KR102580712B1 - Substrate holding device, method for manufacturing such a device, and apparatus and method for processing or imaging a sample - Google Patents

Substrate holding device, method for manufacturing such a device, and apparatus and method for processing or imaging a sample Download PDF

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Abstract

본 발명은, 홀딩 플레이트, 베이스 플레이트, 지지체의 어레이, 및 열 흡수 재료의 액적의 어레이를 포함하는 기판 홀딩 디바이스에 관한 것이다. 홀딩 플레이트는 기판을 홀딩하기 위한 제1 면을 포함한다. 베이스 플레이트는, 홀딩 플레이트로부터 일정 거리에 배열되고, 제1 면에 대향하는 홀딩 플레이트의 면에서 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이에 간극을 제공한다. 지지체의 어레이는 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이에 배열된다. 액체 및/또는 고체 액적의 어레이는 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이에 배열되고, 액적은 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 둘 모두와 접촉하도록 배열된다. 액적은 서로로부터 그리고 지지체로부터 이격되어 배열되고, 간극을 따르는 방향에서 서로 인접하게 배열된다.The present invention relates to a substrate holding device comprising a holding plate, a base plate, an array of supports, and an array of droplets of heat absorbing material. The holding plate includes a first side for holding the substrate. The base plate is arranged at a certain distance from the holding plate and provides a gap between the base plate and the holding plate on the side of the holding plate opposite the first side. An array of supports is arranged between the holding plate and the base plate. An array of liquid and/or solid droplets is arranged between the holding plate and the base plate, and the droplets are arranged to contact both the base plate and the holding plate. The droplets are arranged spaced apart from each other and from the support, and adjacent to each other in the direction along the gap.

Description

기판 홀딩 디바이스, 기판 홀딩 디바이스의 제조 방법, 및 샘플을 프로세싱 또는 이미징하기 위한 장치 및 방법{SUBSTRATE HOLDING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A DEVICE, AND APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING OR IMAGING A SAMPLE}Substrate holding device, method of manufacturing the substrate holding device, and apparatus and method for processing or imaging a sample {SUBSTRATE HOLDING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A DEVICE, AND APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING OR IMAGING A SAMPLE}

본 발명은, 예를 들면, 리소그래피 시스템에서 사용하기 위한 기판 홀딩 디바이스(substrate holding device)에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 이러한 기판 홀딩 디바이스를 제조하기 위한 방법, 및 리소그래피 시스템에서 이러한 기판 홀딩 디바이스의 사용에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 샘플을 노광하기 위한 장치, 특히 샘플을 프로세싱 또는 이미징하기 위한 장치, 더 특별하게는 리소그래피 장치에 관한 것이다. 본 발명은 또한 샘플을 프로세싱 또는 이미징하기 위한 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate holding device for use in, for example, lithography systems. The invention also relates to a method for manufacturing such a substrate holding device and the use of such a substrate holding device in a lithography system. The invention also relates to devices for exposing samples, in particular devices for processing or imaging samples, and more particularly to lithographic devices. The invention also relates to methods for processing or imaging samples.

리소그래피 시스템에서, 예를 들면, 실리콘 웨이퍼와 같은 기판의 표면을 조명하고 패턴화하기 위해, 이온 또는 전자와 같은 광자 또는 하전 입자가 사용된다. 이러한 광자 또는 하전 입자의 에너지 부하에 기인하여, 기판은 적어도 국소 가열된다. 특히, 멀티 빔 하전 입자 리소그래피 시스템(multi-beam charged particle lithography system)과 같은 하전 입자 리소그래피 시스템에서, 하전 입자의 충격은, 특히 기판 상에서의 하전 입자의 국소적 부여와 연계하여, 기판의 상당한 가열을 야기할 수도 있다.In lithography systems, photons or charged particles, such as ions or electrons, are used to illuminate and pattern the surface of a substrate, for example a silicon wafer. Due to the energy load of these photons or charged particles, the substrate is heated, at least locally. In particular, in charged particle lithography systems, such as multi-beam charged particle lithography systems, the bombardment of charged particles results in significant heating of the substrate, especially in conjunction with localized imparting of charged particles on the substrate. It may cause

기판의 온도 상승을 억제하고, 그에 의해 노광된 기판의 온도를 안정화시키는 다양한 기판 홀딩 디바이스가 제안되어 있다.Various substrate holding devices have been proposed to suppress the temperature rise of the substrate and thereby stabilize the temperature of the exposed substrate.

이들 홀딩 디바이스 중 많은 것은 기판 홀딩 디바이스를 통해 유동하도록 배열되는 냉각제와 기판의 열 접촉에 의존한다. 이러한 디바이스의 하나의 예는 US 5,685,363호에서 개시되는데, 이 미국 특허는 노광될 웨이퍼 또는 타겟 아래에 열 흡수 유체 챔버를 포함하는 기판 홀딩 디바이스를 설명한다. 이러한 공지의 기판 홀딩 디바이스는 가요성 시트에 의해 덮인 열 흡수 유체를 포함한다. 사용에서, 기판은 기판 리테이너(substrate retainer)에 의해 시트에 대해 가압되고, 그에 의해, 시트, 따라서 열 흡수 유체가 기판의 후면과 친밀하게 열 접촉하여 온도에서 안정화된다.Many of these holding devices rely on thermal contact of the substrate with a coolant arranged to flow through the substrate holding device. One example of such a device is disclosed in US 5,685,363, which describes a substrate holding device comprising a heat absorbing fluid chamber beneath the wafer or target to be exposed. These known substrate holding devices comprise a heat absorbing fluid covered by a flexible sheet. In use, the substrate is pressed against the sheet by a substrate retainer, whereby the sheet, and therefore the heat absorbing fluid, is in intimate thermal contact with the back side of the substrate and stabilized in temperature.

하전 입자 빔 리소그래피 시스템에서와 같이, 기판이 국소적으로만 가열되고, 한편 열 흡수 유체가 기판의 전체 후면을 따라 실질적으로 연장되는 경우, 이 공지의 설계에서의 열 흡수 유체의 층은, 열 흡수제로서 작용하는 것 외에, 열 버퍼로서 작용하고 열 버퍼를 형성한다.When the substrate is heated only locally, as in charged particle beam lithography systems, while the heat absorbing fluid extends substantially along the entire backside of the substrate, the layer of heat absorbing fluid in this known design consists of a heat absorbing fluid. In addition to acting as a column buffer, it also acts as a column buffer and forms a column buffer.

또한, US 5,685,363호에서 개시되는 바와 같은 온도 안정화 디바이스는, 안정화 베이스에 포함되는 열 흡수 유체 통로 또는 냉각제 통로를 포함하는데, 열 흡수 유체는, 기판 홀딩 디바이스를 냉각시키기 위해, 그리고 기판 홀딩 디바이스로부터 멀어지게 열을 전달하기 위해, 이 통로를 통해 유동한다. 이것은, 열 흡수 챔버 아래의 기판 홀딩 디바이스의 온도를 안정화시키는 것을 허용하고, 기판 홀딩 디바이스 및 타겟이 안정화되어야 하는 온도의 더 나은 제어를 제공한다.Additionally, the temperature stabilization device as disclosed in US 5,685,363 includes a heat absorbing fluid passageway or a coolant passageway included in the stabilization base, wherein the heat absorbing fluid is used to cool the substrate holding device and away from the substrate holding device. To transfer heat, it flows through these passages. This allows stabilizing the temperature of the substrate holding device below the heat absorption chamber and provides better control of the temperature at which the substrate holding device and target must be stabilized.

리소그래피 노광 시스템에서, 종종 진공 환경에 수용되기 때문에, 이러한 냉각제 통로는 바람직하지 않다. 하나의 이유는, 관련된 냉각제 도관이, 직접적으로 또는 히스테리시스를 통해, 기판의 정확한 위치 결정을 방해하거나 또는 저해한다는 것이다.In lithographic exposure systems, as they are often housed in a vacuum environment, such coolant passages are undesirable. One reason is that the coolant conduit involved interferes with or impedes accurate positioning of the substrate, either directly or through hysteresis.

리소그래피의 분야 내에서, 특허 공개 공보 US 2005/0128449호는, 위상 변화 재료, 소위 PCM이 열의 제거를 용이하게 할 수 있다는 것을 교시한다. PCM은 고체에서 액체로의 상 변화 동안, 잠열로서 많은 양의 에너지를 저장할 수 있다. 유익하게는, 많은 양의 열 에너지가 상대적으로 일정한 온도에서 저장될 수 있다. 따라서, PCM의 사용은, 온도를 크게 변경하지 않고도 많은 양의 열 에너지를 저장하는 것에 의해, 온도 안정화를 제공할 수 있다. PCM 재료는, 타겟 또는 기판 및 기판 홀딩 디바이스가 안정화되어야 하는 온도를 여전히 확실하게 제어하면서, 냉각제 도관 없이 적용될 수 있다. 이러한 열 저장 및 안정화 시스템을 실현하기 위해 나타내어지는 재료는 파라핀 왁스 및 Rubitherm™ PX를 포함한다. PCM은 PCM 분말로서 또는 결합 PCM(bound PCM)으로서 제공될 수도 있다.Within the field of lithography, patent publication US 2005/0128449 teaches that phase change materials, so-called PCMs, can facilitate the removal of heat. PCMs can store large amounts of energy as latent heat during the phase change from solid to liquid. Advantageously, large amounts of thermal energy can be stored at a relatively constant temperature. Therefore, the use of PCM can provide temperature stabilization by storing large amounts of thermal energy without significantly altering the temperature. PCM materials can be applied without coolant conduits while still tightly controlling the temperature at which the target or substrate and substrate holding device must be stabilized. Materials indicated for realizing this heat storage and stabilization system include paraffin wax and Rubitherm™ PX. PCM may be provided as PCM powder or as bound PCM.

이러한 방식의 결합된 열 저장 및 온도 제어는, 일정한 온도에서 재료의 상 변화를 활용하는 일반적으로 알려진 원리에 기초한다. 이 원리를 적용함에 있어서, 방대한 양의 문헌, 그 중에서도, Mohamed M. Farid 등등에 의한 "A review of on phase change energy storage: materials and applications"(Energy Conversion and Management 45, 2004)로부터 추가로 공지될 수도 있는 바와 같이, 적절한 재료는 일반적으로 핸드북으로부터 선택될 수도 있다. 원하는 온도에서 많은 양의 열 에너지의 저장을 제공하기 위해, 기술 분야의 숙련된 자는, 원하는 온도, 이 경우에서는 안정화의 온도에서 상대적으로 높은 전이 열(heat of transition) 또는 잠열을 갖는 재료를 검색할 것이다. 하나의 그러한 핸드북은, 미국 원자력 위원회에 의해 발표된 연구인 Report ANL-5750에 기초한 "thermodynamic properties of the elements"를 열거하는 "Handbook of chemistry & Physics"이다. 1991년 Costa 등등에 의한 "Numerical simulation of solid-liquid phase change phenomena"에서의 PCM 거동의 수치 시뮬레이션을 확인하기 위한 파라핀(n-옥타데칸(n-octadecane)), 갈륨 및 주석의 선택은, 아주 다양한 PCM 사이에서의 소정의 재료의 인기를 나타낸다.This type of combined heat storage and temperature control is based on the generally known principle of exploiting the phase change of materials at constant temperature. In applying this principle, additional information will be taken from the vast amount of literature, inter alia, “A review of on phase change energy storage: materials and applications” by Mohamed M. Farid et al. (Energy Conversion and Management 45, 2004). As may be appreciated, suitable materials may generally be selected from handbooks. In order to provide storage of large amounts of thermal energy at a desired temperature, one skilled in the art will search for materials that have a relatively high heat of transition or latent heat at the desired temperature, in this case the temperature of stabilization. will be. One such handbook is the "Handbook of chemistry & Physics" which lists "thermodynamic properties of the elements" based on Report ANL-5750, a study published by the United States Atomic Energy Commission. The choice of paraffin (n-octadecane), gallium and tin to confirm the numerical simulation of PCM behavior in “Numerical simulation of solid-liquid phase change phenomena” by Costa et al., 1991, was very diverse. Indicates the popularity of a given material among PCMs.

본 출원인의 명의의 특허 공개 공보 US 2008/0024743호는, 이러한 공지된 온도 안정화 시스템을 나타내는 리소그래피 타겟 노광 시스템의 한 예를 제공하는데, 여기서 냉각제 도관은, 예를 들면, 헥사데칸(Hexadecane)의 형태의 PCM의 적용에 의해 생략된다. 헥사데칸은, 그것의 상 변화 온도가 반도체 제조에서 사용되는 냉각제 유체에 대한 통상적인 온도 범위의 상단(upper end)과 매치하고, 그에 의해, 기판 열 버퍼의 온도가, 산업용 리소그래피 시스템의 다른 일반적으로 액체 냉각된 부분으로부터 바람직하지 않은 범위까지 벗어나는 것을 방지한다는 이유 때문에 선택되었다. 이 점에 있어서, 헥사데칸의 PCM 온도는, 예를 들면, Himran 및 Suwono에 의한 "characterization of Alkanes and Paraffin Waxes for application as Phase Change Energy Storage Medium"(Energy sources, vol.16, 1994)로부터 약 291 K인 것으로 간주될 수도 있고, 한편 팹 냉각제 액체는 Chen, Gautam 및 Weig에 의한 "Bringing energy efficiency to the fab"(McKinsey on semiconductors, Autumn 2013)로부터 286으로부터 291 K까지의(55 내지 65 F)의 범위 내에 있는 것으로 간주될 수도 있다.Patent publication US 2008/0024743 in the name of the applicant provides an example of a lithography target exposure system representing this known temperature stabilization system, wherein the coolant conduit is of the form of, for example, hexadecane. is omitted by application of PCM. Hexadecane has a phase change temperature that matches the upper end of the typical temperature range for coolant fluids used in semiconductor manufacturing, thereby increasing the temperature of the substrate thermal buffer compared to other typical temperature ranges in industrial lithography systems. It was chosen because it prevents undesirable excursions from the liquid cooled part. In this regard, the PCM temperature of hexadecane is approximately 291 from, for example, "characterization of Alkanes and Paraffin Waxes for application as Phase Change Energy Storage Medium" by Himran and Suwono (Energy sources, vol.16, 1994). K may be considered as It may be considered within range.

헥사데칸이 산업용 동작 온도, 적어도 산업용 냉각제 온도와 매치하는 상 변화 온도의 이점을 가지지만, 실제로는, 이 공지의 PCM 기반의 기판 온도 안정화 시스템에서 교시되는 바와 같이 타겟과 PCM 사이의 열 전도도를 향상시키기 위한 수단의 사용에도 불구하고, 열의 불량한 전도도에 기인하여 불량한 성능의 문제를 겪고 있는 것이 명백하였다.Although hexadecane has the advantage of a phase change temperature that matches industrial operating temperatures, at least industrial coolant temperatures, it actually improves thermal conductivity between the target and the PCM, as taught in this known PCM-based substrate temperature stabilization system. Despite the use of means to achieve this, it was evident that it was suffering from poor performance due to poor conductivity of heat.

더구나, US 7,528,349호는, 기판과 열 접촉하여 배치되는 열 흡수 재료를 포함하는 온도 안정화 시스템을 개시한다. 열 흡수 재료는, 기판을 프로세싱하는 재료에 대한 원하는 온도 범위에 있는 고체-액체 상 전이 온도에 의해 특성 묘사된다. US 7,528,349호에 따르면, 열 흡수 재료는 캐리어의 상부 상에 배치되는 편평한 층으로서 제공될 수도 있거나, 캐리어 표면 내의 하나 이상의 함몰부(depression)를 채우도록 배치될 수도 있거나 또는 열 흡수 재료로 리세스(recess)를 채우는 것에 의해 캐리어 내에 임베딩될 수도 있다. 열 흡수 재료는, 기판과 직접 접촉하여 또는 기판 양 쪽과 충분히 열 접촉하는 적절한 열 전도성 층을 가지고 배열된다. 하전 입자 빔 리소그래피 시스템에서와 같이, 기판이 국소적으로만 가열되는 경우, 결과적으로 나타나는 열은 열 흡수 재료에 의해 국소적으로 흡수된다. 열의 흡수에 기인하여, 열 흡수 재료는, 실질적으로 하전 입자 빔이 기판에 충돌하는 위치에서, 상 전이를 적어도 부분적으로 겪을 것이다. 이러한 국소적 상 전이는 열 흡수 재료의 국소적 팽창 또는 수축으로 나타난다. 이들 국소적 팽창 또는 수축은, 기판의 바람직하지 않은 왜곡 또는 변형을 생성하는데, 이것은 US 7,528,349호의 온도 안정화 시스템을, 고해상도 하전 입자 리소그래피에 대해 부적합하게 만든다.Moreover, US 7,528,349 discloses a temperature stabilization system comprising a heat absorbing material disposed in thermal contact with a substrate. Heat absorbing materials are characterized by a solid-liquid phase transition temperature that is in the desired temperature range for the material processing the substrate. According to US 7,528,349, the heat absorbing material may be provided as a flat layer disposed on the top of the carrier, or may be arranged to fill one or more depressions in the carrier surface or may be formed into a recess with the heat absorbing material. It can also be embedded within the carrier by filling the recess. The heat absorbing material is arranged in direct contact with the substrate or with a suitable thermally conductive layer in sufficient thermal contact with both sides of the substrate. If the substrate is only heated locally, as in charged particle beam lithography systems, the resulting heat is locally absorbed by the heat absorbing material. Due to the absorption of heat, the heat absorbing material will undergo a phase transition, at least partially, substantially at the location where the charged particle beam impacts the substrate. These local phase transitions appear as local expansion or contraction of the heat-absorbing material. These local expansions or contractions produce undesirable distortions or deformations of the substrate, which render the temperature stabilization system of US 7,528,349 unsuitable for high-resolution charged particle lithography.

그러므로, 본 발명은, 냉각제 액체의 반도체 표준 범위 내의 온도와 여전히 매치하면서, 충분한 열 전도성의, 일반적으로는 금속의 상 변화 재료를 사용하는 것에 의해 시스템, 장치 및/또는 기판 홀딩 디바이스의 정확한 온도 제어를 위한 수단을 제공하는 시스템, 장치 및/또는 방법을 제공하는 것을 추구한다. 표준 금속 재료는, 원하는 동작 범위로부터 멀리 떨어진 상 변화 온도를 갖는다. 303 K의 전이 온도를 갖는 갈륨은, 반도체 제조에서 사용되는 냉각제 액체의 온도 범위에 가장 가깝지만, 그러나 여전히 12 도만큼 벗어난다. 다른 금속성 재료(metallic-like material)는 금속 기반의 화합물 재료로부터 선택될 수도 있다. 이러한 액체 금속 재료가 갈륨과 같은 물질 거동을 나타낼 수도 있는 경우, 본 발명은, PCM 안정화 기판 지지체를 그것의 결합된 기능에서 그러한 액체 금속 화합물 및 기판 온도 안정제의 리셉터클(receptacle)로서 최적화하고, 그에 의해, 그러한 온도 안정화 기판 지지체의 새로운 설계를 제공하는 것을 추가로 추구한다.Therefore, the present invention provides precise temperature control of a system, device and/or substrate holding device by using a phase change material, typically metallic, of sufficient thermal conductivity while still matching temperatures within the semiconductor standard range of the coolant liquid. Seeks to provide systems, devices and/or methods that provide the means for. Standard metallic materials have phase change temperatures that are far from the desired operating range. Gallium, with a transition temperature of 303 K, is closest to the temperature range of coolant liquids used in semiconductor manufacturing, but is still off by 12 degrees. Other metallic-like materials may be selected from metal-based compound materials. In cases where such liquid metal materials may exhibit gallium-like material behavior, the present invention optimizes the PCM stabilized substrate support in its combined function as a receptacle for such liquid metal compounds and substrate temperature stabilizers, thereby , further seeks to provide novel designs of such temperature-stabilized substrate supports.

동등하게, US 2008/0024743호에 따른 기판 홀딩 디바이스가 실질적으로 일정한 온도에서 기판 홀딩 디바이스의 상부 상에 기판을 홀딩하기 위한 매우 콤팩트하고 정교한 방식을 제공하지만, 이러한 기판 홀딩 디바이스를 제조하는 것 및/또는 리소그래피 시스템에서 사용하기에 적절한 매우 정확하고 재현 가능한 치수를 갖는 캐리어 또는 열 전도성 프레임을 획득하는 것이 어렵다는 것이 또한 입증되었다.Equally, although the substrate holding device according to US 2008/0024743 provides a very compact and sophisticated way to hold a substrate on top of the substrate holding device at a substantially constant temperature, it is difficult to manufacture such a substrate holding device and/ Alternatively, it has also proven difficult to obtain carriers or thermally conductive frames with highly accurate and reproducible dimensions suitable for use in lithographic systems.

추가적으로 또는 대안적으로, 다양한 갈륨 화합물 중 임의의 것과 같은 금속성 상 변화 재료의 특정한 성질에 적응되는, 적어도 그 특정한 성질을 다루는 설계를 제공하는 것이 본 발명의 목적이다. 실제로, 이들 재료는, 고체 형태에서의 체적이 액체 형태에서 보다 더 클 수도 있다는 점에서, 고체로부터 액체로의 전이에서 얼음 및 물과 같은 거동을 나타내는 경향이 있어서, 홀딩 디바이스의 상위 층과 그 아래에 포함되는 상 변화 재료 사이의 직접적인 접촉의 적어도 잠재적인 손실에 기인하는 불량한 열 전도도를 야기한다는 것이 명백하다.Additionally or alternatively, it is an object of the present invention to provide a design adapted to, or at least addressing, the specific properties of metallic phase change materials, such as any of the various gallium compounds. In fact, these materials tend to exhibit ice- and water-like behavior in the solid-to-liquid transition, in that the volume in the solid form may be larger than in the liquid form, leading to the upper layer of the holding device and the underlying layer. It is clear that the phase change involved leads to poor thermal conductivity due to at least a potential loss of direct contact between the materials.

추가적으로 또는 대안적으로, 따라서, 특히, 전자기 방사선 또는 입자를 기판 상으로 투사하기(projecting) 위한 노광 유닛이, 상기 기판에 대해, 노광 유닛이 기판에 열적으로 영향을 끼칠 수도 있는 그러한 밀접한 근접성을 가지고 배열되는 장치에서, 상기 기판의 정확한 온도 제어를 제공하는 노광 방법 및 장치를 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.Additionally or alternatively, therefore, the exposure unit, in particular for projecting electromagnetic radiation or particles onto the substrate, has such close proximity to the substrate that the exposure unit may thermally influence the substrate. It is an object of the present invention to provide an exposure method and apparatus that provides accurate temperature control of the substrate in an arrayed apparatus.

추가적으로 또는 대안적으로, 종래 기술의 기판 홀딩 디바이스의 상기 언급된 단점 중 적어도 하나를 적어도 부분적으로 제거하는 기판 홀딩 디바이스를 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.Additionally or alternatively, it is an object of the present invention to provide a substrate holding device that at least partially eliminates at least one of the above-mentioned disadvantages of the prior art substrate holding devices.

제1 양태에 따르면, 본 발명은 다음을 포함하는 기판 홀딩 디바이스를 제공한다:According to a first aspect, the present invention provides a substrate holding device comprising:

홀딩 플레이트(holding plate) - 홀딩 플레이트는 기판을 홀딩하기 위한 제1 면(side)을 포함함 - ,Holding plate - The holding plate includes a first side for holding the substrate -,

홀딩 플레이트로부터 일정 거리에 배열되며 제1 면으로부터 멀어지게 대향하는 홀딩 플레이트의 제2 면에서 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이에 간극을 제공하는 베이스 플레이트,a base plate arranged at a certain distance from the holding plate and providing a gap between the base plate and the holding plate on a second side of the holding plate facing away from the first side;

적어도, 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이 내에 배열되는 지지체의 어레이, 및At least, an array of supports arranged within between the holding plate and the base plate, and

열 흡수 재료의 액적(droplet)의 어레이 - 액적은 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이의 간극 내에 배열되고, 액적은 지지체로부터 그리고 상기 액적의 어레이의 다른 액적으로부터 이격되어 배열되고, 액적은 베이스 플레이트 및 홀딩 플레이트 둘 모두와 접촉하도록 배열됨 - .an array of droplets of heat absorbing material - the droplets are arranged in the gap between the holding plate and the base plate, the droplets are arranged spaced apart from the support and from other droplets of the array of droplets, the droplets are arranged in the base plate and the holding plate Arranged to contact both - .

베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 지지체의 어레이는 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극의 폭을 정의하고, 매우 정확하고 재현 가능한 치수의 프레임을 제공한다. 적어도 성공적인 온도 안정화 열 버퍼링을 위해, 성공적인, 적어도 최적의 열 전도성에 적응되는 방식으로 상 변화 재료의 액적을 포함하기 위한 이 신규의 설계는, 컨테이너 설계를 스마트하게 활용한다, 적어도 컨테이너 설계를, 이 경우에서는 액체 재료의 일부분으로 하여금 볼 또는 액적 형상을 채택하게 하는 표면 장력 및 응집력의 속성인 재료 속성에 적응시킨다. 그러므로, PCM 컨테이너, 즉, 예를 들면, US 7,528,349에서 설명되는 바와 같은 홀딩 디바이스 내에 PCM을 포함시키기 위해 배열되는 공동(cavity)을 채우는 대신, 본 발명의 기판 홀딩 디바이스는, 상 변화 재료의 액적, 특히, 지지체로부터 그리고 상기 액적의 어레이의 다른 액적으로부터 이격되는 액적을 수용하여 포함하도록 배열된다. 홀더는, 바람직하게는, PCM의 액적을 포함하도록 각각 적응되는 복수의 잘 분포된, 상대적으로 작은 및/또는 얕은 오목부(indentation) 또는 공동을 구비한다.The array of supports between the base plate and the holding plate defines the width of the gap between the base plate and the holding plate and provides a frame with highly accurate and reproducible dimensions. This novel design for containing droplets of phase change material in a way that is adapted to optimal thermal conductivity, at least for successful temperature-stabilized thermal buffering, makes smart use of the container design, at least for successful temperature-stabilized thermal buffering. In this case, it adapts the material properties, namely the properties of surface tension and cohesion, which cause a portion of the liquid material to adopt a ball or droplet shape. Therefore, instead of filling a PCM container, i.e. a cavity arranged to contain the PCM within a holding device as described for example in US 7,528,349, the substrate holding device of the present invention contains droplets of phase change material, In particular, it is arranged to receive and contain droplets spaced apart from the support and from other droplets of the array of droplets. The holder preferably has a plurality of well-distributed, relatively small and/or shallow indentations or cavities each adapted to contain droplets of PCM.

액적은, 적어도, 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극을 따르는 방향에서 상기 액적의 팽창을 가능하게 하도록, 지지체로부터 그리고 상기 액적의 어레이의 다른 액적으로부터 이격되어 배열된다. 액적의 어레이 내의 액적은, 적어도, 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이의 간극을 따르는 방향에서 액적이 측방향으로 자유롭게 위치되도록, 충분한 측방향 공간(lateral space)을 가지고 배열된다. 본 실시형태에 따른 기판 홀딩 디바이스는, 액적의 위치 또는 위치 결정이 지지체의 위치 또는 위치 결정과 간섭하지 않기 때문에, 더욱 용이하게 제조될 수 있다.The droplets are arranged spaced apart from the support and from other droplets of the array of droplets, at least to enable expansion of the droplets in a direction along the gap between the base plate and the holding plate. The droplets in the array of droplets are arranged with sufficient lateral space so that the droplets are freely positioned laterally, at least in a direction along the gap between the holding plate and the base plate. The substrate holding device according to this embodiment can be manufactured more easily because the position or positioning of the droplet does not interfere with the position or positioning of the support.

바람직하게는, PCM은 간극과 대향하는 홀딩 플레이트 및/또는 베이스 플레이트의 표면과의 접착보다 더 큰 응집력을 나타낸다. 이것은, 간극 내에서, 특히 홀딩 플레이트 및/또는 베이스 플레이트의 표면의 오목부 또는 공동에서, 평탄화되는 PCM의 액적을 포함시키는 것을 가능하게 하고, 그 결과, 평탄화된 액적은, 홀딩 플레이트 및 베이스 플레이트와의 최적의 접촉을 홀딩하면서, 조건에 따라 수축 또는 팽창할 수도 있고, 그와 함께, 온도 안정화 기판 홀딩 디바이스로서 원하는 기능을 제공할 수도 있다. 후자의 기능은, 특히, 상기에서 설명되는 솔루션에서와 같이 단점 없이 실현된다.Preferably, the PCM exhibits a cohesive force greater than adhesion to the surface of the holding plate and/or base plate opposing the gap. This makes it possible to contain droplets of the PCM that are flattened within the gap, especially in the recesses or cavities of the surface of the holding plate and/or base plate, with the result that the flattened droplets are connected to the holding plate and the base plate. It can contract or expand depending on conditions while holding optimal contact, while providing the desired function as a temperature-stabilized substrate holding device. The latter function is realized without disadvantages, especially as in the solution described above.

더구나, 액상(liquid phase), 고상(solid phase), 또는 액상과 고상의 조합인 액적의 어레이는 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이의 간극을 메우도록 배열된다. 따라서, 액적은 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 둘 모두와 접촉한다. 이것은, 특히, 개개의 액적의 체적 및/또는 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극의 폭의 적절한 선택에 의해 배열될 수 있다. 홀딩 플레이트와 액적 사이의 접촉은, 한편으로는, 홀딩 플레이트로부터 열 흡수 재료의 액적으로 적절한 열 전도를 제공하고, 다른 한편으로는, 베이스 플레이트와 액적 사이의 접촉은, 베이스 플레이트로부터 열 흡수 재료의 액적으로 적절한 열 전도를 제공한다.Furthermore, an array of liquid droplets, either a liquid phase, a solid phase, or a combination of liquid and solid phases, is arranged to bridge the gap between the holding plate and the base plate. Therefore, the droplet contacts both the holding plate and the base plate. This can be arranged, in particular, by appropriate selection of the volume of the individual droplets and/or the width of the gap between the base plate and the holding plate. The contact between the holding plate and the droplet, on the one hand, provides adequate heat conduction from the holding plate to the droplet of the heat-absorbing material, and on the other hand, the contact between the base plate and the droplet provides the transfer of heat from the base plate to the droplet. The droplets provide adequate heat conduction.

베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 전체 간극이 열 흡수 재료로 채워질 경우, 열의 흡수에 기인하는 열 흡수 재료의 임의의 팽창 또는 수축은 열 흡수 재료에서의 압력의 증가 또는 감소로 나타날 것인데, 이것은 기판 홀딩 디바이스의 치수에서의 변화 및/또는 홀딩 플레이트의 변형으로 나타날 수도 있다. 이 문제점은, US 2014/0017613호에서 이미 식별되었고, US 2014/0017613호는, 팽창을 고려하여, 열이 흡수되지 않은 상태에서 열 저장 구조체의 외부 치수가, 열 팽창을 고려하여, 홀딩 유닛의 내경보다 미리 더 작게 만들어지는 것이 바람직하다는 것을 언급한다. 그러나, 열 저장 구조체를 홀딩 유닛의 내경보다 더 작게 만드는 것은 주목할 만한 단점을 갖는다: 열 저장 구조체는 US 2014/0017613호에 나타내어지는 바와 같이 기판과 직접 접촉하여 배열되지 않는다. 기판에서 생성되는 열을 열 저장 구조체로 이동시키기 위해서는 추가적인 수단이 제공될 필요가 있다. US 2014/0017613호는 기판과 베이스 사이의 간극을 완전히 채우는 물과 같은 액체를 사용하는 것을 교시한다. 본 발명은, 지지체로부터 그리고 액적의 어레이의 다른 액적으로부터 이격되어 배열되는 열 흡수 재료의 상기 액적의 어레이를 사용하는 것에 의해, 이 문제점에 대한 완전히 상이한 솔루션을 제공하는데, 액적은 베이스 플레이트 및 홀딩 플레이트 둘 모두와 접촉하도록 배열되고, 바람직하게는, 액적은 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이에서 압착되거나(squeezed), 꼭 끼이거나(wedged), 또는 홀딩된다.If the entire gap between the base plate and the holding plate is filled with heat-absorbing material, any expansion or contraction of the heat-absorbing material due to absorption of heat will appear as an increase or decrease in pressure in the heat-absorbing material, which is It may appear as a change in the dimensions of and/or deformation of the holding plate. This problem has already been identified in US 2014/0017613, which states that, taking thermal expansion into account, the external dimensions of the heat storage structure in a state where heat is not absorbed are of the holding unit, taking thermal expansion into account. It is mentioned that it is desirable to make it smaller in advance than the inner diameter. However, making the heat storage structure smaller than the inner diameter of the holding unit has a notable disadvantage: the heat storage structure is not arranged in direct contact with the substrate, as shown in US 2014/0017613. Additional means need to be provided to transfer heat generated from the substrate to the heat storage structure. US 2014/0017613 teaches using a liquid such as water to completely fill the gap between the substrate and the base. The present invention provides a completely different solution to this problem, by using an array of droplets of heat-absorbing material arranged spaced apart from the support and from the other droplets of the array, where the droplets are formed on a base plate and a holding plate. Arranged to contact both, preferably the droplet is squeezed, wedged or held between the base plate and the holding plate.

PCM 컨테이너, 즉, 예를 들면, US 7,528,349호에서 설명되는 바와 같은 홀딩 디바이스 내에 PCM을 포함시키도록 배열되는 공동을, US 2014/0017613호에 의해 제안되는 바와 같이 더 적은 열 흡수 재료로 채우는 경우, 공동은 부분적으로만 채워질 것이고 홀딩 플레이트까지 채워지지 않을 것이다. 이것은 공동 내의 열 흡수 재료의 팽창을 위한 공간을 제공하지만, 그러나, 그것은, 청구항 1에서 정의되는 바와 같은 본 발명과는 반대로, 열 흡수 재료와 홀딩 플레이트 사이의 직접적인 접촉을 또한 제거할 것이다.If the PCM container, i.e. a cavity arranged to contain the PCM in a holding device as for example described in US 7,528,349, is filled with less heat-absorbing material as suggested by US 2014/0017613, The cavity will only be partially filled and will not be filled up to the holding plate. This will provide space for expansion of the heat absorbing material within the cavity, but it will also eliminate direct contact between the heat absorbing material and the holding plate, contrary to the invention as defined in claim 1.

한 실시형태에서, 액적은 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극을 따르는 방향에서 상기 액적의 실질적인 자유 팽창을 가능하게 하도록 배열된다. 실질적으로 개개의 액적의 어셈블리는, 홀딩 플레이트 또는 베이스 플레이트 상의 상기 액적의 압력의 증가 또는 감소를 실질적으로 제공하지 않으면서, 간극을 따르는 방향에서 각각의 액적이 팽창 또는 수축하는 것을 허용한다.In one embodiment, the droplet is arranged to allow substantially free expansion of the droplet in a direction along the gap between the base plate and the holding plate. The assembly of the individual droplets substantially allows each droplet to expand or contract in a direction along the gap without substantially providing for an increase or decrease in the pressure of the droplet on the holding plate or base plate.

한 실시형태에서, 지지체의 어레이는 홀딩 플레이트의 제2 면에 고정식으로 부착된다. 지지체의 어레이를 홀딩 플레이트의 제2 면에 부착하는 것에 의해, 지지체는 홀딩 플레이트의 실질적으로 고정된 위치 상에 배열된다. 이것은 적절한 패턴으로 지지체를 배열하여, 홀딩 플레이트에 대한, 상기 홀딩 플레이트의 영역에 걸쳐 실질적으로 균일한 견고한 지지체를 제공하는 것을 허용한다. 또한, 이것은 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이에 고도로 정확하고 재현 가능한 치수를 갖는 간극을 제공하는 것을 허용한다.In one embodiment, the array of supports is fixedly attached to the second side of the holding plate. By attaching the array of supports to the second side of the holding plate, the supports are arranged on a substantially fixed position of the holding plate. This allows arranging the supports in a suitable pattern to provide a rigid support for the holding plate that is substantially uniform over the area of the holding plate. Additionally, this allows providing a gap between the base plate and the holding plate with highly accurate and reproducible dimensions.

대안적으로 또는 추가적으로, 한 실시형태에서, 상기 지지체의 어레이의 지지체는 베이스 플레이트에 고정식으로 부착된다. 한 실시형태에서, 베이스 플레이트는 구멍의 어레이를 구비하는데, 상기 지지체의 어레이의 각각의 지지체는, 적어도 부분적으로, 상기 구멍의 어레이의 하나의 구멍 안으로 연장되고, 바람직하게는, 지지체는, 구멍과 상기 구멍 안으로 연장되는 지지체 사이의 원주 방향 간극에서 접착제 연결(glue connection)을 제공하는 것에 의해 상기 구멍에서 고정식으로 배열된다. 구멍의 원주 방향 내부 벽과 지지체의 원주 방향 외부 벽 사이 내에 접착제를 제공하는 것에 의해, 접착제의 경화 동안 접착제의 임의의 수축 또는 팽창은, 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극의 폭에 실질적으로 수직인 방향으로 작용하는 힘을 발생시킨다. 따라서, 이들 힘은, 특히 접착제의 경화 또는 응고 동안, 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 거리에 실질적으로 영향을 주지 않거나 또는 변경하지 않는다. 따라서, 본 실시형태에 따른 기판 홀딩 디바이스는, 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극의 폭에 대해, 또한 기판 홀딩 디바이스의 전체 두께, 특히 홀딩 플레이트의 제1 면에 수직인 방향에서의 두께에 대해 높은 정확도를 가지고 제조될 수 있다.Alternatively or additionally, in one embodiment, the supports of the array of supports are fixedly attached to the base plate. In one embodiment, the base plate has an array of holes, each support of the array of supports extending at least partially into one hole of the array of holes, preferably the support having a hole and It is fixedly arranged in the hole by providing a glue connection in the circumferential gap between the supports extending into the hole. By providing adhesive within the circumferential inner wall of the hole and the circumferential outer wall of the support, any shrinkage or expansion of the adhesive during curing is substantially perpendicular to the width of the gap between the base plate and the holding plate. Generates a force that acts in one direction. Accordingly, these forces do not substantially affect or change the distance between the base plate and the holding plate, especially during curing or solidification of the adhesive. Therefore, the substrate holding device according to the present embodiment has a high value with respect to the width of the gap between the base plate and the holding plate and also with respect to the overall thickness of the substrate holding device, especially the thickness in the direction perpendicular to the first side of the holding plate. Can be manufactured with precision.

한 실시형태에서, 상기 기판 홀딩 디바이스는, 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이의 간극에 배열되는 링의 어레이를 더 포함하는데, 상기 링의 어레이의 각각의 링은 상기 액적의 어레이의 하나의 액적을 둘러싸도록 배열된다. 이들 링의 각각은, 열 흡수 재료의 상기 액적의 어레이의 한 액적에 대한 몰드로서 사용될 수 있는데, 액적은 링 내부에 배열된다.In one embodiment, the substrate holding device further comprises an array of rings arranged in the gap between the holding plate and the base plate, such that each ring of the array of rings surrounds one droplet of the array of droplets. are arranged. Each of these rings can be used as a mold for one droplet of the array of droplets of heat absorbing material, the droplets being arranged inside the ring.

한 실시형태에서, 상기 링의 두께는 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이의 간극의 폭보다 더 작다. 바람직하게는, 링의 치수 및/또는 재료는, 온도에서의, 특히 기판 홀딩 디바이스의 작동 온도 범위 내에서의, 변화에 기인하는 링의 임의의 팽창 또는 수축에 무관하게, 상기 링의 두께가 간극의 폭보다 더 작은 상태로 홀딩되도록 선택된다. 링은 베이스 플레이트 및 홀딩 플레이트 둘 모두에 접촉하지 않으며, 따라서, 링은 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트에 실질적인 힘을 가하지 않는다. 따라서, 링은 간극의 폭에 영향을 미치지 않는다.In one embodiment, the thickness of the ring is less than the width of the gap between the holding plate and the base plate. Preferably, the dimensions and/or material of the ring are such that the thickness of the ring is such that, regardless of any expansion or contraction of the ring due to changes in temperature, especially within the operating temperature range of the substrate holding device, the thickness of the ring is It is selected to be held in a state smaller than the width of . The ring does not contact both the base plate and the holding plate, and therefore the ring exerts no substantial force on the holding plate and the base plate. Therefore, the ring does not affect the width of the gap.

이러한 링을 액적에 대한 몰드로서 사용하는 경우, 액적은, 우선, 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이의 간극의 폭보다 더 얇게 또한 만들어지고, 그 다음 완전히(solid) '동결된(frozen)'다. 열 흡수 재료의 이들 고체 액적은, 기판 홀딩 디바이스의 제조 동안 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이 내에서 용이하게 핸들링 및 배열될 수 있다. 지지체의 어레이 및 고체 액적의 어레이를 사이 내에 두면서, 홀딩 플레이트가 베이스 플레이트의 상부 상에 배열되는 경우, 열 흡수 재료의 액적은 용융되어, 베이스 플레이트 및 홀딩 플레이트 둘 모두와 접촉하는 액체 액적을 생성한다. 게다가, 액적은 간극을 따르는 방향에서 수축하여, 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극을 따르는 방향에서 상기 액적의 팽창을 가능하게 하는 공간을 제공한다. 후속하여, 베이스 플레이트 및 홀딩 플레이트 둘 모두와 접촉하는 액적은 다시 동결된다. 이들 동결된 액적은 홀딩 플레이트 및/또는 베이스 플레이트로부터 열을 흡수하기 위한 수단을 제공한다.When using such a ring as a mold for the droplet, the droplet is first made thinner than the width of the gap between the holding plate and the base plate and then completely 'frozen'. These solid droplets of heat absorbing material can be easily handled and arranged within between the base plate and the holding plate during fabrication of the substrate holding device. When a holding plate is arranged on top of the base plate, sandwiching the array of supports and the array of solid droplets, the droplets of heat absorbing material melt, creating liquid droplets that contact both the base plate and the holding plate. . Additionally, the droplet contracts in the direction along the gap, providing space to allow expansion of the droplet in the direction along the gap between the base plate and the holding plate. Subsequently, the droplets that contact both the base plate and the holding plate are frozen again. These frozen droplets provide a means for absorbing heat from the holding plate and/or base plate.

바람직하게는, 액적은, 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극과 대향하는, 홀딩 플레이트 및/또는 베이스 플레이트의 표면에 대해 높은 표면 장력을 갖는 재료를 포함한다. 높은 표면 장력을 갖는 열 흡수 재료를 사용하는 것은, 바람직하게는, 액체 액적에 의한 베이스 플레이트 및 홀딩 플레이트 둘 모두의 접촉을 용이하게 한다.Preferably, the droplet comprises a material that has a high surface tension with respect to the surface of the base plate and/or the holding plate, opposite the gap between the base plate and the holding plate. Using a heat absorbing material with high surface tension preferably facilitates contact of both the base plate and the holding plate by liquid droplets.

추가적으로 또는 대안적으로, 링은 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극 내에 액적의 위치를 고정하기 위한 수단을 제공한다.Additionally or alternatively, the ring provides a means for fixing the position of the droplet within the gap between the base plate and the holding plate.

바람직하게는, 링은 가요성 또는 탄성 재료로 제조된다. 이러한 실시형태의 링은 또한, 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극을 따르는 방향에서 상기 액적의 팽창을 용이하게 한다.Preferably, the ring is made of flexible or elastic material. The ring of this embodiment also facilitates expansion of the droplet in a direction along the gap between the base plate and the holding plate.

한 실시형태에서, 베이스 플레이트 및/또는 홀딩 플레이트는 포켓의 어레이를 구비하는데, 상기 포켓의 어레이의 포켓에서 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이의 간극의 폭은, 상기 포켓 주위의 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이의 간극의 폭보다 더 크고, 상기 포켓의 어레이의 각각의 포켓은 상기 액적의 어레이의 하나의 액적을 홀딩하도록 배열된다. 각각의 포켓은 또한 오목부 또는 함몰부, 특히 얕은 오목부 또는 함몰부로서 제공될 수도 있다는 것을 유의한다. 포켓은, 간극과 대향하는 베이스 플레이트의 표면 및/또는 간극과 대향하는 홀딩 플레이트의 표면에 배열된다. 바람직하게, 상기 포켓의 깊이는 상기 액적의 높이 보다 더 작다. 포켓은, 특히 링을 사용할 필요 없이, 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극 내에 액적의 위치를 고정시키기 위한 수단을 제공한다. 액적의 위치를 실질적으로 고정시키기 위해 어떠한 링 또는 다른 수단도 필요 없기 때문에, 액적은 서로 가깝게 배열될 수 있는데, 이것은 홀딩 플레이트의 제2 면에 있는 영역에 걸쳐 열 흡수 재료의 더 나은 커버리지를 제공한다.In one embodiment, the base plate and/or holding plate has an array of pockets, wherein the width of the gap between the base plate and the holding plate at a pocket of the array of pockets is such that the width of the gap between the base plate and the holding plate around the pocket is greater than the width of the gap, and each pocket of the array of pockets is arranged to hold one droplet of the array of droplets. It is noted that each pocket may also be provided as a depression or depression, in particular a shallow depression or depression. The pockets are arranged on the surface of the base plate opposite the gap and/or on the surface of the holding plate opposite the gap. Preferably, the depth of the pocket is smaller than the height of the droplet. The pocket provides a means for fixing the position of the droplet within the gap between the base plate and the holding plate, in particular without the need to use a ring. Since no rings or other means are required to substantially fix the position of the droplets, the droplets can be arranged close together, which provides better coverage of the heat absorbing material over the area on the second side of the holding plate. .

한 실시형태에서, 상기 포켓의 어레이의 적어도 하나의 포켓은, 원추형(cone), 원추형 절두체(conical frustum), 잘린 구(truncated sphere), 또는 구형 절두체(spherical frustum)로서 실질적으로 성형된다. 바람직하게는, 포켓은, 포켓의 원주 방향 에지에서의 또는 그 근처의 간극의 폭이 포켓의 중심의 또는 그 근처의 간극의 폭보다 더 작도록 성형된다. 이 경우, 포켓의 형상은, 특히 PCM이, 간극과 대향하는 홀딩 플레이트 및/또는 베이스 플레이트의 표면과의 접착보다 더 큰 응집력을 나타낼 때, 실질적으로 소망하는 위치 상에서 액적을 홀딩하는 것을 돕는다.In one embodiment, at least one pocket of the array of pockets is substantially shaped as a cone, conical frustum, truncated sphere, or spherical frustum. Preferably, the pocket is shaped so that the width of the gap at or near the circumferential edge of the pocket is smaller than the width of the gap at or near the center of the pocket. In this case, the shape of the pocket substantially helps to hold the droplet on the desired position, especially when the PCM exhibits greater cohesion than the adhesion with the surface of the holding plate and/or base plate opposing the gap.

한 실시형태에서, 간극과 대향하는 베이스 플레이트의 표면이 포켓의 어레이를 포함하는데, 상기 포켓의 어레이의 각각의 포켓은 상기 포켓에 걸치며 상기 포켓의 저부 표면(bottom surface)으로부터 이격되어 배열되는 탄성 부재를 포함하고, 각각의 포켓은 상기 액적의 어레이로부터의 액적을 포함하고, 상기 액적은 상기 탄성 부재와 홀딩 플레이트 사이에 배열된다. 탄성 부재는 포켓의 저부 표면을 향하는 탄성 부재의 굴곡에 의해, 간극에 실질적으로 수직인 방향에서 임의의 잔류 팽창을 흡수하기 위한 수단을 제공한다. 또한, 탄성 부재는, 액적과 커버 플레이트 사이의 안정한 접촉을 보장 및 제공하기 위해, 액적을 커버 플레이트를 향하여 푸시하는 것을 도울 수 있다. 바람직하게는, 탄성 부재의 탄성은, 굴곡된 탄성 부재에 의해 제공되는 스프링력이 홀딩 플레이트의 국소적인 변형으로 실질적으로 나타나지 않도록 선택된다.In one embodiment, the surface of the base plate opposite the gap includes an array of pockets, each pocket of the array of pockets spanning the pocket and an elastic member arranged spaced apart from the bottom surface of the pocket. wherein each pocket contains a droplet from the array of droplets, the droplets being arranged between the elastic member and the holding plate. The elastic member provides a means for absorbing any residual expansion in a direction substantially perpendicular to the gap by bending the elastic member toward the bottom surface of the pocket. Additionally, the elastic member may help push the droplet toward the cover plate to ensure and provide stable contact between the droplet and the cover plate. Preferably, the elasticity of the elastic member is selected such that the spring force provided by the curved elastic member substantially results in a local deformation of the holding plate.

한 실시형태에서, 탄성 부재와 홀딩 플레이트 사이의 거리는, 홀딩 플레이트와 포켓에 인접한 베이스 플레이트의 표면 사이의 거리보다 더 크다. 따라서, 탄성 부재는 대응하는 포켓의 내부에 배열된다. 한편으로, 탄성 부재가 포켓의 저부 표면을 향해 굴곡되는 것을 허용하기 위해, 탄성 부재는 포켓의 저부 표면으로부터 이격되어 배열된다. 한편, 탄성 부재는 포켓을 둘러싸는 베이스 플레이트의 표면 아래에 배열되는데, 이것은 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극 내에 액적의 위치를 고정시키는 수단을 제공한다.In one embodiment, the distance between the elastic member and the holding plate is greater than the distance between the holding plate and the surface of the base plate adjacent the pocket. Accordingly, the elastic member is arranged inside the corresponding pocket. On the one hand, the elastic member is arranged at a distance from the bottom surface of the pocket, in order to allow the elastic member to bend towards the bottom surface of the pocket. Meanwhile, an elastic member is arranged under the surface of the base plate surrounding the pocket, which provides a means of fixing the position of the droplet within the gap between the base plate and the holding plate.

한 실시형태에서, 탄성 부재는 커버, 바람직하게는 커버 플레이트를 포함한다. 따라서, 커버 또는 커버 플레이트는 포켓의 저부 표면을 덮고, 바람직하게는, 포켓의 저부 표면과 커버 또는 커버 플레이트 사이의 포켓의 부분을, 커버 또는 커버 플레이트 위의 포켓의 부분으로부터 분리한다. 한 실시형태에서, 커버 또는 커버 플레이트는 실질적으로 편평하다. 이러한 편평한 커버 또는 커버 플레이트는, 상기 커버 또는 커버 플레이트를, 적절한 재료의 큰 부분으로부터 절단하는 것에 의해 용이하게 제조될 수 있다. 대안적인 실시형태에서, 커버 또는 커버 플레이트는 편평하지 않고 원추형, 원추형 절두체, 잘린 구, 또는 구형 절두체로서 성형되는 것이 바람직하다. 이러한 비평면 커버 플레이트는, 커버 또는 커버 플레이트를 포켓의 저부 표면을 향해 굴곡시키는 것에 의해, 간극에 실질적으로 수직한 방향에서 임의의 잔류 팽창을 흡수하는 이점 외에도 원추 형상의 포켓과 관련하여 상기에서 설명되는 바와 같은 동일한 이점을 제공한다. 한 실시형태에서, 커버 또는 커버 플레이트는, 컵 형상의 커버 또는 커버 플레이트를 지지하기 위해 베이스 플레이트와 적어도 부분적으로 접촉하도록 배치되는 원주 방향의 플랜지를 갖는 컵으로서 성형된다.In one embodiment, the elastic member comprises a cover, preferably a cover plate. Accordingly, the cover or cover plate covers the bottom surface of the pocket and preferably separates the portion of the pocket between the bottom surface of the pocket and the cover or cover plate from the portion of the pocket above the cover or cover plate. In one embodiment, the cover or cover plate is substantially flat. Such flat covers or cover plates can be easily manufactured by cutting the covers or cover plates from large pieces of suitable material. In alternative embodiments, the cover or cover plate is preferably not flat but is shaped as a cone, conical frustum, truncated sphere, or spherical frustum. Such non-planar cover plates are described above in relation to conical pockets in addition to the advantage of absorbing any residual expansion in a direction substantially perpendicular to the gap by bending the cover or cover plates towards the bottom surface of the pocket. It provides the same benefits as before. In one embodiment, the cover or cover plate is molded as a cup with a circumferential flange disposed to at least partially contact the base plate to support the cup-shaped cover or cover plate.

한 실시형태에서, 각각의 포켓은 상기 탄성 부재의 에지의 적어도 일부, 바람직하게는 커버 또는 커버 플레이트의 원주 방향 에지를 지지하기 위한 지지 엘리먼트(support element)를 상기 포켓 내에 포함한다. 따라서, 지지 엘리먼트는 탄성 부재의 탄성 부재의 에지의 적어도 일부를 지지하도록 배열되는데, 이것은 탄성 부재의 중심 부분이 포켓의 저부 표면을 향해 굴곡되는 것을 허용한다. 바람직하게는, PCM의 액적은 탄성 부재의 상부 상에서 실질적으로 중앙에 배열된다.In one embodiment, each pocket comprises within the pocket a support element for supporting at least a portion of an edge of the elastic member, preferably a circumferential edge of the cover or cover plate. Accordingly, the support element is arranged to support at least a portion of an edge of the elastic member, which allows the central portion of the elastic member to bend towards the bottom surface of the pocket. Preferably, the droplets of PCM are arranged substantially centrally on top of the elastic member.

한 실시형태에서, 지지 엘리먼트는 상기 포켓의 원주 방향 측벽에 배열되는 림(rim) 또는 스텝(step)을 포함한다. 바람직하게는 포켓 주위의 원주에서 연장되는 림 또는 스텝은, 먼저, 베이스 플레이트에서 제1 직경을 갖는 제1 포켓 부분을 제1 미리 결정된 깊이까지 제조하는 것, 및 후속하여, 제1 포켓 부분에서 실질적으로 중앙에 제1 직경보다 더 작은 제2 직경을 갖는 제2 포켓 부분을 제2의 미리 결정된 깊이까지 제조하는 것에 의해 상대적으로 용이하게 제조될 수 있다. 대안적으로, 이러한 림 또는 스텝은, 먼저, 제2 직경을 갖는 포켓 부분을 포켓의 미리 결정된 깊이까지 제조하는 것, 및 후속하여, 제1 포켓 부분 내에서 림 또는 스텝의 레벨까지 아래로 회전 커터를 삽입하는 것, 및, 일정한 레벨 또는 깊이를 홀딩하면서, 제1 포켓 부분 주위의 베이스 플레이트의 재료를 깎아 내기 위해, 제1 포켓 부분 주위에서 원형으로 그리고 제1 직경까지 바깥쪽 방향으로 회전 커터를 구동하는 것에 의해 제조될 수 있다. 이것은 상기 미리 결정된 깊이에 배열되는 림 또는 스텝을 산출한다. 제1 직경보다 더 작은, 그러나 제2 직경보다 더 큰 직경을 갖는 탄성 부재를 사용하는 것에 의해, 탄성 부재의 에지는 상기 림 또는 스텝의 상부 상에 놓인다.In one embodiment, the support element includes a rim or step arranged on a circumferential side wall of the pocket. The rim or step preferably extends circumferentially around the pocket, firstly producing a first pocket portion having a first diameter in the base plate to a first predetermined depth, and subsequently substantially It can be manufactured relatively easily by manufacturing a second pocket portion with a second diameter smaller than the first diameter at its center to a second predetermined depth. Alternatively, such a rim or step may include first manufacturing a pocket portion having a second diameter to a predetermined depth of the pocket, and subsequently rotating the cutter within the first pocket portion down to the level of the rim or step. inserting a cutter that rotates circularly around the first pocket portion and outward to a first diameter to cut away material of the base plate about the first pocket portion while holding a constant level or depth. It can be manufactured by driving. This yields a rim or step arranged at the predetermined depth. By using an elastic member having a diameter smaller than the first diameter but larger than the second diameter, the edge of the elastic member rests on top of the rim or step.

한 실시형태에서, 각각의 포켓은, 홀딩 플레이트와 탄성 커버 플레이트 사이의 간극 내에 배열되는 링 또는 루프를 포함하는데, 링 또는 루프는 상기 포켓 내의 액적을 둘러싸도록 배열된다. 링 또는 루프는 상기 포켓 내에, 바람직하게는 상기 탄성 커버 플레이트의 상부 상에 배열되고, 상기 포켓 내에서 PCM 액적에 대한 구속 부재(confinement member)로서 작용한다.In one embodiment, each pocket includes a ring or loop arranged within the gap between the holding plate and the elastic cover plate, the ring or loop arranged to surround the droplet within the pocket. A ring or loop is arranged within the pocket, preferably on the top of the elastic cover plate, and acts as a confinement member for the PCM droplet within the pocket.

한 실시형태에서, 상기 링 또는 루프의 두께는, 홀딩 플레이트와 탄성 커버 플레이트 사이의 거리보다 더 작다. 바람직하게는, 링 또는 루프의 치수 및/또는 재료는, 온도에서의, 특히 기판 홀딩 디바이스의 작동 온도 범위 내에서의, 변화에 기인한 링 또는 루프의 임의의 팽창 또는 수축에 무관하게, 상기 링 또는 루프의 두께가 탄성 커버 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 폭보다 더 작게 홀딩되도록 선택된다. 링 또는 루프는 커버 플레이트 및 홀딩 플레이트 중 임의의 하나와만 접촉한다.In one embodiment, the thickness of the ring or loop is less than the distance between the holding plate and the elastic cover plate. Preferably, the dimensions and/or material of the ring or loop are such that the ring or loop is independent of any expansion or contraction of the ring or loop due to changes in temperature, especially within the operating temperature range of the substrate holding device. Alternatively, the thickness of the loop is selected to be held smaller than the width between the elastic cover plate and the holding plate. The ring or loop only contacts any one of the cover plate and the holding plate.

한 실시형태에서, 링 또는 루프는 가요성 또는 탄성 재료로 제조된다. 이러한 실시형태의 링 또는 루프는 또한, 특히 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극을 따르는 방향에서, 상기 링 또는 루프 내부의 PCM의 액적의 팽창을 용이하게 한다.In one embodiment, the ring or loop is made from a flexible or elastic material. The ring or loop of this embodiment also facilitates expansion of the droplet of PCM inside the ring or loop, especially in the direction along the gap between the base plate and the holding plate.

한 실시형태에서, 링 또는 루프는 실질적으로 직사각형 단면을 포함한다. 특히, 링 또는 루프는 홀딩 플레이트의 제1 면에 실질적으로 수직인 방향에서 직사각형 단면을 포함한다. 바람직하게는, 링 또는 루프는 실질적으로 편평한 상부 표면을 포함하는데, 실질적으로 편평한 상부 표면은 홀딩 플레이트의 제2 면과 대향하여 배열된다. 이 실시형태는, 액체 PCM의 밀도가 링 또는 루프의 재료의 밀도보다 더 높은 경우에 특히 유리하다. 이 경우, 링 또는 루프는, PCM 재료가 액체 상태에 있을 때 그것 상에서 '부유'할 것인데, 이것은 링 또는 루프를 홀딩 플레이트의 제2 면을 향해 푸시할 것이고, 링 또는 루프의 편평한 상부 표면이 홀딩 플레이트의 제2 면에 접하는 것 및 PCM의 구속을 제공하는 것을 허용할 것이다.In one embodiment, the ring or loop comprises a substantially rectangular cross-section. In particular, the ring or loop comprises a rectangular cross-section in a direction substantially perpendicular to the first face of the holding plate. Preferably, the ring or loop comprises a substantially flat upper surface arranged opposite the second side of the holding plate. This embodiment is particularly advantageous if the density of the liquid PCM is higher than the density of the material of the ring or loop. In this case, the ring or loop will 'float' on the PCM material when it is in a liquid state, which will push the ring or loop towards the second side of the holding plate, with the flat upper surface of the ring or loop holding the holding plate. This will allow abutting the second side of the plate and providing restraint of the PCM.

한 실시형태에서, 베이스 플레이트는, 상기 포켓의 저부 표면에서 개구되고(debouche), 바람직하게는 상기 포켓의 실질적으로 중심부에서 개구되는 통기 구멍(venting hole)을 구비한다. 통기 구멍에 기인하여, 저부 표면과 탄성 커버 플레이트 사이의 포켓 부분 내부의 압력은, 탄성 커버 플레이트의 굴곡에 의해 실질적으로 변경되지 않는다.In one embodiment, the base plate has a venting hole opening at the bottom surface of the pocket, preferably at a substantially central portion of the pocket. Due to the vent holes, the pressure inside the pocket portion between the bottom surface and the elastic cover plate is substantially unchanged by bending of the elastic cover plate.

기판 프로세싱 장치 또는 기판 이미징 장치에서 사용하기 위한 한 실시형태에서, 상기 액적의 어레이의 액적은, 적어도 상기 기판의 프로세싱 동안의 상기 기판 프로세싱 장치의 온도, 또는 적어도 상기 기판의 이미징 동안의 상기 기판 이미징 장치의 온도에서 또는 그 근처에서 용융 온도 또는 용융 범위를 갖는 재료를 포함한다. 바람직하게는, 상기 액적의 어레이의 액적은, 산업용 냉각제의 동작 온도에서 또는 그 근처에서 용융 온도 또는 용융 범위를 갖는 재료를 포함한다. 바람직하게는, 사용에서, 상기 기판 프로세싱 장치의 온도는, 바람직하게는 실온이거나 또는 그 약간 아래인, 바람직하게는 섭씨 18 도이거나 또는 그 약간 아래인 산업용 냉각제의 동작 온도에 가깝거나 또는 그 동작 온도 약간 위에 있다. 따라서, 상기 기판 프로세싱 장치 또는 기판 이미징 장치의 기계 부품이 온도에서 상승될 필요가 없고, 산업용 냉각제는, 본 발명에 따른 기판 홀딩 디바이스를 포함하는 기판 프로세싱 장치 또는 기판 이미징 장치에 의해 또는 그것에서 쉽게 도포될 수 있다.In one embodiment for use in a substrate processing device or a substrate imaging device, the droplets of the array of droplets are at least at a temperature of the substrate processing device during processing of the substrate, or at least at a temperature of the substrate imaging device during imaging of the substrate. It includes materials having a melting temperature or melting range at or near a temperature of Preferably, the droplets of the array of droplets comprise a material having a melting temperature or melting range at or near the operating temperature of the industrial coolant. Preferably, in use, the temperature of the substrate processing device is close to or the operating temperature of the industrial coolant, preferably at or slightly below room temperature, preferably at or slightly below 18 degrees Celsius. It's slightly above. Accordingly, the mechanical components of the substrate processing device or substrate imaging device do not need to be elevated in temperature, and the industrial coolant is easily applied by or in the substrate processing device or substrate imaging device comprising the substrate holding device according to the invention. It can be.

한 실시형태에서, 간극은 기판 홀딩 디바이스의 외부로의 개방 연결을 포함한다. 간극 내부의 공기 압력 또는 진공 압력은, 기판 홀딩 디바이스 외부의 공기 압력 또는 진공 압력과 실질적으로 동일하다. 한 실시형태에서, 간극은 기판 홀딩 디바이스의 주위 측면 에지(surrounding side edge)에서 실질적으로 개방되고, 바람직하게는 간극은, 실질적으로, 기판 홀딩 디바이스의 완전한 주위 측면 에지를 따라 실질적으로 개방된다.In one embodiment, the gap comprises an open connection to the outside of the substrate holding device. The air or vacuum pressure inside the gap is substantially equal to the air or vacuum pressure outside the substrate holding device. In one embodiment, the gap is substantially open at a surrounding side edge of the substrate holding device, preferably the gap is substantially open along a complete surrounding side edge of the substrate holding device.

제2 양태에 따르면, 본 발명은 다음을 포함하는 기판 홀딩 디바이스를 제공한다:According to a second aspect, the present invention provides a substrate holding device comprising:

홀딩 플레이트(holding plate) - 홀딩 플레이트는 기판을 홀딩하기 위한 제1 면을 포함함 - ,Holding plate - the holding plate includes a first side for holding the substrate -

홀딩 플레이트로부터 일정 거리에 배열되며 제1 면으로부터 멀어지게 대향하는 홀딩 플레이트의 제2 면에서 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이에 간극을 제공하는 베이스 플레이트,a base plate arranged at a certain distance from the holding plate and providing a gap between the base plate and the holding plate on a second side of the holding plate facing away from the first side;

적어도, 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이 내에 배열되는 지지체의 어레이, 및At least, an array of supports arranged within between the holding plate and the base plate, and

열 흡수 재료의 액적의 어레이 - 상기 액적은 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트의 사이 내에 배열되고, 액적은 홀딩 플레이트의 제1 면에 실질적으로 수직인 방향에서 홀딩 플레이트 및 베이스 플레이트에 의해 구속되고, 액적은, 적어도 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극을 따르는 방향에서, 상기 액적의 팽창을 가능하게 하도록 배열됨 - .an array of droplets of heat absorbing material, wherein the droplets are arranged between a holding plate and a base plate, the droplets being confined by the holding plate and the base plate in a direction substantially perpendicular to the first side of the holding plate, the droplets comprising: arranged to enable expansion of the droplet, at least in a direction along the gap between the base plate and the holding plate.

바람직하게는 액체 및/또는 고체 액적을 포함하는 액적의 어레이는, 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이에서 실질적으로 구속된다. 따라서, 액적은 홀딩 플레이트 및 베이스 플레이트 둘 모두와 접촉한다. 이것은, 특히, 개개의 액적의 체적 및/또는 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극의 폭의 적절한 선택에 의해 배열될 수 있다. 홀딩 플레이트와 액적 사이의 접촉은, 한편으로는, 홀딩 플레이트로부터 열 흡수 재료의 액적으로 적절한 열 전도를 제공하고, 다른 한편으로는, 베이스 플레이트와 액적 사이의 접촉은, 베이스 플레이트로부터 열 흡수 재료의 액적으로 적절한 열 전도를 제공한다.Preferably the array of droplets comprising liquid and/or solid droplets is substantially confined between the holding plate and the base plate. Therefore, the droplet contacts both the holding plate and the base plate. This can be arranged, in particular, by appropriate selection of the volume of the individual droplets and/or the width of the gap between the base plate and the holding plate. The contact between the holding plate and the droplet, on the one hand, provides adequate heat conduction from the holding plate to the droplet of the heat-absorbing material, and on the other hand, the contact between the base plate and the droplet provides the transfer of heat from the base plate to the droplet. The droplets provide adequate heat conduction.

제3 양태에 따르면, 본 발명은 샘플을 프로세싱 또는 이미징하기 위한 장치를 제공하는데, 상기 장치는According to a third aspect, the invention provides a device for processing or imaging a sample, the device comprising:

전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 입자에 대한 소스,a source for electromagnetic radiation or energetic particles;

상기 샘플을 상기 전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 입자에 노광시키기 위한 노광 유닛; 및an exposure unit for exposing the sample to the electromagnetic radiation or energetic particles; and

적어도 상기 노광 동안 상기 샘플을 홀딩하기 위한 상기에서 설명되는 바와 같은 기판 홀딩 디바이스, 또는 그것의 한 실시형태를 포함한다.At least a substrate holding device as described above for holding the sample during the exposure, or an embodiment thereof.

한 실시형태에서, 노광 유닛은, 전자기 방사선 또는 하전 입자의 적어도 일부를 적어도 부분적으로 및/또는 일시적으로 조작 및/또는 차단하기 위한 컴포넌트를 포함하는데, 컴포넌트는 도관을 통해 냉각 유체를 안내하기 위한 도관을 구비하고, 도관은 컴포넌트와 열적으로 접촉하여 배열된다. 따라서, 도관 내의 냉각 유체는, 전자기 방사선 또는 하전 입자의 적어도 일부를 컴포넌트에 의해 상기 부분적으로 및/또는 일시적으로 조작 및/또는 차단하는 것에 의해 생성되는 열을 제거하도록 배열된다. 이러한 컴포넌트는, 예를 들면, 다이어프램, 정전 빔 편향기(electrostatic beam deflector), 또는 정전기 또는 자기 렌즈 시스템(electrostatic or magnetic lens system)을 포함한다.In one embodiment, the exposure unit comprises a component for manipulating and/or blocking at least partially and/or temporarily at least some of the electromagnetic radiation or charged particles, the component comprising: a conduit for guiding cooling fluid through the conduit; and the conduit is arranged in thermal contact with the component. Accordingly, the cooling fluid in the conduit is arranged to remove heat generated by said partially and/or temporarily manipulating and/or blocking at least a portion of electromagnetic radiation or charged particles by the component. These components include, for example, a diaphragm, an electrostatic beam deflector, or an electrostatic or magnetic lens system.

일반적으로, 노광 유닛은 기판 홀딩 디바이스로부터 멀어지게 대향하는 기판의 면에 배열된다. 노광 유닛이 전자기 방사선 또는 하전 입자의 적어도 일부를 적어도 부분적으로 및/또는 일시적으로 조작 및/또는 차단하기 위한 하나 이상의 컴포넌트를 포함하는 경우, 상기 컴포넌트는 사용시 가열된다. 예를 들면, 상기 전자기 방사선 또는 하전 입자의 적어도 일부가 컴포넌트에 충돌할 때. 노광 동안 기판에 충돌하는 전자기 방사선 또는 하전 입자에 의해 생성되는 열 이외에, 노광 유닛의 하나 이상의 컴포넌트로부터의 복사열(radiant heat)은, 특히 하나 이상의 컴포넌트가 기판의 표면에 근접하여 배열되는 경우에, 기판을 추가로 가열시킬 수 있다. 노광 유닛으로부터의 이러한 추가적인 열은 또한, 본 발명의 기판 홀딩 디바이스의 열 흡수 재료에 의해 흡수될 것인데, 이것은, 특히 열 흡수 재료가 PCM인 경우, 열 흡수 재료의 더 빠른 소모로 나타난다. 따라서, 노광 유닛으로부터의 추가적인 열을 가능한 한 감소시키는 것, 및 본 발명의 기판 홀딩 디바이스를, 상기 노광 유닛의 상기 적어도 하나의 컴포넌트를 냉각시키기 위한 냉각 장치(cooling arrangement)를 갖는 노광 유닛과 결합하는 것이 유리하다.Generally, the exposure unit is arranged on the side of the substrate facing away from the substrate holding device. If the exposure unit comprises one or more components for manipulating and/or blocking at least partially and/or temporarily at least some of the electromagnetic radiation or charged particles, these components are heated in use. For example, when at least some of the electromagnetic radiation or charged particles impinge on a component. In addition to the heat generated by electromagnetic radiation or charged particles impinging on the substrate during exposure, radiant heat from one or more components of the exposure unit may affect the substrate, especially if one or more components are arranged in close proximity to the surface of the substrate. can be additionally heated. This additional heat from the exposure unit will also be absorbed by the heat absorbing material of the substrate holding device of the invention, which results in faster consumption of the heat absorbing material, especially if the heat absorbing material is PCM. Accordingly, reducing the additional heat from the exposure unit as much as possible, and combining the substrate holding device of the invention with an exposure unit having a cooling arrangement for cooling the at least one component of the exposure unit. It is advantageous.

한 실시형태에서, 투사 렌즈 시스템(projection lens system)이 멀티 빔 하전 입자 리소그래피 시스템에서의 사용을 위해 배열되는데, 도관의 적어도 제1 부분은 두 개의 하전 입자 빔 사이의 영역에 배열되고, 도관의 상기 제1 부분의 중심 축은 노광 유닛의 중심 축 또는 광학 축에 실질적으로 수직인 방향에서 연장된다. 따라서, 도관의 제1 부분은, 사용시, 하전 입자 빔이 투사 렌즈 시스템을 통해 이동하는 영역에 근접하게 배열되는데, 이것은 이 영역으로부터의 임의의 생성된 열을 효과적으로 제거하는 것을 허용한다.In one embodiment, a projection lens system is arranged for use in a multi-beam charged particle lithography system, wherein at least a first portion of the conduit is arranged in a region between two charged particle beams, the conduit comprising: The central axis of the first portion extends in a direction substantially perpendicular to the central axis or optical axis of the exposure unit. Accordingly, the first portion of the conduit is, in use, arranged close to the area through which the charged particle beam travels through the projection lens system, which allows effective removal of any generated heat from this area.

한 실시형태에서, 도관의 적어도 제2 부분은, 도관의 상기 제2 부분의 중심 축이 노광 유닛의 중심 축 또는 광학 축에 실질적으로 평행한 방향에서 연장되게끔 연장하도록 배열된다. 따라서, 도관의 제1 부분은, 사용시, 기판과 대향하는 노광 유닛의 제1 단부에 또는 그 근처에 배열될 수 있다. 도관의 제2 부분은, 노광 유닛의 상기 제1 단부로부터 멀어지는 도관의 연장부를 제공하는데, 이것은, 제1 단부로부터 적절하게 이격되는 유체에 대한 입력 및/또는 출력 연결을 제공하는 것, 및 노광 유닛의 제1 단부를 기판의 아주 가깝게 배열하는 것을 허용한다. 한 실시형태에서, 상기 컴포넌트는 노광 유닛의 상기 제1 단부에 배열되는 투사 렌즈 시스템을 포함한다.In one embodiment, at least the second portion of the conduit is arranged to extend such that the central axis of the second portion of the conduit extends in a direction substantially parallel to the central axis or optical axis of the exposure unit. Accordingly, the first portion of the conduit may, in use, be arranged at or near the first end of the exposure unit opposite the substrate. The second portion of the conduit provides an extension of the conduit away from the first end of the exposure unit, which provides an input and/or output connection for fluid suitably spaced from the first end, and an exposure unit. allows the first end of the to be arranged very close to the substrate. In one embodiment, the component includes a projection lens system arranged at the first end of the exposure unit.

제4 양태에 따르면, 본 발명은 전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 하전 입자로 기판을 노광하기 위한 노광 유닛에서 사용하기 위한 투사 렌즈 시스템에 관한 것으로, 투사 렌즈 시스템은 전자기 방사선 또는 하전 입자의 적어도 일부를 적어도 부분적으로 및/또는 일시적으로 조작 및/또는 차단하기 우한 컴포넌트를 포함하고, 컴포넌트는 도관을 통해 냉각 유체를 안내하기 위한 도관을 구비하고, 도관은 컴포넌트와 열 접촉하여 배열된다.According to a fourth aspect, the invention relates to a projection lens system for use in an exposure unit for exposing a substrate with electromagnetic radiation or charged particles having energy, wherein the projection lens system transmits at least a portion of the electromagnetic radiation or charged particles. It includes a component capable of being partially and/or temporarily manipulated and/or blocked, the component having a conduit for guiding cooling fluid therethrough, the conduit being arranged in thermal contact with the component.

투사 렌즈 시스템은, 예를 들면, 온도 안정화 리소그래픽 시스템에서 사용하기 위한 온도 제어 노광 유닛을 상응하게 제공한다. 투사 렌즈는, 리소그래피 시스템을 안정적이고 내부적으로 적합한, 즉 균형 잡힌 열적 상태에 있게 하기 위해, 통상적인 팹 온도의 온도 범위 내의 온도 범위로 능동적으로 잘 냉각되고, 그에 의해, 노광에서의 궁극적인 정확도 및 현대의 리소그래피 내에서 과도하게 요구되는 바와 같이, 장치 설계에서의 복잡성을 제거하고, 한편으로는 에너지를 절약하고, 다른 한편으로는, 최적의 노광 조건을 촉진시킨다.The projection lens system correspondingly provides a temperature-controlled exposure unit for use, for example, in temperature-stabilized lithographic systems. The projection lens is actively well cooled to a temperature range within the range of typical fab temperatures to ensure that the lithography system is in a stable and internally suitable, i.e. balanced, thermal state, thereby ensuring ultimate accuracy and stability in exposure. It eliminates complexity in device design, saves energy on the one hand, and promotes optimal exposure conditions on the other, as is excessively demanded within modern lithography.

한 실시형태에서, 투사 렌즈 시스템은 멀티 빔 하전 입자 리소그래피 시스템에서의 사용을 위해 배열되는데, 도관의 적어도 제1 부분은 두 개의 하전 입자 빔 사이의 영역에 배열되고, 도관의 상기 제1 부분의 중심 축은 투사 렌즈 시스템의 중심 축 또는 광학 축에 실질적으로 수직인 방향에서 연장된다.In one embodiment, the projection lens system is arranged for use in a multi-beam charged particle lithography system, wherein at least a first portion of the conduit is arranged in a region between two charged particle beams, and wherein at least a first portion of the conduit is disposed at the center of the first portion of the conduit. The axis extends in a direction substantially perpendicular to the central axis or optical axis of the projection lens system.

한 실시형태에서, 도관의 적어도 제2 부분은, 도관의 상기 제2 부분의 중심 축이 투사 렌즈 시스템의 중심 축 또는 광학 축에 실질적으로 평행한 방향에서 연장되게끔 연장하도록 배열된다.In one embodiment, at least the second portion of the conduit is arranged to extend such that the central axis of the second portion of the conduit extends in a direction substantially parallel to the central axis or optical axis of the projection lens system.

제5 양태에 따르면, 본 발명은 홀딩 플레이트 - 홀딩 플레이트는 기판을 홀딩하기 위한 제1 면을 포함함 - , 홀딩 플레이트로부터 일정 거리에 배열되며, 제1 면으로부터 멀어지게 대향하는 홀딩 플레이트의 제2 면에서 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이에 간극을 제공하는 베이스 플레이트, 적어도 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이 내에서 배열되는 지지체의 어레이, 및 열 흡수 재료의 액적의 어레이를 포함하는 기판 홀딩 디바이스를 제조하기 위한 방법을 제공하는데, 그 방법은:According to a fifth aspect, the present invention provides a holding plate, the holding plate comprising a first side for holding a substrate, a second side of the holding plate arranged at a certain distance from the holding plate and facing away from the first side. A method for manufacturing a substrate holding device comprising a base plate providing a gap between the base plate and the holding plate in plane, an array of supports arranged at least within between the holding plate and the base plate, and an array of droplets of heat absorbing material. This method is:

지지체로부터 그리고 상기 액적의 어레이의 다른 액적으로부터 이격되는 액적을 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이 내에 배열하는 단계를 포함하는데, 액적은 적어도 그들의 액상에서, 홀딩 플레이트 및 베이스 플레이트 둘 모두와 접촉하도록 배열되고, 및/또는 액적은 홀딩 플레이트의 제1 면에 실질적으로 수직인 방향에서 홀딩 플레이트 및 베이스 플레이트에 의해 구속되고, 액적은 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이의 간극을 따르는 방향에서 상기 액적의 팽창을 가능하게 하도록 배열된다.Arranging droplets spaced from a support and from other droplets of the array of droplets within between a holding plate and a base plate, wherein the droplets are arranged to contact both the holding plate and the base plate, at least in their liquid phase, and /or the droplet is constrained by the holding plate and the base plate in a direction substantially perpendicular to the first side of the holding plate, and the droplet is arranged to enable expansion of the droplet in a direction along the gap between the base plate and the holding plate. do.

제6 양태에 따르면, 본 발명은 기판 홀딩 디바이스를 조립하기 위한 방법에 관한 것으로, 그 방법은 다음의 단계를 포함한다:According to a sixth aspect, the invention relates to a method for assembling a substrate holding device, the method comprising the following steps:

홀딩 플레이트 - 홀딩 플레이트는 기판을 홀딩하기 위한 제1 면을 포함함 - , 및 제1 면으로부터 멀어지게 대향하는 상기 홀딩 플레이트의 제2 면에 고정되는 지지체 - 지지체는 제2 면에 실질적으로 수직으로 연장되도록 배열됨 - 의 어레이를 제공하는 단계;a holding plate, the holding plate comprising a first side for holding a substrate, and a support fixed to a second side of the holding plate facing away from the first side, the support being substantially perpendicular to the second side. arranged to extend - providing an array of;

지지체를 장착하기 위한 구멍의 어레이를 내부에 포함하는 베이스 플레이트를 제공하는 단계;providing a base plate including therein an array of holes for mounting a support;

홀딩 플레이트 상에서 베이스 플레이트와 대향하는 면에서, 또는 베이스 플레이트 상에서 홀딩 플레이트와 대향하는 면에서, 지지체로부터 그리고 액적의 어레이의 다른 액적으로부터 이격되는 열 흡수 재료의 상기 액적의 어레이를 배열하는 단계;arranging the array of droplets of heat absorbing material spaced apart from a support and from other droplets of the array of droplets on a holding plate on a side opposite the base plate, or on a side opposite the base plate and the holding plate;

홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이의 원하는 거리가 도달될 때까지 지지체 - 지지체는 구멍 내에 위치되고, 액적의 어레이는 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이의 간극에 배열됨 - 를 갖는 홀딩 플레이트 및 베이스 플레이트를 서로를 향해 이동시키는 단계; 및The holding plate and the base plate with the support - the support is positioned in the hole and the array of droplets are arranged in the gap between the holding plate and the base plate - are directed towards each other until the desired distance between the holding plate and the base plate is reached. moving; and

상기 지지체 중 하나 이상을 대응하는 구멍에 고정시키는 단계.Fixing one or more of the supports into corresponding holes.

한 실시형태에서, 지지체는 접착제 연결을 통해 상기 제2 면에 고정된다. 한 실시형태에서, 하나 이상의 지지체는 접착제 연결을 통해 대응하는 구멍에서 고정되는데, 접착제 연결은 구멍과 상기 구멍 안으로 연장되는 지지체 사이의 원주 방향 간극에서 제공된다.In one embodiment, the support is secured to the second side via an adhesive connection. In one embodiment, one or more supports are secured in corresponding holes via adhesive connections, the adhesive connections being provided in a circumferential gap between the holes and the supports extending into the holes.

제7 양태에 따르면, 본 발명은, 샘플을 프로세싱 또는 이미징하기 위한 장치, 바람직하게는 리소그래피 시스템, 더욱 바람직하게는 하전 입자 빔 리소그래피 시스템, 예컨대 멀티 빔 하전 입자 리소그래피 시스템에서 상기에서 설명되는 바와 같은 그러한 기판 홀딩 디바이스의 사용에 관한 것이다.According to a seventh aspect, the invention relates to an apparatus for processing or imaging a sample, preferably a lithography system, more preferably a charged particle beam lithography system, such as a multi-beam charged particle lithography system, as described above. It relates to the use of a substrate holding device.

한 실시형태에서, 샘플을 프로세싱 또는 이미징하기 위한 장치는 전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 입자에 대한 소스, 및 상기 전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 하전 입자에 상기 샘플을 노광하기 위한 노광 유닛을 포함하는데, 노광 유닛은, 전자기 방사선 또는 하전 입자의 적어도 일부를 적어도 부분적으로 및/또는 일시적으로 조작 및/또는 차단하기 위한 컴포넌트를 포함하고, 컴포넌트는 도관을 통해 냉각 유체를 안내하기 위한 도관을 구비하고, 도관은 컴포넌트와 열 접촉한다.In one embodiment, an apparatus for processing or imaging a sample includes a source for electromagnetic radiation or energetic particles, and an exposure unit for exposing the sample to the electromagnetic radiation or energetic charged particles, the exposure unit comprising a component for manipulating and/or blocking at least partially and/or temporarily at least some of the electromagnetic radiation or charged particles, the component having a conduit for guiding a cooling fluid through the conduit, the conduit comprising the component comes into thermal contact with

제8 양태에 따르면, 본 발명은 샘플을 노광하기 위한 장치를 제공하는데, 상기 장치는According to an eighth aspect, the invention provides an apparatus for exposing a sample, said apparatus comprising:

전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 입자에 대한 소스,a source for electromagnetic radiation or energetic particles;

상기 샘플을 상기 전자기 방사선 또는 입자에 노광시키기 위한 노광 유닛 - 노광 유닛은 전자기 방사선 또는 하전 입자의 적어도 일부를 적어도 부분적으로 및/또는 일시적으로 조작 및/또는 차단하기 위한 컴포넌트를 포함하고, 컴포넌트는, 미리 결정된 제1 온도에서 컴포넌트를 실질적으로 홀딩하도록 배열되는 냉각 장치를 포함함 - , 및an exposure unit for exposing the sample to the electromagnetic radiation or particles, the exposure unit comprising components for manipulating and/or blocking at least partially and/or temporarily at least a portion of the electromagnetic radiation or charged particles, the components comprising: a cooling device arranged to substantially hold the component at a first predetermined temperature, and

적어도 상기 노광 동안 상기 샘플을 홀딩하기 위한 기판 홀딩 디바이스 - 기판 홀딩 디바이스는 상기 기판 홀딩 디바이스 상에 배열되는 샘플의 온도를 실질적으로 안정화시키도록 배열되는 온도 안정화 장치를 포함하고, 온도 안정화 장치는 제2 온도에서 상 변화를 갖는 상 변화 재료를 포함함 - 를 포함하고,a substrate holding device for holding the sample at least during the exposure, the substrate holding device comprising a temperature stabilization device arranged to substantially stabilize the temperature of the sample arranged on the substrate holding device, the temperature stabilization device comprising a second Including a phase change material having a phase change at temperature,

냉각 장치는, 제1 온도를 제2 온도에 가깝게 되게 또는 동일하게 되게 조절하도록 구성되는 제어 디바이스를 포함한다.The cooling device includes a control device configured to adjust the first temperature to be close to or equal to the second temperature.

노광 유닛이 전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 입자를 사용하여 샘플을 노광하도록 배열되기 때문에, 노광 유닛 및/또는 샘플은 에너지의 적어도 일부를 흡수할 것이고 노광 유닛 및/또는 기판 홀딩 디바이스 상의 샘플의 온도가 상승할 것이다. 일반적으로 샘플은, 노광 유닛으로부터, 노광 유닛의 가능한 가열이 샘플에 대해 무시 가능한 효과를 갖는 또는 실질적으로 어떠한 영향도 갖지 않는, 그리고 노광 유닛의 임의의 냉각이 샘플의 냉각과는 독립적일 수 있는 그러한 거리에 배열된다는 것을 유의한다. 특히, 본 출원인의 WO 2013/171216호에서 설명되는 바와 같은 노광 유닛을 위한 냉각 장치는, 노광 유닛을 위한 최적의 온도를 제공하도록 최적화되고, 샘플에 대한 이 최적 온도의 영향에 대해서는 어떠한 고려도 취해질 필요가 없다.Since the exposure unit is arranged to expose the sample using electromagnetic radiation or energetic particles, the exposure unit and/or the sample will absorb at least part of the energy and the temperature of the sample on the exposure unit and/or the substrate holding device will rise. something to do. Generally the sample is removed from the exposure unit in such a way that possible heating of the exposure unit has negligible or substantially no effect on the sample, and any cooling of the exposure unit can be independent of cooling of the sample. Note that they are arranged in distance. In particular, the cooling device for the exposure unit as described in the applicant's WO 2013/171216 is optimized to provide an optimum temperature for the exposure unit, and no consideration is taken about the effect of this optimum temperature on the sample. no need.

본 발명자는, 특히 노광 유닛이 샘플에 근접하게 배열되는 시스템의 경우, 기판 홀딩 디바이스 및 노광 유닛 둘 모두에 그것의 온도를 제어하기 위한 장치를 제공하는 것, 및 기판 홀딩 디바이스의 온도 안정화 장치의 온도(제2 온도)에 기초하여 노광 유닛의 냉각 장치의 온도(제1 온도)를 제어하는 것이 유리하다는 것을 인식하였다. 노광 유닛 및 기판 홀딩 디바이스 둘 모두에 그들 자신의 냉각 장치 및 온도 안정화 장치를 제공하는 것에 의해, 기판의 정확한 온도 제어가 획득될 수 있는데, 온도 제어는, 상기 전자기 방사선 또는 입자에 의한 상기 기판의 노광 동안 기판의 온도를 제2 온도에서 적어도 실질적으로 홀딩하는 것을 허용한다.The present inventor has, particularly in the case of systems where the exposure unit is arranged in close proximity to the sample, provided both the substrate holding device and the exposure unit with a device for controlling its temperature, and the temperature of the temperature stabilization device of the substrate holding device. It has been recognized that it is advantageous to control the temperature (first temperature) of the cooling device of the exposure unit based on the (second temperature). By providing both the exposure unit and the substrate holding device with their own cooling and temperature stabilization devices, accurate temperature control of the substrate can be obtained, which temperature control depends on the exposure of the substrate by the electromagnetic radiation or particles. while allowing the temperature of the substrate to be held at least substantially at a second temperature.

본 발명은, 실용적인 환경의 제한에 적응되는, 노광 프로세스 및 장치를 정의하기 위한 개념을 기술한다. 특히, 전자기 방사선 또는 입자를 상기 기판 상으로 투사시키기 위한 노광 유닛이 상기 기판에 매우 근접하게 배열되는 장치에서, 노광 유닛의 온도는 기판에 열적으로 영향을 줄 수도 있다. 예를 들면, 냉각 장치를 사용하여 노광 유닛의 온도를 제어하는 것에 의해, 기판에 대한 노광 유닛의 온도의 부정적인 영향이 실질적으로 방지될 수 있다.The present invention describes concepts for defining exposure processes and apparatus, adapted to the constraints of practical environments. In particular, in devices where an exposure unit for projecting electromagnetic radiation or particles onto the substrate is arranged in close proximity to the substrate, the temperature of the exposure unit may thermally affect the substrate. For example, by controlling the temperature of the exposure unit using a cooling device, the negative influence of the temperature of the exposure unit on the substrate can be substantially prevented.

그러한 방법 또는 프로세스를 가장 경제적인 방식으로 달성하기 위해, 임의의 그러한 컨디셔닝(conditioning)이 그것에 최소의 노력으로 홀딩되어야 한다는 것이 추가로 고려된다. 한편, 경제적 노광 장치 또는 방법에서는, 갈륨의 제안된 사용을 갖는 경우처럼, 동작 온도는, 사실상 웨이퍼 캐리어의 전체 주변이 29.8 ℃의 상승된 온도에서 홀딩되어야 하는 레벨에 있지 않아야 한다. 기판 홀딩 디바이스에서 사용되는 상 변화 재료의 용융 온도는 상당히 낮은 레벨에 있어야 한다.In order to achieve such method or process in the most economical manner, it is further considered that any such conditioning should be maintained with minimal effort thereon. On the other hand, in an economical exposure apparatus or method, as is the case with the proposed use of gallium, the operating temperature should not be at a level such that virtually the entire perimeter of the wafer carrier must be held at an elevated temperature of 29.8°C. The melting temperature of the phase change material used in the substrate holding device must be at a fairly low level.

다른 한편, 그러한 방식에서 표준 제조 공장(Fabrication Plant; Fab(팹)) 냉각제가, 본 발명에서 통합되는 바와 같은 추가적인 고려를 적용할 때, 직접적으로 또는 적절한 컨디셔닝을 통해서만, 프로세스에서 사용될 수도 있기 때문에, 동작 온도는 18 ℃보다 실질적으로 높지 않아야 하는데, 추가적인 고려 사항에 따르면, 냉각제는, 필요로 되는 냉각 능력을 고려하여, 더 낮은, 바람직하게는 동작 온도보다 약간만 더 낮은 온도에, 적어도, 노광 동안 타겟에서 홀딩되는 온도에 있어야 한다. 팹 냉각제가 일반적으로 12 에서부터 18 ℃까지의 범위에 이른다는 것, 및, 편차가 최소가 되어야 하는 팹 주위 온도가 종종 실온, 즉, 25 ℃ 이하, 바람직하게는 22 ℃ 이하일 수도 있다는 것을 고려하여, 본 발명의 실시형태에 따른, 제2 온도와 동일한 상 변화 재료 용융 온도가 정의되어야 하고, 따라서 선택될 재료는, 타겟 노광 프로세스에 따라, 18 ℃의 팹 냉각제 온도보다 더 높은, 바람직하게는 18.5 ℃보다 더 높은, 그리고 25 ℃의 최대 실온보다 더 낮은, 바람직하게는 22.5 ℃보다 더 낮은 동작 온도를 가지고 정의된다.On the other hand, since in such a way a standard Fabrication Plant (Fab) coolant may be used in the process, either directly or only through appropriate conditioning, applying additional considerations as incorporated herein: The operating temperature should not be substantially higher than 18° C., but a further consideration is that the coolant should be kept at a lower temperature, preferably only slightly lower than the operating temperature, at least during exposure, taking into account the cooling capacity required. It must be at a holding temperature. Considering that fab coolants typically range from 12 to 18°C, and that the fab ambient temperature at which variation should be minimal may often be room temperature, i.e., 25°C or lower, preferably 22°C or lower, According to an embodiment of the invention, a phase change material melting temperature equal to the second temperature should be defined, and thus the material to be selected, higher than the fab coolant temperature of 18°C, preferably 18.5°C, depending on the target exposure process. It is defined as having an operating temperature higher than and preferably lower than 22.5°C, and lower than the maximum room temperature of 25°C.

본 출원에서 언급되는 동작 온도는, 동작 동안, 샘플을 노광하기 위한 장치의 온도이다는 것을 유의한다.Note that the operating temperature referred to in this application is the temperature of the device for exposing the sample during operation.

한 실시형태에서, 냉각 장치 및 온도 안정화 장치는, 제1 온도와 제2 온도 사이의 차이가 4 ℃ 이하, 바람직하게는 2 ℃ 이하이도록 배열된다. 이것은 샘플에 대해 실질적으로 열적으로 안정한 환경을 제공한다. 냉각 장치를 능동적으로 제어하는 것에 의해 그리고 올바른 상 변화 재료를 주의 깊게 선택하는 것에 의해, 노광 유닛의 컴포넌트 및 기판 홀딩 디바이스는 각각 상기 제1 및 제2 온도를 실질적으로 홀딩하도록, 따라서 샘플의 노광 동안 상기 열적으로 안정한 환경을 홀딩하도록 배열된다.In one embodiment, the cooling device and the temperature stabilizing device are arranged such that the difference between the first temperature and the second temperature is not more than 4°C, preferably not more than 2°C. This provides a substantially thermally stable environment for the sample. By actively controlling the cooling device and by carefully selecting the correct phase change material, the components of the exposure unit and the substrate holding device are adapted to substantially hold said first and second temperatures respectively, thus during exposure of the sample. It is arranged to hold the thermally stable environment.

한 실시형태에서, 제1 온도는 제2 온도보다 더 낮다. 따라서, 사용시, 노광 유닛, 적어도 그 컴포넌트의 온도는, 기판 홀딩 디바이스의 온도 및 상기 홀딩 디바이스의 상부 상의 샘플의 온도보다 더 낮다. 이 조처는, 심지어 전자기 방사선 또는 입자를 상기 기판 상으로 투사하기 위한 노광 유닛의 컴포넌트가 샘플에 근접하게 배열되는 경우에도, 노광 유닛의 컴포넌트에 의한 샘플의 어떠한 가열도 실질적으로 방지한다.In one embodiment, the first temperature is lower than the second temperature. Therefore, in use, the temperature of the exposure unit, at least its components, is lower than the temperature of the substrate holding device and the temperature of the sample on top of the holding device. This measure substantially prevents any heating of the sample by the components of the exposure unit, even if the components of the exposure unit for projecting electromagnetic radiation or particles onto the substrate are arranged in close proximity to the sample.

바람직한 실시형태에서, 제1 온도는 제2 온도와 실질적으로 동일하다. 한 실시형태에서, 제1 온도 및 제2 온도는 실온, 특히 제조 공장(팹) 내의 실온과 실질적으로 동일하다.In a preferred embodiment, the first temperature is substantially equal to the second temperature. In one embodiment, the first temperature and the second temperature are substantially equal to room temperature, especially room temperature within a manufacturing plant (fab).

한 실시형태에서, 상 변화 재료는 금속, 합금, 또는 금속 기반의 재료를 포함한다. 바람직한 실시형태에서, 상 변화 재료는 공융(Eutectic) 금속 합금을 포함한다. 금속 기반의 상 변화 재료는, 고상 및 액상 둘 모두에서 높은 열 전도도를 제공하는데, 이것은, 심지어 상기 상 변화 재료의 상당한 부분이 이미 액화된 경우에도, 샘플의 노광에 의해 생성되는 열이 상 변화 재료로 안내되어 흡수되는 것을 보장한다.In one embodiment, the phase change material includes a metal, alloy, or metal-based material. In a preferred embodiment, the phase change material comprises a eutectic metal alloy. Metal-based phase change materials provide high thermal conductivity in both the solid and liquid phases, which means that the heat generated by exposure of the sample is absorbed by the phase change material, even when a significant portion of the phase change material is already liquefied. Guaranteed to be guided and absorbed.

한 실시형태에서, 냉각 장치는 냉각 유체를 도관을 통해 안내하기 위한 도관을 포함하는데, 도관은 컴포넌트와 열 접촉하여 배열된다. 따라서, 냉각수와 같은 표준 제조 공장(팹) 냉각제는, 적어도 노광 유닛의 컴포넌트를 냉각시키도록 사용될 수도 있다.In one embodiment, the cooling device includes a conduit for guiding cooling fluid through the conduit, which is arranged in thermal contact with the component. Accordingly, standard fab coolants, such as coolants, may be used to cool at least the components of the exposure unit.

한 실시형태에서, 냉각 장치는, 냉각 유체의 온도와 제2 온도 사이의 차이가 4 ℃ 이하, 바람직하게는 2 ℃ 이하이도록 배열된다. 한 실시형태에서, 냉각 장치는, 기판 홀딩 디바이스의 온도와 관련하여 냉각 유체의 온도를 제어하도록 배열되는 온도 제어 시스템을 포함한다. 한 실시형태에서, 장치는 기판 홀딩 디바이스의 온도 및/또는 노광 유닛, 특히 기판 홀딩 디바이스에 인접하게 배열되는 노광 유닛의 일부의 온도를 측정하기 위한 온도 센서를 포함한다. 한 실시형태에서, 냉각 장치는, 냉각 유체를 제1 온도 아래의 온도로 냉각하기 위한 냉각 디바이스(cooling device), 및 냉각 유체를 가열하기 위한 가열 디바이스(heating device)를 포함하는데, 가열 디바이스는 컴포넌트와 관련하여 상류 위치에서 도관 내에 배열된다. 특히, 기판 홀딩 디바이스와 대향하는 노광 유닛의 일부의 온도를 측정하기 위한 온도 센서, 냉각 유체의 온도를 정확하게 제어하기 위한 결합된 냉각 디바이스 및 가열 디바이스, 및 온도 센서로부터의 신호에 기초하여 냉각 유체의 온도를 제어하기 위한 온도 제어 시스템의 조합은, 노광 디바이스의 온도를 높은 정밀도로 제어하는 것 및 기판 홀딩 디바이스와 노광 유닛, 특히 기판 홀딩 디바이스와 대향하는 상기 노광 유닛의 일부 사이의 온도 차이를, 4 ℃ 미만이도록, 바람직하게는 2 ℃ 미만이도록, 더욱 바람직하게는 1 ℃ 미만이도록 제어하는 것을 허용한다.In one embodiment, the cooling device is arranged such that the difference between the temperature of the cooling fluid and the second temperature is not more than 4°C, preferably not more than 2°C. In one embodiment, the cooling device includes a temperature control system arranged to control the temperature of the cooling fluid in relation to the temperature of the substrate holding device. In one embodiment, the device comprises a temperature sensor for measuring the temperature of the substrate holding device and/or the temperature of an exposure unit, in particular a part of the exposure unit arranged adjacent to the substrate holding device. In one embodiment, the cooling device includes a cooling device for cooling the cooling fluid to a temperature below the first temperature, and a heating device for heating the cooling fluid, the heating device comprising a component arranged within the conduit at an upstream position in relation to In particular, a temperature sensor for measuring the temperature of the part of the exposure unit opposite the substrate holding device, a combined cooling device and a heating device for accurately controlling the temperature of the cooling fluid, and a heating device for accurately controlling the temperature of the cooling fluid based on the signal from the temperature sensor. The combination of a temperature control system for controlling the temperature controls the temperature of the exposure device with high precision and the temperature difference between the substrate holding device and the exposure unit, especially the part of said exposure unit opposite the substrate holding device, 4 Control is allowed to be below ℃, preferably below 2℃, more preferably below 1℃.

한 실시형태에서, 컴포넌트는 전자기 방사선 또는 입자를 샘플 상으로 투사하기 위한 투사 렌즈를 포함한다. 냉각 장치가 도관을 통해 냉각 유체를 안내하기 위한 도관을 포함하고 도관이 컴포넌트와 열 접촉하여 배열되는 실시형태에서, 도관은 냉각 유체를 투사 렌즈를 통해 또는 투사 렌즈 주위로 이송하도록 배열된다. 특히, 하전 입자에 대한 투사 렌즈에서, 렌즈 효과는 생성될 필요가 있는 자기장 및/또는 정전기장에 의해 확립된다. 사용시, 자석 및/또는 정전기 렌즈(electrostatic lens)는 또한, 본 실시형태에 따른 냉각 장치를 사용하여 제거될 수 있는 양의 열을 생성한다.In one embodiment, the component includes a projection lens for projecting electromagnetic radiation or particles onto the sample. In embodiments where the cooling device comprises a conduit for guiding cooling fluid through the conduit and the conduit is arranged in thermal contact with the component, the conduit is arranged to convey the cooling fluid through or around the projection lens. In particular, in projection lenses for charged particles, the lens effect is established by magnetic and/or electrostatic fields that need to be created. In use, magnets and/or electrostatic lenses also generate amounts of heat that can be removed using cooling devices according to this embodiment.

한 실시형태에서, 컴포넌트는 전자기 방사선 또는 입자를 변조하기 위한 변조 디바이스를 포함한다. 냉각 장치가 도관을 통해 냉각 유체를 안내하기 위한 도관을 포함하고 도관이 컴포넌트와 열 접촉하여 배열되는 실시형태에서, 도관은 냉각 유체를 변조 디바이스를 통해 또는 변조 디바이스 주위로 이송하도록 배열된다. 사용시에, 변조 디바이스는 또한, 본 실시형태에 따른 냉각 장치를 사용하여 제거될 수 있는 양의 열을 생성한다.In one embodiment, the component includes a modulation device for modulating electromagnetic radiation or particles. In embodiments where the cooling device comprises a conduit for guiding cooling fluid through the conduit and the conduit is arranged in thermal contact with the component, the conduit is arranged to convey the cooling fluid through or around the modulation device. In use, the modulation device also generates an amount of heat that can be removed using a cooling device according to the present embodiment.

한 실시형태에서, 변조 디바이스는, 전자기 방사선 또는 입자의 빔을 편향시키기 위한 빔 편향기 및 전자기 방사선 또는 입자의 상기 빔을 차단하기 위한 빔 스톱(beam stop)을 포함하는 빔 블랭킹 어셈블리(beam blanking assembly)를 포함하는데, 도관은 냉각 유체를 빔 스톱을 통해 또는 빔 스톱 주위로 이송하도록 배열된다. 전자기 방사선 또는 입자의 빔이 빔 스톱으로 지향되는 경우, 전자기 방사선 또는 입자는 빔 스톱에 의해 상당히 흡수된다. 사용시, 입자의 전자기 방사선의 흡수는 또한, 본 실시형태에 따른 냉각 장치를 사용하여 제거될 수 있는 양의 열을 빔 스톱 내에서 생성한다.In one embodiment, the modulation device comprises a beam blanking assembly comprising a beam deflector for deflecting a beam of electromagnetic radiation or particles and a beam stop for blocking the beam of electromagnetic radiation or particles. ), wherein the conduit is arranged to convey cooling fluid through or around the beam stop. When a beam of electromagnetic radiation or particles is directed to a beam stop, the electromagnetic radiation or particles are significantly absorbed by the beam stop. In use, the absorption of electromagnetic radiation by the particles also creates an amount of heat within the beam stop that can be removed using a cooling device according to this embodiment.

한 실시형태에서, 소스는 하전 입자에 대한 소스이고, 노광 유닛은 하나 이상의 하전 입자 빔을 상기 샘플 상으로 투사하기 위한 하전 입자 광학 시스템을 포함한다. 한 실시형태에서, 소스는 다수의 하전 입자 빔을 제공하도록 배열되는데, 하전 입자 광학 시스템은 상기 다수의 하전 입자 빔 중 하나 이상을 상기 샘플 상으로 투사하도록 배열되고, 도관 중 적어도 제1 부분은 두 개의 하전 입자 빔 사이의 영역에서 배열된다.In one embodiment, the source is a source for charged particles and the exposure unit includes a charged particle optical system for projecting one or more charged particle beams onto the sample. In one embodiment, the source is arranged to provide a plurality of charged particle beams, the charged particle optical system is arranged to project one or more of the plurality of charged particle beams onto the sample, and at least the first portion of the conduit has two Two charged particles are arranged in the area between the beams.

한 실시형태에서, 노광 유닛은 하나 이상의 온도 센서를 포함하는데, 바람직하게는 상기 하나 이상의 온도 센서 중 하나는, 기판 홀딩 디바이스와 대향하는 상기 노광 유닛의 면에서 배열된다.In one embodiment, the exposure unit comprises one or more temperature sensors, preferably one of the one or more temperature sensors is arranged on the side of the exposure unit opposite the substrate holding device.

제9 양태에 따르면, 본 발명은 상기에서 설명되는 바와 같은 장치 또는 실시형태를 사용하여 샘플을 프로세싱 또는 이미징하기 위한 방법을 제공하는데, 온도 안정화 장치의 컨디셔닝은 샘플의 프로세싱 또는 이미징 이전에 수행되고, 컨디셔닝은, 상기 온도 안정화 장치의 상 변화 재료의 적어도 일부를 응고시키는 단계를 포함한다. 상 변화 재료가 열을 흡수할 때, 상 변화 재료의 일부는 액화되거나 또는 용융되고; 상 변화 재료의 상은 고체로부터 액체로 변한다. 이 흡수된 열은, 열 변화 재료가 응고되도록 또는 동결되도록 되는 상태 프로세스(condition process)에서 상 변화 재료로부터 제거될 수 있다; 상 변화 재료의 상은 액체에서 고체로 다시 변하게 된다. 이러한 컨디셔닝 이후에, 고체 상 변화 재료는 열을 흡수하도록 다시 사용될 수 있다.According to a ninth aspect, the invention provides a method for processing or imaging a sample using a device or embodiment as described above, wherein conditioning of the temperature stabilization device is performed prior to processing or imaging of the sample, Conditioning includes solidifying at least a portion of the phase change material of the temperature stabilization device. When the phase change material absorbs heat, a portion of the phase change material liquefies or melts; The phase of a phase change material changes from solid to liquid. This absorbed heat can be removed from the phase change material in a condition process causing the thermal change material to solidify or freeze; The phase of a phase change material changes from liquid to solid again. After this conditioning, the solid phase change material can be used again to absorb heat.

한 실시형태에서, 컨디셔닝은, 샘플의 프로세싱 또는 이미징 이전에, 온도 안정화 장치의 온도를 제2 온도에서 설정하는 단계를 더 포함한다. 제2 온도는, 상 변화 재료의 용융 온도, 따라서 상 변화 재료의 상이 고체로부터 액체로 변하는 온도이다. 상 변화 재료는, 상 변화 재료의 고상 및 액상 둘 모두가 존재하고 열적 평형 상태에 있을 때, 이 제2 온도에 있을 것이다. 따라서, 상 변화 재료의 적어도 적은 양이 액상에 있고 상 변화 재료의 대부분이 고상에 있는 것을 보장하기 위해, 온도 안정화 장치는 제2 온도에 있고, 노광 프로세스에 의해 야기되는 임의의 열을 흡수할 준비가 되어 있다.In one embodiment, conditioning further includes setting the temperature of the temperature stabilization device at the second temperature prior to processing or imaging of the sample. The second temperature is the melting temperature of the phase change material, and thus the temperature at which the phase of the phase change material changes from solid to liquid. The phase change material will be at this second temperature when both the solid and liquid phases of the phase change material are present and in thermal equilibrium. Therefore, to ensure that at least a small amount of the phase change material is in the liquid phase and the majority of the phase change material is in the solid phase, the temperature stabilizer is at the second temperature and ready to absorb any heat caused by the exposure process. It has become.

한 실시형태에서, 가열 디바이스 및/또는 냉각 디바이스는, 기판 홀딩 디바이스와 노광 유닛, 특히 기판 홀딩 디바이스와 대향하는 상기 노광 유닛의 일부 사이의 온도 차이를 확립하도록 제어되되, 온도 차이는 4 ℃ 미만, 바람직하게는 2 ℃ 미만, 더욱 바람직하게는 1 ℃ 미만이다.In one embodiment, the heating device and/or the cooling device is controlled to establish a temperature difference between the substrate holding device and the exposure unit, in particular the part of said exposure unit opposite the substrate holding device, wherein the temperature difference is less than 4° C. Preferably it is less than 2°C, more preferably less than 1°C.

한 실시형태에서, 동작 동안 장치의 온도는 19 ℃에서부터 22 ℃까지의 온도 범위 내에 있고, 바람직하게는 제1 온도 및 제2 온도는 또한, 19 ℃에서부터 22 ℃까지의 온도 범위 내에서 배열된다.In one embodiment, the temperature of the device during operation is within the temperature range from 19°C to 22°C, preferably the first temperature and the second temperature are also arranged within the temperature range from 19°C to 22°C.

제10 양태에 따르면, 본 발명은 샘플을 프로세싱 또는 이미징하기 위한 상기에서 설명되는 바와 같은 장치 또는 실시형태의 사용을 제공한다.According to a tenth aspect, the invention provides the use of a device or embodiment as described above for processing or imaging a sample.

제11 양태에 따르면, 본 발명은 본원의 상기에서 설명되는 바에 따른 장치에 의해 반도체 디바이스를 제조하는 방법을 제공하는데, 그 방법은 다음의 단계를 포함한다:According to an eleventh aspect, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device by an apparatus as described above herein, the method comprising the following steps:

- 기판 홀딩 디바이스 상에 웨이퍼를 배치하고 상기 웨이퍼를 상기 노광 유닛의 하류에 위치 결정하는 단계;- placing a wafer on a substrate holding device and positioning the wafer downstream of the exposure unit;

- 상기 소스로부터의 전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 입자에 의해 상기 웨이퍼 상에 이미지 또는 패턴을 투사하는 것을 포함하는 상기 웨이퍼를 프로세싱하는 단계; 및- processing the wafer comprising projecting an image or pattern onto the wafer by electromagnetic radiation or energetic particles from the source; and

- 상기 프로세싱된 웨이퍼에 의해 반도체 디바이스를 생성하기 위한 후속 단계를 수행하는 단계.- Performing subsequent steps to create a semiconductor device with the processed wafer.

제12 양태에 따르면, 본 발명은 본원의 상기에서 설명되는 바와 같은 장치에 의해 타겟을 검사하기 위한 방법을 제공하는데, 그 방법은 다음의 단계를 포함한다:According to a twelfth aspect, the invention provides a method for inspecting a target by a device as described above herein, the method comprising the following steps:

- 기판 홀딩 디바이스 상에 상기 타겟을 배치하고 상기 웨이퍼를 상기 노광 유닛의 하류에 위치 결정하는 단계;- placing the target on a substrate holding device and positioning the wafer downstream of the exposure unit;

- 상기 소스로부터의 상기 전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 입자를 타겟 상에 투사하는 단계;- Projecting the electromagnetic radiation or energetic particles from the source onto a target;

- 상기 소스로부터의 상기 전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 입자가 타겟 상에 입사할 때, 상기 타겟에 의해 투과, 방출 및/또는 반사되는 전자기 방사선 또는 하전 입자를 검출하는 단계; 및- detecting electromagnetic radiation or charged particles transmitted, emitted and/or reflected by the target when the electromagnetic radiation or energetic particles from the source are incident on the target; and

- 하전 입자를 검출하는 단계로부터의 데이터에 의해 상기 타겟을 검사하기 위한 후속 단계를 수행하는 단계.- carrying out subsequent steps to inspect said target by means of data from the step of detecting charged particles.

제1 양태와 관련하여 상기에서 언급되는 실시형태는, 다른 양태에 따른 본 발명에서 또한 적절하게 적용될 수 있다.The embodiments mentioned above in relation to the first aspect can also be appropriately applied to the invention according to other aspects.

본 명세서에 설명되고 도시되는 다양한 양태 및 피쳐는, 가능한 곳이면 어디든, 개별적으로 적용될 수 있다. 이들 개개의 양태, 특히 첨부된 종속 청구항에서 설명되는 양태 및 피쳐는, 분할 특허 출원의 대상이 될 수 있다.The various aspects and features described and shown herein may be applied individually wherever possible. These individual aspects, particularly the aspects and features described in the appended dependent claims, may be the subject of a divisional patent application.

본 발명은 첨부된 도면에서 도시되는 예시적인 실시형태에 기초하여 설명될 것인데, 첨부된 도면에서:
도 1은 기판 홀딩 디바이스의 개략적인 상면도이다;
도 2는 도 1의 라인 A-A를 따른 개략적인 부분 단면도이다;
도 3a, 도 3b 및 도 3c는 기판 홀딩 디바이스를 제조하기 위한 방법의 단계를 개략적으로 도시한다;
도 4a 및 도 4b는 기판 홀딩 디바이스의 제2 및 제3 예시적인 실시형태의 개략적인 부분 단면도이다;
도 5는, 기판 홀딩 디바이스의 제4 예시적인 실시형태의 개략적인 부분 단면도이다;
도 6은, 도 5의 기판 홀딩 디바이스의 베이스 플레이트의 개략적인 부분 상면도이다;
도 7은 기판 홀딩 디바이스의 제5 예시적인 실시형태의 개략적인 부분 단면도이다;
도 8은 기판 홀딩 디바이스의 제6 예시적인 실시형태의 개략적인 부분 단면도이다;
도 9a, 도 9b 및 도 9c는 도 8에서 도시되는 바와 같은 제6 실시형태에 따른 기판 홀딩 디바이스를 제조하기 위한 대안적인 방법의 단계를 개략적으로 도시한다;
도 10은 기판 홀딩 디바이스의 제7 예시적인 실시형태의 개략적인 부분 단면도이다;
도 11은, 샘플을 프로세싱 또는 이미징하기 위한 장치를 개략적으로 도시하는데, 상기 장치는 본 발명의 기판 홀딩 디바이스를 포함한다;
도 12는, 예를 들면, 도 11에 개략적으로 도시되는 바와 같은 장치에서 사용하기 위한 투사 렌즈 시스템 어셈블리의 실시형태의 단면을 개략적으로 도시한다;
도 13은, 도 12에서 개략적으로 도시되는 바와 같은 투사 렌즈 시스템에서 사용하기 위한 냉각 디바이스를 개략적으로 도시한다;
도 14는, 냉각 장치를 포함하는 투사 렌즈 시스템, 및 온도 안정화 장치를 포함하는 기판 홀딩 디바이스를 포함하는 장치의 일부를 개략적으로 도시한다,
도 15는 반도체 디바이스를 제조하기 위한 예시적인 프로세스를 예시한다, 그리고
도 16은 타겟을 검사하기 위한 예시적인 프로세스를 예시한다.
The invention will be described on the basis of exemplary embodiments shown in the accompanying drawings, in which:
Figure 1 is a schematic top view of a substrate holding device;
Figure 2 is a schematic partial cross-sectional view along line AA in Figure 1;
3A, 3B and 3C schematically show steps of a method for manufacturing a substrate holding device;
4A and 4B are schematic partial cross-sectional views of second and third exemplary embodiments of a substrate holding device;
Figure 5 is a schematic partial cross-sectional view of a fourth exemplary embodiment of a substrate holding device;
Figure 6 is a schematic partial top view of the base plate of the substrate holding device of Figure 5;
Figure 7 is a schematic partial cross-sectional view of a fifth exemplary embodiment of a substrate holding device;
Figure 8 is a schematic partial cross-sectional view of a sixth exemplary embodiment of a substrate holding device;
Figures 9a, 9b and 9c schematically show steps of an alternative method for manufacturing a substrate holding device according to the sixth embodiment as shown in Figure 8;
Figure 10 is a schematic partial cross-sectional view of a seventh exemplary embodiment of a substrate holding device;
Figure 11 schematically shows an apparatus for processing or imaging a sample, said apparatus comprising a substrate holding device of the invention;
Figure 12 schematically shows a cross-section of an embodiment of a projection lens system assembly for use in a device as shown schematically in Figure 11, for example;
Figure 13 schematically shows a cooling device for use in a projection lens system as schematically shown in Figure 12;
Figure 14 schematically shows part of the apparatus comprising a projection lens system including a cooling device and a substrate holding device including a temperature stabilization device.
15 illustrates an example process for manufacturing a semiconductor device, and
Figure 16 illustrates an example process for inspecting a target.

도 1은 본 발명에 따른 기판 홀딩 디바이스의 제1 예의 상면도를 도시하고, 도 2는 도 1의 라인 A-A를 따른 제1 예의 부분적인 단면을 도시한다. 기판 홀딩 디바이스(1)는 기판(도시되지 않음)을 홀딩하기 위한 제1 면(3)을 구비하는 홀딩 플레이트(2)를 포함한다. 기판 홀딩 디바이스(1)는, 홀딩 플레이트(2)으로부터 일정 거리에, 그리고 제1 면(3)으로부터 멀어지게 대향하는 상기 홀딩 플레이트(2)의 제2 면(6)에 배열되는 베이스 플레이트(4)를 더 포함한다. 베이스 플레이트(4)와 홀딩 플레이트(2) 사이 내에는, 홀딩 플레이트(2)의 제1 면(3)에 실질적으로 평행한 방향으로 연장하는 간극(5)이 제공된다. 홀딩 플레이트(2)와 베이스 플레이트(4) 사이의 거리를 정의하고, 따라서 간극(5)의 폭(w)을 정의하는 지지체(7)의 어레이가 홀딩 플레이트(2)와 베이스 플레이트(4) 사이에 배열된다. 홀딩 플레이트(2), 베이스 플레이트(4) 및 지지체(7)는, 사용시 기판 홀딩 디바이스(1)의 제1 면(3) 상에 배열되는 기판으로부터 열을 제거하도록 배열되는 열 흡수 재료를 제공하기 위한 프레임을 간극(5) 내에 제공한다.Figure 1 shows a top view of a first example of a substrate holding device according to the invention, and Figure 2 shows a partial cross-section of a first example along line A-A in Figure 1. The substrate holding device 1 comprises a holding plate 2 with a first side 3 for holding a substrate (not shown). The substrate holding device 1 comprises a base plate 4 arranged at a distance from the holding plate 2 and on the second side 6 of the holding plate 2 facing away from the first side 3. ) further includes. Between the base plate (4) and the holding plate (2), a gap (5) extending in a direction substantially parallel to the first face (3) of the holding plate (2) is provided. An array of supports (7) defining the distance between the holding plate (2) and the base plate (4) and thus the width (w) of the gap (5) is provided between the holding plate (2) and the base plate (4). are arranged in The holding plate (2), base plate (4) and support (7) provide a heat absorbing material arranged to remove heat from the substrate arranged on the first side (3) of the substrate holding device (1) when in use. A frame for this is provided within the gap (5).

홀딩 플레이트(2)는, 예를 들면, Si 플레이트를 포함한다. 베이스 플레이트(4)는, 예를 들면, Si의 팽창 계수와 실질적으로 동일한 팽창 계수를 갖는 Si 카바이드(Si-Carbide)의 플레이트를 포함한다. 또한, Si 카바이드는 실질적으로 불활성이며 큰 범위의 열 흡수 재료를 사용하는 것을 허용한다. 더구나, Si 카바이드는 베이스 플레이트(4)을 통해 기판 홀딩 디바이스(1)를 냉각시키는 것을 허용하는 높은 열 전도도를 가지며, 베이스 플레이트(4)를 따라 실질적으로 일정한 온도를 제공한다.The holding plate 2 includes, for example, a Si plate. The base plate 4 includes, for example, a plate of Si-Carbide, which has an expansion coefficient substantially equal to that of Si. Additionally, Si carbide is virtually inert and allows the use of a large range of heat-absorbing materials. Furthermore, Si carbide has a high thermal conductivity that allows cooling of the substrate holding device 1 through the base plate 4, providing a substantially constant temperature along the base plate 4.

지지체(7)는, 예를 들면, 비자성체인 티타늄 지지체를 포함한다. 비자성 지지체는, 하전 입자 프로세싱 장치 또는 이미징 장치에서 기판 홀딩 디바이스(1)를 사용할 때 유리하다. 비록 지지체(7)가 홀딩 플레이트(2)와 베이스 플레이트(4) 사이에서 고정될 수도 있지만, 도 2, 도 3a, 도 3b 및 도 3c를 참조하여 하기에서 더욱 상세하게 설명되는 바와 같이, 지지체(7)는 홀딩 플레이트(2)의 제2 면(6)에 및/또는 베이스 플레이트(4)에 고정식으로 부착되는 것이 바람직하다.The support 7 includes, for example, a titanium support that is non-magnetic. A non-magnetic support is advantageous when using the substrate holding device 1 in a charged particle processing device or an imaging device. Although the support 7 may be fixed between the holding plate 2 and the base plate 4, as explained in more detail below with reference to FIGS. 2, 3A, 3B and 3C, the support (7) may be fixed between the holding plate 2 and the base plate 4. 7) is preferably fixedly attached to the second side 6 of the holding plate 2 and/or to the base plate 4.

본 발명에 따르면, 열 흡수 재료의 액적(8)의 어레이가 홀딩 플레이트(2)와 베이스 플레이트(4) 사이에 배열된다. 액체 및/또는 고체 액적(8)은 베이스 플레이트(4)와 홀딩 플레이트(2) 사이의 간극(5)을 메우도록 배열되며; 따라서 액적(8)은 베이스 플레이트(4) 및 홀딩 플레이트(2) 둘 모두에 접촉하도록 배열된다. 액적(8)은 서로 이격되어 배열되고, 간극(5)을 따르는 방향에서 서로 인접하게 배열되고, 지지체(7)로부터 실질적으로 이격되어 배열된다. 액적(8)은, 홀딩 플레이트(2)의 제1 면(3)에 실질적으로 수직인 방향에서 홀딩 플레이트(2) 및 베이스 플레이트(4)에 의해 구속된다. 또한, 액적(8)은 베이스 플레이트(4)와 홀딩 플레이트(2) 사이의 간극(5)을 따르는 방향에서 상기 액적(8)의 팽창을 가능하게 하도록 배열된다. 도 2에서 개략적으로 도시되는 바와 같이, 액적(8)은 홀딩 플레이트(2) 및 베이스 플레이트(4)와 (열) 접촉하여 배열된다. 바람직하게는, 액적(8)은, 적어도 상기 기판의 프로세싱 동안, 기판 프로세싱 장치의 온도에서 또는 그 온도 근처에서, 또는 적어도 상기 기판의 이미징 동안 기판 이미징 장치의 온도에서 또는 그 온도 근처에서 용융 온도 또는 용융 범위를 갖는 재료를 포함한다. 열 제거는 액적(8)의 상 전이, 특히 용융의 사용에 의해 제공된다. 액적(8)이 간극(5)을 따르는 방향에서 상기 액적(8)의 팽창을 가능하게 하도록 배열되기 때문에, 고체로부터 액체 및 그 반대로 진행할 때 액적(8)의 수축 또는 팽창은, 상기 홀딩 플레이트(2), 상기 베이스 플레이트(4) 및 지지체(7)를 포함하는 어셈블리의 치수에 실질적으로 어떠한 영향도 미치지 않는다.According to the invention, an array of droplets (8) of heat-absorbing material is arranged between the holding plate (2) and the base plate (4). Liquid and/or solid droplets (8) are arranged to fill the gap (5) between the base plate (4) and the holding plate (2); The droplet 8 is thus arranged to contact both the base plate 4 and the holding plate 2. The droplets 8 are arranged spaced apart from each other, adjacent to each other in the direction along the gap 5, and arranged substantially spaced apart from the support 7. The droplet 8 is restrained by the holding plate 2 and the base plate 4 in a direction substantially perpendicular to the first face 3 of the holding plate 2. Additionally, the droplet 8 is arranged to enable expansion of the droplet 8 in a direction along the gap 5 between the base plate 4 and the holding plate 2. As schematically shown in Figure 2, the droplet 8 is arranged in (thermal) contact with the holding plate 2 and the base plate 4. Preferably, the droplet 8 has a melting temperature at or near the temperature of the substrate processing device, at least during processing of said substrate, or at least at or near the temperature of the substrate imaging device during imaging of said substrate. Includes materials with a melting range. Heat removal is provided by the use of phase transition, especially melting, of the droplets 8. Since the droplet 8 is arranged to enable expansion of the droplet 8 in the direction along the gap 5, the contraction or expansion of the droplet 8 when proceeding from solid to liquid and vice versa is caused by the holding plate ( 2), there is virtually no effect on the dimensions of the assembly comprising the base plate 4 and support 7.

열 흡수 재료는, 대략 15 mm의 직경 및 대략 0.8 mm의 두께를 갖는 편평한 액적(7)의 어레이로 배열되는 것이 바람직하다. 대략 15 mm의 직경을 갖는 액적(7)을 사용하는 것은, 상기 액적 사이 내에 지지체(7)의 어레이를 제공하는 것을 허용하는데, 지지체(7)는, 홀딩 플레이트(2)의 고도로 편평한 제1 면(3)을 제공할 만큼 서로 충분히 근접하여 배열된다. 이러한 특정한 예에서, 지지체(7)는 대략 0.8 mm의 폭(w)을 갖는 간극(5)을 제공하도록 배열된다. The heat absorbing material is preferably arranged in an array of flat droplets 7 with a diameter of approximately 15 mm and a thickness of approximately 0.8 mm. Using droplets 7 with a diameter of approximately 15 mm allows providing an array of supports 7 between the droplets, the supports 7 being positioned on the highly flat first side of the holding plate 2. arranged sufficiently close together to provide (3). In this particular example, the support 7 is arranged to provide a gap 5 with a width w of approximately 0.8 mm.

이 제1 예에서, 베이스 플레이트(4)는, 간극(5)과 대향하는 베이스 플레이트(4)의 표면에서 얕은 오목부 또는 공동으로서 배열되는 포켓(9)의 어레이를 구비한다. 이 제1 예의 포켓(9)은 원추형 절두체로서 실질적으로 성형된다. 예를 들면, 상기 원추형의 하강 경사도(91)는 대략 15 도일 수도 있고, 포켓(9)의 중심에서, 실질적으로 편평한 영역이 배열된다. 액적(8)은 베이스 플레이트(4) 및 홀딩 플레이트(23) 둘 모두에 접촉하도록 배열된다. 포켓(9)의 원추 형상의 에지(91)는 열 흡수 재료의 액적(8)의 위치를 실질적으로 고정할 것이다. 또한, 포켓(9)의 원추 형상의 에지(91) 및 액적(8)의 액상에서의 표면 장력은, 액체 액적(8)을 실질적으로 포켓(9) 내에 홀딩시키는 위치 결정 힘을 제공한다. 액적(8)의 위치를 고정시키기 위해 어떠한 다른 부품도 필요로 되지 않는다. 이것은, 이 제1 예의 기판 홀딩 디바이스(1) 내에서 액적(8)을 서로에 대해 더욱 가깝게 배열하는 것을 허용하는데, 이것은 홀딩 플레이트(2) 및 베이스 플레이트(4)의 영역의 적절한 커버리지에 열 흡수 재료를 제공한다. 포켓(9)의 중심에서의 실질적으로 편평한 영역에 기인하여, 제1 예의 기판 홀딩 디바이스(1)의 포켓(9)은 얕은데, 이것은 열 흡수 재료의 필요한 양을 감소시킨다.In this first example, the base plate 4 has an array of pockets 9 arranged as shallow depressions or cavities in the surface of the base plate 4 opposite the gap 5 . The pocket 9 in this first example is substantially shaped as a conical frustum. For example, the downward slope 91 of the cone may be approximately 15 degrees and, at the center of the pocket 9, a substantially flat area is arranged. The droplet 8 is arranged to contact both the base plate 4 and the holding plate 23. The cone-shaped edge 91 of the pocket 9 will substantially fix the position of the droplet 8 of heat-absorbing material. Additionally, the conical edge 91 of the pocket 9 and the surface tension in the liquid phase of the liquid droplet 8 provide a positioning force that substantially holds the liquid droplet 8 within the pocket 9. No other parts are required to fix the position of the droplet 8. This allows to arrange the droplets 8 closer to each other within the substrate holding device 1 of this first example, which provides adequate coverage of the area of the holding plate 2 and the base plate 4 to absorb heat. Provides materials. Due to the substantially flat area at the center of the pocket 9, the pocket 9 of the first example substrate holding device 1 is shallow, which reduces the required amount of heat-absorbing material.

도 2에서 도시되는 바와 같이, 베이스 플레이트(4)는 구멍(41)의 어레이를 구비하고 일련의 지지체의 각각의 지지체(7)의 제1 단부는 상기 구멍(41) 중 하나 내에 배열되고 접착제 연결을 통해 상기 구멍(41)에서 고정된다. 상기 제1 단부에 대향하는, 각각의 지지체(7)의 제2 단부는 접착제 연결에 의해 홀딩 플레이트(2)에 고정된다.As shown in Figure 2, the base plate 4 is provided with an array of holes 41 and the first end of each support 7 of the series of supports is arranged within one of the holes 41 and is adhesively connected. It is fixed in the hole 41 through. The second end of each support 7, opposite the first end, is fixed to the holding plate 2 by an adhesive connection.

도 3a, 도 3b 및 도 3c는 기판 홀딩 디바이스(1)를 조립하기 위한, 특히 도 2의 실시형태에 따른 기판 홀딩 디바이스를 조립하기 위한 방법의 단계를 개략적으로 도시한다. 그러나, 또한 도 4a, 도 4b, 도 5, 도 7 및 도 10을 참조하여 하기에서 설명되는 바와 같은 실시형태에 따른 기판 홀딩 디바이스도 또한 이러한 방식으로 조립될 수 있다.3A , 3B and 3C schematically show steps of a method for assembling a substrate holding device 1 , in particular for assembling a substrate holding device according to the embodiment of FIG. 2 . However, the substrate holding device according to the embodiment as described below with reference to FIGS. 4A, 4B, 5, 7 and 10 can also be assembled in this way.

먼저, 도 3a에서 도시되는 바와 같이, 포켓(9)의 어레이를 포함하는 베이스 플레이트(4)가 제공된다. 이들 포켓(9)에 인접하여, 지지체(7)를 내부에 장착하기 위한 구멍(41)이 내부에 제공된다. 또한, 홀딩 플레이트(2)는, 적어도 사용시, 기판을 홀딩하기 위한 제1 면(3)으로부터 멀어지게 대향하는 상기 홀딩 플레이트(2)의 제2 면(6)에 고정되는 일련의 지지체(7)를 구비한다. 지지체(7)는 제2 면(6)에 실질적으로 수직으로 연장되도록 배열되고, 접착제 연결(71)을 통해 상기 제2 면(6)에 고정된다.First, a base plate 4 is provided comprising an array of pockets 9, as shown in Figure 3a. Adjacent to these pockets 9, holes 41 are provided on the inside for mounting the support 7 therein. Furthermore, the holding plate 2 comprises, at least in use, a series of supports 7 fixed to a second side 6 of the holding plate 2 facing away from the first side 3 for holding a substrate. is provided. The support 7 is arranged to extend substantially perpendicular to the second face 6 and is fixed to the second face 6 via an adhesive connection 71 .

후속하여, 액체 열 흡수 재료의 액적(8)이, 도 3b에서 개략적으로 도시되는 바와 같이, 포켓(9) 내에 배열된다. 실질적으로 동일한 사이즈의 각각의 포켓(9)에서, 실질적으로 동일한 체적의 열 흡수 재료가 분배된다. 바람직하게는, 열 흡수 재료는, 간극(5)과 대향하는 홀딩 플레이트(2) 및/또는 베이스 플레이트(2)의 표면과의 접착보다 더 큰 응집력을 나타낸다. 표면 장력에 기인하여, 액체 액적(8)은, 다소, 구형 형상을 취한다.Subsequently, droplets 8 of liquid heat-absorbing material are arranged within pockets 9, as schematically shown in FIG. 3B. In each pocket 9 of substantially equal size, substantially the same volume of heat absorbing material is distributed. Preferably, the heat-absorbing material exhibits a greater cohesive force than the adhesion with the surface of the holding plate 2 and/or base plate 2 facing the gap 5 . Due to surface tension, the liquid droplet 8 takes on a somewhat spherical shape.

다음으로, 지지체(7)를 갖는 홀딩 플레이트(2)는 베이스 플레이트(4)을 향해 이동되고, 지지체(7)는 구멍(41) 내에 위치된다. 홀딩 플레이트(2)와 베이스 플레이트(4) 사이의 원하는 거리(w)가 도달될 때까지, 홀딩 플레이트(2)는 하방으로 이동된다. 이 위치에서, 액적(8)은 도 3c에서 도시되는 바와 같이 베이스 플레이트(4)와 홀딩 플레이트(2) 사이 내에서 편평하게 된다. 열 흡수 재료의 표면 장력은, 액적(8)이 홀딩 플레이트(2) 및 베이스 플레이트(4) 둘 모두에 접촉하는 것을 제공하고 홀딩한다.Next, the holding plate 2 with the support 7 is moved towards the base plate 4, and the support 7 is placed in the hole 41. The holding plate 2 is moved downward until the desired distance w between the holding plate 2 and the base plate 4 is reached. In this position, the droplet 8 becomes flat within between the base plate 4 and the holding plate 2, as shown in Figure 3c. The surface tension of the heat absorbing material provides for and holds the droplet 8 in contact with both the holding plate 2 and the base plate 4.

후속하여, 상기 지지체(7) 중 하나 이상은 접착제 연결을 통해 대응하는 구멍(41)에서 고정되는데, 접착제 연결은 구멍(41)과 상기 구멍(41) 안으로 연장되는 지지체(7) 사이의 원주 방향 간극 내에 제공된다.Subsequently, at least one of the supports 7 is fixed in the corresponding hole 41 via an adhesive connection, the adhesive connection being formed in a circumferential direction between the hole 41 and the support 7 extending into the hole 41. provided within the gap.

사용 이전에, 조립된 기판 홀딩 디바이스(1)는, 열 흡수 상 변화 재료의 동결 온도 미만의 온도의 '저온' 환경에서 배열되고, 액체 액적(8)은, 실질적으로, 도 3c에서 도시되는 바와 같은 형상으로 응고될 것이다. 따라서, 고체 액적(8)은 베이스 플레이트(4)와 홀딩 플레이트(2) 사이의 간극(5)을 메운다. 이제, 기판 홀딩 디바이스(1)는 사용 준비가 완료된다.Prior to use, the assembled substrate holding device 1 is arranged in a 'cold' environment at a temperature below the freezing temperature of the heat-absorbing phase change material, and the liquid droplet 8 is substantially as shown in Figure 3c. It will solidify into the same shape. Accordingly, the solid droplet 8 fills the gap 5 between the base plate 4 and the holding plate 2. Now, the substrate holding device 1 is ready for use.

이전의 제1 예에서, 고체 및/또는 액체 액적(8)을 홀딩하기 위한 포켓(9)은, 상기에서 설명되는 바와 같이, 베이스 플레이트(4)에서 배열된다. 그러나, 기판 홀딩 디바이스(1')의 제2 예에서, 포켓(9')은, 도 4a에서 개략적으로 도시되는 바와 같이, 간극(5')과 대향하는 실질적으로 편평한 표면을 갖는 베이스 플레이트(4')와 조합하여 홀딩 플레이트(2')에서 배열된다.In the first previous example, the pockets 9 for holding solid and/or liquid droplets 8 are arranged in the base plate 4, as explained above. However, in a second example of the substrate holding device 1', the pocket 9' is connected to the base plate 4 with a substantially flat surface opposite the gap 5', as schematically shown in FIG. 4A. It is arranged in the holding plate (2') in combination with ').

대안적으로, 기판 홀딩 디바이스(1")의 제3 예에서는, 도 4b에서 개략적으로 도시되는 바와 같이, 간극(5'')과 대향하는 홀딩 플레이트(2'') 및 베이스 플레이트(4'')의 표면 둘 모두가 포켓(92, 93)을 구비한다. 이 실시형태에서, 포켓(92, 93)을 형성하는 간극(5")과 대향하는 홀딩 플레이트(2") 및 베이스 플레이트(4")의 표면 내의 오목부 또는 공동은, 제1 및 제2 예에 따른 기판 홀딩 디바이스(1, 1')의 포켓(9, 9')과 비교하여, 더 얕을 수 있고 덜 깊을 수 있다.Alternatively, in a third example of the substrate holding device 1 ", a holding plate 2'' and a base plate 4'' opposite the gap 5'', as schematically shown in FIG. 4B ) have pockets 92, 93. In this embodiment, a holding plate 2" and a base plate 4" face the gap 5" forming the pockets 92, 93. ) may be shallower and less deep compared to the pockets 9, 9' of the substrate holding device 1, 1' according to the first and second examples.

도 5는 기판 홀딩 디바이스(11)의 제4 예시적인 실시형태의 개략적인 부분 단면도이다. 도 6은, 도 5의 기판 홀딩 디바이스의 베이스 플레이트(14)의 개략적인 부분 상면도이다. 이 제4 예에서, 베이스 플레이트(14)는, 원추형으로서 실질적으로 성형되는 포켓(19)의 어레이를 구비한다. 예를 들면, 상기 원추형의 하강 경사도는 대략 15 도일 수도 있다. 액적(18)은 상기 포켓(19) 내에 배열되고 베이스 플레이트(14)와 홀딩 플레이트(12) 사이의 간극을 메우도록 배열된다. 포켓(91)의 원추형 형상은, 열 흡수 재료의 액체 및/또는 고체 액적(18)의 위치를 실질적으로 고정할 것이다. 또한, 포켓(19)의 원추형 형상 및 액상의 열 흡수 재료의 표면 장력은, 액체 액적(18)을 실질적으로 포켓(19)의 중심에서 홀딩하는 힘을 제공한다. 액적(18)의 위치를 고정시키기 위해 어떠한 다른 부품도 필요로 되지 않는다.Figure 5 is a schematic partial cross-sectional view of a fourth exemplary embodiment of the substrate holding device 11. Figure 6 is a schematic partial top view of the base plate 14 of the substrate holding device of Figure 5. In this fourth example, the base plate 14 has an array of pockets 19 that are substantially shaped as cones. For example, the downward slope of the cone may be approximately 15 degrees. Droplets 18 are arranged within the pockets 19 and are arranged to fill the gap between the base plate 14 and the holding plate 12. The conical shape of the pocket 91 will substantially fix the position of the liquid and/or solid droplet 18 of the heat absorbing material. Additionally, the conical shape of the pocket 19 and the surface tension of the liquid heat absorbing material provide a force holding the liquid droplet 18 substantially at the center of the pocket 19. No other parts are required to fix the position of the droplet 18.

또한 이 제4 예에서, 베이스 플레이트(14)는 구멍(141)의 어레이를 구비하고, 일련의 지지체의 각각의 지지체(17)는 한 쪽 상에서 상기 구멍(141) 중 하나 내에 배열되고 접착제 연결을 통해 상기 구멍(141) 내에 고정된다. 지지체(17)의 다른 쪽은 홀딩 플레이트(12)에 고정된다.Also in this fourth example, the base plate 14 is provided with an array of holes 141, each support 17 of the series of supports being arranged on one side within one of said holes 141 and having an adhesive connection. It is fixed within the hole 141 through. The other side of the support 17 is fixed to the holding plate 12.

또한, 베이스 플레이트(14)는, 실질적으로 포켓(19)의 중심에서 개구되는 통기 구멍(142)을 구비할 수도 있다. 통기 구멍(142)은 액적(18) 아래에서의 공기의 포함을 방지하도록 배열된다.Additionally, the base plate 14 may be provided with a ventilation hole 142 that opens substantially at the center of the pocket 19. The vent hole 142 is arranged to prevent entrapment of air beneath the droplet 18.

도 7은 기판 홀딩 디바이스(21)의 제5 예시적인 실시형태의 개략적인 부분 단면도이다. 이 제5 예에서, 베이스 플레이트(24)는, 실질적으로 원형의 저부 영역을 갖는 직선 실린더로서 실질적으로 성형되는 포켓(29)의 어레이를 구비한다. 액적(28)은 포켓(29) 내에 배열되고 베이스 플레이트(24) 내의 포켓(29)의 원형 저부 영역 및 홀딩 플레이트(22) 둘 모두와 접촉한다. 액적(28)이, 적어도, 간극(25)을 따르는 방향으로 팽창하는 것을 허용하기 위해, 액적(28)의 체적은, 포켓(29)의 저부 영역에 평행한 방향에서의 액적(28)의 직경이 원통형 포켓(29)의 직경보다 더 작도록 배열된다. 원통형 포켓(29)은, 고상 및 액상 둘 모두에서, 열 흡수 재료의 액적(28)의 위치를 실질적으로 확립할 것이다. 액적(28)의 위치를 실질적으로 고정시키기 위해 어떠한 다른 부품도 필요로 되지 않는다. 이 예의 이점은, 포켓(29)이 배열되지 않는 베이스 플레이트(24)의 표면이 홀딩 플레이트(22)에 근접하게 배열될 수 있다는 것이다. 따라서, 홀딩 플레이트(22)는 매우 짧은 지지체(27)를 사용하여, 또는 심지어 지지체가 전혀 없이 베이스 플레이트(24)에 연결될 수 있는데, 이것은 아주 견고한 기판 홀딩 디바이스(21)를 산출한다.Figure 7 is a schematic partial cross-sectional view of a fifth exemplary embodiment of the substrate holding device 21. In this fifth example, the base plate 24 has an array of pockets 29 that are substantially shaped as straight cylinders with a substantially circular bottom area. The droplet 28 is arranged within the pocket 29 and contacts both the circular bottom region of the pocket 29 in the base plate 24 and the holding plate 22 . To allow the droplet 28 to expand at least in the direction along the gap 25 , the volume of the droplet 28 is determined by the diameter of the droplet 28 in the direction parallel to the bottom region of the pocket 29 It is arranged to be smaller than the diameter of the cylindrical pocket (29). The cylindrical pockets 29 will substantially establish the position of the droplets 28 of heat absorbing material, both in the solid and liquid phases. No other parts are required to substantially fix the position of the droplet 28. The advantage of this example is that the surface of the base plate 24 on which the pockets 29 are not arranged can be arranged close to the holding plate 22 . Accordingly, the holding plate 22 can be connected to the base plate 24 using very short supports 27 or even without supports at all, which results in a very robust substrate holding device 21 .

기판 홀딩 디바이스(31)의 제6 예에서, 도 8에서 개략적으로 도시되는 바와 같이, 액적(38)은, 예를 들면 Viton®인 고무와 같은 가요성 또는 탄성 재료로 제조되는 O 링(39) 내부에 배열된다. 상기 액적(38)의 각각의 액적은 O 링(39) 내부에 배열되는데, O 링(39)은 액적(38)의 횡방향 구속을 제공하고 상기 O의 가요성 또는 탄성 재료에 기인하는 간극(35)을 따르는 방향에서의 상기 액적(38)의 수축 및 팽창을 허용한다.In a sixth example of the substrate holding device 31 , as schematically shown in FIG. 8 , the droplet 38 is connected to an O-ring 39 made of a flexible or elastic material such as rubber, for example Viton®. arranged inside. Each of the droplets 38 is arranged inside an O-ring 39, which provides transverse confinement of the droplet 38 and provides a gap due to the flexible or elastic material of the O. Allows contraction and expansion of the droplet 38 in the direction along 35).

O 링(39)의 두께는, 홀딩 플레이트(32)와 베이스 플레이트(34) 사이의 간극(35)의 폭(w')보다 더 작은 것이 바람직하다. 이것은, 홀딩 플레이트(32), 베이스 플레이트(34) 및 지지체(37)를 포함하는 기판 홀딩 디바이스(31)를 조립하는 것 및 O 링(39)의 간섭 없이 요구된 폭(w')을 갖는 간극(35)을 획득하는 것을 허용한다. O 링(39)이 홀딩 플레이트(32)와 베이스 플레이트(34) 둘 모두와 접촉하거나 또는 홀딩 플레이트(32)와 베이스 플레이트(34) 사이 내에서 압축되는 것은, 이것이 홀딩 플레이트(32)의 제1 면(33)의 평탄도에 부정적인 영향을 미칠 수도 있기 때문에, 방지된다.The thickness of the O-ring 39 is preferably smaller than the width w' of the gap 35 between the holding plate 32 and the base plate 34. This involves assembling the substrate holding device 31 comprising the holding plate 32, the base plate 34 and the support 37 and the gap having the required width w' without the interference of the O-ring 39. Allows obtaining (35). O-ring 39 contacts both holding plate 32 and base plate 34 or is compressed within between holding plate 32 and base plate 34, which means that it This is avoided, as it may have a negative effect on the flatness of the surface 33.

도 8에서 나타내어지는 바와 같이, 간극(35)은 기판 홀딩 디바이스(31)의 주위 측면 에지(310)에서 실질적으로 개방되어 있다. 간극(35)은, 심지어, 실질적으로 기판 홀딩 디바이스(31)의 전체 주위 측면 에지(310)를 따라 실질적으로 개방될 수도 있다. 따라서, 간극(35)은 기판 홀딩 디바이스(31)의 외부로의 개방 연결을 포함한다. 간극(35) 내부의 공기 압력 또는 진공 압력은, 기판 홀딩 디바이스(31) 외부의 공기 압력 또는 진공 압력과 실질적으로 동일하다.As shown in FIG. 8 , gap 35 is substantially open at the peripheral side edge 310 of substrate holding device 31 . Gap 35 may even be substantially open along substantially the entire peripheral side edge 310 of substrate holding device 31 . Accordingly, gap 35 comprises an open connection to the outside of substrate holding device 31 . The air or vacuum pressure inside the gap 35 is substantially equal to the air or vacuum pressure outside the substrate holding device 31 .

도 9a, 도 9b 및 도 9c는, 도 8의 실시형태에 따른 기판 홀딩 디바이스(31')를 구축하기 위한 방법의 단계를 개략적으로 도시하는데, 이 예에서, 지지체(37')가 베이스 플레이트(34')의 구멍(341')의 어레이 내에 배열된다는 이 차이점을 갖는다.9A, 9B and 9C schematically illustrate steps in a method for building a substrate holding device 31' according to the embodiment of Figure 8, in this example where the support 37' is a base plate ( 34') with this difference being that they are arranged within an array of holes 341'.

우선, 구멍(341')의 어레이를 포함하는 베이스 플레이트(34')가 제공된다. 일련의 지지체(37')가 제공되고 상기 일련의 지지체의 각각의 지지체(37')는 상기 구멍(341') 중 하나에 배열되고, 바람직하게는, 접착제 연결을 통해 상기 구멍(341') 내에서 고정된다.First, a base plate 34' is provided which includes an array of holes 341'. A series of supports 37' is provided and each support 37' of the series is arranged in one of the holes 341', preferably within the hole 341' via an adhesive connection. It is fixed in

후속하여, 도 9a에 개략적으로 도시되는 바와 같이, 열 흡수 재료의 고체 알약(solid pill) 또는 액적(38')을 갖는 O 링(39')의 어셈블리가 지지체(37') 사이 내에 배열된다. 어셈블리(38', 39')의 두께(d)는, 지지체(37')가 베이스 플레이트(34') 밖으로 돌출하는 높이(h)보다 더 작다.Subsequently, as schematically shown in Figure 9a, an assembly of O-rings 39' with solid pills or droplets 38' of heat-absorbing material is arranged within between the supports 37'. The thickness d of the assemblies 38', 39' is smaller than the height h at which the support 37' protrudes out of the base plate 34'.

다음으로, 홀딩 플레이트(32')는 지지체(37')의 상부 상에 배열되고, 바람직하게는 접착제 연결을 통해 상기 지지체(37')에 고정된다. 도 9b에서 개략적으로 나타내어지는 바와 같이, 홀딩 플레이트(32')는 열 흡수 재료의 고체 액적(38') 및 O 링(39')의 어셈블리 위로 간극을 가지고 지지체(37')의 상부 상에 배열된다.Next, a holding plate 32' is arranged on top of the support 37' and is preferably fixed to the support 37' via an adhesive connection. As schematically shown in Figure 9b, a holding plate 32' is arranged on top of the support 37' with a gap over the assembly of O-rings 39' and a solid droplet 38' of heat absorbing material. do.

후속하여, 열 흡수 재료의 고체 액적(38')은, 예를 들면, 용융 온도보다 높은 온도의 오븐 내에 어셈블리를 배열하는 것에 의해 용융된다. 열 흡수 재료의 액체 액적(38')의 표면 장력에 기인하여, 액체 액적(38')은, 도 9c에서 개략적으로 나타내어지는 바와 같이, 더욱 구형의 형상을 취할 것이고, 홀딩 플레이트(32')의 제2 면(36')과 접촉한다. 액적(38')은 이제, 베이스 플레이트(34')와 홀딩 플레이트(32') 사이의 간극(35)을 메우도록 배열된다.Subsequently, the solid droplet 38' of heat absorbing material is melted, for example by placing the assembly in an oven at a temperature above the melting temperature. Due to the surface tension of the liquid droplet 38' of the heat absorbing material, the liquid droplet 38' will take on a more spherical shape, as schematically shown in Figure 9C, and will form a more spherical shape than that of the holding plate 32'. It contacts the second side 36'. The droplet 38' is now arranged to fill the gap 35 between the base plate 34' and the holding plate 32'.

다음에, 조립된 기판 홀딩 디바이스(31')는 열 흡수 재료의 동결 온도 미만의 온도의 '저온' 환경에 배열되고, 액체 액적(38')은, 실질적으로, 도 9c에서 도시되는 바와 같은 형상으로 응고될 것이다. 따라서, 고체 액적(38')은 간극(35')을 채우고 베이스 플레이트(34') 및 홀딩 플레이트(32') 둘 모두와 접촉한다. 이제, 기판 홀딩 디바이스(31')는 사용 준비가 완료된다.The assembled substrate holding device 31' is then arranged in a 'cold' environment at a temperature below the freezing temperature of the heat absorbing material, and the liquid droplet 38' is formed substantially as shown in Figure 9C. will solidify into Accordingly, solid droplet 38' fills gap 35' and contacts both base plate 34' and holding plate 32'. Now, the substrate holding device 31' is ready for use.

도 10은 기판 홀딩 디바이스(51)의 제7 실시형태의 개략적인 부분 단면도이다. 이 제7 예에서, 베이스 플레이트(54)는, 실질적으로 원형의 저부 표면(591)을 갖는 직선 실린더로서 실질적으로 성형되는 포켓(59)의 어레이를 구비한다. 포켓(59)은 제1 직경을 갖는 제1 또는 상부 포켓 부분(592), 및 제1 직경보다 더 작은 제2 직경을 갖는 제2 또는 하부 포켓 부분(593)을 포함한다. 제2 포켓 부분(593)은 제1 포켓 부분(592)의 실질적으로 중앙에 배열된다. 이것은, 상기 포켓(59)의 원주 방향 측벽을 따라 연장되는, 상기 포켓(59) 내부에 배열되는 림 또는 스텝(61)을 산출한다.Figure 10 is a schematic partial cross-sectional view of a seventh embodiment of the substrate holding device 51. In this seventh example, the base plate 54 has an array of pockets 59 that are substantially shaped as straight cylinders with a substantially circular bottom surface 591. Pocket 59 includes a first or upper pocket portion 592 having a first diameter, and a second or lower pocket portion 593 having a second diameter that is smaller than the first diameter. The second pocket portion 593 is arranged substantially in the center of the first pocket portion 592. This yields a rim or step 61 arranged inside the pocket 59, extending along the circumferential side wall of the pocket 59.

상기 포켓의 어레이의 각각의 포켓(59)은, 상기 포켓(59)에 걸쳐 있고 상기 포켓(59)의 저부 표면(591)으로부터 이격되어 배열되는 탄성 부재, 특히 탄성 커버 플레이트(60)를 포함한다. 탄성 커버 플레이트(60)는, 제1 직경보다 더 작지만, 그러나 제2 직경보다 더 큰 직경을 갖는다. 따라서, 탄성 커버 플레이트(60)의 원주 방향 에지는 상기 림 또는 스텝(61)의 상부 상에 놓인다. 탄성 커버 플레이트(60)는, 포켓(59)의 저부 표면(591)을 향한 커버 플레이트(60)의 적어도 중앙 부분의 굴곡 또는 구부러짐에 의해, 간극(55)에 실질적으로 수직인 방향에서의 임의의 잔류 팽창을 흡수하기 위한 수단을 제공한다. 바람직하게는, 탄성 커버 플레이트(60)는 티타늄 플레이트이다.Each pocket 59 of the array of pockets comprises an elastic member, in particular an elastic cover plate 60, spanning the pocket 59 and arranged at a distance from the bottom surface 591 of the pocket 59. . The elastic cover plate 60 has a diameter that is smaller than the first diameter, but larger than the second diameter. Accordingly, the circumferential edge of the elastic cover plate 60 lies on top of the rim or step 61. The elastic cover plate 60 is positioned in any direction substantially perpendicular to the gap 55 by flexing or bending at least a central portion of the cover plate 60 toward the bottom surface 591 of the pocket 59. Provides a means for absorbing residual expansion. Preferably, the elastic cover plate 60 is a titanium plate.

각각의 포켓(59)은 상기 액적의 어레이로부터의 액적(58)을 포함하는데, 액적(58)은 상기 탄성 커버 플레이트(60)와 홀딩 플레이트(52)의 제2 면(56) 사이에 배열된다. PCM의 액적(58)은 탄성 커버 플레이트(60)의 상부 상에서 실질적으로 중앙에 배열된다.Each pocket 59 contains a droplet 58 from the array of droplets, the droplets 58 being arranged between the elastic cover plate 60 and the second side 56 of the holding plate 52. . The droplet 58 of the PCM is arranged substantially centrally on top of the elastic cover plate 60 .

도 10에서 개략적으로 도시되는 바와 같이, 커버 플레이트(60)는, 포켓을 둘러싸는 베이스 플레이트(54)의 표면(63) 아래에서, 대응하는 포켓(59) 내부에 배열되는데, 대응하는 포켓(59)은 베이스 플레이트(54)와 홀딩 플레이트(52) 사이의 간극(55) 내의 액적(58)의 위치를 고정하기 위한 수단을 제공한다. 탄성 홀딩 플레이트(60)와 베이스 플레이트(54) 사이의 열 전달을 증가시키기 위해, 탄성 홀딩 플레이트(60)의 원주 방향 에지와 림 또는 스텝(61) 사이에 열 전도성 페이스트가 배열되는 것이 바람직하다.As schematically shown in FIG. 10 , a cover plate 60 is arranged inside a corresponding pocket 59, below the surface 63 of the base plate 54 surrounding the pocket. ) provides means for fixing the position of the droplet 58 in the gap 55 between the base plate 54 and the holding plate 52. In order to increase heat transfer between the elastic holding plate 60 and the base plate 54, a thermally conductive paste is preferably arranged between the circumferential edge of the elastic holding plate 60 and the rim or step 61.

또한, 각각의 포켓(59)은 상기 포켓(59) 내의 액적(58)을 둘러싸도록 배열되는 링 또는 루프(62)를 포함한다. 바람직하게는, 링은 Viton®과 같은 합성 재료 또는 고무 재료로 제조된다. 링 또는 루프(62)는 상기 포켓(59) 내에, 바람직하게는 상기 탄성 커버 플레이트(60)의 상부 상에 배열되고, 상기 포켓(59) 내에서 PCM의 액적(58)에 대한 구속 부재로서 작용한다. 상기 링 또는 루프(62)의 두께는 홀딩 플레이트(52)와 탄성 커버 플레이트(60) 사이의 거리보다 더 작다. 따라서, 링 또는 루프(62)는 커버 플레이트(60) 및 홀딩 플레이트(52) 둘 모두와 직접 접촉하지 않는다. 링 또는 루프(62)는 홀딩 플레이트(52)의 제1 면(53)에 실질적으로 수직인 방향에서 실질적으로 직사각형 단면을 포함한다. 상기 링 또는 루프(62)의 실질적으로 편평한 상부 표면은, 홀딩 플레이트(52)의 제2 면(56)과 대향하여 배열된다. 갈륨과 같은 재료 거동을 갖는 금속성 재료와 같은, 고밀도를 갖는 PCM을 사용하는 경우, 링 또는 루프(62)는 PCM에 의해 상방으로 푸시되는데, 이것은 링 또는 루프(62)를 홀딩 플레이트(52)의 제2 면(56)을 향해 푸시할 것이다. 링 또는 루프(62)의 편평한 상부 표면은 홀딩 플레이트(52)의 제2 면(56)에 대해 푸시되고 링 또는 루프(62) 내부에 PCM을 포함하기 위한 밀봉을 제공한다.Additionally, each pocket 59 includes a ring or loop 62 arranged to surround the droplet 58 within the pocket 59. Preferably, the ring is made from a synthetic material such as Viton® or a rubber material. A ring or loop 62 is arranged within the pocket 59, preferably on the top of the elastic cover plate 60, and acts as a restraining member for the droplet 58 of PCM within the pocket 59. do. The thickness of the ring or loop 62 is smaller than the distance between the holding plate 52 and the elastic cover plate 60. Accordingly, the ring or loop 62 is not in direct contact with both the cover plate 60 and the holding plate 52. The ring or loop 62 comprises a substantially rectangular cross-section in a direction substantially perpendicular to the first face 53 of the holding plate 52 . The substantially flat upper surface of the ring or loop 62 is arranged opposite the second face 56 of the holding plate 52 . When using a PCM with a high density, such as a metallic material with gallium-like material behavior, the ring or loop 62 is pushed upward by the PCM, which holds the ring or loop 62 against the holding plate 52. It will push towards the second side 56. The flat upper surface of the ring or loop 62 is pushed against the second side 56 of the holding plate 52 and provides a seal for containing the PCM inside the ring or loop 62.

도 10에서 도시되는 예에서, 베이스 플레이트(54)는 상기 포켓(59)의 저부 표면(591)에서, 바람직하게는 상기 포켓(59)의 중심에서 개구되는 통기 구멍(542)을 개구한다. 통기 구멍(591)에 기인하여, 저부 표면(591)과 탄성 커버 플레이트(60) 사이의 포켓(59)의 하부 부분(593) 내부의 압력은, 기판 홀딩 디바이스(51)를 둘러싸는 압력과 실질적으로 동일하다.In the example shown in FIG. 10 , the base plate 54 opens a ventilation hole 542 opening at the bottom surface 591 of the pocket 59, preferably at the center of the pocket 59. Due to the vent hole 591, the pressure inside the lower portion 593 of the pocket 59 between the bottom surface 591 and the elastic cover plate 60 is substantially equal to the pressure surrounding the substrate holding device 51. is the same as

또한, 이 제7 예에서, 베이스 플레이트(54)는 구멍(541)의 어레이를 구비하고, 홀딩 플레이트(52)는 지지체(57)의 어레이를 구비한다. 각각의 지지체(57)는 상기 구멍(541) 중 대응하는 구멍에서 배열되고 접착제 연결을 통해 상기 구멍(541)에서 고정된다.Additionally, in this seventh example, the base plate 54 has an array of holes 541 and the holding plate 52 has an array of supports 57 . Each support 57 is arranged in a corresponding one of the holes 541 and is fixed in the hole 541 through an adhesive connection.

상기 제시된 예 모두는, 본 발명에 따라, 열 흡수 재료, 바람직하게는 상 변화 재료(Phase Change Material; PCM), 더욱 바람직하게는 금속성 PCM의 액적의 어레이를 홀딩하기에 적합한 기판 홀딩 디바이스를 설명한다. 이러한 재료의 예가 하기의 표에서 제시된다:All of the examples given above illustrate, according to the invention, a substrate holding device suitable for holding an array of droplets of a heat absorbing material, preferably a phase change material (PCM), more preferably a metallic PCM. . Examples of these materials are presented in the table below:

도 11은 샘플(130)을 프로세싱 또는 이미징하기 위한 장치의 단순화된 도면을 도시한다. 상기 장치는 전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 입자에 대한 소스를 포함하는 모듈(201), 상기 전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 입자에 상기 샘플(103)을 노광하기 위한 노광 유닛을 포함하는 모듈(204), 및 본 발명에 따른 기판 홀딩 디바이스(209)을 포함한다.11 shows a simplified diagram of an apparatus for processing or imaging sample 130. The apparatus comprises a module 201 comprising a source for electromagnetic radiation or energetic particles, a module 204 comprising an exposure unit for exposing the sample 103 to electromagnetic radiation or energetic particles, and It includes a substrate holding device 209 according to the present invention.

특히, 도 11은, 다음을 포함하는 다중 빔 하전 입자 리소그래피 시스템을 개략적으로 표현한다:In particular, Figure 11 schematically represents a multi-beam charged particle lithography system comprising:

- 하전 입자 빔 소스(101) 및 빔 시준 시스템(beam collimating system)(102)을 포함하는 조명 광학기기 모듈(201),- an illumination optics module (201) comprising a charged particle beam source (101) and a beam collimating system (102),

- 개구 어레이(103) 및 집광 렌즈 어레이(104)를 포함하는 개구 어레이 및 집광 렌즈 모듈(202),- an aperture array and converging lens module (202) comprising an aperture array (103) and converging lens array (104),

- 빔 블랭커 어레이(beam blanker array)(105)를 포함하는 빔 스위칭 모듈(203), 및- a beam switching module (203) comprising a beam blanker array (105), and

- 빔 스톱 어레이(108), 빔 편향기 어레이(109), 및 투사 렌즈 어레이(110)를 포함하는 투사 광학기기 모듈(projection optics module)(204).- a projection optics module 204 comprising a beam stop array 108, a beam deflector array 109, and a projection lens array 110.

도 11에서 도시되는 예에서, 모듈은 정렬 내부 서브프레임(205) 및 정렬 외부 서브프레임(206) 내에 배열된다. 프레임(208)은 진동 감쇠 마운트(vibration damping mount)(207)를 통해 정렬 서브프레임(205, 206)을 지지한다.In the example shown in Figure 11, the modules are arranged within an alignment inner subframe 205 and an alignment outer subframe 206. Frame 208 supports alignment subframes 205 and 206 via vibration damping mounts 207.

모듈(201, 202, 203, 204)은, 다수의 하전 입자 빔을 생성하기 위한, 상기 하전 입자 빔을 변조하기 위한, 그리고 상기 하전 입자 빔을 기판 홀딩 디바이스(209)의 제1 면(209')을 향해 지향시키기 위한 하전 입자 광학 유닛을 함께 형성한다.Modules 201, 202, 203, 204 are configured to generate a plurality of charged particle beams, to modulate the charged particle beam, and to direct the charged particle beam to the first side 209' of the substrate holding device 209. ) together to form a charged particle optical unit for directing towards.

기판 홀딩 디바이스(209)는 척(chuck)(201)의 상부 상에 배열된다. 기판 홀딩 디바이스(209)의 제1 면(209') 상에서, 타겟, 예를 들면, 웨이퍼(130)가 배열될 수 있다.A substrate holding device 209 is arranged on the top of a chuck 201 . On the first side 209' of the substrate holding device 209, a target, for example a wafer 130, may be arranged.

기판 홀딩 디바이스(209) 및 척(210)은 모두 여섯 개의 자유도를 따라 작은 거리에 걸쳐 상기 척(210)을 구동하도록 배열되는 짧은 스트로크 스테이지(short stroke stage)(211) 상에 배열된다. 짧은 스트로크 스테이지(211)는, 적어도 실질적으로 수평인 평면에서 두 개의 직교 방향(X 및 Y)을 따라 상기 짧은 스트로크 스테이지(211) 및 척(210)을 구동하도록 배열되는 긴 스트로크 스테이지(long stroke stage)(212)의 상부 상에 장착된다.Both the substrate holding device 209 and the chuck 210 are arranged on a short stroke stage 211 which is arranged to drive the chuck 210 over a small distance along six degrees of freedom. The short stroke stage 211 is a long stroke stage arranged to drive the short stroke stage 211 and the chuck 210 along two orthogonal directions (X and Y) in at least a substantially horizontal plane. ) is mounted on the top of (212).

리소그래피 장치(200)는 뮤 금속(μ 금속) 차폐 층 또는 층들(215)을 포함하는 진공 챔버(400) 내부에 배열된다. 차폐부(215)는 진공 챔버(400)의 라이닝(lining)으로서 편리한 방식으로 배열된다. 머신은 프레임 부재(221)에 의해 지지되는 베이스 플레이트(220) 상에 놓인다.The lithographic apparatus 200 is arranged inside a vacuum chamber 400 containing a mu metal (μ metal) shielding layer or layers 215 . The shield 215 is arranged in a convenient manner as a lining of the vacuum chamber 400. The machine rests on a base plate (220) supported by frame members (221).

하전 입자 광학 유닛(201, 202, 203, 204)에 대한 웨이퍼(130) 및 기판 홀딩 디바이스(209)의 위치는, 정렬 서브프레임(205)에 부착되는 측정 디바이스(250)로 측정되는데, 측정 디바이스(250)는 측정 디바이스(250)에 대한 척(210)의 위치를 모니터링한다. 측정 디바이스(250)는, 예를 들면, 간섭계 시스템을 포함하고, 척(210)은, 이때, 간섭계 시스템으로부터의 광 빔(252)을 반사시키기 위한 미러(251)를 구비한다.The positions of the wafer 130 and the substrate holding device 209 relative to the charged particle optical units 201, 202, 203, 204 are measured with a measurement device 250 attached to the alignment subframe 205, 250 monitors the position of chuck 210 relative to measurement device 250. The measurement device 250 comprises, for example, an interferometric system, with the chuck 210 now having a mirror 251 for reflecting the light beam 252 from the interferometric system.

도 12는, 예를 들면, 도 11의 멀티 빔 하전 입자 리소그래피 시스템의 투사 광학기기 모듈(204)에서 사용하기 위한 개선된 투사 렌즈 어셈블리(300)의 실시형태의 단면도를 도시한다. 투사 렌즈 어셈블리(300)는, 바람직하게는 금속으로 제조되는, 전기 전도성 원주 방향 벽(330)을 구비하는 하우징을 포함한다. 투사 렌즈 어셈블리(300)는, 커버 엘리먼트(310), 및 상기 하우징의 하류 단부에 있는 지지 엘리먼트(340)를 더 포함한다. 하전 입자 빔에 대한 통로는 커버 엘리먼트(310) 내의 관통 개구(313)로부터, 투사 렌즈 어셈블리의 내부를 통해 제1 전극(301)을 향해, 지지 엘리먼트(340)를 통해 연장하고 마지막으로 제2 전극(302)에서 개구된다. 다수의 하전 입자 빔은, 기판 홀딩 디바이스, 바람직하게는 그러나 필수적이지는 않은, 상기의 예 1 내지 6에서 설명되는 바와 같은 기판 홀딩 디바이스(1)의 상부 상에 배열되는 타겟(370)에 충돌하기 이전에 상기 관통 개구를 관통할 수도 있다. 도시되는 실시형태에서, 지지 엘리먼트(340)는 제1 및 제2 전극(301, 302) 둘 모두에 실질적으로 평행하게 연장된다. 바람직하게는, 지지 엘리먼트(340)는 제1 및 제2 전극(301, 302) 내의 렌즈 구멍 어레이로부터 반경 방향으로 멀어지게 연장된다.FIG. 12 shows a cross-sectional view of an embodiment of an improved projection lens assembly 300 for use in, for example, projection optics module 204 of the multi-beam charged particle lithography system of FIG. 11 . Projection lens assembly 300 includes a housing with an electrically conductive circumferential wall 330, preferably made of metal. Projection lens assembly 300 further includes a cover element 310 and a support element 340 at the downstream end of the housing. The passage for the charged particle beam extends from the through opening 313 in the cover element 310, through the interior of the projection lens assembly towards the first electrode 301, through the support element 340 and finally to the second electrode. It opens at (302). The plurality of charged particle beams impact a target 370 arranged on top of a substrate holding device, preferably but not necessarily, the substrate holding device 1 as described in Examples 1 to 6 above. It is also possible to previously penetrate the through opening. In the depicted embodiment, support element 340 extends substantially parallel to both first and second electrodes 301, 302. Preferably, the support element 340 extends radially away from the lens aperture array in the first and second electrodes 301, 302.

타겟(370)과 투사 렌즈 어셈블리(300) 사이에서의 전기장의 형성을 방지하기 위해, 둘 모두는 접지에 연결될 수도 있고 및/또는 서로 전도적으로 연결될 수 있다. 본 발명에 따른 구조적으로 튼튼한 투사 렌즈 어셈블리는 공지된 리소그래피 시스템에서 일체로 배치될 수도 있거나 또는 홀딩 보수 목적을 위해 교환 또는 제거될 수도 있다.To prevent the formation of an electric field between target 370 and projection lens assembly 300, both may be connected to ground and/or conductively connected to each other. The structurally sound projection lens assembly according to the present invention may be placed integrally in a known lithography system or may be exchanged or removed for holding maintenance purposes.

다수의 하전 입자 빔은 먼저 커버 엘리먼트(310) 내의 관통 통로(313)를 통과한다. 일단 하전 입자 빔이 관통 개구(313)를 관통하면 그들은 빔 스톱 어레이(308)에 도달한다. 빔 스톱 어레이(308)는, 빔 스위칭 모듈(203)의 빔 블랭커 어레이(105)에 의해 편향된 하전 입자 빔을 차단하도록 배열된다. 빔 블랭커 어레이(105)(예를 들면, 도 11 참조)에 의해 편향되는 하전 입자 빔은 빔 스톱 어레이(308)에 의해 차단되고 타겟(370)에 도달하지 않는다. 따라서, 하전 입자 빔은 개별적인 하전 입자 빔이 타겟(370)에 충돌하는 것을 허용하도록 또는 허용하지 않도록 빔 블랭커 어레이에 의해 개별적으로 변조될 수 있다. 빔 블랭커 어레이에 의해 편향되지 않는 빔은 빔 스톱 어레이(308)를 통해 이동하고 제1 및 제2 전극(301, 302)에 의해 제공되는 정전기 렌즈에 의해 타겟(370)의 표면 상으로 투사된다. 이 변조 및 투사 렌즈 어셈블리(300)를 포함하는 노광 유닛에 대한 타겟(370)의 상대적인 이동을 사용하는 것은, 타겟(370)의 표면 상으로의 패턴의 기록을 허용한다.The plurality of charged particle beams first pass through a through passage 313 within the cover element 310. Once the charged particle beam passes through the through opening 313 they reach the beam stop array 308. The beam stop array 308 is arranged to block the charged particle beam deflected by the beam blanker array 105 of the beam switching module 203. A charged particle beam deflected by beam blanker array 105 (see, e.g., Figure 11) is blocked by beam stop array 308 and does not reach target 370. Accordingly, the charged particle beams may be individually modulated by the beam blanker array to allow or not allow the individual charged particle beams to impinge on the target 370. The beam that is not deflected by the beam blanker array travels through the beam stop array 308 and is projected onto the surface of the target 370 by an electrostatic lens provided by the first and second electrodes 301 and 302. . Using this modulation and movement of the target 370 relative to the exposure unit comprising the projection lens assembly 300 allows writing of a pattern onto the surface of the target 370.

몇몇 투사 렌즈 시스템에서, 편향기 유닛이 빔 스톱 어레이(308)와 제1 및 제2 전극(301, 302) 사이에서 배열되는데, 편향기 유닛은, 샘플(307)의 표면에 걸쳐 빔 스톱 어레이(308)를 통과한 빔의 주사 편향을 제공하도록 배열된다. 바람직하게는, 편향기 유닛은, 투사 렌즈 시스템(300)의 광학 축(OA)에 수직인 직교 방향에서 빔을 편향시키기 위한 X 및 Y 편향기를 포함한다.In some projection lens systems, a deflector unit is arranged between the beam stop array 308 and the first and second electrodes 301, 302, where the deflector unit directs the beam stop array over the surface of the sample 307. is arranged to provide scanning deflection of the beam passing through 308). Preferably, the deflector unit comprises X and Y deflectors for deflecting the beam in an orthogonal direction perpendicular to the optical axis (OA) of the projection lens system 300.

상기에서 나타내어지는 바와 같이, 빔 스톱 어레이(308)는 다수의 하전 입자 빔의 하전 입자의 적어도 일부를 적어도 부분적으로 및/또는 일시적으로 차단하기 위한 컴포넌트이다. 하전 입자 빔의 차단에 의해 생성되는 열을 제거하기 위해, 빔 스톱 어레이(308) 컴포넌트는 도관(309)을 구비한다. 사용시, 냉각 유체가 도관(309)을 통해 안내되는데, 도관(309)은 빔 스톱 어레이(308)와 열 접촉하여 배열된다. 도관의 적어도 제1 부분(307)은, 도 13에서 개략적으로 나타내어지는 바와 같이, 두 개의 하전 입자 빔 사이의 영역에 배열된다. 도관의 상기 제1 부분(307)의 중심 축은, 투사 렌즈 시스템(300)의 중심 축 또는 광학 축(OA)에 실질적으로 수직인 방향으로 연장된다.As indicated above, beam stop array 308 is a component for at least partially and/or temporarily blocking at least some of the charged particles of a plurality of charged particle beams. To remove heat generated by blocking the charged particle beam, the beam stop array 308 component is provided with a conduit 309. In use, cooling fluid is conducted through conduits 309, which are arranged in thermal contact with the beam stop array 308. At least the first portion 307 of the conduit is arranged in the region between the two charged particle beams, as schematically shown in FIG. 13 . The central axis of the first portion 307 of the conduit extends in a direction substantially perpendicular to the central axis or optical axis OA of the projection lens system 300.

도 12 및 도 13에서 나타내어지는 바와 같이, 도관의 적어도 제2 부분(306)은, 도관의 상기 제2 부분(306)의 중심 축이 투사 렌즈 시스템(300)의 중심 축 또는 광학 축(OA)에 실질적으로 평행한 방향에서 연장되도록, 연장되도록 배열된다. 따라서, 도관의 제1 부분(307)은, 사용시, 기판(370)에 가깝게 배열되는 투사 렌즈 시스템(300)의 제1 단부(303)에서 또는 그 근처에 배열될 수 있다. 도관의 제2 부분(306)은 투사 렌즈 시스템(300)의 상기 제1 단부(303)로부터 멀어지는 도관의 연장을 제공하는데, 이것은 제1 단부(303)로부터 적절이 이격되는 유체에 대한 입력 연결부(304) 및/또는 출력 연결부(305)를 제공하는 것, 및 기판(370)에 매우 가깝게 투사 렌즈 시스템(300)의 제1 단부(303)에 배열하는 것을 허용한다.12 and 13, at least the second portion 306 of the conduit is configured such that the central axis of the second portion 306 of the conduit is the central axis or optical axis (OA) of the projection lens system 300. It is arranged to extend, so as to extend in a direction substantially parallel to. Accordingly, the first portion 307 of the conduit may be arranged at or near the first end 303 of the projection lens system 300, which, in use, is arranged close to the substrate 370. The second portion 306 of the conduit provides an extension of the conduit away from the first end 303 of the projection lens system 300, which provides an input connection for fluid suitably spaced from the first end 303. 304) and/or output connections 305 and arranged at the first end 303 of the projection lens system 300 very close to the substrate 370.

도 13에서 도시되는 바와 같은 냉각 유닛은, 정전 편향기 또는 렌즈와 같은 그러나 이들로 제한되지는 않는, 하전 입자 빔을 적어도 부분적으로 또는 일시적으로 조작하기 위한 능동 컴포넌트를 냉각시켜, 이러한 능동 컴포넌트 상에 또는 내에 배열되는 전자 컴포넌트에 의해 생성되는 열을 이동시키기 위해 또한 사용될 수 있다는 것을 유의한다. 능동 컴포넌트, 예를 들면, 제1 및 제2 전극(301, 302)은 도관(307) 사이 내에 배열될 수 있다.The cooling unit as shown in FIG. 13 cools active components for manipulating the charged particle beam, such as but not limited to electrostatic deflectors or lenses, at least partially or temporarily on these active components. Note that it can also be used to displace heat generated by electronic components arranged within. Active components, for example first and second electrodes 301 and 302, may be arranged within between conduits 307.

도 14는 샘플(470)을 노광하기 위한 노광 유닛, 및 적어도 상기 노광 동안 상기 샘플(470)을 홀딩하기 위한 기판 홀딩 디바이스(480)를 포함하는 어셈블리의 일부의 실시형태의 단면도를 도시한다. 도 14에서 도시되는 어셈블리는, 예를 들면, 도 11의 멀티 빔 하전 입자 리소그래피 시스템의 투사 광학기기 모듈(204)에서 사용하기에 적합하다.FIG. 14 shows a cross-sectional view of an embodiment of a portion of an assembly including an exposure unit for exposing a sample 470 and a substrate holding device 480 for holding the sample 470 during at least the exposure. The assembly shown in Figure 14 is suitable for use, for example, in the projection optics module 204 of the multi-beam charged particle lithography system of Figure 11.

노광 유닛은, 바람직하게는 금속으로 제조되는, 전기적으로 전도성의 원주 방향 벽(430)을 구비하는 하우징을 포함하는 투사 렌즈 어셈블리(400)를 포함한다. 꼭 도 12에서 도시되는 투사 렌즈 어셈블리(300)처럼, 투사 렌즈 어셈블리(400)는 커버 엘리먼트(410), 커버 엘리먼트(410) 내의 관통 개구(413), 빔 스톱 어레이(408), 지지 엘리먼트(440), 제1 전극(401), 제2 전극(402)을 포함한다.The exposure unit comprises a projection lens assembly 400 comprising a housing with an electrically conductive circumferential wall 430, preferably made of metal. Just like the projection lens assembly 300 shown in FIG. 12, the projection lens assembly 400 includes a cover element 410, a through opening 413 in the cover element 410, a beam stop array 408, and a support element 440. ), a first electrode 401, and a second electrode 402.

또한, 투사 렌즈 어셈블리(400)는, 하전 입자 빔의 적어도 일부를 적어도 부분적으로 및/또는 일시적으로 조작 및/또는 차단하기 위한 컴포넌트를 포함한다. 하나의 이러한 컴포넌트는, 도 11에서 도시되는 빔 스위칭 모듈(203)의 빔 블랭커 어레이(105)에 의해 편향된 하전 입자 빔을 차단하도록 배열되는 빔 스톱 어레이(408)이다. 빔 스톱 어레이(408)는, 미리 결정된 제1 온도에서 빔 스톱 어레이(408)를 실질적으로 홀딩하도록 배열되는 냉각 장치를 포함한다. 도 14에서 도시되는 예에서, 냉각 장치는 또한 투사 렌즈 어셈블리의 다른 부분을 냉각시키고, 사용시, 실질적으로 전체 투사 렌즈 어셈블리는 상기 제1 온도에 있다. 투사 렌즈 어셈블리는, 지지 엘리먼트(440)에서 배열되는 제1 온도 센서(T1)를 포함하는데, 예를 들면, 제1 온도 센서(T1)는 투사 렌즈 어셈블리, 특히 기판 홀딩 디바이스(480)와 대향하는 상기 투사 렌즈 어셈블리의 부분의 온도를 측정하도록 배열된다.Projection lens assembly 400 also includes components for manipulating and/or blocking at least partially and/or temporarily at least a portion of the charged particle beam. One such component is a beam stop array 408 arranged to block a charged particle beam deflected by the beam blanker array 105 of the beam switching module 203 shown in FIG. 11 . The beam stop array 408 includes a cooling device arranged to substantially hold the beam stop array 408 at a first predetermined temperature. In the example shown in Figure 14, the cooling device also cools other portions of the projection lens assembly and, in use, substantially the entire projection lens assembly is at the first temperature. The projection lens assembly comprises a first temperature sensor T1 arranged on a support element 440 , for example the first temperature sensor T1 is positioned opposite the projection lens assembly, in particular the substrate holding device 480 . arranged to measure the temperature of a portion of the projection lens assembly.

냉각 장치는 냉각 유체, 특히, 고순도 물과 같은 냉각 액체에 대한 도관 또는 덕트의 실질적으로 닫힌 회로를 포함한다. 냉각 장치는, 냉각 유체를 제1 온도보다 낮은 온도로 냉각시키기 위한 냉각 디바이스(450)를 더 포함한다. 냉각 디바이스(450)는, 사용시, 팹 냉각제 회로에 커플링되는 열교환 회로(451)를 포함한다.The cooling device comprises a substantially closed circuit of conduits or ducts for a cooling fluid, particularly a cooling liquid such as high purity water. The cooling device further includes a cooling device 450 for cooling the cooling fluid to a temperature lower than the first temperature. Cooling device 450 includes a heat exchange circuit 451 that, when in use, is coupled to a fab coolant circuit.

냉각 디바이스(450)의 하류에는, 가열 디바이스(470)가 닫힌 회로 내에 배열된다. 가열 디바이스(470)는 냉각 액체를 가열하도록 배열된다. 냉각 디바이스(450) 및 가열 디바이스(470)의 조합은, 냉각 유체의 온도를 정확하게 제어하기 위한 수단을 제공한다. 가열 디바이스는 투사 렌즈 어셈블리(400)에 대해 상류 위치에서 도관 내에 배열된다.Downstream of the cooling device 450, a heating device 470 is arranged in a closed circuit. Heating device 470 is arranged to heat the cooling liquid. The combination of cooling device 450 and heating device 470 provides a means for accurately controlling the temperature of the cooling fluid. The heating device is arranged in the conduit at a position upstream with respect to the projection lens assembly 400.

상기에서 나타내어지는 바와 같이, 빔 스톱 어레이(408)는 다수의 하전 입자 빔의 하전 입자 중 적어도 일부를 적어도 부분적으로 및/또는 일시적으로 차단하기 위한 컴포넌트이다. 하전 입자 빔의 차단에 의해 생성되는 열을 제거하기 위해, 빔 스톱 어레이(408) 컴포넌트는 냉각 장치의 일부인 도관(409)을 구비한다. 사용시, 냉각 디바이스(450)로부터 그리고 가열 디바이스(470)로부터 유래하는 냉각 유체는, 도관(406)을 통해 도관(409)을 향해 유동하도록 배열되는데, 도관(409)은 빔 스톱 어레이(408)와 열 접촉하여 배열된다. 후속하여, 냉각 유체는 도관(406', 405)을 통해 냉각 디바이스(450)로 다시 유동한다. 도 14에서 나타내어지는 바와 같이, 도관(409)은 투사 렌즈 시스템(400) 내부에서, 사용시에, 기판(470)에 가깝게 배열되는 투사 렌즈 시스템(400)의 제1 단부(403)에서 또는 그 근처에서 배열된다.As indicated above, beam stop array 408 is a component for at least partially and/or temporarily blocking at least some of the charged particles of a plurality of charged particle beams. To remove the heat generated by blocking the charged particle beam, the beam stop array 408 component is provided with a conduit 409 that is part of a cooling device. In use, cooling fluid from the cooling device 450 and from the heating device 470 is arranged to flow through the conduit 406 toward the conduit 409, which is connected to the beam stop array 408. Arranged in thermal contact. Subsequently, the cooling fluid flows back to the cooling device 450 through conduits 406', 405. As shown in FIG. 14 , the conduit 409 is within the projection lens system 400 and, in use, at or near the first end 403 of the projection lens system 400, which is arranged close to the substrate 470. are arranged in

더구나, 닫힌 회로는, 도관(404, 406, 409, 406', 405) 내의 냉각 유체의 온도를 측정하기 위한 하나 이상의 온도 센서를 포함한다. 도 14에서 도시되는 특정한 예에서:Moreover, the closed circuit includes one or more temperature sensors for measuring the temperature of the cooling fluid in the conduits 404, 406, 409, 406', 405. In the specific example shown in Figure 14:

제2 온도 센서(T2)가 냉각 디바이스(450)와 가열 디바이스(470) 사이의 도관 내에 배열되고;A second temperature sensor T2 is arranged in the conduit between the cooling device 450 and the heating device 470;

제3 온도 센서(T3)가 가열 디바이스(470)와 빔 스톱 어레이(408) 사이의 도관 내에 배열되고; 그리고A third temperature sensor T3 is arranged in the conduit between the heating device 470 and the beam stop array 408; and

제4 온도 센서(T4)가 빔 스톱 어레이(408)의 하류의 도관 내에 배열된다.A fourth temperature sensor T4 is arranged in the conduit downstream of the beam stop array 408.

온도 센서(T1, T2, T3 및 T4)는, 냉각 디바이스(450) 내에서의 열 교환 회로(451)를 통한 팹 냉각 액체의 흐름을 제어하도록 및/또는 가열 디바이스(470)에 의한 냉각 유체의 가열을 제어하도록 배열되는 온도 제어 시스템(490)에 대한 입력을 제공한다. 온도 제어 시스템(490)은, 기판 홀딩 디바이스(480)와 투사 렌즈 시스템(400), 특히 기판 홀딩 디바이스(480)와 대향하는 투사 렌즈 시스템(400)의 제1 단부(403) 사이에 온도 차이를 확립하기 위해 가열 디바이스(470) 및/또는 냉각 디바이스(450)를 제어하도록 배열되는데, 온도 차이는 1 ℃ 내지 1.5 ℃의 범위 내에 있는 것이 바람직하다.Temperature sensors T1, T2, T3 and T4 are configured to control the flow of fab cooling liquid through heat exchange circuit 451 within cooling device 450 and/or control the flow of cooling fluid by heating device 470. Provides input to a temperature control system 490 arranged to control heating. The temperature control system 490 maintains a temperature difference between the substrate holding device 480 and the projection lens system 400, particularly the first end 403 of the projection lens system 400 opposite the substrate holding device 480. It is arranged to control the heating device 470 and/or the cooling device 450 to establish, preferably, a temperature difference in the range of 1° C. to 1.5° C.

샘플(470)은 적어도 노광 동안 상기 샘플(470)을 홀딩하기 위한 기판 홀딩 디바이스(480)의 상부 상에 배열된다. 기판 홀딩 디바이스(480)는 홀딩 플레이트(481) - 홀딩 플레이트는 기판(470)을 홀딩하기 위한 제1 면을 포함함 - , 및 베이스 플레이트(482)를 포함한다. 홀딩 플레이트(481)과 베이스 플레이트(482) 사이에는, 제2 온도에서 상 변화를 갖는 상 변화 재료(483)를 포함하는 온도 안정화 장치가 배열된다. 기판 홀딩 디바이스(480)는, 상기의 예 1 내지 예 6에서 설명되는 바와 같은 기판 홀딩 디바이스인 것이 바람직하지만, 그러나 필수적인 것은 아니다.Sample 470 is arranged on top of a substrate holding device 480 for holding the sample 470 at least during exposure. The substrate holding device 480 includes a holding plate 481 , where the holding plate includes a first side for holding a substrate 470 , and a base plate 482 . Between the holding plate 481 and the base plate 482, a temperature stabilizing device comprising a phase change material 483 having a phase change at a second temperature is arranged. The substrate holding device 480 is preferably, but not required, a substrate holding device as described in Examples 1 to 6 above.

도 14에서 도시되는 예에서, 기판 홀딩 디바이스(480) 및 투사 렌즈 시스템(400)은 둘 모두 각각은, 자신의 온도를 제어하기 위한 장치를 구비하고 있다. 특히, 투사 렌즈 시스템(400)이 에너지를 갖는 하전 입자 빔을 사용하여 샘플(470)을 노광하도록 배열되기 때문에, 투사 렌즈 시스템(400), 특히 빔 스톱 어레이(408) 및/또는 샘플(470)은 에너지의 적어도 일부를 흡수할 것이다. 투사 렌즈 시스템(400) 및 기판 홀딩 디바이스(480) 둘 모두에 그들 자신의 냉각 장치 및 온도 안정화 장치를 제공하는 것에 의해, 기판(470)의 정확한 온도 제어가 달성될 수 있는데, 온도 제어는:In the example shown in Figure 14, both substrate holding device 480 and projection lens system 400 each have provisions for controlling their temperature. In particular, since the projection lens system 400 is arranged to expose the sample 470 using an energetic charged particle beam, the projection lens system 400, in particular the beam stop array 408 and/or the sample 470 will absorb at least some of the energy. By providing both the projection lens system 400 and the substrate holding device 480 with their own cooling and temperature stabilization devices, precise temperature control of the substrate 470 can be achieved, comprising:

바람직하게는 쉽게 이용 가능한 팹 냉각제를 사용하여, 투사 렌즈 시스템(400), 특히 그것의 빔 스톱 어레이(408)의 온도를, 제1 온도에서 적어도 실질적으로 홀딩하는 것, 및holding the temperature of the projection lens system 400, particularly its beam stop array 408, at least substantially at a first temperature, preferably using a readily available fab coolant, and

제2 온도에서 상 변화를 갖는 상 변화 재료를 사용하여 기판(470)의 온도를 제2 온도에서 홀딩하는 것을 허용한다.Use of a phase change material that has a phase change at the second temperature allows the temperature of the substrate 470 to be held at the second temperature.

개략적인 도 12 및 도 14는, 낮은 keV의 하전 입자, 예를 들면, 실질적으로 10 keV 미만의, 바람직하게는 약 5 keV의 에너지를 갖는 하전 입자를 사용하는 하전 입자 빔 노광 시스템에 대해 특히, 일정 비율이 아니다는 것을 유의한다. 낮은 keV의 하전 입자를 사용하는 이러한 하전 입자 빔 노광 시스템에서, 투사 렌즈 시스템(400)의 제1 단부(403)와 기판(470)의 상부 표면 사이의 거리(s)는 매우 작다. 거리(s)는 샘플(470)의 두께(d2)보다 더 작은 것이 바람직하다. 샘플(470)이 실리콘 웨이퍼인 경우, 두께(d2)는 통상적으로 330 마이크로미터이다. 거리(s)는, 투사 렌즈 시스템(400)의 제1 단부(403)를 정의하는 제2 전극(402)의 두께(d1)보다 더 작은 것이 바람직하다. 특히, 거리(s)는 100 마이크로미터보다 더 작고, 바람직하게는 50 마이크로미터이다.Figures 12 and 14 schematically show, in particular, a charged particle beam exposure system using low keV charged particles, for example charged particles having an energy of substantially less than 10 keV, preferably about 5 keV, Please note that this is not a constant ratio. In this charged particle beam exposure system using low keV charged particles, the distance s between the first end 403 of the projection lens system 400 and the top surface of the substrate 470 is very small. The distance s is preferably smaller than the thickness d2 of the sample 470. If the sample 470 is a silicon wafer, the thickness d2 is typically 330 micrometers. The distance s is preferably smaller than the thickness d1 of the second electrode 402 defining the first end 403 of the projection lens system 400. In particular, the distance s is smaller than 100 micrometers, preferably 50 micrometers.

도 12 및 도 14의 예에서 도시되는 바와 같이, 기판 홀딩 디바이스(480) 및 노광 유닛, 특히 그것의 투사 렌즈 시스템(400) 둘 모두는, 자신의 온도를 제어하기 위한 장치를 구비한다. 또한, 도 14에 개략적으로 도시되는 바와 같이, 노광 유닛의 냉각 장치의 온도는, 기판 홀딩 디바이스(480)의 온도 안정화 장치의 온도에 기초하여 제어된다. 따라서, 냉각 장치는, 제1 온도, 특히 제1 온도 센서(T1)에 의해 측정되는 바와 같은 온도를, 상 변화 재료(483)가 상 변화를 나타내는 제2 온도에 가깝게 되게 또는 동일하게 되게 조절하도록 구성되는 제어 디바이스(490)를 포함한다.As shown in the examples of Figures 12 and 14, both the substrate holding device 480 and the exposure unit, especially its projection lens system 400, are equipped with arrangements for controlling their temperature. Additionally, as schematically shown in FIG. 14 , the temperature of the cooling device of the exposure unit is controlled based on the temperature of the temperature stabilizing device of the substrate holding device 480. Accordingly, the cooling device adjusts the first temperature, in particular the temperature as measured by the first temperature sensor T1, to be close to or equal to the second temperature at which the phase change material 483 exhibits a phase change. It includes a configured control device 490.

냉각 장치 및 온도 안정화 장치는, 적어도, 상기 하전 입자 빔에 의한 상기 기판의 노광 동안, 제2 온도가 제1 온도에 또는 그 근처에 있도록 배열되는 것이 바람직하다.The cooling device and the temperature stabilizing device are preferably arranged so that, at least during exposure of the substrate by the charged particle beam, the second temperature is at or near the first temperature.

도 15는, 본원의 상기에서 설명되는 바에 따른 장치에 의해 반도체 디바이스를 제조하기 위한 방법의 한 예의 개략적인 플로우차트(150)를 도시한다. 그 방법은 다음의 단계를 포함한다:Figure 15 shows a schematic flowchart 150 of an example of a method for manufacturing a semiconductor device by an apparatus according to the above-described description herein. The method includes the following steps:

151: 기판 홀딩 디바이스 상에 웨이퍼를 배치하고 상기 웨이퍼를 상기 노광 유닛의 하류에 위치 결정하는 단계;151: Placing a wafer on a substrate holding device and positioning the wafer downstream of the exposure unit;

152: 상기 소스로부터의 전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 입자에 의해 상기 웨이퍼 상에 이미지 또는 패턴을 투사하는 것을 포함하는 상기 웨이퍼를 프로세싱하는 단계; 및152: Processing the wafer including projecting an image or pattern onto the wafer by electromagnetic radiation or energized particles from the source; and

153: 상기 프로세싱된 웨이퍼에 의해 반도체 디바이스를 생성하기 위한 후속 단계를 수행하는 단계.153: Performing subsequent steps to create a semiconductor device with the processed wafer.

도 16은, 본원의 상기에서 설명되는 바와 같은 장치에 의해 타겟을 검사하기 위한 방법의 한 예의 개략적인 플로우차트(160)를 도시하는데, 그 방법은 다음의 단계를 포함한다:16 shows a schematic flowchart 160 of an example of a method for inspecting a target by a device as described above herein, the method comprising the following steps:

161: 기판 홀딩 디바이스 상에 상기 타겟을 배치하고 상기 웨이퍼를 상기 노광 유닛의 하류에 위치 결정하는 단계;161: Placing the target on a substrate holding device and positioning the wafer downstream of the exposure unit;

162: 상기 소스로부터의 에너지를 갖는 상기 전자기 방사선 또는 입자를 타겟 상에 투사하는 단계;162: Projecting the electromagnetic radiation or particles with energy from the source onto a target;

163: 상기 소스로부터의 상기 전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 입자가 타겟 상에 입사할 때, 상기 타겟에 의해 투과, 방출 및/또는 반사되는 전자기 방사선 또는 하전 입자를 검출하는 단계; 및 163: When the electromagnetic radiation or energetic particles from the source are incident on the target, detecting electromagnetic radiation or charged particles transmitted, emitted and/or reflected by the target; and

164: 하전 입자를 검출하는 단계로부터의 데이터에 의해 상기 타겟을 검사하기 위한 후속 단계를 수행하는 단계.164: Performing subsequent steps to inspect the target by data from the step of detecting charged particles.

상기의 설명은 바람직한 실시형태의 동작을 예시하기 위해 포함되며 본 발명의 범위를 제한하도록 의도되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 상기의 논의로부터, 본 발명의 취지 및 범위에 의해 여전히 포괄될 많은 변형예가 기술 분야에서 숙련된 자에게 명백할 것이다.It should be understood that the above description is included to illustrate the operation of the preferred embodiments and is not intended to limit the scope of the invention. From the above discussion, it will be apparent to those skilled in the art that there are many variations that will still be encompassed by the spirit and scope of the invention.

예를 들면, 비록 상기의 설명된 예에서의 포켓의 형상 및 직경이 도시되는 모든 포켓에 대해 실질적으로 동일하지만, 베이스 플레이트는 상이한 사이즈 및/또는 상이한 형상을 갖는 포켓을 또한 구비할 수 있다. 특히, 기판 홀딩 디바이스의 에지를 따르는 포켓은, 기판 홀딩 디바이스의 에지를 따라 열 흡수 재료의 양호한 커버리지를 획득하기 위해 포켓보다 더 작을 수도 있다.For example, although the shape and diameter of the pockets in the examples described above are substantially the same for all pockets shown, the base plate may also have pockets of different sizes and/or different shapes. In particular, the pockets along the edges of the substrate holding device may be smaller than the pockets to obtain good coverage of the heat absorbing material along the edges of the substrate holding device.

더구나, 많은 수의 열 흡수 재료가 사용될 수 있다. 이미 나타내어진 바와 같이, 열 흡수 재료는, 기판 홀딩 디바이스가 사용되는 기판 프로세싱 장치의 동작 온도에서 또는 그 근처에서 용융 온도 또는 용융 범위를 가지도록 선택되는 것이 바람직하다. 이러한 열 흡수 재료는 상 변화 재료, 또는 간단히 PCM의 이름 하에서 또한 공지되어 있다.Moreover, a large number of heat absorbing materials can be used. As already indicated, the heat absorbing material is preferably selected to have a melting temperature or melting range at or near the operating temperature of the substrate processing apparatus in which the substrate holding device is used. These heat-absorbing materials are also known under the name of phase change materials, or simply PCM.

요약하면, 본 발명은, 홀딩 플레이트, 베이스 플레이트, 지지체의 어레이, 및 열 흡수 재료의 액적의 어레이를 포함하는 기판 홀딩 디바이스에 관한 것이다. 홀딩 플레이트는 기판을 홀딩하기 위한 제1 면을 포함한다. 베이스 플레이트는, 홀딩 플레이트로부터 일정 거리에 배열되고, 제1 면에 대향하는 홀딩 플레이트의 면에서 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 사이에 간극을 제공한다. 지지체의 어레이는 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이에 배열된다. 액체 및/또는 고체 액적의 어레이는 홀딩 플레이트와 베이스 플레이트 사이에 배열되고, 액적은 베이스 플레이트와 홀딩 플레이트 둘 모두와 접촉하도록 배열된다. 액적은 서로로부터 그리고 지지체로부터 이격되어 배열되고, 간극을 따르는 방향에서 서로 인접하게 배열된다.In summary, the present invention relates to a substrate holding device comprising a holding plate, a base plate, an array of supports, and an array of droplets of heat absorbing material. The holding plate includes a first side for holding the substrate. The base plate is arranged at a certain distance from the holding plate and provides a gap between the base plate and the holding plate on the side of the holding plate opposite the first side. An array of supports is arranged between the holding plate and the base plate. An array of liquid and/or solid droplets is arranged between the holding plate and the base plate, and the droplets are arranged to contact both the base plate and the holding plate. The droplets are arranged spaced apart from each other and from the support, and adjacent to each other in the direction along the gap.

추가적으로 또는 대안적으로, 본 발명은 샘플을 노광하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 장치는 전자기 방사선 또는 에너지를 갖는 입자에 대한 소스, 상기 전자기 방사선 또는 입자에 상기 샘플을 노광하기 위한 노광 유닛, 및 적어도 상기 노광 동안 상기 샘플을 홀딩하는 기판 홀딩 디바이스를 포함한다. 노광 유닛은, 전자기 방사선 또는 하전 입자의 적어도 일부를 조작 및/또는 차단하기 위한 컴포넌트를 포함한다. 컴포넌트는, 컴포넌트를 미리 결정된 제1 온도에서 실질적으로 홀딩하도록 배열되는 냉각 장치를 포함한다. 기판 홀딩 디바이스는, 상기 기판 홀딩 디바이스 상에 배열되는 샘플의 온도를 실질적으로 안정화시키도록 배열되는 온도 안정화 장치를 포함한다. 온도 안정화 장치는, 제1 온도에 있는 또는 그 근처에 있는 제2 온도에서 상 변화를 갖는 상 변화 재료를 포함한다.Additionally or alternatively, the present invention relates to devices and methods for exposing samples. The apparatus includes a source for electromagnetic radiation or energetic particles, an exposure unit for exposing the sample to the electromagnetic radiation or particles, and a substrate holding device for holding the sample at least during the exposure. The exposure unit includes components for manipulating and/or blocking at least some of the electromagnetic radiation or charged particles. The component includes a cooling device arranged to substantially hold the component at a first predetermined temperature. The substrate holding device includes a temperature stabilization device arranged to substantially stabilize the temperature of the sample arranged on the substrate holding device. The temperature stabilizing device includes a phase change material having a phase change at a second temperature that is at or near the first temperature.

Claims (12)

기판 홀딩 디바이스로서,
기판을 홀딩하기 위한 제1 면(side)을 포함하는 홀딩 플레이트(holding plate);
상기 홀딩 플레이트로부터 일정 거리에 배열되며 상기 제1 면으로부터 멀어지게 대향하는 상기 홀딩 플레이트의 제2 면에서 베이스 플레이트와 상기 홀딩 플레이트 사이에 간극을 제공하는 베이스 플레이트; 및
적어도 상기 홀딩 플레이트와 상기 베이스 플레이트 사이에 배열되는 지지체 어레이를 포함하며,
상기 베이스 플레이트 및/또는 상기 홀딩 플레이트에는 포켓 어레이가 위치하고, 상기 포켓 어레이의 한 포켓에서의 상기 홀딩 플레이트와 상기 베이스 플레이트 사이의 간극의 폭은 상기 포켓 주위의 상기 홀딩 플레이트와 상기 베이스 플레이트 사이의 간극의 폭보다 더 크며, 각 포켓은 오목부(indentation) 또는 함몰부(depression)로 제공되는,
기판 홀딩 디바이스.
As a substrate holding device,
A holding plate including a first side for holding the substrate;
a base plate arranged at a predetermined distance from the holding plate and providing a gap between the base plate and the holding plate on a second side of the holding plate facing away from the first side; and
At least comprising a support array arranged between the holding plate and the base plate,
A pocket array is located on the base plate and/or the holding plate, and the width of the gap between the holding plate and the base plate in one pocket of the pocket array is the gap between the holding plate and the base plate around the pocket. greater than the width of, each pocket being provided with an indentation or depression,
Substrate holding device.
제 1 항에 있어서,
상기 지지체 어레이는 상기 홀딩 플레이트의 상기 제2 면 및/또는 상기 베이스 플레이트에 고정식으로 부착되는,
기판 홀딩 디바이스.
According to claim 1,
wherein the support array is fixedly attached to the second side of the holding plate and/or to the base plate,
Substrate holding device.
제 1 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트에는 상기 지지체 어레이를 장착하기 위한 복수의 구멍이 위치하는,
기판 홀딩 디바이스.
According to claim 1,
The base plate has a plurality of holes for mounting the support array,
Substrate holding device.
제 1 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트에는 상기 포켓의 저부 표면(bottom surface)에서 개구되는(debouche) 통기 구멍(venting hole)이 위치하는,
기판 홀딩 디바이스.
According to claim 1,
The base plate has a venting hole opening at the bottom surface of the pocket,
Substrate holding device.
제 4 항에 있어서,
상기 통기 구멍은 실질적으로 상기 포켓의 중앙에서 개구되는,
기판 홀딩 디바이스.
According to claim 4,
wherein the ventilation hole opens substantially in the center of the pocket,
Substrate holding device.
제 1 항에 있어서,
상기 베이스 플레이트는 Si 카바이드(Si-Carbide)를 포함하는,
기판 홀딩 디바이스.
According to claim 1,
The base plate includes Si-Carbide,
Substrate holding device.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 간극은 상기 기판 홀딩 디바이스의 외부로의 개방 연결(open connection)을 포함하는,
기판 홀딩 디바이스.
The method according to any one of claims 1 to 6,
The gap comprises an open connection to the outside of the substrate holding device.
Substrate holding device.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 간극은 상기 기판 홀딩 디바이스의 주위 측면 에지(surrounding side edge)에서 실질적으로 개방되어 있는,
기판 홀딩 디바이스.
The method according to any one of claims 1 to 6,
the gap is substantially open at a surrounding side edge of the substrate holding device,
Substrate holding device.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 홀딩 플레이트와 상기 베이스 플레이트 사이의 상기 간극에는, 상기 제1 면에 배치된 기판으로부터 열을 제거하기 위해 배치된 열 흡수 재료(heat absorbing material)가 위치하는,
기판 홀딩 디바이스.
The method according to any one of claims 1 to 6,
In the gap between the holding plate and the base plate, a heat absorbing material disposed to remove heat from the substrate disposed on the first side is located.
Substrate holding device.
제 9 항에 있어서,
상기 열 흡수 재료는 상 변화 재료(phase change material)를 포함하는,
기판 홀딩 디바이스.
According to clause 9,
The heat absorbing material includes a phase change material,
Substrate holding device.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 홀딩 플레이트와 상기 베이스 플레이트 사이의 상기 간극에 배열된 링 어레이를 더 포함하는,
기판 홀딩 디바이스.
The method according to any one of claims 1 to 6,
Further comprising a ring array arranged in the gap between the holding plate and the base plate,
Substrate holding device.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 따른 기판 홀딩 디바이스를 포함하는,
멀티-빔 하전 입자 리소그래피 시스템.
Comprising a substrate holding device according to any one of claims 1 to 6,
Multi-beam charged particle lithography system.
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