KR102589743B1 - Plasma chamber having gas distribution plate for uniform gas distribution - Google Patents

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Abstract

본 발명은 균일한 가스 분배를 위한 가스 분배 플레이트를 포함하는 플라즈마 챔버에 관한 것이다. 본 발명의 균일한 가스 분배를 위한 가스 분배 플레이트를 포함하는 플라즈마 챔버는 중공의 방전 공간을 갖고 다수의 챔버블럭이 결합되어 형성되는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버에서 상부 챔버블럭에 위치하며 공급된 가스를 상기 방전 공간으로 유입하는 가스 분배 플레이트; 상기 가스 분배 플레이트에 구비되어 공급된 가스를 상기 방전 공간으로 유입하기 위한 복수의 관통홀; 및 상기 가스 분배 플레이트에 구비되어 상기 방전 공간으로 플라즈마의 초기 점화가 이루어지도록 하는 점화장치를 포함한다. 본 발명의 균일한 가스 분배를 위한 가스 분배 플레이트를 포함하는 플라즈마 챔버에 의하면, 플라즈마 챔버 내로 가스를 균일하게 공급할 수 있다. 그러므로 플라즈마 채널 내에서 플라즈마가 균일하게 발생될 수 있어 플라즈마 안정성을 향상시킬 수 있다. 또한 점화전극이 플라즈마 방전 공간에 직접 노출되지 않기 때문에 점화전극에 의해 파티클이 발생되는 것을 미연에 방지할 수 있다. The present invention relates to a plasma chamber comprising a gas distribution plate for uniform gas distribution. The plasma chamber including a gas distribution plate for uniform gas distribution of the present invention includes a plasma chamber formed by combining a plurality of chamber blocks with a hollow discharge space; a gas distribution plate located on an upper chamber block in the plasma chamber and flowing supplied gas into the discharge space; a plurality of through holes provided in the gas distribution plate for flowing the supplied gas into the discharge space; and an ignition device provided on the gas distribution plate to cause initial ignition of plasma into the discharge space. According to the plasma chamber including a gas distribution plate for uniform gas distribution of the present invention, gas can be uniformly supplied into the plasma chamber. Therefore, plasma can be generated uniformly within the plasma channel, thereby improving plasma stability. Additionally, since the ignition electrode is not directly exposed to the plasma discharge space, it is possible to prevent particles from being generated by the ignition electrode.

Description

균일한 가스 분배를 위한 가스 분배 플레이트를 포함하는 플라즈마 챔버{PLASMA CHAMBER HAVING GAS DISTRIBUTION PLATE FOR UNIFORM GAS DISTRIBUTION}Plasma chamber including a gas distribution plate for uniform gas distribution {PLASMA CHAMBER HAVING GAS DISTRIBUTION PLATE FOR UNIFORM GAS DISTRIBUTION}

본 발명은 균일한 가스 분배를 위한 가스 분배 플레이트를 포함하는 플라즈마 챔버에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마와 반응하여 활성화된 가스를 생성하여 배출하는 균일한 가스 분배를 위한 가스 분배 플레이트를 포함하는 플라즈마 챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma chamber including a gas distribution plate for uniform gas distribution, and more specifically, to a plasma chamber including a gas distribution plate for uniform gas distribution that reacts with plasma to generate and discharge an activated gas. It's about the chamber.

플라즈마 방전은 가스를 여기시켜 이온, 자유 라디칼, 원자 및 분자를 함유하는 활성화된 가스를 생성하도록 사용될 수 있다. 활성화된 가스는 반도체 웨이퍼와 같은 고형 물질, 파우더, 및 기타 가스를 처리하는 것을 포함하는 다양한 산업 및 과학 분야에서 사용된다. 플라즈마의 변수 및 처리되는 물질에 대한 플라즈마의 노출에 관한 조건은 기술 분야에 따라 넓게 변화한다. 예를 들면, 몇몇 분야에서는 처리되는 물질이 손상되기 쉬우므로 이온을 낮은 운동 에너지(즉, 몇 전자 볼트)로 사용할 것을 필요로 한다. 이방성 에칭 또는 평탄화된 절연체 증착과 같은 다른 분야에서는 높은 운동 에너지로 이온을 사용할 것을 필요로 한다. 반응성 이온 빔 에칭과 같은 또 다른 분야에서는 이온 에너지의 정밀 제어를 필요로 한다.Plasma discharges can be used to excite gases to produce activated gases containing ions, free radicals, atoms, and molecules. Activated gases are used in a variety of industrial and scientific applications, including processing solid materials such as semiconductor wafers, powders, and other gases. The parameters of the plasma and the conditions regarding its exposure to the materials being processed vary widely depending on the field of technology. For example, some fields require that ions be used with low kinetic energies (i.e., a few electron volts) because the materials being processed are susceptible to damage. Other applications, such as anisotropic etching or planarized insulator deposition, require the use of ions with high kinetic energy. Other applications, such as reactive ion beam etching, require precise control of ion energy.

몇몇 분야에서는 처리되는 물질을 높은 밀도의 플라즈마에 직접 노출시키는 것을 필요로 한다. 이러한 분야 중 하나는 이온-활성화된 화학 반응을 생성하는 것이다. 다른 이러한 분야는 높은 종횡비 구조의 에칭 및 그 안으로의 물질 증착을 포함한다. 다른 분야는, 처리되는 물질이 플라즈마로부터 차폐되는 동안, 물질이 이온에 의해 손상되기 쉽거나 처리 공정이 높은 선택비 요구 조건을 갖기 때문에, 원자 및 활성화된 분자를 함유하는 중성 활성화된 가스를 필요로 한다.Some fields require direct exposure of the material being processed to high density plasma. One of these fields is generating ion-activated chemical reactions. Other such areas include the etching of high aspect ratio structures and material deposition therein. Other fields require a neutral activated gas containing atoms and activated molecules, while the material being processed is shielded from the plasma, because the material is susceptible to damage by ions or because the processing process has high selectivity requirements. do.

다양한 플라즈마 공급원은 DC 방전, 고주파(RF) 방전, 및 마이크로웨이브 방전을 포함하는 다양한 방식으로 플라즈마를 생성할 수 있다. DC 방전은 가스 내의 두 개의 전극 사이에 전위를 인가함으로써 달성된다. RF 방전은 전원으로부터 플라즈마 내로 에너지를 정전기 또는 유도 결합시킴으로써 달성된다. 평행 판들은 에너지를 플라즈마 내에 유도 결합시키도록 통상적으로 사용된다. 유도 코일은 전류를 플라즈마 내에 유도하도록 통상적으로 사용된다. 마이크로웨이브 방전은 가스를 수용하는 방전 챔버 내에 마이크로웨이브 통과 윈도우를 통해 마이크로웨이브 에너지를 직접 결합시킴으로써 달성된다. 마이크로웨이브 방전은 높게 이온화된 전자 사이클론공명(ECR) 플라즈마를 포함하는 넓은 범위의 방전 조건을 지원하도록 사용될 수 있다.Various plasma sources can generate plasma in a variety of ways, including DC discharge, radio frequency (RF) discharge, and microwave discharge. DC discharge is achieved by applying an electric potential between two electrodes in a gas. RF discharge is achieved by electrostatic or inductive coupling of energy from a power source into the plasma. Parallel plates are commonly used to inductively couple energy into a plasma. Induction coils are commonly used to induce electric current in a plasma. Microwave discharge is achieved by coupling microwave energy directly through a microwave pass-through window into a discharge chamber containing the gas. Microwave discharge can be used to support a wide range of discharge conditions, including highly ionized electron cyclone resonance (ECR) plasmas.

마이크로웨이브 또는 다른 타입의 RF 플라즈마 공급원과 비교하여, 토로이달(toroidal) 플라즈마 공급원은 낮은 전기장, 낮은 플라즈마 챔버 부식, 소형화, 및 비용 효과 면에서 장점을 갖는다. 토로이달 플라즈마 공급원은 낮은 전계로 동작하며 전류-종료 전극 및 관련 음극 전위 강하를 내재적으로 제거한다. 낮은 플라즈마 챔버 부식은 토로이달 플라즈마 공급원이 다른 방식의 플라즈마 공급원보다 높은 전력 밀도에서 작동하도록 한다. 또한, 고 투과성 페라이트 코어를 사용하여 전자기 에너지를 플라즈마에 효율적으로 결합시킴으로써, 토로이달 플라즈마 챔버이 상대적으로 낮은 RF 주파수에서 작동하도록 하여 전력 공급 비용을 낮추게 된다. 토로이달 플라즈마 챔버는 반도체 웨이퍼, 평판 디스플레이, 및 다양한 물질의 처리를 위해 불소, 산소, 수소, 질소 등을 포함하는 화학적으로 활성 가스를 생성하도록 사용되어 왔다.Compared to microwave or other types of RF plasma sources, toroidal plasma sources have advantages in low electric fields, low plasma chamber corrosion, compactness, and cost effectiveness. Toroidal plasma sources operate at low electric fields and inherently eliminate the current-termination electrode and associated cathode potential drop. Low plasma chamber corrosion allows toroidal plasma sources to operate at higher power densities than other plasma sources. Additionally, by using a high-permeability ferrite core to efficiently couple electromagnetic energy to the plasma, the toroidal plasma chamber can operate at relatively low RF frequencies, lowering power supply costs. Toroidal plasma chambers have been used to generate chemically active gases containing fluorine, oxygen, hydrogen, nitrogen, etc. for the processing of semiconductor wafers, flat panel displays, and various materials.

토로이달 플라즈마 챔버의 가스 입구를 통해 공급되는 가스는 챔버 내부의 토로이달 플라즈마 채널을 따라 이동하며 플라즈마와 반응함으로써 활성화된 가스를 생성한다. 플라즈마 챔버 내에서의 가스의 흐름은 임피던스로 작용한다. 플라즈마 챔버 내로 공급되는 가스는 주로 하나의 주입구를 통해 공급되므로 토로이달 형상의 플라즈마 채널 양측으로 균일하게 분배되지 않는다. 그러므로 플라즈마 채널 내에서 균일하게 방전되지 않는 문제점이 발생하였다. The gas supplied through the gas inlet of the toroidal plasma chamber moves along the toroidal plasma channel inside the chamber and reacts with plasma to generate activated gas. The flow of gas within the plasma chamber acts as an impedance. Since the gas supplied into the plasma chamber is mainly supplied through one inlet, it is not evenly distributed on both sides of the toroidal-shaped plasma channel. Therefore, a problem occurred in which the discharge was not uniform within the plasma channel.

본 발명의 목적은 플라즈마 챔버 내로 공급되는 가스를 균일하게 분배함으로써 플라즈마 챔버 내에서 플라즈마 방전이 균일하게 발생할 수 있은 균일한 가스 분배를 위한 가스 분배 플레이트를 포함하는 플라즈마 챔버를 제공하는데 있다.The purpose of the present invention is to provide a plasma chamber including a gas distribution plate for uniform gas distribution that can uniformly generate plasma discharge within the plasma chamber by uniformly distributing the gas supplied into the plasma chamber.

상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일면은 균일한 가스 분배를 위한 가스 분배 플레이트를 포함하는 플라즈마 챔버에 관한 것이다. 본 발명의 균일한 가스 분배를 위한 가스 분배 플레이트를 포함하는 플라즈마 챔버는 중공의 방전 공간을 갖고 다수의 챔버블럭이 결합되어 형성되는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버에서 상부 챔버블럭에 위치하며 공급된 가스를 상기 방전 공간으로 유입하는 가스 분배 플레이트; 상기 가스 분배 플레이트에 구비되어 공급된 가스를 상기 방전 공간으로 유입하기 위한 복수의 관통홀; 및 상기 가스 분배 플레이트에 구비되어 상기 방전 공간으로 플라즈마의 초기 점화가 이루어지도록 하는 점화장치를 포함한다. One aspect of the present invention for achieving the above technical problem relates to a plasma chamber including a gas distribution plate for uniform gas distribution. The plasma chamber including a gas distribution plate for uniform gas distribution of the present invention includes a plasma chamber formed by combining a plurality of chamber blocks with a hollow discharge space; a gas distribution plate located on an upper chamber block in the plasma chamber and flowing supplied gas into the discharge space; a plurality of through holes provided in the gas distribution plate for flowing the supplied gas into the discharge space; and an ignition device provided on the gas distribution plate to cause initial ignition of plasma into the discharge space.

일 실시예에 있어서, 상기 가스 분배 플레이트는 상면이 오목하게 형성되는 상부 분배영역; 및 하면이 오목하게 형성되며 상기 방전 공간의 일부를 형성하는 하부 분배영역을 포함한다.In one embodiment, the gas distribution plate includes an upper distribution area having a concave upper surface; and a lower distribution area that has a concave lower surface and forms part of the discharge space.

일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 챔버는 상기 가스 분배 플레이트의 하부 분배영역과 연결되며, 상기 점화장치가 상기 하부 분배영역을 향하도록 설치되는 점화연결로를 포함한다.In one embodiment, the plasma chamber is connected to a lower distribution area of the gas distribution plate and includes an ignition connection path in which the ignition device is installed to face the lower distribution area.

일 실시예에 있어서, 상기 가스 분배 플레이트는 상기 상부 분배영역 및 하부 분배영역 둘레에 구비되며 냉각수가 유동되는 냉각라인을 포함한다. In one embodiment, the gas distribution plate is provided around the upper distribution area and the lower distribution area and includes a cooling line through which coolant flows.

본 발명의 균일한 가스 분배를 위한 가스 분배 플레이트를 포함하는 플라즈마 챔버에 의하면, 플라즈마 챔버 내로 가스를 균일하게 공급할 수 있다. 그러므로 플라즈마 채널 내에서 플라즈마가 균일하게 발생될 수 있어 플라즈마 안정성을 향상시킬 수 있다. 또한 점화전극이 플라즈마 방전 공간에 직접 노출되지 않기 때문에 점화전극에 의해 파티클이 발생되는 것을 미연에 방지할 수 있다. According to the plasma chamber including a gas distribution plate for uniform gas distribution of the present invention, gas can be uniformly supplied into the plasma chamber. Therefore, plasma can be generated uniformly within the plasma channel, thereby improving plasma stability. Additionally, since the ignition electrode is not directly exposed to the plasma discharge space, it is possible to prevent particles from being generated by the ignition electrode.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 공급원의 전체 사시도이다.
도 2는 도 1의 플라즈마 공급원에 구비된 플라즈마 챔버의 전체 사시도이다.
도 3은 도 2의 플라즈마 챔버의 단면도이다.
도 4 및 도 5는 플라즈마 챔버의 상부를 도시한 부분 단면도이다.
도 6은 가스 분배 플레이트를 도시한 사시도이다.
도 7은 가스 분배 플레이트의 하면을 도시한 평면도이다.
도 8은 가스 분배 플레이트의 상면을 도시한 평면도이다.
도 9 및 도 10은 가스 분배 플레이트의 다른 실시예를 도시한 평면도 및 단면도이다.
도 11 및 도 12는 점화전극부를 도시한 단면도 및 분해사시도이다.
1 is an overall perspective view of a plasma source according to a preferred embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an overall perspective view of the plasma chamber provided in the plasma source of FIG. 1.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the plasma chamber of FIG. 2.
4 and 5 are partial cross-sectional views showing the upper part of the plasma chamber.
Figure 6 is a perspective view showing a gas distribution plate.
Figure 7 is a plan view showing the lower surface of the gas distribution plate.
Figure 8 is a plan view showing the top surface of the gas distribution plate.
9 and 10 are plan and cross-sectional views showing another embodiment of a gas distribution plate.
Figures 11 and 12 are cross-sectional views and exploded perspective views showing the ignition electrode unit.

본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공 되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 구성은 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.In order to fully understand the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described in detail below. This example is provided to more completely explain the present invention to those with average knowledge in the art. Therefore, the shapes of elements in the drawings may be exaggerated to emphasize a clearer description. It should be noted that the same configuration may be indicated by the same reference numeral in each drawing. Detailed descriptions of well-known functions and configurations that are judged to unnecessarily obscure the gist of the present invention are omitted.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 공급원의 전체 사시도이고, 도 2는 도 1의 플라즈마 공급원에 구비된 플라즈마 챔버의 전체 사시도이고, 도 3은 도 2의 플라즈마 챔버의 단면도이다.FIG. 1 is an overall perspective view of a plasma source according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 2 is an overall perspective view of a plasma chamber provided in the plasma source of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of the plasma chamber of FIG. 2.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 플라즈마 공급원(10)은 플라즈마 챔버(20)와 변압기(30)가 결합된 변압기 결합 플라즈마 소스(a transformer coupled plasma source) 구조를 갖는다. 이 실시예에서 플라즈마 반응기에 장착되는 메인 플라즈마 소스는 변압기 결합 플라즈마 소스를 예시하지만 다양한 형태의 플라즈마 소스가 채용될 수 있다. 1 to 3, the preferred plasma source 10 of the present invention has a transformer coupled plasma source structure in which a plasma chamber 20 and a transformer 30 are coupled. In this embodiment, the main plasma source mounted on the plasma reactor exemplifies a transformer-coupled plasma source, but various types of plasma sources may be employed.

플라즈마 챔버(20)는 토로이달 형상의 플라즈마 방전 채널(21)을 형성하는 챔버블럭(22)을 갖는다. 챔버블럭(22)은 전도체 물질로 구성되는 경우 하나 이상의 절연 브레이크(29)를 포함한다. 챔버블럭(22)이 비전도체 물질로 구성되는 경우에는 절연 브레이크(29)를 구비하지 않는다. 공정 챔버(20)는 외부 케이스(19)에 담겨져 플라즈마 공급원(10)을 이룬다. 플라즈마 공급원(10)은 프로세스 챔버(미도시)로 활성화된 가스를 공급하는 역할을 수행한다. 플라즈마 챔버(20)의 하나 또는 그 이상의 측면이 공정챔버(미도시)에 노출되어, 플라즈마에 의해 생성되는 대전된 입자가 처리될 물질(도시하지 않음)과 직접 접촉하도록 한다. 선택적으로, 플라즈마 챔버(20)는 공정챔버로부터 일정 거리에 위치되어, 활성화된 가스가 공정챔버 내로 유동하도록 한다. 서셉터는 공정챔버 내에 위치되어 처리될 물질,예를 들어, 피처리 기판을 지지할 수 있다. 처리될 물질은 플라즈마의 전위에 대해 바이어스될 수 있다. The plasma chamber 20 has a chamber block 22 forming a toroidal-shaped plasma discharge channel 21. The chamber block 22 includes one or more insulating brakes 29 when made of conductive material. If the chamber block 22 is made of a non-conductive material, it is not provided with an insulating brake 29. The process chamber 20 is contained in an external case 19 and forms a plasma source 10. The plasma source 10 serves to supply activated gas to a process chamber (not shown). One or more sides of the plasma chamber 20 are exposed to the process chamber (not shown) so that charged particles generated by the plasma are in direct contact with the material to be processed (not shown). Optionally, the plasma chamber 20 is located at a distance from the process chamber to allow activated gas to flow into the process chamber. The susceptor may be located within the process chamber to support a material to be processed, for example, a substrate to be processed. The material to be treated may be biased relative to the potential of the plasma.

변압기(30)는 하나 이상의 페라이트 코어(32)와 페라이트 코어(32)에 권선되는 일차권선(미도시) 코일을 포함한다. 페라이트 코어(32)는 챔버 방전 채널(21)에 쇄교되도록 챔버블럭(22)의 일부를 감싸며 장착된다. 페라이트 코어(32)에는 일차권선(미도시) 코일이 권선된다. 일차권선 코일은 전원 공급원(미도시에 연결된다. 전원 공급원으로부터 일차권선으로 전력이 공급되면 플라즈마 방전 채널(21) 내의 방전 공간에 플라즈마가 발생된다. 플라즈마 방전 채널(21)에 발생되는 플라즈마는 변압기의 이차측을 형성한다. 챔버블럭(22)에는 플라즈마 방전 채널(21)로 가스를 공급하기 위한 가스 주입구(24)와 가스와 플라즈마가 반응하여 활성화된 가스를 공정챔버(미도시)로 배출하기 위한 가스 배출구(26)가 구비된다. Transformer 30 includes one or more ferrite cores 32 and a primary winding (not shown) coil wound around the ferrite core 32. The ferrite core 32 is mounted surrounding a portion of the chamber block 22 so as to be linked to the chamber discharge channel 21. A primary winding (not shown) coil is wound on the ferrite core 32. The primary winding coil is connected to a power source (not shown). When power is supplied from the power source to the primary winding, plasma is generated in the discharge space within the plasma discharge channel 21. The plasma generated in the plasma discharge channel 21 is connected to the transformer. It forms the secondary side of the chamber block 22. The chamber block 22 has a gas inlet 24 for supplying gas to the plasma discharge channel 21 and a gas inlet 24 for reacting gas and plasma to discharge the activated gas into a process chamber (not shown). A gas outlet 26 is provided for.

챔버블럭(22)은 다수 개의 블럭으로 나누어지고, 나누어진 블록이 결합되어 플라즈마 챔버(20)를 형성한다. 다수 개의 블록 사이에는 오링(미도시)이 포함되어 결합된다. 다수 개의 블록은 결합되어 토로이달 형상의 플라즈마 방전 채널(21)을 형성한다. 플라즈마 방전 채널(21)의 상부 영역은 가스가 공급되는 제1 챔버블럭(20a), 가스 분배 플레이트(40) 및 제2 챔버블럭(20b)으로 구성된다. 플라즈마 방전 채널(21)에서 수직으로 가스가 이동하는 중간 영역을 형성하는 제3 챔버블럭(20c) 및 플라즈마 방전 채널(21)의 하부 영역을 형성하는 제4 챔버블럭(20d)을 포함한다. 가스 배출구(26)가 구비되는 별도의 제5 챔버블럭(20e)이 별도로 형성될 수 있다. The chamber block 22 is divided into a plurality of blocks, and the divided blocks are combined to form the plasma chamber 20. O-rings (not shown) are included and connected between multiple blocks. A plurality of blocks are combined to form a toroidal-shaped plasma discharge channel 21. The upper area of the plasma discharge channel 21 is composed of a first chamber block 20a to which gas is supplied, a gas distribution plate 40, and a second chamber block 20b. It includes a third chamber block 20c that forms a middle region through which gas moves vertically in the plasma discharge channel 21, and a fourth chamber block 20d that forms a lower region of the plasma discharge channel 21. A separate fifth chamber block 20e provided with a gas outlet 26 may be formed separately.

제1 챔버블럭(20a)은 상부 중앙에 가스 공급을 위한 가스 주입구(24)가 구비된다. 가스 주입구(24)로 공급된 가스는 가스공급채널(23)을 따라 유동되어 여기서, 가스 주입구(24)는 가스 공급블럭(16)을 통해 플라즈마 공급원(10)의 외부에 설치되는 가스 매니폴드(11)에 연결된다. 가스 매니폴드(11)와 가스 주입구(24)를 연결하는 가스 공급로(13)는 한번 이상 꺽이게 형성되어 공급되는 가스의 유속을 조절한다. 가스 매니폴드(11)는 냉각수 매니폴드(15)와 분리됨으로써, 냉각수에 의해 공급되는 가스의 온도가 저하되는 것을 방지한다. The first chamber block 20a is provided with a gas inlet 24 for gas supply at the upper center. The gas supplied to the gas inlet 24 flows along the gas supply channel 23, where the gas inlet 24 is a gas manifold installed outside the plasma source 10 through the gas supply block 16. 11). The gas supply path 13 connecting the gas manifold 11 and the gas inlet 24 is bent one or more times to control the flow rate of the supplied gas. The gas manifold 11 is separated from the coolant manifold 15, thereby preventing the temperature of the gas supplied by the coolant from decreasing.

가스 분배 플레이트(40)는 플라즈마의 초기 점화를 위한 점화전극부(50)를 포함한다, 가스 분배 플레이트(40)는 가스를 플라즈마 방전 채널(21) 내로 분배하여 공급하기 위한 다수의 관통홀(43)이 구비된다. 가스 분배 플레이트(40) 및 점화전극부(50)의 구조 및 효과는 하기에서 상세하게 설명한다. The gas distribution plate 40 includes an ignition electrode unit 50 for initial ignition of plasma. The gas distribution plate 40 has a plurality of through holes 43 for distributing and supplying gas into the plasma discharge channel 21. ) is provided. The structure and effects of the gas distribution plate 40 and the ignition electrode unit 50 are described in detail below.

제2 챔버블럭(20b)은 가스 분배 플레이트(40)와 연결되어 플라즈마 방전 채널(21)의 상부를 형성한다. 제3 챔버블럭(20c)에는 페라이트 코어(32)가 장착된다. 페라이트 코어(32)는 두 개의 제3 챔버블럭(20c)에 모두 설치될 수도 있고, 하나의 제3 챔버블럭(20c)에만 설치될 수도 있다. The second chamber block 20b is connected to the gas distribution plate 40 to form the upper part of the plasma discharge channel 21. A ferrite core 32 is installed in the third chamber block 20c. The ferrite core 32 may be installed in both of the third chamber blocks 20c, or may be installed in only one third chamber block 20c.

제5 챔버블럭(20e)에 가스 배출구(26)가 구비된다. 제5 챔버블럭(30e)은 플라즈마 방전 채널(21)에서 활성화된 가스가 가스 배출구(26)로 배출되기 위한 채널 출구를 포함한다. 여기서, 채널 출구는 가스 배출구(26)로 활성화된 가스가 원활하게 배출될 수 있도록 소정의 각도로 기울어져 매끄럽게 형성된다.A gas outlet 26 is provided in the fifth chamber block 20e. The fifth chamber block 30e includes a channel outlet through which gas activated in the plasma discharge channel 21 is discharged to the gas outlet 26. Here, the channel outlet is formed to be smooth and inclined at a predetermined angle so that the activated gas can be smoothly discharged through the gas outlet 26.

도 4 및 도 5는 플라즈마 챔버의 상부를 도시한 부분 단면도이다.4 and 5 are partial cross-sectional views showing the upper part of the plasma chamber.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명에서의 상부 영역은 가스 주입구(24)가 형성된 제1 챔버블럭(20a)과 공급된 가스를 균일하게 플라즈마 방전 채널(21)로 분배하기 위한 가스 분배 플레이트(40)로 구성된다. 가스 공급로(13) 내부는 베어(Bare)상태일 수도 있고, 코팅된 상태일 수도 있다. Referring to Figures 4 and 5, the upper region in the present invention includes a first chamber block (20a) with a gas inlet (24) and a gas distribution plate for uniformly distributing the supplied gas to the plasma discharge channel (21). It consists of (40). The inside of the gas supply passage 13 may be bare or coated.

가스 분배 플레이트(40)는 오목한 형상으로 공간이 형성되는 상부 분배영역(42)과 하부 분배영역(44) 및 상부, 하부 분배영역을 관통하여 형성된 다수 개의 관통홀(43)을 포함한다. 상부 분배영역(42)과 하부 분배영역(44)은 오목한 형상으로 가스 분배 플레이트(40)의 상면에 소정의 길이로 형성된다. The gas distribution plate 40 includes an upper distribution area 42 and a lower distribution area 44 in which a space is formed in a concave shape, and a plurality of through holes 43 formed through the upper and lower distribution areas. The upper distribution area 42 and the lower distribution area 44 are formed in a concave shape and have a predetermined length on the upper surface of the gas distribution plate 40.

가스 주입구(24)를 통해 주입된 가스는 상부 분배영역(42)에 의해 유속이 일차적으로 줄어든다. 상부 분배영역(42)에 공급된 가스는 다수 개의 관통홀을 통해 하부 분배영역(44)으로 균일하게 분배된다. 이때, 하부 분배영역(44)은 플라즈마 방전 채널(21)의 상부를 형성하므로, 공급된 가스는 플라즈마 방전 채널(21) 내로 균일하게 분배된다. The flow rate of the gas injected through the gas inlet 24 is primarily reduced by the upper distribution area 42. The gas supplied to the upper distribution area 42 is uniformly distributed to the lower distribution area 44 through a plurality of through holes. At this time, since the lower distribution area 44 forms the upper part of the plasma discharge channel 21, the supplied gas is uniformly distributed into the plasma discharge channel 21.

가스 분배 플레이트(40)에는 플라즈마 방전 채널(21) 내로 플라즈마를 점화하는 초기 이온화 이벤트를 제공하는 자유 전하를 생성하기 위한 점화장치로써 점화전극부(50)가 구비된다. 초기 이온화 이벤트는 플라즈마 챔버(110)에 인가되는 짧고 높은 전압 펄스일 수 있다. 연속적인 높은 RF 전압은 또한 초기 이온화 이벤트를 생성하도록 사용될 수 있다. 자외선 복사는 또한, 플라즈마 채널(112) 내의 플라즈마를 점화하는 초기 이온화 이벤트를 제공하는, 플라즈마 채널(112) 내의 자유 전하를 생성하도록 사용될 수 있다. 다른 실시예로, 점화전력은 플라즈마 챔버(100)에 위치되는 점화전극(122)에 인가된다. 또 다른 실시예로, 점화전력은 일차권선(132)에 직접 인가되어 초기 이온화 이벤트를 제공할 수 있다. 다른 실시예로, 플라즈마 챔버(100)는 챔버블럭(110)에 광학 결합하는 자외선 광원(미도시)으로부터 나오는 자외선 복사에 노출되어 플라즈마를 점화하는 초기 이온화 이벤트를 유발할 수 있다.The gas distribution plate 40 is provided with an ignition electrode unit 50 as an ignition device for generating free charges that provide an initial ionization event that ignites the plasma into the plasma discharge channel 21. The initial ionization event may be a short, high voltage pulse applied to the plasma chamber 110. Continuously high RF voltages can also be used to generate initial ionization events. Ultraviolet radiation may also be used to create free charges within the plasma channel 112, which provides an initial ionization event that ignites the plasma within the plasma channel 112. In another embodiment, ignition power is applied to the ignition electrode 122 located in the plasma chamber 100. In another embodiment, ignition power may be applied directly to primary winding 132 to provide an initial ionization event. In another embodiment, the plasma chamber 100 may be exposed to ultraviolet radiation from an ultraviolet light source (not shown) optically coupled to the chamber block 110 to trigger an initial ionization event that ignites the plasma.

점화전극부(50)는 가스 분배 플레이트(40)의 측면 중앙에 위치된다. 점화전극부(50)는 플라즈마 초기 점화를 위하여 전력을 공급하는 전원 공급원(미도시)에 연결된다. 전원 공급원은 점화 전력을 공급하기 위한 별도의 공급원일 수도 있고, 일차권선이 연결된 전원 공급원일 수도 있다. 점화전극부(50)와 가스 분배 플레이트(40)의 하부 분배영역(44)은 점화연결로(51)에 의해 연결된다. 하부 분배영역(44)으로 분배된 가스는 점화연결로(51)로 공급되고, 점화전극부(50)에 의해 초기 이온화 이벤트가 수행되면 점화연결로(51) 및 하부 분배영역(44)에서 플라즈마 초기 점화가 이루어진다. 플라즈마 방전 채널(21)에서 초기 플라즈마 점화가 이루어지지 않기 때문에 초기 점화시 아크성 방전에 의해서 챔버블럭(22) 내측 손상에 의한 파티클 발생을 방지할 수 있다. 여기서, 점화연결로(51)는 플라즈마 방전 채널(21)에 대하여 소정의 각도로 기울어져 형성됨으로써 방전된 플라즈마가 점화연결로(51)를 따라 역류(backstream)하여 점화전극부(50)에 의해 파티클이 발생하는 것을 방지한다. The ignition electrode unit 50 is located at the center of the side of the gas distribution plate 40. The ignition electrode unit 50 is connected to a power supply (not shown) that supplies power for initial ignition of the plasma. The power source may be a separate source for supplying ignition power, or it may be a power source to which the primary winding is connected. The ignition electrode unit 50 and the lower distribution area 44 of the gas distribution plate 40 are connected by an ignition connection path 51. The gas distributed to the lower distribution area 44 is supplied to the ignition connection 51, and when the initial ionization event is performed by the ignition electrode unit 50, plasma is generated in the ignition connection 51 and the lower distribution area 44. Initial ignition takes place. Since the initial plasma ignition does not occur in the plasma discharge channel 21, it is possible to prevent the generation of particles due to damage to the inside of the chamber block 22 due to arc discharge during initial ignition. Here, the ignition connection path 51 is formed inclined at a predetermined angle with respect to the plasma discharge channel 21, so that the discharged plasma flows backstream along the ignition connection path 51 by the ignition electrode unit 50. Prevents particles from being generated.

도 6은 가스 분배 플레이트를 도시한 사시도이고, 도 7은 가스 분배 플레이트의 하면을 도시한 평면도이고, 도 8은 가스 분배 플레이트의 상면을 도시한 평면도이다.FIG. 6 is a perspective view showing the gas distribution plate, FIG. 7 is a plan view showing the lower surface of the gas distribution plate, and FIG. 8 is a plan view showing the upper surface of the gas distribution plate.

도 6 내지 도 8을 참조하면, 가스 분배 플레이트(40)는 오목한 형상으로 공간이 형성되는 상부 분배영역(42)과 하부 분배영역(44) 및 상부, 하부 분배영역을 관통하여 형성된 다수 개의 관통홀(43)을 포함한다. 상부 분배영역(42) 및 하부 분배영역(44)은 일방향으로 길게 형성되며, 토로이달 형상의 플라즈마 방전 채널(21)의 상부를 형성한다. Referring to Figures 6 to 8, the gas distribution plate 40 has an upper distribution area 42 and a lower distribution area 44 in which a space is formed in a concave shape, and a plurality of through holes formed through the upper and lower distribution areas. Includes (43). The upper distribution area 42 and the lower distribution area 44 are long in one direction and form the upper part of the toroidal-shaped plasma discharge channel 21.

다수 개의 관통홀(43)은 상, 하부 분배영역(42, 44)의 전체에 고르게 분포되어 형성될 수도 있고, 도면에 개시된 바와 같이, 양측(블럭결합시 두 개의 제3 챔버블럭(20c)이 위치되는 부분)에 집중되어 제1 관통홀(43b)을 형성할 수도 있다. 또한 점화전극부(50)가 설치되는 부분과 마주하는 부분에 제2 관통홀(43a)을 형성하여 가스가 플라즈마 방전 채널(21)로 분배될 수 있도록 한다. 다수 개의 관통홀(43)은 모두 동일한 크기 및 모양으로 형성될 수도 있고, 가스를 균일하게 분배할 수 있도록 다양한 크기 및 모양으로 형성될 수도 있다. 일 실시예로써, 제1 관통홀(43b)은 가스가 나선 회전하며 통과하여 플라즈마 방전 채널(21)로 회전되며 공급될 수 있도록 플라즈마 방전 채널(21)에 대하여 비스듬하게 기울어져 관통 형성된다. 그러므로 플라즈마 방전 채널(21)내로 공급되는 가스가 직접 챔버블럭을 가격하여 챔버블럭이 손상되어 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한 가스 회전에 의해 균일한 가스 분배가 가능하므로 가스와 플라즈마의 반응이 향상된다. 또한 방전된 플라즈마가 역류하는 것을 방지할 수 있다. A plurality of through holes 43 may be formed evenly distributed throughout the upper and lower distribution areas 42 and 44, and as shown in the figure, two third chamber blocks 20c are formed on both sides (when the blocks are combined). The first through hole 43b may be formed by focusing on the located portion. In addition, a second through-hole (43a) is formed in the part opposite to the part where the ignition electrode unit 50 is installed so that gas can be distributed to the plasma discharge channel 21. The plurality of through holes 43 may all be formed in the same size and shape, or may be formed in various sizes and shapes to uniformly distribute the gas. In one embodiment, the first through hole 43b is formed at an angle with respect to the plasma discharge channel 21 so that gas can pass through the gas in a spiral rotation and be rotated and supplied to the plasma discharge channel 21. Therefore, it is possible to prevent the gas supplied into the plasma discharge channel 21 from directly hitting the chamber block, damaging the chamber block and generating particles. Additionally, uniform gas distribution is possible through gas rotation, thereby improving the reaction between gas and plasma. Additionally, it is possible to prevent discharged plasma from flowing back.

제1, 2 관통홀(43b, 43a)은 가스 분배 플레이트(40)의 상면 또는 하면에 대하여 수직으로 관통형성될 수도 있고, 소정의 각도로 기울어져 관통 형성될 수도 있다. 특히, 제1 관통홀(43b)은 소정의 각도로 기울어져 관통형성된다. 관통홀(43)이 기울어져 형성되면, 공급된 가스는 관통홀(43)을 통과하며 플라즈마 방전 채널(21) 내로 회전하며 공급된다. 그러므로 플라즈마 방전 채널(21) 내에서의 가스 체류시간을 증대시킬 수 있다. 가스 분배 플레이트(40)의 상부 분배영역(42)은 두 개의 제3 챔버바디(20c)가 위치되는 양측 부분이 중심 부분보다 더 깊게 파인 형태로 형성됨으로써 제3 챔버바디(20c)로 가스가 빠르게 공급될 수 있도록 한다.The first and second through holes 43b and 43a may be formed perpendicular to the upper or lower surface of the gas distribution plate 40, or may be formed at an angle at a predetermined angle. In particular, the first through hole 43b is formed by being inclined at a predetermined angle. When the through hole 43 is formed at an angle, the supplied gas passes through the through hole 43 and is supplied while rotating into the plasma discharge channel 21. Therefore, the gas residence time within the plasma discharge channel 21 can be increased. The upper distribution area 42 of the gas distribution plate 40 is formed so that the two third chamber bodies 20c are located on both sides with deeper grooves than the central portion, so that gas can quickly flow to the third chamber body 20c. ensure that it can be supplied.

가스 분배 플레이트(40)는 내부에 상부 분배영역(42) 및 하부 분배영역(44)의 둘레를 따라 냉각라인(45)이 구비된다. 냉각수 공급원(미도시)으로부터 냉각수를 공급받으면, 냉각수 주입구(59a)로 공급된 냉각수는 냉각라인(45)을 따라 순환된 후 냉각수 배출구(59b)로 플라즈마 방전에 의해 과열된 가스 분배 플레이트(40)의 온도를 낮춘다. 냉각라인(45)은 플라즈마 방전 채널(21)의 둘레를 따라 형성된다. 본 발명에서는 가스 분배 플레이트(40)에 구비된 냉각라인(45)에 대하여 도면으로 도시한 후 설명하였으나, 냉각라인(45)은 플라즈마 방전 채널(21)을 따라 플라즈마 챔버(20)에 형성된다. 가스 분배 플레이트(40)는 상면에 오링(46)이 설치된다. The gas distribution plate 40 is provided with a cooling line 45 inside the upper distribution area 42 and the lower distribution area 44 along the periphery. When coolant is supplied from a coolant source (not shown), the coolant supplied to the coolant inlet (59a) circulates along the cooling line (45) and then flows to the coolant outlet (59b) to overheat the gas distribution plate (40) by plasma discharge. lower the temperature. The cooling line 45 is formed along the circumference of the plasma discharge channel 21. In the present invention, the cooling line 45 provided in the gas distribution plate 40 is illustrated and explained, but the cooling line 45 is formed in the plasma chamber 20 along the plasma discharge channel 21. The gas distribution plate 40 has an O-ring 46 installed on its upper surface.

도 9 및 도 10은 가스 분배 플레이트의 다른 실시예를 도시한 평면도 및 단면도이다.9 and 10 are plan and cross-sectional views showing another embodiment of a gas distribution plate.

도 9 및 도 10을 참조하면, 점화전극부(50)는 상부 분배영역(42)을 향해 바로 설치될 수 있다. 여기서, 점화전극부(50)는 상부 분배영역(42)에 설치되어 가스 분배 플레이트(40)의 상부 분배영역(42)에서 플라즈마 방전이 이루지고, 다수의 관통홀(43)로 방전된 플라즈마 이온이 분배될 수도 있다. Referring to Figures 9 and 10, the ignition electrode unit 50 can be installed directly toward the upper distribution area 42. Here, the ignition electrode unit 50 is installed in the upper distribution area 42, so that plasma discharge occurs in the upper distribution area 42 of the gas distribution plate 40, and plasma ions discharged into the plurality of through holes 43 This may be distributed.

도 11 및 도 12는 점화전극부를 도시한 단면도 및 분해사시도이다.Figures 11 and 12 are cross-sectional views and exploded perspective views showing the ignition electrode unit.

도 11 및 도 12를 참조하면, 점화전극부(50)는 플라즈마 초기 점화를 위한 점화전극(56)과 점화전극(56)이 플라즈마에 의해 손상되는 것을 방지하기 위한 절연 플레이트(52) 및 점화전극(56)을 지지하며 전기적으로 절연되도록하기 위한 전극 절연부(54)를 포함한다. 점화전극(56)은 가스 분배 플레이트(40)의 일측 개구된 부분에 설치된다. 절연 플레이트(52)는 판 형상으로 형성되며 상부에 전극 절연부(54)가 설치된다. 전극 절연부(54)는 개구되어 형성된 중앙에 점화전극(56)이 설치되며, 점화전극(56)의 둘레가 거치될 수 있도록 형성된다. 점화전극(56)의 외부는 전극 커버(58)가 설치된다. 절연 플레이트(52)와 점화전극(56) 사이에는 진공 절연을 위한 오링(미도시)이 구비된다. 절연 플레이트(52)는 예를 들어, 사파이어로 형성되어 방전된 플라즈마가 역류하여 점화전극(56)을 손상시키는 것을 미연에 방지한다. Referring to Figures 11 and 12, the ignition electrode unit 50 includes an ignition electrode 56 for initial ignition of plasma, an insulating plate 52 to prevent the ignition electrode 56 from being damaged by plasma, and an ignition electrode. It supports (56) and includes an electrode insulation portion (54) to be electrically insulated. The ignition electrode 56 is installed in an open portion of one side of the gas distribution plate 40. The insulating plate 52 is formed in a plate shape, and an electrode insulating portion 54 is installed on the top. The electrode insulation portion 54 is opened and the ignition electrode 56 is installed in the center, and is formed so that the periphery of the ignition electrode 56 can be mounted. An electrode cover 58 is installed outside the ignition electrode 56. An O-ring (not shown) for vacuum insulation is provided between the insulating plate 52 and the ignition electrode 56. The insulating plate 52 is made of sapphire, for example, and prevents the discharged plasma from flowing back and damaging the ignition electrode 56.

이상에서 설명된 본 발명의 균일한 가스 분배를 위한 가스 분배 플레이트를 포함하는 플라즈마 챔버의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. The embodiment of the plasma chamber including the gas distribution plate for uniform gas distribution of the present invention described above is merely illustrative, and those skilled in the art will recognize various modifications and variations therefrom. It will be appreciated that other equivalent embodiments are possible.

그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Thus, it will be understood that the present invention is not limited to the forms mentioned in the detailed description above. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims. In addition, the present invention should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes within the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims.

10: 플라즈마 공급원 11: 가스 매니폴드
13: 가스 공급로 15: 냉각수 매니폴드
20: 플라즈마 챔버 21: 플라즈마 방전 채널
22: 챔버블럭 24: 가스 주입구
26: 가스 배출구 29: 절연 브레이크
30: 변압기 32: 페라이트 코어
40: 가스 분배 플레이트 42: 상부 분배영역
43: 관통홀 43a: 제1 관통홀
43b: 제2 관통홀 44: 하부 분배영역
45: 냉각라인 50: 점화전극부
51: 점화연결로 52: 절연 플레이트
54: 전극 절연부 56: 점화전극
58: 전극 커버
10: Plasma source 11: Gas manifold
13: gas supply path 15: coolant manifold
20: plasma chamber 21: plasma discharge channel
22: Chamber block 24: Gas inlet
26: gas outlet 29: insulation brake
30: Transformer 32: Ferrite core
40: gas distribution plate 42: upper distribution area
43: through hole 43a: first through hole
43b: second through hole 44: lower distribution area
45: Cooling line 50: Ignition electrode unit
51: Ignition connection 52: Insulating plate
54: electrode insulation portion 56: ignition electrode
58: electrode cover

Claims (7)

방전 공간이 형성된 플라즈마 챔버;
상기 플라즈마 챔버 내 공급되는 가스를 상기 방전 공간으로 분배하는 가스 분배 플레이트;
상기 가스 분배 플레이트에 형성되어, 공급된 가스를 상기 방전 공간으로 제공하는 복수의 관통홀 및
상기 가스 분배 플레이트에 형성되어, 상기 방전 공간으로 플라즈마의 초기 점화가 이루어지도록 하는 점화장치를 포함하고,
상기 가스 분배 플레이트는,
상면에 가스 분배를 위한 영역이 형성된 상부 분배영역; 및
하면에 가스 분배를 위한 영역이 형성되고, 상기 방전 공간의 일부를 포함하는 하부 분배영역;을 포함하고,
상기 하부 분배영역은
상기 가스 분배를 위한 분배 영역과, 상기 점화장치를 연결하는 점화연결로를 더 포함하는 플라즈마 챔버.
A plasma chamber in which a discharge space is formed;
a gas distribution plate that distributes gas supplied within the plasma chamber to the discharge space;
A plurality of through holes formed in the gas distribution plate to provide supplied gas to the discharge space, and
An ignition device formed on the gas distribution plate to cause initial ignition of plasma into the discharge space,
The gas distribution plate is,
an upper distribution area formed on the upper surface for gas distribution; and
An area for gas distribution is formed on the lower surface, and a lower distribution area includes a portion of the discharge space,
The lower distribution area is
A plasma chamber further comprising a distribution area for distributing the gas and an ignition connection path connecting the ignition device.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 가스 분배 플레이트는,
상기 상부 분배영역 및 상기 하부 분배영역 중 어느 하나에 인접되게 형성되어,
상기 가스 분배 플레이트의 온도를 낮추기 위한 냉각라인을 더 포함하는 플라즈마 챔버.
According to paragraph 1,
The gas distribution plate is,
Formed adjacent to one of the upper distribution area and the lower distribution area,
A plasma chamber further comprising a cooling line for lowering the temperature of the gas distribution plate.
방전 공간이 형성된 플라즈마 챔버;
상기 플라즈마 챔버 내 공급되는 가스를 상기 방전 공간으로 분배하는 가스 분배 플레이트;
상기 가스 분배 플레이트에 형성되어, 공급된 가스를 상기 방전 공간으로 제공하는 복수의 관통홀 및
상기 가스 분배 플레이트에 형성되어, 상기 방전 공간으로 플라즈마의 초기 점화가 이루어지도록 하는 점화장치;를 포함하고,
상기 복수의 관통홀은,
제1 관통홀 및 제2 관통홀을 더 포함하고,
상기 제1 관통홀은, 상기 방전 공간과 인접하는 영역에 집중되어, 가스를 분배하고,
상기 제2 관통홀은, 상기 점화장치와 대향되는 영역에 집중되어, 가스를 분배시키는 것이 특징인 플라즈마 챔버.
A plasma chamber in which a discharge space is formed;
a gas distribution plate that distributes gas supplied within the plasma chamber to the discharge space;
A plurality of through holes formed in the gas distribution plate to provide supplied gas to the discharge space, and
It includes an ignition device formed on the gas distribution plate to cause initial ignition of plasma into the discharge space,
The plurality of through holes are,
Further comprising a first through hole and a second through hole,
The first through hole is concentrated in an area adjacent to the discharge space and distributes gas,
The second through hole is concentrated in an area opposite the ignition device to distribute gas.
제1항에 있어서,
상기 복수의 관통홀은,
동일한 크기 및 모양으로 형성되거나, 서로 다른 크기 및 모양으로 형성된 것이 특징인 플라즈마 챔버.
According to paragraph 1,
The plurality of through holes are,
Plasma chambers characterized by being formed of the same size and shape, or formed of different sizes and shapes.
제1항에 있어서,
상기 상부 분배영역에 형성된 복수의 관통홀과 상기 하부 분배영역에 형성된 복수의 관통홀은,
가스 분배 플레이트들 간의 접합면을 기준으로 수직으로 관통되도록 형성되거나,
일면이 소정의 각도로 기울어져 관통되도록 형성되는 플라즈마 챔버.
According to paragraph 1,
A plurality of through holes formed in the upper distribution area and a plurality of through holes formed in the lower distribution area,
It is formed to penetrate vertically based on the joint surface between the gas distribution plates, or
A plasma chamber formed so that one side is inclined at a predetermined angle and penetrates.
KR1020160072091A 2016-06-10 2016-06-10 Plasma chamber having gas distribution plate for uniform gas distribution KR102589743B1 (en)

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