KR20210084927A - Cap structure for improved etching gas cohesion - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 캡 구조체에 관한 것으로, 특히 에칭 가스가 흐를수 있는 길을 내부에 만들어 주어 챔버 센터 부분의 에칭 가스 응집도를 높여, 챔버 전체에 에칭 가스가 고르게 분포할 수 있도록 하는 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체에 관한 것이다.The present invention relates to a cap structure, and in particular, to increase the degree of aggregation of the etching gas in the chamber center portion by creating a path for the etching gas to flow therein, so that the etching gas can be evenly distributed throughout the chamber. It relates to a cap structure.
플라즈마 방전은 가스를 여기시켜 이온, 자유 라디칼, 원자 및 분자를 함유하는 활성화된 가스를 생성하도록 사용될 수 있다. 활성화된 가스는 반도체 웨이퍼와 같은 고형 물질, 파우더, 및 기타 가스를 처리하는 것을 포함하는 다양한 산업 및 과학 분야에서 사용된다.Plasma discharge can be used to excite a gas to produce an activated gas containing ions, free radicals, atoms and molecules. Activated gases are used in a variety of industrial and scientific fields, including processing solid materials such as semiconductor wafers, powders, and other gases.
플라즈마의 변수 및 처리되는 물질에 대한 플라즈마의 노출에 관한 조건은 기술 분야에 따라 넓게 변화한다. 예를 들면, 몇몇 분야에서는 처리되는 물질이 손상되기 쉬우므로 이온을 낮은 운동 에너지(즉, 몇 전자 볼트)로 사용할 것을 필요로 한다. 이방성 에칭 또는 평탄화된 절연체 증착과 같은 다른 분야에서는 높은 운동 에너지로 이온을 사용할 것을 필요로 한다. 반응성 이온 빔 에칭과 같은 또 다른 분야에서는 이온 에너지의 정밀 제어를 필요로 한다.The parameters of the plasma and conditions relating to the exposure of the plasma to the material being treated vary widely from field to field. For example, some applications require the use of ions with low kinetic energy (ie, a few electron volts) because the material being processed is fragile. Other applications, such as anisotropic etching or planarized insulator deposition, require the use of ions with high kinetic energy. Another application, such as reactive ion beam etching, requires precise control of the ion energy.
몇몇 분야에서는 처리되는 물질을 높은 밀도의 플라즈마에 직접 노출시키는 것을 필요로 한다. 이러한 분야 중 하나는 이온-활성화된 화학 반응을 생성하는 것이다. Some applications require direct exposure of the material being treated to a high-density plasma. One such field is generating ion-activated chemical reactions.
다른 이러한 분야는 높은 종횡비 구조의 에칭 및 그 안으로의 물질 증착을 포함한다. 다른 분야는, 처리되는 물질이 플라즈마로부터 차폐되는 동안, 물질이 이온에 의해 손상되기 쉽거나 처리 공정이 높은 선택비 요구 조건을 갖기 때문에, 원자 및 활성화된 분자를 함유하는 중성 활성화된 가스를 필요로 한다.Other such applications include etching high aspect ratio structures and depositing materials therein. Other applications require a neutral activated gas containing atoms and activated molecules, while the material being treated is shielded from plasma, either because the material is susceptible to damage by ions or the treatment process has high selectivity requirements. do.
다양한 플라즈마 공급원은 DC 방전, 고주파(RF) 방전, 및 마이크로웨이브 방전을 포함하는 다양한 방식으로 플라즈마를 생성할 수 있다. DC 방전은 가스 내의 두 개의 전극 사이에 전위를 인가함으로써 달성된다. Various plasma sources can generate plasma in a variety of ways, including DC discharge, radio frequency (RF) discharge, and microwave discharge. DC discharge is achieved by applying an electric potential between two electrodes in a gas.
RF 방전은 전원으로부터 플라즈마 내로 에너지를 정전기 또는 유도 결합시킴으로써 달성된다. 평행 판들은 에너지를 플라즈마 내에 유도 결합시키도록 통상적으로 사용된다. 유도 코일은 전류를 플라즈마 내에 유도하도록 통상적으로 사용된다. 마이크로웨이브 방전은 가스를 수용하는 방전 챔버 내에 마이크로웨이브 통과 윈도우를 통해 마이크로웨이브 에너지를 직접 결합시킴으로써 달성된다. 마이크로웨이브 방전은 높게 이온화된 전자 사이클론공명(ECR) 플라즈마를 포함하는 넓은 범위의 방전 조건을 지원하도록 사용될 수 있다.RF discharge is achieved by electrostatically or inductively coupling energy from a power source into the plasma. Parallel plates are commonly used to inductively couple energy into a plasma. An induction coil is commonly used to induce an electric current in a plasma. Microwave discharge is accomplished by direct coupling of microwave energy through a microwave passage window into a discharge chamber containing the gas. Microwave discharge can be used to support a wide range of discharge conditions, including highly ionized electron cyclone resonance (ECR) plasmas.
마이크로웨이브 또는 다른 타입의 RF 플라즈마 공급원과 비교하여, 토로이달(toroidal) 플라즈마 공급원은 낮은 전기장, 낮은 플라즈마 챔버 부식, 소형화, 및 비용 효과 면에서 장점을 갖는다. Compared to microwave or other types of RF plasma sources, toroidal plasma sources have advantages in terms of low electric field, low plasma chamber corrosion, miniaturization, and cost effectiveness.
토로이달 플라즈마 공급원은 낮은 전계로 동작하며 전류-종료 전극 및 관련 음극 전위 강하를 내재적으로 제거한다. 낮은 플라즈마 챔버 부식은 토로이달 플라즈마 공급원이 다른 방식의 플라즈마 공급원보다 높은 전력 밀도에서 작동하도록 한다.The toroidal plasma source operates with a low electric field and inherently eliminates the current-terminating electrode and associated cathode potential drop. Low plasma chamber erosion allows toroidal plasma sources to operate at higher power densities than other types of plasma sources.
또한, 고 투과성 페라이트 코어를 사용하여 전자기 에너지를 플라즈마에 효율적으로 결합시킴으로써, 토로이달 플라즈마 챔버이 상대적으로 낮은 RF 주파수에서 작동하도록 하여 전력 공급 비용을 낮추게 된다. 토로이달 플라즈마 챔버는 반도체 웨이퍼, 평판 디스플레이, 및 다양한 물질의 처리를 위해 불소, 산소, 수소, 질소 등을 포함하는 화학적으로 활성 가스를 생성하도록 사용되어 왔다.In addition, the efficient coupling of electromagnetic energy to the plasma using a highly permeable ferrite core allows the toroidal plasma chamber to operate at a relatively low RF frequency, thereby lowering power supply costs. Toroidal plasma chambers have been used to generate chemically active gases containing fluorine, oxygen, hydrogen, nitrogen, and the like for the processing of semiconductor wafers, flat panel displays, and various materials.
토로이달 플라즈마 챔버의 가스 입구를 통해 공급되는 가스는 챔버 내부의 토로이달 플라즈마 채널을 따라 이동하며 플라즈마와 반응함으로써 활성화된 가스를 생성한다. 플라즈마 챔버 내에서의 가스의 흐름은 임피던스로 작용한다. 플라즈마 챔버 내로 공급되는 가스는 주로 하나의 주입구를 통해 공급되므로 토로이달 형상의 플라즈마 채널 양측으로 균일하게 분배되지 않는다. 그러므로 플라즈마 채널 내에서 균일하게 방전되지 않는 문제점이 발생하였다.The gas supplied through the gas inlet of the toroidal plasma chamber moves along the toroidal plasma channel inside the chamber and reacts with the plasma to generate an activated gas. The flow of gas in the plasma chamber acts as an impedance. Since the gas supplied into the plasma chamber is mainly supplied through one inlet, it is not uniformly distributed to both sides of the toroidal-shaped plasma channel. Therefore, there is a problem that the discharge is not uniformly in the plasma channel.
이러한 문제점을 해결하기 위하여 플라즈마 챔버 내로 공급되는 가스를 균일하게 분배함으로써 플라즈마 챔버 내에서 플라즈마 방전이 균일하게 발생할 수 있은 균일한 가스 분배를 위한 가스 분배 플레이트를 포함하는 플라즈마 챔버가 제공되고 있으며, 이와 같은 가스 분배 플레이트에는 다수의 홀과 이에 대응되는 다수의 캡을 구비하고 있다.In order to solve this problem, there is provided a plasma chamber including a gas distribution plate for uniform gas distribution in which a plasma discharge can be uniformly generated in the plasma chamber by uniformly distributing the gas supplied into the plasma chamber. The gas distribution plate has a plurality of holes and a plurality of caps corresponding thereto.
이와 같이 가스 분배 플레이트에 구비된 홀에 대응되는 종래 캡은 홀을 폐쇄하는 기능만을 구비하고 있어 에칭 가스가 균일하게 분배되도록 하는데 한계가 있었다.As described above, the conventional cap corresponding to the hole provided in the gas distribution plate has only a function of closing the hole, and thus there is a limit in allowing the etching gas to be uniformly distributed.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 에칭 가스가 흐를수 있는 길을 내부에 만들어 주어 챔버 센터 부분의 에칭 가스 응집도를 높여, 챔버 전체에 에칭 가스가 고르게 분포할 수 있도록 하는 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above problems, and by making a path for the etching gas to flow inside to increase the degree of aggregation of the etching gas in the center of the chamber, the degree of aggregation of the etching gas so that the etching gas can be evenly distributed throughout the chamber An object of the present invention is to provide a cap structure for improvement.
본 발명의 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체는 판형으로 형성되어 있으며 내부에 다수의 가스 유입홀을 구비하고 있는 홀 삽입부; 및 판형으로 형성되어 있고 상기 홀 삽입부에 결합되어 있으며, 상기 다수의 유입홀의 각각에 대응되는 다수의 가스 배출홀을 내부에 구비하고 있는 가스 분출부를 포함한다.The cap structure for improving the etching gas cohesion of the present invention includes: a hole insertion unit formed in a plate shape and having a plurality of gas inlet holes therein; and a gas outlet formed in a plate shape, coupled to the hole insertion unit, and having a plurality of gas discharge holes corresponding to each of the plurality of inlet holes therein.
또한, 본 발명의 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체의 상기 홀 삽입부와 가스 분출부는 원판형인 것을 특징으로 한다.In addition, the hole insertion portion and the gas ejection portion of the cap structure for improving the etching gas cohesion of the present invention is characterized in that the disk shape.
또한, 본 발명의 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체의 상기 홀 삽입부와 상기 가스 분출부가 원판형인 경우에 상기 홀 삽입부의 직경은 상기 가스 분출부의 직경보다 작은 것을 특징으로 한다.In addition, when the hole inserting part and the gas ejection part of the cap structure for improving the etching gas cohesion of the present invention have a disk shape, the diameter of the hole inserting part is smaller than the diameter of the gas ejection part.
또한, 본 발명의 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체의 상기 홀 삽입부와 가스 분출부는 일체로 형성된 것을 특징으로 한다.In addition, the hole insertion portion and the gas ejection portion of the cap structure for improving the etching gas cohesion of the present invention is characterized in that it is integrally formed.
또한, 본 발명의 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체의 상기 홀 삽입부와 가스 분출부는 강철 또는 스테인리스 강인 것을 특징으로 한다.In addition, the hole insertion portion and the gas ejection portion of the cap structure for improving the etching gas cohesion of the present invention is characterized in that steel or stainless steel.
또한, 본 발명의 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체의 상기 홀 삽입부의 내부에 형성된 다수의 가스 유입홀은 상기 홀 삽입부의 표면에 수직하게 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.In addition, the plurality of gas inlet holes formed in the hole insertion portion of the cap structure for improving the etching gas cohesion of the present invention are formed perpendicular to the surface of the hole insertion portion.
또한, 본 발명의 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체의 상기 다수의 가스 배출홀은 다수의 가스 유입홀의 각각에 대응되게 형성되어 있으며, L자 형상으로 형성되어 있어 상기 가스 분출부의 측면으로 에칭 가스를 분출할 수 있도록 되어 있다.In addition, the plurality of gas discharge holes of the cap structure for improving the etching gas cohesion of the present invention are formed to correspond to each of the plurality of gas inlet holes, and are formed in an L-shape, so that the etching gas is discharged from the side of the gas outlet. It is designed to be ejected.
또한, 본 발명의 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체의 상기 다수의 가스 배출홀과 상기 다수의 가스 유입홀의 홀 직경이 서로 동일한 것을 특징으로 한다.In addition, the plurality of gas discharge holes and the plurality of gas inlet holes of the cap structure for improving the etching gas cohesion of the present invention are characterized in that the hole diameters are the same.
또한, 본 발명의 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체의 상기 다수의 가스 유입홀의 각각의 홀 직경은 상기 홀 삽입부의 표면에서 내부를 향하면서 증가되도록 테이퍼진 형태로 형성되어 있다.In addition, each hole diameter of the plurality of gas inlet holes of the cap structure for improving the etching gas cohesion of the present invention is formed in a tapered shape to increase from the surface of the hole insertion part toward the inside.
또한, 본 발명의 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체의 상기 다수의 가스 배출홀의 각각의 홀 직경은 상기 가스 분출부의 측면 외부를 향하면서 점점 증가되도록 테이퍼진 형태로 형성되어 있다.In addition, the diameter of each of the plurality of gas discharge holes of the cap structure for improving the etching gas cohesion of the present invention is tapered to gradually increase toward the outside of the side of the gas outlet.
상기와 같은 본 발명은 캡 구조체의 내부에 에칭 가스가 흐를수 있는 길을 내부에 만들어 주어 챔버 센터 부분의 에칭 가스 응집도를 높여준다.According to the present invention as described above, a path through which the etching gas can flow is made inside the cap structure to increase the degree of aggregation of the etching gas in the chamber center portion.
이에 따라, 본 발명에 따른 캡 구조체는 챔버 전체에 에칭 가스가 고르게 분포할 수 있도록 한다.Accordingly, the cap structure according to the present invention allows the etching gas to be evenly distributed throughout the chamber.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 캡 구조체의 사시도이다.
도 2a은 본 발명의 일 실시예에 따른 캡 구조체의 정면도이고, 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 캡 구조체의 홀측에서 본 평면도이고, 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 캡 구조체의 홀 반대측에서 본 평면도이다.
도 3은 도 1의 A-A' 선에 따른 절단면도이다.
도 4는 가스 분배 플레이트에 본 발명의 일 실시예에 따른 캡 구조체가 적층된 상태를 나타내는 도면이다.1 is a perspective view of a cap structure according to an embodiment of the present invention.
2A is a front view of a cap structure according to an embodiment of the present invention, FIG. 2B is a plan view from the hole side of the cap structure according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2C is a cap structure according to an embodiment of the present invention. This is a plan view from the opposite side of the hall.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA′ of FIG. 1 .
4 is a view showing a state in which a cap structure according to an embodiment of the present invention is stacked on a gas distribution plate.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체를 상세하게 설명한다.Hereinafter, a cap structure for improving etching gas cohesion according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
다만, 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지기능 또는 구성에 대해 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.However, in describing a preferred embodiment of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.
덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 '연결' 되어 있다고 할 때, 이는 '직접적으로 연결' 되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 '간접적으로 연결' 되어 있는 경우도 포함한다.In addition, throughout the specification, when a part is 'connected' with another part, it is not only 'directly connected' but also 'indirectly connected' with another element interposed therebetween. include
설명하는 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 당업자가 용이하게 이해할 수 있도록 제공 되는 것으로 이에 의해 본 발명이 한정 되지 않는다. 또한, 첨부된 도면에 표시된 사항들은 본 발명의 실시 예들을 쉽게 설명하기 위해 도식화된 도면으로 실제로 구현되는 형태와 상이할 수 있다.The described embodiments are provided so that those skilled in the art can easily understand the technical spirit of the present invention, and the present invention is not limited thereto. In addition, items shown in the accompanying drawings may be different from the actual implementation in the drawings schematically for easy explanation of the embodiments of the present invention.
한편, 어떤 구성 요소들을 '포함' 한다는 표현은, '개방형의 표현'으로서 해당 구성 요소들이 존재하는 것을 단순히 지칭하는 표현이며, 추가적인 구성요소들을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다.On the other hand, the expression 'including' certain components is an expression that simply refers to the existence of the corresponding components as an 'open expression', and should not be understood as excluding additional components.
또한, '제1, 제2, 제3 등과 같은 용어'는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로만 사용되며, 상기 구성요소들의 속성이 상기 용어들에 의해 한정 되지 않는다.In addition, 'terms such as first, second, third, etc.' may be used to describe various components, but the terms are used only for the purpose of distinguishing one component from other components, and the component Their properties are not limited by the above terms.
후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.The terms to be described below are terms defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to intentions or customs of users and operators. Therefore, definitions of these terms should be made based on the content throughout this specification.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 캡 구조체의 사시도이고, 도 2a은 본 발명의 일 실시예에 따른 캡 구조체의 정면도이고, 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 캡 구조체의 홀측에서 본 평면도이고, 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 캡 구조체의 홀 반대측에서 본 평면도이다.1 is a perspective view of a cap structure according to an embodiment of the present invention, FIG. 2A is a front view of a cap structure according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2B is a hole side of the cap structure according to an embodiment of the present invention. This is a plan view, and FIG. 2C is a plan view seen from the opposite side of the hole of the cap structure according to an embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 2c를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 캡 구조체는 판형으로 형성되어 있으며 내부에 다수의 가스 유입홀(110)을 구비하고 있는 홀 삽입부(100)와, 판형으로 형성되어 있고 상기 홀 삽입부에 결합되어 있으며, 상기 다수의 유입홀의 각각에 대응되는 다수의 가스 배출홀(210)을 내부에 구비하고 있는 가스 분출부(200)를 구비하고 있다.1 to 2c , the cap structure according to an embodiment of the present invention is formed in a plate shape and has a
여기에서, 홀 삽입부(100)는 원판형으로 도시되어 있으나 이에 한정되지 않으면 사각판형, 오각판형등의 여러가지 형상이 가능하며 홀의 형상에 부합되는 형상을 가진다.Here, the
그리고, 가스 분출부(200)는 원판형으로 도시되어 있으나 이에 한정되지 않으면 사각판형, 오각판형등의 여러가지 형상이 가능하다.In addition, although the
상기 홀 삽입부(100)와 가스 분출부(200)는 분리 제작되어 서로 단단하게 결합되도록 형성할 수도 있고, 일체로 형성할 수도 있다.The
이와 같은 홀 삽입부(100)와 가스 분출부(200)는 강철, 스테인리스 강, 알루미늄, 알루미늄 합금 등으로 제조될 수 있으며 용도에 따라 다른 금속으로도 제조될 수 있다.The
상기 홀 삽입부(100)와 상기 가스 분출부(200)가 원판형인 경우에 상기 홀 삽입부(200)의 직경은 상기 가스 분출부(200)의 직경보다 작다.When the
한편, 상기 홀 삽입부(100)의 내부에 형성된 다수의 가스 유입홀(110)은 도 3의 도 1의 A-A' 선에 따른 절단도를 참조하면, 수직하게 형성되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 경사지게 형성될 수도 있다.On the other hand, the plurality of gas inlet holes 110 formed in the
이러한 다수의 가스 유입홀(110)은 4개가 형성되어 있는 것으로 도시되어 있지만 이에 한정되지 않는다.Although the plurality of gas inlet holes 110 are illustrated as being formed in four, the present invention is not limited thereto.
그리고, 다수의 가스 유입홀(110)의 배치 형상도 균일한 간격으로 형성되어 있으나 이와 달리 서로 상이한 간격으로 형성될 수 있다.In addition, although the arrangement shape of the plurality of gas inlet holes 110 is also formed at uniform intervals, unlike this, they may be formed at different intervals.
또한, 다수의 가스 유입홀(110)의 홀 직경이 서로 동일한 것으로 형성되어 있으나 서로 상이할 수 있다.In addition, although the plurality of gas inlet holes 110 have the same hole diameter, they may be different from each other.
물론, 다수의 가스 유입홀(110)의 각각의 홀 직경은 홀 삽입부(100)의 표면 에서 내부를 향하면서 점점 증가되도록 테이퍼진 형태로 형성될 수 있다.Of course, the diameter of each of the plurality of gas inlet holes 110 may be formed in a tapered shape to gradually increase from the surface of the
그리고, 상기 가스 분출부(200)에 형성된 다수의 가스 배출홀(210)은 도 3의 절단면도에서 보는 바와 같이, 다수의 가스 유입홀(110)의 각각에 대응되게 형성되어 있으며, L자 형상으로 형성되어 있어 상기 가스 분출부의 측면으로 에칭 가스를 분출할 수 있도록 되어 있다.In addition, the plurality of gas discharge holes 210 formed in the
이러한 다수의 가스 배출홀(210)은 4개가 형성되어 있는 것으로 도시되어 있지만 이에 한정되지 않는다.Although it is illustrated that four such a plurality of gas discharge holes 210 are formed, the present invention is not limited thereto.
그리고, 다수의 가스 배출홀(210)의 배치 형상도 균일한 간격으로 형성되어 있으나 이와 달리 서로 상이한 간격으로 형성될 수 있다.In addition, although the arrangement shape of the plurality of gas discharge holes 210 is also formed at uniform intervals, otherwise, they may be formed at different intervals.
또한, 다수의 가스 배출홀(210)의 홀 직경이 서로 동일한 것으로 형성되어 있으나 서로 상이할 수 있다.In addition, although the plurality of gas discharge holes 210 have the same hole diameter, they may be different from each other.
또한, 다수의 가스 배출홀(210)의 홀 직경은 다수의 가스 유입홀(110)의 홀 직경과 동일할 수 있다.Also, the hole diameters of the plurality of gas discharge holes 210 may be the same as the hole diameters of the plurality of gas inlet holes 110 .
물론, 다수의 가스 배출홀(210)의 각각의 홀 직경은 가스 분출부(200)의 측면 외부를 향하면서 점점 증가되도록 테이퍼진 형태로 형성될 수 있다.Of course, the diameter of each of the plurality of gas discharge holes 210 may be tapered so as to gradually increase toward the outside of the side of the
도 4는 가스 분배 플레이트에 본 발명의 일 실시예에 따른 캡 구조체가 적층된 상태를 나타내는 도면이다.4 is a view showing a state in which a cap structure according to an embodiment of the present invention is stacked on a gas distribution plate.
도 4를 참조하면, 가스 분배 플레이트에 본 발명의 일 실시예에 따른 캡 구조체가 결합된 상태로 에칭 가스가 플라즈마 챔버 센터에 고르게 분포할 수 있도록 한다.Referring to FIG. 4 , in a state in which the cap structure according to an embodiment of the present invention is coupled to the gas distribution plate, the etching gas may be evenly distributed in the plasma chamber center.
상기와 같은 본 발명은 캡 구조체의 내부에 에칭 가스가 흐를수 있는 길을 내부에 만들어 주어 챔버 센터 부분의 에칭 가스 응집도를 높여준다.According to the present invention as described above, a path through which the etching gas can flow is made inside the cap structure to increase the degree of aggregation of the etching gas in the chamber center portion.
이에 따라, 본 발명에 따른 캡 구조체는 챔버 전체에 에칭 가스가 고르게 분포할 수 있도록 한다.Accordingly, the cap structure according to the present invention allows the etching gas to be evenly distributed throughout the chamber.
본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It will be well understood that the present invention is not limited to the forms recited in the above detailed description. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims. It is also to be understood that the present invention includes all modifications, equivalents and substitutions falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
100 : 홀 삽입부
110 : 다수의 가스 유입홀
200 : 가스 분출부
210 : 다수의 가스 배출홀100: hole insertion part
110: a plurality of gas inlet holes
200: gas outlet
210: a plurality of gas discharge holes
Claims (10)
판형으로 형성되어 있고 상기 홀 삽입부에 결합되어 있으며, 상기 다수의 유입홀의 각각에 대응되는 다수의 가스 배출홀을 내부에 구비하고 있는 가스 분출부를 포함하는 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체.
a hole insertion unit formed in a plate shape and having a plurality of gas inlet holes therein; and
A cap structure for improving etching gas aggregation, comprising a gas outlet formed in a plate shape and coupled to the hole insertion portion, the gas outlet having a plurality of gas outlet holes corresponding to each of the plurality of inlet holes therein.
상기 홀 삽입부와 가스 분출부는 원판형인 것을 특징으로 하는 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체.
The method according to claim 1,
The cap structure for improving etching gas cohesion, characterized in that the hole insertion portion and the gas ejection portion are disk-shaped.
상기 홀 삽입부와 상기 가스 분출부가 원판형인 경우에 상기 홀 삽입부의 직경은 상기 가스 분출부의 직경보다 작은 것을 특징으로 하는 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체.
The method according to claim 1,
A cap structure for improving etching gas cohesion, characterized in that when the hole inserting portion and the gas ejection portion have a disk shape, a diameter of the hole inserting portion is smaller than a diameter of the gas ejection portion.
상기 홀 삽입부와 가스 분출부는 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체.
The method according to claim 1,
The cap structure for improving etching gas cohesion, characterized in that the hole insertion portion and the gas ejection portion are integrally formed.
상기 홀 삽입부와 가스 분출부는 강철 또는 스테인리스 강인 것을 특징으로 하는 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체.
The method according to claim 1,
The cap structure for improving etching gas cohesion, characterized in that the hole insertion portion and the gas ejection portion are made of steel or stainless steel.
상기 홀 삽입부의 내부에 형성된 다수의 가스 유입홀은 상기 홀 삽입부의 표면에 수직하게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체.
The method according to claim 1,
A cap structure for improving etching gas cohesion, characterized in that the plurality of gas inlet holes formed in the hole inserting part are formed perpendicular to the surface of the hole inserting part.
상기 다수의 가스 배출홀은 다수의 가스 유입홀의 각각에 대응되게 형성되어 있으며, L자 형상으로 형성되어 있어 상기 가스 분출부의 측면으로 에칭 가스를 분출할 수 있도록 되어 있는 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체.
7. The method of claim 6,
The plurality of gas discharge holes are formed to correspond to each of the plurality of gas inlet holes, and are formed in an L-shape so that the etching gas can be ejected to the side of the gas ejection portion. A cap structure for improving the degree of aggregation of the etching gas. .
The cap structure of claim 7 , wherein the plurality of gas discharge holes and the plurality of gas inlet holes have the same diameter.
상기 다수의 가스 유입홀의 각각의 홀 직경은 상기 홀 삽입부의 표면에서 내부를 향하면서 증가되도록 테이퍼진 형태로 형성되는 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체.
8. The method of claim 7
The cap structure for improving etching gas cohesion is formed in a tapered shape so that the diameter of each of the plurality of gas inlet holes is increased from the surface of the hole insertion part toward the inside.
상기 다수의 가스 배출홀의 각각의 홀 직경은 상기 가스 분출부의 측면 외부를 향하면서 점점 증가되도록 테이퍼진 형태로 형성되는 에칭 가스 응집도 향상을 위한 캡 구조체.8. The method of claim 7
The cap structure for improving etching gas cohesion is formed in a tapered shape such that the diameter of each of the plurality of gas discharge holes is gradually increased toward the outside of the side of the gas outlet.
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|---|---|---|---|
| KR1020190177452A KR20210084927A (en) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | Cap structure for improved etching gas cohesion |
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090086638A (en) | 2006-12-05 | 2009-08-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Mid-chamber gas distribution plate, tuned plasma control grid and electrode |
| KR20170139759A (en) | 2016-06-10 | 2017-12-20 | (주) 엔피홀딩스 | Plasma chamber having gas distribution plate for uniform gas distribution |
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2019
- 2019-12-30 KR KR1020190177452A patent/KR20210084927A/en unknown
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