed, and thus the second resin can be prevented from climbing up the side of the light-emitting element 20 before centrifugal rotation. The creeping of the second resin onto the side of the light-emitting element 20 is resolved by changing the shape of the second resin through centrifugal rotation, but depending on the viscosity of the second resin and the centrifugal rotation speed, the second resin may be used as a light-emitting element. There is a risk that it will remain on the side of (20). For this reason, it is preferable that the second resin before centrifugal rotation does not cover the side surface of the light emitting element 20.
다음으로, 오목부(15)의 저면에 원심력이 걸리는 방향으로 패키지(10)를 원심 회전시킨다. 이에 의해, 제2 수지는 오목부(15)의 저면 측으로 이동하여 오목부(15)의 저면을 피복한다. 또한, 이 때, 제2 수지가 발광 소자(20)의 측면의 일부를 피복한다고 해도, 원심력에 의해 발광 소자(20)의 측면의 높이 방향으로의 젖어 퍼짐이 억제된다. 나아가, 이 원심력을 이용하여, 제2 수지의 제2 반사재(41)를 오목부(15)의 저면 측으로 강제적으로 침강시킴으로써, 투광층(40b)과 제2 반사재(41)를 함유하는 함유층(40a)이 형성된다. Next, the package 10 is centrifugally rotated in the direction in which centrifugal force is applied to the bottom of the concave portion 15. As a result, the second resin moves toward the bottom of the concave portion 15 and covers the bottom of the concave portion 15. Also, at this time, even if the second resin covers a part of the side surface of the light-emitting element 20, centrifugal force prevents the side surface of the light-emitting element 20 from wetting and spreading in the height direction. Furthermore, by using this centrifugal force, the second reflector 41 of the second resin is forcibly settled toward the bottom of the concave portion 15, thereby forming a content layer 40a containing the light transmitting layer 40b and the second reflector 41. ) is formed.
패키지(10)의 회전은, 오목부(15)의 저면이 외측이 되는 회전축(80)으로 패키지(10)에 원심력을 작용시킴으로써 행하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 패키지(10)의 상면 측에 회전축(80)을 가지도록, 회전축(80)을 축으로 하여 공전하는 A방향으로 패키지(10)를 이동시킨다. 또한, 도 3d에 있어서의 B방향은, 오목부(15)의 저면에 평행한 방향이다. 회전축(80)은, 오목부(15)의 저면의 대략 중심을 통과하는 수직선 상에 위치하는 오목부(15)의 저면에 평행한 축이며, 또한, 패키지(10)에 대해 오목부(15)의 개구부 측에 위치한다. 이에 의해, 오목부(15)의 저면 방향으로 원심력이 작용하여, 제2 수지의 패키지(10)의 높이 방향으로의 퍼짐이 억제됨과 함께, 제2 수지에 함유되어 있는 제2 반사재(41)가 오목부(15)의 저면 측(도 3d에 있어서의 화살표 C방향)으로 강제적으로 침강된다. 이 상태에서 제2 수지를 경화시킴으로써, 제2 반사재(41)를 함유하는 함유층(40a)과 투광층(40b)이 이 순서로 오목부(15)의 저면에 형성된다. The rotation of the package 10 is preferably performed by applying centrifugal force to the package 10 with the rotation axis 80 having the bottom of the concave portion 15 on the outside. Specifically, the package 10 is moved in the direction A revolving around the rotation axis 80 so that the package 10 has the rotation axis 80 on the upper surface side. In addition, direction B in FIG. 3D is a direction parallel to the bottom surface of the concave portion 15. The rotation axis 80 is an axis parallel to the bottom of the recess 15 located on a vertical line passing approximately through the center of the bottom of the recess 15, and the recess 15 with respect to the package 10. It is located on the opening side of. As a result, centrifugal force acts in the direction of the bottom of the concave portion 15, and the spread of the second resin in the height direction of the package 10 is suppressed, and the second reflector 41 contained in the second resin is It is forcibly settled toward the bottom of the concave portion 15 (in the direction of arrow C in Fig. 3D). By curing the second resin in this state, a content layer 40a containing the second reflector 41 and a light-transmitting layer 40b are formed on the bottom surface of the concave portion 15 in this order.
또한, 제2 반사층(40)은, 도포하는 양이나 제2 수지에 함유되는 제2 반사재(41)의 함유량을 적절히 조정한다. 그리고, 발광 소자(20)의 측면의 적어도 일부에 함유층(40a)이 대향하지 않도록 제2 반사층(40)을 형성한다. Additionally, the amount of the second reflective layer 40 to be applied and the content of the second reflector 41 contained in the second resin are appropriately adjusted. Then, the second reflective layer 40 is formed on at least a portion of the side surface of the light emitting device 20 so that the content layer 40a does not face each other.
패키지(10)를 원심 회전시킬 때의 회전 속도나 회전수는, 제2 반사재(41)의 함유량이나 입경 등에도 따르지만, 예를 들어 200xg 이상의 원심력이 걸리도록, 회전수나 회전 반경을 조정하면 된다. The rotation speed and number of rotations when centrifugally rotating the package 10 depend on the content and particle size of the second reflector 41, but the rotation number and rotation radius can be adjusted so that, for example, a centrifugal force of 200xg or more is applied.
또한, 제조 공정에 있어서, 개편화 전의 집합 기판의 상태에서 패키지(10)를 원심 회전시킬 때는, 집합 기판이 평판 형상이라면, 집합 기판의 평면적이 커질수록(보다 상세하게는 회전 방향 A에 있어서의 기판 길이가 길어질수록), 집합 기판의 중심으로부터 떨어진 위치의 패키지(10)는 회전축(80)으로부터의 어긋남이 생긴다. 예를 들어, 집합 기판에 있어서, 공전하는 원주 상으로부터 B방향으로의 어긋남이 커지면, 제2 수지의 표면이 오목부(15)의 저면에 대해 경사져 버려, 집합 기판 내에서 제2 수지의 표면 상태에 편차가 생길 우려가 있다. 이 어긋남을 억제하기 위해, 회전 반경을 크게 함으로써 억제할 수 있다. 구체적으로는, 회전 방향으로 배치되는 집합 기판의 길이의 70배 이상의 회전 반경으로 함으로써, 어긋남을 억제할 수 있다. Additionally, in the manufacturing process, when the package 10 is centrifugally rotated in the state of the assembled substrate before being separated into individual pieces, if the assembled substrate is flat, the larger the planar area of the assembled substrate (more specifically, in the rotation direction A), the larger the planar area of the assembled substrate becomes. As the length of the substrate becomes longer, the package 10 located away from the center of the aggregate substrate is shifted from the rotation axis 80. For example, in the assembly substrate, when the deviation in the B direction from the orbiting circumference increases, the surface of the second resin is inclined with respect to the bottom of the concave portion 15, and the surface state of the second resin in the assembly substrate There is a risk that deviations may occur. In order to suppress this deviation, it can be suppressed by increasing the rotation radius. Specifically, by setting the rotation radius to be 70 times or more the length of the assembled substrate arranged in the rotation direction, misalignment can be suppressed.
또한, 원심력에 의해, 집합 기판이 회전 반경의 원주를 따라 휘는 가요성을 갖는 수지 패키지(10)를 이용할 경우에는, 상기 어긋남이 생기기 어렵기 때문에, 비가요성의 패키지(10)의 집합 기판보다도 큰 집합 기판으로 원심 회전할 수 있다. 이에 의해, 1회의 처리수를 많게 할 수 있다.In addition, when using a flexible resin package 10 in which the assembly substrate bends along the circumference of the rotation radius due to centrifugal force, the above-mentioned misalignment is unlikely to occur, and therefore the assembly substrate of the inflexible package 10 is larger than that of the assembly substrate 10. It can be rotated centrifugally with the assembly substrate. As a result, the number of treatments per time can be increased.
또한, 이 공정 S104에서는, 제2 반사재(41)를 침강시키면서 제2 수지를 경화시키는 것이 바람직하다. 제2 반사재(41)는, 광반사의 관점으로부터 입경이 작은 것을 사용하는 것이 바람직하지만, 입경이 작아질수록 침강하기 어려워지기 때문에, 이 공정에서는 원심력에 의해 오목부(15)의 저면 측에 제2 반사재(41)를 강제적으로 침강시키고 있다. 이 때문에, 제2 반사재(41)를 침강시킨 상태에서 경화시키기 위해, 본 공정에서는, 회전을 유지한 채로, 즉 회전시키면서 제2 수지의 경화 공정을 실시하는 것이 바람직하다. Additionally, in this step S104, it is preferable to cure the second resin while allowing the second reflector 41 to settle. It is preferable to use a second reflector 41 with a small particle size from the viewpoint of light reflection, but as the particle size becomes smaller, it becomes more difficult to settle, so in this step, it is placed on the bottom side of the concave portion 15 by centrifugal force. 2 The reflector 41 is forced to settle. For this reason, in order to cure the second reflector 41 in a precipitated state, in this process, it is preferable to carry out the curing process of the second resin while maintaining rotation, that is, while rotating.
또한, 회전을 멈추고 나서 경화시키는 것도 가능하지만, 회전이 멈추면, 젖음성에 의해 수지가 발광 소자(20)의 측면으로 퍼지기 쉬워져 버린다. 이 때문에, 패키지(10)를 회전시키면서 제2 수지를 경화시킴으로써, 제2 수지가 발광 소자(20)의 측면으로 기어오르는 것을 방지할 수 있다. 발광 소자(20)의 측면이 제2 수지로부터 노출됨으로써, 광 취출 효율을 보다 향상시킬 수 있음과 함께, 발광 장치(100)의 배광색도를 보다 양호하게 할 수 있다. It is also possible to cure the resin after stopping the rotation, but when the rotation is stopped, the resin tends to spread to the side of the light emitting element 20 due to wettability. For this reason, by hardening the second resin while rotating the package 10, the second resin can be prevented from climbing up the side of the light emitting device 20. By exposing the side surface of the light emitting element 20 from the second resin, light extraction efficiency can be further improved and the light distribution chromaticity of the light emitting device 100 can be improved.
이 때, 제2 수지를 경화시키는 온도는, 40℃ 이상 200℃ 이하를 들 수 있다. 경화시키는 온도를 높게 함으로써, 제2 수지를 경화시키는 시간을 단축할 수 있어, 효율적이다. 또한, 원심 침강시키는 장치의 금속이 열에 의해 팽창함으로써 회전축(80)이 흔들리는 것을 고려하면, 경화시키는 온도는 가능한 한 낮은 것이 바람직하다. 즉, 제2 수지를 경화시키는 온도는, 효율성의 관점으로부터, 바람직하게는 50℃ 이상이다. 또한, 제2 수지를 경화시키는 온도는, 회전축(80)이 흔들리는 것을 고려하여, 바람직하게는 60℃ 이하이다. 80℃ 이상에서 경화시킬 때에는, 적어도 원심 회전 장치의 금속 부분이 80℃ 이상이 되지 않도록, 장치를 조정하는 것이 바람직하다. At this time, the temperature for curing the second resin may be 40°C or higher and 200°C or lower. By increasing the curing temperature, the time for curing the second resin can be shortened, which is efficient. In addition, considering that the metal in the centrifugal sedimentation device expands due to heat, causing the rotating shaft 80 to shake, it is preferable that the hardening temperature is as low as possible. That is, the temperature at which the second resin is cured is preferably 50°C or higher from the viewpoint of efficiency. In addition, the temperature at which the second resin is cured is preferably 60° C. or lower, taking into account the shaking of the rotating shaft 80. When curing at 80°C or higher, it is desirable to adjust the device so that at least the metal part of the centrifugal rotating device does not reach 80°C or higher.
또한, 제2 수지를 구성하는 수지 재료로서는, 회전하는 패키지(10)를 40℃ 이상의 온도로 유지함으로써 적어도 가경화 상태가 얻어지는 수지 재료를 선택하는 것이 바람직하다. Additionally, as the resin material constituting the second resin, it is preferable to select a resin material that can achieve at least a pre-cured state by maintaining the rotating package 10 at a temperature of 40°C or higher.
제2 반사재(41)를 침강시키면서 제2 수지를 경화시키는 방법으로서는, 예를 들어, 열풍을 가하거나, 패널 히터 등을 이용하거나 하는 것을 들 수 있다. Methods of curing the second resin while allowing the second reflector 41 to settle include, for example, applying hot air or using a panel heater.
(광투과층을 배치하는 공정)(Process of arranging a light-transmitting layer)
광투과층을 배치하는 공정 S105는, 제2 반사층(40) 및 발광 소자(20) 상에, 형광체(51)를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층(50)을 배치하는 공정이다. Step S105 for disposing the light-transmitting layer is a step of disposing the light-transmitting layer 50 made of a third resin containing the phosphor 51 on the second reflecting layer 40 and the light-emitting element 20.
이 공정 S105에서는, 포팅이나 스프레이 등에 의해, 오목부(15) 내에 제3 수지를 배치한다. 또한, 형광체(51)는, 제3 수지 중에서 자연 침강하고, 발광 소자(20)의 상면, 제1 반사층(30)의 내측면, 및 제2 반사층(40)의 상면에 배치된다. 그 후, 예를 들어, 120℃ 이상 200℃ 이하의 온도에서, 제3 수지를 경화시켜, 광투과층(50)을 형성한다.In this step S105, the third resin is disposed in the recessed portion 15 by potting, spraying, etc. Additionally, the phosphor 51 naturally precipitates in the third resin and is disposed on the upper surface of the light emitting element 20, the inner surface of the first reflective layer 30, and the upper surface of the second reflective layer 40. Thereafter, the third resin is cured, for example, at a temperature of 120°C or higher and 200°C or lower to form the light transmitting layer 50.
이상, 본 실시형태에 관한 발광 장치의 제조 방법 및 발광 장치에 대해, 발명을 실시하기 위한 형태에 의해 구체적으로 설명하였지만, 본 발명의 취지는 이러한 기재에 한정되는 것이 아니라, 특허청구의 범위의 기재에 기초하여 넓게 해석되지 않으면 안 된다. 또한, 이러한 기재에 기초하여 여러 변경, 개변 등을 한 것도 본 발명의 취지에 포함된다. Above, the manufacturing method and the light emitting device according to the present embodiment have been specifically described in terms of modes for carrying out the invention. However, the spirit of the present invention is not limited to this description, and the description of the claims is not limited to this description. It must be broadly interpreted based on . In addition, various changes, modifications, etc. based on this description are also included in the spirit of the present invention.
《다른 실시형태》《Other Embodiments》
도 4는, 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 5는, 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 6은, 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 7a는, 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 7b는, 도 7a의 VIIB－VIIB선에 있어서의 단면도이다. 도 8a는, 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 8b는, 도 8a의 VIIIB－VIIIB선에 있어서의 단면도이다. 도 8c는, 도 8a의 VIIIC－VIIIC선에 있어서의 단면도이다. 도 9a는, 다른 실시형태에 관한 발광 장치의 구성을 모식적으로 나타내는 평면도이다. 도 9b는, 도 9a의 IXB－IXB선에 있어서의 단면도이다.Fig. 4 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to another embodiment. Fig. 5 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to another embodiment. Fig. 6 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to another embodiment. Fig. 7A is a perspective view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to another embodiment. FIG. 7B is a cross-sectional view taken along line VIIB-VIIB in FIG. 7A. Fig. 8A is a plan view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to another embodiment. FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line VIIIB-VIIIB in FIG. 8A. FIG. 8C is a cross-sectional view taken along line VIIIC-VIIIC in FIG. 8A. Fig. 9A is a plan view schematically showing the configuration of a light-emitting device according to another embodiment. FIG. 9B is a cross-sectional view taken along the line IXB-IXB in FIG. 9A.
도 4에 나타내는 발광 장치(100A)는, 발광 소자(20)와 오목부(15)의 저면 사이에 범프(60)를 마련하고 있다. 그리고, 발광 장치(100A)는, 범프(60)를 거쳐서, 발광 소자(20)를 오목부(15)의 저면에 재치하고 있다. 이에 의해, 발광 소자(20)를, 발광 소자(20)의 높이 방향으로 올리고 있다. 그리고, 발광 소자(20)의 측면이 제2 반사재(41)를 함유하는 함유층(40a)에 대향하지 않도록, 제2 반사층(40)이 설치되어 있다. 또한, 발광 소자(20)의 반도체층(22)이 함유층(40a)에 대향하지 않도록, 제2 반사층(40)이 설치되어 있다. The light emitting device 100A shown in FIG. 4 has a bump 60 provided between the light emitting element 20 and the bottom of the concave portion 15. Then, in the light emitting device 100A, the light emitting element 20 is placed on the bottom of the concave portion 15 via the bump 60. As a result, the light-emitting element 20 is raised in the height direction of the light-emitting element 20. In addition, the second reflective layer 40 is provided so that the side surface of the light emitting element 20 does not face the content layer 40a containing the second reflector 41. Additionally, a second reflective layer 40 is provided so that the semiconductor layer 22 of the light emitting element 20 does not face the content layer 40a.
이와 같은 구성으로 함으로써, 발광 소자(20) 측면에서의 반사에 의한 일차광의 로스를 저감할 수 있다. 또한, 발광 소자(20)의 측면으로부터 취출할 수 있는 일차광이 증가함으로써, 형광체(51)의 다중 여기가 억제되어, 발광 장치(100A)의 배광색도를 보다 개선할 수 있다. With such a configuration, loss of primary light due to reflection on the side of the light emitting element 20 can be reduced. Additionally, by increasing the primary light that can be extracted from the side of the light emitting element 20, multiple excitation of the phosphor 51 is suppressed, and the light distribution chromaticity of the light emitting device 100A can be further improved.
범프(60)로서는, 예를 들어 Au 범프를 이용할 수 있다. As the bump 60, for example, an Au bump can be used.
도 5에 나타내는 발광 장치(100B)는, 발광 소자(20)와 오목부(15)의 저면 사이에 포스트(70)를 마련하고 있다. 그리고, 발광 장치(100B)는, 포스트(70)를 거쳐서, 발광 소자(20)를 오목부(15)의 저면에 재치하고 있다. 이에 의해, 발광 소자(20)를, 발광 소자(20)의 높이 방향으로 올리고 있다. 그리고, 발광 소자(20)의 측면이 제2 반사재(41)를 함유하는 함유층(40a)에 대향하지 않도록, 제2 반사층(40)이 설치되어 있다. 또한, 발광 소자(20)의 반도체층(22)이 함유층(40a)에 대향하지 않도록, 제2 반사층(40)이 설치되어 있다. The light emitting device 100B shown in FIG. 5 has a post 70 provided between the light emitting element 20 and the bottom of the concave portion 15. Then, in the light emitting device 100B, the light emitting element 20 is placed on the bottom of the concave portion 15 via the post 70. As a result, the light-emitting element 20 is raised in the height direction of the light-emitting element 20. In addition, the second reflective layer 40 is provided so that the side surface of the light emitting element 20 does not face the content layer 40a containing the second reflector 41. Additionally, a second reflective layer 40 is provided so that the semiconductor layer 22 of the light emitting element 20 does not face the content layer 40a.
이와 같은 구성으로 함으로써, 발광 소자(20) 측면에서의 반사에 의한 일차광의 로스를 저감할 수 있다. 또한, 발광 소자(20)의 측면으로부터 취출할 수 있는 일차광이 증가함으로써, 형광체(51)의 다중 여기가 억제되어, 발광 장치(100B)의 배광색도를 보다 개선할 수 있다. With such a configuration, loss of primary light due to reflection on the side of the light emitting element 20 can be reduced. Additionally, by increasing the primary light that can be extracted from the side of the light emitting element 20, multiple excitation of the phosphor 51 is suppressed, and the light distribution chromaticity of the light emitting device 100B can be further improved.
포스트(70)로서는, 예를 들어 Cu 포스트를 이용할 수 있다. As the post 70, for example, a Cu post can be used.
도 6에 나타내는 발광 장치(100C)는, 제2 반사층(40)의 표면이 개구부 측으로 오목한 표면으로 되어 있다. 패키지(10)의 회전 속도를 억제함으로써, 이와 같은 표면 상태로 할 수 있다. 또한, 제2 반사층(40)은 실질적으로 투광층(40b)이 형성되지 않는 상태여도 된다. 이 경우에서도, 회전을 가하면서, 즉 원심력이 걸린 상태에서 제2 수지를 경화시킴으로써, 제2 반사층(40)에 의한 발광 소자(20)의 측면으로의 기어오름을 억제하면서, 제1 반사층(30)으로부터 노출되는 오목부(15)의 저면 모두를 피복하도록 제2 수지의 형상을 변화시킬 수 있다. In the light emitting device 100C shown in FIG. 6, the surface of the second reflective layer 40 is concave toward the opening. By suppressing the rotation speed of the package 10, such a surface state can be achieved. Additionally, the second reflective layer 40 may be in a state in which the light-transmissive layer 40b is not substantially formed. In this case as well, by curing the second resin while rotating, that is, under centrifugal force, the first reflective layer 30 is suppressed from creeping up the side of the light emitting element 20 due to the second reflective layer 40. ) The shape of the second resin can be changed to cover the entire bottom surface of the concave portion 15 exposed from ).
이와 같은 구성으로 함으로써, 발광 소자(20) 측면에서의 반사에 의한 일차광의 로스를 저감할 수 있다. 또한, 발광 소자(20)의 측면으로부터 취출할 수 있는 일차광이 증가함으로써, 형광체(51)의 다중 여기가 억제되어, 발광 장치(100C)의 배광색도를 보다 개선할 수 있다.With such a configuration, loss of primary light due to reflection on the side of the light emitting element 20 can be reduced. Additionally, by increasing the primary light that can be extracted from the side of the light emitting element 20, multiple excitation of the phosphor 51 is suppressed, and the light distribution chromaticity of the light emitting device 100C can be further improved.
도 7a, 7b에 나타내는 발광 장치(100D)는, 패키지(10A)의 오목부(15)의 저면에, 발광 소자(20)를 페이스 업 실장한 것이다. 발광 소자(20)는, 제2 리드(3b) 상에 재치되어 있다. 그리고, 여기서는, 발광 소자(20)의 N측 전극이 와이어(23)를 거쳐 제1 리드(3a)에 접합되고, P측 전극이 와이어(24)를 거쳐 제2 리드(3b)에 접합되어 있다.The light emitting device 100D shown in FIGS. 7A and 7B is one in which the light emitting element 20 is face-up mounted on the bottom of the concave portion 15 of the package 10A. The light emitting element 20 is mounted on the second lead 3b. Here, the N-side electrode of the light-emitting element 20 is connected to the first lead 3a via the wire 23, and the P-side electrode is connected to the second lead 3b via the wire 24. .
발광 소자(20)를 페이스 업 실장함으로써, 발광 소자(20)의 반도체층(22)을 광 취출면 측에 배치할 수 있어, 반도체층(22)이 함유층(40a)에 대향하지 않도록 할 수 있다.By mounting the light emitting element 20 face-up, the semiconductor layer 22 of the light emitting element 20 can be placed on the light extraction surface side, so that the semiconductor layer 22 does not face the containing layer 40a. .
이와 같은 구성으로 함으로써, 발광 소자(20) 측면에서의 반사에 의한 일차광의 로스를 저감할 수 있다. 또한, 발광 소자(20)의 측면으로부터 취출할 수 있는 일차광이 증가함으로써, 형광체(51)의 다중 여기가 억제되어, 발광 장치(100D)의 배광색도를 보다 개선할 수 있다.With such a configuration, loss of primary light due to reflection on the side of the light emitting element 20 can be reduced. Additionally, by increasing the primary light that can be extracted from the side of the light emitting element 20, multiple excitation of the phosphor 51 is suppressed, and the light distribution chromaticity of the light emitting device 100D can be further improved.
도 8a, 8b, 8c에 나타내는 발광 장치(100E)는, 패키지(10B)가, 평면도 상에서 보았을 때 직사각형으로 형성되어 있고, 평면도 상에서 보았을 때 장방형이 되는 직사각형의 오목부(15)를 가진다. 즉, 패키지(10B)는, 오목부(15)의 측면이 일방향에서 대향하는 X방향에 있어서의 거리와, X방향과 직교하는 Y방향에 있어서의 거리가 다르다. 또한, 여기서의 직사각형이란, 패키지(10B)와 같이, 각부의 일부를 절결한 형상이나, 오목부(15)와 같이, 각부가 만곡한 형상 등, 대체로 직사각형인 형상을 포함하는 것이다. 또한, 패키지(10B)의 구조나 부재 등은, 패키지(10A)에 준한 것으로, 상세한 도시 및 설명은 생략하고 있다. 또한, 도 8a에 있어서, 제1 반사층(30)의 만곡부(32)는 파선으로 나타내고, 제2 반사층(40)의 만곡부는 실선으로 나타내고 있다.In the light emitting device 100E shown in FIGS. 8A, 8B, and 8C, the package 10B is formed in a rectangular shape when viewed in plan view, and has a rectangular concave portion 15 that is rectangular in plan view. That is, in the package 10B, the distance in the In addition, the rectangle here includes a generally rectangular shape, such as a shape in which some of the corners are cut away, such as the package 10B, or a shape in which the corners are curved, such as the concave portion 15. In addition, the structure and members of the package 10B are similar to those of the package 10A, and detailed illustration and description are omitted. Additionally, in FIG. 8A, the curved portion 32 of the first reflective layer 30 is indicated by a broken line, and the curved portion of the second reflective layer 40 is indicated by a solid line.
발광 소자(20)는, 평면도 상에서 보았을 때, 오목부(15)의 저면의 중앙에 재치되어 있다. 이에 의해, 발광 장치(100E)는, 평면도 상에서 보았을 때, 발광 소자(20)로부터 X방향의 오목부(15)의 측면까지의 거리와, 발광 소자(20)로부터 Y방향의 오목부(15)의 측면까지의 거리가 다르게 되어 있다. 즉, 발광 장치(100E)는, 패키지(10B)의 긴 길이방향에 있어서의, 발광 소자(20)의 측면과 오목부(15)의 측면과의 거리가, 패키지(10B)의 짧은 길이방향에 있어서의, 발광 소자(20)의 측면과 오목부(15)의 측면과의 거리보다 길다. 또한, 여기서는, 오목부(15)의 형상을 장방형으로 함으로써, 긴 길이방향 및 짧은 길이방향에 있어서의 발광 소자(20)의 측면과 오목부(15)의 측면과의 거리를 변경시키도록 하고 있지만, 평면도 상에서 보았을 때, 오목부(15)의 형상을 정방형으로 하고, 발광 소자(20)의 형상을 장방형으로 하는 것이여도 된다. 이와 같이, 패키지(10B) 및 발광 소자(20)는, X방향 및 Y방향에 있어서의 발광 소자(20)로부터 오목부(15)의 측면까지의 거리가 다르도록 형성하면 된다.The light emitting element 20 is placed in the center of the bottom of the concave portion 15 when viewed in plan view. As a result, the light emitting device 100E has the distance from the light emitting element 20 to the side of the concave portion 15 in the The distance to the side is different. That is, in the light emitting device 100E, the distance between the side surface of the light emitting element 20 and the side surface of the concave portion 15 in the long longitudinal direction of the package 10B is in the short longitudinal direction of the package 10B. It is longer than the distance between the side surface of the light emitting element 20 and the side surface of the concave portion 15. In addition, here, by making the shape of the recessed portion 15 rectangular, the distance between the side surface of the light emitting element 20 and the side surface of the recessed portion 15 in the long and short longitudinal directions is changed. When viewed from a plan view, the shape of the concave portion 15 may be square, and the shape of the light emitting element 20 may be rectangular. In this way, the package 10B and the light emitting element 20 may be formed so that the distance from the light emitting element 20 to the side surface of the concave portion 15 in the X direction and the Y direction is different.
제1 반사층(30)은, 평면도 상에서 보았을 때, X방향에 있어서, 발광 소자(20)를 향해 오목한 형상으로 만곡하여 형성되는 만곡부(32)와, Y방향에 있어서의 오목부(15)의 측면의 적어도 일부가 발광 소자(20)와 대향하도록 간극을 갖고 형성되는 간극부(33)를 갖는다. When viewed from a top view, the first reflective layer 30 has a curved portion 32 formed by curved into a concave shape in the has a gap portion 33 formed with a gap so that at least a portion thereof faces the light emitting element 20.
제1 반사층(30)의 만곡부(32)는, 평면도 상에서 보았을 때, X방향의 일방 측(도면 상, 좌측) 및 타방 측(도면 상, 우측)에 형성되고, 패키지(10B)의 긴 길이방향의 양측에 설치되어 있다. 이에 의해, 제1 반사층(30)은, 오목부(15)의 단변 측의 측면을 피복하도록 설치되어 있다. 만곡부(32)는, 그 오목한 만곡 부분이 발광 소자(20)의 측면의 대략 중앙에 대향하도록 형성되어 있다. 또한, 만곡부(32)는, 만곡한 부위의 최심부가 발광 소자(20)의 측면의 대략 중앙에 대향하는 위치가 되도록 형성되어 있다. The curved portion 32 of the first reflective layer 30 is formed on one side (left side in the drawing) and the other side (right side in the drawing) in the are installed on both sides. Accordingly, the first reflective layer 30 is installed to cover the side surface on the short side of the concave portion 15. The curved portion 32 is formed so that its concave curved portion faces approximately the center of the side surface of the light emitting element 20 . Additionally, the curved portion 32 is formed so that the deepest portion of the curved portion is positioned to face approximately the center of the side surface of the light emitting element 20.
또한, 제1 반사층(30)의 간극부(33)는, Y방향의 일방 측(도면 상, 위쪽) 및 타방 측(도면 상, 아래 쪽)에 있어서, 발광 소자(20)에 대향하는 부위에 제1 반사층(30)이 없는 간극을 형성하도록 설치되어 있다. 즉, 평면도 상에서 보았을 때, 만곡부(32)의 단부(32a)가 Y방향으로 병행인 발광 소자(20)의 측면의 연장선 상의 위치, 혹은 연장선 상의 위치보다 외측에 있다. 이에 의해, Y방향의 오목부(15)의 측면 중, 발광 소자(20)에 대향하는 부위는, 제1 반사층(30)에 대향하는 일 없이 오목부(15)의 측면에 광투과층(50)을 사이에 두고 대향하여 있다.In addition, the gap portion 33 of the first reflective layer 30 is located at a portion facing the light emitting element 20 on one side (upper side in the drawing) and the other side (lower side in the drawing) in the Y direction. It is installed to form a gap without the first reflective layer 30. That is, when viewed in plan view, the end 32a of the curved portion 32 is located on the extension line of the side surface of the light emitting element 20 parallel to the Y direction, or is outside the location on the extension line. As a result, the portion of the side surface of the concave portion 15 in the Y direction that faces the light-emitting element 20 does not face the first reflective layer 30, but the light-transmitting layer 50 is formed on the side surface of the concave portion 15. ) are facing each other.
이와 같은 구성으로 함으로써, 오목부(15)의 측면 중, 발광 소자(20) 측면으로부터의 거리가 짧은 Y방향에 있어서는, 발광 소자(20)에 대향하는 부위에는 제1 반사층(30)이 배치되지 않기 때문에, 제2 반사층(40)이 제1 반사층(30)과 겹쳐져 배치되는 일이 없다. 그 때문에, Y방향에 있어서의 제2 반사층(40)의 표면의 평탄성이 양호하게 된다. 이에 의해, 예를 들어, 제3 수지 중에 있어서 형광체(51)가 침강되어 배치될 때에, 형광체(51)의 침강층의 평탄성이 양호해져 바람직하다. 발광 소자(20)와 제1 반사층(30)과의 거리가 가까울 경우, 제2 반사층(40)이 제1 반사층(30)과 겹쳐 배치되면, 발광 소자(20)의 측면 근방에서, 형광체(51)가 발광 소자(20)보다 상방에 배치된다. 이에 의해, 이 영역에서는, 형광체(51)에 의해 파장 변환된 2차광의 비율이 많아져 발광 불균일이 생길 우려가 있다. With this configuration, the first reflective layer 30 is not disposed on the side surface of the concave portion 15 that faces the light emitting element 20 in the Y direction where the distance from the side surface of the light emitting element 20 is short. Therefore, the second reflective layer 40 is not disposed to overlap the first reflective layer 30. Therefore, the flatness of the surface of the second reflective layer 40 in the Y direction becomes good. As a result, for example, when the phosphor 51 is disposed by settling in the third resin, the flatness of the precipitated layer of the phosphor 51 is improved, which is preferable. When the distance between the light emitting device 20 and the first reflective layer 30 is close, and the second reflective layer 40 is disposed to overlap the first reflective layer 30, the phosphor 51 near the side of the light emitting device 20 ) is disposed above the light emitting element 20. As a result, in this area, the proportion of secondary light whose wavelength is converted by the phosphor 51 increases, and there is a risk that uneven light emission may occur.
즉, 평면도 상에서 보았을 때, 발광 소자(20)의 외연과 제1 반사층(30)(제1 반사층(30)이 배치되지 않은 측면에 있어 대향하는 오목부(15)의 측면)과의 거리를 일정 이상 확보함으로써, 발광 소자(20)의 외주 근방의 영역에는 평탄한 제2 반사층(40)이 형성되고, 제2 반사층(40) 상의 광투과층(50)을 낮은 위치에 배치할 수 있다. 이에 의해, 발광 장치(100E)로부터 출사하는 광의 배광색도가 향상된다. 이와 같은 관점으로부터, 평면도 상에서 보았을 때의 발광 소자(20)와 제1 반사층(30)과의 거리는 100㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하고, 300㎛ 이상이 보다 바람직하다. 또한 원심력에 의한 제2 반사층(40)의 형성의 용이함으로부터, 발광 소자(20)와 제1 반사층(30)과의 거리는 1500㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. That is, when viewed from a plan view, the distance between the outer edge of the light emitting element 20 and the first reflective layer 30 (the side of the concave portion 15 opposing the side on which the first reflective layer 30 is not disposed) is kept constant. By ensuring the above, the flat second reflective layer 40 is formed in the area near the outer periphery of the light emitting element 20, and the light transmissive layer 50 on the second reflective layer 40 can be placed at a low position. As a result, the chromaticity distribution of the light emitted from the light emitting device 100E is improved. From this viewpoint, the distance between the light emitting element 20 and the first reflective layer 30 when viewed in plan view is preferably 100 μm or more, and more preferably 300 μm or more. In addition, from the ease of forming the second reflective layer 40 by centrifugal force, it is preferable that the distance between the light emitting element 20 and the first reflective layer 30 is 1500 μm or less.
또한, 이와 같은 제1 반사층(30)의 형태는, 제1 반사재를 함유하는 제1 수지의 도포량을 조정하거나, 도포 위치를 조정하거나, 제1 수지 중의 제1 반사재의 함유량을 조정하거나 함으로써 제어할 수 있다. 제1 수지 중의 제1 반사재의 함유량을 조정할 경우는, 예를 들어, 제1 수지 100질량부에 대해서, 제1 반사재로서 아에로질(등록상표)을 2.0질량부 이상 6.5질량부 이하 함유시키는 것을 들 수 있다.In addition, the shape of the first reflective layer 30 can be controlled by adjusting the application amount of the first resin containing the first reflector, adjusting the application position, or adjusting the content of the first reflector in the first resin. You can. When adjusting the content of the first reflector in the first resin, for example, with respect to 100 parts by mass of the first resin, Aerosil (registered trademark) is contained as the first reflector in an amount of 2.0 parts by mass or more and 6.5 parts by mass or less. You can hear things.
또한, 여기서는, 제1 반사층(30)은, Y방향에 있어서의 오목부(15)의 측면에 있어 간극부(33)가 형성되고, 발광 소자(20)에 대향하는 부위에는 설치되지 않는 것으로 하였다. 그렇지만, 제1 반사층(30)은, Y방향에 있어서의 오목부(15)의 측면에 있어서, 발광 소자(20)에 대향하는 일부의 부위에만 설치되지 않은 것으로 해도 된다. 또한, 제1 반사층(30)은, Y방향에 있어서의 오목부(15)의 측면에 있어서, 발광 소자(20)에 대향하는 부위 이외에, 발광 소자(20)에 대향하지 않는 부위의 일부에도 설치되지 않는 것으로 해도 된다. 즉, 만곡부(32)의 단부(32a)의 위치를 Y방향의 오목부(15)의 측면을 따라 바꿈으로써 간극부(33)를 설정할 수 있다. In addition, here, the first reflective layer 30 is assumed to have a gap 33 formed on the side of the concave portion 15 in the Y direction, and is not provided in the portion facing the light emitting element 20. . However, the first reflective layer 30 may not be provided only at a portion of the side facing the light emitting element 20 on the side of the concave portion 15 in the Y direction. In addition, the first reflective layer 30 is provided on the side of the concave portion 15 in the Y direction, in addition to the portion facing the light emitting element 20, also on a portion of the portion not facing the light emitting element 20. It's okay to say it doesn't work. That is, the gap portion 33 can be set by changing the position of the end portion 32a of the curved portion 32 along the side surface of the concave portion 15 in the Y direction.
또한 발광 장치(100E)는, 보호 소자(90)를 구비하고 있다. 보호 소자(90)는, 예를 들어, 제너 다이오드이다. Additionally, the light emitting device 100E is provided with a protection element 90. The protection element 90 is, for example, a Zener diode.
도 9a, 9b에 나타내는 발광 장치(100F)는, 패키지(10C)가, 평면도 상에서 보았을 때 직사각형으로 형성되어 있고, 평면도 상에서 보았을 때 장방형이 되는 직사각형의 오목부(15)를 가진다. 패키지(10C)는, 지지 부재(2d)와, 한 쌍의 전극인 제1 리드(3c) 및 제2 리드(3d)를 구비하고 있다. 지지 부재(2d)는, 제1 리드(3c) 및 제2 리드(3d)를 소정의 배치로 지지하는 부재이다. 지지 부재(2d)의 재료로서는, 예를 들어, 발광 장치(100)의 절연성 기판(2)의 재료와 같은 것을 이용할 수 있다. 제1 리드(3c) 및 제2 리드(3d)로서는, 예를 들어, 발광 장치(100)의 제1 배선부(3)와 마찬가지의 것을 이용할 수 있다. 또한, 도 9a에 있어서, 제2 반사층(40)은 투과시키고 있고, 제1 반사층(30)의 만곡부(32)는 실선으로 나타내고 있다. In the light emitting device 100F shown in FIGS. 9A and 9B, the package 10C is formed in a rectangular shape when viewed in plan view, and has a rectangular concave portion 15 that is rectangular in plan view. Package 10C includes a support member 2d and a first lead 3c and a second lead 3d, which are a pair of electrodes. The support member 2d is a member that supports the first lead 3c and the second lead 3d in a predetermined arrangement. As a material for the support member 2d, for example, the same material as the material for the insulating substrate 2 of the light emitting device 100 can be used. As the first lead 3c and the second lead 3d, for example, the same thing as the first wiring portion 3 of the light emitting device 100 can be used. 9A, the second reflective layer 40 is transparent, and the curved portion 32 of the first reflective layer 30 is indicated by a solid line.
발광 소자(20)는, 평면도 상에서 보았을 때, 오목부(15)의 저면의 중앙으로부터 오목부(15)의 일방 측으로 어긋난 위치에 재치되어 있다. 여기서는, 발광 소자(20)는, 평면도 상에서 보았을 때, 오목부(15)의 저면의 중앙으로부터, 오목부(15)의 X방향의 일방 측(도면 상, 좌측)으로 어긋남과 함께 X방향과 직교하는 Y방향의 타방 측(도면 상, 아래 쪽)으로 어긋난 위치에 재치되어 있다. 구체적으로는, 발광 소자(20)는, 제1 리드(3c) 상에 재치되어 있음과 함께, 도면 상, 오목부(15)의 중앙에 대해 좌측 경사 아래 쪽에 재치되어 있다. The light emitting element 20 is placed at a position shifted from the center of the bottom surface of the concave portion 15 to one side of the concave portion 15 when viewed in a plan view. Here, when viewed in a plan view, the light emitting element 20 is shifted from the center of the bottom of the concave portion 15 to one side of the It is placed at a position shifted to the other side of the Y direction (lower side in the drawing). Specifically, the light emitting element 20 is mounted on the first lead 3c and, as shown in the drawing, is mounted diagonally downward to the left of the center of the concave portion 15.
제1 반사층(30)은, 평면도 상에서 보았을 때, 대향하는 오목부(15)의 일방향의 측면에 있어서, 일방의 측면으로부터 타방의 측면을 향해 만곡하는 만곡부(32)를 가진다. 구체적으로는, 제1 반사층(30)의 만곡부(32)는, 평면도 상에서 보았을 때, X방향의 일방 측에 있어서의 오목부(15)의 측면으로부터, X방향의 타방 측(도면 상, 우측)에 있어서의 오목부(15)의 측면을 향해 만곡하고 있다. 즉, 만곡부(32)는, 평면도 상에서 보았을 때, Y방향의 일방으로부터 타방을 향해, X방향의 일방 측을 향해 오목한 형상으로 만곡하도록 설치되어 있다. 이에 의해, 제1 반사층(30)은, X방향의 타방 측에 있어서의 오목부(15)의 단변 측의 측면을 피복하도록 설치되어 있다. 또한, 만곡부(32)의 일방의 단부(32a)는, Y방향의 일방에 있어서 발광 소자(20)에 대향하는 위치까지 형성되어 있다. 나아가, 만곡부(32)의 타방의 단부(32a)는, Y방향의 타방에 있어서 발광 소자(20)에 대향하는 위치에는 설치되지 않았다. 그 때문에, 제1 반사층(30)은, 발광 소자(20)의 일방의 서로 이웃하는 2개의 측면의 대부분에 대향하여 설치되고, 타방의 서로 이웃하는 2개의 측면에 대향하는 위치에는 설치되지 않은 상태로 되어 있다. 만곡부(32)는, 만곡한 부위의 최심부가 발광 소자(20)에 대향하는 위치에 있다. When viewed in plan view, the first reflective layer 30 has a curved portion 32 on one side of the opposing concave portion 15 that curves from one side toward the other side. Specifically, when viewed in a plan view, the curved portion 32 of the first reflective layer 30 extends from the side of the concave portion 15 on one side of the X-direction to the other side of the X-direction (on the right side in the drawing). It is curved toward the side of the concave portion 15 in . That is, the curved portion 32 is installed to curve in a concave shape from one side of the Y direction toward the other side and toward one side of the X direction when viewed in a plan view. Accordingly, the first reflective layer 30 is installed to cover the side surface on the short side of the concave portion 15 on the other side of the X direction. Additionally, one end 32a of the curved portion 32 is formed to a position opposing the light emitting element 20 in one Y direction. Furthermore, the other end 32a of the curved portion 32 is not provided at a position opposite the light emitting element 20 in the other Y direction. Therefore, the first reflective layer 30 is installed opposing most of the two adjacent sides of one side of the light emitting element 20, and is not provided at a position opposing the two adjacent sides of the other side. It is written as . The curved portion 32 is located at a position where the deepest portion of the curved portion faces the light emitting element 20 .
만곡부(32)의 단부(32a)는, Y방향의 오목부(15)의 측면까지 연장하여 있다. 구체적으로는, Y방향의 일방 측(도면 상, 위쪽)에 있어서의 오목부(15)의 측면에 위치하는 단부(32a)가, Y방향의 타방 측(도면 상, 아래 쪽)에 있어서의 오목부(15)의 측면에 위치하는 단부(32a)보다, X방향의 일방 측에 위치하도록 설치되어 있다. 이와 같이 함으로써, 만곡한 부위의 최심부가 발광 소자(20)에 대향하는 위치가 되도록 만곡부(32)를 형성할 수 있다. The end portion 32a of the curved portion 32 extends to the side surface of the concave portion 15 in the Y direction. Specifically, the end portion 32a located on the side of the concave portion 15 on one side of the Y direction (upper side in the drawing) is a concave portion on the other side of the Y direction (lower side in the drawing). It is installed so as to be located on one side of the X direction rather than the end portion 32a located on the side of the portion 15. By doing this, the curved portion 32 can be formed so that the deepest portion of the curved portion faces the light emitting element 20.
이와 같은 구성으로 함으로써, X방향의 타방 측의 발광 소자(20)의 측면으로부터, X방향의 타방 측의 제1 반사층(30)까지의 거리가 길어져, 발광 장치(100F)의 배광색도가 향상된다. With such a configuration, the distance from the side surface of the light emitting element 20 on the other side of the X direction to the first reflective layer 30 on the other side of the .
또한, 이와 같은 제1 반사층(30)의 형태는, 제1 반사재를 함유하는 제1 수지의 도포량을 조정하거나, 도포 위치를 조정하거나, 제1 수지 중의 제1 반사재의 함유량을 조정하거나 함으로써 제어할 수 있다. 도포 위치를 조정할 경우, 예를 들어, 도포 위치(16)로부터 도포하는 것을 들 수 있다. In addition, the shape of the first reflective layer 30 can be controlled by adjusting the application amount of the first resin containing the first reflector, adjusting the application position, or adjusting the content of the first reflector in the first resin. You can. When adjusting the application position, for example, application may be performed from the application position 16.
또한, 도 8 및 도 9의 발광 장치(100E, 100F)에서는, 만곡부(32)의 만곡 상태는, 곡률 반경이 커져도 되고, 작아져도 된다. 또한, 만곡부(32)는, 원호의 일부여도 된다. 또한, 만곡부(32)의 최심부의 위치는, X방향 및 Y방향에 있어서, 적절히, 비켜 놓은 것이어도 된다.In addition, in the light emitting devices 100E and 100F of FIGS. 8 and 9, the curved state of the curved portion 32 may have a large radius of curvature or a small radius of curvature. Additionally, the curved portion 32 may be a part of an arc. Additionally, the position of the deepest part of the curved portion 32 may be appropriately offset in the X and Y directions.
또한, 발광 장치의 제조 방법은, 상기 각 공정에 악영향을 주지 않는 범위에 있어, 상기 각 공정의 사이, 혹은 전후에, 다른 공정을 포함해도 된다. 예를 들어, 제조 도중에 혼입한 이물을 제거하는 이물 제거 공정 등을 포함해도 된다. Additionally, the method of manufacturing a light-emitting device may include other processes between, before, and after the above processes, as long as they do not adversely affect the above processes. For example, a foreign matter removal process to remove foreign substances mixed during manufacturing may be included.
또한, 발광 장치의 제조 방법에 있어, 일부의 공정은, 순서가 한정되는 것이 아니라, 순서가 전후가 바뀌어도 된다. 예를 들어, 제1 반사층을 형성하는 공정을 실시한 후에, 발광 소자를 재치하는 공정을 실시해도 된다. Additionally, in the method of manufacturing a light-emitting device, the order of some processes is not limited, and the order may be reversed. For example, after performing the step of forming the first reflective layer, the step of placing the light emitting element may be performed.
또한, 예를 들어, 상기한 발광 장치의 제조 방법은, 제1 반사층을 형성하는 공정 후에, 제2 수지를 준비하는 공정을 마련하는 것으로 하였지만, 제2 수지를 준비하는 공정은, 발광 소자를 재치하는 공정과 제1 반사층을 형성하는 공정 사이로 가도 되고, 발광 소자를 재치하는 공정 앞으로 가도 된다. 또한, 제2 수지를 준비하는 공정은 마련하지 않는 것이여도 된다. In addition, for example, in the manufacturing method of the light-emitting device described above, a step of preparing a second resin is provided after the step of forming a first reflective layer, but the step of preparing the second resin involves placing the light-emitting element. You may proceed between the process of forming the first reflective layer and the process of forming the first reflective layer, or you may proceed before the process of placing the light emitting element. Additionally, the step of preparing the second resin may not be provided.
2: 절연성 기판
2a: 기판부
2b: 제1 벽면부
2c: 제2 벽면부
2d: 지지 부재
3: 제1 배선부
3a: 제1 리드
3b: 제2 리드
3c: 제1 리드
3d: 제2 리드
4: 비어
5: 제2 배선부
6: 제3 배선부
7: 도금층
10, 10A, 10B, 10C: 패키지
15: 오목부
16: 도포 위치
20: 발광 소자
21: 기판
22: 반도체층
23: 와이어
24: 와이어
30: 제1 반사층
31: 제1 반사재
32: 만곡부
32a: 만곡부의 단부
33: 간극부
40: 제2 반사층
40a: 함유층
40b: 투광층
41: 제2 반사재
50: 광투과층
51: 형광체
60: 범프
70: 포스트
80: 회전축
90: 보호 소자
100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F: 발광 장치
A: 패키지의 회전 방향
B: 오목부의 저면에 평행한 방향
C: 제2 반사재가 침강하는 방향
L1, L2, L3: 광2: Insulating substrate
2a: substrate part
2b: first wall portion
2c: second wall portion
2d: support member
3: First wiring section
3a: first lead
3b: second lead
3c: first lead
3d: second lead
4: Empty
5: Second wiring section
6: Third wiring section
7: Plating layer
10, 10A, 10B, 10C: Package
15: recess
16: Application location
20: light emitting element
21: substrate
22: semiconductor layer
23: wire
24: wire
30: first reflective layer
31: first reflector
32: curved portion
32a: End of the curved portion
33: gap part
40: second reflective layer
40a: Containing layer
40b: light transmitting layer
41: second reflector
50: light transmitting layer
51: Phosphor
60: bump
70: post
80: rotation axis
90: protection element
100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E, 100F: Light emitting device
A: Rotation direction of the package
B: Direction parallel to the bottom of the concave
C: Direction in which the second reflector sinks
L 1 , L 2 , L 3 : Light
Claims (13)
상기 오목부의 측면을 제1 반사재를 함유하는 제1 수지로 피복하여 제1 반사층을 형성하는 공정과,
상기 제1 반사층에 접촉하여, 상기 오목부의 저면을 제2 반사재를 함유하는 제2 수지로 피복하고 제2 반사층을 형성하는 공정과,
상기 제2 반사층 및 상기 발광 소자 상에, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층을 배치하는 공정을 포함하고,
상기 제2 반사층을 형성하는 공정은, 상기 제1 반사층에 접하도록 상기 제2 수지를 배치하는 공정을 포함하고,
상기 제2 반사층을 형성하는 공정은, 원심력에 의해 상기 제2 수지에 함유되는 상기 제2 반사재를 침강시켜 상기 제2 반사재를 함유하는 함유층과 투광층을 이 순서로 상기 오목부의 저면에 형성함과 함께, 상기 발광 소자의 측면의 적어도 일부에 상기 함유층이 대향하지 않도록 상기 제2 반사층을 형성하고,
형성된 상기 제2 반사층으로부터 상기 발광 소자의 측면의 적어도 일부가 노출되고, 노출된 상기 측면이 상기 광투과층으로 피복되어 있는,
발광 장치의 제조 방법. A step of placing a light emitting element on the bottom of the recessed portion of a package having a recessed portion;
forming a first reflective layer by coating the side surfaces of the concave portion with a first resin containing a first reflector;
A step of contacting the first reflection layer and coating the bottom of the concave portion with a second resin containing a second reflector to form a second reflection layer;
A step of disposing a light-transmitting layer made of a third resin containing a phosphor on the second reflective layer and the light-emitting element,
The step of forming the second reflective layer includes the step of disposing the second resin so as to contact the first reflective layer,
The step of forming the second reflective layer includes precipitating the second reflector contained in the second resin by centrifugal force to form a content layer containing the second reflector and a light-transmissive layer in this order on the bottom surface of the concave portion. Together, forming the second reflective layer so that the content layer does not face at least a portion of the side surface of the light emitting device,
At least a portion of a side surface of the light-emitting device is exposed from the formed second reflective layer, and the exposed side surface is covered with the light-transmitting layer.
Method for manufacturing a light-emitting device.
상기 오목부의 측면을 제1 반사재를 함유하는 제1 수지로 피복하여 제1 반사층을 형성하는 공정과,
상기 제1 반사층에 접촉하여, 상기 오목부의 저면을 제2 반사재를 함유하는 제2 수지로 피복하고 제2 반사층을 형성하는 공정과,
상기 제2 반사층 및 상기 발광 소자 상에, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층을 배치하는 공정을 포함하고,
상기 제2 반사층을 형성하는 공정은, 상기 제1 반사층에 접하도록 상기 제2 수지를 배치하는 공정을 포함하고,
상기 제2 반사층을 형성하는 공정은, 상기 제2 수지를 상기 오목부의 저면에 있어서의 상기 오목부의 측면과 상기 발광 소자 사이에 포팅에 의해 배치하고, 상기 오목부의 저면이 외측이 되는 회전축으로 상기 패키지에 원심력을 작용시킴으로써, 상기 제1 반사층으로부터 노출되는 상기 오목부의 저면 모두를 피복하도록 상기 제2 수지의 형상을 변화시킴과 함께, 원심력이 걸린 상태에서 상기 제2 수지를 경화시키고,
형성된 상기 제2 반사층으로부터 상기 발광 소자의 측면의 적어도 일부가 노출되고, 노출된 상기 측면이 상기 광투과층으로 피복되어 있는,
발광 장치의 제조 방법.A step of placing a light emitting element on the bottom of the recessed portion of a package having a recessed portion;
forming a first reflective layer by coating the side surfaces of the concave portion with a first resin containing a first reflector;
A step of contacting the first reflection layer and coating the bottom of the concave portion with a second resin containing a second reflector to form a second reflection layer;
A step of disposing a light-transmitting layer made of a third resin containing a phosphor on the second reflective layer and the light-emitting element,
The step of forming the second reflective layer includes the step of disposing the second resin so as to contact the first reflective layer,
The step of forming the second reflective layer includes disposing the second resin on the bottom of the concave portion between the side surface of the concave portion and the light emitting element by potting, and rotating the package with the bottom of the concave portion as an external axis. By applying centrifugal force to the second resin, the shape of the second resin is changed to cover the entire bottom surface of the concave portion exposed from the first reflective layer, and the second resin is cured while the centrifugal force is applied,
At least a portion of a side surface of the light-emitting device is exposed from the formed second reflective layer, and the exposed side surface is covered with the light-transmitting layer.
Method for manufacturing a light-emitting device.
상기 제2 반사재의 침강은, 상기 오목부의 저면이 외측이 되는 회전축으로 상기 패키지에 원심력을 작용시킴으로서 행하는, 발광 장치의 제조 방법. According to paragraph 1,
A method of manufacturing a light-emitting device, wherein the settling of the second reflector is performed by applying centrifugal force to the package with a rotation axis whose bottom surface of the concave portion is on the outside.
상기 제2 반사층을 형성하는 공정은, 상기 제2 반사재를 침강시키면서 상기 제2 수지를 경화시키는, 발광 장치의 제조 방법. According to paragraph 1,
A method of manufacturing a light emitting device wherein the step of forming the second reflective layer includes curing the second resin while allowing the second reflector to settle.
상기 제2 수지를 경화시키는 온도가 40℃ 이상 200℃ 이하인, 발광 장치의 제조 방법. According to paragraph 2 or 4,
A method of manufacturing a light-emitting device, wherein the temperature for curing the second resin is 40°C or more and 200°C or less.
상기 제2 반사재가 산화티탄인, 발광 장치의 제조 방법.According to any one of claims 1 to 4,
A method of manufacturing a light-emitting device, wherein the second reflector is titanium oxide.
상기 산화티탄의 입경이, 0.1㎛ 이상 1.0㎛ 이하인, 발광 장치의 제조 방법.According to clause 6,
A method of manufacturing a light-emitting device, wherein the particle size of the titanium oxide is 0.1 μm or more and 1.0 μm or less.
상기 제2 수지의 점도가, 0.3Pa·s 이상 15Pa·s 이하인, 발광 장치의 제조 방법. According to any one of claims 1 to 4,
A method of manufacturing a light-emitting device, wherein the second resin has a viscosity of 0.3 Pa·s or more and 15 Pa·s or less.
상기 제2 반사층을 형성하는 공정 전에, 상기 제2 수지를 준비하는 공정을 포함하고,
상기 제2 수지를 준비하는 공정은, 2액 경화성의 수지 재료의 주제와 상기 제2 반사재를 혼합하고, 2시간 이상 경과 후에 경화제를 혼합하는, 발광 장치의 제조 방법. According to any one of claims 1 to 4,
Before the process of forming the second reflective layer, it includes a process of preparing the second resin,
A method of manufacturing a light-emitting device in which the step of preparing the second resin includes mixing a main component of a two-component curable resin material with the second reflector, and mixing a curing agent after 2 hours or more.
상기 오목부의 저면에 재치된 발광 소자와,
제1 반사재를 함유하는 제1 수지에 의해 상기 오목부의 측면을 피복하여 형성되는 제1 반사층과,
상기 제1 반사층에 접촉하여, 제2 반사재를 함유하는 제2 수지에 의해 상기 오목부의 저면을 피복하여 형성되는 제2 반사층과,
상기 제2 반사층 및 상기 발광 소자 상에 배치된, 형광체를 함유하는 제3 수지에 의한 광투과층을 구비하고,
상기 제1 반사층은, 상기 제1 반사재가 상기 제1 수지 중에 분산되어 있고, 상기 제2 반사층은, 상기 제2 반사재를 함유하는 함유층과 투광층이 이 순서로 상기 오목부의 저면에 설치되어 있고, 상기 발광 소자의 측면의 적어도 일부가 상기 함유층에 대향하지 않고,
상기 제2 반사층으로부터 상기 발광 소자의 측면의 적어도 일부가 노출되고, 노출된 상기 측면이 상기 광투과층으로 피복되어 있는, 발광 장치.A package having a concave portion,
A light emitting element placed on the bottom of the concave portion,
a first reflective layer formed by covering a side surface of the concave portion with a first resin containing a first reflector;
a second reflective layer formed by contacting the first reflective layer and covering the bottom of the concave portion with a second resin containing a second reflective material;
A light-transmitting layer made of a third resin containing a phosphor is disposed on the second reflective layer and the light-emitting element,
In the first reflective layer, the first reflector is dispersed in the first resin, and in the second reflective layer, a content layer containing the second reflector and a light-transmissive layer are provided in this order on the bottom surface of the concave portion, At least a portion of the side surface of the light emitting element does not face the content layer,
A light-emitting device wherein at least a portion of a side surface of the light-emitting element is exposed from the second reflection layer, and the exposed side surface is covered with the light-transmitting layer.
상기 제1 반사층은, 평면도 상에서 보았을 때, 직사각형 또는 정방형으로 형성된 상기 오목부의 측면이 일방향에서 대향하는 X방향에 있어서, 상기 발광 소자를 향해 오목한 형상으로 만곡하여 형성되는 만곡부와,
상기 X방향과 직교하는 Y방향에 있어서의 상기 오목부의 측면의 적어도 일부가 상기 발광 소자와 대향하도록 간극을 갖고 형성되는 간극부를 갖는, 발광 장치.According to clause 10,
The first reflective layer includes a curved portion formed by having a side surface of the concave portion formed in a rectangular or square shape curved toward the light emitting element in a concave shape in the opposing X direction when viewed in a plan view;
A light emitting device comprising a gap formed with a gap so that at least a portion of a side surface of the concave portion in the Y direction orthogonal to the X direction faces the light emitting element.
상기 발광 소자는, 평면도 상에서 보았을 때, 상기 오목부의 저면의 중앙에 재치되고,
상기 패키지 및 상기 발광 소자는, 평면도 상에서 보았을 때, 상기 발광 소자로부터 상기 X방향의 상기 오목부의 측면까지의 거리와, 상기 발광 소자로부터 상기 Y방향의 상기 오목부의 측면까지의 거리가 다른, 발광 장치.According to clause 11,
The light emitting element is placed at the center of the bottom surface of the concave portion when viewed in plan view,
The package and the light emitting element are light emitting devices where, when viewed in a plan view, the distance from the light emitting element to the side surface of the concave portion in the X direction is different from the distance from the light emitting element to the side surface of the concave portion in the Y direction. .
상기 발광 소자는, 평면도 상에서 보았을 때, 상기 오목부의 저면의 중앙으로부터 상기 오목부의 일방 측으로 어긋난 위치에 재치되고,
상기 제1 반사층은, 평면도 상에서 보았을 때, 대향하는 상기 오목부의 일방향의 측면에 있어서, 일방의 측면으로부터 타방의 측면을 향해 만곡하는 만곡부를 갖고, 상기 만곡부는, 만곡한 부위의 최심(最深)부가 상기 발광 소자에 대향하는 위치에 있는, 발광 장치. According to clause 10,
The light emitting element is placed at a position shifted from the center of the bottom surface of the concave portion to one side of the concave portion when viewed in plan view,
When viewed in plan view, the first reflective layer has a curved portion that curves from one side toward the other side on one side of the opposing concave portion, and the curved portion has the deepest portion of the curved portion. A light-emitting device located in a position opposite to the light-emitting element.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JP2016072412A (en) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device |
| JP2017098470A (en) * | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 日亜化学工業株式会社 | Method of manufacturing light emitting device |
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