KR102611042B1 - A semiconductor waste gas treatment scrubber that has both the desorption and discharge functions of the adhering powder - Google Patents
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- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 115
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 title claims abstract description 87
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000003795 desorption Methods 0.000 title 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 89
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 88
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 83
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims abstract description 64
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims abstract description 37
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000007790 scraping Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 8
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 6
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 abstract 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000009841 combustion method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D47/00—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
- B01D47/06—Spray cleaning
- B01D47/063—Spray cleaning with two or more jets impinging against each other
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2258/00—Sources of waste gases
- B01D2258/02—Other waste gases
- B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing
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Abstract
본 발명은 반도체 설비에서 발생하는 폐가스를 습식방식으로 정화하는 장치에 관한 것으로, 상기 폐가스를 여러 경로로 흐르도록 격리된 둘 이상의 챔버가 마련되고, 흐르는 폐가스로 세정수를 분사하여 정화하는 정화본체(10); 상기 정화본체(10)의 일측 상단에 챔버와 연통되게 장착되고, 상기 반도체 설비의 배기라인과 연결되어 폐가스를 챔버로 인입시키는 가스인입관(20); 상기 가스인입관(20)의 상단에 연통되게 장착되고, 상기 가스인입관(20)의 내면을 긁어 폐가스와 세정수의 용해로 고착된 분말을 탈리하는 세정실린더(30); 상기 정화본체(10)의 일측 하단에 가스인입관(20)과 연통되게 장착되고, 상기 가스인입관(20)으로부터 탈리되는 분말을 외부로 배출시키는 분말배출관(40);을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명은 폐가스가 인입되는 가스인입관의 내면으로 분말의 고착을 방지하는 세정수를 분사하는데 이어 세정실린더가 가스인입관의 내면을 물리적으로 긁어내어 고착된 분말을 탈리시켜줌으로써, 분말의 고착과 성장을 억제하여 원활한 폐가스의 인입을 보장할 수 있고, 가스인입관의 직하방에 분말배출관을 연결함으로써, 가스인입관으로부터 탈리되어 자유낙하되는 분말을 별도의 작업과정 없이도 정화본체의 외부로 신속하게 배출시킬 수 있는 효과를 제공한다.The present invention relates to a device for purifying waste gas generated from a semiconductor facility in a wet method, which is provided with two or more isolated chambers so that the waste gas flows through various paths, and a purification main body ( 10); A gas inlet pipe (20) mounted on one upper side of the purification main body (10) in communication with the chamber and connected to an exhaust line of the semiconductor facility to introduce waste gas into the chamber; A cleaning cylinder (30) mounted in communication with the upper end of the gas inlet pipe (20) and scraping the inner surface of the gas inlet pipe (20) to remove powder stuck by dissolution of waste gas and washing water; A powder discharge pipe (40) is mounted at a lower end of one side of the purification main body (10) in communication with the gas inlet pipe (20) and discharges the powder detached from the gas inlet pipe (20) to the outside. Do it as
Therefore, the present invention sprays cleaning water that prevents the powder from sticking to the inner surface of the gas inlet pipe through which waste gas is introduced, and then the cleaning cylinder physically scrapes the inner surface of the gas inlet pipe to remove the stuck powder, thereby causing the powder to adhere. By suppressing overgrowth, it is possible to ensure smooth inflow of waste gas, and by connecting the powder discharge pipe directly below the gas inlet pipe, the powder that is detached from the gas inlet pipe and falls freely is quickly discharged to the outside of the purification main body without any additional work process. It provides an effect that can be released easily.
Description
본 발명은 반도체 설비에서 발생하는 폐가스를 습식방식으로 정화하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 폐가스가 인입되는 가스인입관의 내면으로 분말의 고착을 방지하는 세정수를 분사하는데 이어 세정실린더가 가스인입관의 내면을 물리적으로 긁어내어 고착된 분말을 탈리시켜줌으로써, 분말의 고착과 성장을 억제하여 원활한 폐가스의 인입을 보장할 수 있고, 가스인입관의 직하방에 분말배출관을 연결함으로써, 가스인입관으로부터 탈리되어 자유낙하되는 분말을 별도의 작업과정 없이도 정화본체의 외부로 신속하게 배출시킬 수 있는 고착분말의 탈리와 배출기능을 겸비하는 반도체 폐가스 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for purifying waste gas generated from semiconductor facilities in a wet manner. More specifically, the present invention relates to a device that sprays cleaning water to prevent powder adhesion to the inner surface of a gas inlet pipe through which waste gas is introduced, and then a cleaning cylinder purifies the gas. By physically scraping the inner surface of the inlet pipe to remove the stuck powder, it is possible to suppress the adhesion and growth of the powder and ensure smooth inflow of waste gas, and by connecting the powder discharge pipe directly below the gas inlet pipe, It relates to a semiconductor waste gas treatment device that combines the detachment and discharge functions of stuck powder, which can quickly discharge powder that is free-falling after detaching from the intake pipe to the outside of the purification main body without any additional work process.
통상, 반도체 제조공정에서 웨이퍼에 박막을 형성하기 위해 사용되는 다양한 종류의 반응가스는 산화성분, 인화성분 및 유독성분을 함유하고 있다.Typically, various types of reaction gases used to form thin films on wafers in the semiconductor manufacturing process contain oxidizing, flammable, and toxic components.
이러한 반응가스(이하, 폐가스라 칭함)를 대기 중에 그대로 방출할 경우 인체에 유해할 뿐만 아니라 환경오염을 유발시키게 된다.If such reaction gas (hereinafter referred to as waste gas) is released as is into the atmosphere, it is not only harmful to the human body but also causes environmental pollution.
따라서 폐가스의 유해성분 함량을 허용 농도 이하로 낮추는 정화처리과정을 거쳐서 대기 중으로 배출시키기는 가스 스크러버(scrubber)가 설치된다.Therefore, a gas scrubber is installed to discharge the waste gas into the atmosphere after going through a purification process that reduces the content of harmful components in the waste gas to below the allowable concentration.
즉, 가스 스크러버는 가스인입관이 반도체 설비 배기라인에 연결되어 폐가스를 공급받은 후 다양한 방식을 통해 폐가스를 정화한다.In other words, the gas scrubber connects the gas inlet pipe to the exhaust line of the semiconductor facility to receive waste gas, and then purifies the waste gas through various methods.
여기서 폐가스를 정화하는 방식에는 열로 연소시키는 연소방식과, 세정수에 용해시키는 습식방식 및 가스 처리제를 이용한 건식방식으로 구분될 수 있다.Here, the method of purifying waste gas can be divided into a combustion method by burning it with heat, a wet method by dissolving it in washing water, and a dry method using a gas treatment agent.
한편, 폐가스에는 각종 반응부산물이 분말형태로 포화되어 있으며, 또한 습식방식의 경우 폐가스가 세정수의 수분과 결합하면 미세한 분말(powder)이 생성된다.Meanwhile, the waste gas is saturated with various reaction by-products in powder form, and in the case of the wet method, when the waste gas combines with the moisture of the washing water, fine powder is generated.
이러한 분말은 폐가스가 스크러버에 공급되는 과정에서 가스인입관의 내면에 고착되어 부식시키거나 성장하여 유로를 폐쇄시키는 문제가 있다.This powder has a problem of sticking to the inner surface of the gas inlet pipe and corroding or growing and blocking the flow path during the process of supplying waste gas to the scrubber.
따라서 가스인입관의 내면으로 분말의 고착을 방지하기 위해 아래의 특허문헌1과 같이 가스인입관에 분말의 고착을 방지하는 장치가 제안된 바 있다.Therefore, in order to prevent powder from sticking to the inner surface of the gas inlet pipe, a device for preventing powder from sticking to the gas inlet pipe has been proposed, as shown in
이러한 장치는 가스인입관의 내면으로 세정수를 나선형으로 연속 분사하여 분말의 고착을 차단해준다.This device prevents powder from sticking by continuously spraying cleaning water into the inner surface of the gas inlet pipe in a spiral shape.
그러나 분사되는 세정수가 불규칙하게 튀는 현상이 발생함에 따라 세정수가 분사되지 못한 상측부위에는 여전히 폐가스의 분말이 고착되는 문제가 있다.However, as the sprayed cleaning water splashes irregularly, there is still a problem of waste gas powder sticking to the upper part where the cleaning water is not sprayed.
따라서 세정수가 분사되지 못하는 부위를 물리적으로 긁어내어 고착된 분말을 탈리시키는 기술이 필요하다.Therefore, a technology is needed to remove the stuck powder by physically scraping the area where the washing water cannot be sprayed.
여기서 가스인입관으로부터 탈리된 분말이 세정수가 채워진 수조로 인입될 경우 세정수가 분사 및 순환되는 유로의 필터나 노즐이 막혀버리는 문제가 있다.Here, when the powder detached from the gas inlet pipe is introduced into a water tank filled with washing water, there is a problem that the filter or nozzle of the flow path through which the washing water is sprayed and circulated becomes clogged.
따라서 탈리된 분말이 수조로의 인입을 차단하면서 외부로 신속하게 배출시킬 수 있는 기술도 필요하다.Therefore, a technology is also needed to block the detached powder from entering the water tank and quickly discharge it to the outside.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하고자 제안된 것으로, 폐가스가 인입되는 가스인입관의 내면으로 분말의 고착을 방지하는 세정수를 분사하는데 이어 세정실린더가 가스인입관의 내면을 물리적으로 긁어내어 고착된 분말을 탈리시켜줌으로써, 분말의 고착과 성장을 억제하여 원활한 폐가스의 인입을 보장할 수 있고, 가스인입관의 직하방에 분말배출관을 연결함으로써, 가스인입관으로부터 탈리되어 자유낙하되는 분말을 별도의 작업과정 없이도 정화본체의 외부로 신속하게 배출시킬 수 있는 고착분말의 탈리와 배출기능을 겸비하는 반도체 폐가스 처리장치를 제공하려는데 그 목적이 있다.The present invention was proposed to solve the above problem. Washing water that prevents the powder from sticking is sprayed onto the inner surface of the gas inlet pipe through which waste gas enters, and then the cleaning cylinder physically scrapes the inner surface of the gas inlet pipe and causes it to stick. By detaching the powder, it is possible to suppress the adhesion and growth of the powder and ensure smooth inflow of waste gas, and by connecting the powder discharge pipe directly below the gas inlet pipe, the powder that is detached from the gas inlet pipe and falls freely is separated. The purpose is to provide a semiconductor waste gas treatment device that has both detachment and discharge functions of stuck powder that can be quickly discharged to the outside of the purification main body without any work process.
또한, 본 발명은 제거된 분말들이 가스 스크러버(gas scrubber) 장치 내에서 잔류하다 세정수 펌프로 끌려 들어갈 때 스트레이너를 막고 또 더 고운 입자는 스프레이 노즐을 막는 문제점을 해결할 수 있는 고착분말의 탈리와 배출기능을 겸비하는 반도체 폐가스 처리장치를 제공하려는데 그 목적이 있다.In addition, the present invention provides separation and discharge of stuck powder, which can solve the problem of the removed powder remaining in the gas scrubber device clogging the strainer when drawn into the washing water pump, and finer particles blocking the spray nozzle. The purpose is to provide a semiconductor waste gas treatment device that has both functions.
또한, 본 발명은 2차적으로 폐가스처리 장비의 유지보수 주기를 늘려주어 생산성을 향상시켜 주는 고착분말의 탈리와 배출기능을 겸비하는 반도체 폐가스 처리장치를 제공하려는데 그 목적이 있다.In addition, the purpose of the present invention is to provide a semiconductor waste gas treatment device that has both detachment and discharge functions of stuck powder, which secondarily increases the maintenance cycle of waste gas treatment equipment and improves productivity.
본 발명은 반도체 설비에서 발생하는 폐가스를 습식방식으로 정화하는 장치에 관한 것으로, 상기 폐가스를 여러 경로로 흐르도록 격리된 둘 이상의 챔버가 마련되고, 흐르는 폐가스로 세정수를 분사하여 정화하는 정화본체; 상기 정화본체의 일측 상단에 챔버와 연통되게 장착되고, 상기 반도체 설비의 배기라인과 연결되어 폐가스를 챔버로 인입시키는 가스인입관; 상기 가스인입관의 상단에 연통되게 장착되고, 상기 가스인입관의 내면을 긁어 폐가스와 세정수의 용해로 고착된 분말을 탈리하는 세정실린더; 상기 정화본체의 일측 하단에 가스인입관과 연통되게 장착되고, 상기 가스인입관으로부터 탈리되는 분말을 외부로 배출시키는 분말배출관;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a device for purifying waste gas generated from a semiconductor facility in a wet manner, comprising: a purification main body provided with two or more isolated chambers to allow the waste gas to flow through various paths, and purifying the flowing waste gas by spraying washing water; a gas inlet pipe mounted on one upper side of the purification main body in communication with the chamber and connected to an exhaust line of the semiconductor facility to introduce waste gas into the chamber; a cleaning cylinder mounted in communication with the upper end of the gas inlet pipe and scraping the inner surface of the gas inlet pipe to remove powder stuck by dissolution of waste gas and cleaning water; It is characterized in that it includes; a powder discharge pipe mounted at a lower end of one side of the purification main body in communication with a gas inlet pipe, and discharging powder detached from the gas inlet pipe to the outside.
이때, 본 발명에 의한 상기 정화본체는, 상기 폐가스를 지그재그 경로로 흐르도록 내부에 하나 이상의 격벽에 의해 둘 이상의 챔버가 구획 편성된 정화탱크; 상기 정화탱크의 일측 상단에 챔버와 연통되게 장착되고, 정화된 가스를 외부로 배출하는 가스배기관; 상기 정화탱크의 챔버에 다단으로 배치되고, 상기 가스배기관을 향해 흐르는 폐가스로 세정수를 분사하여 포화된 가스와 분말을 용해시키는 복수의 세정노즐; 상기 정화탱크의 챔버에 다단으로 배치되고, 상기 가스배기관을 향해 흐르는 폐가스의 정화효율을 높여주는 팩킹층; 상기 정화탱크의 일측에 챔버와 연통되게 장착되고, 세정수의 흘러넘침으로 설정수위 이하로만 채워지게 조절하는 수위조절관; 상기 정화탱크의 하단 외측에 장착되고, 상기 세정노즐들과 연결되어 챔버에 채워진 세정수를 흡입 및 압송하는 분사펌프; 상기 정화탱크의 하단 중앙에 챔버와 연통되게 장착되고, 오염된 세정수를 외부로 배출하는 세정수배출관;으로 구성된 것을 특징으로 한다.At this time, the purification main body according to the present invention includes a purification tank in which two or more chambers are divided and organized by one or more partition walls to allow the waste gas to flow in a zigzag path; a gas exhaust pipe mounted on one upper side of the purification tank in communication with the chamber and discharging the purified gas to the outside; a plurality of cleaning nozzles disposed in multiple stages in the chamber of the purification tank and spraying cleaning water into the waste gas flowing toward the gas exhaust pipe to dissolve saturated gas and powder; a packing layer disposed in multiple stages in the chamber of the purification tank and increasing purification efficiency of waste gas flowing toward the gas exhaust pipe; A water level control pipe mounted on one side of the purification tank in communication with the chamber and controlling the water level to be filled only below the set level by overflow of the cleaning water; A spray pump mounted on the outside of the bottom of the purification tank and connected to the cleaning nozzles to suction and pump the cleaning water filled in the chamber; It is characterized by being composed of a washing water discharge pipe mounted at the bottom center of the purification tank in communication with the chamber and discharging the contaminated washing water to the outside.
또한, 본 발명에 의한 상기 가스인입관은, 상기 정화본체의 일측 상단에 수직하게 배치되어 폐가스를 챔버로 전달하는 인입외관; 상기 인입외관의 일측으로 연통되게 장착되어 반도체 설비로부터 폐가스를 공급받는 배기연결관; 상기 인입외관으로부터 챔버의 바닥까지 동심하게 장착되어 폐가스를 챔버로 인입시키는 인입내관; 상기 인입내관의 하단으로부터 정화본체의 외부로 연장 장착되어 분말배출관과 연결되는 배출연결관; 상기 인입외관과 인입내관 사이에 연통되게 장착되고, 상기 인입내관의 내면으로 세정수를 분사하여 분말의 고착을 예방하는 세정분사관;으로 구성된 것을 특징으로 한다.In addition, the gas inlet pipe according to the present invention includes an inlet pipe disposed perpendicularly at the upper end of one side of the purification main body and delivering waste gas to the chamber; An exhaust connection pipe that is installed in communication with one side of the inlet exterior and receives waste gas from the semiconductor facility; an inlet inner pipe that is concentrically mounted from the inlet outer pipe to the bottom of the chamber to introduce waste gas into the chamber; a discharge connection pipe extending from the lower end of the inlet inner pipe to the outside of the purification main body and connected to the powder discharge pipe; It is characterized in that it consists of a cleaning spray pipe that is mounted in communication between the lead-in outer pipe and the lead-in inner pipe, and sprays washing water to the inner surface of the lead-in inner pipe to prevent powder from sticking.
또한, 본 발명에 의한 인입내관은, 상기 인입외관로부터 이송되는 폐가스가 챔버를 향해 배출되도록 하단부위에 수평방향으로 개구된 원형 또는 각형의 인입통로;가 형성되되, 상기 인입통로는 챔버에 채워진 세정수가 유입되지 않도록 챔버에 채워지는 세정수의 최대 수위보다 높은 위치에 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the inlet inner pipe according to the present invention is formed with a circular or square inlet passage opened horizontally at the bottom so that the waste gas transferred from the inlet outer pipe is discharged toward the chamber, wherein the inlet passage is formed with the cleaning water filled in the chamber. It is characterized in that it is formed at a position higher than the maximum level of the cleaning water filled in the chamber to prevent it from flowing in.
또한, 본 발명에 의한 상기 인입통로는, 상기 세정실린더에 의해 탈리되어 자유낙하되는 분말이 챔버를 향한 배출이 차단되도록 중심선상을 기준으로 상측테두리는 안쪽을 향해 소정의 곡률로 절곡되어 하측테두리에 비해 좁게 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, in the inlet passage according to the present invention, the upper border is bent inward at a predetermined curvature with respect to the center line to block the discharge of the powder that is free-falling after being detached from the cleaning cylinder toward the chamber, and is formed at the lower border. It is characterized by being narrower than that.
또한, 본 발명에 의한 상기 인입통로는, 상기 세정실린더에 의해 탈리되어 자유낙하되는 분말이 챔버를 향한 배출이 차단되도록 중심선상을 기준으로 상측테두리는 안쪽 하향을 향해 소정의 각도로 절곡 돌출된 안내편이 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the inlet passage according to the present invention is a guide whose upper border is bent and protruded at a predetermined angle inward and downward with respect to the center line to block the discharge of powder that is detached by the cleaning cylinder and falls freely toward the chamber. It is characterized by the formation of a side.
또한, 본 발명에 의한 상기 분말배출관은, 상기 정화본체의 하단으로 노출된 가스인입관에 배출방향을 향해 다단으로 연결되는 배출연결관; 상기 가스인입관과 인접하는 배출연결관들 사이에 개재되어 작업자의 조작에 따라 분말이 외부로 배출되게 유로를 개폐하는 수동밸브; 상기 수동밸브의 하류 측 배출연결관들 사이에 개재되어 전기적 신호에 따라 분말이 외부로 배출되게 유로를 개폐하는 자동밸브;로 구성된 것을 특징으로 한다.In addition, the powder discharge pipe according to the present invention includes a discharge connection pipe connected in multiple stages toward the discharge direction to the gas inlet pipe exposed at the bottom of the purification main body; A manual valve interposed between the gas inlet pipe and adjacent discharge connection pipes to open and close the flow path to discharge the powder to the outside according to the operator's operation; It is characterized by consisting of an automatic valve that is interposed between the discharge connectors on the downstream side of the manual valve and opens and closes the flow path to discharge the powder to the outside according to an electrical signal.
또한, 본 발명에 의한 상기 분말배출관은, 상기 자동밸브의 하류 측 배출연결관들 사이에 개재되고, 배출되는 분말이 잔류되지 않고 신속하게 배출되도록 소정 압력으로 흡입하여 강제로 배출시키는 배출펌프;가 더 구성된 것을 특징으로 한다.In addition, the powder discharge pipe according to the present invention includes a discharge pump that is interposed between the discharge connectors on the downstream side of the automatic valve and sucks in a predetermined pressure and forcibly discharges the discharged powder so that it is discharged quickly without remaining; It is characterized by being more structured.
또한, 본 발명에 의한 상기 반도체 폐가스 처리장치는, 상기 정화본체와 세정실린더 및 분말배출관과 전기적으로 연결되어 설정된 시퀀스에 따라 작동을 제어하는 제어유닛;을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, the semiconductor waste gas treatment device according to the present invention is characterized by further comprising a control unit that is electrically connected to the purification main body, the cleaning cylinder, and the powder discharge pipe and controls the operation according to a set sequence.
또한, 본 발명에 의한 상기 제어유닛은, 상기 세정실린더로 설정된 주기마다 작동신호를 발생시켜 가스주입관의 내면에 고착된 분말을 탈리시키되, 탈리되어 자유낙하되는 분말이 챔버를 향해 흘러넘치지 않도록 상기 세정실린더의 작동신호를 발생시키기 이전에 소정의 시간차를 두고 자동밸브의 개방신호를 발생시켜 자동밸브의 상류 측 배출연결관에서 가스주입관의 하부까지 채워진 세정수를 사전에 배출시키는 것을 특징으로 한다.In addition, the control unit according to the present invention generates an operation signal at every cycle set by the cleaning cylinder to detach the powder stuck to the inner surface of the gas injection pipe, and prevents the detached and freely falling powder from overflowing toward the chamber. Before generating the operation signal of the cleaning cylinder, an opening signal of the automatic valve is generated at a predetermined time interval to discharge the cleaning water filled from the discharge connection pipe on the upstream side of the automatic valve to the lower part of the gas injection pipe in advance. .
첫째, 본 발명은 폐가스가 인입되는 가스인입관의 내면으로 분말의 고착을 방지하는 세정수를 분사하는데 이어 세정실린더가 가스인입관의 내면을 물리적으로 긁어내어 고착된 분말을 탈리시켜줌으로써, 분말의 고착과 성장을 억제하여 원활한 폐가스의 인입을 보장할 수 있고, 가스인입관의 직하방에 분말배출관을 연결함으로써, 가스인입관으로부터 탈리되어 자유낙하되는 분말을 별도의 작업과정 없이도 정화본체의 외부로 신속하게 배출시킬 수 있는 효과가 있다.First, the present invention sprays cleaning water to prevent sticking of powder to the inner surface of the gas inlet pipe through which waste gas is introduced, and then the cleaning cylinder physically scrapes the inner surface of the gas inlet pipe to remove the stuck powder, thereby removing the powder. By suppressing adhesion and growth, it is possible to ensure smooth inflow of waste gas, and by connecting the powder discharge pipe directly below the gas inlet pipe, the powder that is detached from the gas inlet pipe and falls freely is discharged to the outside of the purification main body without a separate work process. It is effective in discharging it quickly.
둘째, 본 발명은 폐가스를 챔버로 배출시키는 인입통로를 챔버에 채워지는 세정수의 최대 수위보다 높은 위치에 형성함으로써, 탈리되어 자유낙하되는 분말의 배출을 위해 분말배출관을 개방하더라도 챔버에 채워진 세정수의 배출을 차단할 수 있음에 따라 세정수의 불필요한 낭비를 방지할 수 있는 효과가 있다.Second, the present invention forms an inlet passage that discharges waste gas into the chamber at a position higher than the maximum level of the cleaning water filled in the chamber, so that even if the powder discharge pipe is opened to discharge the powder that is detached and freely falls, the cleaning water filled in the chamber Since the discharge of water can be blocked, there is an effect of preventing unnecessary waste of washing water.
셋째, 본 발명은 인입통로의 상측테두리를 안쪽을 향해 절곡 형성하거나 안쪽 하향을 향해 기울어지게 돌출된 안내편을 형성함으로써, 세정실린더에 의해 탈리되어 자유낙하되는 분말이 인입통로에서 불가피한 비산현상이 발생하더라도 챔버를 향한 배출을 원천적으로 차단할 수 있는 효과가 있다.Third, the present invention bends the upper edge of the inlet passage inward or forms a guide piece that protrudes at an inward downward angle, thereby preventing the inevitable scattering phenomenon in the inlet passage from the powder that is detached from the cleaning cylinder and falls freely. Even so, it has the effect of fundamentally blocking emissions toward the chamber.
넷째, 본 발명은 분말배출관의 유로를 전기적으로 개폐하는 자동밸브를 구성하는데 이어 세정실린더가 작동하기 이전에 자동밸브를 통해 가스주입관과 분말배출관에 채워진 세정수를 사전에 배출시켜줌에 따라 탈리되어 자유낙하되는 분말이 인입통로를 통한 챔버로 흘러넘치는 역류현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.Fourth, the present invention constitutes an automatic valve that electrically opens and closes the flow path of the powder discharge pipe, and the cleaning water filled in the gas injection pipe and the powder discharge pipe is discharged in advance through the automatic valve before the cleaning cylinder is operated. It is effective in preventing the backflow phenomenon in which free-falling powder overflows into the chamber through the inlet passage.
다섯째, 본 발명은 제거된 분말들이 gas scrubber 장치 내에서 잔류하다 세정수 펌프로의 분말 유입을 막아 펌프의 부식방지 및 노후화를 방지할 수 있는 효과가 있다.Fifth, the present invention has the effect of preventing corrosion and aging of the pump by preventing the removed powder remaining in the gas scrubber device from flowing into the washing water pump.
여섯째, 본 발명은 2차적으로 폐가스처리 장비의 유지보수 주기를 늘려주어 생산성을 향상시켜 주고, 펌프로의 파우더 유입을 막아 펌프의 부식방지 및 노후화를 방지할 수 있는 효과가 있다. Sixth, the present invention has the effect of improving productivity by secondarily increasing the maintenance cycle of waste gas treatment equipment and preventing corrosion and deterioration of the pump by preventing powder from entering the pump.
상술한 효과와 더불어 본 발명의 구체적인 효과는 이하 발명을 실시하기 위한 구체적인 사항을 설명하면서 함께 기술한다.In addition to the above-described effects, specific effects of the present invention are described below while explaining specific details for carrying out the invention.
도 1 및 도 2는 본 발명에 따른 반도체 폐가스 처리장치를 투영하여 전체적으로 나타내는 정면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 폐가스 처리장치를 투영하여 전체적으로 나타내는 저면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 반도체 폐가스 처리장치의 인입내관을 독립적으로 나타내는 확대도이다.1 and 2 are front views showing the overall projection of the semiconductor waste gas treatment device according to the present invention.
Figure 3 is a bottom view showing the overall projection of the semiconductor waste gas treatment device according to the present invention.
4 and 5 are enlarged views independently showing the inlet pipe of the semiconductor waste gas treatment device according to the present invention.
이하, 본 문서의 다양한 실시예가 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 그러나 이는 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 문서의 실시예의 다양한 변경(modifications), 균등물(equivalents), 및/또는 대체물(alternatives)을 포함하는 것으로 이해되어야한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다.Hereinafter, various embodiments of this document are described with reference to the attached drawings. However, this is not intended to limit the technology described in this document to specific embodiments, and should be understood to include various modifications, equivalents, and/or alternatives to the embodiments of this document. In connection with the description of the drawings, similar reference numbers may be used for similar components.
또한, 본 문서에서 사용된 "제1," "제2," 등의 표현들은 다양한 구성요소들을, 순서 및/또는 중요도에 상관없이 수식할 수 있고, 한 구성요소를 다른 구성요소와 구분하기 위해 사용될 뿐 해당 구성요소들을 한정하지 않는다. 예를 들면, '제1 부분'과 '제2 부분'은 순서 또는 중요도와 무관하게, 서로 다른 부분을 나타낼 수 있다. 예를 들면, 본 문서에 기재된 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 바꾸어 명명될 수 있다.Additionally, expressions such as “first,” “second,” etc. used in this document may modify various components regardless of order and/or importance, and may be used to distinguish one component from another component. It is only used and does not limit the corresponding components. For example, 'first part' and 'second part' may refer to different parts, regardless of order or importance. For example, a first component may be renamed to a second component without departing from the scope of rights described in this document, and similarly, the second component may also be renamed to the first component.
또한, 본 문서에서 사용된 용어들은 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 다른 실시예의 범위를 한정하려는 의도가 아닐 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함할 수 있다. 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 용어들은 본 문서에 기재된 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가질 수 있다. 본 문서에 사용된 용어들 중 일반적인 사전에 정의된 용어들은, 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 동일 또는 유사한 의미로 해석될 수 있으며, 본 문서에서 명백하게 정의되지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. 경우에 따라서, 본 문서에서 정의된 용어일지라도 본 문서의 실시예들을 배제하도록 해석될 수 없다.Additionally, the terms used in this document are merely used to describe specific embodiments and may not be intended to limit the scope of other embodiments. Singular expressions may include plural expressions, unless the context clearly indicates otherwise. Terms used herein, including technical or scientific terms, may have the same meaning as commonly understood by a person of ordinary skill in the technical field described in this document. Among the terms used in this document, terms defined in general dictionaries may be interpreted to have the same or similar meaning as the meaning they have in the context of related technology, and unless clearly defined in this document, have an ideal or excessively formal meaning. It is not interpreted as In some cases, even terms defined in this document cannot be interpreted to exclude embodiments of this document.
본 발명은 반도체 설비에서 발생하는 폐가스를 습식방식으로 정화하는 장치에 관한 것으로, 도 1 및 도 2처럼 정화본체(10)와 가스인입관(20) 및 세정실린더(30)와 분말배출관(40)을 주요 구성으로 하는 고착분말의 탈리와 배출기능을 겸비하는 반도체 폐가스 처리장치이다.The present invention relates to a device for purifying waste gas generated from semiconductor facilities in a wet manner, and as shown in FIGS. 1 and 2, the purification main body 10, the
먼저, 본 발명에 따른 정화본체(10)는 도 1 및 도 2처럼 반도체 설비에서 발생하는 폐가스에 세정수를 분사하여 정화하는 역할을 한다.First, the purification body 10 according to the present invention serves to purify waste gas generated from a semiconductor facility by spraying washing water on it, as shown in FIGS. 1 and 2.
이러한 정화본체(10)는 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 정화탱크(11), 가스배기관(12), 세정노즐(13), 팩킹층(14), 수위조절관(15), 분사펌프(16), 세정수배출관(17)으로 구성된다.As shown in FIGS. 1 to 3, this purification body 10 includes a purification tank 11, a gas exhaust pipe 12, a cleaning nozzle 13, a packing layer 14, a water level control pipe 15, and a spray pump. (16) and a washing water discharge pipe (17).
정화탱크(11)는 원형 또는 각형의 함체로, 내부에 폐가스를 지그재그 경로로 흐르도록 내부에 하나 이상의 격벽에 의해 둘 이상의 챔버가 구획 편성된다.The purification tank 11 is a circular or square box, and is divided into two or more chambers by one or more partition walls to allow waste gas to flow in a zigzag path.
여기서 정화탱크(11)는 하부 수조 및 상부의 사각챔버까지 포함한다. Here, the purification tank 11 includes a lower water tank and an upper square chamber.
가스배기관(12)은 정화탱크(11)의 우측 상단에 챔버와 연통되게 장착되어 정화된 가스를 외부로 배출한다.The gas exhaust pipe 12 is mounted on the upper right side of the purification tank 11 in communication with the chamber and discharges the purified gas to the outside.
세정노즐(13)은 정화탱크(11)의 챔버에 다단으로 배치되고, 가스배기관(12)을 향해 흐르는 폐가스로 세정수를 분사하여 포화된 분말을 용해시킨다.The cleaning nozzles 13 are arranged in multiple stages in the chamber of the purification tank 11, and spray cleaning water into the waste gas flowing toward the gas exhaust pipe 12 to dissolve the saturated powder.
팩킹층(14)은 정화탱크(11)의 챔버에 다단으로 배치되고, 가스배기관(12)을 향해 흐르는 폐가스와 세정수의 접촉표면적을 크게 하여 정화효율을 높이고 수분을 여과해준다.The packing layer 14 is arranged in multiple stages in the chamber of the purification tank 11, and increases the contact surface area between the waste gas and the washing water flowing toward the gas exhaust pipe 12 to increase purification efficiency and filter moisture.
수위조절관(15)은 정화탱크(11)의 우측 하단에 세정수가 담긴 챔버와 연통되게 장착된다.The water level control pipe 15 is installed in communication with a chamber containing cleaning water at the lower right side of the purification tank 11.
이러한 수위조절관(15)은 세정수의 흘러넘침으로 설정수위 이하로만 채워지게 조절해준다.This water level control pipe (15) controls the overflow of the washing water so that it is filled only below the set water level.
분사펌프(16)는 정화탱크(11)의 하단 외측에 장착되고, 세정노즐(13)들과 연결되어 챔버에 채워진 세정수를 분사 및 순환시켜준다.The injection pump 16 is mounted on the outside of the bottom of the purification tank 11 and is connected to the cleaning nozzles 13 to spray and circulate the cleaning water filled in the chamber.
세정수배출관(17)은 정화탱크(11)의 하단 중앙에 세정수가 담긴 챔버와 연통되게 장착된다.The washing water discharge pipe 17 is installed in communication with a chamber containing washing water at the bottom center of the purification tank 11.
즉, 세정수배출관(17)은 분사펌프(16)에 의해 챔버에서 연속 순환되어 오염된 세정수를 외부로 배출시켜준다.That is, the washing water discharge pipe 17 is continuously circulated in the chamber by the injection pump 16 and discharges the contaminated washing water to the outside.
또한, 스트레이너는 펌프의 전단에 설치하여 거름망 역할을 하며, 다스 천공된 PVC 거름망을 사용한다.In addition, the strainer is installed at the front of the pump to act as a strainer, and a dozen perforated PVC strainers are used.
이어서 본 발명에 따른 가스인입관(20)은 도 1 및 도 2처럼 정화본체(10)의 일측 측면에 챔버와 연통되게 장착된다.Next, the
즉, 가스인입관(20)은 반도체 설비의 배기라인과 연결되어 폐가스를 챔버로 인입시키는 역할을 한다.That is, the
이러한 가스인입관(20)은 도시된 바와 같이 인입외관(21), 배기연결관(22), 인입내관(23), 배출연결관(24), 세정분사관(25)으로 구성된다.As shown, the
인입외관(21)은 정화본체(10)의 일측 상단에 수직하게 배치되어 세정실린더(30)의 하우징 역할을 하며 폐가스를 챔버로 전달한다.The inlet pipe 21 is placed vertically at the top of one side of the purification main body 10, serves as a housing for the cleaning cylinder 30, and delivers waste gas to the chamber.
배기연결관(22)은 인입외관(21)의 일측으로 연통되게 장착되어 반도체 설비로부터 폐가스를 공급받는다.The exhaust connection pipe 22 is installed in communication with one side of the inlet pipe 21 and receives waste gas from the semiconductor facility.
인입내관(23)은 인입외관(21)으로부터 정화본체(10)의 챔버 바닥까지 동심하게 장착되어 폐가스를 챔버로 인입시켜준다.The inlet
배출연결관(24)은 인입내관(23)의 최하단으로부터 정화본체(10)의 외부로 연장 장착되어 분말배출관(40)과 연결된다.The
세정분사관(25)은 인입외관(21)과 인입내관(23) 사이에 연통되게 장착되어 인입내관(23)의 내면으로 세정수를 분사한다.The cleaning spray pipe (25) is mounted in communication between the inlet outer pipe (21) and the inlet inner pipe (23) and sprays cleaning water onto the inner surface of the inlet inner pipe (23).
즉, 세정분사관(25)은 인입내관(23)의 내면으로 세정수를 나선형으로 연속 분사하여 생성되는 분말의 고착을 차단해준다.That is, the cleaning spray pipe 25 blocks the adhesion of the powder generated by continuously spraying cleaning water into the inner surface of the inlet
이러한 세정분사관(25)은 대한민국 등록특허공보 제10-2203404호와 동일 또는 유사하므로 별도의 설명을 생략한다.Since this cleaning spray pipe 25 is the same or similar to the Republic of Korea Patent Publication No. 10-2203404, a separate description is omitted.
여기서 인입내관(23)은 인입외관(21)로부터 이송되는 폐가스가 챔버를 향해 배출되도록 하단부위에 수평방향으로 개구된 원형 또는 각형의 인입통로(23a)가 형성된다.Here, the inlet
이러한 인입통로(23a)는 챔버에 채워진 세정수가 유입되지 않도록 챔버에 채워지는 세정수의 최대 수위보다 높은 위치에 형성된다.This
즉, 인입통로(23a)는 앞에서 언급한 수위조절관(15)과 동일선상 또는 그 보다 높은 위치에 형성하는 것이 바람직하다.That is, it is preferable that the
따라서 후술하는 분말배출관(40)을 개방하더라도 챔버에 채워진 세정수의 배출을 차단할 수가 있어 세정수의 불필요한 낭비를 방지할 수 있다.Therefore, even if the powder discharge pipe 40, which will be described later, is opened, discharge of the cleaning water filled in the chamber can be blocked, thereby preventing unnecessary waste of the cleaning water.
이때, 후술하는 세정실린더(30)에 의해 인입외관(21)의 내면에 고착된 분말이 탈리되어 세정수와 함께 자유낙하하는 과정에서 인입통로(23a)를 통해 챔버로 인입될 가능성이 높다.At this time, there is a high possibility that the powder adhered to the inner surface of the inlet outer tube 21 by the cleaning cylinder 30, which will be described later, is detached and enters the chamber through the
따라서 인입통로(23a)는 도 4에 도시된 바와 같이 수평 중심선상(C)을 기준으로 상측테두리(23a-1)를 안쪽을 향해 소정의 곡률로 절곡되어 하측테두리(23a-2)에 비해 좁게 형성하는 것이 바람직하다.Therefore, as shown in FIG. 4, the lead-in
즉, 분말이 인입통로(23a)와 인접하는 위치로 자유낙하되더라도 상측테두리(23a-1)가 하측테두리(23a-2)보다 안쪽으로 만곡되어 있어 챔버의 인입을 차단할 수가 있다.That is, even if the powder freely falls to a position adjacent to the
물론, 인입통로(23a)는 도 5에 도시된 바와 같이 수평 중심선상(C)을 기준으로 상측테두리(23a-1)에 안쪽 하향을 향해 소정의 각도로 절곡 돌출된 안내편(23a-3)을 형성할 수도 있다.Of course, as shown in FIG. 5, the lead-in
마찬가지로 분말이 인입통로(23a)와 인접하는 위치로 자유낙하되더라도 안내편(23a-3)을 따라 안쪽을 향해 방향이 전환되어 챔버의 인입을 차단할 수가 있다.Likewise, even if the powder freely falls to a position adjacent to the
이어서 본 발명에 따른 세정실린더(30)는 도 1 및 도 2처럼 인입외관(21)의 상단에 연통되게 장착된다.Next, the cleaning cylinder 30 according to the present invention is mounted in communication with the upper end of the inlet outer tube 21, as shown in FIGS. 1 and 2.
즉, 세정실린더(30)는 신호에 따라 구동샤프트를 하강시키고, 구동샤프트가 하강하는 과정에서 인입외관(21)의 내면을 긁어 고착된 분말을 탈리시켜준다.That is, the cleaning cylinder 30 lowers the drive shaft according to a signal, and in the process of lowering the drive shaft, it scrapes the inner surface of the lead-in tube 21 to remove the stuck powder.
물론, 세정실린더(30)는 인입외관(21)에 이어 세정분사관(25)과 인입내관(23)의 내면까지도 고착된 분말을 탈리 가능하게 구성할 수 있다.Of course, the cleaning cylinder 30 can be configured to enable detachment of powder stuck to the inner surface of the cleaning spray pipe 25 and the
마지막으로 본 발명에 따른 분말배출관(40)은 도 1 및 도 2처럼 정화본체(10)의 일측 하단에 가스인입관(20)과 연통되게 장착된다.Lastly, the powder discharge pipe 40 according to the present invention is mounted in communication with the
즉, 분말배출관(40)은 가스인입관(20)으로부터 탈리되는 분말을 외부로 배출시키는 역할을 한다.That is, the powder discharge pipe 40 serves to discharge the powder detached from the
이러한 분말배출관(40)은 도 3에 도시된 바와 같이 복수의 배출연결관(41)과 수동밸브(42) 및 자동밸브(43)로 구성된다.This powder discharge pipe 40 is composed of a plurality of discharge connection pipes 41, a manual valve 42, and an automatic valve 43, as shown in FIG. 3.
배출연결관(41)들은 정화본체(10)의 하단으로 노출된 배출연결관(24)에 배출방향을 향해서 다단으로 연결된다.The discharge connectors 41 are connected in multiple stages to the
수동밸브(42)는 가스인입관(20)과 인접하는 배출연결관(41)들 사이에 개재되어 작업자의 조작에 따라 분말과 세정수가 외부로 배출되게 유로를 개폐한다.The manual valve 42 is interposed between the
자동밸브(43)는 수동밸브(42)의 하류 측 배출연결관(41)들 사이에 개재되어 전기적 신호에 따라 분말과 세정수가 외부로 배출되게 유로를 개폐한다.The automatic valve 43 is interposed between the discharge connectors 41 on the downstream side of the manual valve 42 and opens and closes the flow path so that the powder and washing water are discharged to the outside according to an electrical signal.
여기서 수동밸브(42)는 운전 시 개방상태를 유지하는 것으로, 자동밸브(43)가 고장이 나거나 운전이 정지될 경우 조작되는 안전밸브이다.Here, the manual valve 42 is maintained in an open state during operation and is a safety valve that is operated when the automatic valve 43 fails or operation is stopped.
이때, 분말배출관(40)은 자동밸브(43)의 하류 측 배출연결관(41)들 사이에 연결되는 배출펌프(44)가 더 구성될 수 있다.At this time, the powder discharge pipe 40 may further include a discharge pump 44 connected between the discharge connectors 41 on the downstream side of the automatic valve 43.
이러한 배출펌프(44)는 배출되는 분말과 세정수가 유로에 잔류되지 않고 신속하게 배출되도록 소정 압력으로 흡입하여 강제로 배출시켜준다.This discharge pump 44 sucks in and forcibly discharges the discharged powder and washing water at a predetermined pressure so that it is discharged quickly without remaining in the flow path.
한편, 본 발명에 따른 반도체 폐가스 처리장치는 도 2처럼 설정된 시퀀스에 따라 작동을 제어하는 제어유닛(50)이 구성된다.Meanwhile, the semiconductor waste gas treatment device according to the present invention is comprised of a control unit 50 that controls operation according to a set sequence as shown in FIG. 2.
즉, 제어유닛(50)은 정화본체(10)와 세정실린더(30) 및 분말배출관(40)과 전기적으로 연결되어 자동으로 작동을 제어해준다.That is, the control unit 50 is electrically connected to the purification body 10, the cleaning cylinder 30, and the powder discharge pipe 40 to automatically control the operation.
이하, 제어유닛(50)에 의한 반도체 폐가스 처리장치의 주요작동을 살펴보면 다음과 같다.Hereinafter, the main operations of the semiconductor waste gas treatment device by the control unit 50 are as follows.
먼저, 자동밸브(43)가 배출연결관(41)의 유로를 폐쇄된 상태에서 도 1처럼 배기연결관(22)을 통해 반도체 설비의 배기가스 즉, 폐가스가 인입된다.First, in a state in which the automatic valve 43 closes the passage of the discharge connection pipe 41, the exhaust gas of the semiconductor facility, that is, the waste gas, is introduced through the exhaust connection pipe 22 as shown in FIG. 1.
배기연결관(22)에 인입된 폐가스는 인입외관(21)과 세정분사관(25)을 거쳐 인입내관(23)으로 이송된다.The waste gas entering the exhaust connection pipe (22) is transferred to the inlet inner pipe (23) through the inlet outer pipe (21) and the cleaning spray pipe (25).
인입내관(23)으로 이송된 폐가스(적색화살실선)는 인입통로(23a)를 통해 챔버로 배출된다.The waste gas (solid red arrow line) transferred to the inlet
여기서 세정분사관(25)으로부터 분사되는 세정수(청색화살실선)는 자동밸브(43)에서 인입통로(23a)까지 채워진 후 챔버로 배출된다.Here, the cleaning water (solid blue arrow line) sprayed from the cleaning spray pipe 25 is filled from the automatic valve 43 to the
챔버로 배출된 폐가스는 세정노즐(13)로부터 분사되는 세정수에 의해 폐가스에 포함된 유독가스가 용해되고, 팩킹층(14)을 거쳐 정화된 순수 가스만이 가스배기관(12)으로 배출된다.The toxic gases contained in the waste gas discharged into the chamber are dissolved by the cleaning water sprayed from the cleaning nozzle 13, and only the pure gas purified through the packing layer 14 is discharged into the gas exhaust pipe 12.
이러한 폐가스의 정화과정이 설정 시간에 도달되면, 도 2처럼 세정실린더(30)를 작동시켜 인입외관(21)에 고착된 분말을 탈리하는 과정을 반복한다.When this waste gas purification process reaches the set time, the cleaning cylinder 30 is operated as shown in Figure 2 to remove the powder stuck to the inlet pipe 21, and the process is repeated.
여기서 앞에서 언급한 바와 같이 세정수가 인입통로(23a)까지 채워진 상태이므로 탈리되어 자유낙하되는 분말이 세정수를 따라 챔버로 인입하게 된다.Here, as previously mentioned, since the washing water is filled up to the
따라서 자동밸브(43)를 개방하여 인입통로(23a)까지 채워진 세정수를 배출한 다음 세정실린더(30)를 작동시킨다.Therefore, the automatic valve 43 is opened to discharge the cleaning water filled up to the
여기서 자동밸브(43)의 개방과 세정실린더(30)의 작동은 채워진 세정수가 배출되는데 걸리는 시간차를 두고 제어할 수 있고, 별도의 감지센서를 통해 제어할 수도 있다.Here, the opening of the automatic valve 43 and the operation of the cleaning cylinder 30 can be controlled with the time difference required for the filled cleaning water to be discharged, and can also be controlled through a separate detection sensor.
즉, 세정실린더(30)의 작동으로 인입외관(21)의 내면에 고착된 분말은 탈리되고, 탈리된 분말은 자유낙하되어 세정분사관(25)으로부터 분사되는 세정액(청색화살점선)과 함께 배출연결관(41)을 따라 외부로 배출된다.That is, the powder adhered to the inner surface of the inlet outer tube 21 is detached by the operation of the cleaning cylinder 30, and the detached powder falls freely and is discharged together with the cleaning liquid (blue dotted arrow line) sprayed from the cleaning spray pipe 25. It is discharged to the outside along the connection pipe (41).
이때, 분말배출관(40)은 세정수 및 폐가스의 유로와 층을 달리하여 가스의 인입내관(23)의 하부 끝단에 설치하여 폐가스의 인입통로(23a)가 세정수의 수위보다 높게 형성되어 위치 차이가 형성되도록 하였으며, 이는 세정실린더(30)의 작동시 자유낙하되는 분말을 자동배출 시 수조의 유량에는 영향을 주지 않아 가스 스크러버의 효율에 영향을 주지 않는 구조로 하였다.At this time, the powder discharge pipe 40 is installed at the lower end of the gas inlet
또한, 자동밸브(43)는 분말 제거 장치인 세정실린더(30)가 작동하여 인입내관(23)에 부착된 분말을 긁어 하부로 떨어뜨리기 직전에 자동밸브(43)를 열어 세정수의 수위를 낮추어 제거된 분말들이 챔버로 유입되는 것을 방지하고, 충분한 분말 배출 시간 후 자동밸브(43)가 닫히는 구조로 되었다.In addition, the automatic valve 43 opens the automatic valve 43 to lower the level of the cleaning water just before the cleaning cylinder 30, which is a powder removal device, operates to scrape the powder attached to the inlet
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형 실시예들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어서는 안 될 것이다.In the above, preferred embodiments of the present invention have been shown and described, but the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and may be used in the technical field to which the invention pertains without departing from the gist of the present invention as claimed in the claims. Of course, various modifications can be made by those skilled in the art, and these modifications should not be understood individually from the technical idea or perspective of the present invention.
C: 중심선상
10: 정화본체
11: 정화탱크
12: 가스배기관
13: 세정노즐
14: 팩킹층
15: 수위조절관
16: 분사펌프
17: 세정수배출관
20: 가스인입관
21: 인입외관
22: 배기연결관
23: 인입내관
23a: 인입통로
23a-1: 상측테두리
23a-2: 하측테두리
23a-3: 안내편
24: 배출연결관
25: 세정분사관
30: 세정실린더
40: 분말배출관
41: 배출연결관
42: 수동밸브
43: 자동밸브
44: 배출펌프
50: 제어유닛C: On center line
10: Purification body
11: Purification tank
12: Gas exhaust pipe
13: Cleaning nozzle
14: Packing layer
15: Water level control pipe
16: Injection pump
17: Washing water discharge pipe
20: Gas inlet pipe
21: Inlet exterior
22: exhaust connector
23: Leading inner pipe
23a: Inlet passage
23a-1: Upper border
23a-2: Lower border
23a-3: Guide
24: discharge connector
25: Cleaning spray pipe
30: Cleaning cylinder
40: Powder discharge pipe
41: discharge connector
42: Manual valve
43: automatic valve
44: Discharge pump
50: control unit
Claims (7)
상기 폐가스를 여러 경로로 흐르도록 격리된 둘 이상의 챔버가 마련되고, 흐르는 폐가스로 세정수를 분사하여 정화하는 정화본체(10);
상기 정화본체(10)의 일측 상단에 챔버와 연통되게 장착되고, 상기 반도체 설비의 배기라인과 연결되어 폐가스를 챔버로 인입시키는 가스인입관(20);
상기 가스인입관(20)의 상단에 연통되게 장착되고, 상기 가스인입관(20)의 내면을 긁어 폐가스와 세정수의 용해로 고착된 분말을 탈리하는 세정실린더(30);
상기 정화본체(10)의 일측 하단에 가스인입관(20)과 연통되게 장착되고, 상기 가스인입관(20)으로부터 탈리되는 분말을 외부로 배출시키는 분말배출관(40);을 포함하여'
상기 분말배출관(40)은,
상기 정화본체(10)의 하단으로 노출된 가스인입관(20)에 배출방향을 향해 다단으로 연결되는 배출연결관(41);
상기 가스인입관(20)과 인접하는 배출연결관(41)들 사이에 개재되어 작업자의 조작에 따라 분말이 외부로 배출되게 유로를 개폐하는 수동밸브(42);
상기 수동밸브(42)의 하류 측 배출연결관(41)들 사이에 개재되어 전기적 신호에 따라 분말이 외부로 배출되게 유로를 개폐하는 자동밸브(43);
로 구성된 것을 특징으로 하는 고착분말의 탈리와 배출기능을 겸비하는 반도체 폐가스 처리장치.
In a device for purifying waste gas generated from semiconductor facilities in a wet manner,
A purification main body (10) provided with two or more isolated chambers to allow the waste gas to flow through various paths, and purifying the flowing waste gas by spraying washing water;
A gas inlet pipe (20) mounted on one upper side of the purification main body (10) in communication with the chamber and connected to an exhaust line of the semiconductor facility to introduce waste gas into the chamber;
A cleaning cylinder (30) mounted in communication with the upper end of the gas inlet pipe (20) and scraping the inner surface of the gas inlet pipe (20) to remove powder stuck by dissolution of waste gas and washing water;
Including a powder discharge pipe (40) mounted at a lower end of one side of the purification main body (10) in communication with the gas inlet pipe (20) and discharging the powder detached from the gas inlet pipe (20) to the outside.
The powder discharge pipe 40 is,
A discharge connection pipe (41) connected in multiple stages toward the discharge direction to the gas inlet pipe (20) exposed at the bottom of the purification main body (10);
A manual valve (42) interposed between the gas inlet pipe (20) and the adjacent discharge connection pipes (41) to open and close the flow path to discharge the powder to the outside according to the operator's operation;
An automatic valve (43) interposed between the discharge connectors (41) on the downstream side of the manual valve (42) to open and close the flow path to discharge the powder to the outside according to an electrical signal;
A semiconductor waste gas treatment device that combines the separation and discharge functions of stuck powder, characterized in that it consists of.
상기 정화본체(10)는,
상기 폐가스를 지그재그 경로로 흐르도록 내부에 하나 이상의 격벽에 의해 둘 이상의 챔버가 구획 편성된 정화탱크(11);
상기 정화탱크(11)의 일측 상단에 챔버와 연통되게 장착되고, 정화된 가스를 외부로 배출하는 가스배기관(12);
상기 정화탱크(11)의 챔버에 다단으로 배치되고, 상기 가스배기관(12)을 향해 흐르는 폐가스로 세정수를 분사하여 포화된 가스와 분말을 용해시키는 복수의 세정노즐(13);
상기 정화탱크(11)의 챔버에 다단으로 배치되고, 상기 가스배기관(12)을 향해 흐르는 폐가스의 정화효율을 높이고 수분을 여과하는 팩킹층(14);
상기 정화탱크(11)의 일측에 챔버와 연통되게 장착되고, 세정수의 흘러넘침으로 설정수위 이하로만 채워지게 조절하는 수위조절관(15);
상기 정화탱크(11)의 하단 외측에 장착되고, 상기 세정노즐(13)들과 연결되어 챔버에 채워진 세정수를 흡입 및 압송하는 분사펌프(16);
상기 정화탱크(11)의 하단 중앙에 챔버와 연통되게 장착되고, 오염된 세정수를 외부로 배출하는 세정수배출관(17);
으로 구성된 것을 특징으로 하는 고착분말의 탈리와 배출기능을 겸비하는 반도체 폐가스 처리장치.
In claim 1,
The purification body 10 is,
A purification tank (11) in which two or more chambers are divided by one or more partition walls to allow the waste gas to flow in a zigzag path;
A gas exhaust pipe (12) mounted on one upper side of the purification tank (11) in communication with the chamber and discharging the purified gas to the outside;
A plurality of cleaning nozzles (13) arranged in multiple stages in the chamber of the purification tank (11) and spraying cleaning water into the waste gas flowing toward the gas exhaust pipe (12) to dissolve saturated gas and powder;
A packing layer (14) disposed in multiple stages in the chamber of the purification tank (11) and increasing the purification efficiency of the waste gas flowing toward the gas exhaust pipe (12) and filtering moisture;
A water level control pipe (15) mounted on one side of the purification tank (11) in communication with the chamber and controlling the water level to be filled only below the set level by overflow of the washing water;
A spray pump (16) mounted on the outside of the bottom of the purification tank (11) and connected to the cleaning nozzles (13) to suction and pump the cleaning water filled into the chamber;
a washing water discharge pipe (17) mounted at the bottom center of the purification tank (11) in communication with the chamber and discharging the contaminated washing water to the outside;
A semiconductor waste gas treatment device that combines the separation and discharge functions of stuck powder, characterized in that it consists of.
상기 가스인입관(20)은,
상기 정화본체(10)의 일측 상단에 수직하게 배치되어 폐가스를 챔버로 전달하는 인입외관(21);
상기 인입외관(21)의 일측으로 연통되게 장착되어 반도체 설비로부터 폐가스를 공급받는 배기연결관(22);
상기 인입외관(21)으로부터 챔버의 바닥까지 동심하게 장착되어 폐가스를 챔버로 인입시키는 인입내관(23);
상기 인입내관(23)의 하단으로부터 정화본체(10)의 외부로 연장 장착되어 분말배출관(40)과 연결되는 배출연결관(24);
상기 인입외관(21)과 인입내관(23) 사이에 연통되게 장착되고, 상기 인입내관(23)의 내면으로 세정수를 분사하여 분말의 고착을 예방하는 세정분사관(25);을 포함하며,
상기 인입내관(23)은,
상기 인입외관(21)로부터 이송되는 폐가스가 챔버를 향해 배출되도록 하단부위에 수평방향으로 개구된 원형의 인입통로(23a);가 형성되되, 상기 인입통로(23a)는 챔버에 채워진 세정수가 유입되지 않도록 챔버에 채워지는 세정수의 최대 수위보다 높은 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 고착분말의 탈리와 배출기능을 겸비하는 반도체 폐가스 처리장치.
In claim 1,
The gas inlet pipe 20 is,
An inlet pipe (21) disposed vertically at the top of one side of the purification body (10) to deliver waste gas to the chamber;
An exhaust connection pipe (22) installed in communication with one side of the inlet pipe (21) and receiving waste gas from the semiconductor facility;
an inlet inner pipe (23) that is concentrically mounted from the inlet outer pipe (21) to the bottom of the chamber to introduce waste gas into the chamber;
A discharge connection pipe (24) extending from the lower end of the inlet inner pipe (23) to the outside of the purification main body (10) and connected to the powder discharge pipe (40);
It includes a cleaning spray pipe (25) mounted in communication between the lead-in outer pipe (21) and the lead-in inner pipe (23), and spraying washing water to the inner surface of the lead-in inner pipe (23) to prevent powder from sticking,
The lead-in inner tube (23) is,
A circular inlet passage 23a is formed in the lower part so that the waste gas transferred from the inlet pipe 21 is discharged toward the chamber, and the inlet passage 23a is formed so as to prevent the washing water filled in the chamber from entering the chamber. A semiconductor waste gas treatment device that combines the detachment and discharge functions of stuck powder, characterized in that it is formed at a position higher than the maximum level of the washing water filled in the chamber.
상기 인입통로(23a)는,
상기 세정실린더(30)에 의해 탈리되어 자유낙하되는 분말이 챔버를 향한 배출이 차단되도록 중심선상(C)을 기준으로 상측테두리(23a-1)는 안쪽을 향해 소정의 곡률로 절곡되어 하측테두리(23a-2)에 비해 좁게 형성된 것을 특징으로 하는 고착분말의 탈리와 배출기능을 겸비하는 반도체 폐가스 처리장치.
In claim 3,
The lead-in passage (23a) is,
The upper border (23a-1) is bent inward at a predetermined curvature with respect to the center line (C) to block the discharge of the powder that is detached and freely falling by the cleaning cylinder (30) toward the chamber and forms a lower border ( A semiconductor waste gas treatment device that combines the separation and discharge functions of stuck powder, characterized in that it is narrower than that of 23a-2).
상기 인입통로(23a)는,
상기 세정실린더(30)에 의해 탈리되어 자유낙하되는 분말이 챔버를 향한 배출이 차단되도록 중심선상(C)을 기준으로 상측테두리(23a-1)는 안쪽 하향을 향해 소정의 각도로 절곡 돌출된 안내편(23a-3)이 형성된 것을 특징으로 하는 고착분말의 탈리와 배출기능을 겸비하는 반도체 폐가스 처리장치.
In claim 3,
The lead-in passage (23a) is,
The upper edge 23a-1 is a guide bent and protruding inwardly downward at a predetermined angle based on the center line C to block the powder that is free-falling after being detached from the cleaning cylinder 30 from being discharged toward the chamber. A semiconductor waste gas treatment device having both detachment and discharge functions of stuck powder, characterized in that a piece (23a-3) is formed.
상기 반도체 폐가스 처리장치는,
상기 정화본체(10)와 세정실린더(30) 및 분말배출관(40)과 전기적으로 연결되어 설정된 시퀀스에 따라 작동을 제어하는 제어유닛(50);이 더 구성되되,
상기 제어유닛(50)은,
상기 세정실린더(30)로 설정된 주기마다 작동신호를 발생시켜 가스주입관(20)의 내면에 고착된 분말을 탈리시키되, 탈리되어 자유낙하되는 분말이 챔버를 향해 흘러넘치지 않도록 상기 세정실린더(30)의 작동신호를 발생시키기 이전에 소정의 시간차를 두고 자동밸브(43)의 개방신호를 발생시켜 자동밸브(43)의 상류 측 배출연결관(41)에서 가스주입관(20)의 하부까지 채워진 세정수를 사전에 배출시키는 것을 특징으로 하는 고착분말의 탈리와 배출기능을 겸비하는 반도체 폐가스 처리장치.In claim 1,
The semiconductor waste gas treatment device,
A control unit 50 is electrically connected to the purification body 10, the cleaning cylinder 30, and the powder discharge pipe 40 and controls operation according to a set sequence;
The control unit 50,
The cleaning cylinder (30) generates an operating signal at every cycle set by the cleaning cylinder (30) to detach the powder stuck to the inner surface of the gas injection pipe (20), but prevents the detached and freely falling powder from overflowing toward the chamber. Before generating the operating signal, the opening signal of the automatic valve (43) is generated at a predetermined time interval to clean the filling from the discharge connection pipe (41) on the upstream side of the automatic valve (43) to the lower part of the gas injection pipe (20). A semiconductor waste gas treatment device that combines the removal and discharge functions of stuck powder, characterized by discharging water in advance.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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KR102611042B1 true KR102611042B1 (en) | 2023-12-07 |
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Country | Link |
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