KR102644523B1 - 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물 및 이를 이용한 유기 태양 전지의 제조방법 - Google Patents

유기 태양 전지의 유기물층용 조성물 및 이를 이용한 유기 태양 전지의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 명세서는 화학식 1로 표시되는 제1 단위, 화학식 2로 표시되는 제2 단위, 및 화학식 3 또는 4로 표시되는 제3 단위를 포함하는 중합체; 및 비할로겐계 용매를 포함하는 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물, 이를 이용한 유기 태양 전지의 제조방법, 이에 의하여 제조된 유기 태양 전지에 관한 것이다.

Description

유기 태양 전지의 유기물층용 조성물 및 이를 이용한 유기 태양 전지의 제조방법{COMPOSITION FOR ORGANIC MATERIAL LAYER OF ORGANIC SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC SOLAR CELL USING SAME}
본 출원은 2018년 3월 9일 한국 특허청에 제출된 한국 특허 출원 10-2018-0028139의 출원일 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물 및 이를 이용한 유기 태양 전지의 제조방법에 관한 것이다.
유기 태양 전지는 광기전력효과(photovoltaic effect)를 응용함으로써 태양에너지를 직접 전기에너지로 변환할 수 있는 소자이다. 태양 전지는 박막을 구성하는 물질에 따라 무기태양전지와 유기 태양 전지로 나뉠 수 있다. 전형적인 태양 전지는 무기 반도체인 결정성 실리콘(Si)을 도핑(doping)하여 p-n 접합으로 만든 것이다. 빛을 흡수하여 생기는 전자와 정공은 p-n 접합점까지 확산되고 그 전계에 의하여 가속되어 전극으로 이동한다. 이 과정의 전력변환 효율은 외부 회로에 주어지는 전력과 태양 전지에 들어간 태양전력의 비로 정의되며, 현재 표준화된 가상 태양 조사 조건으로 측정 시 24%정도까지 달성되었다. 그러나 종래 무기태양전지는 이미 경제성과 재료상의 수급에서 한계를 보이고 있기 때문에, 가공이 쉬우며 저렴하고 다양한 기능성을 가지는 유기물 반도체 태양 전지가 장기적인 대체 에너지원으로 각광받고 있다.
태양 전지는 태양 에너지로부터 가능한 많은 전기 에너지를 출력할 수 있도록 효율을 높이는 것이 중요하다. 이러한 태양 전지의 효율을 높이기 위해서는 반도체 내부에서 가능한 많은 엑시톤을 생성하는 것도 중요하지만 생성된 전하를 손실됨 없이 외부로 끌어내는 것 또한 중요하다. 전하가 손실되는 원인 중의 하나가 생성된 전자 및 정공이 재결합(recombination)에 의해 소멸하는 것이다. 생성된 전자나 정공이 손실되지 않고 전극에 전달되기 위한 방법으로 다양한 방법이 제시되고 있으나, 대부분 추가 공정이 요구되고 이에 따라 제조 비용이 상승할 수 있다.
Two-layer organic photovoltaic cell(C.W.Tang, Appl. Phys. Lett., 48, 183.(1986)) Efficiencies via Network of Internal Donor-Acceptor Heterojunctions(G. Yu, J. Gao, J. C. Hummelen, F. Wudl, A. J. Heeger, Science, 270, 1789. (1995))
본 명세서는 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물, 이 조성물을 이용한 유기 태양 전지의 제조방법, 및 이에 의하여 얻어진 유기 태양 전지를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 제1 단위, 하기 화학식 2로 표시되는 제2 단위, 및 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 제3 단위를 포함하는 중합체; 및 비할로겐계 용매를 포함하는 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
[화학식 2]
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 화학식 1 내지 4에 있어서,
X1 내지 X6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRR', NR, O, SiRR', PR, S, GeRR', Se 또는 Te이고,
Y1 및 Y2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR", N, SiR", P 또는 GeR"이며,
A1 및 A2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기이고,
Cy1은 치환 또는 비치환된 헤테로고리이며,
Q1 및 Q2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O 또는 S이고,
R, R', R" 및 R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
또한, 본 명세서의 또 하나의 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되고, 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 태양 전지의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 유기물층 중 1층 이상을 전술한 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물을 이용하여 형성하는 것인 유기 태양 전지의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 명세서의 또 하나의 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되고, 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 태양 전지로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 전술한 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물을 이용하여 형성된 것인 유기 태양 전지를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 중합체는 비할로겐계 용매를 이용하여 유기 태양 전지의 유기물층을 제조하는 경우에도 유기 태양 전지에서 고효율을 달성할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 중합체는 전기전도성 물질로 열적 안정성을 가지며, 우수한 용해도 및 높은 전자이동도를 갖는다. 따라서, 유기 태양 전지에 적용하는 경우에 우수한 전기적 특성을 나타낼 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 중합체는 HOMO 에너지 준위가 높아, 이를 포함하는 유기 태양 전지를 구현하는 경우에 효율 특성이 우수하다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지를 나타낸 도이다.
도 2는 비교예 3 및 4에서 소자 제작 결과를 나타낸 사진이다.
도 3은 비교예 6 및 7에서 소자 제작 결과를 나타낸 사진이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서에 있어서 '단위'란 중합체의 단량체에 포함되는 반복되는 구조로서, 단량체가 중합에 의하여 중합체 내에 결합된 구조를 의미한다.
본 명세서에 있어서 '단위를 포함'의 의미는 중합체 내의 주쇄에 포함된다는 의미이다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 에너지 준위는 에너지의 크기를 의미하는 것이다. 따라서, 진공준위로부터 마이너스(-) 방향으로 에너지 준위가 표시되는 경우에도, 에너지 준위는 해당 에너지 값의 절대값을 의미하는 것으로 해석된다. 예컨대, HOMO 에너지 준위란 진공준위로부터 최고 점유 분자 오비탈(highest occupied molecular orbital)까지의 거리를 의미한다. 또한, LUMO 에너지 준위란 진공준위로부터 최저 비점유 분자 오비탈(lowest unoccupied molecular orbital)까지의 거리를 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태는 상기 화학식 1로 표시되는 제1 단위, 상기 화학식 2로 표시되는 제2 단위, 및 상기 화학식 3 또는 4로 표시되는 제3 단위를 포함하는 중합체; 및 비할로겐계 용매를 포함하는 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물을 제공한다.
유기 태양 전지는 가볍고 유연하며 다양한 색을 구현할 수 있기 때문에 많은 곳에서 연구가 진행되고 있지만, 대부분 용액 공정에 사용되는 용매로서 할로겐계 용매를 주로 사용하고 있다. 그러나, 할로겐계 용매는 환경 뿐만 아니라 건강에도 치명적이라, 상용화에 많은 걸림돌이 될 수 있다. 그러나, 본 발명자들이 개발한 상기 중합체는 비할로겐계 용매를 이용한 공정에 의하여 소자에 적용하는 경우에도 고효율의 소자를 제공할 수 있다.
상기 비할로겐계 용매는 상기 조성물에 포함되는 중합체에 대하여 용매로서 역할을 하는 동시에 할로겐을 포함하지 않는 것이 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 비할로겐계 용매는 상기 중합체의 용해도가 0.1wt% 이상, 구체적으로 0.1 wt% 내지 10 wt%일 수 있다. 상기 용해도는 용매 100 wt%를 기준으로 한 것이며, 용해도 측정방법은 예컨대 용매 1 ml에 상기 중합체를 녹여서 파티클이 없이 얼마나 녹는지를 측정하는 방법을 이용할 수 있다. 용해도가 0.1 wt%인 경우, 용매 1 ml 안에 중합체 1mg(0.1wt%)가 녹을 수 있는 것을 의미하고, 용해도가 10wt%인 경우 용매 1 ml 안에 중합체 100 mg(10 wt%)가 녹을 수 있는 것을 의미한다.
본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 비할로겐계 용매는 상대 극성(Relative polarity)이 0.75 이하인 것이 바람직하다. 상기 상대 극성은 극성 인덱스(polarity index)의 상대적인 수치를 의미한다.
본 출원의 일 실시상태에 따르면, 상기 비할로겐계 용매는 비점(boiling point)가 50℃ 내지 300℃인 것이 바람직하다.
상기와 같이, 비할로겐계 용매가 전술한 용해도를 만족하는 경우, 용매에 전술한 중합체를 잘 녹일 수 있으므로, 소자를 용액 공정으로 제작하는 것을 가능하게 한다. 일 예에 따르면, 상기 비할로겐계 용매는 후술하는 전자 받개의 용해도도 0.1 wt% 이상, 예컨대 0.1 wt% 내지 10 wt%인 것이 바람직하다.
또한, 상기와 같이 용해도, 상대 극성 및 비점을 만족하는 경우, 용매에 전자 주개로서 기능하는 중합체와 전자 받개로서 기능하는 물질을 용해시킨 조성물을 이용하여 필름을 형성할 때, 적절한 상분리가 이루어짐으로써 유기 태양 전지의 광활성층의 효율을 향상시킬 수 있다. 구체적으로, 용매에 따라서, 전자 주개와 전자 받개의 용해도가 상이하고, 또한 용매 중의 전자 주개와 전자 받개의 분포가 달라질 수 있으므로, 용매에 따라 최종 제조되는 광활성층의 표면 형태, 모폴로지 및 분자의 결정성에 차이가 발생하고, 이러한 차이가 소자의 성능 및 효율에 영향을 미친다. 상기와 같이 용해도, 상대 극성 및 비점을 만족하는 경우, 매끄러운 표면 특성을 얻을 수 있고, 모폴로지는 10 nm 내외로 적절하게 섞이며, 분자 결정성은 face-on 타입으로 크기 때문에, 소자의 효율이 향상될 수 있다. 상기 조성물에 의하여 형성한 필름 또는 광활성층의 표면은 AFM 또는 TEM 분석에 의하여 확인할 수 있고, 필름 또는 광활성층 내부의 분석은 GIXD 분석에 의하여 수행될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 조성물 100 중량% 중 상기 비할로겐계 용매의 함량은 공정 조건, 함께 사용되는 재료 등에 따라 결정될 수 있다.
상기 비할로겐계 용매는 유기 태양 전지의 광활성층과 같은 유기물층을 형성하는 과정에서 유기물층 내부에 트랩될 수도 있고, 건조 과정에서 모두 증발될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 비할로겐계 용매는 톨루엔, 자일렌, 2-메틸아니솔, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠, 톨릴아세테이트, p-톨릴에테르 및 디페닐에테르 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함할 수 있다. 바람직한 예로서, 상기 비할로겐계 용매는 톨루엔 또는 2-메틸아니솔이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 중합체는 상기 화학식 1로 표시되는 제1 단위; 상기 화학식 2로 표시되는 제2 단위; 및 상기 화학식 3 또는 4로 표시되는 제3 단위를 포함한다.
특히, 상기 중합체는 화학식 2로 표시되는 제2 단위를 포함한다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A1 및 A2는 서로 벤젠고리의 오르소(ortho) 위치에 치환된다. 이 경우, 낮은 결정성을 나타내어 작은 도메인(domain)을 형성한다. 따라서, 이를 포함하는 유기 태양 전지는 우수한 전기적 특성을 나타내고, 효율이 우수하다.
상기 치환기들의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 붕소기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다. 예컨대, "2 이상의 치환기가 연결된 치환기"는 비페닐기일 수 있다. 즉, 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아미드기는 아미드기의 질소가 수소, 탄소수 1 내지 30의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 1 또는 2 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 20인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, i-프로필옥시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 24인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, , , ,, , , 및 등이 될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 헤테로고리기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난트리딜기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기는 N 원자에, 아릴기, 알킬기, 아릴알킬기, 및 헤테로고리기 등으로 치환될 수 있으며, 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 페닐나프틸아민기, 디톨릴아민기, 페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴옥시기, 아릴티옥시기 및 아릴술폭시기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 구체적으로 아릴옥시기로는 페녹시, p-토릴옥시, m-토릴옥시, 3,5-디메틸-페녹시, 2,4,6-트리메틸페녹시, p-tert-부틸페녹시, 3-비페닐옥시, 4-비페닐옥시, 1-나프틸옥시, 2-나프틸옥시, 4-메틸-1-나프틸옥시, 5-메틸-2-나프틸옥시, 1-안트릴옥시, 2-안트릴옥시, 9-안트릴옥시, 1-페난트릴옥시, 3-페난트릴옥시, 9-페난트릴옥시 등이 있고, 아릴티옥시기로는 페닐티옥시기, 2－메틸페닐티옥시기, 4－tert－부틸페닐티옥시기 등이 있으며, 아릴술폭시기로는 벤젠술폭시기, p－톨루엔술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알킬티옥시기 및 알킬술폭시기 중의 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 구체적으로 알킬티옥시기로는 메틸티옥시기, 에틸티옥시기, tert－부틸티옥시기, 헥실티옥시기, 옥틸티옥시기 등이 있고, 알킬술폭시기로는 메틸술폭시기, 에틸술폭시기, 프로필술폭시기, 부틸술폭시기 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 본 명세서에서 알킬티옥시기는 상기 알콕시기의 O 대신 S가 포함되는 화합물을 의미한다.
본 명세서에서 상기 탄화수소고리는 상기 헤테로고리는 시클로헤테로알킬, 시클로헤테로알케닐, 시클로헤테로케톤, 지방족 헤테로고리, 방향족 헤테로고리 또는 이들의 축합고리일 수 있으며, 1가기가 아닌 것을 제외하고, 상기 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, X1은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, X2는 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Y1은 CR"이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, Y2는 CR"이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R1은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1에 있어서, R2는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 단위는 하기 화학식 1-1로 표시된다.
[화학식 1-1]
상기 화학식 1-1에 있어서,
R1 및 R2의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-1에 있어서, R11은 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-1에 있어서, R11은 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기; 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기로 치환된 아릴기; 또는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 직쇄 또는 분지쇄의 알킬티옥시기, 및 할로겐기 중에서 선택되는 1 이상으로 치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-1에 있어서, R11은 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기; 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기로 치환된 페닐기; 또는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 직쇄 또는 분지쇄의 알킬티옥시기, 및 할로겐기 중에서 선택되는 1 이상으로 치환된 티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-1에 있어서, R12는 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-1에 있어서, R12는 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기; 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기로 치환된 아릴기; 또는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 직쇄 또는 분지쇄의 알킬티옥시기, 및 할로겐기 중에서 선택되는 1 이상으로 치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-1에 있어서, R12는 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기; 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기로 치환된 페닐기; 또는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 직쇄 또는 분지쇄의 알킬티옥시기, 및 할로겐기 중에서 선택되는 1 이상으로 치환된 티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 단위는 하기 화학식 1-2 내지 1-6 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 1-2]
[화학식 1-3]
[화학식 1-4]
[화학식 1-5]
[화학식 1-6]
상기 화학식 1-2 내지 1-6에 있어서,
A3 및 A4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기이며,
R111, R112, R211 및 R212는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기이며,
R311 및 R312는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-2 및 1-6에 있어서, R111은 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-2 및 1-6에 있어서, R111은 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-2 및 1-6에 있어서, R111은 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-2 및 1-6에 있어서, R111은 2-에틸헥실기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-2 및 1-6에 있어서, R112는 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-2 및 1-6에 있어서, R112는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-2 및 1-6에 있어서, R112는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-2 및 1-6에 있어서, R112는 2-에틸헥실기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-3에 있어서, R211은 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알킬티옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-3에 있어서, R211은 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 또는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬티옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-3에 있어서, R211는 분지쇄의 알킬기; 또는 분지쇄의 알킬티옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-3에 있어서, R211는 2-에틸헥실기; 또는 2-에틸헥실티옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-3에 있어서, R212는 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알킬티옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-3에 있어서, R212는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 또는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬티옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-3에 있어서, R212는 분지쇄의 알킬기; 또는 분지쇄의 알킬티옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-3에 있어서, R212는 2-에틸헥실기; 또는 2-에틸헥실티옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-4 및 1-5에 있어서, R311은 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-4 및 1-5에 있어서, R311은 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-4 및 1-5에 있어서, R311은 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-4 및 1-5에 있어서, R311은 2-에틸헥실옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-4 및 1-5에 있어서, R312는 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-4 및 1-5에 있어서, R312는 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-4 및 1-5에 있어서, R312는 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1-4 및 1-5에 있어서, R312는 2-에틸헥실옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2에 있어서, X3은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2에 있어서, X4는 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 단위는 하기 화학식 2-1로 표시된다.
[화학식 2-1]
상기 화학식 2-1에 있어서,
R3 내지 R6, A1 및 A2의 정의는 상기 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2에 있어서, R3 내지 R6은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 2에 있어서, A1 및 A2는 불소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 단위는 하기 화학식 2-2로 표시된다.
[화학식 2-2]
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, Cy는 헤테로원자로 N, O, S, Si, Ge, Te, P 및 Se 중 1 이상을 포함하고, 치환 또는 비치환된 헤테로고리이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, Cy는 헤테로원자로 N, O, S, Si, Ge, Te, P 및 Se 중 1 이상을 포함하고, 치환 또는 비치환된 단환의 5원 또는 6원 헤테로고리이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제3 단위는 하기 화학식 3-1 또는 3-2로 표시된다.
[화학식 3-1]
[화학식 3-2]
상기 화학식 3-1 및 3-2에 있어서,
R7 및 R8의 정의는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하며,
X7은 CRR', NR, O, SiRR', PR, S, GeRR', Se 또는 Te이고,
Y3 내지 Y6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR", N, SiR", P 또는 GeR"이며,
R, R', R", R9 및 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 4에 있어서, X5는 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 4에 있어서, X6은 NR이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 4에 있어서 Q1 및 Q2는 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제3 단위는 하기 화학식 3-3 내지 3-7 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 3-3]
[화학식 3-4]
[화학식 3-5]
[화학식 3-6]
[화학식 3-7]
상기 화학식 3-3 내지 3-7에 있어서,
R7 및 R8의 정의는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하고,
R9 및 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R7은 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R7은 수소; 또는 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R7은 수소; 또는 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R7은 수소; 또는 직쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R7은 수소; 또는 직쇄의 C1-C20의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R7은 수소; 또는 직쇄의 C10-C20의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R7은 수소; 또는 n-도데실옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R7은 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R7은 C3-C20의 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R7은 C10-C20의 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R7은 2-부틸옥틸옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R8은 수소; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R8은 수소; 또는 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R8은 수소; 또는 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R8은 수소; 또는 직쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R8은 수소; 또는 직쇄의 C1-C20의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R8은 수소; 또는 직쇄의 C10-C20의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R8은 수소; 또는 n-도데실옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R8은 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R8은 C3-C20의 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R8은 C10-C20의 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3에 있어서, R8은 2-부틸옥틸옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R7은 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R7은 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R7은 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R7은 직쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R7은 수소; 또는 C1-C20의 직쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R7은 수소; 또는 C10-C20의 직쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R7은 n-도데실옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R7은 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R7은 C3-C20의 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R7은 C10-C20의 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R7은 2-부틸옥틸옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R8은 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R8은 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R8은 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R8은 직쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R8은 수소; 또는 C1-C20의 직쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R8은 수소; 또는 C10-C20의 직쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R8은 n-도데실옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R8은 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R8은 C3-C20의 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R8은 C10-C20의 분지쇄의 알콕시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-3 및 3-4에 있어서, R8은 2-부틸옥틸옥시기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-5 및 3-6에 있어서, R7 및 R8은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-5에 있어서, R9는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-5에 있어서, R9는 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-5에 있어서, R9는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-5에 있어서, R9는 분지쇄의 C6-C15의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-5에 있어서, R9는 분지쇄의 C8-C12의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-5에 있어서, R9는 2-에틸헥실기 또는 2-부틸옥틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-6에 있어서, R9 및 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-6에 있어서, R9 및 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기로 치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-6에 있어서, R9 및 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직쇄 또는 분지쇄의 알콕시기로 치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-6에 있어서, R9 및 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 직쇄의 알콕시기로 치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-6에 있어서, R9 및 R10은 n-옥틸옥시기로 치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-7에 있어서, R9는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-7에 있어서, R9는 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-7에 있어서, R9는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 3-7에 있어서, R9는 2-에틸헥실기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 중합체는 하기 화학식 5로 표시되는 단위를 포함한다.
[화학식 5]
상기 화학식 5에 있어서,
l은 몰분율로서, 0 < l < 1인 실수이며,
m은 몰분율로서, 0 < m < 1인 실수이고,
l+m = 1이며,
A는 상기 화학식 1로 표시되는 제1 단위이고,
B는 상기 화학식 2로 표시되는 제2 단위이며,
C 및 C'는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 상기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 제3 단위이고,
n은 단위의 반복수로서, 1 내지 10,000의 정수이다.
본 명세서의 화학식 2-1로 표시되는 제2 단위 중 A1 및 A2와 티오펜의 S 원자; 또는 화학식 2-1로 표시되는 제2 단위 중 A1 및 A2와 화학식 1-1로 표시되는 제1 단위의 S원자가 서로 상호작용을 한다.
여기서 상호작용이란, 화학 구조 또는 화학 구조를 구성하는 원자들이 서로 공유 결합 이외의 작용에 의하여 영향을 주고 받는 비공유 결합성 상호 작용을 하는 것을 의미하며, 예컨대, 칼코겐(chalcogen) 결합을 의미할 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 3-3 내지 3-7 중 어느 하나로 표시 제3 단위는 R7 및 R8을 포함함으로써, R7, R8의 O원자; 화학식 2로 표시되는 제2 단위의 A1 및 A2; 및 화학식 1로 표시되는 제1 단위의 S 원자가 서로 상호작용을 통하여, 평면 구조(planar structure)를 형성할 수 있다.
따라서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 중합체를 포함하는 경우에는 전류의 증가를 유도할 수 있어, 높은 효율의 소자를 제공할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 A는 상기 화학식 1-1로 표시되는 제1 단위이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 B는 상기 화학식 2-1로 표시되는 제2 단위이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 C는 상기 3-3 내지 3-7 중에서 선택되는 어느 하나로 표시되는 제3 단위이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 C'는 상기 3-3 내지 3-7 중에서 선택되는 어느 하나로 표시되는 제3 단위이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 중합체는 하기 화학식 5-1 또는 5-2로 표시되는 단위를 포함한다.
[화학식 5-1]
[화학식 5-2]
상기 화학식 5-1 및 5-2에 있어서,
X1 내지 X6, Y1, Y2, R1 내지 R8, Cy1, Q1, Q2, A1 및 A2의 정의는 상기 화학식 1 내지 4에서 정의한 바와 동일하고,
Cy11은 치환 또는 비치환된 헤테로고리이며,
Q11 및 Q12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O 또는 S이고,
X15 및 X16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRR', NR, O, SiRR', PR, S, GeRR', Se 또는 Te이며,
R, R' 및 R17 및 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
l은 몰분율로서, 0 < l < 1인 실수이며,
m은 몰분율로서, 0 < m < 1인 실수이고,
l+m = 1이며,
n은 단위의 반복수로서, 1 내지 10,000의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 중합체는 하기 화학식 5-3으로 표시되는 단위를 포함한다.
[화학식 5-3]
상기 화학식 5-3에 있어서,
A1 내지 A4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기이고,
R107, R108, R207 및 R208은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기이며,
R111 및 R112는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기이고,
l은 몰분율로서, 0 < l < 1인 실수이며,
m은 몰분율로서, 0 < m < 1인 실수이고,
l+m = 1이며,
n은 단위의 반복수로서, 1 내지 10,000의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 중합체는 하기 화학식 5-4 내지 5-39 중 어느 하나로 표시되는 단위를 포함한다.
[화학식 5-4]
[화학식 5-5]
[화학식 5-6]
[화학식 5-7]
[화학식 5-8]
[화학식 5-9]
[화학식 5-10]
[화학식 5-11]
[화학식 5-12]
[화학식 5-13]
[화학식 5-14]
[화학식 5-15]
[화학식 5-16]
[화학식 5-17]
[화학식 5-18]
[화학식 5-19]
[화학식 5-20]
[화학식 5-21]
[화학식 5-22]
[화학식 5-23]
[화학식 5-24]
[화학식 5-25]
[화학식 5-26]
[화학식 5-27]
[화학식 5-28]
[화학식 5-29]
[화학식 5-30]
[화학식 5-31]
[화학식 5-32]
[화학식 5-33]
[화학식 5-34]
[화학식 5-35]
[화학식 5-36]
[화학식 5-37]
[화학식 5-38]
[화학식 5-39]
상기 화학식 5-4 내지 5-39에 있어서,
l은 몰분율로서, 0 < l < 1인 실수이며,
m은 몰분율로서, 0 < m < 1인 실수이고,
l+m = 1이며,
n은 단위의 반복수로서, 1 내지 10,000의 정수이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 l은 0.5이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 m은 0.5이다.
본 명세서의 다른 실시상태에 있어서, 상기 l은 0.75이다.
본 명세서의 일 실시상태에에 있어서, 상기 m은 0.25이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 중합체는 랜덤 중합체다. 또한, 랜덤 중합체의 경우에 용해도가 향상되어, 소자의 제조 공정상 시간 비용적으로 경제적인 효과가 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 중합체의 말단기는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기 또는 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 중합체의 말단기는 할로겐기, 알킬기 또는 할로알킬기로 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 또는 할로겐기, 알킬기 또는 할로알킬기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 중합체의 말단기는 할로겐기, C1-C6 알킬기 또는 C1-C6 플루오로알킬기로 치환 또는 비치환된 헤테로고리기; 또는 할로겐기, C1-C6 알킬기 또는 C1-C6 할로알킬기로 치환 또는 비치환된 아릴기이다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 중합체의 말단기는 4-(트리플루오로메틸)페닐기(4-(trifluoromethyl)phenyl)이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 중합체의 말단기는 브로모 티오펜기(bromo-thiophene)이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 중합체의 말단기는 트리플루오로-벤젠기(trifluoro-benzene)이다.
본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 중합체는 말단기를 갖지 않을 수 있다. 다시 말하면, 상기 중합체는 앤드 캡핑이 없는 중합체일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 중합체의 수평균 분자량은 5,000 g/mol 내지 1,000,000 g/mol이 바람직하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 중합체는 1 내지 10의 분자량 분포를 가질 수 있다. 바람직하게는 상기 중합체는 1 내지 3의 분자량 분포를 가진다.
분자량 분포는 낮을수록, 수평균 분자량이 커질수록 전기적 특성과 기계적 특성이 더 좋아진다.
또한, 일정 이상의 용해도를 가져서 용액도포법 적용이 유리하도록 하기 위해 수평균 분자량은 100,000이하인 것이 바람직하다.
상기 분자량은 클로로벤젠을 용매로 하여, GPC로 측정하여 수평균분자량(Mn) 및 중량평균분자량(Mw)을 측정하였으며, 분자량 분포는 중량평균분자량(Mw)을 수평균분자량(Mn)으로 나눈 수치, 즉 중량평균분자량(Mw)/수평균분자량(Mn)을 의미한다.
상기 중합체는 후술하는 제조예를 기초로 제조될 수 있다. 상기 중합체 각 단위의 단량체를 클로로 벤젠을 용매로 하여, Pd2(dba)3, P(o-tolyl)3, 넣고 마이크로웨이브 반응기로 중합하여 제조하였다.
본 명세서에 따른 중합체는 다단계 화학반응으로 제조할 수 있다. 알킬화 반응, 그리냐르(Grignard) 반응, 스즈끼(Suzuki) 커플링 반응 및 스틸(Stille) 커플링 반응 등을 통하여 모노머들을 제조한 후, 스틸 커플링 반응 등의 탄소-탄소 커플링 반응을 통하여 최종 중합체들을 제조할 수 있다. 도입하고자 하는 치환기가 보론산(boronic acid) 또는 보론산 에스터(boronic ester) 화합물인 경우에는 스즈키 커플링 반응을 통해 제조할 수 있고, 도입하고자 하는 치환기가 트리부틸틴(tributyltin) 또는 트리메틸틴(trimethyltin) 화합물인 경우에는 스틸 커플링 반응을 통해 제조할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 조성물은 전자 받개를 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 전자 받개로는 전술한 중합체와의 관계에서 전자 받개 역할을 할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 비플러렌계(non-fullerene)계 화합물, 플러렌, 플러렌 유도체, 바소쿠프로인, 반도체성 원소, 반도체성 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 화합물이 사용될 수 있다. 구체적으로 플러렌(fullerene), 플러렌 유도체(PC61BM((6,6)-phenyl-C61-butyric acid-methylester), PC71BM((6,6)-phenyl-C71-butyric acid-methylester), PC70BM((6,6)-phenyl-C70-butyric acid-methylester), 또는 PC61BCR((6,6)-phenyl-C61-butyric acid-cholesteryl ester), 페릴렌(perylene) PBI(polybenzimidazole), 및 PTCBI(3,4,9,10-perylene-tetracarboxylic bis-benzimidazole)로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2 이상의 화합물이 사용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 받개는 하기 화학식 A로 표시될 수 있다:
[화학식 A]
상기 화학식 A에 있어서,
상기 R201 내지 R204는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
A101 내지 A108은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A에 있어서, R201 내지 R201 내지 R204는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A에 있어서, R201 내지 R201 내지 R204는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 알킬기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 또는 알킬기로 치환 또는 비치환된 티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A에 있어서, R201 내지 R201 내지 R204는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 n-헥실기로 치환된 페닐기; 또는 n-헥실기로 치환된 티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A에 있어서, R201 내지 R201 내지 R204는 n-헥실기로 치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A에 있어서, R201 내지 R201 내지 R204는 n-헥실기로 치환된 티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A에 있어서, A101 내지 A108은 수소; 불소; 또는 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A에 있어서, A101 내지 A104는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 불소; 또는 직쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A에 있어서, A101 내지 A104는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 불소; 또는 메틸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 A는 하기 화학식 A-1 내지 A-5 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 A-1]
[화학식 A-2]
[화학식 A-3]
[화학식 A-4]
[화학식 A-5]
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 전술한 중합체는 전자 주개 역할을 할 수 있고, 상기 전자 주개 및 전자 받개는 벌크 헤테로 정션(BHJ)을 구성한다.
상기 벌크 헤테로 정션이란 유기 태양 전지의 광활성층에서 전자 주개 물질과 전자 받개 물질이 서로 섞여 있는 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 주개는 전술한 중합체 외에 추가의 전자 주개 화합물 또는 중합체를 포함할 수도 있고, 전술한 중합체만으로 이루어질 수도 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 전자 주개와 상기 전자 받개는 질량비 2:1 내지 1:4로 포함될 수 있고, 바람직하게는 질량비 1:1 내지 1:4로 포함될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물은 첨가제를 더 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 첨가제의 분자량은 50 g/mol 내지 500 g/mol이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 첨가제의 끓는점은 30℃ 내지 300℃의 유기물이다.
본 명세서에서 유기물이란 탄소 원자를 적어도 1 이상 포함하는 물질을 의미한다.
하나의 실시상태에 있어서, 상기 첨가제는 및 N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 1,8-다아이오도옥탄(DIO:1,8-diiodooctane), 1-클로로나프탈렌(1-CN:1-chloronaphthalene), 다이페닐에테르 (DPE:diphenylether), 옥탄디티올(octane dithiol) 및 테트라브로모싸이오펜(tetrabromothiophene)으로 이루어진 군에서 선택되는 첨가제 중에서 1 또는 2 종의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
상기 첨가제는 상기 조성물 또는 후술하는 유기 태양 전지의 광활성층의 전체 부피에 대하여, 0.1 v/v% 내지 5 v/v% 포함할 수 있으며, 구체적으로 0.3 v/v% 내지 0.8 v/v% 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되고, 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 태양 전지의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 유기물층 중 1층 이상을 전술한 실시상태들에 따른 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물을 이용하여 형성하는 것인 유기 태양 전지의 제조방법을 제공한다. 여기서, 전술한 실시상태들에 따른 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물을 이용하여 상기 유기물층 중 1층 이상을 형성하는 것을 제외하고는 당 기술분야의 전지 구조, 재료 및 방법이 적용될 수 있다. 예컨대, 상기 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물을 이용하여 상기 유기물층 중 1층 이상을 형성하는 것은 상기 조성물을 코팅함으로써 형성할 수 있다. 필요에 따라, 조성물의 코팅 후 건조 또는 경화를 수행할 수 있다. 상기 코팅은 당기술분야에 알려져 있는 방법을 이용할 수 있으며, 예컨대 스핀코팅, 슬롯다이, 바코터, 닥터블레이드 딥코팅 방법 등이 적용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되고, 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 태양 전지로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 전술한 실시상태들에 따른 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물을 이용하여 형성된 것인 유기 태양 전지를 제공한다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서의 일 실시예에 따른 유기 태양 전지는 제1 전극, 광활성층 및 제2 전극을 포함한다. 여기서, 광활성층이 전술한 실시상태들에 따른 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물을 포함할 수 있다. 상기 유기 태양 전지는 기판, 정공수송층 및/또는 전자수송층이 더 포함될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지가 외부 광원으로부터 광자를 받으면 엑시톤은 광활성층의 전자 주개와 전자 받개의 계면에서 전자와 정공으로 분리된다. 분리된 정공은 광활성층에서 전자 주개(도너)를 통하여 정공 수송층을 거쳐 양극으로 수송되고, 분리된 전자는 광활성층에서 전자 받개(억셉터)를 통하여 전자 수송층을 거쳐 음극으로 수송된다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공 수송층, 정공 주입층 또는 정공 수송과 정공 주입을 동시에 하는 층을 포함하고, 상기 정공 수송층, 정공 주입층 또는 정공 수송과 정공 주입을 동시에 하는 층은 상기 중합체를 포함한다.
또 하나의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층, 전자 수송층 또는 전자 주입과 전자 수송을 동시에 하는 층을 포함하고, 상기 전자주입층, 전자 수송층 또는 전자 주입과 전자 수송을 동시에 하는 층은 상기 중합체를 포함한다.
도 1 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지를 나타낸 도이며, 제1 전극(101) 상에 전자수송층(102), 광활성층(103) 및 정공수송층(104) 및 제2 전극(105)이 차례로 적층된 구조이나, 본 명세서의 유기 태양 전지의 구조는 이에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 부가적인 유기물층을 더 포함할 수 있다. 상기 유기 태양 전지는 여러 기능을 동시에 갖는 유기물을 사용하여 유기물층의 수를 감소시킬 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 애노드이고, 상기 제2 전극은 캐소드이다. 또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 캐소드이고, 상기 제2 전극은 애노드이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 유기 태양 전지는 캐소드, 광활성층 및 애노드 순으로 배열될 수도 있고, 애노드, 광활성층 및 캐소드 순으로 배열될 수도 있으나, 이에 한정되지 않는다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 애노드, 정공수송층, 광활성층, 전자수송층 및 캐소드 순으로 배열될 수도 있고, 캐소드, 전자수송층, 광활성층, 정공수송층 및 애노드 순으로 배열될 수도 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 노멀(Normal)구조이다. 상기 노말 구조는 기판 상에 애노드가 형성되는 것을 의미할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 태양 전지가 노말 구조인 경우, 기판 상에 형성되는 제1 전극이 애노드일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 인버티드(Inverted) 구조이다. 상기 인버티드 구조는 기판 상에 캐소드가 형성되는 것을 의미할 수 있다. 구체적으로, 본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 태양 전지가 인버티드 구조인 경우, 기판 상에 형성되는 제1 전극이 캐소드일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 태양 전지는 탠덤 (tandem) 구조이다. 이 경우 상기 유기 태양 전지는 2 층 이상의 광활성층을 포함할 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 태양 전지는 광활성층이 1층 또는 2층 이상일 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 버퍼층이 광활성층과 정공수송층 사이 또는 광활성층과 전자수송층 사이에 구비될 수 있다. 이때, 정공 주입층이 애노드와 정공수송층 사이에 더 구비될 수 있다. 또한, 전자주입층이 캐소드와 전자수송층 사이에 더 구비될 수 있다.
본 명세서에서 상기 기판은 투명성, 표면평활성, 취급용이성 및 방수성이 우수한 유리기판 또는 투명 플라스틱 기판이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 유기 태양 전지에 통상적으로 사용되는 기판이면 제한되지 않는다. 구체적으로 유리 또는 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthalate), PP(polypropylene), PI(polyimide), TAC(triacetyl cellulose) 등이 있으나. 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 전극은 투명하고 전도성이 우수한 물질이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸싸이오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)싸이오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 전극의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으나, 예컨대 스퍼터링, E-빔, 열증착, 스핀코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 닥터 블레이드 또는 그라비아 프린팅법을 사용하여 기판의 일면에 도포되거나 필름형태로 코팅됨으로써 형성될 수 있다.
상기 제1 전극을 기판 상에 형성하는 경우, 이는 세정, 수분제거 및 친수성 개질 과정을 거칠 수 있다.
예컨대, 패터닝된 ITO 기판을 세정제, 아세톤, 이소프로필 알코올(IPA)로 순차적으로 세정한 다음, 수분 제거를 위해 가열판에서 100℃ 내지 150℃에서 1분 내지 30분간, 바람직하게는 120℃에서 10분간 건조하고, 기판이 완전히 세정되면 기판 표면을 친수성으로 개질한다.
상기와 같은 표면 개질을 통해 접합 표면 전위를 광활성층의 표면 전위에 적합한 수준으로 유지할 수 있다. 또한, 개질 시 제1 전극 위에 고분자 박막의 형성이 용이해지고, 박막의 품질이 향상될 수도 있다.
제1 전극의 전 처리 기술로는 a) 평행 평판형 방전을 이용한 표면 산화법, b) 진공상태에서 UV 자외선을 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 방법, 및 c) 플라즈마에 의해 생성된 산소 라디칼을 이용하여 산화하는 방법 등이 있다.
제1 전극 또는 기판의 상태에 따라 상기 방법 중 한가지를 선택할 수 있다. 다만, 어느 방법을 이용하든지 공통적으로 제1 전극 또는 기판 표면의 산소이탈을 방지하고 수분 및 유기물의 잔류를 최대한 억제하는 것이 바람직하다. 이 때, 전 처리의 실질적인 효과를 극대화할 수 있다.
구체적인 예로서, UV를 이용하여 생성된 오존을 통해 표면을 산화하는 방법을 사용할 수 있다. 이 때, 초음파 세정 후 패터닝된 ITO 기판을 가열판(hot plate)에서 베이킹(baking)하여 잘 건조시킨 다음, 챔버에 투입하고, UV 램프를 작용시켜 산소 가스가 UV 광과 반응하여 발생하는 오존에 의하여 패터닝된 ITO 기판을 세정할 수 있다.
그러나, 본 명세서에 있어서의 패터닝된 ITO 기판의 표면 개질 방법은 특별히 한정시킬 필요는 없으며, 기판을 산화시키는 방법이라면 어떠한 방법도 무방하다.
상기 제2 전극은 일함수가 작은 금속이 될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 구체적으로 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Fe, Al:Li, Al:BaF2, Al:BaF2:Ba와 같은 다층 구조의 물질이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제2 전극은 5x10-7torr 이하의 진공도를 보이는 열증착기 내부에서 증착되어 형성될 수 있으나, 이 방법에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공수송층 및/또는 전자수송층 물질은 광활성층에서 분리된 전자와 정공을 전극으로 효율적으로 전달시키는 역할을 담당하며, 물질을 특별히 제한하지는 않는다.
상기 정공수송층 물질은 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenediocythiophene) doped with poly(styrenesulfonic acid)), 몰리브데늄 산화물(MoOx); 바나듐 산화물(V2O5); 니켈 산화물(NiO); 및 텅스텐 산화물(WOx) 등이 될 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자수송층 물질은 전자추출금속 산화물(electron-extracting metal oxides)이 될 수 있으며, 구체적으로 8-히드록시퀴놀린의 금속착물; Alq3를 포함한 착물; Liq를 포함한 금속착물; LiF; Ca; 티타늄 산화물(TiOx); 아연 산화물(ZnO); 바나듐 산화물(VOx); 세슘 카보네이트(Cs2CO3); NPE(non-conjugated polyelectrolytes), 예컨대 PEI(polyethyleneimine), PEIE(polyethyleneimine ethoxylate), PAA(polyallylamine) 등이 될 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
광활성층은 전자 주개 및 전자 받개를 포함하는 조성물을 유기용매에 용해시킨 후 용액을 스핀 코팅, 딥코팅, 스크린 프린팅, 스프레이 코팅, 닥터 블레이드, 브러쉬 페인팅 등의 방법으로 형성할 수 있으나, 이들 방법에만 한정되는 것은 아니다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예를 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
[중합체의 합성]
합성예 1
단량체 A-1, B-1 및 C-1를 클로로 벤젠을 용매로 하여, Pd2(dba)3 및 P(o-tolyl)3와 함께 넣고 마이크로웨이브 반응기로 중합하여 하기 중합체 1을 제조하였다.
합성예 2
상기 단량체 A-1 대신 하기 단량체 A-2를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 같은 방법으로 수행하여 하기 중합체 2를 제조하였다.
합성예 3
상기 단량체 C-1 대신 하기 단량체 C-2를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 같은 방법으로 수행하여 하기 중합체 3을 제조하였다.
합성예 4
상기 단량체 A-1 대신 하기 단량체 A-2를 사용하고, 상기 단량체 C-1 대신 하기 단량체 C-2를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 같은 방법으로 수행하여 하기 중합체 4를 제조하였다.
합성예 5
상기 단량체 A-1 대신 하기 단량체 A-3를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 같은 방법으로 수행하여 하기 중합체 5를 제조하였다.
합성예 6
상기 단량체 A-1 대신 하기 단량체 A-4를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 같은 방법으로 수행하여 하기 중합체 6을 제조하였다.
합성예 7
상기 단량체 C-1 대신 하기 단량체 C-3를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 같은 방법으로 수행하여 하기 중합체 7을 제조하였다.
합성예 8
상기 단량체 A-1 대신 하기 단량체 A-2를 사용하고, 상기 단량체 C-1 대신 하기 단량체 C-3를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 같은 방법으로 수행하여 하기 중합체 8을 제조하였다.
합성예 9
상기 단량체 A-1 대신 하기 단량체 A-3를 사용하고, 상기 단량체 C-1 대신 하기 단량체 C-3를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 같은 방법으로 수행하여 하기 중합체 9를 제조하였다.
합성예 10
상기 단량체 C-1 대신 하기 단량체 C-4를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 같은 방법으로 수행하여 하기 중합체 10을 제조하였다.
합성예 11
상기 단량체 A-1 대신 하기 단량체 A-2를 사용하고, 상기 단량체 C-1 대신 하기 단량체 C-4를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 같은 방법으로 수행하여 하기 중합체 11을 제조하였다.
합성예 12
상기 단량체 A-1 대신 하기 단량체 A-3를 사용하고, 상기 단량체 C-1 대신 하기 단량체 C-4를 사용한 것을 제외하고는 상기 합성예 1과 같은 방법으로 수행하여 하기 중합체 12를 제조하였다.
합성예 1 내지 12에서 제조된 중합체의 분자량 및 분자량 분포를 하기 표 1에 나타내었다.
Mn (수평균 분자량) Mw (중량평균분자량) PDI
(분자량 분포, Mw/Mn)
중합체 1 33,860 57,490 1.7
중합체 2 62,300 71,900 1.15
중합체 3 28,500 42,720 1.50
중합체 4 35,870 48,250 1.34
중합체 5 34,580 43,770 1.26
중합체 6 27,850 36,290 1.3
중합체 7 19,930 28,590 1.43
중합체 8 20,080 30,220 1.50
중합체 9 25,370 34,290 1.35
중합체 10 29,930 40,590 1.35
중합체 11 31,220 39,680 1.27
중합체 12 33,420 42,290 1.26
상기 표 1에서 분자량은 클로로벤젠을 용매로 하여, GPC로 측정하여 수평균분자량(Mn) 및 중량평균분자량(Mw)을 측정하였으며, 분자량 분포는 중량평균분자량(Mw)을 수평균분자량(Mn)으로 나눈 수치, 즉 중량평균분자량(Mw)/수평균분자량(Mn)를 의미한다.
상기에는 중합체 1 내지 12의 합성법만 예시하였으나, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1, 2, 및 3 또는 1, 2 및 4의 치환기를 적절하게 변경하여, 상기 중합체 이외의 중합체를 합성할 수 있다.
[유기 태양 전지의 제조]
실시예 1.
상기 중합체 1과 하기 화학식 A-1을 중량비 1:2 로 톨루엔에 녹여 복합 용액(composit solution)을 제조하였다. 이때, 농도는 2wt%로 조절하였으며, 이를 이용하여 유기 태양 전지를 ITO/ZnO/광활성층/MoO3/Ag의 인버티드 구조로 제작하였다.
구체적으로, 기판 상에 제1 전극으로서 ITO를 형성하고 ITO 기판은 증류수, 아세톤, 2-프로판올을 이용하여 초음파 세척하고, ITO 표면을 10 분 동안 오존 처리하였다.
ITO 상에 ZnO를 스핀 코팅(spin-coating)하여 전자수송층(두께 40 nm)을 형성시켰다. 그 다음, 상기 중합체 1과 하기 화학식 A-1의 복합 용액을 상기 전자수송층 상에 스핀코팅하여, 광활성층을 형성하였으며(두께 100 nm), 상기 광활성층 상에 MoO3를 10nm의 두께로 증착하여 정공수송층을 형성하였다. 마지막으로, 제2 전극 형성을 위해 3x10-8 torr 진공 하에서 열 증발기(thermal evaporator)를 이용하여 100nm의 두께로 Ag를 증착하여 유기 태양 전지를 제조하였다.
[화학식 A-1]
실시예 2.
상기 실시예 1에서 상기 화학식 A-1 대신 하기 화학식 A-2를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
[화학식 A-2]
실시예 3.
상기 실시예 1에서 상기 중합체 1 대신 상기 중합체 2를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
실시예 4.
상기 실시예 3에서 상기 화학식 A-1 대신 상기 화학식 A-2를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 3과 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
실시예 5 ~ 실시예 14
상기 실시예 1에서 상기 중합체 1 대신 하기 중합체 3 내지 12를 각각 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
실시예 15 내지 28
용매로서 톨루엔 대신 2-메틸아니솔을 사용한 것을 제외하고는 각각 실시예 1 내지 14와 동일하게 실시하여 유기 태양 전지를 제조하였다.
비교예 1
상기 실시예 1에서 상기 중합체 1 대신 하기 비교 화합물 1을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
[비교 화합물 1]
(수평균분자량(Mn) = 33,450)
비교예 2
상기 비교 화합물 1과 상기 화학식 A-1의 화합물의 질량비를 1:1.5로 사용한 것을 제외하고는 상기 비교예 1과 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
비교예 3 및 4
용매로서 톨루엔 대신 2-메틸아니솔을 사용한 것을 제외하고는 각각 상기 비교예 1 및 2와 동일한 방법으로 실시하였다. 그러나, 도 2에 도시된 바와 같이 재료가 용매에 녹지 않아 필름이 형성되지 않았고, 이에 따라 소자 제작이 불가하였다.
비교예 5
상기 실시예 1에서 상기 중합체 1 대신 하기 비교 화합물 2를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
[비교 화합물 2]
(한국 특허 등록 10-1677841호)
비교예 6 및 7
용매로서 톨루엔 대신 2-메틸아니솔을 사용하고, 비교 화합물 2와 화학식 A-1의 화합물을 질량비 1:2(비교예 6) 및 1:1.5(비교예 7)로 사용한 것을 제외하고는 상기 비교예 5와 동일한 방법으로 실시하였다. 그러나, 도 3에 도시된 바와 같이 재료가 용매에 녹지 않아 필름이 형성되지 않았고, 이에 따라 소자 제작이 불가하였다.
비교예 8
상기 실시예 10에서 상기 중합체 8 대신 하기 비교 화합물 3을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 10과 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
[비교 화합물 3]
비교예 9
상기 비교예 8에서 용매로서 톨루엔 대신 2-메틸아니솔을 사용한 것을 제외하고는 상기 비교예 8과 동일한 방법으로 유기 태양 전지를 제조하였다.
상기 비교예 및 실시예에서 제조된 유기 태양 전지의 광전변환특성을 100 mW/cm2(AM 1.5) 조건에서 측정하고, 하기 표 2에 그 결과를 나타내었다.
Voc (V) Jsc (mA/cm2) FF η (%)
실시예 1 0.824 14.256 0.706 8.30
실시예 2 0.786 16.520 0.616 8.00
실시예 3 1.007 14.407 0.594 8.62
실시예 4 0.874 15.240 0.684 9.12
실시예 5 0.902 14.134 0.654 8.34
실시예 6 0.966 15.116 0.557 8.14
실시예 7 0.902 12.438 0.654 7.34
실시예 8 0.893 13.465 0.668 8.03
실시예 9 0.893 14.206 0.667 8.46
실시예 10 0.962 15.310 0.548 8.07
실시예 11 0.917 13.448 0.645 7.95
실시예 12 0.906 13.765 0.659 8.22
실시예 13 0.978 14.912 0.542 7.90
실시예 14 0.926 14.513 0.594 7.98
실시예 15 0.836 15.884 0.613 8.14
실시예 16 0.782 16.195 0.630 7.98
실시예 17 1.002 14.226 0.586 8.35
실시예 18 0.846 17.740 0.566 8.49
실시예 19 0.844 15.417 0.603 7.85
실시예 20 0.988 14.049 0.563 7.82
실시예 21 0.896 13.899 0.636 7.92
실시예 22 0.845 16.961 0.522 7.49
실시예 23 0.885 13.333 0.690 8.14
실시예 24 0.997 14.546 0.508 7.37
실시예 25 0.902 12.639 0.641 7.30
실시예 26 0.877 12.988 0.706 8.04
실시예 27 0.965 14.453 0.525 7.33
실시예 28 0.889 13.978 0.595 7.40
비교예 1 0.703 2.662 0.517 0.97
비교예 2 0.755 2.983 0.420 0.95
비교예 5 0.588 1.717 0.367 0.37
비교예 8 0.924 4.107 0.312 1.19
비교예 9 0.687 4.739 0.324 1.06
상기 Voc는 개방전압을, Jsc는 단락전류를, FF는 충전율(Fill factor)를, η 는 에너지 변환 효율을 의미한다. 개방전압과 단락전류는 각각 전압-전류 밀도 곡선의 4사분면에서 X축과 Y축 절편이며, 이 두 값이 높을수록 태양 전지의 효율은 바람직하게 높아진다. 또한 충전율(Fill factor)은 곡선 내부에 그릴 수 있는 직사각형의 넓이를 단락전류와 개방전압의 곱으로 나눈 값이다. 이 세 가지 값을 조사된 빛의 세기로 나누면 에너지 변환 효율을 구할 수 있으며, 높은 값일수록 바람직하다.
상기 표 2에 있어서, 본 명세서의 실시상태들에 따른 중합체를 사용한 실시예에서는 톨루엔 또는 2-메틸아니솔과 같은 비할로겐계 용매를 이용하여 전지를 제조하는 경우에도 우수한 효율을 나타내었으나, 비교 화합물들을 사용하는 경우 비할로겐계 용매를 사용하는 경우 효율이 극히 낮아짐을 확인할 수 있었다. 구체적으로, 비교예 1에서 사용된 PTB7-TH의 경우는 당업계에서 잘 알려진 고효율 물질로서, 클로로벤젠과 같은 할로겐계 용매를 사용하였을 때, PCBM과 함께 사용시 약 11%, 상기 화학식 A-1과 함께 사용시 약 7~8%의 효율을 달성할 수 있는 것으로 알려져 있다(DOI: 10.1002/adma.201404317 또는 DOI: 10.1002/adma.201404317). 또한, 비교예 5에서 사용된 비교 화합물 2 역시 할로겐계 용매 사용시 고효율을 낼 수 있다(한국 특허 등록 10-1677841호). 그러나, 상기 표 2의 비교예 1 ,2 및 5와 같이 비할로겐계 용매 사용시에는 개방전압이 매우 높고 단락전류 및 에너지 변환 효율이 극히 작은 것을 확인할 수 있었다.
또한, 용매로 2-메틸아니솔을 사용하는 경우에도 실시예에서는 우수한 특성을 나타내는 유기 태양 전지를 제작한 반면, 비교예 3, 4, 6 및 7에서는 재료가 녹지 않아 필름을 제작할 수 없어, 소자 제작이 불가능하였다.
또한, 실시예 10과 비교예 8을, 실시예 24와 비교예 9를 각각 비교하여 보면, 중합체의 제2 단위에서 불소가 벤젠고리의 para 위치에 치환된 비교 화합물 3을 사용한 경우, ortho 위치에 치환된 중합체 8을 사용한 경우에 비해 에너지 변환 효율이 현저히 낮은 것을 확인할 수 있다. 구체적으로, 용매로서 톨루엔을 사용한 비교예 8과 2-메틸아니솔을 사용한 비교예 9 모두 소자 효율이 1% 대로 측정된 것을 확인할 수 있다.
101: 제1 전극
102: 전자수송층
103: 광활성층
104: 정공수송층
105: 제2 전극

Claims (15)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 제1 단위, 하기 화학식 2로 표시되는 제2 단위, 및 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 제3 단위를 포함하는 중합체; 및
    비할로겐계 용매를 포함하는 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물:
    [화학식 1]

    [화학식 2]

    [화학식 3]

    [화학식 4]

    상기 화학식 1 내지 4에 있어서,
    X1 내지 X6는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRR', NR, O, SiRR', PR, S, GeRR', Se 또는 Te이고,
    Y1 및 Y2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 CR", N, SiR", P 또는 GeR"이며,
    A1 및 A2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기이고,
    Cy1은 치환 또는 비치환된 헤테로고리이며,
    Q1 및 Q2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O 또는 S이고,
    R, R', R" 및 R1 내지 R8은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 비할로겐계 용매는 상기 중합체의 용해도가 0.1wt% 이상인 것인 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 비할로겐계 용매는 톨루엔, 자일렌, 2-메틸아니솔, 에틸벤젠, 트리메틸벤젠, 톨릴아세테이트, p-톨릴에테르 및 디페닐에테르 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 포함하는 것인 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 조성물은 전자 받개를 더 포함하는 것인 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물.
  5. 청구항 4에 있어서, 상기 전자 받개는 하기 화학식 A로 표시되는 것인 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물:
    [화학식 A]

    상기 화학식 A에 있어서,
    상기 R201 내지 R204는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
    A101 내지 A108은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 할로겐기; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이다.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 단위는 하기 화학식 1-1로 표시되는 것인 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물:
    [화학식 1-1]

    상기 화학식 1-1에 있어서,
    R1 및 R2의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
    R11 및 R12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 단위는 하기 화학식 1-2 내지 1-6 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물:
    [화학식 1-2]

    [화학식 1-3]

    [화학식 1-4]

    [화학식 1-5]

    [화학식 1-6]

    상기 화학식 1-2 내지 1-6에 있어서,
    A3 및 A4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기이며,
    R111, R112, R211 및 R212는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기이며,
    R311 및 R312는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 알콕시기이다.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 제2 단위는 하기 화학식 2-1로 표시되는 것인 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물:
    [화학식 2-1]

    상기 화학식 2-1에 있어서,
    R3 내지 R6, A1 및 A2의 정의는 상기 화학식 2에서 정의한 바와 동일하다.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 제3 단위는 하기 화학식 3-3 내지 3-7 중 어느 하나로 표시되는 것인 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물:
    [화학식 3-3]

    [화학식 3-4]

    [화학식 3-5]

    [화학식 3-6]

    [화학식 3-7]

    상기 화학식 3-3 내지 3-7에 있어서,
    R7 및 R8의 정의는 상기 화학식 3에서 정의한 바와 동일하고,
    R9 및 R10은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 중합체는 하기 화학식 5로 표시되는 단위를 포함하는 것인 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물:
    [화학식 5]

    상기 화학식 5에 있어서,
    l은 몰분율로서, 0 < l < 1인 실수이며,
    m은 몰분율로서, 0 < m < 1인 실수이고,
    l+m = 1이며,
    A는 상기 화학식 1로 표시되는 제1 단위이고,
    B는 상기 화학식 2로 표시되는 제2 단위이며,
    C 및 C'는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 상기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 제3 단위이고,
    n은 단위의 반복수로서, 1 내지 10,000의 정수이다.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 중합체는 하기 화학식 5-1 또는 5-2로 표시되는 단위를 포함하는 것인 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물:
    [화학식 5-1]

    [화학식 5-2]

    상기 화학식 5-1 및 5-2에 있어서,
    X1 내지 X6, Y1, Y2, R1 내지 R8, Cy1, Q1, Q2, A1 및 A2의 정의는 상기 화학식 1 내지 4에서 정의한 바와 동일하고,
    Cy11은 치환 또는 비치환된 헤테로고리이며,
    Q11 및 Q12는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 O 또는 S이고,
    X15 및 X16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 CRR', NR, O, SiRR', PR, S, GeRR', Se 또는 Te이며,
    R, R' 및 R17 및 R18은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 이미드기; 아미드기; 히드록시기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알콕시기; 치환 또는 비치환된 아릴옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기; 치환 또는 비치환된 아릴티옥시기; 치환 또는 비치환된 알킬술폭시기; 치환 또는 비치환된 아릴술폭시기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
    l은 몰분율로서, 0 < l < 1인 실수이며,
    m은 몰분율로서, 0 < m < 1인 실수이고,
    l+m = 1이며,
    n은 단위의 반복수로서, 1 내지 10,000의 정수이다.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 중합체는 하기 화학식 5-3으로 표시되는 단위를 포함하는 것인 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물:
    [화학식 5-3]

    상기 화학식 5-3에 있어서,
    A1 내지 A4는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 할로겐기이고,
    R107, R108, R207 및 R208은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알콕시기이며,
    R111 및 R112는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기; 또는 치환 또는 비치환된 알킬티옥시기이고,
    l은 몰분율로서, 0 < l < 1인 실수이며,
    m은 몰분율로서, 0 < m < 1인 실수이고,
    l+m = 1이며,
    n은 단위의 반복수로서, 1 내지 10,000의 정수이다.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 중합체는 하기 화학식 5-4 내지 5-39 중 어느 하나로 표시되는 단위를 포함하는 것인 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물:
    [화학식 5-4]

    [화학식 5-5]

    [화학식 5-6]

    [화학식 5-7]

    [화학식 5-8]

    [화학식 5-9]

    [화학식 5-10]

    [화학식 5-11]

    [화학식 5-12]

    [화학식 5-13]

    [화학식 5-14]

    [화학식 5-15]

    [화학식 5-16]

    [화학식 5-17]

    [화학식 5-18]

    [화학식 5-19]

    [화학식 5-20]

    [화학식 5-21]

    [화학식 5-22]

    [화학식 5-23]

    [화학식 5-24]

    [화학식 5-25]

    [화학식 5-26]

    [화학식 5-27]

    [화학식 5-28]

    [화학식 5-29]

    [화학식 5-30]

    [화학식 5-31]

    [화학식 5-32]

    [화학식 5-33]

    [화학식 5-34]

    [화학식 5-35]

    [화학식 5-36]

    [화학식 5-37]

    [화학식 5-38]

    [화학식 5-39]

    상기 화학식 5-4 내지 5-39에 있어서,
    l은 몰분율로서, 0 < l < 1인 실수이며,
    m은 몰분율로서, 0 < m < 1인 실수이고,
    l+m = 1이며,
    n은 단위의 반복수로서, 1 내지 10,000의 정수이다.
  14. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되고, 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 태양 전지의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 유기물층 중 1층 이상을 청구항 1 내지 13 중 어느 하나의 항에 따른 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물을 이용하여 형성하는 것인 유기 태양 전지의 제조방법.
  15. 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비되는 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비되고, 광활성층을 포함하는 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 태양 전지로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 청구항 1 내지 13 중 어느 하나의 항에 따른 유기 태양 전지의 유기물층용 조성물을 이용하여 형성된 것인 유기 태양 전지.
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