KR102650329B1 - Pyromethene boron complex, light-emitting devices containing the same, display devices, and lighting devices - Google Patents

Pyromethene boron complex, light-emitting devices containing the same, display devices, and lighting devices Download PDF

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Abstract

일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체에 의해, 형광 양자 수율이 높고 발광 스펙트럼이 샤프한 발광 재료, 및 발광 효율, 색순도 및 내구성이 높은 발광 소자를 제공한다.

(R1 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아미노기, 실릴기, 실록사닐기 및 보릴기로 이루어지는 군에서 선택된다. 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다. 단, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 수소 원자 혹은 알킬기이다. X1 및 X2는 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택된다. 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다. R7은 하기 일반식 (2)로 표시된다.)

(R8 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 알데히드기, 아실기, 카르복실기, 에스테르기, 아미드기, 술포닐기, 술폰산에스테르기, 술폰아미드기, 아미노기, 니트로기, 실릴기, 실록사닐기, 보릴기 및 포스핀옥시드기로 이루어지는 군에서 선택된다. 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다. R11은 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 알데히드기, 아실기, 카르복실기, 에스테르기, 아미드기, 술포닐기, 술폰산에스테르기, 술폰아미드기, 아미노기, 니트로기, 실릴기, 실록사닐기, 보릴기 및 포스핀옥시드기로 이루어지는 군에서 선택된다. 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다. Ar1은 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환의 헤테로아릴기이다.)
A pyromethene boron complex represented by the general formula (1) provides a light-emitting material with a high fluorescence quantum yield and a sharp emission spectrum, and a light-emitting device with high luminous efficiency, color purity, and durability.

(R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, a hydroxyl group, a thiol group, an alkoxy group, an alkylthio group, an arylether group, an arylthioether group, aryl group, heteroaryl group, amino group, silyl group, siloxanyl group and boryl group.These groups may further have substituents.However, at least one of R 1 to R 4 is a hydrogen atom or an alkyl group. X 1 and It is selected from the group consisting of aryl group, heteroaryl group, halogen and cyano group. These groups may further have substituents. R 7 is represented by the following general formula (2).

(R 8 to R 10 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, a hydroxyl group, a thiol group, an alkoxy group, an alkylthio group, an arylether group, an arylthioether group, aryl group, heteroaryl group, halogen, cyano group, aldehyde group, acyl group, carboxyl group, ester group, amide group, sulfonyl group, sulfonic acid ester group, sulfonamide group, amino group, nitro group, silyl group, siloxanyl group, It is selected from the group consisting of a boryl group and a phosphine oxide group.These groups may further have substituents.R 11 is an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, a hydroxyl group, a thiol group, an alkoxy group. , alkylthio group, aryl ether group, arylthioether group, aryl group, heteroaryl group, halogen, cyano group, aldehyde group, acyl group, carboxyl group, ester group, amide group, sulfonyl group, sulfonic acid ester group, sulfonamide group, It is selected from the group consisting of amino group, nitro group, silyl group, siloxanyl group, boryl group and phosphine oxide group.These groups may further have substituents.Ar 1 is substituted or unsubstituted aryl group, or substituted or unsubstituted hetero It is an aryl group.)

Description

피로메텐붕소 착체, 그것을 함유하는 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치Pyromethene boron complex, light-emitting devices containing the same, display devices, and lighting devices

본 발명은 피로메텐붕소 착체, 그것을 함유하는 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치에 관한 것이다.The present invention relates to pyromethene boron complex, light-emitting devices containing the same, display devices, and lighting devices.

음극으로부터 주입된 전자와 양극으로부터 주입된 정공이 양쪽 극 사이에 끼워진 발광층 내에서 재결합함으로써 발광하는 유기 박막 발광 소자는 박형이며, 또한 저구동 전압 및 고휘도 발광이 가능, 또한 발광 재료를 선택함으로써 다색 발광이 가능하다고 하는 특징을 갖는다. 특히, 발광층에 호스트 재료와 도펀트 재료를 조합하여 사용함으로써, 청색, 녹색 및 적색의 삼원색의 광을 고효율로 발광하는 발광 소자를 얻을 수 있다.Organic thin film light-emitting devices that emit light by recombining electrons injected from the cathode and holes injected from the anode within the light-emitting layer sandwiched between the two electrodes are thin, capable of low driving voltage and high-brightness light emission, and can also emit multicolor light by selecting the light-emitting material. It has a feature that makes this possible. In particular, by using a combination of a host material and a dopant material in the light emitting layer, a light emitting device that emits light of the three primary colors of blue, green, and red with high efficiency can be obtained.

도펀트로서는, 형광 양자 수율이 높은 색소가 통상 사용된다. 예를 들어 피로메텐 골격을 갖는 착체는, 형광 양자 수율이 높고, 스토크스 시프트 및 발광 스펙트럼의 피크 반값폭이 작다고 하는 도펀트로서 높은 효율을 얻는 데 필요한 요건을 구비한 화합물이며, 도펀트로서 피로메텐 착체를 사용한 발광 소자는, 양호한 소자 특성을 나타내는 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 또한 근년에는 고발광 효율을 목표로 하여, TADF(Thermally Activated Delayed Fluorescence, 열 활성화 지연 형광) 재료와 피로메텐붕소 착체를 포함하는 발광 소자가 검토되고 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).As a dopant, a dye with a high fluorescence quantum yield is usually used. For example, a complex having a pyromethene skeleton is a compound that satisfies the requirements necessary to obtain high efficiency as a dopant, such as a high fluorescence quantum yield and a small Stokes shift and a small peak half width of the emission spectrum, and a pyromethene complex as a dopant. It is known that light-emitting devices using , exhibit good device characteristics (for example, see Patent Document 1). Additionally, in recent years, with the goal of high luminous efficiency, light-emitting devices containing TADF (Thermally Activated Delayed Fluorescence) materials and pyromethene boron complexes have been examined (for example, see Patent Document 2).

일본 특허 공개 제2003-12676호 공보Japanese Patent Publication No. 2003-12676 국제 공개 제2016/056559호International Publication No. 2016/056559

유기 박막 발광 소자를 표시 장치나 조명 장치로서 이용하는 경우, 색 영역을 넓게 하는 것이 요구되고 있다. 색 영역은 xy 색도도에 있어서 적색, 녹색 및 청색의 각각의 발광을 나타내는 정점 좌표를 결정하고, 그것들을 연결한 삼각형으로 표시된다. 색 영역을 넓게 하기 위해서는, 해당 삼각형의 면적이 넓어지도록 적색, 녹색 및 청색의 각 정점 좌표를 적절한 색도로 하는 것이 필요하며, 그 때문에 여러 가지의 색 설계가 행해지고 있다.When using organic thin film light emitting devices as display devices or lighting devices, it is required to widen the color gamut. The color region determines the vertex coordinates representing the respective emission of red, green, and blue in the xy chromaticity diagram, and is represented by a triangle connecting them. In order to widen the color gamut, it is necessary to set the coordinates of each vertex of red, green, and blue to an appropriate chromaticity so that the area of the triangle is widened, and for this reason, various color designs are being implemented.

색도는 발광 피크 파장과 색순도의 조합에 의해 결정된다. 색순도는 발광 스펙트럼의 폭에 의해 결정되며, 발광 스펙트럼의 폭이 좁아져 단색광에 접근할수록 색순도가 높아진다. 넓은 색 영역화를 위해서는 색순도를 올리는 것이 특히 중요하며, 샤프한 발광 스펙트럼을 갖는 발광 재료가 강하게 요구되고 있다.Chromaticity is determined by a combination of emission peak wavelength and color purity. Color purity is determined by the width of the emission spectrum, and as the width of the emission spectrum narrows and approaches monochromatic light, color purity increases. Increasing color purity is particularly important for wide color gamut, and light-emitting materials with a sharp emission spectrum are strongly required.

또한, 유기 박막 발광 소자를 표시 장치나 조명 장치로서 이용하는 경우, 발광 소자의 내구성을 향상시키는 것이 요구되고 있다. 발광 소자의 내구성을 향상시키기 위해서는, 발광 재료의 안정성을 높일 필요가 있다.Additionally, when using an organic thin film light emitting device as a display device or lighting device, it is required to improve the durability of the light emitting device. In order to improve the durability of light-emitting devices, it is necessary to increase the stability of light-emitting materials.

한편, 유기 박막 발광 소자는 휘도 향상과 전력 절약의 관점에서, 높은 발광 효율이 요망되고 있다. 특히 근년 사용이 확대되고 있는 모바일 표시 장치에 있어서는, 전력 절약화가 특히 중요한 과제가 되고 있다.On the other hand, organic thin film light emitting devices are required to have high luminous efficiency from the viewpoint of improving brightness and saving power. In particular, for mobile display devices whose use has been expanding in recent years, power saving has become a particularly important issue.

이러한 상황에 있어서, 피로메텐붕소 착체는, 도펀트로서 사용한 경우, 샤프한 발광 스펙트럼을 얻을 수 있는 유용한 발광 재료이기는 하지만, 발광 소자에 있어서 보다 높은 발광 효율과 보다 높은 내구성이 요구되고 있다. 그러나 샤프한 발광 스펙트럼을 유지하면서, 높은 발광 효율과 높은 내구성을 갖는 발광 소자를 달성하기는 곤란하였다.In this situation, pyromethene boron complex is a useful light-emitting material that can obtain a sharp emission spectrum when used as a dopant, but higher luminous efficiency and durability are required for light-emitting devices. However, it was difficult to achieve a light-emitting device with high luminous efficiency and high durability while maintaining a sharp luminescence spectrum.

본 발명은 이러한 종래 기술의 문제를 해결하여, 형광 양자 수율이 높고 발광 스펙트럼이 샤프한 발광 재료, 및 발광 효율, 색순도 및 내구성이 높은 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다. The purpose of the present invention is to solve these problems of the prior art and provide a light-emitting material with a high fluorescence quantum yield and a sharp emission spectrum, and a light-emitting device with high luminous efficiency, color purity, and durability.

본 발명은 일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체이다.The present invention is a pyromethene boron complex represented by general formula (1).

Figure 112022068918077-pct00001
Figure 112022068918077-pct00001

R1 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아미노기, 실릴기, 실록사닐기 및 보릴기로 이루어지는 군에서 선택된다. 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다. 단, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 수소 원자 혹은 알킬기이다.R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, a hydroxyl group, a thiol group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl ether group, an arylthioether group. , an aryl group, a heteroaryl group, an amino group, a silyl group, a siloxanyl group, and a boryl group. These groups may further have substituents. However, at least one of R 1 to R 4 is a hydrogen atom or an alkyl group.

X1 및 X2는 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택된다. 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다.X 1 and , heteroaryl group, halogen, and cyano group. These groups may further have substituents.

R7은 하기 일반식 (2)로 표시된다.R 7 is represented by the following general formula (2).

Figure 112022068918077-pct00002
Figure 112022068918077-pct00002

R8 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 알데히드기, 아실기, 카르복실기, 에스테르기, 아미드기, 술포닐기, 술폰산에스테르기, 술폰아미드기, 아미노기, 니트로기, 실릴기, 실록사닐기, 보릴기 및 포스핀옥시드기로 이루어지는 군에서 선택된다. 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다.R 8 to R 10 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, a hydroxyl group, a thiol group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl ether group, an arylthioether group. , aryl group, heteroaryl group, halogen, cyano group, aldehyde group, acyl group, carboxyl group, ester group, amide group, sulfonyl group, sulfonic acid ester group, sulfonamide group, amino group, nitro group, silyl group, siloxanyl group, bo It is selected from the group consisting of a reel group and a phosphine oxide group. These groups may further have substituents.

R11은 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 알데히드기, 아실기, 카르복실기, 에스테르기, 아미드기, 술포닐기, 술폰산에스테르기, 술폰아미드기, 아미노기, 니트로기, 실릴기, 실록사닐기, 보릴기 및 포스핀옥시드기로 이루어지는 군에서 선택된다. 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다.R 11 is an alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, hydroxyl group, thiol group, alkoxy group, alkylthio group, arylether group, arylthioether group, aryl group, heteroaryl group, halogen , cyano group, aldehyde group, acyl group, carboxyl group, ester group, amide group, sulfonyl group, sulfonic acid ester group, sulfonamide group, amino group, nitro group, silyl group, siloxanyl group, boryl group and phosphine oxide group. is selected. These groups may further have substituents.

Ar1은 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환의 헤테로아릴기이다.Ar 1 is a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

또한, 본 발명의 다른 양태는, 양극과 음극, 및 해당 양극과 해당 음극 사이에 존재하는 발광층을 갖고, 해당 발광층이 전기 에너지에 의해 발광하는 소자로서, 상기 발광층 중에 상기 피로메텐붕소 착체를 함유하는 발광 소자이다.In addition, another aspect of the present invention is a device having an anode, a cathode, and a light-emitting layer existing between the anode and the cathode, and the light-emitting layer emits light by electrical energy, wherein the light-emitting layer contains the pyromethene boron complex. It is a light emitting device.

본 발명에 의해, 형광 양자 수율이 높고 발광 스펙트럼이 샤프한 발광 재료, 및 발광 효율, 색순도 및 내구성이 높은 발광 소자를 제공할 수 있다.By the present invention, it is possible to provide a light-emitting material with a high fluorescence quantum yield and a sharp emission spectrum, and a light-emitting device with high luminous efficiency, color purity, and durability.

이하, 본 발명에 관한 피로메텐붕소 착체, 그것을 함유하는 발광 소자, 표시 장치 및 조명 장치의 적합한 실시 형태를 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시 형태로 한정되는 것은 아니며, 목적이나 용도에 따라 여러 가지로 변경하여 실시할 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the pyromethene boron complex, light-emitting elements, display devices, and lighting devices containing the same according to the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and can be implemented with various changes depending on the purpose or use.

<피로메텐붕소 착체><Pyromethene boron complex>

본 발명에 관한 피로메텐붕소 착체는 일반식 (1)로 표시된다.The pyromethene boron complex according to the present invention is represented by general formula (1).

Figure 112022068918077-pct00003
Figure 112022068918077-pct00003

R1 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아미노기, 실릴기, 실록사닐기 및 보릴기로 이루어지는 군에서 선택된다. 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다. 단, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 수소 원자 혹은 알킬기이다.R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, a hydroxyl group, a thiol group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl ether group, an arylthioether group. , an aryl group, a heteroaryl group, an amino group, a silyl group, a siloxanyl group, and a boryl group. These groups may further have substituents. However, at least one of R 1 to R 4 is a hydrogen atom or an alkyl group.

X1 및 X2는 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택된다. 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다.X 1 and , heteroaryl group, halogen, and cyano group. These groups may further have substituents.

R7은 하기 일반식 (2)로 표시된다.R 7 is represented by the following general formula (2).

Figure 112022068918077-pct00004
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R8 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 알데히드기, 아실기, 카르복실기, 에스테르기, 아미드기, 술포닐기, 술폰산에스테르기, 술폰아미드기, 아미노기, 니트로기, 실릴기, 실록사닐기, 보릴기 및 포스핀옥시드기로 이루어지는 군에서 선택된다. 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다.R 8 to R 10 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, a hydroxyl group, a thiol group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl ether group, an arylthioether group. , aryl group, heteroaryl group, halogen, cyano group, aldehyde group, acyl group, carboxyl group, ester group, amide group, sulfonyl group, sulfonic acid ester group, sulfonamide group, amino group, nitro group, silyl group, siloxanyl group, bo It is selected from the group consisting of a reel group and a phosphine oxide group. These groups may further have substituents.

R11은 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 알데히드기, 아실기, 카르복실기, 에스테르기, 아미드기, 술포닐기, 술폰산에스테르기, 술폰아미드기, 아미노기, 니트로기, 실릴기, 실록사닐기, 보릴기 및 포스핀옥시드기로 이루어지는 군에서 선택된다. 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다.R 11 is an alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, hydroxyl group, thiol group, alkoxy group, alkylthio group, arylether group, arylthioether group, aryl group, heteroaryl group, halogen , cyano group, aldehyde group, acyl group, carboxyl group, ester group, amide group, sulfonyl group, sulfonic acid ester group, sulfonamide group, amino group, nitro group, silyl group, siloxanyl group, boryl group and phosphine oxide group. is selected. These groups may further have substituents.

Ar1은 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환의 헤테로아릴기이다.Ar 1 is a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

피로메텐 골격에 있어서, R7로 치환되는 부위를 이하 「교두위(橋頭位)」라고 칭하는 경우가 있다.In the pyromethene skeleton, the region substituted by R 7 may hereinafter be referred to as the “bridge position.”

본 발명에 있어서는, 하기 식으로 표시되는 피로메텐 골격을 갖는 것, 및 피로메텐 골격의 일부에 축환 구조를 갖고, 환 구조가 확장되어 있는 것을 합쳐서 「피로메텐」이라고 칭한다.In the present invention, those having a pyromethene skeleton represented by the following formula and those having a condensed ring structure in a part of the pyromethene skeleton and the ring structure being expanded are collectively referred to as “pyrromethene.”

Figure 112022068918077-pct00005
Figure 112022068918077-pct00005

상기 모든 기에 있어서, 수소는 중수소여도 된다. 이하에 설명하는 화합물 또는 그의 부분 구조에 있어서도 마찬가지이다.In all the above groups, hydrogen may be deuterium. The same applies to the compounds or partial structures thereof described below.

또한, 상기 모든 기에 있어서, 치환되는 경우에 있어서의 치환기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 할로겐, 시아노기, 알데히드기, 아실기, 카르복실기, 에스테르기, 아미드기, 아실기, 술포닐기, 술폰산에스테르기, 술폰아미드기, 아미노기, 니트로기, 실릴기, 실록사닐기, 보릴기, 포스핀옥시드기 및 옥소기로 이루어지는 군에서 선택되는 기가 바람직하다. 나아가, 후술하는 각 치환기의 설명에 있어서 바람직하다고 하는 구체적인 치환기가 보다 바람직하다. 또한, 이들 치환기는, 상술한 치환기에 의해 더 치환되어 있어도 된다.In addition, in all of the above groups, substituents in case of substitution include alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, aryl group, heteroaryl group, hydroxyl group, thiol group, alkoxy group, and alkyl group. Thio group, aryl ether group, arylthioether group, halogen, cyano group, aldehyde group, acyl group, carboxyl group, ester group, amide group, acyl group, sulfonyl group, sulfonic acid ester group, sulfonamide group, amino group, nitro group, silyl group A group selected from the group consisting of a siloxanyl group, a boryl group, a phosphine oxide group, and an oxo group is preferred. Furthermore, in the description of each substituent described later, specific substituents that are said to be preferable are more preferable. In addition, these substituents may be further substituted with the substituents mentioned above.

본 설명의 설명에 있어서 「비치환」이란, 대상이 되는 기본 골격 또는 기에 결합하는 원자가 수소 원자 또는 중수소 원자만인 것을 의미한다. 이하에 설명하는 화합물 또는 그의 부분 구조에 있어서, 「치환 혹은 비치환의」라고 하는 경우에 대해서도, 상기와 마찬가지이다.In the description of this description, “unsubstituted” means that the atom bonded to the target basic skeleton or group is only a hydrogen atom or a deuterium atom. The same applies to the case of “substituted or unsubstituted” in the compounds or partial structures thereof described below.

알킬기란, 예를 들어 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등의 포화 지방족 탄화수소기를 나타내며, 이것은 치환되어 있어도 되고 비치환이어도 된다. 치환되어 있는 경우의 추가의 치환기에는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 알킬기, 할로겐, 아릴기, 헤테로아릴기 등을 들 수 있으며, 이 점은 이하의 기재에도 공통된다. 알킬기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 입수의 용이성이나 비용의 점에서, 바람직하게는 1 이상 20 이하, 보다 바람직하게는 1 이상 8 이하의 범위이다.An alkyl group refers to a saturated aliphatic hydrocarbon group such as, for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, and tert-butyl group, which may be substituted or unsubstituted. . There is no particular limitation on the additional substituent when substituted, and examples include alkyl group, halogen, aryl group, heteroaryl group, etc. This point is also common to the description below. The number of carbon atoms in the alkyl group is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 20, more preferably 1 to 8, from the viewpoint of availability and cost.

시클로알킬기란, 예를 들어 시클로프로필기, 시클로헥실기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등의 포화 지환식 탄화수소기를 나타내며, 이것은 치환되어 있어도 되고 비치환이어도 된다. 알킬기 부분의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 3 이상 20 이하의 범위이다.A cycloalkyl group refers to, for example, a saturated alicyclic hydrocarbon group such as a cyclopropyl group, cyclohexyl group, norbornyl group, or adamantyl group, which may be substituted or unsubstituted. The number of carbon atoms in the alkyl group portion is not particularly limited, but is preferably in the range of 3 to 20.

복소환기란, 예를 들어 피란환, 피페리딘환, 환상 아미드 등의 탄소 이외의 원자를 환 내에 갖는 지방족환을 나타내며, 이것은 치환되어 있어도 되고 비치환이어도 된다. 복소환기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 2 이상 20 이하의 범위이다.A heterocyclic group refers to an aliphatic ring having atoms other than carbon in the ring, such as, for example, a pyran ring, piperidine ring, or cyclic amide, and may be substituted or unsubstituted. The number of carbon atoms in the heterocyclic group is not particularly limited, but is preferably in the range of 2 to 20.

알케닐기란, 예를 들어 비닐기, 알릴기, 부타디에닐기 등의 이중 결합을 포함하는 불포화 지방족 탄화수소기를 나타내며, 이것은 치환되어 있어도 되고 비치환이어도 된다. 알케닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 2 이상 20 이하의 범위이다.An alkenyl group refers to an unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing a double bond, such as a vinyl group, an allyl group, or a butadienyl group, which may be substituted or unsubstituted. The number of carbon atoms in the alkenyl group is not particularly limited, but is preferably in the range of 2 to 20.

시클로알케닐기란, 예를 들어 시클로펜테닐기, 시클로펜타디에닐기, 시클로헥세닐기 등의 이중 결합을 포함하는 불포화 지환식 탄화수소기를 나타내며, 이것은 치환되어 있어도 되고 비치환이어도 된다. 시클로알케닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 3 이상 20 이하의 범위이다.A cycloalkenyl group refers to an unsaturated alicyclic hydrocarbon group containing a double bond, such as a cyclopentenyl group, cyclopentadienyl group, or cyclohexenyl group, and may be substituted or unsubstituted. The number of carbon atoms in the cycloalkenyl group is not particularly limited, but is preferably in the range of 3 to 20.

알키닐기란, 예를 들어 에티닐기 등의 삼중 결합을 포함하는 불포화 지방족 탄화수소기를 나타내며, 이것은 치환되어 있어도 되고 비치환이어도 된다. 알키닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 2 이상 20 이하의 범위이다.An alkynyl group refers to an unsaturated aliphatic hydrocarbon group containing a triple bond such as an ethynyl group, which may be substituted or unsubstituted. The number of carbon atoms in the alkynyl group is not particularly limited, but is preferably in the range of 2 to 20.

알콕시기란, 예를 들어 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기 등의 에테르 결합을 통하여 지방족 탄화수소기가 결합한 관능기를 나타내며, 이 지방족 탄화수소기는 치환되어 있어도 되고 비치환이어도 된다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 이상 20 이하의 범위이다.An alkoxy group refers to a functional group to which an aliphatic hydrocarbon group is bonded through an ether bond, such as a methoxy group, ethoxy group, or propoxy group, and this aliphatic hydrocarbon group may be substituted or unsubstituted. The number of carbon atoms in the alkoxy group is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 20.

알킬티오기란, 알콕시기의 에테르 결합의 산소 원자가 황 원자로 치환된 것이다. 알킬티오기의 탄화수소기는 치환되어 있어도 되고 비치환이어도 된다. 알킬티오기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 이상 20 이하의 범위이다.An alkylthio group is one in which the oxygen atom of the ether bond of an alkoxy group is replaced with a sulfur atom. The hydrocarbon group of the alkylthio group may be substituted or unsubstituted. The number of carbon atoms of the alkylthio group is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 20.

아릴에테르기란, 예를 들어 페녹시기 등, 에테르 결합을 통하여 방향족 탄화수소기가 결합한 관능기를 나타내며, 방향족 탄화수소기는 치환되어 있어도 되고 비치환이어도 된다. 아릴에테르기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 6 이상 40 이하의 범위이다.An aryl ether group refers to a functional group to which an aromatic hydrocarbon group is bonded through an ether bond, such as a phenoxy group, and the aromatic hydrocarbon group may be substituted or unsubstituted. The number of carbon atoms in the aryl ether group is not particularly limited, but is preferably in the range of 6 to 40.

아릴티오에테르기란, 아릴에테르기의 에테르 결합의 산소 원자가 황 원자로 치환된 것이다. 아릴티오에테르기에 있어서의 방향족 탄화수소기는 치환되어 있어도 되고 비치환이어도 된다. 아릴티오에테르기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 6 이상 40 이하의 범위이다. An arylthioether group is one in which the oxygen atom of the ether bond of an arylether group is replaced with a sulfur atom. The aromatic hydrocarbon group in the arylthioether group may be substituted or unsubstituted. The number of carbon atoms in the arylthioether group is not particularly limited, but is preferably in the range of 6 to 40.

아릴기는 단환 혹은 축합환 중 어느 것이어도 되며, 예를 들어 페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트릴기, 안트라세닐기, 벤조페난트릴기, 벤조안트라세닐기, 크리세닐기, 피레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 벤조플루오란테닐기, 디벤조안트라세닐기, 페릴레닐기, 헬리세닐기 등의 방향족 탄화수소기를 나타낸다. 그 중에서도 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 페난트릴기, 안트라세닐기, 피레닐기, 플루오란테닐기 및 트리페닐레닐기로 이루어지는 군에서 선택되는 기가 바람직하다. 아릴기는 치환되어 있어도 되고 비치환이어도 된다. 본 발명에서는 비페닐기, 터페닐기 등 복수의 페닐기가 단결합을 통하여 결합되어 있는 기는, 아릴기를 치환기로서 갖는 페닐기로서 취급하는 것으로 한다. 아릴기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 6 이상 40 이하, 보다 바람직하게는 6 이상 30 이하의 범위이다. 또한, 페닐기에 있어서는, 그 페닐기 중의 인접하는 2개의 탄소 원자 상에 각각 치환기가 있는 경우, 그들 치환기끼리 환 구조를 형성하고 있어도 된다.The aryl group may be either a monocyclic ring or a condensed ring, for example, phenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthryl group, anthracenyl group, benzophenanthryl group, benzoanthra group. Represents aromatic hydrocarbon groups such as cenyl group, chrysenyl group, pyrenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, benzofluoranthenyl group, dibenzoanthracenyl group, perylenyl group, and helisenyl group. Among them, a group selected from the group consisting of phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, anthracenyl group, pyrenyl group, fluoranthenyl group and triphenylenyl group is preferable. The aryl group may be substituted or unsubstituted. In the present invention, a group in which a plurality of phenyl groups, such as a biphenyl group and a terphenyl group, are bonded through a single bond is treated as a phenyl group having an aryl group as a substituent. The number of carbon atoms in the aryl group is not particularly limited, but is preferably in the range of 6 to 40, more preferably in the range of 6 to 30. Additionally, in the phenyl group, when there are substituents on two adjacent carbon atoms in the phenyl group, the substituents may form a ring structure.

헤테로아릴기는 단환 혹은 축합환 중 어느 것이어도 되며, 예를 들어 피리딜기, 푸라닐기, 티오페닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 피라지닐기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프티리디닐기, 신놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 벤조푸라닐기, 벤조티오페닐기, 인돌릴기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 카르바졸릴기, 벤조카르바졸릴기, 카르볼리닐기, 인돌로카르바졸릴기, 벤조푸로카르바졸릴기, 벤조티에노카르바졸릴기, 디히드로인데노카르바졸릴기, 벤조퀴놀리닐기, 아크리디닐기, 디벤조아크리디닐기, 벤조이미다졸릴기, 이미다조피리딜기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페난트롤리닐기 등의, 탄소 및 수소 이외의 원자, 즉 헤테로 원자를 1개 또는 복수개 환 내에 갖는 환상 방향족기를 나타낸다. 헤테로 원자로서는 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자가 바람직하다. 헤테로아릴기는 치환되어 있어도 되고 비치환이어도 된다. 헤테로아릴기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 2 이상 40 이하, 보다 바람직하게는 2 이상 30 이하의 범위이다.The heteroaryl group may be either a monocyclic ring or a condensed ring, for example, pyridyl group, furanyl group, thiophenyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, pyrazinyl group, pyrimidyl group, pyridazinyl group, and triazinyl group. , naphthyridinyl group, cinnolinyl group, phthalazinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, indolyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, carbazolyl group, benzocar Bazolyl group, carbolinyl group, indolocarbazolyl group, benzofurocarbazolyl group, benzothienocarbazolyl group, dihydroindenocarbazolyl group, benzoquinolinyl group, acridinyl group, dibenzo Cyclic groups having atoms other than carbon and hydrogen, that is, heteroatoms, in one or more rings, such as acridinyl group, benzoimidazolyl group, imidazopyridyl group, benzoxazolyl group, benzothiazolyl group, phenanthrolinyl group, etc. Represents an aromatic group. As the hetero atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom is preferable. The heteroaryl group may be substituted or unsubstituted. The number of carbon atoms in the heteroaryl group is not particularly limited, but is preferably in the range of 2 to 40, more preferably in the range of 2 to 30.

할로겐이란, 불소, 염소, 브롬 및 요오드로부터 선택되는 원자를 나타낸다.Halogen refers to an atom selected from fluorine, chlorine, bromine, and iodine.

시아노기란, 구조가 -CN으로 표시되는 관능기이다. 여기서 다른 기와 결합하는 것은 탄소 원자이다.A cyano group is a functional group whose structure is represented by -CN. Here, it is the carbon atom that bonds with the other group.

알데히드기란, 구조가 -C(=O)H로 표시되는 관능기이다. 여기서 다른 기와 결합하는 것은 탄소 원자이다.An aldehyde group is a functional group whose structure is represented by -C(=O)H. Here, it is the carbon atom that bonds with the other group.

아실기란, 예를 들어 아세틸기, 프로피오닐기, 벤조일기, 아크릴릴기 등, 카르보닐기를 통하여 알킬기, 시클로알킬기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기가 결합한 관능기를 나타낸다. 이들 치환기는 더 치환되어 있어도 된다. 아실기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 2 이상 40 이하, 보다 바람직하게는 2 이상 30 이하이다.An acyl group refers to a functional group bonded to an alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, alkynyl group, aryl group, or heteroaryl group through a carbonyl group, for example, an acetyl group, propionyl group, benzoyl group, acrylyl group, etc. These substituents may be further substituted. The number of carbon atoms of the acyl group is not particularly limited, but is preferably 2 to 40, more preferably 2 to 30.

에스테르기란, 예를 들어 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등이 에스테르 결합을 통하여 결합한 관능기를 나타낸다. 이들 치환기는 더 치환되어 있어도 된다. 에스테르기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 이상 20 이하의 범위이다. 보다 구체적으로는, 메톡시카르보닐기 등의 메틸에스테르기, 에톡시카르보닐기 등의 에틸에스테르기, 프로폭시카르보닐기 등의 프로필에스테르기, 부톡시카르보닐기 등의 부틸에스테르기, 이소프로폭시메톡시카르보닐기 등의 이소프로필에스테르기, 헥실옥시카르보닐기 등의 헥실에스테르기, 페녹시카르보닐기 등의 페닐에스테르기 등을 들 수 있다.An ester group refers to a functional group in which, for example, an alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, heteroaryl group, etc. are bonded through an ester bond. These substituents may be further substituted. The number of carbon atoms in the ester group is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 20. More specifically, methyl ester groups such as methoxycarbonyl group, ethyl ester groups such as ethoxycarbonyl group, propyl ester groups such as propoxycarbonyl group, butyl ester groups such as butoxycarbonyl group, isopropoxymethoxycarbonyl group, etc. Hexyl ester groups such as propyl ester group and hexyloxycarbonyl group, and phenyl ester groups such as phenoxycarbonyl group.

아미드기란, 예를 들어 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등이 아미드 결합을 통하여 결합한 관능기를 나타낸다. 이들 치환기는 더 치환되어 있어도 된다. 아미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 이상 20 이하의 범위이다. 보다 구체적으로는, 메틸아미드기, 에틸아미드기, 프로필아미드기, 부틸아미드기, 이소프로필아미드기, 헥실아미드기, 페닐아미드기 등을 들 수 있다.An amide group refers to a functional group in which, for example, an alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, heteroaryl group, etc. are bonded through an amide bond. These substituents may be further substituted. The number of carbon atoms in the amide group is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 20. More specifically, methylamide group, ethylamide group, propylamide group, butylamide group, isopropylamide group, hexylamide group, phenylamide group, etc. are mentioned.

술포닐기란, 예를 들어 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등이 -S(=O)2- 결합을 통하여 결합한 관능기를 나타낸다. 이들 치환기는 더 치환되어 있어도 된다. 술포닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 이상 20 이하의 범위이다.A sulfonyl group refers to a functional group in which, for example, an alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, heteroaryl group, etc. are bonded through a -S(=O) 2 - bond. These substituents may be further substituted. The number of carbon atoms in the sulfonyl group is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 20.

술폰산에스테르기란, 예를 들어 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등이 술폰산에스테르 결합을 통하여 결합한 관능기를 나타낸다. 여기서 술폰산에스테르 결합이란, 에스테르 결합의 카르보닐부, 즉 -C(=O)-가 술포닐부, 즉 -S(=O)2-로 치환된 것을 가리킨다. 또한, 이들 치환기는 더 치환되어 있어도 된다. 술폰산에스테르기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 이상 20 이하의 범위이다.The sulfonic acid ester group refers to a functional group in which, for example, an alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, heteroaryl group, etc. are bonded through a sulfonic acid ester bond. Here, the sulfonic acid ester bond refers to the carbonyl portion of the ester bond, that is, -C(=O)-, being replaced with the sulfonyl portion, that is, -S(=O) 2 -. Additionally, these substituents may be further substituted. The number of carbon atoms in the sulfonic acid ester group is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 20.

술폰아미드기란, 예를 들어 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기 등이 술폰아미드 결합을 통하여 결합한 관능기를 나타낸다. 여기서 술폰아미드 결합이란, 에스테르 결합의 카르보닐부, 즉 -C(=O)-가 술포닐부, 즉 -S(=O)2-로 치환된 것을 가리킨다. 또한, 이들 치환기는 더 치환되어 있어도 된다. 술폰아미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 이상 20 이하의 범위이다.A sulfonamide group refers to a functional group in which, for example, an alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, heteroaryl group, etc. are bonded through a sulfonamide bond. Here, the sulfonamide bond refers to the carbonyl portion of the ester bond, that is, -C(=O)-, being replaced with the sulfonyl portion, that is, -S(=O) 2 -. Additionally, these substituents may be further substituted. The number of carbon atoms in the sulfonamide group is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 20.

아미노기란, 치환 혹은 비치환의 아미노기이다. 치환하는 경우의 치환기로서는, 예를 들어 아릴기, 헤테로아릴기, 직쇄 알킬기, 분지 알킬기를 들 수 있다. 아릴기, 헤테로아릴기로서는, 페닐기, 나프틸기, 피리딜기, 퀴놀리닐기가 바람직하다. 이들 치환기는 더 치환되어도 된다. 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 2 이상 50 이하, 보다 바람직하게는 6 이상 40 이하, 특히 바람직하게는 6 이상 30 이하의 범위이다.An amino group is a substituted or unsubstituted amino group. Examples of the substituent in the case of substitution include an aryl group, heteroaryl group, straight-chain alkyl group, and branched alkyl group. As the aryl group and heteroaryl group, phenyl group, naphthyl group, pyridyl group, and quinolinyl group are preferable. These substituents may be further substituted. The number of carbon atoms is not particularly limited, but is preferably in the range of 2 to 50, more preferably in the range of 6 to 40, and particularly preferably in the range of 6 to 30.

실릴기란, 치환 혹은 비치환의 규소 원자가 결합한 관능기를 나타내며, 예를 들어 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, tert-부틸디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기 등의 알킬실릴기나, 페닐디메틸실릴기, tert-부틸디페닐실릴기, 트리페닐실릴기, 트리나프틸실릴기 등의 아릴실릴기를 나타낸다. 규소 상의 치환기는 더 치환되어도 된다. 실릴기의 탄소수는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 이상 30 이하의 범위이다.A silyl group refers to a functional group to which a substituted or unsubstituted silicon atom is bonded, for example, alkylsilyl groups such as trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tert-butyldimethylsilyl group, propyldimethylsilyl group, and vinyldimethylsilyl group, or phenyldimethyl group. It represents arylsilyl groups such as silyl group, tert-butyldiphenylsilyl group, triphenylsilyl group, and trinaphthylsilyl group. Substituents on silicon may be further substituted. The number of carbon atoms in the silyl group is not particularly limited, but is preferably in the range of 1 to 30.

실록사닐기란, 예를 들어 트리메틸실록사닐기 등의 에테르 결합을 통한 규소 화합물기를 나타낸다. 규소 상의 치환기는 더 치환되어도 된다.The siloxanyl group refers to a silicon compound group through an ether bond, such as a trimethylsiloxanyl group. Substituents on silicon may be further substituted.

보릴기란, 치환 혹은 비치환의 보릴기이다. 치환하는 경우의 치환기로서는, 예를 들어 아릴기, 헤테로아릴기, 직쇄 알킬기, 분지 알킬기, 아릴에테르기, 알콕시기, 히드록실기를 들 수 있으며, 그 중에서 아릴기, 아릴에테르기가 바람직하다.A boryl group is a substituted or unsubstituted boryl group. Examples of the substituent in the case of substitution include an aryl group, heteroaryl group, straight-chain alkyl group, branched alkyl group, aryl ether group, alkoxy group, and hydroxyl group, and among them, an aryl group and an aryl ether group are preferable.

포스핀옥시드기란, -P(=O)R50R51로 표시되는 기이다. R50 및 R51은 각각 독립적으로 R1 내지 R6과 마찬가지의 군에서 선택된다.A phosphine oxide group is a group represented by -P(=O)R 50 R 51 . R 50 and R 51 are each independently selected from the same group as R 1 to R 6 .

피로메텐붕소 착체는 견고하고 평면성이 높은 골격을 갖기 때문에, 높은 형광 양자 수율을 나타낸다. 또한, 발광 스펙트럼의 피크 반값폭이 작기 때문에, 발광 소자에 있어서 효율적인 발광과 높은 색순도를 달성할 수 있다.Since the pyromethene boron complex has a rigid and highly planar skeleton, it exhibits a high fluorescence quantum yield. Additionally, since the peak half width of the emission spectrum is small, efficient emission of light and high color purity can be achieved in the light emitting device.

발광 효율의 한층 더한 향상을 위해서는, 피로메텐붕소 착체의 치환기의 회전ㆍ진동을 억제하고, 에너지 손실을 감소시켜 형광 양자 수율을 향상시키는 것이 유효하다. 또한, 색순도 향상을 위해서는 피로메텐붕소 착체의 여기 상태에 있어서의 진동 완화를 감소시켜, 발광 스펙트럼의 반값폭을 감소시키는 것이 유효하다.In order to further improve the luminous efficiency, it is effective to suppress rotation and vibration of the substituents of the pyromethene boron complex, reduce energy loss, and improve the fluorescence quantum yield. In addition, in order to improve color purity, it is effective to reduce the vibration relaxation in the excited state of the pyromethene boron complex, thereby reducing the half width of the emission spectrum.

이 관점에서, 피로메텐 골격의 교두위에 치환기 R7이 도입되어 있다. R7의 도입에 의해, 높은 형광 양자 수율 또한 반값폭이 작은 피로메텐붕소 착체를 제공할 수 있다. 그 중에서도 치환기 R7 중, Ar1 및 R11이 각각 상기의 기임으로써, 교두위가 피로메텐 골격에 대하여 분자 내 회전하여, 에너지 실활을 일으키는 것을 억제할 수 있기 때문에, 발광 효율 향상에 유리하다.From this point of view, a substituent R 7 is introduced at the cusp of the pyromethene skeleton. By introducing R 7 , it is possible to provide a pyromethene boron complex with high fluorescence quantum yield and a small half width. Among them, among the substituents R 7 , Ar 1 and R 11 are each of the above groups, which is advantageous for improving luminous efficiency because intramolecular rotation of the cusp with respect to the pyromethene skeleton, resulting in energy deactivation, can be suppressed.

또한, R1 내지 R4 중 적어도 하나가 수소 원자 혹은 알킬기임으로써, 여기 상태에 있어서의 진동 완화가 감소하여, 발광 스펙트럼의 반값폭을 감소시킬 수 있다.In addition, when at least one of R 1 to R 4 is a hydrogen atom or an alkyl group, vibration relaxation in the excited state is reduced, and the half width of the emission spectrum can be reduced.

또한, 피로메텐붕소 착체의 안정성은 발광 소자의 내구성에 영향을 미친다. 그 안정성을 보다 향상시키기 위해, 교두위에 부피가 큰 치환기를 도입하는 것이 바람직하다. 부피가 큰 치환기를 도입함으로써, 피로메텐 골격을 주위의 타분자와의 상호 작용으로부터 보호할 수 있다. 치환기 R7 중, Ar1 및 R11이 각각 상기의 기임으로써, 피로메텐붕소 착체의 안정성을 향상시키고, 발광 소자의 내구성을 향상시킬 수 있다. 이 관점에서, R11은 더 부피가 큰 치환기인 것이 바람직하고, 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환의 헤테로아릴기인 것이 바람직하다.Additionally, the stability of the pyromethene boron complex affects the durability of the light emitting device. In order to further improve its stability, it is desirable to introduce bulky substituents on the cusp. By introducing a bulky substituent, the pyromethene skeleton can be protected from interaction with other surrounding molecules. Among the substituents R 7 , Ar 1 and R 11 are each of the above groups, thereby improving the stability of the pyromethene boron complex and improving the durability of the light emitting device. From this viewpoint, R 11 is preferably a bulkier substituent, and is preferably a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.

R1 및 R4는, 상기한 군에서 선택되며, 피로메텐붕소 착체의 발광 피크 파장, 결정성, 승화 온도 등에 영향을 미친다. 발광 스펙트럼의 반값폭을 보다 작게 하는 관점에서, R1 및 R4는 수소 원자 또는 알킬기인 것이 바람직하다. 또한, 형광 양자 수율이 보다 향상되는 관점에서, R1 및 R4는 알킬기인 것이 보다 바람직하다.R 1 and R 4 are selected from the above-described group and affect the peak emission wavelength, crystallinity, sublimation temperature, etc. of the pyromethene boron complex. From the viewpoint of making the half width of the emission spectrum smaller, R 1 and R 4 are preferably hydrogen atoms or alkyl groups. Moreover, from the viewpoint of further improving the fluorescence quantum yield, it is more preferable that R 1 and R 4 are alkyl groups.

R2 및 R3은 상기한 군에서 선택되며, 주로 피로메텐붕소 착체의 발광 피크 파장, 발광 스펙트럼의 반값폭, 안정성 또는 결정성에 영향을 미친다. 발광 스펙트럼의 반값폭을 보다 작게 하는 관점, 안정성을 보다 향상시키는 관점, 및 재결정 생성을 포함하는 합성의 용이성의 관점에서, R2 및 R3 중 적어도 한쪽, 바람직하게는 양쪽이, 수소 원자, 치환 혹은 비치환의 알킬기, 치환 혹은 비치환의 아릴기 및 치환 혹은 비치환의 헤테로아릴기로 이루어지는 군에서 선택된 기인 것이 바람직하다. 또한, 반값폭을 보다 감소시키는 관점에서, R2 및 R3은 알킬기인 것이 보다 바람직하다.R 2 and R 3 are selected from the above-described group, and mainly affect the peak emission wavelength, half width of the emission spectrum, stability or crystallinity of the pyromethene boron complex. From the viewpoint of reducing the half width of the emission spectrum, improving stability, and ease of synthesis including recrystallization, at least one of R 2 and R 3 , preferably both, is substituted with a hydrogen atom. Alternatively, it is preferably a group selected from the group consisting of an unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, and a substituted or unsubstituted heteroaryl group. Moreover, from the viewpoint of further reducing the half width, it is more preferable that R 2 and R 3 are alkyl groups.

R5 및 R6은 상기한 군에서 선택되며, 주로 피로메텐붕소 착체의 발광 피크 파장, 발광 스펙트럼의 반값폭, 안정성 또는 결정성에 영향을 미친다. 발광 스펙트럼의 반값폭을 보다 작게 하는 관점, 안정성을 보다 향상시키는 관점, 및 재결정 정제를 포함하는 합성의 용이성의 관점에서, R5 및 R6 중 적어도 한쪽, 바람직하게는 양쪽이, 수소 원자, 또는 치환 혹은 비치환의 알킬기인 것이 바람직하다.R 5 and R 6 are selected from the above-mentioned group, and mainly affect the peak emission wavelength, half width of the emission spectrum, stability or crystallinity of the pyromethene boron complex. From the viewpoint of making the half width of the emission spectrum smaller, improving stability, and ease of synthesis including recrystallization purification, at least one of R 5 and R 6 , preferably both, is a hydrogen atom, or It is preferable that it is a substituted or unsubstituted alkyl group.

X1 및 X2는 상기 중에서 선택된다. 발광 특성과 열적 안정성의 관점에서, X1 및 X2는 알콕시기, 할로알킬기, 할로알콕시기, 아릴에테르기, 할로아릴에테르기, 할로아릴기, 할로겐 원자 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택된 기인 것이 바람직하다. 여기서, 할로알킬기란, 적어도 하나의 할로겐으로 치환된 알킬기이다. 할로아릴기란, 적어도 하나의 할로겐으로 치환된 아릴기이다.X 1 and X 2 are selected from the above. From the viewpoint of luminescence characteristics and thermal stability, desirable. Here, the haloalkyl group is an alkyl group substituted with at least one halogen. A haloaryl group is an aryl group substituted with at least one halogen.

또한, 여기 상태가 안정되어 보다 높은 형광 양자 수율이 얻어지는 관점, 및 내구성을 향상시킬 수 있는 관점에서, X1 및 X2는 불소 원자, 불소 함유 알킬기, 불소 함유 알콕시기, 불소 함유 아릴기 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택된 기인 것이 보다 바람직하고, 불소 원자 또는 시아노기인 것이 더욱 바람직하고, 불소 원자인 것이 가장 바람직하다. 이것들은 전자 구인성기이며, 피로메텐 골격의 전자 밀도를 내려 화합물의 안정성을 늘릴 수 있다.In addition, from the viewpoint of stabilizing the excited state to obtain a higher fluorescence quantum yield and from the viewpoint of improving durability, X 1 and It is more preferable that it is a group selected from the group consisting of a fluorine group, more preferably a fluorine atom or a cyano group, and most preferably a fluorine atom. These are electron withdrawing groups and can increase the stability of the compound by lowering the electron density of the pyromethene skeleton.

일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체의 일례를 이하에 나타내지만, 이것들로 한정되는 것은 아니다.An example of the pyromethene boron complex represented by general formula (1) is shown below, but it is not limited to these.

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일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체는, J. Org. Chem., vol.64, No.21, pp.7813-7819(1999), Angew. Chem., Int. Ed. Engl., vol.36, pp.1333-1335(1997), Org. Lett., vol.12, pp.296(2010) 등에 기재되어 있는 방법을 참고로 제조할 수 있다.The pyromethene boron complex represented by general formula (1) is described in J. Org. Chem., vol.64, No.21, pp.7813-7819 (1999), Angew. Chem., Int. Ed. Engl., vol.36, pp.1333-1335 (1997), Org. It can be manufactured by referring to the method described in Lett., vol.12, pp.296 (2010), etc.

또한, 피로메텐 골격에 아릴기나 헤테로아릴기를 도입하기 위해서는, 예를 들어 팔라듐 등의 금속 촉매 하에서, 피로메텐붕소 착체의 할로겐화 유도체와 보론산 혹은 보론산에스테르 유도체의 커플링 반응을 이용하여 탄소-탄소 결합을 생성하는 방법을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 마찬가지로, 피로메텐 골격에 아미노기나 카르바졸릴기를 도입하기 위해서는, 예를 들어 팔라듐 등의 금속 촉매 하에서, 피로메텐붕소 착체의 할로겐화 유도체와 아민 혹은 카르바졸 유도체의 커플링 반응을 이용하여 탄소-질소 결합을 생성하는 방법을 들 수 있지만, 이것에 한정되는 것은 아니다.In addition, in order to introduce an aryl group or heteroaryl group into the pyromethene skeleton, for example, in the presence of a metal catalyst such as palladium, a coupling reaction between a halogenated derivative of the pyromethene boron complex and a boronic acid or boronic acid ester derivative is used to form a carbon-carbon reaction. Methods for creating a bond may be mentioned, but are not limited to this. Similarly, in order to introduce an amino group or carbazolyl group into the pyromethene skeleton, for example, a carbon-nitrogen bond is formed using a coupling reaction between a halogenated derivative of the pyromethene boron complex and an amine or carbazole derivative in the presence of a metal catalyst such as palladium. A method of generating a , but is not limited to this.

얻어진 피로메텐붕소 착체는, 재결정이나 칼럼 크로마토그래피 등의 유기 합성적인 정제를 행한 후, 추가로 일반적으로 승화 정제라고 불리는 감압 가열에 의한 정제에 의해 저비점 성분을 제거하여, 순도를 향상시키는 것이 바람직하다. 승화 정제에 있어서의 가열 온도는 특별히 한정되지 않지만, 피로메텐붕소 착체의 열분해를 방지하는 관점에서 330℃ 이하가 바람직하고, 300℃ 이하가 보다 바람직하다.The obtained pyromethene boron complex is preferably purified by organic synthesis such as recrystallization or column chromatography, and then purified by reduced pressure heating, commonly called sublimation purification, to remove low-boiling components to improve purity. . The heating temperature in sublimation purification is not particularly limited, but is preferably 330°C or lower, and more preferably 300°C or lower from the viewpoint of preventing thermal decomposition of the pyromethene boron complex.

이와 같이 하여 제조된 피로메텐붕소 착체의 순도는, 발광 소자가 안정된 특성을 나타내는 것이 가능하게 되는 관점에서 99중량% 이상인 것이 바람직하다.The purity of the pyromethene boron complex produced in this way is preferably 99% by weight or more from the viewpoint of enabling the light-emitting device to exhibit stable characteristics.

일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체의 광학 특성은, 희석 용액의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼을 측정함으로써 얻어진다. 용매로서는, 피로메텐붕소 착체를 용해하고, 또한 용매의 흡수 스펙트럼이 피로메텐붕소 착체의 흡수 스펙트럼과 겹치지 않는 투명한 것이면 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는 톨루엔 등이 예시된다. 용액의 농도는 충분한 흡광도가 있고, 또한 농도 소광이 일어나지 않는 농도 범위이면 특별히 한정되지 않지만, 1×10-4mol/L 내지 1×10-7mol/L의 범위인 것이 바람직하고, 1×10-5mol/L 내지 1×10-6mol/L의 범위인 것이 보다 바람직하다. 흡수 스펙트럼은 일반적인 자외 가시 분광 광도계에 의해 측정할 수 있다. 또한 발광 스펙트럼은 일반적인 형광 분광 광도계에 의해 측정할 수 있다. 또한 형광 양자 수율의 측정에는 적분구를 사용한 절대 양자 수율 측정 장치를 이용하는 것이 바람직하다.The optical properties of the pyromethene boron complex represented by General Formula (1) are obtained by measuring the absorption spectrum and emission spectrum of the diluted solution. The solvent is not particularly limited as long as it dissolves the pyromethene boron complex and is transparent so that the absorption spectrum of the solvent does not overlap with that of the pyromethene boron complex. Specifically, toluene and the like are exemplified. The concentration of the solution is not particularly limited as long as it has sufficient absorbance and does not cause concentration quenching, but is preferably in the range of 1 × 10 -4 mol/L to 1 × 10 -7 mol/L, and 1 × 10 It is more preferable that it is in the range of -5 mol/L to 1×10 -6 mol/L. The absorption spectrum can be measured by a typical ultraviolet-visible spectrophotometer. Additionally, the emission spectrum can be measured by a general fluorescence spectrophotometer. Additionally, for measuring fluorescence quantum yield, it is desirable to use an absolute quantum yield measuring device using an integrating sphere.

고색순도를 실현하기 위해, 일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체가 여기광의 조사에 의해 발하는 광의 발광 스펙트럼이 샤프한 것이 바람직하다. 또한 표시 장치나 조명 장치에서 주류가 되고 있는 톱 이미션 소자에서는 마이크로 캐비티 구조에 의한 공진 효과에 의해 고휘도 및 고색순도를 달성할 수 있지만, 발광 스펙트럼이 샤프하면 이 공진 효과가 보다 강하게 표시되어, 고효율화에 유리하다. 이 관점에서, 발광 스펙트럼의 반값폭은 60nm 이하인 것이 바람직하고, 50nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 45nm 이하인 것이 더욱 바람직하고, 28nm 이하인 것이 특히 바람직하다.In order to achieve high color purity, it is preferable that the pyromethene boron complex represented by general formula (1) has a sharp emission spectrum of light emitted when irradiated with excitation light. Additionally, top emission elements, which are becoming mainstream in display devices and lighting devices, can achieve high brightness and high color purity due to the resonance effect caused by the micro-cavity structure. However, if the emission spectrum is sharp, this resonance effect is displayed more strongly, resulting in higher efficiency. It is advantageous to From this viewpoint, the half width of the emission spectrum is preferably 60 nm or less, more preferably 50 nm or less, further preferably 45 nm or less, and especially preferably 28 nm or less.

발광 소자의 발광 효율은, 발광 재료 자신의 형광 양자 수율에 의존한다. 그 때문에 발광 재료의 형광 양자 수율은, 가능한 한 100%에 가까운 것이 요망된다. 일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체는, R11 및 Ar1이 상기한 바와 같음으로써, 교두위의 회전ㆍ진동을 억제하여, 열 실활을 감소시킴으로써 높은 형광 양자 수율을 얻을 수 있다. 이상의 관점에서, 피로메텐붕소 착체의 형광 양자 수율은 90% 이상인 것이 바람직하고, 95% 이상인 것이 보다 바람직하다. 단, 여기서 나타내는 형광 양자 수율은 톨루엔을 용매로 한 희석 용액을 절대 양자 수율 측정 장치로 측정한 것이다.The luminous efficiency of a light-emitting device depends on the fluorescence quantum yield of the light-emitting material itself. Therefore, it is desired that the fluorescence quantum yield of the light-emitting material is as close to 100% as possible. The pyromethene boron complex represented by the general formula (1) has R 11 and Ar 1 as described above, thereby suppressing rotation and vibration on the cusp and reducing heat deactivation, thereby obtaining a high fluorescence quantum yield. From the above viewpoint, the fluorescence quantum yield of the pyromethene boron complex is preferably 90% or more, and more preferably 95% or more. However, the fluorescence quantum yield shown here is measured using an absolute quantum yield measuring device in a diluted solution using toluene as a solvent.

<발광 소자 재료><Light-emitting device materials>

일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체는, 고발광 효율을 달성할 수 있는 점에서, 발광 소자에 있어서 발광 소자 재료로서 사용된다. 여기서 본 발명에 있어서의 발광 소자 재료란, 발광 소자의 어느 층에 사용되는 재료를 나타내며, 후술하는 바와 같이, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층으로부터 선택되는 층에 사용되는 재료인 것 외에, 전극의 보호막(캡층)에 사용되는 재료도 포함한다.The pyromethene boron complex represented by general formula (1) is used as a light-emitting device material in light-emitting devices because it can achieve high luminous efficiency. Here, the light-emitting device material in the present invention refers to a material used in a certain layer of a light-emitting device, and as described later, it is a material used in a layer selected from a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electron transport layer. , also includes materials used for the protective film (cap layer) of the electrode.

일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체는, 높은 발광 성능을 갖는 점에서, 발광층에 사용되는 재료인 것이 바람직하다.The pyromethene boron complex represented by General Formula (1) is preferably a material used in the light-emitting layer because it has high light-emitting performance.

<발광 소자><Light-emitting device>

다음에, 본 발명의 발광 소자의 실시 형태에 대하여 설명한다. 본 발명의 발광 소자는, 양극과 음극, 및 해당 양극과 해당 음극 사이에 존재하는 유기층을 갖는다. 해당 유기층은 적어도 발광층을 포함하고, 해당 발광층이 전기 에너지에 의해 발광하는 유기 전계 발광 소자인 것이 바람직하다.Next, embodiments of the light-emitting device of the present invention will be described. The light emitting device of the present invention has an anode, a cathode, and an organic layer existing between the anode and the cathode. It is preferable that the organic layer includes at least a light-emitting layer, and that the light-emitting layer is an organic electroluminescent element that emits light by electrical energy.

본 발명의 발광 소자는, 보텀 이미션형 또는 톱 이미션형 중 어느 것이어도 된다.The light emitting device of the present invention may be either a bottom emission type or a top emission type.

이러한 발광 소자에 있어서의 양극과 음극 사이의 유기층의 층 구성은, 발광층만으로 이루어지는 구성 외에, 1) 발광층/전자 수송층, 2) 정공 수송층/발광층, 3) 정공 수송층/발광층/전자 수송층, 4) 정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층, 5) 정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층, 6) 정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층, 7) 정공 주입층/정공 수송층/발광층/정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층, 8) 정공 주입층/정공 수송층/전자 저지층/발광층/정공 저지층/전자 수송층/전자 주입층과 같은 적층 구성을 들 수 있다.The layer structure of the organic layer between the anode and the cathode in this light-emitting device includes, in addition to the structure consisting of only the light-emitting layer, 1) light-emitting layer/electron transport layer, 2) hole transport layer/light-emitting layer, 3) hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer, 4) hole transport layer. Injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer, 5) hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer, 6) hole injection layer/hole transport layer/light-emitting layer/electron transport layer/electron injection layer, 7) hole injection layer/holes Stacked structures such as transport layer/light-emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer, 8) hole injection layer/hole transport layer/electron blocking layer/light-emitting layer/hole blocking layer/electron transport layer/electron injection layer can be mentioned.

또한, 상기 적층 구성을 중간층을 개재시켜 복수 적층한 탠덤형의 발광 소자여도 된다. 중간층으로서는, 일반적으로 중간 전극, 중간 도전층, 전하 발생층, 전자 인발층, 접속층, 중간 절연층 등을 들 수 있으며, 공지된 재료 구성을 사용할 수 있다. 탠덤형 발광 소자의 바람직한 구체예로서 9) 정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층/전하 발생층/정공 주입층/정공 수송층/발광층/전자 수송층/전자 주입층과 같은 적층 구성을 들 수 있다.Additionally, a tandem type light emitting element may be used in which a plurality of the above-described stacked structures are stacked with an intermediate layer interposed therebetween. The intermediate layer generally includes an intermediate electrode, an intermediate conductive layer, a charge generation layer, an electron withdrawal layer, a connection layer, an intermediate insulating layer, etc., and a known material composition can be used. As a preferred specific example of a tandem light emitting device, 9) a stacked configuration such as hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/charge generation layer/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer. can be mentioned.

또한, 상기 각 층은 각각 단일층, 복수층 중 어느 것이어도 되며, 도핑되어 있어도 된다. 또한 광학 간섭 효과에 기인하여 발광 효율을 향상시키기 위한 캐핑 재료를 사용한 층을 포함하는 소자 구성도 들 수 있다.Additionally, each of the above layers may be either a single layer or multiple layers, and may be doped. Additionally, a device configuration including a layer using a capping material to improve luminous efficiency due to the optical interference effect can also be mentioned.

일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체는, 상기 소자 구성에 있어서, 어느 층에 사용되어도 되지만, 형광 양자 수율이 높고, 박막 안정성을 갖고 있기 때문에, 발광층에 사용하는 것이 바람직하다.The pyromethene boron complex represented by General Formula (1) may be used in any layer in the above device configuration, but is preferably used in the light-emitting layer because it has a high fluorescence quantum yield and thin film stability.

이하에 발광 소자의 구성의 구체예를 들지만, 본 발명의 구성은 이것들에 한정되는 것은 아니다.Specific examples of the configuration of the light-emitting element are given below, but the configuration of the present invention is not limited to these.

(기판)(Board)

발광 소자의 기계적 강도를 유지하여, 열변형이 적고, 발광층에 수증기나 산소가 침입하는 것을 방지하는 배리어성을 갖기 때문에, 발광 소자를 기판 상에 형성하는 것이 바람직하다. 기판으로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 유리판, 세라믹판, 수지제 필름, 수지 박막, 금속제 박판 등을 들 수 있다. 이 중에서 투명하고, 또한 가공이 용이한 관점에서, 유리 기판이 적합하게 사용된다. 특히 기판을 통하여 광을 취출하는 보텀 이미션 소자에서는 높은 투명성을 갖는 유리 기판이 바람직하다. 또한, 스마트폰 등의 모바일 기기에 있어서 플렉시블 디스플레이나 폴더블 디스플레이가 증가하고 있으며, 이 용도에는 수지제 필름이나 바니시를 경화한 수지 박막이 적합하게 사용된다. 수지제 필름으로서는 내열 필름이 사용되고 있으며, 구체적으로는 폴리이미드 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름 등이 예시된다.It is preferable to form the light emitting device on a substrate because it maintains the mechanical strength of the light emitting device, reduces thermal deformation, and has barrier properties that prevent water vapor or oxygen from entering the light emitting layer. The substrate is not particularly limited, and examples include glass plates, ceramic plates, resin films, resin thin films, and metal thin plates. Among these, a glass substrate is suitably used from the viewpoint of being transparent and easy to process. In particular, a glass substrate with high transparency is desirable in a bottom emission element that extracts light through the substrate. Additionally, flexible displays and foldable displays are increasing in mobile devices such as smartphones, and resin films or resin thin films obtained by curing varnish are suitably used for this purpose. Heat-resistant films are used as resin films, and specific examples include polyimide films and polyethylene naphthalate films.

또한 기판의 표면에는 유기 EL을 구동시키기 위한 각종 배선, 회로 및 TFT에 의한 스위칭 소자가 마련되어 있어도 된다.Additionally, various wiring, circuits, and TFT-based switching elements for driving organic EL may be provided on the surface of the substrate.

(양극)(anode)

양극은 상기 기판 상에 형성된다. 여기서 기판과 양극 사이에 각종 배선, 회로 및 스위칭 소자가 개재되어도 된다. 양극에 사용하는 재료는, 정공을 유기층에 효율적으로 주입할 수 있는 재료이면 특별히 한정되지 않지만, 보텀 이미션형의 소자에서는 투명 또는 반투명 전극인 것이 바람직하고, 톱 이미션형의 소자에서는 반사 전극인 것이 바람직하다.An anode is formed on the substrate. Here, various wiring, circuits, and switching elements may be interposed between the substrate and the anode. The material used for the anode is not particularly limited as long as it is a material that can efficiently inject holes into the organic layer. However, in a bottom emission type device, it is preferable that it is a transparent or translucent electrode, and in a top emission type device, it is preferable that it is a reflective electrode. do.

투명 또는 반투명 전극의 재료로서는, 산화아연, 산화주석, 산화인듐, 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO) 등의 도전성 금속 산화물; 혹은 금, 은, 알루미늄, 크롬 등의 금속; 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린 등의 도전성 폴리머가 예시된다. 단 금속을 사용할 때에는 광을 반투과할 수 있도록 막 두께를 얇게 하는 것이 바람직하다. 이상 중, 투명성과 안정성의 관점에서 산화주석인듐(ITO)이 보다 바람직하다.Materials for transparent or translucent electrodes include conductive metal oxides such as zinc oxide, tin oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO); or metals such as gold, silver, aluminum, and chrome; Conductive polymers such as polythiophene, polypyrrole, and polyaniline are examples. However, when using a metal, it is desirable to make the film thickness thin so that it can semitransmit light. Among the above, indium tin oxide (ITO) is more preferable from the viewpoint of transparency and stability.

반사 전극의 재료로서는, 모든 광에 대하여 흡수가 없고 높은 반사율을 갖는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 알루미늄, 은, 백금 등의 금속이 예시된다.As a material for the reflecting electrode, it is desirable to have no absorption of all light and a high reflectance. Specifically, metals such as aluminum, silver, and platinum are exemplified.

양극의 형성 방법은, 그 형성 재료에 따라 최적의 방법을 채용할 수 있는데, 스퍼터법, 증착법, 잉크젯법 등을 들 수 있다. 예를 들어, 금속 산화물에 의해 양극을 형성하는 경우에는 스퍼터법, 금속에 의해 양극을 형성하는 경우에는 증착법이 사용된다. 양극의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 수nm 내지 수백nm인 것이 바람직하다.The method for forming the anode can be an optimal method depending on the forming material, and examples include sputtering, vapor deposition, and inkjet methods. For example, when forming an anode with a metal oxide, a sputtering method is used, and when forming an anode with a metal, a vapor deposition method is used. The film thickness of the anode is not particularly limited, but is preferably from several nm to hundreds of nm.

또한, 이들 전극 재료는, 단독으로 사용해도 되지만, 복수의 재료를 적층 또는 혼합하여 사용해도 된다.In addition, these electrode materials may be used individually, or may be used by laminating or mixing a plurality of materials.

(음극)(cathode)

음극은 유기층을 사이에 두고 양극의 반대측의 표면에 형성되며, 특히 전자 수송층 또는 전자 주입층 상에 형성되는 것이 바람직하다. 음극에 사용하는 재료는, 전자를 효율적으로 발광층에 주입할 수 있는 재료이면 특별히 한정되지 않지만, 보텀 이미션형의 소자에서는 반사 전극인 것이 바람직하고, 톱 이미션형의 소자에서는 반투명 전극인 것이 바람직하다.The cathode is formed on the surface opposite to the anode across the organic layer, and is particularly preferably formed on the electron transport layer or the electron injection layer. The material used for the cathode is not particularly limited as long as it is a material that can efficiently inject electrons into the light-emitting layer. However, in a bottom emission type device, it is preferable that it is a reflective electrode, and in a top emission type device, it is preferable that it is a translucent electrode.

음극의 재료로서는, 일반적으로는 백금, 금, 은, 구리, 철, 주석, 알루미늄, 인듐 등의 금속; 이들 금속과 리튬, 나트륨, 칼륨, 칼슘, 마그네슘 등의 저일함수 금속의 합금이나 다층 적층막; 또는 산화아연, 산화주석인듐(ITO), 산화아연인듐(IZO) 등의 도전성 금속 산화물 등이 바람직하다. 그 중에서도 주성분으로서는 알루미늄, 은 및 마그네슘으로부터 선택된 금속이, 전기 저항값, 제막의 용이성, 막의 안정성, 발광 효율 등의 면에서 바람직하다. 또한, 음극이 마그네슘과 은으로 구성되면, 본 발명에 있어서의 전자 수송층 및 전자 주입층으로의 전자 주입이 용이해져, 저전압 구동이 가능해지기 때문에 바람직하다.The cathode material generally includes metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum, and indium; alloys or multilayer laminated films of these metals and low work function metals such as lithium, sodium, potassium, calcium, and magnesium; Alternatively, conductive metal oxides such as zinc oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO) are preferable. Among them, metals selected from aluminum, silver, and magnesium as the main components are preferable in terms of electrical resistance value, ease of film formation, film stability, luminous efficiency, etc. Additionally, it is preferable if the cathode is made of magnesium and silver because electron injection into the electron transport layer and electron injection layer in the present invention becomes easy and low voltage driving becomes possible.

(보호층)(protective layer)

음극 보호를 위해, 음극 상에 보호층(캡층)을 적층하는 것이 바람직하다. 보호층을 구성하는 재료로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 백금, 금, 은, 구리, 철, 주석, 알루미늄 및 인듐 등의 금속; 이들 금속을 사용한 합금; 실리카, 티타니아 및 질화규소 등의 무기물; 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 탄화수소계 고분자 화합물 등의 유기 고분자 화합물 등을 들 수 있다. 단, 발광 소자가, 음극측으로부터 광을 취출하는 소자 구조(톱 이미션 구조)인 경우에는, 보호층에 사용되는 재료는, 가시광 영역에서 광투과성이 있는 재료로부터 선택된다.For cathode protection, it is desirable to laminate a protective layer (cap layer) on the cathode. The material constituting the protective layer is not particularly limited, and examples include metals such as platinum, gold, silver, copper, iron, tin, aluminum, and indium; alloys using these metals; inorganic substances such as silica, titania, and silicon nitride; Organic polymer compounds such as polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, and hydrocarbon-based polymer compounds can be mentioned. However, when the light emitting element has an element structure (top emission structure) that extracts light from the cathode side, the material used for the protective layer is selected from materials that are light transparent in the visible light region.

(정공 주입층)(hole injection layer)

정공 주입층은, 양극과 정공 수송층 사이에 삽입되어, 정공 주입을 용이하게 하는 층이다. 정공 주입층은 1층이어도 되고 복수의 층이 적층되어 있어도 된다. 정공 수송층과 양극 사이에 정공 주입층이 존재하면, 보다 저전압 구동이 가능하여, 소자의 내구 수명도 향상될 뿐만 아니라, 추가로 소자의 캐리어 밸런스가 향상되어 발광 효율도 향상되기 때문에 바람직하다.The hole injection layer is a layer that is inserted between the anode and the hole transport layer to facilitate hole injection. The hole injection layer may be one layer or may be a stack of multiple layers. The presence of a hole injection layer between the hole transport layer and the anode is preferable because lower voltage driving is possible and the durability of the device is improved, and the carrier balance of the device is further improved to improve luminous efficiency.

정공 주입 재료의 바람직한 일례로서, 전자 공여성 정공 주입 재료(도너 재료)를 들 수 있다. 이것들은 HOMO 준위가 정공 수송층보다 얕고, 또한 양극의 일함수에 가깝기 때문에 양극과의 에너지 장벽을 작게 할 수 있는 재료이다. 구체적으로는 벤지딘 유도체, 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐(페닐)아미노)트리페닐아민(m-MTDATA), 4,4',4"-트리스(1-나프틸(페닐)아미노)트리페닐아민(1-TNATA) 등의 스타버스트 아릴아민 등의 방향족 아민계 재료군; 카르바졸 유도체, 피라졸린 유도체, 스틸벤계 화합물, 히드라존계 화합물, 벤조푸란 유도체, 티오펜 유도체, 옥사디아졸 유도체, 프탈로시아닌 유도체, 포르피린 유도체 등의 복소환 화합물; 폴리머계에서는 상기 단량체를 측쇄에 갖는 폴리카르보네이트나 스티렌 유도체, PEDOT/PSS와 같은 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리플루오렌, 폴리비닐카르바졸 및 폴리실란 등이 예시된다. 이들 재료는 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상의 재료를 혼합하여 사용해도 된다. 또한, 복수의 재료를 적층하여 정공 주입층으로 해도 된다.A preferred example of a hole injection material is an electron-donating hole injection material (donor material). These are materials that can reduce the energy barrier with the anode because the HOMO level is shallower than the hole transport layer and is close to the work function of the anode. Specifically, benzidine derivatives, 4,4',4"-tris(3-methylphenyl(phenyl)amino)triphenylamine (m-MTDATA), 4,4',4"-tris(1-naphthyl(phenyl) A group of aromatic amine materials such as starburst arylamine such as amino) triphenylamine (1-TNATA); Heterocyclic compounds such as carbazole derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene-based compounds, hydrazone-based compounds, benzofuran derivatives, thiophene derivatives, oxadiazole derivatives, phthalocyanine derivatives, and porphyrin derivatives; In the polymer system, examples include polycarbonate and styrene derivatives having the above-described monomer in the side chain, polythiophene such as PEDOT/PSS, polyaniline, polyfluorene, polyvinylcarbazole, and polysilane. These materials may be used individually, or two or more types of materials may be mixed and used. Additionally, a hole injection layer may be formed by laminating a plurality of materials.

또한 정공 주입 재료의 다른 바람직한 일례로서, 전자 수용성 정공 주입 재료(억셉터 재료)를 들 수 있다. 여기서 정공 주입층은 억셉터 재료 단독으로 구성되어 있어도 되고, 상기 도너 재료에 억셉터 재료를 도프하여 사용해도 된다. 억셉터 재료는, 단독으로 사용하는 경우에는 인접해 있는 정공 수송층과의 사이에서, 또한 도너 재료에 도프하여 사용하는 경우에는 도너 재료와의 사이에서 전하 이동 착체를 형성하는 재료이다. 이러한 재료를 사용하면 정공 주입층의 도전성 향상과, 소자의 구동 전압 저하에 기여하여, 발광 효율의 향상, 내구 수명 향상과 같은 효과가 얻어지기 때문에 보다 바람직하다. 억셉터 재료로서는, 산화몰리브덴, 산화바나듐, 산화텅스텐, 산화루테늄과 같은 금속 산화물; 트리스(4-브로모페닐)아미늄헥사클로로안티모네이트(TBPAH)와 같은 전하 이동 착체; 1,4,5,8,9,11-헥사아자트리페닐렌-헥사카르보니트릴(HAT-CN6), 2,3,5,6-테트라플루오로-7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(F4-TCNQ), 불소화 구리프탈로시아닌과 같은 n형 유기 반도체 화합물; 풀러렌 등이 예시된다. 정공 주입층에 억셉터 재료를 포함하는 경우, 정공 주입층은 1층이어도 되고, 복수의 층이 적층되어 구성되어 있어도 된다.Additionally, another preferred example of the hole injection material is an electron-accepting hole injection material (acceptor material). Here, the hole injection layer may be composed of an acceptor material alone, or may be used by doping the donor material with an acceptor material. The acceptor material is a material that forms a charge transfer complex between the adjacent hole transport layer when used alone, and between the donor material when used by doping it with a donor material. The use of such materials is more preferable because it contributes to improving the conductivity of the hole injection layer and lowering the driving voltage of the device, and achieves effects such as improving luminous efficiency and improving durability. As the acceptor material, metal oxides such as molybdenum oxide, vanadium oxide, tungsten oxide, and ruthenium oxide; charge transfer complexes such as tris(4-bromophenyl)aminiumhexachloroantimonate (TBPAH); 1,4,5,8,9,11-hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN6), 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyano n-type organic semiconductor compounds such as quinodimethane (F4-TCNQ) and fluorinated copper phthalocyanine; Fullerenes, etc. are exemplified. When the hole injection layer contains an acceptor material, the hole injection layer may be one layer or may be composed of a plurality of layers laminated.

(정공 수송층)(Hole transport layer)

정공 수송층은, 양극으로부터 주입된 정공을 발광층까지 수송하는 층이다. 정공 수송층은 단층이어도 되고 복수의 층이 적층되어 구성되어 있어도 된다.The hole transport layer is a layer that transports holes injected from the anode to the light emitting layer. The hole transport layer may be a single layer or may be composed of a plurality of layers stacked.

정공 수송층은, 1종의 정공 수송 재료 단독으로, 또는 2종 이상의 정공 수송 재료를 적층 또는 혼합함으로써 형성된다. 또한 정공 수송 재료는, 정공 주입 효율이 높고, 또한 주입된 정공을 효율적으로 수송하는 것이 바람직하다. 그를 위해서는 적절한 이온화 포텐셜을 갖고, 나아가 정공 이동도가 크고, 또한 안정성이 우수하고, 트랩이 되는 불순물이 발생하기 어려운 물질인 것이 요구된다.The hole transport layer is formed by one type of hole transport material alone or by laminating or mixing two or more types of hole transport materials. Additionally, it is desirable that the hole transport material has high hole injection efficiency and transports the injected holes efficiently. For this purpose, a material is required that has an appropriate ionization potential, has high hole mobility, is excellent in stability, and is unlikely to generate impurities that become traps.

이러한 조건을 충족하는 물질로서, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 벤지딘 유도체, 스타버스트 아릴아민이라고 불리는 방향족 아민계 재료군; 카르바졸 유도체, 피라졸린 유도체, 스틸벤계 화합물, 히드라존계 화합물, 벤조푸란 유도체, 디벤조푸란 유도체, 티오펜 유도체, 벤조티오펜 유도체, 디벤조티오펜 유도체, 플루오렌 유도체, 스피로플루오렌 유도체, 옥사디아졸 유도체, 프탈로시아닌 유도체, 포르피린 유도체 등의 복소환 화합물; 폴리머계에서는 상기 단량체를 측쇄에 갖는 폴리카르보네이트나 스티렌 유도체, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리플루오렌, 폴리비닐카르바졸 및 폴리실란 등을 들 수 있다.Substances that satisfy these conditions include, but are not particularly limited to, benzidine derivatives, a group of aromatic amine materials called starburst arylamines; Carbazole derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene-based compounds, hydrazone-based compounds, benzofuran derivatives, dibenzofuran derivatives, thiophene derivatives, benzothiophene derivatives, dibenzothiophene derivatives, fluorene derivatives, spirofluorene derivatives, oxa Heterocyclic compounds such as diazole derivatives, phthalocyanine derivatives, and porphyrin derivatives; In polymer systems, examples include polycarbonate, styrene derivatives, polythiophene, polyaniline, polyfluorene, polyvinylcarbazole, and polysilane, which have the above-mentioned monomers in their side chains.

(발광층)(Emitting layer)

발광층은, 정공과 전자의 재결합에 의해 발생한 여기 에너지에 의해 발광하는 층이다. 발광층은 단일의 재료로 구성되어 있어도 되지만, 색순도의 관점에서 제1 화합물과, 강한 발광을 나타내는 도펀트인 제2 화합물을 갖는 것이 바람직하다. 제1 화합물로서는, 예를 들어 전하 이동을 담당하는 호스트 재료나, 열 활성화 지연 형광성의 화합물을 적합한 예로서 들 수 있다.The light-emitting layer is a layer that emits light by excitation energy generated by recombination of holes and electrons. The light-emitting layer may be composed of a single material, but from the viewpoint of color purity, it is preferable to have a first compound and a second compound that is a dopant that exhibits strong light emission. Suitable examples of the first compound include host materials responsible for charge transfer and compounds with thermally activated delayed fluorescence.

일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체는, 특히 우수한 형광 양자 수율을 갖고 있는 점, 및 발광 스펙트럼의 반값폭이 좁아 고색순도를 달성할 수 있는 점에서, 발광층의 도펀트인 제2 화합물로서 사용하는 것이 바람직하다. 제2 화합물의 도프양은, 지나치게 많으면 농도 소광 현상이 일어나기 때문에, 발광층 전체의 중량에 대하여 20중량% 이하인 것이 바람직하고, 10중량% 이하가 보다 바람직하고, 5중량% 이하가 더욱 바람직하고, 2중량% 이하가 가장 바람직하다. 또한 도프 농도가 지나치게 낮으면 충분한 에너지 이동이 일어나기 어려운 점에서, 발광층 전체의 중량에 대하여 0.1중량% 이상인 것이 바람직하고, 0.5%중량 이상이 보다 바람직하다.The pyromethene boron complex represented by the general formula (1) has a particularly excellent fluorescence quantum yield and has a narrow half-width of the emission spectrum, so that high color purity can be achieved, so it is used as a second compound as a dopant of the light-emitting layer. It is desirable to use Since the concentration quenching phenomenon occurs when the dope amount of the second compound is too large, it is preferably 20% by weight or less, more preferably 10% by weight or less, even more preferably 5% by weight or less, based on the total weight of the light emitting layer. % or less is most preferable. Moreover, since sufficient energy transfer is difficult to occur when the dope concentration is too low, it is preferably 0.1% by weight or more, and more preferably 0.5% by weight or more with respect to the weight of the entire light emitting layer.

호스트 재료는, 화합물 1종만으로 한정할 필요는 없으며, 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 되고, 또한 적층하여 사용해도 된다. 호스트 재료로서는, 특별히 한정되지 않지만, 나프타센, 피렌, 안트라센, 플루오란텐 등의 축합 아릴환을 갖는 화합물이나 그의 유도체; N,N'-디나프틸-N,N'-디페닐-4,4'-디페닐-1,1'-디아민 등의 방향족 아민 유도체; 트리스(8-퀴놀리나토)알루미늄(III)을 비롯한 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물; 디스티릴벤젠 유도체 등의 비스스티릴 유도체; 테트라페닐부타디엔 유도체, 인덴 유도체, 쿠마린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 피롤로피리딘 유도체, 페리논 유도체, 피롤로피롤 유도체, 티아디아졸로피리딘 유도체, 디벤조푸란 유도체, 카르바졸 유도체, 인돌로카르바졸 유도체, 트리아진 유도체; 폴리머계에서는 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리파라페닐렌 유도체, 폴리플루오렌 유도체, 폴리비닐카르바졸 유도체, 폴리티오펜 유도체 등을 사용할 수 있다. 호스트 재료로서 특히 바람직한 것은, 안트라센 유도체 또는 나프타센 유도체이다.There is no need to limit the host material to only one type of compound, and two or more types may be mixed and used, or may be used by laminating them. The host material is not particularly limited, and includes compounds having a condensed aryl ring such as naphthacene, pyrene, anthracene, and fluoranthene, and derivatives thereof; Aromatic amine derivatives such as N,N'-dinaphthyl-N,N'-diphenyl-4,4'-diphenyl-1,1'-diamine; metal chelating oxinoid compounds including tris(8-quinolinato)aluminum(III); Bistyryl derivatives such as distyrylbenzene derivatives; Tetraphenylbutadiene derivatives, indene derivatives, coumarin derivatives, oxadiazole derivatives, pyrrolopyridine derivatives, perinone derivatives, pyrrolopyrrole derivatives, thiadiazolopyridine derivatives, dibenzofuran derivatives, carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives , triazine derivatives; In polymer systems, polyphenylenevinylene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polyfluorene derivatives, polyvinylcarbazole derivatives, polythiophene derivatives, etc. can be used. Particularly preferred host materials are anthracene derivatives or naphthacene derivatives.

도펀트 재료는 특별히 한정되지 않지만, 일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체 이외의 형광 발광 재료를 포함하고 있어도 된다. 구체적으로는 나프타센, 피렌, 안트라센, 플루오란텐 등의 축합 아릴환을 갖는 화합물이나 그의 유도체; 헤테로아릴환을 갖는 화합물이나 그의 유도체; 디스티릴벤젠 유도체, 아미노스티릴 유도체, 테트라페닐부타디엔 유도체, 스틸벤 유도체, 알다진 유도체, 피로메텐 유도체, 디케토피롤로[3,4-c]피롤 유도체, 쿠마린 유도체, 아졸 유도체 및 그의 금속 착체, 그리고 방향족 아민 유도체 등을 들 수 있다.The dopant material is not particularly limited, but may contain a fluorescent material other than the pyromethene boron complex represented by general formula (1). Specifically, compounds having a condensed aryl ring such as naphthacene, pyrene, anthracene, and fluoranthene, and derivatives thereof; Compounds or derivatives thereof having a heteroaryl ring; Distyrylbenzene derivatives, aminostyryl derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, stilbene derivatives, aldazine derivatives, pyromethene derivatives, diketopyrrolo[3,4-c]pyrrole derivatives, coumarin derivatives, azole derivatives and metal complexes thereof, and aromatic amine derivatives.

또한 도펀트 재료로서 인광 발광 재료가 포함되어 있어도 된다. 인광 발광을 행하는 도펀트로서는, 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 오스뮴(Os) 및 레늄(Re)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속을 포함하는 금속 착체 화합물인 것이 바람직하고, 고효율 발광의 관점에서 이리듐 착체 또는 백금 착체가 보다 바람직하다. 배위자는 페닐피리딘 골격 또는 페닐퀴놀린 골격 또는 카르벤 골격 등의 질소 함유 헤테로아릴기를 갖는 것이 바람직하지만, 이것들에 한정되는 것은 아니다.Additionally, a phosphorescent material may be included as a dopant material. As a dopant that emits phosphorescence, a metal containing at least one metal selected from the group consisting of iridium (Ir), ruthenium (Ru), palladium (Pd), platinum (Pt), osmium (Os), and rhenium (Re). It is preferable that it is a complex compound, and from the viewpoint of highly efficient light emission, an iridium complex or a platinum complex is more preferable. The ligand preferably has a nitrogen-containing heteroaryl group such as a phenylpyridine skeleton, phenylquinoline skeleton, or carbene skeleton, but is not limited to these.

단 색순도를 높게 하는 관점에서, 도펀트 재료는 1종류의 일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체인 것이 바람직하다.From the viewpoint of increasing monochromatic purity, the dopant material is preferably one type of pyromethene boron complex represented by general formula (1).

발광층에는 상기 호스트 재료 또는 도펀트 재료 외에, 발광층 내의 캐리어 밸런스를 조정하기 위해서나 발광층의 층 구조를 안정화시키기 위한 제3 성분을 더 포함하고 있어도 된다. 단, 제3 성분으로서는, 호스트 재료 및 도펀트 재료와의 사이에서 상호 작용을 일으키지 않는 재료를 선택한다.In addition to the host material or dopant material, the light-emitting layer may further contain a third component for adjusting the carrier balance in the light-emitting layer or stabilizing the layer structure of the light-emitting layer. However, as the third component, a material that does not cause interaction with the host material and the dopant material is selected.

열 활성화 지연 형광성 화합물은, 일반적으로 TADF 재료로도 불리며, 일중항 여기 상태의 에너지 준위와 삼중항 여기 상태의 에너지 준위의 에너지 갭을 작게 함으로써, 삼중항 여기 상태로부터 일중항 여기 상태로의 역항간 교차를 촉진하고, 일중항 여기자의 생성 확률을 향상시킨 재료이다. TADF 재료에 있어서의 최저 여기 일중항 에너지 준위와 최저 여기 삼중항 에너지 준위의 차(ΔEST라고 함)는 0.3eV 이하인 것이 바람직하다. 이 TADF 기구에 의한 지연 형광을 이용함으로써, 이론적 내부 효율을 100%까지 높일 수 있다. 또한 열 활성화 지연 형광성을 갖는 제1 화합물의 일중항 여기자로부터 제2 화합물의 일중항 여기자로 푀르스터형의 에너지 이동이 일어나는 경우, 제2 화합물의 일중항 여기자로부터의 형광 발광이 관측된다. 이러한 에너지 이동이 일어나기 위해서는 제1 화합물의 최저 여기 일중항 에너지 준위가, 제2 화합물의 최저 여기 일중항 에너지 준위보다 큰 것이 바람직하다. 여기서 제2 화합물이 샤프한 발광 스펙트럼을 갖는 형광 발광재인 경우, 고효율 또한 고색순도의 발광 소자를 얻을 수 있다. 이와 같이, 발광층이 열 활성화 지연 형광성 화합물을 함유하면, 고효율 발광이 가능하게 되어, 디스플레이의 저소비 전력화에 기여한다. 열 활성화 지연 형광성 화합물은, 단일의 재료로 열 활성화 지연 형광을 나타내는 화합물이어도 되고, 엑시플렉스 착체를 형성하는 경우와 같이 복수의 화합물로 열 활성화 지연 형광을 나타내는 화합물이어도 된다.Thermal activation delayed fluorescent compounds, also commonly called TADF materials, reduce the energy gap between the energy level of the singlet excited state and the energy level of the triplet excited state, thereby converting the inverse interstitial state from the triplet excited state to the singlet excited state. It is a material that promotes crossover and improves the probability of singlet exciton creation. The difference between the lowest singlet excitation energy level and the lowest triplet excitation energy level (referred to as ΔEST) in the TADF material is preferably 0.3 eV or less. By using delayed fluorescence by this TADF mechanism, the theoretical internal efficiency can be increased to 100%. Additionally, when Förster-type energy transfer occurs from the singlet exciton of the first compound having thermally activated delayed fluorescence to the singlet exciton of the second compound, fluorescence emission from the singlet exciton of the second compound is observed. In order for this energy transfer to occur, it is preferable that the lowest singlet excitation energy level of the first compound is greater than the lowest singlet excitation energy level of the second compound. Here, when the second compound is a fluorescent material with a sharp emission spectrum, a light-emitting device with high efficiency and high color purity can be obtained. In this way, when the light-emitting layer contains a thermally activated delayed fluorescent compound, highly efficient light emission is possible, contributing to lower power consumption of the display. The heat-activated delayed fluorescent compound may be a compound that exhibits heat-activated delayed fluorescence with a single material, or may be a compound that exhibits heat-activated delayed fluorescence with a plurality of compounds, as in the case of forming an exciplex complex.

열 활성화 지연 형광성 화합물로서는, 단일의 화합물이어도 되고 복수의 화합물을 혼합하여 사용해도 되며, 공지된 재료를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어 벤조니트릴 유도체, 트리아진 유도체, 디술폭시드 유도체, 카르바졸 유도체, 인돌로카르바졸 유도체, 디히드로페나진 유도체, 티아졸 유도체, 옥사디아졸 유도체 등을 들 수 있다. 특히 동일 분자 내에 전자 공여성부(도너부)와 전자 구인성부(억셉터부)를 갖는 화합물인 것이 바람직하다. 전자 공여성부(도너부)와 전자 구인성부는 단결합 또는 스피로 결합을 통하여 직접 결합되어 있어도 되고, 연결기를 통하여 결합되어 있어도 된다. 이러한 화합물의 예로서는, 하기 일반식 (3)으로 표시되는 구조를 포함하는 화합물을 들 수 있다.The heat-activated delayed fluorescent compound may be a single compound or a mixture of multiple compounds, and known materials can be used. Specifically, examples include benzonitrile derivatives, triazine derivatives, disulfoxide derivatives, carbazole derivatives, indolocarbazole derivatives, dihydrophenazine derivatives, thiazole derivatives, and oxadiazole derivatives. In particular, it is preferable that it is a compound having an electron donating part (donor part) and an electron withdrawing part (acceptor part) in the same molecule. The electron donating part (donor part) and the electron withdrawing part may be directly bonded through a single bond or spiro bond, or may be bonded through a linking group. Examples of such compounds include compounds containing a structure represented by the following general formula (3).

Figure 112022068918077-pct00022
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상기 일반식 (3)에 있어서, A는 전자 구인성부, B는 전자 공여성부, L은 연결기이다. A가 복수 존재하는 경우, 복수의 A는 서로 동일 또는 상이하며, A끼리 결합하여 환 구조를 형성해도 된다. B가 복수 존재하는 경우, 복수의 B는 서로 동일 또는 상이하며, B끼리 결합하여 환 구조를 형성해도 된다.In the general formula (3), A is an electron-donating moiety, B is an electron-donating moiety, and L is a linking group. When there is a plurality of A, the plurality of A's may be the same or different from each other, and the A's may be bonded to each other to form a ring structure. When there are two or more Bs, the plurality of Bs may be the same or different from each other, and the Bs may be combined to form a ring structure.

L은 직접 결합, 또는 치환 혹은 비치환의 환 형성 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기, 치환 혹은 비치환의 환 형성 원자수 5 내지 30의 복소 방향환기, 이들 기가 서로 2 내지 5개 연결된 기, 및 불화알킬기를 갖는 메틸렌기로 이루어지는 군에서 선택되는 기이다. 여기서, 직접 결합이란, 단결합 및 스피로 결합을 포함한다. 단, 복소 방향환기에 있어서, 전자 공여성을 갖는 방향족 아미노기나 π 전자 과잉형 복소환 관능기는 포함하지 않는다.L is a direct bond, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 ring carbon atoms, a substituted or unsubstituted heteroaromatic ring group having 5 to 30 ring atoms, a group in which 2 to 5 of these groups are linked to each other, and an alkyl fluoride group. It is a group selected from the group consisting of methylene groups having. Here, the direct bond includes a single bond and a spiro bond. However, the heterocyclic aromatic ring group does not include an aromatic amino group having electron donation or a π-electron-excessive heterocyclic functional group.

a 및 b는, 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수이다.a and b are each independently integers of 1 to 5.

L은 동일 분자 내에 복수 존재해도 된다. L이 복수 존재하는 경우, 복수의 L은 서로 동일 또는 상이하며, L끼리 결합하여 포화 또는 불포화의 환을 형성해도 된다. 또한, 복수의 L이 A 및/또는 B를 통하여 결합되어 있어도 된다. A 및/또는 B 그리고 L이 각각 복수 존재하는 경우, 복수의 A 및/또는 B가 동일한 L에 결합해도 되고, 다른 L에 결합해도 된다.Two or more L may exist in the same molecule. When there is a plurality of L, the plurality of L's may be the same or different from each other, and the L's may be combined to form a saturated or unsaturated ring. Additionally, a plurality of L may be connected through A and/or B. When there are multiple A and/or B and L, multiple A and/or B may bind to the same L or may bind to different L.

여기서 전자 공여성부(도너부)란 인접 부위에 대하여 상대적으로 전자가 풍부한 부위를 나타낸다. 예를 들어, 방향족 아미노기나 π 전자 과잉형 복소환 관능기를 들 수 있다. 구체적으로는 디아릴아미노기, 카르바졸릴기, 벤조카르바졸릴기, 디벤조카르바졸릴기, 인돌로카르바졸릴기, 디히드로아크리디닐기, 페녹사지닐 기 및 디히드로페나지닐기 및 이들 기가 복수 연결된 기 등이 예시된다. 이들 기는 더 치환되어 있어도 되고 치환되어 있지 않아도 된다. 치환되는 경우에 있어서의 치환기로서는, 전술한 바람직한 치환기의 예를 들 수 있다.Here, the electron donating region (donor region) refers to a region rich in electrons relative to adjacent regions. For example, an aromatic amino group or a π-electron-excessive heterocyclic functional group can be mentioned. Specifically, diarylamino group, carbazolyl group, benzocarbazolyl group, dibenzocarbazolyl group, indolocarbazolyl group, dihydroacridinyl group, phenoxazinyl group and dihydrophenazinyl group and these. Examples include groups where multiple groups are connected. These groups may or may not be further substituted. Examples of the substituent in the case of substitution include the preferable substituents described above.

또한 전자 구인성부(억셉터부)란 인접 부위에 대하여 상대적으로 전자 결핍성의 부위를 나타낸다. 예를 들어, 전자 구인성기나 전자 구인성기를 치환기로서 갖는 페닐기나 π 전자 부족형 복소환 관능기를 들 수 있다. 구체적으로는, 카르보닐기, 술포닐기, 시아노기 및 불소 원자로부터 선택되는 전자 구인성기나, 전자 구인성기를 치환기로서 갖는 페닐기, 피리미디닐기나 트리아지닐기가 예시된다. 이들 기는 더 치환되어 있어도 되고 치환되어 있지 않아도 된다. 치환되는 경우에 있어서의 치환기로서는, 전술한 바람직한 치환기의 예를 들 수 있다.Additionally, the electron withdrawing portion (acceptor portion) refers to a portion that is electron deficient relative to the adjacent portion. For example, a phenyl group or a π electron-deficient heterocyclic functional group having an electron withdrawing group or an electron withdrawing group as a substituent can be mentioned. Specifically, examples include an electron-withdrawing group selected from a carbonyl group, a sulfonyl group, a cyano group, and a fluorine atom, a phenyl group, a pyrimidinyl group, and a triazinyl group having an electron-withdrawing group as a substituent. These groups may or may not be further substituted. Examples of the substituent in the case of substitution include the preferable substituents described above.

연결기 L로서 사용되는 환 형성 탄소수 6 내지 30의 방향족 탄화수소기로서는, 예를 들어 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 플루오레닐기, 벤조플루오레닐기, 디벤조플루오레닐기, 페난트릴기, 안트라세닐기, 벤조페난트릴기, 벤조안트라세닐기, 크리세닐기, 피레닐기, 플루오란테닐기, 트리페닐레닐기, 벤조플루오란테닐기, 디벤조안트라세닐기, 페릴레닐기, 헬리세닐기 등의 아릴기로부터 수소 원자를 일부 제외한, (a+b)가의 기를 들 수 있다.Examples of the aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 ring carbon atoms used as the linking group L include phenyl group, biphenyl group, terphenyl group, naphthyl group, fluorenyl group, benzofluorenyl group, dibenzofluorenyl group, phenanthryl group, Anthracenyl group, benzophenanthryl group, benzoanthracenyl group, chrysenyl group, pyrenyl group, fluoranthenyl group, triphenylenyl group, benzofluoranthenyl group, dibenzoanthracenyl group, perylenyl group, helicenyl group Examples include (a+b)-valent groups in which some hydrogen atoms are removed from an aryl group such as an aryl group.

연결기 L로서 사용되는 환 형성 원자수 5 내지 30의 복소 방향환기로서는, 예를 들어 피리딜기, 푸라닐기, 티오페닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 피라지닐기, 피리미딜기, 피리다지닐기, 트리아지닐기, 나프티리디닐기, 신놀리닐기, 프탈라지닐기, 퀴녹살리닐기, 퀴나졸리닐기, 벤조푸라닐기, 벤조티오페닐기, 인돌릴기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티오페닐기, 벤조퀴놀리닐기, 벤조이미다졸릴기, 이미다조피리딜기, 벤조옥사졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페난트롤리닐기 등의 탄소 및 수소 이외의 원자, 즉 헤테로 원자를 1개 또는 복수개 환 내에 갖는 헤테로아릴기로부터 수소를 일부 제외한, (a+b)가의 환상 방향족기를 들 수 있다. 헤테로 원자로서는 질소 원자, 산소 원자 또는 황 원자가 바람직하다. 복소 방향환기는 치환되어 있어도 되고 비치환이어도 된다.Examples of the heteroaromatic ring group having 5 to 30 ring atoms used as the linking group L include pyridyl group, furanyl group, thiophenyl group, quinolinyl group, isoquinolinyl group, pyrazinyl group, pyrimidyl group, and pyridazinyl. group, triazinyl group, naphthyridinyl group, cinnolinyl group, phthalazinyl group, quinoxalinyl group, quinazolinyl group, benzofuranyl group, benzothiophenyl group, indolyl group, dibenzofuranyl group, dibenzothiophenyl group, benzoquinyl group Heteroaryl groups having atoms other than carbon and hydrogen, that is, heteroatoms, in one or more rings, such as nolinyl group, benzoimidazolyl group, imidazopyridyl group, benzoxazolyl group, benzothiazolyl group, and phenanthrolinyl group. An (a+b) cyclic aromatic group with some hydrogen removed from it can be mentioned. As the hetero atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, or a sulfur atom is preferable. The heteroaromatic ring group may be substituted or unsubstituted.

이러한 열 활성화 지연 형광성 화합물로서, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 이하와 같은 예를 들 수 있다.Examples of such heat-activated delayed fluorescent compounds include, but are not particularly limited to, the following.

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상기 제1 화합물이 열 활성화 지연 형광성 화합물이고, 상기 제2 화합물이 상기 일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체인 것이 바람직하다. 또한, 제1 화합물이 열 활성화 지연 형광성 화합물인 경우, 발광층이 추가로 일중항 에너지가 제1 화합물의 일중항 에너지보다 큰 제3 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 제3 화합물은 발광 재료의 에너지를 발광층 내에 가두는 기능을 가질 수 있어, 효율적으로 발광시키는 것이 가능하게 된다. 또한, 제3 화합물의 최저 여기 삼중항 에너지가 제1 화합물의 최저 여기 삼중항 에너지보다 큰 것도 바람직하다.It is preferable that the first compound is a heat-activated delayed fluorescent compound, and the second compound is a pyromethene boron complex represented by the general formula (1). Additionally, when the first compound is a heat-activated delayed fluorescent compound, it is preferable that the light-emitting layer additionally includes a third compound whose singlet energy is greater than the singlet energy of the first compound. As a result, the third compound can have the function of confining the energy of the light-emitting material within the light-emitting layer, making it possible to emit light efficiently. Additionally, it is preferable that the lowest triplet excitation energy of the third compound is greater than the lowest triplet excitation energy of the first compound.

이러한 제3 화합물로서는, 전하 수송능이 높으며, 또한 유리 전이 온도가 높은 유기 화합물인 것이 바람직하다. 제3 화합물로서, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 이하와 같은 예를 들 수 있다.As this third compound, it is preferable that it is an organic compound that has a high charge transport ability and a high glass transition temperature. The third compound is not particularly limited, but examples include the following.

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또한 제3 화합물은 단일이어도 되고 2종류 이상의 재료에 의해 구성되어 있어도 된다. 제3 화합물로서 2종류 이상의 재료를 사용하는 경우에는, 전자 수송성의 제3 화합물과 정공 수송성의 제3 화합물의 조합인 것이 바람직하다. 전자 수송성의 제3 화합물과 정공 수송성의 제3 화합물을 적절한 혼합비로 조합함으로써, 발광층 내의 전하 밸런스를 조정하여, 발광 영역의 치우침을 억제함으로써 발광 소자의 신뢰성을 향상시키고, 내구성을 올릴 수 있다. 또한 전자 수송성의 제3 화합물과 정공 수송성의 제3 화합물 사이에서 여기 착체를 형성해도 된다. 이상의 관점에서, 제1 화합물과 제3 화합물이 하기 식 1 내지 식 4의 관계식을 각각 충족하는 것이 바람직하다. 또한, 식 1 및 식 2를 충족하는 것이 보다 바람직하고, 식 3 및 식 4를 충족하는 것이 더욱 바람직하다. 또한, 식 1 내지 식 4를 모두 충족하는 것이 보다 더 바람직하다.Additionally, the third compound may be single or may be composed of two or more types of materials. When using two or more types of materials as the third compound, it is preferable that it is a combination of an electron-transporting third compound and a hole-transporting third compound. By combining the electron-transporting third compound and the hole-transporting third compound at an appropriate mixing ratio, the charge balance in the light-emitting layer can be adjusted and unevenness of the light-emitting region can be suppressed, thereby improving the reliability of the light-emitting device and improving durability. Additionally, an exciplex may be formed between the electron-transporting third compound and the hole-transporting third compound. In view of the above, it is preferable that the first compound and the third compound respectively satisfy the relational expressions of the following formulas 1 to 4. Additionally, it is more preferable to satisfy Equations 1 and 2, and it is even more preferable to satisfy Equations 3 and 4. Additionally, it is more preferable to satisfy all of Equations 1 to 4.

S1(전자 수송성의 제3 화합물)>S1(제1 화합물) (식 1)S1 (third compound with electron transport properties)>S1 (first compound) (Formula 1)

S1(정공 수송성의 제3 화합물)>S1(제1 화합물) (식 2)S1 (third hole-transporting compound) > S1 (first compound) (Formula 2)

T1(전자 수송성의 제3 화합물)>T1(제1 화합물) (식 3)T1 (third compound with electron transport properties)>T1 (first compound) (Formula 3)

T1(정공 수송성의 제3 화합물)>T1(제1 화합물) (식 4)T1 (third compound with hole transport properties)>T1 (first compound) (Formula 4)

여기서, S1은 각각의 화합물의 최저 여기 일중항 상태의 에너지 준위, T1은 각각의 화합물의 최저 여기 삼중항 상태의 에너지 준위를 나타내고 있다.Here, S1 represents the energy level of the lowest singlet excitation state of each compound, and T1 represents the energy level of the lowest triplet excitation state of each compound.

전자 수송성의 제3 화합물로서는, π 전자 부족형 복소 방향환을 포함하는 화합물 등을 들 수 있다. 구체적으로는 2-(4-비페닐)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(PBD), 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ), 1,3-비스[5-(p-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(OXD-7), 9-[4-(5-페닐-1,3,4-옥사디아졸-2-일)페닐]-9H-카르바졸(CO11), 2,2',2"-(1,3,5-벤젠트리일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(TPBI), 2-[3-(디벤조티오펜-4-일)페닐]-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(mDBTBIm-II) 등의 폴리아졸 골격을 갖는 복소환 화합물; 2-[3-(디벤조티오펜-4-일)페닐]디벤조[f,h]퀴녹살린(2mDBTPDBq-II), 2-[3'-(디벤조티오펜-4-일)비페닐-3-일]디벤조[f,h]퀴녹살린(2mDBTBPDBq-II), 2-[4-(3,6-디페닐-9H-카르바졸-9-일)페닐]디벤조[f,h]퀴녹살린(2CzPDBq-III), 7-[3-(디벤조티오펜-4-일)페닐]디벤조[f,h]퀴녹살린(7mDBTPDBq-II) 및 6-[3-(디벤조티오펜-4-일)페닐]디벤조[f,h]퀴녹살린(6mDBTPDBq-II), 2-[3'-(9H-카르바졸-9-일)비페닐-3-일]디벤조[f,h]퀴녹살린(2mCzBPDBq) 등의 퀴녹살린 골격 또는 디벤조퀴녹살린 골격을 갖는 복소환 화합물; 4,6-비스[3-(페난트렌-9-일)페닐]피리미딘(4,6mPnP2Pm), 4,6-비스[3-(9H-카르바졸-9-일)페닐]피리미딘(4,6mCzP2Pm), 4,6-비스[3-(4-디벤조티에닐)페닐]피리미딘(4,6mDBTP2Pm-II) 등의 디아진 골격(피리미딘 골격이나 피라진 골격)을 갖는 복소환 화합물; 3,5-비스[3-(9H-카르바졸-9-일)페닐]피리딘(3,5DCzPPy), 1,3,5-트리[3-(3-피리딜)페닐]벤젠(TmPyPB), 3,3',5,5'-테트라[(m-피리딜)-펜-3-일]비페닐(BP4mPy) 등의 피리딘 골격을 갖는 복소환 화합물이 예시된다.Examples of the third electron-transporting compound include compounds containing a π electron-deficient heteroaromatic ring. Specifically, 2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole (PBD), 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl- 5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazole (TAZ), 1,3-bis[5-(p-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole- 2-yl]benzene (OXD-7), 9-[4-(5-phenyl-1,3,4-oxadiazol-2-yl)phenyl]-9H-carbazole (CO11), 2,2' ,2"-(1,3,5-benzenetriyl)tris(1-phenyl-1H-benzimidazole)(TPBI), 2-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]-1 -Heterocyclic compounds having a polyazole skeleton such as phenyl-1H-benzimidazole (mDBTBIm-II); 2-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (2mDBTPDBq-II), 2-[3'-(dibenzothiophen-4-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]quinoxaline (2mDBTBPDBq-II), 2-[4-( 3,6-diphenyl-9H-carbazol-9-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (2CzPDBq-III), 7-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl] Dibenzo[f,h]quinoxaline (7mDBTPDBq-II) and 6-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]dibenzo[f,h]quinoxaline (6mDBTPDBq-II), 2-[ Heterocyclic compounds having a quinoxaline skeleton or a dibenzoquinoxaline skeleton, such as 3'-(9H-carbazol-9-yl)biphenyl-3-yl]dibenzo[f,h]quinoxaline (2mCzBPDBq); 4 ,6-bis[3-(phenanthren-9-yl)phenyl]pyrimidine (4,6mPnP2Pm), 4,6-bis[3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]pyrimidine (4, Heterocyclic compounds having a diazine skeleton (pyrimidine skeleton or pyrazine skeleton) such as 6mCzP2Pm) and 4,6-bis[3-(4-dibenzothienyl)phenyl]pyrimidine (4,6mDBTP2Pm-II); 3 ,5-bis[3-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]pyridine (3,5DCzPPy), 1,3,5-tri[3-(3-pyridyl)phenyl]benzene (TmPyPB), 3 Heterocyclic compounds having a pyridine skeleton, such as ,3',5,5'-tetra[(m-pyridyl)-phen-3-yl]biphenyl (BP4mPy), are examples.

또한 상기 정공 수송성의 제3 화합물로서는 π 전자 과잉형 복소 방향환을 포함하는 화합물 등을 들 수 있다. 구체적으로는 1,3-비스(N-카르바졸릴)벤젠, 4,4'-디(N-카르바졸릴)비페닐(CBP), 3,3'-디(N-카르바졸릴)비페닐(mCBP), 1,3,5-트리스[4-(N-카르바졸릴)페닐]벤젠(TCPB), 9-[4-(10-페닐-9-안트라세닐)페닐]-9H-카르바졸(CzPA), 1,4-비스[4-(N-카르바졸릴)페닐]-2,3,5,6-테트라페닐벤젠, 9-페닐-9H-3-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)카르바졸, 3,6-비스[N-(9-페닐카르바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카르바졸(PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카르바졸-3-일)아미노]-9-페닐카르바졸(PCzPCN1), 9-([1,1-비페닐]-4-일)-9'-([1,1':4',1"-터페닐]-4-일)-9H,9'H-3,3'-비카르바졸, 9-([1,1':4',1"-터페닐]-4-일)-9'-(나프탈렌-2-일)-9H,9'H-3,3'-비카르바졸, 9,9',9"-트리페닐-9H,9'H,9"H-3,3':6',3"-트리카르바졸 등의 카르바졸 골격을 갖는 화합물이 예시된다.Additionally, examples of the third hole-transporting compound include compounds containing a π-electron-excessive heteroaromatic ring. Specifically, 1,3-bis(N-carbazolyl)benzene, 4,4'-di(N-carbazolyl)biphenyl (CBP), 3,3'-di(N-carbazolyl)bi. Phenyl (mCBP), 1,3,5-tris[4-(N-carbazolyl)phenyl]benzene (TCPB), 9-[4-(10-phenyl-9-anthracenyl)phenyl]-9H-car Bazole (CzPA), 1,4-bis[4-(N-carbazolyl)phenyl]-2,3,5,6-tetraphenylbenzene, 9-phenyl-9H-3-(9-phenyl-9H- Carbazol-3-yl)carbazole, 3,6-bis[N-(9-phenylcarbazol-3-yl)-N-phenylamino]-9-phenylcarbazole (PCzPCA2), 3-[N- (1-naphthyl)-N-(9-phenylcarbazol-3-yl)amino]-9-phenylcarbazole (PCzPCN1), 9-([1,1-biphenyl]-4-yl)-9 '-([1,1':4',1"-terphenyl]-4-yl)-9H,9'H-3,3'-bicarbazole, 9-([1,1':4' ,1"-terphenyl]-4-yl)-9'-(naphthalen-2-yl)-9H,9'H-3,3'-bicarbazole, 9,9',9"-triphenyl- Compounds having a carbazole skeleton such as 9H,9'H,9"H-3,3':6',3"-tricarbazole are exemplified.

(전자 수송층)(electron transport layer)

전자 수송층은, 음극으로부터 전자가 주입되고, 또한 전자를 수송하는 층이다. 전자 수송층에 사용되는 전자 수송 재료로서는, 전자 친화력이 큰 것, 전자 이동도가 큰 것, 안정성이 우수한 것, 및 트랩이 되는 불순물이 발생하기 어려운 물질인 것이 요구된다. 또한 저분자량의 화합물은 결정화되어 막질이 열화되기 쉽기 때문에 분자량 400 이상의 화합물이 바람직하다.The electron transport layer is a layer through which electrons are injected from the cathode and transports electrons. The electron transport material used in the electron transport layer is required to have high electron affinity, high electron mobility, excellent stability, and a material that is unlikely to generate trapping impurities. Additionally, since low molecular weight compounds tend to crystallize and deteriorate the film quality, compounds with a molecular weight of 400 or more are preferable.

본 발명에 있어서의 전자 수송층에는, 정공의 이동을 효율적으로 저지할 수 있는 정공 저지층도 동의의 것으로서 포함된다. 정공 저지층 및 전자 수송층은 단독이어도 되고 복수의 재료가 적층되어 구성되어 있어도 된다.The electron transport layer in the present invention also includes a hole blocking layer that can efficiently prevent the movement of holes. The hole blocking layer and the electron transport layer may be single or may be composed of a plurality of materials laminated.

전자 수송 재료로서는, 다환 방향족 유도체, 스티릴계 방향환 유도체, 퀴논 유도체, 인옥사이드 유도체, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III) 등의 퀴놀리놀 착체, 벤조퀴놀리놀 착체, 히드록시아졸 착체, 아조메틴 착체, 트로폴론 금속 착체 및 플라보놀 금속 착체 등의 각종 금속 착체를 들 수 있다. 구동 전압을 저감하고 고효율 발광이 얻어지는 점에서, 전자 수용성 질소를 포함하는 헤테로아릴기를 갖는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 여기서 전자 수용성 질소란, 인접 원자와의 사이에 다중 결합을 형성하고 있는 질소 원자를 나타낸다. 전자 수용성 질소를 포함하는 헤테로아릴기는, 전자 친화력이 크기 때문에, 음극으로부터 전자가 주입되기 쉬워져, 보다 저전압 구동이 가능하게 된다. 또한 발광층의 전자의 공급이 많아져, 재결합 확률이 높아지므로 발광 효율이 향상된다. 전자 수용성 질소를 포함하는 헤테로아릴기 구조를 갖는 화합물로서는, 예를 들어 피리딘 유도체, 트리아진 유도체, 피라진 유도체, 피리미딘 유도체, 퀴놀린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 퀴나졸린 유도체, 나프티리딘 유도체, 벤조퀴놀린 유도체, 페난트롤린 유도체, 이미다졸 유도체, 옥사졸 유도체, 티아졸 유도체, 트리아졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 티아디아졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 벤즈옥사졸 유도체, 벤즈티아졸 유도체, 페난트로이미다졸 유도체 및 비피리딘이나 터피리딘 등의 올리고피리딘 유도체 등을 바람직한 화합물로서 들 수 있다. 그 중에서도 트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠 등의 이미다졸 유도체, 1,3-비스[(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸릴]페닐렌 등의 옥사디아졸 유도체; N-나프틸-2,5-디페닐-1,3,4-트리아졸 등의 트리아졸 유도체; 바소큐프로인이나 1,3-비스(1,10-페난트롤린-9-일)벤젠 등의 페난트롤린 유도체; 2,2'-비스(벤조[h]퀴놀린-2-일)-9,9'-스피로비플루오렌 등의 벤조퀴놀린 유도체; 2,5-비스(6'-(2',2"-비피리딜))-1,1-디메틸-3,4-디페닐실롤 등의 비피리딘 유도체; 1,3-비스(4'-(2,2':6'2"-터피리디닐))벤젠 등의 터피리딘 유도체; 비스(1-나프틸)-4-(1,8-나프티리딘-2-일)페닐포스핀옥사이드 등의 나프티리딘 유도체 및 트리아진 유도체가, 전자 수송능의 관점에서 바람직하게 사용된다.Examples of electron transport materials include polycyclic aromatic derivatives, styryl-based aromatic ring derivatives, quinone derivatives, phosphorus oxide derivatives, quinolinol complexes such as tris(8-quinolinolato)aluminum(III), benzoquinolinol complexes, and hydroxyl. Various metal complexes such as azole complex, azomethine complex, tropolone metal complex, and flavonol metal complex can be mentioned. In order to reduce the driving voltage and obtain highly efficient light emission, it is preferable to use a compound having a heteroaryl group containing electron-accepting nitrogen. Here, electron-accepting nitrogen refers to a nitrogen atom forming a multiple bond with an adjacent atom. Since the heteroaryl group containing electron-accepting nitrogen has high electron affinity, electrons are easily injected from the cathode, enabling lower voltage driving. Additionally, the supply of electrons to the light-emitting layer increases, increasing the probability of recombination, thereby improving luminous efficiency. Compounds having a heteroaryl group structure containing an electron-accepting nitrogen include, for example, pyridine derivatives, triazine derivatives, pyrazine derivatives, pyrimidine derivatives, quinoline derivatives, quinoxaline derivatives, quinazoline derivatives, naphthyridine derivatives, and benzoquinoline derivatives. , phenanthroline derivatives, imidazole derivatives, oxazole derivatives, thiazole derivatives, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, thiadiazole derivatives, benzimidazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzthiazole derivatives, phenanthroimida Preferred compounds include sol derivatives and oligopyridine derivatives such as bipyridine and terpyridine. Among them, imidazole derivatives such as tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)benzene, 1,3-bis[(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazolyl]phenylene, etc. Oxadiazole derivatives of; Triazole derivatives such as N-naphthyl-2,5-diphenyl-1,3,4-triazole; Phenanthroline derivatives such as vasocuproin and 1,3-bis(1,10-phenanthrolin-9-yl)benzene; Benzoquinoline derivatives such as 2,2'-bis(benzo[h]quinolin-2-yl)-9,9'-spirobifluorene; Bipyridine derivatives such as 2,5-bis(6'-(2',2"-bipyridyl))-1,1-dimethyl-3,4-diphenylsilol; 1,3-bis(4'- (2,2':6'2"-terpyridinyl))terpyridine derivatives such as benzene; Naphthyridine derivatives such as bis(1-naphthyl)-4-(1,8-naphthyridin-2-yl)phenylphosphine oxide and triazine derivatives are preferably used from the viewpoint of electron transport ability.

또한, 전자 수송 재료가 축합 다환 방향족 골격을 갖고 있으면, 유리 전이 온도가 향상되고, 또한 전자 이동도가 커서 저전압화가 가능하기 때문에 보다 바람직하다. 이러한 축합 다환 방향족 골격으로서는, 플루오란텐 골격, 안트라센 골격, 피렌 골격 또는 페난트롤린 골격이 바람직하고, 플루오란텐 골격 또는 페난트롤린 골격이 특히 바람직하다.In addition, it is more preferable if the electron transport material has a condensed polycyclic aromatic skeleton because the glass transition temperature is improved and the electron mobility is large, making it possible to lower the voltage. As such a condensed polycyclic aromatic skeleton, a fluoranthene skeleton, anthracene skeleton, pyrene skeleton, or phenanthroline skeleton is preferable, and a fluoranthene skeleton or phenanthroline skeleton is particularly preferable.

전자 수송 재료는 단독이어도 되고 2종 이상을 혼합하여 사용해도 상관없다. 또한, 전자 수송층은 도너성 재료를 함유해도 된다. 여기서, 도너성 재료란 전자 주입 장벽의 개선에 의해, 음극 또는 전자 주입층으로부터의 전자 수송층으로의 전자 주입을 용이하게 하고, 또한 전자 수송층의 전기 전도성을 향상시키는 화합물이다.The electron transport material may be used alone or in combination of two or more types. Additionally, the electron transport layer may contain a donor material. Here, the donor material is a compound that facilitates electron injection from the cathode or electron injection layer into the electron transport layer by improving the electron injection barrier, and also improves the electrical conductivity of the electron transport layer.

도너성 재료의 바람직한 예로서는, Li 등의 알칼리 금속, LiF 등의 알칼리 금속을 함유하는 무기염, 리튬퀴놀리놀 등의 알칼리 금속과 유기물의 착체, 알칼리 토류 금속, 알칼리 토류 금속을 함유하는 무기염, 알칼리 토류 금속과 유기물의 착체, Eu나 Yb 등의 희토류 금속, 희토류 금속을 함유하는 무기염, 희토류 금속과 유기물의 착체 등을 들 수 있다. 도너성 재료로서는, 금속 리튬, 희토류 금속 또는 리튬퀴놀리놀(Liq)이 특히 바람직하다.Preferred examples of donor materials include alkali metals such as Li, inorganic salts containing alkali metals such as LiF, complexes of alkali metals and organic substances such as lithium quinolinol, alkaline earth metals, inorganic salts containing alkaline earth metals, Examples include complexes of alkaline earth metals and organic substances, rare earth metals such as Eu and Yb, inorganic salts containing rare earth metals, and complexes of rare earth metals and organic substances. As the donor material, metallic lithium, rare earth metal or lithium quinolinol (Liq) is particularly preferred.

(전자 주입층)(electron injection layer)

본 발명에 있어서, 음극과 전자 수송층 사이에 전자 주입층을 마련해도 된다. 일반적으로 전자 주입층은 음극으로부터 전자 수송층으로의 전자의 주입을 도울 목적으로 형성되며, 전자 수용성 질소를 포함하는 헤테로아릴환 구조를 갖는 화합물이나, 상기 도너성 재료에 의해 구성된다. 예를 들어, 후술하는 일반식 (4)로 표시되는 페난트롤린 유도체가 바람직하다.In the present invention, an electron injection layer may be provided between the cathode and the electron transport layer. Generally, the electron injection layer is formed for the purpose of assisting the injection of electrons from the cathode to the electron transport layer, and is made of a compound having a heteroaryl ring structure containing electron-accepting nitrogen or the donor material. For example, a phenanthroline derivative represented by general formula (4) described later is preferred.

또한 전자 주입층에 절연체나 반도체의 무기물을 사용할 수도 있다. 이들 재료를 사용함으로써 발광 소자의 단락을 방지하고, 또한 전자 주입성을 향상시킬 수 있으므로 바람직하다.Additionally, an insulator or semiconductor inorganic material can be used in the electron injection layer. The use of these materials is preferable because short circuiting of the light emitting element can be prevented and electron injection properties can be improved.

이러한 절연체로서는, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리 토류 금속 칼코게나이드, 알칼리 금속의 할로겐화물 및 알칼리 토류 금속의 할로겐화물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 금속 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.As such an insulator, it is preferable to use at least one metal compound selected from the group consisting of alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, alkali metal halides, and alkaline earth metal halides.

(전하 발생층)(charge generation layer)

본 발명에 있어서의 전하 발생층은, 전압의 인가에 의해 전하를 발생 또는 분리하고, 인접하는 층에 전하를 주입하는 층이다. 전하 발생층은, 하나의 층으로 형성되어 있어도 되고, 복수의 층이 적층되어 있어도 된다. 일반적으로, 전하로서 전자를 발생시키기 쉬운 것은 n형 전하 발생층이라고 불리며, 정공을 발생시키기 쉬운 것은 p형 전하 발생층이라고 불린다. 전하 발생층은 이중층으로 이루어지는 것이 바람직하고, n형 전하 발생층 및 p형 전하 발생층을 포함하는 pn 접합형 전하 발생층이 보다 바람직하다. pn 접합형 전하 발생층은, 발광 소자 중에 있어서, 전압이 인가됨으로써 전하를 발생, 또는 전하를 정공 및 전자로 분리하고, 이들 정공 및 전자를 정공 수송층 및 전자 수송층을 경유하여 발광층에 주입한다. 구체적으로는, 복수의 발광층을 포함하는 발광 소자에 있어서, 중간층으로서 전하 발생층을 사용한 경우, n형 전하 발생층은 양극측에 존재하는 제1 발광층에 전자를 공급하고, p형 전하 발생층은 음극측에 존재하는 제2 발광층에 정공을 공급한다. 그 때문에, 2층 이상의 발광층을 갖는 발광 소자에 있어서, 발광층과 발광층 사이에 1층 이상의 전하 발생층을 가짐으로써, 소자 효율을 보다 향상시키고, 구동 전압을 저감할 수 있고, 소자의 내구성을 보다 향상시킬 수 있다.The charge generation layer in the present invention is a layer that generates or separates charges by applying voltage and injects the charges into adjacent layers. The charge generation layer may be formed of one layer, or may be formed by stacking a plurality of layers. Generally, a layer that easily generates electrons as charges is called an n-type charge generation layer, and a layer that easily generates holes is called a p-type charge generation layer. The charge generation layer is preferably made of a double layer, and a pn junction type charge generation layer including an n-type charge generation layer and a p-type charge generation layer is more preferable. The pn junction type charge generation layer generates charges in a light emitting element by applying a voltage, or separates the charges into holes and electrons, and injects these holes and electrons into the light emitting layer via the hole transport layer and the electron transport layer. Specifically, in a light-emitting device including a plurality of light-emitting layers, when a charge generation layer is used as an intermediate layer, the n-type charge generation layer supplies electrons to the first light-emitting layer present on the anode side, and the p-type charge generation layer supplies electrons to the first light-emitting layer present on the anode side. Holes are supplied to the second light emitting layer present on the cathode side. Therefore, in a light-emitting device having two or more light-emitting layers, by having one or more charge generation layers between the light-emitting layers, the device efficiency can be further improved, the driving voltage can be reduced, and the durability of the device can be further improved. You can do it.

n형 전하 발생층은 n형 도펀트 및 n형 호스트를 포함하며, 이것들은 종래의 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, n형 도펀트로서, 전자 수송층의 재료로서 예시한 도너성 재료가 적합하게 사용된다. 이들 중에서도 알칼리 금속 혹은 그의 염, 희토류 금속이 바람직하고, 금속 리튬, 불화리튬(LiF), 리튬퀴놀리놀(Liq) 및 금속 이테르븀으로부터 선택된 재료가 더욱 바람직하다. 또한, n형 호스트로서는, 전자 수송 재료로서 예시한 것이 적합하게 사용된다. 이들 중에서도 트리아진 유도체, 페난트롤린 유도체 및 올리고피리딘 유도체로부터 선택된 재료가 바람직하고, 페난트롤린 유도체 또는 터피리딘 유도체가 보다 바람직하고, 하기 일반식 (4)로 표시되는 페난트롤린 유도체가 더욱 바람직하다. 즉, 전하 발생층에 일반식 (4)로 표시되는 페난트롤린 유도체를 함유하는 것이 바람직하다.The n-type charge generation layer includes an n-type dopant and an n-type host, and these can be made of conventional materials. For example, the donor material exemplified as the material of the electron transport layer is suitably used as the n-type dopant. Among these, alkali metals or salts thereof and rare earth metals are preferable, and materials selected from metal lithium, lithium fluoride (LiF), lithium quinolinol (Liq) and metal ytterbium are more preferable. Additionally, as the n-type host, those exemplified as electron transport materials are suitably used. Among these, materials selected from triazine derivatives, phenanthroline derivatives and oligopyridine derivatives are preferable, phenanthroline derivatives or terpyridine derivatives are more preferable, and phenanthroline derivatives represented by the following general formula (4) are even more preferable. do. That is, it is preferable that the charge generation layer contains a phenanthroline derivative represented by general formula (4).

Figure 112022068918077-pct00048
Figure 112022068918077-pct00048

상기 일반식 (4) 중, Ar2는 p가의 방향족 탄화수소기 및 p가의 복소 방향환기로 이루어지는 군에서 선택된다. p는 1 내지 3의 자연수이다. R15 내지 R22는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 아릴기 및 헤테로아릴기로 이루어지는 군에서 선택된다. Ar2 중, p개의 페난트롤릴기에 의한 치환 위치는 임의의 위치이다.In the general formula (4), Ar 2 is selected from the group consisting of a p-valent aromatic hydrocarbon group and a p-valent heteroaromatic ring group. p is a natural number from 1 to 3. R 15 to R 22 may be the same or different, and are selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an aryl group, and a heteroaryl group. Among Ar 2 , the positions of substitution by p phenanthrolyl groups are arbitrary positions.

방향족 탄화수소기 및 복소 방향환기로서는, 예를 들어 전술한 아릴기 및 헤테로아릴기의 예에 기재된 것을 들 수 있지만, 그것들에 한정되는 것은 아니다. 방향족 탄화수소기 또는 복소 방향환기는 페난트릴기 이외에 치환기를 더 가져도 된다.Examples of the aromatic hydrocarbon group and heteroaromatic ring group include those described in the examples of the aryl group and heteroaryl group described above, but are not limited thereto. The aromatic hydrocarbon group or heteroaromatic group may further have a substituent other than the phenanthryl group.

승화성 및 박막 형성성의 관점에서, p는 2가 바람직하다.From the viewpoint of sublimation and thin film formation, p is preferably 2.

일반식 (4)로 표시되는 페난트롤린 유도체의 일례를 이하에 나타낸다.An example of a phenanthroline derivative represented by general formula (4) is shown below.

Figure 112022068918077-pct00049
Figure 112022068918077-pct00049

상기 p형 전하 발생층은 p형 도펀트 및 p형 호스트를 포함하며, 이것들은 종래의 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, p형 도펀트로서, 정공 주입층의 재료로서 예시한 억셉터 재료나, 요오드, FeCl3, FeF3, SbCl5 등이 적합하게 사용된다. 구체적으로는 HAT-CN6, F4-TCNQ, 테트라시아노퀴노디메탄 유도체, 라디알렌 유도체, 요오드, FeCl3, FeF3, SbCl5 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 HAT-CN6이나, (2E,2'E,2"E)-2,2',2"-(시클로프로판-1,2,3-트리일리덴)트리스(2-(퍼플루오로페닐)-아세토니트릴), (2E,2'E,2"E)-2,2',2"-(시클로프로판-1,2,3-트리일리덴)트리스(2-(4-시아노퍼플루오로페닐)-아세토니트릴) 등의 라디알렌 유도체가 보다 바람직하다. p형 도펀트의 박막을 형성해도 되며, 그 막 두께는 10nm 이하가 바람직하다. 또한, p형 호스트로서, 아릴아민 유도체가 바람직하다.The p-type charge generation layer includes a p-type dopant and a p-type host, and conventional materials can be used. For example, as a p-type dopant, the acceptor material exemplified as the material of the hole injection layer, iodine, FeCl 3 , FeF 3 , SbCl 5 , etc. are suitably used. Specifically, HAT-CN6, F4-TCNQ, tetracyanoquinodimethane derivatives, radialene derivatives, iodine, FeCl 3 , FeF 3 , SbCl 5 , etc. are mentioned. Among these, HAT-CN6, (2E,2'E,2"E)-2,2',2"-(cyclopropane-1,2,3-triylidene)tris(2-(perfluorophenyl) )-acetonitrile), (2E,2'E,2"E)-2,2',2"-(cyclopropane-1,2,3-triylidene)tris(2-(4-cyano purple Radialene derivatives such as (luorophenyl)-acetonitrile) are more preferable. A thin film of p-type dopant may be formed, and the film thickness is preferably 10 nm or less. Additionally, as a p-type host, an arylamine derivative is preferable.

(발광 소자의 형성 방법)(Method of forming light emitting element)

발광 소자를 구성하는 상기 각 층의 형성 방법은, 드라이 프로세스 또는 웨트 프로세스 중 어느 것이어도 되며, 저항 가열 증착, 전자 빔 증착, 스퍼터링, 분자 적층법, 코팅법, 잉크젯법, 인쇄법 등 특별히 한정되지 않지만, 통상은 소자 특성의 점에서 저항 가열 증착이 바람직하다.The formation method of each layer constituting the light emitting device may be either a dry process or a wet process, and is not particularly limited, such as resistance heating evaporation, electron beam evaporation, sputtering, molecular stacking, coating, inkjet, or printing methods. However, resistance heating evaporation is usually preferable in terms of device characteristics.

유기층의 두께는, 발광 물질의 저항값에 따르기 때문에 한정할 수는 없지만, 1 내지 1000nm인 것이 바람직하다. 발광층, 전자 수송층 및 정공 수송층의 막 두께는, 각각 바람직하게는 1nm 이상 200nm 이하이고, 더욱 바람직하게는 5nm 이상 100nm 이하이다.The thickness of the organic layer cannot be limited because it depends on the resistance value of the light-emitting material, but is preferably 1 to 1000 nm. The film thicknesses of the light-emitting layer, the electron transport layer, and the hole transport layer are each preferably 1 nm or more and 200 nm or less, and more preferably 5 nm or more and 100 nm or less.

(발광 소자의 특성)(Characteristics of light-emitting devices)

본 발명의 실시 형태에 관한 발광 소자는, 전기 에너지를 광으로 변환할 수 있는 기능을 갖는다. 여기서 전기 에너지로서는 주로 직류 전류가 사용되지만, 펄스 전류나 교류 전류를 사용하는 것도 가능하다. 전류값 및 전압값은 특별히 제한은 없으며, 소자의 목적에 따라 요구되는 특성값이 다르지만, 소자의 소비 전력이나 수명의 관점에서 저전압에서 높은 휘도가 얻어지는 것이 바람직하다.The light-emitting device according to the embodiment of the present invention has a function of converting electrical energy into light. Here, direct current is mainly used as electrical energy, but pulse current or alternating current can also be used. There are no particular restrictions on the current and voltage values, and the required characteristic values vary depending on the purpose of the device, but it is desirable to obtain high luminance at low voltage from the viewpoint of power consumption and lifespan of the device.

본 발명의 실시 형태에 관한 발광 소자는, 색순도를 높이는 관점에서, 통전에 의한 발광 스펙트럼의 반값폭이 60nm 이하인 것이 바람직하고, 50nm 이하인 것이 보다 바람직하고, 45nm 이하인 것이 더욱 바람직하고, 30nm 이하인 것이 특히 바람직하다.In the light-emitting device according to the embodiment of the present invention, from the viewpoint of improving color purity, the half width of the luminescence spectrum when energized is preferably 60 nm or less, more preferably 50 nm or less, further preferably 45 nm or less, and especially 30 nm or less. desirable.

본 발명의 발광 소자는 발광 스펙트럼의 반값폭이 좁기 때문에, 톱 이미션형의 발광 소자에 사용하는 것이 보다 바람직하다. 톱 이미션형 발광 소자는 마이크로 캐비티에 의한 공진 효과에 의해, 반값폭이 좁을수록 발광 효율이 높아진다. 그 때문에, 고색순도와 고발광 효율을 양립하는 것이 가능하게 된다.Since the light emitting device of the present invention has a narrow half width of the light emission spectrum, it is more preferable to use it in a top emission type light emitting device. In a top emission type light emitting device, the narrower the half width is, the higher the luminous efficiency is due to the resonance effect caused by the micro cavity. Therefore, it becomes possible to achieve both high color purity and high luminous efficiency.

(발광 소자의 용도) (Use of light-emitting device)

본 발명의 실시 형태에 관한 발광 소자는, 예를 들어 매트릭스 및/또는 세그먼트 방식으로 표시하는 디스플레이 등의 표시 장치로서 적합하게 사용된다.The light-emitting element according to the embodiment of the present invention is suitably used as a display device, such as a display displaying in a matrix and/or segment manner, for example.

또한, 본 발명의 실시 형태에 관한 발광 소자는, 각종 기기 등의 백라이트로서도 바람직하게 사용된다. 백라이트는, 주로 자발광하지 않는 디스플레이 등의 표시 장치의 시인성을 향상시킬 목적으로 사용되며, 액정 디스플레이, 시계, 오디오 장치, 자동차 패널, 표시판 및 표지 등의 표시 장치에 사용된다. 특히, 액정 디스플레이, 그 중에서 박형화가 검토되고 있는 퍼스컴 용도의 백라이트에 본 발명의 발광 소자가 바람직하게 사용되며, 종래의 것보다 박형이고 경량인 백라이트를 제공할 수 있다.Additionally, the light-emitting device according to the embodiment of the present invention is also preferably used as a backlight for various devices. Backlights are mainly used to improve the visibility of display devices such as displays that do not self-emit, and are used in display devices such as liquid crystal displays, clocks, audio devices, automobile panels, display boards, and signs. In particular, the light-emitting element of the present invention is preferably used in liquid crystal displays, and among them, backlights for personal computers whose thickness is being considered, and can provide backlights that are thinner and lighter than conventional ones.

또한, 본 발명의 실시 형태에 관한 발광 소자는, 각종 조명 장치로서도 바람직하게 사용된다. 본 발명의 실시 형태에 관한 발광 소자는, 높은 발광 효율과 고색순도의 양립이 가능하고, 또한 박형화나 경량화가 가능한 점에서, 저소비 전력과 선명한 발광색, 높은 디자인성을 겸비한 조명 장치를 실현할 수 있다.Additionally, the light emitting element according to the embodiment of the present invention is also preferably used as various lighting devices. The light-emitting device according to the embodiment of the present invention is capable of achieving both high luminous efficiency and high color purity, and can also be thinner and lighter, making it possible to realize a lighting device that combines low power consumption, vivid luminous color, and high design.

실시예Example

이하, 실시예를 들어 본 발명을 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

합성예 1Synthesis Example 1

화합물 D-1의 합성 방법Method for synthesis of compound D-1

하기의 반응 스킴에 따라, 화합물 D-1을 합성하였다.Compound D-1 was synthesized according to the reaction scheme below.

Figure 112022068918077-pct00050
Figure 112022068918077-pct00050

2,6-디브로모벤즈알데히드 5.35g, 4-t-부틸페닐보론산 7.40g, 탄산나트륨 5.38g, 디메톡시에탄 100mL, 물 20mL를 플라스크에 넣고, 질소 치환하였다. 여기에 비스(트리페닐포스핀)팔라듐(II) 디클로라이드 142mg을 첨가하고, 4시간 환류하였다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고, 유기층을 분액한 후에 황산마그네슘으로 건조하고, 여과 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물에 메탄올을 첨가하고, 여과함으로써 2,6-비스(p-t-부틸페닐)벤즈알데히드 4.03g을 백색 고체로서 얻었다.5.35 g of 2,6-dibromobenzaldehyde, 7.40 g of 4-t-butylphenylboronic acid, 5.38 g of sodium carbonate, 100 mL of dimethoxyethane, and 20 mL of water were added to the flask and purged with nitrogen. 142 mg of bis(triphenylphosphine)palladium(II) dichloride was added thereto, and the mixture was refluxed for 4 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, the organic layer was separated, dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off. Methanol was added to the obtained reaction product and filtered to obtain 4.03 g of 2,6-bis(p-t-butylphenyl)benzaldehyde as a white solid.

이와 같이 하여 얻어진 2,6-비스(p-t-부틸페닐)벤즈알데히드 4.03g과 2,4-디메틸피롤 2.17g을 반응 용기에 넣고, 디클로로메탄 360mL 및 트리플루오로아세트산 5방울을 첨가하여 실온에서 1주일 교반하였다. 또한 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-벤조퀴논(DDQ) 2.70g을 첨가하고, 실온에서 4일간 교반하였다. 그 후, 여과하고, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물에 디클로로메탄 360mL와 디이소프로필에틸아민 5.90mL를 첨가하여 실온에서 30분간 교반하고, 추가로 3불화붕소디에틸에테르 착체 4.10mL를 첨가하여 실온에서 4시간 교반한 후, 용매를 증류 제거하고, 물을 첨가하여 교반하였다. 유기층을 분액하고, 포화 식염수로 세정하였다. 이 유기층을 황산마그네슘으로 건조하고, 여과 후 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물을 실리카 겔화 크로마토그래피에 의해 정제하여, 적색 분말을 580mg 얻었다. 얻어진 분말을 1H-NMR 및 LC-MS에 의해 분석하여, 적색 분말이 피로메텐붕소 착체인 화합물 D-1인 것을 확인하였다.4.03 g of 2,6-bis(pt-butylphenyl)benzaldehyde and 2.17 g of 2,4-dimethylpyrrole thus obtained were placed in a reaction vessel, 360 mL of dichloromethane and 5 drops of trifluoroacetic acid were added, and the mixture was incubated at room temperature for 1 week. It was stirred. Additionally, 2.70 g of 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone (DDQ) was added and stirred at room temperature for 4 days. After that, it was filtered and the solvent was distilled off. To the obtained reaction product, 360 mL of dichloromethane and 5.90 mL of diisopropylethylamine were added and stirred at room temperature for 30 minutes. Additionally, 4.10 mL of boron trifluoride diethyl ether complex was added and stirred at room temperature for 4 hours, and then the solvent was distilled off. After removing, water was added and stirred. The organic layer was separated and washed with saturated saline solution. This organic layer was dried with magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off. The obtained reaction product was purified by silica gel chromatography to obtain 580 mg of red powder. The obtained powder was analyzed by 1 H-NMR and LC-MS, and it was confirmed that the red powder was Compound D-1, a pyromethene boron complex.

1H-NMR(CDCl3(d=ppm)): 7.52(d, 1H), 7.43(d, 2H), 7.23-7.17(m, 4H), 7.10(d, 4H), 5.79(s, 2H), 2.38(s, 6H), 1.52(s, 6H), 1.22(s, 18H) 1 H-NMR (CDCl 3 (d=ppm)): 7.52 (d, 1H), 7.43 (d, 2H), 7.23-7.17 (m, 4H), 7.10 (d, 4H), 5.79 (s, 2H) , 2.38(s, 6H), 1.52(s, 6H), 1.22(s, 18H)

MS(m/z) 분자량; 589.MS (m/z) molecular weight; 589.

화합물 D-1의 용액 중의 발광 특성을 이하에 나타낸다.The luminescent properties of compound D-1 in solution are shown below.

흡수 스펙트럼(용매: 톨루엔): λmax 513nmAbsorption spectrum (solvent: toluene): λmax 513nm

형광 스펙트럼(용매: 톨루엔): λmax 526nm, 반값폭 23nmFluorescence spectrum (solvent: toluene): λmax 526nm, half width 23nm

형광 양자 수율(용매: 톨루엔, 여기광: 460nm): 100%.Fluorescence quantum yield (solvent: toluene, excitation light: 460 nm): 100%.

더 순도를 올리기 위해 승화 정제를 행하였다. 화합물 D-1이 들어간 금속 용기를 유리관 내에 설치하고, 이것을 오일 확산 펌프를 사용하여 1×10-3Pa의 압력 하, 190℃에서 가열하여 화합물 D-1을 승화시켰다. 유리관벽에 부착된 고체를 회수하여 LC-MS 분석에 의한 순도가 99%인 것을 확인하였다.Sublimation purification was performed to further increase purity. A metal container containing compound D-1 was installed in a glass tube, and this was heated at 190°C under a pressure of 1×10 -3 Pa using an oil diffusion pump to sublimate compound D-1. The solid attached to the glass tube wall was recovered and its purity was confirmed to be 99% by LC-MS analysis.

합성예 2Synthesis Example 2

화합물 D-2의 합성 방법Method for synthesis of compound D-2

하기의 반응 스킴에 따라, 화합물 D-2를 합성하였다.Compound D-2 was synthesized according to the reaction scheme below.

Figure 112022068918077-pct00051
Figure 112022068918077-pct00051

2,4,6-트리클로로벤즈알데히드 4.16g, 4-t-부틸페닐보론산 11.0g, 인산칼륨 21.12g, 디옥산 100mL, 물 20mL를 플라스크에 넣고, 질소 치환하였다. 여기에 비스(디벤질리덴아세톤)팔라듐(0) 229mg과 XPhos 379mg을 첨가하고, 2시간 환류하였다. 반응 용액을 실온까지 냉각하고, 유기층을 분액한 후에 황산마그네슘으로 건조하고, 여과 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물을 실리카 겔화 크로마토그래피에 의해 정제함으로써, 2,4,6-트리(p-t-부틸페닐)벤즈알데히드 9.76g을 백색 고체로서 얻었다.4.16 g of 2,4,6-trichlorobenzaldehyde, 11.0 g of 4-t-butylphenylboronic acid, 21.12 g of potassium phosphate, 100 mL of dioxane, and 20 mL of water were added to the flask and purged with nitrogen. 229 mg of bis(dibenzylideneacetone)palladium(0) and 379 mg of XPhos were added thereto, and the mixture was refluxed for 2 hours. The reaction solution was cooled to room temperature, the organic layer was separated, dried over magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off. The obtained reaction product was purified by silica gel chromatography to obtain 9.76 g of 2,4,6-tri(p-t-butylphenyl)benzaldehyde as a white solid.

이와 같이 하여 얻어진 2,4,6-트리(p-t-부틸페닐)벤즈알데히드 9.76g과 2,4-디메틸피롤 5.54g을 반응 용기에 넣고, 톨루엔 200mL 및 트리플루오로아세트산 5방울을 첨가하여 40℃에서 30분간 교반한 후, 물을 첨가하여 교반하고, 유기층을 분액하고, 포화 식염수로 세정하였다. 이 유기층을 황산마그네슘으로 건조하고, 여과 후, 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물과 2,3-디클로로-5,6-디시아노-1,4-벤조퀴논(DDQ) 8.81g 및 톨루엔 200mL를 플라스크에 넣고, 40℃에서 30분간 교반하였다. 그 후, 디이소프로필에틸아민 17.2mL와 3불화붕소디에틸에테르 착체 12.2mL를 첨가하여 실온에서 30분간 교반한 후, 물을 첨가하여 교반하였다. 유기층을 분액하고, 포화 식염수로 세정하였다. 이 유기층을 황산마그네슘으로 건조하고, 여과 후 용매를 증류 제거하였다. 얻어진 반응 생성물을 실리카 겔화 크로마토그래피에 의해 정제하여, 적색 분말을 3.63g 얻었다. 얻어진 분말을 1H-NMR 및 LC-MS에 의해 분석하여, 적색 분말이 피로메텐붕소 착체인 화합물 D-2인 것을 확인하였다.9.76 g of 2,4,6-tri(pt-butylphenyl)benzaldehyde and 5.54 g of 2,4-dimethylpyrrole obtained in this way were placed in a reaction vessel, 200 mL of toluene and 5 drops of trifluoroacetic acid were added, and the mixture was incubated at 40°C. After stirring for 30 minutes, water was added and stirred, and the organic layer was separated and washed with saturated saline solution. This organic layer was dried with magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off. The obtained reaction product, 8.81 g of 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone (DDQ), and 200 mL of toluene were added to a flask and stirred at 40°C for 30 minutes. After that, 17.2 mL of diisopropylethylamine and 12.2 mL of boron trifluoride diethyl ether complex were added and stirred at room temperature for 30 minutes, then water was added and stirred. The organic layer was separated and washed with saturated saline solution. This organic layer was dried with magnesium sulfate, filtered, and the solvent was distilled off. The obtained reaction product was purified by silica gelation chromatography to obtain 3.63 g of red powder. The obtained powder was analyzed by 1 H-NMR and LC-MS, and it was confirmed that the red powder was Compound D-2, a pyromethene boron complex.

1H-NMR(CDCl3(d=ppm)): 7.72-7.63(m, 4H), 7.47(d, 2H), 7.23-7.12(m, 8H), 5.81(s, 2H), 2.38(s, 6H), 1.57(s, 6H), 1.32(s, 9H), 1.22(s, 18H) 1 H-NMR (CDCl 3 (d=ppm)): 7.72-7.63 (m, 4H), 7.47 (d, 2H), 7.23-7.12 (m, 8H), 5.81 (s, 2H), 2.38 (s, 6H), 1.57(s, 6H), 1.32(s, 9H), 1.22(s, 18H)

MS(m/z) 분자량; 721.MS (m/z) molecular weight; 721.

화합물 D-2의 용액 중의 발광 특성을 이하에 나타낸다.The luminescent properties of compound D-2 in solution are shown below.

흡수 스펙트럼(용매: 톨루엔): λmax 513nmAbsorption spectrum (solvent: toluene): λmax 513nm

형광 스펙트럼(용매: 톨루엔): λmax 527nm, 반값폭 22nmFluorescence spectrum (solvent: toluene): λmax 527nm, half width 22nm

형광 양자 수율(용매: 톨루엔, 여기광: 460nm): 100%.Fluorescence quantum yield (solvent: toluene, excitation light: 460 nm): 100%.

더 순도를 올리기 위해 승화 정제를 행하였다. 화합물 D-2가 들어간 금속 용기를 유리관 내에 설치하고, 이것을 오일 확산 펌프를 사용하여 1×10-3Pa의 압력 하, 240℃에서 가열하여 화합물 D-2를 승화시켰다. 유리관벽에 부착된 고체를 회수하여 LC-MS 분석에 의한 순도가 99%인 것을 확인하였다.Sublimation purification was performed to further increase purity. A metal container containing compound D-2 was installed in a glass tube, and this was heated at 240°C under a pressure of 1×10 -3 Pa using an oil diffusion pump to sublimate compound D-2. The solid attached to the glass tube wall was recovered and its purity was confirmed to be 99% by LC-MS analysis.

하기의 실시예 및 비교예에 있어서 사용되는 피로메텐붕소 착체는 이하에 나타내는 화합물이다. 또한, 이들 피로메텐붕소 착체의 톨루엔 용액에 있어서 측정한 분자량 및 발광 특성을 표 1에 나타낸다.The pyromethene boron complex used in the following examples and comparative examples is the compound shown below. Additionally, Table 1 shows the molecular weight and emission characteristics of these pyromethene boron complexes measured in toluene solutions.

Figure 112022068918077-pct00052
Figure 112022068918077-pct00052

Figure 112022068918077-pct00053
Figure 112022068918077-pct00053

Figure 112022068918077-pct00054
Figure 112022068918077-pct00054

실시예 1Example 1

(형광 발광 소자 평가)(Fluorescent light emitting device evaluation)

양극으로서 ITO 투명 도전막을 165nm 퇴적시킨 유리 기판(지오마텍(주)제, 11Ω/□, 스퍼터품)을 38×46mm로 절단하여, 에칭을 행하였다. 얻어진 기판을 "세미코클린 56"(상품명, 후루우치 가가쿠(주)제)으로 15분간 초음파 세정하고 나서, 초순수로 세정하여 건조하였다.A glass substrate (manufactured by Geomatec Co., Ltd., 11 Ω/□, sputtered product) on which 165 nm of ITO transparent conductive film was deposited as an anode was cut into 38 × 46 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonic cleaned with "Semicoclean 56" (trade name, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) for 15 minutes, then washed with ultrapure water and dried.

이 기판을 소자 제작 직전에 1시간 UV-오존 처리하고, 진공 증착 장치 내에 설치하여, 장치 내의 압력이 5×10-4Pa 이하가 될 때까지 배기하였다. 저항 가열법에 의해, 먼저 정공 주입층으로서, HAT-CN6을 10nm, 정공 수송층으로서, HT-1을 50nm 증착하였다. 다음에, 발광층으로서, 호스트 재료로서 H-1을, 또한 도펀트 재료로서 화합물 D-1을 도프 농도가 1.0중량%가 되도록 하여 20nm의 두께로 증착하였다. 또한 전자 수송층으로서 ET-1을, 도너성 재료로서 2E-1을 사용하여, ET-1과 2E-1의 증착 속도비가 1:1이 되도록 하여 30nm의 두께로 적층하였다. 다음에, 전자 주입층으로서 2E-1을 0.5nm 증착한 후, 마그네슘과 은을 1000nm 공증착하여 음극으로 하고, 5×5mm인 정사각형의 소자를 제작하였다.This substrate was treated with UV-ozone for 1 hour immediately before device fabrication, installed in a vacuum evaporation device, and evacuated until the pressure in the device became 5×10 -4 Pa or less. By the resistance heating method, 10 nm of HAT-CN6 was first deposited as a hole injection layer, and 50 nm of HT-1 was deposited as a hole transport layer. Next, as a light emitting layer, H-1 as a host material and compound D-1 as a dopant material were deposited to a thickness of 20 nm at a dope concentration of 1.0% by weight. Additionally, ET-1 was used as an electron transport layer and 2E-1 was used as a donor material, and the ET-1 and 2E-1 were laminated to a thickness of 30 nm at a deposition rate ratio of 1:1. Next, 0.5 nm of 2E-1 was deposited as an electron injection layer, and then 1000 nm of magnesium and silver were co-deposited to serve as a cathode, and a 5 x 5 mm square device was produced.

이 발광 소자를 1000cd/㎡로 발광시켰을 때의 발광 특성은, 발광 피크 파장 529nm, 반값폭 26nm, 외부 양자 효율 4.0%였다. 또한 내구성은, 초기 휘도를 1000cd/㎡가 되는 전류로 연속 통전하고, 초기 휘도의 90%의 휘도가 되는 시간(이하, LT90이라고 함)에 평가를 행하였다. 그 결과, 이 발광 소자의 LT90은 99시간이었다. 또한, 상기에 있어서, HAT-CN6, HT-1, H-1, ET-1 및 2E-1은, 각각 하기에 나타내는 화합물이다.When this light emitting device was made to emit light at 1000 cd/m2, the light emission characteristics were a peak emission wavelength of 529 nm, a half width of 26 nm, and an external quantum efficiency of 4.0%. In addition, durability was evaluated by continuously applying a current with an initial luminance of 1000 cd/m2 and at a time when the luminance was 90% of the initial luminance (hereinafter referred to as LT90). As a result, the LT90 of this light emitting device was 99 hours. In addition, in the above, HAT-CN6, HT-1, H-1, ET-1, and 2E-1 are compounds shown below, respectively.

Figure 112022068918077-pct00055
Figure 112022068918077-pct00055

실시예 2 내지 15, 비교예 1 내지 3Examples 2 to 15, Comparative Examples 1 to 3

도펀트 재료로서, 화합물 D-1 대신에 표 2에 기재한 화합물을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여 발광 소자를 제작하고, 평가하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.A light-emitting device was produced and evaluated in the same manner as in Example 1, except that the compound shown in Table 2 was used as a dopant material instead of compound D-1. The results are shown in Table 2.

Figure 112022068918077-pct00056
Figure 112022068918077-pct00056

표 2를 참조하여 알 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 15에서는 비교예 1 내지 3에 비하여, 반값폭을 작게 유지하면서, 외부 양자 효율과 소자 내구성(LT90)이 대폭 향상되었다. 이 점에서, 본 발명에 따르면 높은 색순도, 높은 발광 효율 및 높은 소자 내구성을 구비한 발광 소자를 얻을 수 있음을 알 수 있다.As can be seen with reference to Table 2, in Examples 1 to 15, compared to Comparative Examples 1 to 3, the external quantum efficiency and device durability (LT90) were significantly improved while maintaining a small half width. In this regard, it can be seen that according to the present invention, a light emitting device with high color purity, high luminous efficiency, and high device durability can be obtained.

(열 활성화 지연 형광 소자 평가)(Evaluation of thermally activated delayed fluorescent device)

실시예 16Example 16

양극으로서 ITO 투명 도전막을 100nm 퇴적시킨 유리 기판(지오마텍(주)제, 11Ω/□, 스퍼터품)을 38×46mm로 절단하여, 에칭을 행하였다. 얻어진 기판을 "세미코클린 56"(상품명, 후루우치 가가쿠(주)제)으로 15분간 초음파 세정하고 나서, 초순수로 세정하였다.A glass substrate (manufactured by Geomatec Co., Ltd., 11 Ω/□, sputtered product) on which 100 nm of an ITO transparent conductive film was deposited as an anode was cut into 38 × 46 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonic cleaned for 15 minutes with "Semicoclean 56" (trade name, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) and then washed with ultrapure water.

이 기판을, 소자를 제작하기 직전에 1시간 UV-오존 처리하고, 진공 증착 장치 내에 설치하여, 장치 내의 진공도가 5×10-4Pa 이하가 될 때까지 배기하였다. 저항 가열법에 의해, 먼저 정공 주입층으로서, HAT-CN6을 10nm, 정공 수송층으로서, HT-1을 40nm 증착하였다. 다음에, 발광층으로서, 호스트 재료 H-2와, 화합물 D-1과, TADF 재료인 화합물 H-3을, 중량비로 79.5:0.5:20이 되도록 하여, 30nm의 두께로 증착하였다. 또한 전자 수송층으로서, 전자 수송 재료에 화합물 ET-1을, 도너성 재료로서 2E-1을 사용하여, 화합물 ET-1과 2E-1의 증착 속도비가 1:1이 되도록 하여 50nm의 두께로 적층하였다. 다음에, 전자 주입층으로서 2E-1을 0.5nm 증착한 후, 마그네슘과 은을 1000nm 공증착하여 음극으로 하고, 5×5mm인 정사각형의 소자를 제작하였다.This substrate was treated with UV-ozone for 1 hour immediately before fabricating the device, placed in a vacuum evaporation device, and evacuated until the vacuum level in the device became 5×10 -4 Pa or less. By the resistance heating method, 10 nm of HAT-CN6 was first deposited as a hole injection layer, and 40 nm of HT-1 was deposited as a hole transport layer. Next, as a light emitting layer, host material H-2, compound D-1, and compound H-3, which is a TADF material, were deposited at a weight ratio of 79.5:0.5:20 to a thickness of 30 nm. In addition, as an electron transport layer, compound ET-1 was used as an electron transport material and 2E-1 was used as a donor material, and the deposition rate ratio of compound ET-1 and 2E-1 was 1:1, so that it was laminated to a thickness of 50 nm. . Next, 0.5 nm of 2E-1 was deposited as an electron injection layer, and then 1000 nm of magnesium and silver were co-deposited to serve as a cathode, and a 5 x 5 mm square device was produced.

이 발광 소자를 1000cd/㎡로 발광시켰을 때의 발광 특성은, 발광 피크 파장 529nm, 반값폭 28nm, 외부 양자 효율 14.2%, LT90은 80시간이었다. 또한, 상기에 있어서, H-2 및 H-3은 하기에 나타내는 화합물이다.When this light emitting device was made to emit light at 1000 cd/m2, the light emission characteristics were as follows: peak emission wavelength of 529 nm, half width of 28 nm, external quantum efficiency of 14.2%, and LT90 of 80 hours. In addition, in the above, H-2 and H-3 are compounds shown below.

Figure 112022068918077-pct00057
Figure 112022068918077-pct00057

실시예 17 내지 20, 비교예 4 내지 6Examples 17 to 20, Comparative Examples 4 to 6

도펀트 재료로서 표 3에 기재한 화합물을 사용한 것 이외에는 실시예 16과 마찬가지로 하여 발광 소자를 제작하고, 평가하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.A light-emitting device was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 16, except that the compounds shown in Table 3 were used as dopant materials. The results are shown in Table 3.

Figure 112022068918077-pct00058
Figure 112022068918077-pct00058

표 3을 참조하여 알 수 있는 바와 같이, 실시예 16 내지 20에서는 비교예 4 내지 6과 비교하여, 반값폭을 작게 유지하면서, 외부 양자 효율과 소자 내구성(LT90)이 대폭 향상되었다. 이 점에서, 본 발명에 따르면 높은 색순도, 높은 발광 효율 및 높은 소자 내구성을 구비한 발광 소자를 얻을 수 있음을 알 수 있다.As can be seen with reference to Table 3, in Examples 16 to 20, compared to Comparative Examples 4 to 6, the external quantum efficiency and device durability (LT90) were significantly improved while maintaining a small half width. In this regard, it can be seen that according to the present invention, a light emitting device with high color purity, high luminous efficiency, and high device durability can be obtained.

이상과 같이, 본 발명에 의해, 색순도, 발광 효율 및 소자 내구성이 높은 발광 소자의 제작이 가능함이 나타내어졌다. 이에 의해, 디스플레이 등의 표시 장치나 조명 장치의 제조에 있어서, 발광 효율을 높일 수 있음이 나타내어졌다.As described above, it was shown that the present invention enables the production of a light-emitting device with high color purity, luminous efficiency, and device durability. As a result, it was shown that luminous efficiency can be increased in the manufacture of display devices such as displays and lighting devices.

(탠덤형 형광 발광 소자 평가)(Tandem type fluorescent light emitting device evaluation)

실시예 21Example 21

양극으로서 ITO 투명 도전막을 165nm 퇴적시킨 유리 기판(지오마텍(주)제, 11Ω/□, 스퍼터품)을 38mm×46mm로 절단하여, 에칭을 행하였다. 얻어진 기판을 "세미코클린 56"(상품명, 후루우치 가가쿠(주)제)을 사용하여 15분간 초음파 세정하고 나서, 초순수로 세정하였다.A glass substrate (manufactured by Geomatec Co., Ltd., 11 Ω/□, sputtered product) on which 165 nm of ITO transparent conductive film was deposited as an anode was cut into 38 mm x 46 mm and etched. The obtained substrate was ultrasonic cleaned for 15 minutes using "Semicoclean 56" (trade name, manufactured by Furuuchi Chemical Co., Ltd.) and then washed with ultrapure water.

이 기판을, 소자를 제작하기 직전에 1시간 UV-오존 처리하고, 진공 증착 장치 내에 설치하여, 장치 내의 진공도가 5×10-4Pa 이하가 될 때까지 배기하였다. 저항 가열법에 의해, 먼저 정공 주입층으로서, HAT-CN6을 5nm, 계속해서 정공 수송층으로서, HT-1을 50nm 증착하였다. 다음에, 정공 저지층으로서 H-1을 10nm, 발광층으로서, 호스트 재료 H-1과, 도펀트 화합물 D-1을, 중량비로 99.5:0.5가 되도록 하여, 20nm의 두께로 증착하였다. 또한 전자 저지층으로서 ET-1을 10nm, 전자 수송층으로서 화합물 ET-3을 35nm의 두께로 적층하였다. 계속해서 n형 전하 발생층으로서, n형 호스트인 화합물 ET-3과, n형 도펀트인 금속 리튬을, 증착 속도비가 99:1이 되도록 하여 10nm 적층하였다. 또한 p형 전하 발생층으로서 HAT-CN6을 10nm 적층하였다. 그 위에 상기와 마찬가지로 정공 수송층 50nm, 정공 저지층 10mn, 발광층 20nm를 형성하였다. 또한 전자 저지층으로서 ET-2를 10nm, 전자 수송층으로서 ET-3을 35nm 순으로 증착하였다. 다음에, 전자 주입층으로서 2E-1을 0.5nm 증착한 후, 마그네슘과 은을 1000nm 공증착하여 음극으로 하고, 5mm×5mm인 정사각형의 탠덤형 발광 소자를 제작하였다.This substrate was treated with UV-ozone for 1 hour immediately before fabricating the device, placed in a vacuum evaporation device, and evacuated until the vacuum level in the device became 5×10 -4 Pa or less. By the resistance heating method, 5 nm of HAT-CN6 was first deposited as a hole injection layer, and then 50 nm of HT-1 was deposited as a hole transport layer. Next, as a hole blocking layer, H-1 was deposited to a thickness of 10 nm, and as a light emitting layer, the host material H-1 and the dopant compound D-1 were deposited at a weight ratio of 99.5:0.5 to a thickness of 20 nm. Additionally, ET-1 was laminated to a thickness of 10 nm as an electron blocking layer, and compound ET-3 was laminated to a thickness of 35 nm as an electron transport layer. Subsequently, as an n-type charge generation layer, compound ET-3 as an n-type host and metal lithium as an n-type dopant were laminated for 10 nm at a deposition rate ratio of 99:1. Additionally, 10 nm of HAT-CN6 was laminated as a p-type charge generation layer. On top of this, as above, a 50 nm hole transport layer, a 10 nm hole blocking layer, and a 20 nm light emitting layer were formed. Additionally, ET-2 was deposited to a thickness of 10 nm as an electron blocking layer, and ET-3 was deposited to a thickness of 35 nm as an electron transport layer. Next, 0.5 nm of 2E-1 was deposited as an electron injection layer, and then 1000 nm of magnesium and silver were co-deposited to serve as a cathode, and a 5 mm x 5 mm square tandem light emitting device was produced.

이 발광 소자를 1000cd/㎡로 발광시켰을 때의 발광 특성은, 발광 피크 파장 530nm, 반값폭 25nm, 외부 양자 효율 4.3%, LT90은 110시간이었다. 발광층이 1층만인 실시예 1과 비교하여, 내구성이 향상되어 있는 것이 확인되었다. 또한, 상기에 있어서, ET-2 및 ET-3은 하기에 나타내는 화합물이다.When this light emitting device was made to emit light at 1000 cd/m2, the light emission characteristics were as follows: peak emission wavelength of 530 nm, half width of 25 nm, external quantum efficiency of 4.3%, and LT90 of 110 hours. It was confirmed that durability was improved compared to Example 1, which had only one light-emitting layer. In addition, in the above, ET-2 and ET-3 are compounds shown below.

Figure 112022068918077-pct00059
Figure 112022068918077-pct00059

Claims (11)

일반식 (1)로 표시되는, 피로메텐붕소 착체:
Figure 112022068918077-pct00060

R1 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 아미노기, 실릴기, 실록사닐기 및 보릴기로 이루어지는 군에서 선택된다; 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다; 단, R1 내지 R4 중 적어도 하나는 수소 원자 혹은 알킬기이다;
X1 및 X2는 각각 독립적으로 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐 및 시아노기로 이루어지는 군에서 선택된다; 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다;
R7은 하기 일반식 (2)로 표시된다;
Figure 112022068918077-pct00061

R8 내지 R10은 각각 독립적으로 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 알데히드기, 아실기, 카르복실기, 에스테르기, 아미드기, 술포닐기, 술폰산에스테르기, 술폰아미드기, 아미노기, 니트로기, 실릴기, 실록사닐기, 보릴기 및 포스핀옥시드기로 이루어지는 군에서 선택된다; 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다;
R11은 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 알키닐기, 수산기, 티올기, 알콕시기, 알킬티오기, 아릴에테르기, 아릴티오에테르기, 아릴기, 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기, 알데히드기, 아실기, 카르복실기, 에스테르기, 아미드기, 술포닐기, 술폰산에스테르기, 술폰아미드기, 아미노기, 니트로기, 실릴기, 실록사닐기, 보릴기 및 포스핀옥시드기로 이루어지는 군에서 선택된다; 이들 기는 치환기를 더 가져도 된다;
Ar1은 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환의 헤테로아릴기이다.
Pyromethene boron complex, represented by general formula (1):
Figure 112022068918077-pct00060

R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, a hydroxyl group, a thiol group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl ether group, an arylthioether group. , an aryl group, a heteroaryl group, an amino group, a silyl group, a siloxanyl group, and a boryl group; These groups may further have substituents; However, at least one of R 1 to R 4 is a hydrogen atom or an alkyl group;
X 1 and , is selected from the group consisting of heteroaryl group, halogen and cyano group; These groups may further have substituents;
R 7 is represented by the following general formula (2);
Figure 112022068918077-pct00061

R 8 to R 10 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an alkenyl group, a cycloalkenyl group, an alkynyl group, a hydroxyl group, a thiol group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl ether group, an arylthioether group. , aryl group, heteroaryl group, halogen, cyano group, aldehyde group, acyl group, carboxyl group, ester group, amide group, sulfonyl group, sulfonic acid ester group, sulfonamide group, amino group, nitro group, silyl group, siloxanyl group, bo selected from the group consisting of a reel group and a phosphine oxide group; These groups may further have substituents;
R 11 is an alkyl group, cycloalkyl group, heterocyclic group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkynyl group, hydroxyl group, thiol group, alkoxy group, alkylthio group, arylether group, arylthioether group, aryl group, heteroaryl group, halogen , cyano group, aldehyde group, acyl group, carboxyl group, ester group, amide group, sulfonyl group, sulfonic acid ester group, sulfonamide group, amino group, nitro group, silyl group, siloxanyl group, boryl group and phosphine oxide group. is chosen; These groups may further have substituents;
Ar 1 is a substituted or unsubstituted aryl group, or a substituted or unsubstituted heteroaryl group.
제1항에 있어서, R11이 치환 혹은 비치환의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환의 헤테로아릴기인, 피로메텐붕소 착체.The pyromethene boron complex according to claim 1, wherein R 11 is a substituted or unsubstituted aryl group or a substituted or unsubstituted heteroaryl group. 제1항에 있어서, R1 및 R4가 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기인, 피로메텐붕소 착체.The pyromethene boron complex according to claim 1, wherein R 1 and R 4 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group. 제1항에 있어서, R2 및 R3이 알킬기인, 피로메텐붕소 착체.The pyromethene boron complex according to claim 1, wherein R 2 and R 3 are an alkyl group. 양극과 음극, 및 해당 양극과 해당 음극 사이에 존재하는 발광층을 갖고, 해당 발광층이 전기 에너지에 의해 발광하는 소자로서, 상기 발광층 중에 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 피로메텐붕소 착체를 함유하는, 발광 소자.A device having an anode, a cathode, and a light-emitting layer between the anode and the cathode, wherein the light-emitting layer emits light by electrical energy, wherein the light-emitting layer contains the pyromethene boron complex according to any one of claims 1 to 4. A light emitting device containing. 제5항에 있어서, 상기 발광층이 제1 화합물 및 제2 화합물을 포함하고, 상기 제1 화합물이 열 활성화 지연 형광성 화합물이고, 상기 제2 화합물이 상기 일반식 (1)로 표시되는 피로메텐붕소 착체인, 발광 소자.The method of claim 5, wherein the light-emitting layer includes a first compound and a second compound, the first compound is a heat-activated delayed fluorescent compound, and the second compound is a pyromethene boron complex represented by the general formula (1). Phosphorus, light emitting device. 제6항에 있어서, 상기 열 활성화 지연 형광성 화합물이 동일 분자 내에 전자 공여성부와 전자 구인성부를 갖는 화합물인, 발광 소자.The light emitting device according to claim 6, wherein the thermally activated delayed fluorescent compound is a compound having an electron donating moiety and an electron withdrawing moiety in the same molecule. 제5항에 있어서, 양극과 음극 사이에 2층 이상의 발광층을 갖고, 각각의 발광층과 발광층 사이에 1층 이상의 전하 발생층을 갖는, 발광 소자.The light-emitting device according to claim 5, comprising two or more light-emitting layers between the anode and the cathode, and one or more charge generation layers between each light-emitting layer. 제8항에 있어서, 상기 전하 발생층에 일반식 (4)로 표시되는 페난트롤린 유도체를 함유하는, 발광 소자:
Figure 112022068918077-pct00062

상기 일반식 (4) 중, Ar2는 p가의 방향족 탄화수소기 및 p가의 복소 방향환기로 이루어지는 군에서 선택된다; p는 1 내지 3의 자연수이다; R15 내지 R22는 각각 동일해도 되고 상이해도 되며, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 복소환기, 아릴기, 헤테로아릴기로 이루어지는 군에서 선택된다; Ar2 중 p개의 페난트롤릴기에 의한 치환 위치는 임의의 위치이다.
The light-emitting device according to claim 8, wherein the charge generation layer contains a phenanthroline derivative represented by general formula (4):
Figure 112022068918077-pct00062

In the general formula (4), Ar 2 is selected from the group consisting of a p-valent aromatic hydrocarbon group and a p-valent heteroaromatic ring group; p is a natural number from 1 to 3; R 15 to R 22 may be the same or different, and are selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, a heterocyclic group, an aryl group, and a heteroaryl group; Among Ar 2 , the positions of substitution by p phenanthrolyl groups are arbitrary positions.
제5항에 기재된 발광 소자를 포함하는, 표시 장치.A display device comprising the light emitting element according to claim 5. 제5항에 기재된 발광 소자를 포함하는, 조명 장치.A lighting device comprising the light-emitting element according to claim 5.
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