KR102646656B1 - Transparent light-emitting diode film - Google Patents

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Abstract

투명 발광다이오드 필름이 개시된다. 본 발명의 투명 발광다이오드 필름은 베이스, 상기 베이스 상에 위치하며 적어도 하나의 패턴이 형성된 전극층, 상기 전극층 상의 적어도 일 부분에 형성된 패드, 상기 패드 상에 위치하는 발광다이오드, 상기 전극층 상의 적어도 다른 부분에 형성된 접착층을 포함하며, 상기 전극층은 상기 복수의 발광다이오드에 연결되는 공통전극 및 상기 하나의 발광다이오드에 연결되는 개별전극 중 적어도 하나를 포함하며, 서로 이격된 복수개의 라인에 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 전극층의 애노드와 캐쏘드 모드 공통전극을 사용하여 발광 다이오드의 구동전압을 낮추고 전력 손실을 개선할 수 있다.A transparent light emitting diode film is disclosed. The transparent light emitting diode film of the present invention includes a base, an electrode layer positioned on the base and on which at least one pattern is formed, a pad formed on at least one part of the electrode layer, a light emitting diode positioned on the pad, and at least another part of the electrode layer. It includes a formed adhesive layer, wherein the electrode layer includes at least one of a common electrode connected to the plurality of light emitting diodes and an individual electrode connected to the one light emitting diode, and is formed in a plurality of lines spaced apart from each other. According to the present invention, the driving voltage of the light emitting diode can be lowered and power loss can be improved by using the anode and cathode mode common electrode of the electrode layer.

Description

투명 발광다이오드 필름{TRANSPARENT LIGHT-EMITTING DIODE FILM}Transparent light-emitting diode film {TRANSPARENT LIGHT-EMITTING DIODE FILM}

본 발명은 투명 발광다이오드 필름에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 전극층의 애노드와 캐쏘드 모드 공통전극을 사용하여 발광 다이오드의 구동전압을 낮추고 전력 손실을 개선할 수 있는 투명 발광다이오드 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a transparent light emitting diode film, and more specifically, to a transparent light emitting diode film that can lower the driving voltage of the light emitting diode and improve power loss by using the anode and cathode mode common electrode of the electrode layer.

디지털 샤이니지는 광고주가 마케팅, 광고, 트레이닝 등에 활용하고 고객경험을 유도할 수 있는 커뮤니케이션 툴로서, 공항, 호텔, 병원 등의 공공 장소에서 통사적인 방송 컨텐츠뿐만 아니라 광고주가 의도한 광고 컨텐츠를 함께 제공하는 디지털 영상 장치이다. 프로세서와 메모리가 내장되어 있을뿐만아니라 이동이 자유롭고 다양한 컨텐츠를 선명하게 표현할 수 있어서, 백화점, 지하철, 버스 정류장 등에서 홍보용, 고객 서비스용, 안내용 매체 등 다양한 용도로 사용될 수 있다. 또한, 디지털 샤이니지를 통해 반드시 광고 컨텐츠만 제공되는 것은 아니고, 광고 이외의 다른 목적을 가지는 다양한 컨텐츠가 제공될 수 있다.Digital Shinage is a communication tool that advertisers can use for marketing, advertising, training, etc. to induce customer experience. It provides not only syntactic broadcast content in public places such as airports, hotels, and hospitals, but also advertising content intended by advertisers. It is a digital imaging device. Not only does it have a built-in processor and memory, but it is also portable and can clearly express various contents, so it can be used for various purposes such as promotional, customer service, and information media in department stores, subways, and bus stops. In addition, only advertising content is not necessarily provided through Digital Shinage, and various content with purposes other than advertising may be provided.

디지털 샤이니지는 일반적으로 복수개의 LED가 사용되고 있다. LED는 긴 수명과 높은 발광 효율을 가지기 때문에 종래의 형광등 및 백열 전구를 대체하여 사용되고 있다. 또한, 종래의 광원과 비교하여 소형이기 때문에 조명장치로 더 각광 받고 있다.Digital Shiny generally uses multiple LEDs. LEDs have a long lifespan and high luminous efficiency, so they are used to replace conventional fluorescent lights and incandescent light bulbs. Additionally, because it is smaller than conventional light sources, it is receiving more attention as a lighting device.

본 발명은 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 또 다른 목적은 발광 다이오드의 구동전압을 낮추고 전력 손실을 개선할 수 있는 투명 발광다이오드 필름을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention aims to solve the above-mentioned problems and other problems. Another purpose is to provide a transparent light-emitting diode film that can lower the driving voltage of the light-emitting diode and improve power loss.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 본 발명의 일 측면에 따르면 베이스, 상기 베이스 상에 위치하며 적어도 하나의 패턴이 형성된 전극층, 상기 전극층 상의 적어도 일 부분에 형성된 패드, 상기 패드 상에 위치하는 발광다이오드, 상기 전극층 상의 적어도 다른 부분에 형성된 접착층을 포함하며, 상기 전극층은 상기 복수의 발광다이오드에 연결되는 공통전극 및 상기 하나의 발광다이오드에 연결되는 개별전극 중 적어도 하나를 포함하며, 서로 이격된 복수개의 라인에 형성된 투명 발광다이오드 필름을 제공한다.According to one aspect of the present invention to achieve the above or other objects, a base, an electrode layer located on the base and formed with at least one pattern, a pad formed on at least a portion of the electrode layer, a light emitting diode located on the pad, It includes an adhesive layer formed on at least another portion of the electrode layer, wherein the electrode layer includes at least one of a common electrode connected to the plurality of light emitting diodes and an individual electrode connected to the one light emitting diode, and a plurality of lines spaced apart from each other. Provides a transparent light emitting diode film formed on.

상기 공통전극 중 적어도 하나는 상기 복수개의 라인 상의 발광 다이오드와 연결될 수 있다.At least one of the common electrodes may be connected to the light emitting diodes on the plurality of lines.

상기 발광다이오드는 다른 색상을 가지는 복수의 LED 칩, 및 상기 복수의 LED 칩을 구동 및/또는 제어하는 IC칩을 포함할 수 있다.The light emitting diode may include a plurality of LED chips having different colors, and an IC chip that drives and/or controls the plurality of LED chips.

상기 전극층은 상기 복수의 발광다이오드의 상기 IC 칩에 연결되는 통신전극을 더 포함할 수 있다.The electrode layer may further include a communication electrode connected to the IC chip of the plurality of light emitting diodes.

상기 공통전극은 상기 발광 다이오드의 일 단에 연결되는 제 1 공통전극, 및 상기 발광 다이오드의 타 단에 연결되는 제 2 공통전극을 포함할 수 있다.The common electrode may include a first common electrode connected to one end of the light emitting diode, and a second common electrode connected to the other end of the light emitting diode.

상기 제 1 공통전극 중 적어도 하나는 상기 복수개의 라인 상의 발광다이오드에 연결될 수 있다.At least one of the first common electrodes may be connected to the light emitting diodes on the plurality of lines.

상기 제 1 공통전극은 캐소드이며 상기 제 2 공통전극은 애노드일 수 있다.The first common electrode may be a cathode and the second common electrode may be an anode.

상기 적어도 하나의 라인 상에 위치한 전극층은 인접한 다른 라인 상에 위치한 전극층과 연결될 수 있다.The electrode layer located on the at least one line may be connected to the electrode layer located on another adjacent line.

상기 복수의 라인은 순차적으로 이격되어 위치하는 제 1 내지 3 라인을 포함하며, 상기 제 1 라인과 상기 제 2 라인의 상기 전극층이 연결되는 부분은, 상기 제 2 라인과 상기 제 3 라인의 상기 전극층이 연결되는 부분과 반대편에 위치할 수 있다.The plurality of lines include first to third lines sequentially spaced apart from each other, and a portion where the electrode layers of the first line and the second line are connected is the electrode layer of the second line and the third line. It may be located on the opposite side of this connecting part.

본 발명에 따른 디스플레이 장치의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.The effects of the display device according to the present invention will be described as follows.

본 발명의 실시 예들 중 적어도 하나에 의하면, 전극층의 애노드와 캐쏘드 모드 공통전극을 사용하여 발광 다이오드의 구동전압을 낮추고 전력 손실을 개선할 수 있다.According to at least one of the embodiments of the present invention, the driving voltage of the light emitting diode can be lowered and power loss can be improved by using the anode and cathode mode common electrode of the electrode layer.

본 발명의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 본 발명의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 본 발명의 바람직한 실시 예와 같은 특정 실시 예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다.Further scope of applicability of the present invention will become apparent from the detailed description that follows. However, since various changes and modifications within the spirit and scope of the present invention may be clearly understood by those skilled in the art, the detailed description and specific embodiments such as preferred embodiments of the present invention should be understood as being given only as examples.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 발광다이오드 필름의 형성과정을 나타내는 도면들이다.
도 4 및 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 전극층의 형상을 나타내는 도면들이다.
도 12 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 발광다이오드 필름의 형성과정을 나타내는 도면들이다.
도 16 내지 도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 발광다이오드 필름을 나타내는 도면이다.
도 19 내지 도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수개의 투명 발광다이오드 필름을 나타내는 도면들이다.
1 to 3 are diagrams showing the formation process of a transparent light emitting diode film according to an embodiment of the present invention.
4 and 11 are diagrams showing the shape of an electrode layer according to an embodiment of the present invention.
Figures 12 to 15 are diagrams showing the formation process of a transparent light emitting diode film according to an embodiment of the present invention.
16 to 18 are diagrams showing a transparent light emitting diode film according to an embodiment of the present invention.
19 to 21 are diagrams showing a plurality of transparent light emitting diode films according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Hereinafter, embodiments disclosed in the present specification will be described in detail with reference to the attached drawings. However, identical or similar components will be assigned the same reference numbers regardless of reference numerals, and duplicate descriptions thereof will be omitted. The suffixes “module” and “part” for components used in the following description are given or used interchangeably only for the ease of preparing the specification, and do not have distinct meanings or roles in themselves. Additionally, in describing the embodiments disclosed in this specification, if it is determined that detailed descriptions of related known technologies may obscure the gist of the embodiments disclosed in this specification, the detailed descriptions will be omitted. In addition, the attached drawings are only for easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and the technical idea disclosed in this specification is not limited by the attached drawings, and all changes included in the spirit and technical scope of the present invention are not limited. , should be understood to include equivalents or substitutes.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 발광다이오드 필름의 형성과정을 나타내는 도면들이다.1 to 3 are diagrams showing the formation process of a transparent light emitting diode film according to an embodiment of the present invention.

도 1 에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 투명 발광다이오드 필름(100)은 우선 베이스(110)가 준비될 수 있다. 베이스(110)는 매우 얇은 두께의 투명한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스(110)의 두께는 250μm일 수 있다.As shown in FIG. 1, the base 110 of the transparent light emitting diode film 100 according to the present invention may first be prepared. The base 110 may include a very thin transparent material. For example, the thickness of the base 110 may be 250 μm.

베이스(110)는 절연성을 띈 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광다이오드를 구동하기 위해 사용되는 전력이 외부로 누설되지 않을 수 있다. 예를 들어, 베이스(110)는 PET(Polyethylene Terephthalate) 필름을 포함할 수 있다. 베이스(110)의 두께를 조절하여 내열성을 강하게 할 수 있다. 상술한 두께를 가진 PET 필름은 200도 이상에서도 상태가 변화하지 않을 수 있다. 이에 따라, 투명 발광다이오드 필름(100)의 제조과정에서 베이스(110)는 상태변화 없이 안정하게 유지될 수 있다.The base 110 may include an insulating material. Accordingly, the power used to drive the light emitting diode may not leak to the outside. For example, the base 110 may include a PET (Polyethylene Terephthalate) film. Heat resistance can be strengthened by adjusting the thickness of the base 110. A PET film with the above-mentioned thickness may not change its state even at temperatures above 200 degrees. Accordingly, during the manufacturing process of the transparent light emitting diode film 100, the base 110 can be maintained stably without changing its state.

도 2에 도시한 바와 같이, 베이스(110) 상에 전극층(120)이 형성될 수 있다. 전극층(120)은 투명 발광다이오드 필름(100) 상의 발광다이오드를 구동시키는 부분일 수 있다.As shown in FIG. 2, an electrode layer 120 may be formed on the base 110. The electrode layer 120 may be a part that drives the light emitting diode on the transparent light emitting diode film 100.

전극층(120)은 베이스(110)상에 코팅될 수 있다. 전극층(120)은 금속 나노와이어를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극층(120)은 은나노와이어(Ag Nano Wire)를 포함할 수 있다. 은나노와이어는 높은 전도성을 가지며 투과성이 뛰어날 수 있다.The electrode layer 120 may be coated on the base 110. The electrode layer 120 may include metal nanowires. For example, the electrode layer 120 may include silver nanowires (Ag Nano Wire). Silver nanowires have high conductivity and can have excellent permeability.

도 3에 도시된 바와 같이, 전극층(120)은 적어도 하나의 패턴이 형성될 수 있다. 예를 들어, 전극층(120)에 레이저를 조사하여 적어도 하나의 패턴이 형성될 수 있다. 다만 이에 한정하지 아니하며, 전극층(120)은 마스크 및 에칭 공정 또는 다른 공정을 이용하여 형성될 수도 있다.As shown in FIG. 3, the electrode layer 120 may be formed with at least one pattern. For example, at least one pattern may be formed by irradiating a laser to the electrode layer 120. However, the present invention is not limited to this, and the electrode layer 120 may be formed using a mask and etching process or another process.

전극층(120)은 투과성이 뛰어나기 때문에 패턴이 형성된 부분이 쉽게 눈에 띄지 않을 수 있다. 이에 따라, 사용자는 투명 발광다이오드 필름(100)이 외관상 깔끔하다고 느낄 수 있다.Since the electrode layer 120 has excellent transparency, the area where the pattern is formed may not be easily visible. Accordingly, the user can feel that the transparent light emitting diode film 100 has a neat appearance.

도 4 및 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 전극층의 형상을 나타내는 도면들이다.4 and 11 are diagrams showing the shape of an electrode layer according to an embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 전극층(120)은 공통전극(122)과 개별전극(124)을 포함할 수 있다. 공통전극(122)은 제 1 방향으로 연장될 수 있다. 공통전극(122)은 복수의 발광 다이오드(140)의 일 측과 연결될 수 있다. 복수의 발광 다이오드(140)는 일정간격 이격되어 공통전극(122)에 연결될 수 있다. 공통전극(122)은 애노드 전극일 수 있다. 애노드 전극인 공통전극(122)이 복수 개의 발광 다이오드(140)에 연결되기 때문에, 공통전극(122) 면적 향상으로 배선 저항을 최소화할 수 있다.As shown in FIG. 4, the electrode layer 120 may include a common electrode 122 and an individual electrode 124. The common electrode 122 may extend in the first direction. The common electrode 122 may be connected to one side of the plurality of light emitting diodes 140. The plurality of light emitting diodes 140 may be connected to the common electrode 122 at regular intervals. The common electrode 122 may be an anode electrode. Since the common electrode 122, which is an anode electrode, is connected to a plurality of light emitting diodes 140, wiring resistance can be minimized by improving the area of the common electrode 122.

개별전극(124)은 발광 다이오드(140)의 타 측과 연결될 수 있다. 각각의 발광 다이오드(140)는 서로 다른 개별전극(124)과 연결될 수 있다. 즉, 각각의 개별전극(124)은 발광 다이오드(140)와 같이 서로 일정간격 이격될 수 있다. 개별전극(124)은 캐소드 전극일 수 있다.The individual electrode 124 may be connected to the other side of the light emitting diode 140. Each light emitting diode 140 may be connected to a different individual electrode 124. That is, each individual electrode 124 may be spaced apart from each other at a certain distance, like the light emitting diode 140. The individual electrode 124 may be a cathode electrode.

정전류 회로를 통하여 각각의 개별전극(124)을 구동 및/또는 제어할 수 있다. 즉, 각각의 발광 다이오드(140)를 따로 구동 및/또는 제어할 수 있음을 의미한다.Each individual electrode 124 can be driven and/or controlled through a constant current circuit. That is, this means that each light emitting diode 140 can be driven and/or controlled separately.

공통전극(122)과 개별전극(124)은 복수의 라인(L1-L8)에 형성될 수 있다. 각각의 라인은 서로 이격되어 위치할 수 있다. 각각의 라인은 하나의 공통전극(122)과 복수개의 개별전극(124)을 포함할 수 있다. 각각의 라인은 서로 개별적으로 구동될 수 있다. 즉, 서로 다른 라인에 위치한 발광다이오드(140)는 연결된 개별전극(124)뿐만 아니라 공통전극(122)도 다를 수 있다.The common electrode 122 and the individual electrodes 124 may be formed in a plurality of lines (L1-L8). Each line may be positioned spaced apart from each other. Each line may include one common electrode 122 and a plurality of individual electrodes 124. Each line can be driven independently from each other. That is, light emitting diodes 140 located on different lines may have different common electrodes 122 as well as individual electrodes 124 connected to each other.

도 5에 도시된 바와 같이, 투명 발광다이오드 필름(100)은 사용자가 크기를 자유롭게 조절할 수 있다. 즉, 도면에 도시된 바와 같이, 투명 발광다이오드 필름(100)의 적어도 하나의 라인과 인접하는 라인 사이의 공간을 잘랐을 때, 발광다이오드(140)의 공통전극(122)과 개별전극(124)의 작동 및/또는 제어가 유지될 수 있다. 즉, 투명 발광다이오드 필름(100)의 잘린 부분 중 외부회로와 연결된 부분은 여전히 공통전극(122)과 개별전극(124)의 작동이 유지될 수 있다.As shown in Figure 5, the size of the transparent light emitting diode film 100 can be freely adjusted by the user. That is, as shown in the drawing, when the space between at least one line of the transparent light emitting diode film 100 and an adjacent line is cut, the common electrode 122 and the individual electrode 124 of the light emitting diode 140 Operation and/or control may be maintained. That is, the operation of the common electrode 122 and the individual electrodes 124 can still be maintained in the cut portion of the transparent light emitting diode film 100 that is connected to the external circuit.

예를 들어, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 투명 발광다이오드 필름(100)을 제 2 방향으로 잘랐을 때, 외부회로와 연결된 좌측의 발광다이오드(140)는 작동 및/또는 제어가 유지될 수 있다. 또한, 우측의 발광 다이오드(140)들도 공통전극(122)과 개별전극(124)이 유지되기 때문에 외부회로와 연결하면 발광다이오드(140)의 작동 및/또는 제어가 유지될 수 있다.For example, as shown in (a) of FIG. 5, when the transparent light emitting diode film 100 is cut in the second direction, the left light emitting diode 140 connected to the external circuit is maintained in operation and/or control. It can be. In addition, since the common electrode 122 and the individual electrode 124 of the light emitting diodes 140 on the right side are maintained, operation and/or control of the light emitting diode 140 can be maintained when connected to an external circuit.

다른 예로, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 투명 발광다이오드 필름(100)을 제 1 방향으로 잘랐을 때, 외부회로와 연결된 상측의 발광다이오드(140)들과 하측의 발광다이오드(140) 모두 작동 및/또는 제어가 유지될 수 있다.As another example, as shown in (b) of FIG. 5, when the transparent light emitting diode film 100 is cut in the first direction, the upper light emitting diodes 140 and the lower light emitting diodes 140 connected to the external circuit are All may remain in operation and/or control.

도 6에 도시된 바와 같이, 공통전극(122)이 복수의 라인(L1-L8) 상의 발광 다이오드(140)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 하나의 공통전극(122)이 제 1,2 라인(L1, L2)의 발광 다이오드(140)에 동시에 연결될 수 있다. 이 경우, 공통전극(122)은 제 1 라인(L1) 상에 위치한 발광 다이오드(140)와 제 2 라인(L2) 상에 위치한 발광 다이오드(140) 사이에 위치할 수 있다. 즉, 적어도 하나의 라인에 위치한 발광 다이오드(140)는 인접한 다른 라인에 위치한 발광 다이오드(140)와 동일한 공통전극(122)을 사용할 수 있다. 제 3 내지 8 라인(L3-L8)도 제 1,2 라인(L1, L2)과 같은 방식으로 공통 전극(122)이 배치될 수 있다.As shown in FIG. 6, the common electrode 122 may be connected to the light emitting diodes 140 on a plurality of lines (L1-L8). For example, one common electrode 122 may be connected to the light emitting diodes 140 of the first and second lines L1 and L2 at the same time. In this case, the common electrode 122 may be located between the light emitting diode 140 located on the first line (L1) and the light emitting diode 140 located on the second line (L2). That is, the light emitting diode 140 located in at least one line may use the same common electrode 122 as the light emitting diode 140 located in another adjacent line. The common electrode 122 may be disposed on the third to eighth lines (L3-L8) in the same manner as the first and second lines (L1 and L2).

본 발명에 따른 투명 발광 다이오드 필름은 공통전극(122)이 복수의 라인 상의 발광 다이오드(L1-L8)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 공통전극(122)이 더 많은 발광 다이오드와 연결되어 공통전극(122)의 면적이 커질 수 있다. 즉, 공통전극(122) 면적의 향상으로 인해 배선의 저항을 최소화할 수 있다.In the transparent light emitting diode film according to the present invention, the common electrode 122 may be connected to light emitting diodes (L1-L8) on a plurality of lines. Accordingly, the common electrode 122 can be connected to more light emitting diodes, thereby increasing the area of the common electrode 122. That is, the resistance of the wiring can be minimized by improving the area of the common electrode 122.

도 7에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드(140)는 칼라 LED 패키지일 수 있다. 칼라 LED 패키지는 각각 다른 색상을 가지는 복수의 LED 칩(140a, 140b, 140c)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 다이오드(140)는 레드 LED 칩(140a), 그린 LED 칩(140b), 및 블루 LED 칩(140c)을 포함할 수 있다. 이 경우, 각각의 LED 칩(140a, 140b, 140c)을 제어하기 위하여, 각각의 LED 칩(140a, 140b, 140c)에 개별전극(124)이 연결될 수 있다. 이에 따라, 애노드가 공통전극(122)으로 이루어지더라도 발광 다이오드(140) 사이의 간격을 줄이기 힘들 수 있다.As shown in FIG. 7, the light emitting diode 140 may be a color LED package. The color LED package may include a plurality of LED chips 140a, 140b, and 140c, each having a different color. For example, the light emitting diode 140 may include a red LED chip 140a, a green LED chip 140b, and a blue LED chip 140c. In this case, in order to control each LED chip (140a, 140b, 140c), an individual electrode 124 may be connected to each LED chip (140a, 140b, 140c). Accordingly, even if the anode is made of the common electrode 122, it may be difficult to reduce the gap between the light emitting diodes 140.

도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 발광 다이오드(140)는 IC 칩(140d)을 더 포함할 수 있다. IC 칩(140d)은 R, G, B LED 칩(140a, 140b, 140c)을 구동 및/또는 제어할 수 있다. 즉, 발광 다이오드(140)는 개별전극이 아닌 IC 칩(140d)에 의해 제어될 수 있다.As shown in FIG. 8, the light emitting diode 140 according to the present invention may further include an IC chip 140d. The IC chip 140d can drive and/or control the R, G, and B LED chips 140a, 140b, and 140c. That is, the light emitting diode 140 can be controlled by the IC chip 140d rather than individual electrodes.

본 발명은 애노드 전극뿐만 아니라 캐쏘드 전극도 공통전극(122)으로 구성될 수 있다. 애노드 전극인 공통전극(122)은 제 1 공통전극(122a)이며, 캐쏘드 전극인 공통전극(122)은 제 2 공통전극(122b)일 수 있다. 이 경우, 전극층(120)은 IC 칩(140d)을 제어하기 위한 통신전극(125)을 더 포함할 수 있다. 통신전극(125)은 각각의 발광 다이오드(140)의 IC 칩(140d)에 직렬로 연결될 수 있다.In the present invention, not only the anode electrode but also the cathode electrode may be composed of the common electrode 122. The common electrode 122, which is an anode electrode, may be a first common electrode 122a, and the common electrode 122, which is a cathode electrode, may be a second common electrode 122b. In this case, the electrode layer 120 may further include a communication electrode 125 for controlling the IC chip 140d. The communication electrode 125 may be connected in series to the IC chip 140d of each light emitting diode 140.

예를 들어, 제 1 공통전극(122a), 제 2 공통전극(122b), 및 통신전극(125)은 복수의 라인(L1-L8)에 형성될 수 있다. 각각의 라인을 서로 이격되어 위치할 수 있다. 각각의 라인은 하나의 제 1 공통전극(122a), 제 2 공통전극(122b), 및 통신전극(125)을 포함할 수 있다. 각각의 라인은 개별적으로 구동될 수 있다. 즉, 서로 다른 라인에 위치한 발광 다이오드(140)는 제 1,2 공통전극(122a, 122b) 및 통신전극(125)이 서로 다를 수 있다.For example, the first common electrode 122a, the second common electrode 122b, and the communication electrode 125 may be formed in a plurality of lines L1-L8. Each line may be positioned spaced apart from each other. Each line may include one first common electrode 122a, a second common electrode 122b, and a communication electrode 125. Each line can be driven individually. That is, the first and second common electrodes 122a and 122b and the communication electrode 125 of the light emitting diodes 140 located on different lines may be different from each other.

도 9에 도시된 바와 같이, 제 1 공통전극(122a)이 복수의 라인(L1-L8) 상의 발광 다이오드(140)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제 1 공통전극(122a)이 제 1,2 라인(L1, L2)의 발광 다이오드(140)에 동시에 연결될 수 있다. 이 경우, 제 1 공통전극(122a)은 제 1 라인(L1) 상에 위치한 발광 다이오드(140)와 제 2 라인(L2) 상에 위치한 발광 다이오드(140) 사이에 위치할 수 있다. 즉, 적어도 하나의 라인에 위치한 발광 다이오드(140)는 인접한 다른 라인에 위치한 발광 다이오드(140)와 동일한 제 1 공통전극(122a)을 사용할 수 있다. 제 3 내지 8 라인(L3-L8)도 제 1,2 라인(L1, L2)과 같은 방식으로 제 1 공통 전극(122a)이 배치될 수 있다. 제 2 공통 전극(122b) 및 통신 전극(125)은 각 라인당 하나가 사용될 수 있다.As shown in FIG. 9, the first common electrode 122a may be connected to the light emitting diodes 140 on the plurality of lines L1-L8. For example, one first common electrode 122a may be simultaneously connected to the light emitting diodes 140 of the first and second lines L1 and L2. In this case, the first common electrode 122a may be located between the light emitting diode 140 located on the first line L1 and the light emitting diode 140 located on the second line L2. That is, the light emitting diode 140 located in at least one line may use the same first common electrode 122a as the light emitting diode 140 located in another adjacent line. The first common electrode 122a may be disposed on the third to eighth lines (L3-L8) in the same manner as the first and second lines (L1 and L2). One second common electrode 122b and one communication electrode 125 may be used for each line.

본 발명에 따른 투명 발광 다이오드 필름은 제 1 공통전극(122a)이 복수의 라인 상의 발광 다이오드(L1-L8)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 제 1 공통전극(122a)이 더 많은 발광 다이오드와 연결되어 제 1 공통전극(122a)의 면적이 커질 수 있다. 즉, 제 1 공통전극(122a) 면적의 향상으로 인해 배선의 저항을 최소화할 수 있다.In the transparent light emitting diode film according to the present invention, the first common electrode (122a) may be connected to the light emitting diodes (L1-L8) on a plurality of lines. Accordingly, the first common electrode 122a can be connected to more light emitting diodes, thereby increasing the area of the first common electrode 122a. That is, the resistance of the wiring can be minimized by improving the area of the first common electrode 122a.

도 10에 도시된 바와 같이, 적어도 하나의 라인 상에 위치한 전극층(120)은 인접한 다른 라인 상에 위치한 전극층(120)과 연결될 수 있다. 예를 들어, 제 1 라인(L1) 상에 위치한 전극층(120)의 타 단과 제 2 라인(L2) 상에 위치한 전극층(120)의 타 단이 연결될 수 있다. 또한, 제 2 라인(L2) 상에 위치한 전극층(120)의 일 단과 제 3 라인(L3) 상에 위치한 전극층(120)의 일 단이 연결될 수 있다. 제 1 라인(L1)과 제 2 라인(L2)의 전극층(120)이 연결되는 부분은 제 2 라인(L2)과 제 3 라인(L3)의 전극층이 연결되는 부분과 반대편에 위치할 수 있다. 즉, 전극층(120)은 복수의 라인(L1-L8)의 일단과 타단을 번갈아가며 하나로 연결될 수 있다. 이 경우, 하나의 외부회로를 통해 모든 발광 다이오드(140)를 구동할 수 있다는 장점이 있다.As shown in FIG. 10, the electrode layer 120 located on at least one line may be connected to the electrode layer 120 located on another adjacent line. For example, the other end of the electrode layer 120 located on the first line L1 and the other end of the electrode layer 120 located on the second line L2 may be connected. Additionally, one end of the electrode layer 120 located on the second line L2 and one end of the electrode layer 120 located on the third line L3 may be connected. The portion where the electrode layers 120 of the first line (L1) and the second line (L2) are connected may be located opposite to the portion where the electrode layers of the second line (L2) and the third line (L3) are connected. That is, the electrode layer 120 may alternately connect one end and the other end of the plurality of lines L1 to L8. In this case, there is an advantage that all light emitting diodes 140 can be driven through one external circuit.

도 11에 도시된 바와 같이, 투명 발광다이오드 필름(100)은 사용자가 크기를 자유롭게 조절할 수 있다. 즉, 도면에 도시된 바와 같이, 투명 발광다이오드 필름(100)의 적어도 하나의 라인과 인접하는 라인 사이의 공간을 잘랐을 때, 발광다이오드(140)의 제 1,2 공통전극(122a, 122b) 및 통신전극(125)의 작동 및/또는 제어가 유지될 수 있다. 즉, 투명 발광다이오드 필름(100)의 잘린 부분 중 외부회로와 연결된 부분은 여전히 제 1,2 공통전극(122a, 122b) 및 통신전극(125)의 작동이 유지될 수 있다.As shown in FIG. 11, the size of the transparent light emitting diode film 100 can be freely adjusted by the user. That is, as shown in the drawing, when the space between at least one line of the transparent light emitting diode film 100 and an adjacent line is cut, the first and second common electrodes 122a, 122b of the light emitting diode 140 and Operation and/or control of the communication electrode 125 may be maintained. That is, the operation of the first and second common electrodes 122a and 122b and the communication electrode 125 can still be maintained in the cut portion of the transparent light emitting diode film 100 that is connected to the external circuit.

예를 들어, 투명 발광다이오드 필름(100)을 제 1 방향으로 잘랐을 때, 외부회로와 연결된 상측의 발광다이오드(140)들과 하측의 발광다이오드(140) 모두 작동 및/또는 제어가 유지될 수 있다.For example, when the transparent light emitting diode film 100 is cut in the first direction, both the upper and lower light emitting diodes 140 connected to the external circuit can be operated and/or controlled. .

도 12 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 발광다이오드 필름의 형성과정을 나타내는 도면들이다.Figures 12 to 15 are diagrams showing the formation process of a transparent light emitting diode film according to an embodiment of the present invention.

도 12에 도시된 바와 같이, 전극층(120) 상의 적어도 일 부분에 패드(130)가 형성될 수 있다. 패드(130)는 전도성이 높은 물질을 포함할 수 있다. 패드(130)는 전극층(120) 상의 발광다이오드가 위치할 부분에 형성될 수 있다. 패드(130)는 발광다이오드가 부착되는 부분일 수 있다. 예를 들어, 패드(130)는 은(Ag)을 포함할 수 있다.As shown in FIG. 12, a pad 130 may be formed on at least one portion of the electrode layer 120. Pad 130 may include a highly conductive material. The pad 130 may be formed in a portion of the electrode layer 120 where the light emitting diode will be located. Pad 130 may be a part where a light emitting diode is attached. For example, the pad 130 may include silver (Ag).

도 13에 도시된 바와 같이, 패드(130) 상에 발광다이오드(140)가 고정될 수 있다. 발광다이오드(140)는 저온 SMT(Surface Mount Technology) 공정을 이용하여 패드(130) 상에 고정될 수 있다. 발광다이오드(140)는 복수개가 위치할 수 있다. 발광다이오드(140)는 중 적어도 하나는 다른 하나의 발광다이오드(140)와 이격될 수 있다.As shown in FIG. 13, the light emitting diode 140 may be fixed on the pad 130. The light emitting diode 140 may be fixed on the pad 130 using a low-temperature SMT (Surface Mount Technology) process. A plurality of light emitting diodes 140 may be located. At least one of the light emitting diodes 140 may be spaced apart from the other light emitting diode 140.

패드(130) 상에 솔더(135)가 인쇄될 수 있다. 솔더(135)는 발광다이오드(140)가 패드(130)에 부착되도록 도울 수 있다. 솔더(135)는 에폭시(Epoxy)를 포함할 수 있다. 에폭시는 솔더(135)의 강도를 향상시킬 수 있다.Solder 135 may be printed on the pad 130. Solder 135 may help attach the light emitting diode 140 to the pad 130. Solder 135 may include epoxy. Epoxy can improve the strength of solder 135.

솔더(135)는 저온 리플로우 공정으로 열을 가하면 딱딱하게 굳으며 부품을 고정시킬 수 있다. 저온 리플로우 공정은 예를 들어 160도에서 300초의 조건에서 행해질 수 있다. 베이스(110), 전극층(120), 및 패드(130)는 녹는점이 높기 때문에 저온 리플로우 공정에서 상태가 변화하지 않을 수 있다. 특히, 리플로우 공정이 저온에서 행해져 베이스(110)의 상태가 변화하지 않는데 도움이 될 수 있다.Solder 135 hardens when heated through a low-temperature reflow process and can fix parts. The low-temperature reflow process may be performed, for example, at 160 degrees for 300 seconds. Because the base 110, electrode layer 120, and pad 130 have high melting points, their states may not change in a low-temperature reflow process. In particular, the reflow process is performed at a low temperature, which can help ensure that the state of the base 110 does not change.

투명 발광다이오드 필름(100)의 일 단에 위치한 패드(130) 상에 FPCB(150)가 부착될 수 있다. FPCB(150)는 전극층(120)과 외부회로를 전기적으로 연결해줄 수 있다. 이에 따라, FPCB(150)는 발광다이오드(140)의 구동 및/또는 제어를 도울 수 있다.The FPCB 150 may be attached to the pad 130 located at one end of the transparent light emitting diode film 100. The FPCB 150 can electrically connect the electrode layer 120 and an external circuit. Accordingly, the FPCB 150 may assist in driving and/or controlling the light emitting diode 140.

도 14에 도시된 바와 같이, 전극층(120) 상의 적어도 다른 부분에 접착층(160)이 위치하며 접착층(160) 상에 보호층(170)이 덮일 수 있다. 접착층(160)은 광학용 투명 접착제(OCA, Optical Clear Adhesive)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착층(160)은 실리콘, 아크릴, 및 이들의 조합 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 접착층(160)은 상하면의 결합력이 강할 수 있다. 접착층(160)의 높이는 발광다이오드(140)의 높이보다 높을 수 있다. 이에 따라, 발광다이오드(140)가 접착층(160)에 접하지 않을 수 있다. 접착층(160)의 높이는 예를 들어 500μm이상 800μm 이하일 수 있다.As shown in FIG. 14 , the adhesive layer 160 may be located on at least another portion of the electrode layer 120 and the protective layer 170 may be covered on the adhesive layer 160 . The adhesive layer 160 may include an optical clear adhesive (OCA). For example, the adhesive layer 160 may include any one of silicone, acrylic, and combinations thereof. The adhesive layer 160 may have a strong bonding force between the upper and lower surfaces. The height of the adhesive layer 160 may be higher than the height of the light emitting diode 140. Accordingly, the light emitting diode 140 may not be in contact with the adhesive layer 160. The height of the adhesive layer 160 may be, for example, 500 μm or more and 800 μm or less.

접착층(160)은 발광다이오드(140)를 제외한 부분에 위치할 수 있다. 즉, 접착층(160)은 발광다이오드(140)와 대응되는 부분에 개구부(165)가 형성될 수 있다. 개구부(165)의 폭(OWT)은 발광다이오드(140)의 폭(DWT)보다 클 수 있다. 즉, 접착층(160)은 발광다이오드(140)와 접하지 않을 수 있다. 이에 따라, 전극층(120) 상에 접착층(160)이 부착되어도 발광다이오드(140)의 작동에는 문제가 생기지 않을 수 있다.The adhesive layer 160 may be located in a portion excluding the light emitting diode 140. That is, the adhesive layer 160 may have an opening 165 formed in a portion corresponding to the light emitting diode 140. The width (OWT) of the opening 165 may be larger than the width (DWT) of the light emitting diode 140. That is, the adhesive layer 160 may not be in contact with the light emitting diode 140. Accordingly, even if the adhesive layer 160 is attached on the electrode layer 120, no problem may occur in the operation of the light emitting diode 140.

접착층(160) 상에 보호층(170)이 위치할 수 있다. 보호층(170)은 접착층(160) 상에 위치하여 접착층(160)이 외부로 노출되지 않도록 할 수 있다. 이에 따라, 보호층(170)은 접착층(160)의 접착력을 보존할 수 있다.A protective layer 170 may be positioned on the adhesive layer 160. The protective layer 170 may be located on the adhesive layer 160 to prevent the adhesive layer 160 from being exposed to the outside. Accordingly, the protective layer 170 can preserve the adhesive strength of the adhesive layer 160.

보호층(170)은 발광다이오드(140)의 동작 및/또는 제어에 방해가되지 않도록 발광다이오드(140)로부터 일정 높이 이격될 수 있다. 이에 따라, 접착층(160)의 두께는 발광다이오드(140)의 두께보다 높을 수 있다.The protective layer 170 may be spaced at a certain height from the light emitting diode 140 so as not to interfere with the operation and/or control of the light emitting diode 140. Accordingly, the thickness of the adhesive layer 160 may be higher than the thickness of the light emitting diode 140.

보호층(170)은 외부의 충격으로부터 투명 발광다이오드 필름(100)을 보호해줄 수 있다. 즉, 외력이 가해져도 보호층(170)에 의해 발광다이오드(140)에 충격이 적게 가해질 수 있음을 의미한다.The protective layer 170 can protect the transparent light emitting diode film 100 from external shock. In other words, this means that even when an external force is applied, less impact can be applied to the light emitting diode 140 due to the protective layer 170.

도 15에 도시된 바와 같이, 보호층(170)은 제 1,2 보호층(170a, 170b)을 포함할 수 있다. 제 1,2 보호층(170a, 170b)은 접착층(160)의 상하면에 부착될 수 있다. 제 1,2 보호층(170a, 170b)은 접착층(160)의 접착력을 유지하는 것을 도울 수 있다.As shown in FIG. 15, the protective layer 170 may include first and second protective layers 170a and 170b. The first and second protective layers 170a and 170b may be attached to the upper and lower surfaces of the adhesive layer 160. The first and second protective layers 170a and 170b may help maintain the adhesion of the adhesive layer 160.

제 2 보호층(170b)은 접착층(160)이 투명 발광다이오드 필름과 결합하기 전에 접착층(160)으로부터 분리될 수 있다. 이에 따라, 접착력이 유지된 상태의 접착층(160)이 투명 발광다이오드 필름(100)에 부착되어 발광다이오드를 보호할 수 있다.The second protective layer 170b may be separated from the adhesive layer 160 before the adhesive layer 160 is combined with the transparent light emitting diode film. Accordingly, the adhesive layer 160, which maintains adhesive force, is attached to the transparent light emitting diode film 100 to protect the light emitting diode.

제 1 보호층(170a)은 추후에 투명 발광다이오드 필름을 다른 곳에 부착할 때 접착층(160)으로부터 분리될 수 있다. 이에 따라, 접착층(160)이 다른 부분에 투명 발광다이오드 필름이 부착되는 것을 도울 수 있다.The first protective layer 170a may be separated from the adhesive layer 160 later when the transparent light emitting diode film is attached to another location. Accordingly, the adhesive layer 160 can help attach the transparent light emitting diode film to other parts.

본 발명에 따른 투며 발광다이오드 필름은 접착층(160)의 양면에 보호층(170)이 위치할 수 있다. 이에 따라, 보호층(170)이 접착층(160)을 보호하여 접착층(160)의 접착력을 유지시킬 수 있다.The transparent light emitting diode film according to the present invention may have a protective layer 170 located on both sides of the adhesive layer 160. Accordingly, the protective layer 170 can protect the adhesive layer 160 and maintain the adhesive force of the adhesive layer 160.

도 16 내지 도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 발광다이오드 필름을 나타내는 도면이다.16 to 18 are diagrams showing a transparent light emitting diode film according to an embodiment of the present invention.

도 16에 도시된 바와 같이, 투명 발광다이오드 필름은 피부착면(250)에 부착될 수 있다. 상술한 제 1 보호층(도 9의 170a)을 접착층으로부터 분리하여 피부착면(250)에 투명 발광다이오드 필름을 부착할 수 있다. 피부착면(250)은 투명한 물질을 포함할 수 있다. 피부착면(250)은 발광다이오드(140)로부터 방출되는 빛을 외부로 노출시킬 수 있다. 피부착면(250)은 투명 발광다이오드 필름의 접착층(160) 상에 부착될 수 있다. 접착층(160)의 두께가 발광다이오드(140)의 두께보다 두껍기 때문에 피부착면(250)은 발광다이오드(140)와 접하지 않을 수 있다.As shown in Figure 16, the transparent light emitting diode film can be attached to the skin contact surface 250. The above-described first protective layer (170a in FIG. 9) can be separated from the adhesive layer and a transparent light emitting diode film can be attached to the skin contact surface 250. The skin contact surface 250 may include a transparent material. The skin-contacting surface 250 may expose light emitted from the light emitting diode 140 to the outside. The skin contact surface 250 may be attached to the adhesive layer 160 of the transparent light emitting diode film. Since the thickness of the adhesive layer 160 is thicker than the thickness of the light-emitting diode 140, the skin-adhesive surface 250 may not be in contact with the light-emitting diode 140.

피부착면(250)의 가장자리 영역에 피부착면(250)을 고정시켜주는 새시(Sash, 270)가 위치할 수 있다. 새시(270)는 피부착면(250)의 가장자리 영역을 감싸는 형상일 수 있다. 새시(270)는 피부착면(250)을 고정시키기 위해 강성이 강한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 새시(270)는 알루미늄, 플라스틱, 또는 금속 재질을 포함할 수 있다.A sash 270 that secures the skin contact surface 250 may be located at an edge area of the skin contact surface 250. The sash 270 may be shaped to surround the edge area of the contact surface 250. The sash 270 may include a strong material to secure the contact surface 250. For example, chassis 270 may include aluminum, plastic, or metal.

새시(270) 상에 발광다이오드(140)를 구동 및/또는 제어하기 위한 적어도 하나의 PCB(230)가 부착될 수 있다. 적어도 하나의 PCB(230)는 새시(270)의 후방 상에 부착될 수 있다. 적어도 하나의 PCB(230)는 일 단이 FPCB(150)와 연결될 수 있다. 이에 따라, 적어도 하나의 PCB(230)는 발광 다이오드(140)로 전기신호를 전달할 수 있다.At least one PCB 230 for driving and/or controlling the light emitting diode 140 may be attached to the chassis 270. At least one PCB 230 may be attached on the rear of chassis 270. At least one PCB (230) may be connected at one end to the FPCB (150). Accordingly, at least one PCB 230 can transmit an electrical signal to the light emitting diode 140.

적어도 하나의 PCB(230)는 파워 보드(210)와 컨트롤 보드(220)를 포함할 수 있다. 파워 보드(210)는 새시(270) 상에 고정될 수 있다. 파워 보드(210)는 일 단이 컨트롤 보드(220)와 연결될 수 있다. 파워 보드(210)는 투명 발광다이오드 필름에 전원을 공급해줄 수 있다. 즉, 파워 보드(21)는 발광다이오드(140)에 전원을 공급해줄 수 있다. 파워 보드(210)는 AC 주파수를 DC 주파수로 변경해줄 수 있다. 즉, 파워 보드(210)는 낮은 주파수를 높은 주파수로 변경하여 전기효율이 높아질 수 있다.At least one PCB 230 may include a power board 210 and a control board 220. The power board 210 may be fixed on the chassis 270. The power board 210 may be connected to the control board 220 at one end. The power board 210 can supply power to the transparent light emitting diode film. That is, the power board 21 can supply power to the light emitting diode 140. The power board 210 can change AC frequency to DC frequency. That is, the power board 210 can increase electrical efficiency by changing low frequencies to high frequencies.

컨트롤 보드(220)는 새시(270) 상에 고정될 수 있다. 컨트롤 보드(220)는 일 단이 파워 보드(210)와 연결되며 타 단이 FPCB(150)와 연결될 수 있다. 컨트롤 보드(220)는 입력되는 신호를 발광 다이오드(140)에 전달할 수 있다. 즉, 컨트롤 보드(220)는 타이밍 신호들과, 비디오 신호를 발광 다이오드(140)에 전달할 수 있다.Control board 220 may be fixed on chassis 270. One end of the control board 220 may be connected to the power board 210 and the other end may be connected to the FPCB (150). The control board 220 may transmit an input signal to the light emitting diode 140. That is, the control board 220 can transmit timing signals and video signals to the light emitting diode 140.

본 발명에 따른 투명 발광다이오드필름은 적어도 하나의 PCB(230)가 새시(270)의 후방 상에 위치할 수 있다. 이에 따라, 적어도 하나의 PCB(230)는 투명 발광다이오드 필름의 화면을 전방에서 봤을 때 눈에 띄지 않을 수 있다.In the transparent light emitting diode film according to the present invention, at least one PCB 230 may be located on the rear of the chassis 270. Accordingly, at least one PCB 230 may not be noticeable when the screen of the transparent light emitting diode film is viewed from the front.

도 17에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 투명 발광다이오드 필름은 접착층(160)이 제 1,2 접착층(160a, 160b)을 포함할 수 있다. 제 1 접착층(160a), 제 2 접착층(160b)은 순차적으로 적층될 수 있다.As shown in FIG. 17, the adhesive layer 160 of the transparent light emitting diode film according to the present invention may include first and second adhesive layers 160a and 160b. The first adhesive layer 160a and the second adhesive layer 160b may be sequentially stacked.

제 1 접착층(160a)은 전극층(120)의 적어도 일부 상에 위치할 수 있다. 상세하게, 제 1 접착층(160a)의 일면은 전극층(120)과 접하며 일면과 마주보는 타면은 지지층(160b)과 접할 수 있다. 제 1 접착층(160a)은 실리콘을 포함할 수 있다. 제 1 접착층(160a)은 제 2 접착층(160b)보다 더 두꺼울 수 있다. 제 1 접착층(160a)은 제 2 접착층(160b)보다 접착력이 높을 수 있다. 예를 들어, 제 1 접착층(160a)은 0.5kgf/25mm 내지 1kgf/25mm의 접착력을 가질 수 있다. 이에 따라, 피부착면으로부터 투병 발광다이오드 필름을 분리할 때, 제 1 접착층(160a)은 전극층(120)과 분리되지 않을 수 있다.The first adhesive layer 160a may be located on at least a portion of the electrode layer 120. In detail, one surface of the first adhesive layer 160a may be in contact with the electrode layer 120, and the other surface facing the first adhesive layer 160a may be in contact with the support layer 160b. The first adhesive layer 160a may include silicon. The first adhesive layer 160a may be thicker than the second adhesive layer 160b. The first adhesive layer 160a may have higher adhesive strength than the second adhesive layer 160b. For example, the first adhesive layer 160a may have an adhesive force of 0.5kgf/25mm to 1kgf/25mm. Accordingly, when separating the bottle-resistant light emitting diode film from the adhered surface, the first adhesive layer 160a may not be separated from the electrode layer 120.

제 2 접착층(160b)은 제 1 접착층(160a) 상에 위치할 수 있다. 제 2 접착층(160b)은 실리콘을 포함할 수 있다. 상술한 것과 같이, 제 2 접착층(160b)은 제 1 접착층(160a)보다 접착력이 낮을 수 있다. 예를 들어, 제 2 접착층(160b)은 0.01kgf/25mm 내지 0.05kgf/25mm의 접착력을 가질 수 있다. 이에 따라, 제 2 접착층(160b)은 피부착면(250)과 쉽게 부착 또는 분리가 가능할 수 있다.The second adhesive layer 160b may be located on the first adhesive layer 160a. The second adhesive layer 160b may include silicon. As described above, the second adhesive layer 160b may have lower adhesive strength than the first adhesive layer 160a. For example, the second adhesive layer 160b may have an adhesive force of 0.01kgf/25mm to 0.05kgf/25mm. Accordingly, the second adhesive layer 160b can be easily attached to or separated from the adhesive surface 250.

본 발명에 따른 투명 발광 다이오드 필름은 접착층(160)이 접착력이 다른 복수개의 층으로 나뉠 수 있다. 이에 따라, 투명 발광 다이오드 필름을 쉽고 신속하게 피부착면(250)으로부터 분리 부착할 수 있다.In the transparent light emitting diode film according to the present invention, the adhesive layer 160 may be divided into a plurality of layers with different adhesive strengths. Accordingly, the transparent light emitting diode film can be easily and quickly attached and separated from the skin contact surface 250.

도 18에 도시된 바와 같이, 접착층(160)은 제 1,2 접착층(160a, 160b), 및 지지층(160c)을 포함할 수 있다. 지지층(160c)은 제 1,2 접착층(160a, 160b) 사이에 위치할 수 있다. 즉, 제 1 접착층(160a), 지지층(160c), 제 2 접착층(160b)은 순차적으로 적층될 수 있다.As shown in FIG. 18, the adhesive layer 160 may include first and second adhesive layers 160a and 160b, and a support layer 160c. The support layer 160c may be located between the first and second adhesive layers 160a and 160b. That is, the first adhesive layer 160a, the support layer 160c, and the second adhesive layer 160b may be sequentially stacked.

지지층(160c)은 제 1 접착층(160a) 상에 위치할 수 있다. 지지층(160c)은 제 1,2 접착층(160a, 160b)을 고정하는 기능을 할 수 있다. 지지층(160c)은 PET 필름을 포함할 수 있다. 지지층(160c)은 접착층(160)의 타공 공정시 접착층(160)이 밀리지 않도록 고정해줄 수 있다. 지지층(160c)은 발광 다이오드 필름의 형상이 변형된 후에도 접착층(160)의 두께 차이가 없도록 제 1,2 접착층(160a, 160b)을 고정해줄 수 있다.The support layer 160c may be located on the first adhesive layer 160a. The support layer 160c may function to secure the first and second adhesive layers 160a and 160b. The support layer 160c may include PET film. The support layer 160c can fix the adhesive layer 160 so that it is not pushed during the perforation process of the adhesive layer 160. The support layer 160c can fix the first and second adhesive layers 160a and 160b so that there is no difference in thickness of the adhesive layer 160 even after the shape of the light emitting diode film is deformed.

도 19 내지 도 21은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수개의 투명 발광다이오드 필름을 나타내는 도면들이다.19 to 21 are diagrams showing a plurality of transparent light emitting diode films according to an embodiment of the present invention.

도 19에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 투명 발광다이오드 필름은 복수개의 피부착면(250A-250D)에 부착되어 하나의 화면이 표시될 수 있다. 즉, 하나의 영상이 분할되어 복수개의 피부착면(250A-250D) 상에 표시될 수 있음을 의미한다.As shown in Figure 19, the transparent light emitting diode film according to the present invention can be attached to a plurality of skin contact surfaces (250A-250D) to display one screen. That is, this means that one image can be divided and displayed on a plurality of skin contact surfaces 250A-250D.

적어도 하나의 PCB에서 설정된 화면 분할 방식에 따라 영상신호를 분할하여 복수개의 분할 영상을 생성할 수 있다. 그 후에, 각 분할 영상을 각각의 대응되는 투명 발광다이오드 필름으로 전송하여 화면에 출력되도록 할 수 있다.A plurality of split images can be generated by dividing the video signal according to the screen splitting method set in at least one PCB. Afterwards, each divided image can be transmitted to each corresponding transparent light emitting diode film and output on the screen.

본 발명에 따른 디스플레이 장치는 복수개의 투명 발광다이오드 필름에 하나의 화면이 표시되기 때문에 매우 큰 영상이 화면에 표시될 수 있다.The display device according to the present invention can display a very large image on the screen because one screen is displayed on a plurality of transparent light emitting diode films.

도 20에 도시된 바와 같이, 복수개의 투명 발광다이오드 필름(100) 중 적어도 하나는 일 단이 PCB(230)와 연결되지 않을 수 있다. 예를 들어, 제 1 투명 발광다이오드 필름(100A)의 일 단은 제 2 투명 발광 다이오드 필름(100B)의 타 단과 FPCB(150)를 통해 연결될 수 있다. 또한, 제 3 투명 발광다이오드 필름(100C)의 일 단은 제 4 투명 발광 다이오드 필름(100D)의 타 단과 FPCB(150)를 통해 연결될 수 있다. 이에 따라, 양 끝에 위치한 새시(270) 상에는 적어도 하나의 PCB(230)가 부착되지만 중심부에 위치한 새시(270)는 적어도 하나의 PCB(230)가 위치하지 않을 수 있다. 이에 따라, 적어도 하나의 투명 발광다이오드 필름(100A-100D)은 적어도 하나의 PCB(230)뿐만 아니라 적어도 다른 하나의 투명 발광다이오드 필름(100A-100D)으로부터 전달받을 수도 있다.As shown in FIG. 20, at least one end of the plurality of transparent light emitting diode films 100 may not be connected to the PCB 230. For example, one end of the first transparent light emitting diode film 100A may be connected to the other end of the second transparent light emitting diode film 100B through the FPCB 150. Additionally, one end of the third transparent light emitting diode film 100C may be connected to the other end of the fourth transparent light emitting diode film 100D through the FPCB 150. Accordingly, at least one PCB 230 is attached to the chassis 270 located at both ends, but at least one PCB 230 may not be located on the chassis 270 located at the center. Accordingly, at least one transparent light emitting diode film (100A-100D) may be delivered not only from at least one PCB (230) but also from at least another transparent light emitting diode film (100A-100D).

본 발명에 따른 투명 발광 다이오드(100)는 일부가 적어도 하나의 PCB(230)와 연결되지 않을 수 있다. 이에 따라, 투명 발광 다이오드(100)의 설치 비용이 줄어들 수 있다.Part of the transparent light emitting diode 100 according to the present invention may not be connected to at least one PCB 230. Accordingly, the installation cost of the transparent light emitting diode 100 may be reduced.

도 21에 도시된 바와 같이, 복수개의 투명 발광다이오드 필름(100)은 양 단이 모두 PCB(230)와 연결될 수 있다. 즉, 모든 새시(270)의 후면 상에 PCB(230)가 위치할 수 있음을 의미한다. 이 경우, 하나의 PCB(230)가 오작동이 일어나더라도 해당 PCB(230)와 연결되지 않은 투명 발광다이오드 필름(100)은 정상적으로 작동할 수 있다. 이에 따라, 하나의 PCB(230)가 오작동이 일어나더라도 어느 부분에서 오작동이 일어났는지 신속하게 확인할 수 있다.As shown in FIG. 21, both ends of the plurality of transparent light emitting diode films 100 may be connected to the PCB 230. This means that the PCB 230 can be located on the rear of every chassis 270. In this case, even if one PCB 230 malfunctions, the transparent light emitting diode film 100 not connected to the PCB 230 can operate normally. Accordingly, even if one PCB 230 malfunctions, it is possible to quickly determine where the malfunction occurred.

본 발명의 각 실시예 및/또는 구성은, 상호 결합될 수 있다. 예를 들어 특정 실시예 및/또는 도면에 설명된 A 구성과 다른 실시예 및/또는 도면에 설명된 B 구성이 결합될 수 있음을 의미한다. 즉, 구성 간의 결합에 대해 직접적으로 설명하지 않은 경우라고 하더라도 결합이 불가능하다고 설명한 경우를 제외하고는 결합이 가능함을 의미한다. 이와 같은 점은, 본 발명이 디스플레이 장치에 대한 것임을 고려할 때 자명하다.Each embodiment and/or configuration of the present invention may be combined with each other. For example, this means that configuration A described in a particular embodiment and/or drawing may be combined with configuration B described in other embodiments and/or drawings. In other words, even if the combination between components is not directly explained, it means that combination is possible, except in cases where it is explained that combination is impossible. This point is obvious considering that the present invention relates to a display device.

상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.The above detailed description should not be construed as restrictive in any respect and should be considered illustrative. The scope of the present invention should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of the present invention are included in the scope of the present invention.

Claims (9)

베이스;
상기 베이스의 한 면에 위치하며, 상기 베이스 상에서 복수의 행과 복수의 열을 따라 배치되는 복수의 개구부를 구비하는 접착층;
상기 베이스와 상기 접착층 사이에 위치하는 전극층;
상기 복수의 개구부 내에 각각 배치되며, 상기 전극층에 전기적으로 연결되는 복수의 패드; 및
상기 복수의 개구부 내에 각각 배치되며, 상기 복수의 패드에 각각 전기적으로 연결되는 복수의 발광다이오드
를 포함하며,
상기 전극층은,
하나의 행에 배치된 상기 복수의 발광다이오드의 일 단에 연결되는 애노드 전극과, 상기 하나의 행에 배치된 상기 복수의 발광다이오드의 타 단에 연결되는 캐소드 전극을 포함하고,
상기 애노드 전극과 상기 캐소드 전극 중에서 적어도 하나는 상기 하나의 행에 배치된 상기 복수의 발광다이오드에 공통으로 연결되는 공통전극으로 형성되며,
상기 애노드 전극과 상기 캐소드 전극은 상기 하나의 행에 배치된 상기 복수의 발광다이오드를 사이에 두고 서로 다른 라인에 위치하는 투명 발광다이오드 필름.
Base;
an adhesive layer located on one side of the base and having a plurality of openings arranged along a plurality of rows and a plurality of columns on the base;
an electrode layer positioned between the base and the adhesive layer;
a plurality of pads each disposed within the plurality of openings and electrically connected to the electrode layer; and
A plurality of light emitting diodes each disposed within the plurality of openings and each electrically connected to the plurality of pads.
Includes,
The electrode layer is,
An anode electrode connected to one end of the plurality of light emitting diodes arranged in one row, and a cathode electrode connected to the other end of the plurality of light emitting diodes arranged in one row,
At least one of the anode electrode and the cathode electrode is formed as a common electrode commonly connected to the plurality of light emitting diodes arranged in the one row,
A transparent light emitting diode film wherein the anode electrode and the cathode electrode are located in different lines with the plurality of light emitting diodes disposed in the one row interposed.
제 1항에 있어서,
상기 공통전극은 서로 다른 행에 배치된 상기 복수의 발광다이오드와 공통으로 연결되는 투명 발광다이오드 필름.
According to clause 1,
The common electrode is a transparent light-emitting diode film commonly connected to the plurality of light-emitting diodes arranged in different rows.
제 1항에 있어서,
상기 복수의 발광다이오드는 각각,
다른 색상을 가지는 복수의 LED 칩; 및
상기 복수의 LED 칩을 구동 및/또는 제어하는 IC칩을 포함하는 투명 발광다이오드 필름.
According to clause 1,
Each of the plurality of light emitting diodes is:
A plurality of LED chips having different colors; and
A transparent light emitting diode film including an IC chip that drives and/or controls the plurality of LED chips.
제 3항에 있어서,
상기 전극층은,
상기 하나의 행에 배치된 상기 복수의 발광다이오드의 상기 IC 칩에 연결되는 통신전극을 더 포함하는 투명 발광다이오드 필름.
According to clause 3,
The electrode layer is,
A transparent light emitting diode film further comprising a communication electrode connected to the IC chip of the plurality of light emitting diodes arranged in the one row.
제 3항에 있어서,
상기 캐소드 전극은 제 1 공통전극으로 형성되고, 상기 애노드 전극은 제 2 공통전극으로 형성되는 투명발광다이오드 필름.
According to clause 3,
A transparent light emitting diode film wherein the cathode electrode is formed as a first common electrode, and the anode electrode is formed as a second common electrode.
제 5항에 있어서,
상기 제 1 공통전극과 상기 제2 공통전극 중 적어도 하나는 서로 다른 행에 배치된 상기 복수의 발광다이오드와 공통으로 연결되는 투명 발광다이오드 필름.
According to clause 5,
A transparent light emitting diode film wherein at least one of the first common electrode and the second common electrode is commonly connected to the plurality of light emitting diodes arranged in different rows.
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 하나의 행에 배치된 상기 복수의 발광다이오드에 연결되는 애노드 전극은 상기 하나의 행과 이웃한 다른 행에 배치된 상기 복수의 발광다이오드에 연결된 애노드 전극과 연결되고, 상기 다른 행에 배치된 상기 복수의 발광다이오드에 연결되는 캐소드 전극은 상기 다른 행과 인접한 또 다른 행에 배치된 상기 복수의 발광다이오드에 연결된 캐소드 전극과 연결되는 투명 발광다이오드 필름.
According to clause 1,
The anode electrode connected to the plurality of light emitting diodes arranged in the one row is connected to the anode electrode connected to the plurality of light emitting diodes arranged in another row adjacent to the one row, and the anode electrode arranged in the other row is connected to the plurality of light emitting diodes arranged in the row. A transparent light emitting diode film in which a cathode electrode connected to a plurality of light emitting diodes is connected to a cathode electrode connected to the plurality of light emitting diodes disposed in another row adjacent to the other row.
제 8항에 있어서,
상기 애노드 전극 간을 연결하는 부분은 상기 캐소드 전극 간을 연결하는 부분과 반대편에 위치하는 투명 발광다이오드 필름.
According to clause 8,
A transparent light emitting diode film where the portion connecting the anode electrodes is located on the opposite side from the portion connecting the cathode electrodes.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102339288B1 (en) * 2018-06-12 2021-12-14 주식회사 리페어코리아 Transparent Display Using Metal Mesh
KR102122817B1 (en) * 2018-06-12 2020-06-15 케이알에코스타 주식회사 Transparent Display Using Metal Mesh
KR102417280B1 (en) * 2018-07-25 2022-07-06 주식회사 제이마이크로 Transparent Light-emitting Display film, Method of Manufacturing the Same, and Transparent Light-emitting Signage using the Same
US10991852B2 (en) 2018-07-25 2021-04-27 Jmicro Inc. Transparent light-emitting display film, method of manufacturing the same, and transparent light-emitting signage using the same
KR102287177B1 (en) * 2019-07-24 2021-08-06 한솔테크닉스(주) Transparent light emitting device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721702B1 (en) * 2005-11-22 2007-05-25 한국전자통신연구원 Adhesive film and fabrication method for flexible display using the same
JP2011228463A (en) * 2010-04-20 2011-11-10 Nichia Chem Ind Ltd Led light source device and manufacturing method for the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5533183B2 (en) * 1973-02-07 1980-08-29
KR101476207B1 (en) * 2012-06-08 2014-12-24 엘지전자 주식회사 Display device using semiconductor light emitting device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721702B1 (en) * 2005-11-22 2007-05-25 한국전자통신연구원 Adhesive film and fabrication method for flexible display using the same
JP2011228463A (en) * 2010-04-20 2011-11-10 Nichia Chem Ind Ltd Led light source device and manufacturing method for the same
JP5533183B2 (en) * 2010-04-20 2014-06-25 日亜化学工業株式会社 LED light source device and manufacturing method thereof

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