KR102602233B1 - 레이저 조사 장치 - Google Patents
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Abstract
레이저 조사 장치는 복수의 렌즈들을 포함하고, 제1 방향 및 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향이 이루는 평면 상에서, 상기 제1 방향으로 긴 직사각형 형태의 레이저 빔(BEAM)을 발생하여, 상기 레이저 빔을 상기 제1 및 제2 방향과 수직한 제3 방향으로 조사하는 광학계, 상기 레이저 빔의 상기 제1 방향의 양 끝단을 차단하는 빔 커터를 포함하는 밀봉 박스, 상기 빔 커터를 통과한 상기 레이저 빔이 조사되는 피처리 기판을 지지하는 스테이지를 포함하는 공정 챔버를 포함한다. 상기 빔 커터는 비열이 0.7 [J/g℃] 이상인 물질을 포함한다.
Description
본 발명은 레이저 조사 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 피처리 기판 상에 레이저 빔을 제공하는 레이저 조사 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 표시 장치, 예를 들면 플라즈마 표시 장치, 액정 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 등이 주목을 받고 있다.
상기 표시 장치는 박막 트랜지스터를 포함하는 화소 구조를 포함하는데, 상기 박막 트랜지스터의 전기적 특성에 따라 상기 표시 장치의 표시 품질이 좌우될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시키기 위해 아몰퍼스 실리콘(비정질 실리콘)을 결정화 시킨 폴리 실리콘(결정질 실리콘)을 이용할 수 있는데, 상기 폴리 실리콘을 형성하기 위해서는 상기 아몰퍼스 실리콘에 레이저 빔을 조사하는 결정화 공정이 필요하다.
이때, 레이저 조사 장치를 이용하여 피처리 기판 상에 형성된 아몰퍼스 실리콘 층에 상기 레이저 빔을 조사할 수 있는데, 상기 레이저 빔의 품질에 따라 상기 폴리 실리콘의 품질이 결정될 수 있다. 따라서, 균일한 레이저 빔을 제공하는 것이 중요하다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 품질이 향상된 레이저 빔을 제공하는 레이저 조사 장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 레이저 조사 장치는 복수의 렌즈들을 포함하고, 제1 방향 및 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향이 이루는 평면 상에서, 상기 제1 방향으로 긴 직사각형 형태의 레이저 빔(BEAM)을 발생하여, 상기 레이저 빔을 상기 제1 및 제2 방향과 수직한 제3 방향으로 조사하는 광학계, 상기 레이저 빔의 상기 제1 방향의 양 끝단을 차단하는 빔 커터를 포함하는 밀봉 박스, 상기 빔 커터를 통과한 상기 레이저 빔이 조사되는 피처리 기판을 지지하는 스테이지를 포함하는 공정 챔버를 포함한다. 상기 빔 커터는 비열이 0.7 [J/g℃] 이상인 물질을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 빔 커터는 코디에라이트, 알루미나 및 쿼츠 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 레이저 조사 장치는 상기 빔 커터의 표면에 형성되는 난반사 코팅층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 난반사 코팅층은 상기 레이저 빔의 파장에 대한 반사율이 다른 범위의 파장에 대한 반사율보다 높을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 레이저 빔은 XeCl 을 이용하여 형성되고, 상기 난반사 코팅은 308nm 파장의 반사율이 다른 범위의 파장에 대한 반사율보다 높거나, 상기 레이저 빔은 XeF 을 이용하여 형성되고, 상기 난반사 코팅은 351nm 파장의 반사율이 다른 범위의 파장에 대한 반사율보다 높거나, 상기 레이저 빔은 Nd-YAG 을 이용하여 형성되고, 상기 난반사 코팅은 532nm 파장의 반사율이 다른 범위의 파장에 대한 반사율보다 높을 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 레이저 빔이 조사되는 상기 빔 커터의 상면에는 요철이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 빔 커터는 개구가 형성된 상부 플레이트 및 상기 상부 플레이트와 이격되어 배치되는 하부 플레이트를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 상부 플레이트와 마주보는 상기 하부 플레이트의 상면에는 요철이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 상부 플레이트와 상기 하부 플레이트 사이에 배치되는 히트 싱크를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 빔 커터는, 하부 플레이트, 상기 하부 플레이트 상에 배치되는 상부 플레이트, 상기 하부 플레이트와 상기 상부 플레이트 사이에 배치되어, 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트와 접촉하는 중간 플레이트를 포함하고, 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트는 비열이 0.7 [J/g℃] 이상인 물질을 포함하고, 상기 중간 플레이트는 상기 상부 또는 하부 플레이트보다 열 전도도가 높은 금속을 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 레이저 조사 장치는 복수의 렌즈들을 포함하고, 제1 방향 및 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향이 이루는 평면 상에서, 상기 제1 방향으로 긴 직사각형 형태의 레이저 빔(BEAM)을 발생하여, 상기 레이저 빔을 상기 제1 및 제2 방향과 수직한 제3 방향으로 조사하는 광학계, 상기 레이저 빔의 상기 제1 방향의 양 끝단을 차단하는 빔 커터를 포함하는 밀봉 박스, 상기 빔 커터를 통과한 상기 레이저 빔이 조사되는 피처리 기판을 지지하는 스테이지를 포함하는 공정 챔버를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 상부 플레이트의 상면 및 하면, 상기 상부 플레이트와 마주보는 상기 하부 플레이트의 상면에는 요철이 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 빔 커터는, 상기 하부 플레이트와 상기 상부 플레이트 사이에 배치되어, 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트와 접촉하는 중간 플레이트를 더 포함할 수 있다. 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트는 비열이 0.7 [J/g℃] 이상인 물질을 포함할 수 있다. 상기 중간 플레이트는 상기 상부 또는 하부 플레이트보다 열 전도도가 높은 금속을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 빔 커터는 비열이 0.7 [J/g℃] 이상인 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 빔 커터는 코디에라이트, 알루미나 및 쿼츠 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 레이저 조사 장치는 상기 상부 플레이트와 상기 하부 플레이트 사이에 배치되는 히트 싱크를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 히트 싱크는 격자 형태일 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 레이저 조사 장치의 빔 커터는 비열이 0.7 [J/g℃] 이상인 물질을 포함한다. 이에 따라 상기 레이저 조사 장치를 연속적으로 가동하더라도 상기 빔 커터의 특정 부분의 온도 상승이 최소화 되어 열기류 발생에 따른 레이저 빔 품질 저하를 방지할 수 있다.
또한, 상기 레이저 빔이 조사되는 상기 빔 커터의 상면에는 난반사 코팅층이 형성될 수 있다. 상기 난반사 코팅층은 상기 레이저의 피크 파장에 대한 반사율이 높은 난반사 코팅층이 적용될 수 있다. 이에 따라, 이에 따라 상기 레이저 조사 장치를 연속적으로 가동하더라도 상기 빔 커터의 특정 부분의 온도 상승이 최소화 되어 열기류 발생에 따른 레이저 빔 품질 저하를 방지할 수 있다.
또한, 상기 빔 커터의 상면에는 다양한 형태의 요철이 형성될 수 있다. 상기 요철 구조에 의해 상기 레이저 빔이 산란될 수 있으며, 이에 따라, 이에 따라 상기 레이저 조사 장치를 연속적으로 가동하더라도 상기 빔 커터의 특정 부분의 온도 상승이 최소화 되어 열기류 발생에 따른 레이저 빔 품질 저하를 방지할 수 있다.
또한, 상기 빔 커터는 개구가 형성된 상부 플레이트 및 하부 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 레이저 빔은 상기 상부 플레이트와 상기 하부 플레이트 사이에서 소실되며, 이에 따라, 이에 따라 상기 레이저 조사 장치를 연속적으로 가동하더라도 상기 빔 커터의 특정 부분의 온도 상승이 최소화 되어 열기류 발생에 따른 레이저 빔 품질 저하를 방지할 수 있다.
또한, 상기 빔 커터는 상기 상부 플레이트와 상기 하부 플레이트 사이에 배치되는 히트 싱크를 더 포함할 수 있다. 상기 빔 커터에서 발생되는 열이 상기 히트 싱크에 의해 분산되어 외부로 배출될 수 있다. 이에 따라, 이에 따라 상기 레이저 조사 장치를 연속적으로 가동하더라도 상기 빔 커터의 특정 부분의 온도 상승이 최소화 되어 열기류 발생에 따른 레이저 빔 품질 저하를 방지할 수 있다.
또한, 상기 빔 커터는 상부 플레이트, 하부 플레이트 및 상기 상부 플레이트와 상기 하부 플레이트 사이에 배치되어 상기 상부 및 하부 플레이트와 접촉하는 중간 플레이트를 포함할 수 있다. 상기 중간 플레이트는 상기 상부 또는 하부 플레이트보다 열 전도도가 높은 금속을 포함하여, 열 확산이 용이할 수 있다. 이에 따라, 이에 따라 상기 레이저 조사 장치를 연속적으로 가동하더라도 상기 빔 커터의 특정 부분의 온도 상승이 최소화 되어 열기류 발생에 따른 레이저 빔 품질 저하를 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 광 조사 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1의 레이저 광 및 빔 커터를 도시한 사시도이다.
도 3a, 3b, 3c, 3d 및 3e는 본 발명의 여러 실시예에 따른 광 조사 장치의 빔 커터들을 도시한 도면들이다.
도 4a, 4b 및 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 조사 장치의 빔 커터를 도시한 도면들이다.
도 5a, 5b 및 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 조사 장치의 빔 커터를 도시한 도면들이다.
도 6a 및 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 조사 장치의 빔 커터를 도시한 도면들이다.
도 7a 및 7b는 종래의 광 조사 장치를 사용한 경우와 본 발명의 실시예에 따른 광 조사 장치를 사용한 경우, 제품 생산 가능 범위를 비교한 도면들이다.
도 2는 도 1의 레이저 광 및 빔 커터를 도시한 사시도이다.
도 3a, 3b, 3c, 3d 및 3e는 본 발명의 여러 실시예에 따른 광 조사 장치의 빔 커터들을 도시한 도면들이다.
도 4a, 4b 및 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 조사 장치의 빔 커터를 도시한 도면들이다.
도 5a, 5b 및 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 조사 장치의 빔 커터를 도시한 도면들이다.
도 6a 및 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 광 조사 장치의 빔 커터를 도시한 도면들이다.
도 7a 및 7b는 종래의 광 조사 장치를 사용한 경우와 본 발명의 실시예에 따른 광 조사 장치를 사용한 경우, 제품 생산 가능 범위를 비교한 도면들이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 조사 장치를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 2는 도 1의 레이저 및 빔 커터를 도시한 사시도이다.
도 1 및 2를 참조하면, 상기 레이저 조사 장치는 광학계(10), 밀봉 박스(20) 및 공정 챔버(30)를 포함할 수 있다. 도시하지 않았으나, 상기 레이저 조사 장치는 레이저를 발생시키는 장치인 레이저 발진기를 더 포함할 수 있다.
상기 광학계(10)는 원하는 크기의 레이저 빔(BEAM)을 얻기 위해, 복수의 렌즈들 및 반자 부재 등을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광학계(10)는 상기 레이저 발진기에서 발생된 레이저가 원하는 위치에 조사될 수 있도록 가이드 할 수 있다. 상기 광학계(10)는 밀봉된 박스(box) 형태 일 수 있으며, 상기 레이저가 통과하는 위치에 윈도우(12)가 배치될 수 있다. 상기 광학계(10)내에서 상기 레이저 빔(BEAM)의 오염을 방지하고, 안정화를 위해, 상기 광학계(10)내에서 불활성 가스 예컨대 질소(N2) 가스가 충진되어 있을 수 있다.
상기 광학계(10)에 의해 상기 레이저는 제1 방향(D1) 및 상기 제1 방향(D1)과 수직한 제2 방향(D2)이 이루는 평면 상에서, 상기 제1 방향(D1)으로 긴 직사각형 형태의 레이저 빔(BEAM)으로 형성되며, 상기 레이저 빔(BEAM)은 상기 제1 및 제2 방향(D1, D2)과 수직한 제3 방향(D3)으로 조사될 수 있다.
상기 밀봉 박스(20)는 상기 광학계(10)에 상기 제3 방향(D3)으로 인접할 수 있다. 상기 밀봉 박스(20)는 빔 커터(100)를 포함할 수 있다. 상기 빔 커터(100)는 상기 레이저 빔(BEAM)의 상기 제1 방향의 양 끝단을 차단하여, 상기 레이저 빔(BEAM)의 상기 제1 방향의 양 끝단에서의 외곽 산란빔을 차단하여, 상기 피처리 기판(40)에 대한 상기 레이저 빔(BEAM)의 조사 영역(B)을 명확히 할 수 있다.
상기 밀봉 박스(20)는 밀봉된 박스(box) 형태 일 수 있으며, 상기 레이저가 통과하는 위치에 윈도우(22)가 배치될 수 있다. 상기 밀봉 박스(20) 내에서 상기 레이저 빔(BEAM)의 오염을 방지하고, 안정화를 위해, 상기 밀봉 박스(20) 내에는 불활성 가스 예컨대 질소(N2) 가스가 충진되어 있을 수 있다.
이때, 상기 레이저 조사 장치가 지속적으로 사용되는 경우, 상기 빔 커터(100)는 지속적 상기 레이저 빔(BEAM)이 조사되며, 이에 따라 상기 빔 커터(100)의 온도가 상승하는 것을 확인하였다.
이때, 상대적으로 저온인 상기 질소 가스와 온도가 상승된 상기 빔 커터(100)에 의해, 상기 빔 커터(100) 주변에 대류 현상으로 인한 열기류가 발생하고, 상기 열기류에 의해, 상기 레이저 빔(BEAM)의 가장자리 부분에서 레이저 에너지(Laser Energy)의 산포가 발생하며 이에 따라 투과율 저하되는 것을 확인하였다.
상기 레이저 에너지의 산포로 인해, 폴리 실리콘의 균일성이 저하되며 결정화 불균일이 발생되며, 이에 따라 피처리 기판에서 얼룩으로 시인된다. 따라서, 상기 열기류 발생을 방지할 수 있는 빔 커터의 구조가 필요하다.
본 실시예에 따르면, 상기 빔 커터(100)의 특정 부분의 온도 상승을 최소화 하기 위해서 상기 빔 커터(100)의 구성 물질을 비열이 높은 물질로 적용하는 것이 바람직하다. 평가를 통해 비열이 0.7[J/g℃] 이상인 물질으로 적용하였을 때, 상기 피처리 기판에서 시인되는 얼룩이 최소화 됨을 확인 하였다. 아래 <표1>은, 상기 빔 커터(100)의 물질에 따른 비열과 이를 적용하였을 때, 상기 피처리 기판에 얼룩의 시인 여부와 사용 가능 여부를 나타낸 표이다.
<표1>
이에 따르면, 상기 빔 커터(100)를 비열이 0.7[J/g℃] 이상인 물질인 코디에라이트, 알루미나, 쿼츠 등을 사용하여 형성한 경우, 피처리 기판의 얼룩이 최소화 됨을 알 수 있었다.
또한, 상기 레이저 빔(BEAM)이 조사되는 상기 빔 커터(100)의 상면에는 난반사 코팅층이 형성될 수 있다. 상기 난반사 코팅층은 특정한 파장의 광을 반사시키기위한 코팅층일 수 있다. 특히, 상기 레이저 빔(BEAM)은 레이저의 종류에 따라 피크 파장이 다를 수 있는데, 예를 들면, 상기 레이저 빔(BEAM)은 XeCl, XeF, Nd-YAG 등을 이용하여 형성될 수 있으며, 이 때, 상기 레이저의 피크 파장은 각각 308nm, 351nm, 532nm일 수 있다. 상기 난반사 코팅층은 상기 레이저의 피크 파장에 대한 반사율이 높은 난반사 코팅층이 적용될 수 있다.
즉, 상기 레이저 빔(BEAM)이 XeCl을 이용하여 형성되는 경우, 상기 난반사 코팅은 308nm 파장의 반사율이 다른 범위의 파장에 대한 반사율보다 높을 수 있다. 상기 레이저 빔(BEAM)이 XeF을 이용하여 형성되는 경우, 상기 난반사 코팅은 351nm 파장의 반사율이 다른 범위의 파장에 대한 반사율보다 높을 수 있다. 상기 레이저 빔(BEAM)이 Nd-YAG 을 이용하여 형성되는 경우, 상기 난반사 코팅은 532nm 파장의 반사율이 다른 범위의 파장에 대한 반사율보다 높을 수 있다.
상기 공정 챔버(30)는 상기 밀봉 박스(20)의 하부에 배치될 수 있다. 상기 공정 챔버(30)는 피처리 기판(40)을 지지 및 이송할 수 있는 스테이지(35)를 포함할 수 있다. 상기 스테이지(35)는 상기 피처리 기판(40)을 상기 제2 방향(D2)으로 이동시키며, 상기 레이저 빔(BEAM)이 상기 피처리 기판(40)의 전체에 대해 스캔(scan)될 수 있도록 할 수 있다. 상기 피처리 기판(40) 상에는 아몰퍼스 실리콘 층이 형성될 수 있으며, 상기 아몰퍼스 실리콘 층에 상기 레이저 빔(BEAM)이 조사되어 폴리 실리콘 층이 형성될 수 있다.
도 3a, 3b, 3c, 3d 및 3e는 본 발명의 여러 실시예에 따른 레이저 조사 장치의 빔 커터들을 도시한 도면들이다.
도 2 및 3a 내지 3e 를 참조하면, 상기 빔 커터(100)의 상면에는 다양한 형태의 요철이 형성될 수 있다. 상기 빔 커터(100)의 상기 상면은 레이저 빔이 조사되는 면이다.
상기 레이저 조사 장치가 지속적으로 사용되는 경우, 상기 빔 커터(100)는 지속적 상기 레이저 빔(BEAM)이 조사되며, 이에 따라 상기 빔 커터(100)의 온도가 상승하는데 상기 빔 커터(100)의 상기 요철 구조에 의해 상기 레이저 빔(BEAM)이 산란될 수 있으며, 이에 따라 상기 레이저 빔(BEAM)이 상기 빔 커터(100)의 특정 부분에 집중되지 않으며 따라서, 상기 빔 커터(100)의 특정 부분의 온도 상승을 최소화 할 수 있다.
예를 들면, 도 3a 또는 도 3b에서와 같이, 상기 빔 커터(100)의 상면 상에는 가로 또는 세로 방향의 그루브가 반복적으로 배치되여 요철 구조를 형성할 수 있다. 도 3c 에서와 같이 바둑판 식(tile)으로 반복적으로 배열되는 요철 구조를 가질 수도 있다. 도 3d 또는 도 3e에서와 같이 요철의 단면이 삼각형, 또는 반원 모양의 경우도 가능하다.
도 2 및 3 a 내지 3e 에는 상기 요철의 다양한 구조들이 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않는다.
도 4a, 4b 및 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 조사 장치의 빔 커터를 도시한 도면들이다. 도 4a는 상기 레이저 조사 장치의 상기 빔 커터의 사시도이다. 도 4b는 상기 레이저 조사 장치의 상기 빔 커터의 상부 플레이트의 평면도이다. 도 4c는 상기 레이저 조사 장치의 측면도이다.
도 4a 내지 4c를 참조하면, 상기 빔 커터(200)는 상부 플레이트(210) 및 하부 플레이트(220)를 포함할 수 있다.
상기 상부 플레이트(210)에는 복수의 개구(212)들이 형성될 수 있다. 상기 상부 플레이트(210)의 상면 및 하면에는 도 3a, 3b, 3c, 3d 및 3e 등에 도시된 요철이 더 형성될 수 있다.
상기 하부 플레이트(220)는 상기 상부 플레이트(210)와 제3 방향(D3)이격되어 배치될 수 있다. 이에 따라 상기 상부 플레이트(210)와 상기 하부 플레이트(220) 사이에는 공간이 형성될 수 있다.
상기 하부 플레이트(220)의 상면에는 도 3a, 3b, 3c, 3d 및 3e 등에 도시된 요철이 더 형성될 수 있다.
상기 빔 커터(200)에 입사되는 레이저 빔(도 2의 BEAM 참조)은 상기 상부 플레이트(210)의 상기 상면에서 1차로 산란되어 소실될 수 있다. 상기 상부 플레이트(210)의 상기 개구(212)를 통과한 상기 레이저 빔은 상기 하부 플레이트(220)의 상면에서 반사 및 산란되고, 상기 상부 플레이트(210)의 상기 하면에서 반사 및 산란되어, 상기 상부 플레이트(210)와 상기 하부 플레이트(220) 사이의 상기 공간 내에서 2차적으로 소실될 수 있다. 이에 따라, 상기 빔 커터(100)의 특정 부분의 온도 상승을 최소화 할 수 있다.
도 5a, 5b 및 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 조사 장치의 빔 커터를 도시한 도면들이다.
도 5a, 5b 및 5c를 참조하면, 상기 빔 커터(300)는 히트 싱크(330)를 더 포함하는 것을 제외하고, 도 4a 내지 4c의 빔 커터(200)와 실질적으로 동일할 수 있다. 따라서 반복되는 설명은 생략한다.
상기 빔 커터(300)는 상부 플레이트(310), 하부 플레이트(320) 및 히트 싱크(330)를 포함할 수 있다.
상기 상부 플레이트(310)에는 복수의 개구(312)들이 형성될 수 있다. 상기 하부 플레이트(320)는 상기 상부 플레이트(310)와 제3 방향(D3)이격되어 배치될 수 있다.
상기 히트 싱크는 상기 상부 플레이트(310)와 상기 하부 플레이트(320)가 형성하는 공간에 배치될 수 있다. 상기 히트 싱크는 열 전도율이 높은 금속 등을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 히트 싱크는 격자 형태를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 상부 플레이트(310)의 상기 개구(312)를 통과한 레이저 빔이 상기 히트 싱크(330)의 상기 격자의 개구들 사이로 통과되어, 상기 하부 플레이트(320)의 상면에서 산란되어 소실될 수 있다.
상기 상부 플레이트(310)와 상기 하부 플레이트(320)에서 발생하는 열이 상기 히트 싱크에 의해 분산되어 외부로 배출될 수 있다. 이에 따라 상기 빔 커터(300)의 특정 부분의 온도 상승을 최소화 할 수 있다.
도 6a 및 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 조사 장치의 빔 커터를 도시한 도면들이다.
도 6a 및 6b를 참조하면, 상기 빔 커터(400)는 상부 플레이트(410), 하부 플레이트(420) 및 중간 플레이트(430)를 포함할 수 있다.
상기 상부 플레이트(410)는 비열이 0.7 [J/g℃] 이상인 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 상부 플레이트(410)는 코디에라이트, 알루미나, 쿼츠 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 하부 플레이트(420)는 상기 상부 플레이트(420) 아래 배치될 수 있다. 상기 하부 플레이트(420)는 비열이 0.7 [J/g℃] 이상인 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 하부 플레이트(420)는 코디에라이트, 알루미나, 쿼츠 등을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 중간 플레이트(430)는 상기 하부 플레이트(420)와 상기 상부 플레이트(410) 사이에 배치되어, 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트와 접촉할 수 있다. 상기 중간 플레이트(430)는 상기 상부 또는 하부 플레이트(410, 420)보다 열 전도도가 높은 금속을 포함할 수 있다. 이에 따라, 상기 빔 커터(400)의 일부에 집중되는 레이저 빔에 의한 열이 상기 중간 플레이트(430)를 통해 확산되며, 이에 따라 상기 빔 커터(400)의 특정 부분의 온도 상승을 최소화 할 수 있다.
도 7a 및 7b는 종래의 레이저 조사 장치를 사용한 경우와 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치를 사용한 경우, 제품 생산 가능 범위를 비교한 도면들이다.
도 7a 를 참조하면, 종래 기술에 따른 레이저 조사 장치를 이용하여 피처리 기판(40)의 아몰퍼스 실리콘 층(미도시)에 레이저 빔(BEAM)을 조사할 수 있다. 이에 따라 폴리 실리콘 층을 형성할 수 있다.
상기 종래 기술에 따른 레이저 조사 장치에 의하면, 빔 커터(2)는 SUS 304 등의 스테인리스스틸 재질로 형성되며, 상기 빔 커터(2)의 온도가 올라감에 따라 열기류가 발생하여 상기 레이저 빔(BEAM)의 가장자리 부분에서 레이저 에너지(Laser Energy)의 산포가 발생하며 이에 따라 투과율이 저하되어, 상기 피처리 기판(40) 상에 상기 폴리 실리콘의 결정화가 불균일한 얼룩(SP)이 형성된다. 이에 따라 실제 상기 레이저 빔(BEAM)이 조사되는 영역 보다 작은 영역이 제품 생산 가능 영역(AA)이 되고 제품 생산 불가 영역인 주변 영역(PA)이 원하는 면적보다 더 커지므로, 표시 장치 등의 제조 공정의 효율이 떨어지는 문제가 있다.
한편, 빔 커터를 사용하지 않는 경우, 상기 레이저 빔(BEAM)의 산안에 의해, 상기 피처리 기판(40)의 외곽 부분의 폴리 실리콘의 결정화가 불균일한 부분이 많아 제품 생산 가능 범위가 더 줄어들게 된다.
도 7b 를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른, 레이저 조사 장치를 이용하여 피처리 기판(40)의 아몰퍼스 실리콘 층(미도시)에 레이저 빔(BEAM)을 조사할 수 있다. 이에 따라 폴리 실리콘 층을 형성할 수 있다.
상기 레이저 조사 장치에 의하면, 빔 커터(100)는 특유의 재질, 구조 등에 의해 특정 부분의 온도 상승을 최소화 할 수 있으며, 이에 따라 열기류 발생이 최소화 될 수 있다. 즉, 상기 피처리 기판(40) 상에 상기 폴리 실리콘의 결정화가 균일하게 이루어지며, 이에 따라 실제 상기 레이저 빔(BEAM)이 조사되는 영역과 동일한 범위가 제품 생산 가능 영역(AA)이 되고, 제품 생산 불가 영역인 주변 영역(PA)이 최소화 되므로, 표시 장치 등의 제조 공정의 효율이 향상될 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 광학계 20: 밀봉 박스
12, 22: 윈도우 30: 공정 챔버
35: 스테이지 40: 피처리 기판
100, 200, 300, 400: 빔 커터
BEAM: 레이저 빔
210, 310, 410: 상부 플레이트
220, 320, 420: 하부 플레이트
212, 312: 개구 330: 히트 싱크
430: 중간 플레이트
AA: 제품 생산 가능 영역 SP: 얼룩
PA: 주변 영역
12, 22: 윈도우 30: 공정 챔버
35: 스테이지 40: 피처리 기판
100, 200, 300, 400: 빔 커터
BEAM: 레이저 빔
210, 310, 410: 상부 플레이트
220, 320, 420: 하부 플레이트
212, 312: 개구 330: 히트 싱크
430: 중간 플레이트
AA: 제품 생산 가능 영역 SP: 얼룩
PA: 주변 영역
Claims (17)
- 복수의 렌즈들을 포함하고, 제1 방향 및 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향이 이루는 평면 상에서, 상기 제1 방향으로 긴 직사각형 형태의 레이저 빔(BEAM)을 발생하여, 상기 레이저 빔을 상기 제1 및 제2 방향과 수직한 제3 방향으로 조사하는 광학계;
상기 레이저 빔의 상기 제1 방향의 양 끝단을 차단하는 빔 커터를 포함하고, 상기 광학계와 상기 제3 방향으로 인접하는 밀봉 박스;
상기 빔 커터를 통과한 상기 레이저 빔이 조사되는 피처리 기판을 지지하는 스테이지를 포함하고, 상기 밀봉 박스와 상기 제3 방향으로 인접하는 공정 챔버를 포함하고,
상기 빔 커터는 비열이 0.7 [J/g℃] 이상인 물질을 포함하며,
상기 제3 방향에서 바라볼 때, 상기 빔 커터는 상기 피처리 기판에 대한 상기 레이저 빔의 조사 영역과 이격되고,
상기 광학계로부터 발생한 상기 제1 방향으로 긴 직사각형 형태의 상기 레이저 빔이 조사되는 상기 빔 커터의 상면에는 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 빔 커터는 코디에라이트, 알루미나 및 쿼츠 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 빔 커터의 표면에 형성되는 난반사 코팅층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제3 항에 있어서,
상기 난반사 코팅층은 상기 레이저 빔의 파장에 대한 반사율이 다른 범위의 파장에 대한 반사율보다 높은 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제4 항에 있어서,
상기 레이저 빔은 XeCl 을 이용하여 형성되고, 상기 난반사 코팅은 308nm 파장의 반사율이 다른 범위의 파장에 대한 반사율보다 높거나,
상기 레이저 빔은 XeF 을 이용하여 형성되고, 상기 난반사 코팅은 351nm 파장의 반사율이 다른 범위의 파장에 대한 반사율보다 높거나,
상기 레이저 빔은 Nd-YAG 을 이용하여 형성되고, 상기 난반사 코팅은 532nm 파장의 반사율이 다른 범위의 파장에 대한 반사율보다 높은 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 삭제
- 제1 항에 있어서,
상기 빔 커터는 개구가 형성된 상부 플레이트 및 상기 상부 플레이트와 이격되어 배치되는 하부 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 상부 플레이트와 마주보는 상기 하부 플레이트의 상면에는 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 상부 플레이트와 상기 하부 플레이트 사이에 배치되는 히트 싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 빔 커터는,
하부 플레이트;
상기 하부 플레이트 상에 배치되는 상부 플레이트; 및
상기 하부 플레이트와 상기 상부 플레이트 사이에 배치되어, 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트와 접촉하는 중간 플레이트를 포함하고,
상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트는 비열이 0.7 [J/g℃] 이상인 물질을 포함하고,
상기 중간 플레이트는 상기 상부 또는 하부 플레이트보다 열 전도도가 높은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 복수의 렌즈들을 포함하고, 제1 방향 및 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향이 이루는 평면 상에서, 상기 제1 방향으로 긴 직사각형 형태의 레이저 빔(BEAM)을 발생하여, 상기 레이저 빔을 상기 제1 및 제2 방향과 수직한 제3 방향으로 조사하는 광학계;
상기 레이저 빔의 상기 제1 방향의 양 끝단을 차단하는 빔 커터를 포함하고, 상기 광학계와 상기 제3 방향으로 인접하는 밀봉 박스;
상기 빔 커터를 통과한 상기 레이저 빔이 조사되는 피처리 기판을 지지하는 스테이지를 포함하고, 상기 밀봉 박스와 상기 제3 방향으로 인접하는 공정 챔버를 포함하고,
상기 빔 커터는 개구가 형성된 상부 플레이트 및 상기 상부 플레이트와 이격되어 배치되는 하부 플레이트를 포함하며,
상기 제3 방향에서 바라볼 때, 상기 빔 커터는 상기 피처리 기판에 대한 상기 레이저 빔의 조사 영역과 이격되고,
상기 광학계로부터 발생한 상기 제1 방향으로 긴 직사각형 형태의 상기 레이저 빔이 조사되는 상기 상부 플레이트의 상면에는 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 상부 플레이트의 하면 및 상기 상부 플레이트와 마주보는 상기 하부 플레이트의 상면에는 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 빔 커터는,
상기 하부 플레이트와 상기 상부 플레이트 사이에 배치되어, 상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트와 접촉하는 중간 플레이트를 더 포함하고,
상기 상부 플레이트 및 상기 하부 플레이트는 비열이 0.7 [J/g℃] 이상인 물질을 포함하고,
상기 중간 플레이트는 상기 상부 또는 하부 플레이트보다 열 전도도가 높은 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 빔 커터는 비열이 0.7 [J/g℃] 이상인 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 빔 커터는 코디에라이트, 알루미나 및 쿼츠 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 상부 플레이트와 상기 하부 플레이트 사이에 배치되는 히트 싱크를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치. - 제16 항에 있어서,
상기 히트 싱크는 격자 형태인 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치.
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| KR20220168800A (ko) | 2021-06-17 | 2022-12-26 | 에이피시스템 주식회사 | 레이저 빔 커터 및 그 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257173A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Sony Corp | エネルギービーム改質方法およびエネルギービーム改質装置 |
| JP2008218741A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Ulvac Japan Ltd | レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10223554A (ja) * | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Japan Steel Works Ltd:The | レーザ照射装置 |
| CN1163814A (zh) * | 1997-04-29 | 1997-11-05 | 王慰平 | 激光束径切割器 |
| CN100356198C (zh) * | 2003-11-27 | 2007-12-19 | 北京光电技术研究所 | 漫射靶及应用该漫射靶的激光光束诊断系统及其诊断方法 |
| KR101097915B1 (ko) * | 2005-02-07 | 2011-12-23 | 삼성전자주식회사 | 레이저 장치 및 이를 이용한 박막트랜지스터의 제조방법 |
| CN106195924B (zh) * | 2013-06-08 | 2019-05-03 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 一种波长转换装置及其制作方法、相关发光装置 |
| KR101828992B1 (ko) * | 2013-10-21 | 2018-02-14 | 에이피시스템 주식회사 | 레이저 열 처리 장치 |
| CN105732118B (zh) * | 2014-12-11 | 2020-03-24 | 深圳光峰科技股份有限公司 | 漫反射材料、漫反射层、波长转换装置以及光源系统 |
| KR101862088B1 (ko) * | 2016-03-03 | 2018-05-30 | 에이피시스템 주식회사 | Ela 공정용 레이저 빔 조절 모듈 |
-
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- 2019-02-19 CN CN201910121865.6A patent/CN110181176B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001257173A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Sony Corp | エネルギービーム改質方法およびエネルギービーム改質装置 |
| JP2008218741A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Ulvac Japan Ltd | レーザーアニール装置及びレーザーアニール方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| CN110181176A (zh) | 2019-08-30 |
| CN110181176B (zh) | 2023-01-06 |
| KR20190100995A (ko) | 2019-08-30 |
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