KR102601529B1 - 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자 - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 화학식 1의 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
Description
본 출원은 2020년 7월 24일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2020-0092277호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
X1은 O 또는 S이고,
Y1 내지 Y5 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 CR3이며,
R1 및 R2은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있으며,
R3는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환되고, N을 포함하는 6원환을 포함하는 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환되고, O, 또는 S를 포함하는 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있고,
L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 알킬렌기; 치환 또는 비치환된 알케닐렌기; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴렌기이며,
l1은 1 내지 5의 정수이고,
m은 1 또는 2이며,
n은 1 내지 4의 정수이고,
상기 l1이 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 L1는 서로 같거나 상이하며,
상기 n이 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 는 서로 같거나 상이하고,
는 상기 L1이 화학식 1에 결합되는 부위를 의미한다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자의 유기물층의 재료로서 사용될 수 있고, 이를 사용함으로써 유기 발광 소자에서 효율의 향상, 낮은 구동전압 및/또는 수명 특성의 향상이 가능하다.
도 1 및 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화학식 1은 잔텐 또는 티오잔텐 코어에 시아노기와 N함유 단환 헤테로고리기 유도체 치환기가 각각 결합되는 구조이며, 유기 발광 소자의 유기물층에 포함되어 효율의 향상, 낮은 구동전압 및 수명 특성의 향상이 가능하다.
구체적으로, 상기 화학식 1의 N함유 헤테로고리기 유도체 및 시아노기는 전자 공핍 구조를 가짐으로 분자의 극성(dipole moment)을 높일 수 있기 때문에 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자의 제작 시 전자이동도를 원활히 조절하여, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자의 효율 및 수명을 향상 시킬 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 화합물의 잔텐 및 티오잔텐의 구조로 인한 입체 장애는 필름 형성 시 발생하는 결정화를 방지하고, 높은 열 안정성을 유지하여 높은 증착 온도에도 매우 안정한 효과가 있다. 따라서, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물을 포함하는 유기 발광 소자는 효율의 향상, 낮은 구동전압 및 수명 특성의 향상 등이 가능하다.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 는 연결되는 부위를 의미한다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 같거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 시아노기; 알킬기; 시클로알킬기; 알콕시기; 알케닐기; 할로알킬기; 실릴기; 붕소기; 아민기; 아릴기; 및 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 이상의 치환기로 치환되었거나, 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 2 이상의 치환기가 연결된다는 것은 어느 하나의 치환기의 수소가 다른 치환기와 연결된 것을 말한다. 예컨대, 2개의 치환기가 연결되는 것은 페닐기와 나프틸기가 연결되어 또는 의 치환기가 될 수 있다. 또한, 3개의 치환기가 연결되는 것은 (치환기 1)-(치환기 2)-(치환기 3)이 연속하여 연결되는 것뿐만 아니라, (치환기 1)에 (치환기 2) 및 (치환기 3)이 연결되는 것도 포함한다. 예컨대, 페닐기, 나프틸기 및 이소프로필기가 연결되어 , , 또는 의 치환기가 될 수 있다. 4 이상의 치환기가 연결되는 것에도 전술한 정의가 동일하게 적용된다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 2-메틸펜틸, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 30인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 아다만틸기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알콕시기는 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시, 에톡시, n-프로폭시, 이소프로폭시, n-부톡시, 이소부톡시, tert-부톡시, sec-부톡시, n-펜틸옥시, 네오펜틸옥시, 이소펜틸옥시, n-헥실옥시, 3,3-디메틸부틸옥시, 2-에틸부틸옥시, n-옥틸옥시, n-노닐옥시, n-데실옥시, 벤질옥시, p-메틸벤질옥시 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 할로알킬기는 상기 알킬기의 정의 중 알킬기의 수소 대신 적어도 하나의 할로겐기가 치환되는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하며, 상기 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다.
상기 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라센기, 페난트렌기, 트리페닐렌기, 파이렌기, 페날렌기, 페릴렌기, 크라이센기, 플루오렌기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오렌기는 치환될 수 있으며, 인접한 기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오렌기가 치환되는 경우, 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, "인접한" 기는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오르토(ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 "인접한" 기로 해석될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 30인 것이 바람직하며, 상기 헤테로아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 피리딘기, 바이피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딘기, 피리다진기, 피라진기, 퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 프탈라진기, 피리도 피리미딘기, 피리도 피라진기, 피라지노 피라진기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨란기, 페난트리딘기(phenanthridine), 페난쓰롤린기(phenanthroline), 이소옥사졸기, 티아디아졸기, 디벤조퓨란기, 디벤조실롤기, 페노크산틴기(phenoxathiine), 페녹사진기(phenoxazine), 페노티아진기(phenothiazine), 디하이드로인데노카바졸기, 스피로플루오렌잔텐기 및 스피로플루오렌티옥산텐기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서 있어서, 상기 실릴기는 알킬실릴기, 아릴실릴기, 헤테로아릴실릴기 등일 수 있다. 상기 알킬실릴기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시가 적용될 수 있고, 상기 아릴실릴기 중 아릴기는 전술한 아릴기의 예시가 적용될 수 있으며, 상기 헤테로아릴실릴기 중 헤테로아릴기는 상기 헤테로아릴기의 예시가 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 붕소기는 -BR100R101일 수 있으며, 상기 R100 및 R101은 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; 니트릴기; 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 상기 붕소기는 구체적으로 디메틸붕소기, 디에틸붕소기, t-부틸메틸붕소기, 디페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NH2, 알킬아민기, N-알킬아릴아민기, 아릴아민기, N-아릴헤테로아릴아민기, N-알킬헤테로아릴아민기, 및 헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 바이페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐바이페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, N-바이페닐나프틸아민기; N-나프틸플루오레닐아민기, N-페닐페난트레닐아민기, N-바이페닐페난트레닐아민기, N-페닐플루오레닐아민기, N-페닐터페닐아민기, N-페난트레닐플루오레닐아민기, N-바이페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, N-알킬아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 아릴기가 치환된 아민기를 의미한다. 상기 N-알킬아릴아민기 중의 알킬기와 아릴기는 전술한 알킬기 및 아릴기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, N-아릴헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 아릴기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다. 상기 N-아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기와 헤테로아릴기는 전술한 아릴기 및 헤테로아릴기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, N-알킬헤테로아릴아민기는 아민기의 N에 알킬기 및 헤테로아릴기가 치환된 아민기를 의미한다. 상기 N-알킬헤테로아릴아민기 중의 알킬기와 헤테로아릴기는 전술한 알킬기 및 헤테로아릴기의 예시와 같다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 디아릴아민기가 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노헤테로아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 디헤테로아릴아민기가 있다. 상기 헤테로아릴기가 2 이상을 포함하는 헤테로아릴아민기는 단환식 헤테로아릴기, 다환식 헤테로아릴기, 또는 단환식 헤테로아릴기와 다환식 헤테로아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 헤테로아릴아민기 중의 헤테로아릴기는 전술한 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 치환기 중 "인접한 기는 서로 결합하여 고리를 형성한다"는 의미는 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 형성하는 것을 의미한다. 예컨대, 상기 화학식 1에 있어서, 상기 Y2 및 Y3가 각각 독립적으로 CR3인 경우, 각각의 R3가 "인접한 기"일 수 있다. 또한, Y1이 CR3인 경우, R3와 L1이 "인접한 기"일 수 있다.
본 명세서에 있어서, 서로 결합하여 형성되는 치환 또는 비치환된 고리에서, "고리"는 치환 또는 비치환된 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 탄화수소고리는 방향족 탄화수소 고리, 지방족 탄화수소고리, 또는 방향족 탄화수소와 지방족 탄화수소의 축합고리일 수 있으며, 상기 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 시클로알킬기 또는 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리는 탄소가 아닌 원자, 이종원자를 1 이상 포함하는 것으로서, 구체적으로 상기 이종 원자는 O, N, Se 및 S 등으로 이루어진 군에서 선택되는 원자를 1 이상 포함할 수 있다. 상기 헤테로고리는 단환 또는 다환일 수 있으며, 방향족, 지방족 또는 방향족과 지방족의 축합고리일 수 있으며, 상기 방향족 헤테로고리는 1가가 아닌 것을 제외하고 상기 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 지방족 헤테로고리란 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족 고리를 의미한다. 지방족 헤테로고리의 예로는, 옥시레인(oxirane), 테트라하이드로퓨란, 1,4-디옥세인(1,4-dioxane), 피롤리딘, 피페리딘, 모르폴린(morpholine), 옥세판, 아조케인, 티오케인 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알킬렌기는 알킬기에 결합위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 알킬기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 알케닐렌기는 알케닐기에 결합위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 알케닐기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴렌기는 헤테로아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
이하, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물에 관하여 상세히 설명한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X1은 O이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X1은 S이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시된다.
[화학식 2]
[화학식 3]
상기 화학식 2 및 3에 있어서,
R1, R2, Y1 내지 Y5, L1, l1, m 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 m은 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 m은 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 n은 1 이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 n은 2 이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 n은 3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 n은 4이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4 또는 5로 표시된다.
[화학식 4]
[화학식 5]
상기 화학식 4 및 5에 있어서,
X1, R1, R2, Y1 내지 Y5, L1 및 l1은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화학식 6 내지 9 중 어느 하나로 표시된다.
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
상기 화학식 6 내지 9에 있어서,
R1, R2, Y1 내지 Y5, L1 및 l1은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 l1은 1이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 l1은 2이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 l1은 3이다.
본 명세서에서 상기 화학식 1에 있어서, l1이 2 이상인 경우, 2 이상의 L1는 서로 같거나 상이하며, 각각의 L1은 직렬로 연결되는 것을 의미한다. 예컨대, l1이 3이고, L1가 각각 페닐렌기, 나프틸렌기, 및 페닐렌기인 경우, 하기와 같이 연결될 수 있으나, 이에만 한정되는 것이 아니고, 각 L1의 순서 또는 연결위치가 상이할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 은 예컨대, 상기 l1가 3인 경우, 상기 예시된 구조에서 세번째 위치한 말단의 치환기 즉, 페닐렌기에 결합되는 것을 의미한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 내지 Y5 중 적어도 1개는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 내지 Y5 중 적어도 2개는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 내지 Y5 중 적어도 3개는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 내지 Y5 중 어느 하나는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 내지 Y5 중 어느 2개는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 내지 Y5 중 어느 3개는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1는 N이고, Y2 내지 Y5는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y2는 N이고, Y1 및 Y3 내지 Y5는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y3는 N이고, Y1, Y2, Y4 및 Y5는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 및 Y5는 N이고, Y2 내지 Y4는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 및 Y3는 N이고, Y2, Y4 및 Y5는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y2 및 Y4는 N이고, Y1, Y3 및 Y5 는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y3 및 Y5는 N이고, Y1, Y2 및 Y4 는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1 및 Y2는 N이고, Y3 내지 Y5는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y4 및 Y5는 N이고, Y1 내지 Y3는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y2 및 Y3는 N이고, Y1, Y4 및 Y5는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y3 및 Y4는 N이고, Y1, Y2 및 Y5 는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 Y1, Y3 및 Y5는 N이고, Y2 및 Y4 는 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 CR3이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 는 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나이다.
상기 구조에 있어서,
R31 내지 R35는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 10의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나, 서로 결합하여 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나, 서로 결합하여 탄소수 3 내지 20의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나, 서로 결합하여 탄소수 3 내지 10의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 에틸기; 또는 이소프로필기이거나, 서로 결합하여 시클로헥산; 또는 시클로펜탄을 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 메틸기; 에틸기; 또는 이소프로필기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 10의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 결합하여 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 결합하여 탄소수 3 내지 20의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 결합하여 탄소수 3 내지 10의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 결합하여 시클로헥산; 또는 시클로펜탄을 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 치환 또는 비치환되고, N을 포함하는 6원환을 포함하는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환되고, O, 또는 S를 포함하는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기; 치환 또는 비치환되고, N을 포함하는 6원환을 포함하는 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환되고, O, 또는 S를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3는 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 시아노기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기, 시아노기로 치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 시아노기, 또는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환되고, N을 포함하는 6원환을 포함하는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기; 또는 시아노기, 또는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환되고, O, 또는 S를 포함하는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3는 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 시아노기, 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기, 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기, 시아노기로 치환된 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기; 시아노기, 또는 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환되고, N을 포함하는 6원환을 포함하는 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기; 또는 시아노기, 또는 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환되고, O, 또는 S를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리; 또는 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R3는 수소; 중수소; 메틸기; 시아노기, 시아노기로 치환 또는 비치환된 피리딘기, 시아노기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기, 시아노기로 치환 또는 비치환된 터페닐기, 카바졸기, 페녹사진기, 퀴놀린기, 트리페닐렌기, 페노티아진기, 시아노기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기, 벤조카바졸기, 페닐기로 치환 또는 비치환된 페나진기, 플루오란텐기, 메틸기로 치환 또는 비치환된 디하이드로아크리딘기, 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 메틸기, 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 피리딘기; 페난트렌기; 시아노기, 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 터페닐기; 쿼터페닐기; 시아노기, 또는 카바졸기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 시아노기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 시아노기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 페날렌기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 트리페닐렌기; 또는 플루오란텐기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 벤젠; 또는 벤조퓨란을 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R31 내지 R35는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 치환 또는 비치환되고, N을 포함하는 6원환을 포함하는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환되고, O, 또는 S를 포함하는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R31 내지 R35는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기; 치환 또는 비치환되고, N을 포함하는 6원환을 포함하는 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환되고, O, 또는 S를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R31 내지 R35는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 시아노기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기, 시아노기로 치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 시아노기, 또는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환되고, N을 포함하는 6원환을 포함하는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기; 또는 시아노기, 또는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환되고, O, 또는 S를 포함하는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R31 내지 R35는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 시아노기, 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기, 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기, 시아노기로 치환된 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기; 시아노기, 또는 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환되고, N을 포함하는 6원환을 포함하는 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기; 또는 시아노기, 또는 탄소수 1 내지 20의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환되고, O, 또는 S를 포함하는 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리; 또는 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R31 내지 R35는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 메틸기; 시아노기로 치환 또는 비치환된 피리딘기, 디벤조퓨란기, 시아노기로 치환 또는 비치환된 터페닐기, 카바졸기, 페녹사진기, 퀴놀린기, 트리페닐렌기, 페노티아진기, 디벤조티오펜기, 벤조카바졸기, 페닐기로 치환 또는 비치환된 페나진기, 플루오란텐기, 메틸기로 치환 또는 비치환된 디하이드로아크리딘기, 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 나프틸기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 메틸기, 또는 시아노기로 치환 또는 비치환된 피리딘기; 페난트렌기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 터페닐기; 쿼터페닐기; 시아노기, 또는 카바졸기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 디벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 페날렌기; 메틸기로 치환 또는 비치환된 플루오렌기; 트리페닐렌기; 또는 플루오란텐기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 벤젠; 벤조티오펜; 또는 벤조퓨란을 형성할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 직접결합; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 직접결합; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 직접결합; 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 탄소수 2 내지 20의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 직접결합; 페닐렌기; 바이페닐릴렌기; 터페닐릴렌기; 나프틸렌기; 2가의 피리딘기; 2가의 퓨란기; 또는 2가의 티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 R3와 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 R3와 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 R3와 결합하여 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 R3와 결합하여 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 R3와 결합하여 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 R3와 결합하여 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 L1은 R3와 결합하여 벤젠을 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나, 서로 결합하여 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있고, 상기 R3는 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 시아노기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기, 시아노기로 치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 시아노기, 또는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성할 수 있으며, 상기 L1은 직접결합; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 는 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나이다.
상기 구조에 있어서, R31 내지 R35의 정의는 전술한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 는 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나이다.
상기 구조에 있어서,
L1의 정의는 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하고,
l11은 1 내지 4의 정수이며, 상기 l11이 2 이상인 경우, 2 이상의 L1은 서로 같거나 상이하며,
R31 내지 R34의 정의는 전술한 바와 동일하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나이다.
.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 상기 '층'은 본 기술분야에 주로 사용되는 '필름'과 호환되는 의미이며, 목적하는 영역을 덮는 코팅을 의미한다. 상기 '층'의 크기는 한정되지 않으며, 각각의 '층'은 그 크기가 같거나 상이할 수 있다. 일 실시상태에 따르면, '층'의 크기는 전체 소자와 같을 수 있고, 특정 기능성 영역의 크기에 해당할 수 있으며, 단일 서브픽셀(sub-pixel)만큼 작을 수도 있다.
본 명세서에 있어서, 특정한 A 물질이 B층에 포함된다는 의미는 i) 1종 이상의 A 물질이 하나의 B층에 포함되는 것과 ii) B층이 1층 이상으로 구성되고, A 물질이 다층의 B층 중 1층 이상에 포함되는 것을 모두 포함한다.
본 명세서에 있어서, 특정한 A 물질이 C층 또는 D층에 포함된다는 의미는 i) 1층 이상의 C층 중 1층 이상에 포함되거나, ii) 1층 이상의 D층 중 1층 이상에 포함되거나, iii) 1층 이상의 C층 및 1층 이상의 D층에 각각 포함되는 것을 모두 의미하는 것이다.
본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자를 제공한다.
본 명세서의 유기 발광 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 차단층, 정공 차단층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 전자주입층, 전자 수송층, 또는 전자 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 전자주입층, 전자 수송층, 또는 전자 주입 및 수송층은 상기 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 정공차단층을 포함하고, 상기 정공차단층은 상기 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공 수송층, 또는 정공 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층은 상기 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 또는 정공주입 및 수송층을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 전자 차단층을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 정공 차단층을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 및 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 주입 및 수송층, 정공 차단층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층; 및 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 2층 이상의 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 주입 및 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 주입 및 수송층, 정공 차단층 및 전자 차단층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이에 2층 이상의 정공수송층을 포함한다. 상기 2층 이상의 정공수송층은 서로 동일하거나 상이한 물질을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제1 전극은 애노드 또는 캐소드이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 제2 전극은 캐소드 또는 애노드이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 애노드, 1층 이상의 유기물층 및 캐소드이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 발광 소자는 기판 상에 캐소드, 1층 이상의 유기물층 및 애노드가 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 구조가 도 1 및 2에 예시되어 있다. 상기 도 1 및 2는 유기 발광 소자를 예시한 것이며 이에 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(101) 위에 제1 전극(102), 유기물층(111) 및 제2 전극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기물층에 포함된다.
도 2에는 기판(101) 위에 제1 전극(102), 정공주입층(103), 정공수송층(104), 발광층(105), 전자 주입 및 수송층(106), 및 제2 전극(110)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 전자 주입 및 수송층에 포함된다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 전자주입층, 전자 수송층, 전자 주입 및 수송층, 정공주입층, 정공 수송층, 정공 주입 및 수송층, 또는 정공차단층이 상기 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 애노드를 형성하고, 그 위에 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 캐소드로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질, 유기물층 및 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 캐소드 물질로부터 유기물층, 애노드 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다. 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 애노드 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 예를 들어, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 캐소드 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 예를 들어, 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로, 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 호스트는 하기 화학식 H-1로 표시되는 화합물을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
[화학식 H-1]
상기 화학식 H-1에 있어서,
L20 및 L21은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기이고,
Ar20 및 Ar21은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
R201은 수소; 중수소; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고,
r201은 1 내지 8의 정수이며, 상기 r201이 2 이상인 경우, 2 이상의 R201은 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L20 및 L21은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 2가의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L20 및 L21은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 직접결합; 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐렌기; 중수소로 치환 또는 비치환된 바이페닐릴렌기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸렌기; 2가의 디벤조퓨란기; 또는 2가의 디벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar20 및 Ar21은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리기다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar20 및 Ar21은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 내지 4환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 20의 단환 내지 4환의 헤테로고리기다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar20 및 Ar21은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소, 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소, 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 티오펜기; 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란기; 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프토벤조퓨란기; 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜기; 또는 탄소수 6 내지 20의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 나프토벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar20 및 Ar21은 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 중수소로 치환 또는 비치환된 페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 바이페닐기; 터페닐기; 중수소로 치환 또는 비치환된 나프틸기; 페닐기로 치환 또는 비치환된 티오펜기; 페난트렌기; 디벤조퓨란기; 나프토벤조퓨란기; 디벤조티오펜기; 또는 나프토벤조티오펜기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 Ar20은 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이고, 상기 Ar21은 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R201은 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 H-1은 하기 화합물로 표시된다.
상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로, 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아민기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아민기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있다. 또한, 스티릴아민 화합물은 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아민기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 도펀트는 하기 화학식 D-1로 표시되는 화합물을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
[화학식 D-1]
상기 화학식 D-1에 있어서,
T1 내지 T6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이고,
t5 및 t6은 각각 1 내지 4의 정수이며,
상기 t5가 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 T5는 서로 같거나 상이하고,
상기 t6가 2 이상인 경우, 상기 2 이상의 T6는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 T1 내지 T6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 T1 내지 T6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 시아노기, 또는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 T1 내지 T6은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 이소프로필기; 시아노기로 치환된 페닐기; 또는 메틸기로 치환된 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 D-1는 하기 화합물로 표시된다.
상기 정공 주입층은 전극으로부터 정공을 수취하는 층이다. 정공 주입 물질은 정공을 수송하는 능력을 가져 애노드로부터 정공 수취 효과 및 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자 주입층 또는 전자 주입 재료에의 이동을 방지할 수 있는 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 또한, 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 애노드 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는, 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물; 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물; 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물; 페릴렌(perylene) 계열의 유기물; 안트라퀴논, 폴리아닐린과 같은 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이에 한정 되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 정공주입층은 하기 화학식 HI-1 로 표시되는 화합물을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
[화학식 HI-1]
상기 화학식 HI-1에 있어서,
R300 내지 R308은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
r301 및 r302는 각각 1 내지 4의 정수이고,
r303 및 r304는 각각 1 내지 3의 정수이며,
상기 r301이 2 이상인 경우, 상기 R301은 서로 같거나 상이하고,
상기 r302가 2 이상인 경우, 상기 R302는 서로 같거나 상이하며,
상기 r303이 2 이상인 경우, 상기 R303은 서로 같거나 상이하고,
상기 r304가 2 이상인 경우, 상기 R304는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일시상태에 따르면, 상기 R301 내지 R304는 수소이다.
본 명세서의 일시상태에 따르면, 상기 R300은 치환 또는 비치환된 아릴기이다.
본 명세서의 일시상태에 따르면, 상기 R300은 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기이다.
본 명세서의 일시상태에 따르면, 상기 R300은 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R305 내지 R308은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R305 내지 R308은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R305 내지 R308은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기; 또는 페닐기로 치환 또는 비치환된 카바졸기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 HI-1은 하기 화합물로 표시된다.
상기 정공 수송층은 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층이다. 정공 수송 물질로는 애노드나 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 정공수송층은 하기 화학식 HT-1 로 표시되는 화합물을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
[화학식 HT-1]
상기 화학식 HT-1에 있어서,
X'1 내지 X'6 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 CH이며,
R309 내지 R314은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 시아노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 X'1 내지 X'6는 N이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R309 내지 R314는 시아노기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 HT-1은 하기 화합물로 표시된다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 정공수송층은 하기 화학식 HT-2로 표시되는 화합물을 포함하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
[화학식 HT-2]
상기 화학식 HT-2에 있어서,
R315 내지 R317는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성하고,
r315은 1 내지 5의 정수이며, 상기 r315이 2 이상인 경우, 2 이상의 상기 R315은 서로 같거나 상이하며,
r316는 1 내지 5의 정수이고, 상기 r316가 2 이상인 경우, 2 이상의 상기 R316는 서로 같거나 상이하다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R317는 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R317는 카바졸기; 페닐기; 바이페닐기; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나이다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R315 및 R316는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 알킬기로 치환된 방향족탄화수소고리를 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 R315 및 R316는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 페닐기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 메틸기로 치환된 인덴을 형성한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 화학식 HT-2은 하기 화합물로 표시된다.
상기 전자 수송층은 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층이다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자가 상기 화학식 1을 포함하는 전자수송층 이외의 추가의 전자수송층을 포함하는 경우, 전자 수송 물질로는 캐소드로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는, 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이, 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 캐소드 물질은 낮은 일함수를 가지며, 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로, 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨 등이 있고, 각 경우 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자 주입층은 전극으로부터 전자를 수취하는 층이다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자가 상기 화학식 1을 포함하는 전자주입층 이외의 추가의 전자주입층을 포함하는 경우, 전자 주입물로는 전자를 수송하는 능력이 우수하고, 제2 전극으로부터의 전자 수취 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 발광층에서 생성된 엑시톤이 정공 주입층으로 이동하는 것을 방지하고, 박막 형성 능력이 우수한 물질이 바람직하다. 구체적으로는, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 금속 착체 화합물로는 8-히드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-히드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-히드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-히드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 차단층은 전자 주입층으로부터 주입된 전자가 발광층을 지나 정공 주입층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이다. 공지된 재료는 제한 없이 사용 가능하며, 발광층과 정공 주입층 사이에, 또는 발광층과 정공 주입 및 정공 수송을 동시에 하는 층 사이에 형성될 수 있다.
상기 정공 차단층은 정공이 캐소드로 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 전자 주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자가 상기 화학식 1을 포함하는 정공차단층 이외의 추가의 정공차단층을 포함하는 경우, 구체적으로, 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 다양한 전자 장치에 포함되어 사용될 수 있다. 예컨대, 상기 전자 장치는 디스플레이 패널, 터치 패널, 태양광 모듈, 조명 장치 등일 수 있고, 이에 한정되지 않는다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예 등을 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예 및 비교예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예 및 비교예에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예 및 비교예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
[일반식 1]
상기 일반식 1의 방법으로 하기 제조예 2와 같은 중간체를 합성할 수 있다.
제조예 1
상기 화합물 1-1a (95.8 g, 296.2 mmol) 및 dicyanozinc (16.1 g, 137.3 mmol)을 N,N-디메틸아세트아미드 (1000 mL)에 투입하였다. TTP(Tetrakis(triphenylphosphine)palladium, 9.3 g) 를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 물에 부어 얻은 고체를 여과하여 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 1-1b 를 제조하였다. (50.3 g, 수율 63 %, MS:[M+H]+= 270).
제조예 2
상기 화합물 1-1b (53.2 g, 197.3 mmol) 및 4,4,4',4',5,5,5',5'-octamethyl-2,2'-bi(1,3,2-dioxaborolane) (55.1 g, 217.0 mmol)을 1,4-다이옥산 (600 mL)에 투입하였다. Potassium acetate (58.0 g) 및 Pd(dppf)Cl2([1,1'-Bis(diphenylphosphino)ferrocene]dichloropalladium(II), 4.3 g) 를 투입한 후 12시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 1-1 를 제조하였다. (59.9 g, 수율 84 %, MS:[M+H]+= 362).
합성예 1
상기 화합물 1-1 (10.8 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 1-2 (16.3 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 1를 제조하였다. (13.3 g, 수율 82 %, MS:[M+H]+= 544).
합성예 2
상기 화합물 2-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 2-2 (17.8 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 2를 제조하였다. (11.6 g, 수율 65 %, MS:[M+H]+= 594).
합성예 3
상기 화합물 3-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 3-2 (17.8 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 3를 제조하였다. (13.7g, 수율 77 %, MS:[M+H]+= 593).
합성예 4
상기 화합물 4-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 4-2 (15.5 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 4를 제조하였다. (13.1g, 수율 85 %, MS:[M+H]+= 517).
합성예 5
상기 화합물 5-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 5-2 (20.0 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 5를 제조하였다. (16.8g, 수율 84 %, MS:[M+H]+= 667).
합성예 6
상기 화합물 6-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 6-2 (14.0 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 6를 제조하였다. (11.9g, 수율 85 %, MS:[M+H]+= 467).
합성예 7
상기 화합물 3-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 7-2 (18.6 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 7를 제조하였다. (16.3g, 수율 88 %, MS:[M+H]+= 620).
합성예 8
상기 화합물 7-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 8-2 (19.0 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 8를 제조하였다. (16.7g, 수율 88 %, MS:[M+H]+= 634).
합성예 9
상기 화합물 7-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 9-2 (17.2 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 9를 제조하였다. (13.5g, 수율 79 %, MS:[M+H]+= 573).
합성예 10
상기 화합물 8-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 10-2 (17.0 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 10를 제조하였다. (12.7g, 수율 75 %, MS:[M+H]+= 567).
합성예 11
상기 화합물 1-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 11-2 (17.1 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 11를 제조하였다. (13.8g, 수율 81 %, MS:[M+H]+= 570).
합성예 12
상기 화합물 9-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 12-2 (18.4 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 12를 제조하였다. (13.2g, 수율 72 %, MS:[M+H]+= 613).
합성예 13
상기 화합물 10-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 13-2 (16.7 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 13를 제조하였다. (13.5g, 수율 81 %, MS:[M+H]+= 558).
합성예 14
상기 화합물 11-1(15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 14-2 (19.8 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 14를 제조하였다. (15.8g, 수율 80 %, MS:[M+H]+= 660).
합성예 15
상기 화합물 5-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 15-2 (15.5 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 15를 제조하였다. (12.4g, 수율 80 %, MS:[M+H]+= 517).
합성예 16
상기 화합물 5-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 16-2 (13.6 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 16를 제조하였다. (9.8 g, 수율 72 %, MS:[M+H]+= 456).
합성예 17
상기 화합물 3-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 17-2 (18.9 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 17를 제조하였다. (14.2g, 수율 75 %, MS:[M+H]+= 632).
합성예 18
상기 화합물 12-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 18-2 (19.8 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 18를 제조하였다. (15.2g, 수율 77 %, MS:[M+H]+= 660).
합성예 19
상기 화합물 13-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 19-2 (16.0 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 19를 제조하였다. (14.4g, 수율 90 %, MS:[M+H]+= 536).
합성예 20
상기 화합물 11-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 20-2 (20.8 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 20를 제조하였다. (17.1g, 수율 82 %, MS:[M+H]+= 696).
합성예 21
상기 화합물 5-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 21-2 (15.9 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 21를 제조하였다. (13.2g, 수율 83 %, MS:[M+H]+= 532).
합성예 22
상기 화합물 3-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 22-2 (16.2 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 22를 제조하였다. (12.1g, 수율 75 %, MS:[M+H]+= 541).
합성예 23
상기 화합물 2-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 23-2 (17.0 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 23를 제조하였다. (10.4g, 수율 61 %, MS:[M+H]+= 569).
합성예 24
상기 화합물 14-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 24-2 (19.0 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 24를 제조하였다. (15.4g, 수율 81 %, MS:[M+H]+= 636).
합성예 25
상기 화합물 15-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 25-2 (16.0 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 25를 제조하였다. (12.6g, 수율 79 %, MS:[M+H]+= 533).
합성예 26
상기 화합물 26-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 26-2 (8.8 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 26를 제조하였다. (9.8g, 수율 70 %, MS:[M+H]+= 467).
합성예 27
상기 화합물 26-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 27-2 (12.8 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 27를 제조하였다. (13.0g, 수율 80 %, MS:[M+H]+= 543).
합성예 28
상기 화합물 26-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 28-2 (15.3 g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 28를 제조하였다. (14.3g, 수율 77 %, MS:[M+H]+= 619).
합성예 29
상기 화합물 26-1 (15.0 g, 30 mmol) 및 상기 화합물 29-2 (12.8g, 33 mmol)을 테트라하이드로퓨란(300 mL)에 투입하였다. 2M K2CO3(200 mL), Potassium acetate (0.14 g) 및 s-phos (2-dicyclohexylphosphino-2',6'-dimethoxybiphenyl, 0.50 g) ligand를 투입한 후, 5시간 동안 교반 및 환류하였다. 상온으로 식힌 후 여과하여 생성된 고체를 에틸아세테이트로 2회 재결정하여 상기 화합물 29를 제조하였다. (12.9g, 수율 79 %, MS:[M+H]+= 543).
실시예 1
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다.
이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화합물 [HI-A]를 600Å의 두께로 열진공증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT)를 50Å및 하기 화합물 [HT-A] (600Å)를 순차적으로 진공증착하여 정공 수송층을 형성하였다.
이어서, 상기 정공 수송층 위에 막 두께 200Å으로 하기 화합물 [BH]와 [BD]를 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 상기 화합물 1과 [LiQ](Lithiumquinolate)를 1:1 중량비로 진공증착하여 350Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 10Å두께로 리튬 플루라이드(LiF)와 1,000Å두께로 알루미늄을 증착하여 캐소드를 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.9 Å/sec를 유지하였고, 캐소드의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 1 × 10-7 내지 5 × 10-8torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 2
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 2를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 3
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 3을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 4
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 4를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 5
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 5를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 6
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 6을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 7
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 7을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 8
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 8을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 9
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층으로 화합물 1 대신 화합물 9를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 10
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 10을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 11
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 11을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 12
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 12를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 13
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 13을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 14
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 14를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 15
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 15를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 16
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 16을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 17
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 17을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 18
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 18을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 19
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 19를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 20
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 20을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 21
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 21을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 22
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 22을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 23
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 23을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 24
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 24을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 25
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 25을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 26
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 26을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 27
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 27을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 28
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 28을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실시예 29
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 화합물 29을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
비교예 1
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 하기 화합물 ET1을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET1]
비교예 2
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 하기 화합물 ET2를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET2]
비교예 3
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 하기 화합물 ET3을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET3]
비교예 4
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 하기 화합물 ET4을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET4]
비교예 5
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 하기 화합물 ET5을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET5]
비교예 6
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 하기 화합물 ET6을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET6]
비교예 7
상기 실시예 1에서 전자 주입 및 수송층의 화합물 1 대신 하기 화합물 ET7을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
[ET7]
상기 실시예 1 내지 29 및 비교예 1 내지 7과 같이 각각의 화합물을 전자 주입 및 수송층 물질로 사용하여 제조한 유기 발광 소자를 10 mA/cm2의 전류밀도에서 구동전압과 발광 효율을 측정하였고, 20mA/cm2의 전류밀도에서 초기 휘도 대비 98%가 되는 시간(LT98)을 측정하였다.
그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
| 구분 | 화합물 | 전압 (V) |
전류효율 (cd/A) |
Life Time 98 at 20mA/cm2 |
| 실시예 1 | 화합물 1 | 3.48 | 5.51 | 80 |
| 실시예 2 | 화합물 2 | 3.62 | 5.50 | 95 |
| 실시예 3 | 화합물 3 | 3.71 | 5.32 | 70 |
| 실시예 4 | 화합물 4 | 3.75 | 5.22 | 70 |
| 실시예 5 | 화합물 5 | 3.63 | 5.21 | 80 |
| 실시예 6 | 화합물 6 | 3.83 | 5.50 | 95 |
| 실시예 7 | 화합물 7 | 3.52 | 5.24 | 75 |
| 실시예 8 | 화합물 8 | 3.75 | 5.15 | 70 |
| 실시예 9 | 화합물 9 | 3.81 | 5.12 | 80 |
| 실시예 10 | 화합물 10 | 3.83 | 5.15 | 80 |
| 실시예 11 | 화합물 11 | 3.91 | 5.21 | 70 |
| 실시예 12 | 화합물 12 | 4.01 | 5.22 | 65 |
| 실시예 13 | 화합물 13 | 3.53 | 5.35 | 80 |
| 실시예 14 | 화합물 14 | 3.78 | 5.20 | 75 |
| 실시예 15 | 화합물 15 | 3.88 | 5.26 | 70 |
| 실시예 16 | 화합물 16 | 3.69 | 5.40 | 75 |
| 실시예 17 | 화합물 17 | 3.78 | 5.49 | 75 |
| 실시예 18 | 화합물 18 | 3.77 | 5.50 | 70 |
| 실시예 19 | 화합물 19 | 3.70 | 5.51 | 65 |
| 실시예 20 | 화합물 20 | 3.81 | 5.20 | 90 |
| 실시예 21 | 화합물 21 | 3.88 | 5.13 | 80 |
| 실시예 22 | 화합물 22 | 3.78 | 5.15 | 70 |
| 실시예 23 | 화합물 23 | 3.79 | 5.12 | 70 |
| 실시예 24 | 화합물 24 | 3.88 | 5.30 | 80 |
| 실시예 25 | 화합물 25 | 3.90 | 5.20 | 70 |
| 실시예 26 | 화합물 26 | 3.83 | 5.12 | 90 |
| 실시예 27 | 화합물 27 | 3.60 | 5.48 | 60 |
| 실시예 28 | 화합물 28 | 3.67 | 5.15 | 85 |
| 실시예 29 | 화합물 29 | 3.70 | 5.21 | 70 |
| 비교예 1 | ET1 | 4.35 | 4.52 | 35 |
| 비교예 2 | ET2 | 5.00 | 3.50 | 45 |
| 비교예 3 | ET3 | 5.11 | 3.70 | 30 |
| 비교예 4 | ET4 | 5.10 | 3.20 | 50 |
| 비교예 5 | ET5 | 5.05 | 3.15 | 50 |
| 비교예 6 | ET6 | 4.40 | 4.55 | 30 |
| 비교예 7 | ET7 | 4.52 | 4.60 | 20 |
상기 표 1의 결과와 같이 상기 화학식 1의 N함유 헤테로고리기 유도체 및 시아노기가 전자 공핍 구조를 가짐으로 분자의 극성(dipole moment)을 높일 수 있기 때문에 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자의 전자이동도를 원활히 조절한다. 따라서, 상기 실시예 1 내지 29의 유기 발광 소자의 구동전압, 전류효율, 및 수명이 비교예 1 내지 7의 화합물 보다 우수한 특성을 나타내는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 상기 R3가 N 포함 6원환을 포함하는 화합물을 포함하는 본원 실시예 21이 R3가 벤즈이미다졸(N포함 5원환)을 포함하는 화합물을 포함하는 비교예 5 보다 분자의 극성이 더 높고, 공명구조에 의하여, 전자이동이 상대적으로 원활히 조절될 수 있으므로, 구동전압, 전류효율 및 수명이 우수함을 알 수 있었다.상기 화학식 1은 잔텐(또는 티오잔텐), 시아노기, 및 N함유 단환 헤테로고리기가 유기적으로 결합하는 구조이며, 비교예 6 및 7은 잔텐(또는 티오잔텐) 대신 스피로비플루오렌(플루오렌) 구조를 포함하는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자이며, 상기 화학식 1의 유기적 결합으로 상기 화학식 1의 유기 발광 소자인 실시예 1 내지 29 가 비교예 6 및 7 보다 구동전압, 전류효율 및 수명이 우수함을 알 수 있었다.
101: 기판
102: 제1 전극
111: 유기물층
110: 제2 전극
103: 정공주입층
104: 정공수송층
105: 발광층
106: 전자 주입 및 수송층
102: 제1 전극
111: 유기물층
110: 제2 전극
103: 정공주입층
104: 정공수송층
105: 발광층
106: 전자 주입 및 수송층
Claims (10)
- 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
X1은 O 또는 S이고,
Y1 내지 Y5 중 적어도 하나는 N이고, 나머지는 각각 독립적으로 CR3이며,
R1 및 R2은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 또는 치환 또는 비치환된 알킬기이거나, 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있으며,
R3는 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 치환 또는 비치환되고, N을 포함하는 6원환을 포함하는 헤테로아릴기; 또는 치환 또는 비치환되고, O, 또는 S를 포함하는 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 고리를 형성할 수 있고,
L1은 직접결합; 또는 비치환된 아릴렌기이며,
l1은 1 또는 2이고,
m은 1 또는 2이며,
n은 1이고,
상기 l1이 2인 경우, 상기 2의 L1는 서로 같거나 상이하다. - 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 3으로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 2]
[화학식 3]
상기 화학식 2 및 3에 있어서,
R1, R2, Y1 내지 Y5, L1, l1, m 및 n은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. - 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4 또는 5로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 4]
[화학식 5]
상기 화학식 4 및 5에 있어서,
X1, R1, R2, Y1 내지 Y5, L1 및 l1은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. - 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 6 내지 9 중 어느 하나로 표시되는 것인 화합물:
[화학식 6]
[화학식 7]
[화학식 8]
[화학식 9]
상기 화학식 6 내지 9에 있어서,
R1, R2, Y1 내지 Y5, L1 및 l1은 상기 화학식 1에서 정의한 바와 동일하다. - 청구항 1에 있어서, 상기 R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기이거나, 서로 결합하여 탄소수 3 내지 30의 단환 또는 다환의 지방족 탄화수소고리를 형성할 수 있고,
상기 R3는 수소; 중수소; 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기; 시아노기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기, 시아노기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기, 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기, 시아노기로 치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기, 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴기; 시아노기, 또는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환되고, N을 포함하는 6원환을 포함하는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기; 또는 시아노기, 또는 탄소수 1 내지 30의 직쇄 또는 분지쇄의 알킬기로 치환 또는 비치환되고, O, 또는 S를 포함하는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로아릴기이거나, 인접한 기와 서로 결합하여 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 방향족 탄화수소고리; 또는 탄소수 2 내지 30의 단환 또는 다환의 헤테로고리를 형성할 수 있으며,
상기 L1은 직접결합; 또는 탄소수 6 내지 30의 단환 또는 다환의 아릴렌기인 것인 화합물. - 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
. - 제1 전극; 상기 제1 전극에 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항의 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
- 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층, 전자 수송층, 또는 전자 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 전자주입층, 전자 수송층, 또는 전자 주입 및 수송층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
- 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 정공차단층을 포함하고, 상기 정공차단층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
- 청구항 7에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층을 포함하고, 상기 정공주입층, 정공수송층, 또는 정공 주입 및 수송층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 발광 소자.
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-
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