KR102583823B1 - Method of forming a thin film with curvature and electronic device manufactured by the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 다양한 실시예에 따른 곡률을 가지는 박막의 형성 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 박막 및 제2 박막을 형성하는 단계; 상기 제2 박막을 패터닝하는 단계; 상기 제2 박막 상에 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 박막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함할 수 있다.A method of forming a thin film with curvature according to various embodiments of the present invention includes preparing a substrate; forming a first thin film and a second thin film on the substrate; patterning the second thin film; forming a protective film on the second thin film; and selectively etching the first thin film.

Description

곡률을 가지는 박막의 형성 방법 및 이를 통해 제조된 전자 소자{Method of forming a thin film with curvature and electronic device manufactured by the same}Method of forming a thin film with curvature and electronic device manufactured thereby {Method of forming a thin film with curvature and electronic device manufactured by the same}

본 발명의 다양한 실시예는 곡률을 가지는 박막의 형성 방법 및 이를 통해 제조된 전자 소자에 관한 것이다. Various embodiments of the present invention relate to a method of forming a thin film having a curvature and an electronic device manufactured through the same.

반도체 장치 및 디스플레이 장치는 우수한 성능 및 저렴한 가격을 충족시키기 위해 반도체 장치의 고집적도가 요구되고 있다. 반도체 장치의 경우, 집적도는 미세 패턴 형성 기술과 셀이 점유하는 면적에 의해 주로 결정되기 때문에 기존의 평면적 구조의 반도체 박막으로는 고집적도 구현에 한계가 있다. 고집적도 요구에 맞추어 3차원의 형태의 새로운 박막 구조를 제안할 수 있으나 고가의 장비 개발이나 새로운 반도체 물질의 연구가 필요하다. 이러한 한계를 극복하기 위해서 기존의 공정 기술을 활용하여 새로운 형태의 박막 구조를 구현할 수 있는 방법이 요구된다. 최근에는 이러한 방법의 일환으로 곡률을 가지는 박막을 제조하기 위한 연구가 진행되고 있다. Semiconductor devices and display devices require high integration to meet excellent performance and low prices. In the case of semiconductor devices, the degree of integration is mainly determined by fine pattern formation technology and the area occupied by the cell, so there are limits to realizing high integration with existing semiconductor thin films with a planar structure. A new three-dimensional thin film structure can be proposed to meet high integration requirements, but it requires the development of expensive equipment or research into new semiconductor materials. In order to overcome these limitations, a method that can implement a new type of thin film structure using existing process technology is required. Recently, research has been conducted to manufacture thin films with curvature as part of this method.

곡률을 가지는 박막을 형성하기 위한 종래 기술은 유연 기판상에 임의의 응력을 인가하여 기판을 변형시킨 상태에서 반도체 박막을 형성한 후 기판을 복원하는 응력 해제를 통하여 곡률을 가지는 박막을 형성하는 방법이다.The prior art for forming a thin film with a curvature is a method of forming a semiconductor thin film by applying arbitrary stress on a flexible substrate to deform the substrate, and then forming a thin film with a curvature through stress release to restore the substrate. .

이러한 방법은 PET, PEN, PI 와 같은 유연 기판에 국한되며 실제 반도체 제조 공정에서 주로 사용되는 Si, quartz, 또는 glass 와 같은 기판에는 적용할 수 없다.This method is limited to flexible substrates such as PET, PEN, and PI and cannot be applied to substrates such as Si, quartz, or glass, which are mainly used in actual semiconductor manufacturing processes.

또한 반도체 박막의 제조는 일반적으로 고온 상태에서 이루어지며 반도체 박막 아래에 놓인 유연 기판이 고온 처리에 의해 결함 등이 발생하는 문제로 인해 적용이 어렵다는 문제점을 가진다.In addition, the production of semiconductor thin films is generally carried out at high temperatures, and the flexible substrate placed under the semiconductor thin film has a problem in that it is difficult to apply due to problems such as defects occurring due to high temperature processing.

본 발명의 다양한 실시예는 상술한 문제를 해결하기 위해 도출된 것으로, 유연 기판 상에서 기존 반도체 재료와 공정 방법의 변경 없이 곡률을 가지는 박막을 형성할 수 있는 방법을 제공하고자 한다. 본 발명의 다양한 실시예는 다양한 곡률 반경을 가지는 박막의 형성 방법 및 이를 통해 제조된 전자 소자를 제공하고자 한다.Various embodiments of the present invention have been developed to solve the above-described problems, and are intended to provide a method of forming a thin film with curvature on a flexible substrate without changing existing semiconductor materials and processing methods. Various embodiments of the present invention are intended to provide a method for forming thin films having various radii of curvature and electronic devices manufactured through the same.

본 발명의 다양한 실시예에 따른 곡률을 가지는 박막의 형성 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 제1 박막 및 제2 박막을 형성하는 단계; 상기 제2 박막을 패터닝하는 단계; 상기 제2 박막 상에 보호막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 박막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함할 수 있다.A method of forming a thin film with curvature according to various embodiments of the present invention includes preparing a substrate; forming a first thin film and a second thin film on the substrate; patterning the second thin film; forming a protective film on the second thin film; and selectively etching the first thin film.

본 발명의 박막 태양전지 광흡수층의 제조 방법을 통해, 고온의 열처리 공정 중에도 불균일한 크기의 공극 형성을 방지함으로써, 후면 전극의 접촉 특성을 향상할 수 있고, 조성 균일성 및 재현성을 향상시킬 수 있다. 따라서, 대면적 태양전지의 상용화에 유리하다. Through the manufacturing method of the thin film solar cell light absorption layer of the present invention, the contact characteristics of the back electrode can be improved and composition uniformity and reproducibility can be improved by preventing the formation of voids of non-uniform size even during the high temperature heat treatment process. . Therefore, it is advantageous for commercialization of large-area solar cells.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 곡률을 가지는 박막의 형성 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡률을 가지는 박막의 형성 방법의 공정 흐름도이다.
도 3은 응력 방향에 따른 제2 박막의 형태를 설명하기 위한 도면들이다.1 is a schematic diagram for explaining a method of forming a thin film with curvature according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a process flow diagram of a method for forming a thin film with curvature according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a diagram for explaining the shape of the second thin film according to the stress direction.

이하, 본 문서의 다양한 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 기재된다. 실시예 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 및/또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. Hereinafter, various embodiments of this document are described with reference to the attached drawings. The examples and terms used herein are not intended to limit the technology described in this document to specific embodiments, and should be understood to include various modifications, equivalents, and/or substitutes for the examples.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 곡률을 가지는 박막의 형성 방법을 설명하기 위한 모식도이다.1 is a schematic diagram for explaining a method of forming a thin film with curvature according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 곡률을 가지는 박막의 형성 방법의 공정 흐름도이다.Figure 2 is a process flow diagram of a method for forming a thin film with curvature according to an embodiment of the present invention.

도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명의 다양한 실시예에 따른 곡률을 가지는 박막의 형성 방법은, Referring to Figures 1 and 2, the method of forming a thin film with curvature according to various embodiments of the present invention includes:

발명의 일 실시예에 따른 박막 태양전지 광흡수층의 제조 방법은, 기판(100)을 준비하는 단계(S100), 제1 박막(200) 및 제2 박막(300)을 형성하는 단계(S200), 제2 박막(300)을 패터닝하는 단계(S300), 보호막(400)을 형성하는 단계(S400) 및 제1 박막(200)을 식각하는 단계(S500)를 포함할 수 있다.The method of manufacturing a thin film solar cell light absorption layer according to an embodiment of the invention includes preparing a substrate 100 (S100), forming a first thin film 200 and a second thin film 300 (S200), It may include patterning the second thin film 300 (S300), forming the protective film 400 (S400), and etching the first thin film 200 (S500).

먼저, 기판을 준비하는 단계(S100)에서 기판(100)은 글라스, 스테인리스 스틸(SUS), 금속, 플라스틱, 실리콘(Si), 쿼츠(quartz)와 같은 다양한 재질로 구성될 수 있다. 기판(100)이 글래스일 경우, 소다 라임 유리(soda lime glass), 보로실리케이트 유리(borosilicate glass) 및 무알칼리 유리(alkali free glass) 등이 사용될 수 있다. 또는, 기판(100)이 금속일 경우, Mo, Ti, Al, Pt, Ni Cu 등이 사용될 수 있다. 또는, 기판(100)이 플라스틱일 경우, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Poly Ethylene Terephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Poly Ethylene Naphthalate: PEN), 폴리카보네이트(Poly-Carbonate: PC), 폴리프로필렌(Poly-Propylene: PP), 폴리이미드(Poly- Imide: PI), 트리 아세틸 셀룰로오스(Tri Acetyl Cellulose: TAC) 등이 사용될 수 있다.First, in the substrate preparation step (S100), the substrate 100 may be made of various materials such as glass, stainless steel (SUS), metal, plastic, silicon (Si), and quartz. When the substrate 100 is glass, soda lime glass, borosilicate glass, alkali free glass, etc. may be used. Alternatively, when the substrate 100 is made of metal, Mo, Ti, Al, Pt, Ni Cu, etc. may be used. Alternatively, if the substrate 100 is made of plastic, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), or polypropylene: PP), polyimide (PI), tri acetyl cellulose (TAC), etc. can be used.

기판(100)은 먼저 아세톤, 메탄올, 2차 증류수를 이용하여 순차적으로 세척하며, 바람직하게는 초음파를 함께 이용하여 깨끗하게 세척할 수 있다. The substrate 100 is first cleaned sequentially using acetone, methanol, and double distilled water, and preferably, it can be cleaned cleanly using ultrasonic waves as well.

다음으로, 제1 박막(200) 및 제2 박막(300)을 형성하는 단계(S200)에서는, 세척된 기판(100) 위에 제1 박막(200) 및 제2 박막(300)을 순차적으로 형성할 수 있다. 한편, 도면에서는 제1 박막(200) 및 제2 박막(300)의 두 종류의 박막을 형성하는 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 즉, 3 종류 이상의 박막을 적층할 수 있다. Next, in the step of forming the first thin film 200 and the second thin film 300 (S200), the first thin film 200 and the second thin film 300 are sequentially formed on the cleaned substrate 100. You can. Meanwhile, in the drawing, two types of thin films, a first thin film 200 and a second thin film 300, are shown to be formed, but the embodiment is not limited thereto. That is, three or more types of thin films can be stacked.

제1 박막(200) 및 제2 박막(300)의 형성은 스퍼터링 방법, 증발 방식 또는 용액 공정 방식 모두 사용 가능하며, 바람직하게, 스퍼터링법(sputtering), 증발법(evaporation), 열증착(thermal evaporation), 전자빔 증발법(e-beam evaporation), 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 근접승화법(close-spaced sublimation), 스프레이 피롤리시스(spray pyrolysis), 화학 스프레이법(chemical spraying), 스크린 프린팅법(screeen printing), 비진공액상성막법, 화학 용액 성장법(chemical bath deposition), 화학 기상 증착법(vapor transport deposition), 및 전착법(electrodeposition) 등의 방법을 통해 수행될 수 있다.The first thin film 200 and the second thin film 300 can be formed using a sputtering method, an evaporation method, or a solution process method, preferably sputtering, evaporation, or thermal evaporation. ), e-beam evaporation, chemical vapor deposition, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), close-spaced sublimation, spray pyrolysis, chemistry Methods such as chemical spraying, screen printing, non-vacuum liquid film deposition, chemical bath deposition, vapor transport deposition, and electrodeposition are used. It can be performed through

제1 박막(200) 및 제2 박막(300)은 금속, 반도체 또는 부도체 등 제조하고자 하는 소자의 기능을 위한 다양한 물질을 포함할 수 있다. The first thin film 200 and the second thin film 300 may contain various materials for the function of the device to be manufactured, such as metal, semiconductor, or insulator.

제1 박막(200) 및 제2 박막(300)은 서로 다른 방향 또는 서로 다른 크기의 응력을 가질 수 있다. 박막 응력의 크기와 방향은 박막 형성 시 격자 불일치, 박막과 기판 사이의 열팽창, 박막의 두께, 물질의 종류, 특성 및 불순물의 존재 등에 의하여 발생하며 인장 (tensile)과 압축 (compressive) 등에 의해서 영향을 받는다.The first thin film 200 and the second thin film 300 may have stresses in different directions or different sizes. The magnitude and direction of thin film stress occurs due to lattice mismatch during thin film formation, thermal expansion between the thin film and the substrate, thickness of the thin film, type and characteristics of the material, and the presence of impurities, and is influenced by tensile and compressive factors. Receive.

다음으로, 제2 박막(300)을 패터닝하는 단계(S300)에서는 포토리소그래피(photo lithography), 전자빔리소그래피(e-beam lithography), 또는 이온빔(ion-beam) 등을 통해 제2 박막(300)을 패터닝할 수 있다. 이를 통해 제2 박막(320)은 수 나노 내지 수십 마이크론 사이즈로 다양하게 패터닝될 수 있다. Next, in the step (S300) of patterning the second thin film 300, the second thin film 300 is patterned using photo lithography, e-beam lithography, or ion beam. Patterning is possible. Through this, the second thin film 320 can be patterned in various sizes ranging from several nanometers to tens of microns.

다음으로, 패터닝된 제2 박막(320) 상에 보호막(400)을 형성할 수 있다. 보호막(400)은 패터닝된 제2 박막(320)은 보호할 수 있다. 또한, 제2 박막(320)의 변형을 유도하기 위해 식각이 필요한 제1 박막(200)의 위치 이외의 위치에 배치될 수 있다. 즉, 제1 박막(200)에서 식각이 필요한 부분을 제외하고 배치될 수 있다. 보호막(400)은 포토레지스터(photo resistor), PMMA, PI 등의 유기 박막, 금속 또는 무기 박막 등일 수 있다. Next, a protective film 400 can be formed on the patterned second thin film 320. The protective film 400 can protect the patterned second thin film 320. Additionally, in order to induce deformation of the second thin film 320, it may be placed at a location other than the location of the first thin film 200 that requires etching. That is, the first thin film 200 can be disposed excluding the portion that needs to be etched. The protective film 400 may be a photo resistor, an organic thin film such as PMMA or PI, or a metal or inorganic thin film.

다음으로, 제1 박막(200)을 식각하는 단계(S500)에서는, 제1 박막(200)만을 선택적으로 식각할 수 있다. 예를 들면, BOE, 불산, 염산 등의 용액을 이용한 습식 식각 (wet etching) 또는 아르곤, 산소, 할로겐, 불화 수소 등의 가스를 이용한 건식 식각 (dry etching)을 통해 식각할 수 있다. 이때, 식각액은 제2 박막(320)의 영향 없이 제1 박막(200)만을 식각할 수 있는 선택적 식각액을 사용할 수 있다. 제1 박막(220)의 식각을 통해, 제1 박막(220) 및 제2 박막(320) 사이의 응력이 해제되고, 기존의 제2 박막(300)이 가지는 스트레스의 방향 및 크기에 의해 제2 박막(320)에 곡률이 형성될 수 있다. Next, in the step (S500) of etching the first thin film 200, only the first thin film 200 can be selectively etched. For example, etching can be done through wet etching using a solution such as BOE, hydrofluoric acid, or hydrochloric acid, or dry etching using a gas such as argon, oxygen, halogen, or hydrogen fluoride. At this time, a selective etchant that can etch only the first thin film 200 without affecting the second thin film 320 may be used. Through etching of the first thin film 220, the stress between the first thin film 220 and the second thin film 320 is released, and the second thin film 300 is affected by the direction and magnitude of the stress of the existing second thin film 300. A curvature may be formed in the thin film 320.

이때, 식각하는 단계(S500) 전 플라즈마 처리하는 단계가 더 포함될 수도 있다. 플라즈마 처리는 Reactive ion etching (RIE)를 통해 진행할 수 있고, CHF3와 CF4가스를 혼합하여 진행할 수 있다. 즉, 식각 전 플라즈마 처리를 통해 제2 박막(320)의 스트레스 방향을 변화시킬 수 있고, 이를 통해 제2 박막(320)의 곡률을 변화시킬 수 있다. 따라서 플라즈마 처리시간이나 세기 조절에 의하여 박막의 방향 또는 스트레스의 크기를 변화시켜 형태를 변화시킬 수 있다.At this time, a plasma processing step before the etching step (S500) may be further included. Plasma treatment can be performed through reactive ion etching (RIE), and can be performed by mixing CHF 3 and CF 4 gas. That is, the stress direction of the second thin film 320 can be changed through plasma treatment before etching, and through this, the curvature of the second thin film 320 can be changed. Therefore, the shape can be changed by changing the direction of the thin film or the magnitude of stress by adjusting the plasma treatment time or intensity.

한편, 식각하는 단계(S500)에서는 식각 시간을 조절하여 제2 박막(320)의 곡률을 조절할 수 있다. 예를 들면, 식각 시간이 길수록 제2 박막(320)의 곡률이 더 커질 수 있다. 또는, 식각의 균일도, 식각 속도, 박막 상호간의 선택비 등을 조절하여 곡률 반경을 조절할 수 있다. Meanwhile, in the etching step (S500), the curvature of the second thin film 320 can be adjusted by adjusting the etching time. For example, the longer the etching time, the greater the curvature of the second thin film 320 may be. Alternatively, the radius of curvature can be adjusted by adjusting the uniformity of etching, etching speed, and selectivity between thin films.

도 3은 응력 방향에 따른 제2 박막의 형태를 설명하기 위한 도면들이다.Figure 3 is a diagram for explaining the shape of the second thin film according to the stress direction.

도 3의 가장 위쪽의 도면을 참고하면, 제1 박막이 잡아당기는 방향으로 힘이 작용하는 인장 응력을 가지고, 제2 박막이 역으로 바깥에서 안으로 밀어붙이는 방향으로 힘이 작용하는 압축 응력을 가질 경우, 상술한 방법을 통해 제2 박막은 위로 볼록한 형태의 변형이 발생할 수 있다. Referring to the uppermost drawing of FIG. 3, when the first thin film has a tensile stress in which a force acts in the pulling direction, and the second thin film conversely has a compressive stress in which a force acts in the direction of pushing in from the outside , through the above-described method, the second thin film can be deformed into an upwardly convex shape.

밑에 도면을 참고하면, 제1 박막이 바깥에서 안으로 밀어붙이는 방향으로 힘이 작용하는 압축 응력을 가지고, 제2 박막이 역으로 잡아당기는 방향으로 힘이 작용하는 인장 응력을 가질 경우, 상술한 방법을 통해 제2 박막은 아래로 볼록한 형태의 변형이 발생할 수 있다.Referring to the drawing below, when the first thin film has a compressive stress in which a force acts in the direction pushing from the outside in, and the second thin film has a tensile stress in which a force acts in the reverse direction, the above-described method is used. Through this, the second thin film may be deformed into a downward convex shape.

다음 도면을 참고하면, 제1 박막 및 제2 박막 모두 잡아당기는 방향으로 힘이 작용하는 인장 응력을 가지는 경우, 상술한 방법을 통해 제2 박막에 크랙(crack) 형태의 변형이 발생할 수 있다.Referring to the following drawing, when both the first thin film and the second thin film have tensile stress in which a force acts in the pulling direction, deformation in the form of a crack may occur in the second thin film through the above-described method.

다음 도면을 참고하면, 제1 박막 및 제2 박막 모두 바깥에서 안으로 밀어붙이는 방향으로 힘이 작용하는 압축 응력을 가지는 경우, 상술한 방법을 통해 제2 박막에 주름진(wrinkling) 형태의 변형이 발생할 수 있다.Referring to the following drawing, when both the first thin film and the second thin film have compressive stress in which a force acts in the direction of pushing from the outside in, a wrinkling deformation may occur in the second thin film through the above-described method. there is.

본 발명은 유연 기판에서만 적용 가능했던 박막의 곡률 조절을 기존의 반도체 소자 공정에서 주로 이용되는 기판 및 공정 과정을 변경하지 않고 적용 가능하다. 이러한, 곡률 반경 조절 기술은 다양한 전자소자 및 박막 소자 기술에 적용가능하다. 구체적으로, 태양광 모듈에 최적 상태의 곡률 반경을 갖도록 함으로써 반사되어 오는 태양광의 상쇄 간섭을 만들어 반사를 감소시키면 태양광 모듈에 전달되는 태양광의 집광을 높여 발전 전력의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 리튬 이차전지의 분리막 표면에 미세 엠보싱을 형성함으로써 분리막과 전극 상호간의 밀착력을 높여 내부 단락을 방지하는 방법 또는 이차전지의 충방전시에 발생하는 열이 빠져나가도록 하는 엠보싱의 형성 방법으로 사용되는 경우 본 방법을 활용할 수 있다. 또한, 반도체 박막으로 구성된 센서에 적용하여 생체 인증 장치의 이미지 획득 (손금, 지문정보) 및 감도를 향상할 수 있다. 박막의 곡률을 조절하면 박막 구조 안의 굴절률이 조절됨에 따라 LED와 같은 발광 소자로 제작 시 광 추출 효율이 증가되는 효과가 있다The present invention can be applied to control the curvature of a thin film, which was only applicable to flexible substrates, without changing the substrate and process process mainly used in the existing semiconductor device process. This curvature radius control technology is applicable to various electronic devices and thin film device technologies. Specifically, by ensuring that the solar module has an optimal radius of curvature and reducing reflection by creating destructive interference of reflected sunlight, the efficiency of generated power can be improved by increasing the concentration of sunlight delivered to the solar module. In addition, by forming fine embossing on the surface of the separator of a lithium secondary battery, it is used as a method of preventing internal short circuit by increasing the adhesion between the separator and the electrode, or as a method of forming embossing to allow heat generated during charging and discharging of the secondary battery to escape. If possible, this method can be used. Additionally, by applying it to a sensor made of a semiconductor thin film, the image acquisition (palm, fingerprint information) and sensitivity of biometric authentication devices can be improved. By adjusting the curvature of the thin film, the refractive index within the thin film structure is adjusted, which has the effect of increasing light extraction efficiency when manufacturing light-emitting devices such as LEDs.

이하, 실시예를 통하여 본 발명을 상세히 설명한다. 단, 하기의 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail through examples. However, the following examples are only for illustrating the present invention, and the content of the present invention is not limited by the following examples.

실시예Example

실리콘 (Si) 기판 상에 SiO2(제1 박막) 및 Poly-Si(제2 박막)을 CVD를 이용하여 증착하였다. 포토리소그래피를 이용하여 제2 박막을 패터닝하였다. 다음으로 패터닝된 제2 박막 상에 제1 박막을 식각하기 위한 부분을 제외하고 포토레지스터를 형성하였다. Buffer Oxide Etch (BOE 6:1)용액을 이용하여 35 A/min 의 etch rate으로 제1 박막을 식각하였다. 식각 시간은 16 분, 18 분 및 28 분으로 각각 진행하였다. SiO 2 (first thin film) and Poly-Si (second thin film) were deposited on a silicon (Si) substrate using CVD. The second thin film was patterned using photolithography. Next, a photoresist was formed on the patterned second thin film, except for the portion for etching the first thin film. The first thin film was etched at an etch rate of 35 A/min using Buffer Oxide Etch (BOE 6:1) solution. Etching times were 16 minutes, 18 minutes, and 28 minutes, respectively.

실험예 1-식각 시간에 따른 곡률 반경 변화 관찰Experimental Example 1 - Observation of change in radius of curvature according to etching time

도 4를 참고하면, 상기 실시예에서 식각 시간을 16 분으로 하였을 때, 제2 박막 및 기판 사이의 각도가 161.43 deg로 확인되었다. Referring to FIG. 4, when the etching time was set to 16 minutes in the above example, the angle between the second thin film and the substrate was confirmed to be 161.43 deg.

한편, 도 5를 참고하면, 식각 시간이 16 분, 18 분 및 28 분으로 증가함에 따라 곡률 반경의 크기가 점점 더 커짐을 확인하였다. 따라서, 목적하고자 하는 곡률 반경을 갖는 박막을 형성하기 위해 식각 시간을 조절할 수 있음을 알 수 있다. Meanwhile, referring to Figure 5, it was confirmed that the size of the radius of curvature gradually increased as the etching time increased to 16 minutes, 18 minutes, and 28 minutes. Accordingly, it can be seen that the etching time can be adjusted to form a thin film having a desired radius of curvature.

실험예 2-플라즈마 처리 유무에 따른 곡률 반경 변화 관찰Experimental Example 2 - Observation of change in radius of curvature depending on the presence or absence of plasma treatment

식각 전 플라즈마 처리 유무에 따른 곡률 반경 변화를 관찰하였다. 플라즈마 처리는 Reactive ion etching (RIE)를 통해 진행하였고, 사용된 가스는 CHF3와 CF4를 혼합하여 150 sec동안 처리하였다. 도 6을 참고하면, 플라즈마 처리를 하지 않을 경우, 박막이 위로 볼록한 형태를 가지는 것으로 관찰되었다. 한편, 플라즈마 처리 시, 박막이 아래로 오목한 형태를 가지는 것으로 관찰되었다. 따라서, 목적하고자 하는 박막의 형태에 따라 플라즈마 처리 유무를 선택할 수 있음을 알 수 있다. The change in radius of curvature was observed depending on the presence or absence of plasma treatment before etching. Plasma treatment was carried out through reactive ion etching (RIE), and the gas used was a mixture of CHF 3 and CF 4 and treated for 150 sec. Referring to FIG. 6, when plasma treatment was not performed, the thin film was observed to have an upwardly convex shape. Meanwhile, during plasma treatment, the thin film was observed to have a downward concave shape. Therefore, it can be seen that the presence or absence of plasma treatment can be selected depending on the shape of the desired thin film.

상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects, etc. described in the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects, etc. illustrated in each embodiment can be combined or modified and implemented in other embodiments by a person with ordinary knowledge in the field to which the embodiments belong. Therefore, contents related to such combinations and modifications should be construed as being included in the scope of the present invention.

또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, although the description has been made focusing on the embodiments above, this is only an example and does not limit the present invention, and those skilled in the art will understand the above examples without departing from the essential characteristics of the present embodiments. You will be able to see that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. And these variations and differences in application should be construed as being included in the scope of the present invention as defined in the attached claims.

Claims (7)

기판을 준비하는 단계;
상기 기판 상에 제1 박막 및 제2 박막을 형성하는 단계;
상기 제2 박막을 패터닝하는 단계;
상기 제2 박막 상에 보호막을 형성하는 단계; 및
상기 제1 박막을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하고,
상기 보호막은 상기 제2 박막의 변형을 유도하기 위한 위치 이외의 위치에 배치되고,
상기 식각하는 단계에서는 상기 보호막에 의해 노출된 제1 박막 만이 식각되고,
상기 식각하는 단계 전 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하고,
상기 플라즈마 처리하는 단계에서는 Reactive ion etching (RIE)를 이용하고, CHF3와 CF4가스를 사용하여 박막이 아래로 오목한 형태의 곡률을 가지는 박막의 형성 방법. Preparing a substrate;
forming a first thin film and a second thin film on the substrate;
patterning the second thin film;
forming a protective film on the second thin film; and
Comprising selectively etching the first thin film,
The protective film is disposed in a position other than the position for inducing deformation of the second thin film,
In the etching step, only the first thin film exposed by the protective film is etched,
Further comprising the step of plasma treatment before the etching step,
In the plasma treatment step, reactive ion etching (RIE) is used, and a method of forming a thin film having a downward concave curvature using CHF 3 and CF 4 gas. 제1항에 있어서,
상기 제1 박막 및 제2 박막은 서로 다른 방향 또는 서로 다른 크기의 응력을 가지는 것을 특징으로 하는 곡률을 가지는 박막의 형성 방법.According to paragraph 1,
A method of forming a thin film with a curvature, wherein the first thin film and the second thin film have stresses in different directions or different sizes. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 식각하는 단계에서는 식각 시간을 조절하여 제2 박막의 곡률을 조절하는 것을 특징으로 하는 곡률을 가지는 박막의 형성 방법.According to paragraph 1,
In the etching step, a method of forming a thin film having a curvature, characterized in that the curvature of the second thin film is adjusted by controlling the etching time. 제1항, 제2항, 및 제6항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 전자 소자.An electronic device manufactured by the method according to any one of claims 1, 2, and 6.
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