KR102625574B1 - Showerhead of substrate processing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 실시예 들은 가스 분배부의 분배홀을 통해 배출되는 공정 가스가 외부, 로 향하는 가스 누출을 막는 구조와 더불어 가스 집중부에서 발생된 크랙의 낙하를 막는 구조로 설계된다.These embodiments are designed with a structure that prevents the process gas discharged through the distribution hole of the gas distribution unit from leaking to the outside, as well as a structure that prevents cracks generated in the gas concentration area from falling.

Description

기판 처리 장치의 샤워 헤드{SHOWERHEAD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}Shower head of a substrate processing apparatus {SHOWERHEAD OF SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}

본 실시예들은 샤워 헤드에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 공정 가스의 불균형 분배를 해소하기 위한 기판 처리 장치에 구비된 샤워 헤드의 구조에 관한 것이다.These embodiments relate to a shower head, and more specifically, to the structure of a shower head provided in a substrate processing apparatus for resolving imbalanced distribution of process gas.

일반적으로, 반도체 제조 공정은 기판상에 소정의 박막을 증착하는 공정, 박막의 선택된 영역을 노출시키는 포토리소그래피(photolithography) 공정 및 선택된 영역의 박막을 제거하는 식각 공정 등을 통해 기판 처리 공정이 진행된다. 상기 기판 처리 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 공정 챔버('PECVD 챔버'라 지칭하기도 함)내의 기판 처리 장치에서 진행된다.Generally, the semiconductor manufacturing process involves a substrate processing process that includes a process of depositing a predetermined thin film on a substrate, a photolithography process of exposing a selected area of the thin film, and an etching process of removing the thin film of the selected area. . The substrate processing process is carried out in a substrate processing device in a process chamber (also referred to as a 'PECVD chamber') in which an optimal environment for the process is created.

기존의 기판 처리 장치는 PECVD 챔버 내에서 공정 가스의 가스 분배 및 확산을 담당하는 샤워 헤드 및 상기 샤워 헤드의 측면에 배치되어 분배된 공정 가스를 집중시키는 날개부를 포함한 샤워 헤드의 구조를 갖는다.The existing substrate processing apparatus has a shower head structure including a shower head responsible for gas distribution and diffusion of the process gas within the PECVD chamber, and a wing portion disposed on a side of the shower head to concentrate the distributed process gas.

여기서, 상기 샤워 헤드에 배치된 타공된 홀을 통해 공정 가스가 분사 및 확산되는 과정에서, 상기 공정 가스의 일부가 날개부를 향해 새어나가 누출 되면, 공정 가스의 분배가 불균형이 발생되는 원인을 제공하였다.Here, in the process of spraying and diffusing the process gas through the perforated hole disposed in the shower head, some of the process gas leaked toward the wing portion, causing an imbalance in the distribution of the process gas. .

더 나아가, 상기 날개부는 샤워 헤드와 함께 고온에 노출되기 때문에 팽창 현상이 발생되는데, 이로 인해, 날개부가 튀들리거나 크랙(Crack) 현상이 발생될 수 있다.Furthermore, since the wings are exposed to high temperatures together with the shower head, expansion occurs, which may cause the wings to bounce or cracks.

이런 경우, 샤워 헤드로부터 누출된 공정 가스는 크랙이 발생된 날개부를 통과하기 때문에 공정 가스의 불균형 분배가 더욱더 심화되는 원인을 제공하여, 긍극적으로 기판 처리 장치의 치명적인 손상을 입혀 기판 처리 장치의 수명을 단축시켰다.In this case, the process gas leaking from the shower head passes through the cracked wing, which causes the imbalanced distribution of the process gas to become more severe, ultimately causing fatal damage to the substrate processing device and shortening the life of the substrate processing device. was shortened.

본 실시예들은 공정 가스가 분배되는 과정에서 외부로 새지 않도록 하기 위한 샤워 헤드를 제공하는데 그 목적이 있다.The purpose of these embodiments is to provide a shower head to prevent process gas from leaking to the outside during distribution.

하나의 실시예에 따르면, 기판 처리 장치에 구비되는 샤워 헤드에 있어서, 백킹 플레이트부; 상기 백킹 플레이트부의 하부에 배치되고, 공정 가스를 분배시키기 위한 복수의 분배홀을 구비하는 가스 분배부; 및 상기 가스 분배부의 하부로부터 이격되어 배치되고, 상기 분배된 공정 가스를 확산시키기 위한 복수의 확산홀을 구비하는 가스 확산부를 포함하는 샤워 헤드를 제공한다.According to one embodiment, a shower head provided in a substrate processing apparatus includes: a backing plate portion; a gas distribution unit disposed below the backing plate unit and including a plurality of distribution holes for distributing process gas; and a gas diffusion unit disposed spaced apart from a lower portion of the gas distribution unit and including a plurality of diffusion holes for diffusing the distributed process gas.

상기 가스 분배부는 상기 복수의 분배홀을 통해 배출된 공정 가스가 외부를 향해 새지 않도록 상기 가스 확산부의 양측 상부를 향해 돌출된 가스 누출 방지부를 포함한다.The gas distribution unit includes gas leak prevention units protruding toward upper portions of both sides of the gas diffusion unit to prevent process gas discharged through the plurality of distribution holes from leaking to the outside.

선택적으로, 상기 가스 누출 방지부는 상기 복수의 분배홀에 대향하여 배치된 제1 하부보다 낮은 제2 하부의 돌출 구조로 이루어질 수 있다.Optionally, the gas leak prevention portion may have a protruding structure of a second lower portion lower than the first lower portion disposed opposite the plurality of distribution holes.

선택적으로, 상기 가스 누출 방지부 또는 상기 제2 하부 및 상기 가스 확산부의 양측 상부간 이격 거리는 0.1 내지 1mm의 이격 범위를 가질 수 있다.Optionally, the distance between the gas leak prevention part or the second lower part and both upper parts of the gas diffusion part may be in a range of 0.1 to 1 mm.

선택적으로, 상기 가스 누출 방지부는 상기 가스 분배부의 양 끝단에 상기 가스 분배부의 양 측부 또는 상기 백킹 플레이트부의 양 측부보다 상기 외부를 향해 더 돌출된 돌기부를 포함할 수 있다.Optionally, the gas leak prevention unit may include protrusions at both ends of the gas distribution unit that protrude more toward the outside than both sides of the gas distribution unit or both sides of the backing plate unit.

선택적으로, 상기 돌기부는 가스 집중부의 양 측부로부터 소정의 간격으로 이격된 구조를 가질 수 있다.Optionally, the protrusions may have a structure spaced apart from both sides of the gas concentrator at a predetermined distance.

선택적으로, 상기 제2 하부는 상기 돌기부의 하부에 해당되거나 연장되는 구조를 가질 수 있다.Optionally, the second lower part may have a structure corresponding to or extending from the lower part of the protrusion.

선택적으로, 상기 소정의 간격은 2 mm 내지 20 mm의 이격 범위를 가질 수 있다.Optionally, the predetermined spacing may range from 2 mm to 20 mm.

선택적으로, 상기 돌기부는 상기 백킹 플레이트부, 가스 분배부 및 가스 확산부에 의해 밀폐된 제1 공간에 배치될 수 있다.Optionally, the protrusion may be disposed in a first space sealed by the backing plate portion, the gas distribution portion, and the gas diffusion portion.

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이상과 같이, 본 실시예 들은 가스 분배부 및 가스 확산부 사이에 소정의 이격 거리만큼 떨어져 배치될 경우, 이 이격 거리보다 더 돌출된 가스 누출 방지부를 구비함으로 인해, 분배된 공정 가스가 외부로 새어나가지 않게 되어, 공정 가스의 불균형 분배를 해소함으로써, 긍극적으로 기판 처리 장치의 수명을 증대시킬 수 있다.As described above, in the present embodiments, when the gas distribution unit and the gas diffusion unit are placed at a predetermined separation distance, the distributed process gas does not leak to the outside due to the gas leak prevention unit being provided that protrudes more than this separation distance. By eliminating the imbalanced distribution of the process gas, the lifespan of the substrate processing device can ultimately be increased.

더 나아가, 본 실시예 들은 가스 집중부의 열 팽창에 의한 크랙이 발생되더라도 가스 분배부의 양 측부로부터 연장된 돌기부의 구비로 인해, 가스 집중부로부터 떨어진 크랙 조각이 낙하되는 것을 방지함으로써, 기판 처리 공정의 안정성을 증대시킬 수 있다.Furthermore, in the present embodiments, even if a crack occurs due to thermal expansion of the gas concentrator, the presence of protrusions extending from both sides of the gas distribution part prevents crack pieces separated from the gas concentrator from falling, thereby improving the substrate processing process. Stability can be increased.

이상의 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 본 실시예들이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있다.It is not limited to the effects mentioned above, and other effects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art to which the present embodiments belong from the description below.

도 1은 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일례를 예시적으로 나타낸 블럭 구성도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 도 1에 개시된 샤워 헤드의 좌측 체결 구조를 보다 구체적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 샤워 헤드에 구비된 가스 분배부 및 가스 확산부 간의 이격 구조를 보다 구체적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 가스 누출 방지부의 제2 하부 구조 및 이로부터 다른 구성간의 관계를 보다 구체적으로 나타낸 단면도이다.1 is a block diagram illustrating an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing in more detail the left fastening structure of the shower head shown in FIG. 1 according to an embodiment.
Figure 3 is a cross-sectional view showing in more detail the separation structure between the gas distribution unit and the gas diffusion unit provided in the shower head according to one embodiment.
Figure 4 is a cross-sectional view showing in more detail the relationship between the second lower structure of the gas leak prevention unit and other components thereof according to an embodiment.

이하의 실시예에서 개시되는 구조 및 장치들에 대하여 도면을 참조하여 보다 상세하게 설명한다. 이하의 실시예에서 개시되는 용어들은 단지 특정한 일례를 설명하기 위하여 사용된 것이지 이들로부터 제한되는 것은 아니다.The structures and devices disclosed in the following embodiments will be described in more detail with reference to the drawings. Terms disclosed in the following examples are used only to describe specific examples and are not limited thereto.

예를 들면, 이하의 실시예에서 개시되는 '포함하다', '구비하다' 또는 '이루어지다' 등의 용어 들은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한, 해당 구성 요소가 내재될 수 있음을 의미하는 것으로, 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함하는 것으로 이해되어야 한다.For example, terms such as 'comprise', 'provide', or 'consist' disclosed in the following examples mean that the corresponding component may be contained, unless specifically stated to the contrary. , it should be understood as including more other components rather than excluding other components.

또한, 이하의 실시예에서 개시되는 "제1" 및 "제2" 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 또한, 실시예의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 실시예의 범위를 한정하는 것이 아니다.Additionally, terms such as “first” and “second” disclosed in the following embodiments may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. Additionally, terms specifically defined in consideration of the configuration and operation of the embodiment are only for explaining the embodiment and do not limit the scope of the embodiment.

또한, 이하의 실시예에서 개시되는 실시예의 설명 및 특허청구범위에 사용되는 단수 표현인 '상기'는 아래위 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현도 포함하는 것으로 이해될 수 있으며, '또는/및' 또는 '및/또는'는 열거되는 관련 항목들 중 하나 이상의 항목에 대한 임의의 및 모든 가능한 조합들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In addition, the singular expression 'above' used in the description and patent claims disclosed in the following examples may be understood to also include plural expressions, unless the context clearly indicates otherwise, and 'or/ 'And' or 'and/or' should be understood to include any and all possible combinations of one or more of the related items listed.

또한, 이하의 실시예에서 개시되는 각 element의 "상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 “상(위)" 또는 "하(아래)(on or under)”로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함하는 것으로 이해되어야 한다.In addition, in the case where it is described as being formed "on or under" each element disclosed in the following examples, it is indicated as being formed "on or under" ( (on or under) includes both elements that are in direct contact with each other or one or more other elements that are formed (indirectly) between the two elements. Additionally, when expressed as “above” or “on or under,” it should be understood to include not only the upward direction but also the downward direction based on one element.

또한, 이하의 실시예에서 개시되는 "상/상부/위" 및 "하/하부/아래" 등과 같은 관계적 용어들은, 그런 실체 또는 요소들 간의 어떠한 물리적 또는 논리적 관계 또는 순서를 반드시 요구하거나 내포하지는 않으면서, 어느 한 실체 또는 요소를 다른 실체 또는 요소와 구별하기 위해서만 이용되는 것으로 이해될 수도 있다.In addition, relational terms such as “top/top/above” and “bottom/bottom/bottom” disclosed in the following embodiments do not necessarily require or imply any physical or logical relationship or order between such entities or elements. However, it may be understood as being used only to distinguish one entity or element from another entity or element.

이하에서는, 전술한 관점들을 토대로 개시되는 기판 처리 장치에 구비되는 샤워 헤드에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다. 상기 샤워 헤드는 이하의 실시예에서 설명될 가스 분배부 및 가스 확산부의 구조만을 지칭하거나 이를 지지하거나 이웃하는 모든 구성을 포함하는 개념으로서 사용되고 있음을 미리 밝혀둔다.Hereinafter, the shower head provided in the disclosed substrate processing apparatus will be described in more detail based on the above-described viewpoints. It should be noted in advance that the shower head refers only to the structures of the gas distribution unit and the gas diffusion unit, which will be explained in the following embodiments, or is used as a concept including all structures supporting or adjacent to the structure.

<기판 처리 장치의 실시예><Embodiment of substrate processing device>

도 1은 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일례를 예시적으로 나타낸 블럭 구성도이다.1 is a block diagram illustrating an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment.

도 1를 참조하면, 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버(100), 기판 안착부(200), 샤워 헤드(300), 가스 공급부(400) 및 배기부(500)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, a substrate processing apparatus according to an embodiment may include a process chamber 100, a substrate mounting unit 200, a shower head 300, a gas supply unit 400, and an exhaust unit 500. .

일 실시예에서, 공정 챔버(100)는 내부에 기판(10) 증착을 위한 반응 공간이 구비되는 통 형상으로 구비되며, 기판(10)의 형상에 따라 다양한 형상으로 변형될 수 있다.In one embodiment, the process chamber 100 is provided in a cylindrical shape with a reaction space for depositing the substrate 10 therein, and may be transformed into various shapes depending on the shape of the substrate 10.

공정 챔버(100)의 내부에는 기판 안착부(200)와 샤워 헤드(300)가 서로 대향되도록 구비될 수 있다. 예를 들어, 기판 안착부(200)가 공정 챔버(100)의 하측에 구비되고, 샤워 헤드(300)가 공정 챔버(100)의 상측에 구비될 수 있다.Inside the process chamber 100, the substrate mounting portion 200 and the shower head 300 may be provided to face each other. For example, the substrate mounting unit 200 may be provided on the lower side of the process chamber 100, and the shower head 300 may be provided on the upper side of the process chamber 100.

또한, 공정 챔버(100)에는 기판(10)의 인입 및 인출되는 기판 출입구(850)가 구비되며, 공정챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(400)에 연결된 가스 유입구(800)가 구비될 수 있다.In addition, the process chamber 100 is provided with a substrate entrance 850 through which the substrate 10 is introduced and withdrawn, and a gas inlet 800 connected to the gas supply unit 400 that supplies process gas into the process chamber 100. may be provided.

또한, 공정 챔버(100)에는 공정 챔버(100)의 내부 압력을 조절하거나, 공정가스 기타 공정챔버(100) 내부의 이물질 등을 배기하기 위해, 배기구(550)가 구비되고 배기구(550)에 배기부(500)가 연결될 수 있다.In addition, the process chamber 100 is provided with an exhaust port 550 to adjust the internal pressure of the process chamber 100 or exhaust process gas and other foreign substances inside the process chamber 100. Donation 500 may be connected.

예를 들어, 기판 출입구(850)는 공정챔버(100)의 일 측면에 기판(10)이 출입할 수 있는 정도의 크기로 구비될 수 있고, 가스 유입구(800)는 공정 챔버(100)의 상부벽을 관통하여 구비될 수 있으며, 배기구(550)는 기판 안착부(200)보다 낮은 위치의 공정챔버(100)의 측벽 또는 하부벽을 관통하여 구비될 수 있다.For example, the substrate entrance 850 may be provided on one side of the process chamber 100 with a size large enough to allow the substrate 10 to enter and exit, and the gas inlet 800 may be provided on one side of the process chamber 100. It may be provided through the wall, and the exhaust port 550 may be provided through the side wall or bottom wall of the process chamber 100 at a lower position than the substrate mounting portion 200.

일 실시예에서, 기판 안착부(200)는 공정챔버(100)의 내부에 구비되어 공정챔버(100)의 내부로 유입되는 적어도 하나의 기판(10)이 안착된다. 이러한 기판 안착부(200)는 샤워 헤드(300)와 대향하는 위치에 구비될 수 있다.In one embodiment, the substrate seating unit 200 is provided inside the process chamber 100 to seat at least one substrate 10 introduced into the process chamber 100. This substrate mounting portion 200 may be provided in a position opposite to the shower head 300.

예를 들어, 공정 챔버(100)의 내부의 하측에 기판 안착부(200)가 구비되고, 공정 챔버(100) 내부의 상측에 샤워 헤드(300)가 구비될 수 있다.For example, a substrate mounting portion 200 may be provided on the lower side of the process chamber 100, and a shower head 300 may be provided on the upper side of the process chamber 100.

여기서, 기판 안착부(200)의 하부에는 기판 안착부(200)를 상하로 이동시키는 승강 장치(600)가 구비될 수 있다. 승강 장치(600)는 기판 안착부(200)의 적어도 일 영역, 예를 들어 중앙부를 지지하도록 구비되고, 기판 안착부(200)의 상부에 기판(10)이 안착되면, 기판 안착부(200)를 샤워 헤드(300)에 근접되도록 이동시킬 수 있다.Here, a lifting device 600 may be provided at the lower part of the substrate seating unit 200 to move the substrate seating unit 200 up and down. The lifting device 600 is provided to support at least one area, for example, the central portion, of the substrate seating unit 200, and when the substrate 10 is placed on the upper part of the substrate seating unit 200, the substrate seating unit 200 can be moved to be closer to the shower head 300.

그리고, 기판 안착부(200)의 내부에는 히터(미도시)가 장착될 수 있다. 히터는 정해진 온도로 발열하여 기판(10)을 가열함으로써 박막 증착 공정, 식각 공정 등이 기판(10) 상에서 용이하게 실시되도록 할 수 있다.Additionally, a heater (not shown) may be installed inside the substrate seating portion 200. The heater generates heat at a predetermined temperature and heats the substrate 10 so that a thin film deposition process, an etching process, etc. can be easily performed on the substrate 10.

일 실시예에서, 샤워 헤드(300)는 공정 챔버(100)의 내부 상측에 구비되어 기판 안착부(200)의 상부에 안치된 기판(10)을 향해 공정 가스를 분사할 수 있다.In one embodiment, the shower head 300 is provided on the upper inside of the process chamber 100 and can spray process gas toward the substrate 10 placed on the upper part of the substrate mounting unit 200.

이를 위해, 샤워 헤드(300)는 백킹 플레이트부(310), 가스 분배부(320), 가스 확산부(330) 및 가스 집중부(340)를 포함할 수 있다. To this end, the shower head 300 may include a backing plate portion 310, a gas distribution portion 320, a gas diffusion portion 330, and a gas concentrator portion 340.

상기 가스 분배부(320) 및 가스 확산부(330)는 복수의 관통홀을 구비할 수 있다. 예를 들면, 상기 복수의 관통홀은 가스 공급부(400)로부터 공급된 공정 가스를 분배하기 위한 복수의 분배홀(321)과 분배된 공정 가스를 확산시키기 위한 복수의 확산홀(331)을 구비할 수 있다.The gas distribution unit 320 and the gas diffusion unit 330 may have a plurality of through holes. For example, the plurality of through holes may include a plurality of distribution holes 321 for distributing the process gas supplied from the gas supply unit 400 and a plurality of diffusion holes 331 for diffusing the distributed process gas. You can.

더 나아가, 샤워 헤드(300)는 복수의 분배홀(321)을 통해 배출된 공정 가스가 이웃하는 샤워 헤드(300)의 체결 구조로 새지 않도록 하여 공정 가스의 분배 불균형을 방지하기 위한 구조를 포함할 수 있다.Furthermore, the shower head 300 may include a structure to prevent imbalance in distribution of the process gas by preventing the process gas discharged through the plurality of distribution holes 321 from leaking into the fastening structure of the neighboring shower head 300. You can.

이와 같은 전술한 샤워 헤드(300)의 각 구성에 대해서는 차후의 도면에서 보다 구체적으로 설명할 예정이다.Each configuration of the above-described shower head 300 will be described in more detail in subsequent drawings.

일 실시예에서, 가스 공급부(400)는 복수의 공정 가스를 각각 공급하는 가스 공급원(410) 및 가스 공급원(410)으로부터 공정 가스를 공정 챔버(100)의 내부로 공급하는 가스 공급관(420)을 포함할 수 있다.In one embodiment, the gas supply unit 400 includes a gas source 410 that supplies a plurality of process gases, and a gas supply pipe 420 that supplies the process gas from the gas source 410 into the interior of the process chamber 100. It can be included.

언급된 공정 가스는 박막 증착 가스 및 식각 가스 등을 포함할 수 있다.The mentioned process gases may include thin film deposition gas and etching gas.

일 실시예에서, 배기부(500)는 배기 장치(510) 및 공정 챔버(100)의 배기구(550)와 연결된 배기관(520)을 포함할 수 있다. 배기 장치(510)는 진공 펌프 등이 사용될 수 있으며, 이에 따라 공정 챔버(100)의 내부를 진공에 가까운 압력, 예를 들어, 0.1mTorr 이하의 압력까지 진공 흡입할 수 있도록 구성될 수 있다.In one embodiment, the exhaust unit 500 may include an exhaust device 510 and an exhaust pipe 520 connected to the exhaust port 550 of the process chamber 100. The exhaust device 510 may use a vacuum pump or the like, and may be configured to vacuum the inside of the process chamber 100 to a pressure close to vacuum, for example, a pressure of 0.1 mTorr or less.

한편, 일 실시예에 따른 기판 처리 장치에는 RF 전원(720) 및 임피던스 매칭박스(I.M.B(Impedance Matching Box), 710)를 구비하는 RF 전력 공급부(700)를 더 구비할 수 있다.Meanwhile, the substrate processing apparatus according to one embodiment may further include an RF power supply unit 700 including an RF power source 720 and an impedance matching box (I.M.B.) 710.

RF 전력 공급부(700)는 샤워 헤드(300)를 플라즈마 전극으로 사용하여 공정 가스에 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 이를 위해, 공정 챔버(100)에는 RF 전력을 공급하는 RF 전원(720)이 연결되고, 상기 RF 전원(720)은 샤워 헤드(300)와 전기적으로 연결될 수 있다.The RF power supply unit 700 may generate plasma in the process gas using the shower head 300 as a plasma electrode. To this end, an RF power source 720 that supplies RF power is connected to the process chamber 100, and the RF power source 720 may be electrically connected to the shower head 300.

언급된 임피던스 매칭 박스(710)는 공정 챔버(100) 및 RF 전원(720)의 사이에최대 전력이 인가되도록 임피던스를 매칭시키는 역할을 한다.The mentioned impedance matching box 710 serves to match impedance so that maximum power is applied between the process chamber 100 and the RF power source 720.

이하에서는, 전술한 공정 가스의 분배 불균형을 해소하기 위한 샤워 헤드(300)의 체결 구조에 대해 보다 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the fastening structure of the shower head 300 to resolve the distribution imbalance of the process gas described above will be described in more detail.

<샤워 헤드의 실시예><Embodiment of shower head>

도 2는 일 실시예에 따른 도 1에 개시된 샤워 헤드(300)의 좌측 구조를 보다 구체적으로 나타낸 단면도이고, 도 3은 일 실시예에 따른 샤워 헤드에 구비된 가스 분배부 및 가스 확산부 간의 이격 구조를 보다 구체적으로 나타낸 단면도이다. FIG. 2 is a cross-sectional view showing in more detail the left structure of the shower head 300 shown in FIG. 1 according to an embodiment, and FIG. 3 shows the spacing between the gas distribution portion and the gas diffusion portion provided in the shower head according to an embodiment. This is a cross-sectional view showing the structure in more detail.

도 3은 도 2를 설명할 때 보조적으로 인용하기로 한다.FIG. 3 will be cited as an auxiliary when explaining FIG. 2.

도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 샤워 헤드(300)는 백킹 플레이트부(310), 가스 분배부(320), 가스 확산부(330) 및 가스 집중부(340)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the shower head 300 according to one embodiment may include a backing plate portion 310, a gas distribution portion 320, a gas diffusion portion 330, and a gas concentrator 340.

일 실시예에서, 백킹 플레이트부(310, 통상 '프레임' 또는 '디퓨저 커버'라 지칭하기도 함)는 이후에 설명할 구성들을 지지하기 위하여 일단이 공정 챔버(100)의 측벽에 고정되며, 타단이 이후에 설명할 가스 분배부(320) 등을 고정시킬 수 있다.In one embodiment, the backing plate portion 310 (commonly referred to as a 'frame' or a 'diffuser cover') has one end fixed to the side wall of the process chamber 100 and the other end to support the components to be described later. The gas distribution unit 320, etc., which will be explained later, can be fixed.

이러한 백킹 플레이트부(310)의 타단은 가스 분배부(320)를 고정시키기 위해 하부의 높이가 다른 단차진 하부 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 백킹 플레이트부(310)의 하부 구조 중 높이가 더 낮은 하부 구조에는 가스 분배부(320)가 배치될 것이고, 상기 높이가 더 높은 하부 구조에는 이후에 설명할 가스 집중부(340)의 일단이 배치될 수 있다.The other end of the backing plate portion 310 may have a stepped lower structure with different lower heights in order to fix the gas distribution portion 320. For example, a gas distribution part 320 will be placed in the lower structure of the backing plate part 310, and the gas concentrator 340, which will be described later, is located in the lower structure with a higher height. One end of can be placed.

일 실시예에서, 가스 분배부(320)는 백킹 플레이트부(310)의 하부에 배치되고, 가스 공급부(400)로부터 공급된 공정 가스를 분배시키기 위한 복수의 분배홀(321)을 구비할 수 있다.In one embodiment, the gas distribution unit 320 is disposed below the backing plate unit 310 and may be provided with a plurality of distribution holes 321 for distributing the process gas supplied from the gas supply unit 400. .

여기서, 복수의 분배홀(321)은 가스 분배부(320)를 평면상에서 바라볼때 테두리로부터 내측에 가로 및 세로 방향의 일정한 간격으로 배치될 수 있다. 그러나, 테두리에 해당하는 가스 분배부(320)에는 도 2에서와 같이 복수의 분배홀(321)을 통해 배출된 공정 가스가 이웃하는 가스 집중부를 향해 새어 나가지 못하도록 가스 분배부(320)의 양측 하부는 일정하게 돌출된 구조를 가지고 있다. 이러한 돌출된 구조는 차후에 보다 상세히 설명하기로 한다.Here, the plurality of distribution holes 321 may be arranged at regular intervals in the horizontal and vertical directions inside from the edge of the gas distribution unit 320 when viewed on a plane. However, the gas distribution unit 320 corresponding to the edge has bottoms on both sides of the gas distribution unit 320 to prevent the process gas discharged through the plurality of distribution holes 321 from leaking toward the neighboring gas concentration unit as shown in FIG. 2. has a uniformly protruding structure. This protruding structure will be described in more detail later.

일 실시예에서, 가스 확산부(330)는 가스 분배부(320)의 하부로부터 이격되어 배치되고, 양 측부에 이후에 설명할 가스 집중부(340)가 배치될 수 있다. 따라서, 가스 집중부(340)에 체결된 가스 확산부(330)는 소정의 간격만큼 이격된 가스 분배부(320)에 고정되지 못하더라도 가스 집중부(340)로부터 고정됨으로써, 공정 챔버(100)의 내부에서 낙하되지 않게 된다.In one embodiment, the gas diffusion portion 330 may be disposed to be spaced apart from the lower portion of the gas distribution portion 320, and gas concentrators 340, which will be described later, may be disposed on both sides. Accordingly, the gas diffusion unit 330 fastened to the gas concentrator 340 is fixed from the gas concentrator 340 even if it cannot be fixed to the gas distribution unit 320 spaced apart by a predetermined distance, thereby maintaining the process chamber 100. It will not fall inside.

이러한 가스 확산부(330)는 가스 분배부(320)의 복수의 분배홀(321)로부터 공정 가스가 이격된 공간으로 고르게 분배되면, 이격된 공간에서 분배된 공정 가스를 인입하여 확산시키기 위한 복수의 확산홀(331)을 구비할 수 있다. When the process gas is evenly distributed from the plurality of distribution holes 321 of the gas distribution unit 320 to the spaced apart spaces, the gas diffusion unit 330 has a plurality of units for drawing in and diffusing the process gas distributed in the spaced space. A diffusion hole 331 may be provided.

복수의 확산홀(331)를 통과한 공정 가스는 확산된 상태로 기판(10)에 분사될 수 있다.The process gas that has passed through the plurality of diffusion holes 331 may be injected into the substrate 10 in a diffused state.

여기서, 가스 분배부(320) 및 가스 확산부(330)의 사이 공간인 이격 공간에 머물고 있는 공정 가스의 일부가 그 이격된 공간 상의 구조로 인해 외부, 예컨대 가스 집중부(340)가 위치한 곳으로 새어나갈(누설될) 수 있다.Here, a portion of the process gas remaining in the space between the gas distribution unit 320 and the gas diffusion unit 330 flows to the outside, for example, to where the gas concentrator 340 is located, due to the structure of the space. It may leak.

이러면, 공정 가스의 분배에 대한 불균형이 발생될 수 있기 때문에, 이를 방지하기 위하여 가스 분배부(320)의 양측 하부에는 가스 확산부(330)의 양측 상부를 향해 돌출된 가스 누출 방지부(322)를 포함할 수 있다.In this case, an imbalance in the distribution of the process gas may occur, so to prevent this, gas leak prevention parts 322 are installed at the bottom of both sides of the gas distribution part 320 and protrude toward the upper sides of the gas diffusion part 330. may include.

일 실시예에서, 가스 누출 방지부(322)는 복수의 분배홀(321)에 대향하여 배치된 가스 분배부(320) 및 가스 확산부(330)의 사이의 이격 공간보다 폭을 더 좁게 가져가기 위해, 가스 분배부(320)의 양측 하부에 돌출된 구조로 배치되고 있는 것이다.In one embodiment, the gas leak prevention portion 322 has a width narrower than the space between the gas distribution portion 320 and the gas diffusion portion 330 disposed opposite to the plurality of distribution holes 321. For this reason, it is disposed in a protruding structure below both sides of the gas distribution unit 320.

예를 들면, 가스 누출 방지부(322)는 복수의 분배홀(321)에 대향하여 배치된 가스 분배부(320)의 제1 하부(323)보다 낮은 제2 하부(324)의 돌출 구조로 이루어질 수 있다.For example, the gas leak prevention part 322 is formed to have a protruding structure of the second lower part 324 lower than the first lower part 323 of the gas distribution part 320 disposed opposite to the plurality of distribution holes 321. You can.

따라서, 가스 누출 방지부(322)가 배치된 가스 분배부(320) 및 가스 확산부(330)의 좁은 이격 공간으로 인해, 복수의 분배홀(321)을 통과한 공정 가스가 외부로 새어나가지 않고, 모두 가스 확산부(330)의 복수의 확산홀(331)로 인입될 수 있게 되는 것이다.Therefore, due to the narrow space between the gas distribution unit 320 and the gas diffusion unit 330 where the gas leak prevention unit 322 is disposed, the process gas passing through the plurality of distribution holes 321 does not leak to the outside. , can all be introduced into the plurality of diffusion holes 331 of the gas diffusion unit 330.

여기서, 언급된 가스 누출 방지부(322) 또는 가스 분배부(320)의 제2 하부(324) 및 가스 확산부(330)의 양측 상부간 이격 거리는 도 3에서와 같이 0.1 내지 1mm의 이격 범위(L1)를 가질 수 있다.Here, the separation distance between the second lower part 324 of the mentioned gas leak prevention part 322 or the gas distribution part 320 and the upper parts of both sides of the gas diffusion part 330 is in the range of 0.1 to 1 mm ( You can have L1).

반면, 복수의 분배홀(321)에 대향하는 가스 분배부(320)의 양측 하부 예컨대 제1 하부(323) 및 가스 확산부(330)의 양측 상부간 이격 거리는 도 3에서와 같이 2mm 내지 20 mm의 이격 거리(L2)를 가질 수 있다.On the other hand, the separation distance between the lower portions on both sides of the gas distribution portion 320 facing the plurality of distribution holes 321, for example, the first lower portion 323 and the upper portions on both sides of the gas diffusion portion 330, is 2 mm to 20 mm as shown in FIG. 3. It can have a separation distance (L2) of

따라서, 가스 분배부(320)의 제1 하부(323) 및 가스 확산부(330)의 양측 상부간 이격 거리(L2)보다 좁은 가스 누출 방지부(322) 또는 가스 분배부(320)의 제2 하부(324) 및 가스 확산부(330)의 양측 상부간 이격 거리(L1)로 인해, 복수의 분배홀(321)을 통과한 공정 가스가 이후에 설명할 가스 집중부(340)와 같은 외부 구성으로 향하지 않고, 가스 확산부(330)의 복수의 확산홀(331)로 직행할 수 있게 된다.Therefore, the second lower part of the gas leak prevention part 322 or the gas distribution part 320 is narrower than the separation distance L2 between the first lower part 323 of the gas distribution part 320 and the upper parts of both sides of the gas diffusion part 330. Due to the separation distance (L1) between the lower part 324 and the upper parts of both sides of the gas diffusion part 330, the process gas passing through the plurality of distribution holes 321 has an external structure similar to the gas concentrator 340, which will be described later. Instead of heading towards, it is possible to go straight to the plurality of diffusion holes 331 of the gas diffusion unit 330.

일 실시예에서, 가스 집중부(340)는 적어도 일부가 가스 분배부(320)의 측부로부터 수직 방향으로 절곡된 구조(단차진 구조)로 구비될 수 있다. 또한, 상기 가스 집중부(340)는 공정 챔버(100)의 내부가 가열될 경우, 열 팽창하여 백킹 플레이트(310)의 상부에 대해 슬라이딩되어 움직일 수 있다.In one embodiment, the gas concentrator 340 may have a structure (stepped structure) in which at least a portion of the gas concentrator 340 is bent in the vertical direction from the side of the gas distribution unit 320 . In addition, when the inside of the process chamber 100 is heated, the gas concentrator 340 may thermally expand and move by sliding with respect to the upper part of the backing plate 310.

이러한 가스 집중부(340)는 수직 방향으로 절곡 형성된 구조로 인해 가스 분배부(320)의 분배홀(321) 및 가스 확산부(330)의 확산홀(331)로부터 분사되는 공정 가스가 분배, 확산되어 기판 안착부(200)에 안착된 기판(10)에 집중시키는데 이바지 할 수 있다.Due to the structure of the gas concentrator 340 being bent in the vertical direction, the process gas sprayed from the distribution hole 321 of the gas distribution unit 320 and the diffusion hole 331 of the gas diffusion unit 330 is distributed and diffused. This can contribute to focusing on the substrate 10 seated on the substrate mounting portion 200.

더욱이, 일 실시예에 따른 가스 집중부(340)는 가스 분배부(320) 및 가스 확산부(330)의 양 측부(양 측면)로부터 이격되어 배치되는 구조를 가지며, 이를 위해 단차진 구조로 배치되는 구조를 가질 수 있다.Moreover, the gas concentrator 340 according to one embodiment has a structure arranged to be spaced apart from both sides (both sides) of the gas distribution part 320 and the gas diffusion part 330, and is arranged in a stepped structure for this purpose. It can have a structure that is

상기 가스 집중부(340) 및 백킹 플레이트부(310)의 제3 하부간 체결은 디퓨저 클램프(301)에 의해 가능해질 수 있다.Fastening between the gas concentrator 340 and the third lower part of the backing plate 310 may be possible by the diffuser clamp 301.

일 실시예에서, 언급된 가스 집중부(340)는 공정 챔버(100)의 내의 높은 가열로 인해, 가스 확산부(330) 또는/및 가스 분배부(320) 등에 의해 가압되어 열 팽창 현상이 발생할 수 있으며, 이로 인해 일부의 구조가 파손되는 크랙이 발생할 수 있다.In one embodiment, the mentioned gas concentrator 340 is pressurized by the gas diffusion portion 330 or/and the gas distribution portion 320, etc. due to high heating in the process chamber 100, thereby causing thermal expansion. This may cause cracks that destroy some of the structure.

그러나, 가스 집중부(340)에서 크랙이 발생되더라도 전술한 가스 누출 방지부(322)의 돌출 구조로 인해, 가스 확산부(330) 및 가스 분배부(320)의 사이에서 머물고 있는 공정 가스가 새지 않아 가스 집중부(340)의 크랙의 틈으로 유입되는 것을 막을 수 있다.However, even if a crack occurs in the gas concentration portion 340, the process gas remaining between the gas diffusion portion 330 and the gas distribution portion 320 will not leak due to the protruding structure of the gas leak prevention portion 322 described above. Therefore, it is possible to prevent the gas from flowing into the cracks of the gas concentrator 340.

만약, 가스 집중부(340)의 크랙 틈으로 공정 가스가 유입되면, 기판 처리 장치의 기판 처리 공정상에 치명적인 영향을 줄 수 있다.If process gas flows into the crack of the gas concentrator 340, it may have a fatal effect on the substrate processing process of the substrate processing apparatus.

한편, 전술한 가스 분배부(320)의 상부 구조를 살펴보면, 가스 누출 방지부(322)에 대향하는 가스 분배부(320)의 제1 상부(325)보다 높은 가스 분배부(320)의 제2 상부(326)가 백킹 플레이트(310)의 제3 하부(311)보다 낮은 백킹 플레이트부(310)의 제4 하부(312)에 배치되는 구조를 가질 수 있다.Meanwhile, looking at the upper structure of the above-described gas distribution unit 320, the second upper part of the gas distribution unit 320 is higher than the first upper part 325 of the gas distribution unit 320 facing the gas leak prevention unit 322. The upper portion 326 may have a structure in which the fourth lower portion 312 of the backing plate portion 310 is lower than the third lower portion 311 of the backing plate 310 .

이로써, 백킹 플레이트부(310)의 하부에 완전하게 가스 분배부(320)의 상부가 고정될 수 있는 것이다.As a result, the upper part of the gas distribution part 320 can be completely fixed to the lower part of the backing plate part 310.

이하에서는, 전술한 가스 누출 방지부(322)의 제2 하부 구조 및 이로부터 다른 구성간의 관계를 보다 구체적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, the relationship between the second lower structure of the above-described gas leak prevention unit 322 and other components thereof will be described in more detail.

<가스 누출 방지부의 실시예><Example of gas leak prevention unit>

도 4는 일 실시예에 따른 가스 누출 방지부의 제2 하부 구조 및 이로부터 다른 구성간의 관계를 보다 구체적으로 나타낸 단면도이다.Figure 4 is a cross-sectional view showing in more detail the relationship between the second lower structure of the gas leak prevention unit and other components thereof according to an embodiment.

도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 가스 누출 방지부(322)는 돌기부를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 4, the gas leak prevention unit 322 according to one embodiment may include a protrusion.

일 실시예에서, 돌기부는 실질적으로 도 2 및/또는 도 3의 가스 누출 방지부(322)의 끝단보다 더 연장되는 구조일 수 있다.In one embodiment, the protrusion may have a structure that extends substantially beyond the end of the gas leak prevention portion 322 of FIGS. 2 and/or 3 .

이러한 돌기부는 가스 분배부(320)의 양 끝단에 가스 분배부(320)의 양 측부 또는 접하고 있는 백킹 플레이트부(310)의 양 측부보다 가스 집중부(340)를 향해 더 돌출되는 돌출 구조를 의미할 수 있다.These protrusions refer to a protruding structure that protrudes more toward the gas concentrator 340 than both sides of the gas distribution unit 320 or both sides of the backing plate unit 310 in contact with both ends of the gas distribution unit 320. can do.

아울러, 돌기부는 가스 집중부(340)의 양 측부로부터 소정의 간격으로 이격될 수 있다.In addition, the protrusions may be spaced apart from both sides of the gas concentrator 340 at a predetermined distance.

다시 말해, 돌기부는 전술한 백킹 플레이트부(310), 가스 분배부(320), 가스 확산부(330) 및 가스 집중부(340)에 의해 밀폐된 제1 공간(20)에 배치되기 때문에, 가스 집중부(340)의 양 측부로부터 소정의 간격만큼 이격된 상태로 배치될 수 있게 되는 것이다.In other words, since the protrusion is disposed in the first space 20 sealed by the above-described backing plate portion 310, gas distribution portion 320, gas diffusion portion 330, and gas concentration portion 340, the gas It can be arranged to be spaced apart from both sides of the concentration unit 340 by a predetermined distance.

여기서, 돌기부 및 가스 집중부(340)간 이격 거리는 가스 집중부(340)로부터 크랙이 떨어지더라도 낙하를 방지하는데 지장이 없으면 설계상 제한되지 않는 것이 좋다.Here, the separation distance between the protrusion and the gas concentrator 340 is preferably not limited in design as long as there is no problem in preventing the crack from falling from the gas concentrator 340.

그러나, 바람직하게는, 돌기부 및 가스 집중부(340)간 소정의 간격은 2 mm 내지 20 mm의 이격 범위를 가질 수 있다. 따라서, 이로 인해, 기판 공정 처리 도중 가스 집중부(340)로부터 파손된 크랙이 하부로 낙하하더라도 돌기부에 안찬되도록 함으로써, 크랙으로 인한 공정상의 문제점 발생을 방지할 수 있다.However, preferably, the predetermined distance between the protrusion and the gas concentrator 340 may range from 2 mm to 20 mm. Accordingly, due to this, even if a crack damaged from the gas concentrator 340 falls downward during the substrate processing, it is not fixed in the protrusion, thereby preventing problems in the process due to the crack.

크랙의 낙하로 인한 공정사의 문제점은 다양한 가능성이 존재할 수 있다.There can be various possibilities for problems in construction due to falling cracks.

한편, 도 2 및/또는 도 3에서 설명한 가스 누출 방지부(322)의 제2 하부(324)는 전술한 돌기부의 하부에 해당되는 구조일 수 있으며, 또는 전술한 돌기부의 하부에 연장되는 구조일 수도 있다.Meanwhile, the second lower part 324 of the gas leak prevention part 322 described in FIG. 2 and/or FIG. 3 may have a structure corresponding to the lower part of the above-described protrusion, or may have a structure extending to the lower part of the above-described protrusion. It may be possible.

바꾸어 말하면, 일 실시예에 따른 돌기부의 하부는 가스 누출 방지부(322)의 하부에 포함되거나 상기 가스 누출 방지부(322)로부터 연장되어 배치될 수 있다.In other words, the lower part of the protrusion according to one embodiment may be included in the lower part of the gas leak prevention part 322 or may be disposed to extend from the gas leak prevention part 322.

이와 같이, 본 실시예에서는 돌기부를 포함한 가스 누출 방지부(322)의 구조로 인해, 가스 분배부(320)로부터 배출된 공정 가스가 외부 예컨대 가스 집중부(340)로 향하지 않도록 가스가 새는 것을 막아 공정 가스 불균형의 분배를 해결하며, 또 가스 집중부(340)로부터 파손된 크랙이 낙하되더라도 돌기부에 안착시켜 크랙으로 인한 공정 손상을 막아, 긍극적으로 기판 처리 장치의 수명을 증대시킬 수 있다.As such, in this embodiment, the structure of the gas leak prevention portion 322 including the protrusion prevents the process gas discharged from the gas distribution portion 320 from being directed to the outside, such as the gas concentration portion 340. It solves the distribution of process gas imbalance, and even if cracks broken from the gas concentrator 340 fall, they are seated on the protrusions to prevent process damage due to cracks, ultimately increasing the lifespan of the substrate processing device.

이상에서 개시된 실시예들은 전술한 바와 같이 몇 가지만을 기술하였지만, 이외에도 다양한 형태의 실시가 가능하다. 앞서 설명한 실시예들의 기술적 내용들은 서로 양립할 수 없는 기술이 아닌 이상은 다양한 형태로 조합될 수 있으며, 이를 통해 새로운 실시형태로 구현될 수도 있다.Although only a few examples of the embodiments disclosed above are described, various other forms of implementation are possible. The technical contents of the above-described embodiments can be combined in various forms unless they are incompatible technologies, and through this, can be implemented as a new embodiment.

아울러, 이상에서 개시된 실시예들은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서 다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다.In addition, it is obvious to those skilled in the art that the embodiments disclosed above can be embodied in other specific forms without departing from the spirit and essential characteristics of the present invention.

따라서, 전술한 실시예들은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 실시예의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 실시예의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 실시예의 범위에 포함된다.Accordingly, the above-described embodiments should not be construed as restrictive in all respects and should be considered illustrative. The scope of this embodiment should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent scope of this embodiment are included in the scope of this embodiment.

10 : 기판 100 : 공정 챔버
200 : 기판 안착부 300 : 샤워 헤드
310 : 백킹 플레이트부 320 : 가스 분배부
321 : 복수의 분배홀 322 : 가스 누출 방지부
330 : 가스 확산부 331 : 복수의 확산홀
340 : 가스 집중부 400 : 가스 공급부
500 : 배기부 600 : 승강 장치10: substrate 100: process chamber
200: substrate seating portion 300: shower head
310: backing plate portion 320: gas distribution portion
321: plurality of distribution holes 322: gas leak prevention unit
330: gas diffusion unit 331: plural diffusion holes
340: gas concentrator 400: gas supply unit
500: exhaust unit 600: lifting device

Claims (9)

기판 처리 장치에 구비되는 샤워 헤드에 있어서,
백킹 플레이트부;
상기 백킹 플레이트부의 하부에 배치되고, 공정 가스를 분배시키기 위한 복수의 분배홀을 구비하는 가스 분배부; 및
상기 가스 분배부의 하부로부터 소정 거리를 두고 이격되어 배치되고, 상기 분배된 공정 가스를 확산시키기 위한 복수의 확산홀을 구비하는 가스 확산부를 포함하고,
상기 가스 분배부는,
상기 복수의 분배홀을 통해 배출된 공정 가스가 외부를 향해 새지 않도록 상기 가스 확산부의 양측 상부를 향해 돌출된 가스 누출 방지부를 포함하는 샤워 헤드.In the shower head provided in the substrate processing apparatus,
Backing plate portion;
a gas distribution unit disposed below the backing plate unit and including a plurality of distribution holes for distributing process gas; and
A gas diffusion unit disposed at a predetermined distance from the lower portion of the gas distribution unit and having a plurality of diffusion holes for diffusing the distributed process gas,
The gas distribution unit,
A shower head comprising a gas leak prevention portion protruding toward upper portions of both sides of the gas diffusion portion to prevent the process gas discharged through the plurality of distribution holes from leaking to the outside. 제1항에 있어서,
상기 가스 누출 방지부는,
상기 복수의 분배홀에 대향하여 배치된 제1 하부보다 낮은 제2 하부의 돌출 구조로 이루어진 샤워 헤드.According to paragraph 1,
The gas leak prevention unit,
A shower head comprising a protruding structure of a second lower portion disposed opposite the plurality of distribution holes and lower than the first lower portion. 제2항에 있어서,
상기 가스 누출 방지부 또는 상기 제2 하부 및 상기 가스 확산부의 양측 상부간 이격 거리는,
0.1 내지 1mm 인 샤워 헤드.According to paragraph 2,
The separation distance between the gas leak prevention part or the second lower part and the upper sides of the gas diffusion part is,
Shower heads that are 0.1 to 1 mm. 제2항에 있어서,
상기 가스 누출 방지부는,
상기 가스 분배부의 양 끝단에 상기 가스 분배부의 양 측부 또는 상기 백킹 플레이트부의 양 측부보다 상기 외부를 향해 더 돌출된 돌기부를 포함하는 샤워 헤드.According to paragraph 2,
The gas leak prevention unit,
A shower head including protrusions at both ends of the gas distribution unit that protrude more toward the outside than both sides of the gas distribution unit or both sides of the backing plate unit. 제4항에 있어서,
상기 가스 분배부의 측부로부터 수직 방향으로 절곡된 가스 집중부를 포함하며,
상기 돌기부는,
상기 가스 집중부의 양 측부로부터 소정의 간격으로 이격된 구조를 갖는 샤워 헤드.According to clause 4,
It includes a gas concentrator bent in a vertical direction from a side of the gas distribution unit,
The protrusions are,
A shower head having a structure spaced apart from both sides of the gas concentrator at a predetermined distance. 제4항에 있어서,
상기 제2 하부는,
상기 돌기부의 하부에 해당되거나 연장되는 구조를 갖는 샤워 헤드.According to clause 4,
The second lower part,
A shower head having a structure corresponding to or extending from the lower part of the protrusion. 제5항에 있어서,
상기 소정의 간격은, 2 mm 내지 20 mm 인 샤워 헤드.According to clause 5,
A shower head where the predetermined spacing is 2 mm to 20 mm. 제4항에 있어서,
상기 가스 분배부는,
상기 가스 누출 방지부에 대향하는 제1 상부보다 높은 제2 상부가 상기 백킹 플레이트부의 제3 하부보다 낮은 상기 백킹 플레이트부의 제4 하부에 배치되는 구조를 갖는 샤워 헤드.According to clause 4,
The gas distribution unit,
A shower head having a structure in which a second upper part that is higher than the first upper part facing the gas leak prevention part is disposed in a fourth lower part of the backing plate part that is lower than a third lower part of the backing plate part. 삭제delete
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