KR102638649B1 - Semiconductor device pressing apparatus and test handler comprising the same - Google Patents
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Abstract
본 명세서의 실시예들은 정확하고 균일한 힘으로 반도체 소자를 가압할 수 있는 반도체 소자 가압 장치 및 이를 포함하는 테스트 핸들러를 제공한다. 본 명세서의 실시예에 따른 반도체 소자 가압 장치는, 유체가 유입되는 관통홀 및 상기 관통홀의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 라이너와, 상기 공간에 삽입되고, 상기 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 상기 공간에 삽입되는 피스톤을 포함한다. 여기서, 상기 피스톤과 상기 실린더 라이너 사이에 상기 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고, 상기 유동 영역은, 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 상기 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함할 수 있다. 본 명세서의 실시예들에 따르면, 피스톤과 실린더 라이너 사이에서 유체가 유동할 수 있는 제1 간격을 갖는 제1 영역 및 제1 간격 보다 큰 제2 간격을 갖는 제2 영역을 포함하는 유동 영역을 형성함으로써 유량 손실로 인한 불균일성을 감소시킬 수 있다.Embodiments of the present specification provide a semiconductor device pressing device capable of pressing a semiconductor device with accurate and uniform force and a test handler including the same. A semiconductor device pressurizing device according to an embodiment of the present specification includes a cylinder liner forming a cylindrical space having a through hole through which a fluid flows and an opening on the opposite side of the through hole, and is inserted into the space and pressurized by the pressure of the fluid. It includes a piston inserted into the space so that it can move. Here, a flow area through which a portion of the fluid can flow is formed between the piston and the cylinder liner, and the flow area includes a first area formed by a first gap and a second gap larger than the first gap. It may include a second region formed of . According to embodiments of the present disclosure, forming a flow region between the piston and the cylinder liner comprising a first region having a first gap through which fluid can flow and a second region having a second gap greater than the first gap. By doing so, non-uniformity due to flow loss can be reduced.
Description
본 명세서는 반도체 소자 가압 장치 및 이를 포함하는 테스트 핸들러에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 유압 실린더를 사용하여 반도체 소자를 가압하는 반도체 소자 가압 장치 및 이를 포함하는 테스트 핸들러에 관한 것이다.This specification relates to a semiconductor device pressing device and a test handler including the same, and more specifically, to a semiconductor device pressing device that presses a semiconductor device using a hydraulic cylinder and a test handler including the same.
반도체(또는 디스플레이) 제조 공정은 기판(예: 웨이퍼) 상에 반도체 소자를 제조하기 위한 공정으로서, 예를 들어 노광, 증착, 식각, 이온 주입, 세정 등을 포함한다. 추가적으로, 기판 상에 형성된 각 반도체 소자에 대한 검사 및 패키징이 수행될 수 있다. 특히, 반도체 소자에 대한 공정이 완료된 이후, 각 반도체 소자의 기능 및/또는 성능에 대한 검사가 수행될 수 있다.The semiconductor (or display) manufacturing process is a process for manufacturing semiconductor devices on a substrate (eg, wafer) and includes, for example, exposure, deposition, etching, ion implantation, and cleaning. Additionally, inspection and packaging can be performed on each semiconductor device formed on the substrate. In particular, after the process for the semiconductor device is completed, the function and/or performance of each semiconductor device may be inspected.
반도체 소자에 대한 검사를 위하여, 반도체 소자를 보관 및 이송하고, 테스트를 위한 복수 개의 접촉 핀을 갖는 테스트 인터페이스에 반도체 소자를 접촉시키고, 테스트가 완료된 반도체 소자를 반출하기 위한 테스트 핸들러가 제공된다. 테스트 핸들러는 반도체 소자를 테스트 인터페이스에 접촉시키기 위한 반도체 소자 가압 장치를 포함한다. 반도체 소자 가압 장치는 정확하고 균일한 힘으로 반도체 소자를 가압할 필요가 있다. 또한, 반도체 소자 가압 장치는 반도체 소자를 검사하기 위한 다양한 온도 조건에서 원활하게 동작할 필요가 있다.In order to inspect a semiconductor device, a test handler is provided to store and transport the semiconductor device, contact the semiconductor device to a test interface having a plurality of contact pins for testing, and transport the semiconductor device on which the test has been completed. The test handler includes a semiconductor device pressing device to contact the semiconductor device to the test interface. A semiconductor device pressing device needs to pressurize the semiconductor device with accurate and uniform force. Additionally, a semiconductor device pressurizing device needs to operate smoothly under various temperature conditions for inspecting semiconductor devices.
따라서, 본 명세서의 실시예들은 정확하고 균일한 힘으로 반도체 소자를 가압할 수 있는 반도체 소자 가압 장치 및 이를 포함하는 테스트 핸들러를 제공한다. Accordingly, embodiments of the present specification provide a semiconductor device pressing device capable of pressing a semiconductor device with accurate and uniform force and a test handler including the same.
또한, 본 명세서의 실시예들은 다양한 온도 조건에서 원활하게 동작할 수 있는 반도체 소자 가압 장치 및 이를 포함하는 테스트 핸들러를 제공한다. Additionally, embodiments of the present specification provide a semiconductor device pressurizing device that can operate smoothly under various temperature conditions and a test handler including the same.
본 명세서의 실시예들은 정확하고 균일한 힘으로 반도체 소자를 가압할 수 있는 반도체 소자 가압 장치 및 이를 포함하는 테스트 핸들러를 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 가압 장치는, 유체가 유입되는 관통홀 및 상기 관통홀의 반대측에 개구부를 갖는 공간을 형성하는 실린더 바디와, 상기 공간에서 상기 개구부에 인접한 내측 벽에 결합되는 실린더 라이너와, 상기 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 상기 공간에 삽입되는 피스톤을 포함한다. 여기서 상기 피스톤과 상기 실린더 라이너 사이에 상기 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고, 상기 유동 영역은 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 상기 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함할 수 있다.Embodiments of the present specification provide a semiconductor device pressing device capable of pressing a semiconductor device with accurate and uniform force and a test handler including the same. A semiconductor device pressurizing device according to an embodiment of the present invention includes a cylinder body forming a space having a through hole through which fluid flows and an opening on an opposite side of the through hole, and a cylinder liner coupled to an inner wall adjacent to the opening in the space. and a piston inserted into the space to enable movement by the pressure of the fluid. Here, a flow area through which a portion of the fluid can flow is formed between the piston and the cylinder liner, and the flow area is formed by a first area formed by a first gap and a second gap larger than the first gap. It may include a second region.
일 실시예에서, 상기 제2 영역은 상기 피스톤의 측면에 형성된 그루브에 의해 생성될 수 있다.In one embodiment, the second area may be created by a groove formed on a side of the piston.
일 실시예에서, 상기 그루브는 상기 피스톤의 측면에서 상기 피스톤의 운동 방향에 수직한 방향을 따라 형성될 수 있다.In one embodiment, the groove may be formed along a direction perpendicular to the direction of movement of the piston on the side of the piston.
일 실시예에서, 상기 그루브는 상기 피스톤의 측면에서 상기 피스톤의 운동 방향에 평행한 방향으로 형성될 수 있다.In one embodiment, the groove may be formed on a side of the piston in a direction parallel to the direction of movement of the piston.
일 실시예에서, 상기 그루브는 상기 피스톤의 측면에서 상기 피스톤의 운동 방향에 대하여 사선 방향으로 형성될 수 있다.In one embodiment, the groove may be formed on a side of the piston in a diagonal direction with respect to the direction of movement of the piston.
일 실시예에서, 상기 제2 영역은 상기 실린더 라이너의 내측 벽에 형성된 그루브에 의해 생성될 수 있다.In one embodiment, the second region may be created by a groove formed on the inner wall of the cylinder liner.
일 실시예에서, 상기 그루브는 상기 실린더 라이너의 내측 벽에서 상기 피스톤의 운동 방향에 수직한 방향을 따라 형성될 수 있다.In one embodiment, the groove may be formed along a direction perpendicular to the direction of movement of the piston on the inner wall of the cylinder liner.
일 실시예에서, 상기 그루브는 상기 실린더 라이너의 내측 벽에서 상기 피스톤의 운동 방향에 평행한 방향을 따라 형성될 수 있다.In one embodiment, the groove may be formed along a direction parallel to the direction of movement of the piston on the inner wall of the cylinder liner.
일 실시예에서, 상기 그루브는 상기 실린더 라이너의 내측 벽에서 상기 피스톤의 운동 방향에 대하여 사선 방향을 따라 형성될 수 있다.In one embodiment, the groove may be formed on the inner wall of the cylinder liner in a diagonal direction with respect to the direction of movement of the piston.
일 실시예에서, 상기 피스톤의 중심부에 제1 내부 유로, 그리고 상기 제1 내부 유로와 상기 제2 영역 사이를 연결하는 제2 내부 유로가 상기 피스톤에 형성되고, 상기 제1 영역에서 유동하는 유체에 의한 제1 압력이 상기 제2 내부 유로를 따라 유동하는 유체에 의한 제2 압력보다 작도록 설정될 수 있다.In one embodiment, a first internal flow path is formed in the center of the piston, and a second internal flow path connecting the first internal flow path and the second region is formed in the piston, and the fluid flowing in the first region is formed in the piston. The first pressure generated by the fluid may be set to be smaller than the second pressure generated by the fluid flowing along the second internal flow path.
본 발명의 실시예에 따른 테스트 핸들러는, 적어도 하나의 반도체 소자를 테스트를 위한 트레이로 로딩하는 로딩 유닛과, 상기 로딩 유닛으로부터 이송된 트레이에 로딩된 반도체 소자를 테스트 장치 측으로 가압하는 반도체 소자 가압 장치를 포함하는 테스트 챔버와, 상기 테스트 챔버로부터 이송된 트레이의 반도체 소자를 언로딩하는 언로딩 유닛을 포함한다. 상기 반도체 소자 가압 장치는, 유체가 유입되는 관통홀 및 상기 관통홀의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 바디와, 상기 공간에서 상기 개구부에 인접한 내측 벽에 결합되는 실린더 라이너와, 상기 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 상기 공간에 삽입되는 피스톤을 포함할 수 있다. 상기 피스톤과 상기 실린더 라이너 사이에 상기 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고, 상기 유동 영역은, 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 상기 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함할 수 있다.A test handler according to an embodiment of the present invention includes a loading unit that loads at least one semiconductor device into a tray for testing, and a semiconductor device pressing device that presses the semiconductor device loaded on the tray transferred from the loading unit toward the test device. It includes a test chamber including a, and an unloading unit that unloads the semiconductor elements of the tray transferred from the test chamber. The semiconductor device pressurizing device includes a cylinder body forming a cylindrical space having a through hole through which fluid flows and an opening on an opposite side of the through hole, a cylinder liner coupled to an inner wall adjacent to the opening in the space, and the fluid It may include a piston inserted into the space so that it can be moved by pressure. A flow area through which a portion of the fluid can flow is formed between the piston and the cylinder liner, and the flow area is formed by a first area formed by a first gap and a second gap larger than the first gap. It may include a second region.
일 실시예에서, 상기 제2 영역은 상기 피스톤의 측면에 형성된 그루브에 의해 생성되고, 상기 그루브는 상기 피스톤의 측면에서 상기 피스톤의 운동 방향에 수직한 방향 또는 평행한 방향을 따라 형성될 수 있다.In one embodiment, the second area is created by a groove formed on a side of the piston, and the groove may be formed along a direction perpendicular to or parallel to the direction of movement of the piston on the side of the piston.
일 실시예에서, 상기 제2 영역은 상기 실린더 라이너의 내측 벽에 형성된 그루브에 의해 생성되고, 상기 그루브는 상기 실린더 라이너의 내벽에서 상기 피스톤의 운동 방향에 수직한 방향 또는 평행한 방향을 따라 형성될 수 있다.In one embodiment, the second region is created by a groove formed in the inner wall of the cylinder liner, and the groove is formed in the inner wall of the cylinder liner along a direction perpendicular to or parallel to the direction of movement of the piston. You can.
일 실시예에서, 상기 피스톤의 중심부에 제1 내부 유로, 그리고 상기 제1 내부 유로와 상기 제2 영역 사이를 연결하는 제2 내부 유로가 상기 피스톤에 형성되고, 상기 제1 영역에서 유동하는 유체에 의한 제1 압력은 상기 제2 내부 유로를 따라 유동하는 유체에 의한 제2 압력보다 작도록 설정될 수 있다.In one embodiment, a first internal flow path is formed in the center of the piston, and a second internal flow path connecting the first internal flow path and the second region is formed in the piston, and the fluid flowing in the first region is formed in the piston. The first pressure generated by the fluid may be set to be smaller than the second pressure generated by the fluid flowing along the second internal flow path.
일 실시예에서, 상기 테스트 챔버는 상기 반도체 소자를 상기 테스트 장치 측으로 가압하는 푸셔를 포함하는 매치 플레이트를 더 포함하고, 상기 피스톤은 상기 유체의 압력에 의해 상기 푸셔를 가압할 수 있다.In one embodiment, the test chamber further includes a match plate including a pusher that presses the semiconductor device toward the test device, and the piston may press the pusher by the pressure of the fluid.
본 발명의 실시예에 따른 테스트 핸들러는, 적어도 하나의 반도체 소자를 테스트를 위한 트레이로 로딩하는 로딩 유닛과, 제1 온도에서 상기 로딩 유닛으로부터 이송된 트레이를 보관하는 제1 챔버와, 상기 제1 챔버로부터 이송된 트레이에 로딩된 반도체 소자를 테스트 장치 측으로 가압하는 반도체 소자 가압 장치를 포함하는 테스트 챔버와, 제2 온도에서 상기 테스트 챔버로부터 이송된 트레이를 보관하는 제2 챔버와, 상기 제2 챔버로부터 이송된 트레이의 반도체 소자를 언로딩하는 언로딩 유닛을 포함한다. 여기서 상기 반도체 소자 가압 장치는, 유체가 유입되는 관통홀 및 상기 관통홀의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 바디와, 상기 공간에서 상기 개구부에 인접한 내측 벽에 결합되는 실린더 라이너와, 상기 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 상기 공간에 삽입되는 피스톤을 포함하고, 상기 피스톤과 상기 실린더 라이너 사이에 상기 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성될 수 있다. 상기 유동 영역은, 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 상기 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함하고,상기 제2 영역은 상기 피스톤 또는 상기 실린더 라이너의 내측 벽에 형성된 그루브에 의해 생성될 수 있다. A test handler according to an embodiment of the present invention includes a loading unit that loads at least one semiconductor device into a tray for testing, a first chamber that stores the tray transferred from the loading unit at a first temperature, and the first A test chamber including a semiconductor device pressurizing device for pressing a semiconductor device loaded on a tray transferred from the chamber toward a test device, a second chamber storing the tray transferred from the test chamber at a second temperature, and the second chamber It includes an unloading unit that unloads the semiconductor elements of the tray transferred from. Here, the semiconductor device pressing device includes a cylinder body forming a cylindrical space having a through hole through which fluid flows and an opening on an opposite side of the through hole, a cylinder liner coupled to an inner wall adjacent to the opening in the space, and It may include a piston inserted into the space so as to be movable by the pressure of the fluid, and a flow area through which a portion of the fluid can flow may be formed between the piston and the cylinder liner. The flow region includes a first region defined by a first gap and a second region defined by a second gap greater than the first gap, wherein the second area is formed on the inner wall of the piston or the cylinder liner. Can be created by grooves.
본 명세서의 실시예들에 따르면, 피스톤과 실린더 라이너 사이에서 유체가 유동할 수 있는 제1 간격을 갖는 제1 영역 및 제1 간격 보다 큰 제2 간격을 갖는 제2 영역을 포함하는 유동 영역을 형성함으로써 유량 손실로 인한 불균일성을 감소시킬 수 있다.According to embodiments of the present disclosure, forming a flow region between the piston and the cylinder liner comprising a first region having a first gap through which fluid can flow and a second region having a second gap greater than the first gap. By doing so, non-uniformity due to flow loss can be reduced.
또한, 본 명세서의 실시예들에 따르면, 피스톤과 실린더 라이너 사이에서 유체가 유동할 수 있는 제1 간격을 갖는 제1 영역 및 제1 간격 보다 큰 제2 간격을 갖는 제2 영역을 포함하는 유동 영역을 형성함으로써, 저온 환경으로 인한 수축이 발생할 때 동심을 유지하고 손실 유량을 감소시킬 수 있으며, 또한 고온 환경으로 인한 팽창이 발생할 때 끼임을 방지할 수 있다.Additionally, according to embodiments of the present disclosure, a flow region comprising a first region having a first gap through which fluid can flow between the piston and the cylinder liner and a second region having a second gap greater than the first gap. By forming, it is possible to maintain concentricity and reduce flow loss when shrinkage occurs due to a low-temperature environment, and also prevent jamming when expansion occurs due to a high-temperature environment.
도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 테스트 핸들러의 개략적인 구조의 예를 도시한다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 테스트 챔버의 개략적인 구조의 예를 도시한다.
도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 테스트 챔버의 개략적인 구조의 다른 예를 도시한다.
도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 반도체 소자의 검사를 위한 개략적인 구조의 예를 도시한다.
도 5는 유압 실린더 형태의 반도체 소자 가압 장치의 예를 도시한다.
도 6은 본 명세서의 실시예에 따른 피스톤에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 예를 도시한다.
도 7은 본 명세서의 실시예에 따른 실린더 라이너에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 예를 도시한다.
도 8a 및 도 8b는 본 명세서의 실시예에 따른 피스톤 및 실린더 라이너에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 예를 도시한다.
도 9a 및 도 9b는 본 명세서의 실시예에 따른 피스톤에 내부 유로가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 예를 도시한다.
도 10a 및 도 10b는 본 명세서의 실시예에 따른 피스톤에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 다른 예를 도시한다.
도 11은 본 명세서의 실시예에 따른 실린더 라이너에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 다른 예를 도시한다.
도 12는 본 명세서의 실시예에 따른 피스톤에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 또 다른 예를 도시한다.
도 13은 본 명세서의 실시예에 따른 실린더 라이너에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 또 다른 예를 도시한다.
도 14은 본 명세서의 실시예에 따른 복수개의 실린더 유닛들로 연결된 유체 공급 라인의 예를 도시한다.
도 15는 본 명세서의 실시예에 따른 복수개의 실린더 유닛들을 포함하는 반도체 소자 가압 장치의 예를 도시한다.1 shows an example of a schematic structure of a test handler according to an embodiment of the present specification.
Figure 2 shows an example of a schematic structure of a test chamber according to an embodiment of the present disclosure.
3 shows another example of a schematic structure of a test chamber according to an embodiment of the present specification.
Figure 4 shows an example of a schematic structure for inspection of a semiconductor device according to an embodiment of the present specification.
Figure 5 shows an example of a semiconductor device pressing device in the form of a hydraulic cylinder.
Figure 6 shows an example of a semiconductor device pressing device in which a groove is formed in a piston according to an embodiment of the present specification.
Figure 7 shows an example of a semiconductor device pressing device in which a groove is formed in a cylinder liner according to an embodiment of the present specification.
8A and 8B show an example of a semiconductor device pressing device in which grooves are formed in a piston and a cylinder liner according to an embodiment of the present specification.
9A and 9B show an example of a semiconductor device pressing device in which an internal flow path is formed in a piston according to an embodiment of the present specification.
10A and 10B show another example of a semiconductor device pressing device in which a groove is formed in a piston according to an embodiment of the present specification.
Figure 11 shows another example of a semiconductor device pressing device in which a groove is formed in a cylinder liner according to an embodiment of the present specification.
Figure 12 shows another example of a semiconductor device pressing device in which a groove is formed in a piston according to an embodiment of the present specification.
Figure 13 shows another example of a semiconductor device pressing device in which a groove is formed in a cylinder liner according to an embodiment of the present specification.
Figure 14 shows an example of a fluid supply line connected to a plurality of cylinder units according to an embodiment of the present specification.
Figure 15 shows an example of a semiconductor device pressing device including a plurality of cylinder units according to an embodiment of the present specification.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice the present invention. The invention may be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.In order to clearly explain the present invention, parts that are not relevant to the description are omitted, and identical or similar components are assigned the same reference numerals throughout the specification.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.Additionally, in various embodiments, components having the same configuration will be described using the same symbols only in the representative embodiment, and in other embodiments, only components that are different from the representative embodiment will be described.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결(또는 결합)"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결(또는 결합)"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결(또는 결합)"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the specification, when a part is said to be "connected (or combined)" with another part, this means not only "directly connected (or combined)" but also "indirectly connected (or combined)" with another member in between. Also includes “combined” ones. Additionally, when a part "includes" a certain component, this means that it may further include other components, rather than excluding other components, unless specifically stated to the contrary.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the technical field to which the present invention pertains. Terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless explicitly defined in the present application, should not be interpreted in an ideal or excessively formal sense. No.
도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 테스트 핸들러(100)의 개략적인 구조의 예를 도시한다. 도 1은 천정측 방향에서 바라본 테스트 핸들러(100)의 개략적인 구조도이다. 본 명세서에서, 테스트 핸들러(100)는 반도체 공정 및 패키징이 수행된 반도체 소자의 기능 및/또는 성능을 검사하기 위하여, 반도체 소자를 테스트 인터페이스와 전기적으로 연결시키는 장치를 지칭한다. 또한, 반도체 소자의 검사를 위하여, 테스트 핸들러(100)는 전달된 반도체 소자를 트레이로 이송하고, 검사를 위한 환경(예: 온도)을 조성하고, 검사가 완료된 반도체 소자를 등급에 따라 분류하고, 반도체 소자를 반출할 수 있다. 본 명세서에서, 테스트 핸들러(100)는 테스트 인터페이스를 통해 테스트 장치와 연결되는 경우가 설명되나, 본 명세서의 실시예는 이에 한정되는 것이 아니며, 테스트 핸들러(100)와 테스트 장치는 일체로 구성될 수 있다. 즉, 테스트 핸들러(100)는 테스트 장치로도 지칭될 수 있다.Figure 1 shows an example of a schematic structure of a
도 1을 참고하면, 테스트 핸들러(100)는 로딩 유닛(110), 제1 챔버(120), 테스트 챔버(130), 제2 챔버(140), 및 언로딩 유닛(150)을 포함할 수 있다. 먼저, 검사될 반도체 소자(SD)를 수용하는 커스터머 트레이(또는 C-Tray)(30)가 테스트 핸들러(100)로 투입된다. 로딩 유닛(110)은 커스터머 트레이(30)에 보관된 반도체 소자(SD)를 테스트 트레이(또는 T-Tray이)(20)로 로딩한다. 여기서, 테스트 트레이(30)와 커스터머 트레이(20)는 서로 크기, 반도체 소자(SD)를 수용할 수 있는 슬롯의 개수, 또는 슬롯 간의 거리 중 하나가 서로 상이할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 로딩 유닛(110)은 반도체 소자(SD)를 흡착하기 위한 픽업 장치, 픽업 장치의 이동을 위한 구동부, 이동 레일을 포함할 수 있다. 반도체 소자(SD)가 안착된 테스트 트레이(20)는 이송 장치(미도시)에 의하여 제1 챔버(120)로 전달될 수 있다.Referring to FIG. 1, the
제1 챔버(120)는 테스트 트레이(20)를 보관하는 공간으로서, 테스트를 위한 온도 환경(제1 온도)으로 유지될 수 있다. 즉, 제1 챔버(120)는 제1 온도에서 로딩 유닛(110)으로부터 이송된 테스트 트레이(20)를 보관할 수 있다. 제1 온도는 테스트 챔버(130)에서 반도체 소자(SD)를 테스트를 위한 테스트 온도로 미리 설정하기 위한 온도이다. 즉, 제1 온도는 테스트 온도와 동일하거나 테스트 온도와 비슷한 온도일 수 있다. 제1 챔버(120)는 속 챔버(soak chamber)로 지칭될 수 있다. 제1 챔버(120)에서 보관된 테스트 트레이(20)는 이송 장치(미도시)에 의하여 테스트 챔버(130)로 전달될 수 있다.The
테스트 챔버(130)는 테스트 인터페이스(170)와 결합되어 반도체 소자(SD)에 대한 검사가 수행되는 공간으로서, 반도체 소자(SD)의 테스트를 위한 환경을 제공한다. 테스트 인터페이스(170)는 반도체 소자(SD)에 접촉되어 전기적 신호를 인가하고, 반도체 소자(SD)에 의해 출력된 신호를 테스트 장치(미도시)로 전송할 수 있다. 테스트 챔버(130)에서 반도체 소자(SD)를 테스트 인터페이스(170)와 접촉시키기 위하여 반도체 소자(SD)를 가압하는 반도체 소자 가압 장치(220)가 구비될 수 있다. 테스트 챔버(130)에서 반도체 소자(SD)를 검사하기 위한 구성들은 이하의 도 2 내지 도 4를 참고하여 보다 상세히 설명한다. 테스트 챔버(130)에서 검사가 완료된 반도체 소자(SD)는 제2 챔버(140)로 이송될 수 있다.The
제2 챔버(140)는 검사가 완료된 반도체 소자(SD)가 수용된 테스트 트레이(20)를 보관하는 공간으로서, 상온(제2 온도)으로 유지될 수 있다. 즉, 제2 챔버(140)는 제2 온도에서 테스트 챔버(130)로부터 이송된 테스트 트레이(20)를 보관할 수 있다. 제2 챔버(140)에 보관된 테스트 트레이(20)는 이송 장치(미도시)에 의해 언로딩 유닛(150)으로 전달될 수 있다. 언로딩 유닛(150)은 제2 챔버(140)로부터 이송된 테스트 트레이(20)의 반도체 소자(SD)를 등급에 따라 분류하여 언로딩할 수 있다.The
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 테스트 챔버(130)의 개략적인 구조의 예를 도시한다. 도 2는 도 1의 테스트 챔버(130)의 일 예를 나타낸다. 도 2를 참고하면, 테스트 챔버(130)에 반도체 소자 가압 장치(200)가 위치할 수 있으며, 반도체 소자 가압 장치(200)에 의해 가압되는 반도체 소자(SD)를 수용하는 테스트 트레이(20)가 위치할 수 있다. 여기서, 유체 공급 유닛(210)은 반도체 소자 가압 장치(200)에 포함될 수도 있고, 반도체 소자 가압 장치(200)와 별도로 구성될 수 있다. 또한, 테스트 챔버(130)의 상부와 하부에 각각 상부 FFU(240) 및 하부 FFU(250)가 설치된다. 테스트 챔버(130)의 일 측벽에 대하여 반도체 소자(SD)와 테스트 장치를 연결하는 테스트 인터페이스(170)가 도킹될 수 있다. 도 2와 같이 테스트 트레이(20)가 수직 방향으로 세워진 상태로 도킹하는 방식은 수직 도킹 시스템으로 지칭될 수 있다.Figure 2 shows an example of a schematic structure of a
도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 테스트 챔버의 개략적인 구조의 다른 예를 도시한다. 도 3은 도 1의 테스트 챔버(130)의 일 예를 나타낸다. 도 3을 참고하면, 테스트 챔버(130)에 반도체 소자 가압 장치(200)가 위치할 수 있으며, 반도체 소자 가압 장치(200)에 의해 가압되는 반도체 소자(SD)를 수용하는 테스트 트레이(20)가 위치할 수 있다. 여기서, 유체 공급 유닛(210)은 반도체 소자 가압 장치(200)에 포함될 수도 있고, 반도체 소자 가압 장치(200)와 별도로 구성될 수 있다. 테스트 챔버(130)의 하부 영역에 대하여 반도체 소자(SD)와 테스트 장치를 연결하는 테스트 인터페이스(170)가 도킹될 수 있다. 도 2와 같이 테스트 트레이(20)가 수평 방향으로 누워진 상태로 도킹하는 방식은 수평 도킹 시스템으로 지칭될 수 있다.3 shows another example of a schematic structure of a test chamber according to an embodiment of the present specification. Figure 3 shows an example of the
도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 반도체 소자의 검사를 위한 개략적인 구조의 예를 도시한다. 도 4에서, 테스트 인터페이스(170)는 복수개의 테스트 소켓(12)이 일정 간격으로 배치된 테스트 헤드(10)를 포함한다. 또한, 테스트 챔버(130)에는 반도체 소자(SD)를 수용하는 테스트 트레이(20)와, 테스트 소켓(12)에 대하여 이동 가능하게 설치된 캐리어 모듈(21)과, 반도체 소자(SD)를 가압하는 매치 플레이트(230)와, 유체 공급 유닛(210)으로부터 공급되는 유체에 의해 매치 플레이트(230)의 푸셔(234)를 가압하는 반도체 소자 가압 장치(220)와, 반도체 소자 가압 장치(220)에 소정 압력의 압축공기를 공급하는 유체 공급 유닛(210)이 위치한다.Figure 4 shows an example of a schematic structure for inspection of a semiconductor device according to an embodiment of the present specification. In FIG. 4, the
테스트 헤드(10)의 양측면부에는 테스트 트레이(20)의 양단부가 접촉하여 지지되는 트레이 스토퍼(11)가 일정 거리만큼 돌출되어 구비된다. 또한, 각 테스트 소켓(12)은 중앙부에 반도체 소자(SD)의 볼(ball)과 같은 단자와 전기적으로 접속하는 복수개의 접속핀(13)이 설치되고, 양측부에 캐리어 모듈(21)이 접촉하여 지지되는 캐리어 스토퍼(14)가 소정 두께로 돌출되게 형성된다. 또한, 테스트 소켓(12)의 양측부에 캐리어 모듈(21)의 가이드홈(26) 내측으로 삽입되는 한 쌍의 가이드핀(15)이 돌출되게 형성된다. 접속핀(13)은 예를 들어 포고핀(pogo pin)으로 구성될 수 있다.
테스트 트레이(20)는 테스트 핸들러에서 반도체 소자(SD)를 고정한 상태로 반송하기 위한 것으로 사각틀 형태의 금속 프레임에 반도체 소자(SD)를 고정 및 해제하는 복수개의 캐리어 모듈(21)들이 일정 간격으로 구비된다.The
캐리어 모듈(21)은 몸체(22), 안착부(24), 돌출부(25)를 포함한다. 몸체(22)는 테스트 트레이(20)에 일정 정도 유동이 가능하게 구비되며 중앙부에 캐비티(23)를 갖는다. 몸체(22)는 대략 사각틀 형태를 가지며, 캐비티(23)에 반도체 소자(SD)를 수용한다.The
안착부(24)는 몸체(22)의 하부면에 구비되며 반도체 소자(SD)가 안착된다. 안착부(24)는 반도체 소자(SD)의 단자들을 노출하는 개구들을 갖는다. 개구들을 통해 접속핀(13)이 반도체 소자(SD)의 단자들과 접속할 수 있다. 돌출부(25)들은 캐비티(23)를 갖는 몸체(22)의 내측면으로부터 돌출되어 안착부(24)에 안착된 반도체 소자(SD)의 측면을 지지한다.The seating
매치 플레이트(230)는 반도체 소자 가압 장치(220)에 의해 가해지는 힘을 사용하여 반도체 소자(SD)와 접속핀(13)이 접촉을 유지하도록 가압한다. 매치 플레이트(230)는 가동판(231)과, 가동판(231)을 이동시키는 공압 실린더(233)와, 가동판(231)에 일정 간격으로 배열되어 가동판(231)의 이동에 따라 상기 캐리어 모듈(21)을 가압하는 캐리어 가압블록(232)과, 각 캐리어 가압블록(232)의 중앙부에 이동 가능하게 설치되어 소정의 압력으로 상기 반도체 소자(SD)를 가압하는 복수개의 푸셔들(234)을 포함한다.The
여기서, 각 푸셔들(234)은 피스톤(222)에 의해 이동하는 가동축(235)과, 가동축(235)의 전단부에 이동 가능하게 설치되어 반도체 소자(SD)와 탄력적으로 접촉하는 접촉부(237)와, 가동축(235)과 접촉부(237) 사이에 설치되는 압축스프링(236)을 포함한다. Here, each
반도체 소자 가압 장치(220)는, 유체가 유입되는 관통홀 및 관통홀의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 바디(221)와, 실린더 바디(221)의 원통형 공간의 측면 영역에 고정되도록 결합되는 실린더 라이너(223)와, 실린더 바디(221)에 형성된 원통형의 공간에 삽입되고, 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 원통형의 공간에 삽입되는 피스톤(222)을 포함할 수 있다. 실린더 바디(221)와 실린더 라이너(223)는 일체형으로 구성될 수도 있고 별도의 모듈로 구성될 수도 있다. The semiconductor
도 5는 유압 실린더 형태의 반도체 소자 가압 장치(220)의 예를 도시한다. 도 5는 도 4의 반도체 소자 가압 장치(220)의 일 예를 나타낸다. 도 5를 참조하면, 반도체 소자 가압 장치(220)는 유체가 유입되는 관통홀(224) 및 관통홀(224)의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 바디(221)와, 실린더 바디(221)의 원통형 공간의 측면 영역에 고정되도록 결합되는 실린더 라이너(223)와, 실린더 바디(221)에 형성된 원통형의 공간에 삽입되고, 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 원통형의 공간에 삽입되는 피스톤(222)을 포함할 수 있다. 또한, 반도체 소자 가압 장치(220)는 실린더 라이너(223)와 실린더 바디(221) 사이에서 유체의 유동을 차단하는 제1 링 부재(225)와, 실린더 라이너(223)의 상부에 결합되고, 실린더 라이너(223)를 실린더 바디(221)에 고정시키는 제2 링 부재(226)를 더 포함할 수 있다. 제1 링 부재(225)는 일정한 유동성을 가지면서 유체를 차단하는 오-링(O-ring)일 수 있다. 또한, 제2 링 부재(226)는 실린더 라이너(223)를 실린더 바디(221)에 결합시키기 위한 스냅링(snap ring)일 수 있다.Figure 5 shows an example of a semiconductor device
도 5를 참조하면, 유체 공급 유닛(210)으로부터 공급되는 유체(예: 공기)가 관통홀(224)을 통해 실린더 챔버로 유입된다. 실린더 챔버로 유입된 유체는 피스톤(222)을 가압하고, 피스톤(222)은 유체의 압력에 의해 실린더 바디(221)의 개구부 방향(또는 푸셔 방향)으로 이동할 수 있다. Referring to FIG. 5, fluid (eg, air) supplied from the
한편, 일부의 유체는 실린더 라이너(223)와 피스톤(222) 사이에 형성된 간극(제1 경로)를 따라 유동할 수 있다. 이때, 제1 경로를 따라 유동하는 유체는 실린더 외부로 빠져나가서 유량 손실이 발생한다. 이때, 유체 공급 유닛(210)은 유량 손실만큼의 유체를 공급함으로써 유량 손실을 보전할 수 있다. 다만, 저온 환경에 의해 피스톤(222)이 수축하면, 피스톤(222)과 실린더 라이너(223) 사이의 간극 증가로 인해 유량 손실의 증가와 피스톤(222)의 편심이 발생할 수 있다. 간극을 매우 작은 크기로 설정할 경우, 고온 팽창시 피스톤(222)이 실린더 라이너(223)에 끼이는 현상이 발생할 수 있다. Meanwhile, some fluid may flow along the gap (first path) formed between the
따라서, 본 명세서의 실시예는 저온 수축 및 고온 팽창시에도 원활하게 동작할 수 있는 반도체 소자 가압 장치를 제공한다. 본 명세서의 실시예에 따른 반도체 소자 가압 장치(220)는, 유체가 유입되는 관통홀(224) 및 관통홀(224)의 반대측에 개구부를 갖는 공간을 형성하는 실린더 바디(221)와, 실린더 바디(221)의 공간에서 개구부에 인접한 내측 벽에 결합되는 실린더 라이너(223)와, 원통형의 공간에 삽입되고, 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 원통형의 공간에 삽입되는 피스톤(222)을 포함한다. 여기서, 피스톤(222)과 실린더 라이너(223) 사이에 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고, 유동 영역은 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함할 수 있다. 여기서, 제2 영역은 유체가 머물 수 있는 공간으로서, 손실 유량을 보상할 수 있는 댐핑(damping) 구간을 제공한다. Accordingly, embodiments of the present specification provide a semiconductor device pressurizing device that can operate smoothly even during low-temperature contraction and high-temperature expansion. The semiconductor device
도 6은 본 명세서의 실시예에 따른 피스톤에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 예를 도시한다. 도 6을 참조하면, 반도체 소자 가압 장치(220)는 유체가 유입되는 관통홀(224) 및 관통홀(224)의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 바디(221)와, 실린더 바디(221)의 원통형 공간의 측면 영역에 고정되도록 결합되는 실린더 라이너(223)와, 실린더 바디(221)에 형성된 원통형의 공간에 삽입되고, 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 원통형의 공간에 삽입되는 피스톤(222)을 포함할 수 있다. 또한, 반도체 소자 가압 장치(220)는 실린더 라이너(223)와 실린더 바디(221) 사이에서 유체의 유동을 차단하는 제1 링 부재(225)와, 실린더 라이너(223)의 상부에 결합되고, 실린더 라이너(223)를 실린더 바디(221)에 고정시키는 제2 링 부재(226)를 더 포함할 수 있다. Figure 6 shows an example of a semiconductor device pressing device in which a groove is formed in a piston according to an embodiment of the present specification. Referring to FIG. 6, the semiconductor device
여기서, 피스톤(222)과 실린더 라이너(223) 사이에 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고, 유동 영역은 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 영역은 피스톤(222)의 측면에 피스톤 운동 방향과 수직한 방향으로 형성된 그루브(227)에 의해 생성될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 실린더의 동작을 위해 피스톤(222)의 측면에 형성된 그루브(227)에 유체들이 채워지고, 그루브(227)에 채워진 유체들은 손실 유량을 보상하는 댐핑 역할을 수행할 수 있다.Here, a flow area in which a portion of the fluid can flow is formed between the
도 7은 본 명세서의 실시예에 따른 실린더 라이너에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 예를 도시한다. 도 7을 참조하면, 반도체 소자 가압 장치(220)는 유체가 유입되는 관통홀(224) 및 관통홀(224)의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 바디(221)와, 실린더 바디(221)의 원통형 공간의 측면 영역에 고정되도록 결합되는 실린더 라이너(223)와, 실린더 바디(221)에 형성된 원통형의 공간에 삽입되고, 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 원통형의 공간에 삽입되는 피스톤(222)을 포함할 수 있다. 또한, 반도체 소자 가압 장치(220)는 실린더 라이너(223)와 실린더 바디(221) 사이에서 유체의 유동을 차단하는 제1 링 부재(225)와, 실린더 라이너(223)의 상부에 결합되고, 실린더 라이너(223)를 실린더 바디(221)에 고정시키는 제2 링 부재(226)를 더 포함할 수 있다. Figure 7 shows an example of a semiconductor device pressing device in which a groove is formed in a cylinder liner according to an embodiment of the present specification. Referring to FIG. 7, the semiconductor device
여기서, 피스톤(222)과 실린더 라이너(223) 사이에 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고, 유동 영역은 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 영역은 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 형성된 그루브(228)에 의해 생성될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 실린더의 동작을 위해 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 피스톤 운동 방향과 수직한 방향으로 형성된 그루브(228)에 유체들이 채워지고, 그루브(228)에 채워진 유체들은 손실 유량을 보상하는 댐핑 역할을 수행할 수 있다.Here, a flow area in which a portion of the fluid can flow is formed between the
도 8a 및 도 8b는 본 명세서의 실시예에 따른 피스톤(222) 및 실린더 라이너(223)에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 예를 도시한다. 도 8a와 도 8b는 피스톤(222)과 실린더 라이너(223)에 모두 그루브가 형성된 경우의 예를 도시하며, 도 8a는 피스톤(222)의 그루브(227)와 실린더 라이너(223)의 그루브(228)가 피스톤 이동 방향에 대하여 동일한 위치에 존재하는 경우의 예를 나타내며, 도 8b는 피스톤(222)의 그루브(227)와 실린더 라이너(223)의 그루브(228)가 피스톤 이동 방향에 대하여 서로 다른 위치에 존재하는 경우를 나타낸다.8A and 8B show an example of a semiconductor device pressing device in which grooves are formed in the
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 반도체 소자 가압 장치(220)는 유체가 유입되는 관통홀(224) 및 관통홀(224)의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 바디(221)와, 실린더 바디(221)의 원통형 공간의 측면 영역에 고정되도록 결합되는 실린더 라이너(223)와, 실린더 바디(221)에 형성된 원통형의 공간에 삽입되고, 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 원통형의 공간에 삽입되는 피스톤(222)을 포함할 수 있다. 또한, 반도체 소자 가압 장치(220)는 실린더 라이너(223)와 실린더 바디(221) 사이에서 유체의 유동을 차단하는 제1 링 부재(225)와, 실린더 라이너(223)의 상부에 결합되고, 실린더 라이너(223)를 실린더 바디(221)에 고정시키는 제2 링 부재(226)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 8A and 8B, the semiconductor
도 8a에서, 피스톤(222)과 실린더 라이너(223) 사이에 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고, 유동 영역은 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 영역은 피스톤(222)의 측면에 피스톤 운동 방향과 수직한 방향으로 형성된 그루브(227) 및 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 피스톤 운동 방향과 수직한 방향으로 형성된 그루브(228)에 의해 생성될 수 있다. 여기서, 피스톤(222)의 측면에 형성된 그루브(227)와 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 형성된 그루브(228)는 피스톤 운동 방향에 대하여 실질적으로 동일한 위치에 형성된다. 피스톤(222)의 측면에 형성된 그루브(227)와 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 형성된 그루브(228)는 중첩된 구간을 가질 수 있다. 본 실시예에 따르면, 피스톤(222)의 측면에 형성된 그루브(227)와 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 형성된 그루브(228)에 유체들이 채워지고, 그루브들(227, 228)에 채워진 유체들은 손실 유량을 보상하는 댐핑 역할을 수행할 수 있다.In FIG. 8A, a flow region through which a portion of the fluid can flow is formed between the
도 8b에서, 피스톤(222)과 실린더 라이너(223) 사이에 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고, 유동 영역은 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 영역은 피스톤(222)의 측면에 피스톤 운동 방향과 수직한 방향으로 형성된 그루브(227) 및 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 피스톤 운동 방향과 수직한 방향으로 형성된 그루브(228)에 의해 생성될 수 있다. 여기서, 피스톤(222)의 측면에 형성된 그루브(227)와 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 형성된 그루브(228)는 피스톤 운동 방향에 대하여 서로 상이한 위치에 형성된다. 피스톤(222)의 측면에 형성된 그루브(227)와 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 형성된 그루브(228)는 중첩되지 않을 수 있다. 본 실시예에 따르면, 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 형성된 그루브(228)에 유체들이 채워지고, 그루브들(227, 228)에 채워진 유체들은 손실 유량을 보상하는 댐핑 역할을 수행할 수 있다.In FIG. 8B, a flow region in which a portion of the fluid can flow is formed between the
도 9a 및 9b은 본 명세서의 실시예에 따른 피스톤(222)에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치(220)의 다른 예를 도시한다. 도 9a 및 도 9b는 피스톤(222)의 측면에 피스톤 운동 방향에 평행한 방향으로 그루브(227)가 형성된 경우의 예를 도시하며, 도 9a는 측면에서 반도체 소자 가압 장치(220)를 바라본 경우를 나타내며, 도 9b는 상부에서 반도체 소자 가압 장치(220)를 바라본 경우를 나타낸다. 9A and 9B show another example of a semiconductor device
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 반도체 소자 가압 장치(220)는 유체가 유입되는 관통홀(224) 및 관통홀(224)의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 바디(221)와, 실린더 바디(221)의 원통형 공간의 측면 영역에 고정되도록 결합되는 실린더 라이너(223)와, 실린더 바디(221)에 형성된 원통형의 공간에 삽입되고, 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 원통형의 공간에 삽입되는 피스톤(222)을 포함할 수 있다. 또한, 반도체 소자 가압 장치(220)는 실린더 라이너(223)와 실린더 바디(221) 사이에서 유체의 유동을 차단하는 제1 링 부재(225)와, 실린더 라이너(223)의 상부에 결합되고, 실린더 라이너(223)를 실린더 바디(221)에 고정시키는 제2 링 부재(226)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 9A and 9B, the semiconductor
여기서, 피스톤(222)과 실린더 라이너(223) 사이에 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고, 유동 영역은 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 영역은 피스톤(222)의 측면에 피스톤 운동 방향과 평행한 방향으로 형성된 그루브(227)에 의해 생성될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 실린더의 동작을 위해 피스톤(222)의 측면에 형성된 그루브(227)에 유체들이 채워지고, 그루브(227)에 채워진 유체들은 손실 유량을 보상하는 댐핑 역할을 수행할 수 있다.Here, a flow area in which a portion of the fluid can flow is formed between the
도 10a 및 도 10b는 본 명세서의 실시예에 따른 실린더 라이너(223)에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치(220)의 다른 예를 도시한다. 도 10a 및 도 10b는 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 피스톤 운동 방향에 평행한 방향으로 그루브(228)가 형성된 경우의 예를 도시하며, 도 10a는 측면에서 반도체 소자 가압 장치(220)를 바라본 경우를 나타내며, 도 10b는 상부에서 반도체 소자 가압 장치(220)를 바라본 경우를 나타낸다. FIGS. 10A and 10B show another example of a semiconductor device
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 반도체 소자 가압 장치(220)는 유체가 유입되는 관통홀(224) 및 관통홀(224)의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 바디(221)와, 실린더 바디(221)의 원통형 공간의 측면 영역에 고정되도록 결합되는 실린더 라이너(223)와, 실린더 바디(221)에 형성된 원통형의 공간에 삽입되고, 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 원통형의 공간에 삽입되는 피스톤(222)을 포함할 수 있다. 또한, 반도체 소자 가압 장치(220)는 실린더 라이너(223)와 실린더 바디(221) 사이에서 유체의 유동을 차단하는 제1 링 부재(225)와, 실린더 라이너(223)의 상부에 결합되고, 실린더 라이너(223)를 실린더 바디(221)에 고정시키는 제2 링 부재(226)를 더 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 10A and 10B, the semiconductor
여기서, 피스톤(222)과 실린더 라이너(223) 사이에 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고, 유동 영역은 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 영역은 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 피스톤 운동 방향과 평행한 방향으로 형성된 그루브(228)에 의해 생성될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 실린더의 동작을 위해 피스톤(222)의 측면에 형성된 그루브(227)에 유체들이 채워지고, 그루브(228)에 채워진 유체들은 손실 유량을 보상하는 댐핑 역할을 수행할 수 있다.Here, a flow area in which a portion of the fluid can flow is formed between the
도 11은 본 명세서의 실시예에 따른 피스톤에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 또 다른 예를 도시한다. 도 11은 피스톤(222)의 측면에 피스톤 운동 방향의 사선 방향으로 그루브(227)가 형성된 경우의 예를 도시한다. 즉, 그루브(227)가 피스톤(222)의 측면에 나사선(스파이럴) 형태로 구성될 수 있다. 도 12를 참조하면, 반도체 소자 가압 장치(220)는 유체가 유입되는 관통홀(224) 및 관통홀(224)의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 바디(221)와, 실린더 바디(221)의 원통형 공간의 측면 영역에 고정되도록 결합되는 실린더 라이너(223)와, 실린더 바디(221)에 형성된 원통형의 공간에 삽입되고, 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 원통형의 공간에 삽입되는 피스톤(222)을 포함할 수 있다. 또한, 반도체 소자 가압 장치(220)는 실린더 라이너(223)와 실린더 바디(221) 사이에서 유체의 유동을 차단하는 제1 링 부재(225)와, 실린더 라이너(223)의 상부에 결합되고, 실린더 라이너(223)를 실린더 바디(221)에 고정시키는 제2 링 부재(226)를 더 포함할 수 있다. Figure 11 shows another example of a semiconductor device pressing device in which a groove is formed in a piston according to an embodiment of the present specification. FIG. 11 shows an example where a
여기서, 피스톤(222)과 실린더 라이너(223) 사이에 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고, 유동 영역은 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 영역은 피스톤(222)의 측면에 피스톤 운동 방향에 대하여 사선 방향으로 형성된 그루브(228)에 의해 생성될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 피스톤(222)의 측면에 피스톤 운동 방향에 대하여 사선 방향으로 형성된 그루브(227)에 유체들이 채워지고, 그루브(227)에 채워진 유체들은 손실 유량을 보상하는 댐핑 역할을 수행할 수 있다.Here, a flow area in which a portion of the fluid can flow is formed between the
도 12는 본 명세서의 실시예에 따른 실린더 라이너(223)에 그루브가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 또 다른 예를 도시한다. 도 12은 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 피스톤 운동 방향의 사선 방향으로 그루브(228)가 형성된 경우의 예를 도시한다. 즉, 그루브(228) 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 나사선(스파이럴) 형태로 구성될 수 있다. 도 12를 참조하면, 반도체 소자 가압 장치(220)는 유체가 유입되는 관통홀(224) 및 관통홀(224)의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 바디(221)와, 실린더 바디(221)의 원통형 공간의 측면 영역에 고정되도록 결합되는 실린더 라이너(223)와, 실린더 바디(221)에 형성된 원통형의 공간에 삽입되고, 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 원통형의 공간에 삽입되는 피스톤(222)을 포함할 수 있다. 또한, 반도체 소자 가압 장치(220)는 실린더 라이너(223)와 실린더 바디(221) 사이에서 유체의 유동을 차단하는 제1 링 부재(225)와, 실린더 라이너(223)의 상부에 결합되고, 실린더 라이너(223)를 실린더 바디(221)에 고정시키는 제2 링 부재(226)를 더 포함할 수 있다. Figure 12 shows another example of a semiconductor device pressing device in which a groove is formed in the
여기서, 피스톤(222)과 실린더 라이너(223) 사이에 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고, 유동 영역은 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 영역은 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 피스톤 운동 방향에 대하여 사선 방향으로 형성된 그루브(228)에 의해 생성될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 실린더 라이너(223)의 내측 벽에 피스톤 운동 방향에 대하여 사선 방향으로 형성된 그루브(227)에 유체들이 채워지고, 그루브(227)에 채워진 유체들은 손실 유량을 보상하는 댐핑 역할을 수행할 수 있다.Here, a flow area in which a portion of the fluid can flow is formed between the
도 13은 본 명세서의 실시예에 따른 피스톤에 내부 유로가 형성된 반도체 소자 가압 장치의 예를 도시한다. 도 13은 피스톤(222)의 중심부에 제1 내부 유로(1301)가 형성되고, 제1 내부 유로(1301)와 제2 유로 사이(그루브(227))를 연결하는 제2 내부 유로가 피스톤(222)에 형성된다. 도 13은 피스톤(222)에 그루브(227)가 형성된 경우의 예를 나타내나, 본 명세서의 실시예는 이에 한정되는 것이 아니며, 실린더 라이너(223)에 그루브(228)가 형성될 수도 있고, 피스톤(222)에 형성된 그루브(227)와 실린더 라이너(223)에 형성된 그루브(228)가 모두 존재할 수 있다.Figure 13 shows an example of a semiconductor device pressurizing device in which an internal flow path is formed in a piston according to an embodiment of the present specification. 13 shows that a first
여기서, 제1 영역에서 유동하는 유체에 의한 제1 압력(P1)은 제2 내부 유로(1302)를 따라 유동하는 유체에 의한 제2 압력(P2)보다 작도록 구성될 수 있다. 제2 압력(P2)이 제1 압력(P1) 보다 큰 경우, 손실되는 유량보다 댐핑 역할을 수행하는 유량이 더 크게되어, 본 명세서의 실시예에 따른 제2 영역에 의한 댐핑이 달성될 수 있다. Here, the first pressure P1 caused by the fluid flowing in the first area may be configured to be smaller than the second pressure P2 caused by the fluid flowing along the second
도 14은 본 명세서의 실시예에 따른 복수개의 실린더 유닛들로 연결된 유체 공급 라인의 예를 도시한다. 도 14는 반도체 고자 가압 장치의 단면도를 나타낸다. 도 14를 참조하면 실린더 바디(221)에 복수 개의 챔버 공간들이 형성되고, 각 챔버 공간에 실린더 라이너(223) 및 피스톤(222)이 배치된다. 또한, 반도체 소자 가압 장치는 실린더 라이너(223)와 실린더 바디(221) 사이에서 유체의 유동을 차단하는 제1 링 부재(225)와, 실린더 라이너(223)의 상부에 결합되고, 실린더 라이너(223)를 실린더 바디(221)에 고정시키는 제2 링 부재(226)를 더 포함할 수 있다.Figure 14 shows an example of a fluid supply line connected to a plurality of cylinder units according to an embodiment of the present specification. Figure 14 shows a cross-sectional view of the semiconductor pressurizing device. Referring to FIG. 14, a plurality of chamber spaces are formed in the
각 실린더 챔버로 유체를 공급하기 위하여, 유체 공급 유닛(210)으로부터 각 실린더 챔버로 연결되는 유체 공급 라인(1410)이 형성될 수 있다. 여기서, 유체 공급 라인(1410)은 유체 공급 유닛(210)에 포함될 수 있다.In order to supply fluid to each cylinder chamber, a
도 15는 본 명세서의 실시예에 따른 복수개의 실린더 유닛들을 포함하는 반도체 소자 가압 장치의 예를 도시한다. 도 15는 반도체 소자 가압 장치의 사시도를 나타낸다. 도 15는 반도체 고자 가압 장치의 단면도를 나타낸다. 도 15를 참조하면 실린더 바디(221)에 복수 개의 챔버 공간들이 형성되고, 각 챔버 공간에 실린더 라이너(223) 및 피스톤(222)이 배치된다. 또한, 반도체 소자 가압 장치는 실린더 라이너(223)와 실린더 바디(221) 사이에서 유체의 유동을 차단하는 제1 링 부재(225)와, 실린더 라이너(223)의 상부에 결합되고, 실린더 라이너(223)를 실린더 바디(221)에 고정시키는 제2 링 부재(226)를 더 포함할 수 있다. Figure 15 shows an example of a semiconductor device pressing device including a plurality of cylinder units according to an embodiment of the present specification. Figure 15 shows a perspective view of a semiconductor device pressing device. Figure 15 shows a cross-sectional view of the semiconductor pressurizing device. Referring to FIG. 15, a plurality of chamber spaces are formed in the
도 15는 피스톤(222)에 내부 유로가 형성되는 경우의 예를 도시하나, 피스톤(222)의 내부 유로는 일 실시예에 해당할 뿐, 피스톤(222)에 내부 유로가 형성되지 않을 수 있다. 도 15에 따르면, 하나의 유체 공급 유닛(210)은 16개의 실린더들을 단위로 하여 유체를 공급할 수 있다.Figure 15 shows an example in which an internal flow path is formed in the
본 명세서의 실시예에 따르면, 피스톤에서 제1 영역과 제2 영역을 포함하는 유동 영역에 해당하는 측면부는 파티클 및 산화를 방지하기 위하여 피스톤 몸체와 상이한 재질로 코팅될 수 있다. 예를 들어, 피스톤 몸체는 스테인리스 강으로 구성되나, 피스톤의 측면부는 DLC(diamond-like carbon) 코팅에 의해 처리될 수 있다.According to an embodiment of the present specification, the side portion corresponding to the flow region including the first region and the second region in the piston may be coated with a material different from the piston body to prevent particles and oxidation. For example, the piston body may be made of stainless steel, but the side surfaces of the piston may be treated with a diamond-like carbon (DLC) coating.
이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Although several embodiments of the present invention have been described above, the drawings and detailed description of the invention referred to so far are merely illustrative of the present invention, which are used only for the purpose of explaining the present invention and are not intended to limit the meaning or apply for patent claims. It is not used to limit the scope of the present invention described in the scope. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and other equivalent embodiments are possible therefrom. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.
Claims (20)
상기 공간에서 상기 개구부에 인접한 내측 벽에 결합되는 실린더 라이너; 및
상기 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 상기 공간에 삽입되는 피스톤을 포함하고,
상기 피스톤과 상기 실린더 라이너 사이에 상기 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고,
상기 유동 영역은, 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 상기 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함하는 반도체 소자 가압 장치.
A cylinder body forming a space having a through hole through which fluid flows and an opening on the opposite side of the through hole;
a cylinder liner coupled to an inner wall adjacent the opening in the space; and
It includes a piston inserted into the space so that it can be moved by the pressure of the fluid,
A flow region in which a portion of the fluid can flow is formed between the piston and the cylinder liner,
The flow region includes a first region formed by a first gap and a second region formed by a second gap larger than the first gap.
상기 제2 영역은 상기 피스톤의 측면에 형성된 그루브에 의해 생성되는 반도체 소자 가압 장치.
According to paragraph 1,
The semiconductor device pressing device wherein the second area is created by a groove formed on a side of the piston.
상기 그루브는 상기 피스톤의 측면에서 상기 피스톤의 운동 방향에 수직한 방향을 따라 형성되는 반도체 소자 가압 장치.
According to paragraph 2,
The groove is formed on a side of the piston in a direction perpendicular to the direction of movement of the piston.
상기 그루브는 상기 피스톤의 측면에서 상기 피스톤의 운동 방향에 평행한 방향으로 형성되는 반도체 소자 가압 장치.
According to paragraph 2,
The groove is formed on a side of the piston in a direction parallel to the direction of movement of the piston.
상기 그루브는 상기 피스톤의 측면에서 상기 피스톤의 운동 방향에 대하여 사선 방향으로 형성되는 반도체 소자 가압 장치.
According to paragraph 2,
The groove is formed on a side of the piston in a diagonal direction with respect to the direction of movement of the piston.
상기 제2 영역은,
상기 실린더 라이너의 내측 벽에 형성된 그루브에 의해 생성되는 반도체 소자 가압 장치.
According to paragraph 1,
The second area is,
A semiconductor device pressing device produced by a groove formed on the inner wall of the cylinder liner.
상기 그루브는 상기 실린더 라이너의 내측 벽에서 상기 피스톤의 운동 방향에 수직한 방향을 따라 형성되는 반도체 소자 가압 장치.
According to clause 6,
The semiconductor device pressing device wherein the groove is formed along a direction perpendicular to the direction of movement of the piston on the inner wall of the cylinder liner.
상기 그루브는 상기 실린더 라이너의 내측 벽에서 상기 피스톤의 운동 방향에 평행한 방향을 따라 형성되는 반도체 소자 가압 장치.
According to clause 5,
The semiconductor device pressing device wherein the groove is formed along a direction parallel to the direction of movement of the piston on the inner wall of the cylinder liner.
상기 그루브는 상기 실린더 라이너의 내측 벽에서 상기 피스톤의 운동 방향에 대하여 사선 방향을 따라 형성되는 반도체 소자 가압 장치.
According to clause 6,
The semiconductor device pressing device wherein the groove is formed on the inner wall of the cylinder liner in a diagonal direction with respect to the direction of movement of the piston.
상기 피스톤의 중심부에 제1 내부 유로, 그리고 상기 제1 내부 유로와 상기 제2 영역 사이를 연결하는 제2 내부 유로가 상기 피스톤에 형성되고,
상기 제1 영역에서 유동하는 유체에 의한 제1 압력이 상기 제2 내부 유로를 따라 유동하는 유체에 의한 제2 압력보다 작도록 설정된 반도체 소자 가압 장치.
According to paragraph 1,
A first internal flow path is formed in the center of the piston, and a second internal flow path connecting the first internal flow path and the second region is formed in the piston,
A semiconductor device pressing device wherein the first pressure caused by the fluid flowing in the first area is set to be smaller than the second pressure caused by the fluid flowing along the second internal flow path.
상기 로딩 유닛으로부터 이송된 트레이에 로딩된 반도체 소자를 테스트 장치 측으로 가압하는 반도체 소자 가압 장치를 포함하는 테스트 챔버; 및
상기 테스트 챔버로부터 이송된 트레이의 반도체 소자를 언로딩하는 언로딩 유닛을 포함하고,
상기 반도체 소자 가압 장치는,
유체가 유입되는 관통홀 및 상기 관통홀의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 바디;
상기 공간에서 상기 개구부에 인접한 내측 벽에 결합되는 실린더 라이너; 및
상기 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 상기 공간에 삽입되는 피스톤을 포함하고,
상기 피스톤과 상기 실린더 라이너 사이에 상기 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고,
상기 유동 영역은, 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 상기 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함하는 테스트 핸들러.
a loading unit that loads at least one semiconductor device into a tray for testing;
a test chamber including a semiconductor device pressing device that presses the semiconductor device loaded on the tray transferred from the loading unit toward the test device; and
It includes an unloading unit that unloads semiconductor devices from the tray transferred from the test chamber,
The semiconductor device pressurizing device,
A cylinder body forming a cylindrical space having a through hole through which fluid flows and an opening on an opposite side of the through hole;
a cylinder liner coupled to an inner wall adjacent the opening in the space; and
It includes a piston inserted into the space so that it can be moved by the pressure of the fluid,
A flow region in which a portion of the fluid can flow is formed between the piston and the cylinder liner,
The test handler wherein the flow region includes a first region defined by a first interval and a second region defined by a second interval greater than the first interval.
상기 제2 영역은 상기 피스톤의 측면에 형성된 그루브에 의해 생성되고,
상기 그루브는 상기 피스톤의 측면에서 상기 피스톤의 운동 방향에 수직한 방향 또는 평행한 방향을 따라 형성되는 테스트 핸들러.
According to clause 11,
The second area is created by a groove formed on a side of the piston,
The test handler wherein the groove is formed along a direction perpendicular to or parallel to the direction of movement of the piston on the side of the piston.
상기 제2 영역은 상기 실린더 라이너의 내측 벽에 형성된 그루브에 의해 생성되고,
상기 그루브는 상기 실린더 라이너의 내벽에서 상기 피스톤의 운동 방향에 수직한 방향 또는 평행한 방향을 따라 형성되는 테스트 핸들러.
According to clause 11,
The second region is created by a groove formed in the inner wall of the cylinder liner,
The test handler wherein the groove is formed along a direction perpendicular to or parallel to the direction of movement of the piston on the inner wall of the cylinder liner.
상기 피스톤의 중심부에 제1 내부 유로, 그리고 상기 제1 내부 유로와 상기 제2 영역 사이를 연결하는 제2 내부 유로가 상기 피스톤에 형성되고,
상기 제1 영역에서 유동하는 유체에 의한 제1 압력이 상기 제2 내부 유로를 따라 유동하는 유체에 의한 제2 압력보다 작도록 설정되는 테스트 핸들러.
According to clause 11,
A first internal flow path is formed in the center of the piston, and a second internal flow path connecting the first internal flow path and the second region is formed in the piston,
A test handler wherein the first pressure caused by the fluid flowing in the first area is set to be smaller than the second pressure caused by the fluid flowing along the second internal flow path.
상기 테스트 챔버는 상기 반도체 소자를 상기 테스트 장치 측으로 가압하는 푸셔를 포함하는 매치 플레이트를 더 포함하고,
상기 피스톤은 상기 유체의 압력에 의해 상기 푸셔를 가압하는 테스트 핸들러.
According to clause 11,
The test chamber further includes a match plate including a pusher that presses the semiconductor device toward the test device,
A test handler wherein the piston presses the pusher by the pressure of the fluid.
적어도 하나의 반도체 소자를 테스트를 위한 트레이로 로딩하는 로딩 유닛;
제1 온도에서 상기 로딩 유닛으로부터 이송된 트레이를 보관하는 제1 챔버;
상기 제1 챔버로부터 이송된 트레이에 로딩된 반도체 소자를 테스트 장치 측으로 가압하는 반도체 소자 가압 장치를 포함하는 테스트 챔버;
제2 온도에서 상기 테스트 챔버로부터 이송된 트레이를 보관하는 제2 챔버; 및
상기 제2 챔버로부터 이송된 트레이의 반도체 소자를 언로딩하는 언로딩 유닛을 포함하고,
상기 반도체 소자 가압 장치는,
유체가 유입되는 관통홀 및 상기 관통홀의 반대측에 개구부를 갖는 원통형의 공간을 형성하는 실린더 바디;
상기 공간에서 상기 개구부에 인접한 내측 벽에 결합되는 실린더 라이너; 및
상기 유체의 압력에 의해 이동 가능하도록 상기 공간에 삽입되는 피스톤을 포함하고,
상기 피스톤과 상기 실린더 라이너 사이에 상기 유체의 일부가 유동할 수 있는 유동 영역이 형성되고,
상기 유동 영역은, 제1 간격에 의해 형성되는 제1 영역 및 상기 제1 간격보다 큰 제2 간격으로 형성된 제2 영역을 포함하고,
상기 제2 영역은 상기 피스톤 또는 상기 실린더 라이너의 내측 벽에 형성된 그루브에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 테스트 핸들러.
In the test handler,
a loading unit that loads at least one semiconductor device into a tray for testing;
a first chamber storing the tray transferred from the loading unit at a first temperature;
a test chamber including a semiconductor device pressing device that presses the semiconductor device loaded on the tray transferred from the first chamber toward the test device;
a second chamber storing the tray transferred from the test chamber at a second temperature; and
It includes an unloading unit that unloads the semiconductor elements of the tray transferred from the second chamber,
The semiconductor device pressurizing device,
A cylinder body forming a cylindrical space having a through hole through which fluid flows and an opening on an opposite side of the through hole;
a cylinder liner coupled to an inner wall adjacent the opening in the space; and
It includes a piston inserted into the space so that it can be moved by the pressure of the fluid,
A flow region in which a portion of the fluid can flow is formed between the piston and the cylinder liner,
The flow region includes a first region defined by a first interval and a second region defined by a second interval greater than the first interval,
The test handler, wherein the second region is created by a groove formed on an inner wall of the piston or the cylinder liner.
상기 제2 영역은 상기 피스톤의 측면에 형성된 그루브에 의해 생성되고,
상기 그루브는 상기 피스톤의 측면에서 상기 피스톤의 운동 방향에 수직한 방향 또는 평행한 방향을 따라 형성되는 테스트 핸들러.
According to clause 16,
The second area is created by a groove formed on a side of the piston,
The test handler wherein the groove is formed along a direction perpendicular to or parallel to the direction of movement of the piston on the side of the piston.
상기 제2 영역은 상기 실린더 라이너의 내벽에 형성된 그루브에 의해 생성되고,
상기 그루브는 상기 실린더 라이너의 내측 벽에서 상기 피스톤의 운동 방향에 수직한 방향 또는 평행한 방향을 따라 형성되는 테스트 핸들러.
According to clause 16,
The second region is created by a groove formed on the inner wall of the cylinder liner,
The test handler wherein the groove is formed along a direction perpendicular to or parallel to the direction of movement of the piston on the inner wall of the cylinder liner.
상기 피스톤의 중심부에 제1 내부 유로, 그리고 상기 제1 내부 유로와 상기 제2 영역 사이를 연결하는 제2 내부 유로가 상기 피스톤에 형성되고,
상기 제1 영역에서 유동하는 유체에 의한 제1 압력이 상기 제2 내부 유로를 따라 유동하는 유체에 의한 제2 압력보다 작도록 설정된 테스트 핸들러.
According to clause 16,
A first internal flow path is formed in the center of the piston, and a second internal flow path connecting the first internal flow path and the second region is formed in the piston,
A test handler set so that the first pressure caused by the fluid flowing in the first area is smaller than the second pressure caused by the fluid flowing along the second internal flow path.
상기 공간의 측면에 설치되는 실린더 라이너를 더 포함하고,
상기 실린더 라이너와 상기 실린더 라이너 사이에서 상기 유체의 유동을 차단하는 제1 링 부재; 및
상기 실린더 라이너의 상부에 결합되고, 상기 실린더 라이너를 상기 실린더 라이너에 고정시키는 제2 링 부재를 더 포함하는 테스트 핸들러.According to clause 16,
Further comprising a cylinder liner installed on the side of the space,
a first ring member blocking the flow of the fluid between the cylinder liner and the cylinder liner; and
The test handler further includes a second ring member coupled to an upper portion of the cylinder liner and securing the cylinder liner to the cylinder liner.
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