KR102273286B1 - Exhaust line cleaning device for semiconductor manufacturing apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 장치의 배기관에 연결되어 배기관의 굴곡지점에 고착된 파우더를 제거하는 장치로서, 상기 굴곡 지점의 전단 또는 후단에 체결되어 파우더가 고착된 부분으로 고압의 공기를 분사하는 클리닝부; 및 상기 클리닝부에 공기를 제공하는 분사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 배기관 클리닝 장치를 제공한다.The present invention is an apparatus for removing powder attached to a bent point of the exhaust pipe by being connected to an exhaust pipe of a semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a cleaning unit fastened to a front or rear end of the bent point to spray high-pressure air to a part to which the powder is fixed; and an injection unit for providing air to the cleaning unit.

Description

반도체 제조 장치의 배기관 클리닝 장치{EXHAUST LINE CLEANING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}Exhaust pipe cleaning device for semiconductor manufacturing equipment {EXHAUST LINE CLEANING DEVICE FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS}

본 발명은 반도체 제조 장치의 배기관 클리닝 장치에 관한 것으로서, 구체적으로는 배기관에 고착되는 파우더를 효과적으로 제거하는 클리닝 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a device for cleaning an exhaust pipe of a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly, to a cleaning device for effectively removing powder adhering to an exhaust pipe.

일반적으로 반도체 제조공정에서 웨이퍼 상에 박막을 형성하기 위해 사용되는 다양한 종류의 반응가스는 산화성분, 인화성분 및 유독성분을 보유하고 있기 때문에 사용을 마친 폐 가스를 그대로 대기중에 방출할 경우 인체에 유해할 뿐만 아니라 환경 오염을 유발시키게 된다.In general, various types of reactive gases used to form a thin film on a wafer in the semiconductor manufacturing process contain oxidizing components, flammable components and toxic components. Not only that, but it also causes environmental pollution.

이에 따라 폐 가스의 유해성분함량을 허용 농도 이하로 낮추는 정화처리과정을 거쳐서 대기중으로 배출시키기 위해 폐 가스를 배기시키는 반도체 설비내의 배기라인에는 폐 가스의 유독성분을 제거하기 위한 가스 스크러버가 설치된다. 이러한 가스 스크러버는 가스유입관이 배기라인에 연결되어 폐 가스를 공급받은 후 여러 가지 방식에 의해 폐 가스를 세정하게 된다.Accordingly, a gas scrubber for removing the toxic components of the waste gas is installed in the exhaust line in the semiconductor facility that exhausts the waste gas to be discharged into the atmosphere through a purification process for lowering the harmful component content of the waste gas to below the allowable concentration. After the gas inlet pipe is connected to the exhaust line to receive the waste gas, the gas scrubber cleans the waste gas by various methods.

도 1은 일반적인 반도체 공정장비의 배기라인을 보여주는 개략도이다.1 is a schematic diagram showing an exhaust line of a general semiconductor processing equipment.

도 1을 참조하면, 공정챔버(10) 내부에서 공정진행 후 분해되는 이산화규소(SiO2) 및 알루미나(Al2O3) 등의 입자상 물질(이하 파우더라 함)이 많이 발생하게 된다. 이러한 파우더는 진공펌프(20) 및 가스 스크러버(50)를 연결하는 배기라인(30)의 내벽(31)에 고착되어 배기라인(30)의 유로를 차단하게 된다.Referring to FIG. 1 , a large amount of particulate matter (hereinafter referred to as powder) such as silicon dioxide (SiO2) and alumina (Al2O3) that is decomposed after the process is performed inside the process chamber 10 is generated. This powder is adhered to the inner wall 31 of the exhaust line 30 connecting the vacuum pump 20 and the gas scrubber 50 to block the flow path of the exhaust line 30 .

이 경우 상기 고착된 파우더(P)에 의해 진공펌프(20) 및 가스 스크러버(50)의 예방정비 주기가 짧아지게 되고, 결국 메인 장비에 잦은 다운으로 인해 반도체 소자의 생산량이 저하되는 문제점이 있다. 이에 따라 상기와 같은 파우더의 고착현상을 방지하기 위한 파우더 제거장치가 요구되고 있는 상황이다.In this case, the preventive maintenance cycle of the vacuum pump 20 and the gas scrubber 50 is shortened by the fixed powder P, and consequently, there is a problem in that the production of semiconductor devices is reduced due to frequent downtime of the main equipment. Accordingly, there is a demand for a powder removing device for preventing the powder from sticking as described above.

특허문헌 1 : 대한민국 등록특허 제10-1383985호 공고일자 2014년04월15일Patent Document 1: Republic of Korea Patent Registration No. 10-1383985 Publication date April 15, 2014

본 발명은 반도체 제조 장치의 배기관의 굴곡 지점에 고착되는 파우더를 효과적으로 제거하는 클리닝 장치The present invention provides a cleaning apparatus for effectively removing powder adhering to a bent point of an exhaust pipe of a semiconductor manufacturing apparatus

위와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일실시예에 의한 반도체 제조 장치의 배기관 클리닝 장치는, 반도체 제조 장치의 배기관에 연결되어 배기관의 굴곡지점에 고착된 파우더를 제거하는 장치로서, 상기 굴곡 지점의 전단 또는 후단에 체결되어 파우더가 고착된 부분으로 고압의 공기를 분사하는 클리닝부; 및 상기 클리닝부에 공기를 제공하는 분사부를 포함한다.In order to achieve the above object, the exhaust pipe cleaning apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention is a device connected to the exhaust pipe of the semiconductor manufacturing apparatus to remove the powder adhering to the bending point of the exhaust pipe, the bending point a cleaning unit that is fastened to the front or rear end of the unit and sprays high-pressure air to the part to which the powder is fixed; and a spraying unit providing air to the cleaning unit.

이때, 상기 클리닝부는, 상기 굴곡 지점에 공기의 와류를 발생시켜 고착된 파우더를 제거한다.In this case, the cleaning unit generates a vortex of air at the bent point to remove the powder adhering to the cleaning unit.

또한, 상기 클리닝부는, 단관 형상으로서 상기 굴곡 지점과 직접 연통되도록 제1 직경의 내경을 가지는 연결관; 및 상기 연결관 내측에 배치되며, 내측면이 중심 방향으로 돌출하도록 형성된 돌출 부재를 포함할 수 있다.In addition, the cleaning unit may include a connector tube having an inner diameter of a first diameter so as to be in direct communication with the bending point as a single tube shape; and a protrusion member disposed inside the connection tube and configured to have an inner surface protruding toward the center.

한편, 상기 돌출 부재는, 상기 돌출에 의한 관통공이 중심에서 일정 거리 편향된 위치에 배치되는 것이 바람직하다.On the other hand, it is preferable that the protrusion member is disposed at a position in which the through hole by the protrusion is deflected by a predetermined distance from the center.

아울러, 상기 돌출 부재는, 상기 굴곡 지점에 접근 가능하도록 상기 연결관 내부에서 전진 가능한 형태로 배치될 수 있다.In addition, the protruding member may be disposed in a form capable of advancing inside the connecting pipe so as to be able to access the bending point.

한편, 클리닝부는, 단관 형상으로서 상기 굴곡 지점과 직접 연통되도록 제1 직경의 내경을 가지는 연결관; 및 상기 연결관의 외측으로부터 내측으로 관통하여, 상기 굴곡 지점 방향으로 클리닝 가스를 공급하는 적어도 하나의 클리닝 가스 분사관을 포함할 수 있다.On the other hand, the cleaning unit, a connector pipe having an inner diameter of a first diameter so as to directly communicate with the bent point in the shape of a single pipe; and at least one cleaning gas injection tube penetrating from the outside to the inside of the connection pipe and supplying the cleaning gas in the direction of the bending point.

이때,상기 클리닝 가스 분사관은, 상기 굴곡 지점 방향으로 공급되는 클리닝 가스가 와류를 이루도록 상기 연결관에 대해 비스듬한 각도로 접하는 것이 바람직하다.In this case, the cleaning gas injection pipe may be in contact with the connecting pipe at an oblique angle so that the cleaning gas supplied in the direction of the bending point forms a vortex.

이때, 상기 클리닝 가스 분사관은, 상기 클리닝 가스의 공급을 제어하는 밸브를 구비할 수 있다.In this case, the cleaning gas injection pipe may include a valve for controlling the supply of the cleaning gas.

본 발명에 따른 반도체 제조 장치의 배기관 클리닝 장치에 의하면,According to the exhaust pipe cleaning apparatus of the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention,

첫째, 보텍스 효과에 따른 와류를 공급하하므로 배기관의 굴곡 지점에 쌓이는 파우더를 효과적으로 제거할 수 있다.First, by supplying a vortex according to the vortex effect, it is possible to effectively remove the powder accumulated at the bent point of the exhaust pipe.

둘째, 돌출 부재의 오목 부분은 배관의 중심에서 일정거리 편향되어 있으므로, 돌출 부재의 회전에 의해 형성되는 와류를 변화시킬 수 있다. 따라서, 배관 내부의 클리닝 효과를 높일 수 있다.Second, since the concave portion of the protruding member is deflected by a certain distance from the center of the pipe, it is possible to change the vortex formed by the rotation of the protruding member. Therefore, the cleaning effect inside the pipe can be improved.

셋째, 클리닝 가스 분사관이 굴곡 지점에 와류를 발생시키므로 파우더를 효과적으로 제가하는 것이 가능하다.Third, since the cleaning gas injection pipe generates a vortex at the bending point, it is possible to effectively remove the powder.

도 1은 일반적인 반도체 공정장비의 배기라인을 보여주는 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 배기관 클리닝 장치의 블록도이다.
도 3은 본 발명에 따른 배기관 클리닝 장치를 설명하는 모식적인 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 돌출 부재를 설명하는 사시도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 돌출 부재를 설명하는 사시도이다.
도 6은 도 5의 돌출 부재를 사용하여 배기관의 굴곡 지점의 클리닝이 수행되는 것을 설명하는 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기관 클리닝 장치를 설명하는 모식적인 단면도이다.
도 8은 클리닝 가스 분사관의 결합 각도를 설명하는 횡단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배기관 클리닝 장치를 설명하는 모식적인 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다양한 실시 형태 가운데 하나를 나타낸다.1 is a schematic diagram showing an exhaust line of a general semiconductor processing equipment.
2 is a block diagram of an exhaust pipe cleaning apparatus according to the present invention.
3 is a schematic cross-sectional view illustrating an exhaust pipe cleaning apparatus according to the present invention.
4 is a perspective view illustrating a protruding member according to an exemplary embodiment.
5 is a perspective view illustrating a protruding member according to another exemplary embodiment.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating that cleaning of a bent point of an exhaust pipe is performed using the protruding member of FIG. 5;
7 is a schematic cross-sectional view illustrating an exhaust pipe cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view illustrating a coupling angle of a cleaning gas injection pipe.
9 is a schematic cross-sectional view illustrating an exhaust pipe cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention.
10 shows one of various embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이때, 첨부된 도면에서 동일한 구성 요소는 가능한 동일한 부호로 나타내고 있음에 유의한다. 또한, 본 발명의 요지를 흐리게 할 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략할 것이다. 마찬가지 이유로 첨부 도면에 있어서 일부 구성요소는 과장되거나 생략되거나 개략적으로 도시되었다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In this case, it should be noted that in the accompanying drawings, the same components are indicated by the same reference numerals as possible. In addition, detailed descriptions of well-known functions and configurations that may obscure the gist of the present invention will be omitted. For the same reason, some components are exaggerated, omitted, or schematically illustrated in the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 배기관 클리닝 장치의 블록도이고, 도 3은 본 발명에 따른 배기관 클리닝 장치를 설명하는 모식적인 단면도이고, 도 4는 일 실시예에 따른 돌출 부재를 설명하는 사시도이고, 도 5는 다른 실시예에 따른 돌출 부재를 설명하는 사시도이고, 도 6은 도 5의 돌출 부재를 사용하여 배기관의 굴곡 지점의 클리닝이 수행되는 것을 설명하는 단면도이다.2 is a block diagram of an exhaust pipe cleaning apparatus according to the present invention, FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating an exhaust pipe cleaning apparatus according to the present invention, and FIG. 4 is a perspective view illustrating a protruding member according to an embodiment, FIG. 5 is a perspective view illustrating a protruding member according to another embodiment, and FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating cleaning of a bent point of an exhaust pipe using the protruding member of FIG. 5 .

도 2 내지 도 6을 참조하면 본 발명에 의한 배기관 클리닝 장치(1000)는 반도체 제조 장치(즉, 챔버(C))의 배기관에 연결되어 배기관의 굴곡 지점(P)에 고착된 파우더를 제거하는 장치로서 클리닝부(200) 및 분사부(100)를 포함한다.2 to 6 , the exhaust pipe cleaning apparatus 1000 according to the present invention is connected to the exhaust pipe of the semiconductor manufacturing apparatus (ie, the chamber C) to remove the powder adhering to the bending point P of the exhaust pipe. As such, it includes a cleaning unit 200 and a spraying unit 100 .

일반적으로 분사부(100)는 챔버(C)와 연결되어 챔버(C)로부터 기판 처리 공정에 사용된 가스를 배기시킨다. 본 발명에서 분사부(100)는 파우더 제거를 위해 소정의 기체를 고압으로 배기관에 공급한다. 통상 O2 또는 N2 가 사용되나, 제거하고자 하는 파우더에 종류에 따라 사용되는 기체는 적절하게 변경될 수 있다.In general, the injection unit 100 is connected to the chamber (C) to exhaust the gas used in the substrate processing process from the chamber (C). In the present invention, the injection unit 100 supplies a predetermined gas to the exhaust pipe at high pressure to remove the powder. Usually, O2 or N2 is used, but the gas used may be appropriately changed depending on the type of powder to be removed.

도시 생략되었으나, 공급되는 기체를 특정 온도로 가열 또는 냉각시키는 히팅 시스템 및 쿨링 시스템이 더 구비될 수 있다. Although not shown, a heating system and a cooling system for heating or cooling the supplied gas to a specific temperature may be further provided.

클리닝부(200)는 굴곡 지점(P)의 전단 또는 후단에 체결되어 파우더가 고착된 부분으로 고압의 공기를 분사한다. 상세하게는 클리닝부(200)는 굴곡 지점(P)에서 공기의 흐름이 와류 형태를 가지도록하여 배관 내벽에 고착된 파우더를 제거한다. 배관은 굴곡 형태에 따라 통상적인 공기 흐름에 의해서는 파우더 제거에 필요한 적절한 압력이 인가되지 않는 지점이 있다. The cleaning unit 200 is fastened to the front or rear end of the bending point P to inject high-pressure air to the portion to which the powder is fixed. In detail, the cleaning unit 200 removes the powder adhering to the inner wall of the pipe so that the flow of air at the bending point P has a vortex shape. Depending on the shape of the pipe, there is a point where the proper pressure required to remove the powder is not applied by normal air flow.

즉, 굴곡 지점의 전단->후단으로 향하는 공기의 일 방향 흐름만으로는 고착된 파우더의 제거가 용이하게 수행되지 않는다. 따라서 이러한 부분에는 적절한 역방 공기 흐름이 필요하다. That is, the removal of the adhering powder is not easily performed only by the one-way flow of air toward the front end-> rear end of the bending point. Therefore, adequate reverse airflow is required in these areas.

클리닝부(200)는 배관 내부에 불규칙한 와류를 야기하므로 파우더가 고착된 부분에 적절한 역방향 공기의 흐름을 제공하여 파우더의 제거가 이루어지도록 한다.Since the cleaning unit 200 causes an irregular vortex inside the pipe, an appropriate reverse air flow is provided to the portion to which the powder is adhered, so that the powder is removed.

본 발명의 일 실시형태에 따르면 클리닝부(200)는 연결관(210) 및 돌출 부재(220)를 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the cleaning unit 200 includes a connecting pipe 210 and a protruding member 220 .

연결관(210)은 단관 형상으로서 굴곡 지점(P)와 직접 연통되도록 굴곡 지점(P)의 내경과 동일한 제1 내경을 가지는 배관이다. 도시된 바에 의하면 연결관(210)은 굴곡 지점(P)의 전단에 연결되는 것으로 되어 있으나, 분사부(100)의 배기 방향에 따라서 연결관(210)의 배치 위치는 굴곡 지점(P)의 후단이 될 수도 있다.The connecting pipe 210 is a pipe having a first inner diameter equal to the inner diameter of the bending point P so as to directly communicate with the bending point P as a single pipe shape. As shown, the connection pipe 210 is connected to the front end of the bending point P, but the arrangement position of the connection pipe 210 according to the exhaust direction of the injection unit 100 is the rear end of the bending point P. this could be

돌출 부재(220)는 연결관(210)의 내측에 배치되어, 내측면이 배관의 중심 방향으로 돌출하도록 형성된다. 즉, 돌출 부재(220)는 배관의 중심 부분으로 오목한 형태로서, 이 부분(이하, 관통공(221))에 의해 공기의 흐름에 와류가 야기된다. The protruding member 220 is disposed inside the connection pipe 210 so that the inner surface thereof protrudes toward the center of the pipe. That is, the protruding member 220 has a concave shape as the central portion of the pipe, and a vortex is caused in the air flow by this portion (hereinafter, the through hole 221 ).

도면에 도시된 형태는 이해를 돕기 위한 하나의 예일 뿐으로서, 돌출 부재(220)의 형태 및 관통공(221)의 직경은 연결관 배관의 직경, 굴곡 지점(P)과의 거리, 제거하고자 하는 파우더의 종류 등에 따라 적절히 변형되어 실시될 수 있다.The shape shown in the drawing is only an example for helping understanding, and the shape of the protruding member 220 and the diameter of the through hole 221 are the diameter of the connecting pipe pipe, the distance from the bending point P, and the Depending on the type of powder, etc., it may be appropriately modified and implemented.

경우에 따라서는 하나의 관통공이 아닌 복수의 관통공을 구비하는 형태로 돌출 부재를 실시할 수 도있다.In some cases, the protruding member may be implemented in a form having a plurality of through-holes instead of one through-hole.

즉, 돌출 부재(220)의 형태에 따라 형성되는 와류의 형태가 상이하므로 실시자는 적용하고자 하는 반도체 제조 장치(C)에 따라 돌출 부재(220)의 형태를 각각 다르게 적용할 수 있다.That is, since the shape of the vortex formed according to the shape of the protruding member 220 is different, the practitioner may apply the shape of the protruding member 220 differently depending on the semiconductor manufacturing apparatus C to be applied.

일 실시 형태에 따르면 관통공(221)은 배관의 중심에서 일정거리 편향된 위치에 배치될 수 있다. 즉, 돌출 부재(220)는 비대칭 형태를 가진다.According to an embodiment, the through hole 221 may be disposed at a position deflected by a predetermined distance from the center of the pipe. That is, the protruding member 220 has an asymmetrical shape.

연결관(210) 내측에서 돌출 부재(220)를 축 방향으로 회전 시킬 경우, 굴곡 지점(P)에 인가되는 와류를 변화시킬 수 있다. 따라서, 배관 내에 보다 불규칙 적인 와류가 인가되므로 파우더의 제거가 효과적으로 이루어질 수 있다.When the protruding member 220 is rotated in the axial direction from the inside of the connector 210, the vortex applied to the bending point P may be changed. Therefore, more irregular vortex is applied in the pipe, so that the powder can be effectively removed.

또한, 실시 형태에 따라 돌출 부재(220)는 굴곡 지점(P)에 보다 접근 가능하도록 연결관(210) 내측에서 전진 가능한 형태로 배치될 수 있다.In addition, according to an embodiment, the protruding member 220 may be disposed in a form capable of advancing inside the connecting pipe 210 to be more accessible to the bending point P.

돌출 부재(220)는 굴곡 지점(P)에 일정 거리 삽입되는 형태이므로 굴곡 지점에 보다 인접하여 와류를 야기하는 것이 가능하다.Since the protruding member 220 is inserted into the bending point P at a predetermined distance, it is possible to cause a vortex closer to the bending point.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기관 클리닝 장치를 설명하는 모식적인 단면도이고, 도 8은 클리닝 가스 분사관의 결합 각도를 설명하는 횡단면도이다.7 is a schematic cross-sectional view illustrating an exhaust pipe cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a coupling angle of a cleaning gas injection pipe.

도 7 및 도 8을 참조하면 본 발명의 다른 실시예에 따른 배기관 클리닝 장치에서 클리닝부(200)는 연결관(210), 클리닝 가스 분사관(230) 및 클리닝 가스 공급부(240)를 포함한다.7 and 8 , in the exhaust pipe cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention, the cleaning unit 200 includes a connection pipe 210 , a cleaning gas injection pipe 230 , and a cleaning gas supply unit 240 .

본 실시예에 따른 클리닝부(200)는 굴곡 지점(P)의 전단 또는 후단에 체결되어 파우더가 고착된 부분으로 클리닝 가스를 분사한다. 클리닝부(200)는 도 10의 실시 형태와 같이 전단 및 후단의 양측에 체결될 수도 있다.The cleaning unit 200 according to the present embodiment is fastened to the front or rear end of the bending point P and sprays the cleaning gas to the portion to which the powder is fixed. The cleaning unit 200 may be fastened to both sides of the front end and the rear end as in the embodiment of FIG. 10 .

클리닝부(200)는 굴곡 지점(P)에서 클리닝 가스가 와류 형태를 가지도록 하여 배관 내벽에 고착된 파우더를 제거한다. 클리닝 가스의 공급 각도에 의해 배관 내부에서 클리닝 가스가 회오리 형태의 와류를 형성하여 파우더의 제거를 수행한다.The cleaning unit 200 removes the powder adhering to the inner wall of the pipe by allowing the cleaning gas to have a vortex shape at the bending point P. The cleaning gas forms a vortex in the form of a tornado inside the pipe by the angle of supply of the cleaning gas to remove the powder.

클리닝 가스 공급부(240)는 파우더의 클리닝에 사용되는 가스를 공급한다. 사용되는 가스는 파우더의 종류에 따라 다양하게 선택될 수 있다.The cleaning gas supply unit 240 supplies a gas used for cleaning the powder. The gas used may be variously selected according to the type of powder.

클리닝 가스 분사관(230)은 연결관(210)의 외측으로부터 내측으로 관통하여 굴곡 지점 방향으로 클리닝 가스를 공급한다. 도시된 예에서는 클리닝 가스 분사관(230)은 네 개(230-1, 230-2, 230-3, 230-4)가 구비된 것으로 되어 있으나, 이는 실시형태를 설명하기 위해 모식적으로 도시한 것뿐으로서, 클리닝 가스 분사관(230)의 숫자 및 연결관(210)과의 결합 각도(A 및 B)는 적절하게 조절될 수 있다.The cleaning gas injection pipe 230 penetrates from the outside to the inside of the connection pipe 210 to supply the cleaning gas in the direction of the bending point. In the illustrated example, four cleaning gas injection tubes 230 are provided, 230-1, 230-2, 230-3, and 230-4, which are schematically illustrated for describing the embodiment. As such, the number of cleaning gas injection tubes 230 and the coupling angles A and B with the connection tube 210 may be appropriately adjusted.

이때, 클리닝 가스가 와류를 형성하도록, 각 클리닝 가스 분사관(230-1, 230-2, 230-3, 230-4)은 연결관(210)에 대해 비스듬한 각도로 접하는 것이 바람직하다. 그러나, 결합 각도(A 및 B)는 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 클리닝 가스의 분사 각도(진행 방향 각도 A, 와류 방향 각도 B)는 제거하고자 하는 파우더의 종류, 파이프의 직경 등과 같은 요인에 의해 적절하게 변형실시 가능하다.In this case, it is preferable that each of the cleaning gas injection pipes 230 - 1 , 230 - 2 , 230 - 3 and 230 - 4 contact the connection pipe 210 at an oblique angle so that the cleaning gas forms a vortex. However, the coupling angles A and B are not limited thereto. That is, the injection angle of the cleaning gas (advance direction angle A, vortex direction angle B) may be appropriately modified depending on factors such as the type of powder to be removed and the diameter of the pipe.

한편, 도시 생략되었으나, 각 클리닝 가스 분사관(230-1, 230-2, 230-3, 230-4)은 공급되는 클리닝 가스의 차단을 위한 밸브를 구비할 수 있다.Meanwhile, although not shown, each of the cleaning gas injection tubes 230 - 1 , 230 - 2 , 230 - 3 and 230 - 4 may include a valve for blocking the supplied cleaning gas.

예를 들어, 밸브를 차단하면 클리닝부(200)는 단지 챔버(C)에 연결된 배기 라인의 일부로 동작한다. 파우더의 제거가 필요한 경우에는 밸브를 개방하면 되므로 본 발명에 의한 배기관 클리닝 장치는 거치식으로 운용할 수 있다.For example, when the valve is closed, the cleaning unit 200 operates only as a part of the exhaust line connected to the chamber (C). When it is necessary to remove the powder, since the valve is opened, the exhaust pipe cleaning apparatus according to the present invention can be operated in a stationary manner.

도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 배기관 클리닝 장치를 설명하는 모식적인 단면도이다.9 is a schematic cross-sectional view illustrating an exhaust pipe cleaning apparatus according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 상술한 실시형태에 한정되는 것은 아니며, 실시자에 따라 다양한 변형 실시가 가능하다. 예를 들어 도 9에 도시된 바와 같이, 클리닝 가스 분사관(230)과 돌출 부재(220)가 결합된 상태로도 실시할 수 있다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications may be made according to the implementer. For example, as shown in FIG. 9 , the cleaning gas injection pipe 230 and the protruding member 220 may be coupled to each other.

본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 본 발명의 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것일 뿐이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다. Embodiments of the present invention disclosed in the present specification and drawings are merely provided for specific examples in order to easily explain the technical contents of the present invention and help the understanding of the present invention, and are not intended to limit the scope of the present invention. It will be apparent to those of ordinary skill in the art to which the present invention pertains that other modifications based on the technical spirit of the present invention can be implemented in addition to the embodiments disclosed herein.

1000 : 배기관 클리닝 장치
100 : 분사부
200 : 클리닝부
C : 챔버
P : 배기관의 굴곡 지점1000: exhaust pipe cleaning device
100: injection part
200: cleaning unit
C: chamber
P: bend point of exhaust pipe

Claims (5)

반도체 제조 장치의 배기관에 연결되어 배기관의 굴곡지점에 고착된 파우더를 제거하는 장치로서,
상기 굴곡 지점의 전단 또는 후단에 체결되어 파우더가 고착된 부분으로 고압의 공기를 분사하는 클리닝부(200); 및
상기 클리닝부에 공기를 제공하는 분사부(100)를 포함하되,
상기 클리닝부(200)는,
상기 굴곡 지점에 공기의 와류를 발생시켜 고착된 파우더를 제거하는 것으로서,
단관 형상으로서 상기 굴곡 지점과 직접 연통되도록 제1 직경의 내경을 가지는 연결관(210);
상기 연결관의 내측에 배치되어 내측면이 배관의 중심 방향으로 돌출하도록 형성된 돌출 부재(220); 및
상기 연결관의 외측으로부터 내측으로 관통하여, 상기 굴곡 지점 방향으로 클리닝 가스를 공급하는 적어도 하나의 클리닝 가스 분사관을 포함하고,
상기 돌출 부재(220)는,
비대칭 형태로서, 중심 지점인 관통공(221)이 배관의 중심에서 일정거리 편향된 위치에 배치되고,
상기 굴곡 지점에 접근하도록 상기 연결관 내측에서 전진 가능한 형태로 배치되고,
상기 클리닝 가스 분사관은,
상기 굴곡 지점 방향으로 공급되는 클리닝 가스가 와류를 이루도록 상기 연결관에 대해 비스듬한 하나 이상의 각도로 접하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 배기관 클리닝 장치.As a device connected to the exhaust pipe of a semiconductor manufacturing device to remove the powder adhering to the bending point of the exhaust pipe,
a cleaning unit 200 that is fastened to the front or rear end of the bending point and sprays high-pressure air to the part to which the powder is fixed; and
Including a spraying unit 100 for providing air to the cleaning unit,
The cleaning unit 200,
By generating a vortex of air at the bending point to remove the fixed powder,
a connector pipe 210 having an inner diameter of a first diameter so as to be in direct communication with the bending point as a single pipe shape;
a protrusion member 220 disposed on the inside of the connection pipe and configured to have an inner surface protruding toward the center of the pipe; and
at least one cleaning gas injection pipe passing through the connecting pipe from the outside to the inside and supplying the cleaning gas in the direction of the bending point;
The protruding member 220,
As an asymmetric shape, the through hole 221, which is a central point, is disposed at a position deflected by a certain distance from the center of the pipe,
disposed in a form advanceable inside the connector to access the point of bending,
The cleaning gas injection pipe,
The exhaust pipe cleaning apparatus of a semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning gas supplied in the direction of the bending point is in contact with the connecting pipe at one or more oblique angles to form a vortex. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 클리닝 가스 분사관은,
상기 클리닝 가스의 공급을 제어하는 밸브를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치의 배기관 클리닝 장치.
The method according to claim 1,
The cleaning gas injection pipe,
and a valve for controlling supply of the cleaning gas.
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