KR102203404B1 - Exhaust line powder removal device for semiconductor facilities - Google Patents

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KR102203404B1 KR1020190099221A KR20190099221A KR102203404B1 KR 102203404 B1 KR102203404 B1 KR 102203404B1 KR 1020190099221 A KR1020190099221 A KR 1020190099221A KR 20190099221 A KR20190099221 A KR 20190099221A KR 102203404 B1 KR102203404 B1 KR 102203404B1
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Abstract

The present invention relates to an exhaust line powder removal device for semiconductor equipment and, more specifically, to an exhaust line powder removal device for semiconductor equipment which prevents powder formed when moisture (cleaning water) and waste gas come in contact with each other from being fixed on the inner wall of an exhaust pipe and gradually growing to ultimately block an exhaust line. According to the present invention, the exhaust line powder removal device for semiconductor equipment having a plurality of bolt installation holes, a pipe connector protruding from the upper surface thereof, and an exhaust pipe connection unit connected to an external exhaust pipe comprises: a first spray device unit including a plurality of separation pipe flanges on the inner circumference thereof to mount separation pipes on different levels, and a guide pipe path to guide gas or fluid to spray the gas or the fluid to a plurality of separation pipes; a second spray device unit fastened and coupled to the first spray device unit, and provided with an inlet inclination path drilled in an inclined form penetrating the inner circumference, and a guide pipe path tightly formed to have a prescribed gap with the outer circumferential surface of the inlet inclination path to spray gas or fluid to the inlet inclination path; and a plurality of separation pipes tightly fixed on the separation pipe flanges, and installed with a prescribed gap with the inner sidewall of an exhaust pipe to remove powder creation.

Description

반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치{Exhaust line powder removal device for semiconductor facilities}Exhaust line powder removal device for semiconductor facilities

본 발명은 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 수분(세정수)과 폐가스 접촉시 파우더 형성되어, 배기관 내측벽에 고착되고 점점 성장하여 궁극적으로 배관라인을 막는 것을 방지하는 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for removing powder from an exhaust line of a semiconductor facility, and more particularly, powder is formed upon contact with water (washed water) and waste gas, and is fixed to the inner wall of the exhaust pipe and gradually grows to prevent ultimately blocking the pipe line. It relates to an exhaust line powder removal device of a semiconductor facility.

일반적으로, 반도체 제조공정에서 웨이퍼상에 박막을 형성하기 위해 사용되는 다양한 종류의 반응가스는 산화성분, 인화성분 및 유독성분을 보유하고 있기 때문에 사용을 마친 반응가스(이하, 폐가스라 칭함,)를 그대로 대기 중에 방출할 경우 인체에 유해할 뿐만 아니라 환경 오염을 유발시키게 된다.In general, since various types of reaction gases used to form a thin film on a wafer in a semiconductor manufacturing process contain oxidizing, flammable, and toxic substances, the used reaction gases (hereinafter referred to as waste gases) are used. When released into the atmosphere as it is, it is not only harmful to the human body, but also causes environmental pollution.

이에 따라 폐가스의 유해성분함량을 허용 농도 이하로 낮추는 정화처리과정을 거쳐서 대기 중으로 배출시키기 위해 폐가스를 배기시키는 반도체 설비의 배기라인에는 폐가스의 유독성분을 제거하기 위한 가스 스크러버가 설치된다.Accordingly, a gas scrubber for removing toxic components of the waste gas is installed in the exhaust line of the semiconductor facility that exhausts the waste gas in order to discharge it into the atmosphere through a purification process that lowers the content of harmful components of the waste gas to the permissible concentration or less.

이러한 가스 스크러버는 가스유입관이 배기라인에 연결되어 폐가스를 공급받은 후, 여러 가지 방식(열에 의해 연소되는 성질을 이용한 연소식과, 세정수에 용해되는 성질을 이용한 습식과, 가스 처리제와 반응하는 성질을 이용한 건식 등)에 의 해 폐가스를 세정하게 된다.These gas scrubbers have a gas inlet pipe connected to the exhaust line to receive waste gas, and then react in various ways (combustion type using heat-combusted property, wet type using dissolving property in washing water, and reaction with gas treatment agent). The waste gas is cleaned by dry method using properties).

한편, 배기라인을 통해 가스 스크리버에 공급되는 폐가스에는 각종 반응부산물이 파우더형태로 함유되어 있으며, 습식 가스 스크러버의 세정수와 반응하여 파우더를 생성시킨다.Meanwhile, in the waste gas supplied to the gas scrubber through the exhaust line, various reaction by-products are contained in a powder form, and react with the washing water of the wet gas scrubber to generate powder.

이러한 파우더는 폐가스가 가스 스크리버 본체에 공급되는 과정에서 배기관 내측벽 또는 가스유입관의 내측벽에 고착되어 관을 부식시키거나 폐가스의 유로를 차단하게 되므로, 파우더의 고착을 방지하기 위해 배기라인은 물론 가스 스크리버의 가스유입관에 파우더제거장치가 설치된다.These powders are fixed to the inner wall of the exhaust pipe or the inner wall of the gas inlet pipe in the process of supplying the waste gas to the gas screener body to corrode the pipe or block the passage of the waste gas, so the exhaust line is Of course, a powder removal device is installed in the gas inlet pipe of the gas screener.

이하, 종래 반도체 설비의 배기라인과 가스 스크러버에 설치되는 파우더제거장치를 살펴본다.Hereinafter, a powder removal device installed in an exhaust line and a gas scrubber of a conventional semiconductor facility will be described.

종래 가스 스크러버의 파우더제거장치는 가스유입관에 한조의 세정수분사구를 형성하여, 세정수를 가스유입관의 내측벽에 나선형태로 분사함으로써, 파우더의 고착을 방지하고 있다.In the conventional gas scrubber powder removal apparatus, a set of washing water injection ports is formed in the gas inlet pipe, and the washing water is sprayed in a spiral manner on the inner wall of the gas inlet pipe, thereby preventing the powder from sticking.

이와 같이 세정수 분사구를 통해 세정수를 분사하여 파우더를 제거하는 과정에서는 세정수가 불규칙하게 상부로 튀는 현상이 발생되는데, 이러한 현상으로 인해 세정수 분사구의 상부 측벽에는 세정수와 반응한 파우더가 고착되어 배기가스의 흐름을 방해하거나 심하게는 관로를 차단하게 된다.In the process of removing the powder by spraying the washing water through the washing water injection port as described above, the washing water irregularly splashes upwards. Due to this phenomenon, the powder reacted with the washing water adheres to the upper sidewall of the washing water injection port. It interferes with the flow of exhaust gas or severely blocks the pipeline.

이에 따라, 종래에는 세정수 분사구의 상부측벽에 고착되는 파우더를 제거하기 위해 가스유입관과 연결되는 관연결부에 수직 구조로 설치한 배기라인의 파우더제거장치를 구성하여 파우더제거판에 의해 관연결부의 배기관 내측벽에 고착되는 파우더를 제거하도록 구성된다.Accordingly, conventionally, a powder removing device of an exhaust line installed in a vertical structure on a pipe connection connected to a gas inlet pipe to remove powder adhered to the upper side wall of the washing water injection port is constructed. It is configured to remove the powder adhered to the inner wall of the exhaust pipe.

그러나 상기와 같은 종래 배기라인의 파우더제거장치는 작동실린더를 수직구조로서 설치하기 위해 배기라인의 관연결부를 'ㄱ'자 형태로 절곡 형성해야 하므로 폐가스의 흐름이 원활치 못하여 결과적으로 볼 때 파우더가 쉽게 고착되는 문제점을 갖는다.However, in the conventional powder removing device of the exhaust line as described above, the pipe connection of the exhaust line must be bent in a'L' shape in order to install the operating cylinder in a vertical structure, so the flow of waste gas is not smooth. It has a problem of being stuck.

한국공개특허 제2004-0044047호Korean Patent Publication No. 2004-0044047 한국등록특허 제0193208호Korean Patent Registration No. 0193208

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은 각종 반응 부산물이 파우더 형태로 함유되어 있는 폐가스가 배관을 통해 나가는 도중에 내측벽으로 분사되는 질소가스와 워터를 만나 파우더가 형성되는 것을 방지하는 구조를 갖는 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치를 제공하는 데 목적이 있다.The present invention was conceived to solve the above problems, in which the waste gas containing various reaction by-products in the form of powder meets nitrogen gas and water sprayed to the inner wall on the way out through the pipe to form powder. It is an object of the present invention to provide a device for removing powder from an exhaust line of a semiconductor facility having a structure that prevents it.

또한, 본 발명은 제1분리관 하측부 끝단이 상기 제2분리관 하측부 끝단 보다 더 길게 연장되어 형성되어 분사된 질소가스(N2)가 원형 외벽의 외주면을 타고 와류를 형성하여 내려오면서 제1분리관의 내측면과 외측면을 질소가스(N2)로 건조시켜 물이 상부로 비산되는 것을 막아 주어 파우더가 형성되는 것을 방지하는 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치를 제공하는 데 목적이 있다.In addition, in the present invention, the lower end of the first separation tube is formed to extend longer than the lower end of the second separation tube, so that the injected nitrogen gas (N 2) is A vortex is formed along the outer circumferential surface of the circular outer wall, and the inner and outer surfaces of the first separation pipe are dried with nitrogen gas (N 2) . An object of the present invention is to provide an exhaust line powder removal device of a semiconductor facility that prevents the formation of powder by preventing water from scattering upwards.

또한, 본 발명은 질소 가스가 구조적으로 단순하게 형성된 복수의 분리관의 외벽을 타고 나선형으로 돌면서 내려오면서 제1, 2분리관을 건조시킬 뿐만 아니라 분리관에 테프론 재질을 코팅하여 파우더가 형성되는 것을 방지하여 폐가스가 배출되는 흐름을 방해하지 않도록 하는 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치를 제공하는 데 목적이 있다.In addition, the present invention not only dry the first and second separation pipes while circulating and descending on the outer walls of a plurality of separation tubes that are structurally simple, but also that the powder is formed by coating the separation tube with a Teflon material. It is an object of the present invention to provide a device for removing powder from an exhaust line of a semiconductor facility that prevents the waste gas from interfering with the discharged flow.

또한, 본 발명은 1차적으로 배기관 내측벽으로 물이 분사되면서 외벽을 타고 도는 특성을 이용하여 파우더 형성을 방지하는 배관의 형태와 물이 분사되는 특징으로 이용하고, 테프론 코팅을 통해 2차적으로 파우더를 방지하는 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치를 제공하는 데 목적이 있다.In addition, the present invention is used primarily as a shape of a pipe that prevents powder formation and water is sprayed by using the characteristic of turning around the outer wall while water is sprayed to the inner wall of the exhaust pipe, and the powder is secondarily powdered through Teflon coating. It is an object of the present invention to provide a device for removing powder from an exhaust line of a semiconductor facility that prevents it.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 복수개의 볼트설치공이 천공되고, 상부면에는 관연결구가 돌출 형성되고, 외부 배기관과 연결되는 배기관연결부;가 형성된 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치에 있어서, 내경에는 분리관을 장착할 수 있는 층을 달리하는 복수개의 분리관 플랜지와, 유체 또는 기체를 복수개의 분리관에 분사할 수 있도록 유도하는 유도관로를 포함하는 제1분사장치부; 상기 제1분사장치부와 체결 결합되고, 내경을 관통하는 경사진 형태로 천공된 유입경사로과, 유체 또는 기체를 유입경사로에 분사할 수 있도록 상기 유입경사로의 외둘레면과 소정을 간격을 갖도록 밀착 형성된 유도관로가 형성되는 제2분사장치부; 상기 분리관 플랜지에 밀착 고정되고, 배기관 내측벽과 소정의 간격을 두고 설치되어 파우더 생성을 제거하는 복수개의 분리관;을 포함한다.In the present invention for achieving the above object, a plurality of bolt installation holes are perforated, a pipe connector is protruded on an upper surface, and an exhaust pipe connection part connected to an external exhaust pipe; A first injection device unit including a plurality of separation pipe flanges having different layers on which the separation pipe can be mounted, and an induction pipe path for inducing fluid or gas to be injected into the plurality of separation pipes; The inlet slope is coupled to the first injection device and is inclined to penetrate the inner diameter and formed in close contact with the outer circumferential surface of the inlet slope so as to spray fluid or gas into the inlet slope. A second injection device portion in which an induction pipe is formed; And a plurality of separation pipes that are in close contact with the separation pipe flange and are installed at a predetermined distance from the inner wall of the exhaust pipe to remove powder formation.

상기 복수개의 분리관 중 제1분리관은 제1분사장치부의 내경에 배기관 내측벽과 이격되게 장착되고, 상기 제1분리관 하측부 끝단은 상기 제2분리관 하측부 끝단 보다 더 길게 연장되어 형성된다.Of the plurality of separation pipes, the first separation pipe is mounted on the inner diameter of the first injection device to be spaced apart from the inner wall of the exhaust pipe, and the lower end of the first separation pipe extends longer than the lower end of the second separation pipe. do.

상기 복수개의 분리관 중 제2분리관은 상측 플랜지 하부에 상기 제1분리관의 플랜지를 압착할 수 있는 돌출부를 구비하고, 상기 제1분사장치부의 내경 측면에 상기 제1분리관과 일정 거리 이격되도록 배기관 중심축 방향으로 설치되며, 하측부 끝단은 상기 제1분리관의 하부 끝단 보다 더 작게 연장 형성되는 것을 특징으로 한다.Of the plurality of separation pipes, the second separation pipe has a protrusion under the upper flange for compressing the flange of the first separation pipe, and a predetermined distance from the first separation pipe on the inner diameter side of the first injection device. It is installed in the direction of the central axis of the exhaust pipe so that the lower end is formed to extend smaller than the lower end of the first separation pipe.

상기 분리관들은 테프론으로 이루어지고, 다단으로 설치된 각 단별로 N2가스 또는 워터를 고압으로 분사하여, 상기 제2분사장치부의 하측부의 세정수에서 튀는 물방울 및 수분을 제거함으로써 유입되는 폐가스와 수분의 접촉을 원천적으로 차단하여 파우더의 형성을 방지한다.The separation pipes are made of Teflon, and by spraying N 2 gas or water at high pressure for each stage installed in multiple stages to remove water droplets and moisture splashing from the washing water at the lower side of the second spraying device, It prevents the formation of powder by blocking contact at the source.

상기 제1분사장치부(10)의 일측면에 N2가스 또는 워터를 분사할 수 있도록 각기 밸브가 설치되고, N2가스 또는 워터를 배기관 내측벽과 제1분리관 사이로 분사시키는 것을 특징으로 한다.Each valve is installed to inject N 2 gas or water on one side of the first injection device 10, and injects N 2 gas or water between the inner wall of the exhaust pipe and the first separation pipe. .

상기 제1분사장치부의 타측면에 N2가스 또는 워터를 분사할 수 있도록 각기 밸브가 설치되고, N2가스 또는 워터를 제1분리관과 제2분리관 사이로 분사시킨다.Each valve is installed to inject N 2 gas or water on the other side of the first injection device, and injects N 2 gas or water between the first and second separation tubes.

상기와 같이 이루어지는 본 발명은 구조적으로 단순하게 형성된 복수의 분리관을 통해 N2가스 또는 물의 분사에 의해 배기관 내측벽에 파우더가 고착되는 것을 원천적으로 방지할 수 있다.The present invention made as described above can fundamentally prevent the powder from sticking to the inner wall of the exhaust pipe by spraying N 2 gas or water through a plurality of separation pipes formed structurally simply.

본 발명은 제2분사장치부으로부터 고압 분사된 물이 유입경사로가 경사지면서 하향 경사지고 라운딩된 형태적 특징으로 인해 하부로 와류를 발생시키며, 또한 하부 길이가 긴 제1분리관(31)에서 다시 한번 제1분리관(31)의 외주면에서 와류를 발생시키므로, 원천적으로 상부로 비산되는 물분자들이 발생되지 않게 함으로써, 상부로 비산되는 물분자들에 의해 폐가스와 결합되어 파우더 형성되는 것을 원천적으로 막아주는 효과가 있다.According to the present invention, water injected from the second injection device part is inclined downward and rounded as the inlet slope is inclined, thereby generating a vortex downward, and again in the first separation pipe 31 having a long lower length. Once a vortex is generated on the outer circumferential surface of the first separation pipe (31), water molecules scattered upwards are not generated, thereby preventing the formation of powder by combining with waste gas by water molecules scattering upwards. Giving is effective.

또한, 본 발명은 질소 가스가 구조적으로 단순하게 형성된 복수의 분리관의 외벽을 타고 나선형으로 돌면서 내려오면서 제1, 2분리관을 건조시킬 뿐만 아니라 분리관에 테프론 재질을 코팅하여 원천적으로 파우더가 형성되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention not only dries the first and second separation pipes while circulating and descending on the outer walls of a plurality of separation pipes where nitrogen gas is structurally simple, but also forms powder by coating the separation pipe with a Teflon material. There is an effect that can prevent it from becoming.

또한, 본 발명은 단순한 구조의 착탈식의 제1분사장치부와 제2분사장치부를 통해 내부에 관연결할 수 있어 유지보수를 간편하게 행할 수 있음은 물론 분사 가스 또는 물의 원활한 흐름을 유도할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of inducing a smooth flow of the injection gas or water as well as the simple structure of the detachable first injection unit and the second injection unit can be pipe-connected to the inside, so that maintenance can be performed easily. have.

또한, 본 발명은 내벽에 누적되는 가스의 파우더를 테프론 재질을 통해 내벽에 파우더가 고착 형성되는 것을 방지시켜 파우더의 누적으로 인한 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of solving the problems caused by accumulation of powder by preventing the powder of gas accumulated on the inner wall from being fixedly formed on the inner wall through the Teflon material.

도 1은 본 발명에 따라 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치의 전체적인 구성을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 제1 분리관과 제2 분리관을 자세히 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 제1 분리관과 제2 분리관의 결합 관계를 자세히 보여주는 도면이다.1 is a view showing the overall configuration of an exhaust line powder removal apparatus of a semiconductor facility according to the present invention.
2 is a view showing in detail a first separation tube and a second separation tube according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing in detail a coupling relationship between a first separation tube and a second separation tube according to an embodiment of the present invention.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 부재는 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 또한, 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.In order to fully understand the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described in detail below. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those of ordinary skill in the art. Accordingly, the shape of the element in the drawings may be exaggerated to emphasize a clearer description. It should be noted that in each drawing, the same member may be indicated by the same reference numeral. In addition, detailed descriptions of known functions and configurations that are determined to unnecessarily obscure the subject matter of the present invention are omitted.

도 1은 본 발명에 따라 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치의 전체적인 구성을 보여주는 도면이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 제1 분리관과 제2 분리관을 자세히 보여주는 도면이고, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 제1 분분리관과 제2 분리관의 결합 관계를 자세히 보여주는 도면이다.1 is a view showing the overall configuration of an exhaust line powder removal apparatus of a semiconductor facility according to the present invention, and FIG. 2 is a view showing in detail a first separation tube and a second separation tube according to an embodiment of the present invention. 3 is a view showing in detail the coupling relationship between the first separation tube and the second separation tube according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 본 발명은 복수개의 볼트설치공(1-2)이 천공되고, 상부면에는 관연결구가 돌출 형성되고, 각종 반응 부산물이 파우더 형태로 함유되어 있는 폐가스가 나가는 통로인 외부 배기관과 연결되는 배기관 연결부(1-1, 2-1)가 형성되어 제1분사장치부(10)와 제2분사장치부(20)와 복수개의 분리관(31, 32)으로 구성된 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치이다.1 to 3, in the present invention, a plurality of bolt installation holes (1-2) are perforated, a pipe connector is protruded on the upper surface, and waste gas containing various reaction by-products in a powder form is discharged. Exhaust pipe connection parts 1-1 and 2-1 connected to the external exhaust pipe, which is a passage, are formed to consist of a first injection unit 10 and a second injection unit 20 and a plurality of separation pipes 31 and 32. This is a device for removing powder from the exhaust line of semiconductor facilities.

제1분사장치부(10)와 제2분사장치부(20)에는 유체 또는 기체로서 N2 또는 Water 등이 사용되지만 이에 한정되지 않고 다양한 유체 또는 기체가 사용될 수 있다.Although N 2 or Water is used as a fluid or gas in the first injection device unit 10 and the second injection device unit 20, various fluids or gases may be used without being limited thereto.

상기 제1분사장치부(10)는 N2 밸브와 Water 밸브가 각기 구비되어 N2 밸브를 개방시켜 질소가스를 분사시키거나, Water 밸브를 개방시켜 물을 고압 분사시켜 일부 잔존하는 파우더를 제거할 수 있다. The first injection unit 10 is provided with an N 2 valve and a water valve, respectively, to open the N 2 valve to inject nitrogen gas, or to open the water valve to inject water at high pressure to remove some remaining powder. I can.

예를 들어 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이 상기 유체 또는 기체는 N2 또는 Water를 공급하기 위한 공급장치(A, B)가 유도관로(11, 21)에 양측으로 각각 부착되어 있다.For example, as shown in FIGS. 1 to 3, supply devices (A, B) for supplying N 2 or water to the fluid or gas are attached to the guide pipes 11 and 21 on both sides, respectively.

상기 제1분사장치부(10)는 다수의 볼트설치공이 천공되는 상부면에 관연결구가 돌출 형성되는 배기관연결부와; 내경에는 분리관을 장착할수 있는 구조와 유체 또는 기체를 분사할 수 있는 복수의 홈을 구비하고 있다.The first injection device 10 includes an exhaust pipe connection portion having a pipe connector protruding from an upper surface through which a plurality of bolt installation holes are perforated; The inner diameter is provided with a structure in which a separation tube can be mounted and a plurality of grooves through which fluid or gas can be injected.

폐가스가 배관을 통해 나가는 도중에 제1분사장치부(10)의 일측면의 N2는 배기관 내측벽(1-5)과 제1분리관(31) 사이로 분사되고, 타측면의 N2는 제1분리관(31)과 제2분리관(32) 사이로 분사되어 상기 질소가스(N2)를 통해 폐가스 성분을 흡착한 후 제1차로 배기관 내측벽으로 분사되면서 원형 외벽의 외주면을 타고 내려온다.While the waste gas exits through the pipe, N 2 on one side of the first injection device 10 is injected between the inner wall 1-5 of the exhaust pipe and the first separation tube 31, and N 2 on the other side is the first After being injected between the separation pipe 31 and the second separation pipe 32, the waste gas component is adsorbed through the nitrogen gas (N 2), and then firstly injected to the inner wall of the exhaust pipe and descends along the outer peripheral surface of the circular outer wall.

여기에서 일측면의 N2와 타측면의 N2는 제1분리관(31)을 격리벽으로 하여 서로 다른 유로를 타고 내려오므로, 제1분사장치부(10)에서 분사된 질소가스(N2)는 서로 섞이지 않고 원형 외벽의 외주면을 타고 와류를 형성하여 내려오면서 제1분리관(31)의 내측면과 외측면을 질소가스(N2)로 건조시켜 물이 상부로 비산되는 것을 막아준다.Here, N 2 on one side and Since N 2 on the other side comes down through different flow paths using the first separation pipe 31 as a separating wall, the nitrogen gas (N 2) injected from the first injection device 10 is not mixed with each other and The inner and outer surfaces of the first separation pipe 31 are dried with nitrogen gas (N 2) while forming a vortex along the outer peripheral surface of It prevents water from scattering to the top.

제2분사장치부(20)의 측면에서 고압으로 물이 분사되어 비산되면서 상기 외벽을 타고 내려온 파우더 성분을 포함한 폐가스 성분과 결합된다.As water is sprayed at high pressure from the side of the second spraying device 20 and scattered, it is combined with waste gas components including powder components descending from the outer wall.

제1분사장치부(10)는 내경에는 분리관을 장착할 수 있는 층을 달리하는 복수개의 분리관 플랜지(31-1, 32-1)와, 유체 또는 기체를 복수개의 분리관에 분사할 수 있도록 유도하는 유도관로(11)를 포함한다.The first injection device unit 10 is capable of injecting a plurality of separation pipe flanges 31-1 and 32-1 having different layers on which the separation pipe can be mounted on an inner diameter and a fluid or gas to the plurality of separation pipes. It includes an induction pipe 11 to guide it to be.

도 3에 도시된 바와 같이 상기 분리관 플랜지(31-1, 32-1)에는 제1분리관(31)과 제2분리관(32)이 각각 거치된다.As shown in FIG. 3, a first separation tube 31 and a second separation tube 32 are mounted on the separation tube flanges 31-1 and 32-1, respectively.

본 발명에서는 2개의 분리관 플랜지(31-1, 32-1)를 형성시켰지만 분리관의 개수에 따라 분리관 플랜지의 개수 또한 달라진다.In the present invention, two separation pipe flanges 31-1 and 32-1 are formed, but the number of separation pipe flanges also varies according to the number of separation pipes.

제2분사장치부(20)는 상기 제1분사장치부(10)와 체결 결합되고, 내경을 관통하는 하향 경사진 형태로 천공된 유입경사로(22)과, 유체 또는 기체를 유입경사로(22)에 분사할 수 있도록 상기 유입경사로(22)의 외둘레면과 소정을 간격을 갖도록 밀착 형성된 유도관로(21)가 형성된다.The second injection device part 20 is coupled to the first injection device part 10, and the inlet slope path 22 is drilled in a downwardly inclined form penetrating the inner diameter, and the inflow slope path 22 for fluid or gas. The induction pipe 21 is formed in close contact with the outer circumferential surface of the inlet slope 22 so as to be sprayed to the inlet to have a predetermined distance.

상기 제1분사장치부(10)와 제2분사장치부(20)와 복수개의 제1, 2분리관(31, 32)은 복수개의 볼트설치공(1-2)에 볼트를 체결하여 결합할 수 있다.The first injection unit 10 and the second injection unit 20 and the plurality of first and second separation pipes 31 and 32 are coupled by fastening bolts to a plurality of bolt installation holes 1-2. I can.

상기 제2분사장치부(20)에서 고압으로 분사되는 물은 유입경사로(22)가 하향 경사지고 라운딩된 형태적 특징으로 인해 제2분사장치부(20)으로부터 고압 분사된 물이 하부로 와류를 발생시키며, 또한 제2분리관(32)보다 제1분리관(31)이 하부 길이가 길게 형성되어 있어 또 한번 제1분리관(31)의 외주면에서 와류를 발생시키므로, 원천적으로 상부로 비산되는 물분자들이 발생되지 않게 함으로써, 상부로 비산되는 물분자들에 의해 폐가스와 결합되어 파우더 형성되는 것을 원천적으로 막아준다.The water sprayed at high pressure from the second spraying device 20 causes the water sprayed with high pressure from the second spraying device 20 to flow downward due to the inclined inclination path 22 inclined downward and rounded. In addition, since the first separation tube 31 has a longer lower length than the second separation tube 32, it generates a eddy current on the outer circumferential surface of the first separation tube 31 again. By preventing water molecules from being generated, it fundamentally prevents the formation of powder by combining with waste gas by water molecules scattering upwards.

복수개의 제1, 2분리관(31, 32)은 상기 제1, 2분리관 플랜지(31-1, 32-1)에 밀착 고정되고, 배기관 내측벽(1-5)과 소정의 간격을 두고 설치되어 파우더 생성을 저지한다.A plurality of first and second separation pipes (31, 32) are fixed in close contact with the first and second separation pipe flanges (31-1, 32-1), and at a predetermined distance from the inner wall of the exhaust pipe (1-5). Installed to prevent powder formation.

상기 제1분리관 플랜지(31-1)는 제1분리관의 상단부에서 직각으로 절곡되어 형성되고, 상기 제2분리관 플랜지(32-1)는 제2분리관의 상단부에서 직각으로 절곡되어 형성되며, 상기 제2분리관 플랜지(32-1)의 하면에 제1분리관 플랜지(31-1)와 일정 간격을 유지하기 위한 돌출부가 형성된다.The first separation pipe flange 31-1 is formed by bending at a right angle at the upper end of the first separation pipe, and the second separation pipe flange 32-1 is formed by bending at a right angle at the upper end of the second separation pipe In addition, a protrusion for maintaining a predetermined distance from the first separation pipe flange 31-1 is formed on a lower surface of the second separation pipe flange 32-1.

상기 제2분리관의 돌출부와 제1분리관의 분리관 플랜지(31-1) 사이와 제2분리관의 분리관 플랜지(32-1) 하부와 배기관연결부의 일부에 각각 실링하기 위해 O-ring을 설치한다.O-rings for sealing between the protrusion of the second separation pipe and the separation pipe flange 31-1 of the first separation pipe and the lower portion of the separation pipe flange 32-1 of the second separation pipe and a portion of the exhaust pipe connection. Install.

제1 분리관과 제2 분리관이 형성한 원통형 형상은 분리관의 파우더 결합 방지를 위하여 비점착성 테프론 코팅을 하고, 외벽을 타고 나선형으로 돌면서 파우더가 누적되지 않도록 한다.The cylindrical shape formed by the first separation tube and the second separation tube is coated with non-adhesive Teflon to prevent powder bonding of the separation tube, and the powder does not accumulate while rotating spirally along the outer wall.

구체적으로 상기 복수개의 분리관 중 제1분리관(31)은 제1분사장치부의 내경에 배기관 내측벽(1-5)과 이격되게 장착되고, 상기 제1분리관(31) 하측부 끝단은 상기 제2분리관(32) 하측부 끝단 보다 더 길게 연장되어 형성된다.Specifically, the first separation pipe 31 of the plurality of separation pipes is mounted on the inner diameter of the first injection device to be spaced apart from the inner wall 1-5 of the exhaust pipe, and the lower end of the first separation pipe 31 is The second separation pipe 32 is formed to extend longer than the lower end.

이와 같이 형성하는 이유는 분사된 질소가스(N2)가 원형 외벽의 외주면을 타고 와류를 형성하여 내려오면서 제1분리관(31)의 내측면과 외측면을 질소가스(N2)로 건조시켜 물이 상부로 비산되는 것을 막아준다.The reason for this formation is that the injected nitrogen gas (N 2) A vortex is formed along the outer circumferential surface of the circular outer wall, and the inner and outer surfaces of the first separation pipe 31 are dried with nitrogen gas (N 2) . It prevents water from scattering to the top.

상기 복수개의 분리관 중 제2분리관(32)은 상측부에 상기 제1분리관의 플랜지를 압착할 수 있는 돌출부를 구비하고, 상기 제1분사장치부(10)의 내경 측면에 상기 제1분리관(31)과 일정 거리 이격되도록 배기관 중심축 방향으로 설치되며, 하측부 끝단은 상기 제1분리관(31)의 하부 끝단 보다 더 작게 연장 형성된다.Of the plurality of separation pipes, the second separation pipe 32 has a protrusion on an upper side portion for compressing the flange of the first separation pipe, and the first injection device part 10 has the first It is installed in the direction of the central axis of the exhaust pipe so as to be spaced apart from the separation pipe 31 by a predetermined distance, and the lower end is formed to extend smaller than the lower end of the first separation pipe 31.

상기 제1, 2분리관(31, 32)은 테프론으로 이루어지고, 다단으로 설치된 각 단별로 N2가스 또는 워터를 고압으로 분사한다.The first and second separation pipes 31 and 32 are made of Teflon, and inject N 2 gas or water at high pressure for each stage installed in multiple stages.

상기 제2분사장치부(20)의 하측부의 세정수에서 튀는 물방울 및 수분에 의해 유입되는 폐가스와의 접촉이 증가되며, 테프론 재질을 통해 파우더가 고착 형성되어 폐가스가 배출되는 흐름을 방해하지 않도록 한다.The contact with the waste gas introduced by water droplets and moisture splashing from the washing water on the lower side of the second spraying device 20 is increased, and the powder is fixedly formed through the Teflon material so as not to interfere with the flow through which the waste gas is discharged. .

따라서 상기 제1분사장치부(10)를 통해 분사된 질소가스가 복수의 분리관을 타고 내려오면서 제1, 2분리관을 건조시키고, 이어서 하부 길이가 긴 제1분리관(31)의 내·외면 모두 질소가스에 의해 건조된 상태이기 때문에 제1분리관(31)의 하부에 물이 비산되는 것을 막아 주므로, 파우더 성분이 배관 외벽에 덮여 붙는 것을 방지하여 폐가스가 유로를 통해 배출되는 것을 방해하지 않도록 한다.Therefore, the nitrogen gas injected through the first injection device 10 descends through the plurality of separation pipes to dry the first and second separation pipes, and then the inner and second separation pipes 31 having a long lower length. Since the outer surfaces are all dried by nitrogen gas, it prevents water from scattering in the lower part of the first separation pipe 31, preventing the powder component from being covered with the outer wall of the pipe and preventing waste gas from being discharged through the flow path. Avoid.

구조적으로 단순하게 형성된 상기 제1분사장치부(10)의 일측면에 N2가스 또는 워터를 밸브를 통해 배기관 내측벽(1-5)과 제1분리관(31) 사이로 분사시키고, 상기 제1분사장치부(10)의 타측면에 N2가스 또는 워터를 제1분리관(31)과 제2분리관(32) 사이로 분사시켜 외벽을 타고 나선형으로 돌면서 내려오면서 일부 비산되는 물을 건조시키고, 하부 길이가 긴 제1분리관(31)의 내·외면이 질소가스에 의해 건조된 상태이므로 물이 비산되는 것을 막아 주므로, 비산되는 물이 폐가스와 결합되는 것을 원천적으로 방지하여 파우더가 고착 형성되어 폐가스가 배출되는 흐름을 방해하지 않도록 한다.Injecting N 2 gas or water on one side of the first injection device 10 formed structurally simply through a valve between the inner wall of the exhaust pipe 1-5 and the first separation pipe 31, and the first By spraying N 2 gas or water on the other side of the spraying device 10 between the first separation pipe 31 and the second separation pipe 32 and descending in a spiral shape along the outer wall, some scattered water is dried, Since the inner and outer surfaces of the first separating pipe 31 with a long lower length are dried by nitrogen gas, it prevents water from scattering, so that the scattered water is prevented from being combined with the waste gas. Make sure that the waste gas does not interfere with the discharge flow.

1-2 : 볼트설치공
1-1, 2-1 : 배기관연결부
1-2 : 볼트설치공
1-5 : 배기관 내측벽
10 : 제1분사장치부
11 : 유도관로
20 : 제2분사장치부
21 : 유도관로
22 : 유입경사로
31 : 제1분리관
32 : 제2분리관
31-1 : 제1분리관 플랜지
32-1 : 제2분리관 플랜지1-2: Bolt installation worker
1-1, 2-1: exhaust pipe connection
1-2: Bolt installation worker
1-5: inner wall of the exhaust pipe
10: first injection device unit
11: guide pipe
20: second injection device unit
21: induction pipe
22: inlet slope
31: first separation pipe
32: second separation pipe
31-1: Flange of the first separation pipe
32-1: 2nd separation pipe flange

Claims (6)

복수개의 볼트설치공(1-2)이 천공되고, 상부면에는 관연결구가 돌출 형성되고, 외부 배기관과 연결되는 배기관연결부(1-1);가 형성된 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치에 있어서,
내경에는 분리관을 장착할 수 있는 층을 달리하는 복수개의 분리관 플랜지(31-1, 32-1)와, 유체 또는 기체를 복수개의 분리관에 분사할 수 있도록 유도하는 유도관로(11)를 포함하는 제1분사장치부(10);
상기 제1분사장치부(10)와 체결 결합되고, 내경을 관통하는 경사진 형태로 천공된 유입경사로(22)과, 유체 또는 기체를 유입경사로(22)에 분사할 수 있도록 상기 유입경사로의 외둘레면과 소정을 간격을 갖도록 밀착 형성된 유도관로(21)가 형성되는 제2분사장치부(20);
상기 분리관 플랜지(31-1, 32-1)에 밀착 고정되고, 배기관 내측벽(1-5)과 소정의 간격을 두고 설치되어 파우더 생성을 제거하는 복수개의 분리관(31, 32);을 포함하는 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치.In the exhaust line powder removal apparatus of a semiconductor facility having a plurality of bolt installation holes (1-2) perforated, a pipe connector protruding from an upper surface, and an exhaust pipe connection part (1-1) connected to an external exhaust pipe,
In the inner diameter, a plurality of separation pipe flanges 31-1 and 32-1 having different layers on which the separation pipe can be mounted, and an induction pipe path 11 for inducing fluid or gas to be injected into the plurality of separation pipes are provided. A first injection device unit 10 including;
The first injection device 10 is coupled to the inclination path 22, which has an inclined shape penetrating through the inner diameter, and the outside of the inlet slope path 22 so that fluid or gas can be injected into the inflow path 22. A second injection device portion 20 having an induction pipe 21 formed in close contact with the circumferential surface to have a predetermined distance;
A plurality of separation pipes (31, 32) that are closely fixed to the separation pipe flanges (31-1, 32-1) and are installed at a predetermined distance from the exhaust pipe inner wall (1-5) to remove powder formation; Exhaust line powder removal device for semiconductor equipment including. 청구항 1에 있어서,
상기 복수개의 분리관 중 제1분리관(31)은 제1분사장치부의 내경에 배기관 내측벽(1-5)과 이격되게 장착되고, 상기 제1분리관 하측부 끝단은 상기 제2분리관 하측부 끝단 보다 더 길게 연장되어 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치.The method according to claim 1,
Among the plurality of separation pipes, the first separation pipe 31 is mounted on the inner diameter of the first injection device to be spaced apart from the inner wall 1-5 of the exhaust pipe, and the lower end of the first separation tube is under the second separation tube. Exhaust line powder removal device of a semiconductor facility, characterized in that formed to extend longer than the side end. 청구항 1에 있어서,
상기 복수개의 분리관 중 제2분리관(32)은 상측 플랜지 하부에 상기 제1분리관의 플랜지를 압착할 수 있는 돌출부를 구비하고, 상기 제1분사장치부(10)의 내경 측면에 상기 제1분리관(31)과 일정 거리 이격되도록 배기관 중심축 방향으로 설치되며,
하측부 끝단은 상기 제1분리관(31)의 하부 끝단 보다 더 작게 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치.The method according to claim 1,
Of the plurality of separation pipes, the second separation pipe 32 has a protrusion at a lower portion of the upper flange for compressing the flange of the first separation pipe, and the second separation pipe 32 on the inner diameter side of the first injection device 10 1 It is installed in the direction of the central axis of the exhaust pipe so as to be spaced apart from the separation pipe 31 by a certain distance,
An exhaust line powder removal apparatus for a semiconductor facility, characterized in that the lower end is formed to extend smaller than the lower end of the first separation pipe (31). 청구항 1에 있어서,
상기 분리관(31, 32)은 테프론으로 이루어지고, 다단으로 설치된 각 단별로 N2가스 또는 워터를 고압으로 분사하여, 상기 제2분사장치부(20)의 하측부의 세정수에서 튀는 물방울 및 수분을 제거함으로써 유입되는 폐가스와 수분의 접촉을 원천적으로 차단하여 파우더의 형성을 방지하는 것을 특징으로 하는 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치.The method according to claim 1,
The separation pipes 31 and 32 are made of Teflon, and by spraying N 2 gas or water at high pressure for each stage installed in multiple stages, water droplets and water splashing from the washing water at the lower side of the second injection device 20 Powder removal device for an exhaust line of a semiconductor facility, characterized in that the formation of powder is prevented by fundamentally blocking the contact between the incoming waste gas and moisture by removing the. 청구항 1에 있어서,
상기 제1분사장치부(10)의 일측면에 N2가스 또는 워터를 분사할 수 있도록 각기 밸브가 설치되고, N2가스 또는 워터를 배기관 내측벽(1-5)과 제1분리관(31) 사이로 분사시키는 것을 특징으로 하는 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치.The method according to claim 1,
Each valve is installed on one side of the first injection device 10 to inject N 2 gas or water, and N 2 gas or water is supplied to the inner wall (1-5) of the exhaust pipe and the first separation pipe (31). ) An exhaust line powder removal device of a semiconductor facility, characterized in that spraying through. 청구항 1에 있어서,
상기 제1분사장치부(10)의 타측면에 N2가스 또는 워터를 분사할 수 있도록 각기 밸브가 설치되고, N2가스 또는 워터를 제1분리관(31)과 제2분리관(32) 사이로 분사시키는 것을 특징으로 하는 반도체 설비의 배기라인 파우더 제거 장치.
The method according to claim 1,
The first branch, respectively, and the valve is installed to inject the N 2 gas or water on the other side of the boss tooth 10, the first to remove the N 2 gas or water pipe 31 and the second separating pipe 32, A device for removing powder from an exhaust line of a semiconductor facility, characterized in that injecting through.
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