KR102619012B1 - Plasma chamber having multi plasma chanel - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 13
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 184
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 75
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
- H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
- H05H1/4645—Radiofrequency discharges
- H05H1/4652—Radiofrequency discharges using inductive coupling means, e.g. coils
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Abstract
본 발명은 다중 플라즈마 채널을 갖는 플라즈마 챔버에 관한 것이다. 본 발명의 다중 플라즈마 채널을 갖는 플라즈마 챔버는 토로이달 형상의 플라즈마 채널을 갖는 플라즈마 챔버에 있어서, 상기 플라즈마 채널은 상기 토로이달 형상의 플라즈마 채널 일부가 다수의 플라즈마 채널로 형성되어 연결된다. 본 발명의 다중 플라즈마 채널을 갖는 플라즈마 챔버에 의하면, 플라즈마 챔버 내로 공급된 가스가 다중 플라즈마 채널을 거치면서 체류시간이 늘어나게 된다. 그러므로 체류시간이 늘어나므로 가스와 플라즈마의 반응율을 높일 수 있어 활성화된 가스로 배출되는 비율을 향상시킬 수 있다. 또한 가스와 플라즈마의 반응율을 높임으로써 사용되는 가스의 양을 절감할 수 있다. The present invention relates to a plasma chamber having multiple plasma channels. The plasma chamber having multiple plasma channels of the present invention is a plasma chamber having a toroidal-shaped plasma channel, in which a portion of the toroidal-shaped plasma channel is formed into a plurality of plasma channels and connected to each other. According to the plasma chamber having multiple plasma channels of the present invention, the residence time of the gas supplied into the plasma chamber increases as it passes through the multiple plasma channels. Therefore, as the residence time increases, the reaction rate between gas and plasma can be increased, thereby improving the rate of discharge as activated gas. Additionally, the amount of gas used can be reduced by increasing the reaction rate between gas and plasma.
Description
본 발명은 다중 플라즈마 채널을 갖는 플라즈마 챔버에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마에 의해 활성화된 가스를 공급하기 위한 다중 플라즈마 채널을 갖는 플라즈마 챔버에 관한 것이다. The present invention relates to a plasma chamber having multiple plasma channels, and more particularly, to a plasma chamber having multiple plasma channels for supplying gas activated by plasma.
플라즈마 방전은 가스를 여기시켜 이온, 자유 라디칼, 원자 및 분자를 함유하는 활성화된 가스를 생성하도록 사용될 수 있다. 활성화된 가스는 반도체 웨이퍼와 같은 고형 물질, 파우더, 및 기타 가스를 처리하는 것을 포함하는 다양한 산업 및 과학 분야에서 사용된다. 플라즈마의 변수 및 처리되는 물질에 대한 플라즈마의 노출에 관한 조건은 기술 분야에 따라 넓게 변화한다. 예를 들면, 몇몇 분야에서는 처리되는 물질이 손상되기 쉬우므로 이온을 낮은 운동 에너지(즉, 몇 전자 볼트)로 사용할 것을 필요로 한다. 이방성 에칭 또는 평탄화된 절연체 증착과 같은 다른 분야에서는 높은 운동 에너지로 이온을 사용할 것을 필요로 한다. 반응성 이온 빔 에칭과 같은 또 다른 분야에서는 이온 에너지의 정밀 제어를 필요로 한다.Plasma discharges can be used to excite gases to produce activated gases containing ions, free radicals, atoms, and molecules. Activated gases are used in a variety of industrial and scientific applications, including processing solid materials such as semiconductor wafers, powders, and other gases. The parameters of the plasma and the conditions regarding its exposure to the material being processed vary widely depending on the field of technology. For example, some fields require that ions be used with low kinetic energies (i.e., a few electron volts) because the materials being processed are susceptible to damage. Other applications, such as anisotropic etching or planarized insulator deposition, require the use of ions with high kinetic energy. Other applications, such as reactive ion beam etching, require precise control of ion energy.
몇몇 분야에서는 처리되는 물질을 높은 밀도의 플라즈마에 직접 노출시키는 것을 필요로 한다. 이러한 분야 중 하나는 이온-활성화된 화학 반응을 생성하는 것이다. 다른 이러한 분야는 높은 종횡비 구조의 에칭 및 그 안으로의 물질 증착을 포함한다. 다른 분야는, 처리되는 물질이 플라즈마로부터 차폐되는 동안, 물질이 이온에 의해 손상되기 쉽거나 처리 공정이 높은 선택비 요구 조건을 갖기 때문에, 원자 및 활성화된 분자를 함유하는 중성 활성화된 가스를 필요로 한다.Some fields require direct exposure of the material being processed to high density plasma. One of these fields is generating ion-activated chemical reactions. Other such areas include the etching of high aspect ratio structures and material deposition therein. Other fields require a neutral activated gas containing atoms and activated molecules, while the material being processed is shielded from the plasma, because the material is susceptible to damage by ions or because the processing process has high selectivity requirements. do.
다양한 플라즈마 공급원은 DC 방전, 고주파(RF) 방전, 및 마이크로웨이브 방전을 포함하는 다양한 방식으로 플라즈마를 생성할 수 있다. DC 방전은 가스 내의 두 개의 전극 사이에 전위를 인가함으로써 달성된다. RF 방전은 전원으로부터 플라즈마 내로 에너지를 정전기 또는 유도 결합시킴으로써 달성된다. 평행 판들은 에너지를 플라즈마 내에 유도 결합시키도록 통상적으로 사용된다. 유도 코일은 전류를 플라즈마 내에 유도하도록 통상적으로 사용된다. 마이크로웨이브 방전은 가스를 수용하는 방전 챔버 내에 마이크로웨이브 통과 윈도우를 통해 마이크로웨이브 에너지를 직접 결합시킴으로써 달성된다. 마이크로웨이브 방전은 높게 이온화된 전자 사이클론공명(ECR) 플라즈마를 포함하는 넓은 범위의 방전 조건을 지원하도록 사용될 수 있다.Various plasma sources can generate plasma in a variety of ways, including DC discharge, radio frequency (RF) discharge, and microwave discharge. DC discharge is achieved by applying an electric potential between two electrodes in a gas. RF discharge is achieved by electrostatic or inductive coupling of energy from a power source into the plasma. Parallel plates are commonly used to inductively couple energy into a plasma. Induction coils are commonly used to induce electric current in a plasma. Microwave discharge is achieved by coupling microwave energy directly through a microwave pass-through window into a discharge chamber containing the gas. Microwave discharge can be used to support a wide range of discharge conditions, including highly ionized electron cyclonic resonance (ECR) plasmas.
마이크로웨이브 또는 다른 타입의 RF 플라즈마 공급원과 비교하여, 토로이달(toroidal) 플라즈마 공급원은 낮은 전기장, 낮은 플라즈마 챔버 부식, 소형화, 및 비용 효과 면에서 장점을 갖는다. 토로이달 플라즈마 공급원은 낮은 전계로 동작하며 전류-종료 전극 및 관련 음극 전위 강하를 내재적으로 제거한다. 낮은 플라즈마 챔버 부식은 토로이달 플라즈마 공급원이 다른 방식의 플라즈마 공급원보다 높은 전력 밀도에서 작동하도록 한다. 또한, 고 투과성 페라이트 코어를 사용하여 전자기 에너지를 플라즈마에 효율적으로 결합시킴으로써, 토로이달 플라즈마 공급원이 상대적으로 낮은 RF 주파수에서 작동하도록 하여 전력 공급 비용을 낮추게 된다. 토로이달 플라즈마 공급원은 반도체 웨이퍼, 평판 디스플레이, 및 다양한 물질의 처리를 위해 불소, 산소, 수소, 질소 등을 포함하는 화학적으로 활성 가스를 생성하도록 사용되어 왔다.Compared to microwave or other types of RF plasma sources, toroidal plasma sources have advantages in low electric fields, low plasma chamber corrosion, compactness, and cost effectiveness. Toroidal plasma sources operate at low electric fields and inherently eliminate the current-termination electrode and associated cathode potential drop. Low plasma chamber corrosion allows toroidal plasma sources to operate at higher power densities than other plasma sources. Additionally, the use of a high-transmission ferrite core to efficiently couple electromagnetic energy to the plasma allows the toroidal plasma source to operate at relatively low RF frequencies, lowering power supply costs. Toroidal plasma sources have been used to generate chemically active gases containing fluorine, oxygen, hydrogen, nitrogen, etc. for the processing of semiconductor wafers, flat panel displays, and various materials.
토로이달 플라즈마 공급원의 가스 입구를 통해 공급되는 가스는 챔버 내부의 토로이달 플라즈마 채널을 따라 이동하며 플라즈마와 반응함으로써 활성화된 가스를 생성한다. 플라즈마 챔버 내에서의 가스의 흐름은 임피던스로 작용한다. 주입된 가스는 모두 플라즈마와 반응하여 활성화된 가스로 배출되는 것이 바람직하나, 플라즈마와 반응하지 않고 배출되는 가스가 존재하게 된다. 플라즈마와 반응하지 않고 배출된 가스는 웨이퍼 처리 공정 또는 세정공정 등에 영향을 미치게 된다. 반응되지 않은 상태로 공급된 가스는 그대로 배기되기 때문에 불필요한 가스 공급으로 인한 비용증가를 야기할 수 있다. 그러므로 챔버로 공급된 가스가 플라즈마와 반응하여 활성화된 가스로써 배출되는 비율을 높이기 위한 노력이 요구된다. The gas supplied through the gas inlet of the toroidal plasma source moves along the toroidal plasma channel inside the chamber and reacts with the plasma to generate activated gas. The flow of gas within the plasma chamber acts as an impedance. It is desirable that all the injected gases react with the plasma and are discharged as activated gas, but there are gases that are discharged without reacting with the plasma. Gas discharged without reacting with plasma affects the wafer processing process or cleaning process. Since gas supplied in an unreacted state is discharged as is, costs may increase due to unnecessary gas supply. Therefore, efforts are required to increase the rate at which the gas supplied to the chamber reacts with the plasma and is discharged as activated gas.
본 발명의 목적은 플라즈마 챔버 내로 공급된 가스의 체류시간을 늘림으로써 가스와 플라즈마의 반응율을 높여 활성화된 가스로 배출되는 비율을 향상시킬 수 있는 다중 플라즈마 채널을 갖는 플라즈마 챔버를 제공하는데 목적이 있다. The purpose of the present invention is to provide a plasma chamber with multiple plasma channels that can increase the rate of discharge into activated gas by increasing the reaction rate between gas and plasma by increasing the residence time of the gas supplied into the plasma chamber.
본 발명은 다중 플라즈마 채널을 갖는 플라즈마 챔버에 관한 것이다. 본 발명의 다중 플라즈마 채널을 갖는 플라즈마 챔버는 토로이달 형상의 플라즈마 채널을 갖는 플라즈마 챔버에 있어서, 상기 플라즈마 채널은 상기 토로이달 형상의 플라즈마 채널 일부가 다수의 플라즈마 채널로 형성되어 연결된다.The present invention relates to a plasma chamber having multiple plasma channels. The plasma chamber having multiple plasma channels of the present invention is a plasma chamber having a toroidal-shaped plasma channel, in which a portion of the toroidal-shaped plasma channel is formed into a plurality of plasma channels and connected to each other.
일 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 채널은 가스 주입구를 갖는 토로이달 형상의 제1 플라즈마 채널; 가스 배출구를 갖는 토로이달 형상의 제2 플라즈마 채널; 및 상기 제1 플라즈마 채널 및 상기 제2 플라즈마 채널을 연결하는 연결 채널을 포함한다. In one embodiment, the plasma channel includes: a first toroidal-shaped plasma channel having a gas inlet; a second plasma channel of toroidal shape having a gas outlet; and a connection channel connecting the first plasma channel and the second plasma channel.
일 실시예에 있어서, 상기 제1 플라즈마 채널 및 제2 플라즈마 채널은 내부가 서로 다른 크기로 형성된다.In one embodiment, the interiors of the first plasma channel and the second plasma channel are formed to have different sizes.
본 발명의 다중 플라즈마 채널을 갖는 플라즈마 챔버에 의하면, 플라즈마 챔버 내로 공급된 가스가 다중 플라즈마 채널을 거치면서 체류시간이 늘어나게 된다. 그러므로 체류시간이 늘어나므로 가스와 플라즈마의 반응율을 높일 수 있어 활성화된 가스로 배출되는 비율을 향상시킬 수 있다. 또한 가스와 플라즈마의 반응율을 높임으로써 사용되는 가스의 양을 절감할 수 있다. According to the plasma chamber having multiple plasma channels of the present invention, the residence time of the gas supplied into the plasma chamber increases as it passes through the multiple plasma channels. Therefore, as the residence time increases, the reaction rate between gas and plasma can be increased, thereby improving the rate of discharge as activated gas. Additionally, the amount of gas used can be reduced by increasing the reaction rate between gas and plasma.
도 1은 활성된 가스를 생성하는 플라즈마 공급원으로의 플라즈마 챔버를 도시한 개념도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 플라즈마 채널을 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 플라즈마 채널에서의 가스 흐름을 도시한 도면이다.
도 4 및 5는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 플라즈마 채널 및 가스 흐름을 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 플라즈마 채널을 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 바람직한 제4 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 플라즈마 채널을 도시한 도면이다.1 is a conceptual diagram showing a plasma chamber as a plasma source that generates activated gas.
Figure 2 is a diagram showing a plasma channel of a plasma chamber according to a first preferred embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing gas flow in the plasma channel of FIG. 2.
4 and 5 are diagrams showing a plasma channel and gas flow of a plasma chamber according to a second preferred embodiment of the present invention.
Figure 6 is a diagram showing a plasma channel of a plasma chamber according to a third preferred embodiment of the present invention.
Figure 7 is a diagram showing a plasma channel of a plasma chamber according to a fourth preferred embodiment of the present invention.
본 발명을 충분히 이해하기 위해서 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상세히 설명하는 실시예로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공된다. 따라서 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어 표현될 수 있다. 각 도면에서 동일한 구성은 동일한 참조부호로 도시한 경우가 있음을 유의하여야 한다. 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 기술은 생략된다.In order to fully understand the present invention, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described in detail below. This example is provided to more completely explain the present invention to those of average skill in the art. Therefore, the shapes of elements in the drawings may be exaggerated to emphasize a clearer description. It should be noted that the same configuration may be indicated by the same reference numeral in each drawing. Detailed descriptions of well-known functions and configurations that are judged to unnecessarily obscure the gist of the present invention are omitted.
도 1은 활성된 가스를 생성하는 플라즈마 공급원으로의 플라즈마 챔버를 도시한 개념도이다. 1 is a conceptual diagram showing a plasma chamber as a plasma source that generates activated gas.
도 1을 참조하면, 플라즈마 처리 시스템은 내부에 기판 지지대(220)가 구비되는 공정챔버(10)와, 플라즈마 공급원으로써 공정챔버(10)로 활성화된 가스를 공급하기 위한 플라즈마 챔버(100)로 구성된다. 플라즈마 챔버(100)의 하나 또는 그 이상의 측면이 공정챔버(10)에 노출되어, 플라즈마에 의해 생성되는 대전된 입자가 처리될 물질(도시하지 않음)과 직접 접촉하도록 한다. 선택적으로, 플라즈마 챔버(100)는 공정챔버(10)로부터 일정 거리에 위치되어, 활성화된 가스가 공정챔버(10) 내로 유동하도록 한다. 서셉터(210)는 공정챔버(10) 내에 위치되어 처리될 물질, 예를 들어, 피처리 기판(미도시)을 지지할 수 있다. 처리될 물질은 플라즈마의 전위에 대해 바이어스될 수 있다.Referring to FIG. 1, the plasma processing system consists of a process chamber 10 equipped with a substrate support 220 therein, and a plasma chamber 100 for supplying activated gas to the process chamber 10 as a plasma source. do. One or more sides of the plasma chamber 100 are exposed to the process chamber 10 so that charged particles generated by the plasma are in direct contact with the material to be processed (not shown). Optionally, the plasma chamber 100 is located at a distance from the process chamber 10 to allow activated gas to flow into the process chamber 10. The susceptor 210 may be located within the process chamber 10 to support a material to be processed, for example, a substrate to be processed (not shown). The material to be treated may be biased relative to the potential of the plasma.
플라즈마 챔버(100)로부터 공급된 활성화 가스는 공정챔버(10) 내부를 세정하기 위한 세정용으로 사용되거나 서셉터(210)에 안착되는 피처리 기판(미도시)을 처리하기 위한 공정용으로 사용될 수 있다. 플라즈마 챔버(100)는 활성화된 가스를 배출하기 위하여 유도 결합 플라즈마, 용량 결합 플라즈마 또는 변압기 플라즈마를 사용할 수 있다. 이중에서 본 발명에서의 플라즈마 챔버는 변압기 플라즈마를 사용한다.The activation gas supplied from the plasma chamber 100 can be used for cleaning the inside of the process chamber 10 or for processing a substrate to be processed (not shown) mounted on the susceptor 210. there is. The plasma chamber 100 may use inductively coupled plasma, capacitively coupled plasma, or transformer plasma to discharge the activated gas. Among these, the plasma chamber in the present invention uses transformer plasma.
도 2는 본 발명의 바람직한 제1 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 플라즈마 채널을 도시한 도면이고, 도 3은 도 2의 플라즈마 채널에서의 가스 흐름을 도시한 도면이다.FIG. 2 is a diagram illustrating a plasma channel of a plasma chamber according to a first preferred embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a diagram illustrating a gas flow in the plasma channel of FIG. 2.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 플라즈마 챔버(100)는 전자기 에너지를 플라즈마 채널(112) 내에 형성되는 플라즈마로 결합시키는 변압기를 포함한다. 플라즈마 챔버(100) 내의 플라즈마 채널 형상에 대하여 다양한 실시예로써 도면을 개시하였다. 2 and 3, the plasma chamber 100 of the present invention includes a transformer that couples electromagnetic energy into a plasma formed within the plasma channel 112. The drawings show various embodiments of the shape of the plasma channel within the plasma chamber 100.
변압기는 페라이트 코어(130), 일차권선(미도시) 및 플라즈마 채널(112)이 포함된 챔버바디를 포함한다. 챔버바디는 토로이달 형상의 플라즈마 채널(112) 내의 플라즈마가 변압기의 이차 회로를 형성하도록 한다. 변압기는 추가의 일차 및 이차 회로를 구성하는 추가의 자기 코일 및 도체 코일(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 챔버바디는 알루미늄과 같은 금속성 물질 또는 다루기 힘든 금속, 양극 산화처리된 알루미늄과 같은 피복된 금속으로 형성될 수도 있고, 석영과 같은 절연 물질로 형성될 수도 있다. 변압기는 전원 공급원(미도시)을 포함한다. 전원 공급원은 변압기의 일차권선과 직접 연결된다. The transformer includes a chamber body containing a ferrite core 130, a primary winding (not shown), and a plasma channel 112. The chamber body allows plasma within the toroidal-shaped plasma channel 112 to form a secondary circuit of the transformer. The transformer may include additional magnetic coils and conductor coils (not shown) forming additional primary and secondary circuits. The chamber body may be formed of a metallic material such as aluminum or a refractory metal, a coated metal such as anodized aluminum, or an insulating material such as quartz. The transformer includes a power source (not shown). The power supply is connected directly to the primary winding of the transformer.
플라즈마 챔버(100)는 토로이달 형상의 플라즈마 채널(112) 내의 플라즈마를 점화하는 초기 이온화 이벤트를 제공하는 자유 전하를 생성하는 점화장치(미도시)를 포함할 수 있다. 초기 이온화 이벤트는 플라즈마 챔버(100)에 인가되는 짧고 높은 전압 펄스일 수 있다. 연속적인 높은 RF 전압은 또한 초기 이온화 이벤트를 생성하도록 사용될 수 있다. 자외선 복사는 또한, 플라즈마 채널(112) 내의 플라즈마를 점화하는 초기 이온화 이벤트를 제공하는, 플라즈마 채널(112) 내의 자유 전하를 생성하도록 사용될 수 있다. 다른 실시예로, 점화전력은 플라즈마 챔버(100)에 위치되는 점화전극(미도시)에 인가된다. 또 다른 실시예로, 점화전력은 일차권선에 직접 인가되어 초기 이온화 이벤트를 제공할 수 있다. 다른 실시예로, 플라즈마 챔버(100)는 챔버바디에 광학 결합하는 자외선 광원(미도시)으로부터 나오는 자외선 복사에 노출되어 플라즈마를 점화하는 초기 이온화 이벤트를 유발할 수 있다.점화장치(미도시)는 플라즈마 채널(112) 내로 초기 이온화 이벤트를 제공할 수 있도록 설치된다. The plasma chamber 100 may include an ignition device (not shown) that generates free charges that provide an initial ionization event that ignites the plasma within the toroidal-shaped plasma channel 112. The initial ionization event may be a short, high voltage pulse applied to the plasma chamber 100. Continuously high RF voltages can also be used to generate initial ionization events. Ultraviolet radiation may also be used to create free charges within the plasma channel 112, which provides an initial ionization event that ignites the plasma within the plasma channel 112. In another embodiment, ignition power is applied to an ignition electrode (not shown) located in the plasma chamber 100. In another embodiment, ignition power can be applied directly to the primary winding to provide an initial ionization event. In another embodiment, the plasma chamber 100 may be exposed to ultraviolet radiation from an ultraviolet light source (not shown) optically coupled to the chamber body to trigger an initial ionization event that ignites the plasma. An ignition device (not shown) may be used to ignite the plasma. It is installed to provide an initial ionization event into channel 112.
플라즈마 챔버(100)는 토로이달 형상을 이루는 다수의 플라즈마 채널(112)을 포함하여 형성된다. 본 발명에서의 플라즈마 챔버(100)는 토로이달 형상의 제1 플라즈마 채널(112a)과 토로이달 형상의 제2 플라즈마 채널(112b)을 갖는다. 제1 플라즈마 채널(112a)과 제2 플라즈마 채널(112b)은 연결채널(115)을 통해 연결된다. The plasma chamber 100 is formed to include a plurality of plasma channels 112 forming a toroidal shape. The plasma chamber 100 in the present invention has a first plasma channel 112a of a toroidal shape and a second plasma channel 112b of a toroidal shape. The first plasma channel 112a and the second plasma channel 112b are connected through a connection channel 115.
제1 플라즈마 채널(112a)에는 가스 주입구(114)가 구비되고, 제2 플라즈마 채널(112b)에는 가스 배출구(116)가 구비된다. 연결채널(115)은 가스 주입구(114)로 공급된 가스가 제1 플라즈마 채널(112a)의 토로이달 형상을 따라 이동한 후 제2 플라즈마 채널(112b)로 공급될 수 있도록 제1 플라즈마 채널(112a)과 제2 플라즈마 채널(112b) 사이에 구비된다. 플라즈마 챔버(100)는 제1 플라즈마 채널(112a)과 제2 플라즈마 채널(112b)이 모두 포함되도록 페라이트 코어(130)가 장착된다. 변형된 실시예로써, 제1 플라즈마 채널(112a) 및 제2 플라즈마 채널(112b)에 각각 페라이트 코어(130)가 장착될 수도 있다. The first plasma channel 112a is provided with a gas inlet 114, and the second plasma channel 112b is provided with a gas outlet 116. The connection channel 115 is a first plasma channel 112a so that the gas supplied to the gas inlet 114 moves along the toroidal shape of the first plasma channel 112a and then is supplied to the second plasma channel 112b. ) and the second plasma channel 112b. The plasma chamber 100 is equipped with a ferrite core 130 so as to include both the first plasma channel 112a and the second plasma channel 112b. As a modified embodiment, ferrite cores 130 may be installed in each of the first plasma channel 112a and the second plasma channel 112b.
가스 주입구(114)로 공급된 가스는 토로이달 형상의 제1 플라즈마 채널(112a)을 따라 이동한 후 연결채널(115)을 통해 제2 플라즈마 채널(112b)로 이동한다. 제2 플라즈마 채널(112b)로 이동된 가스는 토로이달 형상의 제2 플라즈마 채널(112b)을 따라 이동한 후 가스 배출구(116)로 배출된다. 플라즈마 챔버(100)로 공급된 가스는 제1, 2 플라즈마 채널(112a, 112b)을 이동하기 때문에 플라즈마 채널(112) 내에 체류하는 시간이 길어진다. 그러므로 가스는 플라즈마에 노출되어 반응하는 시간이 길어지게 된다. 공급된 가스는 제1, 2 플라즈마 채널(112a, 112b)을 따라 이동하며 플라즈마와 반응하기 때문에 분해되어 활성화된 가스로 배출되는 비율을 높일 수 있다. The gas supplied to the gas inlet 114 moves along the toroidal-shaped first plasma channel 112a and then moves to the second plasma channel 112b through the connection channel 115. The gas moved to the second plasma channel 112b moves along the toroidal-shaped second plasma channel 112b and is then discharged through the gas outlet 116. Since the gas supplied to the plasma chamber 100 moves through the first and second plasma channels 112a and 112b, its residence time in the plasma channel 112 increases. Therefore, the gas is exposed to the plasma and the reaction time is prolonged. Since the supplied gas moves along the first and second plasma channels 112a and 112b and reacts with the plasma, the rate at which it is decomposed and discharged as activated gas can be increased.
본 발명에서는 두 개의 플라즈마 채널을 예시적으로 도시하여 설명하였으나, 플라즈마 채널의 개수를 늘릴 수 있다. 플라즈마 채널의 개수를 조절하여 가스의 체류시간에 대한 조절이 가능하다. In the present invention, two plasma channels are illustrated and described as examples, but the number of plasma channels can be increased. It is possible to control the residence time of the gas by adjusting the number of plasma channels.
또한 다수의 플라즈마 채널은 모두 토로이달 형상으로 형성될 수도 있고, 일부만 토로이달 형상으로 형성될 수도 있다. 또한 토로이달 형상의 플라즈마 채널(112)에서 가스가 주입되는 부분, 가스가 지나는 부분, 가스가 배출되는 부분의 플라즈마 채널이 다수개로 형성되고, 이들이 연결되어 하나의 토로이달 플라즈마 채널(112)을 형성할 수 있다. Additionally, all of the plurality of plasma channels may be formed in a toroidal shape, or only some of them may be formed in a toroidal shape. In addition, in the toroidal-shaped plasma channel 112, a plurality of plasma channels are formed at the gas injection portion, the gas passage portion, and the gas discharge portion, and these are connected to form one toroidal plasma channel 112. can do.
본 발명에서는 플라즈마 챔버(110)가 플라즈마 채널(112)이 포함된 다수의 챔버블럭이 결합된 구조를 도시하였다. 챔버바디는 내부에 고온의 플라즈마에 의해 챔버바디 내부가 손상되는 것을 방지하기 위한 냉각채널(미도시)을 포함한다. 냉각채널(미도시)은 플라즈마 채널(112)의 주변에 위치한다. 냉각채널은 냉각수 공급원(미도시)로부터 공급된 냉각수가 순환되며 챔버바디의 온도를 낮춘다. In the present invention, the plasma chamber 110 shows a structure in which a plurality of chamber blocks including a plasma channel 112 are combined. The chamber body includes a cooling channel (not shown) to prevent the inside of the chamber body from being damaged by high-temperature plasma. A cooling channel (not shown) is located around the plasma channel 112. The cooling channel circulates coolant supplied from a coolant source (not shown) and lowers the temperature of the chamber body.
도 4 및 5는 본 발명의 바람직한 제2 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 플라즈마 채널 및 가스 흐름을 도시한 도면이다. 4 and 5 are diagrams showing a plasma channel and gas flow of a plasma chamber according to a second preferred embodiment of the present invention.
도 4 및 도 5를 참조하면, 플라즈마 챔버(100a)는 제1, 2, 3, 4 플라즈마 채널(112a, 112b, 112c, 112d)을 포함하여 형성된다. 이때, 제1 플라즈마 채널(112a)에는 가스 주입구(114)가 구비되고, 제4 플라즈마 채널(112d)에는 가스 배출구(116)가 구비되며, 제1, 2, 3, 4 플라즈마 채널(112a, 112b, 112c, 112d)은 연결채널(115a, 115b, 115c)에 의해 연결된다. 그러므로 가스 주입구(114)로 공급된 가스는 제1, 2, 3, 4 플라즈마 채널(112a, 112b, 112c, 112d)을 따라 이동하며 플라즈마와 반응하므로 분해되어 활성화된 가스로써 가스 배출구(116)로 배출되는 비율이 높아진다. 본 발명에서는 두 개의 플라즈마 채널 및 네 개의 플라즈마 채널을 포함하는 플라즈마 챔버(100, 100a)를 도시하고 설명하였으나, 이는 예시적인 것으로 플라즈마 채널의 개수는 다양하게 변형 실시가 가능하다. 또한 가스 주입구(114) 및 가스 배출구(116)의 위치 및 개수 또한 다양한 변형 실시가 가능하다. Referring to Figures 4 and 5, the plasma chamber 100a is formed including first, second, third, and fourth plasma channels (112a, 112b, 112c, and 112d). At this time, the first plasma channel 112a is provided with a gas inlet 114, the fourth plasma channel 112d is provided with a gas outlet 116, and the first, second, third, and fourth plasma channels 112a and 112b , 112c, 112d) are connected by connection channels 115a, 115b, 115c. Therefore, the gas supplied to the gas inlet 114 moves along the first, second, third, and fourth plasma channels (112a, 112b, 112c, and 112d) and reacts with plasma, so that it is decomposed into activated gas and flows to the gas outlet 116. The emission rate increases. In the present invention, the plasma chambers 100 and 100a including two plasma channels and four plasma channels are shown and described, but this is an example and the number of plasma channels can be modified in various ways. Additionally, the positions and numbers of the gas inlet 114 and the gas outlet 116 can also be modified in various ways.
도 6은 본 발명의 바람직한 제3 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 플라즈마 채널을 도시한 도면이고, 도 7은 본 발명의 바람직한 제4 실시예에 따른 플라즈마 챔버의 플라즈마 채널을 도시한 도면이다.FIG. 6 is a diagram showing a plasma channel of a plasma chamber according to a third preferred embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a diagram showing a plasma channel of a plasma chamber according to a fourth preferred embodiment of the present invention.
도 6 및 도 7을 참조하면, 플라즈마 챔버(200, 200a)는 직경이 상이한 다수의 플라즈마 채널(212a, 212b, 212c, 212d) 및 연결채널(215a, 215b, 215c)을 포함하여 형성된다. 예를 들어, 가스 주입구(214)가 구비된 플라즈마 채널(212a)의 직경보다 가스 배출구(116)가 구비된 플라즈마 채널(212b, 212d)의 직경이 더 클 수 있다. 또는 이와 반대의 순서로 직경을 갖는 다수의 플라즈마 채널을 포함할 수도 있다. 또한 다수의 플라즈마 채널의 직경 크기는 가스 주입구에서부터 순차적으로 커지거나 작아질 수도 있고, 순차적이지 않을 수도 있다. Referring to FIGS. 6 and 7 , the plasma chambers 200 and 200a are formed including a plurality of plasma channels 212a, 212b, 212c, and 212d with different diameters and connection channels 215a, 215b, and 215c. For example, the diameter of the plasma channels 212b and 212d provided with the gas outlet 116 may be larger than the diameter of the plasma channel 212a provided with the gas inlet 214. Alternatively, it may include a plurality of plasma channels having diameters in the opposite order. Additionally, the diameters of the plurality of plasma channels may increase or decrease sequentially from the gas inlet, or may not be sequential.
플라즈마 챔버는 토로이달 형상의 플라즈마 채널에서 상부 채널 또는 하부 채널에 다수개가 형성될 수도 있다. 또한 상부채널과 하부채널을 연결하는 연결채널 부분에서만 다수의 플라즈마 채널을 포함할 수 있다. 연결채널을 통과하는 가스는 가스 흐름에 따라 단일 플라즈마 채널의 한쪽으로 치우쳐 이동될 수 있다. 이는 가스와 플라즈마가 균일하게 반응하는 것을 저해하는 요소이다. 그러나 본 발명에 따른 다수의 플라즈마 채널을 따라 가스가 통과하는 경우, 가스가 다수의 플라즈마 채널로 고르게 분배되어 이동할 수 있으므로 플라즈마와의 반응이 원활하게 이루어지도록 한다. 도면으로 도시하지는 않았으나, 변형 실시예로써 플라즈마 챔버의 상부 또는 하부에 구비되는 플라즈마 채널을 다수개로 형성할 수도 있고, 상, 하부에 구비되는 플라즈마 채널을 모두 다수개로 형성할 수도 있다. A plurality of plasma chambers may be formed in an upper or lower channel of a toroidal-shaped plasma channel. Additionally, a plurality of plasma channels may be included only in the connecting channel portion connecting the upper channel and the lower channel. Gas passing through the connection channel may be moved to one side of a single plasma channel depending on the gas flow. This is a factor that prevents gas and plasma from reacting uniformly. However, when the gas passes through the plurality of plasma channels according to the present invention, the gas can be evenly distributed and moved to the plurality of plasma channels, thereby ensuring a smooth reaction with the plasma. Although not shown in the drawings, as a modified example, a plurality of plasma channels may be formed in the upper or lower portion of the plasma chamber, or a plurality of plasma channels may be formed in both the upper and lower portions.
이상에서 설명된 본 발명의 다중 플라즈마 채널을 갖는 플라즈마 챔버의 실시예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. The embodiment of the plasma chamber having multiple plasma channels of the present invention described above is merely illustrative, and various modifications and other equivalent embodiments can be made by those skilled in the art. You will be able to understand the point well.
그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Thus, it will be understood that the present invention is not limited to the forms mentioned in the detailed description above. Therefore, the true scope of technical protection of the present invention should be determined by the technical spirit of the attached patent claims. In addition, the present invention should be understood to include all modifications, equivalents and substitutes within the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims.
10: 공정챔버 220: 기판 지지대
210: 서셉터 250: 펌프
100, 200: 플라즈마 챔버 110: 챔버바디
112: 플라즈마 채널
112a, 112b, 112c, 112d: 제1, 2, 3, 4 플라즈마 채널
114, 214: 가스 주입구 ` 116, 216: 가스 배출구
115, 115a, 115b, 115c: 연결채널 130: 페라이트 코어10: Process chamber 220: Substrate support
210: susceptor 250: pump
100, 200: Plasma chamber 110: Chamber body
112: plasma channel
112a, 112b, 112c, 112d: 1st, 2, 3, 4 plasma channels
114, 214: Gas inlet ` 116, 216: Gas outlet
115, 115a, 115b, 115c: Connection channel 130: Ferrite core
Claims (5)
가스의 이동 경로를 형성하고, 상기 이동 경로 내에서 상기 가스를 플라즈마와 반응시키는 두 개 이상의 플라즈마 채널;
토로이달 형상의 상기 두 개 이상의 플라즈마 채널 내의 플라즈마가 변압기의 이차 회로를 형성하도록 형성되는 챔버바디;
상기 변압기를 구성하는 자기 코일로서, 상기 두 개 이상의 플라즈마 채널에 장착되는 페라이트 코어; 및
상기 변압기의 일차 회로를 구성하는 일차권선;
을 포함하고,
상기 두 개 이상의 플라즈마 채널은,
토로이달 형상으로 형성되고, 상기 가스의 공급을 위한 가스 주입구가 형성된 제1 플라즈마 채널;
토로이달 형상으로 형성되고, 상기 제 1 플라즈마 채널의 측면에 형성되며, 상기 이동 경로를 경유한 가스를 배출하는 가스 배출구가 형성된 제2 플라즈마 채널; 및
상기 두 개 이상의 플라즈마 채널들 사이에서 서로 다른 플라즈마 채널을 연결하는 연결채널을 포함하고,
상기 연결채널은,
상기 페라이트 코어를 기준으로 상기 가스 주입구와 반대되는 방향에 설치되고, 토로이달 형상의 상기 두 개 이상의 플라즈마 채널들에서 상기 가스 주입구와 반대되는 방향에 설치되는 플라즈마 챔버.In the plasma chamber formed on the upper part of the process chamber and supplying activated gas toward the process chamber,
Two or more plasma channels that form a movement path for gas and react the gas with plasma within the movement path;
a chamber body formed so that plasma within the two or more toroidal-shaped plasma channels forms a secondary circuit of a transformer;
A magnetic coil constituting the transformer, comprising: a ferrite core mounted on the two or more plasma channels; and
A primary winding constituting the primary circuit of the transformer;
Including,
The two or more plasma channels,
a first plasma channel formed in a toroidal shape and having a gas inlet for supplying the gas;
a second plasma channel formed in a toroidal shape, formed on a side of the first plasma channel, and having a gas outlet for discharging gas passing through the movement path; and
A connection channel connecting different plasma channels between the two or more plasma channels,
The connection channel is,
A plasma chamber installed in a direction opposite to the gas inlet with respect to the ferrite core, and installed in a direction opposite to the gas inlet in the two or more toroidal-shaped plasma channels.
상기 플라즈마 채널은,
상기 제1 플라즈마 채널과 상기 제2 플라즈마 채널 사이에 형성된 제3 및 제4 플라즈마 채널을 더 포함하고,
상기 제3 및 제4 플라즈마 채널은,
상기 제1 플라즈마 채널의 가스 주입구로부터 상기 제2 플라즈마 채널의 가스 배출구까지의 가스가 이동되는 경로의 일부를 형성하는 채널인 플라즈마 챔버.According to paragraph 1,
The plasma channel is,
Further comprising third and fourth plasma channels formed between the first plasma channel and the second plasma channel,
The third and fourth plasma channels are,
A plasma chamber that is a channel that forms part of a path along which gas moves from the gas inlet of the first plasma channel to the gas outlet of the second plasma channel.
상기 제1 플라즈마 채널 내지 상기 제4 플라즈마 채널 중 하나 이상은 다른 플라즈마 채널과 내부가 서로 다른 크기로 형성되는 플라즈마 챔버.According to paragraph 2,
A plasma chamber in which at least one of the first to fourth plasma channels is formed to have an interior of a different size from the other plasma channels.
상기 페라이트 코어는,
상기 플라즈마의 흐름을 유도하기 위해 상기 두 개 이상의 플라즈마 채널 각각에서 일부 영역의 외면만을 개별적으로 감싸거나 상기 두 개 이상의 플라즈마 채널 각각에서 일부 영역의 외면을 모두 한 번에 감싸는, 플라즈마 챔버.According to paragraph 1,
The ferrite core is,
A plasma chamber that individually surrounds only the outer surface of some areas in each of the two or more plasma channels or wraps the outer surfaces of some areas all at once in each of the two or more plasma channels in order to induce the flow of the plasma.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160065595A KR102619012B1 (en) | 2016-05-27 | 2016-05-27 | Plasma chamber having multi plasma chanel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020160065595A KR102619012B1 (en) | 2016-05-27 | 2016-05-27 | Plasma chamber having multi plasma chanel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170134000A KR20170134000A (en) | 2017-12-06 |
| KR102619012B1 true KR102619012B1 (en) | 2023-12-28 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160065595A KR102619012B1 (en) | 2016-05-27 | 2016-05-27 | Plasma chamber having multi plasma chanel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102619012B1 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101155139B1 (en) * | 2004-05-03 | 2012-06-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Very low temperature cvd process with independently variable conformality, stress and composition of the cvd layer |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100709354B1 (en) * | 2005-06-17 | 2007-04-20 | 삼성전자주식회사 | The multi-channel plasma accelerator |
| KR101414170B1 (en) * | 2012-10-05 | 2014-07-04 | 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원 | Apparatus for processing plasma |
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- 2016-05-27 KR KR1020160065595A patent/KR102619012B1/en active IP Right Grant
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR101155139B1 (en) * | 2004-05-03 | 2012-06-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Very low temperature cvd process with independently variable conformality, stress and composition of the cvd layer |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170134000A (en) | 2017-12-06 |
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