KR102633639B1 - 표시 장치 및 이의 검사 방법 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는, 제1 주사선들, 제2 주사선들, 및 데이터선들에 접속되는 화소들을 포함하는 화소부; 제1 모드에서, 제1 주사선들을 통해 제1 주사 신호를 제1 주파수로 화소에 공급하고, 제2 주사선들을 통해 제1 주파수와 다른 제2 주파수로 제2 주사 신호를 화소들에 공급하는 주사 구동부; 제1 모드의 제1 기간에, 제1 주사 신호에 대응하여 데이터선들 중 적어도 하나를 통해 화소들에 검사 신호를 공급하는 제1 신호 공급부; 및 제1 모드의 제2 기간에, 제1 주사 신호에 대응하여 데이터선들을 통해 화소들에 바이어스 신호를 공급하는 제2 신호 공급부를 포함한다.

Description

표시 장치 및 이의 검사 방법{DISPLAY DEVICE AND INSPECTION METHOD THEREOF}
본 발명은 전자 기기에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 표시 장치 및 이의 검사 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 복수의 화소들을 포함한다. 화소들 각각은 복수의 트랜지스터들, 트랜지스터들에 전기적으로 연결된 발광 소자 및 커패시터를 포함한다. 트랜지스터들은 배선을 통해 제공되는 신호들에 각각 응답하여 턴 온되고, 이에 의해 소정의 구동 전류가 생성된다. 발광 소자는 이러한 구동 전류에 대응하여 발광한다.
최근에는 표시 장치의 구동 효율 향상 및 소비 전력을 최소화하기 위하여 표시 장치를 저주파로 구동하는 방법이 사용된다. 따라서, 표시 장치가 저주파로 구동될 때 표시 품질을 향상시킬 수 있는 방법이 요구된다.
본 발명의 일 목적은 저주파 구동에 대한 패널 검사 시 화소들에 신호를 공급하도록 이용되는 제1 신호 공급부 및 제2 신호 공급부를 포함하는 표시 장치 및 이의 검사 방법을 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는, 제1 주사선들, 제2 주사선들, 및 데이터선들에 접속되는 화소들을 포함하는 화소부; 제1 모드에서, 상기 제1 주사선들을 통해 제1 주사 신호를 제1 주파수로 상기 화소에 공급하고, 제2 주사선들을 통해 상기 제1 주파수와 다른 제2 주파수로 제2 주사 신호를 상기 화소들에 공급하는 주사 구동부; 상기 제1 모드의 제1 기간에, 상기 제1 주사 신호에 대응하여 상기 데이터선들 중 적어도 하나를 통해 상기 화소들에 검사 신호를 공급하는 제1 신호 공급부; 및 상기 제1 모드의 제2 기간에, 상기 제1 주사 신호에 대응하여 상기 데이터선들을 통해 상기 화소들에 바이어스 신호를 공급하는 제2 신호 공급부를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 주파수는 상기 제1 주파수보다 작을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 주사 구동부는 상기 제2 주사 신호를 상기 제1 주사 신호에 중첩하여 공급할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 주사 구동부는 상기 제1 기간에 상기 제1 주사 신호와 상기 제2 주사 신호를 공급하고, 상기 제2 기간에 상기 제1 주사 신호를 공급할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 신호 공급부는 상기 제2 기간 동안 상기 화소들 전체에 상기 바이어스 신호를 공급할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제2 모드에서, 상기 주사 구동부는 상기 제1 주파수로 상기 제1 주사 신호 및 상기 제2 주사 신호를 각각 상기 제1 주사선 및 상기 제2 주사선을 통해 상기 화소에 공급할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 모드에서 상기 주사 구동부는 상기 제1 주사 신호와 상기 제2 주사 신호를 동시에 공급할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 모드에서, 상기 제2 신호 공급부는 상기 바이어스 신호를 상기 데이터선들로 공급하지 않을 수 있다. 상기 제2 모드에서, 상기 제1 신호 공급부는 상기 제1 주사 신호에 대응하여 상기 데이터선들을 통해 상기 검사 신호를 상기 화소들에 공급할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 신호 공급부는, 제1 데이터선과 제1 검사 신호를 공급하는 제1 검사선 사이에 전기적으로 접속되며, 제1 검사 제어 신호에 의해 턴-온되는 제1 스위치; 제2 데이터선과 제2 검사 신호를 공급하는 제2 검사선 사이에 전기적으로 접속되며, 제2 검사 제어 신호에 의해 턴-온되는 제2 스위치; 및 제3 데이터선과 제3 검사 신호를 공급하는 제3 검사선 사이에 전기적으로 접속되며, 제3 검사 제어 신호에 의해 턴-온되는 제3 스위치를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제2 주사 신호가 공급될 때, 상기 제1 내지 제3 스위치들 중 적어도 하나는 턴-온될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 제2 신호 공급부는, 상기 데이터선들 중 하나와 바이어스 신호를 공급하는 전원선 사이에 전기적으로 접속되며, 바이어스 제어 신호에 의해 턴-온되는 바이어스 스위치를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 바이어스 스위치가 턴-온되면, 상기 제1 내지 제3 스위치들은 턴-오프될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 화소들은 상기 검사 신호에 응답하여 발광할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 장치는, 상기 제1 주파수로 발광 제어선들을 통해 상기 화소들에 발광 제어 신호를 공급하는 발광 구동부; 및 상기 데이터선들을 통해 상기 화소들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 화소들 중 i번째(단, i는 1보다 큰 자연수) 수평라인에 배치되는 화소는, 발광 소자; 제1 전원에 전기적으로 연결되는 제1 노드에 접속되는 제1 전극을 포함하며, 제2 노드의 전압에 기초하여 구동 전류를 제어하는 제1 트랜지스터; 상기 데이터선들 중 하나와 상기 제1 노드 사이에 접속되며, i번째 제1 주사선으로 공급되는 상기 제1 주사 신호에 의해 턴-온되는 제2 트랜지스터; 상기 제1 트랜지스터의 제2 전극에 접속되는 제3 노드와 상기 제2 노드 사이에 접속되며, i번째 제2 주사선으로 공급되는 상기 제2 주사 신호에 의해 턴-온되는 제3 트랜지스터; 상기 제3 노드와 초기화 전원 사이에 접속되며, i-1번째 제2 주사선으로 공급되는 상기 제2 주사 신호에 의해 턴-온되는 제4 트랜지스터; 상기 제1 전원과 상기 제1 노드 사이에 접속되며, i번째 발광 제어선으로 공급되는 상기 발광 제어 신호에 의해 턴-오프되는 제5 트랜지스터; 및 상기 제3 노드와 상기 발광 소자의 제1 전극에 접속되며, 상기 제5 트랜지스터와 함께 턴-오프되는 제6 트랜지스터를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 신호 공급부는 상기 화소부의 일 측에 배치되고, 상기 제2 신호 공급부는 상기 화소부의 타 측에 배치되며, 상기 데이터 구동부가 실장되는 실장 영역은 상기 화소부와 상기 제2 신호 공급부 사이에 위치될 수 있다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예들에 따른 저주파수 모드로 구동되는 표시 장치의 검사 방법은, 상기 저주파수 모드의 제1 기간에, 제1 신호 공급부를 통해 데이터선들 중 적어도 하나에 검사 신호를 공급하는 단계; 상기 제1 기간에 후속하는 상기 저주파수 모드의 제2 기간에, 제2 신호 공급부를 통해 상기 데이터선들에 바이어스 전압을 공급하는 단계; 및 상기 검사 신호에 대응하여 발광하는 화소들의 점등 검사를 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 기간이 반복되는 주파수는 영상 리프레시 레이트와 동일할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 점등 검사를 수행하는 단계는, 제2 기간에 상기 데이터선들로부터 상기 바이어스 전압의 변화를 검출하여 상기 데이터선들의 쇼트(sort) 검사 또는 오픈(open) 검사를 수행하는 것을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 기간 동안 상기 화소들 각각에 연결되는 제1 주사선 및 제2 주사선으로 각각 제1 주사 신호 및 제2 주사 신호가 공급되고, 상기 제2 기간 동안 상기 제1 주사선으로 상기 제1 주사 신호가 공급될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 이의 구동 방법은, 저주파수 구동 점등 검사 시에 화소의 구동 트랜지스터를 주기적으로 온-바이어스 되게 하는 제2 신호 공급부의 구성 및 동작을 포함할 수 있다. 따라서, 저주파수 구동 점등 검사 시 화소부의 휘도 변화가 최소화되며, 플리커가 제거 또는 최소화될 수 있다. 이에 따라, 저주파수 구동에 대한 점등 검사가 오류 없이 수행될 수 있으며, 점등 검사의 정확성이 개선될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 3a는 도 2의 화소의 구동의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 3b는 도 2의 화소의 구동의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 4는 도 1의 표시 장치에 포함되는 주사 구동부들 및 발광 구동부로 공급되는 스타트 펄스들의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 5는 도 1의 표시 장치가 제1 모드로 구동될 때의 구동 방법의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 6은 도 1의 표시 장치가 제2 모드로 구동될 때의 구동 방법의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 7은 도 1의 표시 장치의 일부분의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 7의 표시 장치가 제2 모드로 점등 검사가 수행될 때의 구동 방법의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 9는 도 7의 표시 장치가 제1 모드로 점등 검사가 수행될 때의 구동 방법의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 10a는 도 1의 표시 장치의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 10b는 도 10a의 표시 장치의 일부분의 일 예를 개략적으로 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1000)는 화소부(100), 주사 구동부(200, 300), 발광 구동부(400), 데이터 구동부(500), 및 타이밍 제어부(600)를 구비한다.
일 실시예에서, 주사 구동부(200, 300)는 제1 주사 구동부(200) 및 제2 주사 구동부(300)로 구분될 수 있다.
표시 장치(1000)는 구동 조건에 따라 다양한 영상 리프레시 레이트(refresh rate, 구동 주파수, 또는, 화면 재생률)로 영상을 표시할 수 있다. 영상 리프레시 레이트는 화소(PX)의 구동 트랜지스터에 실질적으로 데이터 신호가 기입되는 빈도수이다. 예를 들어, 영상 리프레시 레이트는 화면 주사율, 화면 재생 빈도수라고도 하며, 1초 동안 표시 화면이 재생되는 빈도수를 나타낸다. 일 실시예에서, 표시 장치(1000)는 구동 조건에 따라 제2 주사 구동부(200)의 출력 주파수 및 이에 대응하는 데이터 구동부(500)의 출력 주파수를 조절할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(1000)는 1Hz 내지 120Hz의 다양한 영상 리프레시 레이트들에 대응하여 영상을 표시할 수 있다.
화소부(100)는 복수의 주사선들(S1, S2), 복수의 발광 제어선들(E), 복수의 데이터선들(D)을 포함하고 주사선들(S1, S2), 발광 제어선들(E), 및 데이터선들(D)에 각각 연결되는 복수의 화소(PX)들을 포함할 수 있다. 화소(PX)들 각각은 구동 트랜지스터와 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터들을 포함할 수 있다.
타이밍 제어부(600)는 소정의 인터페이스를 통해 AP(Application processor)와 같은 호스트 시스템으로부터 입력 영상 데이터(IRGB) 및 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, CLK)을 공급받을 수 있다.
타이밍 제어부(600)는 입력 영상 데이터(IRGB), 수직동기신호(Vsync), 수평동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(DE) 및 클럭 신호(CLK) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동 제어 신호(DCS)를 생성할 수 있다. 데이터 구동 제어 신호(DCS)는 데이터 구동부(500)로 공급될 수 있다. 타이밍 제어부(600)는 입력 영상 데이터(IRGB)를 재정렬하여 데이터 구동부(500)로 공급할 수 있다.
타이밍 제어부(600)는 타이밍 신호들에 기초하여 게이트 스타트 펄스들(GSP1, GSP2) 및 클럭 신호(CLK)들을 제1 주사 구동부(200) 및 제2 주사 구동부(300)로 공급할 수 있다.
타이밍 제어부(600)는 타이밍 신호들에 기초하여 발광 스타트 펄스(ESP) 및 클럭 신호(CLK)들을 발광 구동부(400)로 공급할 수 있다. 발광 스타트 펄스(ESP)는 발광 제어 신호의 첫 번째 타이밍을 제어할 수 있다. 클럭 신호(CLK)들은 발광 스타트 펄스를 쉬프트시키기 위하여 사용된다.
제1 게이트 스타트 펄스(GSP1)는 제1 주사 구동부(200)로부터 공급되는 주사 신호의 첫 번째 타이밍을 제어한다. 클럭 신호(CLK)들은 제1 게이트 스타트 펄스(GSP1)를 쉬프트시키기 위하여 사용된다.
제2 게이트 스타트 펄스(GSP2)는 제2 주사 구동부(300)로부터 공급되는 주사 신호의 첫 번째 타이밍을 제어한다. 클럭 신호(CLK)들은 제2 게이트 스타트 펄스(GSP2)를 쉬프트시키기 위하여 사용된다.
데이터 구동부(500)는 타이밍 제어부(600)로부터 재정렬된 영상 데이터(RGB)를 제공받으며, 데이터 구동 제어 신호(DCS)에 대응하여 데이터선들(D)로 데이터 신호를 공급할 수 있다. 데이터선들(D)로 공급된 데이터 신호는 주사 신호에 의하여 선택된 화소(PX)들로 공급될 수 있다.
데이터 구동부(500)는 영상 리프레시 레이트에 대응하여 한 프레임 기간 동안 데이터선들(D)로 데이터 신호를 공급할 수 있다. 예를 들어, 데이터 신호는 제2 주사선들(S2)로 공급되는 주사 신호와 동기되도록 공급될 수 있다.
제1 주사 구동부(200)는 제1 게이트 스타트 펄스(GSP1)에 대응하여 제1 주사선들(S1)로 주사 신호를 공급한다. 일례로, 제1 주사 구동부(200)는 제1 주사선들(S1)로 제1 주사 신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 여기서, 제1 주사 구동부(200)로부터 공급되는 제1 주사 신호는 화소(PX)에 포함된 트랜지스터가 턴-온될 수 있도록 게이트 온 전압으로 설정된다.
제2 주사 구동부(300)는 제2 게이트 스타트 펄스(GSP2)에 대응하여 제2 주사선들(S2)로 주사 신호를 공급한다. 일례로, 제2 주사 구동부(300)는 제2 주사선들(S2)로 제2 주사 신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 여기서, 제2 주사 구동부(300)로부터 공급되는 제2 주사 신호는 화소(PX)에 포함된 트랜지스터가 턴-온될 수 있도록 게이트 온 전압으로 설정된다.
한편, 제2 주사 구동부(300)는 영상 리프레시 레이트에 대응하여 제2 주사선들(S2)로 공급되는 주사 신호를 제어할 수 있다. 일례로, 제2 주사 구동부(300)는 영상 리프레시 레이트에 대응하는 주파수로 제2 주사선들(S2) 각각으로 제2 주사 신호를 순차적으로 공급할 수 있다.
그러나, 제1 주사 구동부(200)는 영상 리프레시 레이트의 변화와 관계없이 일정한 주파수로 제1 주사선들(S1) 각각으로 제1 주사 신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 따라서, 표시 장치(1000)의 저주파 구동 시, 제1 주사 신호에 응답하여 화소(PX)들 각각에 바이어스를 위한 전압이 공급될 수 있다.
발광 구동부(400)는 발광 스타트 펄스(ESP)에 대응하여 발광 제어선들(E)로 발광 제어 신호를 공급할 수 있다. 일례로, 발광 구동부(400)는 발광 제어선들(E)로 발광 제어 신호를 순차적으로 공급할 수 있다. 발광 제어선들(E)로 발광 제어 신호가 순차적으로 공급되면 화소(PX)들이 수평라인 단위로 비발광된다. 이를 위하여, 발광 제어 신호는 화소(PX)들에 포함된 일부 트랜지스터(예를 들어, P형 트랜지스터)가 턴-오프될 수 있도록 게이트 오프 전압(예를 들어, 논리 하이 레벨)으로 설정될 수 있다.
발광 제어 신호는 화소(PX)들의 발광 시간을 제어하기 위하여 사용된다. 이를 위하여, 발광 제어 신호는 제1 및 제2 주사 신호들보다 넓은 폭으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 제1 주사 구동부(200)는 i번째 발광 제어선(Ei)으로 공급되는 발광 제어 신호의 게이트 오프 구간과 중첩되도록 i-1번째 제1 주사선(S1i-1, 도 2 참조) 및 i번째 제1 주사선(S1i)으로 제1 주사 신호를 공급할 수 있다(단, i는 2 이상의 정수).
일 실시예에서, 발광 구동부(400)는 영상 리프레시 레이트의 변화와 관계없이 일정한 주파수로 발광 제어선들(E) 각각으로 발광 제어 신호를 순차적으로 공급할 수 있다.
주사 구동부(200, 300) 및 발광 구동부(400)는 각각 박막 공정을 통해서 기판에 실장될 수 있다. 또한, 제1 주사 구동부(200)와 제2 주사 구동부(300)는 화소부(100)를 사이에 두고 양측에 위치될 수도 있다. 발광 구동부(400) 또한 화소부(100)를 사이에 두고 양측에 위치될 수도 있다.
또한, 도 1에서는 제1 주사 구동부(200), 제2 주사 구동부(300) 및 발광 구동부(400)가 각각 제1 주사 신호, 제2 주사 신호, 및 발광 제어 신호를 공급하는 것으로 도시되었지만, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 일례로, 주사 신호 및 발광 제어 신호는 하나의 구동부에 의하여 공급될 수 있다.
한편, 도 1에서는 i번째 수평라인에 배치되는 화소(PX)가 i번째 주사선들(S1i, S2i) 및 i번째 발광 제어선(Ei)에 연결되는 것으로 도시되었지만, 본 발명이 이에 한정되지는 않는다. 일례로, 화소(PX)들의 회로 구조에 대응하여 현재 수평라인(또는 현재 화소행)에 위치된 화소(PX)들은 이전 수평라인(또는 이전 화소행)에 위치된 주사선 및/또는 이후 수평라인(또는 이후 화소행)에 위치된 주사선과 추가로 접속될 수 있다. 이를 위하여, 화소부(100)에는 도시되지 않은 더미 주사선들 및/또는 더미 발광 제어선들이 추가로 형성될 수 있다.
도 2는 도 1의 표시 장치에 포함되는 화소의 일 예를 나타내는 회로도이다.
도 2a에서는 설명의 편의를 위하여 i번째 수평라인에 위치되며, j번째 데이터선(Dj)과 접속된 화소를 도시하기로 한다.
도 2를 참조하면, 화소(PX)는 발광 소자(LD), 제1 내지 제7 트랜지스터들(M1 내지 M7), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
발광 소자(LD)의 제1 전극(애노드 전극 또는 캐소드 전극)은 제4 노드(N4)에 접속되고 제2 전극(캐소드 전극 또는 애노드 전극)은 제2 전원(VSS)에 접속될 수 있다. 발광 소자(LD)는 제1 트랜지스터(M1)로부터 공급되는 전류량에 대응하여 소정 휘도의 빛을 생성한다.
일 실시예에서, 발광 소자(LD)는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드일 수 있다. 다른 실시예에서, 발광 소자(LD)는 무기 물질로 형성되는 무기 발광 소자일 수 있다. 또는 발광 소자(LD)는 복수의 무기 발광 소자들이 제2 전원(VSS)과 제4 노드(N4) 사이에 병렬 및/또는 직렬로 연결된 형태를 가질 수도 있다.
제1 트랜지스터(M1)(또는 구동 트랜지스터)의 제1 전극은 제1 노드(N1)에 접속되고, 제2 전극은 제3 노드(N3)에 접속될 수 있다. 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전극은 제2 노드(N2)에 접속될 수 있다. 제1 트랜지스터(M1)는 제2 노드(N2)의 전압에 대응하여 제1 전원(VDD)으로부터 발광 소자(LD)를 경유하여 제2 전원(VSS)으로 흐르는 전류량을 제어할 수 있다. 이를 위하여, 제1 전원(VDD)은 제2 전원(VSS)보다 높은 전압으로 설정될 수 있다.
제2 트랜지스터(M2)는 데이터선(Dj)과 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다. 제2 트랜지스터(M2)의 게이트 전극은 i번째 제1 주사선(S1i)에 접속될 수 있다. 제2 트랜지스터(M2)는 i번째 제1 주사선(S1i)으로 주사 신호(이하, 제1 주사 신호로 설명함)가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(Dm)과 제1 노드(N1)를 전기적으로 접속시킨다.
제3 트랜지스터(M3)는 제1 트랜지스터(M1)의 제2 전극(즉, 제3 노드(N3))과 제2 노드(N2) 사이에 접속될 수 있다. 제3 트랜지스터(M3)의 게이트 전극은 i번째 제2 주사선(S2i)에 접속될 수 있다. 제3 트랜지스터(M3)는 i번째 제2 주사선(S2i)으로 주사 신호(이하, 제2 주사 신호로 설명함)가 공급될 때 턴-온되어 제1 트랜지스터(M1)의 제2 전극과 제2 노드(N2)를 전기적으로 접속시킬 수 있다. 따라서, 제3 트랜지스터(M3)가 턴-온되면 제1 트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 접속된다.
제4 트랜지스터(M4)는 제2 노드(N2)와 제1 초기화 전원(Vint1) 사이에 접속될 수 있다. 제4 트랜지스터(M4)의 게이트 전극은 i-1번째 제2 주사선(S2i-1)에 접속될 수 있다. 제4 트랜지스터(M4)는 i-1번째 제2 주사선(S2i-1)으로 제2 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 제1 초기화 전원(Vint1)의 전압을 제2 노드(N2)로 공급할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 초기화 전원(Vint1)의 전압은 데이터선(Dj)으로 공급되는 데이터 신호보다 낮은 전압으로 설정된다. 이에 따라, 제4 트랜지스터(M4)의 턴-온에 의해 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전압이 제1 초기화 전원(Vint1)의 전압으로 초기화되고, 제1 트랜지스터(M1)가 온-바이어스(on-bias) 상태를 가질 수 있다(즉, 온-바이어스 상태로 초기화됨).
제5 트랜지스터(M5)는 제1 전원(VDD)과 제1 노드(N1) 사이에 접속될 수 있다. 제5 트랜지스터(M5)의 게이트 전극은 i번째 발광 제어선(Ei)에 접속될 수 있다. 제5 트랜지스터(M5)는 i번째 발광 제어선(Ei)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온된다.
제6 트랜지스터(M6)는 제1 트랜지스터(M1)의 제2 전극(즉, 제3 노드(N3))과 발광 소자(LD)의 제1 전극(즉, 제4 노드(N4)) 사이에 접속될 수 있다. 제6 트랜지스터(M6)의 게이트 전극은 i번째 발광 제어선(Ei)에 접속될 수 있다. 제6 트랜지스터(M6)는 i번째 발광 제어선(Ei)으로 발광 제어 신호가 공급될 때 턴-오프되고, 그 외의 경우에 턴-온된다.
제7 트랜지스터(M7)는 제2 초기화 전원(Vint2)과 제4 노드(N4) 사이에 접속될 수 있다. 일 실시예에서, 제7 트랜지스터(M7)의 게이트 전극은 i-1번째 제1 주사선(S1i-1)에 접속될 수 있다. 제7 트랜지스터(M7)는 i-1번째 제1 주사선(S1i-1)으로 제1 주사 신호가 공급될 때 턴-온되어 제2 초기화 전원(Vint2)의 전압을 발광 소자(LD)의 제1 전극으로 공급할 수 있다.
다만, 이는 예시적인 것으로서, 제7 트랜지스터(M7)의 게이트 전극은 i번째 제1 주사선(S1i) 또는 i+1번째 제1 주사선(S1i+1)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 제6 트랜지스터(M6)가 턴-오프 상태라면, 제7 트랜지스터(M7)가 어느 타이밍에 턴-온되어도 무방하다.
발광 소자(LD)의 제1 전극으로 제2 초기화 전원(Vint2)의 전압이 공급되면, 발광 소자(LD)의 기생 커패시터가 방전될 수 있다. 기생 커패시터에 충전된 잔류 전압이 방전(제거)됨에 따라 의도치 않은 미세 발광이 방지될 수 있다. 따라서, 화소(PX)의 블랙 표현 능력이 향상될 수 있다.
한편, 제1 초기화 전원(Vint1)과 제2 초기화 전원(Vint2)은 서로 다른 전압을 생성할 수 있다. 즉, 제2 노드(N2)를 초기화하는 전압과 제4 노드(N4)를 초기화하는 전압은 서로 다르게 설정될 수 있다.
한 프레임 기간의 길이가 길어지는 저주파 구동에서, 제2 노드(N2)로 공급되는 제1 초기화 전원(Vint1)의 전압이 지나치게 낮은 경우, 해당 프레임 기간에서의 제1 트랜지스터(M1)의 히스테리시스 변화가 심해진다. 이러한 히스테리시스는 저주파 구동에서 플리커 현상을 야기할 수 있다. 따라서, 저주파 구동의 표시 장치에서는 제2 전원(VSS)의 전압보다 높은 제1 초기화 전원(Vint1)의 전압이 요구될 수 있다.
그러나, 제4 노드(N4)에 공급되는 제2 초기화 전원(Vint2)의 전압이 소정의 기준보다 높아지는 경우, 발광 소자(LD)의 기생 커패시터의 전압이 방전되지 않고 오히려 충전될 수 있다. 따라서, 제2 초기화 전원(Vint2)의 소정의 기준보다 낮은 전압을 가져야 한다. 예를 들어, 제2 초기화 전원(Vint2)의 전압은 제2 전원(VSS)의 전압과 유사한 전압을 가질 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 표시 장치의 구동 조건에 따라 제2 초기화 전원(Vint2)의 전압은 제2 전원(VSS)의 전압보다 높을 수도 있고, 낮을 수도 있다. 또는, 제4 및 제7 트랜지스터들(M4, M7)의 일 전극들은 공통의 초기화 전원에 접속될 수도 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 전원(VDD)과 제2 노드(N2) 사이에 접속될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2 노드(N2)에 인가된 전압을 저장할 수 있다.
한편, 제1 트랜지스터(M1), 제2 트랜지스터(M2), 제5 트랜지스터(M5), 제6 트랜지스터(M6), 및 제7 트랜지스터(M7)는 폴리실리콘 반도체 트랜지스터로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 트랜지스터(M1), 제2 트랜지스터(M2), 제5 트랜지스터(M5), 및 제6 트랜지스터(M6)는 액티브층(채널)로서 폴리실리콘 반도체층을 포함할 수 있다. 폴리실리콘 반도체층은 LTPS(low temperature poly-silicon) 공정을 통해 형성될 수 있다. 또한, 제1 트랜지스터(M1), 제2 트랜지스터(M2), 제5 트랜지스터(M5), 및 제6 트랜지스터(M6)는 P형 트랜지스터일 수 있다. 이에 따라, 제1 트랜지스터(M1), 제2 트랜지스터(M2), 제5 트랜지스터(M5), 및 제6 트랜지스터(M6)를 턴-온시키는 게이트 온 전압은 논리 로우 레벨일 수 있다.
폴리실리콘 반도체 트랜지스터는 빠른 응답 속도의 장점이 있으므로, 빠른 스위칭이 요구되는 스위칭 소자에 적용될 수 있다.
제3 트랜지스터(M3) 및 제4 트랜지스터(M4)는 산화물 반도체 트랜지스터로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제3 트랜지스터(M3) 및 제4 트랜지스터(M4)는 N형 산화물 반도체 트랜지스터일 수 있고, 액티브층으로서 산화물 반도체층을 포함할 수 있다. 이에 따라, 제3 트랜지스터(M3) 및 제4 트랜지스터(M4)를 턴-온시키는 게이트 온 전압은 논리 하이 레벨일 수 있다.
산화물 반도체 트랜지스터는 저온 공정이 가능하며, 폴리실리콘 반도체 트랜지스터에 비하여 낮은 전하 이동도를 갖는다. 즉, 산화물 반도체 트랜지스터는 오프 전류 특성이 우수하다. 따라서, 제3 트랜지스터(M3) 및 제4 트랜지스터(M4)를 산화물 반도체 트랜지스터로 형성하면 제2 노드(N2)로부터의 누설전류를 최소화할 수 있고, 이에 따라 표시품질을 향상시킬 수 있다.
일 실시예에서, 제7 트랜지스터(M7)는 산화물 반도체 트랜지스터로 형성될 수도 있다.
도 3a는 도 2의 화소의 구동의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 2 및 도 3a를 참조하면, 화소(PX)는 영상 표시를 위한 신호들을 공급받을 수 있다.
이하, 설명의 편의를 위해, i번째 발광 제어선(Ei)은 발광 제어선(Ei)으로, i번째 제1 주사선(S1i)은 제1 주사선(S1i)으로, i번째 제2 주사선(S2i)은 제2 주사선으로, i-1번째 제1 주사선(S1i-1)은 이전 제1 주사선(S1i-1)으로, i-1번째 제2 주사선(S2i-1)은 이전 제2 주사선(S2i-1)으로 혼용되어 설명될 수 있다.
N형 트랜지스터인 제3 및 제4 트랜지스터들(M3, M4)에 연결되는 제2 주사선들(S2i-1, S2i)로 공급되는 제2 주사 신호의 게이트-온 전압은 논리 하이 레벨일 수 있다. P형 트랜지스터인 제1, 제2, 및 제7 트랜지스터들(M1, M2, M7)에 연결되는 제1 주사선들(S1i-1, S1i)로 공급되는 제1 주사 신호의 게이트-온 전압은 논리 로우 레벨일 수 있다. P형 트랜지스터인 제5 및 제6 트랜지스터에 연결되는 발광 제어선(Ei)으로 공급되는 발광 제어 신호의 게이트-온 전압 또한 논리 로우 레벨일 수 있다.
먼저 발광 제어선(Ei)으로 발광 제어 신호가 공급된다. 발광 제어선(Ei)으로 발광 제어 신호가 공급되면 제5 및 제6 트랜지스터들(M5, M6)이 턴-오프된다. 제5 및 제6 트랜지스터들(M5, M6)이 턴-오프되면, 화소(PX)는 비발광 상태로 설정된다.
이후, 이전 제1 주사선(S1i-1) 및 이전 제2 주사선(S2i-1)으로 제1 및 제2 주사 신호들이 공급된다. 일 실시예에서, 제1 및 제2 주사 신호들은 서로 중첩할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 주사 신호들은 서로 동일한 타이밍으로 서로 반대 파형을 가질 수 있다.
이전 제2 주사선(S2i-1)으로 제2 주사 신호가 공급되면 제4 트랜지스터(M4)가 턴-온될 수 있다. 제4 트랜지스터(M4)가 턴-온되면 제1 초기화 전원(Vint1)의 전압이 제2 노드(N2)로 공급될 수 있다. 이전 제1 주사선(S1i-1)으로 제1 주사 신호가 공급되면 제7 트랜지스터(M7)가 턴-온될 수 있다. 제7 트랜지스터(M7)가 턴-온되면 발광 소자(LD)의 제1 전극으로 제2 초기화 전원(Vint2)의 전압이 공급될 수 있다. 이에 따라, 발광 소자(LD)의 기생 커패시터에 남아있던 잔류 전압이 방전될 수 있다.
이후, 제1 주사선(S1i) 및 제2 주사선(S2i)으로 제1 및 제2 주사 신호들이 공급될 수 있다. 제2 주사선(S2i)으로 주사 신호가 공급되면 제3 트랜지스터(M3)가 턴-온될 수 있다. 제3 트랜지스터(M3)가 턴-온되면 제1 트랜지스터(M1)가 다이오드 형태로 접속되고, 제1 트랜지스터(M1)의 문턱전압이 보상될 수 있다.
제1 주사선(S1i)으로 주사 신호가 공급되면 제2 트랜지스터(M2)가 턴-온될 수 있다. 제2 트랜지스터(M2)가 턴-온되면 데이터 신호(DS)가 데이터선(Dj)으로부터 제1 노드(N1)로 공급된다. 이때, 제2 노드(N2)가 데이터 신호(DS)보다 낮은 제1 초기화 전원(Vint1)의 전압으로 초기화되었기 때문에(예를 들어, 온-바이어스 상태로 초기화됨) 제1 트랜지스터(M1)가 턴-온될 수 있다.
제1 트랜지스터(M1)가 턴-온되면 제1 노드(N1)로 공급된 데이터 신호(DS)가 다이오드 형태로 접속된 제1 트랜지스터(M1)를 경유하여 제2 노드(N2)로 공급된다. 그러면, 제2 노드(N2)에는 데이터 신호(DS) 및 제1 트랜지스터(M1)의 문턱전압에 대응하는 전압이 인가된다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)는 제2 노드(N2)의 전압을 저장한다.
이후, 발광 제어선(Ei)으로의 발광 제어 신호의 공급이 중단된다. 발광 제어선(Ei)으로의 발광 제어 신호의 공급이 중단되면, 제5 및 제6 트랜지스터들(M5, M6)가 턴-온된다. 이때, 제1 트랜지스터(M1)는 제2 노드(N2)의 전압에 대응하여 발광 소자(LD)로 흐르는 구동 전류를 제어한다. 그러면, 발광 소자(LD)는 전류량에 대응하는 휘도의 빛을 생성한다.
도 3b는 도 2의 화소의 구동의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 2 및 도 3b를 참조하면, 표시 장치가 저전력 구동 모드인 제1 모드로 구동될 때, 도 3a의 기간(예를 들어, 제1 기간)에서 출력되는 영상(및/또는 휘도)을 유지하기 위해 제2 기간 동안 주기적으로 제1 트랜지스터(M1)의 일 전극(예를 들어, 소스 전극 또는 드레인 전극)에 소정의 전압이 공급될 수 있다.
일 실시예에서, 제2 기간에는 3 및 제4 트랜지스터들(M3, M4)로 주사 신호가 공급되지 않는다. 예를 들어, 제2 기간에서, 이전 제2 주사선(S2i-1) 및 제2 주사선(S2i)으로 공급되는 제2 주사 신호는 논리 로우 레벨(L)을 가질 수 있다.
제3 및 제4 트랜지스터들(M3, M4)이 턴-오프 상태를 유지하므로, 제1 트랜지스터(M1)의 게이트 전압은 제2 기간의 구동에 의한 영향을 받지 않는다.
일 실시예에서, 제2 기간에 제1 주사선(S1i)으로 제1 주사 신호가 공급되고, 발광 제어선(Ei)으로 발광 제어 신호가 공급될 수 있다.
발광 제어 신호에 응답하여 제5 및 제6 트랜지스터들(M5, M6)이 턴-오프된 상태에서, 제1 주사 신호에 응답하여 제7 트랜지스터(M7) 및 제2 트랜지스터(M2)가 순차적으로 턴-온될 수 있다. 제7 트랜지스터(M7)가 턴-온되면 발광 소자(LD)의 제1 전극으로 제2 초기화 전원(Vint2)의 전압이 공급될 수 있다.
일 실시예에서, 데이터선(Dj)으로 제1 트랜지스터(M1)에 온-바이어스를 인가하기 위한 바이어스 전압이 공급될 수 있다. 따라서, 제2 트랜지스터(M2)가 턴-온되면 제1 노드로 바이어스 전압이 공급된다. 일례로, 바이어스 전압은 약 5V 내지 약 7V의 전압 레벨을 가질 수 있다. 제2 기간에서 제2 트랜지스터(M2)가 턴-온되는 시점마다 제1 트랜지스터(M1)가 온-바이어스될 수 있다.
이에 따라, 저주파수 구동 시 휘도 변화 및 플리커(flicker) 시인이 최소화될 수 있다.
도 4는 도 1의 표시 장치에 포함되는 주사 구동부들 및 발광 구동부로 공급되는 스타트 펄스들의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 1, 도 2, 및 도 4를 참조하면, 표시 장치의 구동 모드에 따라 제2 게이트 스타트 펄스(GSP2)의 주파수가 다를 수 있다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 게이트 펄스들(GSP1, GSP2)의 펄스 폭은 실질적으로 동일할 수 있다. 그리고, 발광 스타트 펄스(ESP)의 펄스 폭은 제1 및 제2 게이트 펄스들(GSP1, GSP2)의 펄스 폭보다 클 수 있다.
일 실시예에서, 영상 리프레시 레이트와 무관하게 타이밍 제어부(600)는 발광 스타트 펄스(ESP) 및 제1 게이트 펄스(GSP1)를 일정한 주파수로 출력할 수 있다. 예를 들어, 발광 스타트 펄스(ESP)의 주파수 및 제1 게이트 펄스(GSP1)의 주파수는 표시 장치(1000)의 최대 구동 주파수(예를 들어, 최대 리프레시 레이트)와 실질적으로 동일하게 설정될 수 있다. 일례로, 표시 장치(1000)의 영상이 최대 120Hz의 리프레시 레이트로 표시되는 경우, 발광 스타트 펄스(ESP)의 주파수 및 제1 게이트 펄스(GSP1)의 주파수는 120Hz일 수 있다.
이하, 제2 모드(일반 구동 모드)에서는 표시 장치(1000)가 제1 영상 리프레시 레이트(또는, 최대 영상 리프레시 레이트)로 구동되고, 제1 모드(즉, 저주파수 모드 또는 저전력 모드)에서는 표시 장치(1000)가 제1 영상 리프레시 레이트보다 낮은 제2 영상 리프레시 레이트로 구동되는 것을 전제로 설명하기로 한다.
제1 모드 및 제2 모드에서, 타이밍 제어부(600)는 제1 주파수로 제1 게이트 스타트 펄스(GSP1) 및 발광 스타트 펄스(ESP)를 생성할 수 있다.
타이밍 제어부(600)는 제1 모드에서 제2 영상 리프레시 레이트에 대응하는 제2 주파수(GSP)로 제2 게이트 스타트 펄스(GSP2)를 생성하고, 제2 모드에서 제1 영상 리프레시 레이트에 대응하는 제1 주파수로 제2 게이트 스타트 펄스(GSP2)를 생성할 수 있다. 즉, 타이밍 제어부(600)는 영상 리프레시 레이트에 상응하도록 제2 게이트 스타트 펄스(GSP2)를 생성할 수 있다.
도 5는 도 1의 표시 장치가 제1 모드로 구동될 때의 구동 방법의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
예를 들어, 제1 모드에서는 50Hz 미만의 낮은 주파수로 설정될 수 있다. 제1 모드는 전력 소모를 줄이기 위한 대기 모드 등에서 활성화될 수 있다.
도 1 및 도 5를 참조하면, 제1 모드에서의 영상 리프레시 레이트에 상응하는 기간은 제1 기간(T1) 및 제2 기간(T2)으로 나뉘어진다. 여기서, 제2 기간(T2)은 제1 기간(T1)보다 넓은 기간으로 설정될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 주사 신호는 구동 모드와 관계 없이 제1 주파수로 제1 주사선들(S11 내지 S1n, 단, n은 1보다 큰 자연수)에 공급되고, 발광 제어 신호는 제1 주파수로 발광 제어선들(E1 내지 En)에 공급될 수 있다. 제1 주사 신호 및 발광 제어 신호는 제1 기간(T1) 및 제2 기간(T2)에 주기적으로 공급될 수 있다. 예를 들어, 제1 주사 신호 및 발광 제어 신호는 60Hz로 공급된다.
일 실시예에서, 제2 주사선들(S21 내지 S2n)로 공급되는 제2 주사 신호 및 이에 대응하는 데이터 신호(DS)는 영상 리프레시 레이트와 실질적으로 동일한 주파수(예를 들어, 제2 주파수)로 공급될 수 있다. 영상 리프레시 레이트가 1Hz인 경우, 제2 주사 신호는 1Hz로 공급된다. 예를 들어, 제2 주사 신호는 제2 주사선(S2i)으로 1초에 한 번 공급될 수 있다. 또한, 제2 기간(T2)에는 제2 주사 신호가 공급되지 않는다.
제1 기간(T1) 동안 제1 주사선들(S11 내지 S1n) 및 제2 주사선들(S21 내지 S2n)로 주사신호가 순차적으로 공급된다. 여기서, 제1 주사선(S1i)으로 공급되는 제1 주사 신호는 제2 주사선(S2i)으로 공급되는 제2 주사 신호와 중첩한다.
그리고, 제1 기간(T1) 동안 발광 제어선들(E1 내지 En)로 발광 제어신호가 순차적으로 공급된다. 여기서, 발광 제어선(Ei)으로 공급되는 발광 제어신호는 이전 제1 주사선(S1i-1) 및 제1 주사선(S1i)으로 공급되는 제1 주사 신호와 중첩한다.
제2 기간(T2)에는, 발광 제어선들(E1 내지 En)로 발광 제어 신호가 공급되고, 제1 주사선들(S11 내지 S1n)로 제1 주사 신호가 공급된다. 예를 들어, 제1 주파수가 60Hz인 경우, 제1 기간(T1) 동안 제1 주사선(S1i)으로 제1 주사 신호가 1회 공급되고, 제2 기간(T2) 동안 제1 주사선(S1i)으로 제1 주사 신호가 59회 공급될 수 있다(발광 제어 신호도 동일함).
한편, 제2 기간(T2) 동안 데이터선들(D)로는 소정의 바이어스 전압이 공급된다.
도 6은 도 1의 표시 장치가 제2 모드로 구동될 때의 구동 방법의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 1 및 도 6을 참조하면, 제2 모드에서는 제1 주사 신호 및 제2 주사 신호는 영상 리프레시 레이트와 동일한 주파수로 출력될 수 있다. 예를 들어, 영상 리프레시 레이트는 60Hz 또는 120Hz로 설정될 수 있다. 제2 모드는 표시 장치(1000)가 일반적인 영상을 표시하기 위한 구동 모드이다.
제2 모드에서, 한 프레임 기간 동안 제1 주사선들(S11 내지 S1n) 및 제2 주사선들(S21 내지 S2n)로 제1 및 제2 주사 신호들이 각각 순차적으로 공급된다. 여기서, 제1 주사선(S1i)으로 공급되는 제1 주사 신호는 제2 주사선(S2i)으로 공급되는 제2 주사 신호와 중첩한다.
또한, 한 프레임(1F) 동안 발광 제어선들(E1 내지 En)로 발광 제어 신호가 순차적으로 공급된다. 여기서, 발광 제어선(Ei)으로 공급되는 발광 제어 신호는 이전 제1 주사선(S1i-1) 및 제1 주사선(S1i)으로 공급되는 주사 신호와 중첩한다. 데이터선들(D)로는 제1 주사 신호와 동기되도록 데이터 신호(DS)가 공급된다.
화소(PX)들은 데이터 신호(DS)에 대응하여 발광하고, 화소부(100)에서 영상이 표시될 수 있다.
도 7은 도 1의 표시 장치의 일부분의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 7은 표시 장치의 일부분을 개략적으로 보여준다. 도 1, 도 2, 및 도 7을 참조하면, 표시 장치(1000)는 제1 신호 공급부(700) 및 제2 신호 공급부(800)를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 신호 공급부들(700, 800)은 데이터 구동부(500) 및 타이밍 제어부(600)와 별개로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 신호 공급부들(700, 800)은 화소부(100)의 점등 검사에 이용될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 신호 공급부들(700, 800)은 제1 모드에서의 점등 검사 및 제2 모드에서의 점등 검사를 위해 데이터선들(D1 내지 D6)에 소정의 검사 신호들을 공급할 수 있다.
점등 검사는 이러한 검사 신호들의 입출력 값의 분석, 검사 신호들에 기초하여 발광하는 화소(PX)들의 휘도 및/또는 색좌표 분석 등을 포함하여 수행될 수 있다. 이와 같은 점등 검사는 공지된 다양한 방법으로 수행될 수 있다.
이하, 점등 검사를 위해 제2 주사 구동부(300)의 주파수를 조절하여 제1 모드 및 제2 모드가 구현되는 것으로 설명하기로 한다.
제1 신호 공급부(700)는 화소부(100)의 일 측에 배치되고, 제2 신호 공급부(800)는 화소부(100)의 타 측에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 신호 공급부(700) 및 제2 신호 공급부(800)에 포함되는 스위치들은 화소(PX)에 구비되는 트랜지스터들을 형성하는 공정을 통해 이들과 동일한 구조의 트랜지스터들로 형성될 수 있다. 따라서, 제조효율이 개선될 수 있다.
제1 신호 공급부(700)는 제1 모드에서 제2 주사 신호에 대응하여 데이터선들(D1 내지 D6)을 통해 화소(PX)들에 검사 신호들(DC1, DC2, DC3)을 공급할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 신호 공급부(700)는 제1 모드의 제1 기간 동안 검사 신호들(DC1, DC2, DC3) 중 적어도 하나를 데이터선들(D1 내지 D6)의 적어도 하나에 공급할 수 있다. 화소(PX)들에 공급되는 검사 신호들(DC1, DC2, DC3)에 응답하여 화소(PX)들이 발광할 수 있다.
제1 신호 공급부(700)는 검사 신호들(DC1, DC2, DC3)을 전달하는 검사선들(710, 720, 730), 검사 제어 신호들(CS1, CS2, CS3)을 전달하는 제어선들(740, 750, 760), 및 스위치들(SW1, SW2, SW3)을 포함할 수 있다.
제1, 제2, 및 제3 검사선들(710, 720, 730)로는 직류 형태의 제1, 제2, 및 제3 검사 신호들(DC1, DC2, DC3)이 각각 공급될 수 있다. 예를 들어, 제1 검사 신호(DC1)는 적색 검사 신호이고, 제2 검사 신호(DC2)는 녹색 검사 신호이며, 제3 검사 신호(DC3)는 청색 검사 신호일 수 있다. 이 경우, 제1 데이터선(D1)에 접속되는 화소열은 적색 화소들을 포함하고, 제2 데이터선(D2)에 접속되는 화소열은 녹색 화소들을 포함하며, 제3 데이터선(D3)에 접속되는 화소열은 청색 화소들을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서 화소들의 배치가 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 스위치(SW1)는 제1 검사선(710)과 제1 데이터선(D1) 사이에 전기적으로 접속될 수 있다. 제1 스위치(SW1)는 제1 제어선(740)으로 공급되는 제1 검사 제어 신호(CS1)에 의해 턴-온될 수 있다. 제1 스위치(SW1)가 턴-온되면 제1 데이터선(D1)으로 제1 검사 신호(DC1)가 공급될 수 있다. 제1 검사 신호(DC1)는 제1 주사 신호에 동기하여 제1 데이터선(D1)에 연결된 화소(PX)들에 순차적으로 공급될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로서, 제1 주사 신호가 복수의 수평라인들에 동시에 공급될 수도 있다.
마찬가지로, 제2 스위치(SW2)는 제2 검사선(720)과 제2 데이터선(D2) 사이에 전기적으로 접속될 수 있다. 제2 스위치(SW2)는 제2 제어선(750)으로 공급되는 제2 검사 제어 신호(CS2)에 의해 턴-온될 수 있다. 제2 스위치(SW2)가 턴-온되면 제2 데이터선(D2)으로 제2 검사 신호(DC2)가 공급될 수 있다.
제3 스위치(SW3)는 제3 검사선(730)과 제3 데이터선(D3) 사이에 전기적으로 접속될 수 있다. 제3 스위치(SW3)는 제3 제어선(760)으로 공급되는 제3 검사 제어 신호(CS3)에 의해 턴-온될 수 있다. 제3 스위치(SW3)가 턴-온되면 제3 데이터선(D3)으로 제3 검사 신호(DC3)가 공급될 수 있다.
제2 검사 신호(DC2) 및 제3 검사 신호(DC3)는 제1 주사 신호에 동기하여 제2 데이터선(D2)에 연결된 화소(PX)들 및 제3 데이터선(D3)에 연결된 화소(PC)들에 각각에 순차적으로 공급될 수 있다.
제1, 제2, 및 제3 스위치들(SW1, SW2, SW3)은 수평라인 방향으로 반복 배치될 수 있다. 예를 들어, 제4 데이터선(D4)에는 또 다른 제1 스위치(SW1)가 접속되고, 제5 데이터선(D5)에는 또 다른 제2 스위치(SW2)가 접속되며, 제6 데이터선(D6)에는 또 다른 제3 스위치(SW3)가 접속될 수 있다.
제1 모드의 제2 기간 동안 제2 신호 공급부(800)는 데이터선들(D1 내지 D6)로 바이어스 신호들(BDC1, BDC2)을 공급할 수 있다. 바이어스 신호들(BDC1, BDC2)은 제1 주사 신호에 대응하여 데이터선들(D1 내지 D6)을 통해 화소(PX)들로 공급될 수 있다.
바이어스 신호들(BDC1, BDC2)은 각각 화소(PX)의 제1 트랜지스터(M1)의 소스 전극(및/또는 드레인 전극)으로 공급될 수 있다. 이에 따라, 저주파 구동 시의 제2 기간에서, 주기적으로 제1 트랜지스터(M1)에 온-바이어스가 인가될 수 있다.
제2 신호 공급부(800)는 바이어스 신호들(BDC1, BDC2)을 전달하는 전원선들(820, 830), 바이어스 제어 신호(BCS)를 전달하는 바이어스 제어선(810), 및 바이어스 스위치들(BSW1, BSW2)을 포함할 수 있다.
제1 바이어스 스위치(BSW1)는 제1 데이터선(D1)과 제1 전원선(820) 사이에 전기적으로 접속될 수 있다. 제1 바이어스 스위치(BSW1)는 바이어스 제어 신호(BCS)에 의해 턴-온될 수 있다. 제1 바이어스 스위치(BSW1)가 턴-온되면 제1 데이터선(D1)으로 제1 바이어스 신호(BDC1)가 공급될 수 있다. 제1 바이어스 신호(BDC1)는 제1 주사 신호에 동기하여 제1 데이터선(D1)에 연결된 화소(PX)들에 공급될 수 있다.
제2 바이어스 스위치(BSW2)는 제3 데이터선(D3)과 제2 전원선(830) 사이에 전기적으로 접속될 수 있다. 제2 바이어스 스위치(BSW2)는 바이어스 제어 신호(BCS)에 의해 턴-온될 수 있다. 제2 바이어스 스위치(BSW2)가 턴-온되면 제3 데이터선(D3)으로 제2 바이어스 신호(BDC2)가 공급될 수 있다. 제2 바이어스 신호(BDC2)는 제1 주사 신호에 동기하여 제3 데이터선(D3)에 연결된 화소(PX)들에 공급될 수 있다.
제1 및 제2 바이어스 스위치들(BSW1, BSW2)은 수평라인으로 반복 배치될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 바이어스 스위치들(BSW1, BSW2)은 공통으로 제어될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 및 제2 바이어스 신호들(BDC1, BDC2)은 직류 형태의 전압일 수 있고, 실질적으로 동일한 전압 레벨일 수 있다. 제1 및 제2 바이어스 신호들(BDC1, BDC2)은 제1 트랜지스터(M1)를 온-바이어스 시키기 위한 전압이며, 약 5V 내지 7V의 범위 내에서 설정될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 바이어스 스위치(BSW1)들의 일 전극들은 제1 전원선(820)을 통해 전기적으로 접속될 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 서로 인접한 제1 바이어스 스위치(BSW1)들은 제1 전원선(820)을 통해 연결될 수 있다. 이에 따라, 2개의 데이터선들(예를 들어, 제1 데이터선(D1)과 제2 데이터선(D2)은 전기적으로 접속될 수 있다. 이를 이용하여 데이터선들(D1 내지 D6) 및/또는 이들 각각에 접속되는 팬아웃선들 각각의 쇼트(short) 검사 및/또는 오픈(open) 검사 등이 수행될 수도 있다.
이와 마찬가지로, 제2 바이어스 스위치(BSW2)의 일 전극들은 제2 전원선(830)을 통해 전기적으로 접속될 수 있다.
도 8은 도 7의 표시 장치가 제2 모드로 점등 검사가 수행될 때의 구동 방법의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 1, 도 6, 도 7, 및 도 8을 참조하면, 제2 모드로 점등 검사가 수행되는 경우, 제1 주사 신호 및 제2 주사 신호는 영상 리프레시 레이트와 동일한 주파수로 출력될 수 있다.
일 실시예에서, 제2 모드에서 제1, 제2, 및 제3 검사 제어 신호들(CS1, CS2, CS3) 중 적어도 하나가 프레임 단위로 공급될 수 있다. 제2 모드에서는 바이어스 제어 신호(BCS)가 공급되지 않는다. 예를 들어, 바이어스 제어 신호(BCS)는 논리 하이 레벨(H)을 가지며, 바이어스 스위치들(BSW1, BSW2)은 턴-오프 상태를 유지할 수 있다.
제1 프레임(1F)에 제1 및 제2 검사 제어 신호들(CS1, CS2)이 제1 신호 공급부(700)로 공급될 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 스위치들(SW1, SW2)이 턴-온되고, 제1, 제2, 제4, 및 제5 데이터선들(D1, D2, D4, D5)로 제1 검사 신호(DC1) 또는 제2 검사 신호(DC2)가 공급될 수 있다. 제1 및 제4 데이터선들(D1, D4)에 연결되는 화소(PX)들은 제1 검사 신호(DC1)에 의해 발광할 수 있다. 제2 및 제5 데이터선들(D2, D5)에 연결되는 화소들은 제2 검사 신호(DC2)에 의해 발광할 수 있다.
제1 프레임(1F)에서는 제1, 제2, 제4, 제5 데이터선들(D1, D2, D4, D5)에 화소(PX)들에 대한 점등 검사가 수행될 수 있다.
반면에, 제1 프레임(1F) 동안 제3 검사 제어 신호(CS3)는 공급되지 않으며, 제3 및 제6 데이터선들(D3, D6)에 연결되는 화소(PX)들은 발광하지 않는다.
제2 프레임(F2) 동안에는 제3 검사 제어 신호(CS3)가 공급되고, 제1 및 제2 검사 제어 신호들(CS1, CS2)은 공급되지 않는다. 따라서, 제3 및 제6 데이터선들(D3, D6)에 연결된 화소(PX)들에 대한 점등 검사가 수행될 수 있다.
제3 프레임(F3) 동안에는 제1 내지 제3 검사 제어 신호들(CS1 내지 CS3)에 의해 제1 내지 제3 스위치들(SW1 내지 SW3)이 모두 턴-온될 수 있다. 따라서, 화소(PX)들 전체가 발광할 수 있으며, 화소(PX)들 전체에 대한 점등 검사가 수행될 수 있다.
도 9는 도 7의 표시 장치가 제1 모드로 점등 검사가 수행될 때의 구동 방법의 일 예를 나타내는 타이밍도이다.
도 1, 도 2, 도 6, 도 7, 및 도 9를 참조하면, 제1 모드로 점등 검사가 수행되는 경우, 제1 주사 신호는 제1 주파수로 제1 주사선들(S11 내지 S1n)로 출력되고, 제2 주사 신호는 제2 주파수로 제2 주사선들(S21 내지 S2n)으로 출력될 수 있다.
제2 주파수는 영상 리프레시 레이트와 동일할 수 있으며, 제1 주파수보다 작다. 예를 들어, 제1 주파수는 60Hz 또는 120HZ이고, 제2 주파수는 30Hz 이하의 저주파수일 수 있다.
제1 모드는 제1 기간(T1)과 제2 기간(T2)을 포함하도록 구동된다. 제1 기간에는 제1 내지 제3 검사 제어 신호들(CS1 내지 CS3) 중 적어도 일부가 공급된다. 이에 따라, 화소(PX)에 포함되는 제1 트랜지스터(M1)로 제1 내지 제3 검사 신호들(DC1 내지 DC3) 중 하나가 기입될 수 있다.
도 9에 도시된 바와 같이, 제1 기간(T1)에 제1 및 제3 검사 제어 신호들(CS1, CS3)이 제1 및 제3 제어선들(740, 760)을 통해 제1 및 제3 스위치들(SW1, SW3)에 공급될 수 있다. 따라서, 제1 및 제4 데이터선들(D1, D4)로 제1 검사 신호(DC1)가 공급되고, 제3 및 제6 데이터선들(D3, D6)로 제3 검사 신호(DC3)가 공급될 수 있다. 제1 및 제4 데이터선들(D1, D4) 각각에 접속되는 화소(PX)들은 제1 검사 신호(DC1)에 기초하여 발광하고, 제3 및 제6 데이터선들(D3, D6) 각각에 접속되는 화소(PX)들은 제3 검사 신호(DC3)에 기초하여 발광할 수 있다.
이 때, 제1 내지 제3 검사 신호들(DC1 내지 DC3)은 소정의 데이터 전압에 대응하는 직류 전압들을 가질 수 있다.
한편, 저주파 구동이 수행되는 제2 모드에서의 점등 검사 수행 시, 제2 기간(T2)에는 제1 주사 신호에 의해 화소(PX)의 제2 트랜지스터(M2)가 주기적으로 턴-온될 수 있다. 제2 트랜지스터(M2)가 턴-온되면 데이터선들(D1 내지 D6) 각각은 화소(PX)의 제1 트랜지스터(M1)의 제1 전극(소스 전극 또는 드레인 전극)에 전기적으로 접속된다.
제2 기간(T2)에서, 데이터선들(D1 내지 D6)로 공급되는 신호의 전압 레벨이 가변하는 경우, 제1 트랜지스터(M1)의 제1 전극의 전압이 불안정하게 변할 수 있다. 따라서, 제2 기간에서의 화소(PX)들의 발광은 플리커로 시인되며, 정확한 점등 검사가 이루어지지 못한다.
또는, 제2 기간(T2) 동안 제1 주사 신호에 대응하여 적절한 전압 레벨의 신호가 데이터선들(D1 내지 D6)로 공급되지 못하면, 제2 기간(T2)에서의 휘도가 점차적으로 저하되며, 정확한 점등 검사가 이루어질 수 없다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치(1000)는 제2 신호 공급부(800)를 포함함으로써, 제1 모드의 제2 기간(T2)에 직류 바이어스 전압(예를 들어, BDC1, BDC2)이 데이터선들(D1 내지 D6)로 공급될 수 있다.
제2 기간(T2) 동안 제1 내지 제3 검사 제어 신호들(CS1 내지 CS3)은 공급되지 않으며, 제1 신호 공급부(700)와 데이터선들(D1 내지 D6)의 전기적 접속이 끊어진다. 그러나, 제2 기간(T2) 동안 바이어스 제어 신호(BCS)가 제2 신호 공급부(800)로 공급되어 제1 및 제2 바이어스 스위치들(BSW1, BSW2)이 턴-온될 수 있다.
제1 및 제2 바이어스 스위치들(BSW1, BSW2)이 턴-온되면 데이터선들(D1 내지 D6)과 제1 전원선(820) 또는 제2 전원선(830)이 전기적으로 접속될 수 있다. 즉, 제2 기간(T2) 동안, 데이터선들(D1 내지 D6)와 제1 신호 공급부(700)의 전기적 연결이 끊어지고, 데이터선들(D1 내지 D6)은 제2 신호 공급부(800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
따라서, 제2 기간(T2) 동안 데이터선들(D1 내지 D6)을 통해 직류 형태의 바이어스 신호(예를 들어, BDC1, BDC2)이 화소(PX)들의 제1 트랜지스터(M1)의 소스 전극 및/또는 드레인 전극으로 공급될 수 있다. 이에 따라, 제2 기간(T2)에서 제1 트랜지스터(M1)는 주기적으로 온-바이어스되고, 저주파 구동 시 휘도가 일정하게 유지될 수 있다. 휘도가 일정하게 유지되면, 저주파 구동에 대한 점등 검사의 정확도가 개선될 수 있다.
또한, 제2 기간(T2) 동안에 소정의 데이터선들 간에 도전 경로가 형성될 수 있다. 이를 이용하여 제2 기간(T2)에 데이터선들(D1 내지 D6) 및/또는 이들 각각에 접속되는 팬아웃선들 각각의 쇼트 검사 및/또는 오픈 검사 등이 수행될 수도 있다.
도 10a는 도 1의 표시 장치의 일 예를 나타내는 도면이고, 도 10b는 도 10a의 표시 장치의 일부분의 일 예를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 1, 도 7, 도 10a, 및 도 10b를 참조하면, 표시 장치(1000)는 화소부(100), 주사 구동부(도 1의 200, 300), 발광 구동부(도 1의 400), 데이터 구동부(500), 타이밍 제어부(도 1의 600), 제1 신호 공급부(700), 및 제2 신호 공급부(800)를 구비한다.
화소부(100)는 표시 장치(1000)의 기판 상에 형성될 수 있다. 화소부는 트랜지스터들을 포함하는 화소 회로들이 형성되는 화소 회로층 및 화소 회로층 상에 배치되는 발광 소자층을 포함한다.
일 실시예에서, 제1 신호 공급부(700) 및 제2 신호 공급부(800)는 기판 상의 화소 회로층에 형성될 수 있다. 예를 들어, 복수의 스위치들 및 신호선들을 포함하는 제1 신호 공급부(700) 및 제2 신호 공급부(800)는 화소 회로와 동일한 공정 중에 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 신호 공급부(700)는 화소부(100)의 일 측에 배치될 수 있다. 제1 신호 공급부(700)는 데이터선들(D1 내지 Dm)에 연결될 수 있다. 제1 신호 공급부(700)는 검사 제어 신호들(CS)에 응답하여 데이터선들(D1 내지 Dm)로 검사 신호들(DC)을 공급할 수 있다.
일 실시예에서, 제2 신호 공급부(800)는 화소부(100)의 타 측에 배치될 수 있다. 데이터 구동부(500, 또는 데이터 구동 IC)가 실장되는 실장 영역(500A)은 화소부(100)와 제2 신호 공급부(800) 사이에 위치될 수 있다.
일 실시예에서, 데이터 구동부(500)는 기판 상의 팬아웃선들(FO1 내지 FOm)을 통해 데이터선들(D1 내지 Dm)에 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 10b에 도시된 바와 같이, 데이터 구동부(500)는 기판의 실장 영역(500A)에 위치되는 데이터 패드들(DP1 내지 DP6)에 전기적으로 접속되고, 데이터 패드들(DP1 내지 DP6)은 팬아웃선들(FO1 내지 FO6)에 접속될 수 있다.
제2 신호 공급부(800)는 바이어스선들(B1 내지 Bm)을 통해 팬아웃선들(FO1 내지 FOm)에 접속될 수 있다. 예를 들어, 팬아웃선들(B1 내지 Bm)과 바이어스선들(B1 내지 Bm)은 데이터 패드들(예를 들어, 도 10b에 DP1 내지 DP6으로 도시됨)을 통해 접속될 수 있다.
제2 신호 공급부(800)는 바이어스 제어 신호(BCS)에 응답하여 데이터선들(D1 내지 Dm)로 직류 형태의 바이어스 신호(BDC)를 공급할 수 있다. 예를 들어, 바이어스 신호(BDC)는 바이어스선들(B1 내지 Bm) 및 팬아웃선들(FO1 내지 FOm)을 통해 데이터선들(D1 내지 Dm)로 공급될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치 및 이의 구동 방법은, 저주파수 구동 점등 검사 시에 화소(PX)의 구동 트랜지스터(예를 들어, 제1 트랜지스터(M1))를 주기적으로 온-바이어스되게 하는 제2 신호 공급부(800)의 구성 및 동작을 포함할 수 있다. 따라서, 저주파수 구동 점등 검사 시 화소부(100)의 휘도 변화가 최소화되며, 저주파수 구동에 대한 점등 검사의 정확도가 개선될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 화소부 200: 제1 주사 구동부
300: 제2 주사 구동부 400: 발광 구동부
500: 데이터 구동부 600: 타이밍 제어부
700: 제1 신호 공급부 800: 제2 신호 공급부
1000: 표시 장치 PX: 화소
M1~M7: 트랜지스터 710~730: 검사선
740~760: 제어선 SW1~SW3: 스위치
810: 바이어스 제어선 820~830: 전원선
BSW1, BSW2: 바이어스 스위치
500A: 실장 영역

Claims (20)

  1. 제1 주사선들, 제2 주사선들, 및 데이터선들에 접속되는 화소들을 포함하는 화소부;
    상기 데이터선들을 통해 상기 화소들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동부;
    제1 모드에서, 상기 제1 주사선들을 통해 제1 주사 신호를 제1 주파수로 상기 화소에 공급하고, 제2 주사선들을 통해 상기 제1 주파수와 다른 제2 주파수로 제2 주사 신호를 상기 화소들에 공급하는 주사 구동부;
    상기 제1 모드의 제1 기간에, 상기 제1 주사 신호에 대응하여 상기 데이터선들 중 적어도 하나를 통해 상기 화소들에 검사 신호를 공급하는 제1 신호 공급부; 및
    상기 제1 모드의 제2 기간에, 상기 제1 주사 신호에 대응하여 상기 데이터선들을 통해 상기 화소들에 바이어스 신호를 공급하는 제2 신호 공급부를 포함하고,
    상기 제1 신호 공급부는 상기 화소부의 일 측에 배치되고, 상기 제2 신호 공급부는 상기 화소부의 타 측에 배치되며,
    상기 데이터 구동부가 실장되는 실장 영역은 상기 화소부와 상기 제2 신호 공급부의 사이에 위치하는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 주파수는 상기 제1 주파수보다 작은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 주사 구동부는 상기 제2 주사 신호를 상기 제1 주사 신호에 중첩하여 공급하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 주사 구동부는 상기 제1 기간에 상기 제1 주사 신호와 상기 제2 주사 신호를 공급하고, 상기 제2 기간에 상기 제1 주사 신호를 공급하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 제2 신호 공급부는 상기 제2 기간 동안 상기 화소들 전체에 상기 바이어스 신호를 공급하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제 3 항에 있어서, 제2 모드에서, 상기 주사 구동부는 상기 제1 주파수로 상기 제1 주사 신호 및 상기 제2 주사 신호를 각각 상기 제1 주사선 및 상기 제2 주사선을 통해 상기 화소에 공급하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제2 모드에서 상기 주사 구동부는 상기 제1 주사 신호와 상기 제2 주사 신호를 동시에 공급하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 제2 모드에서, 상기 제2 신호 공급부는 상기 바이어스 신호를 상기 데이터선들로 공급하지 않으며,
    상기 제2 모드에서, 상기 제1 신호 공급부는 상기 제1 주사 신호에 대응하여 상기 데이터선들을 통해 상기 검사 신호를 상기 화소들에 공급하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 신호 공급부는,
    제1 데이터선과 제1 검사 신호를 공급하는 제1 검사선 사이에 전기적으로 접속되며, 제1 검사 제어 신호에 의해 턴-온되는 제1 스위치;
    제2 데이터선과 제2 검사 신호를 공급하는 제2 검사선 사이에 전기적으로 접속되며, 제2 검사 제어 신호에 의해 턴-온되는 제2 스위치; 및
    제3 데이터선과 제3 검사 신호를 공급하는 제3 검사선 사이에 전기적으로 접속되며, 제3 검사 제어 신호에 의해 턴-온되는 제3 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 제2 주사 신호가 공급될 때, 상기 제1 내지 제3 스위치들 중 적어도 하나는 턴-온되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 제2 신호 공급부는,
    상기 데이터선들 중 하나와 바이어스 신호를 공급하는 전원선 사이에 전기적으로 접속되며, 바이어스 제어 신호에 의해 턴-온되는 바이어스 스위치를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 바이어스 스위치가 턴-온되면, 상기 제1 내지 제3 스위치들은 턴-오프되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 화소들은 상기 검사 신호에 응답하여 발광하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 주파수로 발광 제어선들을 통해 상기 화소들에 발광 제어 신호를 공급하는 발광 구동부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 화소들 중 i번째(단, i는 1보다 큰 자연수) 수평라인에 배치되는 화소는,
    발광 소자;
    제1 전원에 전기적으로 연결되는 제1 노드에 접속되는 제1 전극을 포함하며, 제2 노드의 전압에 기초하여 구동 전류를 제어하는 제1 트랜지스터;
    상기 데이터선들 중 하나와 상기 제1 노드 사이에 접속되며, i번째 제1 주사선으로 공급되는 상기 제1 주사 신호에 의해 턴-온되는 제2 트랜지스터;
    상기 제1 트랜지스터의 제2 전극에 접속되는 제3 노드와 상기 제2 노드 사이에 접속되며, i번째 제2 주사선으로 공급되는 상기 제2 주사 신호에 의해 턴-온되는 제3 트랜지스터;
    상기 제3 노드와 초기화 전원 사이에 접속되며, i-1번째 제2 주사선으로 공급되는 상기 제2 주사 신호에 의해 턴-온되는 제4 트랜지스터;
    상기 제1 전원과 상기 제1 노드 사이에 접속되며, i번째 발광 제어선으로 공급되는 상기 발광 제어 신호에 의해 턴-오프되는 제5 트랜지스터; 및
    상기 제3 노드와 상기 발광 소자의 제1 전극에 접속되며, 상기 제5 트랜지스터와 함께 턴-오프되는 제6 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 삭제
  17. 저주파수 모드로 구동되는 표시 장치의 검사 방법에 있어서,
    상기 저주파수 모드의 제1 기간에, 화소부의 일 측에 배치되는 제1 신호 공급부를 통해 상기 화소부의 타 측에 배치되는 데이터 구동부가 데이터선들 중 적어도 하나에 검사 신호를 공급하는 단계;
    상기 제1 기간에 후속하는 상기 저주파수 모드의 제2 기간에, 상기 데이터 구동부가 실장되는 실장 영역의 상기 타 측에 위치하는 제2 신호 공급부를 통해 상기 데이터선들에 바이어스 전압을 공급하는 단계; 및
    상기 검사 신호에 대응하여 발광하는 화소들의 점등 검사를 수행하는 단계를 포함하는 표시 장치의 검사 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 제1 기간이 반복되는 주파수는 영상 리프레시 레이트와 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치의 검사 방법.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 점등 검사를 수행하는 단계는,
    제2 기간에 상기 데이터선들로부터 상기 바이어스 전압의 변화를 검출하여 상기 데이터선들의 쇼트(short) 검사 또는 오픈(open) 검사를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 검사 방법.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 제1 기간 동안 상기 화소들 각각에 연결되는 제1 주사선 및 제2 주사선으로 각각 제1 주사 신호 및 제2 주사 신호가 공급되고,
    상기 제2 기간 동안 상기 제1 주사선으로 상기 제1 주사 신호가 공급되는 것을 특징으로 하는 표시 장치의 검사 방법.
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