KR102623241B1 - 디스플레이 및 그 제조 방법 - Google Patents

디스플레이 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102623241B1
KR102623241B1 KR1020210077347A KR20210077347A KR102623241B1 KR 102623241 B1 KR102623241 B1 KR 102623241B1 KR 1020210077347 A KR1020210077347 A KR 1020210077347A KR 20210077347 A KR20210077347 A KR 20210077347A KR 102623241 B1 KR102623241 B1 KR 102623241B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
mirror layer
film mirror
layer
light
Prior art date
Application number
KR1020210077347A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20220167957A (ko
Inventor
김재훈
이동석
Original Assignee
한양대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한양대학교 산학협력단 filed Critical 한양대학교 산학협력단
Priority to KR1020210077347A priority Critical patent/KR102623241B1/ko
Publication of KR20220167957A publication Critical patent/KR20220167957A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102623241B1 publication Critical patent/KR102623241B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

디스플레이가 제공된다. 상기 디스플레이는, 제1 파장대의 광을 출사하는 발광층; 상기 발광층 상에 마련되되, 상기 발광층과 대향되게 이격되며, 상기 제1 파장대의 광을 상기 제1 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제2 파장대의 광으로 변환하는 제2 색 변환 영역 및 상기 제1 파장대의 광을 상기 제2 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제3 파장대의 광으로 변환하는 제3 색 변환 영역을 가지는 색 변환층; 및 상기 색 변환층 상에 마련되며, 서로 다른 굴절률을 가지는 제1 박막과 제2 박막의 적층 구조로 이루어진 제1 박막 거울층, 및 서로 다른 굴절률을 가지는 제3 박막과 제4 박막의 적층 구조로 이루어지며 상기 제1 박막 거울층 상에 적층되는 제2 박막 거울층을 포함하는 다층 박막 거울층을 구비하되, 상기 제1 박막 거울층과 상기 제2 박막 거울층은 서로 다른 두께를 가질 수 있다.

Description

디스플레이 및 그 제조 방법{Display and Method of manufacturing thereof}
본 발명은 디스플레이 및 제조 방법에 관련된 것으로 보다 구체적으로는, 원치 않는 청색광의 외부 유출을 차단할 수 있는, 디스플레이 및 그 제조 방법에 관련된 것이다.
종래에는 ILED(Inorganic Light-Emitting Diode, 무기 발광 다이오드), OLED(Organic Light-Emitting Diode, 유기 발광 다이오드 그 예로는, QD-OLED(Quantum Dot-Organic Light Emitting Diode, 퀀텀 닷 OLED))를 포함한 각종 디스플레이에 있어서, 디스플레이로부터 청색광 유출을 방지하기 위한 방법들이 연구되고 있다.
이는, 상술된 바와 같은 디스플레이로부터의 청색광 유출에 의해, 다른 화소 즉, 적색 화소 및 녹색 화소에서 출사되는 광의 색 순도 및 색 재현성의 저하 문제가 발생하기 때문이다.
이에, 종래에는, 상술된 바와 같은 청색광 유출 방지를 위한 일례로, 디스플레이에 yellowish한 청색광 흡수 필름을 추가 적용하는 방법이 연구되었다.
하지만, 상술된 바와 같은 종래의 yellowish한 청색광 흡수 필름 적용 방법은, 색 재현성을 저하시키고, 청색광 이외의 광 즉, 적색광 및 녹색광에 대한 추가적인 광 손실을 유발하는 단점이 있다.
다른 예로, 종래에는 퀀텀 닷(Quantum Dot) 필름의 두께를 조절하는 방법이 연구되었다.
하지만, 상술된 바와 같은 종래의 퀀텀 닷 필름의 두께 조절 방법은, 뱅크(bank) 설계에 한계가 있고, 재료 비용이 증가하는 단점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 원치 않는 청색광의 외부 유출을 차단할 수 있는, 디스플레이 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 광 효율을 향상시킬 수 있는, 디스플레이 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 디스플레이를 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 디스플레이는, 제1 파장대의 광을 출사하는 발광층; 상기 발광층 상에 마련되되, 상기 발광층과 대향되게 이격되며, 상기 제1 파장대의 광을 상기 제1 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제2 파장대의 광으로 변환하는 제2 색 변환 영역 및 상기 제1 파장대의 광을 상기 제2 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제3 파장대의 광으로 변환하는 제3 색 변환 영역을 가지는 색 변환층; 및 상기 색 변환층 상에 마련되며, 서로 다른 굴절률을 가지는 제1 박막과 제2 박막의 적층 구조로 이루어진 제1 박막 거울층, 및 서로 다른 굴절률을 가지는 제3 박막과 제4 박막의 적층 구조로 이루어지며 상기 제1 박막 거울층 상에 적층되는 제2 박막 거울층을 포함하는 다층 박막 거울층을 구비하되, 상기 제1 박막 거울층과 상기 제2 박막 거울층은 서로 다른 두께를 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 박막 거울층은 상기 제2 박막 거울층보다 상기 색 변환층과의 거리가 더 가까울 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 박막 거울층은 상기 제2 박막 거울층보다 상대적으로 더 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 박막은 상기 제2 박막보다 상대적으로 높은 굴절률을 가지며, 상기 제3 박막은 상기 제4 박막보다 상대적으로 높은 굴절률을 가지되, 상기 제1 박막과 상기 제3 박막은 동일한 굴절률을 가지며, 상기 제2 박막과 상기 제4 박막은 동일한 굴절률을 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 박막은 상기 제2 박막보다 상대적으로 얇은 두께를 가지며, 상기 제3 박막은 상기 제4 박막보다 상대적으로 얇은 두께를 가지되, 상기 제1 박막은 상기 제3 박막보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 다층 박막 거울층은 적어도 하나의 제3 박막 거울층을 더 포함하되, 상기 적어도 하나의 제3 박막 거울층은 상기 제1 박막 거울층과 상기 제2 박막 거울층 사이에서 반복 적층되며, 상기 제3 박막 거울층은 서로 다른 굴절률을 가지는 제5 박막과 제6 박막이 적층된 구조로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제3 박막 거울층은 상기 제1 박막 거울층 및 제2 박막 거울층과 다른 두께를 가지며, 상기 제1 박막 거울층과 제2 박막 거울층 중 적어도 하나는 상기 제3 박막 거울층보다 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제5 박막은 상기 제6 박막보다 상대적으로 높은 굴절률을 가지되, 상기 제1 박막 및 제3 박막과 동일한 굴절률을 가지며, 상기 제6 박막은 상기 제2 박막 및 제4 박막과 동일한 굴절률을 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제5 박막은 상기 제6 박막보다 상대적으로 얇은 두께를 가지되, 상기 제1 박막 및 제3 박막보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가지며, 상기 제6 박막은 상기 제2 박막 및 제4 박막보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 제1 박막, 제3 박막 및 제5 박막은 삼산화몰리브덴(MoO3)을 포함하는 고 굴절 물질로 이루어지고, 상기 제2 박막, 제4 박막 및 제6 박막은 불화리튬(LiF)을 포함하는 저 굴절 물질로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 색 변환층은 제1 색 변환 영역을 더 포함하되, 상기 제1 색 변환 영역은, 상기 제1 파장대의 광이 상기 제1 파장대를 유지한 채로 통과되도록 하며, 상기 다층 박막 거울층은 상기 제1 색 변환 영역 상에 마련되지 않을 수 있다.
한편, 본 발명은 디스플레이 제조 방법을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 배면 기판 상에 제1 파장대의 광을 출사하는 발광층을 형성하는, 발광층 형성 단계; 광이 외부로 출사되는 경로 상에 배치될 전면 기판 상에 서로 다른 굴절률을 가지는 제1 박막과 제2 박막의 적층 구조로 이루어진 제1 박막 거울층, 및 서로 다른 굴절률을 가지는 제3 박막과 제4 박막의 적층 구조로 이루어지며 상기 제1 박막 거울층 상에 적층되는 제2 박막 거울층을 포함하는 다층 박막 거울층을 형성하는 다층 박막 거울층 형성 단계; 상기 다층 박막 거울층 상에 상기 제1 파장대의 광을 상기 제1 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제2 파장대의 광으로 변환하는 제2 색 변환 영역 및 상기 제1 파장대의 광을 상기 제2 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제3 파장대의 광으로 변환하는 제3 색 변환 영역을 가지는 색 변환층을 형성하는 색 변환층 형성 단계; 및 상기 발광층과 상기 색 변환층이 서로 대향되게 이격되도록, 상기 전면 기판과 배면 기판을 합착하는, 기판 합착 단계를 포함하되, 상기 다층 박막 거울층 형성 단계에서는 상기 제1 박막 거울층과 제2 박막 거울층이 서로 다른 두께를 가지도록 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 다층 박막 거울층 형성 단계에서는 서로 다른 굴절률을 가지는 제5 박막과 제6 박막이 적층된 구조로 이루어지는 적어도 하나의 제3 박막 거울층을 상기 제1 박막 거울층과 제2 박막 거울층 사이에 반복 적층되는 형태로 더 형성하되, 상기 제3 박막 거울층을 상기 제1 박막 거울층 및 제2 박막 거울층 중 적어도 하나보다 상대적으로 두꺼운 두께로 형성할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 제1 파장대의 광을 출사하는 발광층; 상기 발광층 상에 마련되되, 상기 발광층과 대향되게 이격되며, 상기 제1 파장대의 광을 상기 제1 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제2 파장대의 광으로 변환하는 제2 색 변환 영역 및 상기 제1 파장대의 광을 상기 제2 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제3 파장대의 광으로 변환하는 제3 색 변환 영역을 가지는 색 변환층; 및 상기 색 변환층 상에 마련되며, 서로 다른 굴절률을 가지는 제1 박막과 제2 박막의 적층 구조로 이루어진 제1 박막 거울층, 및 서로 다른 굴절률을 가지는 제3 박막과 제4 박막의 적층 구조로 이루어지며 상기 제1 박막 거울층 상에 적층되는 제2 박막 거울층을 포함하는 다층 박막 거울층을 구비하되, 상기 제1 박막 거울층과 상기 제2 박막 거울층은 서로 다른 두께를 가지는 디스플레이가 제공될 수 있다.
이에 따라, 원치 않는 청색광의 외부 유출을 차단할 수 있는, 디스플레이가 제공될 수 있으며, 이를 통해, 색 순도가 저하되는 문제를 해결할 수 있다.
즉, 본 발명의 실시 예에 따르면, 발광층에서 출사되는 제1 파장대의 광인 청색광을, 상기 색 변환층을 통해 다른 파장대(제2 및 제3 파장대)의 다른 색(녹색 및 적색)의 광으로 변환하되, 상기 제2 및 제3 색 변환영역에서 미 변환된 상기 청색광을, 상기 다층 박막 거울층을 통하여 발광층으로 반사시킴으로써, 상기 색 변환층에서 변환되어 출사되는 녹색광 및 적색광의 색 순도 및 색 재현성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 다층 박막 거울층을 통하여 발광층으로 반사된 청색광이 다시 색 변환층으로 입사되어 파장 시프트됨에 따라, 광 효율을 향상시킬 수 있는, 디스플레이가 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시 예에 따르면, 원치 않는 청색광의 외부 유출에 의한 안구 손상, 시력 저하 등을 방지할 수 있는, 디스플레이가 제공될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이를 설명하기 위한 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이에서, 다층 박막 거울층의 적층 구조를 설명하기 위한 모식도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이에서, 다층 박막 거울층의 반사 특성을 설명하기 위한 모식도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예1에 따른 다층 박막 거울층의 파장 별 반사율 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 본 발명의 비교 예1에 따른 다층 박막 거울층의 파장 별 반사율 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예2에 따른 다층 박막 거울층의 파장 별 반사율 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 비교 예2에 따른 다층 박막 거울층의 파장 별 반사율 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예3에 따른 다층 박막 거울층의 파장 별 반사율 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 비교 예3에 따른 다층 박막 거울층의 파장 별 반사율 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예4에 따른 다층 박막 거울층의 파장 별 반사율 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 비교 예4에 따른 다층 박막 거울층의 파장 별 반사율 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시 예5에 따른 다층 박막 거울층의 파장 별 반사율 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시 예6에 따른 다층 박막 거울층의 파장 별 반사율 변화를 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 제조 방법을 나타낸 공정 흐름도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3 의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 형상 및 크기는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이를 설명하기 위한 모식도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이에서, 다층 박막 거울층의 적층 구조를 설명하기 위한 모식도이며, 도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이에서, 다층 박막 거울층의 반사 특성을 설명하기 위한 모식도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이(100)는 발광층(120), 색 변환층(130) 및 다층 박막 거울층(140)을 포함하여 형성될 수 있다.
발광층(120)은 제1 파장대의 광(B)을 출사할 수 있다. 여기서, 상기 제1 파장대의 광(B)은 청색광을 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 파장대는, 약 440 ㎚ 내지 485 ㎚의 파장을 포함할 수 있다.
상기 발광층(120)에서 출사되는 상기 제1 파장대의 광(B)은, 후술되는 색 변환층(130)을 통해 색 변환, 즉, 파장 시프트(wavelength shift)될 수 있다. 이에 대해서는 하기에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 발광층(120)은 무기 발광 물질, 유기 발광 물질, 퀀텀 닷(Quantum Dot; QD) 등으로 이루어질 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 발광층(120)이 청색광을 출사하는 유기 발광 물질로 이루어진 것을 상정하기로 한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 발광층(120)은 후술되는 색 변환층(130)의 색 변환 영역들(131, 132, 133) 각각과 대응되는 개별 픽셀로 구획될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이(100)는 서로 대향되게 마주하는 배면 기판(111) 및 전면 기판(112)을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 배면 기판(111)과 전면 기판(112)은 광이 출사되는 방향을 기준으로 구분될 수 있다. 이러한 배면 기판(111)과 전면 기판(112)은 리지드(rigid) 기판, 플렉서블(flexible) 기판, 스트레쳐블(stretchable) 기판 중 어느 하나의 기판으로 구비될 수 있다.
발광층(120)은 이러한 배면 기판(111)과 전면 기판(112) 사이에 배치될 수 있다. 이때, 발광층(120)은 전면 기판(112)과 마주하는 배면 기판(111)의 일면 상에 마련될 수 있다.
여기서, 상기 배면 기판(111)과 전면 기판(112)은 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 배면 기판(111)과 전면 기판(112)은 투명 기판으로, 광 투과율이 우수하고 기계적인 물성이 우수한 것이면 어는 것이든 제한되지 않는다.
예를 들어, 상기 배면 기판(111)과 전면 기판(112)으로는 열 경화 또는 UV 경화가 가능한 유기 필름인 고분자 계열의 물질이 사용될 수 있다. 또한, 상기 배면 기판(111)과 전면 기판(112)으로는 화학강화유리인 소다라임 유리(SiO2-CaO-Na2O) 또는 알루미노실리케이트계 유리(SiO2-Al2O3-Na2O)가 사용될 수 있다. 이외에도 배면 기판(111)과 전면 기판(112)으로는 금속산화물이나 금속질화물로 이루어진 기판이 사용될 수도 있다.
발광층(120)으로부터 발생된 광이 방출되는 경로 상에 구비되는 전면 기판(112)은 발광층(120)으로부터 발생된 광을 외부로 방출시키는 통로 역할을 한다. 또한, 전면 기판(112)은 이의 일면에 마련되는 색 변환층(130) 및 다층 박막 거울층(140)을 지지하는 역할을 한다. 여기서, 상기 전면 기판(112)의 일면은 배면 기판(111) 상에 마련되는 발광층(120)과 마주하는 면일 수 있다.
그리고 전면 기판(112)은 배면 기판(111)과 함께, 이들 사이에 마련되는 발광층(120), 색 변환층(130) 및 다층 박막 거울층(140) 등을 외부 환경으로부터 보호하는 역할을 한다.
이를 위해, 즉, 발광층(120), 색 변환층(130) 및 다층 박막 거울층(140) 등을 인캡슐레이션 시키기 위해, 전면 기판(112)과 배면 기판(111)은 이의 테두리를 따라 형성되는 씰링재(미도시), 예컨대, 에폭시(epoxy)를 매개로 서로 접합될 수 있다.
이때, 서로 대향되는 배면 기판(111)과 전면 기판(112), 그리고 이들 테두리에 형성되는 씰링재(미도시)에 의해 구획되는 내부 공간, 즉, 발광층(120), 색 변환층(130) 및 다층 박막 거울층(140) 등이 배치되는 공간은 불활성 기체로 채워지거나 진공 분위기로 조성될 수 있다.
한편, 발광층(120)이 마련되는 배면 기판(111) 상에는 발광층(120)에 전기 신호를 인가하거나, 상기 인가된 전기 신호를 해제하는 박막트랜지스터(thin flim transistor; TFT)가 구비될 수 있다. 이때, 박막트랜지스터는 발광층(120)의 개별 픽셀들을 각각 제어할 수 있도록 구비될 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 색 변환층(130)의 각 픽셀과 대응되는 개별 픽셀로 구획되어, 개별 픽셀 화된 발광층(120)은, 그에 대응하는 박막트랜지스터에 의해 제어될 수 있다.
색 변환층(130)은 발광층(120) 상에 마련될 수 있다. 이때, 색 변환층(130)은 발광층(120)과 대향되게 이격될 수 있다. 색 변환층(130)은 배면 기판(111) 상에 마련되는 발광층(120)과 마주하는 방향으로 전면 기판(112) 상에 마련될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 이러한 색 변환층(130)은 제1 색 변환 영역(131), 제2 색 변환 영역(132) 및 제3 색 변환 영역(133) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제1 색 변환 영역(131)은 상기 발광층(120)에서 출사된 제1 파장대의 광(B)을 통과시킬 수 있다. 즉, 상기 제1 색 변환 영역(131)은, 상기 발광층(120)에서 출사된 제1 파장대의 광(B)이 파장 시프트 없이, 제1 파장대를 유지한 상태로 통과되도록 할 수 있다.
이를 위해, 제1 색 변환 영역(131)은, 예를 들어, 투명한 영역으로 형성되거나 비어 있도록 패터닝될 수 있다. 이와 달리, 상기 제1 색 변환 영역(131)은 청색의 색 좌표를 원하는 색 좌표로 조절하기 위하여 소정의 청색 컬러 필터로 이루어질 수도 있다.
한편, 상기 제2 색 변환 영역(132)은 발광층(120)에서 출사된 제1 파장대의 광(B)을 제1 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제2 파장대의 광(G)으로 변환할 수 있다. 여기서, 제2 파장대의 광(G)이라 함은, 녹색광을 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 파장대는 약 500 ㎚ 내지 565 ㎚의 파장을 포함할 수 있다.
상기 제3 색 변환 영역(133)은 발광층(120)에서 출사된 제1 파장대의 광(B)을 제2 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제3 파장대의 광(R)으로 변환할 수 있다. 여기서, 제3 파장대의 광(R)이라 함은, 적색광을 의미할 수 있다. 예를 들어, 상기 제3 파장대는 약 625 ㎚ 내지 740 ㎚의 파장을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제2 색 변환 영역(132) 및 제3 색 변환 영역(133)은 각각, 해당 파장대의 색상을 제공하는 퀀텀 닷(QD)으로 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제1 색 변환 영역(131), 제2 색 변환 영역(132) 및 제3 색 변환 영역(133)은 개별 픽셀로 구획될 수 있다. 이를 위하여, 제1 색 변환 영역(131)과 제2 색 변환 영역 사이, 제2 색 변환 영역(132)과 제3 색 변환 영역 사이 및 제3 색 변환 영역(133)과 제1 색 변환 영역(131) 사이에는 이들을 개별 픽셀로 구획하는 뱅크(130a)가 마련될 수 있다. 이때, 상기 뱅크(130a)는 유기 물질로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 개별 픽셀로 구획되는 제1 색 변환 영역(131), 제2 색 변환 영역(132) 및 제3 색 변환 영역(133)은 발광층(120)의 각 픽셀과 상하 방향(도면 기준)으로 일대일 대응되도록 배치될 수 있다.
계속해서, 도 1을 참조하면, 다층 박막 거울층(140)은 색 변환층(130) 상에 마련될 수 있다. 상기 다층 박막 거울층(140)은 전면 기판(112)과 색 변환층(130) 사이에 마련될 수 있다. 이때, 상기 다층 박막 거울층(140)은 색 변환층(130)의 제2 색 변환 영역(132) 및 제3 색 변환 영역(133) 상에 각각 마련될 수 있다. 이때, 다층 박막 거울층(140)은 색 변환층(130)의 제1 색 변환 영역(131) 상에는 마련되지 않을 수 있다.
전술한 바와 같이, 발광층(120)에서 출사된 제1 파장대의 광(B)인 청색광은 각각의 제2 색 변환 영역(132) 및 제3 색 변환 영역(133)을 통과하는 과정에서 파장 시프트(wavelength shift)되어, 제2 파장대의 광(G)인 녹색광 및 제3 파장대의 광(R)인 적색광으로 변환되어 외부로 출사되는데, 이때, 녹색광 및 적색광으로 미처 변환되지 못한 청색 파장(제1 파장대)의 광이 원치 않게 외부로 유출될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 다층 박막 거울층(140)은, 광이 출사되는 방향을 기준으로, 색 변환층(130)의 전방에 구비되어, 색 변환층(130)을 통과하는 과정에서 녹색광 및 적색광으로 미처 변환되지 못한 제1 파장대의 광(B)인 청색광을 발광층(120) 방향으로 반사시킬 수 있다.
이에 따라, 미 변환된 청색광, 즉, 원치 않는 청색광의 외부 유출을 차단할 수 있으며, 색 변환층(130)에 의해, 청색광에서 파장 시프트되어 출사되는 녹색광 및 적색광의 색 순도 및 색 재현성을 향상시킬 수 있다.
이때, 다층 박막 거울층(140)의 반사 작용에 의하여, 발광층(120)으로 반사되는 제1 파장대의 광(B), 즉, 색 변환층(130)에서 미처 변환되지 못하고 발광층(120)으로 반사되는 청색광은 다시 색 변환층(130)의 제2 색 변환 영역(132) 및 제3 색 변환 영역(133)으로 입사되어 파장 시프트될 수 있으므로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이(100)의 광 효율은 향상될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 다층 박막 거울층(140)에 의하여, 원치 않는 청색광의 외부 유출이 차단되므로, 원치 않는 청색광의 외부 유출에 의한 안구 손상, 시력 저하 등이 방지될 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 다층 박막 거울층(140)은 제1 박막 거울층(141) 및 제2 박막 거울층(142)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제1 박막 거울층(141)은 제2 박막 거울층(142)보다 색 변환층(130)과 더 가까운 거리에 위치할 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시 예에 따른 다층 박막 거울층(140)에서, 색 변환층(130)과 접하는 층은 제1 박막 거울층(141)일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제1 박막 거울층(141)은 제2 박막 거울층(142)과 서로 다른 두께로 구비될 수 있다. 예를 들어, 제1 박막 거울층(141)의 두께(T1)는 제2 박막 거울층(142)의 두께(T2)보다 상대적으로 더 두꺼울 수 있다.
이러한 제1 박막 거울층(141)은 제1 박막(141a) 및 제2 박막(141b)의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 이때, 제1 박막 거울층(141)에서, 상기 제1 박막(141a)이 색 변환층(130)과 접할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제1 박막(141a)과 제2 박막(141b)은 서로 다른 굴절률을 가질 수 있다. 이때, 제1 박막(141a)은 제2 박막(141b)보다 상대적으로 높은 굴절률을 가질 수 있다. 이를 위해, 제1 박막(141a)은 고 굴절 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 박막(141a)은 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어질 수 있으며, 이러한 삼산화몰리브덴(MoO3)의 굴절률(n)은 2.2일 수 있다.
또한, 제2 박막(141b)은 제1 박막(141a)보다 상대적으로 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 이를 위해, 제2 박막(141b)은 저 굴절 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 박막(141b)은 불화리튬(LiF)으로 이루어질 수 있으며, 이러한 불화리튬(LiF)의 굴절률(n)은 1.39일 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제1 박막(141a)은 제2 박막(141b)보다 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 박막(141a)의 두께(T1a)는 40 ㎚일 수 있으며, 제2 박막(141b)의 두께(T1b)는 60 ㎚일 수 있다. 이에 따라, 제1 박막(141a)과 제2 박막(141b)의 적층 구조로 이루어지는 제1 박막 거울층(141)의 두께(T1)는 100 ㎚일 수 있다.
하지만, 이는 일례일 뿐, 제1 박막 거울층(141)이 제2 박막 거울층(142)의 두께(T2)보다 상대적으로 더 두꺼운 두께(T1)를 가지는 제1 조건과, 제1 박막(141a)이 제2 박막(141b)의 두께(T1b)보다 상대적으로 얇은 두께(T1a)를 가지는 제2 조건이 모두 충족되는 범위에서, 제1 박막(141a)의 두께(T1a)와 제2 박막(141b)의 두께(T1b)가 다양한 두께 범위로 형성될 수 있음은 물론이다.
제2 박막 거울층(142)은 제1 박막 거울층(141) 상에 적층될 수 있다. 제2 박막 거울층(142)은 제1 박막 거울층(141)보다 색 변환층(130)과 더 먼 거리에 위치할 수 있다. 제2 박막 거울층(142)은 전면 기판(112)과 접할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제2 박막 거울층(142)은 제1 박막 거울층(141)과 서로 다른 두께로 구비될 수 있다. 예를 들어, 제2 박막 거울층(142)의 두께(T2)는 제1 박막 거울층(141)의 두께(T1)보다 상대적으로 더 얇을 수 있다.
이러한 제2 박막 거울층(142)은 제3 박막(142a) 및 제4 박막(142b)의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 이때, 제2 박막 거울층(142)에서, 제3 박막(142a)은 제1 박막 거울층(141)의 제2 박막(141b)과 마주할 수 있으며, 제4 박막(142b)은 전면 기판(112)과 접할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제3 박막(142a)과 제4 박막(142b)은 서로 다른 굴절률을 가질 수 있다. 이때, 제3 박막(142a)은 제4 박막(142b)보다 상대적으로 높은 굴절률을 가질 수 있다. 이를 위해, 제3 박막(142a)은 고 굴절 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제3 박막(142a)은 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어질 수 있으며, 이러한 삼산화몰리브덴(MoO3)의 굴절률(n)은 2.2일 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제3 박막(142a)은 제1 박막 거울층(141)의 제1 박막(141a)과 동일한 고 굴절률을 가지는 고 굴절 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 제4 박막(142b)은 제3 박막(142a)보다 상대적으로 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 이를 위해, 제4 박막(142b)은 저 굴절 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제4 박막(142b)은 불화리튬(LiF)으로 이루어질 수 있으며, 이러한 불화리튬(LiF)의 굴절률(n)은 1.39일 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제4 박막(142b)은 제1 박막 거울층(141)의 제2 박막(141b)과 동일한 굴절률을 가지는 저 굴절 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제3 박막(142a)은 제4 박막(142b)보다 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 또한, 제3 박막(142a)은 제1 박막 거울층(141)의 제1 박막(141a)보다 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 박막 거울층(141)을 이루는 제1 박막(141a)의 두께(T1a)가 40 ㎚이고, 제2 박막(141b)의 두께(T1b)가 60 ㎚이며, 이에 따라, 제1 박막 거울층(141)의 두께(T1)가 100 ㎚인 경우, 제3 박막(142a)의 두께(T2a)는 30 ㎚일 수 있으며, 제4 박막(142b)의 두께(T2b)는 60 ㎚일 수 있다.
이에 따라, 제3 박막(142a)과 제4 박막(142b)의 적층 구조로 이루어지는 제2 박막 거울층(142)의 두께(T2)는 100 ㎚의 두께(T1)로 형성되는 제1 박막 거울층(141)보다 상대적으로 얇은 90 ㎚의 두께(T2)로 형성될 수 있다.
하지만, 이는 일례일 뿐, 제2 박막 거울층(142)이 제1 박막 거울층(141)의 두께(T1)보다 상대적으로 더 얇은 두께(T2)를 가지는 제1 조건과, 제3 박막(142a)이 제4 박막(142b)의 두께(T2b)보다 상대적으로 얇은 두께(T2a)를 가지는 제2 조건 및 제3 박막(142a)이 제1 박막(141a)의 두께(T1a)보다 상대적으로 얇은 두께(T2a)를 가지는 제3 조건이 모두 충족되는 범위에서, 제3 박막(142a)의 두께(T2a)와 제4 박막(142b)의 두께(T2b)가 다양한 두께 범위로 형성될 수 있음은 물론이다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 다층 박막 거울층(140)은 제3 박막 거울층(143)을 더 포함할 수 있다.
제3 박막 거울층(143)은 제1 박막 거울층(141)과 제2 박막 거울층(142) 사이에 구비될 수 있다. 도면 기준으로, 제3 박막 거울층(143)은 제2 박막 거울층(142) 상에 적층될 수 있고, 제3 박막 거울층(143) 상에 제1 박막 거울층(141)이 적층되어 다층 박막 거울층(140)을 이룰 수 있다.
이때, 제3 박막 거울층(143)은 적어도 하나 구비될 수 있다. 예를 들어, 제3 박막 거울층(143)이 둘 이상 구비되는 경우, 상기 둘 이상의 제3 박막 거울층(143)은 제1 박막 거울층(141)과 제2 박막 거울층(142) 사이에서 반복 적층될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제3 박막 거울층(143)은 제1 박막 거울층(141)과 서로 다른 두께로 구비될 수 있다. 또한, 제3 박막 거울층(143)은 제2 박막 거울층(142)과도 서로 다른 두께로 구비될 수 있다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제1 박막 거울층(141)과 제2 박막 거울층(142) 중 적어도 하나는 제3 박막 거울층(143)의 두께(T3)보다 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다.
예를 들어, 다층 박막 거울층(140)을 이루는 제1 박막 거울층(141), 제2 박막 거울층(142) 및 제3 박막 거울층(143) 중에서, 제3 박막 거울층(143)이 가장 두꺼운 두께로 구비될 수 있다.
이와 같이, 발광층(120)과의 거리가 가장 가까운 제1 박막 거울층(141)의 두께(T1)와 출사면인 전면 기판(112)과의 거리가 가장 가까운 제2 박막 거울층(142)의 두께(T2)가 이들 사이에 구비되는 중간층인 제3 박막 거울층(143)의 두께(T3)보다 얇은 경우, 제1 파장대의 광(B)인 청색광에 대한 우수한 필터링 아웃(filtering out) 특성을 가지게 되는데, 이에 대해서는 하기에서 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 이러한 제3 박막 거울층(143)은 제5 박막(143a)과 제6 박막(143b)의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 이때, 하나의 제3 박막 거울층(143)을 기준으로 볼 때, 제5 박막(143a)은 제1 박막 거울층(141)과 마주할 수 있으며, 제6 박막(143b)은 제2 박막 거울층(142)과 마주할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제5 박막(143a)과 제6 박막(143b)은 서로 다른 굴절률을 가질 수 있다. 이때, 제5 박막(143a)은 제6 박막(143b)보다 상대적으로 높은 굴절률을 가질 수 있다. 이를 위해, 제5 박막(143a)은 고 굴절 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제5 박막(143a)은 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어질 수 있으며, 이러한 삼산화몰리브덴(MoO3)의 굴절률(n)은 2.2일 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제5 박막(143a)은 제1 박막 거울층(141)의 제1 박막(141a) 및 제2 박막 거울층(142)의 제3 박막(142a)과 동일한 굴절률을 가지는 고 굴절 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 제6 박막(143b)은 제5 박막(143a)보다 상대적으로 낮은 굴절률을 가질 수 있다. 이를 위해, 제6 박막(143b)은 저 굴절 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제6 박막(143b)은 불화리튬(LiF)으로 이루어질 수 있으며, 이러한 불화리튬(LiF)의 굴절률(n)은 1.39일 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제6 박막(143b)은 제1 박막 거울층(141)의 제2 박막(141b) 및 제2 박막 거울층(142)의 제4 박막(142b)과 동일한 굴절률을 가지는 저 굴절 물질로 이루어질 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제5 박막(143a)은 제6 박막(143b)보다 상대적으로 얇은 두께를 가질 수 있다. 이때, 상기 제5 박막(143a)은 제1 박막 거울층(141)의 제1 박막(141a)보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 또한, 상기 제5 박막(143a)은 제2 박막 거울층(142)의 제3 박막(142a)보다도 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제5 박막(143a)보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가지는 제6 박막(143b)은 제1 박막 거울층(141)의 제2 박막(142b)보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있으며, 제2 박막 거울층(142)의 제4 박막(142b)보다도 상대적으로 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
즉, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제1 박막 내지 제6 박막(141a, 141b, 142a, 142b, 143a, 143b) 중에서 제6 박막(143b)이 가장 두꺼운 두께를 가질 수 있다.
예를 들어, 제1 박막 거울층(141)을 이루는 제1 박막(141a)의 두께(T1a)가 40 ㎚이고, 제2 박막(141b)의 두께(T1b)가 60 ㎚이며, 이에 따라, 제1 박막 거울층(141)의 두께(T1)가 100 ㎚인 경우, 그리고 제2 박막 거울층(142)을 이루는 제3 박막(142a)의 두께(T2a)가 30 ㎚이고, 제4 박막(142b)의 두께(T2b)가 60 ㎚이며, 이에 따라, 제2 박막 거울층(142)의 두께(T2)가 90㎚인 경우, 제5 박막(143a)의 두께(T3a)는 50 ㎚일 수 있으며, 제6 박막(143b)의 두께(T3b)는 70 ㎚일 수 있다.
이에 따라, 제5 박막(143a)과 제6 박막(143b)의 적층 구조로 이루어지는 제3 박막 거울층(143)의 두께(T3)는 100 ㎚의 두께(T1)로 형성되는 제1 박막 거울층(141) 및 90 ㎚의 두께(T2)로 형성되는 제2 박막 거울층(142)보다 두꺼운 120 ㎚의 두께로 형성될 수 있다.
하지만, 이는 일례일 뿐, 제1 박막 거울층(141)과 제2 박막 거울층(142)이 제3 박막 거울층(143)보다 상대적으로 얇은 두께를 가지는 제1 조건, 제5 박막(143a)이 제6 박막(143b)보다 상대적으로 얇은 두께를 가지되 제1 박막 거울층(141)의 제1 박막(141a) 및 제2 박막 거울층(142)의 제3 박막(142a)보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가지는 제2 조건 및 제6 박막(143b)이 제1 박막 거울층(141)의 제2 박막(141b) 및 제2 박막 거울층(142)의 제4 박막(142b)보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가지는 제3 조건이 모두 충족되는 범위에서, 제5 박막(143a)의 두께(T3a)와 제6 박막(143b)의 두께(T3b)가 두께 범위로 형성될 수 있음은 물론이다.
도 3은 제1 박막 거울층(141)과 제2 박막 거울층(142) 사이에 총 5개의 제3 박막 거울층(143)이 적층 개재되어 있는 다층 박막 거울층(140)을 예시한 것으로, 색 변환층(130)에서 미처 변환되지 못한 제1 파장대의 광(B)은 먼저, 색 변환층(130)과 제1 박막 거울층(141) 간의 계면에서 반사되고, 이 계면에서도 반사되지 못한 제1 파장대의 광(B)은 제1 박막 거울층(141)과 최 상단에 위치하는 제3 박막 거울층(143)의 계면에서 반사되며, 이 계면에서도 반사되지 못한 제1 파장대의 광(B)은 그 아래 위치하는 제3 박막 거울층(143)들 간의 계면이나 제3 박막 거울층(143)과 제2 박막 거울층(142) 간의 계면에서 반사될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 색 변환층(130)에서 미처 변환되지 못한 제1 파장대의 광(B)은 외부로 출사되는 경로 상에서 다층 박막 거울층(140)에 의하여 순차적으로 다수 회 반사될 수 있다. 이에 따라, 색 변환층(130)에서 미처 변환되지 못한 제1 파장대의 광(B), 즉, 원치 않는 청색광의 외부 유출이 차단될 수 있다.
실시 예1
도 4에 도시된 바와 같이, 기판(112) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(142b)을 60 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(142a)을 30 ㎚로 적층하여, 총 두께 90 ㎚의 제2 박막 거울층(142)을 형성하였다. 그 다음, 제2 박막 거울층(142) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(141b)을 60 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(141a)을 40 ㎚로 적층하여, 총 두께 100 ㎚의 제1 박막 거울층(141)을 형성하였으며, 이를 통하여, 제1 박막 거울층(141)과 제2 박막 거울층(142)의 적층 구조로 이루어진 실시 예1에 따른 다층 박막 거울층(140)을 제조한 후, 이에 대한 파장 별 반사율을 측정하였다.
비교 예1
도 5에 도시된 바와 같이, 기판(12) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(13)을 70 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(14)을 40 ㎚로 적층하여, 총 두께 110 ㎚의 박막 쌍을 형성하였고, 그 위에 동일한 박막 쌍을 한번 더 형성하여, 비교 예1에 따른 다층 박막 거울층을 제조한 후, 이에 대한 파장 별 반사율을 측정하였다.
실시 예1과 비교 예1은 저 굴절률 박막과 고 굴절률 박막이 하나의 쌍을 이루는 박막 쌍 2개가 적층 구조를 이룬다는 점에서 비교될 수 있다. 제1 파장대의 광(B)이 출사되는 경로 상에 다층 박막 거울층이 구비되는 경우, 실시 예1과 비교 예1 모두, 제1 파장대, 즉, 400 ㎚ 내지 500 ㎚ 파장대에서 다른 파장대 보다 높은 반사율을 나타내는 것으로 확인되었다.
실시 예2
도 6에 도시된 바와 같이, 기판(112) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(142b)을 60 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(142a)을 30 ㎚로 적층하여, 총 두께 90 ㎚의 제2 박막 거울층(142)을 형성하였다. 그 다음, 제2 박막 거울층(142) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(143b)을 70 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(143a)을 50 ㎚로 적층하여, 총 두께 120 ㎚의 제3 박막 거울층(143)을 형성하였다. 그 다음, 제3 박막 거울층(143) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(141b)을 60 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(141a)을 40 ㎚로 적층하여, 총 두께 100 ㎚의 제1 박막 거울층(141)을 형성하였으며, 이를 통하여, 제1 박막 거울층(141), 제3 박막 거울층(143) 및 제2 박막 거울층(142)의 적층 구조로 이루어진 실시 예2에 따른 다층 박막 거울층(140)을 제조한 후, 이에 대한 파장 별 반사율을 측정하였다.
비교 예2
도 7에 도시된 바와 같이, 기판(12) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(13)을 70 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(14)을 40 ㎚로 적층하여, 총 두께 110 ㎚의 박막 쌍을 형성하였고, 그 위에 동일한 박막 쌍을 두 번 더 형성하여, 비교 예2에 따른 다층 박막 거울층을 제조한 후, 이에 대한 파장 별 반사율을 측정하였다.
실시 예2와 비교 예2는 저 굴절률 박막과 고 굴절률 박막이 하나의 쌍을 이루는 박막 쌍 3개가 적층 구조를 이룬다는 점에서 비교될 수 있다. 제1 파장대의 광(B)이 출사되는 경로 상에 다층 박막 거울층이 구비되는 경우, 실시 예2와 비교 예2 모두, 제1 파장대, 즉, 400 ㎚ 내지 500 ㎚ 파장대에서 다른 파장대 보다 높은 반사율을 나타내는 것으로 확인되었다. 이때, 실시 예2는 제1 파장대 전 영역에서 두드러지게 높은 반사율을 나타내는 반면, 비교 예2는 제1 파장대 내에서 반사율이 점차 감소되는 경향을 보이는 것으로 확인되었다.
즉, 동일한 개수의 박막 쌍으로 다층 박막 거울층이 구비되는 경우, 박막 쌍의 두께가 모두 동일한 경우(비교 예2)보다 중간층을 이루는 박막 쌍의 두께가 가장 두꺼운 경우(실시 예2), 제1 파장대의 광(B)에 대한 반사 특성이 보다 우수한 것으로 확인되었다.
또한, 실시 예2 및 비교 예2와, 실시 예1 및 비교 예1를 비교해 보면, 적층되는 박막 쌍이 많을수록 제1 파장대에서 높은 반사율을 나타내는 것으로 확인되었다.
실시 예3
도 8에 도시된 바와 같이, 기판(112) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(142b)을 60 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(142a)을 30 ㎚로 적층하여, 총 두께 90 ㎚의 제2 박막 거울층(142)을 형성하였다. 그 다음, 제2 박막 거울층(142) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(143b)을 70 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(143a)을 50 ㎚로 적층하여, 총 두께 120 ㎚의 제3 박막 거울층(143)을 형성하였고, 그 위에, 제3 박막 거울층(143)을 한번 더 형성하였다. 그 다음, 제3 박막 거울층(143) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(141b)을 60 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(141a)을 40 ㎚로 적층하여, 총 두께 100 ㎚의 제1 박막 거울층(141)을 형성하였으며, 이를 통하여, 제1 박막 거울층(141), 2개의 제3 박막 거울층(143) 및 제2 박막 거울층(142)의 적층 구조로 이루어진 실시 예3에 따른 다층 박막 거울층(140)을 제조한 후, 이에 대한 파장 별 반사율을 측정하였다.
비교 예3
도 9에 도시된 바와 같이, 기판(12) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(13)을 70 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(14)을 40 ㎚로 적층하여, 총 두께 110 ㎚의 박막 쌍을 형성하였고, 그 위에 동일한 박막 쌍을 세 번 더 형성하여, 비교 예3에 따른 다층 박막 거울층을 제조한 후, 이에 대한 파장 별 반사율을 측정하였다.
실시 예3과 비교 예3은 저 굴절률 박막과 고 굴절률 박막이 하나의 쌍을 이루는 박막 쌍 4개가 적층 구조를 이룬다는 점에서 비교될 수 있다. 제1 파장대의 광(B)이 출사되는 경로 상에 다층 박막 거울층이 구비되는 경우, 실시 예3과 비교 예3 모두, 제1 파장대, 즉, 400 ㎚ 내지 500 ㎚ 파장대에서 다른 파장대 보다 높은 반사율을 나타내는 것으로 확인되었다. 이때, 실시 예3은 제1 파장대 전 영역에서 두드러지게 높은 반사율을 나타내는 반면, 비교 예3은 제1 파장대 내에서 반사율이 점차 감소되는 경향을 보이는 것으로 확인되었다.
즉, 동일한 개수의 박막 쌍으로 다층 박막 거울층이 구비되는 경우, 박막 쌍의 두께가 모두 동일한 경우(비교 예3)보다 중간층을 이루는 박막 쌍의 두께가 가장 두꺼운 경우(실시 예3), 제1 파장대의 광(B)에 대한 반사 특성이 보다 우수한 것으로 확인되었다.
또한, 실시 예3 및 비교 예3과, 실시 예1, 2 및 비교 예1, 2를 비교해 보면, 적층되는 박막 쌍이 많을수록 제1 파장대에서 높은 반사율을 나타내는 것으로 확인되었다.
실시 예4
도 10에 도시된 바와 같이, 기판(112) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(142b)을 60 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(142a)을 30 ㎚로 적층하여, 총 두께 90 ㎚의 제2 박막 거울층(142)을 형성하였다. 그 다음, 제2 박막 거울층(142) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(143b)을 70 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(143a)을 50 ㎚로 적층하여, 총 두께 120 ㎚의 제3 박막 거울층(143)을 형성하였고, 그 위에, 제3 박막 거울층(143)을 두 번 더 형성하였다. 그 다음, 제3 박막 거울층(143) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(141b)을 60 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(141a)을 40 ㎚로 적층하여, 총 두께 100 ㎚의 제1 박막 거울층(141)을 형성하였으며, 이를 통하여, 제1 박막 거울층(141), 3개의 제3 박막 거울층(143) 및 제2 박막 거울층(142)의 적층 구조로 이루어진 실시 예4에 따른 다층 박막 거울층(140)을 제조한 후, 이에 대한 파장 별 반사율을 측정하였다.
비교 예1
도 11에 도시된 바와 같이, 기판(12) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(13)을 70 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(14)을 40 ㎚로 적층하여, 총 두께 110 ㎚의 박막 쌍을 형성하였고, 그 위에 동일한 박막 쌍을 네 번 더 형성하여, 비교 예4에 따른 다층 박막 거울층을 제조한 후, 이에 대한 파장 별 반사율을 측정하였다.
실시 예4와 비교 예4는 저 굴절률 박막과 고 굴절률 박막이 하나의 쌍을 이루는 박막 쌍 5개가 적층 구조를 이룬다는 점에서 비교될 수 있다. 제1 파장대의 광(B)이 출사되는 경로 상에 다층 박막 거울층이 구비되는 경우, 실시 예4와 비교 예4 모두, 제1 파장대, 즉, 400 ㎚ 내지 500 ㎚ 파장대에서 다른 파장대 보다 높은 반사율을 나타내는 것으로 확인되었다. 이때, 실시 예4는 제1 파장대 전 영역에서 두드러지게 높은 반사율을 나타내는 반면, 비교 예4는 제1 파장대 내에서 반사율이 점차 감소되는 경향을 보이는 것으로 확인되었다.
즉, 동일한 개수의 박막 쌍으로 다층 박막 거울층이 구비되는 경우, 박막 쌍의 두께가 모두 동일한 경우(비교 예4)보다 중간층을 이루는 박막 쌍의 두께가 가장 두꺼운 경우(실시 예4), 제1 파장대의 광(B)에 대한 반사 특성이 보다 우수한 것으로 확인되었다.
또한, 실시 예4 및 비교 예4와, 실시 예1 내지 3 및 비교 예1 내지 3을 비교해 보면, 적층되는 박막 쌍이 많을수록 제1 파장대에서 높은 반사율을 나타내는 것으로 확인되었다.
실시 예5
도 12에 도시된 바와 같이, 기판(112) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(142b)을 60 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(142a)을 30 ㎚로 적층하여, 총 두께 90 ㎚의 제2 박막 거울층(142)을 형성하였다. 그 다음, 제2 박막 거울층(142) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(143b)을 70 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(143a)을 50 ㎚로 적층하여, 총 두께 120 ㎚의 제3 박막 거울층(143)을 형성하였고, 그 위에, 제3 박막 거울층(143)을 세 번 더 형성하였다. 그 다음, 제3 박막 거울층(143) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(141b)을 60 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(141a)을 40 ㎚로 적층하여, 총 두께 100 ㎚의 제1 박막 거울층(141)을 형성하였으며, 이를 통하여, 제1 박막 거울층(141), 4개의 제3 박막 거울층(143) 및 제2 박막 거울층(142)의 적층 구조로 이루어진 실시 예5에 따른 다층 박막 거울층(140)을 제조한 후, 이에 대한 파장 별 반사율을 측정하였다.
실시 예6
도 13에 도시된 바와 같이, 기판(112) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(142b)을 60 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(142a)을 30 ㎚로 적층하여, 총 두께 90 ㎚의 제2 박막 거울층(142)을 형성하였다. 그 다음, 제2 박막 거울층(142) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(143b)을 70 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(143a)을 50 ㎚로 적층하여, 총 두께 120 ㎚의 제3 박막 거울층(143)을 형성하였고, 그 위에, 제3 박막 거울층(143)을 네 번 더 형성하였다. 그 다음, 제3 박막 거울층(143) 상에 굴절률(n) 1.39를 가지는 불화리튬(LiF)으로 이루어진 박막(141b)을 60 ㎚로 형성하고, 그 위에 굴절률(n) 2.2의 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어진 박막(141a)을 40 ㎚로 적층하여, 총 두께 100 ㎚의 제1 박막 거울층(141)을 형성하였으며, 이를 통하여, 제1 박막 거울층(141), 5개의 제3 박막 거울층(143) 및 제2 박막 거울층(142)의 적층 구조로 이루어진 실시 예5에 따른 다층 박막 거울층(140)을 제조한 후, 이에 대한 파장 별 반사율을 측정하였다.
제1 파장대의 광(B)이 출사되는 경로 상에 다층 박막 거울층이 구비되는 경우, 실시 예5, 6 모두, 제1 파장대, 즉, 400 ㎚ 내지 500 ㎚ 파장대에서 다른 파장대 보다 높은 반사율을 나타내는 것으로 확인되었다. 이때, 실시 예6의 경우, 제1 파장대에서의 반사율이 100%에 달하는 것으로 확인되었다.
실시 예1 내지 4와 비교 예1 내지 4를 비교해 보면, 동일한 개수의 박막 쌍으로 다층 박막 거울층이 구비되는 경우, 박막 쌍의 두께가 모두 동일한 경우(비교 예1 내지 4)보다 중간층을 이루는 박막 쌍의 두께가 가장 두꺼운 경우(실시 예1 내지 4), 제1 파장대의 광(B)에 대한 반사 특성이 보다 우수한 것으로 확인되었다.
또한, 실시 예1 내지 6을 비교해 보면, 적층되는 박막 쌍이 많을수록 제1 파장대에서의 반사율이 증가되는 것으로 확인되었고, 특히, 중간층을 이루는 박막 쌍이 5개로 구비되는 실시 예6의 경우, 제1 파장대에서의 반사율은 100%에 달하는 것으로 확인되었다.
이하, 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 제조 방법에 대하여, 도 14를 참조하여 설명하기로 한다. 여기서, 각 구성들의 도면 부호는 도 1 및 도 2를 참조하기로 한다.
도 14는 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 제조 방법을 나타낸 공정 흐름도이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이 제조 방법은 발광층 형성 단계(S110), 다층 박막 거울층 형성 단계(S120), 색 변환층 형성 단계(S130) 및 기판 합착 단계(S140)를 포함할 수 있다.
먼저, 발광층 형성 단계(S110)에서는 배면 기판(111) 상에 제1 파장대의 광(B), 즉, 청색광을 출사하는 발광층(120)을 형성할 수 있다. 발광층 형성 단계(S110)에서는 예를 들어, 무기 발광 물질, 유기 발광 물질, 퀀텀 닷(QD) 등으로 이루어진 발광층(120)을 배면 기판(111) 상에 형성할 수 있다.
이때, 발광층 형성 단계(S110)의 사전 단계로, 배면 기판(111) 상에 박막트랜지스터를 형성하는 공정이 선행될 수 있다.
다른 한편으로, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)가 실행될 수 있다.
다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 먼저, 전면 기판(112) 상에 제2 박막 거울층(142)을 형성할 수 있다. 이를 위해, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 먼저, 전면 기판(112) 상에 제4 박막(142b) 및 제3 박막(142a)을 차례로 적층 형성할 수 있다. 여기서, 제4 박막(142b)은 저 굴절 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제4 박막(142b)은 불화리튬(LiF)으로 이루어질 수 있으며, 이러한 불화리튬(LiF)의 굴절률(n)은 1.39일 수 있다. 또한, 제3 박막(142a)은 고 굴절 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제3 박막(142a)은 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어질 수 있으며, 이러한 삼산화몰리브덴(MoO3)의 굴절률(n)은 2.2일 수 있다.
이때, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 제3 박막(142a)을 제4 박막(142b)보다 상대적으로 얇은 두께로 형성할 수 있다.
그 다음, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 제2 박막 거울층(142) 상에 제1 박막 거울층(141)을 형성할 수 있다. 이때, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 제1 박막 거울층(141)을 제2 박막 거울층(142)보다 상대적으로 더 두꺼운 두께로 형성할 수 있다.
이를 위해, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 먼저, 제2 박막 거울층(142) 상에 제2 박막(141b) 및 제1 박막(141a)을 차례로 적층 형성할 수 있다. 여기서, 제2 박막(141b)은 저 굴절 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 박막(141b)은 불화리튬(LiF)으로 이루어질 수 있으며, 이러한 불화리튬(LiF)의 굴절률(n)은 1.39일 수 있다. 또한, 제1 박막(141a)은 고 굴절 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 박막(141a)은 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어질 수 있으며, 이러한 삼산화몰리브덴(MoO3)의 굴절률(n)은 2.2일 수 있다.
이때, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 제1 박막(141a)을 제2 박막(141b)보다 상대적으로 얇은 두께로 형성할 수 있다.
한편, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 제3 박막 거울층(143)을 더 형성할 수 있다. 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 제1 박막 거울층(141)을 형성하기 전, 하나의 제3 박막 거울층(143)을 제2 박막 거울층(142) 상에 먼저 형성한 다음, 제3 박막 거울층(143) 상에 제1 박막 거울층(141)을 형성할 수 있다. 또한, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 제1 박막 거울층(141)을 형성하기 전, 둘 이상의 제3 박막 거울층(143)을 제2 박막 거울층(142) 상에 반복 적층 형성한 다음, 최상단의 제3 박막 거울층(143) 상에 제1 박막 거울층(141)을 형성할 수 있다.
다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 이러한 제3 박막 거울층(143)을 제1 박막 거울층(141) 및 제2 박막 거울층(142) 중 적어도 하나보다 상대적으로 두꺼운 두께로 형성할 수 있다.
이를 위해, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 먼저, 제2 박막 거울층(142) 상에 제6 박막(143b) 및 제5 박막(143a)을 차례로 적층 형성할 수 있다. 여기서, 제6 박막(143b)은 저 굴절 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제6 박막(143b)은 불화리튬(LiF)으로 이루어질 수 있으며, 이러한 불화리튬(LiF)의 굴절률(n)은 1.39일 수 있다. 또한, 제5 박막(143a)은 고 굴절 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제5 박막(143a)은 삼산화몰리브덴(MoO3)으로 이루어질 수 있으며, 이러한 삼산화몰리브덴(MoO3)의 굴절률(n)은 2.2일 수 있다.
이때, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 제5 박막(143a)을 제6 박막(143b)보다 상대적으로 얇은 두께로 형성할 수 있으며, 제1 박막(141a) 및 제3 박막(142a)보다는 상대적으로 두꺼운 두께로 형성할 수 있다. 또한, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 제6 박막(143b)을 제2 박막(141b) 및 제4 박막(142b)보다 상대적으로 두꺼운 두께로 형성할 수 있다. 즉, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 제6 박막(143b)을 가장 두꺼운 두께의 박막으로 형성할 수 있다.
제3 박막 거울층(143)을 둘 이상 형성하는 경우, 다층 박막 거울층 형성 단계(S120)에서는 전술한 제3 박막 거울층(143)을 형성하는 공정을 반복할 수 있다.
다음으로, 색 변환층 형성 단계(S130)에서는 다층 박막 거울층(140) 상에 색 변환층(130)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 색 변환층 형성 단계(S130)에서는 다층 박막 거울층(140) 상에 개별 픽셀을 이루는 제1 색 변환 영역(131), 제2 색 변환 영역(132) 및 제3 색 변환 영역(133)을 형성할 수 있다.
색 변환층 형성 단계(S130)에서는 제1 색 변환 영역(131)을 투명한 영역으로 형성하거나, 비어 있도록 패터닝할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 제1 색 변환 영역(131)은 청색광을 투과시키는 컬러필터일 수도 있다. 이에 따라, 상술된 바와 같이, 상기 제1 색 변환 영역을 통하여, 발광층(120)에서 출사된 제1 파장대의 광(B)이 통과될 수 있다.
한편, 색 변환층 형성 단계(S130)에서는 각 파장 대의 색상을 제공하는 퀀텀 닷(QD)으로 제2 및 제3 색 변환 영역(132, 133)을 형성할 수 있다.
이에 따라, 상술된 바와 같이, 제2 및 제3 색 변환 영역(132, 133)을 통해, 발광층(120)에서 출사된 제1 파장대의 광(B)이, 제1 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제2 파장대의 광(G) 및 제2 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제3 파장대의 광(R)으로 파장 시프트, 즉, 색 변환될 수 있다.
다음으로, 기판 합착 단계(S140)에서는 배면 기판(111)과 전면 기판(112)을 서로 대향되게 합착할 수 있다. 이때, 기판 합착 단계(S140)에서는 제1 기판(111) 상에 형성된 발광층(120)과, 제2 기판(112) 상에서 최상층을 이루는 색 변환층(130)이 서로 대향되게 이격되도록, 배면 기판(111)과 전면 기판(112)을 합착할 수 있다.
이와 같이, 발광층(120)으로부터 제1 파장대의 광(B)이 출사되는 경로 상에 색 변환층(130)과 다층 박막 거울층(130)이 차례로 구비되도록, 기판 합착 단계(S140)를 통하여 배면 기판(111)과 전면 기판(112)을 합착하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 디스플레이(100)가 제조될 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
100; 디스플레이
111; 배면 기판
112; 전면 기판
120; 발광층
130; 색 변환층
130a; 뱅크
131; 제1 색 변환 영역
132; 제2 색 변환 영역
133; 제3 색 변환 영역
140; 다층 박막 거울층
141; 제1 박막 거울층
141a; 제1 박막
141b; 제2 박막
142; 제2 박막 거울층
142a; 제3 박막
142b; 제4 박막
143; 제3 박막 거울층
143a; 제5 박막
143b; 제6 박막

Claims (13)

  1. 제1 파장대의 광을 출사하는 발광층;
    상기 발광층 상에 마련되되, 상기 발광층과 대향되게 이격되며, 상기 제1 파장대의 광을 상기 제1 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제2 파장대의 광으로 변환하는 제2 색 변환 영역 및 상기 제1 파장대의 광을 상기 제2 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제3 파장대의 광으로 변환하는 제3 색 변환 영역을 가지는 색 변환층; 및
    상기 색 변환층 상에 마련되며, 서로 다른 굴절률을 가지는 제1 박막과 제2 박막의 적층 구조로 이루어진 제1 박막 거울층, 및 서로 다른 굴절률을 가지는 제3 박막과 제4 박막의 적층 구조로 이루어지며 상기 제1 박막 거울층 상에 적층되는 제2 박막 거울층을 포함하는 다층 박막 거울층;을 구비하되,
    상기 제1 박막 거울층은 상기 제2 박막 거울층보다 상기 색 변환층과의 거리가 더 가깝고,
    상기 제1 박막 거울층은 상기 제2 박막 거울층보다 상대적으로 더 두꺼운 두께를 가지며,
    상기 다층 박막 거울층은 적어도 하나의 제3 박막 거울층을 더 포함하되,
    상기 적어도 하나의 제3 박막 거울층은 상기 제1 박막 거울층과 상기 제2 박막 거울층 사이에서 반복 적층되며,
    상기 제3 박막 거울층은 서로 다른 굴절률을 가지는 제5 박막과 제6 박막이 적층된 구조로 이루어지되,
    상기 제1 박막 거울층과 제2 박막 거울층은 상기 제3 박막 거울층보다 상대적으로 얇은 두께를 가지며,
    상기 제5 박막은 상기 제6 박막보다 상대적으로 얇은 두께를 가지되 상기 제1 박막 및 제3 박막보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가지고,
    상기 제6 박막은 상기 제2 박막 및 제4 박막보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가지는, 디스플레이.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 박막은 상기 제2 박막보다 상대적으로 높은 굴절률을 가지며, 상기 제3 박막은 상기 제4 박막보다 상대적으로 높은 굴절률을 가지되,
    상기 제1 박막과 상기 제3 박막은 동일한 굴절률을 가지며, 상기 제2 박막과 상기 제4 박막은 동일한 굴절률을 가지는, 디스플레이.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제1 박막은 상기 제2 박막보다 상대적으로 얇은 두께를 가지며, 상기 제3 박막은 상기 제4 박막보다 상대적으로 얇은 두께를 가지되,
    상기 제1 박막은 상기 제3 박막보다 상대적으로 두꺼운 두께를 가지는, 디스플레이.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제5 박막은 상기 제6 박막보다 상대적으로 높은 굴절률을 가지되, 상기 제1 박막 및 제3 박막과 동일한 굴절률을 가지며,
    상기 제6 박막은 상기 제2 박막 및 제4 박막과 동일한 굴절률을 가지는, 디스플레이.
  9. 삭제
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 박막, 제3 박막 및 제5 박막은 삼산화몰리브덴(MoO3)을 포함하는 고 굴절 물질로 이루어지고, 상기 제2 박막, 제4 박막 및 제6 박막은 불화리튬(LiF)을 포함하는 저 굴절 물질로 이루어지는, 디스플레이.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 색 변환층은 제1 색 변환 영역을 더 포함하되,
    상기 제1 색 변환 영역은, 상기 제1 파장대의 광이 상기 제1 파장대를 유지한 채로 통과되도록 하며,
    상기 다층 박막 거울층은 상기 제1 색 변환 영역 상에 마련되지 않는, 디스플레이.
  12. 배면 기판 상에 제1 파장대의 광을 출사하는 발광층을 형성하는, 발광층 형성 단계;
    광이 외부로 출사되는 경로 상에 배치될 전면 기판 상에 서로 다른 굴절률을 가지는 제1 박막과 제2 박막의 적층 구조로 이루어진 제1 박막 거울층, 및 서로 다른 굴절률을 가지는 제3 박막과 제4 박막의 적층 구조로 이루어지며 상기 제1 박막 거울층 상에 적층되는 제2 박막 거울층을 포함하는 다층 박막 거울층을 형성하는 다층 박막 거울층 형성 단계;
    상기 다층 박막 거울층 상에 상기 제1 파장대의 광을 상기 제1 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제2 파장대의 광으로 변환하는 제2 색 변환 영역 및 상기 제1 파장대의 광을 상기 제2 파장대 보다 긴 파장대를 가지는 제3 파장대의 광으로 변환하는 제3 색 변환 영역을 가지는 색 변환층을 형성하는 색 변환층 형성 단계; 및
    상기 발광층과 상기 색 변환층이 서로 대향되게 이격되도록, 상기 전면 기판과 배면 기판을 합착하는, 기판 합착 단계;를 포함하되,
    상기 다층 박막 거울층 형성 단계에서는 상기 제1 박막 거울층과 제2 박막 거울층이 서로 다른 두께를 가지도록 형성하며,
    상기 다층 박막 거울층 형성 단계에서는 서로 다른 굴절률을 가지는 제5 박막과 제6 박막이 적층된 구조로 이루어지는 적어도 하나의 제3 박막 거울층을 상기 제1 박막 거울층과 제2 박막 거울층 사이에 반복 적층되는 형태로 더 형성하되, 상기 제3 박막 거울층은 상기 제1 박막 거울층과 제2 박막 거울층보다 상대적으로 두꺼운 두께로 형성하며, 상기 제5 박막은 상기 제6 박막보다 상대적으로 얇은 두께로 형성하되 상기 제1 박막 및 제3 박막보다 상대적으로 두꺼운 두께로 형성하고, 상기 제6 박막은 상기 제2 박막 및 제4 박막보다 상대적으로 두꺼운 두께로 형성하는, 디스플레이 제조 방법.
  13. 삭제
KR1020210077347A 2021-06-15 2021-06-15 디스플레이 및 그 제조 방법 KR102623241B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210077347A KR102623241B1 (ko) 2021-06-15 2021-06-15 디스플레이 및 그 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210077347A KR102623241B1 (ko) 2021-06-15 2021-06-15 디스플레이 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20220167957A KR20220167957A (ko) 2022-12-22
KR102623241B1 true KR102623241B1 (ko) 2024-01-09

Family

ID=84578407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210077347A KR102623241B1 (ko) 2021-06-15 2021-06-15 디스플레이 및 그 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102623241B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101958721B1 (ko) * 2017-11-28 2019-03-15 한국생산기술연구원 색변환 패널, 그를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200051197A (ko) * 2018-11-05 2020-05-13 삼성전자주식회사 발광 소자

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101958721B1 (ko) * 2017-11-28 2019-03-15 한국생산기술연구원 색변환 패널, 그를 포함하는 표시 장치 및 그의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220167957A (ko) 2022-12-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101434361B1 (ko) 백색 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 컬러 디스플레이장치
CN111063826B (zh) 一种显示面板
KR101405143B1 (ko) 표시장치
KR101434362B1 (ko) 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 컬러 디스플레이 장치
TWI596748B (zh) 顯示裝置
KR20180090421A (ko) 유기 발광 표시 장치
US20140368766A1 (en) Display element
KR20170052455A (ko) 유기발광 표시장치
KR20170080790A (ko) 유기발광다이오드 표시장치 및 그의 제조 방법
KR20090089151A (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2007273397A (ja) 有機ｅｌ多色ディスプレイパネル
CN111564571A (zh) Oled显示面板及显示装置
JP7495401B2 (ja) 複数個の青色放射層を有するマルチモーダルマイクロキャビティｏｌｅｄ
CN111293161A (zh) 一种显示面板及显示装置
TW202114471A (zh) 顯示裝置
CN112864188A (zh) 发光显示设备
KR102623241B1 (ko) 디스플레이 및 그 제조 방법
JP2009151945A (ja) 有機ｅｌ発光デバイスおよびその製造方法
CN110890476B (zh) 显示面板、显示装置
US10732343B2 (en) Optical member and display device including the same
KR102286361B1 (ko) 유기전계 발광표시장치 및 이의 제조방법
CN109407200A (zh) 光学构件和包括其的显示装置
KR102623237B1 (ko) 디스플레이 및 그 제조 방법
JP2019200974A (ja) 表示装置およびその製造方法
TWI790121B (zh) 顯示面板

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant