KR102582159B1 - Light Emitting Display - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표시 패널, 데이터 구동부 및 스캔 구동부를 포함하는 발광표시장치를 제공한다. 표시 패널은 영상을 표시한다. 데이터 구동부는 표시 패널의 데이터라인을 통해 데이터전압을 공급한다. 스캔 구동부는 표시 패널의 스캔라인을 통해 스캔신호를 공급한다. 표시 패널은 제N스캔라인을 통해 인가된 제N스캔신호와 제N-1스캔라인을 통해 인가된 제N-1스캔신호에 응답하여 데이터전압을 저장하는 서브 픽셀을 갖는다.The present invention provides a light emitting display device including a display panel, a data driver, and a scan driver. The display panel displays an image. The data driver supplies data voltage through the data line of the display panel. The scan driver supplies a scan signal through the scan line of the display panel. The display panel has subpixels that store data voltages in response to the Nth scan signal applied through the Nth scan line and the N-1th scan signal applied through the N-1th scan line.

Description

발광표시장치{Light Emitting Display}Light emitting display device {Light Emitting Display}

본 발명은 발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting display device.

정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 발광표시장치(Light Emitting Display: LED), 양자점표시장치(Quantum Dot Display; QDD), 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD) 등과 같은 표시장치의 사용이 증가하고 있다.As information technology develops, the market for display devices, which are a connecting medium between users and information, is growing. Accordingly, the use of display devices such as light emitting display (LED), quantum dot display (QDD), and liquid crystal display (LCD) is increasing.

앞서 설명한 표시장치들은 서브 픽셀들을 포함하는 표시패널, 표시패널을 구동하는 구동 신호를 출력하는 구동부 및 표시패널 또는 구동부에 공급할 전원을 생성하는 전원 공급부 등이 포함된다.The display devices described above include a display panel including subpixels, a driver that outputs a driving signal to drive the display panel, and a power supply that generates power to be supplied to the display panel or the driver.

위와 같은 표시장치들은 표시패널에 형성된 서브 픽셀들에 구동 신호 예컨대, 스캔신호 및 데이터신호 등이 공급되면, 선택된 서브 픽셀이 빛을 투과시키거나 빛을 직접 발광을 하게 됨으로써 영상을 표시할 수 있게 된다.The above display devices can display images by transmitting light or emitting light directly when driving signals, such as scan signals and data signals, are supplied to the subpixels formed on the display panel. .

한편, 앞서 설명한 표시장치들 중 발광표시장치는 빠른 응답속도, 고휘도 및 시야각이 넓은 전기적 그리고 광학적 특성과 더불어 유연한 형태로 구현할 수 있는 기구적 특성 등과 같이 많은 장점이 있다. 그러나 발광표시장치는 표시패널의 구성면에서 개선점이 남아 있는바 이와 관련된 지속적인 연구가 필요하다.Meanwhile, among the display devices described above, the light emitting display device has many advantages such as electrical and optical characteristics such as fast response speed, high brightness, and wide viewing angle, as well as mechanical characteristics that can be implemented in a flexible form. However, light emitting display devices still have room for improvement in terms of display panel composition, so continuous research in this regard is necessary.

상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 내부 보상회로 기반의 표시 패널 구현 시 스캔라인의 개수를 절감하고, 또한 충분한 샘플링 시간을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 플리커 발생율을 낮추거나, 저속구동에 유리하거나, 회로의 밀집도를 낮추는 것이다. 또한, 본 발명은 표시 패널의 네로우 베젤화와 더불어 중형급 이상의 모델이나 고해상도 모델 구현 시 이점을 제공하는 것이다.The present invention to solve the problems of the above-described background technology reduces the number of scan lines when implementing a display panel based on an internal compensation circuit and also provides sufficient sampling time. Additionally, the present invention reduces the flicker occurrence rate, is advantageous for low-speed driving, or reduces circuit density. In addition, the present invention provides advantages in implementing mid-sized or higher models or high-resolution models in addition to narrow bezels of display panels.

상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은 표시 패널, 데이터 구동부 및 스캔 구동부를 포함하는 발광표시장치를 제공한다. 표시 패널은 영상을 표시한다. 데이터 구동부는 표시 패널의 데이터라인을 통해 데이터전압을 공급한다. 스캔 구동부는 표시 패널의 스캔라인을 통해 스캔신호를 공급한다. 표시 패널은 제N스캔라인을 통해 인가된 제N스캔신호와 제N-1스캔라인을 통해 인가된 제N-1스캔신호에 응답하여 데이터전압을 저장하는 서브 픽셀을 갖는다.As a means of solving the above-described problems, the present invention provides a light emitting display device including a display panel, a data driver, and a scan driver. The display panel displays an image. The data driver supplies data voltage through the data line of the display panel. The scan driver supplies a scan signal through the scan line of the display panel. The display panel has subpixels that store data voltages in response to the Nth scan signal applied through the Nth scan line and the N-1th scan signal applied through the N-1th scan line.

다른 측면에서 본 발명은 표시 패널, 데이터 구동부 및 스캔 구동부를 포함하는 발광표시장치를 제공한다. 표시 패널은 영상을 표시한다. 데이터 구동부는 표시 패널의 데이터라인을 통해 데이터전압을 공급한다. 스캔 구동부는 표시 패널의 스캔라인을 통해 스캔신호를 공급한다. 표시 패널은 제N스캔라인을 통해 인가된 제N스캔신호와 제N-1스캔라인을 통해 인가된 제N-1스캔신호가 중첩하는 구간 동안 데이터전압을 저장하는 서브 픽셀을 갖는다.In another aspect, the present invention provides a light emitting display device including a display panel, a data driver, and a scan driver. The display panel displays an image. The data driver supplies data voltage through the data line of the display panel. The scan driver supplies a scan signal through the scan line of the display panel. The display panel has a subpixel that stores a data voltage during a section where the Nth scan signal applied through the Nth scan line and the N-1th scan signal applied through the N-1th scan line overlap.

서브 픽셀은 제N스캔라인의 제N스캔신호에 응답하여 턴온되는 제1A트랜지스터와, 제N-1스캔라인의 N-1스캔신호에 응답하여 턴온되는 제1B트랜지스터를 포함할 수 있다.The subpixel may include a 1A transistor that is turned on in response to the Nth scan signal of the Nth scan line, and a 1B transistor that is turned on in response to the N-1 scan signal of the N-1th scan line.

제1A트랜지스터와 제1B트랜지스터는 동시에 턴온되는 기간을 가질 수 있다.The 1A transistor and the 1B transistor may have a period in which they are turned on at the same time.

제1B트랜지스터는 제1A트랜지스터보다 턴온되는 시점이 앞설 수 있다.The turn-on time of the 1B transistor may be earlier than that of the 1A transistor.

제1A트랜지스터는 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인에 제1전극이 연결되고, 제1B트랜지스터는 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1A트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결될 수 있다.The 1A transistor has its gate electrode connected to the N scan line and the first electrode connected to the first data line, and the 1B transistor has its gate electrode connected to the N-1 scan line and the second electrode of the 1A transistor. The first electrode may be connected.

표시 패널은 데이터 구동부의 채널에 연결된 적어도 2개의 스위치를 더 포함하고, 적어도 2개의 스위치는 제1선택신호라인에 게이트전극이 연결되고 데이터 구동부의 제1채널에 제1전극이 연결되고 제1A데이터라인에 제2전극이 연결된 제1스위치와, 제2선택신호라인에 게이트전극이 연결되고 데이터 구동부의 제1채널에 제1전극이 연결되고 제1B데이터라인에 제2전극이 연결된 제2스위치를 포함할 수 있다.The display panel further includes at least two switches connected to channels of the data driver, wherein the at least two switches have a gate electrode connected to the first selection signal line, a first electrode connected to the first channel of the data driver, and 1A data. A first switch with a second electrode connected to a line, a gate electrode connected to a second selection signal line, a first electrode connected to the first channel of the data driver, and a second switch with a second electrode connected to the 1B data line. It can be included.

표시 패널은 제1A데이터라인에 연결된 제1서브 픽셀과, 제1B데이터라인에 연결된 제11서브 펙셀을 포함하고, 제1서브 픽셀과 제11서브 픽셀은 표시 패널 상에서 상하 또는 좌우로 인접할 수 있다.The display panel includes a first subpixel connected to a 1A data line and an 11th subpixel connected to a 1B data line, and the first subpixel and the 11th subpixel may be adjacent to each other up and down or left and right on the display panel. .

서브 픽셀은 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인에 제1전극이 연결된 제1A트랜지스터와, 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1A트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제1B트랜지스터와, 제1B트랜지스터의 제2전극에 일단이 연결된 커패시터와, 커패시터의 타단에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인에 제1전극이 연결된 구동 트랜지스터와, 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 커패시터의 타단에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제2트랜지스터와, 발광신호라인에 게이트전극이 연결되고 커패시터의 일단에 제1전극이 연결되고 레퍼런스라인에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와, 발광신호라인에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제4트랜지스터와, 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 레퍼런스라인에 제1전극이 연결되고 제4트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제5트랜지스터와, 제4트랜지스터의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인에 캐소드전극이 연결된 발광다이오드를 포함할 수 있다.The subpixel includes a 1A transistor whose gate electrode is connected to the N-th scan line and the first electrode connected to the first data line, and a gate electrode connected to the N-1th scan line and a first electrode connected to the second electrode of the 1A transistor. A 1B transistor with an electrode connected to it, a capacitor with one end connected to the second electrode of the 1B transistor, a driving transistor with a gate electrode connected to the other end of the capacitor and a first electrode connected to the first power line, and an N-1 scan. A second transistor with a gate electrode connected to the line, a first electrode connected to the other end of the capacitor, and a second electrode connected to the second electrode of the driving transistor, and a gate electrode connected to the light emitting signal line and a first electrode to one end of the capacitor. A third transistor connected to this and the second electrode connected to the reference line, a fourth transistor whose gate electrode is connected to the light emitting signal line and the first electrode connected to the second electrode of the driving transistor, and a gate to the N-1th scan line A fifth transistor in which electrodes are connected, the first electrode is connected to the reference line, the second electrode is connected to the second electrode of the fourth transistor, the anode electrode is connected to the second electrode of the fourth transistor, and the cathode is connected to the second power line. It may include a light emitting diode to which an electrode is connected.

서브 픽셀은 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인에 제1전극이 연결된 제1A트랜지스터와, 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1A트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제1B트랜지스터와, 제1B트랜지스터의 제2전극에 일단이 연결된 커패시터와, 커패시터의 타단에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인에 제1전극이 연결된 구동 트랜지스터와, 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 커패시터의 타단에 제1전극이 연결된 제2A트랜지스터와, 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제2A트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제2B트랜지스터와, 발광신호라인에 게이트전극이 연결되고 커패시터의 일단에 제1전극이 연결되고 레퍼런스라인에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와, 발광신호라인에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제4트랜지스터와, 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 레퍼런스라인에 제1전극이 연결되고 제4트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제5트랜지스터와, 제4트랜지스터의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인에 캐소드전극이 연결된 발광다이오드를 포함할 수 있다.The subpixel includes a 1A transistor whose gate electrode is connected to the N-th scan line and the first electrode connected to the first data line, and a gate electrode connected to the N-1th scan line and a first electrode connected to the second electrode of the 1A transistor. A 1B transistor with an electrode connected to it, a capacitor with one end connected to the second electrode of the 1B transistor, a driving transistor with a gate electrode connected to the other end of the capacitor and a first electrode connected to the first power line, and an N-1 scan. A 2A transistor with a gate electrode connected to the line and a first electrode connected to the other end of the capacitor, a gate electrode connected to the N-1 scan line, a first electrode connected to the second electrode of the 2A transistor, and a driving transistor. A 2B transistor with a second electrode connected to the second electrode, a third transistor with a gate electrode connected to the light emitting signal line, a first electrode connected to one end of a capacitor, and a second electrode connected to a reference line, and a third transistor with a gate electrode connected to the light emitting signal line. A fourth transistor whose gate electrode is connected to the second electrode of the driving transistor and whose first electrode is connected to the second electrode of the driving transistor, whose gate electrode is connected to the N-1 scan line and the first electrode connected to the reference line and the second electrode of the fourth transistor It may include a fifth transistor with a second electrode connected to the light emitting diode, an anode electrode connected to the second electrode of the fourth transistor, and a cathode electrode connected to the second power line.

본 발명은 내부 보상회로 기반의 표시 패널 구현 시 스캔라인의 개수를 절감할 수 있고, 또한 충분한 샘플링 시간을 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 플리커 발생율을 낮추고 또한 저속구동에 유리하도록 커패시터가 차지하는 면적을 이전 대비 넓히거나 공정 수율을 높이기 위해 회로의 밀집도를 낮출 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 시프트레지스터가 차지하는 면적을 감소시켜 표시 패널의 네로우 베젤화가 가능함은 물론이고 중형급 이상의 모델이나 고해상도 모델 구현 시 이점을 제공할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of reducing the number of scan lines when implementing a display panel based on an internal compensation circuit and also providing sufficient sampling time. In addition, the present invention has the effect of lowering the flicker occurrence rate and increasing the area occupied by the capacitor compared to the previous one to be advantageous for low-speed driving, or lowering the density of the circuit to increase process yield. In addition, the present invention reduces the area occupied by the shift register, which not only enables a narrow bezel of the display panel, but also provides advantages when implementing mid-sized or higher models or high-resolution models.

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광표시장치의 개략적인 블록도.
도 2는 서브 픽셀의 개략적인 회로 구성도.
도 3은 표시 패널의 단면 예시도.
도 4는 게이트인패널 방식 스캔 구동부와 관련된 장치의 제1 구성 예시도.
도 5는 게이트인패널 방식 스캔 구동부와 관련된 장치의 제2 구성예시도.
도 6은 게이트인패널 방식 스캔 구동부에서 시프트레지스터의 배치예를 나타낸 도면.
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따라 보상회로를 갖는 서브 픽셀을 나타낸 도면.
도 8은 도 7에 도시된 서브 픽셀에 인가되는 스캔신호들과 커패시터의 양단 노드 전압을 나타낸 도면.
도 9는 본 발명의 제2실시예에 따라 보상회로를 갖는 서브 픽셀을 나타낸 도면.
도 10은 도 9에 도시된 서브 픽셀에 인가되는 스캔신호들과 커패시터의 양단 노드 전압을 나타낸 도면.
도 11은 본 발명의 제2실시예를 기반으로 하는 서브 픽셀의 레이아웃 예시도.
도 12는 본 발명의 제2실시예에 따른 부차적인 효과를 설명하기 위한 도면.
도 13은 본 발명의 제3실시예에 따라 보상회로를 갖는 서브 픽셀들과 스위치들을 나타낸 도면.
도 14는 도 13에 도시된 스위치들에 인가되는 선택신호 그리고 서브 픽셀들에 인가되는 스캔신호들과 데이터전압들을 나타낸 도면.
도 15는 본 발명의 제4실시예에 따라 보상회로를 갖는 서브 픽셀들과 스위치들을 나타낸 도면.
도 16은 도 15에 도시된 스위치들에 인가되는 선택신호 그리고 서브 픽셀들에 인가되는 스캔신호들과 데이터전압들을 나타낸 도면.
도 17은 본 발명의 제4실시예를 기반으로 하는 서브 픽셀의 레이아웃 예시도.
도 18은 본 발명의 제4실시예에 따른 부차적인 효과를 설명하기 위한 도면.
도 19 내지 도 21은 본 발명의 제3 및 제4실시예의 표시 패널 구현 방식에 따른 이점을 설명하기 위한 도면들.
1 is a schematic block diagram of a light emitting display device according to a first embodiment of the present invention.
2 is a schematic circuit diagram of a subpixel.
3 is an example cross-sectional view of a display panel.
Figure 4 is a first configuration example diagram of a device related to a gate-in-panel type scan driver.
Figure 5 is a second configuration example of a device related to a gate-in-panel type scan driver.
Figure 6 is a diagram showing an example of the arrangement of a shift register in a gate-in-panel scan driver.
Figure 7 is a diagram showing a subpixel with a compensation circuit according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 8 is a diagram showing scan signals applied to the subpixel shown in FIG. 7 and node voltages at both ends of a capacitor.
Figure 9 is a diagram showing a subpixel with a compensation circuit according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 10 is a diagram showing scan signals applied to the subpixel shown in FIG. 9 and node voltages at both ends of a capacitor.
Figure 11 is an example layout of a subpixel based on the second embodiment of the present invention.
Figure 12 is a diagram for explaining secondary effects according to the second embodiment of the present invention.
Figure 13 is a diagram showing subpixels and switches having a compensation circuit according to a third embodiment of the present invention.
FIG. 14 is a diagram showing selection signals applied to the switches shown in FIG. 13 and scan signals and data voltages applied to subpixels.
Figure 15 is a diagram showing subpixels and switches having a compensation circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 16 is a diagram showing selection signals applied to the switches shown in FIG. 15 and scan signals and data voltages applied to subpixels.
Figure 17 is an example layout of a subpixel based on the fourth embodiment of the present invention.
Figure 18 is a diagram for explaining secondary effects according to the fourth embodiment of the present invention.
19 to 21 are diagrams for explaining the advantages of the display panel implementation method of the third and fourth embodiments of the present invention.

이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.Hereinafter, specific details for implementing the present invention will be described with reference to the attached drawings.

본 발명에 따른 발광표시장치는 텔레비전, 영상 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈시어터, 스마트폰 등으로 구현된다. 발광표시장치는 무기 발광다이오드를 기반으로 구현되거나 유기 발광다이오드를 기반으로 구현된다. 그러나 이하에서는 설명의 편의를 위해 유기 발광다이오드를 기반으로 구현된 것을 일례로 설명한다.The light emitting display device according to the present invention is implemented in televisions, video players, personal computers (PCs), home theaters, smartphones, etc. Light emitting display devices are implemented based on inorganic light emitting diodes or organic light emitting diodes. However, below, for convenience of explanation, an implementation based on an organic light emitting diode will be described as an example.

이와 더불어, 이하에서 설명되는 박막 트랜지스터는 게이트전극을 제외하고 타입(N타입인지 또는 P타입인지)에 따라 소오스전극과 드레인전극 또는 드레인전극과 소오스전극으로 명명될 수 있는바, 이를 한정하지 않기 위해 제1전극과 제2전극으로 설명한다.In addition, the thin film transistor described below, excluding the gate electrode, may be called a source electrode and a drain electrode or a drain electrode and a source electrode depending on the type (N-type or P-type), so as not to limit this. It is explained in terms of the first electrode and the second electrode.

<제1실시예><First embodiment>

도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 발광표시장치의 개략적인 블록도이고, 도 2는 서브 픽셀의 개략적인 회로 구성도이고, 도 3은 표시 패널의 단면 예시도이고, 도 4는 게이트인패널 방식 스캔 구동부와 관련된 장치의 제1 구성 예시도이고, 도 5는 게이트인패널 방식 스캔 구동부와 관련된 장치의 제2 구성예시도이고, 도 6은 게이트인패널 방식 스캔 구동부에서 시프트레지스터의 배치예를 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a schematic block diagram of a light emitting display device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic circuit diagram of a subpixel, FIG. 3 is an exemplary cross-section of a display panel, and FIG. 4 is a gate Figure 5 is a first configuration example diagram of a device related to an in-panel scan driver, Figure 5 is a second configuration example diagram of a device related to a gate-in-panel scan driver, and Figure 6 is an arrangement of a shift register in a gate-in-panel scan driver. This is a drawing showing an example.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 발광표시장치에는 영상 처리부(110), 타이밍 제어부(120), 데이터 구동부(130), 스캔 구동부(140), 전원 공급부(180) 및 표시 패널(150)이 포함된다.As shown in FIG. 1, the light emitting display device according to the first embodiment of the present invention includes an image processing unit 110, a timing control unit 120, a data driver 130, a scan driver 140, and a power supply unit 180. and a display panel 150.

영상 처리부(110)는 외부로부터 공급된 데이터신호(DATA)와 더불어 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 출력한다. 영상 처리부(110)는 데이터 인에이블 신호(DE) 외에도 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있으나 이 신호들은 설명의 편의상 생략 도시한다.The image processing unit 110 outputs a data enable signal (DE) in addition to a data signal (DATA) supplied from the outside. In addition to the data enable signal DE, the image processor 110 may output one or more of a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal, but these signals are omitted for convenience of explanation.

타이밍 제어부(120)는 영상 처리부(110)로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직 동기신호, 수평 동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터신호(DATA)를 공급받는다. 타이밍 제어부(120)는 구동신호에 기초하여 스캔 구동부(140)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(130)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍 제어신호(DDC) 등을 출력한다.The timing control unit 120 receives a data enable signal (DE) or a driving signal including a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal, as well as a data signal (DATA) from the image processing unit 110. The timing control unit 120 provides a gate timing control signal (GDC) for controlling the operation timing of the scan driver 140 and a data timing control signal (DDC) for controlling the operation timing of the data driver 130 based on the driving signal. etc. are printed.

데이터 구동부(130)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 데이터 타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍 제어부(120)로부터 공급되는 디지털 형태의 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치한 후 감마 기준전압을 기반으로 아날로그 형태의 데이터전압으로 변환하여 출력한다. 데이터 구동부(130)는 데이터라인들(DL1 ~ DLn)을 통해 데이터전압을 출력한다. 데이터 구동부(130)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성될 수 있다.The data driver 130 samples and latches the digital data signal (DATA) supplied from the timing control unit 120 in response to the data timing control signal (DDC) supplied from the timing control unit 120, and then sets the gamma reference voltage. Based on this, it is converted into analog data voltage and output. The data driver 130 outputs a data voltage through the data lines DL1 to DLn. The data driver 130 may be formed in the form of an integrated circuit (IC).

스캔 구동부(140)는 타이밍 제어부(120)로부터 공급된 게이트 타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 스캔신호를 출력한다. 스캔 구동부(140)는 스캔라인들(GL1 ~ GLm)을 통해 스캔하이전압과 스캔로우전압으로 이루어진 스캔신호를 출력한다. 스캔 구동부(140)는 IC(Integrated Circuit) 형태로 형성되거나 표시 패널(150)에 게이트인패널(Gate In Panel) 방식으로 형성된다.The scan driver 140 outputs a scan signal in response to the gate timing control signal (GDC) supplied from the timing control unit 120. The scan driver 140 outputs a scan signal consisting of a scan high voltage and a scan low voltage through the scan lines GL1 to GLm. The scan driver 140 is formed in the form of an integrated circuit (IC) or is formed in the display panel 150 using a gate in panel method.

전원 공급부(180)는 표시 패널(150)에 배치된 제1전원라인(EVDD)과 제2전원라인(EVSS)에 연결된다. 전원 공급부(180)는 제1전원라인(EVDD)과 제2전원라인(EVSS)을 통해 제1전위전원(고전위전압)과 제2전위전원(저전위전압)을 출력한다. 제1전원라인(EVDD)과 제2전원라인(EVSS)을 통해 전달되는 제1전위전원(고전위전압)과 제2전위전원(저전위전압)은 표시 패널(150)의 서브 픽셀들(SP)에 인가된다.The power supply unit 180 is connected to the first power line (EVDD) and the second power line (EVSS) disposed on the display panel 150. The power supply unit 180 outputs a first potential power (high potential voltage) and a second potential power (low potential voltage) through the first power line (EVDD) and the second power line (EVSS). The first potential power (high potential voltage) and the second potential power (low potential voltage) transmitted through the first power line (EVDD) and the second power line (EVSS) are connected to the subpixels (SP) of the display panel 150. ) is approved.

표시 패널(150)은 전원 공급부(180)로부터 공급된 전원과 데이터 구동부(130) 및 스캔 구동부(140)로부터 공급된 데이터전압 및 스캔신호에 대응하여 영상을 표시한다. 표시 패널(150)은 영상을 표시할 수 있도록 동작하는 서브 픽셀들(SP)을 포함한다.The display panel 150 displays images in response to power supplied from the power supply unit 180 and data voltages and scan signals supplied from the data driver 130 and the scan driver 140. The display panel 150 includes subpixels (SP) that operate to display images.

서브 픽셀들(SP)은 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀 및 청색 서브 픽셀을 포함하거나 백색 서브 픽셀, 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀 및 청색 서브 픽셀을 포함한다. 서브 픽셀들(SP)은 발광 특성에 따라 하나 이상 다른 발광 면적을 가질 수 있다.The subpixels SP include a red subpixel, a green subpixel, and a blue subpixel, or include a white subpixel, a red subpixel, a green subpixel, and a blue subpixel. The subpixels SP may have one or more different light emission areas depending on light emission characteristics.

도 2에 도시된 바와 같이, 하나의 서브 픽셀(SP)은 데이터라인(DL1), 스캔라인(GL1), 제1전원라인(EVDD) 및 제2전원라인(EVSS)에 전기적으로 연결된다. 하나의 서브 픽셀(SP)에는 빛을 발광하는 유기 발광다이오드(OLED)와 이를 구동하는 픽셀 회로(CC)가 포함된다.As shown in FIG. 2, one subpixel SP is electrically connected to the data line DL1, the scan line GL1, the first power line EVDD, and the second power line EVSS. One subpixel (SP) includes an organic light emitting diode (OLED) that emits light and a pixel circuit (CC) that drives it.

픽셀 회로(CC)는 데이터전압을 전달하기 위한 스위칭 트랜지스터, 데이터전압을 저장하는 커패시터, 커패시터에 저장된 데이터전압 등을 기반으로 구동전류를 생성하는 구동 트랜지스터 등을 포함한다. 픽셀 회로(CC)는 구동 트랜지스터나 유기 발광다이오드(OLED) 등의 열화를 보상하기 위한 보상회로가 더 포함될 수도 있다. 보상회로를 갖는 픽셀 회로(CC)와 관련된 설명은 도 7 이후부터 다룬다.The pixel circuit (CC) includes a switching transistor for transmitting the data voltage, a capacitor for storing the data voltage, and a driving transistor for generating a driving current based on the data voltage stored in the capacitor. The pixel circuit (CC) may further include a compensation circuit to compensate for deterioration of the driving transistor or organic light emitting diode (OLED). Descriptions related to the pixel circuit (CC) having a compensation circuit will be provided starting from FIG. 7.

도 3에 도시된 바와 같이, 제1기판(또는 박막 트랜지스터 기판)(150a)의 표시영역(AA) 상에는 도 2에서 설명된 회로를 기반으로 서브 픽셀들이 형성된다. 표시영역(AA) 상에 형성된 서브 픽셀들은 보호필름(또는 보호기판)(150b)에 의해 밀봉된다. 표시영역(AA)은 영상을 표시하는 영역이고, 이 영역을 제외한 NA는 영상을 표시하지 않는 비표시영역을 의미한다. 제1기판(150a)은 유리, 실리콘, 폴리이미드 등 강성 또는 연성을 갖는 재료로 선택될 수 있다.As shown in FIG. 3, subpixels are formed on the display area AA of the first substrate (or thin film transistor substrate) 150a based on the circuit described in FIG. 2. Subpixels formed on the display area AA are sealed by a protective film (or protective substrate) 150b. The display area (AA) is an area that displays an image, and NA excluding this area refers to a non-display area that does not display an image. The first substrate 150a may be selected from a material having rigidity or ductility, such as glass, silicon, or polyimide.

서브 픽셀들은 표시영역(AA) 상에서 적색(R), 백색(W), 청색(B) 및 녹색(G)의 순으로 수평 또는 수직하게 배치될 수 있다. 그리고 서브 픽셀들은 적색(R), 백색(W), 청색(B) 및 녹색(G)이 하나의 픽셀(P)이 될 수 있다. 그러나 서브 픽셀들의 배치 순서는 발광재료, 발광면적, 보상회로의 구성(또는 구조) 등에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 서브 픽셀들은 적색(R), 청색(B) 및 녹색(G)이 하나의 픽셀(P)이 되는 등 다양한 형태로 구현 가능하다.The subpixels may be arranged horizontally or vertically in the order of red (R), white (W), blue (B), and green (G) on the display area (AA). And the subpixels may be red (R), white (W), blue (B), and green (G) into one pixel (P). However, the arrangement order of subpixels may vary depending on the light emitting material, light emitting area, composition (or structure) of the compensation circuit, etc. Additionally, subpixels can be implemented in various forms, such as red (R), blue (B), and green (G) becoming one pixel (P).

도 4에 도시된 바와 같이, 게이트인패널 방식 스캔 구동부(140)는 시프트 레지스터(141)와 레벨 시프터(145)를 포함할 수 있다. 레벨 시프터(145)는 타이밍 제어부(120)로부터 출력된 신호를 기반으로 다수의 클록신호들(GCLK)을 생성 및 출력한다. 다수의 클록신호들(GCLK)은 예컨대, 2상, 4상, 8상 등 위상이 다른 N(N은 2이상 정수)상의 형태로 생성 및 출력된다. 시프트 레지스터(141)는 레벨 시프터(145)로부터 출력된 다수의 클록신호들(GCLK) 등을 기반으로 동작하며 스캔신호들(Scan 1~Scan m)을 출력한다.As shown in FIG. 4, the gate-in-panel scan driver 140 may include a shift register 141 and a level shifter 145. The level shifter 145 generates and outputs a plurality of clock signals (GCLK) based on the signal output from the timing control unit 120. A plurality of clock signals (GCLK) are generated and output in the form of N (N is an integer greater than or equal to 2) phases with different phases, such as, for example, 2-phase, 4-phase, and 8-phase. The shift register 141 operates based on a plurality of clock signals (GCLK) output from the level shifter 145 and outputs scan signals (Scan 1 to Scan m).

레벨 시프터(145)는 IC 형태로 형성되는 반면, 시프트 레지스터(141)는 게이트인패널 방식에 의해 박막 형태로 표시 패널 상에 형성된다. 즉, 스캔 구동부(140)에서 표시 패널 상에 형성되는 부분은 시프트 레지스터(131)이다. 레벨 시프터(145)는 발광표시장치의 크기나 구현 방식에 따라, 도 4와 같이 별도의 IC 형태로 구성될 수 있음은 물론이고, 도 5와 같이 전원 공급부(180)의 내부에 포함될 수도 있다.While the level shifter 145 is formed in the form of an IC, the shift register 141 is formed in the form of a thin film on the display panel using a gate-in-panel method. That is, the part of the scan driver 140 formed on the display panel is the shift register 131. Depending on the size or implementation method of the light emitting display device, the level shifter 145 may be configured in the form of a separate IC as shown in FIG. 4, or may be included inside the power supply unit 180 as shown in FIG. 5.

도 6에 도시된 바와 같이, 게이트인패널 방식 스캔 구동부에 포함된 시프트레지스터(130a, 130b)는 표시 패널(150)의 비표시영역(NA)에 배치된다. 시프트레지스터(130a, 130b)는 표시영역(AA)의 좌우측에 위치하는 비표시영역(NA)에 하나씩 배치될 수 있으나 이에 한정되지 않는다. 한편, 도 6(a)에서는 시프트레지스터(130a, 130b)가 표시 패널(150)의 좌우측 비표시영역(NA)에 배치된 것을 일례로 하였다. 하지만, 도 6(b)와 같이, 시프트레지스터(130a, 130b)는 표시 패널(150)의 상하측 비표시영역(NA)에 배치될 수도 있다.As shown in FIG. 6, the shift registers 130a and 130b included in the gate-in-panel scan driver are disposed in the non-display area NA of the display panel 150. The shift registers 130a and 130b may be disposed one by one in the non-display area (NA) located on the left and right sides of the display area (AA), but are not limited to this. Meanwhile, in Figure 6(a), the shift registers 130a and 130b are arranged in the left and right non-display areas (NA) of the display panel 150 as an example. However, as shown in FIG. 6(b), the shift registers 130a and 130b may be disposed in the upper and lower non-display areas (NA) of the display panel 150.

도 7은 본 발명의 제1실시예에 따라 보상회로를 갖는 서브 픽셀을 나타낸 도면이고, 도 8은 도 7에 도시된 서브 픽셀에 인가되는 스캔신호들과 커패시터의 양단 노드 전압을 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a diagram showing a subpixel having a compensation circuit according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a diagram showing scan signals applied to the subpixel shown in FIG. 7 and node voltages at both ends of a capacitor.

도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1실시예에 따른 서브 픽셀은 제1A트랜지스터(T1a), 제1B트랜지스터(T1b), 제2A트랜지스터(T2a), 제2B트랜지스터(T2b), 제3트랜지스터(T3), 제4트랜지스터(T4), 제5트랜지스터(T5), 구동 트랜지스터(DT), 커패시터(CST) 및 유기 발광다이오드(OLED)를 포함한다.As shown in FIGS. 7 and 8, the subpixel according to the first embodiment of the present invention includes a 1A transistor (T1a), a 1B transistor (T1b), a 2A transistor (T2a), and a 2B transistor (T2b). , a third transistor (T3), a fourth transistor (T4), a fifth transistor (T5), a driving transistor (DT), a capacitor (CST), and an organic light emitting diode (OLED).

제1A트랜지스터(T1a)는 제N스캔라인(SCAN N)에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인(DL1)에 제1전극이 연결되고 제1B트랜지스터(T1b)의 제1전극에 제2전극이 연결된다. 제1A트랜지스터(T1a)는 제N스캔라인(SCAN N)을 통해 인가된 제N스캔신호(Scan N)에 응답하여 턴온된다. 턴온된 제1A트랜지스터(T1a)는 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압을 제1B트랜지스터(T1b)에 전달하는 역할을 한다.The 1A transistor (T1a) has a gate electrode connected to the N scan line (SCAN N), a first electrode connected to the first data line (DL1), and a second electrode connected to the first electrode of the 1B transistor (T1b). connected. The 1A transistor T1a is turned on in response to the Nth scan signal (Scan N) applied through the Nth scan line (SCAN N). The turned-on 1A transistor (T1a) serves to transfer the data voltage applied through the first data line (DL1) to the 1B transistor (T1b).

제1B트랜지스터(T1b)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)에 게이트전극이 연결되고 제1A트랜지스터(T1a)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 커패시터(CST)의 일단(또는 제3노드인 N3)에 제2전극이 연결된다. 제1B트랜지스터(T1b)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 통해 인가된 제N-1스캔신호(Scan N-1)에 응답하여 턴온된다. 턴온된 제1B트랜지스터(T1b)는 제1A트랜지스터(T1a)를 통해 전달된 데이터전압을 커패시터(CST)의 일단에 인가하게 역할을 한다.The 1B transistor (T1b) has a gate electrode connected to the N-1 scan line (SCAN N-1), a first electrode connected to the second electrode of the 1A transistor (T1a), and one end (or The second electrode is connected to the third node (N3). The 1B transistor T1b is turned on in response to the N-1th scan signal (Scan N-1) applied through the N-1th scan line (SCAN N-1). The turned-on 1B transistor (T1b) serves to apply the data voltage transmitted through the 1A transistor (T1a) to one end of the capacitor (CST).

제2A트랜지스터(T2a)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)에 게이트전극이 연결되고 커패시터(CST)의 타단(또는 제2노드인 N2)에 제1전극이 연결되고 제2B트랜지스터(T2b)의 제1전극에 제2전극이 연결된다. 제2A트랜지스터(T2a)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 통해 인가된 제N-1스캔신호(Scan N-1)에 응답하여 턴온된다. 턴온된 제2A트랜지스터(T2a)는 제2B트랜지스터(T2b)와 함께 구동 트랜지스터(DT)를 다이오드커넥션 상태로 만드는 역할을 한다.The 2A transistor (T2a) has a gate electrode connected to the N-1 scan line (SCAN N-1), a first electrode connected to the other end (or second node N2) of the capacitor (CST), and a 2B transistor ( The second electrode is connected to the first electrode of T2b). The 2A transistor T2a is turned on in response to the N-1th scan signal (Scan N-1) applied through the N-1th scan line (SCAN N-1). The turned-on 2A transistor (T2a), together with the 2B transistor (T2b), serves to put the driving transistor (DT) in a diode connection state.

제2B트랜지스터(T2b)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)에 게이트전극이 연결되고 제2A트랜지스터(T2a)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극(또는 제1노드인 N1)에 제2전극이 연결된다. 제2B트랜지스터(T2b)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 통해 인가된 제N-1스캔신호(Scan N-1)에 응답하여 턴온된다. 턴온된 제2B트랜지스터(T2b)는 제2A트랜지스터(T2a)와 함께 구동 트랜지스터(DT)를 다이오드커넥션 상태로 만드는 역할을 한다.The 2B transistor (T2b) has a gate electrode connected to the N-1 scan line (SCAN N-1), a first electrode connected to the second electrode of the 2A transistor (T2a), and a second electrode of the driving transistor (DT). The second electrode is connected to the electrode (or N1, which is the first node). The 2B transistor T2b is turned on in response to the N-1th scan signal (Scan N-1) applied through the N-1th scan line (SCAN N-1). The turned-on 2B transistor (T2b), together with the 2A transistor (T2a), serves to put the driving transistor (DT) in a diode connection state.

제3트랜지스터(T3)는 발광신호라인(EM)에 게이트전극이 연결되고 제1B트랜지스터(T1b)의 제2전극과 커패시터(CST)의 일단(또는 제3노드인 N3)에 제1전극이 연겯뢰고 레퍼런스라인(VREF)에 제2전극이 연결된다. 제3트랜지스터(T3)는 발광신호라인(EM)을 통해 인가된 발광신호(Em)에 응답하여 턴온된다. 턴온된 제3트랜지스터(T3)는 레퍼런스라인(VREF)을 통해 인가된 초기화전압(Vini)을 제3노드(N3)에 인가하는 역할을 한다.The third transistor (T3) has a gate electrode connected to the light emitting signal line (EM) and a first electrode connected to the second electrode of the 1B transistor (T1b) and one end (or third node, N3) of the capacitor (CST). The second electrode is connected to the Roego reference line (VREF). The third transistor T3 is turned on in response to the light emission signal Em applied through the light emission signal line EM. The turned-on third transistor (T3) serves to apply the initialization voltage (Vini) applied through the reference line (VREF) to the third node (N3).

제4트랜지스터(T4)는 발광신호라인(EM)에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극(또는 제1노드인 N1)에 제1전극이 연결되고 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극(또는 제4노드인 N4)에 제2전극이 연결된다. 제4트랜지스터(T4)는 발광신호라인(EM)을 통해 인가된 발광신호(Em)에 응답하여 턴온된다. 턴온된 제4트랜지스터(T4)는 구동 트랜지스터(DT)로부터 발생한 구동전류를 유기 발광다이오드(OLED)에 전달하는 역할을 한다.The fourth transistor (T4) has a gate electrode connected to the light emitting signal line (EM), a first electrode connected to the second electrode (or first node N1) of the driving transistor (DT), and an organic light emitting diode (OLED). The second electrode is connected to the anode electrode (or N4, the fourth node). The fourth transistor T4 is turned on in response to the light emission signal Em applied through the light emission signal line EM. The turned-on fourth transistor (T4) serves to transfer the driving current generated from the driving transistor (DT) to the organic light emitting diode (OLED).

제5트랜지스터(T5)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)에 게이트전극이 연결되고 레퍼런스라인(VREF)에 제1전극이 연결되고 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다. 제5트랜지스터(T5)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 통해 인가된 제N-1스캔신호(Scan N-1)에 응답하여 턴온된다. 턴온된 제5트랜지스터(T5)는 레퍼런스라인(VREF)을 통해 인가된 초기화전압(Vini)을 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 인가하는 역할을 한다.The fifth transistor (T5) has a gate electrode connected to the N-1 scan line (SCAN N-1), a first electrode connected to the reference line (VREF), and a second electrode connected to the anode electrode of the organic light emitting diode (OLED). This is connected. The fifth transistor T5 is turned on in response to the N-1th scan signal (Scan N-1) applied through the N-1th scan line (SCAN N-1). The turned-on fifth transistor (T5) serves to apply the initialization voltage (Vini) applied through the reference line (VREF) to the anode electrode of the organic light-emitting diode (OLED).

구동 트랜지스터(DT)는 커패시터(CST)의 타단(또는 제2노드인 N2)에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인(EVDD)에 제1전극이 연결되고 제4트랜지스터(T4)의 제1전극(또는 제1노드인 N1)에 제2전극이 연결된다. 구동 트랜지스터(DT)는 커패시터(CST)에 저장된 데이터전압에 대응하여 턴온됨과 더불어 구동전류를 발생하는 역할을 한다.The driving transistor DT has a gate electrode connected to the other end (or second node N2) of the capacitor CST, a first electrode connected to the first power line EVDD, and a first electrode of the fourth transistor T4. (Or the second electrode is connected to the first node, N1). The driving transistor (DT) turns on in response to the data voltage stored in the capacitor (CST) and serves to generate a driving current.

커패시터(CST)는 제3트랜지스터(T3)의 제1전극(또는 제3노드인 N3)에 일단이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극(또는 제2노드인 N2)에 타단이 연결된다. 커패시터(CST)는 제1A트랜지스터(T1a) 및 제1B트랜지스터(T1b)를 통해 전달된 데이터전압을 저장하는 역할을 한다.The capacitor CST has one end connected to the first electrode (or third node N3) of the third transistor T3 and the other end connected to the gate electrode (or second node N2) of the driving transistor DT. The capacitor CST serves to store the data voltage transmitted through the 1A transistor T1a and the 1B transistor T1b.

유기 발광다이오드(OLED)는 제4트랜지스터(T4)의 제2전극(또는 제4노드인 N4)에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인(EVSS)에 캐소드전극이 연결된다. 유기 발광다이오드(OLED)는 제5트랜지스터(T5)를 통해 전달된 구동전류에 대응하여 빛을 발광하는 역할을 한다.The organic light emitting diode (OLED) has an anode connected to the second electrode (or fourth node, N4) of the fourth transistor (T4), and a cathode electrode connected to the second power line (EVSS). The organic light emitting diode (OLED) functions to emit light in response to the driving current transmitted through the fifth transistor (T5).

본 발명의 제1실시예에 따른 서브 픽셀은 초기화 기간(Initial), 샘플링 기간(Sampling) 그리고 이후 발광신호(Em)가 로직로우로 떨어지는 기간 동안 이루어지는 발광 기간의 순으로 동작한다.The subpixel according to the first embodiment of the present invention operates in the following order: an initialization period (Initial), a sampling period (Sampling), and a subsequent light emission period during a period when the light emission signal (Em) falls to logic low.

초기화 기간(Initial) 동안, 제3노드(N3)와 제2노드(N2)는 레퍼런스라인(VREF)을 통해 인가된 초기화전압(Vini)에 의해 초기화된다. 샘플링 기간(Sampling) 동안, 제3노드(N3)에는 인가된 데이터전압(Vdata)에 대응하는 충전이 일어난다. 그리고 제2노드(N2)에는 고전위전압(Vdd)과 구동 트랜지스터(DT)의 문턱전압(Vth)에 대한 샘플링(Vdd+Vth)이 일어난다. 이때, 구동 트랜지스터(DT)는 턴온된 제2A트랜지스터(T2a)와 제2B트랜지스터(T2b)에 의해 다이오드커넥션 상태가 된다. 발광 기간 동안, 구동 트랜지스터(DT)는 초기화전압(Vini)-데이터전압(Vdata)+고전위전압(Vdd)+문턱전압(Vth)을 기반으로 보상된 구동전류를 생성한다. 그리고 유기 발광다이오드(OLED)는 보상된 구동전류를 기반으로 동작하며 빛을 발광한다.During the initialization period (Initial), the third node (N3) and the second node (N2) are initialized by the initialization voltage (Vini) applied through the reference line (VREF). During the sampling period (Sampling), charging corresponding to the applied data voltage (Vdata) occurs at the third node (N3). And at the second node (N2), sampling (Vdd+Vth) of the high potential voltage (Vdd) and the threshold voltage (Vth) of the driving transistor (DT) occurs. At this time, the driving transistor (DT) is in a diode connection state due to the turned-on 2A transistor (T2a) and 2B transistor (T2b). During the light emission period, the driving transistor (DT) generates a compensated driving current based on the initialization voltage (Vini) - data voltage (Vdata) + high potential voltage (Vdd) + threshold voltage (Vth). And organic light-emitting diodes (OLEDs) operate based on compensated driving current and emit light.

제1A트랜지스터(T1a)와 제1B트랜지스터(T1b)는 제1데이터라인(DL1)과 커패시터(CST)의 일단에 쌍을 이루며 배치된다. 하지만, 제1A트랜지스터(T1a)는 현재 라인의 스캔신호에 대응하여 턴온되는 반면 제1B트랜지스터(T1b)는 이전 라인의 스캔신호에 대응하여 턴온된다.The 1A transistor T1a and the 1B transistor T1b are arranged in pairs at one end of the first data line DL1 and the capacitor CST. However, the 1A transistor (T1a) is turned on in response to the scan signal of the current line, while the 1B transistor (T1b) is turned on in response to the scan signal of the previous line.

제1A트랜지스터(T1a)와 제1B트랜지스터(T1b)는 각기 다른 스캔라인에 연결되어 있지만, 제N-1스캔신호(Scan N-1)와 제N스캔신호(Scan N)의 로직로우 구간이 1 수평 기간(1H) 동안 중첩함에 따라 동시에 턴온되는 기간을 갖는다. 그러나 제1B트랜지스터(T1b)는 제N-1스캔신호(Scan N-1)에 연결되어 있기 때문에 제1A트랜지스터(T1a)보다 턴온되는 시점이 앞선다.The 1A transistor (T1a) and the 1B transistor (T1b) are connected to different scan lines, but the logic low section of the N-1th scan signal (Scan N-1) and the Nth scan signal (Scan N) is 1. As they overlap during the horizontal period (1H), they have a simultaneous turn-on period. However, since the 1B transistor (T1b) is connected to the N-1 scan signal (Scan N-1), the turn-on time is earlier than that of the 1A transistor (T1a).

제2A트랜지스터(T2a)와 제2B트랜지스터(T2b)는 구동 트랜지스터(DT)의 제1노드(N1)와 제2노드(N2) 사이에 쌍을 이루며 배치된다. 제2A트랜지스터(T2a)와 제2B트랜지스터(T2b)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 공유하는 게이트 공통(common gate) 구조이므로 제N-1스캔신호(Scan N-1)에 의해 동시에 턴온된다. 쌍을 이루는 제2A트랜지스터(T2a)와 제2B트랜지스터(T2b)는 누설 전류(off current)에 따른 영향을 억제하는 기능을 부여할 수 있다. 이로 인하여, 구동 트랜지스터(DT)는 구동 시 신뢰성과 안정성이 높아진다.The 2A transistor (T2a) and the 2B transistor (T2b) are arranged in a pair between the first node (N1) and the second node (N2) of the driving transistor (DT). The 2A transistor (T2a) and the 2B transistor (T2b) have a common gate structure sharing the N-1 scan line (SCAN N-1), so they are connected to the N-1 scan signal (Scan N-1). are turned on at the same time. The paired 2A transistor (T2a) and 2B transistor (T2b) can provide a function of suppressing the influence of leakage current (off current). Because of this, the reliability and stability of the driving transistor DT increases when driving.

제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 공유하는 제5트랜지스터(T5) 또한 제2A트랜지스터(T2a)와 제2B트랜지스터(T2b)와 동시에 턴온된다. 제2A트랜지스터(T2a), 제2B트랜지스터(T2b) 및 제5트랜지스터(T5)가 턴온되는 기간 동안 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에는 초기화전압(Vini)이 인가된다.The fifth transistor T5, which shares the N-1 scan line (SCAN N-1), is also turned on at the same time as the 2A transistor T2a and the 2B transistor T2b. An initialization voltage (Vini) is applied to the anode electrode of the organic light emitting diode (OLED) while the 2A transistor (T2a), the 2B transistor (T2b), and the 5th transistor (T5) are turned on.

서브 픽셀의 픽셀 회로에 포함된 제1A트랜지스터(T1a), 제1B트랜지스터(T1b), 제2A트랜지스터(T2a), 제2B트랜지스터(T2b), 제3트랜지스터(T3), 제4트랜지스터(T4), 제5트랜지스터(T5), 구동 트랜지스터(DT)는 P타입 모스 트랜지스터로 이루어진다. P타입 모스 트랜지스터는 로직로우의 스캔신호에 응답하여 턴온 동작하는 반면 로직하이의 스캔신호에 응답하여 턴오프 동작한다.The 1A transistor (T1a), 1B transistor (T1b), 2A transistor (T2a), 2B transistor (T2b), 3rd transistor (T3), 4th transistor (T4) included in the pixel circuit of the subpixel, The fifth transistor (T5) and driving transistor (DT) are made of P-type MOS transistors. The P-type MOS transistor turns on in response to a logic low scan signal, while it turns off in response to a logic high scan signal.

서브 픽셀은 제N-1스캔라인(SCAN N-1), 제N스캔라인(SCAN N) 및 발광신호라인(EM)을 포함하는 제1스캔라인(GL1)에 연결된다. 제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 통해 인가되는 제N-1스캔신호(Scan N-1)와 제N스캔라인(SCAN N)을 통해 인가되는 제N스캔신호(Scan N)는 중첩 구간을 갖는다. 발광신호라인(EM)을 통해 인가되는 발광신호(Em)는 제N스캔신호(Scan N)와 반대되는 위상을 갖는다. 즉, 제N스캔신호(Scan N)가 로직로우로 발생할 때, 발광신호(Em)는 로직하이로 발생(또는 이와 반대로)한다.The subpixel is connected to the first scan line GL1 including the N-1th scan line (SCAN N-1), the Nth scan line (SCAN N), and the emission signal line (EM). The N-1th scan signal (Scan N-1) applied through the N-1th scan line (SCAN N-1) and the Nth scan signal (Scan N) applied through the Nth scan line (SCAN N) are It has overlapping sections. The light emission signal (Em) applied through the light emission signal line (EM) has a phase opposite to the Nth scan signal (Scan N). That is, when the Nth scan signal (Scan N) occurs at logic low, the light emitting signal (Em) occurs at logic high (or vice versa).

제N스캔라인(SCAN N)을 통해 인가되는 제N스캔신호(Scan N)는 현재의 수평 라인에 위치하는 서브 픽셀을 구동하기 위한 현재 라인의 스캔신호에 해당한다. 반면, 제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 통해 인가되는 제N-1스캔신호(Scan N-1)는 현재의 수평 라인보다 한 라인 전에 위치하는 서브 픽셀을 구동하기 위한 이전 수평 라인의 스캔신호에 해당한다.The Nth scan signal (Scan N) applied through the Nth scan line (SCAN N) corresponds to the scan signal of the current line for driving the subpixel located on the current horizontal line. On the other hand, the N-1th scan signal (Scan N-1) applied through the N-1th scan line (SCAN N-1) is the previous horizontal line for driving a subpixel located one line before the current horizontal line. Corresponds to the scan signal of

이상의 설명을 통해 알 수 있듯이, 서브 픽셀은 자신을 구동하기 위한 제N스캔라인(SCAN N)과 더불어 이전 수평 라인의 서브 픽셀을 구동하기 위한 제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 함께 사용하는 구조를 갖는다. 또한, 서브 픽셀은 서로 다른 스캔라인에 연결되지만 턴온 기간이 중첩하도록 설계된 트랜지스터들(T1a, T1b, T2a, T2b)을 갖는다.As can be seen from the above explanation, the subpixel has an Nth scan line (SCAN N) for driving itself and an N-1th scan line (SCAN N-1) for driving the subpixel of the previous horizontal line. It has a structure to use. Additionally, the subpixel has transistors T1a, T1b, T2a, and T2b that are connected to different scan lines but whose turn-on periods are designed to overlap.

그러므로 본 발명의 제1실시예는 서브 픽셀이 위와 같은 구조를 가짐에 따라, 스캔라인 하나를 절감하면서도 내부 보상을 수행할 수 있고, 스캔라인의 절감으로 인하여 회로의 구성 및 레이아웃 설계 시 밀집도를 낮출 수 있는 효과가 있다.Therefore, in the first embodiment of the present invention, since the subpixel has the above structure, internal compensation can be performed while reducing one scan line, and the density can be reduced when designing the circuit configuration and layout due to the reduction of the scan line. There is a possible effect.

<제2실시예><Second Embodiment>

도 9는 본 발명의 제2실시예에 따라 보상회로를 갖는 서브 픽셀을 나타낸 도면이고, 도 10은 도 9에 도시된 서브 픽셀에 인가되는 스캔신호들과 커패시터의 양단 노드 전압을 나타낸 도면이다.FIG. 9 is a diagram illustrating a subpixel having a compensation circuit according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a diagram illustrating scan signals applied to the subpixel shown in FIG. 9 and node voltages at both ends of a capacitor.

도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예에 따른 서브 픽셀은 제1A트랜지스터(T1a), 제1B트랜지스터(T1b), 제2트랜지스터(T2), 제3트랜지스터(T3), 제4트랜지스터(T4), 제5트랜지스터(T5), 구동 트랜지스터(DT), 커패시터(CST) 및 유기 발광다이오드(OLED)를 포함한다.As shown in FIGS. 9 and 10, the subpixel according to the second embodiment of the present invention includes a 1A transistor (T1a), a 1B transistor (T1b), a 2nd transistor (T2), and a 3rd transistor (T3). , a fourth transistor (T4), a fifth transistor (T5), a driving transistor (DT), a capacitor (CST), and an organic light emitting diode (OLED).

제1A트랜지스터(T1a)는 제N스캔라인(SCAN N)에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인(DL1)에 제1전극이 연결되고 제1B트랜지스터(T1b)의 제1전극에 제2전극이 연결된다. 제1A트랜지스터(T1a)는 제N스캔라인(SCAN N)을 통해 인가된 제N스캔신호(Scan N)에 응답하여 턴온된다. 턴온된 제1A트랜지스터(T1a)는 제1데이터라인(DL1)을 통해 인가된 데이터전압을 제1B트랜지스터(T1b)에 전달하는 역할을 한다.The 1A transistor (T1a) has a gate electrode connected to the N scan line (SCAN N), a first electrode connected to the first data line (DL1), and a second electrode connected to the first electrode of the 1B transistor (T1b). connected. The 1A transistor T1a is turned on in response to the Nth scan signal (Scan N) applied through the Nth scan line (SCAN N). The turned-on 1A transistor (T1a) serves to transfer the data voltage applied through the first data line (DL1) to the 1B transistor (T1b).

제1B트랜지스터(T1b)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)에 게이트전극이 연결되고 제1A트랜지스터(T1a)의 제2전극에 제1전극이 연결되고 커패시터(CST)의 일단(또는 제3노드인 N3)에 제2전극이 연결된다. 제1B트랜지스터(T1b)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 통해 인가된 제N-1스캔신호(Scan N-1)에 응답하여 턴온된다. 턴온된 제1B트랜지스터(T1b)는 제1A트랜지스터(T1a)를 통해 전달된 데이터전압을 커패시터(CST)의 일단에 인가하게 역할을 한다.The 1B transistor (T1b) has a gate electrode connected to the N-1 scan line (SCAN N-1), a first electrode connected to the second electrode of the 1A transistor (T1a), and one end (or The second electrode is connected to the third node (N3). The 1B transistor T1b is turned on in response to the N-1th scan signal (Scan N-1) applied through the N-1th scan line (SCAN N-1). The turned-on 1B transistor (T1b) serves to apply the data voltage transmitted through the 1A transistor (T1a) to one end of the capacitor (CST).

제2트랜지스터(T2)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)에 게이트전극이 연결되고 커패시터(CST)의 타단(또는 제2노드인 N2)에 제1전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극(또는 제1노드인 N1)에 제2전극이 연결된다. 제2트랜지스터(T2)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 통해 인가된 제N-1스캔신호(Scan N-1)에 응답하여 턴온된다. 턴온된 제2트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DT)를 다이오드커넥션 상태로 만드는 역할을 한다.The second transistor (T2) has a gate electrode connected to the N-1 scan line (SCAN N-1), a first electrode connected to the other end (or second node N2) of the capacitor (CST), and a driving transistor (DT). ) The second electrode is connected to the second electrode (or the first node, N1). The second transistor T2 is turned on in response to the N-1th scan signal (Scan N-1) applied through the N-1th scan line (SCAN N-1). The turned-on second transistor (T2) serves to put the driving transistor (DT) in a diode connection state.

제3트랜지스터(T3)는 발광신호라인(EM)에 게이트전극이 연결되고 제1B트랜지스터(T1b)의 제2전극과 커패시터(CST)의 일단(또는 제3노드인 N3)에 제1전극이 연겯뢰고 레퍼런스라인(VREF)에 제2전극이 연결된다. 제3트랜지스터(T3)는 발광신호라인(EM)을 통해 인가된 발광신호(Em)에 응답하여 턴온된다. 턴온된 제3트랜지스터(T3)는 레퍼런스라인(VREF)을 통해 인가된 초기화전압(Vini)을 제3노드(N3)에 인가하는 역할을 한다.The third transistor (T3) has a gate electrode connected to the light emitting signal line (EM) and a first electrode connected to the second electrode of the 1B transistor (T1b) and one end (or third node, N3) of the capacitor (CST). The second electrode is connected to the Roego reference line (VREF). The third transistor T3 is turned on in response to the light emission signal Em applied through the light emission signal line EM. The turned-on third transistor (T3) serves to apply the initialization voltage (Vini) applied through the reference line (VREF) to the third node (N3).

제4트랜지스터(T4)는 발광신호라인(EM)에 게이트전극이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 제2전극(또는 제1노드인 N1)에 제1전극이 연결되고 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극(또는 제4노드인 N4)에 제2전극이 연결된다. 제4트랜지스터(T4)는 발광신호라인(EM)을 통해 인가된 발광신호(Em)에 응답하여 턴온된다. 턴온된 제4트랜지스터(T4)는 구동 트랜지스터(DT)로부터 발생한 구동전류를 유기 발광다이오드(OLED)에 전달하는 역할을 한다.The fourth transistor (T4) has a gate electrode connected to the light emitting signal line (EM), a first electrode connected to the second electrode (or first node N1) of the driving transistor (DT), and an organic light emitting diode (OLED). The second electrode is connected to the anode electrode (or N4, the fourth node). The fourth transistor T4 is turned on in response to the light emission signal Em applied through the light emission signal line EM. The turned-on fourth transistor (T4) serves to transfer the driving current generated from the driving transistor (DT) to the organic light emitting diode (OLED).

제5트랜지스터(T5)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)에 게이트전극이 연결되고 레퍼런스라인(VREF)에 제1전극이 연결되고 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 제2전극이 연결된다. 제5트랜지스터(T5)는 제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 통해 인가된 제N-1스캔신호(Scan N-1)에 응답하여 턴온된다. 턴온된 제5트랜지스터(T5)는 레퍼런스라인(VREF)을 통해 인가된 초기화전압(Vini)을 유기 발광다이오드(OLED)의 애노드전극에 인가하는 역할을 한다.The fifth transistor (T5) has a gate electrode connected to the N-1 scan line (SCAN N-1), a first electrode connected to the reference line (VREF), and a second electrode connected to the anode electrode of the organic light emitting diode (OLED). This is connected. The fifth transistor T5 is turned on in response to the N-1th scan signal (Scan N-1) applied through the N-1th scan line (SCAN N-1). The turned-on fifth transistor (T5) serves to apply the initialization voltage (Vini) applied through the reference line (VREF) to the anode electrode of the organic light-emitting diode (OLED).

구동 트랜지스터(DT)는 커패시터(CST)의 타단(또는 제2노드인 N2)에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인(EVDD)에 제1전극이 연결되고 제4트랜지스터(T4)의 제1전극(또는 제1노드인 N1)에 제2전극이 연결된다. 구동 트랜지스터(DT)는 커패시터(CST)에 저장된 데이터전압에 대응하여 턴온됨과 더불어 구동전류를 발생하는 역할을 한다.The driving transistor DT has a gate electrode connected to the other end (or second node N2) of the capacitor CST, a first electrode connected to the first power line EVDD, and a first electrode of the fourth transistor T4. (Or the second electrode is connected to the first node, N1). The driving transistor (DT) turns on in response to the data voltage stored in the capacitor (CST) and serves to generate a driving current.

커패시터(CST)는 제3트랜지스터(T3)의 제1전극(또는 제3노드인 N3)에 일단이 연결되고 구동 트랜지스터(DT)의 게이트전극(또는 제2노드인 N2)에 타단이 연결된다. 커패시터(CST)는 제1A트랜지스터(T1a) 및 제1B트랜지스터(T1b)를 통해 전달된 데이터전압을 저장하는 역할을 한다.The capacitor CST has one end connected to the first electrode (or third node N3) of the third transistor T3 and the other end connected to the gate electrode (or second node N2) of the driving transistor DT. The capacitor CST serves to store the data voltage transmitted through the 1A transistor T1a and the 1B transistor T1b.

유기 발광다이오드(OLED)는 제4트랜지스터(T4)의 제2전극(또는 제4노드인 N4)에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인(EVSS)에 캐소드전극이 연결된다. 유기 발광다이오드(OLED)는 제5트랜지스터(T5)를 통해 전달된 구동전류에 대응하여 빛을 발광하는 역할을 한다.The organic light emitting diode (OLED) has an anode connected to the second electrode (or fourth node, N4) of the fourth transistor (T4), and a cathode electrode connected to the second power line (EVSS). The organic light emitting diode (OLED) functions to emit light in response to the driving current transmitted through the fifth transistor (T5).

본 발명의 제2실시예에 따른 서브 픽셀은 구동 트랜지스터(DT)를 다이오드커넥션 상태로 만들어주는 역할을 수행하는 트랜지스터가 제2트랜지스터(T2) 하나로 구성되는 점에서 차이가 있고, 나머지는 제1실시예와 동일하다.The subpixel according to the second embodiment of the present invention is different in that the transistor that plays the role of putting the driving transistor (DT) in the diode connection state is composed of one second transistor (T2), and the rest is the same as that of the first embodiment. Same as example.

따라서, 본 발명의 제2실시예에 따른 서브 픽셀 또한 초기화 기간(Initial), 샘플링 기간(Sampling) 그리고 이후 발광신호(Em)가 로직로우로 떨어지는 기간 동안 이루어지는 발광 기간의 순으로 동작한다.Accordingly, the subpixel according to the second embodiment of the present invention also operates in the order of the initialization period (Initial), the sampling period (Sampling), and the subsequent light emission period during the period when the light emission signal (Em) falls to logic low.

그러므로 본 발명의 제2실시예 또한 스캔라인 하나를 절감하면서도 내부 보상을 수행할 수 있고, 스캔라인의 절감으로 인하여 회로의 구성 및 레이아웃 설계 시 밀집도를 낮출 수 있는 효과가 있다.Therefore, the second embodiment of the present invention can also perform internal compensation while reducing one scan line, and has the effect of lowering density when designing the circuit configuration and layout due to the reduction of the scan line.

도 11은 본 발명의 제2실시예를 기반으로 하는 서브 픽셀의 레이아웃 예시도이고, 도 12는 본 발명의 제2실시예에 따른 부차적인 효과를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 11 is an example diagram of a subpixel layout based on the second embodiment of the present invention, and FIG. 12 is a diagram for explaining secondary effects according to the second embodiment of the present invention.

도 9에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예를 기반으로 서브 픽셀의 레이아웃을 설계하면 별도의 스캔라인이 아닌 이전 라인의 제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 기반으로 특정 트랜지스터들(T1b, T2, T5)을 동작시킬 수 있다.As shown in FIG. 9, when designing the layout of a subpixel based on the second embodiment of the present invention, a specific scan line (SCAN N-1) of the previous line is used instead of a separate scan line. The transistors T1b, T2, and T5 can be operated.

그 결과, 본 발명의 제2실시예는 적어도 하나의 스캔라인을 절감할 수 있게 되고 이로 인하여, 도 11과 같이 여분의 공간을 활용하여 커패시터(CST)가 차지하는 면적을 이전 대비 넓힐 수 있다. 커패시터(CST)가 차지하는 면적을 이전 대비 넓힐 경우, 정전용량이 상승하게 되므로 플리커 발생율을 낮출 수 있고 또한 저속구동에서도 유리한 이점을 제공할 수 있다. 이와 달리, 본 발명의 제2실시예는 커패시터(CST)가 차지하는 면적을 이전 대비 넓히지 않더라도 회로의 밀집도를 낮춰 공정 수율을 높일 수도 있다.As a result, the second embodiment of the present invention can reduce at least one scan line, and because of this, the area occupied by the capacitor (CST) can be expanded compared to the previous version by utilizing the extra space as shown in FIG. 11. If the area occupied by the capacitor (CST) is increased compared to before, the capacitance will increase, which can lower the flicker generation rate and also provide an advantage in low-speed operation. In contrast, the second embodiment of the present invention can increase process yield by lowering the density of the circuit even if the area occupied by the capacitor (CST) is not increased compared to the previous one.

한편, 도 11에서 제안된 서브 픽셀의 레이아웃은 빛을 발광하는 유기 발광다이오드가 존재하는 발광영역(EMA)과 픽셀 회로가 존재하는 회로영역(DRA)을 간략히 나타낸 것이다.Meanwhile, the layout of the subpixel proposed in FIG. 11 briefly shows the light emitting area (EMA) where the organic light emitting diode that emits light is located and the circuit area (DRA) where the pixel circuit is located.

제안된 서브 픽셀의 레이아웃에 따르면, 발광영역(EMA)과 인접하는 곳에는 가로 방향을 따라 제N-1스캔라인(SCAN N-1)과 제N스캔라인(SCAN N)이 배치된다. 그리고 가로 방향과 교차하는 세로 방향을 따라 레퍼런스라인(VREF), 제1데이터라인(DL1) 및 제1전원라인(EVDD)이 배치된다. 그리고 제N-1스캔라인(SCAN N-1)과 제N스캔라인(SCAN N)과 이격하도록 발광신호라인(EM)이 배치되고 이들 사이에 커패시터(CST)가 배치된다. 그러나 이는 예시적인 것일 뿐 본 발명의 제2실시예는 이에 한정되지 않는다.According to the proposed subpixel layout, the N-1th scan line (SCAN N-1) and the Nth scan line (SCAN N) are arranged along the horizontal direction adjacent to the emission area (EMA). And the reference line (VREF), the first data line (DL1), and the first power line (EVDD) are arranged along the vertical direction intersecting the horizontal direction. Additionally, the emission signal line (EM) is arranged to be spaced apart from the N-1th scan line (SCAN N-1) and the Nth scan line (SCAN N), and a capacitor (CST) is placed between them. However, this is only an example and the second embodiment of the present invention is not limited thereto.

도 11을 통해서도 알 수 있듯이, 본 발명의 제2실시예를 따르면, 커패시터(CST)가 차지하는 면적을 이전 대비 넓히거나 회로의 밀집도를 낮춰 공정 수율을 높일 수 있는 등 다양한 기대 효과가 있다.As can be seen from Figure 11, according to the second embodiment of the present invention, there are various expected effects, such as increasing the area occupied by the capacitor (CST) compared to the previous one or increasing the process yield by lowering the density of the circuit.

도 12에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2실시예(도 12 (b))를 따르면, 종래 기술(도 12 (a)) 대비 시프트레지스터의 구성 또한 단순화할 수 있다. 종래 기술(도 12 (a))은 내부 보상회로를 갖는 서브 픽셀의 구동을 위해 제1스캔신호를 생성하는 제1스캔신호 생성회로(SCAN1), 제2스캔신호를 생성하는 제2스캔신호 생성회로(SCAN2) 및 발광신호를 생성하는 발광신호 생성회로(EM)를 포함하는 형태로 시프트레지스터가 구현된다.As shown in FIG. 12, according to the second embodiment of the present invention (FIG. 12(b)), the configuration of the shift register can also be simplified compared to the prior art (FIG. 12(a)). The prior art (FIG. 12 (a)) includes a first scan signal generating circuit (SCAN1) that generates a first scan signal to drive a subpixel with an internal compensation circuit, and a second scan signal that generates a second scan signal. The shift register is implemented in a form that includes a circuit (SCAN2) and a light emitting signal generation circuit (EM) that generates a light emitting signal.

그러나 본 발명의 제2실시예(도 12 (b))는 이전의 설명을 통해 알 수 있듯이 하나의 스캔라인이 삭제됨에 따라 하나의 스캔신호를 생성하는 제1스캔신호 생성회로(SCAN1)와 발광신호를 생성하는 발광신호 생성회로(EM)를 포함하는 형태로 시프트레지스터의 구성을 단순화할 수 있다. 그 결과, 본원 발명의 제2실시예는 시프트레지스터가 차지하는 면적을 감소시켜 표시 패널의 네로우 베젤화가 가능함은 물론이고 중형급 이상의 모델이나 고해상도 모델 구현 시(또는 구동 시) 이점을 제공할 수 있다.However, as can be seen from the previous description, the second embodiment of the present invention (FIG. 12 (b)) includes a first scan signal generation circuit (SCAN1) that generates one scan signal as one scan line is deleted, and light emission. The configuration of the shift register can be simplified by including a light emitting signal generation circuit (EM) that generates a signal. As a result, the second embodiment of the present invention reduces the area occupied by the shift register, enabling a narrow bezel of the display panel, as well as providing an advantage when implementing (or driving) a mid-sized or higher model or a high-resolution model.

이상, 도 11 및 도 12에서는 본 발명의 제2실시예를 기반으로 설명하였으나 이와 같은 효과는 본원 발명의 제1실시예에서도 동일하게 발현될 수 있다.Above, in FIGS. 11 and 12, the description was made based on the second embodiment of the present invention, but this effect can be equally exhibited in the first embodiment of the present invention.

<제3실시예><Third Embodiment>

도 13은 본 발명의 제3실시예에 따라 보상회로를 갖는 서브 픽셀들과 스위치들을 나타낸 도면이고, 도 14는 도 13에 도시된 스위치들에 인가되는 선택신호 그리고 서브 픽셀들에 인가되는 스캔신호들과 데이터전압들을 나타낸 도면이다.FIG. 13 is a diagram showing subpixels and switches having a compensation circuit according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 14 is a diagram showing a selection signal applied to the switches shown in FIG. 13 and a scan signal applied to the subpixels. This is a diagram showing the voltages and data voltages.

도 13 및 도 14에 도시된 본 발명의 제3실시예에 따르면, 제1서브 픽셀(SP01)과 제11서브 픽셀들(SP11)은 제1실시예를 통해 설명한 바와 같은 회로를 기반으로 구현된다. 제1서브 픽셀(SP01)과 제11서브 픽셀들(SP11)은 표시 패널 상에서 상하 또는 좌우로 인접하는 서브 픽셀들에 해당한다.According to the third embodiment of the present invention shown in FIGS. 13 and 14, the first subpixel (SP01) and the 11th subpixels (SP11) are implemented based on the circuit described in the first embodiment. . The first subpixel SP01 and the 11th subpixels SP11 correspond to subpixels adjacent to each other up and down or left and right on the display panel.

제1서브 픽셀(SP01)은 제1A데이터라인(DL1a)에 연결되고, 제11서브 픽셀들(SP11)은 제1B데이터라인(DL1b)에 연결된다(또는 이와 반대). 제1A데이터라인(DL1a)과 데이터 구동부(130)의 제1채널(CH1) 사이에는 제1스위치(SW1)가 위치하고 제1B데이터라인(DL1b)과 데이터 구동부(130)의 제1채널(CH1) 사이에는 제2스위치(SW2)가 위치한다. 제1스위치(SW1)와 제2스위치(SW2)는 표시 패널 상에서 영상을 표시하지 않는 비표시영역 상에 배치될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.The first subpixel SP01 is connected to the 1A data line DL1a, and the 11th subpixels SP11 are connected to the 1B data line DL1b (or vice versa). The first switch (SW1) is located between the 1A data line (DL1a) and the first channel (CH1) of the data driver 130, and the first switch (SW1) is located between the 1B data line (DL1b) and the first channel (CH1) of the data driver 130. A second switch (SW2) is located between them. The first switch (SW1) and the second switch (SW2) may be disposed in a non-display area on the display panel that does not display images, but are not limited to this.

제1스위치(SW1)는 제1선택신호라인(MUX1)에 게이트전극이 연결되고 데이터 구동부(130)의 제1채널(CH1)에 제1전극이 연결되고 제1A데이터라인(DL1a)에 제2전극이 연결된다. 제2스위치(SW2)는 제2선택신호라인(MUX2)에 게이트전극이 연결되고 데이터 구동부(130)의 제1채널(CH1)에 제1전극이 연결되고 제1B데이터라인(DL1b)에 제2전극이 연결된다.The first switch (SW1) has a gate electrode connected to the first selection signal line (MUX1), a first electrode connected to the first channel (CH1) of the data driver 130, and a second electrode connected to the 1A data line (DL1a). Electrodes are connected. The second switch (SW2) has a gate electrode connected to the second selection signal line (MUX2), a first electrode connected to the first channel (CH1) of the data driver 130, and a second switch to the 1B data line (DL1b). Electrodes are connected.

제1선택신호라인(MUX1)을 통해 인가되는 제1선택신호(Mux1)와 제2선택신호라인(MUX2)을 통해 인가되는 제2선택신호(Mux2)는 반대되는 위상을 갖는다. 즉, 제1선택신호(Mux1)가 로직로우로 발생할 때, 제2선택신호(Mux2)는 로직하이로 발생(또는 이와 반대로)한다. 제1선택신호(Mux1)와 제2선택신호(Mux2)는 적어도 1 수평 기간(1H)마다 로직하이와 로직로우가 교번하는 형태로 인가된다. 그 결과, 제1서브 픽셀(SP01)과 제11서브 픽셀들(SP11)은 데이터 구동부(130)의 제1채널(CH1)로부터 출력된 제1 및 제2데이터전압들(Vdata1, Vdata2)을 시분할 방식으로 인가받게 된다.The first selection signal (Mux1) applied through the first selection signal line (MUX1) and the second selection signal (Mux2) applied through the second selection signal line (MUX2) have opposite phases. That is, when the first selection signal (Mux1) occurs at logic low, the second selection signal (Mux2) occurs at logic high (or vice versa). The first selection signal (Mux1) and the second selection signal (Mux2) are applied in a form in which logic high and logic low alternate at least every one horizontal period (1H). As a result, the first subpixel (SP01) and the 11th subpixels (SP11) time-divide the first and second data voltages (Vdata1, Vdata2) output from the first channel (CH1) of the data driver 130. It is approved in this way.

앞서 제1실시예를 통해 설명한 서브 픽셀은 구동 방법의 특성상 1 수평 기간(1H) 동안만 샘플링 기간(Sampling)을 갖는다. 그러나 제3실시예에 따른 서브 픽셀들과 같이 데이터전압을 시분할 방식으로 인가하는 구조를 더하면(1개의 데이터라인 더 추가), 2 수평 기간(2H) 동안 샘플링 기간(Sampling)을 가질 수 있다. 즉, 샘플링(또는 센싱)을 할 수 있는 시간을 2배 증가시킬 수 있다.The subpixel described above through the first embodiment has a sampling period (Sampling) only for one horizontal period (1H) due to the nature of the driving method. However, if a structure for applying the data voltage in a time-division method is added (adding one more data line) like the sub-pixels according to the third embodiment, it is possible to have a sampling period (Sampling) for 2 horizontal periods (2H). In other words, the sampling (or sensing) time can be doubled.

<제4실시예><Example 4>

도 15는 본 발명의 제4실시예에 따라 보상회로를 갖는 서브 픽셀들과 스위치들을 나타낸 도면이고, 도 16은 도 15에 도시된 스위치들에 인가되는 선택신호 그리고 서브 픽셀들에 인가되는 스캔신호들과 데이터전압들을 나타낸 도면이다.FIG. 15 is a diagram showing subpixels and switches having a compensation circuit according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 16 is a diagram showing a selection signal applied to the switches shown in FIG. 15 and a scan signal applied to the subpixels. This is a diagram showing the voltages and data voltages.

도 15 및 도 16에 도시된 본 발명의 제4실시예에 따르면, 제1서브 픽셀(SP01)과 제11서브 픽셀들(SP11)은 제2실시예를 통해 설명한 바와 같은 회로를 기반으로 구현된다. 제1서브 픽셀(SP01)과 제11서브 픽셀들(SP11)은 표시 패널 상에서 상하 또는 좌우로 인접하는 서브 픽셀들에 해당한다.According to the fourth embodiment of the present invention shown in FIGS. 15 and 16, the first subpixel (SP01) and the 11th subpixels (SP11) are implemented based on the circuit described in the second embodiment. . The first subpixel SP01 and the 11th subpixels SP11 correspond to subpixels adjacent to each other up and down or left and right on the display panel.

제1서브 픽셀(SP01)은 제1A데이터라인(DL1a)에 연결되고, 제11서브 픽셀들(SP11)은 제1B데이터라인(DL1b)에 연결된다(또는 이와 반대). 제1A데이터라인(DL1a)과 데이터 구동부(130)의 제1채널(CH1) 사이에는 제1스위치(SW1)가 위치하고 제1B데이터라인(DL1b)과 데이터 구동부(130)의 제1채널(CH1) 사이에는 제2스위치(SW2)가 위치한다.The first subpixel SP01 is connected to the 1A data line DL1a, and the 11th subpixels SP11 are connected to the 1B data line DL1b (or vice versa). The first switch (SW1) is located between the 1A data line (DL1a) and the first channel (CH1) of the data driver 130, and the first switch (SW1) is located between the 1B data line (DL1b) and the first channel (CH1) of the data driver 130. A second switch (SW2) is located between them.

제1스위치(SW1)는 제1선택신호라인(MUX1)에 게이트전극이 연결되고 데이터 구동부(130)의 제1채널(CH1)에 제1전극이 연결되고 제1A데이터라인(DL1a)에 제2전극이 연결된다. 제2스위치(SW2)는 제2선택신호라인(MUX2)에 게이트전극이 연결되고 데이터 구동부(130)의 제1채널(CH1)에 제1전극이 연결되고 제1B데이터라인(DL1b)에 제2전극이 연결된다.The first switch (SW1) has a gate electrode connected to the first selection signal line (MUX1), a first electrode connected to the first channel (CH1) of the data driver 130, and a second electrode connected to the 1A data line (DL1a). Electrodes are connected. The second switch (SW2) has a gate electrode connected to the second selection signal line (MUX2), a first electrode connected to the first channel (CH1) of the data driver 130, and a second switch to the 1B data line (DL1b). Electrodes are connected.

제1선택신호라인(MUX1)을 통해 인가되는 제1선택신호(Mux1)와 제2선택신호라인(MUX2)을 통해 인가되는 제2선택신호(Mux2)는 반대되는 위상을 갖는다. 즉, 제1선택신호(Mux1)가 로직로우로 발생할 때, 제2선택신호(Mux2)는 로직하이로 발생(또는 이와 반대로)한다. 제1선택신호(Mux1)와 제2선택신호(Mux2)는 적어도 1 수평 기간(1H)마다 로직하이와 로직로우가 교번하는 형태로 인가된다. 그 결과, 제1서브 픽셀(SP01)과 제11서브 픽셀들(SP11)은 데이터 구동부(130)의 제1채널(CH1)로부터 출력된 제1 및 제2데이터전압들(Vdata1, Vdata2)을 시분할 방식으로 인가받게 된다.The first selection signal (Mux1) applied through the first selection signal line (MUX1) and the second selection signal (Mux2) applied through the second selection signal line (MUX2) have opposite phases. That is, when the first selection signal (Mux1) occurs at logic low, the second selection signal (Mux2) occurs at logic high (or vice versa). The first selection signal (Mux1) and the second selection signal (Mux2) are applied in a form in which logic high and logic low alternate at least every one horizontal period (1H). As a result, the first subpixel (SP01) and the 11th subpixels (SP11) time-divide the first and second data voltages (Vdata1, Vdata2) output from the first channel (CH1) of the data driver 130. It is approved in this way.

앞서 제2실시예를 통해 설명한 서브 픽셀은 구동 방법의 특성상 1 수평 기간(1H) 동안만 샘플링 기간(Sampling)을 갖는다. 그러나 제4실시예에 따른 서브 픽셀들과 같이 데이터전압을 시분할 방식으로 인가하는 구조를 더하면(1개의 데이터라인 더 추가), 2 수평 기간(2H) 동안 샘플링 기간(Sampling)을 가질 수 있다. 즉, 샘플링(또는 센싱)을 할 수 있는 시간을 2배 증가시킬 수 있다.The subpixel described above through the second embodiment has a sampling period (Sampling) only for one horizontal period (1H) due to the nature of the driving method. However, if a structure for applying the data voltage in a time-division method is added (adding one more data line) like the subpixels according to the fourth embodiment, it is possible to have a sampling period (Sampling) for 2 horizontal periods (2H). In other words, the sampling (or sensing) time can be doubled.

도 17은 본 발명의 제4실시예를 기반으로 하는 서브 픽셀의 레이아웃 예시도이고, 도 18은 본 발명의 제4실시예에 따른 부차적인 효과를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 17 is an example diagram of a subpixel layout based on the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 18 is a diagram for explaining secondary effects according to the fourth embodiment of the present invention.

도 15에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4실시예를 기반으로 서브 픽셀의 레이아웃을 설계하면 별도의 스캔라인이 아닌 이전 라인의 제N-1스캔라인(SCAN N-1)을 기반으로 특정 트랜지스터들(T1b, T2, T5)을 동작시킬 수 있다.As shown in FIG. 15, when designing the layout of a subpixel based on the fourth embodiment of the present invention, a specific scan line (SCAN N-1) of the previous line is used instead of a separate scan line. The transistors T1b, T2, and T5 can be operated.

그 결과, 본 발명의 제4실시예는 적어도 하나의 스캔라인을 절감할 수 있게 되고 이로 인하여, 도 17과 같이 여분의 공간을 활용하여 커패시터(CST)가 차지하는 면적을 이전 대비 넓힐 수 있다. 커패시터(CST)가 차지하는 면적을 이전 대비 넓힐 경우, 정전용량이 상승하게 되므로 플리커 발생율을 낮출 수 있고 또한 저속구동에서도 유리한 이점을 제공할 수 있다. 이와 달리, 커패시터(CST)가 차지하는 면적을 이전 대비 넓히지 않더라도 회로의 밀집도를 낮춰 공정 수율을 높일 수도 있다.As a result, the fourth embodiment of the present invention can reduce at least one scan line, and because of this, the area occupied by the capacitor (CST) can be expanded compared to the previous version by utilizing the extra space as shown in FIG. 17. If the area occupied by the capacitor (CST) is increased compared to before, the capacitance will increase, which can lower the flicker generation rate and also provide an advantage in low-speed driving. In contrast, even if the area occupied by the capacitor (CST) is not increased compared to before, the process yield can be increased by lowering the density of the circuit.

한편, 도 17에서 제안된 서브 픽셀의 레이아웃은 빛을 발광하는 유기 발광다이오드가 존재하는 발광영역(EMA)과 픽셀 회로가 존재하는 회로영역(DRA)을 간략히 나타낸 것이다.Meanwhile, the layout of the subpixel proposed in FIG. 17 briefly shows the light emitting area (EMA) where the organic light emitting diode that emits light is located and the circuit area (DRA) where the pixel circuit is located.

제안된 서브 픽셀의 레이아웃에 따르면, 발광영역(EMA)과 인접하는 곳에는 가로 방향을 따라 제N-1스캔라인(SCAN N-1)과 제N스캔라인(SCAN N)이 배치된다. 그리고 가로 방향과 교차하는 세로 방향을 따라 제1전원라인(EVDD), 레퍼런스라인(VREF), 제1A데이터라인(DL1a) 및 제1B데이터라인(DL1b)이 배치된다. 그리고 제N-1스캔라인(SCAN N-1) 및 제N스캔라인(SCAN N)과 이격하도록 발광신호라인(EM)이 배치되고 이들 사이에 커패시터(CST)가 배치된다. 그러나 이는 예시적인 것일 뿐 본 발명의 제4실시예는 이에 한정되지 않는다.According to the proposed subpixel layout, the N-1th scan line (SCAN N-1) and the Nth scan line (SCAN N) are arranged along the horizontal direction adjacent to the emission area (EMA). And the first power line (EVDD), reference line (VREF), 1A data line (DL1a), and 1B data line (DL1b) are arranged along the vertical direction crossing the horizontal direction. Also, the light emitting signal line (EM) is arranged to be spaced apart from the N-1th scan line (SCAN N-1) and the Nth scan line (SCAN N), and a capacitor (CST) is placed between them. However, this is only an example and the fourth embodiment of the present invention is not limited thereto.

도 17을 통해서도 알 수 있듯이, 본 발명의 제4실시예를 따르면, 커패시터(CST)가 차지하는 면적을 이전 대비 넓히거나 회로의 밀집도를 낮춰 공정 수율을 높일 수 있는 등 다양한 기대 효과가 있다.As can be seen from Figure 17, according to the fourth embodiment of the present invention, there are various expected effects, such as increasing the area occupied by the capacitor (CST) compared to the previous one or increasing the process yield by lowering the density of the circuit.

도 18에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제4실시예(도 18 (b))를 따르면, 종래 기술(도 18 (a)) 대비 시프트레지스터의 구성 또한 단순화할 수 있다. 종래 기술(도 18 (a))은 내부 보상회로를 갖는 서브 픽셀의 구동을 위해 제1스캔신호를 생성하는 제1스캔신호 생성회로(SCAN1), 제2스캔신호를 생성하는 제2스캔신호 생성회로(SCAN2) 및 발광신호를 생성하는 발광신호 생성회로(EM)를 포함하는 형태로 시프트레지스터가 구현된다.As shown in FIG. 18, according to the fourth embodiment of the present invention (FIG. 18 (b)), the configuration of the shift register can also be simplified compared to the prior art (FIG. 18 (a)). The prior art (FIG. 18 (a)) includes a first scan signal generation circuit (SCAN1) that generates a first scan signal to drive a subpixel with an internal compensation circuit, and a second scan signal that generates a second scan signal. The shift register is implemented in a form that includes a circuit (SCAN2) and a light emitting signal generation circuit (EM) that generates a light emitting signal.

그러나 본 발명의 제4실시예(도 18 (b))는 이전의 설명을 통해 알 수 있듯이 하나의 스캔라인이 삭제됨에 따라 하나의 스캔신호를 생성하는 제1스캔신호 생성회로(SCAN1)와 발광신호를 생성하는 발광신호 생성회로(EM)를 포함하는 형태로 시프트레지스터의 구성을 단순화할 수 있다. 그 결과, 본원 발명의 제4실시예는 시프트레지스터가 차지하는 면적을 감소시켜 표시 패널의 네로우 베젤화가 가능함은 물론이고 중형급 이상의 모델이나 고해상도 모델 구현 시(또는 구동 시) 이점을 제공할 수 있다.However, as can be seen from the previous description, the fourth embodiment of the present invention (FIG. 18 (b)) includes a first scan signal generation circuit (SCAN1) that generates one scan signal as one scan line is deleted, and light emission. The configuration of the shift register can be simplified by including a light emitting signal generation circuit (EM) that generates a signal. As a result, the fourth embodiment of the present invention reduces the area occupied by the shift register, enabling a narrow bezel of the display panel, as well as providing an advantage when implementing (or driving) a mid-sized or higher model or a high-resolution model.

이상, 도 17 및 도 18에서는 본 발명의 제4실시예를 기반으로 설명하였으나 이와 같은 효과는 본원 발명의 제3실시예에서도 동일하게 발현될 수 있다.17 and 18 have been described based on the fourth embodiment of the present invention, but the same effect can be achieved in the third embodiment of the present invention.

도 19 내지 도 21은 본 발명의 제3 및 제4실시예의 표시 패널 구현 방식에 따른 이점을 설명하기 위한 도면들이다.19 to 21 are diagrams for explaining the advantages of the display panel implementation method of the third and fourth embodiments of the present invention.

도 19에 도시된 바와 같이, 표시 패널(150)은 가로 방향(x)으로 데이터라인들이 배치되고 세로 방향(y)으로 스캔라인들이 배치됨에 따라 세로 방향(y)보다 가로 방향(x)이 긴 형태로 구현될 수 있다. 이때, 가로 방향(x)에는 데이터 구동부(130)가 배치되고 세로 방향(y)에는 스캔 구동부(140)(게이트인패널 방식의 경우, 시프트레지스터)가 배치된다. 이 경우, 스캔라인들보다 데이터라인들의 길이가 더 길어지게 된다.As shown in FIG. 19, the display panel 150 has data lines arranged in the horizontal direction (x) and scan lines arranged in the vertical direction (y), so that the horizontal direction (x) is longer than the vertical direction (y). It can be implemented in the form At this time, the data driver 130 is disposed in the horizontal direction (x), and the scan driver 140 (shift register in the case of the gate-in-panel method) is disposed in the vertical direction (y). In this case, the length of the data lines becomes longer than the scan lines.

표시 패널(150)이 이와 같이 구현된 경우, 데이터라인들의 길이 증가와 해상도 증가로 인하여 센싱 시간이 감소(또는 부족)하거나 샘플링 시간이 감소할 수 있다.When the display panel 150 is implemented in this way, the sensing time may be reduced (or insufficient) or the sampling time may be reduced due to an increase in the length and resolution of the data lines.

도 20에 도시된 바와 같이, 보상회로를 갖는 서브 픽셀을 기반으로 구현된 표시 패널의 경우, 센싱 시간이나 샘플링 시간이 감소할 경우 구동 트랜지스터의 문턱전압(Vth) 변동분을 제대로 반영하지 못하기 때문에 제대로 된 보상이나 휘도 표현이 어려워질 수 있다.As shown in FIG. 20, in the case of a display panel implemented based on subpixels with a compensation circuit, when the sensing time or sampling time is reduced, the change in threshold voltage (Vth) of the driving transistor cannot be properly reflected. Expressing compensation or luminance may become difficult.

도 21 (a)와 같이, 본 발명의 제1 및 제2실시예의 표시 패널은 인가되는 스캔신호(Scan)의 특성상 1 수평 시간(1H)의 샘플링 시간을 가질 수 있고, 도 21 (b)와 같이, 본 발명의 제3 및 제4실시예의 표시 패널은 인가되는 스캔신호(Scan)의 특성상 2 수평 시간(2H)의 샘플링 시간을 가질 수 있다.As shown in Figure 21 (a), the display panels of the first and second embodiments of the present invention may have a sampling time of 1 horizontal time (1H) due to the characteristics of the applied scan signal (Scan), and as shown in Figure 21 (b) Likewise, the display panels of the third and fourth embodiments of the present invention may have a sampling time of 2 horizontal hours (2H) due to the characteristics of the applied scan signal (Scan).

도 21 (a)와 도 21 (b)의 단순 비교를 통해서도 알 수 있듯이, 본 발명의 제3 및 제4실시예는 시분할 방식으로 데이터전압을 기입할 수 있고, 또한 스캔라인의 개수를 절감할 수 있고, 또한 충분한 샘플링 시간을 제공할 수 있다.As can be seen through a simple comparison of Figures 21 (a) and 21 (b), the third and fourth embodiments of the present invention can write data voltages in a time division manner and also reduce the number of scan lines. and can also provide sufficient sampling time.

그러므로 본 발명의 제3 및 제4실시예는 도 19와 같이 스캔라인들보다 데이터라인들의 길이가 더 긴 표시 패널에 적용 시, 센싱 시간이나 샘플링 시간의 감소 문제를 해소할 수 있고 또한 보상 정확도를 향상하여 표시품질을 향상할 수 있다.Therefore, the third and fourth embodiments of the present invention can solve the problem of reduction in sensing time or sampling time when applied to a display panel where the data lines are longer than the scan lines as shown in FIG. 19, and also improve compensation accuracy. The display quality can be improved by improving the display quality.

이상 본 발명은 내부 보상회로 기반의 표시 패널 구현 시 스캔라인의 개수를 절감할 수 있고, 또한 충분한 샘플링 시간을 제공할 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 플리커 발생율을 낮추고 또한 저속구동에 유리하도록 커패시터가 차지하는 면적을 이전 대비 넓히거나 공정 수율을 높이기 위해 회로의 밀집도를 낮출 수 있는 효과가 있다. 또한, 본 발명은 시프트레지스터가 차지하는 면적을 감소시켜 표시 패널의 네로우 베젤화가 가능함은 물론이고 중형급 이상의 모델이나 고해상도 모델 구현 시 이점을 제공할 수 있는 효과가 있다.The present invention has the effect of reducing the number of scan lines and providing sufficient sampling time when implementing a display panel based on an internal compensation circuit. In addition, the present invention has the effect of lowering the flicker occurrence rate and increasing the area occupied by the capacitor compared to the previous one to be advantageous for low-speed driving, or lowering the density of the circuit to increase process yield. In addition, the present invention reduces the area occupied by the shift register, which not only enables a narrow bezel of the display panel, but also provides advantages when implementing mid-sized or higher models or high-resolution models.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.Although embodiments of the present invention have been described with reference to the accompanying drawings, the technical configuration of the present invention described above can be modified by those skilled in the art in the technical field to which the present invention belongs in other specific forms without changing the technical idea or essential features of the present invention. You will understand that it can be done. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. In addition, the scope of the present invention is indicated by the claims described later rather than the detailed description above. In addition, the meaning and scope of the patent claims and all changes or modified forms derived from the equivalent concept should be construed as being included in the scope of the present invention.

130: 데이터 구동부 140: 스캔 구동부
180: 전원 공급부 150: 표시 패널
T1a: 제1A트랜지스터 T1b: 제1B트랜지스터
T2a: 제2A트랜지스터 T2b: 제2B트랜지스터
DT: 구동 트랜지스터 CST: 커패시터
OLED: 유기 발광다이오드 SCAN N-1: 제N-1스캔라인
SCAN N: 제N스캔라인 EM: 발광신호라인
130: data driver 140: scan driver
180: power supply unit 150: display panel
T1a: 1st transistor T1b: 1st transistor
T2a: 2A transistor T2b: 2B transistor
DT: Driving transistor CST: Capacitor
OLED: Organic light emitting diode SCAN N-1: N-1 scan line
SCAN N: Nth scan line EM: Light emitting signal line

Claims (10)

영상을 표시하는 표시 패널;
상기 표시 패널의 데이터라인을 통해 데이터전압을 공급하는 데이터 구동부; 및
상기 표시 패널의 스캔라인을 통해 스캔신호를 공급하는 스캔 구동부를 포함하고,
상기 표시 패널은
제N스캔라인의 제N스캔신호에 응답하여 턴온되는 제1A트랜지스터와,
제N-1스캔라인의 제N-1스캔신호에 응답하여 턴온되는 제1B트랜지스터를 포함하는 서브 픽셀을 포함하고,
상기 서브 픽셀은
상기 제N스캔라인을 통해 인가된 상기 제N스캔신호와 상기 제N-1스캔라인을 통해 인가된 상기 제N-1스캔신호에 응답하여 상기 데이터전압을 저장하는 서브 픽셀을 갖는 발광표시장치.
A display panel that displays images;
a data driver that supplies a data voltage through a data line of the display panel; and
A scan driver that supplies a scan signal through a scan line of the display panel,
The display panel is
A 1A transistor turned on in response to the Nth scan signal of the Nth scan line,
It includes a subpixel including a 1B transistor that is turned on in response to the N-1th scan signal of the N-1th scan line,
The subpixel is
A light emitting display device having a subpixel that stores the data voltage in response to the Nth scan signal applied through the Nth scan line and the N-1th scan signal applied through the N-1th scan line.
영상을 표시하는 표시 패널;
상기 표시 패널의 데이터라인을 통해 데이터전압을 공급하는 데이터 구동부; 및
상기 표시 패널의 스캔라인을 통해 스캔신호를 공급하는 스캔 구동부를 포함하고,
상기 표시 패널은
제N스캔라인의 제N스캔신호에 응답하여 턴온되는 제1A트랜지스터와,
제N-1스캔라인의 제N-1스캔신호에 응답하여 턴온되는 제1B트랜지스터를 포함하는 서브 픽셀을 포함하고,
상기 서브 픽셀은
상기 제N스캔라인을 통해 인가된 상기 제N스캔신호와 상기 제N-1스캔라인을 통해 인가된 상기 제N-1스캔신호가 중첩하는 구간 동안 상기 데이터전압을 저장하는 서브 픽셀을 갖는 발광표시장치.
A display panel that displays images;
a data driver that supplies a data voltage through a data line of the display panel; and
A scan driver that supplies a scan signal through a scan line of the display panel,
The display panel is
A 1A transistor turned on in response to the Nth scan signal of the Nth scan line,
It includes a subpixel including a 1B transistor that is turned on in response to the N-1th scan signal of the N-1th scan line,
The subpixel is
A light-emitting display having a subpixel that stores the data voltage during a period where the N-th scan signal applied through the N-th scan line and the N-1th scan signal applied through the N-1 scan line overlap. Device.
삭제delete 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1A트랜지스터와 상기 제1B트랜지스터는
동시에 턴온되는 기간을 갖는 발광표시장치.
According to claim 1 or 2,
The 1A transistor and the 1B transistor are
A light emitting display device that has a simultaneous turn-on period.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1B트랜지스터는
상기 제1A트랜지스터보다 턴온되는 시점이 앞서는 발광표시장치.
According to claim 1 or 2,
The 1B transistor is
A light emitting display device whose turn-on time is earlier than that of the 1A transistor.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1A트랜지스터는 상기 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인에 제1전극이 연결되고,
상기 제1B트랜지스터는 상기 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제1A트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되는 발광표시장치.
According to claim 1 or 2,
The first A transistor has a gate electrode connected to the Nth scan line and a first electrode connected to the first data line,
A light emitting display device in which the gate electrode of the 1B transistor is connected to the N-1 scan line and the first electrode is connected to the second electrode of the 1A transistor.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 표시 패널은
상기 데이터 구동부의 채널에 연결된 적어도 2개의 스위치를 더 포함하고,
상기 적어도 2개의 스위치는
제1선택신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 데이터 구동부의 제1채널에 제1전극이 연결되고 제1A데이터라인에 제2전극이 연결된 제1스위치와,
제2선택신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 데이터 구동부의 제1채널에 제1전극이 연결되고 제1B데이터라인에 제2전극이 연결된 제2스위치를 포함하는 발광표시장치.
According to claim 1 or 2,
The display panel is
Further comprising at least two switches connected to channels of the data driver,
The at least two switches
a first switch with a gate electrode connected to a first selection signal line, a first electrode connected to a first channel of the data driver, and a second electrode connected to a 1A data line;
A light emitting display device comprising a second switch with a gate electrode connected to a second selection signal line, a first electrode connected to a first channel of the data driver, and a second electrode connected to a 1B data line.
제7항에 있어서,
상기 표시 패널은
상기 제1A데이터라인에 연결된 제1서브 픽셀과,
상기 제1B데이터라인에 연결된 제11서브 픽셀을 포함하고,
상기 제1서브 픽셀과 상기 제11서브 픽셀은 상기 표시 패널 상에서 상하 또는 좌우로 인접하는 발광표시장치.
In clause 7,
The display panel is
A first subpixel connected to the 1A data line,
Includes an 11th subpixel connected to the 1B data line,
The first subpixel and the 11th subpixel are adjacent to each other vertically or horizontally on the display panel.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 서브 픽셀은
상기 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인에 제1전극이 연결된 제1A트랜지스터와,
상기 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제1A트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제1B트랜지스터와,
상기 제1B트랜지스터의 제2전극에 일단이 연결된 커패시터와,
상기 커패시터의 타단에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인에 제1전극이 연결된 구동 트랜지스터와,
상기 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 커패시터의 타단에 제1전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제2트랜지스터와,
발광신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 커패시터의 일단에 제1전극이 연결되고 레퍼런스라인에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와,
상기 발광신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제4트랜지스터와,
상기 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 레퍼런스라인에 제1전극이 연결되고 상기 제4트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제5트랜지스터와,
상기 제4트랜지스터의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인에 캐소드전극이 연결된 발광다이오드를 포함하는 발광표시장치.
According to claim 1 or 2,
The subpixel is
A 1A transistor with a gate electrode connected to the N scan line and a first electrode connected to the first data line;
a 1B transistor whose gate electrode is connected to the N-1 scan line and whose first electrode is connected to the second electrode of the 1A transistor;
A capacitor with one end connected to the second electrode of the 1B transistor,
a driving transistor with a gate electrode connected to the other end of the capacitor and a first electrode connected to a first power line;
a second transistor with a gate electrode connected to the N-1th scan line, a first electrode connected to the other end of the capacitor, and a second electrode connected to the second electrode of the driving transistor;
a third transistor having a gate electrode connected to a light emitting signal line, a first electrode connected to one end of the capacitor, and a second electrode connected to a reference line;
a fourth transistor whose gate electrode is connected to the light emitting signal line and whose first electrode is connected to the second electrode of the driving transistor;
a fifth transistor having a gate electrode connected to the N-1 scan line, a first electrode connected to the reference line, and a second electrode connected to the second electrode of the fourth transistor;
A light emitting display device including a light emitting diode with an anode electrode connected to a second electrode of the fourth transistor and a cathode electrode connected to a second power line.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 서브 픽셀은
상기 제N스캔라인에 게이트전극이 연결되고 제1데이터라인에 제1전극이 연결된 제1A트랜지스터와,
상기 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제1A트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제1B트랜지스터와,
상기 제1B트랜지스터의 제2전극에 일단이 연결된 커패시터와,
상기 커패시터의 타단에 게이트전극이 연결되고 제1전원라인에 제1전극이 연결된 구동 트랜지스터와,
상기 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 커패시터의 타단에 제1전극이 연결된 제2A트랜지스터와,
상기 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 제2A트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제2B트랜지스터와,
발광신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 커패시터의 일단에 제1전극이 연결되고 레퍼런스라인에 제2전극이 연결된 제3트랜지스터와,
상기 발광신호라인에 게이트전극이 연결되고 상기 구동 트랜지스터의 제2전극에 제1전극이 연결된 제4트랜지스터와,
상기 제N-1스캔라인에 게이트전극이 연결되고 상기 레퍼런스라인에 제1전극이 연결되고 상기 제4트랜지스터의 제2전극에 제2전극이 연결된 제5트랜지스터와,
상기 제4트랜지스터의 제2전극에 애노드전극이 연결되고 제2전원라인에 캐소드전극이 연결된 발광다이오드를 포함하는 발광표시장치.
According to claim 1 or 2,
The subpixel is
A 1A transistor with a gate electrode connected to the N scan line and a first electrode connected to the first data line;
a 1B transistor whose gate electrode is connected to the N-1 scan line and whose first electrode is connected to the second electrode of the 1A transistor;
A capacitor with one end connected to the second electrode of the 1B transistor,
a driving transistor with a gate electrode connected to the other end of the capacitor and a first electrode connected to a first power line;
A 2A transistor with a gate electrode connected to the N-1 scan line and a first electrode connected to the other end of the capacitor;
a 2B transistor with a gate electrode connected to the N-1 scan line, a first electrode connected to the second electrode of the 2A transistor, and a second electrode connected to the second electrode of the driving transistor;
a third transistor having a gate electrode connected to a light emitting signal line, a first electrode connected to one end of the capacitor, and a second electrode connected to a reference line;
a fourth transistor whose gate electrode is connected to the light emitting signal line and whose first electrode is connected to the second electrode of the driving transistor;
a fifth transistor having a gate electrode connected to the N-1 scan line, a first electrode connected to the reference line, and a second electrode connected to the second electrode of the fourth transistor;
A light emitting display device including a light emitting diode with an anode electrode connected to a second electrode of the fourth transistor and a cathode electrode connected to a second power line.
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