KR102125074B1 - Method of fabricating nitride film - Google Patents
Method of fabricating nitride film Download PDFInfo
- Publication number
- KR102125074B1 KR102125074B1 KR1020150122878A KR20150122878A KR102125074B1 KR 102125074 B1 KR102125074 B1 KR 102125074B1 KR 1020150122878 A KR1020150122878 A KR 1020150122878A KR 20150122878 A KR20150122878 A KR 20150122878A KR 102125074 B1 KR102125074 B1 KR 102125074B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gas
- nitride film
- substrate
- plasma
- nitrogen
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/322—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections
- H01L21/3221—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering
- H01L21/3223—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to modify their internal properties, e.g. to produce internal imperfections of silicon bodies, e.g. for gettering using cavities formed by hydrogen or noble gas ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Abstract
본 발명은 기판 상에 염소성분(Cl)을 함유하는 소스가스 및 수소성분(H)을 함유하는 수소화가스를 제공하여 상기 기판 상에 상기 소스가스의 적어도 일부가 흡착되는 제 1 단계; 상기 기판 상에 제 1 퍼지가스를 제공하는 제 2 단계; 상기 기판 상에 질소성분(N) 및 수소성분(H)을 함유하는 반응가스를 공급하면서 플라즈마를 발생시킴으로써 상기 기판 상에 단위증착막을 형성하는 제 3 단계; 및 상기 기판 상에 제 2 퍼지가스를 제공하는 제 4 단계;를 포함하는 단위 사이클을 적어도 1 회 이상 수행하고, 상기 플라즈마는 주파수 대역이 20MHz 내지 70 MHz인 VHF를 인가함으로써 발생된 것을 특징으로 하는, 질화막의 제조방법을 제공한다.The present invention provides a source gas containing a chlorine component (Cl) and a hydrogenation gas containing a hydrogen component (H) on a substrate, whereby at least a portion of the source gas is adsorbed on the substrate; A second step of providing a first purge gas on the substrate; A third step of forming a unit deposition film on the substrate by generating plasma while supplying a reaction gas containing a nitrogen component (N) and a hydrogen component (H) on the substrate; And a fourth step of providing a second purge gas on the substrate; performing a unit cycle including at least one or more times, and the plasma is generated by applying VHF having a frequency band of 20 MHz to 70 MHz. , Provides a method of manufacturing a nitride film.
Description
본 발명은 질화막의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 원자층 증착법을 이용한 질화막의 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a nitride film, and more particularly, to a method of manufacturing a nitride film using an atomic layer deposition method.
암모니아(NH3)를 함유하는 반응가스를 플라즈마 상태로 제공하여 질화막을 형성할 경우, 플라즈마에 의하여 암모니아(NH3)의 리간드(ligand) 뿐만 아니라 기판에 흡착된 소스가스의 리간드까지 분해되어 질화막 내에 수소(H)나 염소(Cl) 등의 불순물이 형성될 수 있는 문제점을 수반할 수 있다. 또한, 질화막 내의 불순물이 증가함에 따라 박막의 물리적 특성인 도포율(Step Coverage) 특성이 낮아지는 문제점이 나타날 수 있다.When a nitriding film is formed by providing a reaction gas containing ammonia (NH 3 ) in a plasma state, not only the ligand of ammonia (NH 3 ) but also the source gas adsorbed on the substrate by the plasma are decomposed into the nitride film. It may be accompanied by a problem that impurities such as hydrogen (H) or chlorine (Cl) may be formed. In addition, as the impurities in the nitride film increase, there may be a problem that the physical property of the thin film (Step Coverage) property is lowered.
한편, 전자 소자의 성능을 개선하는 방법에 있어서, 응력을 가지는 질화막에 의해 변형된 상부 또는 하부 재료의 전기 특성을 변화시키는 방법이 있다. 예를 들어, CMOS 디바이스 제조에 있어서, 국부적인 격자 변형이 트랜지스터의 채널 영역에 발생되도록, 압축 응력(compressive stress)을 가지는 질화막이 PMOS 영역들 상에 형성될 수 있다. 하지만, 반도체 소자의 전자의 속도를 증가시키거나 반도체 소자의 구조적 안정성을 위하여 인장 응력(tensile stress)을 가지는 질화막을 형성하는 것이 필요할 수 있다.On the other hand, in a method of improving the performance of an electronic device, there is a method of changing electrical properties of an upper or lower material deformed by a nitride film having stress. For example, in the fabrication of CMOS devices, a nitride film having compressive stress can be formed on the PMOS regions so that local lattice strain occurs in the channel region of the transistor. However, it may be necessary to form a nitride film having a tensile stress for increasing the electron speed of the semiconductor device or for structural stability of the semiconductor device.
그러나, 알려진 질화물의 제조방법에서는 인장 응력을 가지는 질화막으로서 질화물 내의 불순물 함유량을 감소시켜 양질의 박막을 형성하고 동시에 질화물 제조의 생산성을 향상시키는 것이 용이하지 않다는 문제점을 가진다.However, in the known method for producing nitride, as a nitride film having tensile stress, it is difficult to form a high-quality thin film by reducing the impurity content in the nitride and at the same time improve the productivity of nitride production.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 인장 응력을 가지면서 양질의 박막을 형성할 수 있는 질화막의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.The present invention is to solve a number of problems, including the above problems, an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a nitride film capable of forming a thin film of high quality while having tensile stress. However, these problems are exemplary, and the scope of the present invention is not limited thereby.
본 발명의 일 관점에 따르면, 질화막의 제조방법이 제공된다. 상기 질화막의 제조방법에서는 기판 상에 염소성분(Cl)을 함유하는 소스가스 및 수소성분(H)을 함유하는 수소화가스를 제공하여 상기 기판 상에 상기 소스가스의 적어도 일부가 흡착되는 제 1 단계; 상기 기판 상에 제 1 퍼지가스를 제공하는 제 2 단계; 상기 기판 상에 질소성분(N) 및 수소성분(H)을 함유하는 반응가스를 공급하면서 플라즈마를 발생시킴으로써 상기 기판 상에 단위증착막을 형성하는 제 3 단계; 및 상기 기판 상에 제 2 퍼지가스를 제공하는 제 4 단계;를 포함하는 단위 사이클을 적어도 1 회 이상 수행하되, 상기 플라즈마는 주파수 대역이 20MHz 내지 70 MHz인 VHF를 인가함으로써 발생되는 것을 특징으로 할 수 있다. According to one aspect of the present invention, a method of manufacturing a nitride film is provided. In the method of manufacturing the nitride film, a first step of providing a source gas containing a chlorine component (Cl) and a hydrogenation gas containing a hydrogen component (H) on a substrate to adsorb at least a portion of the source gas on the substrate; A second step of providing a first purge gas on the substrate; A third step of forming a unit deposition film on the substrate by generating plasma while supplying a reaction gas containing a nitrogen component (N) and a hydrogen component (H) on the substrate; And a fourth step of providing a second purge gas on the substrate; performing a unit cycle including at least one or more times, wherein the plasma is generated by applying VHF having a frequency band of 20 MHz to 70 MHz. Can be.
상기 질화막의 제조방법에서 상기 제 1 퍼지가스 및 상기 제 2 퍼지가스는 상기 수소화가스를 포함하며, 상기 수소화가스는 상기 단위사이클 내내 연속적으로 상기 기판 상에 제공되며 상기 제 3 단계 동안 상기 플라즈마에 의해 활성화될 수 있다. In the method of manufacturing the nitride film, the first purge gas and the second purge gas include the hydrogenation gas, and the hydrogenation gas is continuously provided on the substrate throughout the unit cycle and is generated by the plasma during the third step. It can be activated.
상기 질화막의 제조방법에서 상기 소스가스는 디클로로실란(DCS), 헥사클로로디실란(HCDS), 테트라클로로실란(TCS) 및 옥타클로로트리실란(OCTS) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. In the method of manufacturing the nitride film, the source gas may include at least one of dichlorosilane (DCS), hexachlorodisilane (HCDS), tetrachlorosilane (TCS) and octachlorotrisilane (OCTS).
상기 질화막의 제조방법에서 상기 수소화가스는 상기 반응가스와 동일한 가스인 것을 특징으로 할 수 있다. In the method of manufacturing the nitride film, the hydrogenation gas may be characterized in that it is the same gas as the reaction gas.
상기 질화막의 제조방법에서 상기 수소화가스와 상기 반응가스는 암모니아(NH3)를 포함할 수 있다. In the method of manufacturing the nitride film, the hydrogenation gas and the reaction gas may include ammonia (NH 3 ).
상기 질화막의 제조방법에서 상기 플라즈마는 펄스 플라즈마(pulsed plasma) 또는 논펄스 플라즈마(non pulsed plasma) 방식에 의하여 형성될 수 있다. In the method of manufacturing the nitride film, the plasma may be formed by a pulsed plasma or a non-pulsed plasma method.
상기 질화막의 제조방법에서 상기 단위 사이클은 상기 제 4 단계 이후에, 상기 단위증착막 상에 존재하는 불순물을 제거하기 위해 질소가스(N2)를 포함하는 후처리가스를 플라즈마 상태로 제공하는 제 5 단계; 및 상기 기판 상에 제 3 퍼지가스를 제공하는 제 6 단계; 를 더 포함할 수 있다. In the method of manufacturing the nitride film, the unit cycle is a fifth step of providing a post-treatment gas containing nitrogen gas (N 2 ) in a plasma state after the fourth step to remove impurities present on the unit deposition film. ; And a sixth step of providing a third purge gas on the substrate. It may further include.
상기 질화막의 제조방법에서 상기 제 5 단계에서의 플라즈마는 주파수 대역이 20MHz 내지 70 MHz인 VHF를 인가함으로써 발생될 수 있다. In the method of manufacturing the nitride film, the plasma in the fifth step may be generated by applying VHF having a frequency band of 20 MHz to 70 MHz.
상기 질화막의 제조방법에서 상기 후처리가스는 질소가스(N2)이거나, 또는, 질소가스(N2)와 아르곤가스(Ar)로 이루어진 혼합가스일 수 있다. 상기 후처리가스가 질소가스(N2)이며, 상기 질화막의 요구되는 인장 응력이 제 1 인장 응력인 경우 상기 제 5 단계에서 상기 단위 증착막 상에 제공되는 상기 후처리가스의 양은, 상기 질화막의 요구되는 인장 응력이 상기 제 1 인장 응력 보다 작은 제 2 인장 응력인 경우 상기 제 5 단계에서 상기 단위 증착막 상에 제공되는 상기 후처리가스의 양보다 작을 수 있다. 상기 후처리가스가 질소가스(N2)와 아르곤가스(Ar)로 이루어진 혼합가스이며, 상기 질화막의 요구되는 인장 응력이 클수록 상기 제 5 단계에서 상기 단위증착막 상에 제공되는 상기 아르곤가스(Ar)에 대한 상기 질소가스(N2)의 상대적 비율을 감소시킬 수 있다. In the method of manufacturing the nitride film, the post-treatment gas may be nitrogen gas (N 2 ) or a mixed gas composed of nitrogen gas (N 2 ) and argon gas (Ar). When the post-treatment gas is nitrogen gas (N 2 ), and the required tensile stress of the nitride film is the first tensile stress, the amount of the post-treatment gas provided on the unit deposition film in the fifth step is required of the nitride film When the tensile stress to be the second tensile stress is less than the first tensile stress may be less than the amount of the post-treatment gas provided on the unit deposition film in the fifth step. The post-treatment gas is a mixed gas composed of nitrogen gas (N 2 ) and argon gas (Ar), and the greater the required tensile stress of the nitride film, the argon gas (Ar) provided on the unit deposition film in the fifth step. It can reduce the relative ratio of the nitrogen gas (N 2 ) to.
상기 질화막의 제조방법에서 상기 후처리가스는 상기 제 1 퍼지가스, 상기 제 2 퍼지가스 및 상기 제 3 퍼지가스 중 적어도 어느 하나와 동종의 물질로 구성된 가스일 수 있다.In the method of manufacturing the nitride film, the post-treatment gas may be a gas composed of a material of the same type as at least one of the first purge gas, the second purge gas, and the third purge gas.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 질화물 내의 불순물 함유량을 감소시켜 막질을 안정적으로 유지하면서 동시에 생산성을 향상시킬 수 있는 인장 응력을 가지는 질화물의 제조방법을 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.According to one embodiment of the present invention made as described above, it is possible to implement a method of manufacturing a nitride having tensile stress capable of improving productivity while maintaining a stable film quality by reducing the impurity content in the nitride. Of course, the scope of the present invention is not limited by these effects.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화막의 제조방법에서 원자층 증착법의 단위 사이클을 도해하는 순서도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 질화막의 제조방법을 구현하기 위한 질화막 증착장치의 구성을 도해하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화막의 제조방법에서 원자층 증착법의 단위 사이클을 도해하는 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일부 실험예와 비교예에 따른 질화막의 제조방법으로 구현한 질화막에서 증착속도(Deposition Rate)와 도포율(Step Coverage) 특성을 도해하는 그래프이다.1 is a flowchart illustrating a unit cycle of an atomic layer deposition method in a method of manufacturing a nitride film according to an embodiment of the present invention.
2 is a diagram illustrating the configuration of a nitride film deposition apparatus for implementing a method of manufacturing a nitride film according to embodiments of the present invention.
3 is a flowchart illustrating a unit cycle of an atomic layer deposition method in a method of manufacturing a nitride film according to another embodiment of the present invention.
4 is a graph illustrating deposition rate and step coverage characteristics in a nitride film implemented by a method of manufacturing a nitride film according to some experimental and comparative examples of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 여러 실시예들을 예시적으로 설명하기로 한다.Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
명세서 전체에 걸쳐서, 막, 영역 또는 기판 등과 같은 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "상에" 위치한다고 언급할 때는, 상기 하나의 구성요소가 직접적으로 상기 다른 구성요소 "상에" 접촉하거나, 그 사이에 개재되는 또 다른 구성요소들이 존재할 수 있다고 해석될 수 있다. 반면에, 하나의 구성요소가 다른 구성요소 "직접적으로 상에" 위치한다고 언급할 때는, 그 사이에 개재되는 다른 구성요소들이 존재하지 않는다고 해석된다. Throughout the specification, when one component, such as a film, region or substrate, is referred to as being “on” another component, the one component directly contacts or “on” the other component, or It can be interpreted that there may be other intervening components. On the other hand, when referring to one component being "directly on" another component, it is interpreted that there are no other components interposed therebetween.
명세서 전체에 걸쳐서, 제 1, 제 2, 제 3 등과 같은 구분 용어는 하나의 단계, 물질, 또는 구성요소를 다른 어느 하나의 단계, 물질, 또는 구성요소와 편의상 구별하여 지칭하기 위한 목적으로 사용한다. 하지만, 예를 들어, 이러한 구분 용어에 기재된 숫자의 크기에 따라 단계가 수행되는 순서가 반드시 한정되거나 구분 용어에 기재된 숫자가 다르면 대응하는 물질의 종류가 반드시 상이하다는 것을 의미하는 것은 아니다. Throughout the specification, distinct terms such as first, second, third, etc. are used for the purpose of distinguishing one step, material, or component from the other one step, material, or component for convenience. . However, for example, if the order in which steps are performed according to the size of the numbers in the classification terms is necessarily limited or the numbers in the classification terms are different, it does not mean that the types of the corresponding substances are different.
이하, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 이상적인 실시예들을 개략적으로 도시하는 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다. 또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것일 수 있다. 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings schematically showing ideal embodiments of the present invention. In the drawings, for example, depending on the manufacturing technique and/or tolerance, deformations of the illustrated shape can be expected. Therefore, embodiments of the inventive concept should not be interpreted as being limited to a specific shape of the region shown in this specification, but should include, for example, a change in shape resulting from manufacturing. In addition, the thickness or size of each layer in the drawings may be exaggerated for convenience and clarity of explanation. The same reference numerals refer to the same elements.
본원에서 언급하는 플라즈마는 다이렉트 플라즈마(direct plasma) 방식 또는 리모트 플라즈마(remote plasma) 방식에 의하여 형성될 수 있다. The plasma referred to herein can be formed by a direct plasma method or a remote plasma method.
상기 다이렉트 플라즈마 방식은, 예를 들어, 반응가스, 응력조절가스 및/또는 후처리가스를 전극과 기판 사이의 처리공간에 공급하고 고주파 전력을 인가함으로써, 상기 반응가스, 응력조절가스 및/또는 후처리가스의 플라즈마가 챔버 내부의 상기 처리공간에서 직접 형성되는 방식을 포함한다.The direct plasma method, for example, by supplying a reaction gas, a stress control gas and / or post-treatment gas to the processing space between the electrode and the substrate, and applying a high-frequency power, the reaction gas, stress control gas and / or after And a method in which plasma of the processing gas is directly formed in the processing space inside the chamber.
상기 리모트 플라즈마 방식은, 예를 들어, 상기 반응가스, 응력조절가스 및/또는 후처리가스의 플라즈마를 리모트 플라즈마 발생기에서 활성화시켜 챔버 내부로 유입시키는 방식을 포함하며, 다이렉트 플라즈마에 비하여 전극 등의 챔버 내부 부품의 손상이 적고 파티클 발생을 저감할 수 있다는 이점을 가질 수 있다. The remote plasma method includes, for example, a method of activating plasma of the reaction gas, stress regulating gas, and/or post-treatment gas in a remote plasma generator to flow into the chamber, and chambers such as electrodes compared to direct plasma. It has the advantage that the damage to the internal parts is small and the generation of particles can be reduced.
한편, 이외에도, 본원에서 언급하는 플라즈마는, 기판 상에 배치된 샤워헤드 내에서 형성될 수 있다. 이 경우, 플라즈마 상태의 물질은, 예를 들어, 샤워헤드에 형성된 분사공을 통하여, 기판 상의 처리공간으로 제공될 수 있다.Meanwhile, in addition to the above, the plasma mentioned herein may be formed in a showerhead disposed on a substrate. In this case, the material in the plasma state may be provided to the processing space on the substrate, for example, through an injection hole formed in the shower head.
RF(Radio Frequency), VHF(Very High Frequency)에 대한 정의는 엔지니어나 학회에서 기술분야 마다 약간씩 상이할 수 있으나, 본 명세서에서는, 플라즈마를 구현하기 위하여 인가되는 RF는 주파수 대역이 대략 13.56MHz인 경우를 의미하며, 플라즈마를 구현하기 위하여 인가되는 VHF는 주파수 대역이 20MHz 내지 70 MHz인 경우(예를 들어, 27.12MHz)를 의미한다. Definitions of radio frequency (RF) and very high frequency (VHF) may be slightly different for each technical field in an engineer or institute, but in this specification, RF applied to implement plasma has a frequency band of approximately 13.56 MHz. It means a case, and VHF applied to implement plasma means a case where the frequency band is 20 MHz to 70 MHz (for example, 27.12 MHz).
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화막의 제조방법에서 원자층 증착법의 단위 사이클을 도해하는 순서도이고, 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 질화막의 제조방법을 구현하기 위한 질화막 증착장치의 구성을 도해하는 도면이다. 1 is a flowchart illustrating a unit cycle of an atomic layer deposition method in a method of manufacturing a nitride film according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a nitride film deposition apparatus for implementing a method of manufacturing a nitride film according to embodiments of the present invention It is a diagram illustrating the configuration of.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화막의 제조방법은 제 1 단계(S110), 제 2 단계(S120), 제 3 단계(S130) 및 제 4 단계(S140)를 포함하는 단위 사이클(S100)을 적어도 1 회 이상 수행함으로써 질화막을 형성하는 방법이다. 1 and 2, a method of manufacturing a nitride film according to an embodiment of the present invention includes first steps (S110), second steps (S120), third steps (S130) and fourth steps (S140). It is a method of forming a nitride film by performing at least one or more unit cycles (S100).
이러한 질화막을 제조하기 위한 증착장치(1000)는 기판이 실장될 수 있는 기판지지부(830), 기판 상에 공정가스를 공급하기 위한 샤워헤드부(820), 공정압력을 조절할 수 있는 배기부(850) 및 내부공간을 한정하는 몸체부(810)를 포함하는 공정 챔버(800); 플라즈마(840)를 형성하기 위하여 공정 챔버(800)에 VHF 전력을 인가할 수 있는 VHF 제너레이터(100); VHF 제너레이터(100)와 공정 챔버(800) 사이에서 매칭 네트워크를 구성할 수 있는 매칭부(500); 공정 챔버(800) 내에 형성될 플라즈마(840)의 세기, 파형, 형성시간 또는 온오프 횟수를 조절하는 제어부(300);를 포함한다. The
도면에는 도시하지 않았으나, 필요에 따라서는 VHF 제너레이터(100)와 별도로 공정 챔버(800)에 RF 전력을 인가할 수 있는 RF 제너레이터(미도시)를 추가적으로 도입할 수 있다. 이 경우, 제어부(300)는 공정 챔버(800)에 인가할 전력의 주파수를 공정 단계 마다 선택적으로 결정할 수 있으며, 매칭부(500)는 VHF 제너레이터(100)와 공정 챔버(800) 사이 또는 RF 제너레이터(미도시)와 공정 챔버(800) 사이에서 매칭 네트워크를 구성할 수 있다. Although not shown in the drawings, an RF generator (not shown) capable of applying RF power to the
상기 질화막은 소소가스, 퍼지가스, 반응가스 등을 기판 상에 제공하는 원자층 증착법(ALD; Atomic Layer Deposition)에 의하여 형성된 질화막으로 이해될 수 있다. 본 발명의 기술적 사상은, 소스가스, 수소화가스, 반응가스 및 퍼지가스 등을 기판이 배치된 챔버 내에 시간에 따라 적절하게 공급함으로써 증착이 구현되는 시분할 방식뿐만 아니라, 소스가스, 수소화가스, 반응가스 및 퍼지가스 등이 공간적으로 이격되면서 연속적으로 공급되는 시스템 내에 기판이 순차적으로 이동함으로써 증착이 구현되는 공간분할 방식에도 적용될 수 있다.The nitride film may be understood as a nitride film formed by atomic layer deposition (ALD) that provides a source gas, a purge gas, a reactive gas, and the like on a substrate. The technical idea of the present invention is not only a time division method in which deposition is implemented by appropriately supplying source gas, hydrogenation gas, reaction gas, and purge gas to the chamber where the substrate is disposed over time, but also source gas, hydrogenation gas, reaction gas And a space division method in which deposition is implemented by sequentially moving substrates in a system that is continuously supplied while purge gas and the like are spatially separated.
제 1 단계(S110)에서는 기판 상에 염소성분(Cl)을 함유하는 소스가스 및 수소성분(H)을 함유하는 수소화가스를 제공할 수 있다. 먼저, 상기 기판 상에 소스가스를 제공함으로써 상기 기판 상에 상기 소스가스의 적어도 일부가 흡착될 수 있다. 상기 기판은, 예를 들어, 반도체 기판, 도전체 기판 또는 절연체 기판 등을 포함할 수 있으며, 한편, 선택적으로는, 상기 질화막을 형성하기 이전에, 상기 기판 상에 임의의 패턴이나 층이 이미 형성되어 있을 수 있다. 상기 흡착은 원자층 증착법에서 널리 알려진 개념인 화학적 흡착(Chemical Adsorption)을 포함할 수 있다.In the first step S110, a source gas containing a chlorine component (Cl) and a hydrogenation gas containing a hydrogen component (H) may be provided on the substrate. First, by providing a source gas on the substrate, at least a portion of the source gas may be adsorbed on the substrate. The substrate may include, for example, a semiconductor substrate, a conductor substrate, an insulator substrate, or the like. Alternatively, before forming the nitride film, any pattern or layer is already formed on the substrate. It may be. The adsorption may include chemical adsorption (Chemical Adsorption), a concept widely known in atomic layer deposition.
상기 소스가스는 형성하고자 하는 질화막의 종류에 따라 적절하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 형성하고자 하는 질화막이 실리콘 질화막인 경우, 상기 소스가스는 디클로로실란(DCS), 헥사클로로디실란(HCDS), 테트라클로로실란(TCS) 및 옥타클로로트리실란(OCTS) 중 적어도 어느 하나를 사용할 수 있다.The source gas may be appropriately selected according to the type of nitride film to be formed. For example, when the nitride film to be formed is a silicon nitride film, the source gas is at least one of dichlorosilane (DCS), hexachlorodisilane (HCDS), tetrachlorosilane (TCS) and octachlorotrisilane (OCTS). Can be used.
또한, 제 1 단계(S110)에서는 상기 기판 상에 상기 소스가스뿐만 아니라 수소화가스를 동시에 제공할 수 있다. 상기 수소화가스는 소스가스 및 수소성분(H)을 함유하는 바, 예를 들어, 암모니아(NH3)를 포함할 수 있다. 상기 수소화가스는 염소(Cl)기와 질소(N)기가 잘 결합되도록 하는 기능을 수행할 수 있다. 일반적으로, 염소(Cl)기는 기판 상에 증착된 박막의 질소(N)기와 잘 반응하지 않는다. 이를 해결하기 위해 상기 수소화가스에 함유된 수소성분(H)이 염소(Cl)기 및/또는 질소(N)기와 반응하여 염소(Cl)기와 질소(N)기의 결합력을 향상시켜줄 수 있다.In addition, in the first step (S110), the source gas as well as the hydrogenation gas may be simultaneously provided on the substrate. The hydrogenation gas contains a source gas and a hydrogen component (H), and may include, for example, ammonia (NH 3 ). The hydrogenation gas may perform a function of allowing the chlorine (Cl) group and the nitrogen (N) group to bond well. In general, chlorine (Cl) groups do not react well with nitrogen (N) groups of thin films deposited on a substrate. To solve this, the hydrogen component (H) contained in the hydrogenation gas may react with a chlorine (Cl) group and/or a nitrogen (N) group to improve the binding force between the chlorine (Cl) group and the nitrogen (N) group.
한편, 챔버(800) 내에 존재하는 불순물의 적어도 일부는 상기 수소화가스에는 의하여 수소화처리되어 제거될 수 있다. 또, 별도의 퍼지가스를 사용하지 않고, 수소화가스만 공급하여 기판 및/또는 챔버(800)를 퍼징(purging)하는 효과를 얻을 수도 있다.On the other hand, at least a part of the impurities present in the
또한, 변형된 실시예에서, 상기 수소화가스와 상기 반응가스는 동일한 가스일 수 있는데, 이 경우, 상기 수소화가스와 상기 반응가스는, 예를 들어, 암모니아(NH3)를 포함할 수 있다. 제 1 단계(S110)에서 상기 수소화가스 대신에 상기 반응가스가 챔버(800) 내에 제공될 수 있다. 이와 달리, 제 1 단계(S110)에서 상기 수소화가스와 상기 반응가스를 동시에 챔버(800) 내에 공급할 수도 있다. 이처럼, 제 1 단계(S110)에서 상기 소스가스와 상기 반응가스를 챔버(800) 내에 동시에 공급할 수 있는데, 반응가스가 활성화되는 플라즈마가 생성되지 않으므로, 소스가스와 반응가스가 서로 반응하여 단위증착막이 형성되지는 않는다. In addition, in a modified embodiment, the hydrogenation gas and the reaction gas may be the same gas. In this case, the hydrogenation gas and the reaction gas may include, for example, ammonia (NH 3 ). The reaction gas may be provided in the
한편, 상술한 소스가스 및 수소화가스의 종류는 예시적이며, 본 발명이 보호하고자 하는 권리범위가 이러한 예시적인 물질의 종류에만 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, the types of the source gas and the hydrogenation gas described above are exemplary, and the scope of rights to be protected by the present invention is not limited only to these types of exemplary materials.
제 2 단계(S120)에서는 상기 기판 상에 제 1 퍼지가스를 제공할 수 있다. 제 1 퍼지가스는 상기 소스가스 중에서 상기 기판 상에 흡착된 부분을 제외한 나머지의 적어도 일부를 상기 기판으로부터 제거할 수 있다. 즉, 제 1 단계(S110)에서 상기 기판 상에 흡착되지 않은 상기 소스가스의 적어도 일부가 제 1 퍼지가스에 의하여 퍼징(purging)될 수 있다. 상기 제 1 퍼지가스는 질소(N2)가스이거나, 아르곤(Ar)가스이거나, 또는 질소(N2)가스와 아르곤(Ar)가스로 이루어진 혼합가스일 수 있다.In the second step (S120 ), a first purge gas may be provided on the substrate. The first purge gas may remove at least a portion of the source gas other than the portion adsorbed on the substrate from the substrate. That is, at least a portion of the source gas not adsorbed on the substrate in the first step S110 may be purged by the first purge gas. The first purge gas may be nitrogen (N 2 ) gas, argon (Ar) gas, or a mixed gas composed of nitrogen (N 2 ) gas and argon (Ar) gas.
제 3 단계(S130)에서는 상기 기판 상에 질소성분(N) 및 수소성분(H)을 함유하는 반응가스를 플라즈마(840) 상태로 제공함으로써 상기 기판 상에 단위증착막을 형성할 수 있다. 상기 질소성분(N)과 수소성분(H)을 함유하는 반응가스는, 예를 들어, 암모니아(NH3)를 포함할 수 있다.In the third step (S130), a unit deposition film may be formed on the substrate by providing a reaction gas containing a nitrogen component (N) and a hydrogen component (H) on the substrate in a
상기 단위증착막은 형성하고자 하는 질화막을 구성하는 박막으로서, 예를 들어, 단위 사이클(S100)을 N회(N은 1 이상의 양의 정수)만큼 반복하여 수행하는 경우 최종적으로 형성되는 상기 질화막은 N개의 상기 단위증착막으로 구성될 수 있다. 각 단위 사이클의 배치 순서와 반복 회수 등은 요구되는 질화막의 특성에 따라 적절하게 설계될 수 있다.The unit deposition film is a thin film constituting the nitride film to be formed. For example, when the unit cycle S100 is repeatedly performed N times (N is a positive integer of 1 or more), the nitride film finally formed is N pieces. It may be composed of the unit deposition film. The arrangement order and number of repetitions of each unit cycle can be appropriately designed according to the characteristics of the nitride film required.
공정의 저온화를 위하여, 제 3 단계(S130)에서 질소성분(N) 및 수소성분(H)을 함유하는 반응가스는 플라즈마(840) 상태로 상기 기판 상에 제공될 수 있다. 즉, 반응가스가 기판 상에 흡착된 소스가스와 반응하여 단위증착막을 형성하는 공정에서 플라즈마(840)에 수반되는 고속의 대전입자들이 촉매 역할을 할 수 있으므로, 순수한 열반응에 의하여 단위증착막을 형성하는 경우 보다 상대적으로 저온에서 공정이 수행될 수 있다.In order to lower the temperature of the process, a reaction gas containing a nitrogen component (N) and a hydrogen component (H) in the third step (S130) may be provided on the substrate in a
본 발명자는, 제 3 단계(S130)에서 VHF 제너레이터(100)에서 생성된 주파수 대역이 20MHz 내지 70 MHz인 VHF를 인가하여 플라즈마(840)를 구현하는 경우, 형성되는 질화막에서 인장 응력(tensile stress)이 구현되며, 이와 달리, 제 3 단계(S130)에서 주파수 대역이 13.56MHz인 RF를 인가하여 플라즈마(840)를 구현하는 경우에는 형성되는 질화막에서 압축 응력(compressive stress)이 구현됨을 확인하였다. When the inventor implements
반도체 제품의 집적도가 증가함에 따라 박막의 밀도나 도포율 뿐만 아니라 박막의 응력을 조절할 필요성이 대두대고 있다. CCP(capacitively coupled plasma) 방식으로 주파수 대역이 13.56MHz인 RF를 사용하여 질화막을 형성하면 최대 3GPa의 압축 응력을 가지는 박막을 구현할 수 있으나 인장 응력은 구현하지 못하였다. 그러나 앞에서 설명한 바와 같이 주파수 대역이 20MHz 내지 70 MHz인 VHF를 인가하여 플라즈마(840)를 구현하는 경우 형성되는 질화막의 응력이 압축에서 인장으로 변하는 것을 발견하였는 바, 이러한 인장 응력을 가지는 질화막을 이용하여 반도체 소자에서 전자의 속도를 증가시키거나 소자 구조물이 붕괴되는 현상을 개선할 수 있다. As the degree of integration of semiconductor products increases, there is a need to adjust the stress of the thin film as well as the density and coating rate of the thin film. When a nitride film is formed using RF with a frequency band of 13.56 MHz using a capacitively coupled plasma (CCP) method, a thin film having a compressive stress of up to 3 GPa can be realized, but not tensile stress. However, as described above, when the
제 4 단계(S140)에서는 상기 기판 상에 제 2 퍼지가스를 제공할 수 있다. 제 2 퍼지가스는, 상기 기판 상에 흡착된 소스가스와 물리적 및/또는 화학적으로 반응하고 상기 기판 상에 잔류하는 상기 반응가스의 적어도 일부를 상기 기판으로부터 제거할 수 있다. 즉, 제 4 단계(S140)에서는, 상기 기판 상에 흡착된 소스가스와 물리적 및/또는 화학적으로 반응하고 상기 기판 상에 잔류하는 상기 반응가스의 적어도 일부가 제 2 퍼지가스에 의하여 퍼징(purging)될 수 있다. 상기 제 2 퍼지가스는 질소(N2)가스이거나, 아르곤(Ar)가스이거나, 또는 질소(N2)가스와 아르곤(Ar)가스로 이루어진 혼합가스일 수 있다.In the fourth step S140, a second purge gas may be provided on the substrate. The second purge gas may physically and/or chemically react with the source gas adsorbed on the substrate and remove at least a portion of the reaction gas remaining on the substrate from the substrate. That is, in the fourth step (S140 ), at least a part of the reaction gas that physically and/or chemically reacts with the source gas adsorbed on the substrate and remains on the substrate is purged by a second purge gas. Can be. The second purge gas may be nitrogen (N 2 ) gas, argon (Ar) gas, or a mixed gas composed of nitrogen (N 2 ) gas and argon (Ar) gas.
한편, 제 2 단계(S120)에서 제공되는 제 1 퍼지가스, 제 4 단계(S140)에서 제공되는 제 2 퍼지가스는 동일한 가스를 사용할 수 있으며, 상기 제 1 퍼지가스 및/또는 제 2 퍼지가스가 제 1 단계(S110) 내지 제 4 단계(S140)에서 지속적으로 공급될 수 있다. 즉, 제 1 단계(S110)에서도 제 1 퍼지가스 또는 제 2 퍼지가스가 기판 상에 제공될 수 있으며, 제 3 단계(S130)에서도 제 1 퍼지가스 또는 제 2 퍼지가스가 기판 상에 제공될 수 있다.On the other hand, the first purge gas provided in the second step (S120), the second purge gas provided in the fourth step (S140) may use the same gas, the first purge gas and / or the second purge gas It may be continuously supplied in the first step (S110) to the fourth step (S140). That is, the first purge gas or the second purge gas may be provided on the substrate in the first step (S110), and the first purge gas or the second purge gas may be provided on the substrate in the third step (S130). have.
제 1 단계(S110)에서 제공되는 퍼지가스는 소스가스의 캐리어 역할을 할 수 있으며, 소스가스가 기판 상에 골고루 잘 분산되어 흡착될 수 있게 한다. 또한, 제 3 단계(S130)에서 제공되는 퍼지가스는 반응가스가 기판 상에 골고루 잘 분산되어 흡착될 수 있도록 캐리어 역할을 할 수 있다.The purge gas provided in the first step (S110) may serve as a carrier of the source gas, so that the source gas is evenly dispersed and adsorbed on the substrate. In addition, the purge gas provided in the third step (S130) may act as a carrier so that the reaction gas is evenly dispersed and adsorbed on the substrate.
한편, 주변 소자 열화의 방지 및 우수한 도포율 확보 등을 위하여 질화막을 형성하는 공정온도를 낮추는 것이 필요할 수 있으나, 질화막 형성 공정의 온도가 낮은 경우, 박막 내의 반응성이 낮아지게 되고 그로 인해 박막 내의 불순물 농도가 증가되는 문제점을 수반할 수 있다. 또한, 암모니아(NH3)를 함유하는 반응가스를 플라즈마(840) 상태로 제공하여 질화막을 형성할 경우, 플라즈마(840)에 의하여 암모니아(NH3)의 리간드(ligand) 뿐만 아니라 기판에 흡착된 소스가스의 리간드까지 분해되어 질화막 내에 수소(H)나 염소(Cl) 등의 불순물이 형성될 수 있는 문제점을 수반할 수 있다.On the other hand, it may be necessary to lower the process temperature of forming the nitride film in order to prevent deterioration of peripheral elements and secure an excellent coating rate. However, when the temperature of the nitride film formation process is low, the reactivity in the thin film decreases and thereby the impurity concentration in the thin film Can be accompanied by an increasing problem. In addition, when a nitride film is formed by providing a reaction gas containing ammonia (NH 3 ) in a
단위 사이클을 적어도 1 회 이상 반복하여 수행하는 원자층 증착법에 의한 질화막의 제조에 있어서 상술한 문제점들을 해결하기 위해, 상기 단위 사이클은, 기판 상에 소스가스 및 수소화가스를 동시에 제공함으로써, 기판 상에 흡착된 소스가스의 적어도 일부가 질소성분(N) 및 수소성분(H)을 함유하는 반응가스와 반응하여 단위증착막이 형성될 수 있다.In order to solve the above-mentioned problems in the production of a nitride film by atomic layer deposition by repeatedly performing at least one unit cycle, the unit cycle is performed by simultaneously providing a source gas and a hydrogenation gas on the substrate, At least a portion of the adsorbed source gas may react with a reaction gas containing a nitrogen component (N) and a hydrogen component (H) to form a unit deposition film.
예를 들면, 실리콘성분(Si)을 포함하는 기판 상에 염소성분(Cl)을 함유하는 소스가스 및 수소성분(H)을 함유하는 수소화가스를 제공하면, 상기 기판 상에 이미 증착된 박막의 질소(N)기와 염소(Cl)기 사이에 수소(H)기가 공급되어 염소-수소-질소(Cl-H-N) 결합을 하게 된다.For example, when a source gas containing a chlorine component (Cl) and a hydrogenation gas containing a hydrogen component (H) are provided on a substrate containing a silicon component (Si), nitrogen of a thin film already deposited on the substrate A hydrogen (H) group is supplied between the (N) group and the chlorine (Cl) group to form a chlorine-hydrogen-nitrogen (Cl-HN) bond.
여기서, 상기 질소(N)기는, 제 1 단위 사이클에 의해 증착된 제 1 단위증착막에 포함된 것일 수 있다. 따라서, 제 1 단위 사이클이 종료된 후 제 2 단위 사이클이 수행될 때, 제 1 단위증착막 상에 공급되는 소스가스의 적어도 일부가 상기 제 1 단위증착막 상에 흡착될 수 있다. 이 때, 상기 제 1 단위증착막에 포함된 질소(N)기와 제 2 단위 사이클의 제 1 단계에서 공급된 소스가스에 함유된 염소(Cl)기 사이에, 상기 소스가스와 동시에 공급된 수소화가스에 함유된 수소(H)기에 의해서, 상기 제 1 단위증착막에 포함된 질소(N)기와 상기 소스가스에 함유된 염소(Cl)기의 결합력을 향상시킬 수 있다.Here, the nitrogen (N) group may be included in the first unit deposition film deposited by the first unit cycle. Accordingly, when the second unit cycle is performed after the first unit cycle is finished, at least a portion of the source gas supplied on the first unit deposition film may be adsorbed on the first unit deposition film. At this time, between the nitrogen (N) contained in the first unit deposition film and the chlorine (Cl) group contained in the source gas supplied in the first step of the second unit cycle, the hydrogen gas supplied simultaneously with the source gas The hydrogen (H) group contained may improve the bonding force between the nitrogen (N) included in the first unit deposition film and the chlorine (Cl) group contained in the source gas.
상기 단위 사이클이 적어도 2 회 이상 반복적으로 수행될 때, 이전 단위 사이클에 의해 기판 상에 형성된 단위증착막에 포함된 질소(N)기와 소스가스에 함유된 염소(Cl)기가 잘 반응하지 않는다. 그러나 상기 소스가스와 동시에 공급되는 수소화가스에 함유된 수소(H)기에 의해서 상기 염소(Cl)기와 상기 질소(N)기 사이의 결합력을 향상시킬 수 있으며, 상기 단위증착막 내에 남아있는 상기 불순물을 제거함으로써 양질의 질화막을 구현할 수 있다.When the unit cycle is repeatedly performed at least twice, the nitrogen (N) included in the unit deposition film formed on the substrate by the previous unit cycle and the chlorine (Cl) group contained in the source gas do not react well. However, the bonding force between the chlorine (Cl) group and the nitrogen (N) group can be improved by the hydrogen (H) group contained in the hydrogenation gas supplied simultaneously with the source gas, and the impurities remaining in the unit deposition film are removed. By doing so, a high quality nitride film can be realized.
본 발명의 변형된 실시예에서, 상기 수소화가스, 상기 제 1 퍼지가스, 상기 반응가스 및 상기 제 2 퍼지가스는 모두 동일한 가스를 사용할 수도 있다. 이 경우, 별도의 퍼징시간 및 반응가스의 안정화 시간을 줄일 수 있어, 생산성 향상에 따른 경제적인 효과를 얻을 수 있다.In a modified embodiment of the present invention, the hydrogenation gas, the first purge gas, the reaction gas and the second purge gas may all use the same gas. In this case, a separate purging time and a stabilization time of the reaction gas can be reduced, and thus an economical effect of improving productivity can be obtained.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 질화막의 제조방법에서 원자층 증착법의 단위 사이클을 도해하는 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a unit cycle of an atomic layer deposition method in a method of manufacturing a nitride film according to another embodiment of the present invention.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 질화막의 제조방법은 제 1 단계(S110), 제 2 단계(S120), 제 3 단계(S130), 제 4 단계(S140), 제 5 단계(S150) 및 제 6 단계(S160)를 포함하는 단위 사이클(S100)을 적어도 1 회 이상 수행함으로써 질화막을 형성하는 방법이다. 본 제조방법은 도 1에서 설명한 제조방법과 비교하여 제 5 단계(S150) 및 제 6 단계(S160)를 추가한 점에서 차이가 있으며, 따라서, 나머지 단계들은 중복된 내용이므로 설명을 생략한다. 2 and 3, the method of manufacturing a nitride film according to an embodiment of the present invention is a first step (S110), a second step (S120), a third step (S130), a fourth step (S140), This is a method of forming a nitride film by performing at least one or more unit cycles (S100) including a fifth step (S150) and a sixth step (S160). This manufacturing method has a difference in that the fifth step (S150) and the sixth step (S160) are added compared to the manufacturing method described in FIG. 1, and thus, the rest of the steps are duplicated, so a description thereof will be omitted.
제 5 단계(S150)에서는 제 1 단계(S110) 내지 제 4 단계(S140)를 수행하여 형성된 상기 단위증착막 상에 질소가스(N2)를 포함하는 후처리가스를 플라즈마(840) 상태로 제공함으로써, 불순물 함유량이 상대적으로 낮은 단위증착막을 구현할 수 있다. 이 경우, 상기 후처리가스는 상기 단위증착막의 막질 개선, 즉, 최종적으로 질화막의 막질 개선을 위하여 제공되는 가스로 이해될 수 있다. In the fifth step (S150), by providing a post-treatment gas containing nitrogen gas (N 2 ) on the unit deposition film formed by performing the first step (S110) to the fourth step (S140) in a
본 발명자는, 제 5 단계(S150)에서 질소가스(N2)를 포함하는 후처리가스를 플라즈마(840) 상태로 제공하는 경우, 질소성분(N) 및 수소성분(H)을 함유하는 반응가스를 사용하여 형성한 단위증착막 내의 수소 본딩(H-bonding)이 질소(N)로 치환됨으로써 양질의 질화막을 형성할 수 있고 이로 인하여 물리적 특성인 습식식각 속도비(WERR; Wet Etch Rate Ratio) 특성 등이 개선됨을 확인하였다. When the present inventor provides a post-treatment gas containing nitrogen gas (N 2 ) in the fifth step (S150) in a
주변 소자 열화의 방지 및 우수한 도포율(step coverage) 확보 등을 위하여 질화막을 형성하는 공정온도를 낮추는 것이 필요할 수 있으나, 질화막 형성공정의 온도가 낮은 경우, 박막 내의 반응성이 낮아지게 되고 그로 인해 박막 내의 불순물 농도가 증가되는 문제점을 수반할 수 있다. In order to prevent deterioration of peripheral devices and secure excellent step coverage, it may be necessary to lower the process temperature of forming the nitride film, but when the temperature of the nitride film formation process is low, the reactivity in the thin film decreases, thereby causing It may be accompanied by a problem that the concentration of impurities is increased.
또한 암모니아(NH3)를 함유하는 반응가스를 플라즈마(840) 상태로 제공하여 질화막을 형성할 경우, 플라즈마(840)에 의하여 암모니아(NH3)의 리간드(ligand) 뿐만 아니라 기판에 흡착된 소스가스의 리간드까지 분해되어 질화막 내에 수소(H)나 염소(Cl) 등의 불순물이 형성될 수 있는 문제점을 수반할 수 있다. 또한, 질화막 내의 불순물이 증가함에 따라 박막의 물리적 특성인 습식식각 속도비(WERR; Wet Etch Rate Ratio) 특성이 높아지는 문제점이 나타날 수 있다. In addition, when a nitride film is formed by providing a reaction gas containing ammonia (NH 3 ) in a
단위 사이클을 적어도 1회 이상 반복하여 수행하는 원자층 증착법에 의한 질화막의 제조에 있어서 이와 같은 문제점들을 해결하기 위해, 상기 단위 사이클은, 기판 상에 흡착된 소스가스와 질소성분(N) 및 수소성분(H)을 함유하는 반응가스가 반응하여 단위증착막이 형성된 이후에, 상기 단위증착막 상에 질소가스(N2)를 함유하는 후처리가스를 플라즈마(840) 상태로 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 질소가스(N2)를 함유하는 후처리가스를 플라즈마(840) 상태로 단위증착막 상에 제공함으로써 단위증착막 내에 남아있는 불순물 결합을 질소(N)로 치환함으로써 저온공정에서도 낮은 습식식각 속도비(WERR)를 갖는 질화막을 형성할 수 있다.In order to solve these problems in the production of a nitride film by an atomic layer deposition method in which the unit cycle is repeated at least once or more, the unit cycle includes source gas, nitrogen component (N) and hydrogen component adsorbed on the substrate. After the reaction gas containing (H) reacts to form a unit deposition film, it may include the step of providing a post-treatment gas containing nitrogen gas (N 2 ) on the unit deposition film in a
한편, 제 5 단계(S150)에서 적용되는 플라즈마(840)는 VHF 제너레이터(100)에서 생성된 주파수 대역이 20MHz 내지 70 MHz인 VHF를 인가함으로써 구현할 수 있다. 본 발명자는 제 5 단계(S150)에서 주파수 대역이 20MHz 내지 70 MHz인 VHF를 인가하여 플라즈마(840)를 구현하는 경우 후처리된 질화막에서 인장 응력(tensile stress)이 발생되며, 이와 달리, 제 5 단계(S150)에서 주파수 대역이 13.56MHz인 RF를 인가하여 플라즈마를 구현하는 경우 후처리된 질화막에서 압축 응력(compressive stress)이 발생됨을 확인하였다. Meanwhile, the
이 경우, 상기 후처리가스는 상기 단위증착막의 응력, 즉, 최종적으로 질화막의 응력을 조절하기 위하여 제공되는 가스로서, 본 발명자는 질소가스(N2)를 포함하는 후처리가스를 제 5 단계(S150)에서 제공하는 경우 질화막의 응력을 효과적으로 제어할 수 있음을 확인하였다. In this case, the post-treatment gas is a gas provided for adjusting the stress of the unit deposition film, that is, finally, the stress of the nitride film, and the present inventors provide a post-treatment gas containing nitrogen gas (N 2 ) in a fifth step ( S150), it was confirmed that the stress of the nitride film can be effectively controlled.
상기 후처리가스는 혼합가스가 아닌 단일한 질소가스(N2)일 수 있으나, 다른 예로서, 상기 후처리가스는 질소가스(N2)와 아르곤가스(Ar)로 이루어진 혼합가스일 수 있다. 이 경우, 본 발명자는 제 5 단계(S150)의 후처리가스에서 아르곤가스(Ar)에 대한 질소가스(N2)의 상대적 비율이 더 높을수록 최종적으로 구현된 질화막의 인장 응력이 더 작아지며, 제 5 단계(S150)의 후처리가스에서 질소가스(N2)에 대한 아르곤가스(Ar)의 상대적 비율이 더 높을수록 최종적으로 구현된 질화막의 인장 응력이 더 커짐을 확인하였다.The post-treatment gas may be a single nitrogen gas (N 2 ) rather than a mixed gas, but as another example, the post-treatment gas may be a mixed gas composed of nitrogen gas (N 2 ) and argon gas (Ar). In this case, the present inventors, the higher the relative ratio of nitrogen gas (N 2 ) to argon gas (Ar) in the post-treatment gas of the fifth step (S150), the smaller the tensile stress of the finally implemented nitride film, It was confirmed that the higher the relative ratio of argon gas (Ar) to nitrogen gas (N 2 ) in the post-treatment gas of the fifth step (S150), the greater the tensile stress of the finally implemented nitride film.
따라서, 후처리가스가 질소가스(N2) 및 아르곤가스(Ar)로 이루어진 혼합가스인 경우, 제 5 단계(S150)에서 아르곤가스(Ar)에 대한 질소가스(N2)의 상대적 비율을 조절함으로써 질화막의 응력을 용이하게 정밀제어할 수 있다는 효과를 기대할 수 있다. Therefore, when the post-treatment gas is a mixed gas composed of nitrogen gas (N 2 ) and argon gas (Ar), the relative ratio of nitrogen gas (N 2 ) to argon gas (Ar) is adjusted in the fifth step (S150 ). By doing so, the effect that the stress of the nitride film can be easily precisely controlled can be expected.
한편, 제 5 단계(S150)에서 상기 질화막의 응력을 추가적으로 조절하기 위해서 상기 플라즈마(840)를 형성하기 위해 인가되는 전원의 파워 또는 주파수(이를 플라즈마 파워 또는 주파수로 부를 수도 있다)를 조절할 수 있다. 이 경우, 질화막의 막질을 양호하게 유지하면서 상기 질화막의 응력 범위를 더 넓게 조절할 수 있다는 효과를 기대할 수 있다. Meanwhile, in the fifth step (S150 ), power or frequency of a power applied to form the plasma 840 (which may be referred to as plasma power or frequency) may be adjusted to additionally adjust the stress of the nitride layer. In this case, it is possible to expect an effect that the stress range of the nitride film can be adjusted more broadly while keeping the film quality of the nitride film good.
제 6 단계(S160)에서는 상기 기판 상에 제 3 퍼지가스를 제공할 수 있다. 제 3 퍼지가스는, 제 5 단계(S150)에서 제공된 질소가스(N2)를 포함하는 후처리가스의 적어도 일부를 상기 기판으로부터 제거할 수 있다. 즉, 제 6 단계(S160)에서는, 제 5 단계(S150)에서 제공된 후처리가스의 적어도 일부가 제 3 퍼지가스에 의하여 퍼징(purging)될 수 있다. 상기 제 3 퍼지가스는 질소가스이거나, 아르곤가스이거나, 또는 질소가스와 아르곤가스로 이루어진 혼합가스일 수 있다.In a sixth step (S160 ), a third purge gas may be provided on the substrate. The third purge gas may remove at least a portion of the post-treatment gas including nitrogen gas (N 2 ) provided in the fifth step (S150) from the substrate. That is, in the sixth step (S160 ), at least a part of the post-treatment gas provided in the fifth step (S150) may be purged by the third purge gas. The third purge gas may be nitrogen gas, argon gas, or a mixed gas composed of nitrogen gas and argon gas.
한편, 본 발명의 변형된 실시예에서, 상기 제 1 퍼지가스, 상기 제 2 퍼지가스 또는 상기 제 3 퍼지가스는 제 1 단계(S110) 내지 제 6 단계(S160)에서 지속적으로 공급될 수 있다. 또한, 본 발명의 변형된 다른 실시예에서, 상기 후처리가스는 상기 제 1 퍼지가스, 상기 제 2 퍼지가스 및 상기 제 3 퍼지가스 중 적어도 어느 하나와 동종의 물질로 구성된 가스일 수 있다. On the other hand, in a modified embodiment of the present invention, the first purge gas, the second purge gas or the third purge gas may be continuously supplied in the first step (S110) to the sixth step (S160). Further, in another modified embodiment of the present invention, the post-treatment gas may be a gas composed of a material of the same kind as at least one of the first purge gas, the second purge gas, and the third purge gas.
또한, 본 발명의 다른 변형된 실시예에서, 제 1 단계(S110), 제 2 단계(S120), 제 3 단계(S130), 제 4 단계(S140), 제 5 단계(S150) 및 제 6 단계(S160)를 포함하는 단위 사이클(S100) 동안 질소성분(N) 및 수소성분(H)을 함유하는 반응가스는 연속적으로 내내 기판 상에 공급된다. 본 발명자는, 질소성분(N) 및 수소성분(H)을 함유하는 반응가스가 제 3 단계(S130)에서만 제공되는 본 발명의 비교예의 경우와 비교하여 본 발명의 실시예에 의하여 형성되는 질화막의 증착속도(deposition rate)가 더 높아지는 것을 확인하였다.In addition, in another modified embodiment of the present invention, the first step (S110), the second step (S120), the third step (S130), the fourth step (S140), the fifth step (S150) and the sixth step During the unit cycle S100 including (S160), the reaction gas containing the nitrogen component (N) and the hydrogen component (H) is continuously supplied onto the substrate. The inventors of the nitride film formed by the embodiment of the present invention compared to the case of the comparative example of the present invention in which the reaction gas containing the nitrogen component (N) and the hydrogen component (H) is provided only in the third step (S130) It was confirmed that the deposition rate was higher.
도 4는 본 발명의 일부 실험예와 비교예에 따른 질화막의 제조방법으로 구현한 질화막에서 증착속도(Deposition Rate)와 도포율(Step Coverage) 특성을 도해하는 그래프이다.4 is a graph illustrating deposition rate and step coverage characteristics in a nitride film implemented by a method of manufacturing a nitride film according to some experimental and comparative examples of the present invention.
도 4를 참조하면, 도 4에 도시된 케이스1은 본 발명의 비교예이며, 케이스2는 본 발명의 실험예이다. 모든 케이스들에서 소스가스는 디클로로실란(DCS)을 사용하고, 반응가스는 암모니아(NH3) 가스를 사용하여 실리콘질화막(SiN)을 증착하였다.Referring to FIG. 4, case 1 illustrated in FIG. 4 is a comparative example of the present invention, and case 2 is an experimental example of the present invention. In all cases, dichlorosilane (DCS) was used as the source gas, and ammonia (NH 3 ) gas was used as the reaction gas to deposit a silicon nitride film (SiN).
구체적으로, 케이스1은 도 1에서 제 1 단계(S110)에서 수소화가스를 제외한 단위 사이클(S100)을 복수회 반복하여 수행하여 구현한 질화막에 관한 것이며, 케이스2는 도 1에 개시된 단위 사이클(S100)을 복수회 반복하여 수행하여 구현한 질화막에 관한 것이다.Specifically, Case 1 relates to a nitride film implemented by repeatedly performing a unit cycle S100 excluding hydrogen gas in a first step S110 in FIG. 1 multiple times, and Case 2 is a unit cycle S100 disclosed in FIG. 1 ) Is performed by repeating a plurality of times.
도 4를 참조하면, 질화막을 형성하는데 있어서, 생산량(UPEH), 도포율(Step Coverage)를 개선하기 위한 방법으로 반응가스(NH3)를 항시 제공하는 단계를 포함하는 단위 사이클을 반복하여 수행함으로써, 공정 시간을 단축할 뿐만 아니라 증착속도, 도포율의 향상 및 질소(N)기와 염소(Cl)기의 결합력이 향상되고, 질화막내 불순물을 제거하여 양질의 질화막이 구현될 수 있음을 확인할 수 있다.Referring to FIG. 4, in forming a nitride film, by repeatedly performing a unit cycle including a step of providing a reaction gas (NH 3 ) at all times as a method for improving production (UPEH) and coverage (Step Coverage), , It can be confirmed that not only the process time is shortened, but also the deposition rate, the coating rate is improved, and the bonding force between nitrogen (N) and chlorine (Cl) groups is improved, and a high quality nitride film can be realized by removing impurities in the nitride film. .
본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
The present invention has been described with reference to one embodiment shown in the drawings, but this is merely exemplary, and those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be determined by the technical spirit of the appended claims.
Claims (13)
상기 기판 상에 제 1 퍼지가스를 제공하는 제 2 단계;
상기 기판 상에 질소성분(N) 및 수소성분(H)을 함유하는 반응가스를 공급하면서 플라즈마를 발생시킴으로써 상기 기판 상에 단위증착막을 형성하는 제 3 단계; 및
상기 기판 상에 제 2 퍼지가스를 제공하는 제 4 단계;
를 포함하는 단위 사이클을 적어도 1 회 이상 수행하여 인장 응력을 가지는 질화막을 형성하되,
상기 수소화가스는 상기 염소성분(Cl)과 상기 질소성분(N)의 결합력을 위하여 제공되며, 상기 질화막 내의 불순물 함유량을 저감하도록 제공되며,
상기 플라즈마는 주파수 대역이 20MHz 내지 70 MHz인 VHF를 인가함으로써 발생된 것을 특징으로 하는,
질화막의 제조방법.A first step of providing a source gas containing a chlorine component (Cl) on the substrate and a hydrogenation gas containing a hydrogen component (H) so that at least a portion of the source gas is adsorbed on the substrate;
A second step of providing a first purge gas on the substrate;
A third step of forming a unit deposition film on the substrate by generating plasma while supplying a reaction gas containing a nitrogen component (N) and a hydrogen component (H) on the substrate; And
A fourth step of providing a second purge gas on the substrate;
Performing a unit cycle comprising at least one or more times to form a nitride film having a tensile stress,
The hydrogenation gas is provided for the binding force between the chlorine component (Cl) and the nitrogen component (N), and is provided to reduce the impurity content in the nitride film,
The plasma is generated by applying a VHF frequency band of 20MHz to 70MHz,
Method of manufacturing a nitride film.
상기 제 1 퍼지가스 및 상기 제 2 퍼지가스는 상기 수소화가스를 포함하며,
상기 수소화가스는 상기 단위사이클 내내 연속적으로 상기 기판 상에 제공되며 상기 제 3 단계 동안 상기 플라즈마에 의해 활성화되는, 질화막의 제조방법.According to claim 1,
The first purge gas and the second purge gas include the hydrogenation gas,
The hydrogenation gas is continuously provided on the substrate throughout the unit cycle and is activated by the plasma during the third step.
상기 소스가스는 디클로로실란(DCS), 헥사클로로디실란(HCDS), 테트라클로로실란(TCS) 및 옥타클로로트리실란(OCTS) 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 질화막의 제조방법.According to claim 1,
The source gas comprises at least one of dichlorosilane (DCS), hexachlorodisilane (HCDS), tetrachlorosilane (TCS) and octachlorotrisilane (OCTS).
상기 수소화가스는 상기 반응가스와 동일한 가스인 것을 특징으로 하는, 질화막의 제조방법.According to claim 1,
The hydrogenation gas is characterized in that the same gas as the reaction gas, the method of manufacturing a nitride film.
상기 수소화가스와 상기 반응가스는 암모니아(NH3)를 포함하는, 질화막의 제조방법.The method of claim 4,
The hydrogenation gas and the reaction gas comprises ammonia (NH 3 ), a method for producing a nitride film.
상기 플라즈마는 펄스 플라즈마(pulsed plasma) 또는 논펄스 플라즈마(non pulsed plasma) 방식에 의하여 형성되는, 질화막의 제조방법.According to claim 1,
The plasma is formed by a pulsed plasma (pulsed plasma) or non-pulsed plasma (non pulsed plasma) method, the method of manufacturing a nitride film.
상기 단위 사이클은 상기 제 4 단계 이후에, 상기 단위증착막 상에 존재하는 불순물을 제거하기 위해 질소가스(N2)를 포함하는 후처리가스를 플라즈마 상태로 제공하는 제 5 단계; 및 상기 기판 상에 제 3 퍼지가스를 제공하는 제 6 단계; 를 더 포함하는, 질화막의 제조방법.According to claim 1,
The unit cycle may include a fifth step of providing a post-treatment gas including nitrogen gas (N 2 ) in a plasma state to remove impurities present on the unit deposition film after the fourth step; And a sixth step of providing a third purge gas on the substrate. Further comprising, a method of manufacturing a nitride film.
상기 제 5 단계에서의 플라즈마는 주파수 대역이 20MHz 내지 70 MHz인 VHF를 인가함으로써 발생된 것을 특징으로 하는, 질화막의 제조방법.The method of claim 7,
The plasma in the fifth step is characterized in that generated by applying a VHF frequency band of 20MHz to 70MHz, the method of manufacturing a nitride film.
상기 후처리가스는 질소가스(N2)이거나, 또는, 질소가스(N2)와 아르곤가스(Ar)로 이루어진 혼합가스인, 질화막의 제조방법.The method of claim 7,
The post-treatment gas is nitrogen gas (N 2 ) or a mixed gas composed of nitrogen gas (N 2 ) and argon gas (Ar).
상기 후처리가스가 질소가스(N2)이며,
상기 질화막의 요구되는 인장 응력이 제 1 인장 응력인 경우 상기 제 5 단계에서 상기 단위 증착막 상에 제공되는 상기 후처리가스의 양은, 상기 질화막의 요구되는 인장 응력이 상기 제 1 인장 응력 보다 작은 제 2 인장 응력인 경우 상기 제 5 단계에서 상기 단위 증착막 상에 제공되는 상기 후처리가스의 양보다 작은 것을 특징으로 하는, 질화막의 제조방법.The method of claim 9,
The post-treatment gas is nitrogen gas (N 2 ),
When the required tensile stress of the nitride film is the first tensile stress, the amount of the post-treatment gas provided on the unit deposition film in the fifth step is the second that the required tensile stress of the nitride film is less than the first tensile stress. In the case of tensile stress, the method of manufacturing a nitride film, characterized in that less than the amount of the post-treatment gas provided on the unit deposition film in the fifth step.
상기 후처리가스가 질소가스(N2)와 아르곤가스(Ar)로 이루어진 혼합가스이며, 상기 질화막의 요구되는 인장 응력이 클수록 상기 제 5 단계에서 상기 단위증착막 상에 제공되는 상기 아르곤가스(Ar)에 대한 상기 질소가스(N2)의 상대적 비율을 감소시키는, 질화막의 제조방법.The method of claim 9,
The post-treatment gas is a mixed gas composed of nitrogen gas (N 2 ) and argon gas (Ar), and the greater the required tensile stress of the nitride film, the argon gas (Ar) provided on the unit deposition film in the fifth step. Method of manufacturing a nitride film, reducing the relative ratio of the nitrogen gas (N 2 ) to.
상기 후처리가스는 상기 제 1 퍼지가스, 상기 제 2 퍼지가스 및 상기 제 3 퍼지가스 중 적어도 어느 하나와 동종의 물질로 구성된 가스인, 질화막의 제조방법.The method of claim 7,
The post-treatment gas is a gas composed of a material of the same kind as at least one of the first purge gas, the second purge gas and the third purge gas.
상기 제 1 퍼지가스, 상기 제 2 퍼지가스 및 제 3 퍼지가스는 상기 수소화가스를 포함하며,
상기 수소화가스는 상기 단위사이클 내내 연속적으로 상기 기판 상에 제공되며 상기 제 3 단계 동안 상기 플라즈마에 의해 활성화되는, 질화막의 제조방법.
The method of claim 7,
The first purge gas, the second purge gas and the third purge gas include the hydrogenation gas,
The hydrogenation gas is continuously provided on the substrate throughout the unit cycle and is activated by the plasma during the third step.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150122878A KR102125074B1 (en) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | Method of fabricating nitride film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020150122878A KR102125074B1 (en) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | Method of fabricating nitride film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170025843A KR20170025843A (en) | 2017-03-08 |
| KR102125074B1 true KR102125074B1 (en) | 2020-06-19 |
Family
ID=58404287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150122878A KR102125074B1 (en) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | Method of fabricating nitride film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102125074B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220115216A (en) * | 2021-02-10 | 2022-08-17 | 재단법인대구경북과학기술원 | Method of forming a thin film with curvature and electronic device manufactured by the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115565861A (en) * | 2021-07-02 | 2023-01-03 | 长鑫存储技术有限公司 | Thin film deposition method and semiconductor device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100469126B1 (en) * | 2002-06-05 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | Method of forming a thin film with a low hydrogen contents |
| KR100682077B1 (en) * | 2006-06-05 | 2007-02-16 | 주식회사 케이씨텍 | Surface processing apparatus using neutral beam and method at the same |
| JP2009191311A (en) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Atomic layer deposition apparatus |
| KR101244850B1 (en) * | 2004-11-16 | 2013-03-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Tensile and compressive stressed materials for semiconductors |
-
2015
- 2015-08-31 KR KR1020150122878A patent/KR102125074B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100469126B1 (en) * | 2002-06-05 | 2005-01-29 | 삼성전자주식회사 | Method of forming a thin film with a low hydrogen contents |
| KR101244850B1 (en) * | 2004-11-16 | 2013-03-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Tensile and compressive stressed materials for semiconductors |
| KR100682077B1 (en) * | 2006-06-05 | 2007-02-16 | 주식회사 케이씨텍 | Surface processing apparatus using neutral beam and method at the same |
| JP2009191311A (en) * | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Atomic layer deposition apparatus |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20220115216A (en) * | 2021-02-10 | 2022-08-17 | 재단법인대구경북과학기술원 | Method of forming a thin film with curvature and electronic device manufactured by the same |
| KR102583823B1 (en) * | 2021-02-10 | 2023-09-26 | 재단법인대구경북과학기술원 | Method of forming a thin film with curvature and electronic device manufactured by the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20170025843A (en) | 2017-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7309962B2 (en) | Formation of SiN thin film | |
| JP6392279B2 (en) | Manufacturing method of nitride film | |
| CN108930026B (en) | Method and apparatus for forming silicon nitride film, and storage medium | |
| JP7045360B2 (en) | Manufacturing method of silicon nitride thin film using plasma atomic layer deposition method | |
| KR102179753B1 (en) | Method of fabricating nitride film and method of controlling compressive stress of the same | |
| KR102125074B1 (en) | Method of fabricating nitride film | |
| KR102146542B1 (en) | Method of fabricating nitride film | |
| JP6110420B2 (en) | Method of manufacturing nitride film and method of controlling compressive stress of nitride film | |
| KR102125077B1 (en) | Method of fabricating thin film using atomic layer deposition process | |
| US20170008015A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR102202089B1 (en) | Method of fabricating nitride film | |
| US20170186606A1 (en) | Film forming method and film forming apparatus | |
| KR102125508B1 (en) | Method of fabricating nitride film | |
| KR102125076B1 (en) | Method of fabricating thin film using atomic layer deposition process | |
| US10269560B2 (en) | Atomic layer deposition method for manufacturing semiconductor structure | |
| KR102513404B1 (en) | Method of forming SiCN layer | |
| KR20230000564A (en) | Method of forming amorphous carbon layer | |
| US11682554B2 (en) | Catalytic thermal deposition of carbon-containing materials | |
| US20240060174A1 (en) | Method of forming material within a recess | |
| KR20150113578A (en) | Method of fabricating nitride film | |
| TWI576918B (en) | Method of fabricating nitride film and method of controlling compressive stress of the same | |
| KR20210024348A (en) | Apparatus and Method for Deposition of Thin Film | |
| CN115637417A (en) | Method for fabricating semiconductor structure |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |