JP2012231046A - Optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method - Google Patents

Optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method Download PDF

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a projection optical system, an exposure apparatus, an exposure method, and a device manufacturing method, capable of enhancing exposure accuracy.SOLUTION: An exposure apparatus 10 comprises a projection apparatus 14 equipped with a plurality of mirrors 17 held inside a lens barrel 16. A periphery of the lens barrel 16 of the projection apparatus 14 is provided with: a metallic material 19, having a physical property of phase transitioning between a liquid phase and a solid phase, in which the liquid phase and the solid phase coexist; and a metal holding member 18 which is provided in a periphery of the lens barrel 16 and holds the metallic material 19.

Description

本発明は、フォトリソグラフィ技術を利用して、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスを製造する際に用いられる光学部材を収容する鏡筒を有した光学装置、及び該光学装置を備える露光装置、露光装置を用いて露光する工程を含むデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to an optical apparatus having a lens barrel that houses an optical member used when manufacturing a microdevice such as a semiconductor element, a liquid crystal display element, and a thin film magnetic head using photolithography technology, and the optical apparatus And a device manufacturing method including a step of performing exposure using the exposure apparatus.

近年、半導体装置等のデバイスに対する小型化や高集積化の要請に伴い、デバイスに形成される回路パターンの高精細化が進んでいる。その高精細化を達成する露光装置の一つとして、極端紫外光(EUV光:Extreme Ultraviolet Light )を露光光として用いるEUV露光装置が注目されている。   In recent years, with the demand for miniaturization and high integration of devices such as semiconductor devices, circuit patterns formed on devices have been highly refined. As one of exposure apparatuses that achieve such high definition, an EUV exposure apparatus that uses extreme ultraviolet light (EUV light: Extreme Ultraviolet Light) as exposure light has attracted attention.

一般に露光装置は、ミラー、レンズ、及び視野絞り等の複数の光学部材を有する投影光学系を備えている。そして、露光対象である基板が露光されるときには、光源から射出された露光光が、投影光学系を介して基板に照射される。このとき、露光光を反射するミラーあるいは透過するレンズに加え、これらの光学部材を保持する鏡筒にも露光光の熱が与えられる。他方、鏡筒の外周部は、該鏡筒が置かれている外部雰囲気に曝されているため、鏡筒の温度と外部雰囲気との温度差によっては、熱が与えられたりあるいは奪われたりする。こうした様々な要因のゆえに、鏡筒の温度は変化しやすい。   In general, the exposure apparatus includes a projection optical system having a plurality of optical members such as a mirror, a lens, and a field stop. And when the board | substrate which is exposure object is exposed, the exposure light inject | emitted from the light source is irradiated to a board | substrate via a projection optical system. At this time, in addition to the mirror that reflects the exposure light or the lens that transmits the exposure light, heat of the exposure light is also given to the lens barrel that holds these optical members. On the other hand, since the outer periphery of the lens barrel is exposed to the external atmosphere in which the lens barrel is placed, heat is given or taken away depending on the temperature difference between the temperature of the lens barrel and the external atmosphere. . Because of these various factors, the temperature of the lens barrel tends to change.

そこで、例えば特許文献1に記載の技術においては、鏡筒の外周部に接触するように冷媒用の配管を設けるようにしている。そして、温度が調節された冷媒に配管内を循環させることで、鏡筒の温度変化を抑えるようにしている。   Therefore, for example, in the technique described in Patent Document 1, a refrigerant pipe is provided so as to be in contact with the outer peripheral portion of the lens barrel. And the temperature change of a lens-barrel is suppressed by circulating the inside of piping by the refrigerant | coolant by which temperature was adjusted.

特開2004−304145号公報JP 2004-304145 A

しかしながら、鏡筒の外周部に直接配管を接触させた上、配管の内部を冷媒が循環する構成にあっては、鏡筒やその内部の光学部材に冷媒の循環に伴う振動が伝わることになる。こうした振動は、基板に投影される像の位置ずれや、光学部材間の距離の変動を生じさせることになる。   However, with the configuration in which the pipe is brought into direct contact with the outer periphery of the lens barrel and the refrigerant circulates inside the pipe, the vibration accompanying the circulation of the refrigerant is transmitted to the lens barrel and the optical member inside the pipe. . Such vibration causes positional deviation of the image projected on the substrate and fluctuations in the distance between the optical members.

本発明の態様は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、露光精度を高めることができる光学装置、露光装置、及びデバイス製造方法を提供することにある。   An aspect of the present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an optical apparatus, an exposure apparatus, and a device manufacturing method that can improve exposure accuracy.

上記課題を解決するため、本発明の態様においては、後述の実施形態に示す図1〜図10に対応付けした以下の構成を採用している。   In order to solve the above-mentioned problems, the following configuration corresponding to FIGS. 1 to 10 shown in the embodiments described later is employed in the aspect of the present invention.

本発明の態様の光学装置は、鏡筒(16)の内部に保持された光学部材(17)を備える光学装置(14)であって、液相と固相との間で相転移する物性を有し、前記液相と前記固相とが共存する金属材料(19)と、前記鏡筒の外周部に設けられ、前記金属材料を保持する第1の保持部(18)と、を備えることを要旨とする。   An optical device according to an aspect of the present invention is an optical device (14) including an optical member (17) held inside a lens barrel (16), and has physical properties that undergo phase transition between a liquid phase and a solid phase. And a metal material (19) in which the liquid phase and the solid phase coexist, and a first holding part (18) that is provided on an outer peripheral part of the lens barrel and holds the metal material. Is the gist.

上記構成によれば、第1の保持部に保持された金属材料が、鏡筒の温度変化に応じて鏡筒の熱を受けたり、鏡筒に熱を与えたりすることによって、鏡筒の温度を調節する。そのため、鏡筒の温度が所定の範囲に維持されることから、鏡筒の熱伸縮、ひいては光学部材の位置が変わることが抑えられる。それゆえに、光学装置を介した露光の精度が高められるようになる。   According to the above configuration, the metal material held by the first holding unit receives the heat of the lens barrel or gives heat to the lens barrel in accordance with the temperature change of the lens barrel, thereby causing the temperature of the lens barrel. Adjust. For this reason, since the temperature of the lens barrel is maintained within a predetermined range, it is possible to suppress thermal expansion and contraction of the lens barrel, and consequently the position of the optical member. Therefore, the accuracy of exposure through the optical device is improved.

なお、本発明の態様を分かりやすく説明するために、本発明の構成と実施形態の説明に用いる図面に付された符号とを対応付けて説明したが、本発明の態様は該実施形態に限定されるものではない。   In addition, in order to explain the aspect of the present invention in an easy-to-understand manner, the configuration of the present invention and the reference numerals attached to the drawings used for the description of the embodiment have been described in association with each other. However, the aspect of the present invention is limited to the embodiment. Is not to be done.

第1実施形態における走査型露光装置の概略構成を示す図。1 is a diagram showing a schematic configuration of a scanning exposure apparatus in a first embodiment. 第1実施形態における金属保持部材周辺の断面構造を示す図。The figure which shows the cross-section of the metal holding member periphery in 1st Embodiment. 二成分系の共融状態図。Binary eutectic phase diagram. 加熱時間と金属材料の温度との関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between heating time and the temperature of a metal material. 金属材料の液面高さと金属材料の状態との関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between the liquid level height of a metal material, and the state of a metal material. 第2実施形態における金属保持部材周辺の断面構造を示す図。The figure which shows the cross-section of the metal holding member periphery in 2nd Embodiment. 第3実施形態における金属保持部材周辺の断面構造を示す図。The figure which shows the cross-section of the metal holding member periphery in 3rd Embodiment. 第4実施形態における金属保持部材周辺の断面構造を示す図。The figure which shows the cross-section of the metal holding member periphery in 4th Embodiment. デバイスの製造例における処理の手順を示すフローチャート。The flowchart which shows the procedure of the process in the manufacture example of a device. デバイスの製造例における基板処理工程を詳細に示すフローチャート。The flowchart which shows the board | substrate process process in the manufacture example of a device in detail.

[第1実施形態]
以下、本発明の態様にかかる光学装置及び露光装置の第1実施形態について図1〜5図を参照して説明する。
[露光装置]
まず、露光装置の全体構成について図1を参照して説明する。図1に示すように、本実施形態の露光装置10は、光源装置11から射出される、波長が100nm程度以下の軟X線領域である極端紫外光、即ちEUV(Extreme Ultraviolet )光を露光光ELとして用いる走査型のEUV露光装置である。露光装置10は、内部が大気よりも低圧の真空雰囲気であって且つ所定温度領域の範囲内に設定される露光チャンバCを備えている。露光チャンバCには、連結部11aを介して光源装置11が接続されている。また、露光チャンバC内には、光源装置11から露光チャンバC内に供給された露光光ELで所定のパターンが形成された反射型のレチクルRを照明する照明装置12と、パターン形成面Raを有したレチクルRを保持するレチクルステージ13とが設けられている。また、露光チャンバC内には、レチクルRを介した露光光ELでレジストなどの感光性材料が塗布されたウエハWを照射する光学装置としての投影装置14と、ウエハWを保持するウエハステージ15とが設けられている。
[First Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of an optical apparatus and an exposure apparatus according to an aspect of the present invention will be described with reference to FIGS.
[Exposure equipment]
First, the overall configuration of the exposure apparatus will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, an exposure apparatus 10 of the present embodiment uses extreme ultraviolet light, ie, EUV (Extreme Ultraviolet) light, which is a soft X-ray region having a wavelength of about 100 nm or less, emitted from a light source device 11 as exposure light. This is a scanning EUV exposure apparatus used as an EL. The exposure apparatus 10 includes an exposure chamber C that is set in a predetermined temperature region within a vacuum atmosphere whose pressure is lower than that of the atmosphere. The light source device 11 is connected to the exposure chamber C via a connecting portion 11a. In the exposure chamber C, an illumination device 12 that illuminates a reflective reticle R on which a predetermined pattern is formed by the exposure light EL supplied from the light source device 11 into the exposure chamber C, and a pattern formation surface Ra are provided. A reticle stage 13 that holds the reticle R is provided. Further, in the exposure chamber C, a projection device 14 as an optical device that irradiates a wafer W coated with a photosensitive material such as a resist by exposure light EL through a reticle R, and a wafer stage 15 that holds the wafer W. And are provided.

光源装置11は、波長が5〜20nmのEUV光を露光光ELとして出力する装置であって、図示しないレーザ励起プラズマ光源を備えている。このレーザ励起プラズマ光源では、例えば半導体レーザ励起を利用したYAGレーザやエキシマレーザなどの高出力レーザで高密度のEUV光発生物質(ターゲット)を照射することによりプラズマが発生され、該プラズマからEUV光が露光光ELとして放射される。こうした露光光ELは、図示しない集光光学系によって集光されて露光チャンバC内に出力される。   The light source device 11 is a device that outputs EUV light having a wavelength of 5 to 20 nm as exposure light EL, and includes a laser excitation plasma light source (not shown). In this laser-excited plasma light source, plasma is generated by irradiating a high-density EUV light generating substance (target) with a high-power laser such as a YAG laser or excimer laser using semiconductor laser excitation, and EUV light is emitted from the plasma. Is emitted as exposure light EL. Such exposure light EL is condensed by a condensing optical system (not shown) and output into the exposure chamber C.

照明装置12は、露光チャンバCの内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体12aを備えている。この筐体12a内には、光源装置11から筐体12a内に入射された露光光ELを反射可能な複数枚の図示しない反射ミラーが設けられている。各反射ミラーによって順に反射された露光光ELは反射ミラーRMに入射することによって、反射ミラーRMにて反射されてレチクルステージ13に保持されるレチクルRに導かれる。   The illumination device 12 includes a housing 12a in which the inside is set to a vacuum atmosphere, similarly to the inside of the exposure chamber C. In the casing 12a, a plurality of reflection mirrors (not shown) that can reflect the exposure light EL incident from the light source device 11 into the casing 12a are provided. The exposure light EL sequentially reflected by the respective reflecting mirrors enters the reflecting mirror RM, is reflected by the reflecting mirror RM, and is guided to the reticle R held on the reticle stage 13.

レチクルステージ13は、投影装置14の物体面側に配置されており、レチクルRを静電吸着する図示しない静電吸着保持装置を備えている。また、レチクルステージ13は、図示しないレチクルステージ駆動部の駆動によって、投影装置14に対して相対移動が可能である。   The reticle stage 13 is disposed on the object plane side of the projection device 14 and includes an electrostatic chuck holding device (not shown) that electrostatically chucks the reticle R. The reticle stage 13 can be moved relative to the projection device 14 by driving a reticle stage drive unit (not shown).

投影装置14は、露光光ELでレチクルRのパターン形成面Raを照明することにより形成されたパターンの像を例えば1/4倍等の所定の縮小倍率に縮小させる光学系である。投影装置14は、露光チャンバCの内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される鏡筒16を備えている。鏡筒16内には、複数枚の反射型のミラー17が収容されている。なお、鏡筒16内に収容されるミラー17は例えば6枚であって、図1では図示の便宜上、1枚のみ示している。そして、物体面側であるレチクルR側から導かれた露光光ELは、各ミラー17に順に反射され、ウエハステージ15に保持されるウエハWの露光面Waに導かれる。   The projection device 14 is an optical system that reduces an image of a pattern formed by illuminating the pattern forming surface Ra of the reticle R with exposure light EL to a predetermined reduction magnification such as 1/4. Similar to the inside of the exposure chamber C, the projection device 14 includes a lens barrel 16 whose inside is set to a vacuum atmosphere. A plurality of reflective mirrors 17 are accommodated in the lens barrel 16. The number of mirrors 17 accommodated in the lens barrel 16 is, for example, six, and only one is shown in FIG. 1 for convenience of illustration. Then, the exposure light EL guided from the reticle R side, which is the object plane side, is sequentially reflected by each mirror 17 and guided to the exposure surface Wa of the wafer W held on the wafer stage 15.

また、鏡筒16の外周部には、液体状の金属を保持する金属保持部材18が複数連結されている。金属保持部材18のそれぞれには、液相と固相との間で相転移する金属材料19が保持されている。金属材料19は、鏡筒16における接触面を介して該鏡筒16と熱の授受を行うことによって、鏡筒16の温度を所定の範囲に調節する。   A plurality of metal holding members 18 that hold liquid metal are connected to the outer periphery of the lens barrel 16. Each metal holding member 18 holds a metal material 19 that undergoes a phase transition between a liquid phase and a solid phase. The metal material 19 adjusts the temperature of the lens barrel 16 to a predetermined range by exchanging heat with the lens barrel 16 through the contact surface of the lens barrel 16.

ウエハステージ15は、ウエハWを静電吸着するための図示しない静電吸着保持装置を備えている。ウエハステージ15は、図示しないウエハステージ駆動部によって、投影装置14に対して相対移動が可能である。   The wafer stage 15 includes an electrostatic chucking holding device (not shown) for electrostatically chucking the wafer W. The wafer stage 15 can be moved relative to the projection device 14 by a wafer stage driving unit (not shown).

こうした露光装置10を用いてウエハWの一つのショット領域にレチクルRの回路パターンを形成するときには、まず、照明装置12によって照明領域をレチクルRに形成した状態で、レチクルステージ駆動部が、レチクルRを投影装置14に対して相対移動させるとともに、ウエハステージ駆動部が、ウエハWをレチクルRの移動に対して投影装置14の縮小倍率に応じた速度比でレチクルRの移動方向に同期して移動させる。そして、一つのショット領域への回路パターンの形成が終了すると、他のショット領域に対する回路パターンの形成が続けて行われる。
[金属保持部材]
次に、金属保持部材18とその周辺の構造の詳細について図2を参照して説明する。図2に示されるように、金属保持部材18は、各種合成樹脂等の断熱材料によって形成される環状部材であって、鏡筒16の外径と同じ内径を有する円環状の底壁部18aを有している。底壁部18aの外周縁には、上記レチクルステージ13側に延びる円筒状の周壁部18bが、底壁部18aの全周にわたり一体に形成されている。また、底壁部18aの内周縁には、上記ウエハステージ15側に延びる円筒状の接続部18cが、これもまた底壁部18aと一体に形成されている。底壁部18aと鏡筒16との間には、Oリング18eが挟み込まれ、また接続部18cと鏡筒16との間にも、Oリング18fが挟み込まれている。
When using the exposure apparatus 10 to form a circuit pattern of the reticle R on one shot area of the wafer W, first, the reticle stage driving unit performs the reticle R while the illumination area is formed on the reticle R by the illumination apparatus 12. The wafer stage drive unit moves the wafer W in synchronization with the movement direction of the reticle R at a speed ratio corresponding to the reduction magnification of the projection apparatus 14 with respect to the movement of the reticle R. Let When the formation of the circuit pattern in one shot area is completed, the circuit pattern is continuously formed in another shot area.
[Metal holding member]
Next, details of the metal holding member 18 and the surrounding structure will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, the metal holding member 18 is an annular member formed of a heat insulating material such as various synthetic resins, and has an annular bottom wall portion 18 a having the same inner diameter as the outer diameter of the lens barrel 16. Have. A cylindrical peripheral wall portion 18b extending toward the reticle stage 13 is integrally formed on the outer peripheral edge of the bottom wall portion 18a over the entire periphery of the bottom wall portion 18a. A cylindrical connecting portion 18c extending toward the wafer stage 15 is formed integrally with the bottom wall portion 18a on the inner peripheral edge of the bottom wall portion 18a. An O-ring 18e is sandwiched between the bottom wall portion 18a and the lens barrel 16, and an O-ring 18f is also sandwiched between the connection portion 18c and the lens barrel 16.

そして、接続部18cがねじ18dによって鏡筒16にねじ止めされることによって、底壁部18aと鏡筒16との間、及び接続部18cと鏡筒16との間がシールされる。また、周壁部18bと鏡筒16とに挟まれた空間には、底壁部18aが底部となる環状の凹部が金属保持部材18と鏡筒16とによって形成され、該凹溝である第1の保持部としての保持空間Sには、上記金属材料19が保持される。なお、金属保持部材18が断熱材料によって形成されているため、鏡筒16と金属材料19との間での熱の授受に対し、金属保持部材18が影響を及ぼすことを抑えることができる。   Then, the connecting portion 18c is screwed to the lens barrel 16 with a screw 18d, thereby sealing between the bottom wall portion 18a and the lens barrel 16 and between the connecting portion 18c and the lens barrel 16. Further, in the space sandwiched between the peripheral wall portion 18b and the lens barrel 16, an annular recess having the bottom wall portion 18a as the bottom is formed by the metal holding member 18 and the lens barrel 16, which is the first groove. The metal material 19 is held in the holding space S as the holding portion. In addition, since the metal holding member 18 is formed of a heat insulating material, it is possible to suppress the influence of the metal holding member 18 on the transfer of heat between the lens barrel 16 and the metal material 19.

金属材料19は、例えば二成分系の合金であり、且つ共晶組成の合金である。金属材料19は、露光装置10の使用時における鏡筒16の温度である基準温度にて液相と固相とが共存する固液共存相である。   The metal material 19 is, for example, a binary alloy and an alloy having a eutectic composition. The metal material 19 is a solid-liquid coexisting phase in which the liquid phase and the solid phase coexist at a reference temperature that is the temperature of the lens barrel 16 when the exposure apparatus 10 is used.

金属材料19の上方には、保持空間S内における金属材料19の液面高さH、つまり、底壁部18aにおける保持空間S側の面と液面19sとの距離を測定する測定装置Mが配設されている。測定装置Mは、非接触で液面19sの高さを測定する装置であって、例えば、金属材料19の表面に向けた射出光が金属材料19の液面19sにて反射されて、該測定装置Mによって検出されるまでの時間に基づいて金属材料19の液面19sの高さを測定する。測定装置Mによって測定された液面19sの高さから、金属材料19が、液相、液相と固相との共存状態である固液共存相、及び固相とのいずれであるかを判断することができる。つまり、本実施形態の測定装置Mは、金属材料19中の固相と液相との比率を検出する検出装置である。
[金属材料]
以下、金属材料19の特性について図3〜図5を参照して説明する。上述のように、金属材料19は、金属Aと金属Bとから構成される二成分系の合金であり、図3に示されるように、金属材料19の融点は、金属A単体の融点Tma及び金属B単体の融点Tmbよりも低く、しかも、金属Aと金属Bとが共晶組成Eにあるときの融点である共晶点Tmである。つまり、金属材料19は、共晶組成Eの合金である共晶合金であって、単体の金属と同様に液相と固相との間で相転移する。
Above the metal material 19, there is a measuring device M that measures the liquid level height H of the metal material 19 in the holding space S, that is, the distance between the surface of the bottom wall 18a on the holding space S side and the liquid level 19s. It is arranged. The measuring device M is a device that measures the height of the liquid surface 19s in a non-contact manner. For example, the emitted light directed to the surface of the metal material 19 is reflected by the liquid surface 19s of the metal material 19, and the measurement is performed. Based on the time until the detection by the apparatus M, the height of the liquid surface 19s of the metal material 19 is measured. From the height of the liquid surface 19s measured by the measuring device M, it is determined whether the metal material 19 is a liquid phase, a solid-liquid coexisting phase in which the liquid phase and the solid phase coexist, or a solid phase. can do. That is, the measuring device M of the present embodiment is a detection device that detects the ratio between the solid phase and the liquid phase in the metal material 19.
[Metal material]
Hereinafter, the characteristics of the metal material 19 will be described with reference to FIGS. As described above, the metal material 19 is a binary alloy composed of the metal A and the metal B, and as shown in FIG. 3, the melting point of the metal material 19 is the melting point Tma of the metal A alone and This is the eutectic point Tm which is lower than the melting point Tmb of the single metal B and which is the melting point when the metal A and the metal B are in the eutectic composition E. That is, the metal material 19 is a eutectic alloy that is an alloy having an eutectic composition E, and phase transition is performed between a liquid phase and a solid phase in the same manner as a single metal.

つまり、固相の金属材料19、例えば温度T1の金属材料19が加熱されると、図4に示されるように、加熱の開始時であるタイミングt0から金属材料19の温度が共晶点Tmとなるタイミングt1までの間は、該金属材料19の温度が上昇し続ける。そして、タイミングt1にて金属材料19の温度が共晶点Tmになると、固相である金属材料19が溶融を開始し、金属材料19が固液共存相となる。タイミングt1にて金属材料19が固液共存相になると、金属材料19の全てが液相となるタイミングt2までの間、金属材料19に与えられた熱エネルギーは潜熱として消費されることから、金属材料19の温度が一定に維持される。そして、タイミングt2にて金属材料19の全て液相になると、金属材料19の温度が再び上昇し始める。   That is, when the solid-phase metal material 19, for example, the metal material 19 at the temperature T1, is heated, as shown in FIG. 4, the temperature of the metal material 19 is equal to the eutectic point Tm from the timing t0 when the heating starts. Until the timing t1, the temperature of the metal material 19 continues to rise. At the timing t1, when the temperature of the metal material 19 reaches the eutectic point Tm, the metal material 19 that is a solid phase starts melting, and the metal material 19 becomes a solid-liquid coexisting phase. When the metal material 19 becomes a solid-liquid coexistence phase at the timing t1, the thermal energy given to the metal material 19 is consumed as latent heat until the timing t2 when all of the metal material 19 becomes a liquid phase. The temperature of the material 19 is kept constant. Then, when all of the metal material 19 becomes a liquid phase at the timing t2, the temperature of the metal material 19 starts to rise again.

このように、共晶合金である金属材料19が固液共存相である間は、金属材料19の放熱及び吸熱が生じても、該金属材料19の温度は一定に維持されることになる。そのため、例えば、鏡筒16が外部から熱を受けることで、その温度が基準温度よりも高くなると、金属材料19は、鏡筒16の温度上昇分に対応する熱を受けることで、こうして受けた熱を潜熱として消費する。これにより、金属材料19の全量に占める液相の割合が、鏡筒16からの熱を受ける前よりも大きくなる。他方、鏡筒16が冷却されることで、その温度が基準温度よりも低くなると、金属材料19は、鏡筒16の温度低下分に対応する熱を与える。これにより、金属材料19の全量に占める固相の割合が、鏡筒16に熱を与える前よりも大きくなる。   Thus, while the metal material 19 that is a eutectic alloy is in a solid-liquid coexisting phase, the temperature of the metal material 19 is kept constant even if heat dissipation and heat absorption of the metal material 19 occur. Therefore, for example, when the lens barrel 16 receives heat from the outside and its temperature becomes higher than the reference temperature, the metal material 19 receives the heat corresponding to the temperature rise of the lens barrel 16 and thus receives the heat. Consumes heat as latent heat. Thereby, the ratio of the liquid phase to the total amount of the metal material 19 becomes larger than before the heat from the lens barrel 16 is received. On the other hand, when the temperature of the lens barrel 16 is reduced to be lower than the reference temperature, the metal material 19 gives heat corresponding to the temperature drop of the lens barrel 16. Thereby, the ratio of the solid phase in the total amount of the metal material 19 becomes larger than before the heat is applied to the lens barrel 16.

こうした金属材料19を構成する金属の組み合わせ、各組み合わせの共晶組成、及び共晶点を以下に例示する。
・Ga−In合金 Ga:In=84:16(at%) 共晶点15.7℃
・Ga−Sn合金 Ga:Sn=92:8(at%) 共晶点20.5℃
・Ga−Zn合金 Ga:Zn=94:6(at%) 共晶点25℃
・Ga−Al合金 Ga:Al=91:9(at%) 共晶点26.4℃
・Hg−Na合金 Hg:Na=15:85(at%) 共晶点21℃
上記組み合わせのうち、鏡筒16に設定されている基準温度、例えば鏡筒16や上記ミラー17の熱膨張が所定の範囲に収まる温度のときに固液共存相となる金属の組み合わせが、上記金属材料19として選択される。なお、図3には、説明及び図示の便宜上、金属A及び金属Bが、液体同士であれば混合比に関わらず溶解するものの、固体同士についてはほとんど溶解しない場合における二成分系の状態図を示している。
Examples of combinations of metals constituting the metal material 19, eutectic compositions of the combinations, and eutectic points are given below.
Ga—In alloy Ga: In = 84: 16 (at%) Eutectic point 15.7 ° C.
Ga—Sn alloy Ga: Sn = 92: 8 (at%) Eutectic point 20.5 ° C.
Ga—Zn alloy Ga: Zn = 94: 6 (at%) Eutectic point 25 ° C.
Ga—Al alloy Ga: Al = 91: 9 (at%) Eutectic point 26.4 ° C.
Hg-Na alloy Hg: Na = 15: 85 (at%) Eutectic point 21 ° C.
Among the combinations described above, a combination of metals that become a solid-liquid coexistence phase at a reference temperature set in the lens barrel 16, for example, a temperature at which the thermal expansion of the lens barrel 16 or the mirror 17 falls within a predetermined range, Selected as material 19. For convenience of explanation and illustration, FIG. 3 shows a phase diagram of a two-component system in which the metal A and the metal B are dissolved regardless of the mixing ratio if they are liquids, but the solids are hardly dissolved. Show.

また、上記測定装置Mによって測定される液面高さHは、図5に示されるように、金属材料19の全てが固相であるときに、高さHSであり、金属材料19が固液共存相であるときには、該金属材料19の全量に占める液相の割合が大きくなるにしたがって、液面高さHが高くなる。そして、金属材料19の全てが液相であるときに高さHLとなる。   Further, as shown in FIG. 5, the liquid level height H measured by the measuring device M is a height HS when all of the metal material 19 is in a solid phase, and the metal material 19 is a solid-liquid. When the phase is a coexisting phase, the liquid surface height H increases as the proportion of the liquid phase in the total amount of the metal material 19 increases. The height HL is reached when all of the metal material 19 is in a liquid phase.

ここで、金属材料19が固液共存相であるときには、上述のように、鏡筒16の温度が上下しても、金属材料19による吸熱及び放熱によって、鏡筒16の温度が略一定に維持される。しかしながら、金属材料19が液相、若しくは固相であると、鏡筒16の温度が上下することに伴って、金属材料19の温度も上下してしまう。これにより、鏡筒16の熱膨張や収縮により、ミラー17間の距離が変動することから、露光装置10による露光の精度が低下してしまう。そこで、露光装置10では、液面高さHが以下の範囲にあるときには、露光の精度が十分に得られないものとして露光を停止するようにされている。
・金属材料19の全てが固相であるときの高さHSよりも所定距離だけ大きい高さH1未満であるとき。
・金属材料19の全てが液相であるときの高さHLよりも所定距離だけ小さい高さH2を超えるとき。
Here, when the metal material 19 is in a solid-liquid coexisting phase, as described above, even if the temperature of the lens barrel 16 rises and falls, the temperature of the lens barrel 16 is maintained substantially constant due to heat absorption and heat dissipation by the metal material 19. Is done. However, if the metal material 19 is in a liquid phase or a solid phase, the temperature of the metal material 19 also increases and decreases as the temperature of the lens barrel 16 increases and decreases. As a result, the distance between the mirrors 17 varies due to thermal expansion and contraction of the lens barrel 16, and the accuracy of exposure by the exposure apparatus 10 decreases. Therefore, in the exposure apparatus 10, when the liquid level height H is in the following range, the exposure is stopped because the exposure accuracy cannot be sufficiently obtained.
When the height of the metal material 19 is less than the height H1 that is larger than the height HS when the metal material 19 is a solid phase by a predetermined distance.
When the height H2 that is smaller by a predetermined distance than the height HL when all of the metal material 19 is in the liquid phase is exceeded.

以上説明したように、本発明の態様にかかる光学装置及び露光装置の第1実施形態によれば、以下に列挙する効果が得られるようになる。   As described above, according to the first embodiment of the optical apparatus and the exposure apparatus according to the aspect of the present invention, the effects listed below can be obtained.

(1)鏡筒16の外周に金属保持部材18を設けるとともに、金属保持部材18内に金属材料19を保持するようにしている。そのため、金属材料19が、鏡筒16における接触面を介して該鏡筒16と熱の授受を行うことによって、鏡筒16の温度を所定の範囲に調節する。それゆえに、鏡筒16の温度を所定の温度に保つことができる。また、露光装置10による露光の精度を高めることができる。   (1) A metal holding member 18 is provided on the outer periphery of the lens barrel 16 and a metal material 19 is held in the metal holding member 18. Therefore, the metal material 19 exchanges heat with the lens barrel 16 through the contact surface of the lens barrel 16 to adjust the temperature of the lens barrel 16 to a predetermined range. Therefore, the temperature of the lens barrel 16 can be kept at a predetermined temperature. In addition, the accuracy of exposure by the exposure apparatus 10 can be increased.

(2)金属材料19として、鏡筒16の基準温度において固液共存相である共晶組成の合金を用いるようにしている。そのため、鏡筒16の温度が基準温度よりも高くなる、若しくは低くなるような場合でも、金属材料19が、鏡筒16の温度変化分だけ吸熱あるいは放熱しつつ、一定の温度に維持されやすくなる。それゆえに、鏡筒16の温度を所定の温度に保つことができる。また、露光装置10による露光の精度を高めることができる。   (2) An alloy having a eutectic composition that is a solid-liquid coexisting phase at the reference temperature of the lens barrel 16 is used as the metal material 19. Therefore, even when the temperature of the lens barrel 16 is higher or lower than the reference temperature, the metal material 19 is easily maintained at a constant temperature while absorbing or radiating heat by the temperature change of the lens barrel 16. . Therefore, the temperature of the lens barrel 16 can be kept at a predetermined temperature. In addition, the accuracy of exposure by the exposure apparatus 10 can be increased.

(3)金属材料19の液面高さHが、該金属材料19の全てが固相であるときの高さHSよりも所定距離だけ大きい高さH1未満となるとき、及び金属材料19の全てが液相であるときの高さHLよりも所定距離だけ小さい高さH2となるときに、露光装置10による露光を停止する。そのため、鏡筒16の熱膨張、あるいは収縮が生じるような温度範囲では露光装置10による露光が行われないことから、ウエハWに対する露光の精度が低下することを抑えられる。   (3) When the liquid level height H of the metal material 19 is less than the height H1 that is a predetermined distance larger than the height HS when all of the metal material 19 is a solid phase, and all of the metal material 19 When the height H2 is smaller by a predetermined distance than the height HL when the liquid is in the liquid phase, the exposure by the exposure apparatus 10 is stopped. For this reason, exposure by the exposure apparatus 10 is not performed in a temperature range where the thermal expansion or contraction of the lens barrel 16 occurs, so that it is possible to suppress a reduction in exposure accuracy on the wafer W.

(4)金属保持部材18を断熱材料で形成している。そのため、金属保持部材18が、鏡筒16と金属材料19との熱の授受に影響することを抑えることができる。それゆえに、鏡筒16の温度を一定に維持しやすくなる。
[第2実施形態]
以下、本発明の態様にかかる光学装置及び露光装置の第2実施形態について図6を参照して説明する。なお、本実施形態は、上記第1実施形態と比較して、鏡筒16の外周に設けられた金属保持部材周辺の構造が異なる。そのため以下では、光学装置及び露光装置の有する金属保持部材周辺について詳細に説明する。
[金属保持部材]
図6に示されるように、金属保持部材21は、第1実施形態と同様、各種合成樹脂等の断熱材料によって形成される環状部材であって、鏡筒16の外径と同じ内径を有する円環状の底壁部21aを有している。底壁部21aの外周縁には、上記レチクルステージ13側に延びる円筒状の周壁部21bが底壁部21aと一体に形成されているとともに、底壁部21aの内周縁には、上記ウエハステージ15側に延びる円筒状の接続部21cが底壁部21aと一体に形成されている。上記底壁部21aと鏡筒16との間には、Oリング21eが嵌め込まれ、また接続部18cと鏡筒16との間にも、Oリング21fが嵌め込まれている。そして、接続部21cがねじ21dによって鏡筒16にねじ止めされることによって、底壁部21aと鏡筒16との間、及び接続部21cと鏡筒16との間がシールされる。
(4) The metal holding member 18 is formed of a heat insulating material. Therefore, it is possible to suppress the metal holding member 18 from affecting the transfer of heat between the lens barrel 16 and the metal material 19. Therefore, it becomes easy to keep the temperature of the lens barrel 16 constant.
[Second Embodiment]
A second embodiment of the optical apparatus and exposure apparatus according to an aspect of the present invention will be described below with reference to FIG. In addition, this embodiment differs in the structure of the metal holding member periphery provided in the outer periphery of the lens-barrel 16 compared with the said 1st Embodiment. Therefore, in the following, the periphery of the metal holding member of the optical device and the exposure device will be described in detail.
[Metal holding member]
As shown in FIG. 6, the metal holding member 21 is an annular member formed of a heat insulating material such as various synthetic resins as in the first embodiment, and has a circle having the same inner diameter as the outer diameter of the lens barrel 16. It has an annular bottom wall 21a. A cylindrical peripheral wall portion 21b extending toward the reticle stage 13 is formed integrally with the bottom wall portion 21a at the outer peripheral edge of the bottom wall portion 21a, and the wafer stage is provided at the inner peripheral edge of the bottom wall portion 21a. A cylindrical connecting portion 21c extending to the 15 side is formed integrally with the bottom wall portion 21a. An O-ring 21 e is fitted between the bottom wall portion 21 a and the lens barrel 16, and an O-ring 21 f is fitted between the connection portion 18 c and the lens barrel 16. Then, the connection portion 21c is screwed to the lens barrel 16 with a screw 21d, thereby sealing between the bottom wall portion 21a and the lens barrel 16 and between the connection portion 21c and the lens barrel 16.

底壁部21aの外周縁と内周縁との略中央には、これらと同心の円筒状をなす熱伝導部21gが配設されている。熱伝導部21gは、周壁部21bと同心の円筒状をなす仕切部21hと、該仕切部21hと直交するフランジ部21iとから構成される。フランジ部21iは、仕切部21hを挟むように配置されたねじ21jによって上記底壁部21aにねじ止めされている。熱伝導部21gは、例えば金属等の熱伝導性の材料によって形成されている。   A heat conducting portion 21g having a cylindrical shape concentric with the outer peripheral edge and the inner peripheral edge of the bottom wall 21a is disposed at the approximate center. The heat conducting portion 21g includes a partition portion 21h having a cylindrical shape concentric with the peripheral wall portion 21b, and a flange portion 21i orthogonal to the partition portion 21h. The flange portion 21i is screwed to the bottom wall portion 21a by a screw 21j disposed so as to sandwich the partition portion 21h. The heat conducting part 21g is formed of a heat conductive material such as metal.

そして、熱伝導部21gと鏡筒16とに挟まれた空間には、底壁部21aが底部となる環状の凹部が金属保持部材21の一部と鏡筒16とによって形成され、該凹部である第1の保持部としての第1保持空間S1には、第1実施形態と同様の金属材料19が保持される。   In the space between the heat conducting portion 21g and the lens barrel 16, an annular recess having the bottom wall portion 21a as the bottom is formed by a part of the metal holding member 21 and the lens barrel 16. A metal material 19 similar to that of the first embodiment is held in a first holding space S1 as a certain first holding portion.

金属材料19の上方には、上記第1実施形態と同様、第1保持空間S1内における金属材料19の液面高さH、つまり、上記底壁部21aにおける第1保持空間S1側の面と液面19sとの距離を測定する測定装置Mが配設されている。   Above the metal material 19, as in the first embodiment, the liquid level height H of the metal material 19 in the first holding space S1, that is, the surface of the bottom wall portion 21a on the first holding space S1 side, A measuring device M for measuring the distance from the liquid level 19s is provided.

また、周壁部21bと熱伝導部21gとに挟まれた空間には、底壁部21aが底部となる環状の凹部が金属保持部材21の一部によって形成され、該凹部である第2の保持部としての第2保持空間S2には、熱伝導性の液体材料22が保持される。液体材料22中には、金属ブロック23の一端が浸漬されているとともに、該金属ブロック23の他端が冷媒配管26に接続されている。例えば、金属ブロック23の上記ウエハステージ15側の端部が液体材料22に浸漬されているとともに、該金属ブロック23の上記レチクルステージ13側の端部は、ペルチェ素子24及び配管接続部25を介して冷媒配管26に接続されている。
[液体材料]
上記第2保持空間S2に保持されている液体材料22としては、Ga、Gaを含む合金、及び水銀等の液体金属を用いることができる。液体材料22としてGaを含む合金を選択する場合には、上記金属材料19と同様、共晶組成の合金を用いるようにしてもよい。こうした液体材料22には、上記鏡筒16の基準温度、及び金属材料19の共晶点よりも融点の低い材料を選択することが好ましい。これにより、液体材料22が固相になることを抑えることができる。
Further, in the space sandwiched between the peripheral wall portion 21b and the heat conducting portion 21g, an annular concave portion having the bottom wall portion 21a as a bottom portion is formed by a part of the metal holding member 21, and the second holding portion is the concave portion. The thermally conductive liquid material 22 is held in the second holding space S2 as a part. One end of the metal block 23 is immersed in the liquid material 22, and the other end of the metal block 23 is connected to the refrigerant pipe 26. For example, the end of the metal block 23 on the wafer stage 15 side is immersed in the liquid material 22, and the end of the metal block 23 on the reticle stage 13 side is interposed via a Peltier element 24 and a pipe connection portion 25. And connected to the refrigerant pipe 26.
[Liquid material]
As the liquid material 22 held in the second holding space S2, Ga, an alloy containing Ga, and a liquid metal such as mercury can be used. When an alloy containing Ga is selected as the liquid material 22, an alloy having a eutectic composition may be used as in the case of the metal material 19. As the liquid material 22, it is preferable to select a material having a melting point lower than the reference temperature of the lens barrel 16 and the eutectic point of the metal material 19. Thereby, it can suppress that the liquid material 22 turns into a solid phase.

また、液体材料22としては、磁性を有した粉体を油中や液体金属中に分散させた磁性流体を用いることができる。この場合、液体材料22に対して外部磁場を作用させることによって、液体材料22が第2保持空間S2内に保持されやすくなる。
[調整装置]
本実施形態では、上記金属ブロック23、ペルチェ素子24、配管接続部25、及び冷媒配管26が、第1保持空間S1に保持された金属材料19に対する熱の授受を調整することで、該金属材料19を固液共存相の状態に維持する調整装置を構成している。以下、調整装置について詳細に説明する。
Further, as the liquid material 22, a magnetic fluid in which magnetic powder is dispersed in oil or liquid metal can be used. In this case, by applying an external magnetic field to the liquid material 22, the liquid material 22 is easily held in the second holding space S2.
[Adjustment device]
In the present embodiment, the metal block 23, the Peltier element 24, the pipe connecting portion 25, and the refrigerant pipe 26 adjust the transfer of heat to the metal material 19 held in the first holding space S1, thereby the metal material. The adjustment apparatus which maintains 19 in the state of a solid-liquid coexistence phase is comprised. Hereinafter, the adjustment device will be described in detail.

金属ブロック23は、例えば銅、銅合金、アルミニウム、アルミニウム合金、及びモリブデン等の比較的熱伝導率の高い材料で形成されている。金属ブロック23の形成材料が液体材料22によって腐食される場合には、金属ブロック23の表面をめっきする等して液体材料22から保護するようにしてもよい。金属ブロック23は、鏡筒16の周方向の全体にわたって設けられている。   The metal block 23 is formed of a material having a relatively high thermal conductivity such as copper, copper alloy, aluminum, aluminum alloy, and molybdenum. When the forming material of the metal block 23 is corroded by the liquid material 22, the surface of the metal block 23 may be protected from the liquid material 22 by plating or the like. The metal block 23 is provided over the entire circumferential direction of the lens barrel 16.

ペルチェ素子24の吸熱側は、金属ブロック23に熱的に連結され、ペルチェ素子24の放熱側は、配管接続部25を介して冷媒配管26に熱的に接続されている。また、ペルチェ素子24は、吸熱の度合いを制御する制御装置に電気的に接続されている。そして、ペルチェ素子24は、制御装置からの制御信号に応じて、金属ブロック23に対する吸熱の度合いを調整することにより、金属ブロック23の温度を略一定に維持する。   The heat absorption side of the Peltier element 24 is thermally connected to the metal block 23, and the heat dissipation side of the Peltier element 24 is thermally connected to the refrigerant pipe 26 via the pipe connection part 25. The Peltier element 24 is electrically connected to a control device that controls the degree of heat absorption. And the Peltier device 24 maintains the temperature of the metal block 23 substantially constant by adjusting the degree of heat absorption with respect to the metal block 23 according to the control signal from a control apparatus.

冷媒配管26内には、図示しない温度調節装置によって一定の温度に維持された冷媒が流れている。そして、冷媒配管26は、ペルチェ素子24における放熱側の熱を、配管接続部25を介して取り除くことによって、ペルチェ素子24における放熱側の温度を略一定に維持する。   In the refrigerant pipe 26, the refrigerant maintained at a constant temperature by a temperature adjusting device (not shown) flows. And the refrigerant | coolant piping 26 maintains the temperature of the thermal radiation side in the Peltier device 24 substantially constant by removing the heat of the thermal radiation side in the Peltier device 24 via the piping connection part 25. FIG.

本実施形態の金属保持部材21及び調整装置によれば、以下のような態様で鏡筒16の温度が略一定に維持されている。すなわち、鏡筒16の温度が上記基準温度よりも高くなると、鏡筒16の外周部に接している金属材料19では、鏡筒16から受ける熱が大きくなる。金属材料19は、上述のように、鏡筒16の基準温度において固液共存相であることから、鏡筒16からの熱を潜熱として消費することにより、その温度は共晶点に維持されつつも、金属材料19の全体に占める液相の割合が大きくなる。   According to the metal holding member 21 and the adjusting device of the present embodiment, the temperature of the lens barrel 16 is maintained substantially constant in the following manner. That is, when the temperature of the lens barrel 16 becomes higher than the reference temperature, the metal material 19 in contact with the outer periphery of the lens barrel 16 increases the heat received from the lens barrel 16. Since the metal material 19 is a solid-liquid coexistence phase at the reference temperature of the lens barrel 16 as described above, the temperature is maintained at the eutectic point by consuming heat from the lens barrel 16 as latent heat. However, the ratio of the liquid phase to the whole metal material 19 is increased.

そして、上記測定装置Mによって測定された金属材料19の液面高さHが上記高さH2を超えると、ペルチェ素子24における吸熱側の出力を上げるための制御信号を上記制御装置がペルチェ素子24に対して出力する。これにより、ペルチェ素子24では、金属ブロック23を介した液体材料22による吸熱、すなわち液体材料22及び上記熱伝導部21gを介した金属材料19に対する吸熱が強められる。このとき、冷媒配管26内では冷媒が循環し続けているため、ペルチェ素子24における放熱側の温度が一定に維持され、これに伴い、ペルチェ素子24の吸熱側の温度も所定の温度に維持されるようになる。なお、冷媒の循環によって生じる振動のほとんどは、液体材料22及び金属材料19に吸収されるため、鏡筒16に対する振動の伝達が抑えられる。その結果、金属材料19の全体に占める液相の割合が小さくなることから、測定装置Mによって測定される金属材料19の液面高さHが、上記高さH2よりも小さくなる。   When the liquid level height H of the metal material 19 measured by the measuring device M exceeds the height H2, the control device outputs a control signal for increasing the heat absorption side output in the Peltier element 24. Output for. Thereby, in the Peltier element 24, the heat absorption by the liquid material 22 through the metal block 23, that is, the heat absorption to the metal material 19 through the liquid material 22 and the heat conducting portion 21g is strengthened. At this time, since the refrigerant continues to circulate in the refrigerant pipe 26, the temperature on the heat dissipation side of the Peltier element 24 is maintained constant, and accordingly, the temperature on the heat absorption side of the Peltier element 24 is also maintained at a predetermined temperature. Become so. Note that most of the vibration generated by the circulation of the refrigerant is absorbed by the liquid material 22 and the metal material 19, so that transmission of vibration to the lens barrel 16 is suppressed. As a result, since the ratio of the liquid phase to the whole metal material 19 becomes small, the liquid level height H of the metal material 19 measured by the measuring device M becomes smaller than the height H2.

他方、鏡筒16が冷却されることによってその温度が上記基準温度よりも低くなると、金属材料19が鏡筒16に対して放熱を行う。金属材料19が放熱を行うと、その温度は共晶点に維持されつつも、金属材料19の全体に占める固相の割合が大きくなる。   On the other hand, when the lens barrel 16 is cooled and its temperature becomes lower than the reference temperature, the metal material 19 radiates heat to the lens barrel 16. When the metal material 19 dissipates heat, the ratio of the solid phase in the entire metal material 19 increases while the temperature is maintained at the eutectic point.

そして、測定装置Mによって測定された液面高さHが上記高さH1未満になると、ペルチェ素子24における吸熱側の出力を下げるための制御信号を上記制御装置がペルチェ素子24に対して出力する。これにより、ペルチェ素子24では、金属ブロック23を介した液体材料22による吸熱、すなわち液体材料22及び熱伝導部21gを介した金属材料19に対する吸熱が弱められる。このとき、冷媒配管26内では冷媒が循環し続けているため、ペルチェ素子24における放熱側の温度が一定に維持され、これに伴い、ペルチェ素子24の吸熱側の温度も所定の温度に維持されるようになる。なお、冷媒の循環によって生じる振動のほとんどは、上述のように、液体材料22及び金属材料19によって吸収されるため、鏡筒16に対する振動の伝達が抑えられる。その結果、金属材料19の全体に占める固相の割合が小さくなることから、測定装置Mによって測定される金属材料19の液面高さHが、上記高さH1よりも大きくなる。   When the liquid level height H measured by the measuring device M becomes less than the height H1, the control device outputs a control signal to the Peltier element 24 for reducing the heat absorption side output of the Peltier element 24. . Thereby, in the Peltier element 24, the heat absorption by the liquid material 22 through the metal block 23, that is, the heat absorption by the metal material 19 through the liquid material 22 and the heat conducting portion 21g is weakened. At this time, since the refrigerant continues to circulate in the refrigerant pipe 26, the temperature on the heat dissipation side of the Peltier element 24 is maintained constant, and accordingly, the temperature on the heat absorption side of the Peltier element 24 is also maintained at a predetermined temperature. Become so. Since most of the vibration generated by the circulation of the refrigerant is absorbed by the liquid material 22 and the metal material 19 as described above, transmission of vibration to the lens barrel 16 is suppressed. As a result, since the ratio of the solid phase to the whole metal material 19 is reduced, the liquid level height H of the metal material 19 measured by the measuring device M is larger than the height H1.

このように、本実施形態においては、金属材料19の液面高さHが、上記高さH2を超えたとき、及び上記高さH1未満となったときに、ペルチェ素子24による吸熱若しくは放熱、及び冷媒の循環を行うことによって、金属材料19が固液共存相から逸脱しないようにしている。   Thus, in the present embodiment, when the liquid surface height H of the metal material 19 exceeds the height H2 and less than the height H1, heat absorption or heat dissipation by the Peltier element 24, In addition, by circulating the refrigerant, the metal material 19 is prevented from deviating from the solid-liquid coexistence phase.

以上説明したように、本発明の態様にかかる光学装置及び露光装置の第2実施形態によれば、上記第1実施形態によって得られる効果に加えて、以下の効果が得られるようになる。   As described above, according to the second embodiment of the optical apparatus and the exposure apparatus according to the aspect of the present invention, in addition to the effects obtained by the first embodiment, the following effects can be obtained.

(5)金属保持部材21の第2保持空間S2に保持された液体材料22に、金属ブロック23の一端を浸漬させるとともに、該金属ブロック23の他端には、ペルチェ素子24及び配管接続部25を介して冷媒配管26を接続している。そして、第1保持空間S1に保持された金属材料19の液面高さHが、上記高さH1未満となるとき、及び高さH2を超えたときには、ペルチェ素子24及び冷媒配管26を流れる冷媒を用いて、金属材料19の液面高さHが、高さH1以上高さH2以下となるようにしている。そのため、金属材料19が鏡筒16に対して熱を与えたり、鏡筒16から熱を受けたりしても、金属材料19は、固液共存の状態に維持されるようになる。それゆえに、金属材料19の温度が一定に維持されるようになることから、鏡筒16の温度も一定に維持されるようになる。したがって、上記露光装置10による露光の精度が高められるようになる。   (5) One end of the metal block 23 is immersed in the liquid material 22 held in the second holding space S2 of the metal holding member 21, and the other end of the metal block 23 is connected to the Peltier element 24 and the pipe connecting portion 25. The refrigerant pipe 26 is connected via Then, when the liquid level height H of the metal material 19 held in the first holding space S1 is less than the height H1 and exceeds the height H2, the refrigerant flowing through the Peltier element 24 and the refrigerant pipe 26 The liquid surface height H of the metal material 19 is set to be not less than the height H1 and not more than the height H2. For this reason, even if the metal material 19 applies heat to the lens barrel 16 or receives heat from the lens barrel 16, the metal material 19 is maintained in a solid-liquid coexistence state. Therefore, since the temperature of the metal material 19 is kept constant, the temperature of the lens barrel 16 is also kept constant. Therefore, the accuracy of exposure by the exposure apparatus 10 is improved.

(6)冷媒配管26内を冷媒が流れることによって生じる振動は、液体材料22と金属材料19とによって吸収される。そのため、金属材料19の温度の維持に冷媒の循環を用いたとしても、冷媒の循環に起因する振動が、鏡筒16に伝わりにくくなる。それゆえに、露光装置10による露光の精度が低下することを抑えられる。
[第3実施形態]
以下、本発明の態様にかかる光学装置及び露光装置の第3実施形態について図7を参照して説明する。なお、本実施形態は、上記第1実施形態及び第2実施形態と比較して、鏡筒16の外周に設けられた金属保持部材周辺の構造が異なっている。そのため以下では、光学装置及び露光装置の有する金属保持部材周辺について詳細に説明する。
[金属保持部材]
図7に示されるように、金属保持部材18は、上記第1実施形態と同様、各種合成樹脂等の断熱材料によって形成される環状部材であって、底壁部18a、周壁部18b、及び接続部18cを有している。底壁部18aと鏡筒16との間には、Oリング18eが挟み込まれ、また接続部18cと鏡筒16との間にもOリング18fが挟み込まれている。そして、接続部18cがねじ18dによって鏡筒16にねじ止めされることによって、底壁部18aと鏡筒16との間、及び接続部18cと鏡筒16との間がシールされる。
(6) The vibration generated by the refrigerant flowing in the refrigerant pipe 26 is absorbed by the liquid material 22 and the metal material 19. Therefore, even if the circulation of the refrigerant is used to maintain the temperature of the metal material 19, the vibration caused by the circulation of the refrigerant is not easily transmitted to the lens barrel 16. Therefore, it is possible to suppress a reduction in exposure accuracy by the exposure apparatus 10.
[Third Embodiment]
A third embodiment of the optical apparatus and the exposure apparatus according to an aspect of the present invention will be described below with reference to FIG. In addition, this embodiment differs in the structure of the metal holding member periphery provided in the outer periphery of the lens-barrel 16 compared with the said 1st Embodiment and 2nd Embodiment. Therefore, in the following, the periphery of the metal holding member of the optical device and the exposure device will be described in detail.
[Metal holding member]
As shown in FIG. 7, the metal holding member 18 is an annular member formed of a heat insulating material such as various synthetic resins as in the first embodiment, and includes a bottom wall portion 18a, a peripheral wall portion 18b, and a connection. It has a portion 18c. An O-ring 18e is sandwiched between the bottom wall portion 18a and the lens barrel 16, and an O-ring 18f is also sandwiched between the connecting portion 18c and the lens barrel 16. Then, the connecting portion 18c is screwed to the lens barrel 16 with a screw 18d, thereby sealing between the bottom wall portion 18a and the lens barrel 16 and between the connecting portion 18c and the lens barrel 16.

また、周壁部18bと鏡筒16とに挟まれた空間には、底壁部18aが底部となる環状の凹部が金属保持部材18と鏡筒16とによって形成され、該凹部である第1の保持部としての保持空間Sには、上記金属材料19が保持される。金属材料19の上方には、その液面高さHを測定する測定装置Mが配設されている。   Further, in the space sandwiched between the peripheral wall portion 18b and the lens barrel 16, an annular recess having the bottom wall portion 18a as the bottom is formed by the metal holding member 18 and the lens barrel 16, and this is the first recess. The metal material 19 is held in the holding space S as a holding portion. Above the metal material 19, a measuring device M for measuring the liquid level height H is disposed.

保持空間Sには、金属材料19に浸漬されつつも、該保持空間Sを形成する底壁部18a、周壁部18b、及び鏡筒16には接しないように調整装置としての冷媒配管31が、上記凹部である保持空間Sの全体にわたり設けられている。冷媒配管31内には、図示しない温調装置によって一定の温度に維持された冷媒が流れている。冷媒の循環は、上記第2実施形態と同様、測定装置Mによって測定される液面高さHが上記高さH1未満となったとき、及び高さH2を超えたときに行われる。   In the holding space S, while being immersed in the metal material 19, a refrigerant pipe 31 as an adjusting device is provided so as not to contact the bottom wall portion 18a, the peripheral wall portion 18b, and the lens barrel 16 that form the holding space S. It is provided over the entire holding space S which is the concave portion. A refrigerant maintained at a constant temperature by a temperature control device (not shown) flows in the refrigerant pipe 31. As in the second embodiment, the circulation of the refrigerant is performed when the liquid level height H measured by the measuring device M becomes less than the height H1 and exceeds the height H2.

これにより、鏡筒16の温度が基準温度よりも高くなる、あるいは低くなることによって、金属材料19が鏡筒16から熱を受ける、あるいは鏡筒16に熱を与えるとしても、冷媒配管31内を循環する冷媒が、金属材料19に熱を与える、あるいは金属材料19から熱を受けることによって、金属材料19が固液共存相に維持される。それゆえに、金属材料19の温度が一定に維持されることから、鏡筒16の温度も一定に維持され、ひいては、露光装置10による露光の精度が高められるようになる。   Thereby, even if the metal material 19 receives heat from the lens barrel 16 or gives heat to the lens barrel 16 by the temperature of the lens barrel 16 becoming higher or lower than the reference temperature, the inside of the refrigerant pipe 31 is maintained. The circulating refrigerant gives heat to the metal material 19 or receives heat from the metal material 19, whereby the metal material 19 is maintained in a solid-liquid coexisting phase. Therefore, since the temperature of the metal material 19 is kept constant, the temperature of the lens barrel 16 is also kept constant, and as a result, the accuracy of exposure by the exposure apparatus 10 is improved.

本実施形態では、冷媒配管31内を循環する冷媒によって金属材料19から直接熱を受けたり、金属材料19に直接熱を与えたりしている。そのため、他の部材や液体材料を介するよりも、金属材料19と冷媒との間での熱の授受がより短期間で行われることになる。それゆえに、金属材料19は、より固液共存相の状態に維持されやすくなる。   In the present embodiment, the refrigerant circulating in the refrigerant pipe 31 receives heat directly from the metal material 19, or heat is directly applied to the metal material 19. Therefore, transfer of heat between the metal material 19 and the refrigerant is performed in a shorter period of time than through another member or liquid material. Therefore, the metal material 19 is more easily maintained in a solid-liquid coexisting phase.

また、冷媒配管31内を冷媒が循環することによって生じる振動は、金属材料19によって吸収されるため、鏡筒16に伝わりにくくなる。それゆえに、冷媒を循環させることで金属材料19への熱の授受を行ったとしても、露光装置10による露光の精度が低下することを抑えることができる。   In addition, the vibration generated by the circulation of the refrigerant in the refrigerant pipe 31 is absorbed by the metal material 19, so that it is difficult to be transmitted to the lens barrel 16. Therefore, even if heat is transferred to the metal material 19 by circulating the refrigerant, it is possible to suppress a decrease in exposure accuracy by the exposure apparatus 10.

本実施形態によれば、上記第1実施形態によって得られる効果に加え、以下の効果が得られるようになる。   According to the present embodiment, in addition to the effects obtained by the first embodiment, the following effects can be obtained.

(7)金属材料19に冷媒配管31を浸積させるとともに、金属材料19の液面高さHが、上記高さH1未満になったとき、及び高さH2を超えたときに、冷媒配管31内に冷媒を循環させることで、金属材料19と冷媒との間で熱の授受を行うようにしている。これにより、金属材料19が、固液共存相に維持されることから、鏡筒16の温度も一定に維持されるようになる。それゆえに、露光装置10による露光の精度が高められるようになる。   (7) The refrigerant pipe 31 is immersed in the metal material 19, and when the liquid surface height H of the metal material 19 is less than the height H1 and exceeds the height H2, the refrigerant pipe 31 is used. Heat is transferred between the metal material 19 and the refrigerant by circulating the refrigerant therein. Thereby, since the metal material 19 is maintained in the solid-liquid coexisting phase, the temperature of the lens barrel 16 is also maintained constant. Therefore, the accuracy of exposure by the exposure apparatus 10 can be improved.

(8)冷媒の循環する冷媒配管31を金属材料19中に浸漬させている。そのため、冷媒の循環によって生じる振動は、金属材料19によって吸収されることから、鏡筒16には伝わりにくくなる。それゆえに、冷媒を循環させることで金属材料19への熱の授受を行ったとしても、露光装置10による露光の精度が低下することを抑えることができる。
[第4実施形態]
以下、本発明の態様にかかる光学装置及び露光装置の第4実施形態について図8を参照して説明する。なお、本実施形態は、上記第3実施形態と比較して、金属材料を保持する保持空間内に設けられた調整装置の構造が異なっている。そのため以下では、本実施形態の光学装置及び露光装置の有する調整装置について詳細に説明する。
[金属保持部材]
図8に示されるように、上記第3実施形態と同様、金属保持部材18の底壁部18aを底部とし、且つ、周壁部18bと鏡筒16との挟まれた空間に形成された凹部であって、第1の保持部としての保持空間Sには、金属材料19が保持される。また、金属材料19の上方には、金属材料19の液面高さHを測定する測定装置Mが配設されている。
(8) The refrigerant pipe 31 in which the refrigerant circulates is immersed in the metal material 19. For this reason, the vibration generated by the circulation of the refrigerant is absorbed by the metal material 19, and is thus difficult to be transmitted to the lens barrel 16. Therefore, even if heat is transferred to the metal material 19 by circulating the refrigerant, it is possible to suppress a decrease in exposure accuracy by the exposure apparatus 10.
[Fourth Embodiment]
Hereinafter, a fourth embodiment of an optical apparatus and an exposure apparatus according to an aspect of the present invention will be described with reference to FIG. In addition, this embodiment differs in the structure of the adjustment apparatus provided in the holding space holding a metal material compared with the said 3rd Embodiment. Therefore, in the following, the adjustment apparatus included in the optical apparatus and the exposure apparatus of the present embodiment will be described in detail.
[Metal holding member]
As shown in FIG. 8, similar to the third embodiment, the bottom wall portion 18 a of the metal holding member 18 is a bottom portion, and a recess formed in a space between the peripheral wall portion 18 b and the lens barrel 16. Thus, the metal material 19 is held in the holding space S as the first holding portion. A measuring device M that measures the liquid level height H of the metal material 19 is disposed above the metal material 19.

保持空間S内には、金属材料19に浸漬されつつも、該保持空間Sを形成する底壁部18a、周壁部18b、及び鏡筒16には接しないように、調整装置を構成する第1冷媒配管41が、上記凹部である保持空間Sの全体にわたり設けられている。第1冷媒配管41には、図示しない温調装置によって一定の温度に維持された冷媒が流れているとともに、第1配管接続部41aに配設されたペルチェ素子42を介して、第2冷媒配管43の第2配管接続部43aが連結されている。第2冷媒配管43には、上記第1冷媒配管41と同様に、温調装置によって一定の温度に維持された冷媒が流れている。つまり、本実施形態では、第1冷媒配管41、第1配管接続部41a、ペルチェ素子42、第2冷媒配管43、及び第2配管接続部43aによって調整装置が構成されている。   A first adjusting device is configured so that the holding space S is immersed in the metal material 19 but does not come into contact with the bottom wall portion 18a, the peripheral wall portion 18b, and the lens barrel 16 that form the holding space S. A refrigerant pipe 41 is provided over the entire holding space S which is the concave portion. In the first refrigerant pipe 41, a refrigerant maintained at a constant temperature by a temperature control device (not shown) flows, and the second refrigerant pipe is connected via a Peltier element 42 disposed in the first pipe connection portion 41a. 43 2nd piping connection parts 43a are connected. Similarly to the first refrigerant pipe 41, the refrigerant maintained at a constant temperature by the temperature controller flows through the second refrigerant pipe 43. That is, in this embodiment, the adjustment apparatus is comprised by the 1st refrigerant | coolant piping 41, the 1st piping connection part 41a, the Peltier element 42, the 2nd refrigerant | coolant piping 43, and the 2nd piping connection part 43a.

本実施形態では、測定装置Mによって測定された液面高さHが、上記高さH1未満であるとき、及び上記高さH2を超えるときに、ペルチェ素子42による放熱あるいは吸熱、及び第1冷媒配管41及び第2冷媒配管43における冷媒の循環を行う。これにより、金属材料19の状態を固液共存相に維持するようにしている。   In the present embodiment, when the liquid level height H measured by the measuring device M is less than the height H1 and exceeds the height H2, heat dissipation or heat absorption by the Peltier element 42, and the first refrigerant The refrigerant is circulated in the pipe 41 and the second refrigerant pipe 43. Thereby, the state of the metal material 19 is maintained in a solid-liquid coexisting phase.

本実施形態によれば、上記第1実施形態によって得られる効果及び上記第3実施形態によって得られる効果を得ることができる。
[他の実施形態]
なお、上記実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
According to the present embodiment, the effect obtained by the first embodiment and the effect obtained by the third embodiment can be obtained.
[Other Embodiments]
In addition, the said embodiment can also be suitably changed and implemented as follows.

・鏡筒16の周方向の全体にわたって金属保持部材18,21を設けるようにしたが、金属保持部材18,21は、鏡筒16の周方向における一部に設けるようにしてもよい。また、鏡筒16の複数箇所に設けてもよい。例えば、鏡筒16のうち鏡筒16の温度が変化しやすい箇所に、金属保持部材18,21を設けるようにしても良い。また、金属保持部材18,21は、鏡筒16の外周部に限らず、鏡筒16の内部や内周部に設けても良い。   Although the metal holding members 18 and 21 are provided over the entire circumferential direction of the lens barrel 16, the metal holding members 18 and 21 may be provided in a part of the lens barrel 16 in the circumferential direction. Moreover, you may provide in the multiple places of the lens-barrel 16. For example, the metal holding members 18 and 21 may be provided in a portion of the lens barrel 16 where the temperature of the lens barrel 16 is likely to change. Further, the metal holding members 18 and 21 are not limited to the outer peripheral portion of the lens barrel 16, and may be provided in the inner portion or the inner peripheral portion of the lens barrel 16.

・金属保持部材18,21の底壁部18a,21a、周壁部18b,21b、及び接続部18c,21cを各種樹脂材料で形成するようにしたが、鏡筒16及び金属材料19よりも熱伝導性の低い材料を用いて形成するようにしてもよい。   Although the bottom wall portions 18a and 21a, the peripheral wall portions 18b and 21b, and the connection portions 18c and 21c of the metal holding members 18 and 21 are formed of various resin materials, they are more thermally conductive than the lens barrel 16 and the metal material 19. You may make it form using material with low property.

・金属材料19は、鏡筒16の基準温度において固液共存相であれば、共晶組成でない合金であってもよい。   The metal material 19 may be an alloy having no eutectic composition as long as it is a solid-liquid coexisting phase at the reference temperature of the lens barrel 16.

・金属材料19は、上記金属の組み合わせに限らず、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、アルミニウム(Al)、ナトリウム(Na)、及び水銀(Hg)の少なくとも一つを含む合金であればよい。例えば、二成分系の合金に限らず、3以上の金属を含む合金であってもよい。   The metal material 19 is not limited to the combination of the above metals, but includes gallium (Ga), indium (In), tin (Sn), zinc (Zn), aluminum (Al), sodium (Na), and mercury (Hg). What is necessary is just an alloy containing at least one. For example, not only a binary alloy but also an alloy containing three or more metals may be used.

・金属材料19は、上述の合金に限らず、ガリウム(Ga)またはセシウム(Cs)の単体の金属であってもよい。なお、Gaの凝固点は29.8℃であり、Csの凝固点は28.4℃である。そのため、一般に鏡筒16の基準温度として設定される温度近傍の凝固点を有することから、露光装置10の使用中において固液共存相の状態を維持しやすい。   The metal material 19 is not limited to the above-described alloy, but may be a single metal of gallium (Ga) or cesium (Cs). The freezing point of Ga is 29.8 ° C., and the freezing point of Cs is 28.4 ° C. Therefore, since it has a freezing point near the temperature generally set as the reference temperature of the lens barrel 16, it is easy to maintain a solid-liquid coexisting phase state during use of the exposure apparatus 10.

・金属材料19は、鏡筒16の基準温度において固液共存相であれば、上記ガリウム及びセシウムに限らず、他の単体金属であってもよい。   The metal material 19 is not limited to gallium and cesium as long as it is a solid-liquid coexisting phase at the reference temperature of the lens barrel 16, but may be other single metals.

・Oリング18e,18fは、金属保持部材18,21と鏡筒16との間に設けられなくても良い。金属材料19が漏れ出ることのないように、金属保持部材18,21と鏡筒16とが密着していれば良い。   The O-rings 18e and 18f may not be provided between the metal holding members 18 and 21 and the lens barrel 16. The metal holding members 18 and 21 and the lens barrel 16 may be in close contact so that the metal material 19 does not leak.

・鏡筒16と金属保持部材18,21とを各別に形成するようにしたが、これら鏡筒16と金属保持部材18が一体的に形成されていてもよい。例えば、鏡筒に金属保持部材を形成して用いても良い。これによって、Oリング18e,18fやネジ18dが不要になり、且つ、金属材料19が漏れ出ることがない。また、本発明の態様にかかる投影装置14が簡素化される。   Although the lens barrel 16 and the metal holding members 18 and 21 are separately formed, the lens barrel 16 and the metal holding member 18 may be formed integrally. For example, a metal holding member may be formed on the lens barrel. This eliminates the need for the O-rings 18e and 18f and the screw 18d, and prevents the metal material 19 from leaking out. Further, the projection device 14 according to the aspect of the present invention is simplified.

・金属保持部材18,21を断熱材料で形成するようにしたが、金属保持部材18,21は断熱材料でなくてもよい。例えば、低熱膨張材料や熱伝導率の高い材料で構成しても良い。   Although the metal holding members 18 and 21 are formed of a heat insulating material, the metal holding members 18 and 21 may not be a heat insulating material. For example, you may comprise with a low thermal expansion material and material with high heat conductivity.

・測定装置Mは、金属材料19の液面19sをその上方から測定するようにしたが、横側から測定しても良い。例えば、金属保持部材18の周壁部18bの一部に光透過窓が設けられており、この光透過窓を介して、金属材料19の液面19sを測定できるように構成しても良い。これによって、測定装置Mを鏡筒16から離れた位置に設けることができる。   The measuring apparatus M measures the liquid level 19s of the metal material 19 from above, but may measure from the side. For example, a light transmission window may be provided in a part of the peripheral wall portion 18b of the metal holding member 18, and the liquid level 19s of the metal material 19 may be measured through the light transmission window. Accordingly, the measuring device M can be provided at a position away from the lens barrel 16.

・上記第1実施形態では、金属材料19の液面高さHが、高さH1未満であるとき、及び高さH2を超えたときに、露光装置10による露光を停止するようにした。これに限らず、液面高さHが、高さHS未満であるとき、及び高さHLを超えたときに露光装置10による露光を停止するようにしてもよい。   In the first embodiment, the exposure by the exposure apparatus 10 is stopped when the liquid level height H of the metal material 19 is less than the height H1 and exceeds the height H2. Not limited to this, the exposure by the exposure apparatus 10 may be stopped when the liquid level height H is less than the height HS and exceeds the height HL.

・上記第1実施形態では、液面高さHが、上記高さH1未満であるときと、高さH2を超えるときには露光装置10による露光を停止するようにした。これに限らず、液面高さHがこうした範囲にあることを露光装置10の使用者に対して知らせる警告、例えば表示部への警告の表示や、警告音をならすこと等を行うようにしてもよい。また、鏡筒16の温度変化を予測し、光学部材の位置や傾き等を調整することや、こうした範囲にあるときのショット領域を記憶しておき、後でそのショット領域のチップを抽出してもよい。   In the first embodiment, the exposure by the exposure apparatus 10 is stopped when the liquid level height H is less than the height H1 or exceeds the height H2. However, the present invention is not limited to this, and a warning for notifying the user of the exposure apparatus 10 that the liquid level height H is in such a range, for example, displaying a warning on the display unit or sounding a warning sound, is performed. Also good. Further, the temperature change of the lens barrel 16 is predicted, the position and inclination of the optical member are adjusted, the shot area when in such a range is stored, and the chip of the shot area is extracted later. Also good.

・上記第2実施形態では、金属ブロック23を金属保持部材18の全体にわたって設けるようにしたが、金属ブロック23は、金属保持部材18の一部に設けられるようにしてもよい。   In the second embodiment, the metal block 23 is provided over the entire metal holding member 18, but the metal block 23 may be provided in a part of the metal holding member 18.

・上記第2実施形態では、ペルチェ素子24が金属ブロック23の温度を一定に維持するようにしたが、液体材料22の温度、金属材料19の温度、鏡筒16の温度等を一定に維持するにしてもよい。   In the second embodiment, the Peltier element 24 keeps the temperature of the metal block 23 constant, but keeps the temperature of the liquid material 22, the temperature of the metal material 19, the temperature of the lens barrel 16, etc. It may be.

・上記第3実施形態では、熱伝導部21gと底壁部21aとを各別に形成するようにしたが、熱伝導部21gは、底壁部21aと一体的に形成されても良い。これによって、ねじ21jが不要になり、金属材料19と液体材料22とが混ざることがない。また、本発明の態様にかかる投影装置14が簡素化される。   In the third embodiment, the heat conducting portion 21g and the bottom wall portion 21a are formed separately, but the heat conducting portion 21g may be formed integrally with the bottom wall portion 21a. This eliminates the need for the screw 21j and prevents the metal material 19 and the liquid material 22 from being mixed. Further, the projection device 14 according to the aspect of the present invention is simplified.

・上記第3実施形態では、液面高さHが、高さH1以上高さH2以下の範囲を逸脱するときに、冷媒の循環を行うようにしたが、液面高さHが、高さHS以上高さHL以下の範囲を逸脱するときに、冷媒の循環を行うようにしてもよい。   In the third embodiment, the refrigerant is circulated when the liquid level height H deviates from the range of the height H1 to the height H2, but the liquid level height H is high. The refrigerant may be circulated when it deviates from the range from HS to height HL.

・上記第3実施形態では、金属材料19の液面高さHが高さH1以上高さH2以下の範囲を逸脱したときに冷媒の循環を行うようにしたが、冷媒の循環は、露光装置10を使用しているときに、常時行うようにしてもよい。   In the third embodiment, the refrigerant is circulated when the liquid surface height H of the metal material 19 deviates from the range of the height H1 or more and the height H2 or less. It may be performed all the time when 10 is used.

・上記第2実施形態及び第4実施形態では、液面高さHが、高さH1以上高さH2以下の範囲を逸脱するときに、ペルチェ素子24,42の駆動と冷媒の循環とを行うようにしたが、液面高さHが、高さHS以上高さHL以下の範囲を逸脱するときに、ペルチェ素子24,42の駆動と冷媒の循環とを行うようにしてもよい。   In the second embodiment and the fourth embodiment, when the liquid level height H deviates from the range of the height H1 to the height H2, the Peltier elements 24 and 42 are driven and the refrigerant is circulated. However, when the liquid level height H deviates from the range of the height HS to the height HL, the Peltier elements 24 and 42 may be driven and the refrigerant may be circulated.

・上記第2実施形態及び第4実施形態では、ペルチェ素子24,42の駆動と冷媒の循環とを上記液面高さHが、高さH1以上高さH2以下の範囲から逸脱したときに行うようにしたが、ペルチェ素子24,42の駆動及び冷媒の循環は、露光装置10を使用しているときに、常時行うようにしてもよい。   In the second and fourth embodiments, the driving of the Peltier elements 24 and 42 and the circulation of the refrigerant are performed when the liquid level height H deviates from the range of the height H1 to the height H2. However, the driving of the Peltier elements 24 and 42 and the circulation of the refrigerant may be always performed when the exposure apparatus 10 is used.

・上記第3実施形態及び第4実施形態では、冷媒配管31,41,43が金属保持部材18の全体にわたって設けられるようにしたが、冷媒配管31,41,43は、金属保持部材18の一部に設けられていてもよい。   In the third embodiment and the fourth embodiment, the refrigerant pipes 31, 41, and 43 are provided over the entire metal holding member 18, but the refrigerant pipes 31, 41, and 43 are provided as part of the metal holding member 18. It may be provided in the part.

・上記第1実施形態に、第2実施形態の調整装置を採用する、つまり、第1実施形態の金属材料19にペルチェ素子と配管接続部を介して冷媒配管に接続された金属ブロックを浸漬させた構成とすることで、金属材料19を固液共存相に維持するようにしてもよい。   In the first embodiment, the adjustment device of the second embodiment is adopted, that is, the metal block 19 connected to the refrigerant pipe through the Peltier element and the pipe connection portion is immersed in the metal material 19 of the first embodiment. By adopting such a configuration, the metal material 19 may be maintained in a solid-liquid coexisting phase.

・第2実施形態の調整装置として、第3実施形態の調整装置を採用する、つまり、液体材料に冷媒配管を浸積させた構成とするようにしてもよい。   -As an adjustment apparatus of 2nd Embodiment, you may make it set it as the structure which employ | adopts the adjustment apparatus of 3rd Embodiment, ie, the refrigerant | coolant piping was immersed in the liquid material.

・第2実施形態の調整装置として、第4実施形態の調整装置を採用する、つまり、2つの冷媒配管、及びこれら冷媒配管に挟まれたペルチェ素子を有する調整装置を採用するようにしてもよい。   As the adjusting device of the second embodiment, the adjusting device of the fourth embodiment is adopted, that is, an adjusting device having two refrigerant pipes and a Peltier element sandwiched between the refrigerant pipes may be adopted. .

・上記第1実施形態、第2実施形態、第3実施形態、及び第4実施形態では、金属保持部材、金属材料、調整装置を備える光学装置を投影装置14に用いる例を示したが、本発明の態様を照明装置12に用いても良い。   In the first embodiment, the second embodiment, the third embodiment, and the fourth embodiment, an example in which an optical device including a metal holding member, a metal material, and an adjustment device is used for the projection device 14 has been described. An aspect of the invention may be used for the lighting device 12.

・上記走査型の露光装置10の露光対象は、上記シリコン基板のような半導体チップ等のマイクロデバイスを形成するためのウエハWの他、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置等に利用されるレチクル又はマスクを形成するための基板であってもよい。また走査型露光装置の露光対象は、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等を形成するための基板、CCD等の撮像デバイスを形成するための基板であってもよい。   The exposure object of the scanning exposure apparatus 10 includes a wafer W for forming a microdevice such as a semiconductor chip such as the silicon substrate, an optical exposure apparatus, an EUV exposure apparatus, an X-ray exposure apparatus, and an electronic device. It may be a substrate for forming a reticle or mask used in a line exposure apparatus or the like. The exposure target of the scanning exposure apparatus may be a substrate for forming a liquid crystal display, a plasma display, or the like, or a substrate for forming an imaging device such as a CCD.

・上記光源装置11としてEUVを射出する光源を採用した場合には、該光源装置11に用いられるEUV光発生物質として、気体状の錫(Sn)、液体状又は固体状の錫、及びキセノン(Xe)等を用いることができる。   When a light source that emits EUV is adopted as the light source device 11, gaseous tin (Sn), liquid or solid tin, and xenon ( Xe) or the like can be used.

・上記光源装置11には、例えば、g線(436nm)、i線(365nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)、KrFエキシマレーザ(248nm)、Fレーザ(157nm)、Krレーザ(146nm)、Arレーザ(126nm)等を射出する光源を用いることができる。また、光源装置11としては、DFB半導体レーザ又はファイバレーザ等の固体レーザ光源が発振する赤外領域又は可視領域の単一波長レーザ光を、エルビウム又はエルビウムとイッテルビウムの双方等がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を射出する光源を用いることもできる。 The light source device 11 includes, for example, g-line (436 nm), i-line (365 nm), ArF excimer laser (193 nm), KrF excimer laser (248 nm), F 2 laser (157 nm), Kr 2 laser (146 nm), A light source that emits an Ar 2 laser (126 nm) or the like can be used. In addition, as the light source device 11, a fiber amplifier in which a single wavelength laser beam in an infrared region or a visible region oscillated by a solid-state laser light source such as a DFB semiconductor laser or a fiber laser is doped with erbium or both erbium and ytterbium, etc. It is also possible to use a light source that emits a harmonic wave that has been amplified by the above and wavelength-converted into ultraviolet light using a nonlinear optical crystal.

・また、光源装置11に搭載される光源には、放電型プラズマ光源を採用することもできる。   In addition, as the light source mounted on the light source device 11, a discharge-type plasma light source can be adopted.

・走査型の露光装置10は、ステップ・アンド・リピート方式の装置に具体化することもできる。   The scanning exposure apparatus 10 can be embodied as a step-and-repeat apparatus.

次に、上記実施形態の露光装置10を用いたデバイスの製造方法をマイクロデバイスの製造方法に具体化した一実施形態について、図9及び図10を参照して説明する。図9は、ICやLSI等の半導体チップ、表示パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等、これらマイクロデバイスの製造方法の一例を示すフローチャートである。   Next, an embodiment in which a device manufacturing method using the exposure apparatus 10 of the above embodiment is embodied as a micro device manufacturing method will be described with reference to FIGS. 9 and 10. FIG. 9 is a flowchart showing an example of a manufacturing method of these micro devices such as a semiconductor chip such as an IC or LSI, a display panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine, or the like.

まず、設計工程では、マイクロデバイスの機能設計や性能設計が行われ、その後、設計された機能や性能を実現するための目標パターンが設計される(ステップS101)。続いて、マスク製作工程では、設計された目標パターンに基づいてマスク、例えばレチクルRや、例えば可変成形マスクを駆動するためのパターンデータ、すなわち可変成形マスクの形成するパターンが目標パターンに基づいて生成される(ステップS102)。一方、基板製造工程では、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板等、マイクロデバイスの基材である基板が準備される(ステップS103)。   First, in the design process, functional design and performance design of a micro device are performed, and then a target pattern for realizing the designed function and performance is designed (step S101). Subsequently, in the mask manufacturing process, a mask, for example, a reticle R, or pattern data for driving a variable molding mask, for example, a pattern formed by the variable molding mask is generated based on the target pattern based on the designed target pattern. (Step S102). On the other hand, in the substrate manufacturing process, a substrate that is a base material of a micro device such as a silicon substrate, a glass substrate, or a ceramic substrate is prepared (step S103).

次に、加工工程としての基板処理工程では、基板上に各種の膜を形成する成膜技術、上述したパターンデータと露光装置10とを用いたリソグラフィ技術、基板上に形成された膜の一部をエッチングするエッチング技術等によって、回路パターン等の実パターンが基板上に形成される(ステップS104)。続いて、デバイス組立工程では、基板処理後の基板を用いてデバイスの組立が行われる(ステップS105)。このデバイス組立工程では、ダイシング、ボンティング、及びパッケージング等の各種の実装処理が必要に応じて実施される。次いで、検査工程では、デバイス組立工程で組み立てられたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の各種の検査が行われる(ステップS106)。そして、これらの工程を経て、マイクロデバイスが製造される。   Next, in the substrate processing step as a processing step, a film formation technique for forming various films on the substrate, a lithography technique using the pattern data and the exposure apparatus 10 described above, and a part of the film formed on the substrate An actual pattern such as a circuit pattern is formed on the substrate by an etching technique or the like for etching (step S104). Subsequently, in the device assembly process, the device is assembled using the substrate after the substrate processing (step S105). In this device assembly process, various mounting processes such as dicing, bonding, and packaging are performed as necessary. Next, in the inspection process, various inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the microdevice assembled in the device assembly process are performed (step S106). And a micro device is manufactured through these processes.

図10は、上述した基板処理工程の一部を示す一例であって、シリコン基板に薄膜トランジスタを形成するための各種の処理を示すフローチャートである。   FIG. 10 is an example showing a part of the substrate processing step described above, and is a flowchart showing various processes for forming a thin film transistor on a silicon substrate.

まず、酸化工程では、加熱されたシリコン基板の表面が酸素の雰囲気下で熱酸化され、これにより、ゲート絶縁膜が形成される(ステップS111)。CVD工程では、ゲート酸化膜上にポリシリコン膜等のゲート電極膜がCVD法によって形成される(ステップS112)。レジスト膜形成工程では、ゲート電極膜上に感光性材料が塗布され、これにより、基板の全面にレジスト膜が形成される(ステップS113)。露光工程では、露光装置10にて上記レチクルRや可変成形マスクの形成するマスクパターンに基づき露光パターンがレジスト膜上に形成される(ステップS114)。現像工程では、露光工程において露光されたレジスト膜が現像され、これによりゲートが形成される部位を覆うレジストパターンが形成される(ステップS115)。エッチング工程では、レジストパターンをマスクにしたエッチングが実施され、これにより、ゲート絶縁膜及びゲート電極膜がパターニングされる(ステップS116)。イオン注入工程では、レジストマスクで覆われていないシリコン基板の領域にイオンが注入される(ステップS117)。レジスト除去工程では、エッチングに利用されたレジストパターンが、例えば酸素ラジカルの雰囲気下で除去される(ステップS118)。   First, in the oxidation step, the surface of the heated silicon substrate is thermally oxidized in an oxygen atmosphere, whereby a gate insulating film is formed (step S111). In the CVD process, a gate electrode film such as a polysilicon film is formed on the gate oxide film by a CVD method (step S112). In the resist film forming step, a photosensitive material is applied on the gate electrode film, thereby forming a resist film on the entire surface of the substrate (step S113). In the exposure process, an exposure pattern is formed on the resist film by the exposure apparatus 10 based on the mask pattern formed by the reticle R and the variable shaping mask (step S114). In the development process, the resist film exposed in the exposure process is developed, thereby forming a resist pattern that covers a portion where the gate is formed (step S115). In the etching process, etching using the resist pattern as a mask is performed, whereby the gate insulating film and the gate electrode film are patterned (step S116). In the ion implantation step, ions are implanted into a region of the silicon substrate that is not covered with the resist mask (step S117). In the resist removal process, the resist pattern used for the etching is removed, for example, in an oxygen radical atmosphere (step S118).

10…露光装置、11…光源装置、11a…連結部、12…照明装置、12a…筐体、13…レチクルステージ、14…投影装置、15…ウエハステージ、16…鏡筒、17…ミラー、18,21…金属保持部材、18a,21a…底壁部、18b,21b…周壁部、18c,21c…接続部、18d,21d,21j…ねじ、18e,18f,21e,21f…Oリング、19…金属材料、19s…液面、21g…熱伝導部、21h…仕切部、21i…フランジ部、22…液体材料、23…金属ブロック、24,42…ペルチェ素子、25…配管接続部、26,31…冷媒配管、41…第1冷媒配管、41a…第1配管接続部、43…第2冷媒配管、43a…第2配管接続部、C…露光チャンバ、EL…露光光、M…測定装置、R…レチクル、Ra…パターン形成面、RM…反射ミラー、S…保持空間、S1…第1保持空間、S2…第2保持空間、W…ウエハ、Wa…露光面。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Exposure apparatus, 11 ... Light source device, 11a ... Connection part, 12 ... Illumination device, 12a ... Case, 13 ... Reticle stage, 14 ... Projection apparatus, 15 ... Wafer stage, 16 ... Lens barrel, 17 ... Mirror, 18 , 21 ... Metal holding member, 18a, 21a ... Bottom wall part, 18b, 21b ... Peripheral wall part, 18c, 21c ... Connection part, 18d, 21d, 21j ... Screw, 18e, 18f, 21e, 21f ... O-ring, 19 ... Metal material, 19s ... Liquid level, 21g ... Heat conduction part, 21h ... Partition part, 21i ... Flange part, 22 ... Liquid material, 23 ... Metal block, 24, 42 ... Peltier element, 25 ... Pipe connection part, 26, 31 ... refrigerant pipe, 41 ... first refrigerant pipe, 41a ... first pipe connection part, 43 ... second refrigerant pipe, 43a ... second pipe connection part, C ... exposure chamber, EL ... exposure light, M ... measuring apparatus, R ... Retic , Ra ... pattern formation surface, RM ... reflecting mirror, S ... holding space, S1 ... first holding space, S2 ... second holding space, W ... wafer, Wa ... exposed surface.

Claims (15)

鏡筒の内部に保持された光学部材を備える光学装置であって、
液相と固相との間で相転移する物性を有し、前記液相と前記固相とが共存する金属材料と、
前記鏡筒の外周部に設けられ、前記金属材料を保持する第1の保持部と、
を備えることを特徴とする光学装置。
An optical device comprising an optical member held inside a lens barrel,
A metal material having a phase transition between a liquid phase and a solid phase, wherein the liquid phase and the solid phase coexist;
A first holding portion that is provided on an outer peripheral portion of the lens barrel and holds the metal material;
An optical device comprising:
前記金属材料は、
温度変化することで、前記液相と前記固相との比率を変化させることを特徴とする請求項1に記載の光学装置。
The metal material is
The optical apparatus according to claim 1, wherein a ratio between the liquid phase and the solid phase is changed by changing a temperature.
前記金属材料は、
前記鏡筒の温度が上昇すると、前記鏡筒からの熱を受けて、前記固相に対して前記液相の比率を増やすことを特徴とする請求項2に記載の光学装置。
The metal material is
The optical apparatus according to claim 2, wherein when the temperature of the lens barrel rises, the ratio of the liquid phase to the solid phase is increased by receiving heat from the lens barrel.
前記金属材料は、
前記鏡筒の温度が低下すると、前記鏡筒に熱を与えて、前記固相に対して前記液相の比率を減らすことを特徴とする請求項2に記載の光学装置。
The metal material is
The optical apparatus according to claim 2, wherein when the temperature of the lens barrel decreases, heat is applied to the lens barrel to reduce the ratio of the liquid phase to the solid phase.
前記金属材料は、
前記鏡筒に設定されている基準温度のときに、前記液相と前記固相とが共存する固液共存相となるによう選択された単体の金属または金属合金であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の光学装置。
The metal material is
The single metal or metal alloy selected to be a solid-liquid coexisting phase in which the liquid phase and the solid phase coexist at the reference temperature set in the lens barrel. The optical device according to any one of claims 1 to 4.
前記単体の金属は、
ガリウム(Ga)またはセシウム(Cs)であることを特徴とする請求項5に記載の光学装置。
The single metal is
6. The optical device according to claim 5, wherein the optical device is gallium (Ga) or cesium (Cs).
前記金属合金は、
ガリウム(Ga)、インジウム(In)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)、アルミニウム(Al)、ナトリウム(Na)、水銀(Hg)の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項5に記載の光学装置。
The metal alloy is
6. The material according to claim 5, comprising at least one of gallium (Ga), indium (In), tin (Sn), zinc (Zn), aluminum (Al), sodium (Na), and mercury (Hg). Optical device.
前記基準温度となるように、前記鏡筒または前記金属材料の液相と固相との比率を調整する調整装置をさらに備えることを特徴とする請求項5から請求項7のいずれか一項に記載の光学装置。   8. The apparatus according to claim 5, further comprising an adjusting device that adjusts a ratio between a liquid phase and a solid phase of the lens barrel or the metal material so as to be the reference temperature. The optical device described. 前記調整装置は、
前記鏡筒に対して前記第1の保持部の外側に設けられ、前記第1の保持部を介して前記金属材料との間で熱交換する液体材料を保持する第2の保持部と、
前記液体材料の少なくとも一部に接触し、前記液体材料との間で熱交換することで、前記液体材料の温度を調整する温調装置と、
を備えることを特徴とする請求項8に記載の光学装置。
The adjusting device is
A second holding unit that is provided outside the first holding unit with respect to the lens barrel and holds a liquid material that exchanges heat with the metal material via the first holding unit;
A temperature adjustment device that adjusts the temperature of the liquid material by contacting at least a portion of the liquid material and exchanging heat with the liquid material;
The optical apparatus according to claim 8, comprising:
前記液体材料は、
前記温調装置から伝播した振動を吸収することを特徴とする請求項9に記載の光学装置。
The liquid material is
The optical device according to claim 9, wherein the optical device absorbs vibration propagated from the temperature control device.
前記液体材料は、
ガリウム(Ga)またはインジウム(In)の少なくとも一方を含む液体金属であることを特徴とする請求項9または10に記載の光学装置。
The liquid material is
The optical device according to claim 9, wherein the optical device is a liquid metal containing at least one of gallium (Ga) and indium (In).
前記金属材料の固相と液相との比率を検出する検出装置をさらに備えることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の光学装置。   The optical device according to claim 1, further comprising a detection device that detects a ratio between a solid phase and a liquid phase of the metal material. 前記金属材料の固相と液相との比率を検出する検出装置をさらに備え、
前記調整装置は、
前記検出装置の検出結果に基づいて、前記金属材料の液相と固相との比率を調整することを特徴とする請求項8から11のいずれか一項に記載の光学装置。
It further comprises a detection device for detecting the ratio of the solid phase and the liquid phase of the metal material,
The adjusting device is
The optical device according to any one of claims 8 to 11, wherein a ratio between a liquid phase and a solid phase of the metal material is adjusted based on a detection result of the detection device.
光源からの光を用いてマスクを照明する照明装置と、
前記マスクに形成されたパターンの像を物体に投影する投影装置と、を備える露光装置において、
前記照明装置および前記投影装置の少なくとも一方は、請求項1から請求項13のいずれか一項に記載の光学装置を備えることを特徴とする露光装置。
An illumination device that illuminates the mask using light from a light source;
In an exposure apparatus comprising: a projection device that projects an image of a pattern formed on the mask onto an object;
An exposure apparatus, wherein at least one of the illumination device and the projection device comprises the optical device according to any one of claims 1 to 13.
デバイスを製造するデバイス製造方法であって、
請求項14に記載の露光装置を用いて物体を露光する露光工程と、
前記露光工程で露光された前記物体を現像する現像工程と、
前記物体の表面を加工する加工工程と、
を含むデバイス製造方法。
A device manufacturing method for manufacturing a device, comprising:
An exposure step of exposing an object using the exposure apparatus according to claim 14;
A development step of developing the object exposed in the exposure step;
A processing step of processing the surface of the object;
A device manufacturing method including:
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